TW201946127A - 部件製造方法、保持膜及保持工具形成裝置 - Google Patents

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Abstract

以提供一種相對於經加熱的吸盤台可切實地進行吸附的部件製造方法、保持膜及保持工具形成裝置為目的，包括獲得保持工具1的步驟R10，保持工具1包括具有開口部10h的框體10及張設於框體的保持膜20，步驟R10是將保持膜20以向不同的三方向以上的方向或全周伸展的狀態張設於框體的步驟，保持膜具有基層21及保持層22，基層中100℃的彈性係數E'（100）與25℃的彈性係數E'（25）的比RE1為0.2≦RE1≦1且E'（25）為35 MPa以上且1500 MPa以下。保持工具形成裝置包括：將材料膜藉由自基層側進行頂推而形成伸展狀態的機構、以維持伸展狀態的方式將材料膜固定於框體的機構、以及自材料膜切離不需要部分而獲得保持膜的機構。

Description

部件製造方法、保持膜及保持工具形成裝置
本發明是有關於一種部件製造方法、保持膜及保持工具形成裝置。更詳細而言，是有關於一種選自半導體部件及電子部件中的任一部件的製造方法、用以對所述部件製造方法中所使用的部件進行保持的保持膜、以及用以形成所述部件製造方法中所使用的保持工具的保持工具形成裝置。
近年來，已知一種半導體部件的製造方法，其是在將形成有電路的晶圓單片化後，對經單片化的半導體部件進行評價（檢查），僅拾取評價合格的半導體部件，並送達至之後的步驟。此製造方法例如於下述專利文獻1（參照第1發明等）中有揭示。藉此，可提昇最終製品的良率。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2017/002610號手冊
[專利文獻2]日本專利特開2013-229515號公報
[專利文獻3]日本專利特開2015-082642號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明者在所述專利文獻1中提出了使用在規定溫度範圍內具有特定的彈性特性的樹脂材料作為部件製造用膜（保持膜）的基層。藉此，可將保持膜在評價步驟、單片化步驟及拾取步驟多個步驟中共用，結果不再需要在各步驟中向另一個保持膜改貼被加工物，從而可實現優異的生產性。
並且，新得知：當利用所述保持膜時，在常溫域可無問題地吸附於吸盤台（chuck table），但存在難以吸附於經加熱的吸盤台的情況。
本發明是鑒於所述問題而成者，目的在於提供一種即便是對於經加熱的吸盤台，亦可將保持膜切實地吸附的部件製造方法、可在所述部件製造方法中利用的保持膜及保持工具形成裝置。
再者，作為半導體部件製造中所使用的保持膜的先前的黏貼方法，存在所述專利文獻2及專利文獻3的揭示。關於該些文獻的黏貼方法只設想了常溫下的利用，而且，尚未探討向所述般的使用了具有彈性的基層的保持膜的應用。進而，無與存在利用經加熱的吸盤台的部件製造方法、在對所述經加熱的吸盤台利用所述般的保持膜的情況下會產生特別的課題等相關的見解及關注，而且，亦尚未進行其探討。
[解決課題之手段]
即，本發明如下。
[1]第1發明所述的部件製造方法，是一種製造選自半導體部件及電子部件中的任一部件的部件製造方法，所述部件製造方法的主旨在於，包括：
保持工具形成步驟，形成對經加工會成為所述部件的前驅體進行保持的保持工具，
所述保持工具包括具有開口部的框體及覆蓋所述開口部並張設於所述框體的保持膜，
所述保持工具形成步驟是將所述保持膜以向不同的三方向以上的方向或全周伸展的狀態張設於所述框體的步驟，
所述保持膜具有基層及設置於所述基層的一面側的保持層，
所述基層中100℃的彈性係數E'（100）與25℃的彈性係數E'（25）的比RE1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦RE1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且1500 MPa以下。
[2]第2發明所述的部件製造方法是如第1發明所述的部件製造方法，其主旨在於，所述保持工具形成步驟包括：
伸展步驟，將成為所述保持膜的材料膜藉由自所述基層側進行頂推而形成伸展狀態；
固定步驟，以維持伸展狀態的方式將所述材料膜固定於所述框體；以及
切離步驟，自所述材料膜切離不需要部分而獲得所述保持膜。
[3]第3發明所述的部件製造方法是如第1發明或第2發明所述的部件製造方法，其主旨在於，所述保持工具形成步驟是以在以所述開口部的中心為基點的等角放射狀的不同的三方向上測定的伸展率的平均值成為0.3%以上的方式，將所述保持膜張設於所述框體的步驟。
[4]第4發明所述的部件製造方法是如第2發明或第3發明所述的部件製造方法，其主旨在於，
所述伸展步驟是利用頂推治具自所述基層側頂推所述材料膜，而使所述材料膜伸展的步驟，
抵接於所述材料膜的所述頂推治具的抵接外緣為大致圓形。
[5]第5發明所述的部件製造方法是如第2發明至第4中發明任一項所述的部件製造方法，其主旨在於，包括：保持步驟，將所述前驅體保持於所述保持工具形成步驟中的所述材料膜的得到伸展的區域、或所獲得的所述保持工具的所述保持膜。
[6]第6發明所述的部件製造方法是如第5發明所述的部件製造方法，其主旨在於，在所述保持步驟後，具有將所述前驅體在保持於所述保持膜的狀態下直接單片化，而獲得單片部件的單片化步驟。
[7]第7發明所述的部件製造方法是如第5發明或第6發明所述的部件製造方法，其主旨在於，在所述保持步驟後，具有將保持有所述前驅體或所述單片部件的所述保持膜自所述基層側吸附於經加熱的吸盤台的表面的吸附步驟。
[8]第8發明所述的部件製造方法是如第7發明所述的部件製造方法，其主旨在於，
在所述吸附步驟後已將所述單片部件保持於所述保持膜的情況下，具有：
自所述基層側向所述保持層側頂推，使所述保持膜進一步伸展，藉此使所述單片部件中的一部分單片部件與其他單片部件分離並予以拾取的拾取步驟。
[9]第9發明所述的保持膜，其被用於如第1發明至第8發明中任一項所述的部件製造方法，所述保持膜的主旨在於：
具有所述基層、及設置於所述基層的一面側的所述保持層，
所述基層中100℃的彈性係數E'（100）與25℃的彈性係數E'（25）的比RE1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦RE1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且1500 MPa以下。
[10]第10發明所述的保持膜是如第9發明所述的保持膜，其主旨在於，所述基層的線熱膨脹係數為100 ppm/K以上。
[11]第11發明所述的保持膜是如第9發明或第10發明所述的保持膜，其主旨在於，所述基層包含熱塑性聚酯系彈性體、熱塑性聚醯胺系彈性體及聚對苯二甲酸丁二酯中的至少一種。
[12]第12發明所述的保持工具形成裝置形成將成為選自半導體部件及電子部件中的任一部件的前驅體加工為所述部件時對所述前驅體進行保持的保持工具，所述保持工具形成裝置的主旨在於，
所述保持工具包括：具有開口部的框體、以及覆蓋所述開口部，並且以向不同的三方向以上的方向或全周伸展的狀態張設於所述框體的保持膜，
所述保持膜具有基層及設置於所述基層的一面側的保持層，
所述基層中100℃的彈性係數E'（100）與25℃的彈性係數E'（25）的比RE1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦RE1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且1500 MPa以下，
所述保持工具形成裝置包括：
伸展機構，將成為所述保持膜的材料膜藉由自所述基層側進行頂推而形成伸展狀態；
固定機構，以維持伸展狀態的方式將所述材料膜固定於所述框體；以及
切離機構，自所述材料膜切離不需要部分而獲得所述保持膜。
[13]第13發明所述的保持工具形成裝置是如第12發明所述的保持工具形成裝置，其主旨在於，
所述伸展機構具有自所述基層側頂推所述材料膜而使所述材料膜伸展的頂推治具，
抵接於所述材料膜的所述頂推治具的抵接外緣為大致圓形。
[14]第14發明所述的保持工具形成裝置是如第13發明所述的保持工具形成裝置，其中，所述頂推治具的所述抵接外緣進行了低摩擦加工，以便能夠降低與所述材料膜之間產生的摩擦。
[發明的效果]
根據本部件製造方法，即便是對於經加熱的吸盤台，亦可將保持膜切實地吸附。其結果，無需為了吸附保持膜，而導入對經加熱的吸盤台進行冷卻的冷卻循環，從而可效率良好地進行部件製造。進而，如前所述，亦可直接享受無需在各步驟間替換保持膜這一現有優點，因此，可利用共同的保持膜來效率良好地進行部件製造，而無論部件製造方法的步驟如何。
根據本保持膜，即便是對於經加熱的吸盤台，亦可切實吸附。其結果，無需為了吸附保持膜，而導入對經加熱的吸盤台進行冷卻的冷卻循環，從而可效率良好地進行部件製造。進而，如前所述，亦可直接享受無需在各步驟間替換保持膜這一現有優點，因此，可利用共同的保持膜來效率良好地進行部件製造，而無論部件製造方法的步驟如何。
根據本保持工具形成裝置，可形成可切實地使保持膜吸附於經加熱的吸盤台的保持工具。其結果，無需為了吸附保持膜，而導入對經加熱的吸盤台進行冷卻的冷卻循環，從而可效率良好地進行部件製造。進而，如前所述，亦可直接享受無需在各步驟間替換保持膜這一現有優點，因此，可利用共同的保持膜來效率良好地進行部件製造，而無論部件製造方法的步驟如何。
