TW202002194A - 密封用薄片及電子元件裝置之製造方法 - Google Patents

Abstract

密封用薄片，係以形成將被安裝在基板之厚度方向其中一面上的電子元件作密封之密封層的方式而被作使用。90℃之黏度，係為5kPa以上，藉由密封試驗所測定出的最大長度L，係為150μm以下。 〈密封試驗〉 在玻璃製之試驗基板之厚度方向其中一面上，配置在與厚度方向相正交之第1方向和與厚度方向以及第1方向相正交之第2方向的各方向上之長度為10mm、厚度為400μm之矩形狀的試驗元件。在25℃、1330Pa之條件下，將於第1方向以及第2方向之各方向上的長度為20μm、厚度為260μm之矩形狀之前述密封用薄片，以於厚度方向上而與試驗元件相重疊的方式，來以2MPa而在60秒之間對於試驗元件進行加壓以使其密著。之後，將密封用薄片，以150℃來進行1小時之加熱，來形成密封層。係形成有藉由試驗元件之第1方向以及前述第2方向之至少其中一者之方向上之至少1個的端面、和試驗基板之前述厚度方向其中一面、以及面向端面及厚度方向其中一面之密封層之厚度方向另外一面，所區劃出之試驗空隙。對於在試驗空隙處之其中一方之方向之最大長度L作測定。

Description

密封用薄片及電子元件裝置之製造方法

本發明，係有關於密封用薄片及電子元件裝置之製造方法，更詳細而言，係有關於密封用薄片及使用有此之電子元件裝置之製造方法。

於先前技術中，係周知有：對於基板和被安裝於該處之電子元件而壓著密封用薄片，以形成埋設電子元件並作密封之密封層，藉由此，來製造電子元件裝置(例如，參照日本特開2016-089091號公報)。

但是，被安裝於基板處之電子元件，係朝向上側突出，電子元件之周側面與該電子元件所被作安裝之基板之表面，係相互正交。

因此，在藉由密封用薄片來埋設電子元件時，係並無法將電子元件之周側面與在基板處之電子元件之周邊之表面之間藉由密封用薄片來完全密封，密封用薄片係會上浮，而容易產生由電子元件之周側面和基板之表面以及有所上浮之密封用薄片之裡面所區劃出之大的空隙。故而，係有著導致具有大的空隙之電子元件裝置之信賴性降低的問題。

另一方面，密封用薄片，在將電子元件密封時係會軟化，但是，雖然若是使密封薄片更進一步軟化，則係能夠將空隙更為縮小，然而，在過度性地流動的情況時，係會有密封薄片之材料滲出至基板之外側乃至於對於其之周圍造成污染的問題。

本發明，係提供一種在抑制對於外側之滲出的同時亦將電子元件確實地作密封而能夠製造出信賴性為優良的電子元件裝置之密封用薄片、以及電子元件裝置之製造方法。

本發明(1)，係包含有一種密封用薄片，其係為以形成將被安裝在基板之厚度方向其中一面上的電子元件作密封之密封層的方式而被作使用的密封用薄片，其特徵為：90℃之黏度，係為5kPa以上，藉由下述之密封試驗所測定出的最大長度L，係為150μm以下。

〈密封試驗〉 在玻璃製之試驗基板之厚度方向其中一面上，配置在與前述厚度方向相正交之第1方向和與前述厚度方向以及前述第1方向相正交之第2方向的各方向上之長度為10mm、厚度為400μm之矩形狀的試驗元件，並在25℃、1330Pa之條件下，將於前述第1方向以及前述第2方向之各方向上的長度為20μm、厚度為260μm之矩形狀之前述密封用薄片，以於前述厚度方向上而與前述試驗元件相重疊的方式，來以2MPa而在60秒之間對於前述試驗元件進行加壓以使其密著，之後，將前述密封用薄片，以150℃來進行1小時之加熱，來形成前述密封層。係形成有藉由前述試驗元件之前述第1方向以及前述第2方向之至少其中一者之方向上之至少1個的端面、和前述試驗基板之前述厚度方向其中一面、以及面向前述端面及前述厚度方向其中一面之前述密封層之厚度方向另外一面，所區劃出之試驗空隙，對於在前述試驗空隙處之前述其中一方之方向之最大長度L作測定。

此密封用薄片，由於90℃之黏度係為5kPa以上，因此，在對密封用薄片進行加熱而將電子元件作密封時，密封用薄片係軟化並對於過度之流動作抑制，而能夠一面抑制密封用薄片之材料的滲出，一面將電子元件確實地作埋設。因此，此密封用薄片，其之對於電子元件的密封性係為優良，並且能夠抑制對於周圍之污染。

另一方面，在此密封用薄片中，由於藉由密封試驗所測定出的最大長度L係為150μm以下而為短，因此，就算是對於微細之凹凸構造，也能夠無空隙地來作追隨，故而，係能夠製造出信賴性為優良的電子元件裝置。

故而，若依據此密封用薄片，則係能夠抑制密封用薄片之材料之滲出，並且亦能夠將電子元件確實地作密封，而能夠製造出信賴性為優良的電子元件裝置。

本發明(2)，係包含有於(1)中所記載之密封用薄片，其中，90℃之黏度，係為200kPa以下。

本發明(3)，係包含有如(1)或(2)中所記載之密封用薄片，其中，前述密封層之線膨脹係數，係為20ppm以下。

本發明(4)，係包含有如(1)～(3)之任一項中所記載之密封用薄片，其中，係以80質量%以上而含有無機填充物。

本發明(5)，係包含有如(1)～(4)之任一項中所記載之密封用薄片，其中，係以2質量%以上，而含有從由雙酚A型環氧樹脂以及雙酚F型環氧樹脂而成之群中所選擇之至少1個的2官能環氧樹脂。

本發明(6)，係包含有一種電子元件裝置之製造方法，其特徵為：係具備有藉由將如(1)～(5)之任一項中所記載之密封用薄片推壓附著於前述電子元件處並進行加熱，來形成密封前述電子元件之前述密封層之工程。

在此電子元件裝置之製造方法中，由於密封用薄片之90℃之黏度係為5kPa以上，因此，在對密封用薄片進行加熱而將電子元件作密封時，密封用薄片係軟化並對於過度之流動作抑制，而能夠一面抑制密封用薄片之材料的滲出，一面將電子元件確實地作埋設。因此，此密封用薄片，其之對於電子元件的密封性係為優良，並且能夠抑制對於周圍之污染。

