TW201945603A - 基板製造方法 - Google Patents

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山田洋平
鈴木秀樹
野口仁
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日商信越聚合物股份有限公司
日商信越化學工業股份有限公司
國立大學法人埼玉大學
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Abstract

本發明提供可以容易獲得薄的氧化鎂單晶基板的基板製造方法。解決課題的手段為一種基板製造方法：進行第1工序，在氧化鎂單晶基板(20)的被照射面上非接觸地配置將雷射光進行聚光的雷射光聚光設備；然後，進行第2工序，在預定照射條件下對單晶基板表面照射雷射光而將雷射光聚光於單晶基板內部，同時使雷射光聚光設備與單晶基板(20)二維狀地相對移動，藉此並列地形成加工痕跡列；再者，進行第3工序，在預定照射條件下對單晶基板表面照射雷射光而將雷射光聚光於單晶基板內部，同時使雷射光聚光設備與單晶基板(20)二維狀地相對移動，從而在第2工序中照射時的相鄰的照射線(L1)之間新形成加工痕跡列，藉此產生面狀剝離。

Description

基板製造方法
本發明係有關適合於製造薄的氧化鎂單晶基板的基板製造方法。
在半導體領域、顯示器領域、能源領域等領域中，使用了氧化鎂單晶基板。為了製造該氧化鎂單晶基板，除了使其結晶生長為塊狀並且切斷成基板狀以外，還已知使其以薄膜狀進行外延生長(例如，參照專利文獻1)。
另一方面，金剛石是適用於高頻、高輸出電子器件的半導體，作為其合成方法之一的氣相合成法中，利用氧化鎂基板、矽基板作為基礎基板(例如專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2001-080996號公報
專利文獻2：日本特開2015-59069號公報
近年來，伴隨著半導體裝置的高性能化，晶格缺陷少而薄型的氧化鎂單晶基板正變得越發必要。
在上述金剛石基板的製造中，作為基礎基板的氧化鎂基板(MgO基板)價格高，例如在氣相合成單晶金剛石之後，殘留必要的厚度作為基礎基板，同時將氧化鎂基板剝離並分離，藉此能夠將氧化鎂基板作為基礎基板進行再利用。具體而言，如果從例如厚度200μm的氧化鎂的基礎基板獲得厚度180μm的氧化鎂基板並進行再利用，則在金剛石基板製造工藝中可以實現大幅的成本降低，可以期待對於金剛石基板的成本降低作出大的貢獻。
鑒於上述課題，本發明的課題在於提供可以容易獲得薄的氧化鎂單晶基板的基板製造方法。
然而，雖然提出了各種獲得單晶矽基板的製造方法的方案，但本發明人深入研究，結果發現了在本發明中將氧化鎂基板作為對象的基於與單晶矽不同的新的加工原理的製造方法。
根據用於解決上述課題的本發明的一個方式，提供了一種基板製造方法，其具備下述工序：第1工序，在氧化鎂的單晶構件的被照射面上非接觸地配置將雷射光進行聚光的雷射光聚光設備；第2工序，使用前述雷射光聚光設備，在預定的照射條件下對前述單晶構件表面照射雷射光而將雷射光聚光於前述單晶構件內部，同時使前述雷射光聚光設備與前述單晶構件二維狀地相對移動，藉此並列地形成加工痕跡列；以及第3工 序，使用前述雷射光聚光設備，在預定的照射條件下對前述單晶構件表面照射雷射光而將雷射光聚光於前述單晶構件內部，同時使前述雷射光聚光設備與前述單晶構件二維狀地相對移動，從而在藉由前述第2工序的照射而形成的相鄰的前述加工痕跡列之間新形成加工痕跡列，藉此產生面狀剝離。
根據本發明，可以提供能夠容易獲得薄的氧化鎂單晶基板的基板製造方法。
10‧‧‧基板製造裝置
11‧‧‧XY平台
11f‧‧‧平台面
12‧‧‧基板載置用構件
13‧‧‧校正環
14‧‧‧雷射光聚光設備
