JP2015220350A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 封止用シートを構成する樹脂の流動により、半導体チップの埋め込み不良が発生することを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 チップ付きキャリアを準備する工程Ａ、キャリアの外周を取り囲むように配置することが可能であり、且つ、厚さがキャリアの厚さとチップの厚さとの合計よりも薄い枠ジグを準備する工程Ｂ、枠ジグによりキャリアの外周が取り囲まれるように、枠ジグとチップ付きキャリアとを配置する工程Ｃ、平面視での形状が、少なくともキャリア内に収まる形状の封止用シートを準備する工程Ｄ、工程Ｃ及び工程Ｄの後、半導体チップの上に封止用シートを配置する工程Ｅ、半導体チップを封止用シートに埋め込み、半導体チップが封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する工程Ｆとを含む半導体装置の製造方法。【選択図】 図８

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

近年、基板上に配置された半導体チップ上に封止用シートを配置し、所定条件でプレスすることにより、半導体チップを封止用シートに埋め込み、半導体チップが封止された半導体装置を得る方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

上記半導体装置の製造方法においては、通常、基板上に複数の半導体チップを、間隔をあけて配置し、封止用シートにより一括封止する。

特開２０１３−７０２８号公報

しかしながら、上述したような方法により半導体装置を製造する場合、半導体チップの封止用シートへの埋め込みの際に、封止用シートを構成する樹脂が平面方向に流動する。そのため基板の外周近辺では、埋め込みのための充分な圧力が得られない場合がある。そのため、半導体チップの埋め込み不良が発生するといった問題がある。

本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、封止用シートを構成する樹脂の流動により、半導体チップの埋め込み不良が発生することを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。

本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明は、半導体装置の製造方法であって、
キャリアと前記キャリア上に固定された半導体チップとを有するチップ付きキャリアを準備する工程Ａ、
前記キャリアの外周を取り囲むように配置することが可能であり、且つ、厚さが前記キャリアの厚さと前記チップの厚さとの合計よりも薄い枠ジグを準備する工程Ｂ、
前記枠ジグにより前記キャリアの外周が取り囲まれるように、前記枠ジグと前記チップ付きキャリアとを配置する工程Ｃ、
平面視での形状が、少なくとも前記キャリア内に収まる形状の封止用シートを準備する工程Ｄ、
前記工程Ｃ及び前記工程Ｄの後、前記半導体チップの上に前記封止用シートを配置する工程Ｅ、
前記半導体チップを前記封止用シートに埋め込み、前記半導体チップが前記封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する工程Ｆとを含むことを特徴とする。

本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、枠ジグによりキャリアの外周が取り囲まれるように、前記枠ジグと前記チップ付きキャリアとを配置する（工程Ｃ）。その後、前記半導体チップを封止用シートに埋め込み、前記半導体チップが前記封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する（工程Ｆ）。
工程Ｆにおいては、埋め込み時の圧力により封止用シートを構成する樹脂が平面方向に流動する。しかしながら、枠ジグがチップ付きキャリアの外周を取り囲むように配置されているため、枠ジグが配置されている部分に前記樹脂が逃げることはない。従って、キャリアの外周近辺でも、半導体チップを埋め込むための充分な圧力が得られる。その結果、外周近辺の半導体チップの埋め込みを良好とすることができる。

前記構成において、前記工程Ｆは、平板プレスにより前記封止体を形成する工程であることが好ましい。

前記構成において、前記枠ジグは、２つの部材からなり、
前記工程Ｃは、前記チップ付きキャリアを所定位置に配置した後、互いに異なる方向から前記２つの部材を前記チップ付きキャリアに近づけて、前記キャリアの外周を取り囲むように配置する工程であることが好ましい。
この場合、工程Ｃにおける前記枠ジグと前記チップ付きキャリアとの配置が容易となる。

本発明によれば、キャリアの外周近辺の半導体チップの埋め込みを良好とすることが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。

（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面模式図であり、（ｂ）は、その正面断面図である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面模式図である。 （ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面模式図であり、（ｂ）は、その正面断面図である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための正面断面図である。 （ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面模式図であり、（ｂ）は、その正面断面図である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための正面断面図である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための正面断面図である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための正面断面図である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための正面断面図である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための正面断面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、
キャリアと前記キャリア上に固定された半導体チップとを有するチップ付きキャリアを準備する工程Ａ、
前記キャリアの外周を取り囲むように配置することが可能であり、且つ、厚さが前記キャリアの厚さと前記チップの厚さとの合計よりも薄い枠ジグを準備する工程Ｂ、
前記枠ジグにより前記キャリアの外周が取り囲まれるように、前記枠ジグと前記チップ付きキャリアとを配置する工程Ｃ、
平面視での形状が、少なくとも前記キャリア内に収まる形状の封止用シートを準備する工程Ｄ、
前記工程Ｃ及び前記工程Ｄの後、前記半導体チップの上に前記封止用シートを配置する工程Ｅ、
前記半導体チップを前記封止用シートに埋め込み、前記半導体チップが前記封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する工程Ｆとを少なくとも含む。