另一方面，密封用薄片，由於藉由密封試驗所測定出的最大長度L係為150μm以下而為短，因此，就算是對於微細之凹凸構造，也能夠無空隙地來作追隨，並在耐水性和耐候性上為優良，故而，係能夠製造出信賴性為優良的電子元件裝置。

故而，若依據此電子元件裝置之製造方法，則係能夠抑制密封用薄片之材料之滲出，並且亦能夠將電子元件確實地作密封，而能夠製造出信賴性為優良的電子元件裝置。

若依據本發明之密封用薄片以及電子元件裝置之製造方法，則係能夠抑制密封用薄片之材料之滲出，並且亦能夠將電子元件確實地作密封，而能夠製造出信賴性為優良的電子元件裝置。

參考圖1A～圖4B，對於身為本發明之密封用薄片之其中一種實施形態的電子元件密封用薄片作說明。

另外，在圖3A以及圖4A中，後述之電子元件4，係為在平面觀察下並無法被視覺辨認到者，但是，為了對於其之形狀以及配置作明確的展示，係以透過電子元件密封用薄片1以及密封層5的方式來將在電子元件4處之對於基板2的接觸面以下影線來作描繪。

如同圖1A～圖1C中所示一般，此電子元件密封用薄片1，係被使用在電子元件裝置(電子元件封裝)8之製造中。如同圖1C中所示一般，電子元件裝置8，雖係於後再作說明，但是，係具備有基板2、和電子元件4、以及密封層5。

又，圖1A中所示之電子元件密封用薄片1，係並非為在將電子元件4作了密封之後的密封層5(參考圖1C)，亦即是，係身為將電子元件4作密封之前，而為用以形成密封層5之前驅物薄片。

如同圖1A中所示一般，電子元件密封用薄片1，係具備有朝向與厚度方向相正交之方向(面方向)而延伸的略板形狀(薄膜形狀)。電子元件密封用薄片1，係具備有身為厚度方向另外一面之第1面6、和身為厚度方向其中一面之第2面7。第1面6和第2面7，係為相互平行之平面(平坦面)。

第2面7，雖係於後再作敘述，但是，係身為在電子元件密封用薄片1將電子元件4密封時會與電子元件4處之至少厚度方向其中一面9(於後再述)作接觸的元件接觸面。又，第2面7，係亦身為在電子元件密封用薄片1將電子元件4密封時會於基板2處而與並不和電子元件4相對向之厚度方向其中一面3作接觸的基板接觸面。

第1面6，係在電子元件密封用薄片1將電子元件4(參考圖1B)密封時，例如維持其之平坦(平面)形狀並確保與第2面7之間之在厚度方向上之間隔而賦予特定之厚度。

電子元件密封用薄片1之材料，只要是會使後述之黏度以及藉由後述之密封試驗所測定出的最大長度L分別成為後述之範圍的材料，則係並不特別作限定。作為電子元件密封用薄片1之材料，例如，係可列舉出密封組成物。

密封組成物，例如，係含有熱硬化性成分。

熱硬化性成分，係為會藉由在將電子元件4作密封時之加熱而暫時軟化乃至於熔融而流動，並藉由更進一步之加熱而硬化的成分。

又，熱硬化性成分，係在電子元件密封用薄片1中身為B階段，而並非身為C階段(亦即是，係為完全硬化前之狀態)。另外，B階段，係指熱硬化性成分為落於身為液狀之A階段與完全硬化了的C階段之間的狀態，並為硬化有些許的進展而壓縮彈性模數為較C階段之壓縮彈性模數更小之狀態。

熱硬化性成分，例如，係包含主劑、硬化劑以及硬化促進劑。

作為主劑，例如，係可列舉出環氧樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、乙烯酯樹脂、氰酯樹脂、馬來醯亞胺樹脂、矽樹脂等。作為主劑，從耐熱性等之觀點來看，較理想，係可列舉出環氧樹脂。若是主劑為環氧樹脂，則熱硬化性成分，係與後述之硬化劑(環氧系硬化劑)以及硬化促進劑(環氧系硬化促進劑)一同地而構成環氧系熱硬化性成分。

作為環氧樹脂，例如，係可列舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、改性雙酚A型環氧樹脂、改性雙酚F型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂等之2官能環氧樹脂，例如，係可列舉出苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂等之3官能以上之多官能環氧樹脂等。此些之環氧樹脂，係可單獨使用或者是將2種以上作併用。

較理想，係可列舉出2官能環氧樹脂之單獨使用，更理想，係可列舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂。

環氧樹脂之環氧當量，例如，係為10g/eq.以上，較理想，係為100g/eq.以上，又，例如，係為300g/eq.以下，較理想，係為250g/eq.以下。

主劑(較理想，環氧樹脂)之軟化點，例如，係為50℃以上，較理想，係為70℃以上，又，例如，係為110℃以下，較理想，係為90℃以下。

主劑(較理想，環氧樹脂)之比例，在密封組成物中，例如，係為1質量%以上，較理想，係為2質量%以上，又，例如，係為30質量%以下，較理想，係為10質量%以下。又，主劑(較理想，環氧樹脂)之比例，在熱硬化性成分中，例如，係為50質量%以上，較理想，係為60質量%以上，又，例如，係為90質量%以下，較理想，係為10質量%以下。

2官能環氧樹脂(具體而言，從由雙酚A型環氧樹脂以及雙酚F型環氧樹脂所成之群中而選擇之至少1個的2官能環氧樹脂)之比例，在密封組成物中，例如，係為1質量%以上，較理想，係為2質量%以上，更理想，係為3質量%以上，又，例如，係為5質量%以下。若是上述之2官能環氧樹脂之比例係為上述之下限以上，則係能夠使密封組成物之流動性提升，而能夠將電子元件4確實地埋沒。

硬化劑，係身為藉由加熱而使上述之主劑硬化之成分(較理想，環氧樹脂硬化劑)。作為硬化劑，例如，係可列舉出酚醛清漆樹脂等之酚樹脂。

硬化劑之比例，若是主劑為環氧樹脂而硬化劑為酚樹脂，則相對於環氧樹脂中之環氧基1單量，酚樹脂中之羥基的合計，例如係以會為0.7當量以上，較理想，係為0.9當量以上，並例如，係為1.5當量以下，較理想，係為1.2當量以下的方式，來作調整。具體而言，硬化劑之配合份數，相對於主劑100質量份，例如，係為30質量份以上，較理想，係為50質量份以上，又，例如，係為75質量份以下，較理想，係為60質量份以下。

