JP2016054211A - 封止用シート - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本実施形態に係る封止用シートの断面模式図である。
なお、平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図2〜図9を参照しながら以下に説明する。図2〜図9は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。以下ではまず、いわゆるFan−out(ファンアウト)型ウェハレベルパッケージ(WLP)と呼称される半導体装置の製造方法について説明する。
半導体チップが仮固定材上に仮固定された積層体を準備する工程Aと、
封止用シートを準備する工程Bと、
前記封止用シートを前記積層体の前記半導体チップ上に配置する工程Cと、
前記半導体チップを前記封止用シートに埋め込み、前記半導体チップが前記封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する工程Dとを少なくとも含む。
図2に示すように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず、半導体チップ53が仮固定材60上に仮固定された積層体50を準備する(工程A)。積層体50は、例えば、以下の仮固定材準備工程と半導体チップ仮固定工程とにより得られる。
仮固定材準備工程では、支持基材60b上に熱膨張性粘着剤層60aが積層された仮固定材60を準備する(図2参照)。なお、熱膨張性粘着剤層に代えて、放射線硬化型粘着剤層を用いることもできる。本実施形態では、熱膨張性粘着剤層を備える仮固定材60について説明する。ただし、支持基材上に熱膨張性粘着剤層が積層された仮固定材については、特開2014−015490号公報等に詳細に記載されているので、以下では、簡単に説明することとする。
熱膨張性粘着剤層60aは、ポリマー成分と、発泡剤とを含む粘着剤組成物により形成することができる。ポリマー成分(特にベースポリマー)としては、アクリル系ポリマー(「アクリルポリマーA」と称する場合がある)を好適に用いることができる。アクリルポリマーAとしては、(メタ)アクリル酸エステルを主モノマー成分として用いたものが挙げられる。前記(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、sec−ブチルエステル、t−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数1〜30、特に炭素数4〜18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等)及び(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル(例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等)などが挙げられる。これらの(メタ)アクリル酸エステルは単独で又は2種以上を併用してもよい。
熱膨張性粘着剤層60aにおいて用いられている発泡剤としては、特に制限されず、公知の発泡剤から適宜選択することができる。発泡剤は単独で又は2種以上組み合わせて使用することができる。発泡剤としては、熱膨張性微小球を好適に用いることができる。
熱膨張性微小球としては、特に制限されず、公知の熱膨張性微小球(種々の無機系熱膨張性微小球や、有機系熱膨張性微小球など)から適宜選択することができる。熱膨張性微小球としては、混合操作が容易である観点などより、マイクロカプセル化されている発泡剤を好適に用いることができる。このような熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球などが挙げられる。前記殻は、熱溶融性物質や熱膨張により破壊する物質で形成される場合が多い。前記殻を形成する物質として、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。
支持基材60bは、仮固定材60の強度母体となる薄板状部材である。支持基材60bの材料としては取り扱い性や耐熱性等を考慮して適宜選択すればよく、例えばSUS等の金属材料、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン等のプラスチック材料、ガラスやシリコンウェハ等を用いることができる。これらの中でも、耐熱性や強度、再利用可能性等の観点から、SUSプレートが好ましい。
仮固定材60は、支持基材60b上に熱膨張性粘着剤層60aを形成することにより得られる。熱膨張性粘着剤層は、例えば、粘着剤と、発泡剤(熱膨張性微小球など)と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤、発泡剤(熱膨張性微小球など)、および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、支持基材60b上に塗布する方法、適当なセパレータ(剥離紙など)上に前記混合物を塗布して熱膨張性粘着剤層を形成し、これを支持基材60b上に転写(移着)する方法などにより、熱膨張性粘着剤層を形成することができる。
