TW201940347A - 加工品之製造方法及黏著性層合體 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種加工品之製造方法，其係使用黏著性層合體，製造施以切削及研削之至少一種加工之加工品的方法，前述黏著性層合體具備：具有基材(Y1)及黏著劑層(X1)，且於任一層含有熱膨脹開始溫度(t)之熱膨脹性粒子的熱膨脹性之黏著薄片(I)，以及，具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著薄片(II)，且其係由黏著薄片(I)與黏著薄片(II)之基材(Y2)直接層合而成，
前述製造方法依序具有下述步驟(1)～(3)，
・步驟(1)：將前述黏著性層合體之黏著劑層(X1)之表面貼附於支撐體，同時於前述黏著性層合體之黏著劑層(X2)之表面貼附加工對象物的步驟；
・步驟(2)：對前述加工對象物施以一以上之加工的步驟；
・步驟(3)：藉由於前述熱膨脹性粒子之熱膨脹開始溫度(t)以上之加熱，一邊維持前述加工對象物貼附於前述黏著性層合體之黏著劑層(X2)之表面的狀態，一邊將前述黏著性層合體於黏著薄片(I)與黏著薄片(II)之基材(Y2)之界面P分離的步驟；
進而，具有下述步驟(4)，
・步驟(4)：對前述加工對象物之與黏著劑層(X2)之貼附面相反側之表面施以切削及研削之至少一種加工的步驟；
前述步驟(4)係於下述(X)及(Y)之至少一者中實施，
(X)：作為前述一以上之加工於前述步驟(2)中實施；
(Y)：於前述步驟(3)之後實施。

Description

加工品之製造方法及黏著性層合體
本發明係關於施予切削及研削中至少一種的加工之加工品的製造方法，以及使用該製造方法的黏著性層合體。
黏著薄片不僅使用於使構件進行半永久性固定的用途上，有著將建材、內裝材及電子零件等進行加工或檢查時，使用將作為對象的構件進行暫時性固定時的暫時固定用途上的情況。
對於如此暫時固定用途之黏著薄片，被要求必須兼具使用時的接著性與使用後的剝離性。
例如，專利文獻1中揭示，於基材的至少單面上，設置含有熱膨脹性微小球的熱膨脹性黏著層之電子零件切斷時的暫時固定用之加熱剝離型黏著薄片。
該加熱剝離型黏著薄片對於熱膨脹性黏著層的厚度，調整熱膨脹性微小球之最大粒徑，將加熱前的熱膨脹性黏著層之表面中心線平均粗度調整在0.4μm以下。
於專利文獻1中記載，該加熱剝離型黏著薄片於電子零件切斷時時，欲確保與黏著體的接觸面積，可發揮防止晶片飛出等接著不良的接著性，另一方面，於使用後，經加熱使熱膨脹性微小球膨脹，減少與黏著體的接觸面積時，可容易地剝離的內容。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]專利第3594853號公報
[發明所解決的問題]
使用專利文獻1所記載的黏著薄片的加工步驟中，將使用黏著薄片進行加工的對象物(以下亦稱為「加工對象物」)做暫時固定，對於加工對象物施予所定加工後，該加工對象物從黏著薄片進行分離。
然而，特別對於電子零件等製造，含有將加工對象物進行切削的步驟及進行研削的步驟中至少一種步驟，經過複數個加工步驟者為多。
因此，例如對於在黏著薄片進行暫時固定的加工對象物，將該加工對象物實施進行切削的步驟及進行研削的步驟中至少一種加工步驟後，該加工對象物自黏著薄片分離，經分離的加工對象物貼附於新黏著薄片上，提供於下個步驟。
又，對於在黏著薄片上暫時固定的加工對象物，亦有將該加工對象物實施進行切削的步驟及進行研削的步驟以外之加工步驟後，加工對象物自黏著薄片分離，經分離的加工對象物貼附於新黏著薄片，將加工對象物實施進行切削的步驟及進行研削的步驟的至少一種加工步驟者。
然而，在如上述程序製造製品時，不僅會使作業變的煩雜，其與製品的生產性降低有關。因此可望確立一種可抑制作業煩雜性以外，亦可提高製品之生產性的方法。
本發明為提供以下發明為目的，該發明為將加工對象物固定在支撐體上，對於該加工對象物實施加工後，將該加工對象物以微弱力量自支撐體可一次容易地分離，且作為自支撐體分離的該加工對象物貼附於黏著薄片的狀態，可提供於下個步驟之加工上，該加工對象物自支撐體分離前後的至少任一時間點，可進行該加工對象物的切削及研削之至少一種加工，施予切削及研削之至少一種加工之加工品的製造方法，以及使用於施予切削及研削之至少一種加工的加工品之製造的黏著性層合體。

[解決課題的手段]
本發明者們，發現藉由一種加工品之製造方法，其係使用黏著性層合體，製造施以切削及研削之至少一種加工之加工品的方法，可解決上述課題，前述黏著性層合體具備：具有基材及黏著劑層，且於任一層具有含有熱膨脹性粒子之層，熱膨脹性之黏著薄片(I)與具有基材及黏著劑層的黏著薄片(II)，其中黏著薄片(I)與黏著薄片(II)的基材直接層合而成者。
即，本發明係關於以下[1]～[17]。
[1]一種加工品之製造方法，其係使用黏著性層合體，製造施以切削及研削之至少一種加工之加工品的方法，前述黏著性層合體具備：具有基材(Y1)及黏著劑層(X1)，且於任一層含有熱膨脹開始溫度(t)之熱膨脹性粒子的熱膨脹性之黏著薄片(I)，以及，具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著薄片(II)，且其係由黏著薄片(I)與黏著薄片(II)之基材(Y2)直接層合而成，前述製造方法依序具有下述步驟(1)～(3)，
步驟(1)：將前述黏著性層合體之黏著劑層(X1)之表面貼附於支撐體，同時於前述黏著性層合體之黏著劑層(X2)之表面貼附加工對象物的步驟；
步驟(2)：對前述加工對象物施以一以上之加工的步驟；
步驟(3)：藉由於前述熱膨脹性粒子之熱膨脹開始溫度(t)以上之加熱，一邊維持前述加工對象物貼附於前述黏著性層合體之黏著劑層(X2)之表面的狀態，一邊將前述黏著性層合體於黏著薄片(I)與黏著薄片(II)之基材(Y2)之界面P分離的步驟；
進而，具有下述步驟(4)，
步驟(4)：對前述加工對象物之與黏著劑層(X2)之貼附面相反側之表面施以切削及研削之至少一種加工的步驟；
前述步驟(4)係於下述(X)及(Y)之至少一者中實施，
(X)：作為前述一以上之加工於前述步驟(2)中實施；
(Y)：於前述步驟(3)之後實施。
[2]如[1]之製造方法，其中前述熱膨脹性粒子之熱膨脹開始溫度(t)為60～270℃。
[3]如[1]或[2]之製造方法，其中黏著薄片(I)所具有之基材(Y1)，具有含有前述熱膨脹性粒子之熱膨脹性基材層(Y1-1)。
[4]如[3]之製造方法，其中黏著薄片(I)所具有之基材(Y1)，具有熱膨脹性基材層(Y1-1)與非熱膨脹性基材層(Y1-2)。
[5]如[3]或[4]之製造方法，其中黏著薄片(I)所具有之基材(Y1)之熱膨脹性基材層(Y1-1)，與黏著薄片(II)之基材(Y2)直接層合而成。
[6]如[3]～[5]中任一項之製造方法，其中黏著薄片(I)具有藉由第1黏著劑層(X11)及第2黏著劑層(X12)夾持基材(Y1)的構成，
具有黏著薄片(I)之第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)之基材(Y2)直接層合的構成，
黏著薄片(I)之第2黏著劑層(X12)之表面，係貼附於前述支撐體的面。
[7]如[1]或[2]之製造方法，其中第1黏著劑層(X11)為含有前述熱膨脹性粒子之熱膨脹性黏著劑層，
第2黏著劑層(X12)為非熱膨脹性黏著劑層，
具有黏著薄片(I)之第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)之基材(Y2)直接層合的構成，
黏著薄片(I)之第2黏著劑層(X12)之表面，係貼附於前述支撐體的面。
[8]如[6]或[7]之製造方法，其中基材(Y1)之層合有第1黏著劑層(X11)之側的表面，係施以易接著處理的表面。
[9]如[1]～[8]中任一項之製造方法，其中基材(Y2)之層合有黏著薄片(I)之側的表面，係施以剝離處理的表面。
[10]如[1]～[9]中任一項之製造方法，其中黏著薄片(II)在基材(Y2)與黏著劑層(X2)之間，具有中間層(Z2)。
[11]如[1]～[10]中任一項之製造方法，其中黏著薄片(II)之黏著劑層(X2)，係能量線硬化型之黏著劑層。
[12]如[1]～[11]中任一項之製造方法，其中黏著薄片(II)滿足1以上之下述要件(α)～(γ)，
・要件(α)：基材(Y2)之楊氏模數為1.0MPa以上；
・要件(β)：基材(Y2)之厚度為5μm以上；
・要件(γ)：黏著劑層(X2)之儲存模數G’(23℃)為0.1MPa以上。
[13]如[1]～[12]中任一項之製造方法，其中前述加工對象物為半導體晶圓，
前述步驟(2)中之前述一以上之加工包含下述步驟(2-A)，
步驟(2-A)：於前述半導體晶圓，形成成為分割起點之改質區域的步驟；
前述步驟(4)為下述步驟(4-A)，
步驟(4-A)：對前述半導體晶圓之與黏著劑層(X2)之貼附面相反側之表面施以研削的步驟；
前述步驟(4-A)係於下述(X-A)或(Y-A)中實施，
(X-A)：作為前述一以上之加工於前述步驟(2-A)之後實施；
(Y-A)：於前述步驟(3)之後實施。
[14]如[1]～[12]中任一項之製造方法，其中前述加工對象物為半導體晶片，
前述步驟(2)中之前述一以上之加工包含下述步驟(2-B)，
步驟(2-B)：將前述半導體晶片，與黏著劑層(X2)之黏著表面中之前述半導體晶片之周邊部，以封裝材被覆，使該封裝材硬化，得到前述半導體晶片經封裝於硬化封裝材而成之硬化封裝體的步驟；
前述步驟(4)係於下述(X-B)及(Y-B)之至少一者中實施，
(X-B)：作為前述一以上之加工於前述步驟(2-B)之後實施；
(Y-B)：於前述步驟(3)之後實施。
[15]如[1]～[12]中任一項之製造方法，其中前述加工對象物為具有成為分割起點之改質區域的半導體晶圓，
前述步驟(4)為下述步驟(4-A)，
步驟(4-A)：對前述半導體晶圓之與黏著劑層(X2)之貼附面相反側之表面實施研削的步驟。
[16]如[1]～[12]中任一項之製造方法，其中前述加工對象物為具有成為分割起點之切入溝的半導體晶圓，
前述步驟(1)為下述步驟(1-C)，前述步驟(4)為下述步驟(4-C)，
步驟(1-C)：將前述黏著性層合體之黏著劑層(X1)之表面貼附於支撐體，同時於前述黏著性層合體之黏著劑層(X2)之表面貼附前述半導體晶圓之具有切入溝之面的步驟；
步驟(4-C)：對前述半導體晶圓之與黏著劑層(X2)之貼附面相反側之表面實施研削的步驟。
[17]一種用以製造施以切削及研削之至少一種加工之加工品的黏著性層合體，其具備：具有基材(Y1)及黏著劑層(X1)，且於任一層含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性之黏著薄片(I)，以及，具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著薄片(II)，且其係由黏著薄片(I)與黏著薄片(II)之基材(Y2)直接層合而成。

[發明之效果]
依據本發明提供，將加工對象物固定於支撐體，對於該加工對象物實施加工後，可將該加工對象物以微弱力量自支撐體一次地容易地分離，且可以將自支撐體分離的該加工對象物貼附於黏著薄片的狀態而提供於下個步驟之加工，在自該加工對象物之支撐體的分離前後之至少一種時間點，可進行該加工對象物之切削及研削之至少一種加工的施予切削及研削之至少一種加工的加工品之製造方法，以及使用於施予切削及研削之至少一種加工的加工品之製造的黏著性層合體。
對於本說明書，「層」表示「非熱膨脹性層」或表示「熱膨脹性層」，可藉由以下進行判斷。
將作為對象的層，以於含有熱膨脹性粒子的層中所含的熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)進行3分鐘加熱處理。由下述式所算出的體積變化率未達5%時，該層判斷為「非熱膨脹性層」，若為5%以上時，該層判斷為「熱膨脹性層」。
・體積變化率(%)＝{(加熱處理後之前述層的體積-加熱處理前之前述層的體積)/加熱處理前之前述層的體積}×100
且，未含有熱膨脹性粒子的層為「非熱膨脹性層」。
本說明書中，所謂「有效成分」表示，於作為對象的組成物中所含有的成分中除去稀釋溶劑的成分。
對於本說明書，質量平均分子量(Mw)為藉由凝膠滲透層析法(GPC)法所測定的標準聚苯乙烯換算之值，具體為依據實施例所記載的方法而測定的值。
對於本說明書，例如「(甲基)丙烯酸」表示「丙烯酸」與「甲基丙烯酸」之雙方，其他類似用語亦相同。
對於本說明書，對於較佳數值範圍(例如含有量等範圍)，以段階方式記載的下限值及上限值可各獨立組合。例如，由如「以10～90為佳，較佳為30～60」的記載可得知，可組合「下限值(10)為佳」與「較佳為上限值(60)」成為「10～60」。
[加工品之製造方法]
本發明之加工品的製造方法為，其係使用黏著性層合體，製造施以切削及研削之至少一種加工之加工品的方法，前述黏著性層合體具備：具有基材(Y1)及黏著劑層(X1)，且於任一層含有熱膨脹開始溫度(t)之熱膨脹性粒子的熱膨脹性之黏著薄片(I)，以及，具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著薄片(II)，且其係由黏著薄片(I)與黏著薄片(II)之基材(Y2)直接層合而成，
前述製造方法依序具有下述步驟(1)～(3)，
・步驟(1)：將前述黏著性層合體之黏著劑層(X1)之表面貼附於支撐體，同時於前述黏著性層合體之黏著劑層(X2)之表面貼附加工對象物的步驟；
・步驟(2)：對前述加工對象物施以一以上之加工的步驟；
・步驟(3)：藉由於前述熱膨脹性粒子之熱膨脹開始溫度(t)以上之加熱，一邊維持前述加工對象物貼附於前述黏著性層合體之黏著劑層(X2)之表面的狀態，一邊將前述黏著性層合體於黏著薄片(I)與黏著薄片(II)之基材(Y2)之界面P分離的步驟；
進而，具有下述步驟(4)，
・步驟(4)：對前述加工對象物之與黏著劑層(X2)之貼附面相反側之表面施以切削及研削之至少一種加工的步驟；
前述步驟(4)係於下述(X)及(Y)之至少一者中實施，
(X)：作為前述一以上之加工於前述步驟(2)中實施；
(Y)：於前述步驟(3)之後實施。
以下，對於使用於本發明之製造方法的黏著性層合體進行說明後，對於含有步驟(1)～(4)之各製造步驟進行說明。
[黏著性層合體之構成]
使用於本發明之製造方法的黏著性層合體為具有基材(Y1)及黏著劑層(X1)，於任一層中含有熱膨脹性粒子，具備熱膨脹性的黏著薄片(I)與具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)的黏著薄片(II)，黏著薄片(I)與黏著薄片(II)的基材(Y2)以直接層合而成，使用於對於加工對象物施予所定加工時將加工對象物固定於支撐體上。
