TW201942348A - 處理液 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種處理液，其為半導體器件用處理液，殘渣去除性能的經時穩定性優異並且相對於處理對象物之耐腐蝕性能亦優異。本發明的處理液為半導體器件用處理液，其含有選自包括羥胺及羥胺鹽之群組中之1種以上的羥胺化合物、有機鹼性化合物、醇系溶劑及界面活性劑，相對於上述處理液的總質量之醇系溶劑的含量為40～85質量%，上述處理液的pH為8以上。

Description

處理液

本發明係關於一種處理液。尤其係關於一種能夠較佳地用於製造半導體器件之處理液。

使用光微影技術，在基板上形成微細的電子電路圖案來製造CCD（Charge-Coupled Device，電荷耦合器件）、記憶體等半導體器件。具體而言，在基板上具有成為配線材料之金屬膜、蝕刻停止層及層間絕緣層之積層體上形成抗蝕劑膜，並實施光微影步驟及乾式蝕刻步驟（例如電漿蝕刻處理），藉此製造半導體器件。

又，最近為了實現半導體器件的更進一步的微細化，亦可以使用TiN、AlOx等金屬材料系抗蝕劑膜（所謂金屬硬遮罩）來作為上述抗蝕劑膜。使用金屬硬遮罩來作為抗蝕劑膜之情況下，通常進行如下步驟，亦即，將金屬硬遮罩用作遮罩來進行乾式蝕刻步驟（例如電漿蝕刻處理），形成基於金屬硬遮罩的圖案形狀之孔且露出成為配線膜之金屬膜面。

在經由乾式蝕刻步驟之基板堆積有乾式蝕刻殘渣（使用金屬硬遮罩來作為抗蝕劑膜之情況下，作為殘渣成分，例如較多地包含鈦系金屬等金屬成分。另一方面，使用光阻膜之情況下，作為殘渣成分較多地包含有機成分）。該等殘渣通常使用處理液來去除，以免妨礙下一步驟。

例如，專利文獻1中揭示有微影用洗淨液，該微影用洗淨液含有羥胺、選自包括化合物及第四級銨氫氧化物之群組中之至少1種有機鹼性化合物及水，pH為8以上。
[先前技術文獻]
[專利文獻]

[專利文獻1]美國專利申請公開第2016/0122695號說明書

本發明人等對專利文獻1中所記載之洗淨液（處理液）進行了研究之結果發現了，其性能在長時間保管之後容易顯著降低。亦即，發現了需要改良處理液的殘渣去除性能的經時穩定性。

又，另一方面，要求處理液可抑制處理對象物所含有之配線金屬（金屬、氮化金屬及合金等中的任一種。例如為用作為配線金屬之W或Co。又，亦可以為含有該等金屬之形態）等腐蝕（耐腐蝕性能）。

因此，本發明的課題在於提供一種半導體器件用處理液，該處理液的殘渣去除性能的經時穩定性優異，並且相對於處理對象物之耐腐蝕性能亦優異。

本發明人等為了實現上述課題而進行了深入研究之結果，發現了能夠藉由以下的構成來實現上述目的。

[1]一種處理液，其為用於半導體器件的處理液，且含有選自包括羥胺及羥胺鹽之群組中之1種以上的羥胺化合物、有機鹼性化合物、醇系溶劑及界面活性劑，
上述醇系溶劑的含量相對於上述處理液的總質量為40～85質量%，pH為8以上。
[2]如[1]所述之處理液，其中
上述羥胺化合物的含量相對於上述處理液的總質量為1～20質量%。
[3]如[1]或[2]所述之處理液，其中
相對於上述界面活性劑的含量之上述羥胺化合物的含量的質量比為1～1000。
[4]如[1]至[3]中任一項所述之處理液，其中
上述有機鹼性化合物含有選自包括四甲基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、苄基三甲基氫氧化銨、四氫糠胺、N-（2-胺基乙基）哌、1,8-二吖雙環[5.4.0]-7-十一烯及1,4-二吖雙環[2.2.2]辛烷之群組中之1種以上。
[5]如[1]至[4]中任一項所述之處理液，其中
上述有機鹼性化合物含有三級胺化合物，
上述三級胺化合物含有除了含氮非芳香環中所含有之三級胺基以外的三級胺基，
上述三級胺化合物的含量相對於上述處理液的總質量為1質量ppt～5質量ppm。
[6]如[1]至[5]中任一項所述之處理液，其中
相對於上述界面活性劑的含量之上述有機鹼性化合物的含量的質量比為1～150。
[7]如[1]至[6]中任一項所述之處理液，其中
上述界面活性劑係陽離子性界面活性劑。
[8]如[1]至[7]中任一項所述之處理液，其中
上述陽離子性界面活性劑含有四級氮原子。
[9]如[1]至[7]中任一項所述之處理液，其中
上述界面活性劑含有選自包括十六烷基溴三甲基銨、十六烷基氯吡啶鎓、苄索氯銨、洛赫西定二鹽酸鹽、二硬脂基二甲基氯化銨、氯化苄烷銨、地喹氯銨、十二烷基三甲基氯化銨、十八胺鹽酸鹽及十二烷基氯化吡啶之群組中之1種以上。
[10]如[1]至[9]中任一項所述之處理液，其中
上述界面活性劑的含量相對於上述處理液的總質量為1質量ppm～0.5質量%。
[11]如[1]至[10]中任一項所述之處理液，其中
上述醇系溶劑含有烷氧基。
[12]如[1]至[10]中任一項所述之處理液，其中
上述醇系溶劑含有選自包括3-甲氧基-3-甲基1-丁醇、糠醇、甘油、2,4-二羥基-2-甲基戊烷、乙二醇、1,2-丙烷二醇、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚及二丙二醇單甲醚之群組中之1種以上。
[13]如[1]至[12]中任一項所述之處理液，其還含有鹵化烷基化合物，
上述鹵化烷基化合物的含量相對於上述處理液的總質量為1質量ppt～5質量ppm。
[14]如[1]至[13]中任一項所述之處理液，其還含有還原劑。
[15]如[14]所述之處理液，其中
上述還原劑為選自包括兒茶酚及其衍生物以及硫醇化合物之群組中之1種以上的還原劑。
[16]如[1]至[15]中任一項所述之處理液，其還含有乙酸，
上述乙酸的含量相對於上述處理液的總質量為1質量ppt～0.1質量%。
[17]如[1]至[16]中任一項所述之處理液，其還含有除了乙酸以外的其他有機酸。
[18]如[1]至[17]中任一項所述之處理液，其還含有含金屬的粒子，
上述含金屬的粒子含有選自包括Na、Ca、Fe及Cr之群組中之1種以上的金屬成分，
上述含金屬的粒子的粒徑為0.02～0.05 μm，
上述含金屬的粒子的含量相對於上述處理液的總質量為10質量ppt～10質量ppb。
[19]如[1]至[18]中任一項所述之處理液，其用作用於去除蝕刻殘渣的洗淨液、用於去除圖案形成中所使用之抗蝕劑膜的溶液、用於從化學機械研磨後的基板去除殘渣的洗淨液。
[20]如[1]至[19]中任一項所述之處理液，其用於處理基板，該基板具有含有選自包括W及Co之群組中之1種以上之金屬層。
[發明效果]

依據本發明，能夠提供一種半導體器件用處理液，該處理液的殘渣去除性能的經時穩定性優異，並且相對於處理對象物之耐腐蝕性能亦優異。

以下，對本發明進行詳細說明。
以下所記載之構成要件的說明有時根據本發明的代表性的實施態樣來完成，但是本發明並不限制於該等的實施態樣。
另外，在本說明書中，用“～”來表示之數值範圍係指將記載於“～”前後之數值作為下限值及上限值而包括之範圍。
又，本發明中稱為“準備”時，除了合成及調合既定的材料等而具備以外，亦包含藉由購入等獲得既定的材料者。
又，本發明中，“ppm”指“parts-per-million(百萬分之一)(10^-6 )”，“ppb”指“parts-per-billion(十億分之一)(10^-9 )”，“ppt”指“parts-per-trillion(萬億分之一)(10^-12 )”，“ppq”指“parts-per-quadrillion(10^-15 )”。
又，本發明中，1Å（埃）相當於0.1 nm。
又，本發明中的基團（原子團）的標記中，未標註經取代及未經取代之標記係在不損害本發明的效果之範圍內與不具有取代基者一同還包含具有取代基者之標記。例如“烴基”不僅包含不具有取代基之烴基（未經取代的烴基），亦包含具有取代基之烴基（經取代的烴基）。在此，關於各化合物的含義亦相同。
本說明書中，處理液的pH為在室溫（25℃）下以HORIBA, Ltd.製、F-51（產品名）測量之值。
又，本發明中的“放射線”係指例如以水銀燈的明線光譜、準分子雷射為代表之遠紫外線、極紫外線（EUV光）、X射線或電子束等。又，本發明中，光係指光化射線或放射線。本發明中的“曝光”只要沒有特別說明，曝光不僅包含以水銀燈、準分子雷射為代表之基於遠紫外線、X射線或EUV光等之曝光，亦包含基於電子束或離子束等粒子束之繪製。

[處理液]
本發明的處理液為半導體器件用處理液，其含有選自包括羥胺及羥胺鹽之群組中之1種以上的羥胺化合物、有機鹼性化合物、醇系溶劑及界面活性劑，
醇系溶劑的含量相對於處理液的總質量為40～85質量%，
pH為8以上。

藉由將本發明的處理液設為上述構造，殘渣去除性能的經時穩定性優異，並且相對於處理對象物之耐腐蝕性能亦優異。
該等詳細內容雖不明確，但是本發明人等認為如下。
亦即，認為處理液中的醇含量為既定量係指將處理液的殘渣去除性能保持一定以上的同時，抑制因羥胺的分解而引起之處理液的殘渣去除性能的經時劣化。認為經含有界面活性劑改善相對於處理對象物（尤其包含W或Co之金屬層）之耐腐蝕性能。進而，認為藉由pH為既定值以上，亦可改善處理液的殘渣去除性能。
又，本發明的處理液的能夠抑制在處理對象物產生缺陷之缺陷抑制性亦優異。
以下，對本發明的處理液中所包含之各成分進行說明。