15‧‧‧聚光透鏡
16‧‧‧第1透鏡
18‧‧‧第2透鏡
20‧‧‧氧化鎂單晶基板(單晶構件)
20p‧‧‧剝離基板
20r‧‧‧被照射面
B‧‧‧雷射光
E‧‧‧外周部
EP‧‧‧聚光點
K1‧‧‧加工痕跡
J1b‧‧‧下部測試片
J1bs‧‧‧下部測試片的剝離面
J1u‧‧‧上部測試片
J1us‧‧‧上部測試片的剝離面
K2‧‧‧加工痕跡
Kb1、Kb2‧‧‧加工痕跡下半部
Ku1、Ku2‧‧‧加工痕跡上半部
L1‧‧‧照射線
L2‧‧‧照射線
LK1‧‧‧加工痕跡列
LK2‧‧‧加工痕跡列
M‧‧‧中央部
MP‧‧‧聚光點
dp‧‧‧點間距
lp1‧‧‧線間距
lp2‧‧‧線間距
Sb1、Sb2‧‧‧加工痕跡下半部的剖面
Su1、Su2‧‧‧加工痕跡上半部的剖面
t‧‧‧厚度
第1圖(a)是本發明的一實施方式所使用的剝離基板製造裝置的示意性立體圖，(b)是本發明的一實施方式所使用的剝離基板製造裝置的部分放大側視圖。
第2圖(a)是說明本發明的一實施方式中雷射光照射順序的示意性平面圖，第2圖(b)是說明本發明的一實施方式中雷射光照射後的氧化鎂單晶基板的示意性部分側視剖面圖。
第3圖是實驗例1中，單晶氧化鎂晶片的剝離前的照片圖。
第4圖是實驗例1中，(a)為說明照射雷射光的示意圖，(b)為說明雷射光照射條件的說明圖。
第5圖是實驗例1中，使測試片剝離而露出的剝離面的照片圖。
第6圖是實驗例1中，用於說明測試片剝離面的P1~P5的照片圖。
第7圖是實驗例1中，用於說明測試片剝離面的P1~P5的照片圖。
第8圖是實驗例1中，在測試片的剝離面依次挪動拍攝位置而拍攝得到的照片圖。
第9圖是實驗例1中，拍攝上部測試片的剝離面和下部測試片的剝離面得到的照片圖。
第10圖是實驗例1中，拍攝上部測試片的剝離面和下部測試片的剝離面得到的照片圖。
第11圖是實驗例2中，表示上部測試片的剝離面和下部測試片的剝離面的表面粗糙度的測定結果的曲線圖。
第12圖是實驗例3中，(a)為上部測試片的剝離面的照片圖，(b)為上部測試片的剖面的照片圖。
第13圖是實驗例3中，(a)為上部測試片的剝離面的照片圖，(b)為上部測試片的剖面的照片圖。
第14圖是實驗例3中，(a)為上部測試片的剝離面的照片圖，(b)為上部測試片的剖面的照片圖。
第15圖是實驗例3中，(a)為下部測試片的剝離面的照片圖，(b)為下部測試片的剖面的照片圖。
第16圖是實驗例3中，(a)為下部測試片的剝離面的照片圖，(b)為下部測試片的剖面的照片圖。
第17圖是實驗例3中，(a)為下部測試片的剝離面的照片圖，(b)為下部測試片的剖面的照片圖。
第18圖是實驗例3中，研究上部測試片與下部測試片的相對位置的照片圖。
第19圖是實驗例3中，研究上部測試片與下部測試片的相對位置的照片圖。
第20圖是實驗例3中，研究上部測試片與下部測試片的相對位置的照片圖。
第21圖是實驗例3中，研究上部測試片與下部測試片的相對位置的照片圖。
以下，參照附圖，對於本發明的實施方式進行說明。在以下的說明中，與已經說明的構成要素相同或相似的構成要素附上相同或相似的符號，適當省略其詳細的說明。此外，以下所示的實施方式是用於將本發明的技術構思具體化的例示，本發明的實施方式並沒有將構成部件的材質、形狀、構造、配置等限定為下述的情況。本發明的實施方式能夠在不脫離主旨的範圍內進行各種變更來實施。
第1圖中，(a)為本發明的一實施方式(以下，稱為本實施方式)所使用的基板製造裝置的示意性立體圖，(b)為本實施方式所使用的基板製造裝置的部分放大側視圖。第2圖(a)為說明本實施方式中雷射光照射順序的示意性平面圖，第2圖(b)為說明本實施方式中，雷射光照射後的氧化鎂單晶基板的示意性部分側視剖面圖。
本實施方式中，使用基板製造裝置10(參照第1圖)從氧化鎂單晶基板(MgO基板)獲得剝離基板。
