TW201942407A - 氧化膜形成方法 - Google Patents

氧化膜形成方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201942407A
TW201942407A TW107146107A TW107146107A TW201942407A TW 201942407 A TW201942407 A TW 201942407A TW 107146107 A TW107146107 A TW 107146107A TW 107146107 A TW107146107 A TW 107146107A TW 201942407 A TW201942407 A TW 201942407A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
film
oxide film
forming
substrate
Prior art date
Application number
TW107146107A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI717669B (zh
Inventor
亀田直人
三浦敏德
Original Assignee
日商明電舍股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商明電舍股份有限公司 filed Critical 日商明電舍股份有限公司
Publication of TW201942407A publication Critical patent/TW201942407A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI717669B publication Critical patent/TWI717669B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明係一種氧化膜形成方法，其中，對於設置於所減壓之處理爐(5)內之被成膜基體(7)，供給臭氧濃度為20~100vol%之臭氧氣體，和不飽和烴氣體，和原料氣體，再經由化學氣相成長法，形成氧化膜於被成膜基體(7)表面之氧化膜形成方法。不飽和烴氣體係例如為乙烯氣體，而原料氣體係例如為TEOS氣體。將臭氧氣體的流量，作為不飽和烴氣體與原料氣體的合計流量之2倍以上。此氧化膜形成方法中，即使為200℃以下之低溫條件，亦以高成膜速度而形成氧化膜於被成膜基體(7)上。

Description

氧化膜形成方法
本發明係有關氧化膜形成方法。特別是有關可成膜於經由合成樹脂所形成之基板或薄膜上之氧化膜形成方法。
在使用於包裝用或電子構件，可撓裝置等之有機材料中，為了表面保護或機能性附加而進行無機膜之成膜。另外，在許多各種電性裝置之中，檢討有可撓性配線基板化，而此等係例如，要求在有機薄膜上之形成。
作為成膜技術係有著化學氣相成長(CVD: Chemical Vapor Deposition)或物理氣相成長(PVD: Physical Vapor Deposition)等之技術。此等之成膜技術係在半導體或感測器，FPD(Flat Panel Display)等，微細電子裝置之製造處理中，利用於各種絕緣膜或導電膜等之形成。一般，在成膜速度或被覆性的點，化學氣相成長者則為優越。
在化學氣相成長中，對於包含含有各種成膜元素之化合物的原料氣體(例如，矽烷(矽化氫的總稱)，TEOS(TetraEthyl OrthoSillicate)、TMA(TriMethyl Alminium)、氟化鎢(WF6 )等)，加上各種反應氣體而使其反應，堆積反應生成物於被成膜基體，形成膜。此技術係使氣體間的反應促進，更且為了在被成膜基體上之膜質提升，在數百℃以上之高溫下加以實施。也就是，化學氣相成長法係低溫化則為不易，而許多情況，超過有機材料的耐熱溫度。
例如，即使在將高濃度的臭氧氣體適用於化學氣相成長之技術的情況，亦使用高濃度之臭氧氣體與TEOS氣體，在數百℃以上之高溫下，形成SiO2 膜於基板上(例如，專利文獻1)。
對於以低溫進行化學氣相成長，為了得到良好的膜質，係即使為低溫亦必須導入化學反應性高之反應性活性種。例如，有著以100℃以下之溫度進行堆積於被成膜基體的被覆膜之氧化的手法(例如，專利文獻2)，或在將有機物的除去作為目的之灰化技術中，進行在室溫的反應之手法(例如，專利文獻3，4)。在此等的手法中，利用自高濃度的臭氧與不飽和烴的反應所生成之反應活性種，實現200℃以下之處理。
以往的化學氣相成長係在200℃以下中，反應速度為慢，而所得到之氧化膜的膜質不僅不佳，而成膜速度為慢。其結果，無法對於耐熱溫度為200℃以下之被成膜基體上形成良質之氧化膜，而做成具有優越特性之裝置情況則為困難。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-109984號公報
[專利文獻2]日本特開2013-207005號公報
[專利文獻3]日本特開2008-294170號公報
[專利文獻4]日本特開2009-141028號公報
本發明係有鑑於上述情事所作為之構成，其目的為提供以200℃以下而可將氧化膜成膜於被成膜基體上之氧化膜形成方法者。
