TW202140263A - 電磁波透過性金屬光澤構件 - Google Patents

Abstract

本發明關於一種電磁波透過性金屬光澤構件，其具備：基體；含氧化銦層，其以連續狀態設置於上述基體上；及金屬層，其形成於上述含氧化銦層上；且上述金屬層包含至少一部分中呈相互不連續狀態之複數個部分；且作為上述金屬層與上述含氧化銦層之積層體之薄片電阻為2.50E+8Ω/□以上。

Description

電磁波透過性金屬光澤構件

本發明係關於一種電磁波透過性金屬光澤構件。

先前，具有電磁波透過性及金屬光澤之構件因兼具源自其金屬光澤之外觀之高級感、與電磁波透過性，故適宜使用於收發電磁波之裝置。 於對金屬光澤調之構件使用金屬之情形時，實質上不可能或妨礙電磁波之收發。因此，為不妨礙電磁波之收發，不損害設計性，需要兼具金屬光澤與電磁波透過性之兩者之電磁波透過性金屬光澤構件。

期待此種電磁波透過性金屬光澤構件作為收發電磁波之裝置，對需通信之各種機器例如設置智慧型鑰匙之汽車之門把手、車載通信機器、行動電話、個人電腦等電子機器等之應用。進而，近年中，亦期待隨著IoT(Internet of Things：物聯網)技術之發達，對先前未進行通信等之冰箱等家電製品、生活機器等廣範圍領域之應用。

關於電磁波透過性金屬光澤構件，於專利文獻1記載有一種電磁波透過性金屬光澤構件，其特徵在於具備設置於基體之面之含氧化銦層、與積層於上述含氧化銦層之金屬層，且上述金屬層包含於至少一部分中呈相互不連續狀態之複數個部分。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第6400062號公報

[發明所欲解決之問題]

先前技術之電磁波透過性金屬光澤構件之金屬層係若厚度增厚則反射率變高，變得容易獲得金屬光澤。然而，若增厚金屬層之厚度則形成為島狀之金屬彼此重合，電阻值急遽降低，故電磁波透過性顯著受損。因此，反射率與電磁波透過性呈取捨之關係。 本發明係為解決先前技術之上述問題而完成者，其目的在於提供一種具有高反射率，且顯示優異之電磁波透過性之電磁波透過性金屬光澤構件。 [解決問題之技術手段]

本發明者們為解決上述問題而反復深入研究，結果發現藉由將薄片電阻設為特定範圍，可解決上述問題，從而完成本發明。

即，本發明如下所述。 〔1〕 一種電磁波透過性金屬光澤構件，其具備：基體；含氧化銦層，其以連續狀態設置於上述基體上；及金屬層，其形成於上述含氧化銦層上；且 上述金屬層包含於至少一部分中呈相互不連續狀態之複數個部分；且 作為上述金屬層與上述含氧化銦層之積層體之薄片電阻為2.50E+8Ω/□以上。 〔2〕 如〔1〕記載之電磁波透過性金屬光澤構件，其中上述含氧化銦層之厚度為3.3 nm～4.6 nm。 〔3〕 如〔1〕或〔2〕記載之電磁波透過性金屬光澤構件，其中上述含氧化銦層包含氧化銦(In₂ O₃ )、氧化銦錫(ITO：Indium Tin Oxide)、或氧化銦鋅(IZO：Indium Zinc oxide)之任一者。 〔4〕 如〔1〕至〔3〕中任一項記載之電磁波透過性金屬光澤構件，其中上述金屬層含有鋁或鋁合金之層。 〔5〕 如〔1〕至〔4〕中任一項記載之電磁波透過性金屬光澤構件，其中上述金屬層之厚度為10 nm～200 nm。 〔6〕 如〔1〕至〔5〕中任一項記載之電磁波透過性金屬光澤構件，其中上述複數個部分形成為島狀。 〔7〕 如〔1〕至〔6〕中任一項記載之電磁波透過性金屬光澤構件，其中上述基體為基材薄膜、樹脂成型物基材、玻璃基材、或待賦予金屬光澤之物品之任一者。 [發明之效果]

根據本發明，可提供一種具有較高之反射率，且顯示優異之電磁波透過性之電磁波透過性金屬光澤構件。

以下，雖參照附加圖式詳細說明本發明，但本發明並非限定於以下實施形態者，可於不脫離本發明主旨之範圍內任意變化而實施。又，所使用之表示數值範圍之「～」意指包含其前後記載之數值作為下限值及上限值。