基板製造裝置10具備XY平台11、保持於XY平台11的平台面11f上的基板載置用構件12(例如矽基板)、以及面向被載置於基板載置用構件12的氧化鎂單晶基板20並且將雷射光B進行聚光的雷射光聚 光設備14(例如聚光器)。需說明的是，第1圖(a)中，將氧化鎂單晶基板20描繪成俯視時為矩形，當然也可以為晶片狀，可以自由地選擇形狀。
XY平台11可以調整平台面11f的高度位置(Z軸方向位置)，能夠調整平台面11f與雷射光聚光設備14的距離，亦即，能夠調整平台面11f上的單晶基板與雷射光聚光設備14的距離。
本實施方式中，雷射光聚光設備14具備校正環13、以及保持於校正環13內的聚光透鏡15，具有對因氧化鎂的單晶基板20的折射率引起的像差進行校正的功能，亦即具有作為像差校正環的功能。具體而言，如第1圖(b)所示那樣，聚光透鏡15在空氣中進行了聚光時，進行校正以使到達聚光透鏡15的外周部E的雷射光B比到達聚光透鏡15的中央部M的雷射光B更在靠聚光透鏡側進行聚光。亦即，進行了聚光時，進行校正以使到達聚光透鏡15的外周部E的雷射光B的聚光點EP處於比到達聚光透鏡15的中央部M的雷射光B的聚光點MP更靠近聚光透鏡15的位置。
該聚光透鏡15由在空氣中進行聚光的第1透鏡16、以及配置於該第1透鏡16與單晶基板20之間的第2透鏡18構成。本實施方式中，第1透鏡16和第2透鏡18設為可以將任何雷射光B圓錐狀地聚光的透鏡。因此，藉由調整校正環13的旋轉位置，亦即調整第1透鏡16與第2透鏡18的間隔，可以調整聚光點EP與聚光點MP的間隔，而雷射光聚光設備14具有作為帶校正環的透鏡的功能。
作為第1透鏡16，除了球面或非球面的單透鏡以外，為了確保各種像差校正、工作距離，可以使用組合透鏡。
(基板製造方法)
以下，一邊參照附圖一邊說明由氧化鎂單晶基板來製造薄的氧化鎂單晶基板的例子。
本實施方式中，進行第1工序，亦即在晶格缺陷少的氧化鎂單晶基板20(以下，簡稱為單晶基板20)的被照射面20r上非接觸地配置雷射光聚光設備14。需說明的是，雖然未圖示，但在將氧化鎂基板作為基礎基板而形成的金剛石基板上殘留氧化鎂基板的薄基板並且剝離氧化鎂基板的情況下，只要從氧化鎂基板側照射雷射光即可。
第1工序後，進行第2工序。在該第2工序中，使用雷射光聚光設備14，在預定照射條件下對於單晶基板20的表面在第1次照射線L1上照射雷射光B而將雷射光B聚光於單晶基板20內部，同時使雷射光聚光設備14和單晶基板20二維狀地相對移動，藉此並列地形成加工痕跡列LK1，該加工痕跡列LK1是在單晶構件內部將加工痕跡K1形成為一列而成(例如參照第2圖(a)、第4圖(a))。本實施方式中，加工痕跡K1和後述的加工痕跡K2(均參照例如第4圖(a))主要藉由熱加工來形成。
這裡，本說明書中所謂的加工痕跡，是包含單晶基板成分因為雷射光的聚光而從聚光位置飛濺的範圍的概念。此外，本說明書中所謂的面狀剝離，是還包含即使實際上沒有剝離、藉由施加極小的力而發生剝離的狀態的概念。
第2工序後，進行第3工序。在該第3工序中，使用雷射光聚光設備14，在預定照射條件下對單晶基板20的表面照射雷射光B而將雷射光聚光於單晶基板20內部，同時使雷射光聚光設備14和單晶基板20二維狀地相對移動，藉此在第2工序中進行了照射時的相鄰的照射線L1之間(亦即相鄰的加工痕跡列LK1之間)形成加工痕跡列LK2，由此產生面狀剝離。
亦即，第2工序中，在第1次照射線L1上形成加工痕跡列LK1，在第3工序中，在相鄰的第1次照射線L1之間形成加工痕跡列LK2。該加工痕跡列LK2形成於第2次照射線L2上。於是，藉由在第3工序中形成加工痕跡列LK2，藉此面狀剝離自然地產生，在被照射面側形成剝離基板20p。
在第2工序和第3工序中，考慮到藉由上述面狀剝離而製造的剝離基板20p(參照第2圖(b))的厚度，預先設定雷射光聚光設備14與單晶基板20的相對距離以使焦點出現在預定高度位置，亦即，使焦點出現在單晶基板20的距被照射面20r的預定深度位置。