以下では、まず、本発明のキャリアが、支持体と仮固定用シートとが積層された構成である場合についての実施形態について説明する。

図１〜図１０は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。

［チップ付きキャリア準備工程（工程Ａ）］
図１（ａ）には、本実施形態に係るチップ付きキャリアの平面模式図を示しており、図１（ｂ）には、その正面断面図を示している。本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、キャリア１１とキャリア１１上に固定された半導体チップ１６とを有するチップ付きキャリア１０を準備する。
半導体チップ１６の配置のレイアウトや配置数は、キャリア１１の形状やサイズ、目的とするパッケージの生産数などに応じて適宜設定することができ、例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に整列させて配置することができる。本実施形態では、図面の都合上、キャリア１１上に４行４列で１６個の半導体チップ１６が固定されている場合について説明する。ただし、製造効率の観点から、１つのキャリア上にできるだけ多くの半導体チップを固定することが好ましい。そのため、キャリア１１の外周１１ａ近辺まで半導体チップが配置されていることが好ましい。

（キャリア）
キャリア１１は、強度母体となる支持体１４と仮固定用シート１２とが積層された構成である。本実施形態では、キャリア１１の平面視形状は、矩形状である。

（仮固定用シート）
仮固定用シート１２としては、発泡剤を含有する熱膨張性粘着シートや、イミド基を有し、且つ、少なくとも一部にエーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有する熱剥離シートを採用することができる。前記熱膨張性粘着シート、及び、前記熱剥離シートは、常温（２３℃）では粘着力があり、所定温度以上に加熱することにより粘着力が低下し、剥離性を呈するシートである。前記熱膨張性粘着シートに関しては、例えば、特開２０１０−１２９７００号公報に熱膨張性粘着剤層として詳細に説明されている。また、前記熱剥離シートに関しては、特開２０１３−１５３１２２号公報等に詳細に記載されている。従って、ここでの説明は省略する。
なお、仮固定用シート１２は、上述した例に限定されず、封止体形成までは半導体チップ１６を固定でき、封止体の形成後は、封止体から剥離できるものであれば特に限定されない。例えば、紫外線照射前は粘着力があり、紫外線照射後は、粘着力が低下し、剥離性を呈する紫外線硬化型の粘着シートであってもよい。

（支持体）
支持体１４は、キャリア１１の強度母体となる薄板状部材である。支持体１４の材料としては取り扱い性や耐熱性等を考慮して適宜選択すればよく、例えばＳＵＳ等の金属材料、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン等のプラスチック材料、ガラス、シリコンウェハ等を用いることができる。これらの中でも、耐熱性や強度、再利用可能性等の観点から、ガラス、又は、ＳＵＳプレートが好ましい。

支持体１４の厚さは目的とする強度や取り扱い性を考慮して適宜選択することができ、好ましくは１００〜５０００μｍであり、より好ましくは３００〜２０００μｍである。

（キャリアの形成方法）
キャリア１１は、支持体１４上に仮固定用シート１２を形成することにより得られる。例えば、仮固定用シート１２として熱膨張性粘着剤層を採用する場合、熱膨張性粘着剤層は、粘着剤と、発泡剤（熱膨張性微小球など）と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤、発泡剤（熱膨張性微小球など）、および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、支持体１４上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布して熱膨張性粘着剤層を形成し、これを支持体１４上に転写（移着）する方法などにより、熱膨張性粘着剤層を形成することができる。

本実施形態に係るチップ付きキャリア準備工程では、キャリア１１の仮固定用シート１２上に複数の半導体チップ１６をその回路形成面１６ａが仮固定用シート１２に対向するように配置し、仮固定する（図１（ａ）及び図１（ｂ）参照）。半導体チップ１６の仮固定には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。以上により、チップ付きキャリア１０か得られる。
以上、チップ付きキャリア準備工程の一例を示した。

［枠ジグを準備する工程（工程Ｂ）］
図２には、本実施形態に係る枠ジグの平面模式図を示している。本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、図２に示すように、枠ジグ２０を準備する。

（枠ジグ）
枠ジグ２０は、平面視でＬ字状の部材２０ａと部材２０ｂとからなる。枠ジグ２０は、部材２０ａと部材２０ｂとを組み合わせることにより、額縁状の形状とすることができる（図５（ａ）参照）。枠ジグ２０は、部材２０ａと部材２０ｂとを額縁状の形状となるように組み合わせた際に、平面視で枠ジグ２０の内周の形状（図５（ａ）における枠ジグ２０の内周の形状）がキャリア１１の外周１１ａの形状と同一となるように設計されている。

また、枠ジグ２０の厚さは、キャリア１１の厚さと同一程度である。枠ジグ２０がキャリア１１の厚さと同一程度の厚さを有するため、半導体チップ１６を封止用シート４０（図７参照）に埋め込む際、封止用シート４０を構成する樹脂の平面方向への流動による埋め込み時の圧力低下をより抑制することができる。
ただし、本発明において、枠ジグの厚さは、この例に限定されず、チップ付きキャリアの厚さ、すなわち、キャリアの厚さと半導体チップの厚さとの合計よりも薄ければよい。例えば、枠ジグの厚さは、キャリアの厚さよりも厚く、且つ、キャリアの厚さと半導体チップの厚さとの合計よりも薄くてもよい。この場合、封止用シートを構成する樹脂の平面方向への流動による埋め込み時の圧力低下をより抑制することができる。また、枠ジグの厚さは、キャリアの厚さよりも薄くてもよい。キャリアの厚さよりも薄くても枠ジグが存在していることにより、存在しない場合に比較して、封止用シートを構成する樹脂の平面方向への流動による埋め込み時の圧力低下を抑制することができる。

