TW201626517A - 密封用片材、及半導體裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題係提供一種密封用片材，其可用於製造品質及可靠性更為提升之半導體裝置。 解決手段上，本發明之密封用片材，係使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於50℃的N-甲基-2-吡咯啶酮中3000秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準在1重量%以下。

Description

密封用片材、及半導體裝置 技術領域
本發明係有關於密封用片材及半導體裝置。
背景技術
習知，半導體裝置之製造方法已知有將經固定於基板等之1片或多片半導體晶片利用密封樹脂密封後，將密封體切割成半導體裝置單位的封裝體之方法。而所述密封樹脂已知例如係由熱硬化性樹脂所構成之密封用片材(例如參照專利文獻1)。
另一方面，近年來，半導體裝置的小型化及配線的細微化有越來越進展的傾向，而在狹小的半導體晶片區域(當以俯視來透視半導體晶片時，與半導體晶片相重疊的區域)中配載更多的I/O墊片及通孔，同時間距密度亦愈發靠近。並且，以BGA(Ball Grid Array)封裝體來說，半導體晶片區域內形成有多個端子，造成用來形成其他要素的區域受到限制，故而採用在半導體封裝體基板上將配線從端子拉出到半導體晶片區域之外側為止之方法。而依此製出之半導體封裝體即稱為FOWLP(Fan-out Wafer Level Packag，扇形晶圓級封裝體)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2006-19714號公報
發明概要
FOWLP的製造係將半導體晶片利用密封樹脂密封後，使半導體晶片的電路形成面露出，並於該電路形成面形成配線(再配線形成步驟)。而於該再配線形成步驟中會使用各種有機溶劑。
然，以習知的密封樹脂來說，於再配線形成步驟中卻有樹脂溶出至有機溶劑的情形發生。因此，密封樹脂表面會變糟，而有難以在密封樹脂面與半導體晶片面之整個區域均勻地形成再配線層之情況。並且還有再配線步驟中使用之有機溶劑因溶出之密封樹脂而減效，影響品質之問題。
本發明即是鑑於上述課題而完成者，目的在於提供一種密封用片材，其可用於製造品質及可靠性更為提升之半導體裝置。並且提供一種利用該密封用片材製成之半導體裝置。
本案發明人等發現採用下述構成可解決前述課題，進而完成了本發明。
即，本發明係一種密封用片材，特徵在於使用經 於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於50℃的N-甲基-2-吡咯啶酮中3000秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準在1重量%以下。
依據本發明密封用片材，可充分抑制在熱處理後對N-甲基-2-吡咯啶酮的溶出。再配線步驟中會使用各種有機溶劑，而其中會使密封用片材的溶出量變多的有機溶劑係N-甲基-2-吡咯啶酮。因此，只要能抑制對N-甲基-2-吡咯啶酮的溶出，則亦能抑制對其他有機溶劑的溶出。結果便是只要使用該密封用片材，即可製造再配線層可均勻形成等之品質及可靠性更為提升之半導體裝置。且，因對有機溶劑的溶出量少，故可抑制有機溶劑純度的降低。結果可減少有機溶劑交換的頻率。
前述構成中，宜含熱硬化性材料與無機系化合物；並且前述熱硬化性材料與前述無機系化合物之合計含量宜在整體的95重量%以上。
熱硬化性材料若經由熱處理產生熱硬化而交聯則不易溶出至有機溶劑中。且，無機系化合物難溶出至有機溶劑中。因此，前述熱硬化性材料與前述無機系化合物之合計含量若在整體的95重量%以上的話，則易溶出至有機溶劑的成分就少。結果便是只要使用該密封用片材，即可製造品質及可靠性更加提升之半導體裝置。
本說明書中「熱硬化性材料」係指有關熱硬化者，且係指可由熱硬化組入交聯結構者。亦即，具有官能基且可由熱硬化組入交聯結構的熱可塑性樹脂(例如具有官能基 的丙烯酸樹脂)亦包含在「熱硬化性材料」中。惟，即便為具有官能基且可由熱硬化組入交聯結構的熱可塑性樹脂，官能基含有率(單體單元含有率)低於10%的熱可塑性樹脂(例如官能基含有率低於10%的丙烯酸樹脂)因對交聯結構幾乎無幫助故不包含於「熱硬化性材料」中。
依據本發明，可提供一種密封用片材，其可用於製造品質及可靠性更為提升之上半導體裝置。
40‧‧‧密封用片材
41‧‧‧離型襯紙
50‧‧‧積層體
53‧‧‧半導體晶片
53a‧‧‧電路形成面
53c‧‧‧背面
58‧‧‧密封體
59‧‧‧半導體裝置
60‧‧‧暫固定用片材
61‧‧‧支持體
62‧‧‧下側加熱板
64‧‧‧上側加熱板
67‧‧‧凸塊
69‧‧‧再配線
圖1係本實施形態密封用片材之截面示意圖。
圖2係用以說明本實施形態半導體裝置之製造方法之截面示意圖。
圖3係用以說明本實施形態半導體裝置之製造方法之截面示意圖。
圖4係用以說明本實施形態半導體裝置之製造方法之截面示意圖。
圖5係用以說明本實施形態半導體裝置之製造方法之截面示意圖。
圖6係用以說明本實施形態半導體裝置之製造方法之截面示意圖。
圖7係用以說明本實施形態半導體裝置之製造方法之截面示意圖。
圖8係用以說明本實施形態半導體裝置之製造方法之截面示意圖。
圖9係用以說明本實施形態半導體裝置之製造方法之截面示意圖。
用以實施發明之形態
以下將參照圖式說明本發明實施形態。惟，本發明不僅限於該等實施形態。
(密封用片材)
圖1係本實施形態密封用片材40的截面示意圖。本實施形態密封用片材40係以1層而構成。惟，於本發明中，密封用片材並不限於該例，可為以2層以上而構成。又，密封用片材40亦可積層於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜等離型襯紙41上。惟，以本發明來說，密封用片材亦可不積層於離型襯紙等上而可為單獨。
密封用片材40可用於製造FOWLP(扇出型晶圓級封裝體)之形態的半導體裝置。於FOWLP之製造中，係將半導體晶片利用密封樹脂密封後，使半導體晶片的電路形成面露出，並於該電路形成面形成配線(再配線形成步驟)。
