TW201940558A - 聚矽氧聚合物及含彼之組合物 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種組合物，其包含：
(A)式(I)之聚矽氧聚合物：
M1 aM2 bM3 cD1 dD2 eD3 fT1 gT2 hT3 iQj，
其中：
M1=R1R2R3SiO1/2
M2=R4R5R6SiO1/2
M3=R7R8R9SiO1/2
D1=R10R11SiO2/2
D2=R12R13SiO2/2
D3=R14R15SiO2/2
T1=R16SiO3/2
T2=R17SiO3/2
T3=R18SiO3/2
Q=SiO4/2
其中R1、R2、R3、R5、R6、R8、R9、R10、R11、R13、R15、R16獨立地選自氫、C1-C60脂族或芳族基或C1-C60烷氧基；
R4、R12、R17獨立地選自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基或R19-A-R20-，其中A選自包含選自以下各者之不飽和環狀部分之基團：芳族基、稠合芳族基、不飽和脂環基、不飽和雜環基或其兩者或多於兩者之組合；R19選自-H、C1-C10烷基、烯丙基、乙烯基、烷氧基、烯丙氧基、乙烯基氧基、丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基；且R20選自二價有機基；
R7、R14、R18獨立地選自氫或OR22或不飽和單價基團，或含有諸如氧、氮、硫之雜原子的基團，或含有有機矽烷基之基團；且
下標a、b、c、d、e、f、g、h、i、j為零或受到以下限制之正值：2≤a+b+c+d+e+f+g+h+i+j≤1000，b+e+h＞0且c+f+i≥0，及
B)熱傳導填充劑。

Description

聚矽氧聚合物及含彼之組合物
本發明係關於包含官能化矽氧烷聚合物之組合物及其熱傳導組合物，該官能化矽氧烷聚合物包含不飽和環狀部分，該等不飽和環狀部分在廣泛範圍之溫度內呈現熱塑性及彈性特性，並展現具有經改良之物理特性的可逆相變性能。
隨著現代電子器件變得較快、較小且較薄，在不同產熱組件之介面處應用先進熱傳導材料已變得愈來愈重要，該等產熱組件諸如(例如)電晶體、IC晶片、引擎控制單元、微處理器等。此類材料使得高度密集且高度整合之電子器件能夠藉由向周圍環境散熱而順利操作。為了使熱量有效地自電子組件消散，近年來已採用各種熱傳導聚矽氧組合物。大部分此等熱傳導聚矽氧組合物由作為黏合劑及熱量傳導無機填充劑之有機聚矽氧烷組成。
歸功於較佳熱效能，熱油脂廣泛地用於高熱導率應用。隨著功率輸出增大，熱油脂經歷極端熱循環，導致熱介面材料(TIM)變乾或自介面泵出TIM，削弱熱管理。近年來探索了基於軟質熱塑性蠟之相變熱介面材料以解決此問題。儘管基於有機之材料廣泛地用於此類應用中，但其受到較低熱穩定性限制。因此，需要低熔點熱穩定軟質蠟質材料。聚矽氧聚合物已知具有較高熱穩定性，但大體上具有彈性特性。
製造聚矽氧熱塑性組合物的一種常用方法為藉由將矽氧烷聚合物與熱塑性聚合物摻混或藉由使用填充劑。然而，此類技術可能具有不良儲存穩定性及相分離問題。用以製造固體聚矽氧之其他技術為經由聚矽氧樹脂藉由併入三級(T)及四級(Q)聚矽氧基或藉由交聯，但該技術將產生熱固性物。一般而言，兩種方法皆因其在後處理及塗覆方法中之挑戰而受損。軟質熱塑性聚矽氧可經由對聚矽氧之簡單有機修飾或經由共聚合來製造。美國公開案2003/0096919、美國專利第4,725,658號、美國專利第7,579,425號描述將呈脂肪酸、1-烯烴之形式的長鏈烴併入至聚矽氧鏈來製造軟質熱塑性聚矽氧。CN 201410102937及美國公開案2008/0302064描繪了使用長鏈脂族鏈烷烴蠟、聚矽氧共聚物與脂族烴及聚烯烴之相變聚矽氧組合物概念。
提供一種具有經改良熱導率之有機矽氧烷共聚物組合物。該組合物在較低填充劑裝載量下提供經改良之熱導率。揭示製造熱傳導組合物之方法。
特定而言，存在於該組合物中之官能化矽氧烷聚合物包括將伸芳基醚接枝於聚矽氧聚合物或樹脂中以在聚合物基質中賦予結晶形鏈段。可將該等伸芳基醚基側接於該矽氧烷鏈或在該鏈/基質之末端處。該等聚合物可為可固化或不可固化的，且可包括矽氧烷主鏈之末端或側接之反應性/可固化基團。
在本發明之一個態樣中，官能化矽氧烷聚合物呈現經改良之熱導率。在與熱填充劑組合時，該聚合物可用於製造熱傳導組合物。該組合物在不併入較大量之熱填充劑的情況下呈現提高之熱導率，以使得由該聚合物形成之材料的後固化特性不受顯著影響。
在本發明之一個態樣中，官能化矽氧烷聚合物組合物在廣泛範圍之溫度內具有相變特性且呈現可逆熱塑性彈性特性。
在本發明之一個態樣中，提供相變熱傳導組合物，其中相變特性藉由官能化矽氧烷聚合物在廣泛範圍之溫度內的可逆熱塑性彈性特性提供。組合物之相變性質可藉由對聚合物之態樣進行控制來調整，該等態樣包括(例如)聚合物之分子量、各種矽氧烷單元(亦即M、D、T及Q單元)之比率、伸芳基醚基之濃度等。
在一個態樣中，提供包含以下之組合物：
(A)式(I)之聚矽氧聚合物：
M1 a M2 b M3 c D1 d D2 e D3 f T1 g T2 h T3 i Qj ，
其中：
M1 =R1 R2 R3 SiO1/2
M2 =R4 R5 R6 SiO1/2
M3 =R7 R8 R9 SiO1/2
D1 = R10 R11 SiO2/2
D2 =R12 R13 SiO2/2
D3 =R14 R15 SiO2/2
T1 =R16 SiO3/2
T2 =R17 SiO3/2
T3 =R18 SiO3/2
Q=SiO4/2
其中R1 、R2 、R3 、R5 、R6 、R8 、R9 、R10 、R11 、R13 、R15 、R16 獨立地選自氫、C1 -C60 脂族或芳族基或C1 -C60 烷氧基；
R4 、R12 、R17 獨立地選自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基或R19 -A-R20 -，其中A選自包含選自以下各者之不飽和環狀部分之基團：芳族基、官能化芳族基、視情況含有雜原子之稠合芳族基、不飽和脂環基、不飽和雜環基或其兩者或多於兩者之組合；R19 選自-H、C1-C10烷基或視情況含有雜原子之烯丙基或芳基或乙烯基、丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基；且R20 選自二價有機基；
R7 、R14 、R18 獨立地選自氫或OR22 或不飽和單價基團，或含有諸如氧、氮、硫之雜原子的基團，或含有有機矽烷基之基團；且
下標a、b、c、d、e、f、g、h、i、j為零或受到以下限制之正值：2≤a+b+c+d+e+f+g+h+i+j≤1000，b+e+h＞0且c+f+i≥0；
B)熱傳導填充劑；
C)視情況選用之抗氧化劑；
D)視情況選用之抑制劑；
E)視情況選用之揮發性稀釋劑；
F)視情況選用之偶合劑。
在一個實施例中，A選自式-A1 -R21 -A2 -之基團，其中A1 及A2 獨立地選自C6至C12芳基、C12-C36稠合芳族環基、C5-C36不飽和脂環基及C5-C36不飽和雜環基；且R21 選自直接鍵、-(CH2 )n- 、-C(CH3 )2 -、-O-、-S-、-S(O)2 -、-C(O)-、C(O)-NH-、-NH-C(O)-NH-、C(O)-O-、-CH=N-或-CH=N-N=CH-，其中n為1至10。
在一個實施例中，A獨立地選自


。
在一個實施例中，R4 、R12 及R17 中之A為
。
在一個實施例中，R19 為CH2 =CH2 -(CH2 )l-O-，且l為0或1。
在一個實施例中，R1 、R2 、R3 、R5 、R6 、R8 、R9 、R10 、R11 、R13 、R15 、R16 為甲基。
在一個實施例中，R4 、R12 及R17 中之A為
。
在一個實施例中，R19 選自-H、CH2 =CH2 -(CH2 )l -、CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為0至-10；且R20 選自C2-C10二價烷基、-O-(CH2 )m -或-O-C(O)-(CH2)m -，且m為2至10。
在根據任一先前實施例之一個實施例中，含A之基團側接於矽氧烷鏈。
在一個實施例中，本發明中之不飽和單價基團可選自式(I)至式(V)之基團

其中R23 、R28 、R31 、R32 、R35 、R36 、R42 獨立地選自-H、-OH、烷基、烯基、環烷基、具有1至60個碳原子之芳基及脂族/芳族單價烴；R22 、R24 、R25 、R26 、R27 、R29 、R30 、R33 、R34 、R37 、R38 、R39 、R40 、R41 、R43 、R44 、R45 、R46 獨立地選自氫或具有1至60個碳原子之脂族/芳族單價烴；下標n為零或正整數且具有在0至6之範圍內的值；下標o為正整數且具有在1至6之範圍內的值。