本實施方式中，由第2工序產生的加工痕跡分別形成於由面狀剝離而分離得到的兩基板部分(上側基板部分和下側基板部分)。本實施方式中，藉由第2工序，形成使第3工序所照射的雷射光被剝離面反射的構造。例如，由第2工序中形成於加工痕跡周圍的加工層來形成使第3工序的照射雷射光被反射的構造，換句話說，藉由第2工序形成了雷射光的反射層(例如後述的第9圖所示的反射層R)。
此外，關於第3工序中的照射位置，只要照射於由第2工序形成的加工層所存在的部分的位置即可。在該情況下，如第4圖所示那樣，較佳為在偏移(offset)之間精度良好地排列。
於是，在第2工序和第3工序中預先設定雷射光B的預定照射條件以使第3工序中的雷射光B被反射層反射而自然地產生面狀剝離。對於該預定照射條件的設定，考慮單晶基板20的性質(晶體結構等)、形成的剝離基板20p的厚度t(參照第2圖(b))、焦點處的雷射光B的能量密度等，設定照射的雷射光B的波長、聚光透鏡15的像差校正量(散焦量)、雷射光輸出、加工痕跡K1、K2的點間距dp(例如參照第4圖(a)。相同加 工痕跡列上相鄰的加工痕跡的間隔)、線間距lp1、lp2(參照第2圖(a)、第4圖(a)。偏移間距。各工序中相鄰的加工痕跡列彼此的間隔)等各種值。隨後，對於所得的剝離基板20p，根據需要進行剝離面的研磨等後處理。
藉由本實施方式，可以容易獲得薄的氧化鎂單晶基板。此外，由於是從晶格缺陷少的單晶基板20剝離而獲得薄的氧化鎂單晶基板，因此所得的薄的氧化鎂單晶基板的晶格缺陷少。
需說明的是，在相鄰的照射線之間，加工痕跡K1的反射層彼此可以一部分重疊。藉此，第3工序中的雷射光照射位置的自由度變寬。
再者，在雷射光的掃描方向上相鄰的加工痕跡K1的反射層彼此可以一部分重疊(例如參照第9圖)。由此，變得容易在第2工序所形成的相鄰的照射線之間，基本上遍及整面地形成反射層。
此外，可以使用單晶基板20作為氧化鎂的單晶構件，將相同尺寸的剝離基板20p依次剝離來獲得，能夠充分地提高氧化鎂單晶構件的使用效率(亦即，充分地抑制氧化鎂的切割碎屑的產生)。
此外，由於使雷射光的掃描方向為沿著單晶基板20的結晶方位的方向，因此變得容易進行使面狀剝離自然產生的雷射光照射。
此外，本實施方式中，雷射光B較佳為利用高亮度雷射光。本發明中所謂的高亮度雷射光，由峰值功率(將脈衝能量除以脈衝寬度而得的值)和功率密度(每單位時間的能量的每單位面積的值)來限定。一般而言為了提高功率密度，可以使用高輸出雷射光。另一方面，本實施方式中，如果以超過例如1kW那樣的高輸出照射雷射光B，則易於對加工基板帶來損傷而不那麼容易形成作為目標的薄壁的加工痕跡。亦即，本實施方式所使用的高亮度雷射光較佳為：使用脈衝寬度短的雷射光以低雷射光輸出來照射雷射光B，而不會對加工基板帶來損傷的雷射光。
再者，為了提高功率密度，較佳為脈衝寬度短的雷射光(例如脈衝寬度為10ns以下、較佳為100ps以下、更佳為15ps以下的雷射光)。藉由照射這樣的脈衝寬度短的雷射光，藉此格外易於提高高亮度雷射光的功率密度。
此外，本實施方式中，能夠藉由校正環13和聚光透鏡15來調整像差校正，第2工序中，可以藉由像差校正的調整來設定散焦量。由此，可以將上述的預定照射條件的範圍大幅放寬。該散焦量可以根據加工基板的厚度、剝離的基板的厚度，來選擇調整加工痕跡的形成深度的方法以及將加工痕跡薄壁地形成的條件，在作為加工對象的氧化鎂基板的厚度為200~300μm的情況下，藉由使散焦量成為30~120μm的範圍，可以有效地放寬上述範圍。
此外，本實施方式中，藉由在上述第2工序和第3工序中照射雷射光，藉此能夠抑制發生從各工序所形成的加工痕跡列脫出那樣的大的裂開。而且，藉由僅使相鄰的加工痕跡列確實地連接，剝離基板變得容易，可獲得表面狀態優異的剝離面。
