TW201943872A

TW201943872A - 電磁波透過性金屬光澤物品

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Publication number: TW201943872A
Application number: TW108114182A
Authority: TW
Inventors: 渡邉太一; 中井孝洋; 陳暁雷; 米澤秀行; 宮本幸大; 有本将治; 片桐正義
Original assignee: 日商日東電工股份有限公司
Priority date: 2018-04-23
Filing date: 2019-04-23
Publication date: 2019-11-16
Also published as: CN112020424A; JP7319078B2; KR20210005586A; JP2019188805A

Abstract

本發明係有關電磁波透過性金屬光澤物品，其係具備：基體、被形成於前述基體上的金屬層、及被形成於與前述金屬層的前述基體側相反側的面上的屏障層，
前述金屬層，係包括至少一部分處於互相不連續的狀態的複數的部分。

Description

電磁波透過性金屬光澤物品

本發明是有關電磁波透過性金屬光澤物品。

以往，具有電磁波透過性及金屬光澤的構件因為兼備來自其金屬光澤的外觀的高級感及電磁波透過性，所以適用於收發電磁波的裝置。
例如，被要求對於前面進氣格柵(front grille)、標誌(emblem)等的汽車的前面部分所搭載的毫米波雷達的罩(cover)構件施以裝飾之兼備光輝性與電磁波透過性的雙方的金屬光澤物品。

毫米波雷達是將毫米波頻的電磁波(頻率約77GHz，波長約4mm)發送至汽車的前方，接收來自目標的反射波，測定、分析反射波，藉此可計測與目標的距離或目標的方向、大小。
計測結果是可利用於車間計測、速度自動調整、煞車自動調整等。
配置有如此的毫米波雷達的汽車的前面部分是所謂汽車的臉，給予使用者巨大的影響的部分，因此以金屬光澤調的前面裝飾來演出高級感為理想。然而，在汽車的前面部分使用金屬的情況，藉由毫米波雷達之電磁波的收發實質上不可能或被妨害。因此，為了不妨礙毫米波雷達的機能，不破壞汽車的設計性，而須兼備光輝性與電磁波透過性的雙方的金屬光澤物品。

此種的金屬光澤物品是不僅毫米波雷達，須通訊的各種的機器，例如設置智慧鑰匙(smart key)的汽車的門把手、車載通訊機器、行動電話、個人電腦等的電子機器等的應用被期待。而且，近年來隨著IoT技術的發達，以往無進行通訊等的冰箱等的家電製品、生活機器等廣泛領域的應用也被期待。

有關金屬光澤構件，在日本特開2007-144988號公報(專利文獻1)是揭示包括由鉻(Cr)或銦(In)所成的金屬被膜的樹脂製品。此樹脂製品是包括：包含樹脂基材及被成膜於該樹脂基材上的無機化合物的無機質底層膜，及在該無機質底層膜上藉由物理蒸鍍法所成膜的光輝性及不連續構造的鉻(Cr)或銦(In)所成的金屬皮膜。作為無機質底層膜，在專利文獻1是使用(a)金屬化合物的薄膜，例如氧化鈦(TiO、TiO₂ 、Ti₃ O₅ 等)等的鈦化合物；氧化矽(SiO、SiO₂ 等)、氮化矽(Si₃ N₄ 等)等的矽化合物；氧化鋁(Al₂ O₃ )等的鋁化合物；氧化鐵(Fe₂ O₃ )等的鐵化合物；氧化硒(CeO)等的硒化合物；氧化鋯(ZrO)等的鋯化合物；硫化鋅(ZnS)等的鋅化合物等、(b)無機塗料的塗膜，例如以矽、非晶質(amorphous)TiO_z 等(其他上述例示的金屬化合物)作為主成分的無機塗料之塗膜。

另一方面，在日本特開2009-298006號公報(專利文獻2)是揭示：不僅鉻(Cr)或銦(In)，也可以鋁(Al)、銀(Ag)、鎳(Ni)作為金屬膜形成的電磁波透過性光輝樹脂製品。
在日本特開2010-5999號公報(專利文獻3)是記載：在母材薄板形成金屬膜層，一面對母材薄板負荷張力，一面進行加熱處理，藉此製造具有龜裂的電磁波透過性的金屬膜加飾薄板之方法。
[先前技術文獻]
[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2007-144988號公報
[專利文獻2]日本特開2009-298006號公報
[專利文獻3]日本特開2010-5999號公報