以下，一面參照圖一面對本發明進行說明。此處所示的事項為例示事項及用以對本發明的實施形態進行例示說明的事項，其闡述目的在於提供被認為可最有效且容易地理解本發明的原理及概念性特徵的說明。就該方面而言，其為自根本上理解本發明所必需的事項，而非意圖於某種程度以上示出本發明的詳細結構，並藉由與圖示配合說明而將實際上如何實現本發明的幾個形態展示給本領域技術人員。
[1]部件製造方法
本部件製造方法是一種製造選自半導體部件及電子部件中的任一部件（50）的方法。
本部件製造方法包括：保持工具形成步驟（R10），形成用以對經加工會成為部件的前驅體進行保持的保持工具（1）（參照圖1）。
保持工具形成步驟（R10）是將保持膜（20）以向不同的三方向以上的方向或全周伸展的狀態張設於框體（10），而形成保持工具（1）的步驟。如此形成的保持工具（1）包括具有開口部（10h）的框體（10）及覆蓋開口部（10h）並張設於框體（10）的保持膜（20）。
並且，保持膜（20）具有基層（21）及設置於基層（21）的一面側的保持層（22），其中，基層（21）中100℃的彈性係數E'（100）與25℃的彈性係數E'（25）的比RE1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦RE1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且1500 MPa以下。
如前所述，本發明者在所述專利文獻1中示出了藉由利用使用0.2≦RE1 ≦1且35 MPa≦E'（25）≦3500 MPa的樹脂基材作為基層21的保持膜20作為部件製造用膜，可提供能夠在評價步驟、單片化步驟及拾取步驟多個步驟中共用的保持工具1。其結果表明，不再需要在各步驟中向另一個的載體改貼被加工物，從而可實現優異的生產性。
然而，例如新得知：在擁有高溫評價的評價步驟中，存在在保持膜20產生褶皺（以下，亦稱為「熱褶皺」）的情況。已知，當在保持膜20產生褶皺時，存在發生在欲吸附於吸盤台的情況下，由於產生的褶皺而發生抽吸洩漏，而無法正常地進行吸附，或由於因產生的褶皺而在保持膜20的表面出現凹凸，因此在評價步驟中，出現探針與一部分的評價用部件未正常接觸的情況等不良情況的可能性。
進而，已知：在為了效率良好地進行評價，不對吸盤台進行逐漸冷卻，而是利用維持著被恆久加熱的狀態的吸盤台的評價步驟中，尤為明顯地出現此現象。進而，確認到：在欲將保持膜20吸附於加熱狀態的吸盤台時，在接觸吸盤台的表面以前，即在自吸盤台的表面離開有距離的狀態下，亦會發生此現象。
由於該些情況，結果，因在吸盤台的表面產生的熱對流，即便在自吸盤台離開有距離的狀態下，亦開始對保持膜20的加熱，以至於考慮是否會因所述加熱，使保持膜20發生熱膨脹，而產生褶皺。
對於此問題，本發明者認為：由於利用了所述樹脂材料作為基層21，所以藉由利用其彈性（elastic）特性，對保持膜20施加預備伸展而能夠解決。即，認為，藉由將保持膜20在伸展的狀態下張設於框體10，可吸收因熱對流產生的熱膨脹伸展。藉此，例如可知：即便是不得不使保持膜20以曝露於熱對流的狀態在吸盤台上待機的規格的裝置，亦可吸收因熱流量產生的熱膨脹伸展。
而且，即便是如所述專利文獻2所記載般的、自兩方向（相向的兩方向）施加張力（tension）並被黏貼於框體的保持工具，亦未能防止所述熱褶皺。認為：在此形態中，由於藉由僅來自兩方向的張力施加而被黏貼於框體，因此未向與所述張力方向大致垂直的方向施加張力，從而向所述大致垂直的方向產生熱膨脹，結果產生熱褶皺。因此，發現藉由一面向至少不同的三方向以上（亦可為全周）的方向伸展，一面將保持膜20張設於框體10，可全面地防止所有熱褶皺，從而完成了本發明。
並且，根據保持工具1，藉由具有所述構成，即便利用0.2≦RE1 ≦1且35 MPa≦E'（25）≦1500 MPa的樹脂材料作為基層21，亦可在加熱環境下，使保持膜20切實地吸附至吸盤台。即，即便因來自經加熱的吸盤台的熱對流，使保持膜20在吸附前發生了熱膨脹，其熱膨脹部分亦可藉由基層21的伸展的鬆弛而吸收。另一方面，可設為：因熱膨脹，基層21的伸展僅鬆弛，而不至於產生熱褶皺。因不在保持膜20中形成熱褶皺，所以在向吸盤台吸附時，不會產生氣密洩漏，從而可將保持工具1正常地吸附·固定於吸盤台。並且，藉此，例如可在評價步驟中，進行正常的評價。即，可防止作為評價對象的保持部件50與評價裝置（例如，探針）等的不期望的偏移或接觸，從而正常地進行評價。
而且，根據本發明的保持工具1，藉由利用具有0.2≦RE1 ≦1且35 MPa≦E'（25）≦1500 MPa這一特性的樹脂材料作為基層21，無論保持膜20的伸展是否因向吸盤台吸附時的加熱而鬆弛，均可維持進一步伸展的餘地，以便為拾取步驟做準備，使經單片化的保持部件50彼此（具體而言，二次前驅體52彼此）分離。即，即便是在向吸盤台吸附時不被加熱，而保持著經預備伸展的狀態，亦可使其自此狀態進一步伸展，而使保持部件50彼此分離以便拾取。
〈1〉部件
本方法中所使用的保持工具1如上所述，是用以在對經加工會成為部件的前驅體等進行部件製造期間，對所述前驅體等進行保持的治具。
此處，部件（完成部件）是指完成了對前驅體的所有加工者。另一方面，前驅體是指處於成為部件的過程中加工未完成者。而且，關於前驅體，根據其加工階段，例如可將單片化前的前驅體區別為一次前驅體，將單片化後的前驅體區別為二次前驅體（單片部件）。保持工具1可對該些部件、前驅體、一次前驅體及二次前驅體等所有的加工階段的物件進行保持。即，保持工具1的保持對象包括部件、前驅體、一次前驅體及二次前驅體等所有的加工階段的物件。
在本說明書中，由於有時難以根據各個加工階段如上所述般對該些保持對象進行分別記載，因此無論各加工階段如何，亦將保持工具1所保持者記載為保持部件50。
作為所述保持部件50，具體而言，可列舉：（1）半導體晶圓、（2）形成有電路的半導體晶圓、（3）形成有電路的半導體晶圓經單片化的半導體部件的前驅體、（4）半導體部件、（5）搭載半導體部件以前的各種框架（未經單片化）、（6）在各種框架上搭載有半導體部件的陣列狀電子部件、（7）以密封材將半導體部件進行了密封的陣列狀電子部件、（8）陣列狀電子部件經單片化的電子部件等。
再者，如前所述，在將單片化前的前驅體區別為一次前驅體51，將單片化後的前驅體區別為二次前驅體52的情況下，一次前驅體51中例如包括：（1）半導體晶圓、或（2）形成有電路的半導體晶圓、（5）搭載半導體部件以前的各種框架（未經單片化）、（6）在各種框架上搭載有半導體部件的陣列狀電子部件、（7）以密封材將半導體部件進行了密封的陣列狀電子部件。另一方面，在二次前驅體52中例如包括：（3）形成有電路的半導體晶圓經單片化的半導體部件的前驅體、（4）半導體部件、（8）陣列狀電子部件經單片化的電子部件。
進而，在所述陣列狀電子部件中包括下述形態（1）-形態（3）。
（1）：將自形成有電路的半導體晶圓獲得的半導體部件（晶片、晶粒）排列至引線框架上，並進行打線（wire bonding）後，利用密封劑進行密封而獲得的陣列狀電子部件。
（2）：將自形成有電路的半導體晶圓獲得的半導體部件（晶片、晶粒）離開距離排列，並利用密封劑密封後，一括形成再配線層及凸塊電極等與外部獲得導通的外部電路而成的陣列狀電子部件。即，為在扇出方式（嵌入式晶圓級球柵陣列（embedded Wafer Level Ball Grid Array，eWLB）方式）中獲得的陣列狀電子部件。
（3）：將半導體晶圓以晶圓狀態直接進行利用，並一括形成再配線層及凸塊電極等與外部獲得導通的外部電路或利用密封劑進行密封而得的密封層而成的陣列狀電子部件。此形態（3）中的半導體晶圓包括單片化前狀態即半導體部件（晶片、晶粒）形成為陣列狀的形態、或將半導體晶圓以基體的形式來利用（將具有電路的晶片接合於非電路矽基本上來利用的形態）等。即，在形態（3）的陣列狀電子部件中包括在晶圓級晶片尺寸封裝（Wafer level Chip Size Package，WLCSP）方式中獲得的陣列狀電子部件。
而且，作為所述電路，可列舉配線、電容器（capacitor）、二極體及電晶體等，可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
〈2〉保持工具形成步驟
保持工具形成步驟R10是形成保持工具1的步驟。
在此步驟R10中，將保持膜20以向不同的三方向以上的方向或全周伸展的狀態張設於框體10，而形成保持工具1。
再者，在本發明中，處於被伸展前或伸展期間的狀態的保持膜20（或材料膜201）未保持有保持部件50。即，至少將保持膜20（或材料膜201）伸展以後可對保持部件50進行保持。關於對保持部件50進行保持的保持步驟R11，將後述。
〈2-1〉保持工具
保持工具1具有框體10及保持膜20。
〈2-2〉框體
框體10是維持為保持膜20的伸展狀態並進行固定的部件。因此，具有不會因經伸展的保持膜20的張力而變形的剛性。而且，框體10具有開口部10h。在部件製造時，可將保持部件50保持於保持膜20中位於框體10的開口部10h內的區域。開口部10h的大小及形狀等並無限定，可為適合於部件製造的適當的大小及形狀等。框體10除具有所述開口部10h以外並無限定。
框體10例如可利用包括形成為圓環狀的單一部件的框體10。作為包括單一部件的框體10，可列舉（1）包括呈圓環狀的平板的框體10（參照圖5）。