枠ジグ２０の材質としては、特に限定されないが、封止体を形成する工程（工程Ｆ）において変形しないものが好ましく、例えば、ステンレス、鋼（スチール）、黄銅等を採用することができる。

［枠ジグとチップ付きキャリアとを配置する工程（工程Ｃ）］
工程Ａ及び工程Ｂの後、枠ジグ２０によりキャリア１１の外周が取り囲まれるように、枠ジグ２０とチップ付きキャリア１１とを配置する（工程Ｃ）。この点について、以下、図３〜図５を用いて説明する。

工程Ｃにおいては、まず、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、チップ付きキャリア１１を平板プレス機の下側加熱板３２上に配置する。この際、半導体チップ１６が仮固定された面を上にし、支持体１４が下側加熱板３２に接するように配置する。

次に、図４に示すように、枠ジグ２０を構成する部材２０ａと部材２０ｂとを、チップ付きキャリア１１を挟んで互いに反対側からチップ付きキャリア１１に近づける。この際、部材２０ａと部材２０ｂとで額縁状の形状となるように近づけて、組み合わせる。そうすると、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、組み合わせられて額縁状となった枠ジグ２０の内周がキャリア１１の外周に接して取り囲まれるように、枠ジグ２０とチップ付きキャリア１１とが配置される。
この状態で、部材２０ａと部材２０ｂとがキャリア１１から離れないように固定する。例えば、圧力シリンダー等を用いて部材２０ａ、及び、部材２０ｂをキャリア１１側に押しつけることとしてもよく、部材２０ａと部材２０ｂとに係止部を設けて互いを係止して固定することとしてもよい。

本実施形態では、チップ付きキャリア１１を下側加熱板３２上（本発明の所定位置に相当）に配置した後、互いに異なる方向から枠ジグ２０を構成する部材２０ａと部材２０ｂをチップ付きキャリア１１に近づけて、枠ジグ２０とチップ付きキャリア１１とを配置する場合について説明した。しかしながら、本発明において、枠ジグとチップ付きキャリアとの配置方法、すなわち、工程Ｃは、この例に限定されない。例えば、平板熱プレス機以外の場所で、枠ジグによりキャリアの外周が取り囲まれるように、枠ジグとチップ付きキャリアとを配置し、その後、枠ジグで外周が取り囲まれたチップ付きキャリアを所定位置（平板熱プレス機の下側加熱板上）に配置してもよい。
また、所定位置に先に、枠ジグを配置しておき、その後、チップ付きキャリアを配置してもよい。この場合、枠ジグを予め額縁状となるように組み合わせた状態として所定位置に配置しておき、その後、枠ジグ内に嵌めこむようにチップ付きキャリアを配置してもよい。また、枠ジグを構成する２つの部材を、少し間隔をあけて配置した後、２つの部材の間にチップ付きキャリアを配置し、その後、２つの前記部材をチップ付きキャリアに近づく方向に移動させて、額縁状の枠ジグの内周がキャリアの外周に接して取り囲まれるように、枠ジグとチップ付きキャリアとを配置してもよい。

［封止用シートを準備する工程（工程Ｄ）］
また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、図６に示すように、封止用シート４０を準備する（工程Ｂ）。封止用シート４０は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどの剥離ライナー４１上に積層された状態で準備してもよい。

（封止用シート）
封止用シート４０は、平面視での形状が、チップ付きキャリア１０を全て覆う形状である。本実施形態では、封止用シート４０の平面視での形状がチップ付きキャリア１０を全て覆い、且つ、枠ジグ２０の一部を覆う形状である場合について説明する。ただし、本発明はこの例に限定されず、封止用シートの平面視での形状は、チップ付きキャリアを全て覆っていればよく、チップ付きキャリアと同一の形状であってもよい。
封止用シートの平面視での形状が、チップ付きキャリアを全て覆っていれば、工程Ｆにおいて、埋め込み時の圧力により封止用シートを構成する樹脂が平面方向に流動しても、キャリアの外周近辺において、半導体チップを埋め込むための充分な圧力を確保できる。

封止用シート４０の構成材料は、エポキシ樹脂、及び、硬化剤としてのフェノール樹脂を含むことが好ましい。これにより、良好な熱硬化性が得られる。

前記エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。

エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましく、なかでも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。

前記フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

前記フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。

封止用シート４０中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２．５重量％以上が好ましく、３．０重量％以上がより好ましい。２．５重量％以上であると、半導体チップ１６に対する接着力が良好に得られる。封止用シート４０中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２０重量％以下が好ましく、１０重量％以下がより好ましい。２０重量％以下であると、吸湿性を低減できる。

封止用シート４０は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。これにより、未硬化時のハンドリング性や、硬化物の低応力性が得られる。

前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、低応力性、低吸水性という観点から、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体が好ましい。

