JP2020004853A - 封止用シートおよび電子素子装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】外側へのはみ出しを抑制しながら、電子素子を確実に封止して、信頼性に優れる電子素子装置を製造することのできる封止用シートを提供する。【解決手段】電子素子封止用シート１は、基板２の厚み方向一方面３に実装される電子素子４を封止する封止層５を形成するように使用される。電子素子封止用シート１の９０℃の粘度が、５ｋＰａ以上である。下記の封止試験で測定される最大長さＬが、１５０μｍ以下である。封止試験において、ガラス製の試験基板の厚み方向一方面に、矩形状の試験素子を配置し、２５℃、１３３０Ｐａの条件で、矩形状の封止用試験シートを、試験素子と厚み方向において重複するように、２ＭＰａで６０秒間、試験素子に対して加圧して密着させ、封止用試験シートを１５０℃で１時間加熱して、封止層５を形成する。封止用試験シートには、第２試験隙間が形成されており、隙間の最大長さを測定する。【選択図】図１

Description

本発明は、封止用シートおよび電子素子装置の製造方法に関し、詳しくは、封止用シート、および、それを用いる電子素子装置の製造方法に関する。

従来、基板と、それに実装される電子素子とに対して、封止用シートを圧着して、電子素子を埋設して封止する封止層を形成することにより、電子素子装置を製造することが知られている（例えば、特許文献１参照。）。

特開２０１６−０８９０９１号公報

しかるに、基板に実装された電子素子から上側に突出しており、電子素子の周側面と、その電子素子が実装されている基板の表面とは、直交している。

このため、封止用シートで電子素子を埋設するときに、電子素子の周側面と、基板における電子素子の周辺の表面との間を、封止用シートで封止し切れずに、封止用シートが浮き上がってしまい、電子素子の周側面と、基板の表面と、浮き上がった封止用シートの裏面とによって区画される大きな隙間を生じ易い。従って、大きな隙間を有する電子素子装置の信頼性が低下するという不具合がある。

他方、封止用シートは、電子素子を封止するときに軟化するが、封止用シートをより軟化させれば、隙間をより小さくできるが、過度に流動する場合には、封止用シートの材料が基板の外側にはみ出し、ひいては、その周囲を汚染するなどの不具合がある。

本発明は、外側へのはみ出しを抑制しながら、電子素子を確実に封止して、信頼性に優れる電子素子装置を製造することのできる封止用シートおよび電子素子装置の製造方法を提供する。

本発明（１）は、基板の厚み方向一方面に実装される電子素子を封止する封止層を形成するように使用される封止用シートであり、９０℃の粘度が、５ｋＰａ以上であり、下記の封止試験で測定される最大長さＬが、１５０μｍ以下である、封止用シートを含む。

＜封止試験＞
ガラス製の試験基板の厚み方向一方面に、前記厚み方向に直交する第１方向と、前記厚み方向および前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれにおける長さが１０ｍｍ、厚みが４００μｍである矩形状の試験素子を配置し、２５℃、１３３０Ｐａの条件で、前記第１方向および前記第２方向のそれぞれの長さが２０μｍ、厚みが２６０μｍである矩形状の前記封止用シートを、前記試験素子と前記厚み方向において重複するように、２ＭＰａで６０秒間、前記試験素子に対して加圧して密着させ、その後、前記封止用シートを、１５０℃で、１時間加熱して、前記封止層を形成する。前記電子素子の前記第１方向および前記第２方向の少なくともいずれかの一方の方向における少なくとも１つの端面と、前記試験基板の前記厚み方向一方面と、前記端面および前記厚み方向一方面に面する前記封止層の厚み方向他方面とによって区画される試験隙間が形成されており、前記試験隙間における前記一方の方向の最大長さＬを測定する。

この封止用シートは、９０℃の粘度が、５ｋＰａ以上であるので、封止用シートを加熱して電子素子を封止するときに、封止用シートは、軟化しつつ、過度の流動を抑制して、封止用シートの材料のはみ出しを抑制しながら、電子素子を確実に埋設することができる。そのため、この封止用シートは、電子素子に対する封止性に優れながら、周囲への汚染を抑制することができる。

一方、この封止用シートでは、封止試験で測定される最大長さＬが１５０μｍ以下と短いので、微細な凹凸構造に対しても隙間なく追従でき、耐水性や耐候性に優れ、そのため、信頼性に優れる電子素子装置を製造することができる。

従って、この封止用シートによれば、封止用シートの材料のはみ出しを抑制しながら、電子素子を確実に封止でき、信頼性に優れる電子素子装置を製造することができる。

本発明（２）は、９０℃の粘度が、２００ｋＰａ以下である、（１）に記載の封止用シートを含む。

本発明（３）は、前記封止層の線膨張係数が、２０ｐｐｍ以下である、（１）または（２）に記載の封止用シートを含む。

本発明（４）は、無機フィラーを８０質量％以上含有する、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の封止用シートを含む。

本発明（５）は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、および、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくともいずれか１つの２官能エポキシ樹脂を２質量％以上含有する、（１）〜（４）のいずれか一項に記載の封止用シートを含む。

本発明（６）は、（１）〜（５）のいずれか一項に記載の封止用シートを前記電子素子に押し付け、加熱することにより、前記電子素子を封止する前記封止層を形成する工程を備える、電子素子装置の製造方法を含む。

この電子素子装置の製造方法では、封止用シートの９０℃の粘度が、５ｋＰａ以上であるので、封止用シートを加熱して電子素子を封止するときに、封止用シートは、軟化しつつ、過度の流動を抑制して、封止用シートの材料のはみ出しを抑制しながら、電子素子を確実に埋設することができる。そのため、この封止用シートは、電子素子に対する封止性に優れながら、周囲への汚染を抑制することができる。