對於本說明書，所謂所定的加工表示本發明之製造方法中之步驟(2)的加工之意思。且，本發明中，作為步驟(2)中之一以上的加工之一而可實施步驟(4)。因此，所定的加工中，亦含有本發明之製造方法中的步驟(4)。
對於使用於本發明之製造方法的黏著性層合體，黏著薄片(I)的黏著劑層(X1)之表面為貼附支撐體的面。黏著薄片(I)具有第1黏著劑層(X11)與第2黏著劑層(X12)時，第2黏著劑層(X12)的表面為貼附支撐體的面，第1黏著劑層(X11)的表面為層合於黏著薄片(II)的基材(Y2)側之面。又，黏著薄片(II)的黏著劑層(X2)之表面為貼附加工對象物的面。
而使用於本發明之製造方法的黏著性層合體為，藉由在熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上的溫度下之加熱處理，可以黏著薄片(I)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P進行分離。以下說明中，將該加熱處理亦稱為「分離用加熱處理」。
圖1～3故表示使用於本發明之製造方法的第一態樣、第二態樣及第三態樣之黏著性層合體的構成之截面模式圖。
＜第一態樣之黏著性層合體＞
作為使用於本發明之製造方法的第一態樣之黏著性層合體，例如可舉出圖1(a)、(b)所示的黏著性層合體1a、1b。
黏著性層合體1a、1b為具備具有基材(Y1)及黏著劑層(X1)的黏著薄片(I)與具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)的黏著薄片(II)，具有黏著薄片(I)的基材(Y1)與黏著薄片(II)的基材(Y2)以直接層合方式的構成。
使用於本發明之製造方法的黏著性層合體為，欲藉由分離用加熱處理可在界面P進行分離，將黏著薄片(I)中任一層作為含有熱膨脹性粒子的層。
使用於本發明之製造方法的黏著性層合體為，藉由分離用加熱處理，使熱膨脹性粒子膨脹，於含有熱膨脹性粒子的層之表面上產生凹凸。藉此，黏著薄片(I)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之接觸面積減少。
其結果，於黏著薄片(II)的黏著劑層(X2)之表面上貼附加工對象物，施予所定加工後，藉由在黏著薄片(I)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P進行分離，可得到施予所定加工的貼附於黏著薄片(II)的狀態之加工對象物。
因此，所謂本發明之製造方法為，隔著上述黏著性層合體將加工對象物固定於支撐體上而實施所定加工之同時，可將施予所定加工的加工對象物以微弱力量自支撐體一次容易地分離。且自支撐體分離的加工對象物係以作為貼附於黏著薄片(II)的狀態下，可直接提供於下個步驟。
因此，將施予所定加工的分離後之加工對象物貼附於新黏著薄片的作業變的不需要進行，可提高作業性及製品之生產性。
對於本發明之第一態樣，基材(Y1)如圖1所示的黏著性層合體1a、1b，具有含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性基材層(Y1-1)者為佳。
且，基材(Y1)係如圖1(a)所示黏著性層合體1a，可為僅具有含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性基材層(Y1-1)之單層構成。又，基材(Y1)係如圖1(b)所示黏著性層合體1b，可為具有熱膨脹性基材層(Y1-1)與非熱膨脹性基材層(Y1-2)的複層構成。
圖1(a)所示黏著性層合體1a為藉由分離用加熱處理，使含於構成基材(Y1)的熱膨脹性基材層(Y1-1)的熱膨脹性粒子膨脹，於基材(Y1)的黏著薄片(II)側之表面上產生凹凸，減少基材(Y1)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之接觸面積。
另一方面，具有黏著性層合體1a的黏著劑層(X1)因與支撐體貼附，於基材(Y1)的黏著劑層(X1)側之表面上難形成凹凸。藉此，於與黏著薄片(II)連接的基材(Y1)的表面上可有效率地形成凹凸。
其結果，黏著性層合體1a為在黏著薄片(I)的基材(Y1)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P上，施予微弱力量即可一次容易地分離。
且，可設計為藉由將具有黏著性層合體1a的黏著劑層(X1)係由欲對於支撐體的黏著力提高而自黏著劑組成物所形成，在界面P可更容易地分離。
又，圖1(b)所示黏著性層合體1b為，藉由分離用加熱處理，含於構成基材(Y1)的熱膨脹性基材層(Y1-1)之熱膨脹性粒子會膨脹，於基材(Y1)的黏著薄片(II)側之表面上產生凹凸，基材(Y1)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之接觸面積減少。
另一方面，構成基材(Y1)的非熱膨脹性基材層(Y1-2)為，因藉由加熱處理的膨脹程度為小，故於基材(Y1)的黏著劑層(X1)側之表面上難形成凹凸。藉此，可於基材(Y1)的黏著薄片(II)側之表面上有效率地形成凹凸。
其結果，黏著性層合體1b為，在黏著薄片(I)的基材(Y1)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P，可施予微弱力量即可一次容易地分離。
且，與黏著性層合體1a的情況同樣地，可設計為藉由將黏著性層合體1b所具有的黏著劑層(X1)，欲提高對於支撐體的黏著力而由黏著劑組成物所形成時，在界面P可更容易地分離。
由上述觀點來看，對於本發明之第一態樣，如圖1(b)所示黏著性層合體1b，基材(Y1)為於一方表面側上具有熱膨脹性基材層(Y1-1)，於另一方表面側上具有非熱膨脹性基材層(Y1-2)者為佳。
又，對於本發明之第一態樣，由作為可在界面P施予微弱力量即可容易地一次分離的黏著性層合體之觀點來看，黏著性層合體1a、1b中，黏著薄片(I)所具有的基材(Y1)之熱膨脹性基材層(Y1-1)與黏著薄片(II)之基材(Y2)為直接層合之構成者為佳。
＜第二態樣之黏著性層合體＞
作為使用於本發明之製造方法的第二態樣之黏著性層合體，例如可舉出圖2(a)、(b)所示黏著性層合體1c、1d。
黏著性層合體1c、1d中，黏著薄片(I)具有藉由第1黏著劑層(X11)及第2黏著劑層(X12)夾持基材(Y1)的構成，黏著薄片(I)的第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)的基材(Y2)具有以直接層合之構成。
且，對於黏著性層合體1c、1d，第2黏著劑層(X12)的表面成為與支撐體貼附的面。
對於本發明之第二態樣，基材(Y1)如圖2所示黏著性層合體1c、1d，具有含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性基材層(Y1-1)者為佳。
且，基材(Y1)為如圖2(a)所示黏著性層合體1c，可僅具有含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性基材層(Y1-1)之單層構成。又，基材(Y1)如圖2(b)所示黏著性層合體1d，亦可為具有熱膨脹性基材層(Y1-1)與非熱膨脹性基材層(Y1-2)的複層構成。
又，基材(Y1)若為具有熱膨脹性基材層(Y1-1)與非熱膨脹性基材層(Y1-2)的複層構成時，熱膨脹性基材層(Y1-1)配置於黏著薄片(II)側，非熱膨脹性基材層(Y1-2)則配置於第2黏著劑層(X12)側者為佳。
圖2(a)所示黏著性層合體1c為，藉由分離用加熱處理，使構成基材(Y1)的熱膨脹性基材層(Y1-1)中之熱膨脹性粒子膨脹，於基材(Y1)的第1黏著劑層(X11)側的表面上產生凹凸。而藉由於基材(Y1)的表面上所產生的凹凸，亦可使第1黏著劑層(X11)推上，於第1黏著劑層(X11)的黏著薄片(II)側之表面上亦形成凹凸。藉此，第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之接觸面積減少。
另一方面，於第2黏著劑層(X12)上因貼附支撐體，故於基材(Y1)的第2黏著劑層(X12)側之表面上難形成凹凸。因此，於基材(Y1)的第1黏著層(X11)側之表面上可有效率地形成凹凸，於第1黏著層(X11)的黏著薄片(II)之表面上可有效率地形成凹凸。
其結果，黏著性層合體1c中，以黏著薄片(I)的第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P，可以微弱的力量一次地容易地分離。
且，可設計成將黏著性層合體1c所具有的第2黏著劑層(X12)，藉由欲使對於支撐體的黏著力提高而由黏著劑組成物形成時，在界面P可更容易地分離。
又，圖2(b)所示黏著性層合體1d為藉由分離用加熱處理，於構成基材(Y1)的熱膨脹性基材層(Y1-1)所含的熱膨脹性粒子膨脹，於基材(Y1)的第1黏著劑層(X11)側之表面上產生凹凸。而藉由於基材(Y1)的表面所產生的凹凸，第1黏著劑層(X11)亦被壓上，於第1黏著劑層(X11)的黏著薄片(II)側之表面亦形成凹凸。藉此，第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之接觸面積減少。
另一方面，構成基材(Y1)的非熱膨脹性基材層(Y1-2)因藉由加熱處理可使膨脹程度變小，故於基材(Y1)的第2黏著劑層(X12)側之表面上難形成凹凸。藉此，於基材(Y1)的第1黏著劑層(X11)側之表面上凹凸可有效率地形成。
其結果，黏著性層合體1d中，以黏著薄片(I)的基材(Y1)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P，可以微弱力量一次容易地分離。
且，與黏著性層合體1c的情況相同下，可設計為將黏著性層合體1d所具有的第2黏著劑層(X12)，藉由欲使對支撐體的黏著力提高的黏著劑組成物所形成，在界面P可更容易地分離。
其中，對於本發明之第二態樣，由作為亦在界面P可以微弱力量一次容易地分離的黏著性層合體之觀點來看，黏著性層合體1c、1d中，黏著薄片(I)所具有的基材(Y1)的熱膨脹性基材層(Y1-1)與第1黏著劑層(X11)以直接層合的構成者為佳。此時，進一步以第1黏著劑層(X11)與樹脂膜形成用薄片(II)的基材(Y2)以直接層合的構成者為更佳。
＜第三態樣之黏著性層合體＞
使用於本發明之製造方法的第一態樣之黏著性層合體1a、1b、第二態樣之黏著性層合體1c、1d中皆將基材(Y1)作為所構成的層之一，含有具有熱膨脹性粒子之層者。
另一方面，作為使用於本發明之製造方法的第三態樣之黏著性層合體，於黏著薄片(I)的基材(Y1)的界面P側之表面上，設置含有前述熱膨脹性粒子的熱膨脹性黏著劑層，於基材(Y1)的另一表面上，設有非熱膨脹性黏著劑層之構成亦可。
作為如此態樣，例如可舉出如圖3所示黏著性層合體2中，黏著薄片(I)具有藉由第1黏著劑層(X11)及第2黏著劑層(X12)夾持基材(Y1)的構成，第1黏著劑層(X11)為含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性黏著劑層，第2黏著劑層(X12)為非熱膨脹性黏著劑層，具有黏著薄片(I)的第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)的基材(Y2)直接層合的構成。
且，對於如黏著性層合體2的上述構成，第2黏著劑層(X12)的表面為與支撐體的貼附面。
又，對於如黏著性層合體2的上述構成，基材(Y1)係以非熱膨脹性基材者為佳。
對於圖3所示黏著性層合體2，藉由分離用加熱處理，於第1黏著劑層(X11)的熱膨脹性黏著劑層之表面上產生凹凸，第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之接觸面積減少。
另一方面，第1黏著劑層(X11)的基材(Y1)側之表面因非熱膨脹性基材之基材(Y1)進行層合，故難產生凹凸。因此，第1黏著劑層(X11)的黏著薄片(II)側之表面上可有效率地形成凹凸。
其結果，黏著性層合體2為，在黏著薄片(I)的第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P，可以微弱力量一次容易地分離。
＜具有剝離材的黏著性層合體之構成＞
對於使用於本發明之製造方法的一態樣之黏著性層合體，於貼附支撐體的黏著劑層(X1)的表面及貼附加工對象物的黏著劑層(X2)的表面之一方或雙方上，可進一步作為使剝離材進行層合的構成。
又，例如對於圖1(a)、(b)所示黏著性層合體1a、1b，於黏著劑層(X1)及黏著劑層(X2)的一方之黏著表面上，將於兩面施予剝離處理的剝離材進行層合者，可捲成捲筒狀的構成。對於圖2(a)、(b)所示黏著性層合體1c、1d、圖3所示黏著性層合體2，亦可同樣地捲成捲筒狀之構成。
[黏著性層合體之各種物性]
使用於本發明之製造方法的一態樣之黏著性層合體，藉由在熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上的溫度之加熱處理，在黏著薄片(I)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P，可以微弱力量一次容易地分離。
其中，對於本發明之一態樣的黏著性層合體，藉由在熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上的溫度下進行之加熱處理，作為在界面P之分離時的剝離力(F1 )，通常為0～2000mN/25mm，以0～1000mN/25mm為佳，較佳為0～150mN/25mm，更佳為0～100mN/25mm，較更佳為0～50mN/25mm。
且，當剝離力(F1 )為0mN/25mm時，即使以實施例所記載的方法測定剝離力時，因剝離力過小而含有有時無法測定之情況產生。
又，對於加熱處理前，將加工對象物做充分的固定，而對加工作業不產生壞影響之觀點來看，黏著薄片(I)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之層間密著性較高者為佳。
由上述觀點來看，對於使用於本發明之製造方法的一態樣黏著性層合體，對於進行加熱處理前，作為在界面P進行分離時的剝離力(F0 )，以100mN/25mm以上為佳，較佳為300mN/25mm以上，更佳為500mN/25mm以上，又以50000mN/25mm以下為佳。