封止用シート４０中の熱可塑性樹脂の含有量は、１．５重量％以上が好ましく、２．０重量％以上がより好ましい。１．５重量％以上であると、柔軟性、可撓性が得られる。封止用シート４０中の熱可塑性樹脂の含有量は、６重量％以下が好ましく、４重量％以下がより好ましい。４重量％以下であると、半導体チップ１６との接着性が良好である。

封止用シート４０は、無機充填剤を含むことが好ましい。

前記無機充填剤は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填剤を用いることができ、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素の粉末が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。

シリカとしては、シリカ粉末が好ましく、溶融シリカ粉末がより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末が好ましい。なかでも、平均粒径が１０〜３０μｍの範囲のものが好ましく、１５〜２５μｍの範囲のものがより好ましい。
なお、平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。

封止用シート４０中の前記無機充填剤の含有量は、封止用シート４０全体に対して、７５〜９５重量％であることが好ましく、より好ましくは、７８〜９５重量％である。前記無機充填剤の含有量が封止用シート４０全体に対して７５重量％以上であると、熱膨張率を低く抑えられることにより，熱衝撃よる機械的な破壊を抑制することができる。その結果、一方、前記無機充填剤の含有量が封止用シート４０全体に対して９５重量％以下であると、柔軟性、流動性、接着性がより良好となる。

封止用シート４０は、硬化促進剤を含むことが好ましい。

硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物；２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物；などが挙げられる。なかでも、混練時の温度上昇によっても硬化反応が急激に進まず、封止用シート４０を良好に作製できるという理由から、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。

硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部が好ましい。

封止用シート４０は、難燃剤成分を含むことが好ましい。これにより、部品ショートや発熱などにより発火した際の、燃焼拡大を低減できる。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物；ホスファゼン系難燃剤などを用いることができる。

少量でも難燃効果を発揮するという観点から、ホスファゼン系難燃剤に含まれるリン元素の含有率は、１２重量％以上であることが好ましい。

封止用シート４０中の難燃剤成分の含有量は、全有機成分（無機フィラーを除く）中、１０重量％以上が好ましく、１５重量％以上がより好ましい。１０重量％以上であると、難燃性が良好に得られる。封止用シート４０中の熱可塑性樹脂の含有量は、３０重量％以下が好ましく、２５重量％以下がより好ましい。３０重量％以下であると、硬化物の物性低下（具体的には、ガラス転移温度や高温樹脂強度などの物性の低下）が少ない傾向がある。

封止用シート４０は、シランカップリング剤を含むことが好ましい。シランカップリング剤としては特に限定されず、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。

封止用シート４０中のシランカップリング剤の含有量は、０．１〜３重量％が好ましい。０．１重量％以上であると、硬化物の強度が十分得られ吸水率を低くできる。３重量％以下であると、アウトガス量を低くできる。

封止用シート４０は、着色されていることが好ましい。これにより、優れたマーキング性及び外観性を発揮させることができ、付加価値のある外観の半導体装置とすることが可能になる。着色された封止用シート４０は、優れたマーキング性を有しているので、マーキングを施し、文字情報や図形情報などの各種情報を付与させることができる。特に、着色の色をコントロールすることにより、マーキングにより付与された情報（文字情報、図形情報など）を、優れた視認性で視認することが可能になる。更に、封止用シート４０は、製品別に色分けすることも可能である。封止用シート４０を有色にする場合（無色・透明ではない場合）、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましく、特に黒色であることが好適である。

本実施形態において、濃色とは、基本的には、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*が、６０以下（０〜６０）［好ましくは５０以下（０〜５０）、さらに好ましくは４０以下（０〜４０）］となる濃い色のことを意味している。

また、黒色とは、基本的には、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*が、３５以下（０〜３５）［好ましくは３０以下（０〜３０）、さらに好ましくは２５以下（０〜２５）］となる黒色系色のことを意味している。なお、黒色において、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるａ^*やｂ^*は、それぞれ、Ｌ^*の値に応じて適宜選択することができる。ａ^*やｂ^*としては、例えば、両方とも、−１０〜１０であることが好ましく、より好ましくは−５〜５であり、特に−３〜３の範囲（中でも０又はほぼ０）であることが好適である。

なお、本実施形態において、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*、ａ^*、ｂ^*は、色彩色差計（商品名「ＣＲ−２００」ミノルタ社製；色彩色差計）を用いて測定することにより求められる。なお、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９７６年に推奨した色空間であり、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ａ^*ｂ^*）表色系と称される色空間のことを意味している。また、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系は、日本工業規格では、ＪＩＳＺ ８７２９に規定されている。

封止用シート４０を着色する際には、目的とする色に応じて、色材（着色剤）を用いることができる。本発明の封止用シートは、一層構成であってもよく、複数の層から構成されていてもよいが、少なくとも、仮固定用シートと対向する面とは反対の面側に、着色剤が添加されていることが好ましい。具体的に、封止用シートが１層構成の場合、封止用シート全体に均一に着色剤が含有されていてもよく、仮固定用シートと対向する面とは反対の面側に、着色剤が偏在する態様で着色剤が含有されていてもよい。また、複数の層から構成する場合、仮固定用シートと対向する面とは反対の面側の層に着色剤を添加するとともに、それ以外の層には着色剤を添加しないこととしてもよい。本実施形態では、本発明の封止用シートが１層構成である場合について説明する。封止用シートにおける仮固定用シートと対向する面とは反対の面側に着色剤が添加されていると、レーザーマーキングされた部分の視認性を向上させることができるからである。このような色材としては、黒系色材、青系色材、赤系色材などの各種濃色系色材を好適に用いることができ、特に黒系色材が好適である。色材としては、顔料、染料などいずれであってもよい。色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、染料としては、酸性染料、反応染料、直接染料、分散染料、カチオン染料等のいずれの形態の染料であっても用いることが可能である。また、顔料も、その形態は特に制限されず、公知の顔料から適宜選択して用いることができる。