＜1.基本構成＞ 本發明之實施形態之電磁波透過性金屬光澤構件具備：基體；含氧化銦層，其以連續狀態設置於上述基體上；及金屬層，其形成於上述含氧化銦層上；且上述金屬層包含於至少一部分中呈相互不連續狀態之複數個部分；且作為上述金屬層與上述含氧化銦層之積層體之薄片電阻為2.50E+8Ω/□以上。

圖1顯示本發明之一實施形態之電磁波透過性金屬光澤構件1之概略剖視圖。又，圖2顯示本發明之一實施形態之電磁波透過性金屬光澤構件1之表面之電子顯微鏡照片(SEM圖像)之一例。

如圖1所示，電磁波透過性金屬光澤構件1包含基體10、形成於基體10之上之含氧化銦層11、及形成於含氧化銦層11之上之金屬層12。

含氧化銦層11設置於基體10之面。含氧化銦層11可直接設置於基體10之面，亦可介隔設置於基體10之面之保護膜等間接設置。較佳為含氧化銦層11以連續狀態，換言之無間隙地設置於基體10之面。藉由以連續狀態設置，而可使含氧化銦層11、以及電磁波透過性金屬光澤構件1之平滑性或耐蝕性提高，此外亦容易於面內均一地成膜含氧化銦層11。

金屬層12積層於含氧化銦層11。金屬層12包含複數個部分12a。藉由積層於含氧化銦層11，該等部分12a於至少一部分中為相互不連續之狀態，換言之，於至少一部分中藉由間隙12b隔開。因藉由間隙12b隔開，故該等部分12a之薄片電阻變大，與電波之相互作用降低，故可使電波透過。該等各部分12a係藉由將金屬蒸鍍、濺鍍等而形成之濺鍍粒子之集合體。於濺鍍粒子於基體10等基體上形成薄膜時，基體上之粒子之表面擴散性對薄膜之形狀造成影響。

另，本說明書中所言之「不連續之狀態」意指藉由間隙12b相互隔開，結果相互電性絕緣之狀態。藉由電性絕緣，而使薄片電阻變大，獲得所期望之電磁波透過性。不連續之狀態並非特別限定者，包含例如島狀、裂縫等。

此處「島狀」意指如圖2之電磁波透過性金屬光澤構件之金屬層之表面之電子顯微鏡照片(SEM圖像)所示，濺鍍粒子之集合體即粒子彼此分別獨立，該等粒子於相互稍微分離或一部分接觸之狀態下鋪裝之構造。

又，裂縫構造係金屬薄膜藉由裂縫分斷之構造。 裂縫構造之金屬層12可藉由例如於形成於基體上之含氧化銦層上，設置金屬薄膜層，彎曲延伸並於金屬薄膜層產生裂縫而形成。此時，藉由於含氧化銦層與金屬薄膜層之間設置缺乏伸縮性即包含容易因延伸而產生裂縫之素材之脆性層，可容易形成裂縫構造之金屬層12。

如上所述未特別限定於金屬層12成為不連續之態樣，但自生產性之觀點而言較佳設為「島狀」。

電磁波透過性金屬光澤構件1之電磁波透過性與薄片電阻具有相關性。 作為電磁波透過性金屬光澤構件1之金屬層與含氧化銦層之積層體之薄片電阻需為2.50E+8Ω/□以上，於此情形時，微頻帶(28 GHz)之電波透過衰減量未達0.1[－dB]左右。 微頻帶(28 GHz)之電波透過衰減量較佳為未達10[－dB]左右，更佳為未達5[－dB]，尤佳為未達2[－dB]。若微頻帶(28 GHz)之電波透過衰減量為10[－dB]以上，則有阻斷90%以上之電波之問題。

電磁波透過性金屬光澤構件1之薄片電阻較佳為1.00E+10Ω/□以上，更佳為1.00E+12Ω/□以上。 若其電阻值較低，則有因洩漏電流引起電性電路等損傷之可能性，藉由設為更高之電阻可加以防止。電磁波透過性金屬光澤構件1之薄片電阻可根據JIS(Japanese Industrial Standards：日本工業標準)-Z2316-1:2014藉由渦流測定法測定。 電磁波透過性金屬光澤構件1之薄片電阻可藉由含氧化銦層之膜厚、金屬層之膜厚及狀態等調整。