硬化促進劑，係為藉由加熱而促進主劑之硬化的觸媒(熱硬化觸媒)(較理想，環氧樹脂硬化促進劑)，例如，係為有機磷系化合物，例如，係可列舉出2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑(2PHZ-PW)等之咪唑化合物等。較理想，係可列舉出咪唑化合物。硬化促進劑之配合份數，相對於主劑100質量份，例如，係為0.05質量份以上，又，例如，係為5質量份以下。

另外，密封組成物，係亦可除了上述之熱硬化性成分以外，亦包含有無機填充物、熱可塑性成分、顏料、矽烷耦合劑等之添加劑。

無機填充物，係為使密封層5(於後再述)之強度提升而對於密封層5賦予優良的韌性之無機粒子。作為無機填充物之材料，例如，係可列舉出石英玻璃、滑石、二氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽、氮化硼等之無機化合物。此些，係可單獨使用或者是將2種以上作併用。較理想，係可列舉出二氧化矽。

無機填充物之形狀，係並未特別作限定，例如，係可列舉出略球形狀、略板形狀、略針形狀、不定形狀等。較理想，係可列舉出略球形狀。

無機填充物之最大長度之平均值(若是身為略球形狀，則係為平均粒徑)M，例如，係為50μm以下，較理想，係為20μm以下，更理想，係為10μm以下，又，例如，係為0.1μm以上，較理想，係為0.5μm以上。另外，平均粒徑M，例如，係基於藉由在雷射散射法中之粒度分布測定法所求取出的粒度分布，來作為D50值(累積50%中位直徑)而求取出來。

又，無機填充物，係可包含有第1填充物、和具備有較第1填充物之最大長度之平均值M1而更小的最大長度之平均值M2之第2填充物。

第1填充物之最大長度之平均值(若是身為略球形狀，則係為平均粒徑)M1，例如，係為1μm以上，較理想，係為3μm以上，又，例如，係為50μm以下，較理想，係為30μm以下。

第2填充物之最大長度之平均值(若是身為略球形狀，則係為平均粒徑)M2，例如，係為未滿1μm，較理想，係為0.8μm以下，又，例如，係為0.01μm以上，較理想，係為0.1μm以上。

第1填充物之最大長度之平均值的相對於第2填充物之最大長度之平均值之比(M1/M2)，例如，係為2以上，較理想，係為5以上，又，例如，係為50以下，較理想，係為20以下。

第1填充物以及第2填充物之材料，係可為相同，亦可為相異。

進而，無機填充物，係亦可使其之表面被部分性或全體性地藉由矽烷耦合劑來進行表面處理。

當無機填充物為包含有上述之第1填充物和第2填充物的情況時，第1填充物之比例，在密封組成物中，例如，係為40質量%以上，較理想，係為超過50質量%，又，例如，係為80質量%以下，較理想，係為70質量%以下。第2填充物之配合份數，相對於第1填充物100質量份，例如，係為40質量份以上，較理想，係為50質量份以上，又，例如，係為70質量份以下，較理想，係為60質量份以下。

無機填充物之比例，在密封組成物中，例如，係為50質量%以上，較理想，係為65質量%以上，更理想，係為80質量%以上，又，例如，係為95質量%以下，較理想，係為90質量%以下。若是無機填充物之含有比例係為上述之下限以上，則係能夠使所得到的密封層5之信賴性提升。

熱可塑性成分，係為用以使在將電子元件4密封時之電子元件密封用薄片1處的柔軟性提升之成分。熱可塑性成分，例如，係為熱可塑性樹脂。

作為熱可塑性樹脂，例如，係可列舉出天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂(6-尼龍或6,6-尼龍等)、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、飽和聚酯樹脂(PET等)、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物等。此些之熱可塑性樹脂，係可單獨使用或者是將2種以上作併用。

作為熱可塑性樹脂，較理想，從使其之與主劑(較理想，環氧樹脂)之分散性提升的觀點來看，係可列舉出丙烯酸樹脂。

作為丙烯酸樹脂，例如，係可列舉出具備有直鏈或分枝之烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯、和將包含有其他之單體(共聚性單體)的單體成分作聚合所成之含羧基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(較理想，含羧基的丙烯酸酯共聚物)等。

作為烷基，例如，係可列舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、t-丁基、異丁基、戊基、己基等之碳數為1～6的烷基等。

作為其他之單體，例如，係可列舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等之含羧基單體等。

熱可塑性成分之重量平均分子量，例如，係為10萬以上，較理想，係為30萬以上，又，例如，係為100萬以下，較理想，係為90萬以下。另外，重量平均分子量，係藉由凝膠滲透層析法(GPC)來基於標準聚苯乙烯換算值而測定出來。

熱可塑性成分之比例(固形量比例)，係以不會對於密封組成物之熱硬化造成阻礙的方式而被作調整，具體而言，相對於密封組成物，例如，係為1質量%以上，較理想，係為2質量%以上，又，例如，係為10質量%以下，較理想，係為5質量%以下。另外，熱可塑性成分，係亦可藉由適宜之溶媒來稀釋並作調製。

又，熱可塑性成分之質量的相對於無機填充物之質量的比例(熱可塑性成分之質量/無機填充物之質量)，例如，係為0.175以上，較理想，係為0.18以上，又，例如，係為0.33以下，較理想，係為0.30以下，更理想，係為0.25以下。若是上述之比例係為上述之下限以上，則係能夠將電子元件密封用薄片1之後述之黏度設定為所期望之範圍。若是上述之比例係為上述之上限以下，則係能夠將電子元件密封用薄片1之後述之長度L設定為所期望之範圍。

作為顏料，例如，係可列舉出炭黑等之黑色顏料。顏料之平均粒徑，例如，係為0.001μm以上，例如，係為1μm以下。顏料之比例，相對於密封組成物，例如，係為0.1質量%以上，又，例如，係為2質量%以下。

作為矽烷耦合劑，例如，係可列舉出含有環氧基之矽烷耦合劑。作為含有環氧基之矽烷耦合劑，例如，係可列舉出3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等之3-縮水甘油氧基二烷基二烷氧基矽烷，例如，係可列舉出3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷等之3-縮水甘油氧基烷基三烷氧基矽烷。較理想，係可列舉出3-縮水甘油氧基烷基三烷氧基矽烷。矽烷耦合劑之配合比例，相對於無機填充物100質量份，例如，係為0.1質量份以上，較理想，係為1質量份以上，又，例如，係為10質量份以下，較理想，係為5質量份以下。

