JP7431897B2 - 酸化膜形成方法 - Google Patents

酸化膜形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7431897B2
JP7431897B2 JP2022115198A JP2022115198A JP7431897B2 JP 7431897 B2 JP7431897 B2 JP 7431897B2 JP 2022115198 A JP2022115198 A JP 2022115198A JP 2022115198 A JP2022115198 A JP 2022115198A JP 7431897 B2 JP7431897 B2 JP 7431897B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
gas
forming
chamber
raw material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022115198A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2024013259A (ja
Inventor
崇之 萩原
直人 亀田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MEIDEN NANOPROCESS INNOVATIONS, INC.
Original Assignee
MEIDEN NANOPROCESS INNOVATIONS, INC.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MEIDEN NANOPROCESS INNOVATIONS, INC. filed Critical MEIDEN NANOPROCESS INNOVATIONS, INC.
Priority to JP2022115198A priority Critical patent/JP7431897B2/ja
Priority to PCT/JP2023/023049 priority patent/WO2024018811A1/ja
Publication of JP2024013259A publication Critical patent/JP2024013259A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7431897B2 publication Critical patent/JP7431897B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

本発明は、酸化膜形成方法に関するものであって、例えば低耐熱性の被成膜対象物の被成膜面に形成される酸化膜に適用可能な技術に係るものである。
例えば半導体デバイス(例えば、CPUの回路)等の先端デバイスの薄膜を形成する成膜方法としては、蒸着、スパッタリング、化学気相成長法(CVD:Chemical Vapor Deposition)、原子層堆積法(ALD:Atomic Layer Deposition)によるものが、代表的なものとして知られている。なかでも、ALDの成膜方法は、優れた膜特性(例えば、段差被覆性,緻密性,絶縁性,比誘電率等)が得られる可能性があり、最先端デバイスの薄膜形成手段としては必須のものとなっている。
一般的なALDの成膜方法では、主に、被成膜対象物(例えば、シリコンウエハ)が備えられたチャンバ(真空容器等)全体を真空排気する工程、チャンバ内にALDの原料ガス(例えば、TMA(トリメチルアルミニウム))を導入する工程、チャンバから原料ガスを除去する工程、チャンバに原料ガスの酸化剤(例えば、水蒸気,酸素プラズマ)を供給する工程、の4つの工程が繰り返し行われる。
チャンバ内に原料ガスを導入し、当該チャンバ内に原料ガスを満たすことで、被成膜対象物の表面(被成膜面)に1分子層分の原料ガスが吸着し、当該被成膜対象物の被成膜面に原料ガスの分子層が形成される。そして、チャンバ内に原料ガスの酸化剤を供給することで、被成膜面に形成された原料ガスの分子層が酸化され、当該被成膜面に原料ガスの酸化膜(例えば、酸化アルミニウム)の分子層が形成される。前記4つの工程を繰り返し行うことで、繰り返し回数に応じた膜厚を有する薄膜が形成される。
ALDの成膜方法では、成膜温度が高くなってしまう傾向がある。例えば、原料ガスがTMA等の場合、当該TMAと水蒸気を十分に反応させるためには、被成膜対象物を比較的高温(例えば300℃~500℃)まで加熱する必要がある。成膜温度の低温化の手法として、ALDの酸化剤をオゾン(O)や酸素プラズマに置き換え、当該酸化剤により発生するラジカルを利用した方法が検討されてきた。オゾンは熱分解で強力な酸化剤であるOラジカルを発生でき、成膜温度を低温化することは可能であったが、それでも被成膜対象物を数百℃に加熱する必要があった。
また、最初からOラジカルを供給可能であって最も低温化が可能とされていた酸素プラズマを用いた場合、成膜温度を100℃~150℃程度に低温化できるが、当該酸素プラズマはアッシング等の反応性が高いため、例えば低耐熱性の被成膜対象物(例えば基板表面に設けられるレジスト等の低耐熱性材料)においては、当該酸素プラズマによって変形(除去等)や変性(変質等)が起きる可能性が考えられる。
近年は、高濃度(例えば80体積%以上)のオゾンガスを生成可能な装置が出現したことから、当該高濃度オゾンガスをCVDやALDの酸化剤として利用して、被成膜対象物を比較的低温(例えば100℃以下)で保持した状態でも所望の膜特性の酸化膜を形成できるように種々検討され始めている(例えば特許文献1~4,非特許文献1)。
特許7056710号公報 特開2022-087800号公報 特許6677356号公報 特許6569831号公報
T. Nishiguchi, Y. Sato, H. Nonaka, S. Ichimura, T. Noyori, Y. Morikawa, M. Kekura and Y. Nihei, Jpn. J. Appl. Phys. 44, 118 (2005).