對於使用於本發明之製造方法的一態樣黏著性層合體，剝離力(F0 )比剝離力(F1 )大。具體而言，剝離力(F1 )與剝離力(F0 )之比〔(F1 )/(F0 )〕以0～0.9為佳，較佳為0～0.8，更佳為0～0.5，較更佳為0～0.2。
且，作為測定剝離力(F1 )時的溫度條件，為膨脹開始溫度(t)以上，且使熱膨脹性粒子膨脹之溫度即可。
又，作為測定剝離力(F0 )時的溫度條件，其僅為未達膨脹開始溫度(t)者即可，基本上為室溫(23℃)。
但，剝離力(F1 )及剝離力(F0 )的更具體的測定條件及測定方法則依據實施例所記載的方法。
對於使用於本發明之製造方法的一態樣黏著性層合體，對於室溫(23℃)中，作為黏著薄片(I)所具有的黏著劑層(X1)(第1黏著劑層(X11)及第2黏著劑層(X12))的黏著力及黏著薄片(II)所具有的黏著劑層(X2)的黏著力，各獨立以0.1～10.0N/25mm為佳，較佳為0.2～8.0N/ 25mm，更佳為0.4～6.0N/25mm，較更佳為0.5～4.0N/ 25mm。
黏著薄片(I)為具有第1黏著劑層(X11)及第2黏著劑層(X12)時，第1黏著劑層(X11)及第2黏著劑層(X12)的黏著力各以上述範圍者為佳，由提高與支撐體的密著性，且在界面P可一次更容易地分離之觀點來看，與支撐體貼附的第2黏著劑層(X12)的黏著力比第1黏著劑層(X11)的黏著力更高者為較佳。
黏著薄片(I)所具有的基材(Y1)及黏著薄片(II)所具有的基材(Y2)為非黏著性之基材。
對於本發明，是否為非黏著性基材的判斷為，對於作為對象的基材之表面，依據JIS Z0237：1991所測定的探針黏性值若為未達50mN/5mmφ時，判斷為該基材為「非黏著性的基材」。
在本發明之一態樣所使用的黏著薄片(I)所具有的基材(Y1)及黏著薄片(II)所具有的基材(Y2)的表面中之探針黏性值，各獨立通常為未達50mN/5mmφ，但以未達30mN/5mmφ為佳，較佳為未達10mN/5mmφ，更佳為未達5mN/5mmφ。
且，對於本說明書，於熱膨脹性基材的表面中之探針黏性值的具體測定方法依據實施例所記載的方法。
以下對於構成本發明之黏著性層合體的各層進行說明。
[黏著薄片(I)的構成]
使用於本發明之製造方法的黏著性層合體所具有的黏著薄片(I)為，具有基材(Y1)及黏著劑層(X1)，欲藉由分離用加熱處理可在黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面進行分離，其為任一層中含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性之黏著薄片。
對於本發明的一態樣，熱膨脹性粒子之熱膨脹開始溫度(t)以60～270℃為佳。
作為在本發明之一態樣所使用的黏著薄片(I)，以以下態樣者為佳。
・第1態樣之黏著薄片(I)：作為基材(Y1)，其為具有含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性基材層(Y1-1)之黏著薄片(I)。
・第2態樣之黏著薄片(I)：於基材(Y1)的兩面側，具有含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性黏著劑層之第1黏著劑層(X11)與非熱膨脹性黏著劑層之第2黏著劑層(X12)的黏著薄片(I)。
・基材(Y1)為非熱膨脹性基材的黏著薄片(I)。
以下對於在本發明之一態樣中所使用的第一態樣及第二態樣之黏著薄片(I)做說明。
＜第一態樣之黏著薄片(I)＞
作為第一態樣之黏著薄片(I)，如圖1～2所示，可舉出基材(Y1)為具有含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性基材層(Y1-1)者。
對於第一態樣之黏著薄片(I)，由在黏著薄片(I)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P可以微弱力量一次容易地分開之觀點來看，黏著劑層(X1)以非熱膨脹性黏著劑層者為佳。
具體而言，對於圖1所示黏著性層合體1a、1b所具有的黏著薄片(I)，黏著劑層(X1)以非熱膨脹性黏著劑層者為佳。又，對於圖2所示黏著性層合體1c、1d所具有的黏著薄片(I)，第1黏著劑層(X11)及第2黏著劑層(X12)中任一者以非熱膨脹性黏著劑層者為佳。
第一態樣之黏著薄片(I)的分離用加熱處理前之基材(Y1)的厚度以10～1000μm為佳，較佳為20～700μm，更佳為25～500μm，較更佳為30～300μm。
第一態樣之黏著薄片(I)的分離用加熱處理前之黏著劑層(X1)的厚度，以1～60μm為佳，較佳為2～50μm，更佳為3～40μm，較更佳為5～30μm。
且，對於本說明書，例如如圖2所示，黏著薄片(I)為具有複數個黏著劑層時，上述「黏著劑層(X1)的厚度」表示在各黏著劑層之厚度(在圖2中，各為黏著劑層(X11)及(X12)的厚度)。
又，對於本說明書，構成黏著性層合體的各層厚度表示依據實施例所記載的方法所測定之值。
對於第一態樣之黏著薄片(I)，於分離用加熱處理前中，作為熱膨脹性基材層(Y1-1)與黏著劑層(X1)之厚度比〔(Y1-1)/(X1)〕，以1000以下為佳，較佳為200以下，更佳為60以下，較更佳為30以下。
若該厚度比為1000以下時，藉由加熱處理，可成為在黏著薄片(I)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P，可以微弱力量一次容易地分離之黏著性層合體。
且該厚度比，以0.2以上為佳，較佳為0.5以上，更佳為1.0以上，較更佳為5.0以上。
又，在第一態樣之黏著薄片(I)中，基材(Y1)如圖1(a)所示，亦可為僅由熱膨脹性基材層(Y1-1)所構成者，如圖1(b)所示的於黏著薄片(II)側具有熱膨脹性基材層(Y1-1)，於黏著劑層(X1)側具有非熱膨脹性基材層(Y1-2)者亦可。
對於第一態樣之黏著薄片(I)，於分離用加熱處理前中，作為熱膨脹性基材層(Y1-1)與非熱膨脹性基材層(Y1-2)之厚度比〔(Y1-1)/(Y1-2)〕，以0.02～200為佳，較佳為0.03～150，更佳為0.05～100。
＜第二態樣之黏著薄片(I)＞
作為第二態樣之黏著薄片(I)，如圖3所示，可舉出於基材(Y1)的兩面側上各具有含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性黏著劑層的第1黏著劑層(X11)，與具有非熱膨脹性黏著劑層之第2黏著劑層(X12)者。
且，第二態樣之黏著薄片(I)為，熱膨脹性黏著劑層之第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)的基材(Y2)進行直接接觸。
且，對於第二態樣之黏著薄片(I)，基材(Y1)以非熱膨脹性基材層者為佳。
對於第二態樣之黏著薄片(I)，於分離用加熱處理前中，作為熱膨脹性黏著劑層之第1黏著劑層(X11)與非熱膨脹性黏著劑層之第2黏著劑層(X12)的厚度比〔(X11)/(X12)〕，以0.1～80為佳，較佳為0.3～50，更佳為0.5～15。
又，對於第二態樣之黏著薄片(I)，於分離用加熱處理前中，作為熱膨脹性黏著劑層的第1黏著劑層(X11)與基材(Y1)的厚度比〔(X11)/(Y1)〕，以0.05～20為佳，較佳為0.1～10，更佳為0.2～3。
以下對於構成黏著薄片(I)的任一層所含的熱膨脹性粒子做說明，有關構成基材(Y1)之熱膨脹性基材層(Y1-1)、非熱膨脹性基材層(Y1-2)及黏著劑層(X1)進行詳細說明。
＜熱膨脹性粒子＞
在本發明所使用的熱膨脹性粒子僅為可藉由加熱膨脹的粒子者即可，但以膨脹開始溫度(t)被調整在60～270℃之粒子者為佳。膨脹開始溫度(t)則對應黏著性層合體之用途做適宜選擇。
例如，對於本發明之製造方法，在步驟(1)及步驟(2)，黏著性層合體為曝曬在高溫環境下時(例如進行於半導體晶圓內部形成作為分割起點的改質區域之加工時等)，熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度在上述溫度範圍內且盡可能較低者為佳。藉此，將分離黏著薄片(I)與黏著薄片(1I)所需要的加熱能量設定在較小者，可減低切削物及/或研削物之製造成本。又，無須經過加工對象物的過剩熱履歷，而可分離黏著薄片(I)與黏著薄片(1I)。
對於本說明書，熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)表示依據以下方法所測定的值。
(熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)的測定法)
於直徑6.0mm(內徑5.65mm)且深度4.8mm的鋁杯中，加入成為測定對象之熱膨脹性粒子0.5mg，由該上面蓋上鋁蓋(直徑5.6mm，厚度0.1mm)後製造出試料。
使用動態黏彈性測定裝置，對於該試料自鋁蓋上部以穩壓器施予0.01N的力之狀態下，測定試料之高度。然後藉由穩壓器施予0.01N的力之狀態下，以20℃至300℃的10℃/min之昇溫速度下進行加熱，測定於穩壓器之垂直方向的變位量，將對正方向之變位開始溫度作為膨脹開始溫度(t)。
作為熱膨脹性粒子，以係由由熱可塑性樹脂所構成的外殼，與內包於該外殼，且加熱至所定溫度時會氣化的內包成分所構成的微膠囊化發泡劑為佳。
作為構成微膠囊化發泡劑之外殼的熱可塑性樹脂，例如可舉出氯化亞乙烯基-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯縮丁醛、聚甲基甲基丙烯酸酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚碸等。
作為於外殼內包的內包成分，例如可舉出丙烷、丁烷、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、異丁烷、異戊烷、異己烷、異庚烷、異辛烷、異壬烷、異癸烷、環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷、新戊烷、十二烷、異十二烷、環十三烷、己基環己烷、十三烷、十四烷、十五烷、十六烷、十七烷、十八烷、十九烷、異十三烷、4-甲基十二烷、異十四烷、異十五烷、異十六烷、2,2,4,4,6,8,8-七甲基壬烷、異十七烷、異十八烷、異十九烷、2,6,10,14-四甲基十五烷、環十三烷、庚基環己烷、n-辛基環己烷、環十五烷、壬基環己烷、癸基環己烷、十五烷基環己烷、十六烷基環己烷、十七烷基環己烷、十八烷基環己烷等。
這些內包成分可單獨使用，亦可併用2種以上。
熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)可藉由適宜地選擇內包成分之種類而做調整。
使用在本發明之一態樣的熱膨脹性粒子之23℃中的膨脹前之平均粒子徑，以3～100μm為佳，較佳為4～70μm，更佳為6～60μm，較更佳為10～50μm。
且，所謂熱膨脹性粒子的膨脹前之平均粒子徑，表示體積中位粒子徑(D50 )，使用雷射衍射式粒度分布測定裝置(例如Malvern公司製的製品名「Mastersizer3000」)進行測定，對於膨脹前之熱膨脹性粒子的粒子分布，由膨脹前的熱膨脹性粒子之粒子徑較小者開始計算之累積體積頻度相當於50%的粒子徑的意思。
作為在本發明之一態樣使用的熱膨脹性粒子的23℃中之膨脹前的90%粒子徑(D90 )，以10～150μm為佳，較佳為20～100μm，更佳為25～90μm，較更佳為30～80μm。
且，所謂熱膨脹性粒子的膨脹前之90%粒子徑(D90 )表示，使用雷射衍射式粒度分布測定裝置(例如Malvern公司製之製品名「Mastersizer3000」)進行測定的膨脹前之熱膨脹性粒子的粒子分布中，自膨脹前的熱膨脹性粒子之粒子徑較小者開始計算的累積體積頻度相當於90%的粒子徑之意思。
在本發明之一態樣所使用的熱膨脹性粒子加熱至膨脹開始溫度(t)以上的溫度時的體積最大膨脹率，以1.5～100倍為佳，較佳為2～80倍，更佳為2.5～60倍，較更佳為3～40倍。
＜熱膨脹性基材層(Y1-1)＞
對於本發明之一態樣之黏著性層合體，黏著薄片(I)的基材(Y1)為具有含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性基材層(Y1-1)時，熱膨脹性基材層(Y1-1)以滿足下述要件(1)者為佳。
・要件(1)：熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)中，熱膨脹性基材層(Y1-1)的儲存模數E’(t)為1.0×107 Pa以下。
且，本說明書中，在所定溫度中之熱膨脹性基材層(Y1-1)的儲存模數E’表示藉由實施例所記載的方法進行測定之值。
上述要件(1)係表示熱膨脹性粒子在膨脹前之熱膨脹性基材層(Y1-1)的剛性之指標。
對於熱膨脹性粒子之膨脹前，熱膨脹性基材層(Y1-1)的儲存模數E’會隨著升溫而降低。但到達熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)的前後，因熱膨脹性粒子開始膨脹，而熱膨脹性基材層(Y1-1)的儲存模數E’之降低受到抑制。
另一方面，因在黏著薄片(I)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P以微弱力量即可容易地分離，故因加熱至膨脹開始溫度(t)以上的溫度，可於與黏著薄片(I)的基材(Y2)層合的側之表面上必須容易形成凹凸。
換言之，滿足上述要件(1)的熱膨脹性基材層(Y1-1)在膨脹開始溫度(t)下熱膨脹性粒子會膨脹而充分變大，於與黏著薄片(II)的基材(Y2)層合的側之黏著薄片(I)的表面上容易形成凹凸。
其結果，成為在黏著薄片(I)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P以微弱力量可一次容易地分離的黏著性層合體。
在本發明所使用的熱膨脹性基材層(Y1-1)的要件(1)所規定的儲存模數E’(t)由上述觀點來看，以9.0×106 Pa以下為佳，較佳為8.0×106 Pa以下，更佳為6.0×106 Pa以下，較更佳為4.0×106 Pa以下。
又，由抑制經膨脹的熱膨脹性粒子之流動，提高與黏著薄片(II)的基材(Y2)層合的側之黏著薄片(I)的表面上所形成的凹凸形狀維持性，在界面P可藉由微弱力量容易地分離的觀點來看，熱膨脹性基材層(Y1-1)的要件(1)所規定的儲存模數E’(t)以1.0×103 Pa以上為佳，較佳為1.0×104 Pa以上，更佳為1.0×105 Pa以上。
由滿足上述要件(1)的熱膨脹性基材層(Y1-1)之觀點來看，熱膨脹性基材層(Y1-1)中之熱膨脹性粒子的含有量對於熱膨脹性基材層(Y1-1)的全質量(100質量%)而言，以1～40質量%為佳，較佳為5～35質量%，更佳為10～30質量%，較更佳為15～25質量%。