為了達成上述目的之本發明之氧化膜形成方法的一形態係，
對於形成有氧化膜之被成膜基體，
供給臭氧氣體，和不飽和烴氣體，和構成前述氧化膜之元素的Si或作為構成元素而含有金屬元素之原料氣體，再經由化學氣相成長法，形成氧化膜於前述被成膜基體表面。
另外，達成上述目的之本發明之氧化膜形成方法的其他形態係在上述氧化膜形成方法中，
前述被成膜基體係合成樹脂製之基板或薄膜，
對於前述被成膜基體，供給前述臭氧氣體與前述不飽和烴氣體之後，
對於前述被成膜基體，供給前述臭氧氣體，前述不飽和烴氣體及前述原料氣體而形成前述氧化膜於前述被成膜基體表面。
另外，達成上述目的之本發明之氧化膜形成方法的其他形態係在上述氧化膜形成方法中，
對於前述被成膜基體，供給前述臭氧氣體，前述不飽和烴氣體及前述原料氣體而形成前述氧化膜於前述被成膜基體表面之後。
對於前述被成膜基體，供給前述臭氧氣體與前述不飽和烴氣體。
另外，達成上述目的之本發明之氧化膜形成方法的其他形態係在上述氧化膜形成方法中，
前述不飽和烴氣體係乙烯氣體。
另外，達成上述目的之本發明之氧化膜形成方法的其他形態係在上述氧化膜形成方法中，
在形成前述氧化膜於前述被成膜基體上之工程中，前述臭氧氣體的供給流量係前述不飽和烴氣體與前述原料氣體的合計供給流量之2倍以上。
另外，達成上述目的之本發明之氧化膜形成方法的其他形態係在上述氧化膜形成方法中，
在形成前述氧化膜於前述被成膜基體上之工程中，週期性地使前述臭氧氣體，前述不飽和烴氣體，前述原料氣體，及進行供給至前述被成膜基體上之氣體的攪拌之惰性氣體之中至少1個之氣體流量變化。
另外，達成上述目的之本發明之氧化膜形成方法的其他形態係在上述氧化膜形成方法中，
將前述臭氧氣體與前述不飽和烴氣體之供給流量作為一定，週期性地使前述原料氣體變化。
另外，達成上述目的之本發明之氧化膜形成方法的其他形態係在上述氧化膜形成方法中，
於自前述被成膜基體遠離之位置，與前述被成膜基體表面對向，具備噴淋頭，
預先混合前述不飽和烴氣體與前述原料氣體，將此混合之氣體與前述臭氧氣體，自前述噴淋頭的不同之供給孔，各供給至前述被成膜基體。
另外，達成上述目的之本發明之氧化膜形成方法的其他形態係在上述氧化膜形成方法中，
於自前述被成膜基體遠離之位置，與前述被成膜基體表面對向，具備噴淋頭，
預先混合前述臭氧氣體與前述原料氣體，將此混合之氣體與前述不飽和烴氣體，自前述噴淋頭的不同之供給孔，各供給至前述被成膜基體。
另外，達成上述目的之本發明之氧化膜形成方法的其他形態係在上述氧化膜形成方法中，
在形成前述氧化膜於前述被成膜基體上之工程中，前述臭氧氣體的供給流量係0.2sccm以上。
如根據以上的發明，可在200℃以下，形成氧化膜於被成膜基體上者。
對於有關本發明之實施形態的氧化膜形成方法，依據圖面而加以詳細說明。
有關本發明之實施形態的氧化膜形成方法係於配置有形成氧化膜之被成膜基體的處理爐，供給臭氧氣體，含有各種成膜元素的原料氣體，不飽和烴氣體，再經由化學氣相成長法(CVD法)，而於被成膜基體上形成氧化膜之構成。
被成膜基體係基板或薄膜等。特別是，有關本發明之實施形態的氧化膜形成方法係因可以低溫而形成氧化膜之故，不僅於Si基板等之耐熱性比較高之基板，而於耐熱性比較低之合成樹脂所形成之基板或薄膜，可形成氧化膜者。作為形成基板或薄膜之合成樹脂係例如，有著聚酯樹脂，聚醯胺樹脂，烯烴樹脂，聚丙烯樹脂，PPS(聚苯硫醚)、PET(聚乙烯對苯二甲酸酯)等。其他，可使用PE (聚乙烯)，POM(聚甲醛，或乙縮醛樹脂)，PEEK(聚醚醚酮)，ABS樹脂(丙烯腈，丁二烯，苯乙烯共聚合合成樹脂)，PA(聚醯胺)，PEA(4氟化苯乙烯，全氟烷乙烯共聚合體)，PI(聚醯亞胺)，PVD(聚二氯乙烯)等。
臭氧氣體係臭氧濃度越高越為理想。例如，臭氧氣體的臭氧濃度(體積%濃度)係20~100vol%為佳，而80~100vol%則更佳。此係，臭氧濃度越接近100vol%，可使自臭氧所生成之反應活性種(OH)，以更高密度而到達至被成膜基體表面者之故。此反應活性種(OH)係加上於對於化學氣相成長必要之反應，與膜中不純物的碳(C)反應，可將此碳(C)，作為氣體而除去者。隨之，由供給更多的反應活性種(OH)於被成膜基體表面者，可形成不純物少之氧化膜。另外，氧濃度越高(即，氧濃度越低)，從有著臭氧產生分離而發生之原子狀氧(O)的壽命變長之傾向，亦使用高濃度之臭氧氣體為佳。即，由提高臭氧濃度者，氧濃度則變低，而抑制原子狀氧(O)則經由與氧分子之衝突而產生失活的情況。另外，由提高臭氧濃度者，可將氧化膜形成處理的處理壓力進行減壓之故，從氣流控制性･氣流提升的觀點，亦使用高濃度之臭氧氣體者為佳。
臭氧氣體的流量係例如，0.2sccm以上則為佳，而0.2~1000sccm則更佳。sccm係1atm(1013hPa)、在25℃之ccm(cm3 /min)。另外，臭氧氣體的流量(供給量)係不飽和烴氣體的流量(供給量)之2倍以上。不飽和烴氣體則分解於OH基之分解步驟為複數步驟所成之故，所以對於以臭氧分子：不飽和烴分子=1：1而供給之情況，對於反應必要之臭氧分子則不足，而有無法充分的量得到OH基之虞之故。然而，對於在供給不飽和烴氣體與原料氣體時，由將臭氧氣體的流量作為不飽和烴氣體與原料氣體之合計流量的2倍以上者，可以良好之成膜比例而形成氧化膜者。