在根據任一先前實施例之組合物的一個實施例中，聚合物具有約400 g/mol至約100000 g/mol之數目平均分子量(Mn )。
在任一先前實施例之組合物的一個實施例中，填充劑材料選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈰、氧化鉿、氧化鑭、氧化釹、氧化釤、氧化鐠、氧化釷、氧化鈾、氧化釔、氧化鋅、氧化鋯、氮氧化矽鋁(silicon aluminum oxynitride)、硼矽酸鹽玻璃、鈦酸鋇、碳化矽、矽石、碳化硼、碳化鈦、碳化鋯、氮化硼、氮化矽、氮化鋁、氮化鈦、氮化鋯、硼化鋯、二硼化鈦、十二硼化鋁、重晶石(baryte)、硫酸鋇、石棉、重晶石(barite)、矽藻土、長石、石膏、海泡石、高嶺土、雲母、霞石正長岩、珍珠岩、葉蠟石、膨潤石、滑石、蛭石、沸石、方解石、碳酸鈣、矽灰石、偏矽酸鈣、黏土、矽酸鋁、滑石、矽酸鎂鋁、水合氧化鋁、水合氧化鋁、矽石、二氧化矽、二氧化鈦、玻璃纖維、玻璃片、黏土、剝落黏土或其他高縱橫比纖維、棒或片、碳酸鈣、氧化鋅、氧化鎂、二氧化鈦、碳酸鈣、滑石、雲母、矽灰石、氧化鋁、氮化鋁、石墨、石墨烯、鋁粉、銅粉、青銅粉、黃銅粉、碳纖維或碳晶鬚、石墨、碳化矽、氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鋅、碳奈米管、氮化硼奈米片、氧化鋅奈米管或其兩者或多於兩者之組合。
在根據任一先前實施例之組合物的一個實施例中，填充劑材料具有約0.01 µm至約500 µm之平均粒度。
在任一先前實施例之組合物的一個實施例中，填充劑材料選自複數種填充劑材料。
在根據任一先前實施例之組合物的一個實施例中，填充劑材料選自：第一填充劑，其具有約0.01 µm至約0.9 µm之平均粒度；第二填充劑，其具有約1 µm至約10 µm之平均粒度；第三填充劑，其具有約15 µm至約150 µm之平均粒度；及視情況選用之第四填充劑，其具有約100 µm至約400 µm之平均粒度。
在根據任一先前實施例之組合物的一個實施例中，該組合物包含約10體積%至約90體積%之第一填充劑及約90體積%至約10體積%之第二填充劑。
在根據任一先前實施例之組合物的一個實施例中，填充劑包含(i)第一填充劑，及(ii)第二填充劑，其中第一填充劑及/或第二填充劑中之至少一者包含就粒度及/或形態而言彼此不同之複數個填充劑類型。
在一個實施例中，第一填充劑及第二填充劑獨立地選自金屬氧化物填充劑及非氧化物填充劑。
在一個實施例中，非氧化物填充劑選自金屬硼化物、金屬碳化物、金屬氮化物、金屬矽化物、碳黑、石墨、膨脹石墨、碳纖維或石墨纖維或其兩者或多於兩者之組合。
在一個實施例中，複數個填充劑類型獨立地具有約0.3微米至約350微米之平均粒度，該等複數個填充劑類型具有彼此不同之平均粒度。
在一個實施例中，複數個填充劑類型具有彼此不同之形態，該形態選自球形、薄片狀、聚結物、球形聚結物及石墨。
在一個實施例中，第一填充劑選自氧化鋁，且第二填充劑選自氮化硼。在一個實施例中，氧化鋁包含複數個填充劑類型。在一個實施例中，複數個填充劑類型具有彼此不同之平均粒度。在一個實施例中，複數個填充劑類型具有彼此不同之形態。在一個實施例中，氧化鋁及氮化硼各自包含複數個填充劑類型。
在根據任一先前實施例之組合物的一個實施例中，該組合物具有30℃至120℃之相變溫度。
在根據任一先前實施例之組合物的一個實施例中，該組合物具有在2 W/m.K至18 W/m.K之範圍內的熱導率。
在根據任一先前實施例之組合物的一個實施例中，該組合物具有直至200℃持續1500小時之熱穩定性。
在根據任一先前實施例之組合物的一個實施例中，該組合物呈熱油脂、黏著劑、熱凝膠、灌封材料或間隙填充劑材料之形式。
在另一態樣中，提供一種包含任一先前實施例之組合物的製品，該組合物安置於該製品之表面的至少一部分上。
在一個實施例中，製品包含多個層，且組合物安置於該等層中之至少兩者之間的表面上。
在根據任一先前實施例之製品的一個實施例中，該製品為電子製品、汽車製品、家用電器製品、智慧型電器製品、電信製品、健康護理製品、個人護理製品、農業製品、模製品、砌體表面、紡織材料、家用護理材料。
在根據任一先前實施例之製品的一個實施例中，該製品包含發光器件、電腦器件、經堆疊晶粒、行動電話、平板電腦、覆晶型封裝、混合記憶立方體、觸摸螢幕、Wi-Fi器件、汽車技術hifi系統、穿矽通孔器件及音訊系統，在太陽能加熱板中之加熱管道與儲水槽之間的接合部中、在燃料電池及風力發電機中、在電腦晶片、遊戲控制台、資料傳送器件之製造中、在光器件、電池組中、在殼體、冷卻器、熱量交換器件、電線、電纜、加熱絲、冰箱、洗碗機、空氣調節、蓄電池、變壓器、雷射器、功能性服飾、汽車座椅、醫療器件、防火、電動馬達、飛機及列車中，作為3D打印材料之長絲、藥物遞送系統、經皮貼片、傷口癒合貼片、創口包紮貼片、用於疤痕減輕之貼片、經皮離子導入療法、組織工程改造之架構、抗微生物器件、創口處理器件、眼科器件、生物插入物、假體、身體植入物、塗料、結構性塗層、砌體塗層或船舶塗層、晶種塗層、超鋪展劑或控制釋放肥料。
在又另一態樣中，提供一種製備任一先前實施例之製品的方法，該方法包含在壓力下分配或模板列印或網板列印或噴射列印或3D列印。
在一個實施例中，組合物之厚度為0.01 mm至15 cm。
在另一態樣中，提供一種包含任一先前實施例之組合物的個人護理產品。
在一個實施例中，該個人護理產品呈以下各者之形式：止汗劑/除臭劑、剃鬚產品、皮膚乳劑、保濕劑、爽膚水、浴液產品、清潔產品、洗髮劑、潤髮乳、組合洗髮劑/潤髮乳、清潔慕絲、定型髮膠、頭髮噴霧、頭髮染料、染髮產品、頭髮漂白劑、燙髮產品、直髮膏、指甲拋光劑、指甲拋光移除劑、指甲乳膏或乳劑、角皮軟化劑、防曬劑、驅蟲劑、抗衰老產品、唇彩、粉底、面部粉劑、眼線、眼影、腮紅、彩妝、睫毛膏、保濕製劑、粉底、身體及手部製劑、皮膚護理製劑、面部及頸部製劑、補劑、敷料、頭髮梳理助劑、氣溶膠定型劑、芳香製劑、鬚後水、彩妝製劑、軟焦應用、夜間及日間皮膚護理製劑、非染髮製劑、鞣製劑、合成及非合成性皂條、洗手液、鼻貼、用於個人護理之不織布應用、嬰兒乳劑、嬰兒洗髮劑、嬰兒潤髮乳、剃鬚製劑、黃瓜片、皮膚墊片、彩妝移除劑、面部清潔產品、冷霜、防曬產品、汽酒、面膜泥、面膜、古龍水及花露水、髮膜塗液、沐浴露、面部及身體清潔劑、個人護理沖洗產品、凝膠、泡沫浴液、擦洗清潔劑、收斂劑、指甲油、眼影棒、用於面部或眼部之粉劑、唇膏、唇蜜、頭髮護理泵抽噴霧、頭髮毛躁控制髮膠、免沖洗潤髮乳、髮油、頭髮柔順劑產品、頭髮定型劑、頭髮漂白產品、皮膚乳劑、預剃鬚劑及預電動剃鬚劑、無水霜及乳劑、油/水乳液、水/油乳液、防水乳霜或乳劑、抗痤瘡製劑、口腔清洗劑、按摩油、牙膏、清潔膠或清潔棒、軟膏基劑、局部創口癒合產品、氣溶膠滑石、障壁噴霧、維生素及抗衰老製劑、草藥提取製劑、浴鹽、浴液及身體乳、頭髮定型助劑、頭髮軟質固體塗覆劑、眼部軟質固體塗覆劑、指甲軟質固體塗覆劑及皮膚軟質固體塗覆劑、長效個人護理產品、潤髮薄霧、皮膚護理保濕薄霧、皮膚擦拭劑、毛孔擦拭劑、毛孔清潔劑、袪瑕劑、皮膚去角質劑、皮膚脫屑強化劑、皮膚濕紙巾或織物、脫毛製劑或個人護理潤滑劑。
在又另一態樣中，提供一種用於製備如技術方案1之組合物的方法，該方法包含：
a)提供式(I)之聚矽氧聚合物
M1 a M2 b M3 c D1 d D2 e D3 f T1 g T2 h T3 i Qj ，
其中：
M1 =R1 R2 R3 SiO1/2
M2 =R4 R5 R6 SiO1/2
M3 =R7 R8 R9 SiO1/2
D1 =R10 R11 SiO2/2
D2 =R12 R13 SiO2/2
D3 =R14 R15 SiO2/2
T1 =R16 SiO3/2
T2 =R17 SiO3/2
T3 =R18 SiO3/2
Q=SiO4/2
其中R1 、R2 、R3 、R5 、R6 、R8 、R9 、R10 、R11 、R13 、R15 、R16 獨立地選自氫、C1 -C60 脂族或芳族基或C1 -C60 烷氧基；
R4 、R12 、R17 獨立地選自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基或R19 -A-R20 -，其中A選自包含選自以下各者之不飽和環狀部分之基團：芳族基、稠合芳族基、不飽和脂環基、不飽和雜環基或其兩者或多於兩者之組合；R19 選自-H、C1-C10烷基、烯丙基、乙烯基、烷氧基、烯丙氧基、乙烯基氧基、丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基；且R20 選自二價有機基；
R7 、R14 、R18 獨立地選自氫或OR22 或不飽和單價基團，或含有諸如氧、氮、硫之雜原子的基團，或含有有機矽烷基之基團；且
下標a、b、c、d、e、f、g、h、i、j為零或受到以下限制之正值：2≤a+b+c+d+e+f+g+h+i+j≤1000，b+e+h＞0且c+f+i≥0；