而且，可利用藉由卡合而成為一個框體10的包括多個部件的框體10（參照圖6～圖8）。作為包括多個部件的框體10，可列舉（2）具有圓環狀的內框111及能夠與內框111卡合的圓環狀的外框112的框體10（參照圖6及圖7）。另外，可列舉（3）具有圓環狀的上框121及能夠與上框121卡合的圓環狀的下框122的框體10（以在下框122之上層疊上框121的方式進行卡合的形態）（參照圖8）。該些包括多個部件的框體10中的卡合形態並無限定，例如可利用借助嵌入形狀（凹凸形狀等）的卡合形態，而且亦可利用磁吸卡合等其他卡合形態。
如上所述，在框體10（1）呈平板的圓環狀的情況下（參照圖5），關於保持膜20，藉由將保持層22設為能夠貼附於框體10的一面10a的層，並對框體10的一面10a黏貼保持層22，而能夠將保持膜20張設於框體10（參照圖3）。即，可將保持膜20以伸展的狀態固定於框體10。
另一方面，在框體10（2）具有內框111及外框112的情況下（參照圖6及圖7），以及（3）具有上框121及下框122的情況下（參照圖8），關於保持膜20，藉由將保持膜20夾於框間（內框111與外框112之間，上框121與下框122之間）而能夠將保持膜20張設於框體10。即，可將保持膜20以伸展的狀態固定於框體10。
再者，所謂為圓環狀，是指為具有開口部10h的框，其具體的開口面積或形狀、框的形狀等並無限定。即，框的大致形狀既可為圓形，亦可為多邊形，抑或可為其他形狀。而且，框的內形與外形可對應（內形及外形此兩者為圓形等），亦可不對應（內形為多邊形，外形為圓形等）。
構成框體10的材料並無限定，可適當視需要利用有機材料（樹脂、彈性體等）及無機材料（金屬、陶瓷等）。其中，作為有機材料，可列舉：聚碳酸酯樹脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯（Acrylonitrile-Butadiene-Styrene，ABS）樹脂、聚酯樹脂（芳香族聚酯樹脂、液晶性聚酯樹脂等）、聚醯胺樹脂（芳香族聚醯胺樹脂等）、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。可對有機材料進而調配無機材料填料、無機材料增強纖維（纖維玻璃纖維、碳纖維等）、有機材料填料、有機材料增強纖維（芳香族聚醯胺樹脂纖維等）等增強材料。增強材料可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
〈2-3〉保持膜
保持膜20具有基層21及保持層22。
〈2-4〉基層
基層21如前所述，具有0.2≦RE1 ≦1且35 MPa≦E'（25）≦1500 MPa的特性。更具體而言，作為所述基層21，可利用具有所述特性的熱塑性彈性體。
所述保持膜20因基層21具有所述特性而能夠以得到伸展的狀態張設於框體10，因此，即便被加熱，亦可不產生熱褶皺地吸附·固定於吸盤台。此外，具有可在進行拾取時，自伸展狀態進一步伸展的柔軟性。
再者，若RE1 成為RE1 ≦0.2，則即便成功將保持工具1吸附於經加熱的吸盤台，亦存在在使其分離時，變得容易粘附保持膜20，從而變得不易在加熱狀態下自吸盤台分離的傾向。此時，為了使保持工具1自吸盤台分離，需要對吸盤台進行冷卻等應對，就部件製造的時間週期會下降這一觀點而言，欠佳。
所述比RE1 較佳為0.2≦RE1 ≦1，進而較佳為0.23≦RE1 ≦0.90，進而較佳為0.24≦RE1 ≦0.80，進而較佳為0.30≦RE1 ≦0.78，進而較佳為0.32≦RE1 ≦0.75，進而較佳為0.35≦RE1 ≦0.70，進而較佳為0.38≦RE1 ≦0.65。在各較佳的範圍中，即便在吸盤台的加熱時，亦可更有效果地防止熱褶皺的發生，並且可在吸附停止後更容易地自吸盤台取下。
而且，在0.2≦RE1 ≦1的範圍內，E'（25）較佳為38 MPa≦E'（25）≦1000 MPa，進而較佳為40 MPa≦E'（25）≦700 MPa，進而較佳為42 MPa≦E'（25）≦500 MPa，進而較佳為44 MPa≦E'（25）≦350 MPa，進而較佳為46 MPa≦E'（25）≦250 MPa，進而較佳為48 MPa≦E'（25）≦200 MPa，進而較佳為50 MPa≦E'（25）≦180 MPa，進而較佳為51 MPa≦E'（25）≦150 MPa。此E'（25）的值可在基層的MD方向及TD方向上不同，較佳為在基層的MD方向及TD方向的兩者中為所述範圍。
進而，E'（100）較佳為10 MPa≦E'（100）≦500 MPa，進而較佳為15 MPa≦E'（100）≦300 MPa，進而較佳為17 MPa≦E'（100）≦250 MPa，進而較佳為20 MPa≦E'（100）≦150 MPa，進而較佳為25 MPa≦E'（100）≦50 MPa，進而較佳為26 MPa≦E'（100）≦45 MPa，進而較佳為27 MPa≦E'（100）≦42 MPa。此E'（100）的值可在基層的MD方向及TD方向上不同，較佳為在基層的MD方向及TD方向的兩者中為所述範圍。
再者，「E'（100）」表示基層21的100℃下的拉伸彈性係數，「E'（25）」表示基層21的25℃下的拉伸彈性係數。該些各彈性係數E'是藉由動態黏彈性測定裝置（DMA：Dynamic Mechanical Analysis）來測定。具體而言，將樣品尺寸設為寬度10 mm、治具（chuck）間的長度20 mm，於頻率1 Hz、昇溫速度5℃/分鐘的測定條件下自-50℃至200℃進行測定，自所獲得的資料來讀取各溫度的資料，藉此獲得彈性係數E'。即，將25℃下的值設為拉伸彈性係數E'（25），將100℃下的值設為拉伸彈性係數E'（100）。
進而，基層21的線熱膨脹係數並無限定，可設為100 ppm/K以上。作為此種材料，如前所述可列舉熱塑性彈性體。即，熱塑性彈性體為線熱膨脹係數比較大的材料，大的線熱膨脹係數被認為是在高溫下使保持膜20熱膨脹並產生熱褶皺的驅動因素。如此，使用線熱膨脹係數為100 ppm/K以上的基層21的保持膜20存在特別是在加熱環境下容易因產生褶皺等而產生對吸盤台的吸附不良情況的傾向。相對於此，在利用線熱膨脹係數為100 ppm/K以上的基層21的情況下，藉由將其RE1 設為0.2≦RE1 ≦1且將E'（25）設為35 MPa以上且1500 MPa以下，亦可防止加溫環境下向吸盤台的吸附不良。
此線熱膨脹係數較佳為100 ppm/K以上且300 ppm/K以下，進而較佳為130 ppm/K以上且280 ppm/K以下，進而更佳為150 ppm/K以上且250 ppm/K以下，進而更佳為165 ppm/K以上且240 ppm/K以下。此線熱膨脹係數為依照JIS K7197而測定的測定溫度範圍23℃～150℃的平均線熱膨脹率。
基層21的厚度並無限定，例如可設為50 μm以上且500 μm以下，較佳為55 μm以上且250 μm以下，更佳為60 μm以上且200 μm以下，進而佳為65 μm以上且185 μm以下，尤佳為70 μm以上且170 μm以下。再者，並不考慮基層的延伸的有無。
基層21只要具有所述各種特性並可支撐保持層22即可，其材質並無特別限定。作為構成基層21的材料，較佳為樹脂，樹脂中，較佳為具有充分的柔軟性（力學伸縮性）的樹脂，尤其較佳為具有彈性體性的樹脂。
作為具有彈性體性的樹脂，可列舉熱塑性彈性體及矽酮等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些中，較佳為具有熱塑性者，因此較佳為熱塑性彈性體。熱塑性彈性體可包含具有硬段及軟段的嵌段共聚物，亦可包含硬質聚合物與軟質聚合物的聚合物合金（polymer alloy），抑或可為具有該些兩者的特性者。
在包含熱塑性彈性體的情況下，關於其比例，相對於構成基層21的樹脂整體，例如可設為30質量%以上且100質量%以下。即，構成基層21的樹脂可僅包含熱塑性彈性體。熱塑性彈性體的比例進而較佳為50質量%以上且100質量%以下，更佳為70質量%以上且100質量%以下。
具體而言，作為熱塑性彈性體，可列舉：聚酯系熱塑性彈性體、聚醯胺系熱塑性彈性體、苯乙烯系熱塑性彈性體、烯烴系熱塑性彈性體、氯乙烯系熱塑性彈性體、聚醯亞胺系熱塑性彈性體（聚醯亞胺酯系、聚醯亞胺胺基甲酸酯系等）等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
該些中，較佳為聚酯系熱塑性彈性體、聚醯胺系熱塑性彈性體、聚醯亞胺系熱塑性彈性體，進而尤佳為聚酯系熱塑性彈性體及/或聚醯胺系熱塑性彈性體。
聚酯系熱塑性彈性體除了以聚酯成分作為硬段以外，可為任意構成。作為軟段，可利用聚酯、聚醚及聚醚酯等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。即，例如構成硬段的聚酯成分可包含源自對苯二甲酸二甲酯等單體的構成單元。另一方面，構成軟段的成分可包含源自1,4-丁二醇及聚(氧基四亞甲基)二醇等單體的構成單元。
更具體可列舉PBT-PE-PBT型聚酯系熱塑性彈性體等。
作為此種聚酯系熱塑性彈性體，可列舉：三菱化學股份有限公司製造的「普利馬羅（Primalloy）（商品名）」、東麗杜邦（Toray-Dupont）公司製造的「海特萊爾（Hytrel）（商品名）」、東洋紡股份有限公司製造的「派爾普蘭（Pelprene）（商品名）」、理研科技（Riken technos）股份有限公司製造的「海帕羅伊愛可提瑪（Hyper Alloy Actymer）（商品名）」等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