高濃度的臭氧氣體係自臭氧含有氣體，依據蒸氣壓的差而僅液化分離臭氧之後，可再次使液化的臭氧進行氣化而得到者。為了得到高濃度之臭氧氣體的裝置係例如，揭示於日本特開2001-304756號公報或日本特開2003-20209號公報的專利文獻。生成此等之高濃度的臭氧氣體之裝置係依據臭氧與其他的氣體(例如，氧)之蒸氣壓的差而僅液化分離臭氧，生成高濃度的臭氧(臭氧濃度≒100vol%)。特別是，具備複數僅使臭氧液化及氣化之處理室時，經由個別地溫度控制此等之處理室之時，可連續性地供給高濃度的臭氧氣體者。然而，作為生成高濃度的臭氧氣體的市售之裝置，例如，有著日本明電舍製之醇臭氧產生器(MPOG-HM1A1)。
原料氣體係使用將形成氧化膜之元素(例如，鋰(Li)、鎂(Mg)、矽(Si)、鈦(Ti)、釩(V)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、鍺(Ge)、釔(Y)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、釕(Ru)、銠(Rh)、銦(In)、錫(Sn)、鎢(W)、銥(Ir)、白金(Pt)、鉛(Pb)等、以下，此等元素稱為金屬或金屬元素)，作為構成元素而含有之原料氣體。例如，使用含有具有Si-O結合或者Si-C結合之有機矽，或具有金屬元素-氧結合或者金屬元素-碳結合之有機金屬的原料氣體，或金屬鹵化物或有機金屬錯化物或者矽或金屬的氫化物等之原料氣體。具體而言，作為原料氣體，使用矽烷(矽化氫之總稱)，TEOS (TetraEthyl OrthoSillicate)、TMS(TriMthoxySilane)、TES (TriEthoxySilane)、TMA(TriMethyl Alminium)、TEMAZ (Tetrakis(ethylmethylamino)zirconium)、氟化鎢(WF6 )等。另外，不僅金屬元素1種類，而亦可將含有複數種類的金屬元素之異種複核錯化物(例如，記載於日本特開2016-210742等之錯化物)，作為原料氣體而使用。原料氣體的流量係例如，0.1sccm以上則為佳，而0.1~500sccm則更佳。
不飽和烴係使用具有例示於乙烯之2重結合之烴(烯烴)或具有例示於乙炔之3重結合之烴(炔烴)。作為不飽和烴係除了乙烯或乙炔之外，理想使用丁烯等之低分子量的不飽和烴(例如，碳數n為4以下之不飽和烴)。不飽和烴氣體的流量係例如，0.1sccm以上則為佳，而0.1~500 sccm則更佳。
圖1係顯示有關本發明之實施形態之氧化膜形成處理系統1之構成的圖。在此例中，顯示臭氧濃度為100vol%之臭氧氣體，作為不飽和烴氣體而使用乙烯氣體，作為原料氣體而使用TEOS氣體的例，但作為不飽和烴氣體或原料氣體，使用其他氣體的情況，亦同樣地可形成氧化膜者。
氧化膜形成處理系統1係具備：臭氧氣體產生裝置2(或充填高濃度之臭氧氣體的鋼瓶)，乙烯氣體鋼瓶3，TEOS氣體鋼瓶4，及進行程序處理之處理爐5(處理室)。
臭氧氣體產生裝置2係供給臭氧氣體於處理爐5。臭氧氣體產生裝置2係藉由配管2a而連接於處理爐5。對於配管2a係設置有流量可變的閥V1 ，個別地進行臭氧氣體的流量控制。配管2a之流量係例如，依據閥V1 之1次壓與2次壓的差壓及配管2a之剖面積而加以算出。如此，在臭氧氣體的流量計測中，使用具備如以壓力差而計測流量的系統之裝置者為佳。此係當使用加上熱之方式的計測裝置時，引起臭氧的分解之故。
臭氧氣體鋼瓶3係供給臭氧氣體於處理爐5。臭氧氣體鋼瓶3係藉由配管3a而連接於處理爐5。對於配管3a係設置有流量可變的閥V2 ，個別地進行乙烯氣體的流量控制。雖未圖示，但對於配管3a係例如，具備有計測質量流量器等之乙烯氣體的流量之計測裝置。
TEOS氣體鋼瓶4係供給TEOS氣體於處理爐5。TEOS氣體鋼瓶4係藉由配管4a而連接於處理爐5。對於配管4a係設置有流量可變的閥V3 ，個別地進行TEOS氣體的流量控制。TEOS氣體之流量係例如，依據閥V3 之1次壓與2次壓的差壓及配管4a之剖面積而加以算出。另外，對於配管4a係具備氣化室6。例如，在氣化室6中，將TEOS加熱為70℃以上，在常溫中為液體之TEOS則在氣化室6加以氣化之後，供給至處理爐5。然而，當作為載氣而流動氮等之惰性氣體於配管4a時，改善了TEOS氣體之輸送之故而為理想。
雖省略圖示，但亦可將攪拌或淨化處理爐5內之氣體的惰性氣體(例如，氮氣)之配管，設置於處理爐5者。
對於處理爐5係配置有形成氧化膜之被成膜基體7。在處理爐5中，經由化學氣相成長法而形成氧化膜(在此實施例中係為SiO2 膜)於被成膜基體7上。處理爐5則為冷牆爐，因抑制在處理爐5壁面之臭氧等的分解之故而為理想。對於處理爐5係連接有排氣用配管8。對於排氣用配管8係具備為了分解真空泵9及排氣後之殘留氣體的除外筒10，藉由此除外筒10而釋放處理爐5內之氣體於大氣中。對於排氣用配管8係設置有流量可變的閥V4 ，經由此閥V4 而加以抑制成膜處理中的處理爐5內之壓力。
於圖2顯示處理爐5之詳細。處理爐5係具備：配置有被成膜基體7之爐主體5a。對於爐主體5a係具備試料台11(加熱承受器)，而於試料台11上，載置有被成膜基體7。加熱試料台11之加熱器(未圖示)係例如，適用在半導體製造技術中，發射作為加熱手段所使用之紅外線之光源。由加熱試料台11者，將被成膜基體7加熱至特定的溫度。