此外，在將面狀剝離後的剝離基板20p從單晶基板20取出時，可以使與剝離基板20p進行面接觸的相接構件與剝離基板20p發生面接觸而取出。由此，藉由使要黏貼剝離基板20p的構件成為該相接構件，藉此能夠縮短黏貼工序，此外，在剝離基板20p的端緣未從單晶基板20完全地剝離的情況下，也能夠在抑制剝離基板20p產生破裂的同時從該端緣將剝離基板20p剝下並取出。此外，從雷射光照射後什麼也不做也易於自然剝離的觀點，此時的剝離強度較佳為形成為2MPa以下的狀態，更佳為形成為低於1.0MPa的狀態。
此外，上述實施方式中，將在XY平台11上保持基板載置用構件12、在其上載置單晶基板20並且照射雷射光B為例進行了說明，但也可以在XY平台11上直接載置單晶基板20並予以保持，藉由雷射光B來形成加工痕跡K1、K2。
此外，本實施方式中，以從單晶基板20(氧化鎂單晶基板)獲得剝離基板20p為例進行了說明，但不限定於單晶基板20，也可以從氧化鎂的單晶構件使被照射面20r側發生面狀剝離而獲得剝離基板20p。
<實驗例1>
本發明人如第3圖所示那樣，使用了直徑為2英寸且厚度為300μm的單晶氧化鎂晶片(參照第3圖。以下，稱為測試片J1)。
(1)照射條件
本實驗例中，使用上述實施方式中說明的基板製造裝置10，進行上述第1~第3工序。第2工序中，如第4圖(a)所示那樣，在測試片J1上以預定的點間距dp、線間距lp1形成加工痕跡K1。第3工序中，同樣如第4圖(a)所示那樣，在測試片J1上以預定的點間距dp、線間距lp2形成加工痕跡K2。其結果是，形成了排列有加工痕跡列LK1和加工痕跡列LK2的改質層。該雷射光照射中，將對聚光透鏡15入射時的雷射光B的直徑設為3000μm，將聚光透鏡15的焦點距離設為1200μm，將焦點距基板表面的深度設為150μm±10μm以內。雷射光的其它的照射條件如第4圖(b)所示。
(2)剝離面
第3圖為第3工序結束後剝離前的測試片J1的平面圖。為了易於辨別加工狀態，在紙面上部特意地殘留加工不充分的部分。在除此以外的部分，加工不均被抑制。
第3工序的雷射光照射後，採用鋁制的底座、介由黏接劑夾持測試片J1的被照射面側(上側)。底座均為鋁制。使用環氧黏接劑作為黏接劑，使一側的底座黏接於測試片J1的被照射面側(上側)，使另一側的底座黏接於測試片J1的底面側(下側)。
並且，藉由將兩個底座沿上下方向拉拽，藉此測定從改質層(形成有加工痕跡列LK1、LK2的層)撕下的力，算出用於使測試片J1的具有被照射面側(上側)的上部測試片J1u與測試片J1的具有底面側(下側)的下部測試片J1b從改質層分離所需要的拉拽斷裂應力。其結果是以6MPa的拉拽應力可以使其分離。因此，與單晶矽基板的拉拽斷裂應力為12MPa相比，能夠以大幅小的拉拽斷裂應力使其從改質層分離。需說明的是，由於能夠以如上述那樣在紙面上部特意地殘留有加工不充分的部分的測試片J1情況中的拉拽斷裂應力(6MPa)使其分離，因此在不形成這樣的加工不充分的部分的情況下，拉拽斷裂應力進一步降低。
並且，對於上部測試片J1u的剝離面J1us(參照第6圖)，從上方(從平面)利用SEM(掃描型電子顯微鏡)，從基板中心P1點直至P5點在同一直線上每次500μm地依次挪動攝像位置，拍攝5個區域。同樣地，對於下部測試片J1b的剝離面J1bs(參照第7圖)，從上方(從平面)利用SEM(掃描型電子顯微鏡)，從基板中心P1點直至P5點在同一直線上每次500μm地依次挪動攝像位置，拍攝5個區域。將拍攝結果顯示於第8圖。
需說明的是，第8圖中橫線為表示SEM的電荷增加(charge up)的線，並不是形成於剝離面的線。此外，本說明書所附的攝像圖中，也一併適當地顯示出結晶方位。
再者，本發明人舉出SEM的拍攝倍率，在基板中心P1點，對於上部測試片J1u的剝離面J1us和下部測試片J1b的剝離面J1bs從上 方(從平面)進行了拍攝。將拍攝結果顯示於第9圖中。第9圖中分別為，F9u1顯示出上部測試片J1u的剝離面的照片圖，F9u2顯示出F9u1的部分放大圖，F9b1顯示出下部測試片J1b的剝離面的照片圖，F9b2顯示出F9b1的部分放大圖。