＜羥胺化合物＞
本發明的處理液含有選自包括羥胺及羥胺鹽之群組中之至少1種以上的羥胺化合物。羥胺化合物具有促進殘渣的分解及可溶化之功能。

其中，本發明的處理液的羥胺化合物之“羥胺”係指包含經取代或未經取代的烷基羥胺等之廣義的羥胺化合物，即使為其中任一種亦能夠得到本發明的效果。
作為羥胺化合物並無特別限定，但是作為較佳的態樣，可舉出未經取代的羥胺及羥胺衍生物以及其鹽。

作為羥胺衍生物並無特別限制，但是例如可舉出O-甲基羥胺、O-乙基羥胺、N-甲基羥胺、N,N-二甲基羥胺、N,O-二甲基羥胺、N-乙基羥胺、N,N-二乙基羥胺、N,O-二乙基羥胺、O,N,N-三甲基羥胺、N,N-二羧基乙基羥胺及N,N-二磺基乙基羥胺等。

未經取代的羥胺或羥胺衍生物的鹽為上述之未經取代的羥胺或羥胺衍生物的無機酸鹽或有機酸鹽為較佳，Cl、S、N或P等非金屬原子能夠與氫原子鍵結而成之無機酸的鹽為更佳，鹽酸、硫酸或硝酸中的任一種酸的鹽為進一步較佳。其中，硝酸羥胺、硫酸羥胺、鹽酸羥胺、磷酸羥胺、硫酸N,N-二乙基羥胺、硝酸N,N-二乙基羥胺或該等混合物為較佳。
又，亦能夠使用上述之未經取代的羥胺或羥胺衍生物的有機酸鹽，例如可舉出羥基銨檸檬酸鹽、羥基銨草酸鹽及羥基銨偏二氟等。

其中，羥胺或硫酸羥胺為較佳，從處理液的缺陷抑制性及經時穩定性更優異之觀點考慮，羥胺為較佳。

羥胺化合物的含量相對於處理液的總質量，例如為0.1～30質量%。
其中，從處理液的殘渣去除性及缺陷抑制性更優異之觀點考慮，羥胺化合物的含量相對於處理液的總質量係1質量%以上為較佳，3質量%以上為更佳，6質量%以上為較佳。
又，從耐腐蝕性更優異之觀點考慮，羥胺化合物的含量相對於處理液的總質量係20質量%以下為較佳，15質量%以下為更佳，12質量%以下為進一步較佳。
羥胺化合物可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。使用2種以上之情況下，該等合計含量在上述範圍內為較佳。

又，從殘渣去除性及缺陷抑制性更優異之觀點考慮，相對於後述之界面活性劑的含量之羥胺化合物的含量以質量比（羥胺化合物的含量/界面活性劑的含量）計係1以上為較佳，10以上為更佳，80以上為進一步尤其較佳，120以上為特佳。
從處理液的殘渣去除性、缺陷抑制性、耐腐蝕性及經時穩定性更優異之觀點考慮，上述質量比係10000以下為較佳，2500以下為更佳，1000以下為進一步較佳。

＜有機鹼性化合物＞
本發明的處理液除了上述成分以外，還包含有機鹼性化合物。
又，所謂之有機鹼性化合物為與上述羥胺化合物不同之化合物。亦即，羥基胺化合物不包含於有機鹼性化合物。
作為有機鹼性化合物，選自包括與羥胺化合物不同之胺化合物及四級氫氧化銨鹽之群組中之至少1種為較佳。
又，作為有機鹼性化合物，環狀化合物（具有環狀結構之化合物）為較佳。作為環狀化合物，例如可舉出後述之具有環狀結構之胺化合物。

從確保殘渣去除性能的同時能夠更有效地抑制基板上的金屬層（較佳為包含W和/或Co之金屬層）的腐蝕之觀點考慮，作為胺化合物，具有環狀結構之胺化合物為較佳。
具有環狀結構之胺化合物中，胺基可以僅存在於上述環狀結構中及上述環狀結構外的任一者，亦可以存在於該兩者中。其中，胺基為三級胺基之情況下，上述三級胺基存在於環狀結構中並且環狀結構為非芳香族的環狀結構（含氮非芳香環）亦為較佳。
作為胺化合物，例如可舉出四氫糠胺、N-（2-胺基乙基）哌、1,8-二吖雙環[5.4.0]-7-十一烯、1,4-二吖雙環[2.2.2]辛烷、羥基乙基哌、哌、2-甲基哌、反式-2,5-二甲基哌、順式-2,6-二甲基哌、2-哌啶甲醇、環己基胺、1,5-二吖雙環[4,3,0]-5-壬烯、二伸乙三胺、三伸乙四胺及四伸乙基五胺等。
其中，從確保殘渣去除性能的同時更有效地抑制基板上的金屬層（較佳為包含Co或Co合金之金屬層）的腐蝕之觀點考慮，作為胺化合物，四氫糠胺、N-（2-胺基乙基）哌、1,8-二吖雙環[5.4.0]-7-十一烯或1,4-二吖雙環[2.2.2]辛烷為較佳。
胺化合物的分子量係50～500為較佳，75～400為更佳，100～300為進一步較佳。

（三級胺化合物）
本發明的處理液含有三級胺化合物來作為胺化合物亦為較佳。上述三級胺化合物為具有三級胺基之化合物。其中，上述三級胺化合物所含有之三級胺基係除了含氮非芳香環中所含有之三級胺基以外的三級胺基為較佳。例如，N-（2-胺基乙基）哌為不包含於上述三級胺化合物之化合物。
另外，上述三級胺化合物可以具有含氮非芳香環中所包含之三級胺基，還可以具有含氮非芳香環中不包含之三級胺基。
處理液含有三級胺化合物之情況下，處理液還包含除了三級胺化合物以外的有機鹼性化合物亦為較佳。
作為三級胺化合物，例如可舉出三甲基胺、吡啶、N,N-二甲基-2-[2-[4-（2,4,4-三甲基戊烷-2-基）苯氧基]乙氧基]乙烷胺、二甲基硬脂胺及4-胺基-2甲基喹啉。
從缺陷抑制性更優異之觀點考慮，上述三級胺化合物的含量相對於處理液的總質量係1質量ppt~5質量ppm為較佳，5質量ppt~100質量ppb為更佳，50質量ppt~100質量ppb為進一步較佳。

（四級氫氧化銨鹽）
作為四級氫氧化銨鹽，例如可舉出由下述式（a1）表示之化合物。

[化1]

上述式（a1）中，R^a1 ～R^a4 分別獨立地表示碳數為1～16的烷基、碳數6～16的芳基、碳數7～16的芳烷基或碳數為1～16的羥基烷基。R^a1 ～R^a4 中的至少2個可以彼此鍵結而形成環狀結構，尤其，R^a1 與R^a2 的組合及R^a3 與R^a4 的組合中的至少一個可以彼此鍵結而形成環狀結構。

由上述式（a1）表示之化合物中，從容易得到之觀點考慮，選自包括氫氧化四甲基銨、氫氧化苄基三甲基銨、氫氧化四丁基胺、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化甲基三丙基銨、氫氧化甲基三丁基銨、氫氧化乙基三甲基銨、氫氧化二甲基二乙基銨、氫氧化十六烷基三甲基銨、氫氧化（2-羥基乙基）三甲基銨及氫氧化螺-（1,1’）-聯吡咯啶鎓之群組中之至少1種為較佳。其中，氫氧化四甲基銨、氫氧化四丁基銨或氫氧化苄基三甲基銨為更佳。
四級氫氧化銨鹽的分子量係90～400為較佳，90～300為更佳，90～260為進一步較佳。

有機鹼性化合物可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。
有機鹼性化合物的含量（使用2種以上之情況下為其合計含量。例如，處理液含有上述三級胺化合物及除了三級胺化合物以外的有機鹼性化合物之情況下為其合計含量）相對於處理液的總質量，例如為1質量ppt～20質量%，0.1～20質量%為較佳，0.5～5質量%為更佳，0.5～1.5質量%為進一步較佳。

又，從殘渣去除性、缺陷抑制性、耐腐蝕性及經時穩定性更優異之觀點考慮，相對於後述之界面活性劑的含量之上述有機鹼性化合物的含量以質量比（有機鹼性化合物的含量/界面活性劑的含量）計係1～150為較佳，5～125為更佳，5以上且小於118為進一步較佳。

＜界面活性劑＞
本發明的處理液除了上述成分以外，還含有界面活性劑。
界面活性劑的種類並無特別限定，能夠使用公知的界面活性劑，例如可舉出離子性界面活性劑（例如陰離子性界面活性劑、陽離子性界面活性劑、兩性界面活性劑）或非離子性界面活性劑（例如非離子性界面活性劑、聚矽氧系界面活性劑、氟系界面活性劑）。

作為陰離子性界面活性劑，例如可舉出烷基苯磺酸鹽（十二烷基苯磺酸等）、烷基二苯基醚磺酸鹽（十二烷基二苯醚磺酸鹽等）等芳香族磺酸系界面活性劑、一酸皂（monosoap）系陰離子性界面活性劑、醚硫酸酯系界面活性劑、磷酸鹽系界面活性劑及羧酸系界面活性劑等。

作為陽離子性界面活性劑，可舉出胺鹽（十八胺鹽等烷基胺鹽、洛赫西定鹽等。較佳為鹽酸鹽。例如洛赫西定二鹽酸鹽、十八胺鹽酸鹽）、吡啶鎓鹽（較佳為鹵化物鹽。例如十六烷基氯吡啶鎓、十二烷基氯化吡啶、地喹氯銨）及第四級銨鹽（較佳為鹵化物鹽。較佳為分子量260以上，更佳為分子量大於260。例如氯化苄烷銨、十六烷基溴三甲基銨、苄索氯銨、二硬脂基二甲基氯化銨、十二烷基三甲基氯化銨）等。

作為兩性界面活性劑，可舉出烷基甜菜鹼系界面活性劑（2-烷基-正羧基甲基-正羥基乙基咪唑啉甜菜鹼等）、氧化胺系界面活性劑、脂肪酸醯胺丙基甜菜鹼（椰油醯胺丙基甜菜鹼、月桂酸醯胺丙基甜菜鹼）等。

作為非離子性界面活性劑，可舉出山梨醇酐脂肪酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐脂肪酸酯等糖酯系界面活性劑、月桂基葡萄糖苷等烷基葡萄糖苷系界面活性劑、聚氧乙烯樹脂酸酯、聚氧乙烯脂肪酸二乙酯等脂肪酸酯系界面活性劑、聚氧乙烯烷基醚（聚氧乙烯月桂基醚等）、聚氧乙烯烷基苯基醚（辛基苯酚乙氧基化物等）、聚氧乙烯/聚丙二醇等醚系界面活性劑等。