當密封用片材40為使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於50℃的N-甲基-2-吡咯啶酮中3000秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準在1重量%以下。前述重量變化可在0.8重量%以下或0.6重量%以下，且宜為0.3重量%以下，又以0.2重量%以下為佳。又，前述重量變化宜越少越好，然例如宜在0.01重量%以上、0.02重量%以上。因前述重量變化在1重量%以下可充分抑制在熱硬 化後對N-甲基-2-吡咯啶酮的溶出。在再配線步驟中會使用各種有機溶劑，而其中會使密封用片材的溶出量變多的有機溶劑係N-甲基-2-吡咯啶酮。因此，只要能抑制對N-甲基-2-吡咯啶酮的溶出，則亦能抑制對其它有機溶劑溶出。結果，只要使用該密封用片材40，即可製造再配線層可均勻形成等之品質及可靠性更為提升之半導體裝置。且，因對有機溶劑的溶出量少，故可抑制有機溶劑純度的降低。結果可減少有機溶劑交換的頻率。
將前述重量變化控制在1重量%以下之方法例如可舉含多量難溶出至有機溶劑的熱硬化性材料或無機系化合物，含少量溶出至有機溶劑可能性高之熱可塑性樹脂，或採用不易對有機溶劑溶出的熱可塑性樹脂之方法。
重量變化請參實施例記載之方法。
當密封用片材40為使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於60℃的四氫呋喃甲醇75%水溶液中420秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準，宜在0.5重量%以下，且以0.4重量%以下為佳。
當密封用片材40為使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於22±3℃的氫氧化四甲銨(TMAH)3%水溶液中200秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準，宜在0.4重量%以下，且以0.3重量%以下為佳。
當密封用片材40為使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於22±3℃的氫氧化鉀(KOH)10%水溶液中90秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準，宜在 0.1重量%以下，且以0.08重量%以下為佳。
當密封用片材40為使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於22±3℃的丙二醇單甲醚80%水溶液中60秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準，宜在0.3重量%以下，且以0.2重量%以下為佳。
當密封用片材40為使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於22±3℃的乙酸10%水溶液中60秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準，宜在0.05重量%以下，且以0.04重量%以下為佳。
當密封用片材40為使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於125℃的γ-丁內酯(GBL)中240秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準，宜在0.3重量%以下，且以0.2重量%以下為佳。
當密封用片材40為使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於40℃的二甲亞碸(DMSO)中600秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準，宜在0.1重量%以下，且以0.08重量%以下為佳。
當密封用片材40為使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於40℃的環戊酮中1200秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準，宜在0.1重量%以下，且以0.08重量%以下為佳。
當密封用片材40為使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於22±3℃的甲基乙基酮中600秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準，宜在0.01重量%以 下，且以0.008重量%以下為佳。
當密封用片材40為使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於22±3℃的丙酮中600秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準，宜在0.01重量%以下，且以0.008重量%以下為佳。
密封用樹脂片材40有時會因應用途而形成有孔洞。例如，會在FOWLP之製造時形成。又，不限於FOWLP之製造，在半導體裝置之製造中，密封樹脂亦有形成孔洞的情形。孔洞例如首先可先用雷射等在密封樹脂形成孔洞用的開口，接著用去膠渣液等洗去殘留在前述開口的樹脂残渣(去膠渣處理)，之後於前述開口填充導電性糊等來形成。
一般去膠渣液可舉混合過錳酸鈉或過錳酸鉀等過錳酸鹽與強鹼而成之水溶液。具體而言，由混合該等過錳酸鹽與強鹼而成之水溶液構成的去膠渣液可舉例如由0.4mol/L左右之過錳酸鹽與1N左右之強鹼的混合水溶液構成之液。
當密封用片材40為使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於80℃的1N(1規定)氫氧化鈉(NaOH)水溶液中600秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準，宜在0.25重量%以下，且以0.2重量%以下為佳。