F9u1中，形成由第1次雷射光照射(第2工序)產生的加工痕跡上半部Ku1，F9b1中，在與加工痕跡上半部Ku1對應的位置，形成由第1次雷射光照射(第2工序)產生的加工痕跡下半部Kb1。可認為加工痕跡上半部Ku1與加工痕跡下半部Kb1為幾乎同等的尺寸，由加工痕跡上半部Ku1和加工痕跡下半部Kb1構成的加工痕跡K1在基板厚度方向上為細長狀。
並且，F9b1中，排列形成有由第2次雷射光照射(第3工序)產生的加工痕跡下半部Kb2，F9u1中，在與加工痕跡下半部Kb2對應的位置，排列形成有由第2次雷射光照射(第3工序)產生的加工痕跡上半部Ku2。加工痕跡上半部Ku2成為藉由反射的雷射光而打開了粗徑的孔的形狀。另一方面，加工痕跡下半部Kb2是來自加工痕跡上半部Ku2的熔融噴射物凹陷成皿狀的形狀而形成的。因此，可認為加工痕跡下半部Kb2的剝離面是藉由從上部的噴射而物理地形成的可能性高。
此外，本發明人同樣地進行操作，在P1點，從傾斜45°對於上部測試片J1u的剝離面J1us與下部測試片J1b的剝離面J1bs進行拍攝。將拍攝結果顯示於第10圖中。第10圖中分別為，F10u1顯示出上部測試片J1u的剝離面的照片圖，F10u2顯示出F10u1的部分放大圖，F10b1顯示出下部測試片J1b的剝離面的照片圖，F10b2顯示出F10b1的部分放大圖。獲得了與由第9圖所得的見解同樣的見解。
(3)總結
在本實驗例的照射條件下照射雷射光之後，將上部測試片J1u與下部測試片J1b進行分離，藉此可以容易地獲得晶格缺陷少的薄的氧化鎂單晶基板。
此外，在進行該分離時，如上述那樣能夠以與單晶矽基板相比為大幅小的拉拽斷裂應力使其從改質層分離。因此，可認為在改質層產生了面狀剝離。
<實驗例2>
本發明人在上部測試片J1u的剝離面J1us，從P1點直至P5點，使用表面粗糙度計(探針半徑為12.5μm)進行了階梯差測定。將測定結果顯示於第11圖中。此外，本發明人同樣地進行操作，對於下部測試片J1b的剝離面J1bs，從P1點直至P5點，使用表面粗糙度計進行了階梯差測定。將測定結果一併顯示於第11圖中。成為Ra為0.46μm這樣的測定結果。
<實驗例3>
本發明人利用SEM觀察了通過上部測試片J1u的加工痕跡上半部Ku1(由第1次雷射光照射形成的加工痕跡)的剖面Su1(參照第12圖)。關於上部測試片J1u的加工痕跡上半部Ku1，直徑為0.9μm
Figure TW201945603A_D0001
，深度為5.0μm。
此外，本發明人利用SEM觀察了通過上部測試片J1u的加工痕跡上半部Ku2(由第2次雷射光照射形成的加工痕跡)的剖面Su2(參照第13圖)。關於加工痕跡上半部Ku2，直徑為2.2~2.8μm
Figure TW201945603A_D0002
，深度為6.5μm。
再者，本發明人利用SEM觀察了通過上部測試片J1u的其它加工痕跡上半部Ku2(由第2次雷射光照射形成的加工痕跡)的剖面(參照第14圖)。關於其它加工痕跡上半部Ku2，直徑為4.2μm
Figure TW201945603A_D0003
，深度為6.5μm。
此外，本發明人利用SEM觀察了通過下部測試片J1b的加工痕跡下半部Kb1(由第1次雷射光照射形成的加工痕跡)的剖面Sb1(參照第15圖)。關於加工痕跡下半部Kb1，直徑為0.8μm
Figure TW201945603A_D0004
，深度為12.7μm。
再者，本發明人利用SEM觀察了通過下部測試片J1b的其它加工痕跡下半部Kb1(由第1次雷射光照射形成的加工痕跡)的剖面(參照第16圖)。關於其它加工痕跡下半部Kb1，直徑為0.8μm
Figure TW201945603A_D0005
，深度為12.0μm。