(發明所欲解決的課題)

如此的金屬光澤物品的金屬層是為了確保電磁波透過性，構成為包括島狀構造等的至少一部分處於互相不連續的狀態的複數的部分之金屬層，因此表面積廣，所以有容易被氧化的傾向。
然而，一旦金屬層被氧化，則金屬光澤喪失。因此，期望金屬層的氧化會被抑制的金屬光澤物品。
本案發明是有鑑於上述而研發者，其課題是在於提供一種抑制金屬層的氧化之電磁波透過性金屬光澤物品。

(用以解決課題的手段)

本發明者等為了解決上述課題，經深入檢討的結果，發現藉由具備屏障層的電磁波透過性金屬光澤物品，可解決上述課題。

本發明之一形態係有關電磁波透過性金屬光澤物品，其係具備：基體、被形成於前述基體上的金屬層、及被形成於與前述金屬層的前述基體側相反側的面上的屏障層，
前述金屬層，係包括至少一部分處於互相不連續的狀態的複數的部分。

在本發明的電磁波透過性金屬光澤物品之一形態中，在前述基體與前述金屬層之間，更具備含氧化銦層為理想。

在本發明的電磁波透過性金屬光澤物品之一形態中，前述含氧化銦層係以連續狀態設置為理想。

在本發明的電磁波透過性金屬光澤物品之一形態中，前述含氧化銦層，係包含氧化銦(In₂ O₃ )、銦錫氧化物(ITO)、或銦鋅氧化物(IZO)的任一者為理想。

在本發明的電磁波透過性金屬光澤物品之一形態中，前述含氧化銦層的厚度，係1nm~1000nm為理想。

本發明的電磁波透過性金屬光澤物品之一形態，更具備：被形成於前述金屬層與前述基體之間的屏障層為理想。

在本發明的電磁波透過性金屬光澤物品之一形態中，前述屏障層，係包含從金屬及半金屬的至少1種的氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化碳化物、氮化碳化物及氧化氮化碳化物所成的群選擇的至少1種為理想。

在本發明的電磁波透過性金屬光澤物品之一形態中，前述屏障層，係包含從AZO、ITO、AlO_x 、SiO₂ 所成的群選擇的至少1種。

在本發明的電磁波透過性金屬光澤物品之一形態中，前述金屬層的厚度，係10nm~100nm為理想。

在本發明的電磁波透過性金屬光澤物品之一形態中，前述金屬層的厚度與前述含氧化銦層的厚度的比(前述金屬層的厚度/前述含氧化銦層的厚度)，係0.02~100為理想。

本發明的電磁波透過性金屬光澤物品之一形態，係薄膜電阻為100Ω/□以上為理想。

在本發明的電磁波透過性金屬光澤物品之一形態中，前述複數的部分係形成島狀為理想。

在本發明的電磁波透過性金屬光澤物品之一形態中，前述金屬層，係鋁(Al)、鋅(Zn)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銀(Ag)、或該等的合金的任一者。

在本發明的電磁波透過性金屬光澤物品之一形態中，前述基體，係基材薄膜、樹脂成型物基材、玻璃基材、或應賦予金屬光澤的物品的任一者。

[發明的效果]

若根據本發明，則可提供一種抑制金屬層的氧化之電磁波透過性金屬光澤構件。

以下，一面參照附加的圖面，一面說明有關本發明之一個的適宜的實施形態。以下，為了說明的方便起見，只顯示本發明的適宜的實施形態，但當然本發明並非限於此。

＜1.基本構成＞
在圖1顯示本發明之一實施形態的電磁波透過性金屬光澤物品(以下稱為「金屬光澤物品」)1的概略剖面圖，在圖3顯示本發明之一實施形態的金屬光澤物品1的金屬層的電子顯微鏡照片(SEM畫像)。並且，在圖9顯示本發明之一實施形態的島狀構造的金屬層12的剖面的透過型電子顯微鏡照片(TEM畫像)。