b) 視情況將抑制劑、抗氧化劑、及偶合劑或其組合添加至(a)中;
c)將熱傳導填充劑添加至混合物中；
d)視情況在添加熱填充劑之前或之後添加揮發性稀釋劑。
現將參考例示性實施例，在隨附圖式中說明該等例示性實施例之實例。應理解，可採用其他實施例，且可作出結構性及功能性改變。此外，可對各種實施例之特徵進行組合或更改。如此，以下描述僅藉助於說明來呈現，且不應以任何方式限制可對所說明實施例作出之各種替代方案及修改。在本發明中，大量具體細節提供對本發明之透徹理解。應理解，本發明之態樣可藉由未必包括本文中所描述之全部態樣的其他實施例來實踐等。
如本文中所使用，字組「實例」及「例示性」意謂個例或說明。字組「實例」或「例示性」並不指示關鍵或較佳態樣或實施例。除非在上下文以其他方式提出，否則字組「或」意欲為包括性而非排他性的。作為一實例，片語「A採用B或C」包括任何包括性變換(例如A採用B；A採用C；或A採用B及C兩者)。另一方面，除非在上下文以其他方式提出，否則冠詞「一(a)」及「一(an)」一般欲意謂「一或多個」。
提供一種官能化聚矽氧聚合物。亦提供一種包含官能化聚矽氧聚合物及熱傳導填充劑之組合物。特定而言，提供一種官能化矽氧烷聚合物。矽氧烷聚合物包含有機基，該有機基包含不飽和環狀部分。已發現本矽氧烷聚合物在相對較低填充劑濃度下呈現優良熱穩定性及熱導率。
組合物中所採用之聚矽氧聚合物為式(I)之聚合物
M1 a M2 b M3 c D1 d D2 e D3 f T1 g T2 h T3 i Qj ，
其中：
M1 =R1 R2 R3 SiO1/2
M2 =R4 R5 R6 SiO1/2
M3 =R7 R8 R9 SiO1/2
D1 =R10 R11 SiO2/2
D2 =R12 R13 SiO2/2
D3 =R14 R15 SiO2/2
T1 =R16 SiO3/2
T2 =R17 SiO3/2
T3 =R18 SiO3/2
Q=SiO4/2
其中R1 、R2 、R3 、R5 、R6 、R8 、R9 、R10 、R11 、R13 、R15 、R16 獨立地選自氫、C1 -C60 脂族或芳族基或C1 -C60 烷氧基；
R4 、R12 、R17 獨立地選自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基或R19 -A-R20 -，其中A選自包含選自以下各者之不飽和環狀部分之基團：芳族基、稠合芳族基、不飽和脂環基、不飽和雜環基或其兩者或多於兩者之組合；R19 選自-H、C1-C10烷基、烯丙基、乙烯基、烷氧基、烯丙氧基、乙烯基氧基、丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基；且R20 選自二價有機基；
R7 、R14 、R18 獨立地選自氫、OR22 、不飽和單價基團、含有諸如氧、氮、硫之雜原子的基團或含有有機矽烷基之基團；且
下標a、b、c、d、e、f、g、h、i及j為零或受到以下限制之正值：2≤a+b+c+d+e+f+g+h+i+j≤1000，b+e+h＞0，且c+f+i≥0。
如本文中所使用，不飽和脂環基係指包含一或多個不飽和鍵之脂族環基。在實施例中，不飽和脂環基包含至少一個C=C鍵。在實施例中，不飽和脂環基選自包含一或多個C=C鍵之C4-C36脂環基。不飽和脂環基可包含單環、稠環系統或雙環系統。不飽和脂環化合物之非限制性實例包括但不限於環戊烯、環己烯、環戊二烯、二環戊二烯等。
如本文中所使用，不飽和雜環基係指在環結構內包含至少一個不飽和鍵及至少一個雜原子之環基。不飽和基可為C=C或碳原子與雜原子之間的不飽和鍵。
在實施例中，R19 選自-H、CH2 =CH2 -(CH2 )l -、CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為0至10；且R20 選自C2-C10二價烷基、-O-(CH2 )m -或-O-C(O)-(CH2)m -，且m為2至10。在一個實施例中，R19 為CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為0。在一個實施例中，R19 為CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為1。
在實施例中，A獨立地選自C6至C12芳基、二價C12至C36稠合芳族基、二價C4-C36不飽和脂環基及二價C4-C36不飽和雜環基。
在一實施例中，A選自式-A1 -R21 -A2 -之基團，其中A1 及A2 獨立地選自C6至C12芳基、C12-C36稠合芳族環、C5-C36不飽和脂環基團及C5-C36不飽和雜環基；且R21 選自直接鍵-(CH2 )n -、-C(CH3 )2 -、-O-、-S-、-S(O)2 -、-C(O)-、C(O)-NH-、-NH-C(O)-NH-、C(O)-O-、-CH=N-或-CH=N-N=CH-，其中n為1至10。在實施例中，n為1至6、1至4或1至2。
A基團之合適基團的實例包括但不限於：


。
在一個實施例中，R1 、R2 、R3 、R5 、R6 、R8 、R9 、R10 、R11 、R13 、R15 、R16 為C1-C4烷基，A為

R19 選自-H、CH2 =CH2 -(CH2 )l -、CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為0至10；且R20 選自C2-C10二價烷基、-O-(CH2 )m -或-O-C(O)-(CH2)m -，且m為2至10。在一個實施例中，R19 為CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為0。在一個實施例中，R19 為CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為1。
在一個實施例中，R1 、R2 、R3 、R5 、R6 、R8 、R9 、R10 、R11 、R13 、R15 、R16 為C1-C4烷基，A為

R19 選自-H、CH2 =CH2 -(CH2 )l -、CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為0至10；且R20 選自C2-C10二價烷基、-O-(CH2 )m -或-O-C(O)-(CH2)m -，且m為2至10。在一個實施例中，R19 為CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為0。在一個實施例中，R19 為CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為1。
在一個實施例中，A選自(A-i)至(A-xiii)中之任一者，且R19 選自-H、CH2 =CH2 -(CH2 )l -、CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為0至10；且R20 選自C2-C10二價烷基、-O-(CH2 )m -或-O-C(O)-(CH2)m -，且m為2至10。在一個實施例中，A選自(A-i)至(A-xiii)中之任一者；R19 選自CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為0，且R20 選自-O-(CH2 )m -，其中m為2。在一個實施例中，A選自(A-i)至(A-xiii)中之任一者；R19 選自CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為0，且R20 選自-O-(CH2 )m -，其中m為3。在一個實施例中，A選自(A-i)至(A-xiii)中之任一者；R19 選自CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為1，且R20 選自-O-(CH2 )m -，其中m為2。在一個實施例中，A選自(A-i)至(A-xiii)中之任一者；R19 選自CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為1，且R20 選自-O-(CH2 )m -，其中m為3。
在實施例中，R7 、R14 、R18 選自本發明中之不飽和單價基團，其可選自式(I)至式(V)之基團

其中R23 、R28 、R31 、R32 、R35 、R36 、R42 獨立地選自-H、-OH、烷基、烯基、環烷基、具有1個至60個碳原子之芳基及脂族/芳族單價烴；R22 、R24 、R25 、R26 、R27 、R29 、R30 、R33 、R34 、R37 、R38 、R39 、R40 、R41 、R43 、R44 、R45 、R46 獨立地選自氫或具有1至60個碳原子之脂族/芳族單價烴；下標n為零或正整數且具有在0至6之範圍內的值；下標o為正整數且具有在1至6之範圍內的值。