一方、封止用シートは、封止試験で測定される最大長さＬが１５０μｍ以下と短いので、微細な凹凸構造に対しても隙間なく追従でき、耐水性や耐候性に優れ、そのため、信頼性に優れる電子素子装置を製造することができる。

従って、この電子素子装置の製造方法によれば、封止用シートの材料のはみ出しを抑制しながら、電子素子を確実に封止でき、信頼性に優れる電子素子装置を製造することができる。

本発明の封止用シートおよび電子素子装置の製造方法によれば、封止用シートの材料のはみ出しを抑制しながら、電子素子を確実に封止でき、信頼性に優れる電子素子装置を製造することができる。

図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の封止用シートの一実施形態である電子素子封止用シートを用いて電子素子装置を製造する工程図であり、図１Ａが、電子素子封止用シートおよび電子素子実装基板を準備する工程、図１Ｂが、電子素子封止用シートを電子素子に対して密着させるプレス工程、図１Ｃが、電子素子封止用シートを加熱する加熱工程を示す。 図２Ａおよび図２Ｂは、封止試験において電子素子封止用シートおよび電子素子実装基板を準備する工程を説明する図であり、図２Ａが、平面図、図２Ｂが、断面図を示す。 図３Ａおよび図３Ｂは、図２Ａおよび図２Ｂに引き続き、封止試験におけるプレス試験工程を説明する図であり、図３Ａが、平面図、図３Ｂが、断面図を示す。 図４Ａおよび図４Ｂは、図３Ａおよび図３Ｂに引き続き、封止試験における加熱試験工程を説明する図であり、図４Ａが、平面図、図４Ｂが、断面図を示す。 図５は、図４Ａに示す加熱試験工程の変形例の平面図を示す。

本発明の封止用シートの一実施形態である電子素子封止用シートを、図１Ａ〜図４Ｂを参照して説明する。

なお、図３Ａ、および、図４Ａにおいて、後述する電子素子４は、平面視において、視認されないものであるが、その形状および配置を明確に示すため、電子素子封止用シート１および封止層５を透過するように、電子素子４における基板２への接触面をハッチングにて描画している。

図１Ａ〜図１Ｃに示すように、この電子素子封止用シート１は、電子素子装置（電子素子パッケージ）８の製造に使用される。図１Ｃに示すように、電子素子装置８は、後で説明するが、基板２と、電子素子４および封止層５を備える。

また、図１Ａに示す電子素子封止用シート１は、電子素子４を封止した後の封止層５（図１Ｃ参照）ではなく、つまり、電子素子４を封止する前であり、封止層５を形成するための前駆体シートである。

図１Ａに示すように、電子素子封止用シート１は、厚み方向に直交する方向（面方向）に延びる略板形状（フィルム形状）を有する。電子素子封止用シート１は、厚み方向他方面である第１面６と、厚み方向一方面である第２面７とを有する。第１面６および第２面７は、互いに平行する平面（平坦面）である。

第２面７は、後述するが、電子素子封止用シート１が電子素子４を封止するするときに、電子素子４における少なくとも厚み方向一方面９（後述）に接触する素子接触面である。また、第２面７は、電子素子封止用シート１が電子素子４を封止するときに、基板２において電子素子４と対向しない厚み方向一方面３に接触する基板接触面でもある。

第１面６は、電子素子封止用シート１が電子素子４（図１Ｂ参照）を封止するするときに、例えば、その平坦（平面）形状を維持して、第２面７との厚み方向における間隔を確保して、所定の厚みを与える。

電子素子封止用シート１の材料は、後述する粘度、および、後述する封止試験で測定される最大長さＬが、それぞれ、後述する範囲になるような材料であれば、特に限定されない。電子素子封止用シート１の材料としては、例えば、封止組成物が挙げられる。

封止組成物は、例えば、熱硬化性成分を含有する。

熱硬化性成分は、電子素子４を封止するときの加熱により一旦軟化し、さらには、溶融して流動し、さらなる加熱によって、硬化する成分である。

また、熱硬化性成分は、電子素子封止用シート１においてＢステージであって、Ｃステージではない（つまり、完全硬化前の状態である）。なお、Ｂステージは、熱硬化性成分が、液状であるＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージの圧縮弾性率よりも小さい状態である。

熱硬化性成分は、例えば、主剤、硬化剤および硬化促進剤を含む。

主剤としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビニルエステル樹脂、シアノエステル樹脂、マレイミド樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。主剤としては、耐熱性などの観点から、好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。主剤がエポキシ樹脂であれば、熱硬化性成分は、後述する硬化剤（エポキシ系硬化剤）および硬化促進剤（エポキシ系硬化促進剤）とともに、エポキシ系熱硬化性成分を構成する。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などの２官能エポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などの３官能以上の多官能エポキシ樹脂などが挙げられる。これらエポキシ樹脂は、単独で使用または２種以上を併用することができる。

好ましくは、２官能エポキシ樹脂の単独使用が挙げられ、より好ましくは、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が挙げられる。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば、１０ｇ／ｅｑ．以上、好ましくは、１００ｇ／ｅｑ．以上であり、また、例えば、３００ｇ／ｅｑ．以下、好ましくは、２５０ｇ／ｅｑ．以下である。

主剤（好ましくは、エポキシ樹脂）の軟化点は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１１０℃以下、好ましくは、９０℃以下である。

主剤（好ましくは、エポキシ樹脂）の割合は、封止組成物において、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上であり、また、例えば、３０質量％以下、好ましくは、１０質量％以下である。また、主剤（好ましくは、エポキシ樹脂）の割合は、熱硬化性成分において、例えば、５０質量％以上、好ましくは、６０質量％以上であり、また、例えば、９０質量％以下、好ましくは、１０質量％以下である。