金屬光澤物品1是包括：基體10，及被形成於基體10上的金屬層12。並且，更包括：被形成於與金屬層的基體側相反側的面上的屏障層13。

金屬層12是被形成於基體10上。金屬層12是包括複數的部分12a。金屬層12的該等的部分12a是至少一部分處於互相不連續的狀態，換言之，至少一部分藉由間隙12b來隔開。因為藉由間隙12b隔開，所以金屬光澤物品的薄膜電阻變大，與電波的相互作用降低，因此容易使電波透過。該等的各部分12a是亦可為藉由將金屬蒸鍍、濺射等來形成的濺射粒子的集合體。

另外，在本說明書所謂的「不連續的狀態」是意思藉由間隙12b來互相隔開，此結果，彼此被電性絕緣的狀態。藉由被電性絕緣，金屬光澤物品的薄膜電阻變大，可取得所望的電磁波透過性。亦即，若根據以不連續的狀態形成的金屬層12，則容易取得充分的光輝性，亦可確保電磁波透過性。不連續的形態不是被特別限定者，例如包含島狀構造、龜裂構造等。在此所謂「島狀構造」是如圖3所示般，金屬粒子彼此間各自獨立，該等的粒子彼此些微離間或部分接觸的狀態下鋪滿而成的構造。

所謂龜裂構造是金屬薄膜會藉由龜裂而被分斷的構造。
龜裂構造的金屬層12是例如可藉由在基材薄膜上設置金屬薄膜層，彎曲延伸使龜裂產生於金屬薄膜層而形成。此時，在基材薄膜與金屬薄膜層之間缺乏伸縮性，亦即藉由設置由容易因延伸而產生龜裂的素材所成的脆性層，可容易形成龜裂構造的金屬層12。

如上述般，金屬層12成為不連續的形態是不被特別限定，但從生產性的觀點，島狀構造為理想。

金屬光澤物品1的電磁波透過性是例如可藉由電波透過衰減量來評價。在金屬光澤物品1中，以實施例的欄記載的方法所測定的釐米波頻帶(5GHz)的電波透過衰減量是10[-dB]以下為理想，5[-dB]以下更理想，2[-dB]以下更加理想。若比10[-dB]大，則有90%以上的電波被遮斷的問題。另外，在釐米波頻帶(5GHz)的電波透過衰減量與毫米波雷達的頻帶(76~80GHz)的電波透過衰減量之間是有相關性，因為顯示比較接近的值，所以釐米波頻帶的電磁波透過性佳的金屬光澤物品是在毫米波雷達的頻帶的電磁波透過性也佳。

金屬光澤物品1的薄膜電阻也與電磁波透過性有相關。金屬光澤物品1的薄膜電阻是100Ω/□以上為理想，此情況釐米波頻帶(5GHz)的電波透過衰減量是成為10~0.01[-dB]程度。金屬光澤物品的薄膜電阻是200Ω/□以上更理想，600Ω/□以上更加理想。又，特別理想是1000Ω/□以上。
金屬光澤物品1的薄膜電阻是可按照JIS-Z2316-1：2014，藉由渦電流測定法來測定。

金屬光澤物品1的電波透過衰減量及薄膜電阻是依金屬層12的材質或厚度等而受影響。並且，在金屬光澤物品1具備含氧化銦層11的情況，也依含氧化銦層11的材質或厚度等而受影響。

＜2.基體＞
從電磁波透過性的觀點，基體10是可舉樹脂、玻璃、陶瓷等。
基體10是亦可為基材薄膜、樹脂成型物基材、玻璃基材、或應賦予金屬光澤的物品的任一者。
更具體而言，基材薄膜是例如可使用由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醯胺、聚氯乙烯、聚碳酸酯(PC)、環烯烴聚合物(COP)、聚苯乙烯、聚丙烯(PP)、聚乙烯、聚環烯烴、聚氨酯、丙烯酸(PMMA)、ABS等的單獨聚合物或共聚合物所成的透明薄膜。

若根據該等的構件，則亦無影響光輝性或電磁波透過性的情形。但，從之後形成含氧化銦層11或金屬層12的觀點，可耐於蒸鍍或濺射等的高溫者為理想，因此上述材料之中，例如，聚對苯二甲酸乙二酯、聚對萘二甲酸乙二酯、丙烯酸、聚碳酸酯、環烯烴聚合物、ABS、聚丙烯、聚氨酯為理想。其中又從耐熱性與成本的平衡佳的觀點，聚對苯二甲酸乙二酯或環烯烴聚合物、聚碳酸酯、丙烯酸為理想。