電磁波透過性金屬光澤構件1之電波透過衰減量及薄片電阻因含氧化銦層11或金屬層12之材質或厚度等受影響。

＜2.基體＞ 作為基體10，自電磁波透過性之觀點而言，可例舉例如樹脂、玻璃、陶瓷等。 基體10亦可為基材薄膜、樹脂成型物基材、玻璃基材、或待賦予金屬光澤之物品之任一者。 更具體而言，作為基材薄膜，可使用例如包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醯胺、聚氯乙烯、聚碳酸酯(PC)、環烯烴聚合物(COP)、聚苯乙烯、聚丙烯(PP)、聚乙烯、聚環烯烴、聚胺酯、壓克力(PMMA)、ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene:丙烯睛-丁二烯-苯乙烯)等單一聚合物或共聚物之透明薄膜。

根據該等構件，未對光亮性或電磁波透過性造成影響。但，自之後形成含氧化銦層11或金屬層12之觀點而言，較佳為可耐蒸鍍或濺鍍等高溫者。因此，於上述材料中，較佳為例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚對萘二甲酸乙二酯、壓克力、聚碳酸酯、環烯烴聚合物、ABS、聚丙烯、聚胺酯。其中，因耐熱性與成本之平衡較佳，故較佳為聚對苯二甲酸乙二酯或環烯烴聚合物、聚碳酸酯、壓克力。

基材薄膜可為單層薄膜亦可為積層薄膜。根據加工之容易度等，厚度較佳為例如6 μm～250 μm左右。為增強含氧化銦層11或金屬層12之附著力，亦可實施電漿處理或易接著處理等。又，較佳為不含有粒子者。

此處，應注意之點在於，基材薄膜僅為可於其表面上形成含氧化銦層11之對象(基體10)之一例。於基體10，如上所述除基材薄膜以外，亦包含樹脂成型物基材、玻璃基材、待賦予金屬光澤之物品本身。作為樹脂成型物基材、及待賦予金屬光澤之物品，可例舉例如車輛用構造零件、車輛搭載用品、電子機器之殼體、家電機器之殼體、構造用零件、機械零件、各種汽車用零件、電子機器用零件、家具、廚房用品等面向生活用動產之用途、醫療機器、建築材料之零件、其他構造用零件或外裝用零件等。

＜3.含氧化銦層＞ 含氧化銦層11形成於基體10之上。含氧化銦層11可直接設置於基體10之面，亦可介隔設置於基體10之面之保護膜等間接設置。含氧化銦層11較佳為於連續狀態下，換言之無間隙地設置於待賦予金屬光澤之基體10之面。藉由以連續狀態設置，而可使含氧化銦層11、以及金屬層12或電磁波透過性金屬光澤構件1之平滑性或耐蝕性提高，此外，亦容易於面內均一地成膜含氧化銦層11。

如此，若於基體10上，具備含氧化銦層11，即於基體10之上形成含氧化銦層11，之後積層稍後敘述之金屬層12，則容易以不連續之狀態形成金屬層12。其機制之詳細內容雖未必明確，但認為於金屬之蒸鍍或濺鍍之濺鍍粒子於基體上形成薄膜時，基體上之粒子之表面擴散性對薄膜之形狀造成影響，基體之溫度較高，與基體相對之金屬層之潤濕性較小者容易形成不連續構造。且，認為藉由於基體上設置含氧化銦層，而促進其表面上之金屬粒子之表面擴散性，金屬層於不連續之狀態下容易成長。

含氧化銦層11可包含如氧化銦(In₂ O₃ )、氧化銦錫(ITO)、或氧化銦鋅(IZO)般之含金屬物。藉由含氧化銦層11包含上述含金屬物，而可沿基體之面形成連續狀態之膜，又於此情形時，因積層於含氧化銦層11上之金屬層12容易變成例如島狀之不連續構造，故而較佳。進而，於此情形時，於金屬層12除錫(Sn)或銦(In)外，亦容易包含通常難以成為不連續構造且難以適用於本用途之鋁等各種金屬。