２官能エポキシ樹脂（具体的には、からなる群から選択される少なくともいずれか１つの２官能エポキシ樹脂）の割合は、封止組成物において、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上、より好ましくは、３質量％以上であり、また、例えば、５質量％以下である。上記した２官能エポキシ樹脂の割合が上記した下限以上であれば、封止組成物の流動性を向上させ、電子素子４を確実に埋没させることができる。

硬化剤は、加熱によって、上記した主剤を硬化させる成分（好ましくは、エポキシ樹脂硬化剤）である。硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が挙げられる。

硬化剤の割合は、主剤がエポキシ樹脂であり、硬化剤がフェノール樹脂であれば、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が、例えば、０．７当量以上、好ましくは、０．９当量以上、例えば、１．５当量以下、好ましくは、１．２当量以下となるように、調整される。具体的には、硬化剤の配合部数は、主剤１００質量部に対して、例えば、３０質量部以上、好ましくは、５０質量部以上であり、また、例えば、７５質量部以下、好ましくは、６０質量部以下である。

硬化促進剤は、加熱によって、主剤の硬化を促進する触媒（熱硬化触媒）（好ましくは、エポキシ樹脂硬化促進剤）であって、例えば、有機リン系化合物、例えば、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（２ＰＨＺ−ＰＷ）などのイミダゾール化合物などが挙げられる。好ましくは、イミダゾール化合物が挙げられる。硬化促進剤の配合部数は、主剤１００質量部に対して、例えば、０．０５質量部以上であり、また、例えば、５質量部以下である。

なお、封止組成物は、上記した熱硬化性成分に加え、無機フィラー、熱可塑性成分、顔料、シランカップリング剤などの添加剤を含有することができる。

無機フィラーは、封止層５（後述）の強度を向上させて、封止層５に優れた靱性を付与する無機粒子である。無機フィラーの材料としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などの無機化合物が挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、シリカが挙げられる。

無機フィラーの形状は、特に限定されず、例えば、略球形状、略板形状、略針形状、不定形状などが挙げられる。好ましくは、略球形状が挙げられる。

無機フィラーの最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上である。なお、平均粒子径Ｍは、例えば、レーザー散乱法における粒度分布測定法によって求められた粒度分布に基づいて、Ｄ５０値（累積５０％メジアン径）として求められる。

また、無機フィラーは、第１フィラーと、第１フィラーの最大長さの平均値Ｍ１より小さい最大長さの平均値Ｍ２を有する第２フィラーとを含むことができる。

第１フィラーの最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。

第２フィラーの最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍ２は、例えば、１μｍ未満、好ましくは、０．８μｍ以下であり、また、例えば、０．０１μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上である。

第１フィラーの最大長さの平均値の、第２フィラーの最大長さの平均値に対する比（Ｍ１／Ｍ２）は、例えば、２以上、好ましくは、５以上であり、また、例えば、５０以下、好ましくは、２０以下である。

第１フィラーおよび第２フィラーの材料は、ともに同一あるいは相異っていてもよい。

さらに、無機フィラーは、その表面が、部分的あるいは全体的に、シランカップリング剤などで表面処理されていてもよい。

無機フィラーが上記した第１フィラーと第２フィラーとを含む場合には、第１フィラーの割合は、封止組成物中、例えば、４０質量％以上、好ましくは、５０質量％超過であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７０質量％以下である。第２フィラーの配合部数は、第１フィラー１００質量部に対して、例えば、４０質量部以上、好ましくは、５０質量部以上であり、また、例えば、７０質量部以下、好ましくは、６０質量部以下である。

無機フィラーの割合は、封止組成物中、例えば、５０質量％以上、好ましくは、６５質量％以上、より好ましくは、８０質量％以上であり、また、例えば、９５質量％以下、好ましくは、９０質量％以下である。無機フィラーの含有割合が上記した下限以上であれば、得られる封止層５の信頼性を向上させることができる。

熱可塑性成分は、電子素子４を封止するときの電子素子封止用シート１における柔軟性を向上させる成分である。熱可塑性成分は、例えば、熱可塑性樹脂である。

熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂（６−ナイロンや６，６−ナイロンなど）、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和ポリエステル樹脂（ＰＥＴなど）、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これら熱可塑性樹脂は、単独使用または２種以上併用することができる。

熱可塑性樹脂として、好ましくは、主剤（好ましくは、エポキシ樹脂）との分散性を向上させる観点から、アクリル樹脂が挙げられる。

アクリル樹脂としては、例えば、直鎖または分岐のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルと、その他のモノマー（共重合性モノマー）とを含むモノマー成分を重合してなる、カルボキシル基含有（メタ）アクリル酸エステルコポリマー（好ましくは、カルボキシル基含有アクリル酸エステルコポリマー）などが挙げられる。

アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシルなどの炭素数１〜６のアルキル基などが挙げられる。

その他のモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマーなどが挙げられる。

熱可塑性成分の重量平均分子量は、例えば、１０万以上、好ましくは、３０万以上であり、また、例えば、１００万以下、好ましくは、９０万以下である。なお、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトフラフィー（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレン換算値に基づいて測定される。

熱可塑性成分の割合（固形分割合）は、封止組成物の熱硬化を阻害しないように調整されており、具体的には、封止組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上であり、また、例えば、１０質量％以下、好ましくは、５質量％以下である。なお、熱可塑性成分は、適宜の溶媒で希釈されて調製されていてもよい。

また、熱可塑性成分の質量の、無機フィラーの質量に対する割合（熱可塑性成分の質量／無機フィラーの質量）は、例えば、０．１７５以上、好ましくは、０．１８以上であり、また、例えば、０．３３以下、好ましくは、０．３０以下、より好ましくは、０．２５以下である。上記した割合が上記した下限以上であれば、電子素子封止用シート１の後述する粘度を所望の範囲に設定することができる。上記した割合が上記した上限以下であれば、電子素子封止用シート１の後述する長さＬを所望の範囲に設定することができる。