且，由提高於熱膨脹性基材層(Y1-1)層合的其他層之層間密著性的觀點來看，對於熱膨脹性基材層(Y1-1)的表面，亦可施予藉由氧化法或凹凸化法等表面處理、易接著處理或者底漆處理。
作為氧化法，例如可舉出電暈放電處理、電漿放電處理、鉻酸處理(濕式)、熱風處理、臭氧及紫外線照射處理等，作為凹凸化法，例如可舉出噴砂處理法、溶劑處理法等。
熱膨脹性基材層(Y1-1)係由含有樹脂及熱膨脹性粒子的樹脂組成物(y)所形成者為佳。
且，於樹脂組成物(y)中，不損害本發明之效果的範圍下，視必要可含有基材用添加劑。
作為基材用添加劑，例如可舉出紫外線吸收劑、光安定劑、抗氧化劑、帶電防止劑、滑劑、抗封閉劑、著色劑等。
且，這些基材用添加劑各可單獨使用，或亦可併用2種以上。
含有這些基材用添加劑時，各基材用添加劑之含有量對於前述樹脂100質量份而言，以0.0001～20質量份為佳，較佳為0.001～10質量份。
對於熱膨脹性基材層(Y1-1)的形成材料之樹脂組成物(y)中所含的熱膨脹性粒子，如上述所記載。
熱膨脹性粒子的含有量對於樹脂組成物(y)的有效成分之全量(100質量%)而言，以1～40質量%為佳，較佳為5～35質量%，更佳為10～30質量%，較更佳為15～25質量%。
作為熱膨脹性基材層(Y1-1)的形成材料之樹脂組成物(y)所含的樹脂，可為非黏著性樹脂，亦可為黏著性樹脂。
換言之，即使為含於樹脂組成物(y)的樹脂為黏著性樹脂，對於自樹脂組成物(y)形成熱膨脹性基材層(Y1-1)的過程，該黏著性樹脂與聚合性化合物進行聚合反應，所得之樹脂成為非黏著性樹脂，含有該樹脂的熱膨脹性基材層(Y1-1)成為非黏著性即可。
作為含於樹脂組成物(y)的前述樹脂之質量平均分子量(Mw)，以1000～100萬為佳，較佳為1000～70萬，更佳為1000～50萬。
又，該樹脂為具有2種以上的構成單位之共聚物時，該共聚物的形態並無特別限定，可為嵌段共聚物、無規共聚物及接枝共聚物中任一種。
樹脂之含有量對於樹脂組成物(y)的有效成分的全量(100質量%)而言，以50～99質量%為佳，較佳為60～95質量%，更佳為65～90質量%，較更佳為70～85質量%。
且，由形成滿足上述要件(1)的熱膨脹性基材層(Y1-1)之觀點來看，作為含於樹脂組成物(y)的前述樹脂，含有選自丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂的1種以上者為佳。
又，作為上述丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂，以以下樹脂(U1)為佳。
・將胺基甲酸酯預聚物(UP)與含有(甲基)丙烯酸酯的乙烯基化合物進行聚合而成的丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)。
(丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1))
作為成為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)的主鏈之胺基甲酸酯預聚物(UP)，可舉出多元醇與多價異氰酸酯之反應物。
且，胺基甲酸酯預聚物(UP)以進一步使用鏈延長劑施予鏈延長反應而得者為佳。
作為成為胺基甲酸酯預聚物(UP)的原料之多元醇，例如可舉出伸烷基型多元醇、醚型多元醇、酯型多元醇、酯醯胺型多元醇、酯・醚型多元醇、碳酸酯型多元醇等。
這些多元醇可單獨使用，亦可併用2種以上使用。
作為在本發明之一態樣使用的多元醇，以二醇為佳，以酯型二醇、伸烷基型二醇及碳酸酯型二醇為較佳，以酯型二醇、碳酸酯型二醇為更佳。
作為酯型二醇，例如可舉出選自1,3-丙烷二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊烷二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等烷烴二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等烷二醇；等二醇類的1種或2種以上，與選自鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、萘二羧酸、4,4-二苯基二羧酸、二苯基甲烷-4,4’-二羧酸、琥珀酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、氯茵酸、馬來酸、富馬酸、衣康酸、環己烷-1,3-二羧酸、環己烷-1,4-二羧酸、六氫鄰苯二甲酸、六氫間苯二甲酸、六氫對苯二甲酸、甲基六氫鄰苯二甲酸等二羧酸及這些無水物的1種或2種以上之縮聚物。
具體而言，可舉出聚乙烯己二酸二醇、聚丁烯己二酸二醇、聚六伸甲基己二酸二醇、聚六伸甲基間苯二甲酸酯二醇、聚戊基己二酸二醇、聚乙烯伸丙基己二酸二醇、聚乙烯伸丁基己二酸二醇、聚丁烯六伸甲基己二酸二醇、聚二伸乙基己二酸二醇、聚(聚四伸甲基醚)己二酸二醇、聚(3-甲基伸戊基己二酸)二醇、聚乙烯壬二酸酯二醇、聚乙烯癸二酸酯二醇、聚丁烯壬二酸酯二醇、聚丁烯癸二酸酯二醇及聚新戊基對苯二甲酸乙二醇酯二醇等。
作為伸烷基型二醇，例如可舉出1,3-丙烷二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊烷二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等烷烴二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等烷二醇；聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等聚烷二醇；聚四甲二醇等聚氧化烯甘醇等。
作為碳酸酯型二醇，例如可舉出1,4-四伸甲基碳酸酯二醇、1,5-五伸甲基碳酸酯二醇、1,6-六伸甲基碳酸酯二醇、1,2-伸丙基碳酸酯二醇、1,3-伸丙基碳酸酯二醇、2,2-二甲基伸丙基碳酸酯二醇、1,7-七伸甲基碳酸酯二醇、1,8-八伸甲基碳酸酯二醇、1,4-環己烷碳酸酯二醇等。
作為成為胺基甲酸酯預聚物(UP)的原料之多價異氰酸酯，可舉出芳香族聚異氰酸酯、脂肪族聚異氰酸酯、脂環式聚異氰酸酯等。
這些多價異氰酸酯可單獨使用，亦可併用2種以上。
又，這些多價異氰酸酯可為三羥甲基丙烷加成型改性體、與水進行反應的雙縮脲型改性體、使其含有異氰脲酸酯環的異氰脲酸酯型改性體。
此等中，作為使用在本發明之一態樣的多價異氰酸酯，以二異氰酸酯為佳，以選自4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)、2,4-甲苯二異氰酸酯(2,4-TDI)、2,6-甲苯二異氰酸酯(2,6-TDI)、六伸甲基二異氰酸酯(HMDI)及脂環式二異氰酸酯的1種以上為較佳。
作為脂環式二異氰酸酯，例如可舉出3-異氰酸酯甲基-3,5,5-三甲基環己基異氰酸酯(異佛爾酮二異氰酸酯、IPDI)、1,3-環戊烷二異氰酸酯、1,3-環己烷二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,6-環己烷二異氰酸酯等，以異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)為佳。
對於本發明之一態樣，作為成為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)的主鏈之胺基甲酸酯預聚物(UP)，其為二醇與二異氰酸酯之反應物，以於兩末端具有乙烯性不飽和基的直鏈胺基甲酸酯預聚物為佳。
作為於該直鏈胺基甲酸酯預聚物的兩末端導入乙烯性不飽和基的方法，可舉出使二醇與二異氰酸酯化合物進行反應而成的直鏈胺基甲酸酯預聚物之末端的NCO基，與羥基烷基(甲基)丙烯酸酯進行反應之方法。
作為羥基烷基(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯等。
作為成為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)的側鏈之乙烯基化合物，至少含有(甲基)丙烯酸酯。
作為(甲基)丙烯酸酯，以選自烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯的1種以上為佳，併用烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯者為較佳。
併用烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯時，對於烷基(甲基)丙烯酸酯100質量份而言，作為羥基烷基(甲基)丙烯酸酯之配合比例，以0.1～100質量份為佳，較佳為0.5～30質量份，更佳為1.0～20質量份，較更佳為1.5～10質量份。
作為該烷基(甲基)丙烯酸酯所具有的烷基之碳數，以1～24為佳，較佳為1～12，更佳為1～8，較更佳為1～3。
又，作為羥基烷基(甲基)丙烯酸酯，可舉出與使用於導入於上述直鏈胺基甲酸酯預聚物的兩末端之乙烯性不飽和基時的羥基烷基(甲基)丙烯酸酯相同者。
作為(甲基)丙烯酸酯以外的乙烯基化合物，例如可舉出苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等芳香族烴系乙烯基化合物；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等乙烯基醚類；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯啶酮、(甲基)丙烯酸、馬來酸、富馬酸、衣康酸、甲基(丙烯醯胺)等極性基含有單體等。
這些可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為乙烯基化合物中之(甲基)丙烯酸酯的含有量，對於該乙烯基化合物之全量(100質量%)，以40～100質量%為佳，較佳為65～100質量%，更佳為80～100質量%，較更佳為90～100質量%。
作為乙烯基化合物中之烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯的合計含有量，對於該乙烯基化合物之全量(100質量%)，以40～100質量%為佳，較佳為65～100質量%，更佳為80～100質量%，較更佳為90～100質量%。
在本發明之一態樣使用的丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)係由混合胺基甲酸酯預聚物(UP)與含有(甲基)丙烯酸酯的乙烯基化合物，使兩者進行聚合而得者。
對於該聚合，進一步加入自由基起始劑而進行為佳。
對於在本發明之一態樣所使用的丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)，作為來自胺基甲酸酯預聚物(UP)的構成單位(u11)與來自乙烯基化合物的構成單位(u12)之含有量比〔(u11)/(u12)〕，在質量比下以10/90～80/20為佳，較佳為20/80～70/30，更佳為30/70～60/40，較更佳為35/65～55/45。
(烯烴系樹脂)
作為含於樹脂組成物(y)的樹脂之較佳烯烴系樹脂，其為至少具有來自烯烴單體的構成單位之聚合物。
作為上述烯烴單體，以碳數2～8的α-烯烴為佳，具體可舉出伸乙基、伸丙基、伸丁基、異丁烯、1-己烯等。
此等中，亦以伸乙基及伸丙基為佳。
作為具體的烯烴系樹脂，例如可舉出超低密度聚乙烯(VLDPE，密度：880kg/m3 以上且未達910kg/m3 )、低密度聚乙烯(LDPE，密度：910kg/m3 以上且未達915kg/m3 )、中密度聚乙烯(MDPE，密度：915kg/m3 以上且未達942kg/m3 )、高密度聚乙烯(HDPE，密度：942kg/m3 以上)、直鏈狀低密度聚乙烯等聚乙烯樹脂；聚丙烯樹脂(PP)；聚丁烯樹脂(PB)；乙烯-丙烯共聚物；烯烴系彈性體(TPO)；聚(4-甲基-1-戊烯)(PMP)；乙烯-乙酸乙烯基共聚物(EVA)；乙烯ｰ乙烯基醇共聚物(EVOH)；乙烯-丙烯基-(5-亞乙基-2-降冰片烯)等烯烴系三元共聚物等。
對於本發明之一態樣，烯烴系樹脂可進一步選自酸改性、羥基改性及丙烯酸改性的1種以上之施予改性的改性烯烴系樹脂。
例如作為對於烯烴系樹脂施予酸改性而成的酸改性烯烴系樹脂，可舉出對於上述無改性之烯烴系樹脂，將不飽和羧酸或該無水物進行接枝聚合而成的改性聚合物。
作為上述不飽和羧酸或其無水物，例如可舉出馬來酸、富馬酸、衣康酸、檸康酸、谷胺酸、四氫鄰苯二甲酸、烏頭酸、(甲基)丙烯酸、馬來酸酐、衣康酸酐、谷胺酸酐、檸康酸酐、烏頭酸酐、降冰片烯二羧酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐等。
且不飽和羧酸或其無水物可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為對於烯烴系樹脂施予丙烯酸改性而成的丙烯酸改性烯烴系樹脂，可舉出於主鏈之上述無改性烯烴系樹脂上，使作為側鏈的烷基(甲基)丙烯酸酯進行接枝聚合而成的改性聚合物。
作為上述烷基(甲基)丙烯酸酯所具有的烷基的碳數，以1～20為佳，較佳為1～16，更佳為1～12。
作為上述烷基(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出作為後述單體(a1’)可選擇的相同化合物。
作為對於烯烴系樹脂施予羥基改性而成的羥基改性烯烴系樹脂，可舉出於作為主鏈的上述無改性之烯烴系樹脂使含有羥基的化合物進行接枝聚合而成的改性聚合物。
作為上述含有羥基的化合物，例如可舉出2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯等羥基烷基(甲基)丙烯酸酯類；乙烯基醇、烯丙基醇等不飽和醇類等。
(丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂)
對於本發明之一態樣，於樹脂組成物(y)中，以不損害本發明之效果的範圍下，可含有丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外的樹脂。