聚醯胺系熱塑性彈性體除了以聚醯胺成分作為硬段以外，可為任意構成。作為軟段，可利用聚酯、聚醚及聚醚酯等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。即，例如構成硬段的聚醯胺成分可列舉聚醯胺6、聚醯胺11及聚醯胺12等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些聚醯胺成分中可利用各種內醯胺等作為單體。另一方面，構成軟段的成分可包含源自二羧酸等單體或聚醚多元醇的構成單元。其中，聚醚多元醇較佳為聚醚二醇，例如可列舉聚(四亞甲基)二醇、聚(氧伸丙基)二醇等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
更具體可列舉：聚醚醯胺型聚醯胺系熱塑性彈性體、聚酯醯胺型聚醯胺系熱塑性彈性體、聚醚酯醯胺型聚醯胺系熱塑性彈性體等。
作為此種聚醯胺系熱塑性彈性體，可列舉：阿科瑪（Arkema）股份有限公司製造的「派巴克斯（Pebax）（商品名）」、大賽璐贏創（Daicel-Evonik）股份有限公司製造的「帶阿米德（Diamide）（商品名）」、大賽璐贏創（Daicel-Evonik）股份有限公司製造的「貝斯泰咪德（Vestamid）（商品名）」、宇部興產股份有限公司製造的「優貝斯達（UBESTA）XPA（商品名）」等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
而且，在基層21包含熱塑性彈性體以外的樹脂的情況下，作為此種樹脂，可列舉：聚酯、聚醯胺、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些中，較佳為聚酯及/或聚醯胺，具體可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸丁二酯等聚酯，尼龍6、尼龍12等聚醯胺。
具體而言，作為聚對苯二甲酸丁二酯，可列舉東麗（Toray）股份有限公司製造的「東麗考（toraycon）（商品名）」。此聚對苯二甲酸丁二酯可單獨用作基層21。
進而，基層21可在構成其的樹脂中包含塑化劑及軟化劑（礦物油等）、填充劑（碳酸鹽、硫酸鹽、鈦酸鹽、矽酸鹽、氧化物（氧化鈦、氧化鎂）、二氧化矽、滑石、雲母、黏土、纖維填料等）、抗氧化劑、光穩定劑、抗靜電劑、潤滑劑、著色劑等各種添加劑。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
〈2-5〉保持層
保持層22為例如由黏著材等形成的層，以便可對保持部件50進行保持。可僅於基層21的一面包括保持層22，亦可於基層21的兩面包括保持層22。保持層22可與基層21直接相接而設置，亦可介隔其他層而設置。
在保持層22由黏著材形成的情況下，保持層22的黏著力並無特別限定，較佳為貼附於矽晶圓的表面上並放置5分鐘後，沿30°方向以剝離速度10 mm/分自矽晶圓的表面剝離時所測定的對矽晶圓的黏著力（在溫度23℃、相對濕度50%的環境下測定，另外，依照JIS Z0237）為0.1 N/25 mm以上且10 N/25 mm以下。在黏著力為所述範圍的情況下，可確保與被貼附物（即，保持部件50）的良好的貼附性。此黏著力進而更佳為1 N/25 mm以上且9 N/25 mm以下，進而佳為2 N/25 mm以上且8 N/25 mm以下。
而且，保持層22的厚度（基層21的其中一面側的厚度）並無特別限定，較佳為1 μm以上且40 μm以下，更佳為2 μm以上且35 μm以下，尤佳為3 μm以上且25 μm以下。
黏著材只要具有所述特性即可，可使用任意材料。通常至少包含黏著主劑。作為黏著主劑，可列舉丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、橡膠系黏著劑等。另外，此黏著材除了黏著主劑以外可包含交聯劑。
進而，黏著材既可為可藉由能量線而硬化的能量線硬化型黏著材，亦可為不藉由能量線而硬化的能量非硬化型黏著材。在為能量線硬化型黏著材的情況下，藉由對黏著材進行能量線照射，使黏著材硬化而使其黏著力降低，在使保持部件50自保持層22分離時，可防止對保持部件50的殘糊。能量線的種類並無限定，可利用紫外線、電子束、紅外線等。
在為能量線硬化型黏著材的情況下，黏著材除了所述黏著主劑以外，可包含於分子內具有碳-碳雙鍵的化合物、及可對能量線發生反應而引發硬化性化合物的聚合的聚合起始劑。此硬化性化合物較佳為於分子中具有碳-碳雙鍵且可藉由自由基聚合而硬化的單體、寡聚物及/或聚合物。
〈2-6〉其他層
保持膜20可僅包含基層21及保持層22，但可包括其他層。作為其他層，可列舉：可吸收黏貼面的凹凸形狀而使膜面平滑的凹凸吸收層、提昇與黏著材的界面強度的界面強度提昇層、抑制低分子量成分自基層21向黏著面轉移的防轉移層、降低表面的電阻的抗靜電層等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
〈2-7〉張設
保持膜20在向不同的三方向以上的方向伸展的狀態下張設於框體10。所述張設是指維持著保持膜20的伸展狀態而固定於框體10。而且，當然，保持膜20在可維持彈性變形的範圍內得到伸展。
張設只要結果上將保持膜20以得到伸展的狀態固定於框體10即可。而且，就防止熱褶皺的觀點而言，保持膜20的伸展率在可維持彈性變形的範圍內的更大者較佳。尤其是基層21如前所述，具有彈性性質，因此，若伸展率大，則在可將各伸展方向上的伸展率差抑制得小的方面會更優異。
具體而言，較佳為以在以框體10的開口部10h的中心P（圖形重心P）為基點的等角放射狀的不同的三方向上測定的伸展率的平均值成為0.3%以上（通常為5%以下）的方式來張設保持膜20。藉由以伸展率的平均值成為0.3%以上的方式進行張設，在開口部10h的中心P，所受到的力容易平衡，結果可使熱褶皺不易產生。所述伸展率的平均值例如可設為0.34%以上且3.0%以下，可設為0.38%以上且2.5%以下，可設為0.42%以上且2.0%以下，可設為0.46%以上且1.9%以下，可設為0.5%以上且1.5%以下。
再者，所述伸展率是藉由圖9所示的方法而測定。即，以免張設於框體10的保持膜20受到張力，在保持著背面的狀態（圖9中的(a)）下，自相對於框體10的內周形狀而言的圖形中心起描繪彼此等角地放射狀配置的三根直線43（圖9中的(b)）。繼而，使用切斷刀45，將框體10內周與框線41之間切斷（要避免保持膜20的塑性變形），將張設於框體10的開口部10h內的保持膜20的一部分（29）切離。然後，將切離的保持膜的一部分29以不受到張力的方式載置於平坦的場所（圖9中的(d)）。此外，對圖9中的(b)中的伸展狀態的各直線43的長度（L1 、L2 及L3 ）與圖9中的(d)所示的載置狀態的各直線43的長度（L1 '、L2 '及L3 '）進行比較，獲得各三方向各者的伸展率（{(L1 -L1 ')/L1 '}、{(L2 -L2 ')/L2 '}、{(L3 -L3 ')/L3 '}）。如此獲得的值為各一方向上的伸展率。而且，其平均值為所述伸展率的平均值。
而且，無論框體形狀如何，均可利用所述伸展率及其差的測定。例如，關於適用於具有大致四邊形的框體的保持工具1的情況，示於圖9中的(e)。進而，只要所述伸展率差足夠小，則無論製造保持工具1時，保持膜被向幾個方向伸展，如何張設，均可獲知是否在保持膜中存在潛在的失衡張力。
進而，保持膜20較佳為以更多的方向上的伸展力平衡的方式進行伸展。即，與向三方向伸展相比，向四方向伸展較佳，與向四方向伸展相比，向五方向伸展較佳。更具體而言，較佳為向六方向以上或全周均等地伸展，更佳為向8方向以上或全周均等地伸展。而且，伸展方向較佳為彼此等角地配置。例如，在自多個方向進行伸展的情況下，較佳為使正多邊形的中心成為所述中心P，並自正多邊形的中心向各頂點方向伸展。
具體而言，較佳為以在以框體10的開口部10h的中心P（圖形重心P）為基點的等角放射狀的不同的三方向上測定的伸展率之差成為0.4%以下（亦可為0%）的方式張設保持膜20。藉由以伸展率差成為0.4%以下的方式進行張設，在開口部10h的中心P，所受到的力容易平衡，結果可使熱褶皺不易產生。所述伸展率差例如可設為0%以上且0.4%以下，可設為0%以上且0.35%以下，可設為0%以上且0.32%以下，可設為0%以上且0.30%以下，可設為0%以上且0.28%以下。
再者，保持膜20伸展時的伸展率與張設於框體10的保持膜20的伸展率無需一致。較佳為結果上，張設於框體10的保持膜20的伸展率為均等。
在所述保持工具形成步驟R10中，保持膜20如何張設於框體10均可。通常，保持工具形成步驟R10包括：對保持膜20或成為保持膜的材料膜201進行伸展的伸展步驟R101、及以其伸展狀態得到維持的方式將保持膜20或材料膜201固定於框體10的固定步驟R102。進而，在使用材料膜201的情況下，可在固定步驟R102之後，具有自材料膜201切離不需要部分202而獲得保持膜20的切離步驟R103。
再者，材料膜201是被切離不需要部分202後會成為保持膜20的膜，例如包括原坯膜等。
〈2-8〉伸展步驟