本聚合物可經由適當不飽和化合物及氫化矽烷在催化劑之存在下的矽氫化而形成。提供R4 基團、R12 基團、R17 基團之不飽和化合物可具有式R19 -A-R19' ，其中A如上文所描述，且R19 及R19 '獨立地選自烯丙基、乙烯基、烯丙氧基、乙烯基氧基、丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基。在實施例中，R19 及R19' 獨立地選自CH2 =CH2 -(CH2 )a -、CH2 =CH2 -(CH2 )a -O-、CH2 =CH2 -(CH2 )a- C(O)-O-，其中a為0至10。氫化矽烷可例如為在矽氧烷之主鏈內具有末端氫化矽烷官能基或具有含Si-H之基團的矽氧烷。
適用催化劑包括可對反應性含SiH部分或取代基與諸如碳碳雙鍵之碳碳鍵之間的矽氫化反應進行催化之彼等化合物或分子。另外，在一或多個實施例中，此等催化劑在反應介質內可為可溶的。催化劑之類型包括過渡金屬化合物，其包括包括第VIII族金屬之彼等化合物。例示性第VIII族金屬包括鈀、銠、鍺及鉑。例示性催化劑化合物包括氯鉑酸；元素鉑；氯鉑酸六水合物；氯鉑酸與對稱二乙烯基四甲基二矽氧烷之錯合物；二氯-雙(三苯膦)鉑(II)；順-二氯-雙(乙腈)鉑(II)；二羧基二氯鉑(II)；氯化鉑；及氧化鉑；零價鉑金屬錯合物，諸如Karstedt催化劑(Karstedt's catalyst)、[Cp*Ru(MeCN)3 ]PF6 、[PtCl2 (環辛二烯)]、負載於載體(諸如氧化鋁、二氧化矽或碳黑)上之固體鉑、鉑-乙烯基矽氧烷錯合物(例如Ptn (ViMe2 SiOSiMe2 Vi)c 及Pt[(MeViSiO)4 ]d ))、鉑膦錯合物(例如Pt(PPh3 )4 及Pt(PBU3 )4 ))及鉑-亞磷酸鹽錯合物(例如Pt[P(Oph)3 ]4 及Pt[P(Obu)3 ]4 ))，其中Me表示甲基，Bu表示丁基，「Vi」表示乙烯基且Ph表示苯基，且c及d表示整數。其他包括RhCl(PPh3 )3 、RhCl3 、Rh/Al2 O3 、RuCl3 、IrCl3 、FeCl3 、AlCl3 、PdCl2 .2H2 O、NiCl2 、TiCl4 等。
聚合物之特性或狀態可藉由對聚合物之各種態樣進行控制來控制或調整。特定而言，可藉由對聚合度、聚矽氧鏈長及分子量進行控制而將聚合物提供為液體、膠狀物或固體。
在一個實施例中，聚矽氧聚合物具有約400至約100000；約500至約50000；甚至約600至約25000之數目平均分子量。分子量可藉由GPC來測定。
聚合物呈現使其適用於多種應用之特性。聚合物可呈現可逆熱塑性性能。聚合物在廣泛範圍之溫度內擁有塑膠及彈性特性兩者。聚合物之相變溫度為約20℃至約120℃。聚合物之特性或狀態可藉由對聚合物之各種態樣進行控制來控制或調整。特定而言，可藉由對聚合度、聚矽氧鏈長及分子量進行控制而將聚合物提供為液體、膠狀物或固體。例如熔融/相變性能之特性可藉由聚矽氧鏈段(例如m單元及x單元之大小或數目)及二價不飽和環狀基團A)來調整或選擇。
聚合物可用以形成聚矽氧組合物。在一個實施例中，將聚矽氧組合物提供為包含聚矽氧聚合物及熱傳導填充劑材料之熱傳導組合物。熱傳導填充劑(B)之填充劑材料可選自金屬氧化物或非氧化物填充劑。合適之非氧化物填充劑的實例包括金屬硼化物、金屬碳化物、金屬氮化物、金屬矽化物、碳黑、石墨、膨脹石墨、碳纖維或石墨纖維或其兩者或多於兩者之組合。熱傳導填充劑之實例包括但不限於氧化鋁、氧化鎂、氧化鈰、氧化鉿、氧化鑭、氧化釹、氧化釤、氧化鐠、氧化釷、氧化鈾、氧化釔、氧化鋅、氧化鋯、氮氧化矽鋁、硼矽酸鹽玻璃、鈦酸鋇、碳化矽、矽石、碳化硼、碳化鈦、碳化鋯、氮化硼、氮化矽、氮化鋁、氮化鈦、氮化鋯、硼化鋯、二硼化鈦、十二硼化鋁、重晶石、硫酸鋇、石棉、重晶石、矽藻土、長石、石膏、海泡石、高嶺土、雲母、霞石正長岩、珍珠岩、葉蠟石、膨潤石、滑石、蛭石、沸石、方解石、碳酸鈣、矽灰石、偏矽酸鈣、黏土、矽酸鋁、滑石、矽酸鎂鋁、水合氧化鋁、水合氧化鋁、矽石、二氧化矽、二氧化鈦、玻璃纖維、玻璃片、黏土、剝落黏土或其他高縱橫比纖維、棒或片、碳酸鈣、氧化鋅、氧化鎂、二氧化鈦、碳酸鈣、滑石、雲母、矽灰石、氧化鋁、氮化鋁、石墨、膨脹石墨、例如鋁、銅、青銅、黃銅等金屬粉末、碳纖維或碳晶鬚、石墨、碳化矽、氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鋅、諸如碳奈米管、氮化硼奈米片、氧化鋅奈米管等奈米級纖維，及其兩者或多於兩者之混合物。在一個實施例中，熱傳導填充劑具有低電導性或為電絕緣的。
可按對特定目的或既定應用之需要來選擇填充劑材料之粒度。在實施例中，填充劑材料具有約0.01 µm至約500 µm；約0.1 µm至約250 µm；約1 µm至約100 µm；約5 µm至約75 µm；甚至約10 µm至約50 µm之平均粒度。應瞭解，組合物可包含具有不同平均粒度之無機填充劑之組合。可按對特定目的或既定應用之需要來選擇此類組合。在一個實施例中，組合物包含具有約0.01至約0.1 µm之平均粒度的第一有機填充劑；具有約1 µm至約25 µm之平均粒度的第二填充劑；及視情況選用之具有約50 µm至約100 µm之平均粒度的第三填充劑。就填充劑之化學組成而言，第一填充劑、第二填充劑及第三填充劑可彼此相同或不同。
在組合物中，按組合物之總體積計，聚矽氧聚合物可以約20體積%至約75體積%之量存在。在一個實施例中，填充劑裝載量為約25體積%至約70體積%，約35體積%至約65體積%，甚至約40體積%至約60體積%。按組合物之總體積計，組合物可具有約25體積%至約80體積%之總填充劑濃度，即組合物中之所有填充劑的濃度。在一個實施例中，填充劑裝載量為約30體積%至約75體積%，約35體積%至約65體積%，甚至約40體積%至約60體積%。此處如在申請專利範圍中一樣，數值可經組合以形成新的且非指定之範圍。
熱傳導填充劑(B)包含填充劑之組合，其中將至少一種填充劑材料提供為複數個填充劑類型。如本文中所使用，「填充劑類型」係指具有特定特性之一類填充劑材料。限定填充劑類型之特性的實例包括例如填充劑之形態、填充劑之粒度或填充劑之形態及粒度。不同填充劑類型之不同實施例的實例包括：
● 具有第一粒度之第一填充劑類型，及具有第二粒度之第二填充劑類型，其中第一填充劑類型與第二填充劑類型具有相同形態
● 具有第一形態之第一填充劑類型，及具有第二形態之第二填充劑類型，其中第一填充劑類型與第二填充劑類型具有相同粒度；
● 具有第一形態之第一填充劑類型，及具有第二形態之第二填充劑類型，其中第一填充劑類型與第二填充劑類型具有不同粒度。
在上述實施例中，第一填充劑及第二填充劑可為單一類型之填充劑或其本身可具備多個填充劑類型。
在一個實施例中，第一填充劑及第二填充劑各自藉由各別填充劑材料之複數個填充劑類型提供。組合物可包括第一填充劑與第二填充劑之任何組合，其中(i)第一填充劑藉由以下各者提供：
● 具有第一粒度之第一填充劑類型，及具有第二粒度之第二填充劑類型，其中第一填充劑類型與第二填充劑類型具有相同形態；
● 具有第一形態之第一填充劑類型，及具有第二形態之第二填充劑類型，其中第一填充劑類型與第二填充劑類型具有相同粒度；或
● 具有第一形態之第一填充劑類型，及具有第二形態之第二填充劑類型，其中第一填充劑類型與第二填充劑類型具有不同粒度；且
(ii)第二填充劑藉由以下各者提供：
● 具有第一粒度之第二填充劑類型，及具有第二粒度之第二填充劑類型，其中第一填充劑類型與第二填充劑類型具有相同形態；
● 具有第一形態之第二填充劑類型，及具有第二形態之第二填充劑類型，其中第一填充劑類型與第二填充劑類型具有相同粒度；或
● 具有第一形態之第二填充劑類型，及具有第二形態之第二填充劑類型，其中第一填充劑類型與第二填充劑類型具有不同粒度。
因此，舉例而言，在一個實施例中，可提供(a)第一填充劑，其藉由(i)具有第一粒度之第一填充劑類型及(ii)具有第二粒度之第二填充劑類型提供；及(b)第二填充劑，其藉由(i)具有第一粒度之第一填充劑類型及(ii)具有第二粒度之第二填充劑類型提供。在另一實施例中，組合物可包含(a)第一填充劑，其藉由(i)具有第一粒度之第一填充劑類型及(ii)具有第二粒度之第二填充劑類型提供，其中第一填充劑類型與第二填充劑類型具有相同形態；及(b)第二填充劑，其藉由(i)具有第一形態之第一填充劑類型及(ii)具有第二形態之第二填充劑類型提供。
應瞭解，雖然以上描述參考第一填充劑及第二填充劑，但組合物不限於兩種填充劑。組合物可包含兩種、三種、四種、五種等或更多種填充劑，其中該等填充劑中之至少一者藉由彼填充劑材料之複數個填充劑類型提供。視情況，填充劑中之每一者可藉由各別填充劑材料之複數個填充劑類型提供。
在一個實施例中，組合物包含選自金屬氧化物之第一填充劑，且第二填充劑選自非氧化物填充劑(例如氮化物、碳化物、矽化物等)。在一個實施例中，將金屬氧化物填充劑提供為具有不同粒度之複數個填充劑類型，且將非氧化物填充劑提供為單一填充劑類型(例如具有特定形態及粒度之填充劑)。在另一實施例中，(a)金屬氧化物填充劑包含具有第一粒度之第一填充劑類型及具有第二粒度之第二填充劑類型；且(b)非氧化物填充劑包含(i)具有第一形態之第一填充劑類型，及(ii)具有第二形態之第二填充劑類型。