對於爐主體5a之一方的端部係具備有連接導入乙烯氣體，TEOS氣體的配管3a、4a之配管5b，再將乙烯氣體與TEOS氣體之混合氣體供給至爐主體5a。對於爐主體5a之另一方的端部係具備連接於排氣用配管8之配管5c，而導入至爐主體5a之各種氣體係通過被成膜基體7表面附近之後，流動在排氣用配管8而加以排氣。在圖2中，雖未圖示，但導入臭氧氣體之配管2a係呈可與被成膜基體7之處裡面平行地供給臭氧地，鄰接於配管5b而具備於爐主體5a。
也就是，對於處理爐5係連接有配管2a~4a，對於被成膜基體7之處理面，水平方向地供給臭氧氣體，乙烯氣體，TEOS氣體。爐主體5a，配管2a~4a，配管5b、5c及排氣用配管8之材質係使用可耐經由將內部作為真空情況之應力變形，未引起經由臭氧之氧化劣化的構成(例如，鋁製或石英玻璃製之構成)。
另外，於圖2顯示爐主體5a之試料台11部分的剖面12。在爐主體5a中，試料台11之氣體所流通的剖面積越小，流通在被成膜基體7表面附近之氣體流速則越上升。例如，於自被成膜基體7表面遠離之位置，與被成膜基體7表面對向具備墊片(未圖示)時，縮小流通在被成膜基體7表面之氣體的流路之寬度，氣體流速則上升。當流通在被成膜基體7表面之氣體流速上升時，成為在被成膜基體7之下流部分亦可供給未反應之氣體，而被成膜基體7之下流部分的成膜則成為可能。
接著，參照圖3的流程，對於在氧化膜形成處理系統1之氧化膜形成方法加以說明。
(STEP1：試料的搬入)
送入氮氣於處理爐5內，將滯留於處理爐5內之氣體，置換為氮氣，除去處理爐5內之氣體(氮去除)。接著，將被成膜基體7搬入至處理爐5內，開啟閥V4 ，使用真空泵9而將處理爐5內的壓力下降為1Pa以下。閥V4 係持續開放狀態，被成膜基體7之溫度則呈成為特定的溫度地加熱試料台11。
(STEP2：前處理)
開放閥V1 ，V2 ，供給臭氧氣體與乙烯氣體。經由此處理，氧化活性種(OH)則加以供給･吸附於被成膜基體7表面。其結果，被成膜基體7表面則成為親水性，而之後所成膜之SiO2 與被成膜基體7表面的密著性則提升。臭氧氣體的流量係例如，在0.2~1000sccm之範圍內進行設定，而乙烯氣體的流量係例如，在0.1~500sccm之範圍內進行設定。為了防止臭氧的爆發，例如，處理壓力係作為1000Pa以下，至接下來之步驟為止，持續供給臭氧氣體與乙烯氣體。臭氧氣體的流量係乙烯氣體的流量之2倍以上者為佳。
(STEP3：主處理)
開放閥V3 ，供給TEOS氣體。TEOS氣體的流量係例如，在0.1~500sccm之範圍內進行設定。臭氧氣體的流量係例如，乙烯氣體的流量與TEOS氣體的流量之合計流量的2倍以上者為佳。處理壓力係例如，作為1000Pa以下。
在主處理工程中，除了將處理中之臭氧氣體，乙烯氣體(不飽和烴氣體)，TEOS氣體(原料氣體)之流量，固定為一定之處理方法之外，考慮有使臭氧氣體，乙烯氣體(不飽和烴氣體)，TEOS氣體(原料氣體)之中1個或複數的氣體流量，各進行經時性變化或週期性變化之處理方法。作為使氣體之流量，各進行經時性變化或週期性變化之形態，係有著縮小氣體流量之形態或一定時間停止氣體的供給之形態。另外，亦可一併進行週期性地供給攪拌或淨化處理爐5內之氣體的惰性氣體，經由惰性氣體而在處理爐5內進行攪拌，將處理爐5內之氣體分布作為均一之處理者。由供給惰性氣體於處理爐5，以及使原料氣體等之氣體的流量，在每個程序處理中進行變化者，經由被成膜基體7上而可形成均一之氧化膜者。作為具體例，對於處理中之氣體流量的時間變化，例示接下來之3個處理模式。
＜模式1＞
處理中，將臭氧氣體的流量，乙烯氣體的流量及TEOS氣體的流量作為一定。
在模式1之處理中，形成於被成膜基體7上之氧化膜的膜厚，則在處理期間中，以一定速度增加。
＜模式2＞
處理中，將臭氧氣體的流量，乙烯氣體的流量作為一定，使TEOS氣體的流量週期性地進行變化。
模式2之處理係於充滿臭氧氣體與乙烯氣體之處理爐5內，供給TEOS氣體的構成。由供給TEOS氣體於充滿臭氧氣體與乙烯氣體之空間者，可更均一地將質高的氧化膜進形成膜。
例如，將臭氧氣體的流量作為一定之情況，經由乙烯氣體或TEOS氣體的反應，越至處理爐5之下流，臭氧的數則越減少。另外，使TEOS氣體流通於處理爐5內者，越至下流，與TEOS反應之活性種(OH)的量則變越少。
如此，在形成氧化膜於被成膜基體7上之工程中，對於處理爐5內之臭氧或活性種之分布產生有偏頗。因此，由減少(或停止)TEOS氣體的供給量者，於處理爐5內，除去在處理爐5內之反應所生成之不需要的生成物，於處理爐5充滿臭氧氣體與乙烯氣體。於充滿此臭氧氣體與乙烯氣體之處理爐5，由供給TEOS氣體者，可更將在被成膜基體7上之氧化膜的厚度或膜質作為均一。
然而，模式2之處理係由在處理中使TEOS氣體的流量進行週期性變化者，反覆形成氧化膜於被成膜基體7之工程，和形成於被成膜基體7上之氧化膜則經由臭氧氣體與乙烯氣體之混合氣體(包含反應活性種)而加以改質之工程。其結果，可將質更高之氧化膜均一地進行成膜者。
＜模式3＞
處理中，將臭氧氣體的流量，TEOS氣體的流量作為一定，使乙烯氣體的流量週期性地進行變化。