作為如此樹脂，例如可舉出聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇等乙烯基系樹脂；聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯、聚丁烯對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯萘二甲酸酯等聚酯系樹脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纖維素；聚碳酸酯；不相當於丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂之聚胺基甲酸酯；聚碸；聚醚醚酮；聚迷碸；聚伸苯基硫化物；聚醚醯亞胺、聚醯亞胺等聚醯亞胺系樹脂；聚醯胺系樹脂；丙烯酸樹脂；氟系樹脂等。
但，由形成滿足上述要件(1)的熱膨脹性基材層(Y1-1)之觀點來看，樹脂組成物(y)中之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外的樹脂之含有比例以較少者為佳。
作為作為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外的樹脂之含有比例，對於於樹脂組成物(y)中所含的樹脂之全量100質量份而言，以未達30質量份為佳，較佳為未達20質量份，較佳為未達10質量份，更佳為未達5質量份，較更佳為未達1質量份。
(無溶劑型樹脂組成物(y1))
作為在本發明之一態樣所使用的樹脂組成物(y)的一態樣，其為添加具有質量平均分子量(Mw)50000以下的乙烯性不飽和基之寡聚物、能量線聚合性單體與上述熱膨脹性粒子而成，未添加溶劑的無溶劑型樹脂組成物(y1)可舉出。
在無溶劑型樹脂組成物(y1)中，雖未添加溶劑，但能量線聚合性單體為賦予提高前述寡聚物之可塑性者。
對於由無溶劑型樹脂組成物(y1)所形成的塗膜，藉由照射能量線，可容易形成滿足上述要件(1)的熱膨脹性基材層(Y1-1)。
且，對於添加於無溶劑型樹脂組成物(y1)的熱膨脹性粒子之種類或形狀、配合量(含有量)如上述所示。
於無溶劑型樹脂組成物(y1)所含的前述寡聚物之質量平均分子量(Mw)為50000以下，以1000～50000為佳，較佳為2000～40000，更佳為3000～35000，較更佳為4000～30000。
又，作為前述寡聚物，於上述樹脂組成物(y)所含的樹脂中，若具有質量平均分子量50000以下的乙烯性不飽和基者即可，但以上述胺基甲酸酯預聚物(UP)為佳。
且，作為該寡聚物，亦可使用具有乙烯性不飽和基的改性烯烴系樹脂。
無溶劑型樹脂組成物(y1)中之前述寡聚物及能量線聚合性單體的合計含有量，對於無溶劑型樹脂組成物(y1)的全量(100質量%)而言，以50～99質量%為佳，較佳為60～95質量%，更佳為65～90質量%，較更佳為70～85質量%。
作為能量線聚合性單體，例如可舉出異冰片基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯氧基(甲基)丙烯酸酯、環己基(甲基)丙烯酸酯、金剛烷(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷丙烯酸酯等脂環式聚合性化合物；苯基羥基丙基丙烯酸酯、苯甲基丙烯酸酯、酚環氧乙烷改性丙烯酸酯等芳香族聚合性化合物；四氫糠基(甲基)丙烯酸酯、嗎啉丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺等雜環式聚合性化合物等。
這些能量線聚合性單體可單獨使用，亦可併用2種以上。
無溶劑型樹脂組成物(y1)中之前述寡聚物與前述能量線聚合性單體的含有量比[寡聚物/能量線聚合性單體]，在質量比中，以20/80～90/10為佳，較佳為30/70～85/15，更佳為35/65～80/20。
對於本發明之一態樣，無溶劑型樹脂組成物(y1)以進一步添加光聚合起始劑者為佳。
藉由含有光聚合起始劑，即使藉由比較低能量之能量線的照射，亦可充分地進行硬化反應。
作為光聚合起始劑，例如可舉出1-羥基-環己基-苯基-酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香丙基醚、苯甲基苯基硫化物、四甲基秋蘭姆單硫化物、偶氮二異丁腈、二苯甲基、二乙醯、8-氯蒽醌等。
這些光聚合起始劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
光聚合起始劑的配合量對於前述寡聚物及能量線聚合性單體之全量(100質量份)而言，以0.01～5質量份為佳，較佳為0.01～4質量份，更佳為0.02～3質量份。
＜非熱膨脹性基材層(Y1-2)＞
作為構成材(Y1)的非熱膨脹性基材層(Y1-2)之形成材料，例如可舉出紙材、樹脂、金屬等，可配合本發明之一態樣的黏著性層合體之用途做適宜選擇。
作為紙材，例如可舉出薄葉紙、中質紙、上質紙、含浸紙、塗布紙、藝術紙、硫酸紙、玻璃紙等。
作為樹脂，例如出聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴樹脂；聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、乙烯-乙酸乙烯基共聚物、乙烯-乙烯基醇共聚物等乙烯基系樹脂；聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯、聚丁烯對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯萘二甲酸酯等聚酯系樹脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纖維素；聚碳酸酯；聚胺基甲酸酯、丙烯酸改性聚胺基甲酸酯等胺基甲酸酯樹脂；聚甲基戊烯；聚碸；聚醚醚酮；聚醚碸；聚伸苯基硫化物；聚醚醯亞胺、聚醯亞胺等聚醯亞胺系樹脂；聚醯胺系樹脂；丙烯酸樹脂；氟系樹脂等。
作為金屬，例如可舉出鋁、錫、鉻、鈦等。
這些形成材料可由1種所構成，亦可併用2種以上。
作為併用2種以上的形成材料之非熱膨脹性基材層(Y1-2)，可舉出將紙材以聚乙烯等熱可塑性樹脂進行層合者，或於含有樹脂之樹脂薄膜或薄片的表面上形成金屬膜者等。
且，作為金屬層之形成方法，例如可舉出使上述金屬藉由真空蒸鍍、濺射、離子鍍敷等PVD法進行蒸鍍的方法，或將由上述金屬所成的金屬箔使用一般黏著劑進行貼附的方法等。
且，由提供與非熱膨脹性基材層(Y1-2)進行層合的其他層之層間密著性的觀點來看，在非熱膨脹性基材層(Y1-2)含有樹脂之情況時，對於非熱膨脹性基材層(Y1-2)的表面，與上述熱膨脹性基材層(Y1-1)與同樣地，亦可藉由氧化法或凹凸化法等施以表面處理、易接著處理或者底漆處理。
又，非熱膨脹性基材層(Y1-2)為含有樹脂時，可與該樹脂同時含於樹脂組成物(y)中，亦可含有上述基材用添加劑。
非熱膨脹性基材層(Y1-2)為依據上述方法而判斷之非熱膨脹性層。
因此，作為由上述式子所算出的非熱膨脹性基材層(Y1-2)的體積變化率(%)為未達5%，以未達2%為佳，較佳為未達1%，更佳為未達0.1%，較更佳為未達0.01%。
又，非熱膨脹性基材層(Y1-2)中，只要體積變化率在上述範圍，亦可含有熱膨脹性粒子。例如藉由選擇含於非熱膨脹性基材層(Y1-2)之樹脂，即使含有熱膨脹性粒子，亦可將體積變化率調整至上述範圍。
但，非熱膨脹性基材層(Y1-2)中之熱膨脹性粒子的含有量越少越佳。
作為具體熱膨脹性粒子之含有量，對於非熱膨脹性基材層(Y1-2)的全質量(100質量%)而言，通常未達3質量%，以未達1質量%為佳，較佳為未達0.1質量%，更佳為未達0.01質量%，較更佳為未達0.001質量%。更上一層佳為於非熱膨脹性基材層(Y1-2)中未含有熱膨脹性粒子。
＜黏著劑層(X1)＞
在本發明之第一態樣所使用的黏著薄片(I)所具有的黏著劑層(X1)可由含有黏著性樹脂之黏著劑組成物(x1)所形成。
且，黏著劑組成物(x1)在視必要下亦可含有交聯劑、黏著賦予劑、聚合性化合物、聚合起始劑等黏著劑用添加劑。
以下對於含於黏著劑組成物(x1)的各成分做說明。
且，黏著薄片(I)對於具有第1黏著劑層(X11)及第2黏著劑層(X12)的情況下，第1黏著劑層(X11)及第2黏著劑層(X12)亦可由含有以下所示各成分的黏著劑組成物(x1)所形成。
(黏著性樹脂)
作為使用在本發明之一態樣的黏著性樹脂，該樹脂可單獨具有黏著性，若質量平均分子量(Mw)為1萬以上的聚合物即可。
作為在本發明之一態樣所使用的黏著性樹脂之質量平均分子量(Mw)，由提高黏著力之觀點來看，以1萬～200萬為佳，較佳為2萬～150萬，更佳為3萬～100萬。
作為具體的黏著性樹脂，例如可舉出丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、聚異丁烯系樹脂等橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、烯烴系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚乙烯醚系樹脂等。
這些黏著性樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。
又，這些黏著性樹脂若為具有2種以上的構成單位之共聚物時，該共聚物的形態並無特別限定，可為嵌段共聚物、無規共聚物及接枝共聚物中任一種。
在本發明之一態樣所使用的黏著性樹脂，可為於上述黏著性樹脂的側鏈導入聚合性官能基之能量線硬化型的黏著性樹脂。
作為該聚合性官能基，可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基等。
又，作為能量線，可舉出紫外線或電子線，以紫外線為佳。
對於本發明之一態樣，由表現優良黏著力之觀點來看，黏著性樹脂以含有丙烯酸系樹脂者為佳。
且，使用具有第1黏著劑層(X11)及第2黏著劑層(X12)之黏著薄片(I)時，藉由於與樹脂膜形成用薄片(II)接觸的第1黏著劑層(X11)中含有丙烯酸系樹脂，可使於第1黏著劑層之表面上容易形成凹凸。
作為黏著性樹脂中之丙烯酸系樹脂的含有比例，對於於黏著劑組成物(x1)或黏著劑層(X1)所含的黏著性樹脂之全量(100質量%)而言，以30～100質量%為佳，較佳為50～100質量%，更佳為70～100質量%，較更佳為85～100質量%。
(丙烯酸系樹脂)
對於本發明之一態樣，作為以黏著性樹脂使用的丙烯酸系樹脂，例如可舉出含有來自具有直鏈或支鏈的烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位之聚合物、含有來自具有環狀結構的(甲基)丙烯酸酯之構成單位的聚合物等。
作為丙烯酸系樹脂之質量平均分子量(Mw)，以10萬～150萬為佳，較佳為20萬～130萬，更佳為35萬～120萬，較更佳為50萬～110萬。
作為在本發明之一態樣所使用的丙烯酸系樹脂，以具有來自烷基(甲基)丙烯酸酯(a1’)(以下亦稱為「單體(a1’)」)的構成單位(a1)及來自含有官能基的單體(a2’)(以下亦稱為「單體(a2’)」)的構成單位(a2)之丙烯酸系共聚物(A1)為較佳。
作為單體(a1’)所具有的烷基之碳數，由黏著特性之提高的觀點來看，以1～24為佳，較佳為1～12，更佳為2～10，較更佳為4～8。
且，單體(a1’)所具有的烷基可為直鏈烷基，亦可為支鏈烷基。
作為單體(a1’)，例如可舉出甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、月桂基(甲基)丙烯酸酯、十三烷基(甲基)丙烯酸酯、硬脂基(甲基)丙烯酸酯等。
這些單體(a1’)可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為單體(a1’)，以丁基(甲基)丙烯酸酯及2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯為佳。
構成單位(a1)的含有量對於丙烯酸系共聚物(A1)的全構成單位(100質量%)而言，以50～99.9質量%為佳，較佳為60～99.0質量%，更佳為70～97.0質量%，較更佳為80～95.0質量%。
作為單體(a2’)所具有的官能基，例如可舉出羥基、羧基、胺基、環氧基等。
換言之，作為單體(a2’)，例如可舉出含羥基單體、含羧基單體、含胺基單體、含環氧基單體等。
這些單體(a2’)可單獨使用，亦可併用2種以上。
此等中，作為單體(a2’)以含羥基單體及含羧基單體為佳。
作為含羥基單體，例如可舉出與上述含有羥基的化合物之相同者。
作為含羧基單體，例如可舉出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等乙烯性不飽和單羧酸；富馬酸、衣康酸、馬來酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸及其無水物、2-(丙烯醯氧基)乙基琥珀酸酯、2-羧基乙基(甲基)丙烯酸酯等。
構成單位(a2)的含有量對於丙烯酸系共聚物(A1)的全構成單位(100質量%)而言，以0.1～40質量%為佳，較佳為0.5～35質量%，更佳為1.0～30質量%，較更佳為3.0～25質量%。
丙烯酸系共聚物(A1)亦可進一步具有來自單體(a1’)及(a2’)以外的其他單體(a3’)之構成單位(a3)。
且，對於丙烯酸系共聚物(A1)，構成單位(a1)及(a2)的含有量對於丙烯酸系共聚物(A1)的全構成單位(100質量%)而言，以70～100質量%為佳，較佳為80～100質量%，更佳為90～100質量%，較更佳為95～100質量%。
作為單體(a3’)，例如可舉出乙烯、丙烯、異丁烯等烯烴類；氯化乙烯基、亞乙烯基氯化物等鹵素化烯烴類；丁二烯、異戊二烯、氯丁二烯等二烯系單體類；環己基(甲基)丙烯酸酯、苯甲基(甲基)丙烯酸酯、異冰片基(甲基)丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、具有醯亞胺(甲基)丙烯酸酯等環狀結構之(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯基、乙酸乙烯基、丙烯腈、(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯醯基嗎啉、N-乙烯基吡咯啶酮等。
又，丙烯酸系共聚物(A1)亦可作為於主鏈及/或側鏈導入聚合性官能基之能量線硬化型的丙烯酸系共聚物。
作為該聚合性官能基及該能量線如上述所示。
且，聚合性官能基為可將上述具有構成單位(a1)及(a2)之丙烯酸系共聚物與下述聚合性化合物(Xa)進行反應而導入，該聚合性化合物(Xa)為具有可與該丙烯酸系共聚物之構成單位(a2)所具有的官能基進行鍵結的取代基與聚合性官能基者。