此外，本發明人利用SEM觀察了通過下部測試片J1b的加工痕跡下半部Kb2(由第2次雷射光照射形成的加工痕跡)的剖面Sb2(參照第17圖)。關於下部測試片J1b的加工痕跡下半部，直徑為3.7μm
Figure TW201945603A_D0006
，深度為0.4μm。
本發明人嘗試了使上部測試片J1u的剝離面與下部測試片J1b的剝離面疊加，進行各加工痕跡上半部Ku1與各加工痕跡下半部Kb1的位置對準。其結果是各加工痕跡上半部Ku1與各加工痕跡下半部Kb1的位置匹配(參照第18圖、第19圖)，各加工痕跡上半部Ku2與各加工痕跡下半部Kb2的位置匹配(參照第20圖、第21圖)。
[產業可利用性]
依據本發明可以效率良好地形成被剝離的氧化鎂單晶基板，因此由氧化鎂單晶基板獲得的剝離基板在高溫超導電膜、強介電體膜等膜中是有用的，能夠適用於半導體領域、顯示器領域、能源領域等廣泛的領域。

Claims (7)

  1. 一種基板製造方法，具備：第1工序，在氧化鎂的單晶構件的被照射面上非接觸地配置將雷射光進行聚光的雷射光聚光設備；第2工序，使用前述雷射光聚光設備，在預定的照射條件下對前述單晶構件表面照射雷射光而將前述雷射光聚光於前述單晶構件內部，同時使前述雷射光聚光設備與前述單晶構件二維狀地相對移動，藉此並列地形成加工痕跡列；以及第3工序，使用前述雷射光聚光設備，在預定的照射條件下對前述單晶構件表面照射雷射光而將前述雷射光聚光於前述單晶構件內部，同時使前述雷射光聚光設備與前述單晶構件二維狀地相對移動，從而在藉由前述第2工序的照射而形成的相鄰的前述加工痕跡列之間新形成加工痕跡列，藉此產生面狀剝離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板製造方法，其中，在前述第2工序中，藉由雷射光的聚光，形成將前述雷射光進行反射的反射層，在前述第3工序中，藉由前述反射層來反射前述雷射光。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述的基板製造方法，其中，使用單晶基板作為前述單晶構件。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述的基板製造方法，其中，照射高亮度雷射光作為雷射光。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的基板製造方法，其中，照射脈衝寬度為10ns以下的雷射光作為雷射光。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的基板製造方法，其中，照射脈衝寬度為100ps以下的雷射光作為雷射光。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的基板製造方法，其中，照射脈衝寬度為15ps以下的雷射光作為雷射光。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6795811B2 (ja) * 2017-02-16 2020-12-02 国立大学法人埼玉大学 剥離基板製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4399059B2 (ja) 1999-09-09 2010-01-13 エピフォトニクス株式会社 薄膜構造体
JP4100953B2 (ja) * 2002-04-18 2008-06-11 キヤノン株式会社 Ｓｉ基板上に単結晶酸化物導電体を有する積層体及びそれを用いたアクチュエーター及びインクジェットヘッドとその製造方法
US8835802B2 (en) 2006-01-24 2014-09-16 Stephen C. Baer Cleaving wafers from silicon crystals
