JP2017197620A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017197620A JP2017197620A JP2016087987A JP2016087987A JP2017197620A JP 2017197620 A JP2017197620 A JP 2017197620A JP 2016087987 A JP2016087987 A JP 2016087987A JP 2016087987 A JP2016087987 A JP 2016087987A JP 2017197620 A JP2017197620 A JP 2017197620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- epoxy resin
- semiconductor
- sealing
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 174
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims abstract description 121
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims abstract description 120
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 67
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 22
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 7
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 7
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 31
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- -1 naphthylene ether Chemical compound 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 13
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 13
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 13
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 7
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 7
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N butadiene group Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N tetraphenylphosphonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 3
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 3
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 3
- HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1 HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- CCDXIADKBDSBJU-UHFFFAOYSA-N phenylmethanetriol Chemical compound OC(O)(O)C1=CC=CC=C1 CCDXIADKBDSBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 2
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICXPMIDWVDFVKS-UHFFFAOYSA-N 1-(oxiran-2-ylmethoxy)naphthalen-2-ol Chemical class OC1=CC=C2C=CC=CC2=C1OCC1CO1 ICXPMIDWVDFVKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris[(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)CC1=CC(CN(C)C)=C(O)C(CN(C)C)=C1 AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQSMCAVKSJWMSI-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-1-n,1-n,3-n,3-n-tetrakis(oxiran-2-ylmethyl)benzene-1,3-diamine Chemical compound CC1=C(N(CC2OC2)CC2OC2)C(C)=CC=C1N(CC1OC1)CC1CO1 KQSMCAVKSJWMSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJBWJFWNFUKAGS-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-hydroxyphenyl)methyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(C=1C(=CC=CC=1)O)C1=CC=CC=C1O LJBWJFWNFUKAGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVFQHGDIOXNKIC-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[3-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=CC(C(C)(C)C=2C=CC(O)=CC=2)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 PVFQHGDIOXNKIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CC(C)=CC2C(=O)OC(=O)C12 MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GIXXQTYGFOHYPT-UHFFFAOYSA-N Bisphenol P Chemical compound C=1C=C(C(C)(C)C=2C=CC(O)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 GIXXQTYGFOHYPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000010919 Copernicia prunifera Nutrition 0.000 description 1
- 244000180278 Copernicia prunifera Species 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- ZDZHCHYQNPQSGG-UHFFFAOYSA-N binaphthyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 ZDZHCHYQNPQSGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4,4'-diol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 1
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N glycolonitrile Natural products N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229960001545 hydrotalcite Drugs 0.000 description 1