基材薄膜是可為單層薄膜或亦可為層疊薄膜。從加工的容易度等，厚度是例如6μm~250μm程度為理想。為了增強與含氧化銦層11或金屬層12的附著力，亦可施以電漿處理或易黏著處理等。
基體10為基材薄膜時，金屬層11是只要設在基材薄膜上的至少一部分即可，亦可只設在基材薄膜的一面，或亦可設在兩面。

在此，應注意基材薄膜只是可在其表面上形成金屬層12的對象(基體10)之一例的點。基體10是如上述般除了基材薄膜以外，亦包括樹脂成型物基材、玻璃基材、應賦予金屬光澤的物品本身。作為樹脂成型物基材及應賦予金屬光澤的物品是例如可舉車輛用構造零件、車輛搭載用品、電子機器的框體、家電機器的框體、構造用零件、機械零件、各種的汽車用零件、電子機器用零件、傢具、廚房用品等的家居傾向用途、醫療機器、建築資材的零件、其他的構造用零件或外裝用零件等。

金屬層12是可形成於該等全部的基體上，亦可形成於基體的表面的一部分，或亦可形成於基體的表面的全部。此情況，應賦予金屬層12的基體10是符合與上述的基材薄膜同樣的材質、條件為理想。

＜3.含氧化銦層＞
又，一實施形態的電磁波透過性金屬光澤物品1是如圖2所示般，亦可在基體10與金屬層12之間更具備含氧化銦層11。含氧化銦層11是亦可直接設於基體10的面，或亦可經由被設在基體10的面的保護膜等來間接地設置。含氧化銦層11是在應賦予金屬光澤的基體10的面以連續狀態換言之無間隙設置為理想。藉由以連續狀態設置，可使含氧化銦層11、進一步金屬層12或電磁波透過性金屬光澤物品1的平滑性或耐蝕性提升，且亦容易面內無偏差形成含氧化銦層11。

若藉由如此在基體10與金屬層12之間更具備含氧化銦層11，亦即在基體10上形成含氧化銦層11，在其上形成金屬層12，則容易以不連續的狀態形成金屬層12，因此為理想。其機構的詳細未必明確，但可思考藉由金屬的蒸鍍或濺射之濺射粒子在基體上形成薄膜時，在基體上的粒子的表面擴散性會影響薄膜的形狀，基體的溫度高，金屬層對於基體的浸潤性小，金屬層的材料的融點低較容易形成不連續構造。而且，藉由在基體上設置含氧化銦層，其表面上的金屬粒子的表面擴散性會被促進，容易使金屬層以不連續的狀態成長。

作為含氧化銦層11，亦可使用氧化銦(In₂ O₃ )本身，或例如亦可使用銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)之類的含金屬物。但，含有第二金屬的ITO或IZO在濺射工程的放電安定性較高的點，更理想。藉由使用該等的含氧化銦層11，亦可容易沿著基體的面來形成連續狀態的膜，且此情況容易將被層疊於含氧化銦層上的金屬層例如設為島狀的不連續構造，因此為理想。而且，如後述般，此情況，在金屬層中，不僅鉻(Cr)或銦(In)，容易含通常難形成不連續構造，難適用於本用途的鋁等的各種的金屬。

含在ITO的氧化錫(SnО₂ )的質量比率之含有率(含有率=(SnO₂ /(In₂ O₃ +SnO₂ ))×100)是未被特別限定，例如2.5wt%~30wt%，更理想是3wt%~10wt%。又，含在IZO的氧化鋅(ZnO)的質量比率之含有率(含有率=(ZnO/(In₂ O₃ +ZnO))×100)是例如2wt%~20wt%。含氧化銦層11的厚度，從薄膜電阻或電波透過衰減量、生產性的觀點，通常1000nm以下為理想，50nm以下更理想，20nm以下更加理想。另一方面，為了將被層疊的金屬層12設為不連續狀態，1nm以上為理想，為了確實地形成不連續狀態，2nm以上更理想，5nm以上更理想。