顔料としては、例えば、カーボンブラックなどの黒色顔料が挙げられる。顔料の平均粒子径は、例えば、０．００１μｍ以上、例えば、１μｍ以下である。顔料の割合は、封止組成物に対して、例えば、０．１質量％以上、また、例えば、２質量％以下である。

シランカップリング剤としては、例えば、エポキシ基を含有するシランカップリング剤が挙げられる。エポキシ基を含有するシランカップリング剤としては、例えば、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどの３−グリシドキシジアルキルジアルコキシシラン、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどの３−グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが挙げられる。好ましくは、３−グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが挙げられる。シランカップリング剤の配合割合は、無機フィラー１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、１質量部以上であり、また、例えば、１０質量部以下、好ましくは、５質量部以下である。

電子素子封止用シート１の厚みは、特に限定されず、例えば、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下である。

電子素子封止用シート１の直交方向（面方向）における形状は、特に限定されず、その大きさは、複数の電子素子４を埋設（封止）するとともに、複数の電子素子４から露出する基板２の厚み方向一方面３に接触できるように、設定されている。具体的には、電子素子封止用シート１の面方向における最大長さは、例えば、１ｍｍ以上であり、また、例えば、１００ｍｍ以下である。

この電子素子封止用シート１の９０℃の粘度は、５ｋＰａ以上であり、好ましくは、１０ｋＰａ以上、より好ましくは、１５ｋＰａ以上、さらに好ましくは、２５ｋＰａ以上、とりわけ好ましくは、４０ｋＰａ以上、さらには、５０ｋＰａ以上、さらには、７５ｋＰａ以上、さらには、１００ｋＰａ以上である。電子素子封止用シート１の９０℃の粘度が上記した下限に満たなければ、電子素子封止用シート１を加熱して電子素子４を封止するときに、電子素子封止用シート１の材料が、過度に軟化し、つまり、過度の流動を抑制できず、電子素子封止用シート１の材料が外側にはみ出す。そうすると、電子素子封止用シート１の周囲が汚染される。

一方、電子素子封止用シート１の９０℃の粘度は、例えば、５００ｋＰａ以下、好ましくは、２００ｋＰａ以下、より好ましくは、１００ｋＰａ以下である。電子素子封止用シート１の粘度が上記した上限以下であれば、後述する封止試験で測定される最大長さＬを後述する範囲に確実に設定することができる。

なお、電子素子封止用シート１の粘度を決定する温度９０℃は、加熱時おける最低溶融粘度を示す温度であって、種々の電子素子封止用シート１のそれぞれについて繰り返し測定を実施したときに、粘度のばらつきが小さくなる温度である。

電子素子封止用シート１の粘度の測定方法は、後の実施例で詳述する。

電子素子封止用シート１は、下記の封止試験で測定される第２試験隙間７２の最大長さＬが、１５０μｍ以下である。最大長さＬは、好ましくは、１２５μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ以下、さらに好ましくは、８５μｍ未満、とりわけ好ましくは、８０μｍ以下、さらには、７０μｍ以下、６０μｍ以下、５０μｍ以下、２５μｍ以下が好適であり、また、例えば、１μｍ以上である。

＜封止試験＞
封止試験では、次のプレス試験工程（図２Ａ〜図３Ｂ参照）と加熱試験工程（図４Ａおよび図４Ｂ参照）とを順に実施する。

プレス試験工程では、まず、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、ガラス製の試験基板５２の厚み方向一方面５３に、厚み方向に直交する第１方向（図２Ａおよび図２Ｂにおける左右方向）と、厚み方向および第１方向に直交する第２方向（図２Ａにおける上下方向であって、図２Ｂの奥行き方向）とのそれぞれにおける長さＬ１が１０ｍｍ、厚みＴ１が４００μｍである矩形状の試験素子５４を１つ配置する。

次に、第１方向および第２方向のそれぞれの長さＬ２が２０ｍｍ、厚みＴ２が２６０μｍである矩形状の封止用試験シート５１を、試験素子５４と厚み方向において重複するように配置した後、２５℃、１３３０Ｐａの条件で、１０秒間放置し、続いて、同条件（１３３０Ｐａの減圧条件）下にて、図３Ｂに示すように、平板プレス５５によって、２ＭＰａで６０秒間、封止用試験シート５１を試験素子５４に対して加圧して密着させる。

このプレス試験工程において、封止用試験シート５１は、電子素子封止用シート１（図１Ａおよび図１Ｂ参照）を上記した大きさ（第１方向および第２方向のそれぞれの長さＬ２が２０ｍｍ）となるように切断加工した試験用シートである。また、封止用試験シート５１は、厚みＴ２が２６０μｍとなるように、厚みが予め調整された電子素子封止用シート１である。

プレス試験工程は、減圧装置（真空装置）６０内で実施される。減圧装置（真空装置）６０の条件は、上記したように、２５℃、１３３０Ｐａである。

図３Ａおよび図３Ｂに示すように、このプレス試験工程では、試験素子５４の第１方向および第２方向の両方の方向における端面６１（周側面６２）と、試験基板５２の厚み方向一方面５３と、端面６１および厚み方向一方面５３に面する封止層５の厚み方向他方面６３とによって区画される第１試験隙間７１が形成される。この第１試験隙間７１は、例えば、試験素子５４の周側面６２である４面（４つの端面６１）いずれにも面する。

但し、４つの第１試験隙間７１は、４つの端面６１に対応する４つの角部６５には、面していない。４つの第１試験隙間７１は、４つの角部６５によって、仕切られている（互いに連通していない）。