例えば特許文献1,2に示すALDの成膜方法のように、当該ALDの酸化剤として高濃度オゾンガスのみを適用した方法によれば、成膜温度を100℃以下に設定し易く、当該高濃度オゾンガスによるアッシング等の反応性も十分低いため、低耐熱性の被成膜対象物に対しても所望の膜特性の酸化膜を形成できる可能性がある。しかしながら、特に膜厚の大きい酸化膜を形成する場合には、成膜時間が長くなり易く、成膜効率が低くなってしまう傾向がある。
また、例えば特許文献3に示すALDの成膜方法や特許文献4に示すCVDの成膜方法のように、当該ALDやCVDの酸化剤として高濃度オゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの両者を適用、すなわち当該両者のラジカル反応によって生成されるラジカル(OHラジカル)の酸化力を利用して成膜する方法によれば、成膜温度を100℃以下に設定でき、特許文献1,2と比較して速い成膜速度を維持し易く、成膜効率を高くできる可能性がある。しかしながら、前記ラジカル反応によって生成されるラジカルは、高濃度オゾンガスと比較すると、アッシング等の反応性が高いため、低耐熱性の被成膜対象物においては少なからず変形や変性等が起こってしまい、所望の膜特性を得ることが困難となるおそれがある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、所望の成膜効率や膜特性を得られ易くすることに貢献可能な技術を提供することを目的としている。
この発明に係る酸化膜形成方法は、前記の課題の解決に貢献できるものであり、その一態様としては、チャンバ内に収容した被成膜対象物の被成膜面に酸化膜を形成する方法であって、前記酸化膜は、前記被成膜面に形成した第1膜と、当該第1膜の表面に形成した第2膜と、を有してなるものである。
前記第1膜を、前記酸化膜を構成する元素を含む原料ガスを前記チャンバ内に供給して、前記被成膜面に当該原料ガスによる第1吸着層を形成する第1原料ガス供給工程と、第1原料ガス供給工程で供された原料ガスの余剰ガスと、当該原料ガスが前記被成膜面に吸着することで生じたガスと、を当該被成膜面から除去する第1原料ガスパージ工程と、80体積%以上のオゾンガスを前記チャンバ内に供給し、前記第1吸着層を酸化する第1酸化剤供給工程と、第1酸化剤供給工程で供されたオゾンガスの余剰ガスと、前記第1吸着層を酸化することで生じたガスと、を前記被成膜面から除去する第1酸化剤パージ工程と、を有した原子層堆積法の第1成膜方法により形成する。
そして、前記第2膜を、前記第1成膜方法とは異なる原子層堆積法または化学気相成長法の第2成膜方法により形成し、第2成膜方法は、80体積%以上のオゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの両者のラジカル反応によって生成されるラジカルを酸化剤として用いることを特徴とする。
また、前記第1成膜方法とは異なる原子層堆積法の第2成膜方法は、前記酸化膜を構成する元素を含む原料ガスを前記チャンバ内に供給して、前記第1膜の表面に当該原料ガスによる第2吸着層を形成する第2原料ガス供給工程と、第2原料ガス供給工程で供された原料ガスの余剰ガスと、当該原料ガスが前記第1膜の表面に吸着することで生じたガスと、を当該第1膜の表面から除去する第2原料ガスパージ工程と、80体積%以上のオゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの両者を前記チャンバ内に供給し、前記第2吸着層を酸化する第2酸化剤供給工程と、第2酸化剤供給工程で供されたオゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの余剰ガスと、前記第2吸着層を酸化することで生じたガスと、を前記第1膜の表面から除去する第2酸化剤パージ工程と、を有していることを特徴としても良い。
また、前記化学気相成長法の第2成膜方法は、80体積%以上のオゾンガスと、不飽和炭化水素ガスと、前記酸化膜を構成する元素を含む原料ガスと、を前記チャンバ内に供給する化学気相成長法の第2成膜方法により、前記第2膜を形成することを特徴としても良い。
また、前記第1膜は、膜厚が2nm以上であることを特徴としても良い。また、前記被成膜対象物を100℃以下に保持することを特徴としても良い。
また、前記被成膜対象物は、硬化温度またはガラス転移温度Tgが200℃以下である樹脂材料または低耐熱性ガラス材料を用いてなることを特徴としても良い。
また、前記第1膜および前記第2膜は、Al、HfO、TiO、ZnO、Ta、Ga、MoO、RuO、SiO、ZrO、Yの群から選択された一つの酸化膜から成る、または当該選択された酸化膜であってO以外の元素のうちの一部が他元素に置換されているものから成ることを特徴としても良い。
また、前記チャンバには、前記チャンバ内に前記原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記チャンバ内に前記オゾンガスを供給するオゾンガス供給部と、前記チャンバ内に前記不飽和炭化水素ガスを供給する不飽和炭化水素ガス供給部と、前記チャンバ内のガスを吸気して当該チャンバ外に排出するガス排出部と、が備えられており、前記第1膜および前記第2膜は、前記チャンバ内を減圧状態にして形成することを特徴としても良い。
以上示したように本発明によれば、所望の成膜効率や膜特性を得られ易くすることに貢献可能となる。
酸化剤(高濃度オゾンガス,酸素プラズマ,OHラジカル)によるレジストのアッシングレートの一例を示す。 第1成膜方法,第2成膜方法を説明するための概略断面図(膜厚方向断面図。(A)は成膜前期の段階、(B)は成膜後期の段階)。 第1成膜方法,第2成膜方法に適用可能な成膜装置1を説明するための概略構成図。 AFM観察結果を示す図((A)は酸化膜Lを形成する前の被成膜面S1の表面粗さ(一部のみ)、(B)は酸化膜Lの表面粗さ(一部のみ))。
本発明の実施形態の酸化膜形成方法は、単に一般的なALDやCVDの何れかの成膜方法により酸化膜を形成する方法(以下、単に従来方法と適宜称する)とは全く異なるものであり、当該ALDやCVDによる成膜方法を複数適用して酸化膜を段階的に形成するものである。
すなわち、本実施形態の酸化膜形成方法は、チャンバ内に収容した被成膜対象物の被成膜面に形成する酸化膜において、当該被成膜面に形成した第1膜と、当該第1膜の表面に形成した第2膜と、を有してなるものとする。