＜4.金屬層＞
金屬層12當然是可發揮充分的光輝性，最好融點比較低者。因為金屬層12是藉由使用濺射的薄膜成長來形成為理想。基於如此的理由，作為金屬層12是融點約為1000℃以下的金屬為適，例如，從鋁(Al)、鋅(Zn)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銀(Ag)選擇的至少一種的金屬、及以該金屬作為主成分的合金的任一者為理想。特別是基於物質的光輝性或安定性、價格等的理由，Al及該等的合金為理想。又，使用鋁合金時，將含鋁量設為50質量%以上為理想。

金屬層12的厚度是以發揮充分的光輝性的方式，通常10nm以上為理想，另一方面，從薄膜電阻或電波透過衰減量的觀點，通常100nm以下為理想。例如，15nm~70nm為理想、15nm~50nm更理想。此厚度是適於生產性佳形成均一的膜，且最終製品的樹脂成形品的外觀亦佳。另外，金屬層12的厚度是例如可如以下般測定。

(金屬層的厚度的測定方法)
首先，從金屬光澤物品，如圖8所示般，適當地抽出一邊5cm的正方形領域3，選擇藉由將該正方形領域3的縱邊及橫邊各自的中心線A、B分別4等分而取得的合計5處的點「a」~「e」作為測定處。
其次，測定選擇的測定處各者如圖9所示般的剖面畫像(透過型電子顯微鏡照片(TEM畫像))，從取得的TEM畫像抽出含有5個以上的金屬部分12a的視野角領域。
將以視野角領域的橫寬來切開在5處的測定處各自被抽出的視野角領域的金屬層的總剖面積者設為各視野角領域的金屬層的厚度，將5處的測定處各自的各視野角領域的金屬層的厚度的平均值設為金屬層的厚度。

並且，基於同樣的理由，金屬層12的厚度與含氧化銦層11的厚度的比(金屬層12的厚度/含氧化銦層11的厚度)是0.1~100的範圍為理想，0.3~35的範圍更理想。

金屬層12的部分12a的相當於圓的直徑是未被特別限定，但通常為10~1000nm程度。又，各部分12a彼此間的距離是未被特別限定，但通常為10~1000nm程度。

＜5.屏障層＞
金屬光澤物品1是如圖1及2所示般，在與金屬層12的基體10側相反側的面上具備屏障層13。另外，屏障層13是只要被層疊於金屬層12上即可，亦可不一定要完全填埋間隙12b。
屏障層是用以抑制金屬層12的氧化(腐蝕)的層。屏障層是包含從金屬及半金屬的至少1種的氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化碳化物、氮化碳化物及氧化氮化碳化物所成的群選擇的至少1種。金屬是例如可使用鋁、鈦、銦、鎂等，半金屬是例如可使用矽、鉍、鍺等。
具體而言，例如可使用ZnO+Al₂ O₃ (AZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫(ITO)、氧化碳化氮化矽膜(SiOCN)、氧化氮化矽膜(SiON)、氮化矽膜(SiN)、SiO_X 、AlO_X 、AlON、TiO_X 等。其中有以使用從AZO、ITO、AlO_X 及SiO₂ 所成的群選擇的至少一種為理想。
為了屏障層抑制金屬層12的氧化(腐蝕)的性能(以下亦稱為「屏障性」)的提升，而含使屏障層內的網路構造(網眼狀的構造)形成緻密之類的碳、氮為理想。而且，為了使透明性提升，含有氧為理想。亦即，屏障層是含金屬及半金屬的至少1種的氧化氮化碳化物為理想。

又，為了屏障性的提升，屏障層是難透過水蒸氣為理想。屏障層的水蒸氣的透過的程度是可藉由各種的方法來評價，例如可利用藉由在實施例的欄記載的方法所測定的水蒸氣透過量來評價。為了屏障性的提升，該水蒸氣透過量是5g/m² ･day以下為理想，3g/m² ･day以下更理想，2g/m² ･day以下更加理想。

屏障層13的厚度是不被特別限定，但為了使屏障性提升，1nm以上為理想，5nm以上更理想，10nm以上更加理想。又，為了使電磁波透過性或外觀的金屬光澤感提升，100nm以下為理想，80nm以下更理想，60nm以下更加理想。

又，為了更進一步抑制金屬層12的氧化(腐蝕)，屏障層是如圖4~7所示般，亦可更被設於金屬層與基體之間。
當金屬光澤物品1具備含氧化銦層時，如圖5所示般，亦可在含氧化銦層與金屬層之間設置屏障層，如圖6所示般，亦可在含氧化銦層之與金屬層相反側設置屏障層。又，如圖7所示般，亦可設於該雙方。