其中，作為界面活性劑，陽離子性界面活性劑為較佳。又，上述陽離子性界面活性劑含有四級氮原子為較佳。四級氮原子例如包含於第四級銨鹽及吡啶鎓鹽等中。其中，含有四級氮原子之陽離子性界面活性劑與以有機鹼性化合物的說明中舉出之四級氫氧化銨鹽（例如，由式（a1）表示之化合物）不同為較佳。

從處理液的缺陷抑制性、殘渣去除性及經時穩定性更優異之觀點考慮，界面活性劑的含量相對於處理液的總質量，下限係1質量ppm以上為較佳，85質量ppm以上為更佳，0.01質量%以上為進一步較佳，0.05質量%以上為特佳。上限係2質量%以下為較佳，1質量%以下為更佳，0.5質量%以下為進一步較佳。
又，界面活性劑的含量滿足相對於上述界面活性劑的含量之羥胺化合物的含量的質量比和/或相對於界面活性劑的含量之有機鹼性化合物的含量的質量比的較佳的範圍亦為較佳。
界面活性劑可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。使用2種以上之情況下，該等合計含量在上述範圍內為較佳。

＜醇系溶劑＞
本發明的處理液除了上述成分以外，還含有醇系溶劑。
醇系溶劑係水溶性醇系溶劑為較佳。
醇系溶劑例如可舉出烷烴二醇、伸烷基二醇、烷氧基醇、飽和脂肪族一元醇、不飽和非芳香族一元醇及三價以上的醇等。

作為烷烴二醇，例如可舉出二醇、2-甲基-1,3-丙烷二醇、1,2-丙烷二醇、1,3-丙烷二醇（1,3-二羥基丙烷）、2-甲基-2,4-戊烷二醇、2,2-二甲基-1,3-己二醇、1,4-丁二醇（1,4-二羥基丁烷）、1,3-丁二醇、1,2-丁二醇、2,3-丁二醇、2,5-二羥基-2,5-二甲基己烷、頻哪醇及伸烷基二醇等。

作為伸烷基二醇，例如可舉出乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇及四乙二醇等。

作為烷氧基醇，例如可舉出3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、3-甲氧基-1-丁醇、3-甲氧基-3-甲基丁醇、1-甲氧基-2-丁醇及二醇單醚等。

作為二醇單醚，例如可舉出乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單正丙醚、乙二醇單異丙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚、三乙二醇單丁醚、1-甲氧基-2-丙醇、2-甲氧基-1-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、2-乙氧基-1-丙醇、丙二醇單正丙醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單正丙醚、三丙二醇單乙醚、三丙二醇單甲醚、乙二醇單苄醚及二乙二醇單苄醚等。

作為飽和脂肪族一元醇，例如可舉出甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、異丁醇、第三丁醇、2-戊醇、第三戊醇及1-己醇等。

作為不飽和非芳香族一元醇，例如可舉出烯丙醇、炔丙基醇、2-丁烯醇、3-丁烯醇及4-戊烯-2-醇等。

作為包含環結構之低分子量的醇，例如可舉出四氫糠醇、糠醇及1,3-環戊烷二醇等。

作為三價以上的醇，例如可舉出甘油等。

其中，作為醇系溶劑，含有烷氧基之烷氧基醇為較佳。作為上述烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、丙氧基及丁氧基等碳數為1～6的烷氧基為較佳。

醇系溶劑的分子量係32～250為較佳，40～200為更佳，50～150為進一步較佳。

醇系溶劑的含量相對於處理液的總質量為40～85質量%，從耐腐蝕性及經時穩定性更優異之觀點考慮，50質量%以上為較佳，60質量%以上為進一步較佳。從缺陷抑制性及殘渣去除性更優異之觀點考慮，80質量%以下為較佳，70質量%以下為進一步較佳。
醇系溶劑可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。使用2種以上之情況下，該等合計含量在上述範圍內為較佳。

＜鹵化烷基化合物＞
本發明的處理液除了上述成分以外，還含有鹵化烷基化合物為較佳。
藉由含有鹵化烷基化合物，處理液的缺陷抑制性更優異。
鹵化烷基化合物只要具有鹵化烷基，則並無限制。其中，鹵化烷基化合物所具有之鹵素原子（較佳為氯原子）的數係1～10為較佳，1或2為進一步較佳。鹵化烷基化合物除了鹵素原子部分以外係烴基為較佳。

從缺陷抑制性更優異之觀點考慮，鹵化烷基化合物的含量相對於處理液的總質量係1質量ppt～5質量ppm為較佳，50質量ppt～100質量ppb為進一步較佳。

＜還原劑＞
本發明的處理液除了上述成分以外，還含有還原劑為較佳。
藉由含有還原劑，處理液的殘渣去除性及經時穩定性更優異。
另外，上述還原劑不包含羥胺化合物。

還原劑為具有OH基或CHO基之化合物或含有硫原子之化合物等還元性物質為較佳。上述還原劑具有氧化作用，且具有氧化成為分解羥胺化合物之原因之OH^- 離子或溶解氧等之功能。
還原劑例如可舉出由下述（B）表示之化合物。

[化2]

式（B）中，R^1B ～R^5B 分別獨立地表示氫原子、羥基或可以具有雜原子之烴基。另外，R^1B ～R^5B 具有可以具有雜原子之烴基之情況下，上述烴基亦可以具有取代基。

式（B）中，作為由R^1B ～R^5B 表示之可以具有雜原子之烴基，可舉出烴基及具有雜原子之烴基。

作為由上述R^1B ～R^5B 表示之烴基，可舉出烷基(碳數係1~12為較佳，1~6為進一步較佳)、烯基(碳數係2~12為較佳，2~6為進一步較佳)、炔基(碳數係2~12為較佳，2~6為進一步較佳)、芳基(碳數係6~22為較佳，6~14為更佳，6~10為進一步較佳)及芳烷基(碳數係7~23為較佳，7~15為更佳，7~11為進一步較佳）。
又，作為由上述R^1B ～R^5B 表示之具有雜原子之烴基，可舉出上述之烴基中的-CH₂ -經例如選自包括-O-、-S-、-CO-、-SO₂ -及-NR^a -之群組中之任一種或組合該等複數個之2價的基團取代之基團。上述R^a 表示氫原子或碳數為1～20的烴基（碳數為1～5的烷基為較佳。）。

又，作為取代基，例如可舉出羥基、羧基或經取代或未經取代的胺基（作為取代基，碳數為1～6的烷基為較佳，1～3的烷基為進一步較佳）。

由式（B）表示之化合物具有2個以上的羥基為較佳，具有2或3個以上為進一步較佳。羥基所取代之位置並無特別限定，其中，R^1B 和/或R^2B 為較佳。

作為由上述式（B）表示之化合物，例如可舉出兒茶酚、間苯二酚三、異丁子香酚、鄰甲氧基苯酚、4,4’-二羥基苯基-2,2-丙烷、水楊酸異戊酯、水楊酸苄酯、水楊酸甲酯及2,6-二-第三丁基-對甲酚等。

其中，作為由式（B）表示之化合物，兒茶酚為較佳。
又，作為還原劑，兒茶酚衍生物亦為較佳。
作為兒茶酚衍生物，例如可舉出多巴胺、3-甲基兒茶酚、4-甲基兒茶酚、兒茶酚-4-乙酸、去甲腎上腺素、腎上腺素、3-（3,4-二羥基苯基）-L-丙胺酸、5,6-二羥基吲哚、兒茶素、異黃酮、沒食子酸、土耳其鞣酸、4-第三丁基鄰苯二酚、五倍子酚、5-第二丁基五倍子酚、4-苯基五倍子酚、4-甲基-1,2,3-苯三酚、4,5,6-三氯五倍子酚、4,5,6-三甲基五倍子酚、4,5-二甲基五倍子酚及4,6-二甲基五倍子酚等。

作為還原劑，抗壞血酸亦為較佳。
又，作為上述抗壞血酸類，例如可舉出抗壞血酸、異抗壞血酸、抗壞血酸硫酸酯、抗壞血酸磷酸酯、抗壞血酸2-葡萄糖苷、抗壞血酸棕櫚酸酯、抗壞血酸四異棕櫚酸酯及抗壞血酸異棕櫚酸酯以及該等鹽等的抗壞血酸類，抗壞血酸為較佳。

作為還原劑，含有硫原子之化合物亦為較佳。
又，作為含有硫原子之化合物，例如可舉出巰基丁二酸、二硫二甘油[S(CH₂ CH(OH)CH₂ (OH))₂ ]、雙（2,3-二羥基丙基硫）伸乙基[CH₂ CH₂ (SCH₂ CH(OH)CH₂ (OH))₂ ]、3-（2,3-二羥基丙基硫）-2-甲基-丙基磺酸鈉[CH₂ (OH)CH(OH)CH₂ SCH₂ CH(CH₃ )CH₂ SO₃ Na]、1-硫甘油[HSCH₂ CH(OH)CH₂ (OH)]、3-巰基-1-丙烷磺酸鈉[HSCH₂ CH₂ CH₂ SO₃ Na]、2-巰基乙醇[HSCH₂ CH₂ (OH)]、硫二醇酸[HSCH₂ CO₂ H]及3-巰基-1-丙醇[HSCH₂ CH₂ CH₂ OH]等。該等中，具有SH基之化合物（硫醇化合物）為較佳，1-硫甘油、3-巰基-1-丙烷磺酸鈉、2-巰基乙醇、3-巰基-1-丙醇或硫二醇酸為更佳，1-硫甘油或硫二醇酸為進一步較佳。

其中，還原劑為選自包括兒茶酚及其衍生物以及硫醇化合物之群組中之1種以上的還原劑為較佳。

還原劑的含量相對於處理液的總質量係0.01～5質量%為較佳，0.05～3質量%為更佳，0.1～1質量%為進一步較佳。

＜乙酸＞
本發明的處理液還含有乙酸為較佳。
藉由含有乙酸，處理液的缺陷抑制性更優異。
乙酸的含量相對於處理液的總質量係1質量ppt～0.1質量%為較佳，500質量ppt～0.09質量%為更佳，5質量ppb～0.08質量%為進一步較佳。

＜其他有機酸＞
本發明的處理液除了上述成分以外，還含有其他有機酸為較佳。
藉由含有其他有機酸，處理液的殘渣去除性及經時穩定性更優異。
其他有機酸例如為與上述乙酸及還原劑等不同的成分。