特に、色材として染料を用いると、封止用シート４０中には、染料が溶解により均一又はほぼ均一に分散した状態となるため、着色濃度が均一又はほぼ均一な封止用シート４０を容易に製造することができ、マーキング性や外観性を向上させることができる。

黒系色材としては、特に制限されないが、例えば、無機の黒系顔料、黒系染料から適宜選択することができる。また、黒系色材としては、シアン系色材（青緑系色材）、マゼンダ系色材（赤紫系色材）およびイエロー系色材（黄系色材）が混合された色材混合物であってもよい。黒系色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。もちろん、黒系色材は、黒以外の色の色材と併用することもできる。

具体的には、黒系色材としては、例えば、カーボンブラック（ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラックなど）、グラファイト（黒鉛）、酸化銅、二酸化マンガン、アゾ系顔料（アゾメチンアゾブラックなど）、アニリンブラック、ペリレンブラック、チタンブラック、シアニンブラック、活性炭、フェライト（非磁性フェライト、磁性フェライトなど）、マグネタイト、酸化クロム、酸化鉄、二硫化モリブデン、クロム錯体、複合酸化物系黒色色素、アントラキノン系有機黒色色素などが挙げられる。

本発明では、黒系色材としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３、同７、同２２、同２７、同２９、同３４、同４３、同７０、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブラック１７、同１９、同２２、同３２、同３８、同５１、同７１、Ｃ．Ｉ．アシッドブラック１、同２、同２４、同２６、同３１、同４８、同５２、同１０７、同１０９、同１１０、同１１９、同１５４Ｃ．Ｉ．ディスパーズブラック１、同３、同１０、同２４等のブラック系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック１、同７等のブラック系顔料なども利用することができる。

このような黒系色材としては、例えば、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ＢＹ」、商品名「ＯｉｌＢｌａｃｋ ＢＳ」、商品名「ＯｉｌＢｌａｃｋＨＢＢ」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ８０３」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ８６０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ５９７０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ５９０６」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ５９０５」（オリエント化学工業株式会社製）などが市販されている。

黒系色材以外の色材としては、例えば、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などが挙げられる。シアン系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントブルー２５、同３６、同６０、同７０、同９３、同９５；Ｃ．Ｉ．アシッドブルー６、同４５等のシアン系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１、同２、同３、同１５、同１５：１、同１５：２、同１５：３、同１５：４、同１５：５、同１５：６、同１６、同１７、同１７：１、同１８、同２２、同２５、同５６、同６０、同６３、同６５、同６６；Ｃ．Ｉ．バットブルー４；同６０、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７等のシアン系顔料などが挙げられる。

また、マゼンダ系色材において、マゼンダ系染料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントレッド１、同３、同８、同２３、同２４、同２５、同２７、同３０、同４９、同５２、同５８、同６３、同８１、同８２、同８３、同８４、同１００、同１０９、同１１１、同１２１、同１２２；Ｃ．Ｉ．ディスパースレッド９；Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット８、同１３、同１４、同２１、同２７；Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット１；Ｃ．Ｉ．ベーシックレッド１、同２、同９、同１２、同１３、同１４、同１５、同１７、同１８、同２２、同２３、同２４、同２７、同２９、同３２、同３４、同３５、同３６、同３７、同３８、同３９、同４０；Ｃ．Ｉ．ベーシックバイオレット１、同３、同７、同１０、同１４、同１５、同２１、同２５、同２６、同２７、２８などが挙げられる。

マゼンダ系色材において、マゼンダ系顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同８、同９、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同１８、同１９、同２１、同２２、同２３、同３０、同３１、同３２、同３７、同３８、同３９、同４０、同４１、同４２、同４８：１、同４８：２、同４８：３、同４８：４、同４９、同４９：１、同５０、同５１、同５２、同５２：２、同５３：１、同５４、同５５、同５６、同５７：１、同５８、同６０、同６０：１、同６３、同６３：１、同６３：２、同６４、同６４：１、同６７、同６８、同８１、同８３、同８７、同８８、同８９、同９０、同９２、同１０１、同１０４、同１０５、同１０６、同１０８、同１１２、同１１４、同１２２、同１２３、同１３９、同１４４、同１４６、同１４７、同１４９、同１５０、同１５１、同１６３、同１６６、同１６８、同１７０、同１７１、同１７２、同１７５、同１７６、同１７７、同１７８、同１７９、同１８４、同１８５、同１８７、同１９０、同１９３、同２０２、同２０６、同２０７、同２０９、同２１９、同２２２、同２２４、同２３８、同２４５；Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット３、同９、同１９、同２３、同３１、同３２、同３３、同３６、同３８、同４３、同５０；Ｃ．Ｉ．バットレッド１、同２、同１０、同１３、同１５、同２３、同２９、同３５などが挙げられる。