第1膜においては、例えば特許文献1,2に示すALDの成膜方法のように、当該ALDの酸化剤として80体積%以上のオゾンガス(以下、単に高濃度オゾンガスと適宜称する)のみを適用した方法(以下、単に第1成膜方法と適宜称する)により、被成膜対象物の被成膜面に形成する。
第2膜においては、第1成膜方法とは異なるALDまたはCVDの方法(以下、単に第2成膜方法と適宜称する)により、第1膜の表面に形成する。この第2成膜方法は、例えば特許文献3に示すALDの成膜方法や特許文献4に示すCVDの成膜方法のように、当該ALDやCVDの酸化剤として、高濃度オゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの両者のラジカル反応によって生成されるラジカル(OHラジカル)を用いるものであって、そのラジカルの酸化力を利用して成膜する方法が、適用可能である。
この本実施形態のように酸化膜を段階的に形成する方法によれば、まず被成膜対象物の変形や変性等を起こさないように、当該被成膜対象物の被成膜面に第1膜を形成しておくことができる。これにより、当該第1膜の後に形成する第2膜において、当該第1膜の第1成膜方法よりも成膜速度の速い第2成膜方法、例えば高濃度オゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの両者のラジカル反応によって生成されるラジカルの酸化力を利用する方法を適用しても、被成膜対象物の変形や変性等を抑制し易くなる。
したがって、本実施形態によれば、たとえ低耐熱性の被成膜対象物(例えば基板表面に設けられるレジスト等の低耐熱性材料)であっても、所望の膜厚および膜特性の酸化膜が形成し易くなり、十分良好な成膜効率を達成することも可能となる。
本実施形態の酸化膜形成方法は、前述のようにALDやCVDによる成膜方法を2種類適用して酸化膜を段階的に形成(すなわち第1,第2成膜方法を適用して、第1膜,第2膜による酸化膜を形成)する態様であれば良い。すなわち、種々の分野(例えば、ALD,CVD等による成膜分野,チャンバ分野,ガス供給系・ガス排出系分野等)の技術常識を適宜適用し、必要に応じて先行技術文献等を適宜参照して設計変形することが可能であり、その一例として後述の実施例が挙げられる。なお、後述の実施例では、例えば互いに同様の内容について同一符号を引用する等により、詳細な説明を適宜省略しているものとする。
≪実施例≫
<第1成膜方法,第2成膜方法に適用可能なALD,CVDの参考例>
特許文献1,2に示すALDの成膜方法において、原料ガスとして3DMAS(トリス(ジメチルアミノ)シラン)を用い、酸化剤として高濃度オゾンガスまたはOHラジカルを用いることにより、基板に対してSiOの酸化膜の形成を試みたところ、成膜速度GPC(Growth per cycle)は下記表1に示すような結果となった。
Figure 0007431897000001
この表1によると、酸化剤として高濃度オゾンガスのみを適用した場合の成膜速度は、当該酸化剤としてOHラジカルを適用した場合と比較して遅いことが判る。また、特に膜厚の大きい酸化膜を形成する場合には、成膜時間が長くなり易く、成膜効率が低くなってしまう傾向があることが考えられる。
オゾンは、例えば100℃以下の温度雰囲気下ではアッシング等の反応性が低いため、レジスト等の低耐熱性材料に対してオゾンガスを暴露しても、当該低耐熱性材料に起こり得る変形や変性等は、無視できる程度となる(例えばアッシング速度は1nm/分以下程度である)。
そこで、ALDの成膜方法において、基板表面に設けられたレジストを被成膜対象物としてチャンバ内に収容(基板と共に収容)し、酸化剤として高濃度オゾンガス,酸素プラズマ,OHラジカルの何れかを用いて酸化膜を形成することにより、各酸化剤によるレジストのアッシングレートを観測したところ、図1に示す結果が得られた。
この図1の結果によると、酸化剤として高濃度オゾンガスを用いた場合は、当該酸化剤として酸素プラズマ,OHラジカルを用いた場合と比較すると、アッシングレートが十分小さく(測定精度の下限以下)、レジストに対する影響は殆ど無いことが判る。
高濃度オゾンガスは、100℃の温度雰囲気下であれば、気相中での酸素分子とオゾン分子との衝突反応による分解反応は殆ど起こらない。このため、例えばチャンバ内のレジストに対して高濃度オゾンガスを供給して封入し、当該チャンバ内を100℃以下に保持している状態であれば、当該チャンバ内はオゾンガス濃度が高い状態で長時間(例えば封入後10000時間超)保持することが可能である(非特許文献1)。これにより、チャンバ内のオゾン分子は、レジスト表面への気相搬送中に分解されることがなく、当該レジストに十分到達できることが判る。
したがって、第1成膜方法のように、酸化剤として高濃度オゾンガスを用いた方法によれば、例えば後述の図2に示す被成膜対象物Sのように被成膜面が凹凸状に形成されていても、当該被成膜面に対し十分良好な段差被覆性で第1膜を形成でき、当該被成膜対象物の変形や変性等を抑制できることが判る。
図2の被成膜対象物Sは、例えば基板(例えば後述図3ではSi基板S2)の表面に対して所望パターンで凹凸状に成形されたレジストを示すものであり、この被成膜対象物Sの被成膜面S1に対し、高濃度オゾンガスを用いたALDの成膜方法により所望膜厚(図2ではt3)の酸化膜Lを形成する場合には、以下に示すような成膜段階を経ることとなる。
まず、図2(A)の成膜前期の段階では、被成膜面S1に形成されている酸化膜Lの膜厚は比較的薄い状態(図2(A)では膜厚t1の第1膜L1が形成されている状態)であり、当該酸化膜L中に拡散(膜中拡散)したオゾンが被成膜面S1に到達して曝露(以下、単に膜中拡散曝露と適宜称する)され得るものの、当該酸化膜Lの膜厚に応じて、当該膜中拡散曝露はある程度抑制されることとなる。そして、図2(B)の成膜後期の段階により、酸化膜Lの膜厚が所望膜厚に近づくに連れて(図2(B)では膜厚t2の第2膜L2が形成されるに連れて)、前記のような膜中拡散曝露が更に抑制され減少することとなる。
すなわち、図2(A)に示すように、酸化膜Lの一部である第1膜L1を被成膜面S1に形成した後であれば、当該酸化膜Lの残部である第2膜L2を形成する第2成膜方法においては、アッシングレートがある程度大きい反応物(例えばアッシング速度は1nm/分以上の反応物)を酸化剤として用いても、当該反応物による膜中拡散曝露は当該第1膜L1の膜厚に応じて抑制されることが判る。