臭氧與TEOS之反應係在200℃以下之溫度中，與存在有乙烯之情況做比較，認為幾乎未進行。因此，由使乙烯氣體的流量，在程序處理中週期性地進行變化者，反覆形成氧化膜於被成膜基體7上之工程，和充滿臭氧氣體與TEOS氣體於處理爐5內之工程。其結果，可將質更高之氧化膜均一地進形成膜者。
除上述所例示之模式之外，認為處理中，將乙烯氣體的流量，TEOS氣體的流量作為一定，使臭氧氣體的流量，週期性地進行變化之形態亦可得到同樣的效果。也就是，由使臭氧氣體，不飽和烴氣體，原料氣體及惰性氣體之至少1個之氣體，經時性或週期性地進行變化者，氧化膜之成膜速度係經時性或週期性地產生變化。並且，使此等之氣體得至少1個之氣體經時性或週期性地進行變化者，加以抑制在形成氧化膜於被成膜基體7上之工程，經由處理爐5內之臭氧或活性種之分布的偏頗之氧化膜的膜厚之不均一或膜質之下降(偏頗)。另外，由改變處理爐5內之氣流分布者，經由成膜之膜厚增加的被成膜基體7面內分布產生變化，成為可抑制氧化膜之被成膜基體7面內分布。即使在任一之模式，亦至成為預先所設定之特定的膜厚為止，形成有氧化膜，再移動至接下來的步驟。
然而，在此實施例中，在模式2之處理模式進行氧化膜之形成。如模式2，由將TEOS氣體的流量，暫時性地作為微少者，對於形成於被成膜基體7上之氧化膜的OH供給數則變多，而可期待在接下來之步驟詳細說明之氧化膜的改質效果。
(步驟4：後處理)
關閉閥V3 ，停止TEOS氣體的供給。由停止TEOS氣體的供給者，成膜則停止，但與STEP2同樣地，供給OH於形成在被成膜基體7上之氧化膜表面。由所供給的OH則擴散在膜中者，與膜中不純物的碳(C)或氫(H)產生化學反應，而此等膜中不純物則進行氣化(CO、CO2 或H2 O)而加以除去至膜外。在步驟4之臭氧氣體的流量及乙烯氣體的流量或處理爐5內之壓力範圍係與步驟2同樣。成膜於被成膜基體7上之氧化膜的改質時間係因隨著膜厚變厚而增加之故，改質時間係因應形成於被成膜基體7之氧化膜的膜厚而加以適宜設定。
(步驟5：試料搬出)
關閉閥V1 ，V2 ，停止所有的氣體供給。將處理爐5內之壓力作為1Pa以下，關閉閥V4 而停止排氣。並且，充滿氮氣等之惰性氣體於處理爐5內，將處理爐5內之壓力作為大氣壓，將被成膜基體7搬送至處理爐5外。經由此等，一連串的處理程序則結束。
圖4係顯示經由根據本發明之實施形態的氧化膜形成處理系統1而以室溫(25℃)，經由化學氣相成長法，於被成膜基體7(具體而言，8英吋Si晶圓)上形成氧化膜之結果(SiO2 之膜厚分布(nm))。圖中箭頭A係顯示臭氧氣體的供給位置，箭頭B係顯示乙烯氣體及TEOS氣體之供給位置。另外，箭頭C係顯示排氣用配管8之連接位置。
圖4所顯示之結果係由將臭氧氣體的流量作為200sccm、而將乙烯氣體的流量作為25sccm、將TEOS氣體的流量作為25sccm之氣體的流量條件者，在處理爐5之處理壓40Pa程度，進行10分鐘成膜處理之構成。
如圖4所示，在臭氧氣體的供給處附近，氧化膜之膜厚則成為最大，而在排氣處，氧化膜之膜厚則變小。經由此情況，經由氣體流路之調節(或，被成膜基體7之移動)，了解到成為可控制氧化膜之膜厚分布者。另外，氧化膜之膜厚的最大值係780nm，而成膜速度的最大值係78nm/min。
圖5係顯示自被成膜基體7之上方，供給乙烯氣體及TEOS氣體，而以室溫(25℃)，經由化學氣相成長法，於被成膜基體7(具體而言，8英吋Si晶圓)上形成氧化膜之結果(SiO2 之膜厚分布(nm))。圖中箭頭A係顯示臭氧氣體的供給位置，以點線所圍繞之範圍B’係顯示乙烯氣體及TEOS氣體之供給位置。乙烯氣體及TEOS氣體係呈自被處理基體7之處理面的上方，朝向處理面地進行供給。另外，箭頭C係顯示排氣用配管8之連接位置。
圖5所顯示之結果係由將臭氧氣體的流量作為100sccm、而將乙烯氣體的流量作為64sccm、將TEOS氣體的流量作為0.3sccm之氣體的流量條件者，在處理爐5之處理壓50Pa程度，進行3分鐘成膜處理之構成。氧化膜之膜厚的最大值係138nm，而成膜速度的最大值係46 nm/min。
圖6(a)、(b)係顯示在各顯示圖4及圖5所說明之氧化膜形成處理的處理條件之SiO2 之成膜速度與成膜溫度的關係圖。如圖6所示，使用臭氧氣體與乙烯氣體的氧化膜形成方法(以O之曲線所顯示)係成膜速度則較未使用乙烯氣體的情況(僅使用臭氧氣體之氧化膜形成方法，以口之曲線所顯示)相當大。另外，對於氧化膜之成膜速度(nm/min)與成膜溫度係有相關性，在室溫(25℃)為最大之成膜速度。此係認為經由加熱被成膜基體7之熱對流則阻礙反應之一個原因者。因而，被成膜基體7之溫度係例如，理想為作為200℃以下、更理想為作為150℃以下、又更理想為作為100℃以下、又更理想為作為80℃以下、又更理想為作為25℃以下者，可以高成膜速度形成氧化膜者。另外，成為經由降低被成膜基體7之加熱溫度，而成為降低對於被成膜基體7及形成於被成膜基體7上之薄膜的損傷者。隨之，氧化膜形成時之被成膜基體7之溫度係越低越佳。例如，由將被成膜基體7之溫度作為-10℃以上者，可抑制對於被成膜基體7及形成於被成膜基體7上之薄膜的損傷，而可以充分的成膜速度形成氧化膜者。
圖7係顯示有關本發明之第2實施形態的氧化膜形成處理系統13的概略圖。有關本發明之第2實施形態的氧化膜形成處理系統13係於有關本發明之第1實施形態的氧化膜形成處理系統1的處理爐5內，具備噴淋頭14之構成。因而，對於與有關本發明之第1實施形態的氧化膜形成處理系統1同樣的構成，係附上相同的符號，而詳細之說明係省略之。