また、イエロー系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントイエロー１９、同４４、同７７、同７９、同８１、同８２、同９３、同９８、同１０３、同１０４、同１１２、同１６２等のイエロー系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３１、同４３；Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同２３、同２４、同３４、同３５、同３７、同４２、同５３、同５５、同６５、同７３、同７４、同７５、同８１、同８３、同９３、同９４、同９５、同９７、同９８、同１００、同１０１、同１０４、同１０８、同１０９、同１１０、同１１３、同１１４、同１１６、同１１７、同１２０、同１２８、同１２９、同１３３、同１３８、同１３９、同１４７、同１５０、同１５１、同１５３、同１５４、同１５５、同１５６、同１６７、同１７２、同１７３、同１８０、同１８５、同１９５；Ｃ．Ｉ．バットイエロー１、同３、同２０等のイエロー系顔料などが挙げられる。

シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材は、それぞれ、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材を２種以上用いる場合、これらの色材の混合割合（または配合割合）としては、特に制限されず、各色材の種類や目的とする色などに応じて適宜選択することができる。

なお、封止用シート４０には、上記の各成分以外に必要に応じて、他の添加剤を適宜配合できる。

封止用シート４０の厚さは、特に限定されないが、少なくとも、半導体チップ１６を埋め込む観点から、半導体チップ１６の厚さと同一か厚いものが好ましい。封止用シートとして使用する観点から、具体的には、例えば、５０μｍ〜２０００μｍである。

封止用シート４０の製造方法は特に限定されないが、封止用シート４０を形成するための樹脂組成物の混練物を調製し、得られた混練物を塗工する方法や、得られた混練物をシート状に塑性加工する方法が好ましい。これにより、溶剤を使用せずに封止用シート４０を作製できるので、半導体チップ１６が揮発した溶剤により影響を受けることを抑制することができる。

具体的には、後述の各成分をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物を塗工又は塑性加工によりシート状にする。混練条件として、温度は、上述の各成分の軟化点以上であることが好ましく、例えば３０〜１５０℃、エポキシ樹脂の熱硬化性を考慮すると、好ましくは４０〜１４０℃、さらに好ましくは６０〜１２０℃である。時間は、例えば１〜３０分間、好ましくは５〜１５分間である。

混練は、減圧条件下（減圧雰囲気下）で行うことが好ましい。これにより、脱気できるとともに、混練物への気体の侵入を防止できる。減圧条件下の圧力は、好ましくは０．１ｋｇ／ｃｍ^２以下、より好ましくは０．０５ｋｇ／ｃｍ^２以下である。減圧下の圧力の下限は特に限定されないが、例えば、１×１０^−４ｋｇ／ｃｍ^２以上である。

混練物を塗工して封止用シート４０を形成する場合、溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塗工することが好ましい。塗工方法としては特に制限されず、バーコート法、ナイフコート法，スロットダイ法等を挙げることができる。塗工時の温度としては、上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。

混練物を塑性加工して封止用シート４０を形成する場合、溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塑性加工することが好ましい。塑性加工方法としては特に制限されず、平板プレス法、Ｔダイ押出法、スクリューダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、インフレーション押出法、共押出法、カレンダー成形法などなどが挙げられる。塑性加工温度としては上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。

なお、封止用シート４０は、適当な溶剤に封止用シート４０を形成するための樹脂等を溶解、分散させてワニスを調整し、このワニスを塗工して得ることもできる。

［半導体チップの上に封止用シートを配置する工程（工程Ｅ）］
工程Ｃ及び工程Ｄの後、図６に示すように、チップ付きキャリア１０の半導体チップ１６が仮固定された面上に封止用シート４０を配置する。この際、封止用シート４０は、平面視で、チップ付きキャリア１０を全て覆い、且つ、枠ジグ２０の一部を覆うように配置する。

［封止体を形成する工程（工程Ｆ）］
次に、図７に示すように、枠ジグ２０よりも外周側にスペーサ３６を配置し、上側加熱板６４を降下させる。スペーサ３６は、形成する封止体５０（図１０参照）の厚さに応じて設定する。その後、図８に示すように、上側加熱板６４をスペーサ３６の上面まで降下させ、下側加熱板３２と上側加熱板６４とにより熱プレスして、半導体チップ１６を封止用シート４０に埋め込み、半導体チップ１６が封止用シート４０に埋め込まれた封止体５０を形成する。封止用シート４０は、半導体チップ１６及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能することとなる。これにより、仮固定用シート１２上に仮固定されている半導体チップ１６が封止用シート４０に埋め込まれた封止体５０が得られる。
工程Ｆにおいては、図８に示すように、埋め込み時の圧力により封止用シート４０を構成する樹脂が平面方向に流動する。しかしながら、枠ジグ２０がチップ付きキャリア１０の外周を取り囲むように配置されているため、枠ジグ２０が配置されている部分に前記樹脂が逃げることはない。従って、キャリア１１の外周近辺でも、半導体チップ１６を埋め込むための充分な圧力が得られる。その結果、外周近辺の半導体チップ１６の埋め込みを良好とすることができる。