なお、第2成膜方法の酸化剤においては、高エネルギープラズマやイオンスパッタ等で適用されているような電価数の大きいラジカルを適用すると、被成膜対象物Sや第1膜L1の変形や変性等を起こし得るものの、高濃度オゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの両者のラジカル反応によって生成されるOHラジカルを適用すれば、当該変形や変性等を抑制でき、被成膜対象物Sの被成膜面S1に形成されている凹凸状の所望パターンも、十分保持できることが判る。
したがって、第2成膜方法の酸化剤として、前記のようにラジカル反応によって生成されるラジカルを適用することにより、被成膜対象物Sや第1膜L1の変形や変性等を抑制でき、更に、第1成膜方法よりも成膜速度が速くなるため、酸化膜L全体の成膜時間が短縮化されることとなる。
以上示したことから、第1成膜方法,第2成膜方法によれば、所望の膜特性および成膜効率が得られ易くなることが判る。
<第1成膜方法の一例>
第1成膜方法は、例えば特許文献1,2に示すALDの成膜方法のように、当該ALDの酸化剤として高濃度オゾンガスのみを適用した方法であって、例えば図2(A)に示したように被成膜対象物Sの被成膜面S1に対して第1膜L1を形成できるものであれば良く、種々の態様の方法を適用することが可能である。
一例としては、特許文献1,2に示すようなALD装置(特許文献1,2では、符号11で示すALD装置)を適宜適用したものであって、以下に示す第1原料ガス供給工程,第1原料ガスパージ工程,第1酸化剤供給工程,第1酸化剤パージ工程を有した方法が挙げられる。
まず第1原料ガス供給工程では、被成膜対象物Sを収容しているチャンバ(後述の図3ではチャンバ2)内に対し、目的とする酸化膜Lを構成する元素を含む原料ガスを、供給する。これにより、チャンバ内における被成膜対象物Sの被成膜面S1に対して原料ガスが吸着し、当該原料ガスによる吸着層が形成される。なお、被成膜対象物Sの被成膜面S1に例えば不純物等が付着している場合には、第1原料ガス供給工程の前段において被成膜面S1を清浄(例えば、チャンバ内に不活性ガスを供給してパージ)し、当該被成膜面S1に対して原料ガスを吸着し易くしておくことが好ましい。
第1原料ガス供給工程の後、第1原料ガスパージ工程では、チャンバ内に不活性ガスを供給したり、当該チャンバ内のガスを当該チャンバ外に排出する。これにより、第1原料ガス供給工程で供された原料ガスの余剰ガスと、当該原料ガスが被成膜面S1に吸着することで生じたガスと、を当該被成膜面S1から除去する。
次に、第1酸化剤供給工程では、チャンバ内に高濃度オゾンガスを供給する。これにより、被成膜面S1に形成されている吸着層が酸化され、当該被成膜面S1における次の成膜のための吸着可能領域(特許文献1では符号20aで示す吸着可能領域)が形成されることとなる。
そして、第1酸化剤パージ工程では、第1原料ガスパージ工程と同様に、チャンバ内に不活性ガスを供給したり、当該チャンバ内のガスを当該チャンバ外に排出する。これにより、第1酸化剤供給工程で供された高濃度オゾンガスの余剰ガスと、被成膜面S1の吸着層を酸化することで生じたガスと、を被成膜面S1から除去する。
以上のようなALDの各工程によるサイクル(以下、単に第1成膜サイクルと適宜称する)を適宜繰り返すことにより、被成膜面S1に対して所望厚さ(図2ではt1)の第1膜L1を形成することが可能となる。この第1成膜サイクルにおける各種成膜条件は、例えば目的とする酸化膜Lに応じて、適宜設定することが可能である。
<第2成膜方法の一例>
第2成膜方法は、例えば図2(B)に示したように第1膜表面L0に対して第2膜L2を形成できるものであれば良く、第1成膜方法とは異なる種々の態様の方法を適用することが可能である。
一例としては、特許文献3に示すALDの成膜方法のように、当該ALDの酸化剤として高濃度オゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの両者のラジカル反応によって生成されるラジカル(OHラジカル)の酸化力を利用して成膜する方法が挙げられる。
具体例として、特許文献3に示すようなALD装置(特許文献3では、符号1Aで示すALD装置)を適宜適用したものであって、以下に示す第2原料ガス供給工程,第2原料ガスパージ工程,第2酸化剤供給工程,第2酸化剤パージ工程を有した方法が挙げられる。
まず第2原料ガス供給工程では、被成膜対象物S(予め第1成膜方法によって第1膜L1が形成されている被成膜対象物S)を収容しているチャンバ(後述の図3ではチャンバ2)内に対し、目的とする酸化膜Lを構成する元素を含む原料ガスを、供給する。これにより、チャンバ内の被成膜対象物Sの第1膜表面L0に対して原料ガスが吸着し、当該原料ガスによる吸着層が形成される。なお、被成膜対象物Sの第1膜表面L0に例えば不純物等が付着している場合には、第2原料ガス供給工程の前段において第1膜表面L0を清浄(例えば、チャンバ内に不活性ガスを供給してパージ)し、当該第1膜表面L0に対して原料ガスを吸着し易くしておくことが好ましい。
第2原料ガス供給工程の後、第2原料ガスパージ工程では、チャンバ内に不活性ガスを供給したり、当該チャンバ内のガスを当該チャンバ外に排出する。これにより、第2原料ガス供給工程で供給された原料ガスの余剰ガスと、当該原料ガスが第1膜表面L0に吸着することで生じたガスと、を当該第1膜表面L0から除去する。
次に、第2酸化剤供給工程では、チャンバ内に高濃度オゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの両者を供給する。これにより、チャンバ内においては、高濃度オゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの両者のラジカル反応によってOHラジカルが生成される。また、前記OHラジカルにより、第1膜表面L0に形成されている吸着層が酸化され、当該第1膜表面L0における次の成膜のための吸着可能領域(特許文献3の図7(C)ではOH基が形成されている領域)が形成されることとなる。