各別填充劑之形態可按需要來進行選擇。在一個實施例中，填充劑之形態可選自球形、薄片狀、聚結物、球形聚結物及石墨。
在一個實施例中，第一熱傳導填充劑材料及第二熱傳導填充劑材料具有0.3微米至約350微米之粒度。在一個實施例中，熱傳導填充劑具有約0.5微米至150微米；約1微米至約100微米，約10微米至90微米；約20微米至75微米；甚至約40微米至60微米之粒度。
按組合物之總體積計，組合物可具有約25體積%至約80體積%之總填充劑濃度，即組合物中之所有填充劑的濃度。在一個實施例中，填充劑裝載量為約30體積%至約75體積%，約35體積%至約65體積%，甚至約40體積%至約60體積%。此處如在申請專利範圍中一樣，數值可經組合以形成新的且非指定之範圍。
組合物可包含約10體積%至90體積%之第一填充劑及90體積%至10體積%之第二填充劑；約30體積%至70體積%之第一填充劑及70體積%至30體積%之第二填充劑；甚至約40體積%至約60之第一填充劑及約60體積%至約40體積%之第二填充劑。
考慮促成第一填充劑及/或第二填充劑之不同填充劑類型，可按需要來選擇不同填充劑類型之濃度。在一個實施例中，第一填充劑包含：按第一填充劑之總體積計，呈約5體積%至約95體積%之量的第一填充劑類型及呈約95體積%至約5體積%之量的第二填充劑類型；按第一填充劑之總體積計，呈約10體積%至約80體積%之量的第一填充劑類型及呈約20體積%至約90體積%之量的第二填充劑類型；按第一填充劑之總體積計，呈約30體積%至約60體積%之量的第一填充劑類型及呈約70體積%至約40體積%之量的第二填充劑類型。在一個實施例中，第一填充劑包含按第一填充劑之總體積計，呈約20體積%至約40體積%之量的第一填充劑類型及呈約80體積%至約60體積%之量的第二填充劑類型。
在一個實施例中，熱傳導填充劑包括氮化硼。合適的氮化硼材料之實例包括氮化硼粒子、氮化硼聚結物或其混合物。氮化硼粒子一般呈現薄片狀形態。在一個實施例中，氮化硼粒子可為具有0.3微米至約350微米之粒度的薄片。在一個實施例中，薄片狀氮化硼粒子具有約0.5微米至150微米；約1微米至約100微米，約10微米至90微米；約20微米至75微米；甚至約40微米至60微米之粒度。在另一實施例中，熱傳導塑膠組合物包含氮化硼聚結物。聚結物可具有約5微米至約500微米之平均粒度及約0.25平方公尺/公克至約50平方公尺/公克之表面積。在一個實施例中，薄片狀氮化硼粒子具有約10微米至400微米；約20微米至約300微米，約30微米至200微米；約40微米至150微米；甚至約50微米至100微米之粒度。可使用Horiba LA300粒度分佈分析儀來量測粒度，其中以經調整以符合所需透射率的量引入待分析之粒子(例如BN)。可添加幾滴2% Rhodapex CO-436以改良粉劑之分散度，且可在3秒音波處理之後使用雷射繞射來量測粒度。可在體積基礎上繪製量測所得到之粒度分佈，且D90表示該分佈之第90個百分位。
在一個實施例中，填充劑可藉由諸如(例如)矽烷添加劑之功能化添加劑官能化。在一個實施例中，矽烷添加劑可選自烷氧基矽烷、烷丙烯醯氧基矽烷、乙烯基矽烷、鹵基矽烷(例如氯矽烷)、巰基矽烷、嵌段巰基矽烷、硫代羧酸酯矽烷或其兩者或多於兩者之組合。在一個實施例中，填充劑可包含約1重量%至約5重量%之矽烷；約1.5重量%至約4重量%；甚至約2.7重量%至約3.7重量%之填充劑。
在一個實施例中，組合物包含選自金屬氧化物之第一填充劑及選自非氧化物填充劑之第二填充劑，其中第一填充劑及/或第二填充劑包含複數個填充劑類型。在一個實施例中，第一填充劑為包含第一類型之金屬氧化物及第二類型之金屬氧化物的金屬氧化物，該等金屬化物就化學組成而言可為相同或不同金屬氧化物，且第二填充劑包含單一類型之非氧化物填充劑，其中可採用以下各者中之任一者(單獨或呈組合形式)：
● 第一類型之金屬氧化物具有第一粒度，且第二類型之金屬氧化物具有不同於第一粒度之第二粒度；
● 第一類型及第二類型之金屬氧化物獨立地具有約0.3微米至約350微米之粒度，其中第一類型與第二類型之金屬氧化物具有不同粒度；
● 第一類型之金屬氧化物具有第一形態，且第二類型之金屬氧化物具有不同於第一形態之第二形態；
● 金屬氧化物填充劑選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈰、氧化鉿、氧化鑭、氧化釹、氧化釤、氧化鐠、氧化釷、氧化鈾、氧化釔、氧化鋅及/或氧化鋯；
● 非金屬氧化物填充劑選自碳化矽、矽石、碳化硼、碳化鈦、碳化鋯、氮化硼、氮化矽、氮化鋁、氮化鈦、氮化鋯或硼化鋯；
● 第一填充劑為氧化鋁，且第二填充劑為氮化硼；
● 第二填充劑為選自以下各者之氮化硼：球形、薄片狀、聚結物或球形聚結物。
在一個實施例中，組合物包含選自金屬氧化物之第一填充劑及選自非氧化物填充劑之第二填充劑，其中第一填充劑及第二填充劑各自包含複數個填充劑類型。在一個實施例中，第一填充劑為包含第一類型之金屬氧化物及第二類型之金屬氧化物的金屬氧化物，其中第一類型與第二類型之金屬氧化物可具有相同或不同化學組成或化學式(但至少在粒度及/或形態方面不同)，且第二填充劑包含單一類型之非氧化物填充劑，其中以下各者中之任一者可彼此組合使用：
● 第一類型之金屬氧化物具有第一粒度，且第二類型之金屬氧化物具有不同於第一粒度之第二粒度；
● 第一類型及第二類型之金屬氧化物獨立地具有約0.3微米至約350微米之粒度，其中第一類型與第二類型之金屬氧化物具有不同粒度；
● 第一類型之金屬氧化物具有第一形態，且第二類型之金屬氧化物具有不同於第一形態之第二形態；
● 第一類型之金屬氧化物具有第一粒度，且第二類型之金屬氧化物具有不同於第一粒度之第二粒度；
● 金屬氧化物填充劑選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈰、氧化鉿、氧化鑭、氧化釹、氧化釤、氧化鐠、氧化釷、氧化鈾、氧化釔、氧化鋅及/或氧化鋯；
● 非金屬氧化物填充劑選自碳化矽、矽石、碳化硼、碳化鈦、碳化鋯、氮化硼、氮化矽、氮化鋁、氮化鈦、氮化鋯或硼化鋯；
● 第一填充劑為氧化鋁，且第二填充劑為氮化硼；
● 第二填充劑包含薄片狀氮化硼及氮化硼聚結物。
在一個實施例中，組合物包含第一填充劑，該第一填充劑具有粒度為約0.3微米至約350微米之第一填充劑類型及粒度為約0.3微米至約350微米之第二填充劑類型，其中第一填充劑之第二填充劑類型具有與第一填充劑類型不同的粒度。在一個實施例中，組合物包含第一填充劑，該第一填充劑具有粒度為約0.3微米至約350微米之第一填充劑類型及粒度為約0.3微米至約15微米之第二填充劑類型。在一個實施例中，組合物包含第一填充劑，該第一填充劑具有粒度為約45微米至約350微米之第一填充劑類型及粒度為約0.3微米至約5微米之第二填充劑類型。在一個實施例中，組合物包含第一填充劑，該第一填充劑具有粒度為約5微米至約70微米之第一填充劑類型及粒度為約0.5微米至約15微米之第二填充劑類型。在一個實施例中，第一填充劑包含氧化鋁。
組合物可進一步包含加成或縮合固化催化劑。本發明組合物為可固化的，且可藉由縮合固化機制或熱固化機制來固化。在一個實施例中，組合物為可縮合固化的。對於可縮合固化之組合物，組合物可包括促進縮合固化之任何合適的組分。組合物可視情況包含縮合催化劑，該縮合催化劑促進完全或部分水解之頂塗層材料的縮合。催化劑可為適用於促進矽氧烷之固化的催化劑。有利地，可採用縮合催化劑。合適之縮合催化劑包括但不限於二羧酸二烷基錫，諸如二月桂酸二丁錫及二月桂酸二辛錫；三級胺；羧酸之亞錫鹽，諸如辛酸亞錫及乙酸亞錫等。其他適用催化劑包括含鋯、含鋁及含鉍錯合物，諸如藉由King Industries Inc.供應之K-KAT® XC6212、K-KAT® 5218及K-KAT® 348；鈦螯合物，諸如購自DuPont公司之TYZOR®類型及購自Kenrich Petrochemical Inc.之KR類型；及其他有機金屬催化劑，例如含有諸如Al、Zn、Co、Ni、Fe等金屬之彼等。
一般而言，催化劑應以將不影響或損害組合物之物理特性的量但足以催化固化反應的量添加。在一個實施例中，以介於1 ppm至約75 ppm；約10 ppm至約70 ppm；甚至約20 ppm至約60 ppm之範圍內的量提供催化劑。此處，如本說明書及申請專利範圍中之其他處一樣，數值可經組合以形成新的且未經揭示之範圍。催化劑之「ppm」值可經定義為每總重量組合物固體之催化劑的總莫耳數。