作為聚合性化合物(Xa)，例如可舉出(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、甲基-異丙烯基-α,α-二甲基苯甲基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸等。
(交聯劑)
對於本發明之一態樣，黏著劑組成物(x1)如上述丙烯酸系共聚物(A1)，含有具有官能基之黏著性樹脂時，進一步含有交聯劑者為佳。
該交聯劑為，與具有官能基之黏著性樹脂進行反應，將該官能基作為交聯起點，使黏著性樹脂彼此進行交聯者。
作為交聯劑，例如可舉出異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮雜環丙烷系交聯劑、金屬螯合劑系交聯劑等。
這些交聯劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
這些交聯劑之中，亦由提高凝集力且提高黏著力之觀點，及容易獲得等觀點來看，以異氰酸酯系交聯劑為佳。
交聯劑的含有量雖係由黏著性樹脂所具有的官能基之數目來做適宜調整者，對於具有官能基的黏著性樹脂100質量份而言，以0.01～10質量份為佳，較佳為0.03～7質量份，更佳為0.05～5質量份。
(黏著賦予劑)
對於本發明之一態樣，黏著劑組成物(x1)由進一步提高黏著力之觀點來看，亦可進一步含有黏著賦予劑。
所謂本說明書中之「黏著賦予劑」，其為可輔助性地提高上述黏著性樹脂的黏著力之成分，係指質量平均分子量(Mw)未達1萬之寡聚物，可與上述黏著性樹脂做區別者。
黏著賦予劑之質量平均分子量(Mw)以400～10000為佳，較佳為500～8000，更佳為800～5000。
作為黏著賦予劑，例如可舉出松香系樹脂、萜烯系樹脂、苯乙烯系樹脂、以石腦油之熱分解所生成的戊烯、異戊二烯、胡椒鹼、使1,3-戊二烯等C5餾分經共聚合所得之C5系石油樹脂、以石腦油的熱分解所生成的茚、使乙烯基甲苯等C9餾分進行共聚合所得之C9系石油樹脂，及將此等進行氫化的氫化樹脂等。
黏著賦予劑之軟化點以60～170℃為佳，較佳為65～160℃，更佳為70～150℃。
且，對於本說明書，黏著賦予劑之「軟化點」表示依據JIS K 2531所測定的值。
黏著賦予劑可單獨使用，亦可併用軟化點或結構相異的2種以上。
且使用2種以上的複數黏著賦予劑時，這些複數黏著賦予劑之軟化點的加重平均在上述範圍者為佳。
黏著賦予劑之含有量對於黏著劑組成物(x1)的有效成分之全量(100質量%)或黏著劑層(X1)的全質量(100質量%)而言，以0.01～65質量%為佳，較佳為0.05～55質量%，更佳為0.1～50質量%，較更佳為0.5～45質量%，更較佳為1.0～40質量%。
(光聚合起始劑)
對於本發明之一態樣，黏著劑組成物(x1)中作為黏著性樹脂含有能量線硬化型之黏著性樹脂時，進一步含有光聚合起始劑者為佳。
藉由成為含有能量線硬化型之黏著性樹脂及光聚合起始劑的黏著劑組成物，由該黏著劑組成物所形成的黏著劑層，即使藉由比較低能量之能量線進行照射，亦可充分地進行硬化反應，可將黏著力調整至所望範圍。
且，作為在本發明之一態樣所使用的光聚合起始劑，可舉出與添加於上述無溶劑型樹脂組成物(y1)之相同者。
光聚合起始劑之含有量對於能量線硬化型之黏著性樹脂100質量份而言，以0.01～10質量份為佳，較佳為0.03～5質量份，更佳為0.05～2質量份。
(黏著劑用添加劑)
對於本發明之一態樣，黏著劑組成物(x1)在不損害本發明之效果的範圍下，除上述添加劑以外，亦可含有一般使用於黏著劑之黏著劑用添加劑。
作為如此黏著劑用添加劑，例如可舉出抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、防鏽劑、顏料、染料、遲延劑、反應促進劑(觸媒)、紫外線吸收劑等。
且，這些黏著劑用添加劑各可單獨使用，亦可併用2種以上。
含有這些黏著劑用添加劑之情況為，各黏著劑用添加劑之含有量，對於黏著性樹脂100質量份而言，以0.0001～20質量份為佳，較佳為0.001～10質量份。
且，如圖3所示黏著性層合體2所具有，使用於上述第2態樣之黏著薄片(I)時，熱膨脹性黏著劑層之第1黏著劑層(X11)可由自進一步含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性黏著劑組成物(x11)所形成。
該熱膨脹性粒子如上述所示。
作為熱膨脹性粒子之含有量，對於熱膨脹性黏著劑組成物(x11)的有效成分之全量(100質量%)或熱膨脹性黏著劑層之全質量(100質量%)而言，以1～70質量%為佳，較佳為2～60質量%，更佳為3～50質量%，較更佳為5～40質量%。
另一方面，黏著劑層(X1)為非熱膨脹性黏著劑層時，非熱膨脹性黏著劑層之形成材料的非熱膨脹性黏著劑組成物中之熱膨脹性粒子的含有量越極端少越佳。
作為熱膨脹性粒子之含有量，對於非熱膨脹性黏著劑組成物之有效成分的全量(100質量%)或非熱膨脹性黏著劑層之全質量(100質量%)而言，以未達1質量%為佳，較佳為未達0.1質量%，更佳為未達0.01質量%，較更佳為未達0.001質量%。更一層較佳為於非熱膨脹性黏著劑組成物或非熱膨脹性黏著劑層中未含有熱膨脹性粒子者。
且，如圖2所示黏著性層合體1c、1d，使用具有非熱膨脹性黏著劑層之第1黏著劑層(X11)及第2黏著劑層(X12)的黏著薄片(I)時，在23℃中，非熱膨脹性黏著劑層之第1黏著劑層(X11)的貯藏剪斷彈性率G’(23)以1.0×108 Pa以下為佳，較佳為5.0×107 Pa以下，更佳為1.0×107 Pa以下。
若非熱膨脹性黏著劑層之第1黏著劑層(X11)的貯藏剪斷彈性率G’(23)為1.0×108 Pa以下，例如構成如圖2所示黏著性層合體1c、1d的構成時，藉由經分離用加熱處理的熱膨脹性基材層(Y1-1)中之熱膨脹性粒子的膨脹，於與黏著薄片(II)接觸的第1黏著劑層(X11)的表面上可容易形成凹凸。其結果，可成為在黏著薄片(I)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P可藉由微弱力量一次容易地分離之黏著性層合體。
且，於23℃中，非熱膨脹性黏著劑層之第1黏著劑層(X11)的貯藏剪斷彈性率G’(23)以1.0×104 Pa以上為佳，較佳為5.0×104 Pa以上，更佳為1.0×105 Pa以上。
且，對於本說明書，黏著劑層之貯藏剪斷彈性率G’(23)表示藉由實施例所記載的方法所測定的值。
[黏著薄片(II)的構成]
使用於本發明之製造方法的黏著性層合體所具有的黏著薄片(II)為具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)，基材(Y2)係與黏著薄片(I)直接層合。
且，由欲提高基材(Y2)與黏著劑層(X2)之層間密著性的觀點來看，於基材(Y2)的黏著劑層進行層合的側表面上，可施行藉由上述氧化法或凹凸化法等表面處理、易接著處理或者底漆處理。
又，對於在本發明之一態樣所使用的黏著性層合體，由使黏著劑層(X2)的殘渣於切削物及/或研削物的附著受到抑制之觀點、使對於如具有顛簸的半導體晶圓等表面凹凸較大的加工對象物之追隨性優異的觀點，及使黏著劑層(X2)的黏著力之經時安定性優異者的觀點來看，黏著薄片(II)為，黏著薄片(II)在基材(Y2)與黏著劑層(X2)之間具有中間層(Z2)者為佳。
又，例如基材(Y2)的黏著劑層(X2)側之表面可施予帶電防止處理。具有中間層(Z2)時，基材(Y2)的中間層(Z2)側之表面亦可施予帶電防止處理。
由在黏著薄片(I)之界面P以微弱力量一次容易地分離之觀點來看，基材(Y2)以非熱膨脹性基材者為佳。
又，對於前述加熱處理之前後，由保持與黏著體之良好密著性的觀點來看，黏著劑層(X2)亦以非熱膨脹性黏著劑層者為佳。
且中間層(Z2)亦以非熱膨脹性層者為佳。
因此，對於由上述式所算出的基材(Y2)、黏著劑層(X2)及中間層(Z2)的體積變化率(%)，各獨立為未達5%，但以未達2%為佳，較佳為未達1%，更佳為未達0.1%，較更佳為未達0.01%。且更一層佳為於基材(Y2)、黏著劑層(X2)及中間層(Z2)中不含熱膨脹性粒子者。
以下對於基材(Y2)、黏著劑層(X2)及中間層(Z2)進行說明。
＜基材(Y2)＞
作為基材(Y2)的形成材料，可舉出與上述非熱膨脹性基材層(Y1-2)的形成材料之相同者。
且，基材(Y2)以含有樹脂者為佳，至少於與黏著薄片(I)進行層合的側之基材(Y2)的表面上形成含有樹脂之樹脂層者為較佳，基材(Y2)為樹脂薄膜或樹脂薄片者為更佳。
又，樹脂薄膜或樹脂薄片之中，亦由對於步驟(4)中之加工對象物的研削，使加工對象物研削至極薄時，具有使加工對象物穩定下保持之性質的觀點來看，以聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、乙烯-乙酸乙烯基共聚物(EVA)薄膜、聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯薄膜為佳，以乙烯-乙酸乙烯基共聚物(EVA)薄膜為較佳。
且，可使上述樹脂薄膜或樹脂薄片含有公知填充物、著色劑、帶電防止劑、抗氧化劑、有機滑劑、觸媒等。
又，樹脂薄膜或樹脂薄片可為透明者，亦可為視所需進行著色或金屬等蒸鍍者。
且由於分離用加熱處理後在界面P以微弱力量一次容易地分離之觀點來看，層合於黏著薄片(I)的側之基材(Y2)的表面亦可進行剝離處理。
又，由基材(Y2)容易防止使加工對象物貼附於黏著劑層(X2)時的位置偏差之觀點，及於使加工對象物貼附時，容易防止對黏著劑層(X2)的過度陷入之觀點來看，以於23℃中之儲存模數E’(23)為1.0×106 Pa以上者為佳。
且，基材(Y2)中，體積變化率僅在上述範圍，亦可含有熱膨脹性粒子，由上述觀點來看，基材(Y2)中之熱膨脹性粒子的含有量越少越好。
作為基材(Y2)中之熱膨脹性粒子的含有量，對於基材(Y2)的全質量(100質量%)而言，通常為未達3質量%，以未達1質量%為佳，較佳為未達0.1質量%，更佳為未達0.01質量%，較更佳為未達0.001質量%。更一層佳為於基材(Y2)中未含有熱膨脹性粒子。
基材(Y2)的厚度，以5～500μm為佳，較佳為15～300μm，更佳為20～200μm。
基材(Y2)的厚度若為5μm以上，容易成為在高溫之耐變形性(尺寸安定性)優異者。另一方面，基材的厚度若在500μm以下，對於貼附於黏著薄片(II)的加工對象物施予切削及研削之至少一種加工時，因可抑制藉由振動之黏著薄片(II)的變形，故容易提高膜厚精度等加工精度。
＜黏著劑層(X2)＞
樹脂膜形成用薄片(II)所具有的黏著劑層(X2)為可使用上述黏著劑組成物(x1)而形成，較佳成分或各成分之含有量的較佳範圍亦與黏著劑組成物(x1)相同。
其中，對於本發明之一態樣，黏著劑層(X2)中作為黏著性樹脂，由含有於側鏈導入聚合性官能基之能量線硬化型的黏著性樹脂之黏著劑組成物生物所形成的層者為佳，以由含有能量線硬化型之丙烯酸系聚合物(B)(以下亦稱為「丙烯酸系聚合物(B)」或「(B)成分」)的黏著劑組成物所形成的層者較佳。
由該黏著劑組成物所形成的黏著劑層(X2)中，能量線照射前，雖具有可充分保持加工對象物之優良黏著力，於能量線照射後，黏著力會降低。因此，成為可將加工品自黏著薄片(II)容易地分離者。
黏著劑組成物中之(B)成分的含有量對於黏著劑組成物之全量(100質量%)而言，以70質量%以上為佳，較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，又以99.9質量%以下為佳，較佳為99.0質量%以下，更佳為98.0質量%以下。
黏著劑層(X2)的厚度由，具有良好黏著力，如具有顛簸等半導體晶圓等，對於表面凹凸差較大的加工對象物具有良好追隨性的觀點來看，以1～100μm為佳，較佳為1～75μm，更佳為1～50μm。
又，形成黏著劑層(X2)之材料的黏著劑組成物，在含有能量線硬化性之丙烯酸系聚合物(B)等能量線硬化型之黏著性樹脂時，進一步含有交聯劑或光聚合起始劑者為佳。
作為交聯劑，可舉出添加於上述丙烯酸系樹脂之相同者，含有量之範圍亦如上述所示，由提高黏著劑層(X2)的凝膠分率，且於分離加工品時抑制於該加工品之糊殘產生的觀點來看，對於具有官能基之黏著性樹脂100質量份而言，以0.1～20質量份為佳，較佳為0.5～15質量份，更佳為1.0～10質量份。
作為光聚合起始劑，可舉出上述添加於無溶劑型樹脂組成物(y1)之相同者，含有量之範圍亦與上述相同。
又，亦可含有這些以外的其他添加劑。
以下，對於含於黏著劑組成物中的能量線硬化性之丙烯酸系聚合物(B)做說明。
((B)成分：能量線硬化性之丙烯酸系聚合物(B))
對於本發明之一態樣所使用的能量線硬化性之丙烯酸系聚合物(B)，其為於非能量線硬化性之丙烯酸系聚合物的側鏈及/或主鏈上導入聚合性官能基之丙烯酸系共聚物。
非能量線硬化性之丙烯酸系聚合物，例如可舉出具有來自具有直鏈或支鏈的烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位之丙烯酸系聚合物、具有來自具有環狀結構的(甲基)丙烯酸酯之構成單位的丙烯酸系聚合物等。
聚合性官能基如上述所示，由對非能量線硬化性之丙烯酸系聚合物的導入容易性之觀點來看以(甲基)丙烯醯基為佳。
(B)成分之質量平均分子量(Mw)以10萬～150萬為佳，較佳為20萬～120萬，較佳為25萬～100萬，更佳為30萬～90萬，較更佳為35萬～80萬。
作為(B)成分，由藉由能量線之照射，成為黏著力有效果地降低之黏著薄片之觀點來看，含有具有來自具有碳數1～18的烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯(b1’)(以下亦稱為「單體(b1’)」)的構成單位(b1)及來自含有能基的單體(b2’)(以下亦稱為「單體(b2’)」)的構成單位(b2)之丙烯酸系共聚物(B0)，及與聚合性化合物(Xb)進行反應所得之能量線硬化性的丙烯酸系共聚物(B1)者為佳，能量線硬化性之丙烯酸系共聚物(B1)者為較佳。
且，丙烯酸系共聚物(B0)、(B1)的共聚合之形態雖無特別限定，嵌段共聚物、無規共聚物、接枝共聚物皆可。
丙烯酸系共聚物(B1)的含有量對於含於黏著劑組成物中之(B)成分的全量(100質量%)而言，以70～100質量%為佳，較佳為80～100質量%，更佳為90～100質量%，較更佳為100質量%。
作為單體(b1’)所具有的烷基之碳數，以1～18為佳，較佳為1～12，更佳為1～8，較更佳為1～6。
作為單體(b1’)，可舉出作為上述單體(a1’)所例示者，以丁基(甲基)丙烯酸酯或2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯為佳，以丁基(甲基)丙烯酸酯為較佳。