半導体チップ１６を封止用シート４０に埋め込む際の熱プレス条件としては、特に限定されないが、温度が、例えば、４０〜１００℃、好ましくは５０〜９０℃であり、圧力が、例えば、０．１〜１０ＭＰａ、好ましくは０．５〜８ＭＰａであり、時間が、例えば０．３〜１０分間、好ましくは０．５〜５分間である。これにより、半導体チップ１６が封止用シート４０に埋め込まれた半導体装置を得ることができる。また、封止用シート４０の半導体チップ１６及び仮固定用シート１２への密着性および追従性の向上を考慮すると、減圧条件下においてプレスすることが好ましい。
前記減圧条件としては、圧力が、例えば、０．１〜５ｋＰａ、好ましくは、０．１〜１００Ｐａであり、減圧保持時間（減圧開始からプレス開始までの時間）が、例えば、５〜６００秒であり、好ましくは、１０〜３００秒である。
工程Ｆ（封止体を形成する工程）は、枠ジグが存在しなければ、封止用シートを構成する樹脂が平面方向に流動する可能性のある方法により封止体を形成する工程が挙げられ、例えば、本実施形態のように、平板プレスにより封止体５０を形成する工程が挙げられる。

［剥離ライナー剥離工程、トリミング工程］
次に、図９に示すように、剥離ライナー４１を剥離する。また、工程Ｆによってはみ出た樹脂（封止用シート４０を構成する樹脂）をトリミングする。

［熱硬化工程］
次に、封止用シート４０を熱硬化させる。具体的には、例えば、封止体５０全体を加熱する。

熱硬化処理の条件として、加熱温度が好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。一方、加熱温度の上限が、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。加熱時間が、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上である。一方、加熱時間の上限が、好ましくは１８０分以下、より好ましくは１２０分以下である。ただし、仮固定シート１２が剥離しない程度の温度、及び、時間とすることが好ましい。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．５ＭＰａ以上である。一方、上限は好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは５ＭＰａ以下である。

［仮固定用シート剥離工程］
次に、仮固定用シート１２を加熱し、図１０に示すように、封止体５０から仮固定シート１２と支持体１４とを剥離する。封止体５０から、仮固定シート１２と支持体１４とを剥離する方法としては、封止体５０から、直接、仮固定シート１２と支持体１４とを剥離してもよく、まず、支持体１４のみを剥離し、その後、仮固定シート１２を剥離してもよい。いずれも場合であっても、仮固定用シート１２を加熱し、粘着力を低下させることで、仮固定用シート１２と封止体５０との界面での剥離を容易に行うことができる。特に、仮固定シート１２は、前記熱硬化工程における加熱では剥離せず、この仮固定用シート剥離工程における加熱において剥離する構成であることが好ましい。

［再配線形成工程］
その後、封止体５０の半導体チップ１６の回路形成面１６ａに再配線を形成する再配線形成工程を含むことが好ましい。再配線形成工程では、仮固定用シート１２の剥離後、露出した半導体チップ１６の回路形成面１６ａと電気的接続する再配線を封止体上に形成する（図示せず）。

再配線の形成方法としては、例えば、露出している半導体チップ１６上へ真空成膜法などの公知の方法を利用して金属シード層を形成し、セミアディティブ法などの公知の方法により、再配線を形成することができる。

かかる後に、再配線及び封止体上へポリイミドやＰＢＯなどの絶縁層を形成してもよい。

［バンプ形成工程］
さらに、形成した再配線上にバンプを形成するバンピング加工を行ってもよい（図示せず）。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキなど公知の方法で行うことができる。

［ダイシング工程］
最後に、半導体チップ１６、封止用シート４０及び再配線などの要素からなる積層体のダイシングを行う（図示せず）。これにより、チップ領域の外側に配線を引き出した半導体装置を得ることができる。

上述した実施形態では、枠ジグが分離可能な部材２０ａと部材２０ｂの２つの部材から構成されている場合について説明した。しかしながら、本発明において枠ジグは、この例に限定されず、１つの部材で構成されていてもよい。また、分離可能な２以上の部材から構成され、これらを組み合わせて枠ジグとしてもよい。

上述した実施形態では、キャリア１１の平面視形状が矩形状である場合について説明した。しかしながら、本発明においてキャリアの形状は特に限定されない。なお、枠ジグは、キャリアの形状に応じて、キャリアの外周が取り囲まれるように設定すればよい。

上述した実施形態では、本発明のキャリアが、支持体と仮固定用シートとが積層された構成である場合について説明した。しかしながら、本発明におけるキャリアはこの例に限定されない。例えば、プリント配線基板等の配線が形成されている配線基板であってもよい。この場合、半導体チップは、キャリアとしての配線基板上に、例えば、フリップチップ接続により接続されていることが好ましい。すなわち、本発明のチップ付きキャリアは、キャリアとしての配線基板と、配線基板上にフリップチップ接続により固定された半導体チップとを有する構成であってもよい。

本発明は、前記工程Ａ〜前記工程Ｆさえ行なわれればよく、それ以外の工程は任意であり、行なってもよく行なわなくてもよい。

以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。また、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。

＜封止用シートの準備＞
以下の成分をミキサーにてブレンドし、２軸混練機により１２０℃で２分間溶融混練し、続いてＴダイから押出しすることにより、厚さ３５０μｍの封止用シートＡを作製した。その後、縦２４０ｍｍ、横２４０ｍｍの矩形にカットした。