噴淋頭14係形成有噴出氣體的供給孔的面則呈對向於被成膜基體7之處理面地，自被成膜基體7離開而設備。對於噴淋頭14係各藉由配管2a~4a而連接臭氧氣體產生裝置2，乙烯氣體鋼瓶3，TEOS氣體鋼瓶4。由自噴淋頭14而供給各種氣體者，可經由被成膜基體7而形成均一的氧化膜。
自噴淋頭14，個別地供給臭氧氣體，不飽和烴氣體，原料氣體者為佳，但構造上，於噴淋頭14形成個別地供給3種類以上的氣體之供給孔之情況係為困難。因此，作為噴淋頭14係最佳使用如日本特開2009-141028號公報所記載之雙噴淋頭。雙噴淋頭係個別具備噴出不同之2種類的氣體之供給孔的噴淋頭。
噴淋頭14則為雙噴淋頭之情況，3種類的氣體之中，2種類的氣體係成為預先在供給於被成膜基體7之前，加以混合者。例如，對於噴淋頭14係設置有混合不飽和烴氣體與原料氣體之混合空間，而不飽和烴氣體與原料氣體之混合氣體，和臭氧氣體則自噴淋頭14之不同的供給孔，各供給至被成膜基體7。另外，亦可作為於噴淋頭14，設置混合臭氧氣體與原料氣體之混合空間，將臭氧氣體與原料氣體的混合氣體，和不飽和烴氣體，自噴淋頭14之不同的供給孔，供給至被成膜基體7之形態。如此，由未預先混合臭氧氣體與不飽和烴氣體(或原料氣體)而個別地供給至被成膜基體7者，可使壽命短之自由基種，在被成膜基體7之表面有效率地產生。其結果，氧化膜之成膜速度的提升及氧化膜之面內均一性則更提升。
然而，有關第2實施形態之氧化膜形成處理系統13之程序處理條件，或處理步驟係由作為與有關第1實施形態之氧化膜形成處理系統1同樣者，可以高成膜速度形成氧化膜。
如根據如以上之有關本發明之第1實施形態及第2實施形態的氧化膜形成方法，可以200℃以下之低溫而形成氧化膜於被成膜基體7者。其結果，可於經由耐熱溫度低之材料(例如，合成樹脂等之有機材料)所形成之被成膜基體7(基板或薄膜)上，形成氧化膜者。
另外，因未使用電漿，而可形成氧化膜於被成膜基體7上之故，加以抑制被成膜基體7之損傷。特別是即使為在形成氧化膜(例如，SiO2 膜)於電子裝置或有機薄膜上之前，預先形成薄膜(例如，構成電子裝置之基底膜(主要為有機薄膜)等)之情況，亦未對於此薄膜賦予絕緣破壞等之損傷，而可形成氧化膜於電子裝置或有機薄膜上者。
另外，如根據有關本發明之實施形態的氧化膜形成方法，可以200℃以下之處理條件，以高成膜速度而形成氧化膜者。另外，在實施例所形成之氧化膜係具備5MV/cm之耐壓性，而經由有關本發明之實施形態的氧化膜形成方法，可形成對於耐壓性優越，對於氣體阻障性優越之氧化膜者。
以往，對於要求氣體阻障性之材料之成膜的實施溫度係為80℃以下。隨之，有關本發明之實施形態的氧化膜形成方法係可最佳適用於對於要求氣體阻障性之材料之氧化膜形成者。
隨之，有關本發明之實施形態的氧化膜形成方法係不僅有機薄膜之高機能化，而可適用於薄膜層構造(體積控制)之高機能化，多層積化等之技術。高機能化之有機薄膜係可適用於智慧手機，平板終端，液晶顯示器，太陽能面板，汽車關連等之領域者。另外，對於此等有機薄膜上，形成電子裝置･配線等，製作在伴隨變形之製品上亦發揮機能之可撓裝置，而可適用於隨身電腦或可張貼･設置於各種場所之數位看板等。
以上，顯示具體的實施形態而對於本發明之氧化膜形成方法加以說明過，但本發明之氧化膜形成方法係並未限定於實施形態，而在不損及其特徵之範圍，可作適宜設計變更，而加以設計變更之構成亦屬於本發明之技術性範圍。
1‧‧‧氧化膜形成處理系統
2，3，4，5‧‧‧處理爐
2a~4a，5b，5c‧‧‧配管
6‧‧‧氣化室
7‧‧‧被成膜基體
8‧‧‧排氣用配管
9‧‧‧真空泵
10‧‧‧除外筒
11‧‧‧試料台
13‧‧‧氧化膜形成處理系統
14‧‧‧噴淋頭
圖1係顯示有關本發明之第1實施形態的氧化膜形成處理系統的概略圖。
圖2係顯示處理爐之詳細圖。
圖3係顯示氧化膜形成處理之流程圖。
圖4係顯示自基板的側方供給TEOS氣體之氧化膜形成處理的結果圖。
圖5係顯示自基板的處理面之上方供給TEOS氣體之氧化膜形成處理的結果圖。
圖6係顯示SiO2 之成膜速度與成膜溫度的關係之特性圖，(a)自基板的側方供給TEOS氣體之情況的特性圖，(b)自基板的處理面之上方供給TEOS氣體之情況的特性圖。
圖7係顯示有關本發明之第2實施形態的氧化膜形成處理系統的概略圖。

Claims (10)

  1. 一種氧化膜形成方法，其特徵為對於形成氧化膜之被成膜基體， 供給臭氧氣體，和不飽和烴氣體，和構成前述氧化膜之元素的Si或作為構成元素而含有金屬元素之原料氣體，再經由化學氣相成長法，形成氧化膜於前述被成膜基體表面。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之氧化膜形成方法，其中，前述被成膜基體係合成樹脂製之基板或薄膜， 對於前述被成膜基體，供給前述臭氧氣體與前述不飽和烴氣體之後， 對於前述被成膜基體，供給前述臭氧氣體，前述不飽和烴氣體及前述原料氣體而形成前述氧化膜於前述被成膜基體表面。