其他有機酸具有1以上的酸基為較佳，作為其他有機酸所具有之酸基，選自羧酸基、磺酸基及膦酸基之至少1種官能基為較佳，羧酸基為進一步較佳。

作為其他有機酸的具體例，例如可舉出聚胺基聚羧酸、脂肪族二羧酸類及含有羥基之脂肪族聚羧酸類。

聚胺基聚羧酸係具有複數個胺基及複數個羧酸基之化合物，例如可舉出單-或聚伸烷基多胺聚羧酸、聚胺基烷聚羧酸、聚胺基烷醇聚羧酸及羥基烷基醚多胺聚羧酸。

作為脂肪族二羧酸類，例如可舉出草酸、丙二酸、丁二酸及順丁烯二酸等，草酸、丙二酸或丁二酸為較佳。
作為包含羥基之脂肪族聚羧酸類，例如可舉出蘋果酸、酒石酸及檸檬酸等，檸檬酸為較佳。

其他有機酸的含量相對於處理液的總質量係0.01～5質量%為較佳，0.05～3質量%為更佳，0.1～1質量%為進一步較佳。

＜含金屬的粒子＞
本發明的處理液亦可以具有還含有選自Na、Ca，Fe及Cr之群組中之1種以上的金屬成分之含金屬的粒子。
另外，上述、含金屬的粒子的粒徑為0.02～0.05μm。
能夠使用例如Agilent 8900 三重四極SNP-ICP/MS（small nanoparticle-inductively coupled plasma mass spectrometry（小奈米粒子-電感耦合電漿質譜）、半導體分析用、選項#200）來測量處理液中的該等含金屬的粒子的直徑及含量。

含金屬的粒子含有選自包括Na、Ca，Fe及Cr之群組中之1種以上的金屬成分且粒徑在既定的範圍，則其構造並無特別限制，例如可以為金屬單體，亦可以為合金，還可以與除了金屬以外的成分締合。
從處理液的缺陷抑制性更優異之觀點考慮，含金屬的粒子的含量相對於處理液的總質量係10質量ppt～10質量ppb為較佳。
藉由含金屬的粒子的含量為10質量ppb以下，能夠抑制粒子殘留於基板上而成為刮痕的原因。
另一方面，藉由含金屬的粒子的含量為10質量ppt以上，能夠降低離子性金屬的殘差。

含金屬的粒子多為作為雜質而包含於處理液的原料中，混合有未純化的原料之情況，超過上述較佳範圍之量多為帶入處理液中。因此，混合構成處理液之原料的一部分或全部之前或之後，進行過濾等純化處理，藉此能夠在既定的範圍內調整最終得到之處理液中的含金屬的粒子的含量。
又，製備處理液時，亦可以另行添加含金屬的粒子。

＜水＞
本發明的處理液含有水為較佳。
本發明的處理液中水的含量並無特別限定，相對於處理液的總質量例如為15～59.999質量%。

＜pH（pH調整劑）＞
本發明的處理液的pH為8以上。藉由處理液的pH處於鹼區域，殘渣去除性能優異。
其中，從相對於Co之耐腐蝕性、缺陷抑制性及殘渣去除性更優異之觀點考慮，處理液的pH係9以上為較佳，10以上為更佳，大於10為進一步較佳。
又，從相對於W之耐腐蝕性及缺陷抑制性更優異之觀點考慮，處理液的pH係14以下為較佳，12以下為更佳，小於12為進一步較佳。
為了在上述pH的範圍內製備處理液，處理液亦可以包含pH調整劑。上述有機鹼性化合物亦可以兼具作為用於提高處理液的pH的pH調整劑的作用。
作為用於提高處理液的pH的pH調整劑，例如可舉出DBU（1,8-二吖雙環[5.4.0]-7-十一烯）、TMAH（四甲基氫氧化銨）、TBAH（四丁基氫氧化銨）及無機鹼（KOH等）。作為pH調整劑使用無機鹼之情況下，無機鹼的量相對於處理液的總質量係0.1質量%以下為較佳。
如上述之酸（乙酸、其他有機酸等）亦可以兼具作為用於降低處理液的pH的pH調整劑的作用。
作為用於提高處理液的pH的pH調整劑，例如可舉出無機酸（HCl、H₂ SO₄ 、H₃ PO₄ 等）及檸檬酸。

＜其他添加劑＞
又，作為其他添加劑，例如可舉出除了醇以外的有機溶劑、耐蝕材料、消泡劑、防銹劑及防腐劑等。

＜金屬製品濃度＞
本發明中的處理液中，在液中作為雜質而包含之金屬製品（Co、K、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Ni及Zn的金屬元素）的離子濃度均為5質量ppm以下（較佳為1質量ppm以下）為較佳。尤其，製造最頂端的半導體器件中，從假設還需要高純度的處理液考慮，其金屬製品濃度更低於質量ppm等級的值、亦即質量ppb等級以下為更佳，質量ppt等級為進一步較佳，實質上不包含為較佳。

作為降低金屬製品濃度的方法，例如可舉出在製造處理液時所使用之原材料的階段及製備處理液之後的階段中的至少一個階段中充分進行蒸餾或使用了離子交換樹脂之過濾。
作為降低金屬製品濃度的方法的其他方法，可舉出有關收容用於製造處理液原材料之“容器”，如對進行收容處理液之容器的說明之項中所示那樣使用雜質的溶出較少的容器。又，亦可舉出在配管內壁實施氟系樹脂的襯覆等的方法，以免金屬製品從製備處理液的時的“配管”等溶出。

＜用途＞
本發明的處理液為半導體器件用處理液。本發明中，“半導體器件用”係指製造半導體器件時所使用。本發明的處理液亦能夠在用於製造半導體器件之任一步驟中使用，例如亦能夠在基板上存在之絕緣膜、抗蝕劑或防反射膜的處理、乾式蝕刻殘渣（光阻膜的殘渣及金屬硬遮罩的殘渣等）的處理及灰化殘渣的處理等中使用。
作為處理液的更具體的用途，可舉出在為了使用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物來形成光阻膜之前改良組成物的塗佈性而塗佈於基板上之預濕液、用於去除乾式蝕刻殘渣等殘渣之洗淨液、用於去除圖案形成中所使用之各種抗蝕劑膜（較佳為光阻膜）之溶液（例如去除液及剝離液等）及為了從基板去除永久膜（例如濾色器、透明絕緣膜、樹脂製的透鏡）等而使用之溶液（例如去除液及剝離液等）等。又，亦能夠用作圖案形成用各種感光化射線性或感放射線性樹脂組成物層的顯影液。
又，亦能夠用作用於從化學機械研磨後的基板去除金屬雜質或微粒子等殘渣之洗淨液。去除永久膜後的基板有時會再次在半導體器件的使用中所使用，因此永久膜的去除亦包含於半導體器件的製造步驟中。
亦可以用作相對於具有金屬層之基板的上述金屬層之處理用蝕刻液。
上述用途中，能夠較佳地用作用於去除乾式蝕刻殘渣的洗淨液、用於去除圖案形成中所使用之各種抗蝕劑膜的溶液或用於從化學機械研磨後的基板去除金屬雜質或微粒子等殘渣之洗淨液。
本發明的處理液在上述用途中可以僅用於1個用途，亦可以用於2個以上的用途。

最近，隨著半導體器件的微細化及高機能化的發展，作為用於配線材料及插塞材料等之金屬，要求更高的導電性。例如，可預測用作配線材料之金屬從Al（鋁）及Cu（銅）替換成Co（鈷）。又，可預測關於用作插塞材料之金屬，除了W（鎢）以外，對Co的需要更加提高。
因此，作為處理液的特性，相對於W及Co之腐蝕較少為較佳。
本發明的處理液用於處理具有含有選自包括W及Co之群組中之1種以上之金屬層之基板為較佳。又，本發明的處理液用作用於製造包含基板之半導體器件的處理液為較佳，該基板具有含有選自包括W及Co之群組中之1種以上之金屬層。
另外，上述含有選自包括W及Co之群組中之1種以上之金屬層可以為僅由W和/或Co構成之金屬層，亦可以為作為包含W和/或Co之合金之金屬層，還可以為包含W和/或Co之其他形態的金屬層。

[處理液之製造方法]
＜處理液的調液方法＞
上述處理液能夠藉由公知的方法來製造。
以下，對上述處理液之製造方法進行詳述。

（原料純化步驟）
上述處理液的製造中，期望在事前藉由蒸餾、離子交換或過濾等來純化用於製備處理液的原料中的任一種以上。作為純化的程度，例如純化至原料的純度係99%以上為較佳，純化至純度係99.9%以上為進一步較佳。

作為純化方法並無特別限定，可舉出通過離子交換樹脂或RO膜（Reverse Osmosis Membrane，反滲透膜）等之方法、蒸餾或後述之過濾等方法。具體而言，例如可舉出對反浸透膜等通液來進行了1次純化之後，對由陽離子交換樹脂、陰離子交換樹脂或混床型離子交換樹脂構成之純化裝置通液來實施2次純化之方法等。
另外，純化處理亦可以組合複數個上述之公知的純化方法來實施。
又，純化處理亦可以實施複數次。

（過濾）
作為過濾器，只要為以往用於過濾用途等者，就無特別限定。例如可舉出基於聚四氟乙烯（PTFE）及四氟乙烯全氟烷基乙烯醚共聚物（PFA）等氟樹脂、尼龍等聚醯胺系樹脂以及聚乙烯及聚丙烯（PP）等聚烯烴樹脂（包含高密度或超高分子量）等之過濾器。該等材料中，選自包括聚乙烯、聚丙烯（包含高密度聚丙烯）、PTFE及PFA等氟樹脂以及尼龍等聚醯胺系樹脂之群組中之材料為較佳，其中，PTFE及PFA等氟樹脂的過濾器為進一步較佳。藉由使用由該等材料形成之過濾器，能夠有效地去除容易成為缺陷的原因的極性高的異物。

作為過濾器的臨界表面張力，70 mN/m以上為較佳，95 mN/m以下為更佳，75 mN/m以上且85 mN/m以下為進一步較佳。另外，臨界表面張力的值係製造商的標稱值。藉由使用臨界表面張力在上述範圍的過濾器，能夠有效地去除容易成為缺陷的原因的極性高的異物。