ITO所包含之氧化錫(SnО₂ )之質量比例即含有率(含有率=(SnO₂ /(In₂ O₃ +SnO₂ ))×100)並無特別限定，但為例如2.5質量%～30質量%，更佳為3質量%～10質量%。又，IZO所包含之氧化鋅(ZnO)之質量比例即含有率(含有率=(ZnO/(In₂ O₃ +ZnO))×100)為例如2質量%～20質量%。

為將薄片電阻或電磁波透過性設為優異，含氧化銦層11之厚度較佳為4.6 nm以下，更佳為4.4 nm以下，尤佳為4.0 nm以下。另一方面，為將積層之金屬層12設為不連續狀態，且容易獲得較高之反射率，較佳為3.3 nm以上，更佳為3.5 nm以下，尤佳為3.8 nm以上。 藉由含氧化銦層11之厚度為3.3 nm以上且4.6 nm以下，而容易將形成於含氧化銦層11上之金屬層12設為不連續狀態。又，容易將電磁波透過性金屬光澤構件之薄片電阻設為2.50E+8Ω/□以上。且，其結果，容易獲得顯示較高之反射率，且具有優異之電磁波透過性之電磁波透過性金屬光澤構件。

＜4.金屬層＞ 金屬層12形成於含氧化銦層11之上。金屬層12較佳為具有金屬調之外觀之層，即具有金屬光澤之層。形成金屬層12之材料並無特別限定，可包含金屬、或樹脂，亦可包含金屬及樹脂。

本發明之實施形態之電磁波透過性金屬光澤構件之金屬層12之厚度若可將薄片電阻設為2.50E+8Ω/□以上之範圍則無特別限制，例如可設定為10 nm～200 nm之廣範圍。若為該範圍，則可提高良率且穩定生產。 又，自發揮充分之金屬光澤之觀點而言，金屬層12之厚度較佳為10 nm以上，另一方面，自薄片電阻或電磁波透過性之觀點而言，較佳為200 nm以下。金屬層12之厚度較佳為10 nm～100 nm，更佳為10 nm～70 nm。該厚度適合於生產性較佳地形成均一之膜，並獲得反射率較高之電磁波透過性金屬光澤構件。

金屬層12形成於含氧化銦層11上，包含於至少一部分中呈相互不連續狀態之複數個部分。 於金屬層12為於含氧化銦層11上連續狀態之情形時，雖獲得充分之金屬光澤，但電波透過衰減量非常大，因此無法確保電磁波透過性。

當然，金屬層12可發揮足夠之光亮性，但較佳為熔點較低者。原因在於金屬層12較佳藉由使用濺鍍之薄膜成長而形成。自此種理由而言，作為金屬層12，適合熔點為大約1100℃以下之金屬，較佳例如包含自鋁(Al)、鋅(Zn)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銀(Ag)選擇之至少一種金屬、及以該金屬為主成分之合金之任一者。尤其，自物質之光亮性或穩定性、價格等理由而言，金屬層12較佳包含鋁或鋁合金。又，於使用鋁合金之情形時，較佳將鋁含有量設為50質量%以上。

金屬層12之部分12a之圓相當徑並無特別限定，但通常為10～1000 nm左右。複數個部分12a之平均粒徑意為複數個部分12a之圓相當徑之平均值。 部分12a之圓相當徑係與部分12a之面積相當之正圓之直徑。 又，各部分12a彼此之距離並無特別限定，通常為10～1000 nm左右。

＜5.其他層＞ 又，本發明之實施形態之電磁波透過性金屬光澤構件1除上述含氧化銦層11、及金屬層12以外，亦可根據用途具備其他層。 作為其他層可例舉用於調整顏色等外觀之高折射材料等光學調整層(顏色調整層)、用於使耐擦傷性等耐久性提高之保護層(耐擦傷性層)、障壁層(耐腐蝕層)、易接著層、硬塗層、防反射層、光取出層、及抗眩層等。

＜6.電磁波透過性金屬光澤構件之製造方法＞ 對本實施形態之電磁波透過性金屬光澤構件之製造方法之一例進行說明。雖無特別說明，但針對使用基材薄膜以外之基體之情形亦可以同樣之方法製造。

又，於基體10上形成含氧化銦層11時，於形成金屬層12之前，於基體10上藉由真空蒸鍍、濺鍍、及離子電鍍等形成含氧化銦層11。其中，自即使為大面積亦可嚴密控制厚度之點而言，較佳為濺鍍。