  3. 如申請專利範圍第1項記載之氧化膜形成方法，其中，對於前述被成膜基體，供給前述臭氧氣體，前述不飽和烴氣體及前述原料氣體而形成前述氧化膜於前述被成膜基體表面之後， 對於前述被成膜基體，供給前述臭氧氣體與前述不飽和烴氣體。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項任一項記載之氧化膜形成方法，其中，前述不飽和烴氣體係乙烯氣體。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項任一項記載之氧化膜形成方法，其中，在形成前述氧化膜於前述被成膜基體上之工程中，前述臭氧氣體的供給流量係前述不飽和烴氣體與前述原料氣體的合計供給流量之2倍以上。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項任一項記載之氧化膜形成方法，其中，在形成前述氧化膜於前述被成膜基體上之工程中，週期性地使前述臭氧氣體，前述不飽和烴氣體，前述原料氣體，及進行供給至前述被成膜基體上之氣體的攪拌之惰性氣體之中至少1個之氣體流量變化。
  7. 如申請專利範圍第6項記載之氧化膜形成方法，其中，將前述臭氧氣體與前述不飽和烴氣體之供給流量作為一定，週期性地使前述原料氣體變化。
  8. 如申請專利範圍第1項記載之氧化膜形成方法，其中，於自前述被成膜基體遠離之位置，與前述被成膜基體表面對向，具備噴淋頭， 預先混合前述不飽和烴氣體與前述原料氣體，將此混合之氣體與前述臭氧氣體，自前述噴淋頭的不同之供給孔，各自供給至前述被成膜基體。
  9. 如申請專利範圍第1項記載之氧化膜形成方法，其中，於自前述被成膜基體遠離之位置，與前述被成膜基體表面對向，具備噴淋頭， 預先混合前述臭氧氣體與前述原料氣體，將此混合之氣體與前述不飽和烴氣體，自前述噴淋頭的不同之供給孔，各自供給至前述被成膜基體。
  10. 如申請專利範圍第1項記載之氧化膜形成方法，其中，在形成前述氧化膜於前述被成膜基體上之工程中，前述臭氧氣體的供給流量係0.2sccm以上。
TW107146107A 2018-03-28 2018-12-20 氧化膜形成方法 TWI717669B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-060983 2018-03-28
JP2018060983 2018-03-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201942407A true TW201942407A (zh) 2019-11-01
TWI717669B TWI717669B (zh) 2021-02-01

Family

ID=68061176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107146107A TWI717669B (zh) 2018-03-28 2018-12-20 氧化膜形成方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10978293B2 (zh)
KR (1) KR102268455B1 (zh)
DE (1) DE112018007372B4 (zh)
TW (1) TWI717669B (zh)
WO (1) WO2019187337A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6645562B1 (ja) 2018-11-30 2020-02-14 株式会社明電舎 分解性樹脂成形体および分解性樹脂成形体の製造方法
EP4382290A1 (en) * 2021-08-05 2024-06-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Article having water- and oil-repellent surface layer
JP7431895B2 (ja) * 2022-07-06 2024-02-15 明電ナノプロセス・イノベーション株式会社 基体の接合方法
JP7431897B2 (ja) * 2022-07-20 2024-02-15 明電ナノプロセス・イノベーション株式会社 酸化膜形成方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0778809A (ja) 1993-09-07 1995-03-20 Hitachi Ltd 絶縁膜生成方法及び装置
JP4240581B2 (ja) * 1998-05-19 2009-03-18 大日本印刷株式会社 透明バリア性フィルムおよびその製造法
FI118804B (fi) * 1999-12-03 2008-03-31 Asm Int Menetelmä oksidikalvojen kasvattamiseksi
JP4285885B2 (ja) 2000-04-20 2009-06-24 独立行政法人産業技術総合研究所 オゾン生成装置
JP3948913B2 (ja) 2001-07-04 2007-07-25 独立行政法人産業技術総合研究所 オゾン生成装置