丙烯酸系共聚物(B0)中，構成單位(b1)的含有量，由提高所形成的黏著劑層之黏著力的觀點來看，對於丙烯酸系共聚物(B0)的全構成單位(100質量%)而言，以50～99.5質量%為佳，較佳為60～99質量%，更佳為70～98質量%，較更佳為80～96質量%。
作為單體(b2’)，可舉出作為上述單體(a2’)所例示者，選自含羥基單體、含羧基單體及含環氧基單體的1種以上為佳，含羥基單體為較佳，以2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯為更佳。
丙烯酸系共聚物(B0)中，構成單位(b2)的含有量對於丙烯酸系共聚物(B0)的全構成單位(100質量%)而言，以0.5～40質量%為佳，較佳為1～30質量%，更佳為2～25質量%，較更佳為3～15質量%。
構成單位(b2)的含有量若為0.5質量%以上，可充分地確保具有成為與聚合性化合物(Xb)之反應點的官能基之構成單位(b2)的含有量，藉由能量線之照射，因可形成硬化性較高的黏著劑層(X2)，故自黏著劑層(X2)剝離切削物及/或研削物時，一邊可防止對切削物及/或研削物之黏著劑層(X2)的殘渣產生，一邊可進行剝離。
又，構成單位(b2)的含有量若為40質量%以下時，塗布黏著劑組成物之溶液而形成黏著劑層(X2)時，可確保充分的適用期。
且，所謂聚合性化合物(Xb)，表示具有可與丙烯酸系共聚物(B0)的構成單位(b2)中之官能基進行鍵結的取代基(以下亦稱為「反應性官能基」)，與聚合性官能基之化合物。
丙烯酸系共聚物(B0)可具有來自上述單體(b1’)及(b2’)以外的其他單體(b3’)之構成單位(b3)。
作為其他單體(b3’)，可舉出作為上述單體(a3’)所例示者。
丙烯酸系共聚物(B0)中，構成單位(b3)的含有量對於丙烯酸系共聚物(B0)的全構成單位(100質量%)而言，以0～20質量%為佳，較佳為0～10質量%，更佳為0～5質量%，較更佳為0～1質量%。
且，上述單體(b1’)～(b3’)可單獨或組合2種以上使用。
能量線硬化性之丙烯酸系共聚物(B1)係藉由使具有上述構成單位(b1)及(b2)之丙烯酸系共聚物(B0)，與聚合性化合物(Xb)進行反應而得。
作為聚合性化合物(Xb)，可舉出作為上述聚合性化合物(Xa)所例示者，但此等中，具有反應性官能基之同時，於每1分子中具有1～5個聚合性官能基的之化合物者為佳。
作為上述反應性取代基，例如可舉出異氰酸酯基、羧基、環氧基等，以異氰酸酯基為佳。
作為上述聚合性官能基，如上述所示，可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基等，以(甲基)丙烯醯基為佳。
作為具體的聚合性化合物(Xb)，以(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯為佳。
且，聚合性化合物(Xb)可單獨或組合2種以上使用。
對於丙烯酸系共聚物(B1)，有關丙烯酸系共聚物(B0)所具有的官能基數與聚合性化合物(Xb)的配合量之關係，由可得到雖能量線照射前具有適度黏著力，但經能量線照射後，黏著力會有效果地降低之黏著薄片的觀點來看，藉由下述式(1)所算出的α值，以0.5～50為佳，較佳為1.0～40，更佳為1.2～35，較更佳為1.5～30。
且，上述α值為相當於丙烯酸系共聚物(B1)所具有的聚合性官能基數者。
式(1)：α＝〔PB 〕×〔QB 〕×〔RB 〕/100
(式(1)中，〔PB 〕表示對於丙烯酸系共聚物(B0)的全構成單位100質量份之構成單位(b2)的含有量。〔QB 〕表示對於丙烯酸系共聚物(B0)所具有的來自該含有官能基之單體的官能基100當量之聚合性化合物(Xb)的當量。〔RB 〕表示聚合性化合物(Xb)所具有的聚合性官能基數)。
＜中間層(Z2)＞
對於本發明之一態樣，中間層(Z2)為自含有非能量線硬化性的丙烯酸系聚合物(C)及能量線硬化性之丙烯酸系聚合物(D)的中間層形成用組成物(z2)所形成。
藉由設置中間層(Z2)，可成為對於具有顛簸的如半導體晶圓等表面凹凸較大的加工對象物之追隨性優良的黏著薄片(II)。因此，對於貼附該黏著薄片(II)之加工對象物，進行切削及研削之至少一種加工時，抑制加工對象物的破損之同時，亦可防止切削屑、研削屑、切削水及研削水等對加工對象物與黏著薄片(II)之貼附面的浸入。
且，中間層(Z2)可具有黏著性，亦可不具有黏著性。
中間層(Z2)的厚度為加工對象物之凹凸程度，例如加工對象物為半導體晶圓或半導體晶片時，藉由該半導體晶圓或半導體晶片所具有的顛簸高度可適宜選擇，以10～800μm為佳，較佳為15～600μm，更佳為20～400μm。
中間層(Z2)的厚度若為10μm以上，可使對於凹凸差較大的加工對象物之追隨性變的良好。另一方面，中間層的厚度若為800μm以下，容易抑制黏著薄片(II)的變形。
形成中間層(Z2)之材料的中間層形成層組成物(z2)，作為經能量線照射後使黏著薄片(II)的中間層(Z2)與黏著劑層(X2)之密著性變良好者，於將切削物及/或研削物自黏著薄片(II)進行剝離時，由對黏著劑層(X2)的斷裂或切削物及/或研削物表面之黏著劑層(X2)的殘渣之產生受到抑制的觀點來看，含有非能量線硬化性之丙烯酸系聚合物(C)(以下亦稱為「丙烯酸系聚合物(C)」或「(C)成分」)與質量平均分子量為5萬～25萬的能量線硬化性之丙烯酸系聚合物(D)(以下亦稱為「丙烯酸系聚合物(D)」或「(D)成分」)者為佳。
又，由進一步提高能量線照射後中之中間層(Z2)與黏著劑層(X2)的密著性之觀點來看，中間層形成用組成物(z2)中之(D)成分的含有量對於(C)成分100質量份而言，以25質量份以上為佳，較佳為30質量份以上，更佳為37質量份以上，較更佳為40質量份以上。
且，對於本發明之一態樣中，由抑制自黏著薄片(II)的端部之中間層(Z2)的一部分浸出的觀點來看，中間層形成用組成物(z2)中之(D)成分的含有量對於(C)成分100質量份而言，以150質量份以下為佳，較佳為140質量份以下，更佳為130質量份以下。
中間層形成用組成物(z2)中之(C)成分及(D)成分之合計含有量，對於中間層形成用組成物(z2)的全量(100質量%)而言，以70質量%以上為佳，較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，又以99.9質量%以下為佳，較佳為99.0質量%以下，更佳為98.0質量%以下。
且，中間層形成用組成物(z2)除含有上述(C)成分、(D)成分以外，更含有光聚合起始劑或交聯劑者為佳。又，亦可含有此以外的其他添加劑。
作為交聯劑，可舉出與上述添加於丙烯酸系樹脂之相同者，含有量之範圍亦如上述所示。
作為光聚合起始劑，可舉出與上述添加於無溶劑型樹脂組成物(y1)的相同者，含有量之範圍亦如上述。
又，亦可含有這些以外的其他添加劑。
以下對於含於中間層形成用組成物(z2)中之非能量線硬化性的丙烯酸系聚合物(C)及能量線硬化性的丙烯酸系聚合物(D)做說明。
((C)成分：非能量線硬化性之丙烯酸系聚合物(C))
作為非能量線硬化性之丙烯酸系聚合物(C)，例如可舉出具有來自具有直鏈或支鏈的烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位之聚合物、具有來自具有環狀結構的(甲基)丙烯酸酯之構成單位的聚合物等。
(C)成分的質量平均分子量(Mw)，以30萬～150萬為佳，較佳為35萬～130萬，較佳為40萬～120萬，更佳為40萬～110萬，較更佳為45萬～90萬。
作為(C)成分，由與(D)成分之相溶性的觀點來看，含有來自具有碳數1～18的烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯(c1’)(以下亦稱為「單體(c1’)」)之構成單位(c1)，及具有來自含有官能基的單體(c2’)(以下亦稱為「單體(c2’)」)的構成單位(c2)之丙烯酸系共聚物(C1)者為佳，以丙烯酸系共聚物(C1)者為較佳。
且，丙烯酸系共聚物(C1)的共聚合之形態雖無特別限定，嵌段共聚物、無規共聚物、接枝共聚物皆可。
丙烯酸系共聚物(C1)的含有量，對於含於中間層形成用組成物(z2)中之(C)成分的全量(100質量%)而言，以70～100質量%為佳，較佳為80～100質量%，更佳為90～100質量%，較更佳為100質量%。
作為單體(c1’)所具有的烷基之碳數，由與(D)成分的相溶性之觀點來看，較佳為4～12，更佳為4～8，較更佳為4～6。
作為單體(c1’)，可舉出與上述單體(a1’)相同者。
此等中亦以丁基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯為佳，以丁基(甲基)丙烯酸酯為較佳。
丙烯酸系共聚物(C1)中，構成單位(c1)的含有量對於丙烯酸系共聚物(C1)的全構成單位(100質量%)而言，以50～99.5質量%為佳，較佳為60～99質量%，更佳為70～95質量%，較更佳為80～93質量%。
構成單位(c1)的含有量若為50質量%以上時，因可成為對於凹凸差較大的加工對象物之追隨性良好的黏著薄片而較佳。
又，若構成單位(c1)的含有量為99.5質量%以下，因可充分確保構成單位(c2)的含有量，與(D)成分的相溶性可變的良好而較佳。
又，丙烯酸系共聚物(C1)中，作為構成單位(c1)，以具有來自具有碳數4以上(以4～12為佳，較佳為4～8，更佳為4～6)的烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位(c11)者為佳。
構成單位(c1)中之構成單位(c11)的含有比率，對於丙烯酸系共聚物(C1)所具有的構成單位(c1)的全量(100質量%)而言，以60質量%以上為佳，較佳為70質量%以上，更佳為80質量%以上，較更佳為85質量%以上，又以100質量%以下為佳。
作為單體(c2’)所具有的官能基，可舉出與上述單體(a2’)所具有的官能基之相同者。
對於具體的單體(c2’)，可舉出與上述單體(a2’)之相同者。
此等中，亦以選自含羥基單體、含羧基單體及含環氧基單體的1種以上者為佳，以含羧基單體為較佳。
對於含羥基單體、含羧基單體及含環氧基單體的具體例子，與上述單體(a2’)相同。
丙烯酸系共聚物(C1)中，構成單位(c2)的含有量對於丙烯酸系共聚物(C1)的全構成單位(100質量%)而言，以0.5～50質量%為佳，較佳為1～40質量%，更佳為5～30質量%，較更佳為7～20質量%。
若構成單位(c2)的含有量為0.5質量%以上，因可使與(D)成分的相溶性變的良好而較佳。
又，構成單位(c2)的含有量若為50質量%以下，因可成為對於凹凸差較大的黏著體之追隨性為良好的黏著薄片而較佳。
丙烯酸系共聚物(C1)為亦可具有來自上述單體(c1’)及(c2’)以外的其他單體(c3’)之構成單位(c3)。
作為其他單體(c3’)，可舉出與上述單體(a3’)之相同者。
丙烯酸系共聚物(C1)中，構成單位(c3)的含有量對於丙烯酸系共聚物(C1)的全構成單位(100質量%)而言，以0～30質量%為佳，較佳為0～20質量%，更佳為0～10質量%，較更佳為0～5質量%。
且，上述單體(c1’)～(c3’)可單獨或組合2種以上使用。
((D)成分：能量線硬化性之丙烯酸系聚合物(D))
作為能量線硬化性之丙烯酸系聚合物(D)，對於非能量線硬化性之丙烯酸系聚合物，其為導入聚合性官能基之丙烯酸系聚合物。
且，上述聚合性官能基為，導入非能量線硬化性之丙烯酸系聚合物的主鏈及/或側鏈。
藉由於中間層含有(D)成分，照射能量線時，被考慮為(D)成分與黏著劑層(X2)中之(B)成分進行反應而鍵結，提高黏著薄片(II)的中間層(Z2)與黏著劑層(X2)之密著性。又，因黏著劑層(X2)與中間層(Z2)變硬，被考慮為可抑制黏狀物殘留。因此，在自黏著薄片(II)之切削物及/或研削物的剝離時，可抑制黏著劑層(X2)的殘留。
作為非能量線硬化性之丙烯酸系聚合物，可舉出具有來自具有直鏈或支鏈的烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位之丙烯酸系聚合物，或具有來自具有環狀結構之(甲基)丙烯酸酯的構成單位之丙烯酸系聚合物等。
聚合性官能基若為含有能量線聚合性之碳-碳雙鍵的基即可，例如可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基等，但由容易導入能量線聚合基之觀點來看，以(甲基)丙烯醯基為佳。
且，該能量線聚合性基為，亦可隔著伸烷基、環氧烷基、聚環氧烷基等，與非能量線硬化性之丙烯酸系聚合物的主鏈或側鏈進行鍵結。
(D)成分的質量平均分子量(Mw)以5萬～25萬為佳，較佳為6萬～22萬，更佳為7萬～20萬，較更佳為8萬～18萬，更較佳為8.5萬～15萬。
(D)成分的Mw若未達5萬時，所得的黏著薄片之經時安定性容易劣化。換言之，將該黏著薄片進行長期間保管時，(D)成分的一部分會往黏著劑層內移動，該黏著薄片的黏著力呈現不穩定之同時，進行能量線照射後，黏著劑層(X2)容易過度硬化。其結果，該黏著薄片於長期間保管後使用時，或者在加工對象物貼附狀態下長期間放置時，因能量線照射後之中間層(Z2)與黏著劑層(X2)之密著性會變的不充分，故剝離該黏著薄片時，於黏著劑層(X2)的斷裂或切削物及/或研削物上會有附著黏著劑層(X2)的殘渣之情況產生。
另一方面，若(D)成分的Mw超過25萬時，能量線照射後中之中間層(Z2)與黏著劑層(X2)之密著性會容易劣化，將切削物・研削物由黏著薄片(II)剝離時，於黏著劑層(X2)的斷裂或切削物及/或研削物上有附著黏著劑層(X2)的殘渣之情況產生。
作為(D)成分，由成為經時安定性優良的黏著薄片之觀點，及成為所形成的中間層(Z2)與黏著劑層(X2)之能量線照射後提高密著性之黏著薄片的觀點來看，以含有能量線硬化性之丙烯酸系共聚物(D1)者為佳，該有能量線硬化性之丙烯酸系共聚物(D1)者係由，具有來自具有碳數1～18的烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯(d1’)(以下亦稱為「單體(d1’)」)的構成單位(d1)及來自含有官能基的單體(d2’)(以下亦稱為「單體(d2’)」)的構成單位(d2)之丙烯酸系共聚物(D0)，與聚合性化合物(Xd)進行反應而得者，並以能量線硬化性之丙烯酸系共聚物(D1)為較佳。
且，丙烯酸系共聚物(D0)、(D1)的共聚合之形態，並無特別限定，嵌段共聚物、無規共聚物、接枝共聚物皆可。
丙烯酸系共聚物(D1)的含有量對於中間層形成用組成物(z2)中所含的(D)成分之全量(100質量%)而言，以70～100質量%為佳，較佳為80～100質量%，更佳為90～100質量%，較更佳為100質量%。