エポキシ樹脂：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）） ３３２．７部
フェノール樹脂：ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃））
３５１．９部
硬化促進剤：硬化触媒としてのイミダゾール系触媒（四国化成工業（株）製、２ＰＨＺ−ＰＷ） １１．７部
無機充填剤：球状溶融シリカ粉末（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４、平均粒子径２０μｍ） ８８００部
シランカップリング剤：エポキシ基含有シランカップリング剤（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−４０３） ５部
カーボンブラック（三菱化学（株）製、＃２０） ３０部
エラストマー：スチレン‐イソブチレン‐スチレントリブロック共重合体（（株）カネカ製、ＳＩＢＳＴＡＲ ０７２Ｔ） ２９８．４部

＜支持体の準備＞
支持体Ａとして、縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの矩形のガラス板を準備した。

＜仮固定シートの準備＞
仮固定シートＡとして、熱発泡テープ（日東電工社製、製品名：リバアルファ（品番：Ｎｏ．３１９５Ｖ）、厚さ：１００μｍ）を準備した。

＜チップ付きキャリアの準備＞
仮固定シートＡを縦２００ｍｍ×横２００ｍｍの矩形にカットし、支持体Ａの上に貼り付け、キャリアＡとした。
次に、半導体チップ（７ｍｍ角、厚み２００μｍ）を、仮固定シートＡ上に縦９個×横９個に整列させて仮固定した。なお、半導体チップの間隔（チップの端とチップの端との間隔）は、１３ｍｍである。以上によりチップ付きキャリアＡを準備した。

＜枠ジグの準備＞
外周の縦３００ｍｍ×横３００ｍｍ、内周の縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ、厚さが１．２ｍｍの額縁状の枠ジグＡを準備した。

［ボイド評価］
（実施例１）
チップ付きキャリアＡ（縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ）を、枠ジグＡ（内周の縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ）に嵌め込んだ。なお、枠ジグＡの厚さとキャリアＡの厚さは、ついずれも１．２ｍｍである。
これを平板熱プレス機の下側加熱板上に配置した。
次に、平面視でチップ付きキャリアＡの中心と封止用シートＡの中心が一致するように、チップ付きキャリアＡの半導体チップ上に封止用シートＡを裁置した。
次に、下側加熱板上の枠ジグよりも外周側にスペーサを配置した。スペーサの厚さは、１．５ｍｍである。
その後、真空熱プレスを行なった。
真空熱プレスの条件は下記の通りである。
＜真空熱プレス条件＞
真空プレス装置（商品名「ＶＡＣＵＵＭ ＡＣＥ」、ミカドテクノス社製）
真空圧力１０Ｐａ
プレス圧力３．０ＭＰａ
プレス温度９０℃
プレス時間５分

次に、真空熱プレスによりはみ出た樹脂（封止用シートを構成する樹脂）をトリミングした。

次に、大気圧下、１５０℃で１時間の条件で封止用シートＡを硬化させた。

次に、１７５℃に設定したホットプレートを用いて仮固定シートＡを加熱し、支持体Ａを剥離した。
その後、１００℃に設定したホットプレートを用いて仮固定シートＡを、封止体から剥離した。以上により、実施例１に係る封止体Ａを得た。

封止体Ａの裏面外周付近を目視にて観察したところ、ボイドは確認されなかった。

（比較例１）
枠ジグを用いなかったこと以外は、実施例１と同様にして封止体Ｂを形成した。

封止体Ｂの裏面外周付近を目視にて観察したところ、ボイドが多数確認された。

１０ チップ付きキャリア
１１ キャリア
１１ａ （キャリア１１の）外周
１２ 支持体
１４ 仮固定用シート
１６ 半導体チップ
１６ａ （半導体チップ１６の）回路形成面
２０ 枠ジグ
２０ａ、２０ｂ 枠ジグ２０を構成する部材
４０ 封止用シート
４１ 剥離ライナー
５０ 封止体

Claims (3)

1. キャリアと前記キャリア上に固定された半導体チップとを有するチップ付きキャリアを準備する工程Ａ、
   前記キャリアの外周を取り囲むように配置することが可能であり、且つ、厚さが前記キャリアの厚さと前記チップの厚さとの合計よりも薄い枠ジグを準備する工程Ｂ、
   前記枠ジグにより前記キャリアの外周が取り囲まれるように、前記枠ジグと前記チップ付きキャリアとを配置する工程Ｃ、
   平面視での形状が、少なくとも前記キャリア内に収まる形状の封止用シートを準備する工程Ｄ、
   前記工程Ｃ及び前記工程Ｄの後、前記半導体チップの上に前記封止用シートを配置する工程Ｅ、
   前記半導体チップを前記封止用シートに埋め込み、前記半導体チップが前記封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する工程Ｆとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記工程Ｆは、平板プレスにより前記封止体を形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記枠ジグは、２つの部材からなり、
   前記工程Ｃは、前記チップ付きキャリアを所定位置に配置した後、互いに異なる方向から前記２つの部材を前記チップ付きキャリアに近づけて、前記キャリアの外周を取り囲むように配置する工程であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。

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