本実施形態では、熱膨張性粘着剤層は、加熱により熱膨張させることができる。加熱処理方法としては、例えば、ホットプレート、熱風乾燥機、近赤外線ランプ、エアードライヤーなどの適宜な加熱手段を利用して行うことができる。加熱処理時の加熱温度は、熱膨張性粘着剤層中の発泡剤(熱膨張性微小球など)の発泡開始温度(熱膨張開始温度)以上であればよいが、加熱処理の条件は、発泡剤(熱膨張性微小球など)の種類等による接着面積の減少性、支持基材、半導体チップを含む封止体等の耐熱性、加熱方法(熱容量、加熱手段等)などにより適宜設定できる。一般的な加熱処理条件としては、温度100℃〜250℃で、1秒間〜90秒間(ホットプレートなど)または5分間〜15分間(熱風乾燥機など)である。なお、加熱処理は使用目的に応じて適宜な段階で行うことができる。また、加熱処理時の熱源としては、赤外線ランプや加熱水を用いることができる場合もある。
半導体チップ仮固定工程では、準備した仮固定材60上に複数の半導体チップ53をその回路形成面53aが仮固定材60に対向するように配置し、仮固定する(図2参照)。半導体チップ53の仮固定には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。
また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、図1に示すように、封止用シート40を準備する(工程B)。封止用シート40は、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムなどの剥離ライナー41上に積層された状態で準備してもよい。
封止用シートを準備する工程の後、図3に示すように、下側加熱板62上に積層体50を半導体チップ53が仮固定された面を上にして配置するとともに、積層体50の半導体チップ53が仮固定された面上に封止用シート40を配置する(工程C)。この工程においては、下側加熱板62上にまず積層体50を配置し、その後、積層体50上に封止用シート40を配置してもよく、積層体50上に封止用シート40を先に積層し、その後、積層体50と封止用シート40とが積層された積層物を下側加熱板62上に配置してもよい。
次に、図4に示すように、下側加熱板62と上側加熱板64とにより熱プレスして、半導体チップ53を封止用シート40に埋め込み、半導体チップ53が封止用シート40に埋め込まれた封止体58を形成する(工程D)。封止用シート40は、半導体チップ53及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能することとなる。これにより、仮固定材60上に仮固定されている半導体チップ53が封止用シート40に埋め込まれた封止体58が得られる。
ここで、本実施形態では、90℃での粘度が50000Pa・s以下の封止用シート40を用いている。そのため、従来に比較して低圧で半導体チップ53を封止用シート40に埋め込むことができる。従って、上記数値範囲の中でも特に、5MPa以下、3MPa以下、1.5MPa以下、0.75MPa以下という低圧であっても、半導体チップ53を封止用シート40に好適に埋め込むことができる。
前記減圧条件としては、圧力が、例えば、0.1〜5kPa、好ましくは、0.1〜100Paであり、減圧保持時間(減圧開始からプレス開始までの時間)が、例えば、5〜600秒であり、好ましくは、10〜300秒である。
次に、剥離ライナー41を剥離する(図5参照)。
次に、封止用シート40を熱硬化させる。具体的には、例えば、仮固定材60上に仮固定されている半導体チップ53が封止用シート40に埋め込まれた封止体58全体を加熱する。
次に、図6に示すように、仮固定材60を加熱して熱膨張性粘着剤層60aを熱膨張させることにより、熱膨張性粘着剤層60aと封止体58との間で剥離を行う。あるいは、支持基材60bと熱膨張性粘着剤層60aとの界面で剥離を行い、その後、熱膨張性粘着剤層60aと封止体58との界面で熱膨張による剥離を行うという手順も好適に採用することができる。いずれも場合であっても、熱膨張性粘着剤層60a加熱して熱膨張させその粘着力を低下させることで、熱膨張性粘着剤層60aと封止体58との界面での剥離を容易に行うことができる。熱膨張の条件としては、上述の「熱膨張性粘着剤層の熱膨張方法」の欄の条件を好適に採用することができる。特に、熱膨張性粘着剤層は、前記熱硬化工程における加熱では剥離せず、この熱膨張性粘着剤層剥離工程における加熱において剥離する構成であることが好ましい。
次に、必要に応じて、図7に示すように、封止体58の封止用シート40を研削して半導体チップ53の裏面53cを表出させる。封止用シート40を研削する方法としては、特に限定されず、例えば、高速回転する砥石を用いるグラインディング法を挙げることができる。