過濾器的孔徑係2～20 nm左右為較佳，2～15 nm為更佳。藉由設為該範圍，能夠抑制過濾堵塞的同時確實地去除原料中所包含之雜質或聚集物等微細的異物。

使用過濾器時，亦可以組合不同之過濾器。此時，第1過濾器的過濾可以僅進行1次，亦可以進行2次以上。組合不同之過濾器來進行2次以上過濾之情況下，第2次以後的孔徑與第1次的過濾的孔徑相同或比第1次的過濾的孔徑小為較佳。又，亦可以組合在上述之範圍內不同孔徑的第1過濾器。其中的孔徑能夠參閱過濾器廠商的標稱值。作為市售的過濾器，例如能夠從由NIHON PALL LTD.、Advantec Toyo Kaisha, Ltd.、Nihon Entegris K.K.（Formerly Nippon Mykrolis Corporation）或KITZ MICROFILTER CORPORATION等提供之各種過濾器中選擇。又，亦能夠使用聚醯胺製“P-尼龍過濾器（孔徑0.02 μm、臨界表面張力77 mN/m）”；（NIHON PALL LTD.製）、高密度聚乙烯製“PE・清潔過濾器（孔徑0.02 μm）”；（NIHON PALL LTD.製）及高密度聚乙烯製“PE・清潔過濾器（孔徑0.01 μm）”；（NIHON PALL LTD.製）。
第2過濾器能夠使用由與上述之第1過濾器相同的材料等形成之過濾器。第2過濾器的孔徑係1～10 nm左右為較佳。

又，本發明中，過濾的步驟在室溫（25℃）以下進行為較佳，23℃以下為更佳，20℃以下為進一步較佳。又，0℃以上為較佳，5℃以上為更佳，10℃以上為進一步較佳。

過濾的步驟中，能夠去除粒子性的異物或雜質，但是若在上述溫度下，則溶解於原料中之上述粒子性的異物和/或雜質的量變少，因此藉由過濾有效地去除。

又，為了將最終得到之處理液中的含金屬的粒子的含量製備在如上述之範圍內，關於一部分或全部的原料及其混合物以調整成一定的量和/或粒徑的含金屬的粒殘留的方式亦可以實施純化處理。

（調液步驟）
本發明的處理液的調液並無特別限定，例如能夠藉由混合上述之各成分來製造。混合上述之各成分之順序和/或時序並無特別限定，例如可舉出將羥胺化合物預先分散於調整了pH之水中並依序混合既定的成分之方法。

＜試劑盒及濃縮液＞
本發明中的處理液亦可以作為將該原料分割成複數個之試劑盒。
其並無特別限定，但是作為將處理液作為試劑盒之具體的方法，例如可舉出準備在醇系溶劑中含有羥胺化合物及有機鹼性化合物之液體組成物作為第1液、準備含有其他成分之液體組成物作為第2液之態樣。
又，處理液亦可以使用濃縮液來準備。準備處理液的濃縮液之情況下，其濃縮倍率依據所構成之組成適當地確定，但是5～2000倍為較佳。亦即，處理液可將濃縮液稀釋成5～2000倍來使用。又，從更提高殘渣去除性能的經時穩定性之觀點考慮，製作成極其減少羥胺化合物的分解的原因之水且較多地包含醇系溶劑之組成為較佳。

＜容器（收容容器）＞
本發明的處理液只要（與是否為試劑盒及濃縮液無關）腐蝕性等沒有問題，則能夠填充於任意的容器中來保管、運輸並且使用。作為容器，用於以半導體用途時容器內的清潔度高且雜質的溶出少者為較佳。作為能夠使用之容器，可舉出AICELLO CHEMICAL CO., LTD.製的“Clean-Bottle”系列及KODAMA PLASTICS Co.,Ltd.製的“Pure bottle”等，但是並不限定於該等。該容器的內壁由選自包括聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂及聚乙烯-聚丙烯樹脂之群組中之1種以上的樹脂或與它們不同之樹脂或不銹鋼、赫史特合金、英高鎳合金及蒙乃爾合金等實施了防銹及金屬溶出防止處理之金屬形成為較佳。

作為上述不同之樹脂，氟系樹脂（全氟樹脂）為較佳。如上所述，與內壁為聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂或聚乙烯-聚丙烯樹脂之容器相比，藉由使用內壁為氟系樹脂之容器，能夠抑制伸乙基或伸丙基的寡聚物的溶出等不良情況的產生。
作為該等內壁為氟系樹脂之容器的具體例，例如可舉出Entegris,Inc.製 FluoroPurePFA複合管柱等。又，亦能夠使用日本特表平3-502677號公報的第4頁等、國際公開第2004/016526號小冊子的第3頁等及國際公開第99/46309號小冊子的第9頁及16頁等中記載之容器。

又，容器的內壁除了上述之氟系樹脂以外，亦較佳地使用石英及經電解研磨之金屬材料（亦即，已電解研磨的金屬材料）。
用於上述經電解研磨之金屬材料的製造之金屬材料含有選自包括鉻及鎳之群組中之至少1種，鉻及鎳的含量的合計相對於金屬材料總質量超過25質量%之金屬材料為較佳，例如可舉出不銹鋼及鎳-鉻合金等。
金屬材料中的鉻及鎳的含量的合計相對於金屬材料總質量係30質量%以上為進一步較佳。
另外，作為金屬材料中的鉻及鎳的含量的合計的上限值並無特別限制，但是通常係90質量%以下為較佳。

作為不銹鋼並無特別限制，能夠使用公知的不銹鋼。其中，含有8質量%以上的鎳之合金為較佳，含有8質量%以上的鎳之奧氏體系不銹鋼為進一步較佳。作為奧氏體系不銹鋼，例如可舉出SUS（Steel Use Stainless，鋼用不鏽鋼）304（Ni含量8質量%、Cr含量18質量%）、SUS304L（Ni含量9質量%、Cr含量18質量%）、SUS316（Ni含量10質量%、Cr含量16質量%）及SUS316L（Ni含量12質量%、Cr含量16質量%）等。

作為鎳-鉻合金並無特別限制，能夠使用公知的鎳-鉻合金。其中，鎳含量係40～75質量%、鉻含量係1～30質量%的鎳-鉻合金為較佳。
作為鎳-鉻合金，例如可舉出赫史特合金（產品名以下相同。）、蒙乃爾合金（產品名以下相同）及英高鎳合金（產品名以下相同）等。更具體而言，可舉出赫史特合金C-276(Ni含量63質量%、Cr含量16質量%)、赫史特合金-C(Ni含量60質量%、Cr含量17質量%)及赫史特合金C-22(Ni含量61質量%、Cr含量22質量%)等。
又，鎳-鉻合金依據需要除了上述之合金以外，亦可以含有硼、矽、鎢、鉬、銅及鈷等。

作為對金屬材料進行電解研磨之方法並無特別限定，能夠使用公知的方法。例如能夠使用日本特開2015-227501號公報的[0011]-[0014]段及日本特開2008-264929號公報的[0036]-[0042]段等中所記載之方法。

可推測金屬材料藉由進行電解研磨，表面的鈍化層中的鉻的含量變得多於母相的鉻的含量。因此，從由經電解研磨之金屬材料塗覆之內壁難以向處理液中流出金屬元素，因此可推測能夠得到金屬雜質量減少項所述之處理液。
另外，金屬材料精拋為較佳。拋光的方法並無特別限定，能夠使用公知的方法。用於精拋之研磨粒的尺寸並無特別限制，但是從金屬材料的表面的凹凸更容易變小的觀點考慮，#400以下為較佳。
另外，拋光在電解研磨之前進行為較佳。
又，金屬材料亦可以組合1或2個以上的改變研磨粒的尺寸等粗細來進行之複數個階段的拋光、酸洗淨及磁性流體研磨等來進行處理。

本發明中，有時將具有上述容器及收容於該容器內之上述處理液者稱為處理液收容體。

該等容器在填充處理液之前洗淨其內部為較佳。洗淨中所使用之液體中降低該液中的金屬雜質量為較佳。本發明的處理液在製造後亦可以裝入加侖瓶或塗層瓶等容器中來運輸及保管。

以防止保管時的處理液中的成分的變化之目的，亦可以將容器內替換成純度99.99995體積%以上的惰性氣體（氮氣或氬氣等）。尤其，含水率少的氣體為較佳。又，運輸及保管時，可以為常溫，但是為了防止變質，亦可以將溫度控制在-20℃至20℃的範圍內。

（無塵室）
包括本發明的處理液的製造、收容容器的開封和/或洗淨、處理液的填充等之操作、處理分析及測量均在無塵室進行為較佳。無塵室滿足14644-1無塵室基準為較佳。滿足ISO（國際標準化機構）等級1、ISO等級2、ISO等級3、ISO等級4中的任一個為較佳，滿足ISO等級1或ISO等級2為更佳，滿足ISO等級1為進一步較佳。

[基板的洗淨方法]
作為使用了本發明的處理液之基板的洗淨方法的態樣之一，可舉出具有使用上述處理液來洗淨具有含有選自包括W及Co之群組中之1種以上之金屬層之基板之洗淨步驟（以下亦稱為“洗淨步驟B”。）之態樣。又，上述態樣的洗淨方法亦可以具有在洗淨步驟B之前製備上述處理液之處理液製備步驟（以下稱為“處理液製備步驟A”。）。
以下基板的洗淨方法的說明中，將在洗淨步驟B之前實施處理液製備步驟A之情況作為一例來表示，但是並不限定於此，本發明的基板的洗淨方法亦可以使用預先準備之上述處理液來進行。

＜洗淨對象物＞
本發明的基板的洗淨方法的洗淨對象物係具有含有選自包括W及Co之群組中之1種以上之金屬層之基板為較佳。作為本發明的基板的洗淨方法的洗淨對象物，例如可舉出在基板上依序至少具備含有選自包括上述W及Co之群組中之1種以上之金屬層（以下，簡稱為“金屬層”。）、層間絕緣層及金屬硬遮罩之積層物。積層物還可以藉由經由乾式蝕刻步驟等，具有以露出金屬層的表面的方式從金屬硬遮罩的表面（開口部）朝向基板形成之孔。
如上述的具有孔之積層物之製造方法並無特別限制，但是通常可舉出如下方法，亦即，將金屬硬遮罩用作遮罩來對依序具有基板、金屬層、層間絕緣層及金屬硬遮罩之處理前積層物實施乾式蝕刻步驟，並以露出金屬層的表面的方式對層間絕緣層進行蝕刻，藉此設置貫穿金屬硬遮罩及層間絕緣層內之孔。
另外，金屬硬遮罩之製造方法並無特別限制，例如可舉出如下方法，亦即，首先在層間絕緣層上形成含有既定成分之金屬層，並在該金屬層上形成既定圖案的抗蝕劑膜。接著，將抗蝕劑膜用作遮罩，對金屬層進行蝕刻，藉此製造金屬硬遮罩（亦即，金屬層被圖案化之膜）。
又，積層物可以具有除了上述層以外的層，例如可舉出蝕刻停止層、防反射層等。