本發明組合物為可固化的，且可藉由縮合固化機制或熱固化機制來固化。在一個實施例中，組合物為可縮合固化的。對於可縮合固化之組合物，組合物可包括促進縮合固化之任何合適的組分。組合物可視情況包含縮合催化劑，該縮合催化劑促進完全或部分水解之頂塗層材料的縮合。催化劑可為適用於促進矽氧烷之固化的催化劑。有利地，可採用縮合催化劑。合適之縮合催化劑包括但不限於二羧酸二烷基錫，諸如二月桂酸二丁錫及二月桂酸二辛錫；三級胺；羧酸之亞錫鹽，諸如辛酸亞錫及乙酸亞錫等。其他適用催化劑包括含鋯、含鋁及含鉍錯合物，諸如藉由King Industries Inc.供應之K-KAT® XC6212、K-KAT® 5218及K-KAT® 348；鈦螯合物，諸如購自DuPont公司之TYZOR®類型及購自Kenrich Petrochemical Inc.之KR類型；及其他有機金屬催化劑，例如含有諸如Al、Zn、Co、Ni、Fe等金屬之彼等。
在一個實施例中，組合物為可熱固化的且包含熱固化催化劑。在一個實施例中，熱固化催化劑選自烷基羧酸銨。烷基羧酸銨可為二羧酸銨、三羧酸銨或四羧酸銨。在一個實施例中，催化劑選自下式之羧酸四丁銨：[(C4 H9 )4 N]+ [OC(O)-R]- ，其中R選自由以下各者組成之群：氫、含有約1至約8個碳原子之烷基及含有約6至20個碳原子之芳基。在實施例中，R為含有約1至4個碳原子之基團，諸如甲基、乙基、丙基、丁基及異丁基。例示性催化劑為乙酸四正丁銨(TBAA)、甲酸四正丁銨、苯甲酸四正丁銨、四正丁銨-2-乙基己酸鹽、四正丁銨-對乙基苯甲酸鹽及丙酸四正丁銨或其兩者或多於兩者之組合。特定而言，合適之催化劑為乙酸四正丁銨及甲酸四正丁銨、乙酸四甲銨、苯甲酸四甲銨、乙酸四己銨、甲酸二甲銨、乙酸二甲銨、羧酸四甲銨、四甲銨-2-乙基己酸鹽、乙酸苯甲基三甲銨、乙酸四乙銨、乙酸四異丙銨、乙酸三乙醇-甲銨、乙酸二乙醇二甲銨、乙酸單乙醇三甲銨、乙酸乙基三苯基鏻。
一般而言，催化劑應以將不影響或損害塗層之物理特性的量但以足以催化固化反應的量添加。在一個實施例中，以介於1 ppm至約75 ppm；約10 ppm至約70 ppm；甚至約20 ppm至約60 ppm之範圍內的量提供催化劑。此處，如本說明書及申請專利範圍中之其他處一樣，數值可經組合以形成新的且未經揭示之範圍。催化劑之「ppm」值可經定義為每總重量塗層固體之催化劑的總莫耳數。
當前相變熱傳導組合物可含有偶合劑作為視情況存在之組分。在一個實施例中，提供一種任一先前實施例之組合物，其中用選自以下各者之偶合劑來處理填充劑；烷氧基矽烷、烷氧基矽氧烷、烷氧基環狀矽氧烷、烷氧基有機鏈-矽氧烷、烷氧基環狀有機鏈-矽氧烷、烷丙烯醯氧基矽烷、乙烯基矽烷、鹵基矽烷(例如氯矽烷)、巰基矽烷、嵌段巰基矽烷、硫代羧酸酯矽烷、鈦酸鹽、鋯酸鹽或其兩者或多於兩者之組合。
在組合物中，按組合物之總重量計，偶合劑可以多達20重量%之量存在。在一個實施例中，偶合劑裝載量為約0.1重量%至約10重量%或約0.5重量%至約8重量%。
當前相變熱傳導組合物可含有揮發性稀釋劑作為視情況選用之組分。在又另一實施例中，揮發性稀釋劑選自脂族烴、環烴、芳族烴、環狀矽氧烷、直鏈矽氧烷或其兩者或多於兩者之組合。揮發性稀釋劑可具有直鏈、支鏈或交聯結構。揮發性稀釋劑可為飽和或不飽和的。揮發性稀釋劑之實例為碳鏈長度為5至14之烴類、石蠟油、異烷烴、甲苯、二甲苯、環己烷、C6-C14直鏈及內烯烴、石油醚、鹵化碳氫化合物、含雜原子烴類、八甲基環四矽氧烷、十甲基環四矽氧烷、及六甲基二矽氧烷。
在組合物中，按組合物之總重量計，揮發性稀釋劑以多達30重量%之量存在。在一個實施例中，稀釋劑以約0.1重量%至約20重量%、約0.5重量%至約10重量%存在。
當前相變熱傳導組合物可含有抗氧化劑作為視情況選用之組分。在又另一實施例中，抗氧化劑選自磷酸鹽類、酚類抗氧化劑、硫基醚類抗氧化劑、胺類抗氧化劑或其兩者或多於兩者之組合。
在組合物中，按組合物之總重量計，抗氧化劑以多達10重量%之量存在。在一個實施例中，抗氧化劑裝載量為約0.05重量%至約10重量%、約0.1重量%至約5重量%。
已發現本聚合物及組合物呈現可使其適用於廣泛多種應用之所要特性。該等聚合物具有高熱穩定性、折射率及熱導率。本聚合物在與無機填充劑組合時，該等具有極佳潤濕性能以使得填充劑易於分散於聚合物中。此等特性允許為組合物提供極佳熱導率。組合物呈現相變特性。組合物在室溫(約20℃至約25℃)下為固體。組合物亦藉由在約25℃至約100℃之範圍內的軟化溫度來表徵，其中組合物在該範圍內可分散。
在實施例中，本發明之組合物亦可用作搖變劑或流變改性劑。如本文中所使用，「搖變劑」為一種提高所含有之組合物之搖變性、促進剪切稀化且使得能夠使用減小之注塑力的試劑。
組合物可用於多種應用中，且可藉由多種方法(包括例如列印、分配及/或噴塗)來塗覆至基板上。
上文已描述之物包括本說明書之實例。當然，不可能出於描述本說明書之目的而對組分或方法之每一可設想組合進行描述，但一般熟習此項技術者可認識到，本說明書之許多其他組合及變換為可能的。因此，本說明書意欲包含屬於所附申請專利範圍之精神及範疇內的所有此類更改、修改及變型。此外，就術語「包括」用於實施方式或專利申請範圍中而言，此類術語意欲以類似於術語「包含」在「包含」作為過渡詞用於專利申請範圍中時所解釋之方式而為包括性的。
實例
除非在實例中以其他方式提及，否則藉由瞬變法使用Hot Disk TPS 500 S儀器來測定整體熱導率(T/C)。相對於單分散聚苯乙烯標準物的數目平均分子量(M n )及多分散性指數(PDI)使用配備有溶劑脫氣器、Agilent Mixed-BLS(10 μm)柱、ELSD及RID偵測器之Agilent 1260 Infinity凝膠滲透層析系統來測定。藉由差示掃描熱量測定(DSC)在氮氣氛圍下以10℃ min- 1 之加熱速率在TA Instrument Inc. (Q 1000)上測定熔點。
合成實例
實例1：攜有末端烯丙氧基醚基的經二苯基碸官能化之聚有機矽氧烷(A1)
向三頸燒瓶裝入10g之4,4'-二烯丙基氧基二苯碸、甲苯(50mL)及鉑催化劑(10ppm)。將所得混合物加熱至90℃同時在氮氣氛圍下攪拌，並添加12.7 g之具有末端二甲基氫矽烷氧基單元且由大約10個稠合二甲基矽烷氧基單元組成之聚二甲基矽氧烷。藉由1 H NMR來監測反應物混合之進程。反應完成之後，將所得混合物真空溶離以藉由置於140℃下之油浴上持續3小時來移除揮發物，其得到呈蠟狀固體之經伸芳基醚取代之矽氧烷聚合物(GPC：M n =2200 g/mol；PDI=1.3)。聚合物具有0.195 W/m.K.之T/C及79.5℃之峰值熔點。
實例2：攜有末端烯丙氧基醚基的經二苯基碸官能化之聚有機矽氧烷(A2)。
向三頸燒瓶裝入10g之4,4'-二烯丙基氧基二苯碸、甲苯(50mL)及鉑催化劑(10ppm)。將所得混合物加熱至90℃，同時在氮氣氛圍下攪拌，並添加18 g之具有末端三甲基單元且由大約20個稠合二甲基矽烷氧基單元組成之聚二甲基矽氧烷。藉由1 H NMR來監測反應物混合之進程。在反應完成之後，將所得混合物真空溶離以藉由置於140℃下之油浴上持續3小時來移除揮發物，其得到具有57℃之峰值熔點的呈蠟狀固體之經伸芳基醚取代的矽氧烷聚合物(GPC：M n =3000 g/mol；PDI=1.4)。
實例3：攜有Q結構的經聯苯基官能化之聚有機矽氧烷(A3)。
向三頸燒瓶裝入35.5 g之4-(烯丙氧基)-1,1'-聯苯基、甲苯(90mL)及鉑催化劑(15ppm)。將所得混合物加熱至72℃，同時在氮氣氛圍下攪拌，並添加15 g之具有大約4個Q單元及大約8個二甲基氫矽烷氧基單元的聚二甲基矽氧烷。藉由1 H NMR來監測反應物混合之進程。在反應完成之後，將所得混合物真空溶離以藉由置於140℃下之油浴上持續3小時來移除揮發物，其得到呈白色固體之經伸芳基醚取代的矽氧烷樹脂(GPC：M n =1800 g/mol；PDI=1.0)。聚合物具有0.212 W/m.K之T/C及78.4℃之峰值熔點。
實例4：攜有末端甲基的經聯苯基官能化之聚有機矽氧烷(A4)。
向三頸燒瓶裝入55.2 g之4-(烯丙氧基)-1,1'-聯苯基、甲苯(90mL)及鉑催化劑(15ppm)。將所得混合物加熱至72℃，同時在氮氣氛圍下攪拌，並添加30 g之具有末端三甲基矽烷氧基單元、大約23個甲基氫矽烷氧基單元且由大約16個稠合二甲基矽烷氧基單元組成之聚二甲基矽氧烷。藉由1 H NMR來監測反應物混合之進程。在反應完成之後，將所得混合物真空溶離以藉由置於140℃下之油浴上持續3小時來移除揮發物，其得到呈白色固體之經伸芳基醚取代的矽氧烷聚合物(GPC：M n =6400 g/mol；PDI=1.9)。聚合物具有0.194 W/m.K之T/C及55.1℃之峰值熔點。
實例5：攜有T結構的經聯苯基官能化之有機矽氧烷(A5)。
向三頸燒瓶裝入39.4 g之4-(烯丙氧基)-1,1'-聯苯基、甲苯(90mL)及鉑催化劑(15ppm)。將所得混合物加熱至72℃，同時在氮氣氛圍下攪拌，並添加20 g之3-((二甲基矽烷基)氧基)-1,1,5,5-四甲基-3-苯基三矽氧烷。藉由1 H NMR來監測反應物混合之進程。在反應完成之後，將所得混合物真空溶離以藉由置於140℃下之油浴上持續3小時來移除揮發物，其得到呈白色蠟狀固體之經伸芳基醚取代的矽氧烷樹脂(GPC：M n =800 g/mol；PDI=1.0)。聚合物具有0.181 W/m.K之T/C及29.3℃之峰值熔點。