- 229910001701 hydrotalcite Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N methyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C)C1=CC=CC=C1 UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N methylimidazole Natural products CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 239000004206 montan acid ester Substances 0.000 description 1
- 235000013872 montan acid ester Nutrition 0.000 description 1
- JAYXSROKFZAHRQ-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(oxiran-2-ylmethyl)aniline Chemical compound C1OC1CN(C=1C=CC=CC=1)CC1CO1 JAYXSROKFZAHRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- UTOPWMOLSKOLTQ-UHFFFAOYSA-N octacosanoic acid Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UTOPWMOLSKOLTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004209 oxidized polyethylene wax Substances 0.000 description 1
- 235000013873 oxidized polyethylene wax Nutrition 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical class NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical class S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJZMLBVNMBLKQY-UHFFFAOYSA-N sulfonylphosphane Chemical compound O=S(=O)=P MJZMLBVNMBLKQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007970 thio esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
- C08G59/62—Alcohols or phenols
- C08G59/621—Phenols
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2190/00—Compositions for sealing or packing joints
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/08—Metals
- C08K2003/0812—Aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
- C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2203/00—Applications
- C08L2203/16—Applications used for films
- C08L2203/162—Applications used for films sealable films
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2203/00—Applications
- C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
- C08L2203/206—Applications use in electrical or conductive gadgets use in coating or encapsulating of electronic parts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
- C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
- C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
- C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
- C08L2205/035—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend containing four or more polymers in a blend
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
Description
第1の課題は、従来の半導体封止材を用いて作製した上記半導体装置を加熱した場合に、該半導体装置に僅かな反りが生じ、結果として、電気的接続不良が発生することである。
第2の課題は、従来の半導体封止材を用いて作製した上記半導体装置を加熱した場合に、半田フラッシュが発生し、結果として、電気的接続不良が発生することである。
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂硬化剤と、
充填材と、
を含み、
前記充填材の含有量が、当該半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して、75質量%以上93質量%以下であり、
260℃で測定した当該半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率が、60MPa以上500MPa以下である、半導体封止用エポキシ樹脂組成物が提供される。
前記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体チップまたは前記半導体チップを封止してなる半導体パッケージと、バンプ高さが100μm以上である半田バンプと、を封止する工程を含む、半導体装置の製造方法が提供される。
本実施形態に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物(以下、本樹脂組成物ともいう。)は、半導体チップまたは上記半導体チップを封止してなる半導体パッケージと、バンプ高さが100μm以上である半田バンプと、を封止するために用いるものである。そして、かかる本樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂硬化剤と、充填材と、を含み、充填材の含有量が、当該半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して、75質量%以上93質量%以下であり、260℃で測定した当該半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率が、60MPa以上500MPa以下である構成を採用したものである。こうすることで、バンプ高さが100μm以上である半田バンプを介して基板上に搭載された半導体チップを封止してなる半導体装置の電気的接続信頼性を改善できる。
第1の条件は、バンプ高さが100μm以上である半田バンプと、半導体チップまたは上記半導体チップを封止してなる半導体パッケージと、を封止するために用いることを想定していることである。
第2の条件は、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂硬化剤と、充填材と、を必須成分として含む樹脂組成物において、充填材の含有量が、かかる樹脂組成物の全量に対して、75質量%以上93質量%以下となるようにされたものである。
第3の条件は、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂硬化剤と、充填材と、を必須成分として含む樹脂組成物において、260℃で測定した該樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率が、60MPa以上500MPa以下となるようにされたものである。
本発明者らは、上述した3つの条件をすべて満たす構成を備えた本樹脂組成物を用いて半導体装置を作製した場合、得られた半導体装置に反りや半田フラッシュなどの不都合が生じることを抑制できるため、結果として、電気的接続信頼性を改善できることを見出した。