加熱試験工程では、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、まず、電子素子実装基板１２および封止用試験シート５１を、減圧装置６０から取り出す。すると、第１試験隙間７１（図３Ａおよび図３Ｂ参照）は、減圧（真空）状態である一方、封止用試験シート５１の外側は、大気圧になるため、第１試験隙間７１が大気圧に近づくように、封止用試験シート５１が、大気圧によって押圧される。つまり、第１試験隙間７１の容積が減ずる（第１試験隙間７１が縮小する）ように、封止用シートにおいて第１試験隙間７１に面する部分が、押圧される。続いて、１５０℃で、１時間加熱して、封止層５を形成する。具体的には、封止用試験シート５１が熱硬化性成分を含有するＢステージであれば、封止用試験シート５１を加熱して、封止用試験シート５１を熱硬化（完全硬化、Ｃステージ化）させる。すると、封止用試験シート５１が一旦軟化して、流動性を有する。すると、上記した押圧によって、第１試験隙間７１よりも容積が小さい容積を有する第２試験隙間７２が形成される。

第２試験隙間７２も、試験素子５４の周側面６１（４つの端面６２）と、試験基板５２の厚み方向一方面５３と、封止層５の厚み方向他方面６３とによって区画されている。また、第２試験隙間７２も、第１試験隙間７１と同様に、４つの角部６５によって仕切られている（互いに連通していない）。

そして、第２試験隙間７２において試験素子５４から最も離れた位置までの長さ（最大長さ）を幅Ｌとして得る。なお、複数の第２試験隙間７２の大きさがそれぞれ異なる場合には、最も大きい第２試験隙間７２の幅Ｌを取得する。

第２試験隙間７２は、４つの端面６１に対応して４つ形成されている。４つの端面６１は、第１方向に互いに対向する第１方向一端面８１（例えば、図４Ａにおける左面）および第１方向他端面８２（例えば、図４Ａにおける右面）と、第２方向に互いに対向する第２方向一端面８３（例えば、図４Ａにおける上面）および第２方向他端面８４（例えば、図４Ａにおける下面）とである。

第１方向一端面８１に面し、それからの第１方向における最大長さは、幅Ｌ３であり、第１方向他端面８２に面し、それからの第１方向における最大長さが、幅Ｌ４である。第２方向一端面８３に面し、それからの第２方向における最大長さは、幅Ｌ５であり、第２方向他端面８４に面し、それからの第２方向における最大長さは、幅Ｌ６である。

なお、第１方向一端面８１および／または第１方向他端面８２に対応する第２試験隙間７２は、第１方向一端面８１および／または第１方向他端面８２における第２方向端部から第２方向中央部に向かうに従って、幅が広くなっており、第２方向中央部において、幅Ｌ３および／幅Ｌ４を有する。第２方向一端面８３および／または第２方向他端面８４に対応する第２試験隙間７２は、第２方向一端面８３および／または第２方向他端面８４における第１方向端部から第１方向中央部に向かうに従って、幅が広くなっており、第１方向中央部において、幅Ｌ５および／幅Ｌ６を有する。

そして、幅Ｌ３〜Ｌ６のうち、最大値をＬとして取得する。具体的には、幅Ｌ３および幅Ｌ４を比較し、幅Ｌ３が幅Ｌ４と同じまたは長い場合には、幅Ｌ３を、第２試験隙間の最大長さとしての幅Ｌとして取得する。また、幅Ｌ３および幅Ｌ５を比較し、幅Ｌ３が幅Ｌ５と同じまたは長い場合には、幅Ｌ３を、第２試験隙間の最大長さとしての幅Ｌとして取得する。なお、幅Ｌ３および幅Ｌ６、幅Ｌ４および幅Ｌ５、幅Ｌ４および幅Ｌ６の比較については、上記と同様であり、詳細を省略する。

第２試験隙間７２の最大長さ（幅）Ｌが上記した上限を超えると、後述する第２隙間１７の大きさが大きくなり、そのため、微細な凹凸を追従して均一（均質）（きれい）に埋没させることができず、得られる電子素子装置８の信頼性が低下する。

電子素子封止用シート１を製造するには、まず、封止組成物を調製する。具体的には、上記した成分を配合して、それらを混合して、封止組成物を調製する。好ましくは、上記した各成分（および必要により溶媒）を配合および混合して、ワニスを調製する。その後、ワニスを、図示しない剥離シートに塗布し、乾燥させて、電子素子封止用シート１を得る。この場合には、電子素子封止用シート１剥離シート（図示せず）に支持された状態で、得られる。

一方、ワニスを調製せず、混練押出によって、封止組成物から電子素子封止用シート１を形成することもできる。

電子素子封止用シート１において、電子素子封止用シート１は、熱硬化性成分を含有する場合には、例えば、Ｂステージである。

（電子素子装置の製造方法）
次に、電子素子封止用シート１を用いて、電子素子装置８を製造する方法を、図１Ａ〜図１Ｃを参照して説明する。

この方法は、電子素子封止用シート１および電子素子４を準備する準備工程（図１Ａ参照）、および、電子素子封止用シート１を使用して電子素子４を封止して、封止層５を形成する封止工程（図１Ｂおよび図１Ｃ参照）を備える。

（準備工程）
図１Ａに示すように、準備工程では、上記した電子素子封止用シート１（好ましくは、Ｂステージの電子素子封止用シート１）を準備する。別途、準備工程では、基板２に実装された電子素子４を準備する。

電子素子４は、基板２の一方面において、互いに間隔を隔てて複数配置されている。複数の電子素子４のそれぞれは、面方向に延びる略平板形状を有する。具体的には、電子素子４は、厚み方向一方面９、厚み方向他方面１０、および、直交方向端面である周側面１１を連続して備える。

厚み方向一方面９および厚み方向他方面１０は、互いに平行する平面である。周側面１１は、厚み方向一方面９および厚み方向他方面１０の周端縁を厚み方向に連結する。

電子素子４としては、特に限定されず、種々の電子素子が挙げられ、例えば、中空型電子素子、半導体素子などが挙げられる。電子素子４は、基板２の厚み方向一方面３に対向するように複数実装されている。複数の電子素子４は、例えば、基板２に対してフリップチップ実装されている。複数の電子素子４は、互いに間隔を隔てて、基板２の厚み方向一方面３に配置されている。