又，金屬光澤物品是除了上述的金屬層、含氧化銦層及屏障層以外，亦可按照用途具備其他的層。
其他的層是可舉用以調整顏色等的外觀的高折射材料等的光學調整層(顏色調整層)、用以使耐擦傷性等的耐久性提升的保護層(耐擦傷性層)、易黏著層、硬塗層、反射防止層、光取出層、防眩膜層等。

＜6.金屬光澤物品的製造＞
說明有關金屬光澤物品1的製造方法之一例。雖未特別加以說明，但有關基材薄膜10以外的基體的情況也可以同樣的方法製造。

在基體10上形成金屬層12時，例如，可使用真空蒸鍍、濺射等的方法。

並且，在基體10上形成含氧化銦層11時，在金屬層12的形成之前，藉由真空蒸鍍、濺射、離子電鍍等來形成含氧化銦層11。但，從即使是大面積也可嚴格地控制厚度的點，濺射為理想。

屏障層是藉由蒸鍍、濺射、化學氣相堆積法(CVD)之類的利用真空的乾式製程來形成。藉此，可取得非常緻密且屏障性高的屏障層。其中又以蒸鍍法為理想。蒸鍍法是成膜速度非常快的製程，因為是生產性高的製程，所以生產效率佳。特別理想是使用利用電弧放電電漿的蒸鍍法來形成。可知電弧放電電漿是與通常被使用的輝光放電電漿不同，為非常高的電子密度。藉由在蒸鍍法使用電弧放電電漿，可提高反應性，可形成非常緻密的屏障層。

電弧放電電漿是例如可以壓力梯度型電漿槍、直流放電電漿產生裝置、高頻放電電漿產生裝置等來形成，但其中又以使用即使在蒸鍍中也可安定產生高密度的電漿之壓力梯度型電漿槍為理想。

另外，在基體10與金屬層12之間設置含氧化銦層11時，不使屏障層13等的其他的層介於含氧化銦層11與金屬層12之間，使直接接觸為理想。

＜7.金屬光澤物品及金屬薄膜的用途＞
由於本實施形態的金屬光澤物品1及金屬薄膜是具有電磁波透過性，因此使用在收發電磁波的裝置或物品及其零件等為理想。例如，可舉車輛用構造零件、車輛搭載用品、電子機器的框體、家電機器的框體、構造用零件、機械零件、各種的汽車用零件、電子機器用零件、傢具、廚房用品等的家居傾向用途、醫療機器、建築資材的零件、其他的構造用零件或外裝用零件等。
更具體而言，就車輛關係而言，可舉儀表板、中央置物箱、門把、門內飾板、變速桿、踏板類、手套箱、保險槓、引擎蓋、擋泥板、車後行李箱、車門、車頂、支柱、座位、方向盤、ECU箱、電裝零件、引擎周邊零件、驅動系･齒輪周邊零件、吸氣･排氣系零件、冷卻系零件等。
作為電子機器及家電機器，更具體而言，可舉冰箱、洗衣機、吸塵器、微波爐、空調、照明機器、電熱水器、電視、時鐘、換氣扇、投影機、揚升器等的家電製品類、個人電腦、行動電話、智慧型手機、數位相機、平板型PC、攜帶型音樂播放器、攜帶型遊戲機、充電器、電池等電子資訊機器等。

[實施例]

以下，舉實施例及比較例，更具體說明本發明。準備實施例1~10及比較例1的金屬光澤物品，測定屏障層的水蒸氣透過量、電波透過衰減量(-dB)、薄膜電阻、20°光澤度、反射率。另外，使用基材薄膜作為基體10。
評價方法的詳細是以下般。

(1)屏障層的水蒸氣透過量
使用MOCON公司製水蒸氣透過度測定裝置PERMATRAN-W Model3/33，評價40℃90%RH環境下的屏障膜單膜的水蒸氣透過度。

(2)電波透過衰減量
使用導波管法測定評價治具及向量網路分析儀MS4644B(Anritsu Corp)來評價5GHz的電波透過衰減量。

(3)薄膜電阻
使用Napson Corporation製非接觸式電阻測定裝置NC-80MAP(測定上限：3000Ω/□)，遵照JIS-Z2316，藉由渦電流測定法來測定作為金屬層與含氧化銦層的層疊體的薄膜電阻。