伸展步驟R101是對保持膜20或材料膜201進行伸展的步驟。在伸展步驟R101中，如何伸展保持膜20或材料膜201均可，只要結果向不同的三方向以上的方向或全周伸展即可。再者，例如，在藉由將一端固定，而對另一端進行拉伸來使膜伸展的情況下，在本說明書中，所述膜成為被向不同的兩方向拉伸的膜。即，無論實際上是否進行了拉伸，在所受到的力的方向存在兩個的情況下，便成為被向兩方向伸展的膜。當然，關於兩方向以上的各方向亦相同。
因此，為了形成被向不同的三方向伸展的保持膜20，在伸展步驟R101中，可選擇自不同的三方向進行拉伸、或固定一個部位，而自兩個部位進行拉伸、或固定兩個部位而自一個部位進行拉伸。同樣地，形成被向不同的四方向以上伸展的保持膜20時亦相同。
然而，保持膜20如前所述是具有彈性性質的膜，因此若擴展方向的數量少，則向各方向拉長的距離變大，在步驟上或裝置上是不便的。因此，伸展方向較佳為更多。就此種觀點而言，較佳為向六方向以上或全周均等地伸展，更佳為向8方向以上或全周均等地伸展。而且，伸展方向較佳為彼此等角地配置。例如，在自多個方向進行伸展的情況下，較佳為使正多邊形的中心成為所述中心P，並自正多邊形的中心向各頂點方向伸展（即，離心方向）。
而且，就所述般的理由而言，在本方法中，更佳為在平面（X-Y）方向上將膜固定，並向Z軸方向頂推膜而使其伸展。
即，在伸展步驟R101中，較佳為將保持膜20或材料膜201藉由自基層21側進行頂推而形成伸展狀態，尤其是在利用框狀的固定治具251來固定保持膜20或材料膜201方面，較佳為藉由利用頂推治具252進行頂推來使其伸展（參照圖2）。藉此，可減小機械工作距離，從而正確且效率良好地使膜伸展。
再者，當然，在頂推時，可使頂推治具252及保持膜20（亦可為材料膜201）中的任一者移動以進行伸展。即，既可對膜進行固定，並僅使頂推治具252在Z軸方向上移動來頂推，亦可對頂推治具252進行固定，並僅使膜在Z軸方向上移動來頂推，抑或可使該些兩者相互向Z軸方向移動（即，以使彼此的距離靠近的方式）來頂推。
而且，在伸展步驟R101為利用頂推治具252自基層21側頂推保持膜20或材料膜201而使其伸展的步驟的情況下，抵接於保持膜20或材料膜201的頂推治具252的抵接面積較佳為大而非小。
具體而言，在使用框狀的固定治具251的情況下，頂推治具252較佳為具有其開口面積（框狀的固定治具251的內側的開口部的面積）的50%以上（亦可為100%）的抵接面積。藉由使此抵接面積率為50%以上，可減小機械工作距離，從而正確且效率良好地使膜伸展。此抵接面積率較佳為70%以上，更佳為80%以上。
進而，頂推治具252與保持膜20或材料膜201抵接的外緣252a（抵接外緣）的形狀雖並無限定，但較佳為大致圓形。具體而言，頂推治具252的端部形狀例如可設為圓柱形或圓筒形。在端部形狀為圓柱形的情況下，抵接面的形狀成為圓形。而且，在端部形狀為圓筒形狀的情況下，抵接面的形狀成為圓筒形。該些作為抵接面來看是不同的形狀，但作為抵接外緣252a的形狀來看均為圓形。在頂推治具252與保持膜20或材料膜201的抵接外緣252a為大致圓形的情況下，尤其是在抵接外緣252a的中心與框狀的固定治具251的開口部的中心一致的情況下，可將膜均等地伸展，因此較佳。
即，在伸展步驟R101中，較佳為使用開口形狀設為大致圓形的框狀的固定治具251將保持膜20或材料膜201固定，並使用具有相當於此固定治具251的開口面積的50%的抵接面積且抵接外緣252a為大致圓形的頂推治具252，頂推保持膜20或材料膜201而使其伸展。
具體而言，作為固定治具251，例如設想使用具有直徑30 cm的開口部251h的圓環狀的固定治具251的情況。在此情況下，為了對膜（保持膜20或材料膜201）如前所述般以在以框體10的開口部10h的中心P為基點的等角放射狀的不同的三方向上測定的伸展率的平均值成為0.3%以上的方式進行張設，藉由首先以將膜在不進行伸展的情況下張拉於固定治具251的狀態（即，膜在開口部251h內雖未鬆弛但亦未伸展的狀態）為基準，之後，將覆蓋開口部251h的膜面積的50%以上的區域按下0.5 mm以上（通常為20 mm以下），而可獲得所述狀態。當然，只要獲得與此相同程度的伸展狀態即可，所以可不基於所述形狀及方法來進行伸展。
在如上所述般進行伸展的情況下，尤其較佳為將覆蓋開口部251h的膜面積的85%的區域按下1 mm以上且15 mm以下進行伸展而成的狀態，更佳為按下1.5 mm以上且10 mm以下進行伸展而成的狀態，尤佳為按下2 mm以上且8 mm以下進行伸展而成的狀態。
而且，較佳為使用頂推治具252的抵接外緣252a經低摩擦加工者，以便可與降低保持膜20或材料膜201之間產生的摩擦。具體而言，可使用僅將抵接外緣252a以氟系樹脂來形成的頂推治具252或將其整體藉由氟系樹脂來形成的頂推治具252等。
〈2-9〉固定步驟
固定步驟R102是將在伸展步驟R101中得到伸展的膜（保持膜20或材料膜201）以維持其伸展狀態的方式固定於框體10的步驟（參照圖3）。
再者，伸展步驟R101中的保持膜20或材料膜201的最大伸展率與固定於框體10狀態的保持膜20或材料膜201的伸展率無需一致。
固定如何進行均可。例如可列舉：（1）將膜貼附於框體10來進行的固定、（2）將膜熔接於框體10來進行的固定、（3）將膜夾於框體10的卡合部來進行的固定等。該些固定形態可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
其中，所述（1）的固定形態例如可在保持層22具有貼附力的情況下利用。即，可藉由利用所述貼附力，將膜貼附於框體10來進行固定。
而且，所述（2）的固定形態在使用樹脂作為構成框體10的材料的情況下較佳。即，可藉由將伸展狀態的膜加熱而熔接於框體10來進行固定。所述（2）的固定形態在難以利用（1）的固定形態的情況下可為有效。可併用該些（1）的固定形態及（2）的固定形態。即，例如可藉由貼附將膜暫時固定於框體10，之後將膜熔接而固定於框體10。
而且，所述（3）的固定形態在使用由能夠卡合的多個部件構成的框體10的情況下較佳。即，在框體10由能夠卡合的多部件構成的情況下，藉由在能夠卡合的部件間，在對該些進行卡合之前，將膜以伸展的狀態插入，之後，將部件彼此卡合，而可將膜以伸展的狀態維持於框體10。更具體而言，在使用具有圓環狀的內框111及能夠與內框111的外周卡合的圓環狀的外框112的框體10的情況下，藉由在內框111與外框112之間，一面伸展一面將膜夾入，並將內框111與外框112卡合，而可將膜以伸展的狀態維持於框體10。
而且，可併用（1）的固定形態及（3）的固定形態。即，例如，可藉由貼附將膜暫時固定於內框111，之後將外框112卡合。
〈2-10〉切離步驟
切離步驟R103是在伸展步驟R101及固定步驟R102中使用了材料膜201的情況下，自所述材料膜201切離不需要部分202而獲得保持膜20的步驟（參照圖4）。
作為保持膜20，亦可利用不產生不需要部分202的恰當的尺寸者，但亦可利用會產生不需要部分202的材料膜201。作為材料膜201，例如可列舉被捲繞成輥狀的原坯膜等。切割（cut）可使用公知的方法等來適當進行。
〈2-11〉其他步驟
本部件製造方法除了保持工具形成步驟R10、伸展步驟R101、固定步驟R102及切離步驟R103以外亦可具有其他步驟。作為其他步驟，可列舉保持步驟R11、吸附步驟R12、評價步驟R13、單片化步驟R14、分離步驟R15、拾取步驟R16等。該些步驟可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
〈2-12〉保持步驟
保持步驟R11是將保持部件50保持於膜（保持膜20或材料膜201）的保持層22的步驟。更具體而言，是將前驅體（保持部件50）保持於保持工具形成步驟R10中的材料膜201的得到伸展的區域的步驟或將前驅體（保持部件50）保持於保持工具形成步驟R10中所獲得的保持工具1的保持膜20的步驟。如此，只要將保持部件50保持於膜的得到伸展的區域即可，具體的保持方法並無限定。通常，可使用具有貼附力的保持層22，利用此保持層22的貼附力，貼附保持部件50而使其保持於保持層22。
如上所述，保持步驟R11既可在保持工具形成步驟R10後進行，亦可在保持工具形成步驟R10內進行。
其中，作為在步驟R10後進行步驟R11的情況，可列舉將保持部件50保持於所獲得的保持工具1的保持膜20的情況（參照圖10）。
另一方面，作為在步驟R10內進行步驟R11的情況，可列舉下述（1）～（3）的態樣。即：
（1）在使保持部件50a保持於材料膜201的得到伸展的區域後，將保持有保持部件50a的狀態的材料膜201固定於框體10的情況（為步驟R101→步驟R11→步驟R102的步驟順序）（參照圖11）。
（2）將伸展的材料膜201固定於框體10，同時使保持部件50b保持於材料膜201的得到伸展的區域的情況（為步驟R101→步驟R11·步驟R102的步驟順序）（參照圖11）。
（3）在將伸展的材料膜201固定於框體10後，切離不需要部分202前，使保持部件50c保持於材料膜201的得到伸展的區域的情況（為步驟R101→步驟R102→步驟R11的步驟順序）（參照圖11）。
〈2-13〉吸附步驟