1N氫氧化鈉水溶液係假定為去膠渣液者。前述重量變化若在0.25重量%以下，則熱硬化後的密封用片材40可稱得上能抑制對去膠渣液的溶出。結果，若使用該密封 用片材40則可適宜形成孔洞(貫穿模孔)。結果，可製造品質及可靠性更為提升之半導體裝置。又，因對去膠渣液的溶出量少，故可抑制去膠渣液純度的降低。結果，可降低去膠渣液交換的頻率。
將前述重量變化控制在0.25重量%以下的方法可舉例如含多量難溶出至去膠渣液之熱硬化性材料或無機系化合物，含少量溶出至去膠渣液可能性高之熱可塑性樹脂，或採用不易對去膠渣液溶出的熱可塑性樹脂之方法。
當密封用片材40為使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於80℃的1N(1規定)氫氧化鉀(KOH)水溶液中600秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準，宜在0.25重量%以下，且以0.2重量%以下為佳。
1N氫氧化鉀水溶液係假定為去膠渣液者。前述重量變化若在0.25重量%以下，則熱硬化後的密封用片材40可稱得上能抑制對去膠渣液的溶出。結果，若使用該密封用片材40則可適宜形成孔洞(貫穿模孔)。結果，可製造品質及可靠性更為提升之半導體裝置。又，因對去膠渣液的溶出量少，故可抑制去膠渣液純度的降低。結果，可降低去膠渣液交換的頻率。
將前述重量變化控制在0.25重量%以下的方法可舉例如含多量難溶出至去膠渣液之熱硬化性材料或無機系化合物，含少量溶出至去膠渣液可能性高之熱可塑性樹脂，或採用不易對去膠渣液溶出的熱可塑性樹脂之方法。
密封用片材40的構成材料宜含熱硬化性材料與 無機系化合物。又，前述熱硬化性材料與前述無機系化合物的合計含量宜在構成密封用片材40的材料整體的95重量%以上，且在94重量%以上為佳，93重量%以上更佳。熱硬化性材料若藉由熱處理的熱硬化來交聯則不易對有機溶劑溶出。且，無機系化合物難溶出至有機溶劑中。因此，前述熱硬化性材料與前述無機系化合物之合計含量若在整體的95重量%以上的話，則易溶出至有機溶劑的成分少。結果則是只要使用該密封用片材40，即可製造品質及可靠性更加提升之半導體裝置。
前述熱硬化性材料中含有環氧樹脂等之熱硬化性樹脂及硬化劑。前述硬化劑只要為可作為前述熱硬化性樹脂的硬化劑發揮功能者則無特別限定，而以酚樹脂為佳。其中，密封用片材40宜含有環氧樹脂及作為硬化劑之酚樹脂。藉此可獲得良好的熱硬化性。
前述環氧樹脂並無特別限定。例如可使用三苯甲烷型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、改質雙酚A型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、改質雙酚F型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、酚醛型環氧樹脂、苯氧基樹脂等各種環氧樹脂。該等環氧樹脂可單獨使用亦可併用2種以上。
從確保環氧樹脂硬化後的靭性及環氧樹脂的反應性觀點來看，宜為環氧當量150~250且軟化點或融點為50~130℃之在常溫下為固體者，其中從可靠性觀點來看則以三苯甲烷型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、聯苯型環 氧樹脂更佳。
前述酚樹脂若為可在與環氧樹脂之間引發硬化反應者則無特別限定。例如可使用酚醛樹脂、烷基苯酚樹脂、聯苯芳烷基樹脂、雙環戊二烯型酚樹脂、甲酚酚醛樹脂、可溶酚醛樹脂等。該等酚樹脂可單獨使用亦可併用2種以上。
從與環氧樹脂的反應性觀點來看，前述酚樹脂宜使用羥基當量為70~250且軟化點為50~110℃者，其中從硬化反應性高的觀點來看，宜使用酚醛樹脂。又，從可靠性觀點來看宜使用如烷基苯酚樹脂或聯苯芳烷基樹脂之低吸濕性者。
環氧樹脂與酚樹脂的摻混比例從硬化反應性的觀點來看，宜摻混成相對於環氧樹脂中的環氧基1當量，酚樹脂中的羥基合計為0.7~1.5當量，更宜為0.9~1.2當量。
密封用片材40中的環氧樹脂及酚樹脂的合計含量宜為2.5重量%以上，且以3.0重量%以上為佳。若為2.5重量%以上，則可獲得對半導體晶片53有良好的接著力。密封用片材40中的環氧樹脂及酚樹脂的合計含量宜為13重量%以下，且以8重量%以下為佳。若在20重量%以下則可降低吸濕性。
密封用片材40宜實質上不含熱可塑性樹脂。惟，當使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於50℃的N-甲基-2-吡咯啶酮中3000秒鐘，而可令其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準在1重量%以下之範圍內的話，則亦 可含有熱可塑性樹脂。當使含有熱可塑性樹脂時，可獲得未硬化時的處理性及硬化物的低應力性。而要含有熱可塑性樹脂時，宜使用具有耐溶劑性的熱可塑性樹脂。
前述熱可塑性樹脂可舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯平橡膠、乙烯-乙酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸樹脂、熱可塑性聚醯亞胺樹脂、6-耐隆及6,6-耐隆等聚醯胺樹脂、苯氧樹脂、丙烯酸樹脂、PET及PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物等。
而要含有熱可塑性樹脂時，宜使用具有耐溶劑性的熱可塑性樹脂。具有耐溶劑性的熱可塑性樹脂可舉苯乙烯-異丁烯-苯乙烯共聚物。
於使用具有耐溶劑性的熱可塑性樹脂時，熱可塑性樹脂含量例如宜相對於密封用片材40整體在3.5重量%以下，且以3.0重量%以下為佳。
又，當使用上述具有耐溶劑性的熱可塑性樹脂之外的熱可塑性樹脂作為熱可塑性樹脂時，熱可塑性樹脂的含量宜相對於密封用片材40整體在1.0重量%以下，且以0.8重量%以下為佳。
密封用片材40宜含有無機充填劑。而前述無機充填劑亦包含在本發明「無機系化合物」中。