電子素子４の厚みは、例えば、５０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下である。なお、複数の電子素子４の厚みは、互いに同一あるいは異なっていてもよい。

複数の電子素子４の厚みが互いに異なる場合には、電子素子４の第１面９の厚み方向位置がずれている。この場合には、複数の厚み方向一方面９において、最も厚み方向他方側に位置する厚み方向一方面９と、最も厚み方向一方側に位置する厚み方向一方面９との厚み方向における距離Ｄ１は、例えば、２０μｍ以上、さらには、５０μｍ以上であり、また、例えば、５０００μｍ以下、さらには、１０００μｍ以下である。

電子素子４の面方向における最大長さは、例えば、１０００μｍ以上であり、また、例えば、３０００μｍ以下である。互いに隣り合う電子素子４間の距離（周側面１１の隣接距離）Ｄ２は、例えば、５０００μｍ以下、好ましくは、２０００μｍ以下であり、また、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、５００μｍ以上である。

基板２は、電子素子４とともに、電子素子実装基板１２に備えられる。つまり、電子素子実装基板１２は、電子素子４と、電子素子４を実装する基板２とを備える。

基板２は、面方向に延びる略平板形状を有する。基板２は、平面視において、複数の電子素子４を囲む大きさを有する。基板２は、厚み方向一方面３および厚み方向他方面１３を備える。

厚み方向一方面３は、厚み方向一方側に露出する平面である。厚み方向他方面１３は、厚み方向一方面３に平行する平面である。基板２の材料としては、特に限定されず、例えば、樹脂、セラミック、金属などが挙げられる。基板２の厚みは、特に限定されず、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１０００μｍ以下である。

（封止工程）
封止工程では、図１Ｂおよび図１Ｃに示すように、次いで、電子素子封止用シート１を使用して電子素子４を封止する。具体的には、封止工程は、プレス工程（図１Ｂ参照）および加熱工程（図１Ｃ参照）を備える。プレス工程および加熱工程は、順に実施される。

プレス工程および加熱工程のそれぞれの条件は、上記した封止試験におけるプレス試験工程および加熱試験工程のそれぞれにおける条件（温度、時間、圧力など）を含むことができる。以下、プレス工程および加熱工程を、順に説明する。

（プレス工程）
図１Ａの矢印および図１Ｂに示すように、プレス工程では、まず、電子素子封止用シート１の第２面７が複数の電子素子４の厚み方向一方面９に接触するように、電子素子封止用シート１を厚み方向他方側に向けて、例えば、減圧装置内（具体的には、真空装置６０内）において、プレス（図示せず）を用いて加圧する。必要により、同時に、電子素子封止用シート１を加熱する。このとき、電子素子封止用シート１は、電子素子４の外形に対応して塑性変形する。真空度、圧力、温度などは、特に限定されない。

これによって、電子素子封止用シート１は、複数の電子素子４を被覆する。換言すれば、複数の電子素子４が１つの電子素子封止用シート１に部分的に埋め込まれる。同時に、電子素子封止用シート１の第２面７は、電子素子４の周囲の基板２の厚み方向一方面３に接触する。

そして、図３Ａおよび図３Ｂに示すような、封止試験における第１試験隙間７１と同一の（または類似する）形状および配置を有する第１隙間１４が形成される。第１隙間１４は、電子素子４の周側面１１と、基板２の厚み方向一方面３と、周側面１１および厚み方向一方面３に面する電子素子封止用シート１の第２面７とによって区画されている。

また、第１隙間１４は、その外部（つまり、真空装置６０内の雰囲気）と、電子素子封止用シート１によって、遮断されており、つまり、連通していない。

なお、電子素子封止用シート１は、熱硬化性成分を含有する場合には、例えば、依然として、Ｂステージである。

（加熱工程）
その後、図１Ｃに示すように、電子素子実装基板１２および電子素子封止用シート１を真空装置６０から取り出して、これらを大気圧下に置くとともに、これらを加熱する。具体的には、電子素子封止用シート１が熱硬化性成分を含有するＢステージである場合には、上記した加熱により、熱硬化（Ｃステージ化、完全硬化）させる。これにより、封止層５を形成する。つまり、封止層５は、電子素子封止用シート１から調製される。

なお、封止層５は、厚み方向一方面１５および厚み方向他方面１６を有する。厚み方向一方面１５は、電子素子封止用シート１の第１面６（図１Ａ参照）から形成される。厚み方向他方面１６は、電子素子封止用シート１の第２面７（図１Ａ参照）から形成される。

そして、この加熱工程では、第１隙間１４が小さくなった第２隙間１７が形成される。

具体的には、上記した加熱によって、電子素子封止用シート１の流動性が増大するとともに、第１隙間１４内の気圧が、その外部の気圧に比べて低い（つまり、負圧である）ことから、第１隙間１４が小さくなった第２隙間１７が形成される。

この第２隙間１７は、電子素子４の周側面１１と、基板２の厚み方向一方面３と、周側面１１および厚み方向一方面３に面する封止層５の厚み方向他方面１３とによって区画されている。

なお、封止層５の材料は、例えば、電子素子封止用シート１の材料の硬化物（Ｃステージ状物）である。

封止層５の線膨張係数αは、例えば、１００ｐｐｍ以下、好ましくは、２０ｐｐｍ以下、より好ましくは、１５ｐｐｍ以下であり、また、例えば、１ｐｐｍ以上である。封止層５の線膨張係数αが上記した上限以下であれば、電子素子４の線膨張係数αとの差が小さくなり、熱履歴に対する封止層５と電子素子４との体積変化の差が小さくなるため、信頼性に優れる電子素子装置８を得ることができる。