吸附步驟R12是在保持步驟R11後，將保持有保持部件50的保持膜20自基層21側吸附於經加熱的吸盤台60的表面61的步驟（參照圖12及圖16）。此處，將保持部件50為一次前驅體51的情況例示於圖12。另一方面，將保持部件50為二次前驅體（單片部件）52的情況例示於圖16。吸附步驟R12在部件製造的所有步驟內通常至少進行一次，亦可進行兩次以上。即，既可在保持部件50為一次前驅體51時進行吸附步驟R12，亦可在保持部件50為二次前驅體（單片部件）52時進行吸附步驟R12。在部件製造的所有步驟內既可僅在所述任一情況下進行吸附步驟R12，亦可在兩種情況下均進行。
而且，在吸附步驟R12後可進行任何步驟，但典型而言，可進行評價步驟R13。
如前所述，在先前的保持工具中，當欲將保持工具吸附·固定於經加熱的吸盤台60時，存在在保持膜20'中產生褶皺X的情況（參照圖21）。當產生褶皺X時，存在由褶皺X引起抽吸洩漏，從而無法將保持工具正常吸附於吸盤台60，或在保持膜20的表面產生由褶皺X引起的凹凸，伴隨於此，保持部件50追隨所述凹凸而上下，從而在評價步驟中無法使探針與保持部件50正常接觸的可能性。
相對於此，在本方法、本保持膜及本裝置中，褶皺X的產生得到防止，可將保持工具1正常地吸附固定於吸盤台60，亦可防止評價步驟中的所述不良情況。
而且，吸附步驟R12中所使用的吸盤台60（參照圖12及圖16）包括具有平滑的頂面61的工作台（頂板）。藉由吸附，保持有保持部件50的保持膜20在其基層21側與頂面61相接。此吸盤台60可具有任何抽吸結構，例如可使用具有抽吸孔或抽吸槽等抽吸路徑的成形體（金屬成形體、陶瓷成形體、樹脂成形體等）或多孔質成形體（金屬成形體、陶瓷成形體、樹脂成形體等）。再者，多孔質成形體中將連通表背的孔（連通孔）及/或貫通表背的孔（貫通孔）設為抽吸路徑。所謂頂面61平滑，是指除去所述抽吸路徑以外的平滑。
進而，所謂經加熱的吸盤台60是指使吸盤台60成為比操作環境高的溫度的狀態。具體而言，設想經預熱的狀態的吸盤台60、或為了加大時間週期，不充分地進行吸盤台60的放置冷卻或冷卻而連續地使其吸附保持工具1時的吸盤台60等。尤其是，在本方法中，設想表面61的溫度為70℃以上的吸盤台60。所述表面61的溫度通常為200℃以下，進而可設為75℃以上且190℃以下，進而可設為80℃以上且180℃以下，進而可設為85℃以上且170℃以下，進而可設為90℃以上且160℃以下。
再者，本方法中的吸附步驟R12是針對經加熱的吸盤台60來進行，對未經加熱的吸盤台吸附保持膜20的步驟R12'可獨立於本方法中的吸附步驟R12來適當進行。例如，可在單片化步驟R14之前進行。即，可列舉在藉由吸附將一次前驅體51固定於吸盤台後進行單片化的情況等。
〈2-14〉評價步驟
評價步驟R13是對保持於保持膜20的保持部件50進行評價的步驟（參照圖13及圖17）。通常，評價步驟R13是在吸附步驟R12之後進行。評價步驟R13所進行的評價內容並無限定，例如可列舉利用探針（probe）對保持部件50（一次前驅體51或二次前驅體52）的電路的電氣特性在規定的溫度域（例如，100℃以上或170℃以下）能否發揮必要的特性進行評價這一評價內容。另外，可列舉以期望的溫度域中的加速耐久試驗為目的的評價（例如燒入試驗（burn-in test））等。在評價步驟R13中，該些評價內容可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
更具體而言，例如，使形成有多個探針81的探針卡80接觸保持部件50（一次前驅體51或二次前驅體52）的規定的對應的部位來進行電性連接，可進行探針81與各部件50上所形成的電路之間所交換的信號的正確與否判斷（探針測試（probe test））（參照圖13及圖17）。再者，作為評價，如上所述，除了使探針接觸而進行的電性評價（探針測試）以外，亦可列舉非接觸的光學式的評價。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
〈2-15〉單片化步驟
單片化步驟R14是將一次前驅體51單片化而獲得二次前驅體52（單片部件）的步驟（參照圖14）。通常，在保持步驟R11，將保持部件50（一次前驅體51）在保持於保持膜20的狀態下直接單片化而獲得單片部件（二次前驅體52）。具體而言，例如可列舉將半導體晶圓（一次前驅體51）單片化而獲得半導體部件的前驅體（二次前驅體52）的步驟或將陣列狀電子部件（一次前驅體51）單片化而獲得電子部件的前驅體（二次前驅體52）的步驟。所述單片化步驟R14可適當使用先前公知的方法及手段來進行。
〈2-16〉分離步驟
分離步驟R15（圖19中的分離步驟為符號R15'）是使保持膜20進一步伸展，使保持膜20上所保持的保持部件50彼此分離的步驟（參照圖15及圖19）。通常，在分離步驟中，保持於保持膜20的保持部件50為單片部件52（二次前驅體52）。
此步驟R15是為了在進行拾取步驟R16之前預先使保持部件50彼此分離，以提升拾取性而進行。具體而言，可藉由如下方式來進行，即：使擋塊（stopper）91（可利用比框體10口徑小的另一框體等）抵接於保持膜20的基層21側，並將框體10按下（或推起擋塊91），藉此使開口部10h內的區域的保持膜20進一步伸展。
〈2-15〉拾取步驟
拾取步驟R16是在吸附步驟R12後已將單片部件52（即，為保持部件50，且為二次前驅體52）保持於保持膜20的情況下，自基層21側向保持層22側頂推，使保持膜20進一步伸展，藉此使單片部件52中的一部分單片部件52'與其他單片部件52分離並予以拾取的步驟R16（參照圖18）。實際的拾取能夠以使用拾取器具93對頂推起的保持部件50'進行抽吸等方式來進行。
而且，本方法中所利用的保持工具1所具有的保持膜20具有0.2≦RE1 ≦1且35 MPa≦E'（25）≦1500 MPa這一特性。因此，在拾取步驟中，可僅使貼附有保持膜20中的作為拾取對象的保持部件50'的部位大幅變形。即，將頂起構件92頂起時追隨抬起的周邊膜的面積抑制得小，可減小伴隨頂起而抬起的部位的直徑L（參照圖18）。藉此，可防止不期望的非拾取對象的保持部件50的抬高等不良情況。對於無法維持充分的柔軟性的膜而言，伴隨頂起而不期望地抬起的周邊膜的面積大，因此讓人擔心的是因與作為拾取對象的保持部件50'鄰接的其他保持部件50（非拾取對象部件）同時抬起或傾斜地抬起，而產生保持部件彼此碰撞等不良情況。關於所述方面，本方法利用所述本保持工具1，因此可防止此種不良情況。
再者，在本部件製造方法中，可在所有步驟中利用框體10，但亦可更換框體10來繼續之後的步驟。
即，本方法中所使用的保持膜20由於具有優異的伸展性，因此在必要時可進行伸展，並改貼至比框體10小的框體10'。具體而言，例如，在利用框體10進行了單片化步驟R14（參照圖14）後，進行分離步驟R15'（參照圖19），此時，藉由向框體10'張設並且使用切割刀253切除不需要部分，可獲得張設有進一步大幅伸展的狀態的保持膜20（在此保持膜20的表面保持有保持部件50）的二次的保持工具1'。即，可視需要進行框體更換步驟R17（參照圖19）。此時，可活用所述伸展方法（參照圖2）或切離步驟（參照圖4）。
[2]保持膜
本發明的保持膜20是用於本發明的部件製造方法的保持膜，如前所述。即，具有基層21及設置於基層21的一面側的保持層22，基層21中100℃的彈性係數E'（100）與25℃的彈性係數E'（25）的比RE1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦RE1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且1500 MPa以下。而且，所述保持膜20的基層21的線熱膨脹係數可設為100 ppm/K以上。進而，基層21可採用包含熱塑性聚酯系彈性體、熱塑性聚醯胺系彈性體及聚對苯二甲酸丁二酯中的至少一種者。
[3]保持工具形成裝置
本發明的保持工具形成裝置70是形成保持工具1的裝置，包括伸展機構71、固定機構72及切離機構73（參照圖20）。再者，保持工具形成裝置70亦可設為具有伸展機構71及固定機構72，而不具有切離機構73的構成。
其中，伸展機構71是將材料膜201藉由自基層21側頂推而形成伸展狀態的機構（參照圖2）。
而且，固定機構72是以維持伸展狀態的方式將材料膜201固定於框體10的機構（參照圖3）。
進而，切離機構73是自材料膜201切離不需要部分202而獲得保持膜20的機構（參照圖4）。
再者，所形成的保持工具1如前所述。
伸展機構71例如可具有對材料膜201進行固定的固定治具251、以及自基層21側頂推材料膜201而使所述材料膜201伸展的頂推治具252（參照圖20及圖2）。
其中，固定治具251的構成並無限定，如前所述可使用框形狀的固定治具251。具體的框形狀並無限定，較佳為開口部251h為大致圓形。而且，固定治具251可在其表面貼附保持層22以固定材料膜201，但在更牢固地固定的情況下，可與圖6～圖8所示的框體10的形態同樣地，使用內框及外框或者上框及下框，在兩個框間夾持並固定材料膜201。
而且，在使材料膜201伸展時，只要結果將材料膜201伸展即可，既可藉由將頂推治具252與材料膜201中的任一者固定，而使另一者移動來頂推，亦可使該兩者移動來頂推。而且，頂推治具252的抵接面積如前所述。進而，較佳為頂推治具252的抵接外緣252a為大致圓形，關於此亦相同。而且，較佳為對頂推治具252的抵接外緣252a進行低摩擦加工以便可降低與材料膜201之間產生的摩擦，關於此亦相同。