電子元件密封用薄片1之厚度，係並未特別限定，例如，係為50μm以上，又，例如，係為2000μm以下。

電子元件密封用薄片1之在正交方向(面方向)上的形狀，係並未特別限定，其之大小，係以能夠將複數之電子元件4作埋設(密封)並且能夠與從複數之電子元件4而露出的基板2之厚度方向其中一面3作接觸的方式，而被作設定。具體而言，電子元件密封用薄片1之在面方向上之最大長度，例如，係為1mm以上，又，例如，係為100mm以下。

此電子元件密封用薄片1之90℃的黏度，係為5kPa以上，較理想，係為10kPa以上，更理想，係為15kPa以上，又更理想，係為25kPa以上，特別理想，係為40kPa以上，更進而，係為50kPa以上，又更進而，係為75kPa以上，再更進而，係為100kPa以上。若是電子元件密封用薄片1之90℃之黏度係未滿上述之下限，則在對電子元件密封用薄片1進行加熱而將電子元件4作密封時，電子元件密封用薄片1之材料係會過度軟化，亦即是係並無法對於過度之流動作抑制，電子元件密封用薄片1之材料係滲出至外側。如此一來，電子元件密封用薄片1之周圍係會被污染。

另一方面，電子元件密封用薄片1之90℃的黏度，例如，係為500kPa以下，較理想，係為200kPa以下，更理想，係為100kPa以下。若是電子元件密封用薄片1之黏度係為上述之上限以下，則係能夠將藉由後述之密封試驗所測定出的最大長度L確實地設定為後述之範圍。

另外，決定電子元件密封用薄片1之黏度的溫度90℃，係為代表在加熱時之最低熔融黏度之溫度，並為在針對各種的電子元件密封用薄片1之各者而反覆實施了測定時，黏度的參差會變小之溫度。

電子元件密封用薄片1之黏度的測定方法，係在後面的實施例中作詳細敘述。

電子元件密封用薄片1，其之藉由下述之密封試驗所測定出的第2試驗空隙72之最大長度L，係為150μm以下。最大長度L，較理想，係為125μm以下，更理想，係為100μm以下，又更理想，係為85μm以下，特別理想，係為80μm以下，更進而，係以70μm以下、60μm以下、50μm以下、25μm以下為合適，又，例如，係為1μm以上。

〈密封試驗〉 在密封試驗中，係依序實施下述之加壓試驗工程(參考圖2A～圖3B)和加熱試驗工程(參考圖4A以及圖4B)。

在加壓試驗工程中，首先，係如同圖2A以及圖2B中所示一般，在玻璃製之試驗基板52之厚度方向其中一面53處，配置1個的矩形狀之試驗元件54，該試驗元件54，其之在與厚度方向相正交之第1方向(圖2A以及圖2B中之左右方向)和與厚度方向以及第1方向相正交之第2方向(圖2A中之上下方向，圖2B之深度方向)之各者處的長度L1，係為10mm，厚度T1，係為400μm。

接著，將第1方向以及第2方向之各者之長度L2為20mm、厚度T2為260μm之矩形狀之密封用試驗薄片51，以會與試驗元件54在厚度方向上而重疊的方式來作配置，之後，在25℃、1330Pa之條件下，放置10秒鐘，接著，在相同條件(1330Pa之減壓條件)下，如同圖3B中所示一般，藉由平板加壓機55來以2MPa而在60秒鐘之間將密封用試驗薄片51對於試驗元件54而作加壓並使其密著。

在此加壓試驗工程中，密封用試驗薄片51，係身為將電子元件密封用薄片1(參考圖1A以及圖1B)以會成為上述之大小(第1方向以及第2方向之各別之長度L2為20mm)的方式來作了切斷加工之試驗用薄片。又，密封用試驗薄片51，係身為以會使厚度T2成為260μm的方式來對於厚度預先作了調整的電子元件密封用薄片1。

加壓試驗工程，係在減壓裝置(真空裝置)60內而被實施。減壓裝置(真空裝置)60之條件，係如同上述一般，為25℃、1330Pa。

如同圖3A以及圖3B中所示一般，在此加壓試驗工程中，係被形成有藉由試驗元件54之第1方向以及第2方向之雙方之方向處的端面61(周側面62)、和試驗基板52之厚度方向其中一面53、以及面向端面61及厚度方向其中一面53之密封層5之厚度方向另外一面63，所區劃出之第1試驗空隙71。此第1試驗空隙71，例如，係與身為試驗元件54之周側面62的4個面(4個的端面61)均相對面。

但是，4個的第1試驗空隙71，係並未與對應於4個的端面61之4個的角部65相對面。4個的第1試驗空隙71，係藉由4個的角部65而被作區隔(並未相互通連)。

在加熱試驗工程中，如同圖4A以及圖4B中所示一般，首先，係將電子元件安裝基板12以及密封用試驗薄片51從減壓裝置60而取出。如此一來，第1試驗空隙71(參考圖3A以及圖3B)係身為減壓(真空)狀態，另一方面，密封用試驗薄片51之外側，由於係成為大氣壓，因此，密封用試驗薄片51係以使第1試驗空隙71接近大氣壓的方式而被大氣壓所推壓。亦即是，以使第1試驗空隙71之容積減少(使第1試驗空隙71縮小)的方式，在密封用薄片處而面對第1試驗空隙71之部分係被作推壓。接著，以150℃來進行1小時之加熱，來形成密封層5。具體而言，若是密封用試驗薄片51係身為含有熱硬化性成分之B階段，則係加熱密封用試驗薄片51而使密封用試驗薄片51熱硬化(完全硬化、C階段化)。如此一來，密封用試驗薄片51係暫時軟化並具有流動性。如此一來，藉由上述之推壓，係被形成有具備較第1試驗空隙71之容積而更小的容積之第2試驗空隙72。

第2試驗空隙72，亦係藉由試驗元件54之周側面61(4個的端面62)、和試驗基板52之厚度方向其中一面53、以及密封層5之厚度方向另外一面63，而被區劃出來。又，第2試驗空隙72，亦係與第1試驗空隙71相同的，為藉由4個的角部65而被作區隔(並未相互通連)。

而，係可將在第2試驗空隙72處之直到最為遠離試驗元件54之位置為止的長度(最大長度)，設為寬幅L。另外，當複數之第2試驗空隙72之大小係互為相異的情況時，係取得最大之第2試驗空隙72之寬幅L。

第2試驗空隙72，係對應於4個的端面61而被形成有4個。4個的端面61，係為在第1方向上而相互對向之第1方向其中一端面81(例如，圖4A中之左面)以及第1方向另外一端面82(例如，圖4A中之右面)、和在第2方向上而相互對向之第2方向其中一端面83(例如，圖4A中之上面)以及第2方向另外一端面84(例如，圖4A中之下面)。