於藉由濺鍍形成含氧化銦層11之情形時，作為將銦設為主成分之金屬靶材，並無特別限制，例如除銦以外，亦可含有錫(Sn)及鋅(Zn)等。作為組成式，可以In_x M_1-x (0.7≦x≦1、包含M=Sn及Zn之至少1種金屬元素)表示。此處「主成分」意指金屬靶材中之全部成分中含有比例(質量基準)最多之成分。 銦較佳為於金屬靶材中含有70質量%以上，更佳為含有90質量%以上。 於含有錫(Sn)之情形時，於金屬靶材中較佳含有例如2.5～30質量%，更佳含有3～10質量%。 於含有鋅(Zn)之情形時，於金屬靶材中較佳含有例如2～20質量%，更佳含有5～15質量%。 作為惰性氣體，通常使用氬、氮等惰性氣體。又，可並用氧氣等反應性氣體。 濺鍍所使用之電源可為例如DC電源、AC電源、MF電源及RF電源之任一者，又可為該等之組合。

以上形成之含氧化銦層較佳為包含氧化銦(In₂ O₃ )、氧化銦錫(ITO)、及氧化銦鋅(IZO)等銦之氧化物。

接著，於含氧化銦層11之上，積層金屬層12。於此情形時，亦可使用例如真空蒸鍍、濺鍍等方法。另，較佳為於含氧化銦層11與金屬層12之間，不介存其他層而直接接觸。

＜7.電磁波透過性金屬光澤構件之用途＞ 本實施形態之電磁波透過性金屬光澤構件因具有電磁波透過性故較佳使用於收發電磁波之裝置或物品及其零件等。例如，可例舉車輛用構造零件、車輛搭載用品、電子機器之殼體、家電機器之殼體、構造用零件、機械零件、各種汽車用零件、電子機器用零件、家具、廚房用品等面向生活用動產之用途、醫療機器、建築材料之零件、其他構造用零件或外裝用零件等。 更具體而言，於車輛關係中可例舉儀錶板、控制箱、門把手、門飾、移動桿、踏板類、手套箱、保險桿、引擎蓋、擋泥板、主體、門、車頂、支柱、座椅、方向盤、ECU(Engine Control Unit：發動機控制單元)箱、電器零件、引擎周邊零件、驅動系統/齒輪周邊零件、吸氣/排氣系統零件、及冷卻系統零件等。 作為電子機器及家電機器，更具體而言可例舉冰箱、洗衣機、吸塵器、微波爐、空調、照明機器、電熱水器、電視機、時鐘、風扇、投影機、揚聲器等家電製品類、個人電腦、移動電話、智慧型手機、數位相機、平板型PC(Personal Computer：個人電腦)、可攜式音樂播放器、可攜式遊戲機、充電器、電池等電子資訊機器等。 [實施例]

以下，例舉實施例及比較例，更具體說明本發明。關於電磁波透過性金屬光澤構件1準備各種試料，進行電磁波透過性之評估。 另，作為基體10，使用基材薄膜。

＜電磁波透過性＞ (薄片電阻) 使用Hiresta(三菱化學股份有限公司製Hiresta-UP MCP-HT450裝置)，依據JIS-Z2316，藉由渦流測定法測定作為金屬層與含氧化銦層之積層體之薄片電阻(Ω/□)。 自基材之金屬層側，抵壓測定端子，使用1000 V之施加電壓，測定30秒間測定之情形之薄片電阻(電阻值)。於測定值為1000 V且無法測定之情形時(為1.00×10⁸ Ω/□以下)，將施加電壓變更為100 V測定薄片電阻(電阻值)。

(薄片電阻之評估) 2.50E+8(Ω/□)以上：○ 未達2.50E+8(Ω/□)：×

＜反射率＞ 使用分光光度計(日立高新技術公司製U-4100裝置)，於薄膜之透明基材側，介隔黏著劑，貼合遮光性之黑色壓克力板製作評估用樣本。 接著，於金屬層面之視感反射率Y之值設為5°正反射(波長：380 nm～780 nm)之條件下實施測定。

＜金屬層之狀態＞ 於上述Hiresta因測定下限而無法測定之情形時，藉由非接觸電阻計(三菱化學股份有限公司製 HirestaUP MCP-HT450)測定薄片電阻。