これにより、電子素子実装基板１２および硬化層５を備える電子素子装置８が得られる。また、電子素子装置８は、上記した第２隙間１７を有する。

第２隙間１７の、電子素子４の周側面１１からの離間距離Ｌ６の最大値は、例えば、１５０μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下、より好ましくは、５０μｍ以下、さらに好ましくは、１μｍ以下である。なお、第２隙間１７の離間距離Ｌ６の最大値の求め方は、上記した第２試験隙間７２の最大長さＬの求め方と同様である。

そして、この電子素子封止用シート１は、９０℃の粘度が、５ｋＰａ以上であるので、電子素子封止用シート１を加熱して電子素子４を封止するときに、電子素子封止用シート１は、軟化しつつ、過度の流動を抑制して、電子素子封止用シート１の材料のはみ出しを抑制しながら、電子素子４を確実に埋設することができる。そのため、この電子素子封止用シート１は、電子素子４に対する封止性に優れながら、周囲への汚染を抑制することができる。

一方、この電子素子封止用シート１では、封止試験で測定される最大長さＬが１５０μｍ以下と短いので、微細な凹凸構造に対しても隙間なく追従でき、耐水性や耐候性に優れ、そのため、信頼性に優れる電子素子装置８を製造することができる。することができる。

従って、この電子素子封止用シート１によれば、電子素子封止用シート１の材料のはみ出しを抑制しながら、電子素子４を確実に封止でき、信頼性に優れる電子素子装置８を製造することができる。

この電子素子装置８の製造方法では、電子素子封止用シート１の９０℃の粘度が、５ｋＰａ以上であるので、電子素子封止用シート１を加熱して電子素子４を封止するときに、電子素子封止用シート１は、軟化しつつ、過度の流動を抑制して、電子素子封止用シート１の材料のはみ出しを抑制しながら、電子素子４を確実に埋設することができる。そのため、この電子素子封止用シート１は、電子素子４に対する封止性に優れながら、周囲への汚染を抑制することができる。

一方、電子素子封止用シート１は、封止試験で測定される最大長さＬである幅Ｌが１５０μｍ以下と短いので、微細な凹凸構造に対しても隙間なく追従でき、耐水性や耐候性に優れ、そのため、信頼性に優れる電子素子装置８を製造することができる。

従って、この電子素子装置８の製造方法によれば、電子素子封止用シート１の材料のはみ出しを抑制しながら、電子素子４を確実に封止でき、信頼性に優れる電子素子装置８を製造することができる。

なお、電子素子装置８の製造方法は、上記した封止試験で測定される最大長さＬが１５０μｍ以下という基準を満足する電子素子封止用シート１を良品して選別する選別工程をさらに備えることもできる。

変形例
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。

上記した説明では、プレス工程を、真空（減圧）下で実施しているが、これに限定されず、例えば、大気圧下で実施することもできる。好ましくは、プレス工程を真空下で実施する。プレス工程を真空下で実施すれば、プレス工程後の加熱工程において、電子素子封止用シート１を大気圧下に置く（電子素子封止用シート１の雰囲気を大気圧に戻す）ときに、上記した負圧に基づいて、第２隙間１７における離間距離Ｌ６、ひいては、第２隙間１７の容積を小さくすることができる。また、封止試験が、真空でプレスするプレス試験工程を備えるので、かかる封止試験の結果に基づいて（参照して）、良品である電子素子装置８を確実に得る（選別する）ことができる。

図１Ｃの仮想線で示すように、この方法は、電子素子装置８における電子素子４の周囲の基板２および封止層５をダイシングする工程を備えることもできる。例えば、基板２の厚み方向他方面１３に仮想線で示すダイシングテープ７０を配置しながら、ダイシングソー（図示せず）によって、基板２および封止層５を、第１方向および第２方向に沿って切断する。これにより、電子素子装置８を個片化する。

また、封止試験では、第１試験隙間７１および第２試験隙間７２のそれぞれが、４つの端面６２のそれぞれに対して形成されていたが、例えば、図示しないが、１つ、２つ、３つのいずれであってもよい。

さらには、図５に示すように、４つの第１試験隙間７１が連通して、４つの角部６５を含むような１つの大きな平面視略円環形状を有していてもよい。また、４つの第２試験隙間７２が連通して、４つの角部６５を含むように、１つの大きな、しかし、第１試験隙間７１よりも小さい平面視略円環形状を有していてもよい。

一実施形態では、加熱工程において、電子素子封止用シート１および電子素子実装基板１２を、真空装置６０から取り出しているが、例えば、真空装置６０から取り出すことなく、真空装置６０に空気を注入する（引き入れる）こともできる。

一実施形態では、プレス工程および加熱工程を順に実施しているが、例えば、同時に実施することもできる。

電子素子封止用シート１および封止層５は、いずれも、単層で形成しているが、例えば、図示しないが、いずれも、複層で形成することもできる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

実施例および比較例で使用した各成分を以下に示す。

エポキシ樹脂Ａ：新日鐵化学社製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
エポキシ樹脂Ｂ：日本化薬社製のＥＰＰＮ５０１−ＨＹ（エポキシ当量１６９ｇ／ｅｑ．軟化点６０℃）
硬化剤：群栄化学社製のＬＶＲ−８２１０ＤＬ（ノボラック型フェノール樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、水酸基当量：１０４ｇ／ｅｑ．、軟化点：６０℃）
アクリル樹脂：根上工業社製のＨＭＥ−２００６Ｍ、カルボキシル基含有のアクリル酸エステルコポリマー（アクリル系ポリマー）、重量平均分子量：６０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）：−３５℃、固形分濃度２０質量％のメチルエチルケトン溶液
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）、エポキシ樹脂硬化促進剤
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０
第１フィラー：ＦＢ−５ＳＤＣ（球状溶融シリカ粉末（無機フィラー）、平均粒子径５μｍ）
第２フィラー：アドマテックス社製のＳＣ２２０Ｇ−ＳＭＪ（平均粒径０．５μｍ）を３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の製品名：ＫＢＭ−５０３）で表面処理した無機フィラー。無機フィラーの１００質量部に対して１質量部のシランカップリング剤で表面処理したもの。