面對第1方向其中一端面81，從該處起之第1方向上之最大長度，係為寬幅L3，面對第1方向另外一端面82，從該處起之第1方向上之最大長度，係為寬幅L4。面對第2方向其中一端面83，從該處起之第2方向上之最大長度，係為寬幅L5，面對第2方向另外一端面84，從該處起之第2方向上之最大長度，係為寬幅L6。

另外，對應於第1方向其中一端面81及／或第1方向另外一端面82之第2試驗空隙72，係隨著從第1方向其中一端面81及／或第1方向另外一端面82處之第2方向端部起朝向第2方向中央部，而使寬幅逐漸變廣，在第2方向中央部處，係具備有寬幅L3及／寬幅L4。對應於第2方向其中一端面83及／或第2方向另外一端面84之第2試驗空隙72，係隨著從第2方向其中一端面83及／或第2方向另外一端面84處之第1方向端部起朝向第1方向中央部，而使寬幅逐漸變廣，在第1方向中央部處，係具備有寬幅L5及／寬幅L6。

而，係將寬幅L3～L6中之最大值，作為L而取得之。具體而言，係對寬幅L3及寬幅L4作比較，當寬幅L3係為與寬幅L4相同或者是較長的情況時，係將寬幅L3作為身為第2試驗空隙之最大長度的寬幅L而取得之。又，係對寬幅L3及寬幅L5作比較，當寬幅L3係為與寬幅L5相同或者是較長的情況時，係將寬幅L3作為身為第2試驗空隙之最大長度的寬幅L而取得之。另外，關於寬幅L3以及寬幅L6、寬幅L4以及寬幅L5、寬幅L4以及寬幅L6之比較，係與上述相同，而將詳細內容省略。

若是第2試驗空隙72之最大長度(寬幅)L超過上述之上限，則後述之第2空隙17之大小係會變大，因此，係並無法追隨於微細之凹凸而均一(均勻)(完好)地進行埋沒，所得到的電子元件裝置8之信賴性係降低。

在製造電子元件密封用薄片1時，首先，係調製出密封組成物。具體而言，係將上述之成分作配合，並將該些作混合，而調製出密封組成物。較理想，係將上述之各成分(以及因應於必要而使用溶媒)作配合以及混合，而調製出清漆。之後，將清漆塗布在未圖示之剝離薄片上，並使其乾燥，而得到電子元件密封用薄片1。於此情況，係在使電子元件密封用薄片1被支持於剝離薄片(未圖示)處之狀態下而得到之。

另一方面，係亦可並不調製出清漆地而藉由混練壓出來從密封組成物而形成電子元件密封用薄片1。

在電子元件密封用薄片1處，電子元件密封用薄片1，於含有熱硬化性成分的情況時，例如，係身為B階段。

(電子元件裝置之製造方法) 接著，針對使用電子元件密封用薄片1來製造電子元件裝置8之方法，參考圖1A～圖1C來作說明。

此方法，係具備有準備電子元件密封用薄片1以及電子元件4之準備工程(參考圖1A)、以及使用電子元件密封用薄片1來密封電子元件4並形成密封層5之密封工程(參考圖1B以及圖1C)。

(準備工程) 如同圖1A中所示一般，在準備工程中，係準備上述之電子元件密封用薄片1(較理想，B階段之電子元件密封用薄片1)。另外，在準備工程中，係準備被安裝於基板2處之電子元件4。

電子元件4，係在基板2之其中一面上，相互隔出有間隔地而被作複數配置。複數之電子元件4之各者，係具備有於面方向上而延伸之略平板形狀。具體而言，電子元件4，係連續性地具備有厚度方向其中一面9、厚度方向另外一面10以及身為正交方向端面之周側面11。

厚度方向其中一面9以及厚度方向另外一面10，係為相互平行之平面。周側面11，係將厚度方向其中一面9以及厚度方向另外一面10之周端緣在厚度方向上作連結。

作為電子元件4，係並未特別作限定，而可列舉出各種之電子元件，例如，係可列舉出中空型電子元件、半導體元件等。電子元件4，係以與基板2之厚度方向其中一面3相對向的方式，而被作複數安裝。複數之電子元件4，例如，係相對於基板2而被作倒晶(flip chip)安裝。複數之電子元件4，係相互隔出有間隔地而被配置在基板2之厚度方向其中一面3上。

電子元件4之厚度，例如，係為50μm以上，又，例如，係為500μm以下。另外，複數之電子元件4之厚度，係可互為相同，亦可為相異。

當複數之電子元件4之厚度係互為相異的情況時，電子元件4之第1面9之厚度方向位置係有所偏移。於此情況，在複數之厚度方向其中一面9處，位置於最靠厚度方向另外一側處之厚度方向其中一面9、和位置於最靠厚度方向其中一側處之厚度方向其中一面9，此兩者間之在厚度方向上之距離，例如，係為20μm以上，進而，係為50μm以上，又，例如，係為5000μm以下，進而，係為1000μm以下。

電子元件4之在面方向上的最大長度，例如，係為1000μm以上，又，例如，係為3000μm以下。相鄰之電子元件4之間之距離(周側面11之鄰接距離)D2，例如，係為5000μm以下，較理想，係為2000μm以下，又，例如，係為100μm以上，較理想，係為500μm以上。

基板2，係與電子元件4一同地，而被具備於電子元件安裝基板12處。亦即是，電子元件安裝基板12，係具備有電子元件4、和安裝電子元件4之基板2。

基板2，係具備有於面方向上而延伸之略平板形狀。基板2，在平面觀察下，係具備有包圍複數之電子元件4之大小。基板2，係具備有厚度方向其中一面3以及厚度方向另外一面13。

厚度方向其中一面3，係為於厚度方向其中一側處而露出的平面。厚度方向另外一面13，係為與厚度方向其中一面3相平行之平面。作為基板2之材料，係並未特別限定，例如係可列舉出樹脂、陶瓷、金屬等。基板2之厚度，係並未特別限定，例如，係為10μm以上，較理想，係為1000μm以下。

(密封工程) 在密封工程中，係如同圖1B以及圖1C中所示一般，接著使用電子元件密封用薄片1來將電子元件4作密封。具體而言，密封工程，係具備有加壓工程(參考圖1B)以及加熱工程(參考圖1C)。加壓工程以及加熱工程，係依序被實施。

加壓工程以及加熱工程之各別的條件，係可包含在上述之密封試驗中的加壓試驗工程以及加熱試驗工程之各者中的條件(溫度、時間、壓力等)。以下，針對加壓工程以及加熱工程依序作說明。