前述無機填充劑並無特別限定，可使用習知公知的各種填充劑，例如可舉石英玻璃、滑石、二氧化矽(熔融 二氧化矽或結晶性二氧化矽等)、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽、氮化硼之粉末。該等可單獨使用亦可併用2種以上。其中以可良好地降低線膨脹係數的理由來看，宜為二氧化矽、氧化鋁，且以二氧化矽為佳。
二氧化矽宜為二氧化矽粉末，且以熔融二氧化矽粉末為佳。熔融二氧化矽粉末可舉球狀熔融二氧化矽粉末、碎裂熔融二氧化矽粉末，且以流動性觀點來看宜為球狀熔融二氧化矽粉末。其中宜為平均粒徑在0.1~35μm之範圍者，且以10~30μm之範圍者為佳，以15~25μm之範圍者更佳。
此外，平均粒徑例如可使用自母集團任意抽出之試料，並使用雷射繞射散射型粒度分布測定裝置進行測定藉此得出。
密封用片材40中的前述無機填充劑含量相對於密封用片材40整體宜為75~95重量%，且以78~95重量%為佳。前述無機填充劑含量若相對於密封用片材40整體在75重量%以上的話，則可藉由降低熱膨脹率來抑制因熱衝撃導致的機械性破壞。另一方面，前述無機填充劑含量若相對於密封用片材40整體在95重量%以下的話，則柔軟性、流動性、接著性會更加良好。
密封用片材40宜含有矽烷耦合劑。
又，密封用片材40亦可含有預先經矽烷耦合劑進行表面處理過之無機填充劑作為前述無機充填劑。前述矽烷耦合劑並無特別限定，可舉例如環氧系矽烷耦合劑。具 體而言，可舉例如3-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷等。
密封用片材40宜含有硬化加速劑。前述硬化加速劑亦包含在本發明之「熱硬化性材料」中。
前述硬化加速劑只要為可促進熱硬化者即無特別限定。於密封用片材40含有環氧樹脂與作為硬化劑之酚樹脂時，則只要為可促使環氧樹脂與酚樹脂之硬化者即無特別限定，例如可舉三苯膦、四苯基鏻四苯硼酸鹽等有機磷系化合物；2-苯基-4,5-二羥甲咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥甲咪唑等咪唑系化合物等。其中，以即便捏合時溫度上昇而硬化反應亦不會激烈進行而可良好地製作密封用片材40之理由來看，宜為2-苯基-4,5-二羥甲咪唑。
硬化加速劑的含量相對於環氧樹脂及酚樹脂之合計100重量份宜為0.1~5重量份。
密封用片材40亦可含阻燃劑成分。藉此可在因零件短路或發熱等導致起火時降低燃燒擴大。阻燃劑組成分例如可使用氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鐵、氫氧化鈣、氫氧化錫、複合金屬氫氧化物等各種金屬氫氧化物；磷腈系阻燃劑等。前述阻燃劑成分亦包含於本發明之「無機系化合物」中。
而由少量仍可發揮阻燃效果之觀點來看，磷腈系阻燃劑所含磷元素的含有率宜在12重量%以上。
密封用片材40中的阻燃劑成分含量宜在總有機成分(除了無機填料)中為10重量%以上，且在15重量%以上為佳。若在10重量%以上，則可獲得良好的阻燃性。而密 封用片材40中的熱可塑性樹脂含量宜在30重量%以下，且在25重量%以下為佳。若在30重量%以下，則硬化物的物性降低(具體而言為玻璃轉移溫度或高溫樹脂強度等之物性降低)會少。
密封用片材40亦可含有矽烷耦合劑。矽烷耦合劑並無特別限定，而可舉3-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷等。前述矽烷耦合劑亦包含於本發明之「熱硬化性材料」中。
密封用片材40中的矽烷耦合劑含量宜為0.1~3重量%。若在0.1重量%以上則可充分獲得硬化物的強度而可降低吸水率。而在3重量%以下的話可降低釋氣量。
密封用片材40宜有著色。藉此可發揮優異的識別性及外觀性，而可製得外觀具有附加價值之半導體裝置。
於著色密封用片材40時，可因應所欲顏色使用色材(著色劑)。所述色材可適宜使用黒系色材、藍系色材、紅系色材等各種濃色系色材，且特別以黒系色材為佳。並且色材亦可為顏料、染料等。色材可單獨或組合2種以上使用。此外，染料可使用酸性染料、反應染料、直接染料、分散染料、陽離子染料等各種形態的染料。又，顏料亦並無限定其形態，可自公知顏料適宜選擇作使用。前述染料、前述顏料亦包含於本發明之「無機系化合物」中。
此外，密封用片材40中除了上述各成分外亦可在不脫離本發明要旨之範圍內因應需要適宜摻混其他添加劑。
密封用片材40的厚度並無特別限定，而從做為密 封用片材使用之觀點，例如為50μm~2000μm。
密封用片材40的製造方法並無特別限定，宜可調製用來形成密封用片材40的樹脂組成物之捏合物，並使用塗布所製得捏合物之方法或使用將所製得捏合物進行塑性加工成片材狀之方法。藉此，可不使用溶劑即可製作密封用片材40，故可抑制因半導體晶片53揮發之溶劑所致之影響。
具體而言，將後述各成分利用混合輥、加壓式揑揉機、擠壓機等公知捏合機進行熔融捏合來調製捏合物，並將所製得捏合物進行塗布或塑性加工製成片材狀。捏合條件之溫度宜在上述各成分的軟化點以上，例如在30~150℃，而若考慮到環氧樹脂的熱硬化性則宜為40~140℃、且以60~120℃為佳。時間則例如為1~30分鐘、且以5~15分鐘為宜。
捏合宜在減壓條件下(減壓氣體環境下)進行。藉此可在脫氣的同時防止氣體侵入捏合物。減壓條件下的壓力宜在0.1kg/cm2以下、且以0.05kg/cm2以下為宜。減壓下的壓力下限並無特別限定，例如在1×10-4kg/cm2以上。
當將捏合物利用塗布來形成密封用片材40時，熔融捏合後的捏合物宜不進行冷卻直接在高溫狀態下進行塗布。塗布方法並無特別限定，可舉棒塗法、刀塗法、狹縫式模塗法等。塗布時的溫度宜在上述各成分的軟化點以上，而若考慮到熱硬化性樹脂(環氧樹脂)的熱硬化性及成形性則例如在40~150℃、且以50~140℃為佳、70~120℃更 佳。
當將捏合物利用塑性加工來形成密封用片材40時，熔融捏合後的捏合物宜不進行冷卻直接在高溫狀態下進行塑性加工。塑性加工方法並無特別限定，而可舉平板壓製法、T模擠壓法、螺紋模擠壓法、輥軋法、輥捏合法、吹脹擠壓法、共擠壓法、壓延成形法(calendering)等。塑性加工溫度宜在上述各成分的軟化點以上，而若考慮到環氧樹脂的熱硬化性及成形性則例如在40~150℃、且以50~140℃為佳、70~120℃更佳。