圖1中示出表示本發明的基板的洗淨方法的洗淨對象物亦即積層物的一例之剖面示意圖。
圖1所示之積層物10在基板1上依序具備金屬層2、蝕刻停止層3、層間絕緣層4及金屬硬遮罩5，藉由經由乾式蝕刻步驟等，在既定位置形成有露出金屬層2之孔6。亦即，圖1所示之洗淨對象物係如下積層物：依序具備基板1、金屬層2、蝕刻停止層3、層間絕緣層4及金屬硬遮罩5，在金屬硬遮罩5的開口部的位置雙具備從其表面貫穿到金屬層2的表面之孔6。孔6的內壁11以由蝕刻停止層3、層間絕緣層4及金屬硬遮罩5組成之截面壁11a及由被露出之金屬層2組成之底壁11b構成，並附著有乾式蝕刻殘渣12。

本發明的基板的洗淨方法能夠較佳地用於以該等乾式蝕刻殘渣12的去除為目的之洗淨。亦即，乾式蝕刻殘渣12的去除性能優異的同時相對於洗淨對象物的內壁11（例如金屬層2等）之耐腐蝕性亦優異。
又，本發明的基板的洗淨方法亦可以在乾式蝕刻步驟之後實施於進行了乾灰化步驟之積層物。
以下，對上述之積層物的各層構成材料進行說明。

（金屬硬遮罩）
金屬硬遮罩含有至少1種選自包括Cu、Co、W、AlOx、AlN、AlOxNy、WOx、Ti、TiN、ZrOx、HfOx及TaOx之群組中之成分為較佳。其中，x、y分別為由x=1～3、y=1～2表示之數。
作為上述金屬硬遮罩的材料，例如可舉出TiN、WO₂ 及ZrO₂ 等。

（層間絕緣層）
層間絕緣層的材料並無特別限制，例如可較佳地舉出介電常數k係3.0以下，更佳為2.6以下者。
作為具體的層間絕緣層的材料，可舉出SiO₂ 、SiOC系材料及聚醯亞胺等有機系聚合物等。

（蝕刻停止層）
蝕刻停止層的材料並無特別限定。作為具體的蝕刻停止層的材料，可舉出SiN、SiON、SiOCN系材料及AlOx等金屬氧化物。

（金屬層）
形成金屬層之配線材料至少含有W（鎢）或Co（鈷）。又，該等金屬亦可以為與其他金屬的合金。
本發明的配線材料還可以含有除了W及Co以外的金屬、氮化金屬或合金。具體而言，可舉出銅、鈦、鈦-鎢、氮化鈦、鉭、鉭化合物、鉻、鉻氧化物及鋁等。

（基板）
此處所述之“基板”中例如包括由單層組成之半導體基板及由多層組成之半導體基板。
構成由單層組成之半導體基板之材料並無特別限制，通常由矽、矽鍺、如GaAs的第III-V族化合物或該等的任意組合構成為較佳。
由多層構成之半導體基板之情況下，其結構並無特別限定，例如亦可以在上述矽等半導體基板上具有如金屬線及介電材料的互連結構（interconnect features）等露出之積體電路結構。作為用於互連結構之金屬及合金，可舉出鋁、與銅合金化之鋁、銅、鈦、鉭、鈷、矽、氮化鈦、氮化鉭及鎢，但是並不限制於該等。又，亦可以在半導體基板上具有層間介電質層、氧化矽、氮化矽、碳化矽及碳摻雜的氧化矽等層。

＜處理步驟＞
以下，分別對處理液製備步驟A及洗淨步驟B進行詳述。

[處理液製備步驟A]
處理液製備步驟A係製備上述處理液之步驟。本步驟中所使用之各成分如上所述。
本步驟的順序並無特別限定，例如可舉出藉由添加羥胺化合物、有機鹼性化合物、醇系溶劑劑及其他任意成分並進行攪拌混合來製備處理液之方法。另外，添加各成分之情況下，可以總括添加，亦可以分成複數次來添加。
又，包含於處理液之各成分使用分類成半導體等級者或分類成以其為基準之高純度等級者，並使用進行基於過濾之異物去除和/或基於離子交換樹脂等之離子成分減少者為較佳。又，混合原料成分之後，還進行基於過濾之異物去除和/或基於離子交換樹脂等之離子成分減少為較佳。

又，準備處理液的濃縮液之情況下，在實施洗淨步驟B之前，稀釋濃縮液來得到稀釋液之後，使用該稀釋液實施洗淨步驟B。此時，上述稀釋中使用包含水之稀釋液來進行為較佳。

[洗淨步驟B]
作為用洗淨步驟B洗淨之洗淨對象物，可舉出上述之積層物，可例示如上所述實施乾式蝕刻步驟來形成孔之積層物10（參閱圖1）。另外，該積層物10在孔6內附著有乾式蝕刻殘渣12。
另外，亦可以在乾式蝕刻步驟之後，將進行了乾灰化步驟之積層物設為洗淨對象物。

使處理液與洗淨對象物接觸之方法並無特別限制，但是例如可舉出在放入罐中之處理液中浸漬洗淨對象物之方法、在洗淨對象物上對處理液進行噴霧之方法、在洗淨對象物上流過處理液之方法或該等的任意組合。從殘渣去除性能的觀點考慮，將洗淨對象物浸漬於處理液中之方法為較佳。

處理液的溫度設為90℃以下為較佳，25～80℃為更佳，30～75℃為進一步較佳，40～70℃為特佳。

洗淨時間能夠依據所使用之洗淨方法及處理液的溫度來調整。
用分批浸漬方式（在處理槽內浸漬複數片洗淨對象物來進行處理之分批方式）進行洗淨之情況下，洗淨時間例如為60分鐘以內，1～60分鐘為較佳，3～20分鐘為更佳，4～15分鐘為進一步較佳。

用單片方式進行洗淨之情況下，洗淨時間例如為10秒鐘～5分鐘，15秒鐘～4分鐘為較佳，15秒鐘～3分鐘為更佳，20秒鐘～2分鐘為進一步較佳。

另外，為了更加增進處理液的洗淨能力，亦可以使用機械攪拌方法。
作為機械攪拌方法，例如可舉出使處理液在洗淨對象物上循環之方法、使處理液在洗淨對象物上流過或噴霧之方法及用超聲波或兆頻攪拌處理液之方法等。

[沖洗步驟B2]
使用了本發明的處理液之基板的洗淨方法在洗淨步驟B之後，還可以具有用溶劑清洗洗淨對象物之步驟（以下稱為“沖洗步驟B2”。）。
沖洗步驟B2與洗淨步驟B連續進行，係用沖洗溶劑（沖洗液）歷時5秒鐘～5分鐘進行沖洗之步驟為較佳。沖洗步驟B2亦可以使用上述機械攪拌方法來進行。

作為沖洗溶劑，例如可舉出脫離子（DI：De Ionize）水、甲醇、乙醇、異丙醇、N-甲基吡咯啶酮、γ-丁內酯、二甲亞碸、乳酸乙基及丙二醇單甲醚乙酸酯，但是並不限定於該等。或者，亦可以利用pH＞8的水性沖洗液（經稀釋之水性氫氧化銨等）。
作為沖洗溶劑，氫氧化銨水溶液、DI水、甲醇、乙醇或異丙醇為較佳，氫氧化銨水溶液、DI水或異丙醇為更佳，氫氧化銨水溶液或DI水為進一步較佳。
作為使沖洗溶劑與洗淨對象物接觸之方法，亦能夠相同地適用使上述之處理液與洗淨對象物接觸之方法。
沖洗步驟B2中的沖洗溶劑的溫度係16～27℃為較佳。

[乾燥步驟B3]
使用了本發明的處理液之基板的洗淨方法亦可以在沖洗步驟B2之後具有使洗淨對象物乾燥之乾燥步驟B3。
作為乾燥方法並無特別限定。作為乾燥方法，例如可舉出旋轉乾燥法、使乾性氣體流過洗淨對象物上之方法、藉由如加熱板或紅外線燈的加熱機構對基板進行加熱之方法、馬蘭哥尼乾燥法、諾塔哥尼乾燥法、IPA（異丙醇）乾燥法或該等的任意組合。
乾燥時間依賴於所使用之既定方法，但是通常係30秒鐘～幾分鐘為較佳。

使用了本發明的處理液之基板的洗淨方法的洗淨對象物並不限定於如上述之在基板上依序至少具備含有選自包括W及Co之群組中之1種以上之金屬層、層間絕緣層及金屬硬遮罩之積層物。亦即，例如亦能夠用於在基板上依序至少具備含有選自包括W及Co之群組中之1種以上之金屬層、層間絕緣層及光阻膜之積層物的光刻膠蝕刻殘渣的去除。
[實施例]

以下，依據實施例對進一步進行詳細說明。以下實施例所示之材料、使用量、比例、處理內容及處理步驟等，只要不脫離本發明的趣旨，則能夠適當變更。然而，本發明的範圍並非係藉由以下所示之實施例限定地解釋者。另外，只要沒有特別說明“%”係指“質量%”。

[處理液的製備]
分別製備了表1所示之處理液。另外，各處理液中，所使用之各種成分的含量（均為質量基準）如表中所示。

其中，示於表1之各種成分皆使用分類成半導體等級者或分類成以其為基準之高純度等級者。
以下示出處理液中所使用之各種成分。

＜羥胺化合物＞
HA：羥胺
HAS：硫酸羥胺

＜有機鹼性化合物＞
Amine1：Tetrahydrofurfurylamine（四氫糠胺）
Amine2：N-(2-aminoethyl)piperazine（N-(2-胺基乙基)哌）
Amine3：1,8-Diazabicyclo[5.4.0]undecene-7（1,8-二氮雜二環[5.4.0]十一碳烯-7）
Amine4：1,4-Diazabicyclo[2.2.2]octane（1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷）
Amine5：Diethylenetriamine（二乙烯三胺）
Amine6：Triethylenetetramine（三乙烯四胺）
Amine7：Tetraethylenepentamine（四乙烯五胺）
TMAH：Tetramethylammonium hydroxide（四甲基氫氧化銨）
TBAH：Tetrabuthyllammonium hydroxide（四丁基氫氧化銨）
BeTMAH：Benzyltrimethylammonium hydroxide（苄基三甲基氫氧化銨）