この点については、後述の実施例において、実施例1〜6と比較例1〜4の比較データを示す。
本樹脂組成物は、たとえば、図1に示す半導体装置に備わる封止材40を形成するために使用できる。言い換えれば、本樹脂組成物は、バンプ高さが100μm以上である半田バンプ20と、半導体チップ30と、を備える半導体装置の封止材40を形成するために使用できる。また、本樹脂組成物は、半導体チップ30と、バンプ高さが100μm以上である半田バンプとを封止するために使用してもよいし、半導体チップ30を封止してなる半導体パッケージと、バンプ高さが100μm以上である半田バンプと、を封止するために使用してもよい。
ここで、図1には、本実施形態に係る半導体装置として、回路パターンが形成された基板10の一面上に、システムを構成するベアチップ状の能動素子や、チップコンデンサ、チップ抵抗、チップインダクタ等の受動素子といった複数の素子50を表面実装し、上述した素子50を搭載した領域を封止してパッケージとしているSIP(システムインパッケージ)を例示している。しかし、本実施形態に係る半導体装置は、上述した条件を満たすものであれば、POP(パッケージオンパッケージ)等のどのような形態のパッケージ構造であってもよい。
また、上記EP/OHの値は、以下の式により算出することができる。
式:EP/OH=(A/B)÷(C/D)
A:樹脂組成物全量に対するエポキシ樹脂の含有量
B:樹脂組成物中に含まれるエポキシ樹脂のエポキシ基当量
C:樹脂組成物全量に対するフェノール樹脂硬化剤の含有量
D:樹脂組成物中に含まれるフェノール樹脂硬化剤の水酸基当量
本実施形態に係るエポキシ樹脂としては、その分子量、分子構造に関係なく、1分子内にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を使用することが可能である。このようなエポキシ樹脂の具体例としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂(4,4'−(1,3−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールP型エポキシ樹脂(4,4'−(1,4−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂(4,4'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂)などのビスフェノール型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂;キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂;ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、2官能ないし4官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂;アントラセン型エポキシ樹脂;フェノキシ型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂;ノルボルネン型エポキシ樹脂;アダマンタン型エポキシ樹脂;フルオレン型エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレートなどの複素環式エポキシ樹脂;N,N,N',N'−テトラグリシジルメタキシレンジアミン、N,N,N',N'−テトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサン、N,N−ジグリシジルアニリンなどのグリシジルアミン類や、グリシジル(メタ)アクリレートとエチレン性不飽和二重結合を有する化合物との共重合物、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、ビスフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のグリシジルエーテル化物から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、金属パターンや導体部との密着性を向上させる観点から、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂を含むことがより好ましい。これにより、半導体パッケージの低線膨張化を図ることもできる。また、半導体装置における耐リフロー性の向上および反りの抑制を実現することも可能である。
本樹脂組成物中には、上述した通り、フェノール樹脂硬化剤が必須成分として含まれている。これにより、当該樹脂組成物の流動性およびハンドリング性を向上させることができる。かかるフェノール樹脂硬化剤は、一分子内にフェノール性水酸基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂等のノボラック型樹脂;トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂;フェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び/又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂;ビスフェノールA、ビスフェノールF等のビスフェノール化合物等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いても2種類以上を併用してもよい。このようなフェノール樹脂硬化剤を配合させることにより、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、保存安定性等のバランスを良好なものとすることができる。特に、硬化性の点から、フェノール樹脂硬化剤の水酸基当量は90g/eq以上、250g/eq以下であることが好ましい。
本樹脂組成物中には、上述した通り、充填材が必須成分として含まれている。かかる充填材としては、公知の半導体封止材料中に配合されている無機充填材または有機充填材であれば使用可能である。具体的には、上記無機充填材として、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、2次凝集シリカ等のシリカ;アルミナ;チタンホワイト;水酸化アルミニウム;タルク;クレー;マイカ;ガラス繊維等が挙げられる。また、かかる有機充填材としては、オルガノシリコーンパウダー、ポリエチレンパウダー等が挙げられる。これらの中でも、特に溶融球状シリカが好ましい。また、粒子形状は限りなく真球状であることが好ましい。また、粒子の大きさの異なるものを混合することにより無機充填量を多くすることができるが、その平均粒径d50は、半導体チップ30周辺領域に対する樹脂充填性を良好なものとする観点から、0.01μm以上150μm以下であることが望ましい。こうすることで、樹脂組成物の流動性が良好な状態となるように制御することができる。
なお、無機充填材の平均粒径d50は、レーザー回折式粒度分布測定装置(HORIBA社製、LA−500)を用いて測定することが可能である。
本樹脂組成物は、たとえばシアネート樹脂を含有させてもよい。これにより、当該樹脂組成物の硬化物からなる封止材について、低線膨張化や、弾性率および剛性の向上を図ることができる。また、得られる半導体装置の耐熱性や耐湿性の向上に寄与することも可能である。
シアネート樹脂は、たとえばノボラック型シアネート樹脂;ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂;ナフトールアラルキル型フェノール樹脂と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂;ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂;ビフェニルアルキル型シアネート樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、封止材の低線膨張化や、弾性率および剛性を向上させる観点からは、ノボラック型シアネート樹脂およびナフトールアラルキル型シアネート樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましく、ノボラック型シアネート樹脂を含むことがとくに好ましい。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、上述した半導体封止用エポキシ樹脂組成物を準備する工程と、準備した半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体チップ30または上記半導体チップ30を封止してなる半導体パッケージと、バンプ高さが100μm以上である半田バンプ20と、を封止する工程を含むものである。