此外，密封用片材40可將用來形成密封用片材40的樹脂等溶解、分散於適當的溶劑中來調製清漆並塗布該清漆來製得。
密封用片材40例如可用於下述半導體裝置之製造方法。
一種半導體裝置之製造方法，至少具有以下步驟：步驟A，準備一半導體晶片經暫時固定於暫固定材上之積層體；步驟A，準備一半導體晶片經以電路形成面為貼合面的方式暫時固定於暫固定材上之積層體；步驟B，準備一密封用片材；步驟C，將前述半導體晶片埋入前述密封用片材中，而形成前述密封用片材中埋有前述半導體晶片之密封體；步驟D，於前述步驟C後使前述密封用片材熱硬化； 步驟E，於前述步驟D後自前述密封體剝離前述暫固定用片材；及步驟F，於前述步驟E後於前述密封體之前述電路形成面側形成再配線。
圖2~圖9係用以說明本實施形態半導體裝置之製造方法的截面示意圖。
[積層體準備步驟]
如圖2所示，本實施形態半導體裝置之製造方法，首先係準備一半導體晶片53經暫時固定於暫固定用片材60上之積層體50(步驟A)。
本實施形態雖係就暫固定用片材60上暫時固定有多數半導體晶片53之情況予以說明，但於本發明中暫時固定於暫固定用片材上之半導體晶片的數量並無特別限定。
暫固定用片材60如圖2所示，通常係在已積層於強度母體之支持體61上的形態下作使用。暫固定用片材60如圖2所示，可貼附於支持體61整面，亦可僅貼附於支持體61其中一部分使支持體61的一部分露出。
(暫固定用片材)
暫固定用片材60可採用含有發泡劑之熱膨脹性黏著劑層。有關含有發泡劑之熱膨脹性黏著劑層，例如在日本特開2009-040930號公報等中已有詳細記載，故以下僅作簡單說明。又，暫固定用片材60亦可採用具有源自二胺的結構單元之熱剝離片材，且該二胺具有醯亞胺基且至少一部分 具有醚結構。而有關具有源自具醯亞胺基且至少一部分具有醚結構之二胺的結構單元的熱剝離片材，因於日本特開2013-153122號公報等中已有詳細記載，故在此省略說明。
(熱膨脹性黏著劑層)
熱膨脹性黏著劑層可藉由包含聚合物成分與發泡劑之黏著劑組成物來形成。聚合物成分(特別是基礎聚合物)可適宜使用丙烯酸系聚合物。
前述丙烯酸聚合物的重量平均分子量並無特別限定，宜為35萬~100萬，且45萬~80萬左右更佳。
又，為了調整黏著力，熱膨脹性黏著劑層中亦可適宜使用外部交聯劑。外部交聯方法的具體手段可舉添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂的交聯劑並使進行反應之方法。使用外部交聯劑時，其使用量可依與用來交聯的基礎聚合物之平衡並依作為黏著劑的使用用途來適宜決定。外部交聯劑的使用量一般來說宜相對於前述基礎聚合物100重量份在20重量份以下(以0.1重量份~10重量份為佳)。
熱膨脹性黏著劑層如前述係含有用來賦予熱膨脹性的發泡劑。因此，在作為暫固定用片材60的熱膨脹性黏著劑層上已形成有密封體58之狀態下(參照圖5)，於任一時間點加熱至少一部分的暫固定用片材60，並使該經加熱的暫固定用片材60的一部份所含之發泡劑發泡及/或膨脹，藉此使暫固定用片材60的至少一部份膨脹，並利用該暫固定用片材60的至少一部份的膨脹，使與該膨脹部分對 應的黏著面(與密封體58的界面)變形成凹凸狀，減少該暫固定用片材60與密封體58之接著面積，藉此減少兩者間的接著力，而可自暫固定用片材60剝離密封體58(參照圖6)。
(發泡劑)
熱膨脹性黏著劑層所使用的發泡劑並無特別限制，可自公知的發泡劑中適宜選擇。發泡劑可單獨亦可組合2種以上使用。且發泡劑可適宜使用熱膨脹性微小球。
(熱膨脹性微小球)
熱膨脹性微小球並無特別限制，可自公知的熱膨脹性微小球(各種無機系熱膨脹性微小球或有機系熱膨脹性微小球等)中適宜選擇。而以容易混合操作之觀點來看，熱膨脹性微小球可適宜使用經微膠囊化之發泡劑。而所述熱膨脹性微小球例如可舉經將異丁烷、丙烷、戊烷等之易因加熱而氣化膨脹的物質包藏於具彈性的殻內之微小球等。而前述殻多由熱溶融性物質或會因熱膨脹而破壞的物質形成。形成前述殻的物質例如可舉氯化亞乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯腈、聚氯化亞乙烯、聚碸等。
本實施形態中，熱膨脹性黏著劑層中亦可含有各種添加劑(例如著色劑、增黏劑、增量劑、填充劑、黏著賦予劑、可塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、交聯劑等)。
(支持體)
支持體61係成為暫固定用片材60之強度母體的薄板狀 構件。支持體61的材料考慮處理性及耐熱性等來適宜選擇即可，例如可使用SUS等金屬材料、聚醯亞胺、聚醯胺-醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚碸等塑膠材料、玻璃及矽晶圓等。而該等中由耐熱性及強度、再利用可能性等觀點來看，以SUS板為宜。
支持體61的厚度可依所欲強度及處理性來適宜選擇，以100~5000μm為佳，且以300~2000μm更佳。
(暫固定用片材的形成方法)
暫固定用片材60可在支持體61上形成暫固定用片材60來製得。當使用熱膨脹性黏著劑層作為暫固定用片材60時，熱膨脹性黏著劑層例如可利用慣用方法，即：混合黏著劑、發泡劑(熱膨脹性微小球等)及因應需要混合溶媒或其他添加劑等，形成片材狀的層來形成。具體而言，例如可利用於支持體61上塗布包含黏著劑、發泡劑(熱膨脹性微小球等)及因應需要溶媒或其他添加劑之混合物的方法；於適當的分離件(剝離紙等)上塗布前述混合物以形成熱膨脹性黏著劑層，並將其轉印(移附)至支持體61上之方法等來形成熱膨脹性黏著劑層。
(熱膨脹性黏著劑層的熱膨脹方法)
本實施形態中，熱膨脹性黏著劑層可利用加熱來熱膨脹。加熱處理方法例如可利用加熱板、熱風乾燥機、近紅外線燈、空氣乾燥機等適宜的加熱手段來進行。加熱處理時的加熱溫度只要在熱膨脹性黏著劑層中的發泡劑(熱膨脹性微小球等)的發泡開始溫度(熱膨脹開始溫度)以上即 可，而加熱處理的條件可依因發泡劑(熱膨脹性微小球等)種類等所致接著面積的減少性、或包含支持體、半導體晶片之密封體等的耐熱性、加熱方法(熱容量、加熱手段等)等作適宜設定。一般加熱處理條件為溫度在100℃~250℃下1秒鐘~90秒鐘(加熱板等)或5分鐘~15分鐘(熱風乾燥機等)。此外，加熱處理可因應使用目的在適當的階段進行。又，加熱處理時的熱源有時亦可使用紅外線燈或加熱水。