(4)20°光澤度
遵照JIS Z 8741(1997年版)來測定金屬光澤物品的20°光澤度。具體而言，使用PG-IIM(20°光澤測定，Nippon Denshoku Industries Co.，Ltd.製)來進行測定。另外，20°光澤度的測定是對於金屬層側的面進行。
此20°光澤度是900以上為理想，1100以上更理想，1300以上特別理想。若比900小，則有光輝性差不能取得金屬外觀的問題。

(5)反射率
使用日立分光光度計U-4100，測定波長550nm的0°反射率。
其次，在60℃，95%RH的條件下放置金屬光澤物品，在250小時後及500小時後，同樣測定反射率。
並且，求取500小時後的反射率對於初期的反射率的比例(500小時後反射率維持率)。

[比較例1]
使用三菱樹脂公司製PET薄膜(厚度125μm、340mm幅)作為基材薄膜。
首先，利用DC磁控管濺射，沿著基材薄膜的面，將5nm的厚度的ITO層直接形成於其上。形成ITO層時的基材薄膜的溫度是設定成130℃。在ITO所含的氧化錫(SnО₂ )的含有率(含有率=(SnO₂ /(In₂ O₃ +SnO₂ ))×100)為10wt%。

其次，利用交流濺射(AC：40kHz)，在ITO層上形成厚度30nm的鋁(Al)層，取得不具備屏障層的金屬光澤物品。另外，取得的鋁層為不連續層。形成Al層時的基材薄膜的溫度是設定成130℃。

[實施例1~4]
在與比較例1同樣取得的不具備屏障層的金屬光澤物品的鋁層上，利用DC磁控管濺射，形成由各種的厚度的AZO所成的屏障層，取得實施例1~4的金屬光澤物品。形成屏障層時的基材薄膜的溫度是設定成130℃。另外，AZO是使用Mitsubishi Materials Corporation製AZO-low n。另外，屏障層的厚度是以和前述的金屬層的厚度的測定方法同樣的方法測定。

[實施例5]
除了形成由ITO所成的屏障層以外是與實施例2同樣取得實施例5的金屬光澤物品。另外，在ITO所含的氧化錫(SnО₂ )的含有率(含有率=(SnO₂ /(In₂ O₃ +SnO₂ ))×100)為30wt%。

[實施例6，7]
在與比較例1同樣取得的未具備屏障層的金屬光澤物品的鋁層上，利用RF(13.6MHz)電源濺射，形成由各種的厚度的AlO_x 所成的屏障層，取得實施例6、7的金屬光澤物品。形成屏障層時的基材薄膜的溫度是設定成室溫。

[實施例8~10]
在與比較例1同樣取得的未具備屏障層的金屬光澤物品的鋁層上，利用RF(13.6MHz)電源濺射，形成由各種的厚度的SiO₂ 所成的屏障層，取得實施例8~10的金屬光澤物品。形成屏障層時的基材薄膜的溫度是設定成室溫。

在以下的表1中顯示結果。

實施例1~10的金屬光澤物品是若與皆未具備屏障層的比較例1的金屬光澤物品作比較，則500小時後反射率維持率高。亦即，實施例1~10的金屬光澤物品是若與皆未具備屏障層的比較例1的金屬光澤物品作比較，則可抑制鋁層的氧化(腐蝕)。

另外，有關在以上的實施例特別使用的鋁(Al)以外的金屬，鋅(Zn)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銀(Ag)等的比較的融點低的金屬也可思考以同樣的手法來形成不連續構造。

本發明是不限於前述實施例，亦可在不脫離發明的主旨的範圍適當變更而具體化。

以上，說明有關本發明的理想的實施形態，但本發明是不限於上述的實施形態，可在不脫離本發明的範圍的範圍中，對上述的實施形態追加各種的變形及置換。另外，本案是根據2018年4月23日申請的日本專利申請案(特願2018-082662)及2019年4月22日申請的日本專利申請案(特願2019-080623)者，其內容是在本案中作為參照而被援用。

[產業上的利用可能性]