固定機構72例如可具有用以對框體10進行保持或使其移動的框體用治具721（參照圖20）。固定機構72只要能夠以維持材料膜201的伸展狀態的方式將材料膜201固定於框體10即可，可根據所所用的框體10的構成而採用適當的機構（參照圖3）。
切離機構73例如可具有用以將不需要部分202切離的切割刀253（參照圖20及圖4）。切離機構73只要可自材料膜201切離不需要部分202而獲得保持膜20即可，可採用適當的構成。
另外，本保持工具形成裝置70除了所述各機構以外亦可具有其他機構。作為其他機構，可具有用以使前驅體50（保持部件50）保持於材料膜201的得到伸展的區域201a的保持機構74（參照圖11）。
[實施例]
以下，利用實施例對本發明進行具體的說明。
[1]保持工具的製造
〈1〉膜的製造
〈實驗例1～實驗例2〉
（1）基層
作為基層21，準備兩種厚度110 μm的聚對苯二甲酸丁二酯（PBT）膜。使用此膜，利用動態黏彈性測定裝置（DMA：Dynamic Mechanical Analysis）（製品名：RSA-3，TA儀器（TA Instrument）公司製造）來測定拉伸彈性係數E'。具體而言，將樣品尺寸設為寬度10 mm、治具（chuck）間的長度20 mm，於頻率1 Hz、昇溫速度5℃/分鐘的測定條件下自-50℃至200℃進行測定，自所獲得的資料來讀取各溫度的資料。並且，將25℃下的值設為拉伸彈性係數E'（25），將100℃下的值設為拉伸彈性係數E'（100）。進而，使用該些值算出比RE1 （=E'（100）/E'（25））的值。
其結果，實驗例1的基層21中，E'（25）=1320 MPa，E'（100）=161 MPa，RE1 =0.12。再者，實驗例1的PBT膜的線熱膨脹係數為178 ppm/K。
另一方面，實驗例2的基層21中，E'（25）=550 MPa，E'（100）=138 MPa，RE1 =0.25。再者，實驗例2的PBT膜的線熱膨脹係數為188 ppm/K。
（2）保持層
作為保持層22，使用厚度20 μm的紫外線硬化型的丙烯酸系黏著劑。
（3）基層與保持層的積層
於所述（1）的基層21的一面上層壓所述（2）的保持層22，獲得實驗例1及實驗例2的保持膜20。
而且，依據JIS Z0237對所獲得的實驗例1及實驗例2的保持膜20的黏著力進行測定。即，利用橡膠輥（約2 kg）將試驗片一面加壓一面黏貼於矽晶圓，所述試驗片是將實驗例1及實驗例2的保持膜20切斷為寬度25 mm而得。繼而，在溫度23℃、相對濕度50%的環境下放置5分鐘後，將試驗片沿30°方向以剝離速度10 mm/分自矽晶圓剝下，對此時的黏著力進行測定。進行兩次測定，並算出平均值，結果，實驗例1及實驗例2的保持膜20的黏著力均為5.6 N/25 mm。
〈實驗例3〉
（1）基層
作為基層21，準備厚度110 μm的聚酯系熱塑性彈性體（TPEE）膜。使用此膜，與實驗例1～實驗例2同樣地測定拉伸彈性係數E'。其結果，實驗例3的基層21中，E'（25）=56 MPa，E'（100）=32 MPa，RE1 =0.57。再者，實驗例3的TPEE膜的線熱膨脹係數為220 ppm/K。
（2）保持層
作為保持層22，使用厚度20 μm的紫外線硬化型的丙烯酸系黏著劑。
（3）基層與保持層的積層
於所述（1）的基層21的一面上層壓所述（2）的保持層22，獲得實驗例3的保持膜20。而且，與實驗例1時同樣地測定的實施例3的保持膜20的黏著力為5.6 N/25 mm。
表1
〈2〉保持工具的製造（No.1-1～No.3-5）
藉由圖2～圖4所示的方法，將自側方對在具有直徑30 cm的開口部251h的固定治具251上不伸展地張掛有材料膜201的狀態（即，材料膜201在開口部251h內雖未鬆弛但亦未伸展的狀態）進行觀察的情況下，成為覆蓋開口部251h的保持膜20的面積的85%的區域，以圓柱形狀的頂推治具252按下，使材料膜201伸展。其伸展程度在所述側方視中，設為1 mm、3 mm、5 mm或7 mm（圖2中的「D」的距離）。在所述狀態下，如圖3所示，在各材料膜201的保持層22上黏貼平板圓環狀的框體10（溫度25℃環境下，框體10的內徑250 mm，切離後的保持膜20的外徑270 mm，框體10與保持膜20的接觸面積82 cm2 ）之後，藉由圖4所示的方法，使用切割刀沿著框體10的外周切離不需要部分202，獲得張設有保持膜20的保持工具1。
此時，以以下的基準對黏貼時及黏貼後的狀態進行評價，將其結果示於表1（「張設」的項目）。
「○」…可良好地張設，並可維持其狀態。
「×」…黏貼不良或者未能維持張設狀態30分鐘以上。
〈3〉保持工具的評價
於設定為溫度160℃的真空吸附式的吸盤台60的表面61上，吸附固定直至所述〈2〉為止而獲得的各保持工具（1-1、1-2、1-4、2-1～2-3、2-5、3-1～3-3及3-5）的保持膜20的基層21表面。以以下的基準對此時的吸附固定的狀態進行評價，將其結果示於表1中（「吸附」的項目）。再者，表1內「-」表示關於所述〈2〉的結果為「×」的實驗例未能進行評價。
「○」…可良好地吸附固定。
「△」…可吸附固定，但確認到稍許褶皺。
「×」…保持膜產生波動而未能吸附固定。
[2]實施例的效果
根據實驗例1-4（比較品）、實驗例2-5（比較品）及實驗例3-5（比較品）的結果，可知：進行兩方向的伸展方向少的伸展而張設保持膜的保持工具在張設狀態下的伸展率差變大為0.5%～2.1%。其結果，即便成功形成保持工具，亦因在加熱下產生熱褶皺而未能正常地進行吸附。
而且，在實驗例1-1～實驗例1-3（比較品）中，獲得了進行向全周方向的伸展而張設保持膜的保持工具，但在實驗例1-3中，未能維持張設狀態。而且，在實驗例1-1中，因在加熱下產生熱褶皺而未能正常地進行吸附。進而，在實驗例1-2中，保持工具的基層21雖包含於35≦E'（25）≦1500中，但RE1 =0.12，不包含在0.2≦RE1 ≦1中。即，實驗例1-2的基層21中，常溫時的E'與加熱時的E'在分別單獨來看時，均具有適合於部件製造的彈性率範圍，但其差大。結果，若伸展D=3 mm，則雖暫時可吸附，但是是在存在潛在的0.4%這一大的伸展率差的狀態下被吸附，所以認為處於令人擔心發生熱褶皺的狀況中。而且，實驗例1-2的基層21由於常溫時的E'大，因此相較於實驗例2～實驗例3，用以形成伸展D=3 mm的狀態的力需要更大，從而在以難以繼續加大伸展D的程度進行了張掛的狀態下形成保持工具。因此，認為：即便成功進行了吸附步驟，之後亦難以使用相同的保持工具來進行拾取步驟。即，預計可張設的伸展D的容許寬度窄，難以操作。
相對於此，實驗例2～實驗例3的保持工具的基層21包含在35≦E'（25）≦1500中，且包含在0.2≦RE1 ≦1中。其結果，在實驗例2中，伸展D=3 mm～5 mm的範圍，進而在實驗例3中，伸展D=1 mm～5 mm這一非常廣的範圍，可維持張設狀態，並且在加熱下不產生熱褶皺地成功正常吸附。進而，潛在的伸展率差均小為0.3%以下，尤其是實驗例2-2中為0.2%，非常小，在實驗例2-3及3-2中，為0.1進而小，尤其是在實驗例3-3中，為確認不到伸展率差的狀況。
再者，本發明不限於所述具體實施例所示的內容，可實現根據目的、用途於本發明的範圍內加以各種變更而成的實施例。
本說明書中除了所述部件製造方法、保持膜及保持工具形成裝置以外，亦包括所述保持膜的使用方法。
[1]一種保持膜的使用方法，其是一種製造選自半導體部件及電子部件中的任一部件的部件製造過程中的保持膜的使用方法，所述保持膜的使用方法的特徵在於：
所述保持膜具有基層及設置於所述基層的一面側的保持層，
所述基層中100℃的彈性係數E'（100）與25℃的彈性係數E'（25）的比RE1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦RE1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且1500 MPa以下，
所述部件製造過程包括：保持工具形成步驟，形成對經加工會成為所述部件的前驅體進行保持的保持工具，
所述保持工具形成步驟是將所述保持膜以向不同的三方向以上的方向或全周伸展的狀態並以覆蓋具有開口部的框體的所述開口部的方式，張設於所述框體，而形成所述保持工具的步驟。
[2]如所述[1]所述的保持膜的使用方法，其中，所述保持工具形成步驟包括：
伸展步驟，將成為所述保持膜的材料膜藉由自所述基層側進行頂推而形成伸展狀態；
固定步驟，以維持伸展狀態的方式將所述材料膜固定於所述框體；以及
切離步驟，自所述材料膜切離不需要部分而獲得所述保持膜。
[3]如所述[1]或[2]所述的保持膜的使用方法，其中，所述保持工具形成步驟是以在以所述開口部的中心為基點的等角放射狀的不同的三方向上測定的伸展率的平均值成為0.3%以上的方式，將所述保持膜張設於所述框體的步驟。
[4]如所述[2]或[3]所述的保持膜的使用方法，其中，
所述伸展步驟是利用頂推治具自所述基層側頂推所述材料膜，而使所述材料膜伸展的步驟，
抵接於所述材料膜的所述頂推治具的抵接外緣為大致圓形。
[5]如所述[2]至[4]中任一項所述的保持膜的使用方法，其包括：保持步驟，將所述前驅體保持於所述保持工具形成步驟中的所述材料膜的得到伸展的區域、或所獲得的所述保持工具的所述保持膜。
[6]如所述[5]所述的保持膜的使用方法，其中，在所述保持步驟後，具有將所述前驅體在保持於所述保持膜的狀態下直接單片化，而獲得單片部件的單片化步驟。