実施例１〜５および比較例１〜３
表１に記載の配合処方に従って、封止組成物を調製し、この封止組成物から厚み２６０μｍの電子素子封止用シート１を製造した。なお、電子素子封止用シート１は、図示しない剥離シートに支持される状態で得た。

（評価）
下記の項目を評価した。それらの結果を表１に記載する。

（封止試験）
封止試験では、図２Ａ〜図４Ｂに示すように、上記したプレス試験工程と、上記した加熱試験工程とを順に実施した。

図２Ａおよび図２Ｂに示すように、プレス試験工程では、まず、減圧装置６０内において、第１方向長さが７６ｍｍ、第２方向長さが２６ｍｍであるスライドガラスからなる試験基板５２の厚み方向一方面５３に、長さＬ１が１０ｍｍ、厚みＴ１が４００μｍである正方形状の試験素子５４を１つ配置した。次いで、厚みＴ２が２６０μｍの電子素子封止用シート１から、長さＬ２が２０ｍｍの正方形状の封止用試験シート５１を作製した。なお、剥離シート（図示せず）も、封止用試験シート５１とともに正方形状に形成した。次いで、封止用試験シート５１を、試験素子５４と厚み方向において重複するように配置した後、２５℃、１３３０Ｐａの条件で、１０秒間放置し、続いて、同条件（１３３０Ｐａの減圧条件）下にて、図３Ｂに示すように、平板プレス５５によって、２ＭＰａで６０秒間、封止用試験シート５１を試験素子５４に対して加圧して密着させた。

図４Ａおよび図４Ｂに示すように、プレス試験工程後の加熱試験工程では、電子素子実装基板１２および封止用試験シート５１を減圧装置６０から取り出し、その後、剥離シートを剥離（除去）し、その後に、１５０℃で、１時間加熱して、封止用試験シート５１を完全硬化させて、封止層５を形成した。

その後、第２試験隙間７２における幅（最大長さ）Ｌを、ＫＥＹＥＮＣＥ社製の商品名「デジタルマイクロスコープ」により、測定した。

（粘度）
電子素子封止用シート１の９０℃での粘度を、レオメーター（ＨＡＡＫＥ社製、ＭＡＲＳ ＩＩＩ）を用いて、パラレルプレート法により測定した。詳しくは、ギャップ０．８ｍｍ、パラレルプレート直径８ｍｍ、周波数１Ｈｚ、歪み０．０５％、９０℃等温の条件にて粘度を３回測定し、その平均を９０℃での粘度とした。

（線膨張率α）
電子素子封止用シート１を、１５０℃で１時間、加熱して、硬化物シート（封止層５に相当する硬化シート）を得た。その後、硬化物シートから、長さ１５ｍｍ×幅４．５ｍｍ×厚さ３００μｍの測定サンプルを切り出した。続いて、測定サンプルを熱機械測定装置（Ｒｉｇａｋｕ社製：形式ＴＭＡ８３１０）の引張治具にセットした後、２５〜２６０℃の温度域で、引張荷重２ｇ、昇温速度５℃／ｍｉｎの条件下におき、３０℃〜５０℃での膨張率から線膨張係数αを算出した。

（はみ出し）
以下の基準で、はみ出しを評価した。
○：上記の封止試験において、剥離シートの周端縁からの封止組成物のはみ出し長さ（量）が、３００μｍ以下であった。
×：上記の封止試験において、剥離シートの周端縁からの封止組成物のはみ出し長さ（量）が、３００μｍ超過であった。

１ 電子素子封止用シート
２ 基板
３ 厚み方向一方面（基板）
５ 封止層
５１ 封止用試験シート
５２ 試験基板
５３ 厚み方向一方面（試験基板）
５４ 試験素子
７２ 第２試験隙間
Ｌ 最大長さ（第２試験隙間）

Claims (6)

1. 基板の厚み方向一方面に実装される電子素子を封止する封止層を形成するように使用される封止用シートであり、
   ９０℃の粘度が、５ｋＰａ以上であり、
   下記の封止試験で測定される最大長さＬが、１５０μｍ以下であることを特徴とする、封止用シート。
   ＜封止試験＞
   ガラス製の試験基板の厚み方向一方面に、前記厚み方向に直交する第１方向と、前記厚み方向および前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれにおける長さが１０ｍｍ、厚みが４００μｍである矩形状の試験素子を配置し、２５℃、１３３０Ｐａの条件で、前記第１方向および前記第２方向のそれぞれの長さが２０μｍ、厚みが２６０μｍである矩形状の前記封止用シートを、前記試験素子と前記厚み方向において重複するように、２ＭＰａで６０秒間、前記試験素子に対して加圧して密着させ、その後、前記封止用シートを、１５０℃で、１時間加熱して、前記封止層を形成する。前記電子素子の前記第１方向および前記第２方向の少なくともいずれかの一方の方向における少なくとも１つの端面と、前記試験基板の前記厚み方向一方面と、前記端面および前記厚み方向一方面に面する前記封止層の厚み方向他方面とによって区画される試験隙間が形成されており、前記試験隙間における前記一方の方向の最大長さＬを測定する。
2. ９０℃の粘度が、２００ｋＰａ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の封止用シート。
3. 前記封止層の線膨張係数が、２０ｐｐｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の封止用シート。
4. 無機フィラーを８０質量％以上含有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止用シート。
5. ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、および、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくともいずれか１つの２官能エポキシ樹脂を２質量％以上含有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止用シート。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の封止用シートを前記電子素子に押し付け、加熱することにより、前記電子素子を封止する前記封止層を形成する工程
   を備えることを特徴とする、電子素子装置の製造方法。

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