JP2008044807A (ja) 2006-08-11 2008-02-28 Kyoto Univ 単結晶内部に形成される誘起構造の作製方法およびその装置ならびに単結晶内部に形成された誘起構造を備える光学素子
JP5544734B2 (ja) 2009-03-23 2014-07-09 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルウェーハの製造方法、および固体撮像素子の製造方法
JP5456382B2 (ja) * 2009-06-17 2014-03-26 信越ポリマー株式会社 半導体ウェーハの製造方法及びその装置
JP5625520B2 (ja) 2010-06-16 2014-11-19 豊田合成株式会社 レーザ加工方法
JP6121901B2 (ja) * 2010-07-12 2017-04-26 ロフィン−シナー テクノロジーズ インコーポレーテッド レーザーフィラメント形成による材料加工方法
JP5917862B2 (ja) 2011-08-30 2016-05-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP6044919B2 (ja) * 2012-02-01 2016-12-14 信越ポリマー株式会社 基板加工方法
JP6112485B2 (ja) 2013-09-19 2017-04-12 国立研究開発法人産業技術総合研究所 単結晶ダイヤモンドの製造方法
LT3206829T (lt) * 2014-10-13 2019-03-12 Evana Technologies, Uab Lazerinio apdorojimo būdas perskelti arba perpjauti ruošinį, formuojant "adatos" formos pažeidimus
JP6482389B2 (ja) * 2015-06-02 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472347B2 (ja) 2015-07-21 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
WO2017199784A1 (ja) 2016-05-17 2017-11-23 エルシード株式会社 加工対象材料の切断方法
JP6669594B2 (ja) 2016-06-02 2020-03-18 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6202695B2 (ja) 2016-08-30 2017-09-27 国立大学法人埼玉大学 単結晶基板製造方法
JP6923877B2 (ja) * 2017-04-26 2021-08-25 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法
JP6943388B2 (ja) * 2017-10-06 2021-09-29 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法

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CN110246758B (zh) 2023-11-24
EP3536437B1 (en) 2021-09-29
JP2019160915A (ja) 2019-09-19
TWI700402B (zh) 2020-08-01
JP7121941B2 (ja) 2022-08-19
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