[7]如所述[5]或[6]所述的保持膜的使用方法，其中，在所述保持步驟後，具有將保持有所述前驅體或所述單片部件的所述保持膜自所述基層側吸附於經加熱的吸盤台的表面的吸附步驟。
[8]如所述[7]所述的保持膜的使用方法，其中，
在所述吸附步驟後已將所述單片部件保持於所述保持膜的情況下，具有：
自所述基層側向所述保持層側頂推，使所述保持膜進一步伸展，藉此使所述單片部件中的一部分單片部件與其他單片部件分離並予以拾取的拾取步驟。
[產業上的可利用性]
本發明的部件製造方法、保持膜及保持工具形成裝置於半導體部件製造、電子部件製造的用途中廣泛使用。尤其是，於利用包括伴隨加熱的評價步驟、單片化步驟及拾取步驟的部件的製造方法的情況下，就進行生產性優異的部件製造的觀點而言而較佳地利用。
1、1'‧‧‧保持工具
10、10'‧‧‧框體
10h‧‧‧開口部
10a‧‧‧框體的一面
111‧‧‧內框
112‧‧‧外框
121‧‧‧上框
122‧‧‧下框
20、20'‧‧‧保持膜
201‧‧‧材料膜
201a‧‧‧區域
202‧‧‧不需要部分
21‧‧‧基層
22‧‧‧保持層
251‧‧‧固定治具
251h‧‧‧開口部
252‧‧‧頂推治具
252a‧‧‧抵接外緣
253‧‧‧切割刀
29‧‧‧保持膜的一部分
43‧‧‧直線
45‧‧‧切斷刀
50‧‧‧保持部件（前驅體、部件）
50'‧‧‧保持部件
50a‧‧‧保持部件
50b‧‧‧保持部件
50c‧‧‧保持部件
51‧‧‧一次前驅體
52‧‧‧二次前驅體（單片部件）
60‧‧‧吸盤台
61‧‧‧表面（頂面）
70‧‧‧保持工具形成裝置
71‧‧‧伸展機構
72‧‧‧固定機構
721‧‧‧框體用治具
73‧‧‧切離機構
74‧‧‧保持機構
80‧‧‧探針卡
81‧‧‧探針
91‧‧‧擋塊
92‧‧‧頂起構件
93‧‧‧拾取器具
R10‧‧‧保持工具形成步驟
R101‧‧‧伸展步驟
R102‧‧‧固定步驟
R103‧‧‧切離步驟
R11‧‧‧保持步驟
R12‧‧‧吸附步驟
R13‧‧‧評價步驟
R14‧‧‧單片化步驟
R15、R15'‧‧‧分離步驟
R16‧‧‧拾取步驟
R17‧‧‧框體更換步驟
D‧‧‧伸展
L‧‧‧直徑
L1～L3、L1'～L3'‧‧‧長度
P‧‧‧中心（圖形重心）
X‧‧‧褶皺（熱褶皺）
圖1是對本部件製造方法中的保持工具形成步驟進行說明的說明圖。
圖2是對本部件製造方法中的伸展步驟進行說明的說明圖。
圖3是對本部件製造方法中的固定步驟進行說明的說明圖。
圖4是對本部件製造方法中的切離步驟進行說明的說明圖。
圖5是藉由本部件製造方法而獲得的保持工具的一例的平面形態（a）及所對應的剖面形態（b）的說明圖。
圖6是藉由本部件製造方法而獲得的保持工具的另一例的平面形態（a）及所對應的剖面形態（b）的說明圖。
圖7是藉由本部件製造方法而獲得的保持工具的另一例的平面形態（a）及所對應的剖面形態（b）的說明圖。
圖8是藉由本部件製造方法而獲得的保持工具的另一例的平面形態（a）及所對應的剖面形態（b）的說明圖。
圖9是對測定保持膜的伸展率的方法進行說明的說明圖。
圖10是對本部件製造方法中的保持步驟進行說明的說明圖。
圖11是對本部件製造方法中的固定步驟及保持步驟進行說明的說明圖。
圖12是本部件製造方法中的吸附步驟的說明圖。
圖13是本部件製造方法中的評價步驟的說明圖。
圖14是本部件製造方法中的單片化步驟的說明圖。
圖15是本部件製造方法中的伸展步驟的說明圖。
圖16是本部件製造方法中的吸附步驟的說明圖。
圖17是本部件製造方法中的評價步驟的說明圖。
圖18是本部件製造方法中的拾取步驟的說明圖。
圖19是本部件製造方法中的二次保持工具作成步驟的說明圖。
圖20是對本保持工具形成裝置進行說明的說明圖。
圖21是對先前的保持工具的問題點進行說明的說明圖。

Claims (14)

  1. 一種部件製造方法，其特徵在於，製造選自半導體部件及電子部件中的任一部件，包括： 保持工具形成步驟，形成對經加工會成為所述部件的前驅體進行保持的保持工具， 所述保持工具包括具有開口部的框體、及覆蓋所述開口部並張設於所述框體的保持膜， 所述保持工具形成步驟是將所述保持膜以向不同的三方向以上的方向或全周伸展的狀態張設於所述框體的步驟， 所述保持膜具有基層及設置於所述基層的一面側的保持層， 所述基層中100℃的彈性係數E'（100）與25℃的彈性係數E'（25）的比RE1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦RE1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且1500 MPa以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的部件製造方法，其中，所述保持工具形成步驟包括： 伸展步驟，將成為所述保持膜的材料膜藉由自所述基層側進行頂推而形成伸展狀態； 固定步驟，以維持伸展狀態的方式將所述材料膜固定於所述框體；以及 切離步驟，自所述材料膜切離不需要部分而獲得所述保持膜。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的部件製造方法，其中，所述保持工具形成步驟是以在以所述開口部的中心為基點的等角放射狀的不同的三方向上測定的伸展率的平均值成為0.3%以上的方式，將所述保持膜張設於所述框體的步驟。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的部件製造方法，其中， 所述伸展步驟是利用頂推治具自所述基層側頂推所述材料膜，而使所述材料膜伸展的步驟， 抵接於所述材料膜的所述頂推治具的抵接外緣為大致圓形。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的部件製造方法，其包括：保持步驟，將所述前驅體保持於所述保持工具形成步驟中的所述材料膜得到伸展的區域、或保持於所獲得的所述保持工具的所述保持膜。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的部件製造方法，其在所述保持步驟後，具有將所述前驅體在保持於所述保持膜的狀態下直接單片化，而獲得單片部件的單片化步驟。
  7. 如申請專利範圍第5項或第6項所述的部件製造方法，其在所述保持步驟後，具有將保持有所述前驅體或所述單片部件的所述保持膜自所述基層側吸附於經加熱的吸盤台的表面的吸附步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的部件製造方法，其中， 在所述吸附步驟後已將所述單片部件保持於所述保持膜的情況下，具有： 自所述基層側向所述保持層側頂推，使所述保持膜進一步伸展，藉此使所述單片部件中的一部分單片部件與其他單片部件分離並予以拾取的拾取步驟。
  9. 一種保持膜，其特徵在於：被用於如申請專利範圍第1項所述的部件製造方法，其中 具有所述基層、及設置於所述基層的一面側的所述保持層， 所述基層中100℃的彈性係數E'（100）與25℃的彈性係數E'（25）的比RE1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦RE1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且1500 MPa以下。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的保持膜，其中，所述基層的線熱膨脹係數為100 ppm/K以上。
  11. 如申請專利範圍第9項或第10項所述的保持膜，其中，所述基層包含熱塑性聚酯系彈性體、熱塑性聚醯胺系彈性體及聚對苯二甲酸丁二酯中的至少一種。
  12. 一種保持工具形成裝置，其特徵在於：形成將成為選自半導體部件及電子部件中的任一部件的前驅體加工為所述部件時對所述前驅體進行保持的保持工具，其中， 所述保持工具包括：具有開口部的框體、以及覆蓋所述開口部，並且以向不同的三方向以上的方向或全周伸展的狀態張設於所述框體的保持膜， 所述保持膜具有基層及設置於所述基層的一面側的保持層， 所述基層中100℃的彈性係數E'（100）與25℃的彈性係數E'（25）的比RE1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦RE1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且1500 MPa以下， 所述保持工具形成裝置包括： 伸展機構，將成為所述保持膜的材料膜藉由自所述基層側進行頂推而形成伸展狀態； 固定機構，以維持伸展狀態的方式將所述材料膜固定於所述框體；以及 切離機構，自所述材料膜切離不需要部分而獲得所述保持膜。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的保持工具形成裝置，其中， 所述伸展機構具有自所述基層側頂推所述材料膜而使所述材料膜伸展的頂推治具， 抵接於所述材料膜的所述頂推治具的抵接外緣為大致圓形。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的保持工具形成裝置，其中，所述頂推治具的所述抵接外緣進行了低摩擦加工，以便能夠降低與所述材料膜之間產生的摩擦。
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