FR2879607B1 (fr) 2004-12-16 2007-03-30 Seppic Sa Nouveaux latex inverse concentre, procede pour sa preparation, et utilisation dans l'industrie
US7648927B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
JP4849863B2 (ja) 2005-10-14 2012-01-11 株式会社明電舎 酸化膜形成方法
CN101569003B (zh) * 2006-12-22 2011-02-16 日本电气株式会社 半导体装置及其制造方法
JP4905253B2 (ja) 2007-05-23 2012-03-28 株式会社明電舎 レジスト除去方法及びその装置
CN101889330B (zh) 2007-12-04 2012-11-14 株式会社明电舍 除去抗蚀剂的方法和用于它的装置
JP4968028B2 (ja) 2007-12-04 2012-07-04 株式会社明電舎 レジスト除去装置
JP5962124B2 (ja) 2012-03-28 2016-08-03 株式会社明電舎 酸化膜の形成方法
US9922818B2 (en) 2014-06-16 2018-03-20 Versum Materials Us, Llc Alkyl-alkoxysilacyclic compounds
JP6052470B1 (ja) 2015-03-12 2016-12-27 株式会社明電舎 樹脂の改質方法
JP5952461B1 (ja) 2015-05-12 2016-07-13 田中貴金属工業株式会社 異種複核錯体からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
JP6613467B2 (ja) * 2015-07-13 2019-12-04 株式会社Ｆｌｏｓｆｉａ シリコン酸化膜の成膜方法
JP6638401B2 (ja) * 2016-01-06 2020-01-29 凸版印刷株式会社 ガスバリアフィルム積層体およびその製造方法
KR101777689B1 (ko) 2016-09-21 2017-09-12 에이피시스템 주식회사 복합막 증착장치 및 증착방법
KR102442026B1 (ko) * 2017-08-30 2022-09-07 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 알콕시실라사이클릭 또는 아실옥시실라사이클릭 화합물 및 이를 사용하여 막을 증착시키기 위한 방법
JP6569831B1 (ja) 2018-03-28 2019-09-04 株式会社明電舎 酸化膜形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200111807A (ko) 2020-09-29
DE112018007372T5 (de) 2020-12-10
DE112018007372B4 (de) 2022-07-14
KR102268455B1 (ko) 2021-06-23
US20210028011A1 (en) 2021-01-28
US10978293B2 (en) 2021-04-13
TWI717669B (zh) 2021-02-01
WO2019187337A1 (ja) 2019-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI717669B (zh) 氧化膜形成方法
JP6569831B1 (ja) 酸化膜形成方法
KR101749398B1 (ko) 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
US8673790B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device, method of cleaning a process vessel, and substrate processing apparatus
CN108796471B (zh) 成膜方法和成膜装置
KR101661104B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
KR101737215B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
JP2009054988A (ja) シリコン及びチタン窒化物のインサイチュ蒸着
WO2020170482A1 (ja) 原子層堆積方法および原子層堆積装置
JP6860048B2 (ja) 原子層堆積方法
WO2004007795A1 (ja) 半導体処理用の成膜方法
US20240344200A1 (en) Oxide film forming device
WO2012118200A1 (ja) 金属薄膜の製膜方法、金属薄膜、および金属薄膜の製膜装置
WO2024018811A1 (ja) 酸化膜形成方法
JP6702514B1 (ja) 酸化膜形成装置
JP2018188724A (ja) 成膜方法および成膜装置