(金屬層之評估) 1.00E+3(Ω/□)以上：○ 未達1.00E+3(Ω/□)：×

＜金屬層之厚度＞ 考慮金屬層之不均一，更詳細而言圖1所示之部分12a之厚度之不均一，將部分12a之厚度之平均值設為金屬層之厚度(Al膜厚(nm))。另，將各個部分12a之厚度設為自基體10沿垂直方向最厚處之厚度。以下，為方便起見，將該平均值稱為「最大之厚度」。圖3顯示電磁波透過性金屬光澤構件之剖面之電子顯微鏡照片(TEM圖像)之例。 於求出最大之厚度時，首先於圖3所示般電磁波透過性金屬光澤構件之表面所顯現之金屬層中，適當擷取圖4所示般之一邊5 cm之正方形區域3，並選擇藉由將該正方形區域3之縱邊及橫邊各者之中心線A、B分別4等分而獲得之合計5處之點「a」～「e」作為測定部位。 接著，於選擇之測定部位各者之圖3所示般之剖面圖像中，擷取包含大約5個部分12a之視野角區域。求出該等合計5處測定部位各者之大約5個部分12a，即25個(5個×5部位)之部分12a之各者之厚度(nm)，將該等平均值設為「最大之厚度」。

＜含氧化銦層之厚度＞ 準備按各厚度調整含氧化銦層之樣本，相對於由掃描型螢光X線分析裝置ZSX Primus II測定之淨峰值強度，測定透過型電子顯微鏡照片(TEM圖像)，計算含氧化銦層之厚度，製作相對於淨峰值強度之厚度之校正曲線。含氧化銦層之厚度使用該校正曲線根據螢光X線之淨峰值強度算出。 求出該等平均值，設為含氧化銦層之厚度(ITO膜厚(nm))。

[實施例1] 作為基材薄膜，使用形成有不含有粒子之硬塗層之PET薄膜(厚度50 μm)，並使用MF-AC磁控濺鍍，沿基材薄膜之面，於其上直接成膜4.4 nm厚度之ITO層。將形成ITO層時之基材薄膜之溫度設定為90℃。ITO所包含之氧化錫(SnO₂ )之含有率(含有率=(SnO₂ /(In₂ O₃ +SnO₂ ))×100)係10wt%。接著，使用交流濺鍍(MF-AC：40 kHz)，於ITO層之上，形成34.5 nm之厚度之鋁(Al)層，獲得金屬光澤物品(金屬薄膜)。獲得之鋁層為不連續層。將形成Al層時之基材薄膜之溫度設定為90℃。

[實施例2～4] 實施例2～4除將實施例1之ITO層之厚度分別變更為4.1 nm、3.8 nm、3.4nm，將Al層之厚度分別變更為34.5 nm、33.1 nm、35.1 nm以外同樣成膜。

[比較例1] 比較例1除將實施例1之ITO層之厚度變更為3.2 nm以外同樣成膜。Al之厚度為32.7 nm。

[比較例2～5] 比較例2～5除將實施例1之ITO層之厚度分別變更為2.5 nm、5.2 nm、6.1 nm、8.1 nm，將Al層之厚度分別變更為32.5 nm、36.9 nm、29.1 nm、29.1nm以外同樣成膜。

[比較例6] 作為基材薄膜，使用形成有不含有粒子之硬塗層之PET薄膜(厚度50 μm)。 首先，使用DC磁控濺鍍，沿基材薄膜之面，於其上直接形成4.8 nm之厚度之ITO層。將形成ITO層時之基材薄膜之溫度設定為130℃。ITO所包含之氧化錫(SnO₂ )之含有率(含有率=(SnO₂ /(In₂ O₃ +SnO₂ ))×100)係10wt%。

接著，使用交流濺鍍(AC：40 kHz)，於ITO層之上，形成38.0 nm厚度之鋁(Al)層，獲得金屬光澤物品(金屬薄膜)。獲得之鋁層為不連續層。將形成Al層時之基材薄膜之溫度設定為130℃。

以下表1顯示各實施例及比較例之評估結果。又，圖5顯示含氧化銦層之膜厚(nm)與薄片電阻(電阻值Ω/□)之關係之圖。

[表1]