そして、第2酸化剤パージ工程では、第2原料ガスパージ工程と同様に、チャンバ内に不活性ガスを供給したり、当該チャンバ内のガスを当該チャンバ外に排出する。これにより、第2酸化剤供給工程で供された高濃度オゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの余剰ガスと、第1膜表面L0の吸着層を酸化することで生じたガスと、を当該第1膜表面L0から除去する。
以上のようなALD装置を適用した各工程によるサイクル(以下、単に第2成膜サイクルと適宜称する)を適宜繰り返すことにより、第1膜表面L0に対して所望厚さ(図2ではt2)の第2膜L2を形成することが可能となる。この第2成膜サイクルにおける各種成膜条件は、例えば目的とする酸化膜Lに応じて、適宜設定することが可能である。
<第2成膜方法の他例>
第2成膜方法においては、特許文献4に示すCVDの成膜方法のように、当該CVDの酸化剤として高濃度オゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの両者のラジカル反応によって生成されるラジカル(OHラジカル)の酸化力を利用して成膜する方法も挙げられる。
具体例として、特許文献4に示すようなCVD装置(特許文献4では、符号1,13で示すCVD装置)を適宜適用した方法が挙げられる。このCVD装置を適用した方法では、被成膜対象物S(予め第1成膜方法によって第1膜L1が形成されている被成膜対象物S)を収容しているチャンバ(後述の図3ではチャンバ2)内に対し、CVDにより、高濃度オゾンガスと、不飽和炭化水素ガスと、目的とする酸化膜Lを構成する元素を含む原料ガスと、を供給する。
これにより、チャンバ内においては、高濃度オゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの両者のラジカル反応によって、OHラジカルが生成される。そして、当該OHラジカルと原料ガスとの反応(気相反応)により反応生成物が生成され、その反応生成物が第1膜表面L0に堆積することにより、第1膜表面L0に対して所望厚さ(図2ではt2)の第2膜L2を形成することが可能となる。
<被成膜対象物Sの一例>
被成膜対象物Sにおいては、第1成膜方法,第2成膜方法を適宜実行して被成膜面S1に所望の酸化膜Lを形成できるものであれば良く、その一例として基板状,フィルム状,シート状,布状,固形状等や、当該基板等の表面に形成されたレジスト等の種々のものが挙げられる。
また、第1成膜方法,第2成膜方法によれば、酸化膜Lを比較的低温(100℃以下)で形成することが可能であるため、例えば基板,フィルム,レジスト等の場合、Si基板等の比較的耐熱性が高い基板等に限定されることはなく、耐熱性が比較的低い合成樹脂で形成された基板,フィルム,レジスト等に酸化膜を形成することもできる。
被成膜対象物Sがレジストの場合、硬化温度またはガラス転移温度Tgが200℃以下である樹脂材料,低耐熱性ガラス材料等が挙げられるが、酸素プラズマ等のラジカル源によって変形し得る材料も適用可能である。
被成膜対象物Sが樹脂を用いてなる場合、当該樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アラミド樹脂、オレフィン樹脂、ポリプロピレン、PPS(ポリフェニレンサルファイド)、PET(ポリエチレンテレフタレート)等を用いたものが挙げられる。
その他、PE(ポリエチレン)、PEN(ポリエチレンナフタレート)、POM(ポリオキシメチレン、または、アセタール樹脂)、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、ABS樹脂(アクリロニトリル、ブタジエン、スチレン共重合合成樹脂)、PA(ポリアミド)、PFA(4フッ化エチレン、パーフルオロアルコキシエチレン共重合体)、PI(ポリイミド)、PVD(ポリ二塩化ビニル)等を用いたものも挙げられる。
被成膜対象物Sの被成膜面S1においては、単なる平坦状に形成されたものに限定されず、種々の態様であっても良い。例えば図2に示す被成膜対象物Sのように、複数個のトレンチ溝S3が形成され、被成膜面S1において凹凸状の段差等が形成されたものでも良い。
また、被成膜対象物Sは、例えば成膜性能の向上を図る目的で、当該被成膜対象物S(またはチャンバ内)を加温や冷却する等により、適宜温度調整しても良い。具体例としては、被成膜面S1の成膜温度が室温程度~100℃(または室温程度~80℃)の範囲内となるように、必要に応じて温度調整することが挙げられる。
<原料ガスの一例>
第1成膜方法,第2成膜方法で適用する原料ガスは、酸化膜Lを形成する元素(例えば、リチウム(Li)、マグネシウム(Mg)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、インジウム(In)、錫(Sn)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、鉛(Pb)等;以下これらの元素を金属または金属元素という)を構成元素として含む態様が挙げられる。
例えば、Si-O結合若しくはSi-C結合を有する有機シリコンまたは金属元素-酸素結合若しくは金属元素-炭素結合を有する有機金属を含有する原料ガスや、有機金属錯体またはケイ素や金属の水素化物等の原料ガスが挙げられる。
より具体的には、原料ガスとして、シラン(ケイ化水素の総称)、TEOS(TetraEthyl OrthoSillicate)、TMS(TriMthoxySilane)、TES(TriEthoxySilane)、TMA(TriMethyl Alminium)、TEMAZ(Tetrakis(ethylmethylamino)zirconium)、3DAMAS(トリ・ジメチルアミノ・シラン;SiH[N(CH)、TDMAT(テトラキス・ジメチルアミノ・チタニウム;Ti[N(CH)、TDMAH(テトラキス・ジメチルアミノ・ハフニウム;Hf[N(CH)等を用いたものが挙げられる。また、金属元素1種類だけでなく複数種類の金属元素を含む異種複核錯体(例えば、特開2016-210742等に記載の錯体)を用いたものも挙げられる。
以上のような原料ガスを用いて形成される酸化膜L(第1膜L1,第2膜L2)としては、Al、HfO、TiO、ZnO、Ta、Ga、MoO、RuO、SiO、ZrO、Yの群から選択された一つの酸化膜から成るものや、または当該選択された酸化膜であってO以外の元素のうちの一部が他元素に置換されているもの(例えば、Si2-X(Xは0<X<2の範囲内の値))から成るものが挙げられる。