(加壓工程) 如同圖1A之箭頭以及圖1B所示一般，在加壓工程中，首先，係以使電子元件密封用薄片1之第2面7與複數之電子元件4之厚度方向其中一面9相接觸的方式，來將電子元件密封用薄片1朝向厚度方向另外一側，並例如在減壓裝置內(具體而言，真空裝置60內)，使用加壓機(未圖示)來進行加壓。因應於需要，同時地對於電子元件密封用薄片1進行加熱。此時，電子元件密封用薄片1，係對應於電子元件4之外形而作塑性變形。真空度、壓力、溫度等，係並未特別作限定。

藉由此，電子元件密封用薄片1，係被覆複數之電子元件4。換言之，複數之電子元件4係被部分性地埋入至1個的電子元件密封用薄片1中。同時，電子元件密封用薄片1之第2面7，係與電子元件4之周圍的基板2之厚度方向其中一面3作接觸。

之後，係被形成有具備有與如同圖3A以及圖3B中所示一般之在密封試驗中的第1試驗空隙71相同(或相類似)的形狀以及配置之第1空隙14。第1空隙14，係藉由電子元件4之周側面11、和基板2之厚度方向其中一面3、和面對周側面11以及厚度方向其中一面3之電子元件密封用薄片1之第2面7，而被區劃出來。

又，第1空隙14，係藉由電子元件密封用薄片1而被與其之外部(亦即是，真空裝置60內之氛圍)作遮斷，亦即是並未相互通連。

另外，電子元件密封用薄片1，於含有熱硬化性成分的情況時，例如，係依然身為B階段。

(加熱工程) 之後，如同圖1C中所示一般，將電子元件安裝基板12以及電子元件密封用薄片1從真空裝置60而取出，並將此些放置在大氣壓下，並且對此些進行加熱。具體而言，當電子元件密封用薄片1係身為含有熱硬化性成分之B階段的情況時，係藉由上述之加熱而使其熱硬化(C階段化、完全硬化)。藉由此，來形成密封層5。亦即是，密封層5，係從電子元件密封用薄片1而被調製出來。

另外，密封層5，係具備有厚度方向其中一面15以及厚度方向另外一面16。厚度方向其中一面15，係由電子元件密封用薄片1之第1面6(參考圖1A)所形成。厚度方向另外一面16，係由電子元件密封用薄片1之第2面7(參考圖1A)所形成。

而，在此加熱工程中，係被形成有使第1空隙14變小了的第2空隙17。

具體而言，藉由上述之加熱，電子元件密封用薄片1之流動性係增大，並且，第1空隙14內之氣壓係相較於其之外部之氣壓而為低(亦即是，係為負壓)，因此，係被形成有使第1空隙14變小了的第2空隙17。

此第2空隙17，係藉由電子元件4之周側面11、和基板2之厚度方向其中一面3、和面對周側面11以及厚度方向其中一面3之密封層5之厚度方向另外一面13，而被區劃出來。

另外，密封層5之材料，例如，係為電子元件密封用薄片1之材料的硬化物(C階段狀物)。

密封層5之線膨脹係數α，例如，係為100 ppm以下，較理想，係為20ppm以下，更理想，係為15ppm以下，又，例如，係為1ppm以上。若是密封層5之線膨脹係數α係為上述之上限以下，則由於與電子元件4之線膨脹係數α之間之差係變小，相對於熱履歷之密封層5與電子元件4之間之體積變化之差係變小，因此，係能夠得到信賴性為優良之電子元件裝置8。

藉由此，係得到具備有電子元件安裝基板12以及硬化層5之電子元件裝置8。又，電子元件裝置8，係具備有上述之第2空隙17。

第2空隙17之從電子元件4之周側面11起的分離距離L6之最大值，例如，係為150μm以下，較理想，係為100μm以下，更理想，係為50μm以下，又更理想，係為1μm以下。另外，第2空隙17之分離距離L6之最大值的求取方法，係與上述之第2試驗空隙72之最大長度L之求取方法相同。

而，此電子元件密封用薄片1，由於90℃之黏度係為5kPa以上，因此，在對電子元件密封用薄片1進行加熱而將電子元件4作密封時，電子元件密封用薄片1係軟化並對於過度之流動作抑制，而能夠一面抑制電子元件密封用薄片1之材料的滲出，一面將電子元件4確實地作埋設。因此，此電子元件密封用薄片1，其之對於電子元件4的密封性係為優良，並且能夠抑制對於周圍之污染。

另一方面，在此電子元件密封用薄片1中，由於藉由密封試驗所測定出的最大長度L係為150μm以下而為短，因此，就算是對於微細之凹凸構造，也能夠無空隙地來作追隨，而在耐水性及耐候性上為優良，故而，係能夠製造出信賴性為優良的電子元件裝置8。

故而，若依據此電子元件密封用薄片1，則係能夠抑制電子元件密封用薄片1之材料之滲出，並且亦能夠將電子元件4確實地作密封，而能夠製造出信賴性為優良的電子元件裝置8。

在此電子元件裝置8之製造方法中，由於電子元件密封用薄片1之90℃之黏度係為5kPa以上，因此，在對電子元件密封用薄片1進行加熱而將電子元件4作密封時，電子元件密封用薄片1係軟化並對於過度之流動作抑制，而能夠一面抑制電子元件密封用薄片1之材料的滲出，一面將電子元件4確實地作埋設。因此，此電子元件密封用薄片1，其之對於電子元件4的密封性係為優良，並且能夠抑制對於周圍之污染。

另一方面，電子元件密封用薄片1，由於藉由密封試驗所測定出的身為最大長度L之寬幅L係為150μm以下而為短，因此，就算是對於微細之凹凸構造，也能夠無空隙地來作追隨，而在耐水性及耐候性上為優良，故而，係能夠製造出信賴性為優良的電子元件裝置8。

故而，若依據此電子元件裝置8之製造方法，則係能夠抑制電子元件密封用薄片1之材料之滲出，並且亦能夠將電子元件4確實地作密封，而能夠製造出信賴性為優良的電子元件裝置8。

另外，電子元件裝置8之製造方法，係亦可更進而具備有將會滿足「藉由上述之密封試驗所測定出的最大長度L係為150μm以下」之基準的電子元件密封用薄片1作為良品而篩選出來之篩選工程。

變形例 在以下之各變形例中，針對與上述之其中一個實施形態相同之構件以及工程，係附加相同之元件符號，並省略其之詳細說明。又，各變形例，除了有所特別記載的情況以外，係能夠發揮與其中一個實施形態相同之作用效果。進而，係亦可將其中一個實施形態與其之變形例適宜作組合。