図1に示す半導体装置は、基板10上に半田バンプ20を介して搭載した半導体チップ30と、基板10上に半田バンプ20を介すことなく表面実装した複数の素子50とを、上述した半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化体により形成された封止材40によって封止してなるものである。そして、図1に示す半導体装置において半導体チップ30は、基板10上にバンプ高さが100μm以上である半田バンプ20を介して電気的に接続されている。
・エポキシ樹脂1:ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC3000、エポキシ当量276g/eq、軟化点58℃)
・エポキシ樹脂2:ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC3000L、エポキシ当量276g/eq、軟化点53℃)
・エポキシ樹脂3:トリス(ヒドロキシフェニル)メタン型エポキシ樹脂と4,4'−ビフェノール型エポキシ樹脂の混合物(三菱化学社製、YL6677、エポキシ当量163g/eq、軟化点59℃)
・硬化剤1:ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(明和化成社製、MEH−7851SS、水酸基当量203g/eq、軟化点65℃)
・硬化剤2:トリフェノールメタン型樹脂とフェノールノボラック樹脂との共重合体型フェノール樹脂(エア・ウォーター社製、HE910−20、水酸基当量101g/eq、軟化点88℃)
・硬化促進剤1: 下記式(1)で表される硬化促進剤
・充填材1:溶融球状シリカ(デンカ社製、FB−5SDC、平均粒径d50:4.5μm)
・充填材2:溶融球状シリカ(アドマテックス社製、SO−E2、平均粒径d50:0.5μm)100重量部をミキサーに投入し、攪拌しながら窒素気流下で、ヘキサメチルジシラザン0.1重量部を噴霧添加して処理した後、γ一グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−403)1重量部を噴霧添加して得た処理粉体。
・充填材3:溶融球状シリカ(アドマテックス社製、SO−E2、平均粒径d50:0.5μm)100重量部をミキサーに投入し、攪拌しながら窒素気流下で、ヘキサメチルジシラザン0.1重量部を噴霧添加して処理した後、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−573)1重量部を噴霧添加して得た処理粉体。
・充填材4:溶融球状シリカ(アドマテックス社製、SO−E5、平均粒径d50: 1.6μm)
・離型剤1:カルナバワックス(日興ファインプロダクツ社製、ニッコウカルナバ)
・離型剤2:酸化ポリエチレンワックス(クラリアントジャパン社製、リコワックスPED191)
・低応力剤1:下記式(3)で表わされるシリコーンオイル(東レ・ダウコーニング社製、FZ−3730)
・低応力剤3:ブタジエン・アクリロニトリル・2,3−エポキシプロピル=メタクリラート・ジビニルベンゼン重合化合物とタルクの混合物(JSR社製、XER−81P)
・難燃剤1:水酸化アルミニウム(日本軽金属社製、BE043)
・難燃剤2:水酸化アルミニウム(住友化学社製、CL−303)
・カップリング剤1:N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン(東レ・ダウコーニング社製、CF4083)
・カップリング剤2:3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(チッソ社製、GPS−M)
・シリコーンオイル:カルボキシル変性ポリジメチルシロキサン(東レ・ダウコーニング社製、F2−211−69)
・着色剤:カーボンブラック(三菱化学社製、MA600)
・イオン捕捉剤:マグネシウム・アルミニウム・ハイドロオキサイド・カーボネート・ハイドレート(共和化学社製、DHT−4H)
各実施例および比較例について、次のように半導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製した。まず、表1に従い配合された各原材料を常温でミキサーを用いて混合した後、70〜100℃でロール混練した。次いで、得られた混練物を冷却した後、これを粉砕することにより、粉粒状の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。表1中における各成分の詳細は上記のとおりである。また、表1中の単位は、質量%である。
図1に示す半導体装置を、以下の方法で作製した。
まず、半導体チップ30と、複数の素子50とが電気的に接続するように搭載された基板10を、ストリップ基板として作製した。かかる基板において、上記半導体チップ30は、バンプ高さが100μmの半田バンプ20を介して電気的に接続されており、上記複数の素子50は、半田バンプを介することなく電気的に接続されている。次に、得られたストリップ基板を金型内に配置し、成形機(TOWA社製、PMC1040)を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、30秒の条件で、得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を金型内に注入し封止成形した。次いで、175℃、120秒間硬化処理を行った後、成形機から取りだして、175℃の高温槽にて、4時間のポストキュア処理を施した。その後、ストリップ基板のアライメントに沿って、個片化することで、図1に示す半導体装置を作製した。ただし、比較例2の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた場合にのみ、封止材40を形成することができず、所望の半導体装置を得ることはできなかった。
◎:25℃でのパッケージ反り量と、260℃でのパッケージ反り量とが、いずれも、50μm未満である。
○:25℃でのパッケージ反り量と、260℃でのパッケージ反り量とが、いずれも、100μm未満である。
×:少なくとも、25℃でのパッケージ反り量と260℃でのパッケージ反り量の、いずれか一方が、100μm以上である。
また、実施例1〜6と比較例1〜4を比較すると分かるように、バンプ高さが100μm以上である半田バンプを介して基板上に搭載された半導体チップを備える半導体装置の電気的接続信頼性を改善するためには、樹脂組成物の全量に対する充填材の含有量と、260℃で測定した該樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率とに係る条件を共に制御した構成を採用することが有用であることが分かった。
20 半田バンプ
30 半導体チップ
40 封止材
50 素子
Claims (7)
- 半導体チップまたは前記半導体チップを封止してなる半導体パッケージと、バンプ高さが100μm以上である半田バンプと、を封止するために用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂硬化剤と、
充填材と、
を含み、
前記充填材の含有量が、当該半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して、75質量%以上93質量%以下であり、
260℃で測定した当該半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率が、60MPa以上500MPa以下である、半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 25℃以上ガラス転移温度(Tg)以下の温度領域における当該半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の線膨張係数が、20ppm/℃以下である、請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 当該半導体封止用エポキシ樹脂組成物の175℃での溶融粘度が、2Pa・S以上10Pa・S以下である、請求項1または2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記エポキシ樹脂に由来するエポキシ基数をEPとし、前記フェノール樹脂硬化剤に由来するフェノール性水酸基数をOHとしたとき、EP/OHの値が、1以上2以下である、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記エポキシ樹脂の含有量が、当該半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して、3質量%以上30質量%以下である、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 当該半導体封止用エポキシ樹脂組成物の形態が、粉粒状、顆粒状、タブレット状またはシート状である、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を準備する工程とともに、