<オゾンガスの一例>
第1成膜方法,第2成膜方法で適用する高濃度オゾンガスは、種々の濃度のものを適用することが可能であるが、オゾン濃度が高いほど好ましい。このような高濃度オゾンガスは、オゾン含有ガスから蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後、再び液化したオゾンを気化させて得ることができる。高濃度オゾンガスを生成する市販の装置としては、例えば、明電舎製のピュアオゾンジェネレータ(MPOG-HM1A1)がある。
<不飽和炭化水素ガス>
第2成膜方法で適用する不飽和炭化水素ガスとしては、エチレンに例示される2重結合を有する炭化水素(アルケン)やアセチレンに例示される3重結合を有する炭化水素(アルキン)を適用することが挙げられる。不飽和炭化水素としては、エチレンやアセチレンの他に、ブチレン等の低分子量の不飽和炭化水素(例えば、炭素数nが4以下の不飽和炭化水素)が好ましく用いられる。
<不活性ガスの一例>
第1成膜方法,第2成膜方法において不活性ガスを適用する場合、その一例としてはN,Ar,He等の不活性ガスが挙げられる。
<ガス供給量,圧力等の一例>
チャンバに供給する原料ガス,オゾンガス,不飽和炭化水素ガス,不活性ガス等の供給量や、当該各ガスによる圧力(例えばチャンバ内のオゾンガスによる圧力(分圧))等は、特許文献1~5に示すように適宜制御して設定することが可能であり、その一例としてはチャンバ内の被成膜対象物Sの種類,形状や、当該各ガスの種類,濃度等を考慮して設定することが挙げられる。
<第1膜L1,第2膜L2の膜厚の一例>
第1膜L1,第2膜L2の各膜厚は、目的とする酸化膜Lの膜厚に応じて適宜設定することが可能であり、特に限定されるものではない。例えば図2に示すように、酸化膜Lの所望膜厚がt3の場合、第1膜L1の膜厚t1においては膜中拡散曝露を抑制できる程度に設定し、第2膜L2の膜厚t2はt2=t3-t1の関係式を満たすように設定することが挙げられる。
また、第1膜L1において膜中拡散曝露を抑制できる程度の膜厚t1とは、酸化膜L(第1膜L1)の種類によって多少の差異はあり得るが、当該膜厚t1が2nm以上であれば、当該膜中拡散曝露を十分抑制できるものと考えられる。
<その他>
第1成膜方法,第2成膜方法においては、それぞれ異なるALD装置やCVD装置を適用して実施することも可能であるが、当該ALD装置やCVD装置はそれぞれ同様のガス供給系を備えていることから、例えば図3に示すような成膜装置1を共用して実施することも可能である。すなわち、第1成膜方法,第2成膜方法をいわゆるin-situで実施(第1成膜方法を実施した後、他のプロセスを行わずに第2成膜方法を実施)することが可能となる。
図3は、特許文献1~4に示すALD装置,CVD装置を適宜組み合わせて構成した成膜装置1を説明するものであって、簡略化して描写しているものとなっている。この成膜装置1は、被成膜対象物S(図3ではSi基板S2の一端面に設けられた被成膜対象物S)を収容可能なチャンバ2と、当該チャンバ2内に原料ガスを供給する原料ガス供給部3と、当該チャンバ2内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給部4と、当該チャンバ2内に不飽和炭化水素ガスを供給する不飽和炭化水素ガス供給部5と、当該チャンバ2内のガスを吸気して当該チャンバ2外に排出するガス排出部6と、を備えたものとなっている。
ガス排出部6においては、単にチャンバ2内のガスを吸気して当該チャンバ2外に排出するだけでなく、当該チャンバ2内を減圧状態(例えばチャンバ2内が真空環境下となるような状態)に維持することが可能な態様が挙げられる。これにより、チャンバ2内を減圧状態で維持しながら、第1成膜方法,第2成膜方法を適宜実施することが可能となる。
以上のような成膜装置1は、特許文献1~4にも同様の構成が開示されており、当該構成を適宜適用することも可能である。例えば、図3の成膜装置1の場合、チャンバ2内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部7が備えられており、これにより、例えばチャンバ2内をパージする場合には当該チャンバ2内に不活性ガスを適宜供給することが可能となる。この不活性ガス供給部7は、原料ガス供給部3,不飽和炭化水素ガス供給部5に適宜接続しても良く、これにより、不活性ガスを原料ガスや不飽和炭化水素ガスのキャリアガスとして適用することが可能となる。
その他、図示省略するが、原料ガス供給部3,オゾンガス供給部4,不飽和炭化水素ガス供給部5,不活性ガス供給部7による各ガスの供給流量,供給流量比,供給時間等を調整可能な制御部や、当該各ガスをチャンバ2内に供給する前に一時的に貯留可能なバッファ機能部(例えばバッファタンク,圧力計等)や、被成膜対象物S(またはチャンバ内)を加温または冷却して温度調整(100℃以下に調整)することが可能な温度調整部等を、更に備えることが挙げられる。
また、原料ガス供給部3,オゾンガス供給部4,不飽和炭化水素ガス供給部5,不活性ガス供給部7のうち2つ以上を適宜一体化してシャワーヘッドを構成し、当該シャワーヘッドを介してチャンバ2内に各ガスを供給することも挙げられる。
<検証>
ここで、Si基板S2に対して所望パターンで凹凸状に成形されたレジストを被成膜対象物Sとし、図3に示す成膜装置1を用いて第1成膜方法,第2成膜方法を実施することにより、被成膜面S1に対してSiOの酸化膜Lを形成することを試みた。なお、第1成膜方法,第2成膜方法においては、被成膜対象物Sの被成膜面S1(チャンバ2内)を100℃以下およびチャンバ2内を減圧状態で保持し、第1膜L1は膜厚t1が2nm~10nmの範囲内となるように設定し、レジストには硬化温度またはガラス転移温度Tgが200℃以下である樹脂材料または低耐熱性ガラス材料を用いた。
前記のように形成した酸化膜Lを観察したところ、所望の膜特性が得られることを確認できた。また、当該酸化膜Lを形成する前の被成膜面S1の表面粗さと、当該酸化膜Lの表面粗さと、の両者をAFM(原子間顕微鏡)により観察したところ、図4に示すような結果が得られた。図4(A)に示す酸化膜Lを形成する前の被成膜面S1の表面粗さと、図4(B)に示す当該酸化膜Lの表面粗さと、の両者を比較することにより、当該酸化膜Lの形成前後における被成膜対象物Sの形状変化率を算出したところ、寸法比で1%以下であることが判った。これにより、第1成膜方法,第2成膜方法によれば、被成膜対象物Sの変形や変性等を起こすことなく、所望の酸化膜Lを形成できることが確認できた。