(中間層)
本實施形態中，亦可於暫固定用片材60與支持體61之間形成有用來提升密著力及提升加熱後的剝離性等之中間層(未圖示)。
積層體準備步驟中，係於上述暫固定用片材60上將多數半導體晶片53配置成其電路形成面53a與暫固定用片材60相對向來作暫時固定(參照圖2)。半導體晶片53的暫時固定可使用倒裝晶片接合器或固晶機等公知裝置。
半導體晶片53的配置樣式及配置數量可因應暫固定用片材60的形狀及大小、所欲之封裝體的生產數量等作適宜設定，例如可使排列成多行且多列的矩陣狀來配置。以上，僅例示積層體準備步驟的一例。
[準備密封用片材之步驟]
又，本實施形態半導體裝置之製造方法中，如圖1所示係準備一密封用片材40(步驟B)。
[配置密封用片材與積層體之步驟]
於準備密封用片材之步驟後，如圖3所示，將積層體50 以經暫時固定有半導體晶片53之面朝上來配置於下側加熱板62上，並於積層體50之經暫時固定有半導體晶片53之面上配置密封用片材40。於該步驟中，可先於下側加熱板62上配置積層體50後，再於積層體50上配置密封用片材40；亦可先於積層體50上積層密封用片材40後，再將積層體50與密封用片材40積層而成之積層物配置於下側加熱板62上。
[形成密封體之步驟]
接著，如圖4所示，利用下側加熱板62與上側加熱板64進行熱壓製，將半導體晶片53埋入密封用片材40中，而形成密封用片材40中埋有半導體晶片53之密封體58(步驟C)。密封用片材40會作為密封樹脂發揮保護半導體晶片53及其連帶要件不受外部環境干擾的功能。藉此，可製得一密封用片材40中埋有暫固定用片材60上暫時固定有半導體晶片53的密封體58。
將半導體晶片53埋入密封用片材40時的熱壓製條件，只要在密封用片材40不會溢出暫固定用片材60之範圍內則無特別限制，而溫度例如為40~100℃、且以50~90℃為佳，壓力為例如0.1~10MPa，且以0.5~8MPa為佳，時間為例如0.3~10分鐘、且以0.5~5分鐘為佳。藉此，可製得一密封用片材40中埋有半導體晶片53的半導體裝置。又，考慮到提升密封用片材40對半導體晶片53及暫固定用片材60的密著性及追隨性的話，則宜在減壓條件下進行壓製。
前述減壓條件的壓力例如為0.1~5kPa、且以0.1~100Pa為佳，減壓保持時間(自減壓開始至壓製開始為止之時間)例如為5~600秒、且以10~300秒為佳。
[離型襯紙剝離步驟]
接著，剝離離型襯紙41(參照圖5)。
[熱硬化步驟]
接著，使密封用片材40熱硬化(步驟D)。具體而言，例如係將密封用片材40中埋有暫固定用片材60上暫時固定有半導體晶片53的密封體58整體加熱。
熱硬化處理條件的加熱溫度宜為100℃以上、且以120℃以上為佳。另一方面，其加熱溫度的上限宜為200℃以下、且以180℃以下為佳。而加熱時間宜為10分鐘以上、且以30分鐘以上為佳。另一方面，加熱時間的上限宜為180分鐘以下、且以120分以下為佳。又，亦可因應需要進行加壓，而宜為0.1MPa以上、且以0.5MPa以上為佳。另一方面，上限宜為10MPa以下、且以5MPa以下為佳。
[熱膨脹性黏著劑層剝離步驟]
接著，如圖6所示，自密封體58剝離暫固定用片材60(步驟E)。具體而言，係使暫固定用片材60熱膨脹，藉此在暫固定用片材60與密封體58之間進行剝離。或者亦可適宜採用在支持體61與暫固定用片材60之界面進行剝離，之後再於暫固定用片材60與密封體58之界面利用熱膨脹來進行剝離之順序。無論在哪種情況，藉由將暫固定用片材60加熱使熱膨脹以降低其黏著力，可容易在暫固定用片材60與密 封體58之界面進行剝離。特別是熱膨脹性黏著劑層宜為不在前述熱硬化步驟中進行加熱時剝離，而是在該熱膨脹性黏著劑層剝離步驟中進行加熱時剝離之構成。
[研削密封用片材之步驟]
接著，如圖7所示，因應需要研削密封體58之密封用片材40使半導體晶片53的背面53c露出。研削密封用片材40之方法並無特別限定，例如可舉使用可高速旋轉的研磨石之研磨法。
(再配線形成步驟)
接著，進行於密封體58之半導體晶片53的電路形成面53a形成再配線69之再配線形成步驟(步驟F)。於再配線形成步驟中，在剝離上述暫固定用片材60後，於密封體58上形成用以與上述露出的半導體晶片53連接之再配線69(參照圖8)。
再配線的形成方法例如可往呈露出狀態之半導體晶片53上利用真空成膜法等公知方法形成金屬種子層，並藉由半加成法等公知方法形成再配線69。
於再配線步驟中可使用各種有機溶劑，而本實施形態中使用的密封用片材40，係使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於50℃的N-甲基-2-吡咯啶酮中3000秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準在1重量%以下。因此，密封用片材40係經已抑制對各種有機溶劑溶出。故，用來形成再配線之側的面會均勻。結果可均勻形成再配線69。
而易可於其之後往再配線69及密封體58上形成聚醯亞胺或PBO等絕緣層。
又，亦可因應需要於密封用片材40形成孔洞。例如，首先於經雷射等熱硬化後的密封用片材40形成孔洞用開口，接著用去膠渣液等洗去殘留在前述開口的樹脂残渣(去膠渣處理)，之後於前述開口填充導電性糊等來形成孔洞。
(凸塊形成步驟)
接著，亦可進行用來於已形成的再配線69上形成凸塊67之凸塊加工(參照圖8)。凸塊加工可利用硬焊球或硬焊鍍敷等公知方法來進行。
(修整步驟)
最後修整由半導體晶片53、密封用片材40及再配線69等要件構成之積層體(參照圖9)。藉此可製得晶片區域外側拉出有配線之半導體裝置59。
實施例
以下，將利用實施例來詳細說明本發明，然，只要不超過本發明之要旨，本發明即不受限於以下實施例。又，各例中，「份」若無特別註記即指重量基準。
<密封用片材之製作>
將就實施例、比較例所使用之成分及摻混比進行說明。
[成分]
環氧樹脂A：新日鐵化學(股)社製之YSLV-80XY(雙酚F型環氧樹脂，環氧當量190g/eq.)