自表1明瞭，於實施例1～4之金屬光澤構件，薄片電阻為2.50E+8Ω/□以上，顯示優異之電磁波透過性。又，反射率亦充分。認為此原因在於促進島狀之不連續構造之金屬層之形成。 另一方面，比較例1～6之積層構件與實施例相比薄片電阻較低，電磁波透過性惡劣。認為此原因在於比較例1及2電阻值非常小，ITO層之厚度較薄，無法充分形成島狀，故表示源自金屬層之低電阻。又，關於比較例3～6，雖非比較例1、2程度之低電阻，亦為小於2.50E+8Ω/□之值。認為此原因在於因ITO層較厚，故充分形成島狀，表示源自ITO層之電阻值。

另，認為關於以上實施例特別使用之鋁(Al)以外之金屬，對於鋅(Zn)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銀(Ag)等熔點較低之金屬而言，亦可以同樣之方法形成不連續構造。

本發明並非限定於上述實施例者，亦可於不脫離發明主旨之範圍內適當變更並具體化。 [產業上之可利用性]

本發明之電磁波透過性金屬光澤構件可使用於收發電磁波之裝置或物品及其零件等。例如，亦可用於車輛用構造零件、車輛搭載用品、電子機器之殼體、家電機器之殼體、構造用零件、機械零件、各種汽車用零件、電子機器用零件、家具、廚房用品等面向生活用動產之用途、醫療機器、建築材料之零件、其他構造用零件或外裝用零件等對設計性與電磁波透過性兩者有要求之各種用途。

雖參照特定之實施態樣對本發明詳細說明，但熟知本技藝者當明瞭於未脫離本發明之精神與範圍內可進行多種變更或修正。 本申請案係基於2020年3月17日申請之日本專利申請(專利2020-046758號)者，且其內容於此處作為參照而收入。

1:電磁波透過性金屬光澤構件 3:正方形區域 10:基體 11:含氧化銦層 12:金屬層 12a:部分 12b:間隙 A:中心線 a:測定部位 B:中心線 b:測定部位 c:測定部位 d:測定部位 e:測定部位

圖1係本發明之一實施形態之電磁波透過性金屬光澤構件之概略剖視圖。 圖2係顯示本發明之一實施形態之電磁波透過性金屬光澤構件之表面之電子顯微鏡照片(SEM(Scanning Electron Microscope：掃描電子顯微鏡)圖像)之圖。 圖3係顯示本發明之一實施形態之電磁波透過性金屬光澤構件之剖面之電子顯微鏡照片(TEM(Transmission Electron Microscope：透射電子顯微鏡)圖像)之圖。 圖4係用於說明本發明之一實施形態之電磁波透過性金屬光澤構件之金屬層之厚度之測定方法之圖。 圖5係顯示本發明之實施例及比較例之電磁波透過性金屬光澤構件之含氧化銦層之膜厚與薄片電阻之關係之圖。

1:電磁波透過性金屬光澤構件

10:基體

11:含氧化銦層

12:金屬層

12a:部分

12b:間隙

Claims (7)

1. 一種電磁波透過性金屬光澤構件，其具備：基體；含氧化銦層，其以連續狀態設置於上述基體上；及金屬層，其形成於上述含氧化銦層上；且 上述金屬層包含至少一部分中呈相互不連續狀態之複數個部分；且 作為上述金屬層與上述含氧化銦層之積層體之薄片電阻為2.50E+8Ω/□以上。
2. 如請求項1之電磁波透過性金屬光澤構件，其中上述含氧化銦層之厚度為3.3 nm～4.6 nm。
3. 如請求項1或2之電磁波透過性金屬光澤構件，其中上述含氧化銦層包含氧化銦(In₂ O₃ )、氧化銦錫(ITO)、或氧化銦鋅(IZO)中之任一者。
4. 如請求項1至3中任一項之電磁波透過性金屬光澤構件，其中上述金屬層係含有鋁或鋁合金之層。
5. 如請求項1至4中任一項之電磁波透過性金屬光澤構件，其中上述金屬層之厚度為10 nm～200 nm。
6. 如請求項1至5中任一項之電磁波透過性金屬光澤構件，其中上述複數個部分形成為島狀。
7. 如請求項1至6中任一項之電磁波透過性金屬光澤構件，其中上述基體係基材薄膜、樹脂成型物基材、玻璃基材、或待賦予金屬光澤之物品中之任一者。

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