本実施形態ではさらに、封止体58の半導体チップ53の回路形成面53aに再配線69を形成する再配線形成工程を含むことが好ましい。再配線形成工程では、上記仮固定材60の剥離後、上記露出した半導体チップ53と接続する再配線69を封止体58上に形成する(図8参照)。
次いで、形成した再配線69上にバンプ67を形成するバンピング加工を行ってもよい(図8参照)。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキなど公知の方法で行うことができる。
最後に、半導体チップ53、封止用シート40及び再配線69などの要素からなる積層体のダイシングを行う(図9参照)。これにより、チップ領域の外側に配線を引き出した半導体装置59を得ることができる。
<封止用シートの作製>
下記の[製造例1の配合]の配合比に従い、各成分を配合し、混練りしたのちにシート化することによって、厚さ300μmの封止用シートAを作製した。
[製造例1の配合]
エポキシ樹脂1(新日鐵化学(株)製のYSLV−80XY):25.8部
エポキシ樹脂2(三菱化学社製のエピコート828):23.0部
フェノール樹脂3(明和化成社製のMEH−7800):51.4部
熱可塑性樹脂2(ナガセケムテックス社製のSG−P3):45.2部
無機充填剤3(株式会社アドマテック製のSO−25R(球状シリカ)):1356.7部
シランカップリング剤1(信越化学社製のKBM−403):1.4部
顔料1(三菱化学社製の#20):4.5部
硬化促進剤1(四国化成工業社製の2PHZ−PW):1.0部
エポキシ樹脂1:新日鐵化学(株)製のYSLV−80XY(ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキン当量200g/ep.軟化点80℃)
フェノール樹脂1:明和化成社製のMEH−7851−SS(ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量203g/eq.軟化点67℃)
熱可塑性樹脂1:三菱レイヨン株式会社製のJ−5800(アクリルゴム系応力緩和剤)
無機充填剤1:電気化学社製のFB9454(フィラー)
シランカップリング剤1:信越化学社製のKBM−403(3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)
顔料1(カーボンブラック):三菱化学社製の#20(粒子径50nm)
硬化促進剤1:四国化成工業社製の2PHZ−PW(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール)
<封止用シートの作製>
表1に記載の配合比に従い、各成分を配合し、混練りしたのちにシート化することによって、厚さ300μmの封止用シートBを作製した。
<封止用シートの作製>
表1に記載の配合比に従い、各成分を配合し、混練りしたのちにシート化することによって、厚さ300μmの封止用シートCを作製した。
<封止用シートの作製>
下記の[製造例4の配合]の配合比に従い、各成分を配合し、混練りしたのちにシート化することによって、厚さ300μmの封止用シートDを作製した。
[製造例4の配合]
エポキシ樹脂1(新日鐵化学(株)製のYSLV−80XY):34.9部
エポキシ樹脂2(三菱化学社製の828):33.8部
フェノール樹脂2(明和化成社製のMEH−7500−3S):31.3部
無機充填剤2(電気化学工業(株)製の5SDC):542.3部
無機充填剤3(株式会社アドマテック製のSO−25R(球状シリカ)):144.2部
シランカップリング剤1(信越化学社製のKBM−403):0.7部
顔料1(三菱化学社製の#20):2.4部
硬化促進剤1(四国化成工業社製の2PHZ−PW):1.0部
粘弾性測定装置ARES(レオメトリックス・サイエンティフィック社製)を用いて各サンプル(封止用シートA〜D)の90℃での粘度を測定した。測定条件は、下記の通りである。結果を表2に示す。
<測定条件>
パラレルプレート:8mmφ、
周波数:1Hz
ひずみ:5%
90℃定温測定
測定時間:5分
封止用シートA〜Dについて寸法変化率を測定した。具体的には、まず、封止用シートを縦22cm×横22cmのサイズに切り出した。また、縦7mm×横7mm、厚み200μmの半導体チップが、縦20個×横20個、チップ実装間隔(チップの端とチップの端との間隔)3mmで実装された縦22cm×横22cmのチップ積層ガラスキャリアを準備した。
次に、準備したチップ積層ガラスキャリア上に、切り出した封止用シートを重ねた後、プレス圧力1MPa、プレス温度90℃、プレス時間120秒で平板プレスし、封止用シートの一辺に平行であり、且つ、封止用シートの中央を通過する線上の封止用シートの長さ(寸法)を測った。封止前(平板プレス前)を基準として寸法の変化率を求めた。寸法の変化率が平板プレス前を基準として20%以下である場合を〇、20%より大きい場合を×として評価した。結果を表2に示す。なお、変化率の基準を20%としたのは、20%以下であれば封止体の外周付近において、ボイドやフィラー偏析が発生しづらいとの理由による。