＜醇系溶劑＞
Sol.01：3-methoxy-3-methyl-1-butanol（3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇）
Sol.02：1,3-Dihydroxypropane（1,3-二羥基丙烷）
Sol.03：1,4-Dihydroxybutane（1,4-二羥基丁烷）
Sol.04：2,5-Dihydroxy-2,5-dimethylhexane（2,5-二羥基-2,5-二甲基己烷）
Sol.05：Furfuryl alcohol（糠醇）
Sol.06：Glycerine（甘油）
Sol.07：2,4-Dihydroxy-2-methylpentane（2,4-二羥基-2-甲基戊烷）
Sol.08：3-Methoxy-1-butanol（3-甲氧基-1-丁醇）
Sol.09：3-Methoxy-3-methylbutanol（3-甲氧基-3-甲基丁醇）
Sol.10：Ethylene glycol（乙二醇）
Sol.11：1,2-Propanediol（1,2-丙二醇）
Sol.12：Ethylene glycol mono ethyl ether（乙二醇單乙醚）
Sol.13：Ethylene glycol mono buthyl ether（乙二醇單丁醚）
Sol.14：Diethylene glycol mono methyl ether（二乙二醇單甲醚）
Sol.15：Diethylene glycol mono ethyl ether（二乙二醇單乙醚）
Sol.16：Dipropylene glycol mono methyl ether（二丙二醇單甲醚）
Sol.17：1,2-Butanediol（1,2-丁二醇）
另外，上述成分中，Sol.01、08、09、12～16為具有烷氧基之醇系溶劑。

＜界面活性劑＞
Surf.01：Dodecylbenzenesulfonic acid（十二烷基苯磺酸）
Surf.02：Benzenedisulfonic acid， dodecylphenoxy-（苯二磺酸，十二烷基苯氧基-）
Surf.03：Polyoxyethylene lauryl ether（聚氧乙烯十二烷基醚）（Kao Corporation製，分子量大於250）
Surf.04：Polyoxyethylene polyoxypropylene glycol（聚氧乙烯聚氧丙烯二醇）（Takemoto Oil & Fat Co.,Ltd.製，分子量大於250）
Surf.05：Cetyltrimethylammonium bromide（十六烷基三甲基溴化銨）
Surf.06：Cetylpyridinium chloride（十六烷基吡啶氯化物）
Surf.07：Benzethonium chloride（苄索氯銨）
Surf.08：Chlorhexidine dihydrochloride（洗必泰二鹽酸鹽）
Surf.09：Distearyl dimethyl ammonium chloride（二硬脂基二甲基氯化銨）
Surf.10：Benzalkonium chloride（苯扎氯銨）（Kao Corporation製）
Surf.11：Dequalinium chloride（地喹氯銨）
Surf.12：Dodecyltrimethylammonium chloride（十二烷基三甲基氯化銨）
Surf.13：Octadecylamine hydrochloride（十八胺鹽酸鹽）
Surf.14：1-Dodecylpyridinium chloride（1-十二烷基氯化吡啶）
Surf.15：Lauryl glucoside（月桂基葡萄糖苷）
Surf.16：Octylphenol ethoxylate（辛基酚乙氧基化物）
Surf.17：2-Alkyl-n-carboxymethyl-n-hydroxyethyl imidazolium betaine（2-烷基-N-羧甲基-n-羥乙基咪唑甜菜鹼）（Takemoto Oil & Fat Co.,Ltd.製）
Surf.18：Lauramidopropyl betaine（月桂醯胺丙基二甲基甜菜鹼）
Surf.19：Cocamidopropyl betaine（椰油醯胺丙基甜菜鹼）（Kao Corporation製）
另外，上述成分中，Surf.1、2為陰離子性界面活性劑。
Surf.5～14為陽離子性界面活性劑。其中，胺鹽為Surf.8、13。吡啶鎓鹽為Surf.6、11、14。第四級銨鹽為5、7、9、10、12。
Surf.3、4、15、16為非離子性界面活性劑。
Surf.17～19為兩性界面活性劑。

＜三級胺化合物、鹵化烷基化合物＞
Chem.01：Trimethylamine（三甲胺）
Chem.02：1-Chlorohexadecane（1-氯十六烷）
Chem.03：Pyridine（吡啶）
Chem.04：N,N-Dimethyl-2-[2-[4-（2,4,4-trimethylpentan-2-yl）phenoxy]ethoxy]ethanamine（N，N-二甲基-2-[2- [4-（2,4,4-三甲基戊-2-基）苯氧基]乙氧基]乙胺）
Chem.05：Benzyl chloride（苄基氯）
Chem.06：Dimethyl stearyl amine（二甲基硬脂胺）
Chem.07：1-Chlorooctadecane（1-氯十八烷）
Chem.08：4-amino-2-methylquinoline（4-胺基-2-甲基喹啉）
Chem.09：1,10-Dichlorodecane（1,10-二氯癸烷）
Chem.10：1-Chlorooctadecane（1-氯十八烷）
Chem.11：1-Chlorododecane（1-氯十二烷）
另外，上述成分中，Chem.01、03、04、06、08為三級胺化合物。
Chem.02、05、07、09、10、11為鹵化烷基化合物。

＜酸＞
O.A.1：Citric acid（檸檬酸）

＜還原劑＞
Red.1：Thioglycollic acid（巰基乙酸）
Red.2：Gallic acid（沒食子酸）
Red.3：Cathecol（鄰苯二酚）
Red.4：α-Thioglycerol（α-硫代甘油）
上述成分中，Red.1、4為硫醇化合物，Red.2、3為兒茶酚或兒茶酚衍生物。

＜水＞
水：超純水

＜pH調整劑＞
作為pH調整劑，除了實施例20及55的處理液以外，添加無機酸（H₃ PO₄ ）或無機鹼（KOH），以使最終的處理液的pH成為既定的值。
另外，作為pH調整劑使用了無機鹼之情況下，所添加之無機鹼的量相對於處理液的總質量為0.1質量%以下。
實施例20及55中，作為pH調整劑使用了有機鹼性化合物亦即DBU（1,8-Diazabicyclo[5.4.0]undecene-7（Amine3），1,8-二氮雜二環[5.4.0]十一碳烯-7（胺3））。換言之，實施例20及55中，藉由調整有機鹼性化合物的添加量來製備pH。

＜乙酸＞
乙酸

＜處理液的製備（含金屬的粒子）＞
以成為表1所示之摻合及pH的方式混合各成分來得到了混合液。接著，藉由過濾器過濾所得到之混合液來作為處理液。過濾中，藉由調整所使用之過濾器的種類和/或過濾的次數，調整了處理液中的含金屬的粒子的含量。
另外，使用Agilent 8900三重四極SNP-ICP/MS（半導體分析用、選項#200）來測量了處理液中的含金屬的粒子的含量。
另外，含金屬的粒子的定義如上所述。

[評價]
對在上述製備之各處理液進行了下述所示之各種評價。

＜蝕刻試驗＞
製備實施例及比較例的各處理液之後，對W膜或Co膜進行了蝕刻處理。
具體而言，分別準備了藉由CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積）法在基板（矽晶圓（直徑：12英吋））的其中一個表面上形成了由Co構成之層或由W構成之層之基板（形成有金屬層之基板）。
另外，將形成有該等金屬層之基板浸漬於實施例及比較例的處理液（65℃）中5分鐘，從浸漬於處理液前後的由Co構成之層或由W構成之層的厚度之差計算出了相對於處理液的各金屬層之蝕刻速度（Å/分鐘）。在本試驗中測量之相對於Co或W之蝕刻速度愈低，相對於Co或W之耐腐蝕性癒良好。

＜缺陷抑制性＞
以實施例及比較例的處理液（65℃）、水的順序分別以1.0 L/min，1.5 L/min的流速，對形成有由Co構成之層之基板噴塗1分鐘，最後以50 L/min的流速對基板噴塗氮氣。
之後，使用表面缺陷檢查裝置（KLA-Tencor Corporation製：Surfscan SP-2），將尺寸（長直徑）為60 nm以上作為測量對象來計算了缺陷數（個/cm² ）。關於對所得到之結果，按照下述基準來評價了各處理液的缺陷抑制性。

A：缺陷數小於0.5個/cm²
B：缺陷數為0.5個/cm² 以上且小於1.0個/cm²
C：缺陷數為1.0個/cm² 以上且小於2.0個/cm²
D：缺陷數為2.0個/cm² 以上且小於3.0個/cm²
E：缺陷數為3.0個/cm² 以上

＜殘渣去除性＞
使用實施例及比較例的各處理液，進行了殘渣去除性能的評價。另外，以下的評價中，準備對MHM(金屬硬遮罩)進行電漿蝕刻時所產生之殘渣的一種亦即由TiO₂ 構成之模型膜，對其蝕刻速度進行評價，藉此評價了殘渣去除性能。亦即，蝕刻速度高的情況下，殘渣去除性能優異，蝕刻速度低的情況下，殘渣去除性能較差。
另外，由TiO₂ 構成之模型膜（TiO₂ 膜）以1000Å的膜厚設置於Si基板上。

製備實施例及比較例的各處理液之後，進行了TiO₂ 膜的蝕刻處理。具體而言，將TiO₂ 膜浸漬於實施例及比較例的處理液（65℃）中5分鐘，依據處理液的浸漬前後的膜厚差，算出了蝕刻速度（Å/分鐘）。
另外，關於處理前後的TiO₂ 膜的膜厚，使用橢圓偏光法（分光橢圓偏振計、產品名“Vase”、J.A. Woollam Japan Co.,Inc.製）在測量範圍250-1000 nm、測量見方度70度及75度的條件下進行了測量。
關於所算出之TiO₂ 膜的蝕刻速度（ER），按照以下的評價基準來評價了殘渣去除性。

A：1.5Å/分鐘＜ER
B：1.0Å/分鐘＜ER≤1.5Å/分鐘
C：0.5Å/分鐘＜ER≤1.0Å/分鐘
D：0.3Å/分鐘＜ER≤0.5Å/分鐘
E：ER≤0.3Å/分鐘