在上述之說明中，雖係將加壓工程在真空(減壓)下而實施，但是，係並不被限定於此，例如，係亦可在大氣壓下而實施。較理想，係將加壓工程在真空下實施。若是將加壓工程在真空下實施，則在加壓工程後之加熱工程中，當將電子元件密封用薄片1放置於大氣壓下(使電子元件密封用薄片1之氛圍回復至大氣壓)時，基於上述之負壓，係能夠將在第2空隙17處之分離距離L6乃至於第2空隙17之容積縮小。又，由於密封試驗係具備有在真空下而進行加壓之加壓試驗工程，因此，係能夠基於(參照)該密封試驗之結果，來確實地得到(篩選出)身為良品之電子元件裝置8。

如同圖1C中之假想線所示一般，此方法，係亦可具備有對於電子元件裝置8處之電子元件4之周圍的基板2以及密封層5作切割之工程。例如，係一面在基板2之厚度方向另外一面13處配置以假想線所標示之切割膠帶70，一面藉由切割鋸(未圖示)來將基板2以及密封層5沿著第1方向以及第2方向而作切斷。藉由此，來將電子元件裝置8個片化。

又，在密封試驗中，第1試驗空隙71以及第2試驗空隙72之各者，係相對於4個的端面62之各者而被形成，但是，例如，雖並未圖示，但是亦可為1個、2個、3個之任意一者。

進而，如同圖5中所示一般，係亦可使4個的第1試驗空隙71相通連而具備有如同包含有4個的角部65一般之1個的大的平面觀察時為略圓環形狀。又，係亦可使4個的第2試驗空隙72相通連而具備有如同包含有4個的角部65一般之1個的大但是為較第1試驗空隙71而更小的平面觀察時為略圓環形狀。

在其中一個實施形態中，於加熱工程中，係將電子元件密封用薄片1以及電子元件安裝基板12從真空裝置60而取出，但是，例如，係亦可並不從真空裝置60取出地，而對於真空裝置60注入(導入)空氣。

在其中一個實施形態中，雖係依序實施加壓工程和加熱工程，但是，例如係亦可同時實施。

電子元件密封用薄片1以及密封層5，係均藉由單層而形成，但是，雖並未圖示，但例如均亦可藉由複數層來形成。 [實施例]

以下，列舉出實施例以及比較例，而對於本發明作更具體之說明。另外，本發明，係並非被實施例以及比較例作任何之限定。又，在以下之記載中所使用的配合比例(含有比例)、物性值、參數等的具體性數值，係均可代替為在上述之「實施方式」中所記載的與該些相對應之配合比例(含有比例)、物性值、參數等的相符記載之上限(作為「以下」、「未滿」所定義之數值)或者是下限(作為「以上」、「超過」所定義之數值)。

以下，針對在實施例以及比較例中所使用的各成分作展示。

環氧樹脂A：新日鐵化學公司製之YSLV-80XY(雙酚F型環氧樹脂，環氧當量200g/eq.，軟化點80℃) 環氧樹脂B：日本化藥公司製之EPPN501-HY(環氧當量169g/eq.，軟化點60℃) 硬化劑：群榮化學公司製之LVR-8210DL(酚醛清漆型酚樹脂，環氧樹脂硬化劑，羥基當量：104g/eq.，軟化點：60℃) 丙烯酸樹脂：根上工業公司製之HME-2006M，含羧基之丙烯酸酯共聚物(丙烯酸系聚合物)，重量平均分子量：60萬，玻璃轉移溫度(Tg)：-35℃，固形量濃度20質量%之丁酮溶液 硬化促進劑：四國化成工業公司製之2PHZ-PW(2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑)，環氧樹脂硬化促進劑 矽烷耦合劑：信越化學公司製之KBM-403(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷) 炭黑：三菱化學公司製之#20 第1填充物：FB－5SDC(球狀熔融二氧化矽粉末(無機填充物)，平均粒徑5μm) 第2填充物：將Admatechs公司製之SC220G-SMJ(平均粒徑0.5μm)藉由3-甲基丙烯醯氧基三甲氧基矽烷(信越化學公司製之製品名稱：KBM-503)而作了表面處理的無機填充物。係為相對於無機填充物之100質量份而以1質量份之矽烷耦合劑來進行了表面處理者。

實施例1～5以及比較例1～3 依循表1中所記載之配合處方，來調製出密封組成物，並從此密封組成物而製造出厚度260μm之電子元件密封用薄片1。另外，電子元件密封用薄片1，係在被支持於未圖示之剝離薄片處之狀態下而得到之。

(評價) 針對下述之項目進行了評價。將該些之結果記載於表1中。

(密封試驗) 在密封試驗中，係如同圖2A～圖4B中所示一般，依序實施了上述之加壓試驗工程和上述之加熱試驗工程。

如同圖2A以及圖2B中所示一般，在加壓試驗工程中，首先，係在減壓裝置60內，將由第1方向長度為76mm而第2方向長度為26mm之載玻片所成之試驗基板52的厚度方向其中一面53處，配置了1個的長度L1為10mm而厚度T1為400μm之正方形狀之試驗元件54。接著，從厚度T2為260μm之電子元件密封用薄片1，而製作出了長度L2為20mm之正方形狀之密封用試驗薄片51。另外，剝離薄片(未圖示)，亦係與密封用試驗薄片51一同地而形成為正方形狀。接著，將密封用試驗薄片51，以會與試驗元件54在厚度方向上而重疊的方式來作配置，之後，在25℃、1330Pa之條件下，放置10秒鐘，接著，在相同條件(1330Pa之減壓條件)下，如同圖3B中所示一般，藉由平板加壓機55來以2MPa而在60秒鐘之間將密封用試驗薄片51對於試驗元件54而作加壓並使其密著。

如同圖4A以及圖4B中所示一般，在加壓試驗工程後之加熱試驗工程中，係將電子元件安裝基板12以及密封用試驗薄片51從減壓裝置60而取出，之後，將剝離薄片剝離(去除)，之後，以150℃來進行1小時之加熱，而使密封用試驗薄片51完全硬化，並形成了密封層5。

之後，藉由KEYENCE公司製之商品名稱「數位顯微鏡」來對於在第2試驗空隙72處之寬幅(最大長度)L作了測定。

(黏度) 使用流變儀(HAAKE公司製，MARS III)來對於電子元件密封用薄片1之在90℃下的黏度藉由平行板(Parallel plate)法來作了測定。詳細而言，係在間隙0.8mm、平行板直徑8mm、頻率1Hz、形變0.05%、90℃等溫之條件下，來對於黏度進行3次的測定，並將其之平均作為在90℃下之黏度。