實例6：攜有末端烯丙氧基聯苯基醚基之聚有機矽氧烷(A6)。
向三頸燒瓶裝入7.8 g之4,4'-(二烯丙氧基)-1,1'-聯苯基、甲苯(90mL)及鉑催化劑(15ppm)。將所得混合物加熱至75℃，同時在氮氣氛圍下攪拌，並添加100 g之具有末端二甲基氫矽烷氧基單元且由大約100個稠合二甲基矽烷氧基單元組成之聚二甲基矽氧烷。藉由1 H NMR來監測反應物混合之進程。在反應完成之後，將所得混合物真空溶離以藉由置於140℃下之油浴上持續3小時來移除揮發物，其得到具有96℃之峰值熔點的呈軟質蠟狀材料之經伸芳基醚取代的矽氧烷聚合物(GPC：M n =14600 g/mol；PDI=1.5)。
實例6a：攜有末端聯苯基醚基的經聯苯基官能化之聚有機矽氧烷(A6a)。
向三頸燒瓶裝入26.8g之4-(烯丙氧基)-1,1'-聯苯基、甲苯(90mL)及鉑催化劑(15ppm)。將所得混合物加熱至72℃，同時在氮氣氛圍下攪拌，並添加50 g之具有末端二甲基氫矽烷氧基單元、大約8個甲基氫矽烷氧基單元且由大約48個稠合二甲基矽烷氧基單元組成的聚二甲基矽氧烷。藉由1 H NMR來監測反應物混合之進程。在反應完成之後，將所得混合物真空溶離以藉由置於140℃下之油浴上持續3小時來移除揮發物，其得到呈膠狀材料之經伸芳基醚取代的矽氧烷聚合物(GPC：M n =4500 g/mol；PDI=2.0)。聚合物具有0.192 W/m.K之T/C及24.7℃之峰值熔點。
組合物：
平均粒度介於0.2微米至12微米範圍之氧化鋁填充劑購自Sumitomo，且10微米至120微米之彼等購自Showa Denko。大小範圍介於5微米至350微米及形態之氮化硼(BN)填充劑由Momentive Performance Materials生產。
相變熱介面聚矽氧組合物藉由將如表1中所示之合成實例中獲得之聚合物(A1至A6a)、抗氧化劑、抑制劑、偶合劑及填充劑進行混合來製備。將除填充劑以外之組分混合並加熱高達150℃以使聚合物熔融，且向其添加填充劑並將其充分摻混。將組合物冷卻至室溫，且量測整體熱導率。對照測試(實例10)使用烷基化聚矽氧蠟(B1)作為聚合物。
表1
* 球形形態；0.4 μ至1 μ/2 μ至10 μ/10 μ至120 μ= (20/20/60), ** 0.4 μ至1 μ/2 μ至10 μ/10 μ至120 μ　=　(22/78/0)。
相變熱傳導組合物聚有機矽氧烷(A1至A6a)及球形氧化鋁與具有薄片狀及聚結形態之氮化硼之組合的熱導率結果報告於表2中。


*以重量%計之組合物，**球形形態，#薄片狀形態 ##聚結物形態。
藉由對黏度與溫度進行測試來探測相變聚矽氧組合物3之熱轉變，如報告於表3中。藉由TA Instruments Inc. (DHR-3)流變儀使用平行板幾何結構以剪切率2.5 s-1 來量測黏度。
表3
可列印或可分散組合物
實例22：藉由將2%溶劑摻混至實例9之組合物來製得可列印或可分散組合物。當藉由布氏黏度計(Brookfield viscometer) (LVDV-1 Prime)使用轉軸s64量測時，以10 rpm觀測到52 Pa.s之黏度。
組合物之垂直熱穩定性
實例23：將呈約0.25 mm厚度之2×2 cm大小的組合物塗覆於鋁板。以角度90°將試樣置於維持在特定溫度下之烘箱中持續96小時。若組合物在該條件下不遷移或流動，則視為測試通過。組合物在100℃、120℃、150℃及200℃下通過測試。對照樣品(實例10)在100℃下不合格。
藉由敞口烘烤之組合物的熱穩定性
在將組合物保持在容器中的處於150℃下之烘箱中，且在某一持續時間之後測試硬度。使用ASTM D2240型硬度計(E型)來量測組合物之硬度。當組合物之初始硬度改變小於20%時，視為測試通過。
實例24：保持在設定為150℃下之烘箱中1000小時的實例12之組合物相對於28之初始硬度(肖氏E)具有26之硬度(肖氏E)。
如資料中所示，本聚合物實現組合物之熱導率的提高。如資料中所示，即使填充劑材料之量的較小增加亦可導致熱導率之相對顯著的提高。
雖然以上描述含有許多特殊性，但此等特殊性不應視為對本發明之範疇的限制，而僅作為對其較佳實施例之例示。熟習此項技術者可設想在如由在此隨附之申請專利範圍所限定的本發明之範疇及精神內的許多其他可能變型。

Claims (38)

  1. 一種組合物，其包含： (A)式(I)之聚矽氧聚合物： M1 a M2 b M3 c D1 d D2 e D3 f T1 g T2 h T3 i Qj ， 其中： M1 =R1 R2 R3 SiO1/2 M2 =R4 R5 R6 SiO1/2 M3 =R7 R8 R9 SiO1/2 D1 =R10 R11 SiO2/2 D2 =R12 R13 SiO2/2 D3 =R14 R15 SiO2/2 T1 =R16 SiO3/2 T2 =R17 SiO3/2 T3 =R18 SiO3/2 Q=SiO4/2 其中R1 、R2 、R3 、R5 、R6 、R8 、R9 、R10 、R11 、R13 、R15 、R16 獨立地選自氫、C1 -C60 脂族或芳族基或C1 -C60 烷氧基； R4 、R12 、R17 獨立地選自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基或R19 -A-R20 -，其中A選自包含選自以下各者之不飽和環狀部分之基團：芳族基、官能化芳族基、視情況含有雜原子之稠合芳族基、不飽和脂環基、不飽和雜環基或其兩者或多於兩者之組合；R19 選自-H、C1-C10烷基或視情況含有雜原子之烯丙基或芳基或乙烯基、丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基；且R20 選自二價有機基； R7 、R14 、R18 獨立地選自氫或OR22 或不飽和單價基團，或含有諸如氧、氮、硫之雜原子的基團，或含有有機矽烷基之基團；且 下標a、b、c、d、e、f、g、h、i、j為零或受到以下限制之正值：2≤a+b+c+d+e+f+g+h+i+j≤1000，b+e+h＞0且c+f+i≥0； B)熱傳導填充劑； C)視情況選用之抗氧化劑； D)視情況選用之抑制劑； E)視情況選用之揮發性稀釋劑； F)視情況選用之偶合劑。
  2. 如請求項1之組合物，其中A選自式-A1 -R21 -A2 -之基團，其中A1 及A2 獨立地選自C6至C12芳基、C12-C36稠合芳族環基、C5-C36不飽和脂環基及C5-C36不飽和雜環基；且R21 選自直接鍵、-(CH2 )n -、-C(CH3 )2 -、-O-、-S-、-S(O)2 -、-C(O)-、C(O)-NH-、-NH-C(O)-NH-、C(O)-O-、-CH=N-或-CH=N-N=CH-，其中n為1至10。
  3. 如請求項1之組合物，其中A獨立地選自 。
  4. 如請求項1之組合物，其中R4 、R12 及R17 中之A為。
  5. 如請求項1之組合物，其中R19 為CH2 =CH2 -(CH2 )l-O-且l為0或1。
  6. 如請求項1之組合物，其中R1 、R2 、R3 、R5 、R6 、R8 、R9 、R10 、R11 、R13 、R15 、R16 為甲基。
  7. 如請求項1之組合物，其中R4 、R12 及R17 中之A為。
  8. 如請求項1之組合物，其中R19 選自-H、CH2 =CH2 -(CH2 )l -、CH2 =CH2 -(CH2 )l -O-，其中l為0至10；且R20 選自C2-C10二價烷基、-O-(CH2 )m -或-O-C(O)-(CH2)m -，且m為2至10。
  9. 如請求項1之組合物，其中本發明中之該不飽和單價基團可選自式(I)至式(V)之基團 其中R23 、R28 、R31 、R32 、R35 、R36 、R42 獨立地選自-H、-OH、烷基、烯基、環烷基、具有1至60個碳原子之芳基及脂族/芳族單價烴；R22 、R24 、R25 、R26 、R27 、R29 、R30 、R33 、R34 、R37 、R38 、R39 、R40 、R41 、R43 、R44 、R45 、R46 獨立地選自氫或具有1至60個碳原子之脂族/芳族單價烴；下標n為零或正整數且具有在0至6之範圍內的值；下標o為正整數且具有在1至6之範圍內的值。
  10. 如請求項1之組合物，其中該聚合物具有約400 g/mol至約100000 g/mol之數目平均分子量(Mn)。