本發明的金屬光澤物品是可使用於收發電磁波的裝置或物品及其零件等。例如，亦可利用在車輛用構造零件、車輛搭載用品、電子機器的框體、家電機器的框體、構造用零件、機械零件、各種的汽車用零件、電子機器用零件、傢具、廚房用品等的家居傾向用途、醫療機器、建築資材的零件、其他的構造用零件或外裝用零件等、被要求設計性與電磁波透過性的雙方的各種的用途。

1‧‧‧金屬光澤物品

10‧‧‧基體

11‧‧‧含氧化銦層

12‧‧‧金屬層

12a‧‧‧部分

12b‧‧‧間隙

13‧‧‧屏障層

圖1是本發明之一實施形態的電磁波透過性金屬光澤物品的概略剖面圖。

圖2是本發明之一實施形態的電磁波透過性金屬光澤物品的概略剖面圖。

圖3是本發明之一實施形態的電磁波透過性金屬光澤物品的金屬層的電子顯微鏡照片。

圖4是本發明之一實施形態的電磁波透過性金屬光澤物品的概略剖面圖。

圖5是本發明之一實施形態的電磁波透過性金屬光澤物品的概略剖面圖。

圖6是本發明之一實施形態的電磁波透過性金屬光澤物品的概略剖面圖。

圖7是本發明之一實施形態的電磁波透過性金屬光澤物品的概略剖面圖。

圖8是用以說明本發明之一實施形態的電磁波透過性金屬光澤物品的金屬層的膜厚的測定方法的圖。

圖9是表示本發明之一實施形態的金屬層的剖面的透過型電子顯微鏡照片(TEM畫像)的圖。

Claims

一種電磁波透過性金屬光澤物品，其特徵係具備：基體、被形成於前述基體上的金屬層、及被形成於與前述金屬層的前述基體側相反側的面上的屏障層，前述金屬層，係包括至少一部分處於互相不連續的狀態的複數的部分。
如申請專利範圍第1項之電磁波透過性金屬光澤物品，其中，在前述基體與前述金屬層之間，更具備含氧化銦層。
如申請專利範圍第2項之電磁波透過性金屬光澤物品，其中，前述含氧化銦層係以連續狀態設置。
如申請專利範圍第2或3項之電磁波透過性金屬光澤物品，其中，前述含氧化銦層，係包含氧化銦(In₂ O₃ )、銦錫氧化物(ITO)、或銦鋅氧化物(IZO)的任一者。
如申請專利範圍第2~4項中的任一項所記載之電磁波透過性金屬光澤物品，其中，前述含氧化銦層的厚度為1nm~1000nm。
如申請專利範圍第1~5項中的任一項所記載之電磁波透過性金屬光澤物品，其中，更具備：被形成於前述金屬層與前述基體之間的屏障層。
如申請專利範圍第1~6項中的任一項所記載之電磁波透過性金屬光澤物品，其中，前述屏障層，係包含從金屬及半金屬的至少1種的氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化碳化物、氮化碳化物及氧化氮化碳化物所成的群選擇的至少1種。
如申請專利範圍第1~7項中的任一項所記載之電磁波透過性金屬光澤物品，其中，前述屏障層，係包含從AZO、ITO、AlO_x 、SiO₂ 所成的群選擇的至少1種。
如申請專利範圍第1~8項中的任一項所記載之電磁波透過性金屬光澤物品，其中，前述金屬層的厚度為10nm~100nm。
如申請專利範圍第2~5項中的任一項所記載之電磁波透過性金屬光澤物品，其中，前述金屬層的厚度與前述含氧化銦層的厚度的比(前述金屬層的厚度/前述含氧化銦層的厚度)為0.02~100。
如申請專利範圍第1~10項中的任一項所記載之電磁波透過性金屬光澤物品，其中，薄膜電阻為100Ω/□以上。
如申請專利範圍第1~11項中的任一項所記載之電磁波透過性金屬光澤物品，其中，前述複數的部分係形成島狀。
如申請專利範圍第1~12項中的任一項所記載之電磁波透過性金屬光澤物品，其中，前述金屬層，係鋁(Al)、鋅(Zn)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銀(Ag)、或該等的合金的任一者。
如申請專利範圍第1~13項中的任一項所記載之電磁波透過性金屬光澤物品，其中，前述基體，係基材薄膜、樹脂成型物基材、玻璃基材、或應賦予金屬光澤的物品的任一者。