不僅使用剛製備之後的處理液（表中“0h”），而且分別使用在65℃、密封的條件下保管6小時之後的處理液（表中“6h”）及在相同同條件下保管12小時之後的處理液（表中“12h”），實施了上述殘渣去除性能的評價，評價了處理液的殘渣去除性。
其中，將使用了剛製備之後的處理液之情況的TiO₂ 膜的蝕刻速度設為ER_0h ，將使用了保管6小時之後的處理液及保管12小時之後的處理液之情況的蝕刻速度分別設為ER_6h 、ER_12h 。將各保管時間中的蝕刻速度的維持率分別設為“ER_6h /ER_0h ”及“ER_12h /ER_0h ”來算出，按照以下的評價基準來評價了經時穩定性。

A：0.90＜維持率
B：0.80＜維持率≤0.90
C：0.70＜維持率≤0.80
D：0.60＜維持率≤0.70
E：維持率≤0.60

[結果]
下述表中示出了各處理液的摻合及試驗的結果。
表中，“有機鹼性化合物”簡單地記載為“鹼性化合物”。
“摻合”的欄中的作為各成分的含量而示出之%、ppm、ppb、ppt分別係指質量%、質量ppm、質量ppb、質量ppt。
作為水的含量而示出之“剩餘部分”的記載係指最終得到之處理液調整為含有各成分的欄所示之量的成分並且含有成為既定的pH之量的pH調整劑，除此以外剩餘的成分為水。
“pH調整劑”的欄中的“無機酸/無機鹼”的記載表示作為pH調整劑以處理液成為“pH”欄中記載之pH之量添加了無機酸（H₃ PO₄ ）或無機鹼（KOH）。實施例20及55中的“DBU 0.1%”的記載表示作為pH調整劑相對於處理液的總質量添加了0.1質量%的1,8-Diazabicyclo[5.4.0]undecene-7。
“HA/界面活性劑”的欄係指處理液中的相對於界面活性劑的含量之羥胺化合物的含量的質量比（羥胺化合物的含量/界面活性劑的含量）。
“鹼性化合物/界面活性劑”的欄係指處理液中的相對於界面活性劑的含量之有機鹼性化合物的含量的質量比（有機鹼性化合物的含量/界面活性劑的含量）。
“Co ER”的欄及“W ER”的欄分別係指各處理液的相對於W及Co之蝕刻速度。

[表1]

[表2]

[表3]

[表4]

[表5]

[表6]

[表7]

[表8]

[表9]

[表10]

[表11]

[表12]

[表13]

[表14]

[表15]

[表16]

[表17]

[表18]

[表19]

[表20]

[表21]

[表22]

[表23]

[表24]

[表25]

[表26]

[表27]

＜結果的探討＞
從表中所示之結果，可確認藉由使用本發明的處理液能夠解決本發明的課題。

可確認如下傾向，亦即，醇系溶劑的含量相對於處理液的總質量為50質量%以上之情況下，殘渣去除性、缺陷抑制性、耐腐蝕性及經時穩定性更優異，80質量%以下之情況下，缺陷抑制性及殘渣去除性更優異（實施例1～4的結果等）。

可確認如下傾向，亦即，羥胺化合物的含量相對於處理液的總質量為1質量%以上（更佳為6質量%以上）之情況下，處理液的缺陷抑制性及殘渣去除性更優異。
可確認如下傾向，亦即，羥胺化合物的含量相對於處理液的總質量為20質量%以下（更佳為15質量%以下，進一步較佳為12質量%以下）之情況下，處理液的殘渣去除性及耐腐蝕性更優異。
（實施例2、5～13的結果等）

可確認如下傾向，亦即，pH為9以上（更佳為10以上，進一步較佳為大於10）之情況下，處理液的、相對於Co之耐腐蝕性、缺陷抑制性及殘渣去除性更優異。
可確認如下傾向，亦即，pH為12以下（更佳為小於12）之情況下，處理液的相對於W之耐腐蝕性及缺陷抑制性更優異。
（實施例2、14～18的結果等）

可確認如下傾向，亦即，處理液中的相對於界面活性劑的含量之羥胺化合物的含量的質量比為1以上（更佳為10以上，進一步較佳為80以上）之情況下，處理液的殘渣去除性、缺陷抑制性、耐腐蝕性及經時穩定性更優異，1000以下（更佳為150以下，進一步較佳為250以下）之情況下，處理液的殘渣去除性、缺陷抑制性及經時穩定性更優異。
（實施例2、5～13、191～196的結果等）

可確認如下傾向，亦即，處理液中的相對於界面活性劑的含量之有機鹼性化合物的含量的質量比為1以上（更佳為大於1且小於118）之情況下，處理液的、耐腐蝕性、缺陷抑制性、殘渣去除性及經時穩定性更優異。
（實施例2、191～194、196的結果等）

可確認如下傾向，亦即，界面活性劑具有氮原子之情況下（較佳為在其基礎上為非離子系或陽離子系之情況），缺陷抑制性及殘渣去除性更優異。
（實施例2、173～190的結果等）

可確認如下傾向，亦即，界面活性劑的含量相對於處理液的總質量為1質量ppm以上（更佳為85質量ppm以上，進一步較佳為0.01質量%以上）且2質量%以下（更佳為1質量%以下，進一步較佳為0.1%以下）的情況下，處理液的、缺陷抑制性、殘渣去除性及經時穩定性更優異。
（實施例2、191～194、196的結果等）

可確認如下傾向，亦即，含金屬的粒子的含量相對於處理液的總質量為10質量ppt～10質量ppb之情況下，處理液的缺陷抑制性更優異。
（實施例2、462、463的結果等）

可確認如下傾向，亦即，處理液相對於處理液的總質量含有50質量ppt～100質量ppb的三級胺化合物之情況下，缺陷抑制性更優異。
（實施例2、437～441的結果等）

可確認如下傾向，亦即，處理液相對於處理液的總質量含有50質量ppt～100質量ppb的鹵化烷基化合物之情況下，缺陷抑制性更優異。
（實施例2、442～446的結果等）

可確認如下傾向，亦即，處理液含有還原劑之情況下，缺陷抑制性及經時穩定性更優異。
（實施例2、465～468的結果等）

可確認如下傾向，亦即，處理液相對於處理液的總質量含有1質量ppt～0.1質量%的乙酸之情況下，缺陷抑制性更優異。
（實施例2、452～461、469的結果等）

可確認如下傾向，亦即，處理液含有其他有機酸之情況下，缺陷抑制性及經時穩定性更優異。
（實施例2、464的結果等）

可確認，用作用於提高處理液的pH的pH調整劑之無機鹼的添加量相對於處理液的總質量為0.1質量%以下之情況下，顯示與調整有機鹼性化合物的添加量來調整了pH之情況相同的結果的傾向。
（實施例20、55的結果等）

1‧‧‧基板

2‧‧‧金屬層

3‧‧‧蝕刻停止層

4‧‧‧層間絕緣層

5‧‧‧金屬硬遮罩

6‧‧‧孔

10‧‧‧積層物

11‧‧‧內壁

11a‧‧‧截面壁

11b‧‧‧底壁

12‧‧‧乾式蝕刻殘渣

圖1係表示能夠適用於使用了本發明的處理液之基板的洗淨方法之積層物的一例之剖面示意圖。

Claims (20)

1. 一種處理液，其為半導體器件用處理液，且含有選自包括羥胺及羥胺鹽之群組中之1種以上的羥胺化合物、有機鹼性化合物、醇系溶劑及界面活性劑， 該醇系溶劑的含量相對於該處理液的總質量為40~85質量%， pH為8以上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之處理液，其中 該羥胺化合物的含量相對於該處理液的總質量為1~20質量%。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其中 相對於該界面活性劑的含量之該羥胺化合物的含量的質量比為1～1000。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其中 該有機鹼性化合物含有選自包括四甲基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、苄基三甲基氫氧化銨、四氫糠胺、N-（2-胺基乙基）哌、1,8-二吖雙環[5.4.0]-7-十一烯及1,4-二吖雙環[2.2.2]辛烷之群組中之1種以上。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其中 該有機鹼性化合物含有三級胺化合物， 該三級胺化合物含有除了含氮非芳香環中所含有之三級胺基以外的三級胺基， 該三級胺化合物的含量相對於該處理液的總質量為1質量ppt～5質量ppm。
6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其中 相對於該界面活性劑的含量之該有機鹼性化合物的含量的質量比為1～150。
7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其中 該界面活性劑係陽離子性界面活性劑。
8. 如申請專利範圍第7項所述之處理液，其中 該陽離子性界面活性劑含有四級氮原子。
9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其中 該界面活性劑含有選自包括十六烷基溴三甲基銨、十六烷基氯吡啶鎓、苄索氯銨、洛赫西定二鹽酸鹽、二硬脂基二甲基氯化銨、氯化苄烷銨、地喹氯銨、十二烷基三甲基氯化銨、十八胺鹽酸鹽及十二烷基氯化吡啶之群組中之1種以上。
10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其中 該界面活性劑的含量相對於該處理液的總質量為1質量ppm～0.5質量%。
11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其中 該醇系溶劑含有烷氧基。
12. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其中 該醇系溶劑含有選自包括3-甲氧基-3-甲基1-丁醇、糠醇、甘油、2-甲基-2,4-戊烷二醇、乙二醇、1,2-丙烷二醇、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚及二丙二醇單甲醚之群組中之1種以上。
13. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其還含有鹵化烷基化合物， 該鹵化烷基化合物的含量相對於該處理液的總質量為1質量ppt～5質量ppm。
14. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其還含有還原劑。
15. 如申請專利範圍第14項所述之處理液，其中 該還原劑為選自包括兒茶酚及其衍生物以及硫醇化合物之群組中之1種以上的還原劑。
16. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其還含有乙酸， 該乙酸的含量相對於該處理液的總質量為1質量ppt～0.1質量%。
17. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其還含有除了乙酸以外的其他有機酸。
18. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其還含有含金屬的粒子， 該含金屬的粒子含有選自包括Na、Ca、Fe及Cr之群組中之1種以上的金屬成分， 該含金屬的粒子的粒徑為0.02～0.05 μm， 該含金屬的粒子的含量相對於該處理液的總質量為10質量ppt～10質量ppb。
19. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其用作用於去除蝕刻殘渣的洗淨液、用於去除圖案形成中所使用之抗蝕劑膜的溶液或用於從化學機械研磨後的基板去除殘渣的洗淨液。
20. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之處理液，其用於處理基板，該基板具有含有選自包括W及Co之群組中之1種以上之金屬層。