  11. 如請求項1之組合物，其中該熱傳導填充劑選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈰、氧化鉿、氧化鑭、氧化釹、氧化釤、氧化鐠、氧化釷、氧化鈾、氧化釔、氧化鋅、氧化鋯、氮氧化矽鋁、硼矽酸鹽玻璃、鈦酸鋇、碳化矽、矽石、碳化硼、碳化鈦、碳化鋯、氮化硼、氮化矽、氮化鋁、氮化鈦、氮化鋯、硼化鋯、二硼化鈦、十二硼化鋁、重晶石(baryte)、硫酸鋇、石棉、重晶石(barite)、矽藻土、長石、石膏、海泡石、高嶺土、雲母、霞石正長岩、珍珠岩、葉蠟石、膨潤石、滑石、蛭石、沸石、方解石、碳酸鈣、矽灰石、偏矽酸鈣、黏土、矽酸鋁、滑石、矽酸鎂鋁、水合氧化鋁、水合氧化鋁、矽石、二氧化矽、二氧化鈦、玻璃纖維、玻璃片、黏土、剝落黏土或其他高縱橫比纖維、棒或片、碳酸鈣、氧化鋅、氧化鎂、二氧化鈦、碳酸鈣、滑石、雲母、矽灰石、氧化鋁、氮化鋁、石墨、石墨烯、鋁粉、銅粉、青銅粉、黃銅粉、碳纖維或碳晶鬚、石墨、碳化矽、氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鋅、碳奈米管、氮化硼奈米片、氧化鋅奈米管或其兩者或多於兩者之組合。
  12. 如請求項11之組合物，其中該熱傳導填充劑具有約0.01 µm至約500 µm之平均粒度。
  13. 如請求項1之組合物，其中該熱傳導填充劑選自複數種填充劑材料。
  14. 如請求項1之組合物，其中該熱傳導填充劑選自：第一填充劑，其具有約0.01 µm至約0.9 µm之平均粒度；第二填充劑，其具有約1 µm至約10 µm之平均粒度；第三填充劑，其具有約15 µm至約150 µm之平均粒度；及視情況選用之第四填充劑，其具有約100 µm至約400 µm之平均粒度。
  15. 如請求項1之組合物，其包含約10體積%至約90體積%之該第一填充劑及約90體積%至約10體積%之該第二填充劑。
  16. 如請求項1之組合物，其中該熱傳導填充劑包含(i)第一填充劑，及(ii)第二填充劑，其中該第一填充劑及/或該第二填充劑中之至少一者包含就粒度及/或形態而言彼此不同之複數個填充劑類型。
  17. 如請求項16之組合物，其中該第一填充劑及該第二填充劑獨立地選自金屬氧化物填充劑及非氧化物填充劑。
  18. 如請求項17之組合物，其中該非氧化物填充劑選自金屬硼化物、金屬碳化物、金屬氮化物、金屬矽化物、碳黑、石墨、膨脹石墨、碳纖維或石墨纖維或其兩者或多於兩者之組合。
  19. 如請求項16之組合物，其中該等複數個填充劑類型獨立地具有約0.3微米至約350微米之平均粒度，該複數個填充劑類型具有彼此不同之平均粒度。
  20. 如請求項16之組合物，其中該複數個填充劑類型具有彼此不同之形態，該形態選自球形、薄片狀、聚結物、球形聚結物及石墨。
  21. 如請求項16之組合物，其中該第一填充劑選自氧化鋁，且該第二填充劑選自氮化硼。
  22. 如請求項21之組合物，其中該氧化鋁包含複數個填充劑類型。
  23. 如請求項22之組合物，其中該複數個填充劑類型具有彼此不同之平均粒度。
  24. 如請求項22之組合物，其中該複數個填充劑類型具有彼此不同之形態。
  25. 如請求項21之組合物，其中該氧化鋁及該氮化硼各自包含該複數個填充劑類型。
  26. 如請求項1之組合物，其中該組合物具有30℃至120℃之相變溫度。
  27. 如請求項1之組合物，其中該組合物具有在2 W/m.K至18 W/m.K之範圍內的熱導率。
  28. 如請求項1之組合物，其中該組合物具有直至200℃持續1500小時之熱穩定性。
  29. 如請求項1之組合物，其呈熱油脂、黏著劑、熱凝膠、灌封材料或間隙填充劑材料之形式。
  30. 一種包含如請求項1之組合物的製品，該組合物安置於該製品之表面的至少一部分上。
  31. 如請求項30之製品，其中該製品包含多個層，且該組合物安置於該等層中之至少兩者之間的表面上。
  32. 如請求項30之製品，其中該製品為電子製品、汽車製品、家用電器製品、智慧型電器製品、電信製品、健康護理製品、個人護理製品、農業製品、模製品、砌體表面、紡織材料、家用護理材料。
  33. 如請求項30之製品，其中該製品包含發光器件、電腦器件、經堆疊晶粒、行動電話、平板電腦、覆晶型封裝、混合記憶立方體、觸摸螢幕、Wi-Fi器件、汽車技術hifi系統、矽通孔器件及音訊系統，在太陽能加熱板中之加熱管道與儲水槽之間的接合部中、在燃料電池及風力發電機中、在電腦晶片、遊戲控制台、資料傳送器件之製造中、在光器件、電池組中、在殼體、冷卻器、熱量交換器件、電線、電纜、加熱絲、冰箱、洗碗機、空氣調節、蓄電池、變壓器、雷射器、功能性服飾、汽車座椅、醫療器件、防火、電動馬達、飛機及列車中，作為3D列印材料之長絲、藥物遞送系統、經皮貼片、傷口癒合貼片、創口包紮貼片、用於疤痕減輕之貼片、經皮離子導入療法、組織工程改造之架構、抗微生物器件、創口處理器件、眼科器件、生物插入物、假體、身體植入物、塗料、結構性塗層、砌體塗層或船舶塗層、晶種塗層、超鋪展劑或控制釋放肥料。
  34. 一種製備如請求項30之製品的方法，該方法包含在壓力下分配或模板列印或網板列印或噴射列印或3D列印。
  35. 如請求項30之製備製品之方法，其中該組合物之厚度為0.01 mm至15 cm。
  36. 一種個人護理產品，其包含如請求項1之組合物。
  37. 如請求項36之個人護理產品，其呈以下各者之形式：止汗劑/除臭劑、剃鬚產品、皮膚乳劑、保濕劑、爽膚水、浴液產品、清潔產品、洗髮劑、潤髮乳、組合洗髮劑/潤髮乳、清潔慕絲、定型髮膠、頭髮噴霧、頭髮染料、染髮產品、頭髮漂白劑、燙髮產品、直髮膏、指甲拋光劑、指甲拋光移除劑、指甲乳膏或乳劑、角皮軟化劑、防曬劑、驅蟲劑、抗衰老產品、唇彩、粉底、面部粉劑、眼線、眼影、腮紅、彩妝、睫毛膏、保濕製劑、粉底、身體及手部製劑、皮膚護理製劑、面部及頸部製劑、補劑、敷料、頭髮梳理助劑、氣溶膠定型劑、芳香製劑、鬚後水、彩妝製劑、軟焦應用、夜間及日間皮膚護理製劑、非染髮製劑、鞣製劑、合成及非合成性皂條、洗手液、鼻貼、用於個人護理之不織布應用、嬰兒乳劑、嬰兒洗髮劑、嬰兒潤髮乳、剃鬚製劑、黃瓜片、皮膚墊片、彩妝移除劑、面部清潔產品、冷霜、防曬產品、汽酒、面膜泥、面膜、古龍水及花露水、髮膜塗液、沐浴露、面部及身體清潔劑、個人護理沖洗產品、凝膠、泡沫浴液、擦洗清潔劑、收斂劑、指甲油、眼影棒、用於面部或眼部之粉劑、唇膏、唇蜜、頭髮護理泵抽噴霧、頭髮毛躁控制髮膠、免沖洗潤髮乳、髮油、頭髮柔順劑產品、頭髮定型劑、頭髮漂白產品、皮膚乳劑、預剃鬚劑及預電動剃鬚劑、無水霜及乳劑、油/水乳液、水/油乳液、防水乳霜或乳劑、抗痤瘡製劑、口腔清洗劑、按摩油、牙膏、清潔膠或清潔棒、軟膏基劑、局部創口癒合產品、氣溶膠滑石、障壁噴霧、維生素及抗衰老製劑、草藥提取製劑、浴鹽、浴液及身體乳、頭髮定型助劑、頭髮軟質固體塗覆劑、眼部軟質固體塗覆劑、指甲軟質固體塗覆劑及皮膚軟質固體塗覆劑、長效個人護理產品、潤髮薄霧、皮膚護理保濕薄霧、皮膚擦拭劑、毛孔擦拭劑、毛孔清潔劑、袪瑕劑、皮膚去角質劑、皮膚脫屑強化劑、皮膚濕紙巾或織物、脫毛製劑或個人護理潤滑劑。
  38. 一種用於製備如請求項1之組合物之方法，該方法包含： a)提供式(I)之聚矽氧聚合物 M1 a M2 b M3 c D1 d D2 e D3 f T1 g T2 h T3 i Qj ， 其中： M1 =R1 R2 R3 SiO1/2 M2 =R4 R5 R6 SiO1/2 M3 =R7 R8 R9 SiO1/2 D1 =R10 R11 SiO2/2 D2 =R12 R13 SiO2/2 D3 =R14 R15 SiO2/2 T1 =R16 SiO3/2 T2 =R17 SiO3/2 T3 =R18 SiO3/2 Q=SiO4/2 其中R1 、R2 、R3 、R5 、R6 、R8 、R9 、R10 、R11 、R13 、R15 、R16 獨立地選自氫、C1 -C60 脂族或芳族基或C1 -C60 烷氧基； R4 、R12 、R17 獨立地選自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基或R19 -A-R20 -，其中A選自包含選自以下各者之不飽和環狀部分之基團：芳族基、稠合芳族基、不飽和脂環基、不飽和雜環基或其兩者或多於兩者之組合；R19 選自-H、C1-C10烷基、烯丙基、乙烯基、烷氧基、烯丙氧基、乙烯基氧基、丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基；且R20 選自二價有機基； R7 、R14 、R18 獨立地選自氫或OR22 或不飽和單價基團，或含有諸如氧、氮、硫之雜原子的基團，或含有有機矽烷基之基團；且 下標a、b、c、d、e、f、g、h、i、j為零或受到以下限制之正值：2≤a+b+c+d+e+f+g+h+i+j≤1000，b+e+h＞0且c+f+i≥0； b)視情況將抑制劑、抗氧化劑、偶合劑或其組合添加至(a)中； c)將熱傳導填充劑添加至混合物中； d)視情況在添加該熱填充劑之前或之後添加揮發性稀釋劑。
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