環氧樹脂B：三菱化學社製之Epikote828(環氧當量190g/eq.)
環氧樹脂C：三菱化學社製之YX4000H(環氧當量192g/eq.，聯苯型環氧樹脂)
酚樹脂A：明和化成社製之MEH-7851-SS(具有聯苯芳烷基骨架之酚樹脂，羥基當量200g/eq.)
熱可塑性樹脂A：Kaneka社製之SIBSTAR 072T(苯乙烯-異丁烯-苯乙烯共聚物)
熱可塑性樹脂B：Nagase ChemteX社製之SG-28GM(丙烯酸丁基-丙烯腈-甲基丙烯酸環氧丙酯共聚物、含環氧丙基的單體單元的含有比率：7%左右)(不包含於本說明書之「熱硬化性材料」中。)
填料A：電氣化學工業社製之FB-9454FC(溶融球狀二氧化矽粉末，平均粒徑17.6μm)
填料B：Admatechs社製之SE2050(平均粒徑0.5μm)
填料C：將Admatechs社製之SO-25R(平均粒徑0.5μm)利用3-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷(信越化學社製之製品名：KBM-403)進行表面處理過者。經利用相對於無機充填劑(SO-25R)480重量份為1.5重量份之矽烷耦合劑進行表面處理。
碳黑(顏料)：三菱化學社製之#20(粒徑50nm)
硬化加速劑：四國化成工業社製之2PHZ-PW(2-苯基-4,5-二羥甲咪唑)
(實施例1~3、比較例1)
依照表1記載之摻混比摻混各成分，並利用輥捏合機在60~120℃、10分鐘、且減壓條件下(0.01kg/cm2)進行溶融捏合，而調製出捏合物。接著，將所製得捏合物利用平板壓製法形成片材狀後，切割成預定大小。藉此製成縱50mm、橫15mm、厚度500μm之密封用片材。
(測定浸漬於N-甲基-2-吡咯啶酮前後的重量變化)
首先，將實施例及比較例之密封用片材在150℃下熱處理1小時。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬前的重量)。接著，在浸漬於50℃之N-甲基-2-吡咯啶酮之狀態下靜置3000秒鐘。在室溫(23℃)下利用超純水進行2次3分鐘的洗淨後，在150℃下乾燥30分鐘。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬後的重量)。
重量變化係依下式求得。將結果示於表2。
(重量變化(重量%))=[1-((浸漬後的重量)/(浸漬前的重量))]×100
(測定浸漬於四氫呋喃甲醇前後的重量變化)
首先，將實施例及比較例之密封用片材在150℃下熱處理1小時。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬前的重量)。接著，在浸漬於60℃之四氫呋喃甲醇75%水溶液(已將和光純藥股份有限公司製之四氫呋喃甲醇稀釋成75%水溶液者)之狀態下靜置420秒鐘。在室溫(23℃)下利用超純水進行2次3分鐘的洗淨後，在150℃下乾燥30分鐘。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬後的重量)。
重量變化係依下式求得。將結果示於表2。
(重量變化(重量%))=[1-((浸漬後的重量)/(浸漬前的重量))]×100
(測定浸漬於氫氧化四甲銨前後之重量變化)
首先，將實施例及比較例之密封用片材在150℃下熱處理1小時。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬前的重量)。接著，在浸漬於22±3℃之氫氧化四甲銨(TMAH)3%水溶液(東京化成工業股份有限公司製、3%水溶液)之狀態下靜置200秒鐘。在室溫(23℃)下利用超純水進行2次3分鐘的洗淨後，在150℃下乾燥30分鐘。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬後的重量)。
重量變化係依下式求得。將結果示於表2。
(重量變化(重量%))=[1-((浸漬後的重量)/(浸漬前的重量))]×100
(測定浸漬於氫氧化鉀前後之重量變化)
首先，將實施例及比較例之密封用片材在150℃下熱處理1小時。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸 漬前的重量)。接著，在浸漬於22±3℃之氫氧化鉀(KOH)10%水溶液(和光純藥股份有限公司製、10%水溶液)之狀態下靜置90秒鐘。在室溫(23℃)下利用超純水進行2次3分鐘的洗淨後，在150℃下乾燥30分鐘。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬後的重量)。
重量變化係依下式求得。將結果示於表2。
(重量變化(重量%))=[1-((浸漬後的重量)/(浸漬前的重量))]×100
(測定浸漬於丙二醇單甲醚前後之重量變化)
首先，將實施例及比較例之密封用片材在150℃下熱處理1小時。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬前的重量)。接著，在浸漬於22±3℃之丙二醇單甲醚80%水溶液(和光純藥股份有限公司製、80%水溶液)之狀態下靜置60秒鐘。在室溫(23℃)下利用超純水進行2次3分鐘的洗淨後，在150℃下乾燥30分鐘。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬後的重量)。
重量變化係依下式求得。將結果示於表2。
(重量變化(重量%))=[1-((浸漬後的重量)/(浸漬前的重量))]×100
(測定浸漬於乙酸前後之重量變化)
首先，將實施例及比較例之密封用片材在150℃下熱處理1小時。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬前的重量)。接著，在浸漬於22±3℃之乙酸10%水溶液(和光純藥股份有限公司製、10%水溶液)之狀態下靜置60秒 鐘。在室溫(23℃)下利用超純水進行2次3分鐘的洗淨後，在150℃下乾燥30分鐘。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬後的重量)。
重量變化係依下式求得。將結果示於表2。
(重量變化(重量%))=[1-((浸漬後的重量)/(浸漬前的重量))]×100
(測定浸漬於γ-丁內酯前後之重量變化)
首先，將實施例及比較例之密封用片材在150℃下熱處理1小時。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬前的重量)。接著，在浸漬於125℃之γ-丁內酯(GBL)(東京化成工業股份有限公司製)之狀態下靜置240秒鐘。在室溫(23℃)下利用超純水進行2次3分鐘的洗淨後，在150℃下乾燥30分鐘。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬後的重量)。
重量變化係依下式求得。將結果示於表2。
(重量變化(重量%))=[1-((浸漬後的重量)/(浸漬前的重量))]×100