前記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体チップまたは前記半導体チップを封止してなる半導体パッケージと、バンプ高さが100μm以上である半田バンプと、を封止する工程を含む、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016087987A JP6880567B2 (ja) | 2016-04-26 | 2016-04-26 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置の製造方法 |
TW106111628A TWI796293B (zh) | 2016-04-26 | 2017-04-07 | 半導體密封用環氧樹脂組成物及半導體裝置之製造方法 |
KR1020170050474A KR102408026B1 (ko) | 2016-04-26 | 2017-04-19 | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN201710280186.4A CN107400334A (zh) | 2016-04-26 | 2017-04-25 | 半导体密封用环氧树脂组合物和半导体装置的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016087987A JP6880567B2 (ja) | 2016-04-26 | 2016-04-26 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021000808A Division JP7230936B2 (ja) | 2021-01-06 | 2021-01-06 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017197620A true JP2017197620A (ja) | 2017-11-02 |
JP6880567B2 JP6880567B2 (ja) | 2021-06-02 |
Family
ID=60237380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016087987A Active JP6880567B2 (ja) | 2016-04-26 | 2016-04-26 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6880567B2 (ja) |
KR (1) | KR102408026B1 (ja) |
CN (1) | CN107400334A (ja) |
TW (1) | TWI796293B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019111707A1 (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-13 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物および電子装置 |
JP2019099726A (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-24 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂および電子装置 |
JP2020004853A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | 日東電工株式会社 | 封止用シートおよび電子素子装置の製造方法 |
WO2023054884A1 (ko) | 2021-09-28 | 2023-04-06 | 주식회사 케이씨씨 | 몰딩용 에폭시 수지 조성물 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018024832A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-15 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
JP7120304B2 (ja) * | 2018-05-31 | 2022-08-17 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | コンパウンド、成形体、及び電子部品 |
CN112424284B (zh) * | 2018-07-31 | 2023-09-26 | 京瓷株式会社 | 片状密封用树脂组合物和半导体装置 |
JP7230936B2 (ja) * | 2021-01-06 | 2023-03-01 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置の製造方法 |
CN113265211A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-08-17 | 苏州震坤科技有限公司 | 减少封装分层的封装树脂及其封装方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002080696A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-03-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
JP2003292737A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状封止樹脂及びそれを用いた半導体装置 |
JP2014095063A (ja) * | 2012-10-11 | 2014-05-22 | Panasonic Corp | 封止用エポキシ樹脂無機複合シート |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3594489B2 (ja) | 1998-07-03 | 2004-12-02 | 京セラケミカル株式会社 | 樹脂封止型電子部品の製造方法 |
JP4336499B2 (ja) | 2003-01-09 | 2009-09-30 | Towa株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
JP4474113B2 (ja) * | 2003-04-07 | 2010-06-02 | 日立化成工業株式会社 | 封止用固形エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
CN100462402C (zh) * | 2004-04-30 | 2009-02-18 | 日东电工株式会社 | 半导体封装用环氧树脂组合物、半导体器件及其制造方法 |
JP4421939B2 (ja) * | 2004-05-13 | 2010-02-24 | 日東電工株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP2006216899A (ja) | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Kyocera Chemical Corp | コンプレッション成形用成形材料及び樹脂封止型半導体装置 |
JP2014210880A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | 日東電工株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-04-26 JP JP2016087987A patent/JP6880567B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-07 TW TW106111628A patent/TWI796293B/zh active
- 2017-04-19 KR KR1020170050474A patent/KR102408026B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-25 CN CN201710280186.4A patent/CN107400334A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002080696A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-03-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