以上、本発明において、記載された具体例に対してのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想の範囲で多彩な変更等が可能であることは、当業者にとって明白なことであり、このような変更等が特許請求の範囲に属することは当然のことである。
1…成膜装置
2…チャンバ
3~5,7…ガス供給部
6…ガス排出部
S…被成膜対象物
S1…被成膜面
L…酸化膜
L1…第1膜
L2…第2膜
L0…第1膜表面

Claims (7)

  1. チャンバ内に収容した被成膜対象物の被成膜面に酸化膜を形成する方法であって、
    前記酸化膜は、前記被成膜面に形成した膜厚が2nm以上の第1膜と、当該第1膜の表面に形成した第2膜と、を有してなり、
    前記第1膜を、
    前記酸化膜を構成する元素を含む原料ガスを前記チャンバ内に供給して、前記被成膜面に当該原料ガスによる第1吸着層を形成する第1原料ガス供給工程と、
    第1原料ガス供給工程で供された原料ガスの余剰ガスと、当該原料ガスが前記被成膜面に吸着することで生じたガスと、を当該被成膜面から除去する第1原料ガスパージ工程と、
    80体積%以上のオゾンガスを前記チャンバ内に供給し、前記第1吸着層を酸化する第1酸化剤供給工程と、
    第1酸化剤供給工程で供されたオゾンガスの余剰ガスと、前記第1吸着層を酸化することで生じたガスと、を前記被成膜面から除去する第1酸化剤パージ工程と、
    を有した原子層堆積法の第1成膜方法により形成し、
    前記第2膜を、前記第1成膜方法とは異なる原子層堆積法または化学気相成長法の第2成膜方法により形成し、
    第2成膜方法は、80体積%以上のオゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの両者のラジカル反応によって生成されるOHラジカルを酸化剤として用いることを特徴とする酸化膜形成方法。
  2. 前記第1成膜方法とは異なる原子層堆積法の第2成膜方法は、
    前記酸化膜を構成する元素を含む原料ガスを前記チャンバ内に供給して、前記第1膜の表面に当該原料ガスによる第2吸着層を形成する第2原料ガス供給工程と、
    第2原料ガス供給工程で供された原料ガスの余剰ガスと、当該原料ガスが前記第1膜の表面に吸着することで生じたガスと、を当該第1膜の表面から除去する第2原料ガスパージ工程と、
    80体積%以上のオゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの両者を前記チャンバ内に供給し、前記第2吸着層を酸化する第2酸化剤供給工程と、
    第2酸化剤供給工程で供されたオゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの余剰ガスと、前記第2吸着層を酸化することで生じたガスと、を前記第1膜の表面から除去する第2酸化剤パージ工程と、
    を有していることを特徴とする請求項1記載の酸化膜形成方法。
  3. 前記化学気相成長法の第2成膜方法は、80体積%以上のオゾンガスと、不飽和炭化水素ガスと、前記酸化膜を構成する元素を含む原料ガスと、を前記チャンバ内に供給する化学気相成長法の第2成膜方法により、前記第2膜を形成することを特徴とする請求項1記載の酸化膜形成方法。
  4. 前記被成膜対象物を100℃以下に保持することを特徴とする請求項1~3の何れかに記載の酸化膜形成方法。
  5. 前記被成膜対象物は、硬化温度またはガラス転移温度Tgが200℃以下である樹脂材料または低耐熱性ガラス材料を用いてなることを特徴とする請求項1~3の何れかに記載の酸化膜形成方法。
  6. 前記第1膜および前記第2膜は、Al、HfO、TiO、ZnO、Ta、Ga、MoO、RuO、SiO、ZrO、Yの群から選択された一つの酸化膜から成る、または当該選択された酸化膜であってO以外の元素のうちの一部が他元素に置換されているものから成ることを特徴とする請求項1~3の何れかに記載の酸化膜形成方法。
  7. 前記チャンバには、
    前記チャンバ内に前記原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
    前記チャンバ内に前記オゾンガスを供給するオゾンガス供給部と、
    前記チャンバ内に前記不飽和炭化水素ガスを供給する不飽和炭化水素ガス供給部と、
    前記チャンバ内のガスを吸気して当該チャンバ外に排出するガス排出部と、
    が備えられており、
    前記第1膜および前記第2膜は、前記チャンバ内を減圧状態にして形成することを特徴とする請求項1~3の何れかに記載の酸化膜形成方法。
JP2022115198A 2022-07-20 2022-07-20 酸化膜形成方法 Active JP7431897B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022115198A JP7431897B2 (ja) 2022-07-20 2022-07-20 酸化膜形成方法
PCT/JP2023/023049 WO2024018811A1 (ja) 2022-07-20 2023-06-22 酸化膜形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022115198A JP7431897B2 (ja) 2022-07-20 2022-07-20 酸化膜形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2024013259A JP2024013259A (ja) 2024-02-01
JP7431897B2 true JP7431897B2 (ja) 2024-02-15

Family