(測定浸漬於二甲亞碸前後之重量變化)
首先，將實施例及比較例之密封用片材在150℃下熱處理1小時。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬前的重量)。接著，在浸漬於40℃之二甲亞碸(DMSO)(和光純藥股份有限公司製)之狀態下靜置600秒鐘。在室溫(23℃)下利用超純水進行2次3分鐘的洗淨後，在150℃下乾燥30分鐘。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬 後的重量)。
重量變化係依下式求得。將結果示於表2。
(重量變化(重量%))=[1-((浸漬後的重量)/(浸漬前的重量))]×100
(測定浸漬於環戊酮前後之重量變化)
首先，將實施例及比較例之密封用片材在150℃下熱處理1小時。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬前的重量)。接著，在浸漬於40℃之環戊酮(和光純藥股份有限公司製)之狀態下靜置1200秒鐘。在室溫(23℃)下利用超純水進行2次3分鐘的洗淨後，在150℃下乾燥30分鐘。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬後的重量)。
重量變化係依下式求得。將結果示於表2。
(重量變化(重量%))=[1-((浸漬後的重量)/(浸漬前的重量))]×100
(測定浸漬於甲基乙基酮前後之重量變化)
首先，將實施例及比較例之密封用片材在150℃下熱處理1小時。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬前的重量)。接著，在浸漬於22±3℃之甲基乙基酮(和光純藥股份有限公司製)之狀態下靜置600秒鐘。在室溫(23℃)下利用超純水進行2次3分鐘的洗淨後，在150℃下乾燥30分鐘。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬後的重量)。
重量變化係依下式求得。將結果示於表2。
(重量變化(重量%))=[1-((浸漬後的重量)/(浸漬前的重 量))]×100
(測定浸漬於丙酮前後之重量變化)
首先，將實施例及比較例之密封用片材在150℃下熱處理1小時。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬前的重量)。接著，在浸漬於22±3℃之丙酮(和光純藥股份有限公司製)之狀態下靜置600秒鐘。在室溫(23℃)下利用超純水進行2次3分鐘的洗淨後，在150℃下乾燥30分鐘。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬後的重量)。
重量變化係依下式求得。將結果示於表2。
(重量變化(重量%))=[1-((浸漬後的重量)/(浸漬前的重量))]×100
(測定浸漬於1N氫氧化鈉水溶液前後之重量變化)
首先，將實施例及比較例之密封用片材在150℃下熱處理1小時。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬前的重量)。接著，在浸漬於80℃之1N(1規定)氫氧化鈉(NaOH)水溶液之狀態下靜置600秒鐘。在室溫(23℃)下利用超純水進行2次3分鐘的洗淨後，在150℃下乾燥30分鐘。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬後的重量)。
重量變化係依下式求得。將結果示於表2。
(重量變化(重量%))=[1-((浸漬後的重量)/(浸漬前的重量))]×100
(測定浸漬於1N氫氧化鉀水溶液前後之重量變化)
首先，將實施例及比較例之密封用片材在150℃下熱處理1小時。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬前的重量)。接著，在浸漬於80℃之1N(1規定)氫氧化鉀(KOH)水溶液之狀態下靜置600秒鐘。在室溫(23℃)下利用超純水進行2次3分鐘的洗淨後，在150℃下乾燥30分鐘。之後，在乾燥器內返回到室溫，並測定重量(浸漬後的重量)。
重量變化係依下式求得。將結果示於表2。
(重量變化(重量%))=[1-((浸漬後的重量)/(浸漬前的重量))]×100
40‧‧‧密封用片材
41‧‧‧離型襯紙

Claims (4)

  1. 一種密封用片材，特徵在於使用經於150℃下熱處理1小時後的試樣，浸漬於50℃的N-甲基-2-吡咯啶酮中3000秒鐘，其浸漬前後的重量變化以熱處理後為基準在1重量%以下。
  2. 如請求項1之密封用片材，其含熱硬化性材料與無機系化合物；並且前述熱硬化性材料與前述無機系化合物之合計含量在整體的95重量%以上。
  3. 如請求項2之密封用片材，其含有苯乙烯-異丁烯系嵌段共聚物作為熱可塑性材料。
  4. 一種半導體裝置，係使用如請求項1至3中任一項之密封用片材製成。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI763782B (zh) * 2017-03-03 2022-05-11 日商琳得科股份有限公司 密封板片及半導體裝置的製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6357289B1 (ja) * 2017-03-03 2018-07-11 リンテック株式会社 封止シート、および半導体装置の製造方法
JPWO2018159619A1 (ja) * 2017-03-03 2019-12-26 リンテック株式会社 封止シート、および半導体装置の製造方法
JP2019054159A (ja) 2017-09-15 2019-04-04 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0321628A (ja) * 1989-06-20 1991-01-30 Nitto Denko Corp エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2011148959A (ja) * 2010-01-25 2011-08-04 Kyocera Chemical Corp 半導体封止用樹脂シートおよび樹脂封止型半導体装置
JP5961055B2 (ja) * 2012-07-05 2016-08-02 日東電工株式会社 封止樹脂シート、電子部品パッケージの製造方法及び電子部品パッケージ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI763782B (zh) * 2017-03-03 2022-05-11 日商琳得科股份有限公司 密封板片及半導體裝置的製造方法

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