JP2003292737A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状封止樹脂及びそれを用いた半導体装置 |
JP2014095063A (ja) * | 2012-10-11 | 2014-05-22 | Panasonic Corp | 封止用エポキシ樹脂無機複合シート |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019111707A1 (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-13 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物および電子装置 |
JP2019099726A (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-24 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂および電子装置 |
JPWO2019111707A1 (ja) * | 2017-12-06 | 2020-04-02 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物および電子装置 |
CN111433284A (zh) * | 2017-12-06 | 2020-07-17 | 住友电木株式会社 | 环氧树脂组合物和电子装置 |
CN111433284B (zh) * | 2017-12-06 | 2021-01-05 | 住友电木株式会社 | 环氧树脂组合物和电子装置 |
JP2020004853A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | 日東電工株式会社 | 封止用シートおよび電子素子装置の製造方法 |
JP7158184B2 (ja) | 2018-06-28 | 2022-10-21 | 日東電工株式会社 | 封止用シートおよび電子素子装置の製造方法 |
WO2023054884A1 (ko) | 2021-09-28 | 2023-04-06 | 주식회사 케이씨씨 | 몰딩용 에폭시 수지 조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107400334A (zh) | 2017-11-28 |
TWI796293B (zh) | 2023-03-21 |
KR102408026B1 (ko) | 2022-06-14 |
TW201809126A (zh) | 2018-03-16 |
JP6880567B2 (ja) | 2021-06-02 |
KR20170122120A (ko) | 2017-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6880567B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置の製造方法 | |
JP7230936B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置の製造方法 | |
KR102340215B1 (ko) | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 | |
WO2010029726A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置に用いる樹脂組成物 | |
JP2017179185A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
JP6389382B2 (ja) | 半導体封止用樹脂シート及び樹脂封止型半導体装置 | |
TW201842021A (zh) | 密封用環氧樹脂組成物及電子零件裝置 | |
JP2004300431A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 | |
JP2014133830A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および片面封止型半導体装置 | |
JP2013067694A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
JP2019026715A (ja) | 一括封止用エポキシ樹脂組成物、電子装置およびその製造方法 | |
CN113614141A (zh) | 密封用树脂组合物和半导体装置 | |
JP6341203B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2017193635A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止基板、および電子装置 | |
JP4496740B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2005026447A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6776597B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止基板、および電子装置 | |
WO2022118749A1 (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体装置 | |
JP5929977B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
KR102435734B1 (ko) | 반도체 봉지용 수지 조성물 및 반도체 장치 | |
JP2009283621A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2023093108A (ja) | 樹脂組成物、電子部品装置、電子部品装置の製造方法及び樹脂組成物の製造方法 | |
JP2021127404A (ja) | 封止用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 | |
JP2018053243A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止基板、および電子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190315 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200218 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200617 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20201006 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210106 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20210106 |
|
C11 | Written invitation by the commissioner to file amendments |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C11 Effective date: 20210119 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20210302 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20210309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210406 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210419 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6880567 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R157 | Certificate of patent or utility model (correction) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R157 |