図10(a)は、ボイド評価にて用いたチップ積層ガラスキャリアを説明するための正面図であり、図10(b)は、その平面図である。
まず、縦50mm×横50mm×厚さ7mmのガラスプレートを準備した。次に、ガラスプレート上に、縦3個×横3個でチップを配置し、チップ積層ガラスキャリアとした(図10(a)及び図10(b)参照)。チップは、縦7mm×横7mm×厚さ200μmのチップA、縦7mm×横7mm×厚さ500μmのチップB、縦7mm×横7mm×厚さ780μmのチップCの3種類を用いた。また、チップの配置間隔(図10(b)中のX)は、0.1mm、1mm、3mm、5mmの4パターンとした。チップの種類とチップ間隔との組み合わせについて、表3に示した。
チップ積層ガラスキャリアと、封止用シートと、熱プレス時の圧力との組み合わせを変えて、熱プレスを行なった。チップ積層ガラスキャリアと、封止用シートと、熱プレス時の圧力との組み合わせを表4〜表6に示す。なお、熱プレス時の圧力以外の条件は、いずれも、真空度10Pa、プレス温度90℃、プレス時間120秒とした。
その後、目視およびマイクロスコープによる表面観察や断面観察によりボイド、及び、フィラー偏析を確認した。その結果、ボイドおよびフィラー偏析が観察されなかった場合を〇、ボイド、フィラー偏析の少なくともいずれかが観察された場合を×として評価した。結果を表4〜表6に示す。
50 積層体
53 半導体チップ
58 封止体
59 半導体装置
60 仮固定材
Claims (2)
- 90℃での粘度が1Pa・s〜50000Pa・sの範囲内にあることを特徴とする封止用シート。
- 縦7mm×横7mm、厚み200μmの半導体チップが、縦20個×横20個、チップ実装間隔(チップの端とチップの端との間隔)3mmで実装された縦22cm×横22cmのチップ積層ガラスキャリア上に、縦22cm×横22cmのサイズに切り出した封止用シートを重ねた後、プレス圧力1MPa、プレス温度90℃、プレス時間120秒で平板プレスした際の寸法の変化率が、平板プレス前を基準として20%以下であることを特徴とする請求項1に記載の封止用シート。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012169501A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Tdk Corp | 電子部品内蔵モジュール用層間絶縁シート、電子部品内蔵モジュール及び電子部品内蔵モジュールの製造方法 |
JP2014103257A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Nitto Denko Corp | 電子部品装置の製造方法、及び、電子部品装置 |
JP2014107397A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2014115725A1 (ja) * | 2013-01-23 | 2014-07-31 | 日東電工株式会社 | シート状の電子部品封止用熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止型半導体装置、及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
JP2014152302A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012169501A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Tdk Corp | 電子部品内蔵モジュール用層間絶縁シート、電子部品内蔵モジュール及び電子部品内蔵モジュールの製造方法 |
JP2014103257A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Nitto Denko Corp | 電子部品装置の製造方法、及び、電子部品装置 |
JP2014107397A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2014115725A1 (ja) * | 2013-01-23 | 2014-07-31 | 日東電工株式会社 | シート状の電子部品封止用熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止型半導体装置、及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
JP2014152302A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020004853A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | 日東電工株式会社 | 封止用シートおよび電子素子装置の製造方法 |
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