(線膨脹率α) 將電子元件密封用薄片1，以150℃來進行1小時之加熱，而得到了硬化物薄片(相當於密封層5之硬化薄片)。之後，從硬化物薄片而切出長度15mm×寬幅4.5mm×厚度300μm之測定樣本。接著，在將測定樣本設置於熱機械測定裝置(Rigaku公司製：形式TMA8310)之拉張治具處之後，在25～260℃之溫度區域中，置於拉張荷重2g、升溫速度5℃/min之條件下，並根據在30℃～50℃處之膨脹率來算出了線膨脹係數α。

(滲出) 基於以下之基準，來對於滲出作了評價。 ○：在上述之密封試驗中，從剝離薄片之周端緣起的密封組成物之滲出長度(量)係為300μm以下。 ×：在上述之密封試驗中，從剝離薄片之周端緣起的密封組成物之滲出長度(量)係為超過300μm。

另外，上述說明，係作為本發明之例示之實施形態而提供，此係僅為單純之例示，而不可作為限定性之解釋。經由該技術領域之同業者而可清楚得知之本發明之變形例，係視為被包含於後述之申請專利範圍中者。

1‧‧‧電子元件密封用薄片 2‧‧‧基板 3‧‧‧厚度方向其中一面 4‧‧‧電子元件 5‧‧‧密封層 6‧‧‧第1面 7‧‧‧第2面 8‧‧‧電子元件裝置 9‧‧‧厚度方向其中一面 10‧‧‧厚度方向另外一面 11‧‧‧周側面 12‧‧‧電子元件安裝基板 13‧‧‧厚度方向另外一面 14‧‧‧第1空隙 15‧‧‧厚度方向其中一面 16‧‧‧厚度方向另外一面 17‧‧‧第2空隙 51‧‧‧密封用試驗薄片 52‧‧‧試驗基板 53‧‧‧厚度方向其中一面 54‧‧‧試驗元件 55‧‧‧平板加壓機 60‧‧‧減壓裝置 61‧‧‧端面 62‧‧‧周側面 63‧‧‧厚度方向另外一面 65‧‧‧角部 70‧‧‧切割膠帶 71‧‧‧第1試驗空隙 72‧‧‧第2試驗空隙 81‧‧‧第1方向其中一端面 82‧‧‧第1方向另外一端面 83‧‧‧第2方向其中一端面 84‧‧‧第2方向另外一端面

圖1A～1C，係為使用身為本發明之密封用薄片之其中一種實施形態之電子元件密封用薄片來製造出電子元件裝置之工程圖，圖1A，係對於準備電子元件密封用薄片以及電子元件安裝基板之工程作展示，圖1B，係對於將電子元件密封用薄片對於電子元件而作密著之加壓工程作展示，圖1C，係對於加熱電子元件密封用薄片之加熱工程作展示。圖2A以及圖2B，係為對於在密封試驗中而準備電子元件密封用薄片以及電子元件安裝基板之工程作說明之圖，圖2A係為平面圖，圖2B係為剖面圖。圖3A以及圖3B，係為接續於圖2A以及圖2B而對於在密封試驗中之加壓試驗工程作說明之圖，圖3A係為平面圖，圖3B係為剖面圖。圖4A以及圖4B，係為接續於圖3A以及圖3B而對於在密封試驗中之加熱試驗工程作說明之圖，圖4A係為平面圖，圖4B係為剖面圖。圖5，係對於圖4A中所示之加熱試驗工程之變形例的平面圖作展示。

1‧‧‧電子元件密封用薄片

2‧‧‧基板

3‧‧‧厚度方向其中一面

4‧‧‧電子元件

5‧‧‧密封層

6‧‧‧第1面

7‧‧‧第2面

8‧‧‧電子元件裝置

9‧‧‧厚度方向其中一面

10‧‧‧厚度方向另外一面

11‧‧‧周側面

12‧‧‧電子元件安裝基板

13‧‧‧厚度方向另外一面

14‧‧‧第1空隙

15‧‧‧厚度方向其中一面

16‧‧‧厚度方向另外一面

17‧‧‧第2空隙

55‧‧‧平板加壓機

60‧‧‧減壓裝置

70‧‧‧切割膠帶

Claims (6)

1. 一種密封用薄片，係為以形成將被安裝在基板之厚度方向其中一面上的電子元件作密封之密封層的方式而被作使用的密封用薄片，其特徵為： 90℃之黏度，係為5kPa以上， 藉由下述之密封試驗所測定出的最大長度L，係為150μm以下， 其中，該密封試驗，係為在玻璃製之試驗基板之厚度方向其中一面上，配置在與前述厚度方向相正交之第1方向和與前述厚度方向以及前述第1方向相正交之第2方向的各方向上之長度為10mm、厚度為400μm之矩形狀的試驗元件，並在25℃、1330Pa之條件下，將於前述第1方向以及前述第2方向之各方向上的長度為20μm、厚度為260μm之矩形狀之前述密封用薄片，以於前述厚度方向上而與前述試驗元件相重疊的方式，來以2MPa而在60秒之間對於前述試驗元件進行加壓以使其密著，之後，將前述密封用薄片，以150℃來進行1小時之加熱，來形成前述密封層，係形成有藉由前述試驗元件之前述第1方向以及前述第2方向之至少其中一者之方向上之至少1個的端面、和前述試驗基板之前述厚度方向其中一面、以及面向前述端面及前述厚度方向其中一面之前述密封層之厚度方向另外一面，所區劃出之試驗空隙，對於在前述試驗空隙處之前述其中一方之方向之最大長度L作測定。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之密封用薄片，其中， 90℃之黏度，係為200kPa以下。
3. 如申請專利範圍第1項所記載之密封用薄片，其中， 前述密封層之線膨脹係數，係為20ppm以下。
4. 如申請專利範圍第1項所記載之密封用薄片，其中， 係以80質量%以上而含有無機填充物。
5. 如申請專利範圍第1項所記載之密封用薄片，其中， 係以2質量%以上，而含有從由雙酚A型環氧樹脂以及雙酚F型環氧樹脂而成之群中所選擇之至少1個的雙官能環氧樹脂。
6. 一種電子元件裝置之製造方法，其特徵為： 係具備有藉由將如申請專利範圍第1項所記載之密封用薄片推壓附著於前述電子元件處並進行加熱，來形成密封前述電子元件之前述密封層之工程。

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