ID=89617591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022115198A Active JP7431897B2 (ja) 2022-07-20 2022-07-20 酸化膜形成方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7431897B2 (ja)
WO (1) WO2024018811A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019187337A1 (ja) 2018-03-28 2019-10-03 株式会社明電舎 酸化膜形成方法
JP2020004818A (ja) 2018-06-27 2020-01-09 トヨタ自動車株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
WO2020170482A1 (ja) 2019-02-19 2020-08-27 株式会社明電舎 原子層堆積方法および原子層堆積装置
JP2022053787A (ja) 2020-09-25 2022-04-06 株式会社明電舎 原子層堆積方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019187337A1 (ja) 2018-03-28 2019-10-03 株式会社明電舎 酸化膜形成方法
JP2020004818A (ja) 2018-06-27 2020-01-09 トヨタ自動車株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
WO2020170482A1 (ja) 2019-02-19 2020-08-27 株式会社明電舎 原子層堆積方法および原子層堆積装置
JP2022053787A (ja) 2020-09-25 2022-04-06 株式会社明電舎 原子層堆積方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2024013259A (ja) 2024-02-01
WO2024018811A1 (ja) 2024-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102513600B1 (ko) 산화물 박막의 증착
JP5852151B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体
JP6860048B2 (ja) 原子層堆積方法
WO2020170482A1 (ja) 原子層堆積方法および原子層堆積装置
KR102268455B1 (ko) 산화막 형성 방법
JP6569831B1 (ja) 酸化膜形成方法
JP6416031B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP2015230945A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラムおよび記録媒体
US20240344200A1 (en) Oxide film forming device
WO2022064849A1 (ja) 原子層堆積方法
JP7431897B2 (ja) 酸化膜形成方法
US20230139917A1 (en) Selective deposition using thermal and plasma-enhanced process
US20220350248A1 (en) Method of forming an adhesion layer on a photoresist underlayer and structure including same
CN115769343A (zh) 非金属掺入介电表面的钼中
WO2022118879A1 (ja) 原子層堆積装置および原子層堆積方法
JPWO2020170482A1 (ja) 原子層堆積方法および原子層堆積装置
JP2022087800A (ja) 原子層堆積装置および原子層堆積方法
JP2022087554A (ja) 原子層堆積装置および原子層堆積方法
US20240014030A1 (en) Method for selective deposition of silicon nitride and structure including selectively-deposited silicon nitride layer
US20240222111A1 (en) Methods for selectively forming a dielectric layer on a metallic surface relative to a dielectric surface
US20240170282A1 (en) Method and system for tuning photoresist adhesion layer properties
KR20230168133A (ko) 포토레지스트 언더레이어를 형성하는 고온 방법 및 이를 형성하기 위한 시스템
TW202430680A (zh) 用於選擇性地沉積過渡金屬之方法及總成
CN117721436A (zh) 用于选择性地沉积过渡金属的方法和组件
TW202436667A (zh) 用於調諧光阻黏附層性質之方法及系統

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230705

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20230705

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230822

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231012

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240109

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240202

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7431897

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150