作為單體(d1’)所具有的烷基之碳數，較佳為4～12，更佳為4～8，較更佳為4～6。
作為單體(d1’)，可舉出作為上述單體(a1’)所例示者。
此等中，亦以丁基(甲基)丙烯酸酯或2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯為佳，以丁基(甲基)丙烯酸酯為較佳。
丙烯酸系共聚物(D0)中，構成單位(d1)的含有量對於丙烯酸系共聚物(D0)的全構成單位(100質量%)而言，以50～99質量%為佳，較佳為55～95質量%，更佳為60～90質量%，較更佳為65～85質量%。
構成單位(d1)的含有量若為50質量%以上，因可充分維持所形成的中間層(Z2)的形狀而較佳。
又，構成單位(d1)的含有量若為99質量%以下，可充分地確保具有成為與聚合性化合物(Xd)之反應點的官能基之構成單位(d2)的含有量，因可提高所形成的中間層(Z2)與黏著劑層(X2)之能量線照射後的密著性而較佳。
作為單體(d2’)，可舉出作為上述單體(a2’)所例示者，選自含羥基單體、含羧基單體及含環氧基單體的1種以上為佳，以含羥基單體為較佳，以羥基丙烯酸(甲基)丙烯酸酯為更佳，以2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯為較更佳。
丙烯酸系共聚物(D0)中，構成單位(d2)的含有量對於丙烯酸系共聚物(D0)的全構成單位(100質量%)，以1～50質量%為佳，較佳為5～45質量%，更佳為10～40質量%，較更佳為15～35量%。
構成單位(d2)的含有量若為1質量%以上時，欲提高所形成的中間層(Z2)與黏著劑層(X2)之能量線照射後的密著性，以可充分地確保與聚合性化合物(Xd)之反應點為佳。
又，構成單位(d2)的含有量若為50質量%以下時，因可充分地維持所形成的中間層(Z2)的形狀而較佳。
丙烯酸系共聚物(D0)亦可具有來自上述單體(d1’)及(d2’)以外的其他單體(d3’)之構成單位(b3)。
作為其他單體(d3’)，可舉出作為上述單體(a3’)所例示者。
丙烯酸系共聚物(D0)中，構成單位(d3)的含有量對於丙烯酸系共聚物(D0)的全構成單位(100質量%)而言，以0～30質量%為佳，較佳為0～20質量%，更佳為0～10質量%，較更佳為0～5質量%。
且，上述單體(d1’)～(d3’)可單獨或亦可組合2種以上使用。
能量線硬化性之丙烯酸系共聚物(D1)為，該丙烯酸系共聚物(D0)的構成單位(d2)中之官能基，與聚合性化合物(Xd)進行反應，聚合性化合物(Xd)所具有的聚合性官能基導入於丙烯酸系共聚物(D0)的主鏈及側鏈之至少一方者。
聚合性化合物(Xd)為具有聚合性官能基之化合物，若為具有反應性官能基之化合物即可，並無特別限制。
且，於聚合性化合物(Xd)之中，亦以具有上述反應性取代基之同時，每1分子中具有1～5個聚合性官能基之化合物者為佳。
作為上述反應性取代基，例如可舉出異氰酸酯基、羧基、環氧基等，以異氰酸酯基為佳。
作為上述聚合性官能基，如上述，可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基等，以(甲基)丙烯醯基為佳。
作為具體的聚合性化合物(Xd)，可舉出與上述聚合性化合物(Xb)之相同化合物。
聚合性化合物(Xd)可單獨或組合2種以上使用。
此等中，由具有作為上述反應性取代基的較佳異氰酸酯基，且丙烯酸系共聚物(D0)與能量線聚合性基之距離為適當之化合物的觀點來看，以(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯為佳。
對於丙烯酸系共聚物(D1)，有關丙烯酸系共聚物(D0)所具有的官能基數與聚合性化合物(Xd)的配合量之關係，由提高所形成的中間層(Z2)與黏著劑層(X2)之能量線照射後的密著性之觀點來看，由下述式(2)所算出的β值以1～50為佳，較佳為2～40，更佳為3～35，較更佳為5～30。
且，上述β值為相當於丙烯酸系共聚物(D1)所具有的能量線聚合性基數者。
式(2)：β＝〔Pd 〕×〔Qd 〕×〔Rd 〕/100
(式(2)中，〔Pd 〕表示對於丙烯酸系共聚物(D0)的全構成單位100質量份之構成單位(d2)的含有量。〔Qd 〕表示對於來自丙烯酸系共聚物(D0)所具有的該含有官能基的單體之官能基100當量的聚合性化合物(Xd)的當量。〔Rd 〕表示聚合性化合物(Xd)所具有的聚合性官能基數)。
(於中間層形成用組成物中所含的其他添加劑)
於中間層形成用組成物(z2)中，以不損害本發明之效果的範圍下，可含有其他添加劑。
作為其他添加劑，例如可舉出抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料、黏著賦予劑等。
含有這些添加劑時，各添加劑之含有量對於(A)成分100質量份而言，以0.01～6質量份為佳，較佳為0.01～2質量份。
＜剝離材＞
本發明之一態樣之黏著性層合體為，於與加工對象物貼附的黏著劑層(X1)及(X2)的表面上可進一步層合剝離材。
作為剝離材，可舉出使用進行兩面剝離處理的剝離薄片，或經單面剝離處理的剝離薄片等，於剝離材用之基材上塗布剝離劑者等。
作為剝離材用基材，例如可舉出上質紙、玻璃紙、牛皮紙等紙類；聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚丁烯對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚乙烯萘二甲酸酯樹脂等聚酯樹脂薄膜、聚丙烯樹脂、聚乙烯樹脂等烯烴樹脂薄膜等塑質薄膜等。
作為剝離劑，例如可舉出聚矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等橡膠系彈性體、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。
剝離材之厚度並無特別限制，以10～200μm為佳，較佳為25～170μm，更佳為35～80μm。
＜黏著薄片(II)的物性＞
對於本發明之一態樣，由在步驟(4)可更容易進行切削、研削之觀點來看，黏著薄片(II)以滿足下述要件(α)～(γ)的1以上者為佳，滿足下述要件(α)～(γ)中任二者為較佳，滿足全部要件(α)～(γ)者為更佳。
・要件(α)：基材(Y2)之楊氏模數為1.0MPa以上；
・要件(β)：基材(Y2)之厚度為5μm以上；
・要件(γ)：黏著劑層(X2)的儲存模數G’(23℃)為0.10MPa以上。
且，由步驟(4)中更容易進行切削、研削之觀點來看，以要件(α)所規定的基材(Y2)之楊氏模數為1.0～1000MPa者為佳，以1.5～800MPa者為較佳，以2.0～500MPa者為更佳。
又，由於步驟(4)中更容易進行切削、研削的觀點來看，在要件(β)所規定的基材(Y2)之厚度以5～250μm者為佳，以10～230μm者為較佳，以20～210μm者為更佳。
且，由於步驟(4)中更容易進行切削、研削的觀點來看，在要件(γ)所規定的黏著劑層(X2)的儲存模數G’(23℃)以0.10～1MPa者為佳，以0.12～0.9MPa者為較佳，以0.14～0.8MPa者為更佳。
[加工品的製造方法之各步驟]
其次，對於本發明之加工品的製造方法之各步驟做詳細說明。
本發明之加工品的製造方法，其係使用黏著性層合體，製造施以切削及研削之至少一種加工之加工品的方法，前述黏著性層合體具備：具有基材(Y1)及黏著劑層(X1)，且於任一層含有熱膨脹開始溫度(t)之熱膨脹性粒子的熱膨脹性之黏著薄片(I)，以及，具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著薄片(II)，且其係由黏著薄片(I)與黏著薄片(II)之基材(Y2)直接層合而成，
前述製造方法依序具有下述步驟(1)～(3)
・步驟(1)：前述黏著性層合體之黏著劑層(X1)之表面貼附於支撐體，同時於前述黏著性層合體之黏著劑層(X2)之表面貼附加工對象物的步驟
・步驟(2)：對前述加工對象物施以一以上之加工的步驟
・步驟(3)：藉由於前述熱膨脹性粒子之熱膨脹開始溫度(t)以上之加熱，一邊維持前述加工對象物貼附於前述黏著性層合體之黏著劑層(X2)之表面的狀態，一邊將前述黏著性層合體於黏著薄片(I)與黏著薄片(II)之基材(Y2)之界面P分離的步驟；
進而，具有下述步驟(4)，
・步驟(4)：對前述加工對象物之與黏著劑層(X2)之貼附面相反側之表面施以切削及研削之至少一種處理的步驟；
前述步驟(4)係於下述(X)及(Y)之至少一者中實施，
(X)：作為前述一以上之加工於前述步驟(2)中實施；
(Y)：於前述步驟(3)之後實施。
在本發明之製造方法中使用上述黏著性層合體。具體為使用黏著性層合體之黏著薄片(I)的黏著劑層(X1)之表面貼附於支撐體的同時，於黏著性層合體之黏著薄片(II)的黏著劑層(X2)的表面上貼附加工對象物者。因此，在將加工對象物固定於支撐體之狀態下可實施所定加工。且實施該所定的加工後，將施予該所定的加工之加工對象物所貼附的黏著薄片(II)，可以微弱力量自黏著薄片(I)一次容易分離。換言之，將施以該所定的加工之加工對象物所貼附的黏著薄片(II)自支撐體可容易地分離。因此，無須將施以該所定的加工之加工對象物貼附於新的黏著薄片，而可提供於下個步驟。
以下對於本發明之製造方法的各步驟，適宜地參照圖4及圖5下說明。
＜步驟(1)＞
圖4(a)及圖5(a)表示隔著黏著性層合體，於支撐體貼附加工對象物之狀態的截面模式圖。
步驟(1)中，如圖4(a)及圖5(a)所示，隔著上述第一態樣之黏著性層合體1a，於支撐體50貼附加工對象物60、70，將前述支撐體、前述黏著性層合體及前述加工對象物以此順序進行層合。
且，對於圖4及圖5，雖例示出使用圖1(a)所示黏著性層合體1a，對於使用具有其他構成的本發明之黏著性層合體的情況，亦同樣地，將前述支撐體、前述黏著性層合體及前述加工對象物以此順序進行層合。
如圖4(a)及圖5(a)所示，於步驟(1)中，於前述黏著性層合體所具有的黏著薄片(II)的黏著劑層(X2)貼附加工對象物60、70，使前述黏著性層合體所具有的黏著薄片(I)的黏著劑層(X1)與支撐體50貼附。
且作為於黏著性層合體貼附的加工對象物，例如可舉出半導體晶片、半導體晶圓、化合物半導體、半導體封裝、電子零件、藍寶石基板、顯示器、面板用基板等。
又，加工對象物可為於表面上形成切割凹槽之半導體晶圓等，亦可為將該切割凹槽之形成面側與黏著薄片(II)的黏著劑層(X2)貼附。又，加工對象物可為藉由雷射光照射於內部預先形成改質區域的半導體晶圓等。此等情況為，藉由於步驟(4)中進行研削，切割凹槽或改質區域成為分割起點，可分割加工對象物。
即，加工對象物為於表面上形成切割凹槽的半導體晶圓時，本發明之一態樣之製造方法中，步驟(1)為下述步驟(1-C)，前述步驟(4)為下述步驟(4-C)。
・步驟(1-C)：將前述黏著性層合體之黏著劑層(X1)之表面貼附於支撐體，同時於前述黏著性層合體之黏著劑層(X2)之表面貼附前述半導體晶圓之具有切入溝之面的步驟
・步驟(4-C)：對前述半導體晶圓之與黏著劑層(X2)之貼附面相反側之表面施以研削的步驟
又，加工對象物為具有成為分割起點的改質區域之半導體晶圓時，本發明之一態樣之製造方法中，步驟(4)為下述步驟(4-A)。
・步驟(4-A)：對前述半導體晶圓之與黏著劑層(X2)之貼附面相反側之表面施以研削的步驟
前述支撐體於步驟(2)中固定加工對象物，使用於提高加工之精度。
使前述支撐體貼附於黏著性層合體之黏著劑層(X1)的黏著表面全面者為佳。
因此，支撐體以板狀者為佳。又，如圖4及圖5所示，與黏著劑層(X1)的黏著表面122a貼附的側之支撐體50的表面面積為黏著劑層(X1)的黏著表面122a之面積以上者為佳。
作為構成前述支撐體之材質，配合加工對象物之種類或在步驟(2)所施以的加工，考慮機械強度或耐熱性等所要求的特性上做適宜選擇。
作為構成具體的支撐體之材質，例如可舉出SUS等金屬材料；玻璃、矽晶圓等非金屬無機材料；環氧樹脂、ABS樹脂、丙烯酸樹脂、工程設計塑質、超級工程設計塑質、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂等樹脂材料；玻璃環氧樹脂等複合材料等，此等中亦以SUS、玻璃及矽晶圓等為佳。
且，作為工程設計塑質，可舉出尼龍、聚碳酸酯(PC)及聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等。
作為超級工程設計塑質，可舉出聚伸苯基硫化物(PPS)、聚醚碸(PES)及聚醚醚酮(PEEK)等。
支撐體之厚度可考慮到所要求之特性等而做適宜選擇，以20μm以上50mm以下為佳，較佳為60μm以上20mm以下。
作為步驟(1)中之溫度條件，僅未達熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)即可。
＜步驟(2)＞
步驟(2)中，對於在步驟(1)於本發明之黏著性層合體的黏著劑層(X2)貼附的前述加工對象物，施予一以上的加工。
作為在步驟(2)施以的加工處理，例如可舉出使用對於加工對象物的樹脂之封裝處理、於加工對象物形成成為分割起點的改質區域之處理、迴路形成處理、蝕刻處理、鍍敷處理、濺射處理、蒸鍍處理、保護膜形成處理、使用另外準備的黏著薄片之層合處理等。
又，在步驟(2)施予的加工處理可為對於加工對象物之切削及研削之至少一種加工處理。
即，在步驟(2)所施予的加工處理可為含有將加工對象物切削的步驟及研削的步驟之至少一種步驟之加工，亦可為未含將加工對象物切削的步驟及研削的步驟之加工。
步驟(2)中之溫度條件亦與步驟(1)同樣地，僅為未達熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)即可。
以下作為步驟(2)，將進行於加工對象物形成成為分割起點的改質區域之處理(步驟(2-A))的情況、使用對於加工對象物之樹脂而進行封裝處理(步驟(2-B))的情況作為例子舉出說明。
(步驟(2-A))
步驟(2-A)為，加工對象物為半導體晶圓，於該半導體晶圓，形成成為分割起點之改質區域的步驟。
具體而言，如圖4(b)所示，將半導體晶圓與黏著薄片(II)之貼附面相反側之面作為雷射光入射面，藉由照射雷射光至雷射光的集光點成為半導體晶圓之內部，形成由多光子吸收等之改質區域71。改質區域71為藉由進行在步驟(4)中之研削，可作為半導體晶圓之分割起點的功能。
且，在圖4所示的製造例中，雖於步驟(3)之後實施步驟(4)，於步驟(2-A)之後，可實施如作為步驟(2)中之一以上的加工之一的步驟(4)的研削。此時，將個片化之半導體晶圓無須自黏著薄片(II)分離，將個片化半導體晶圓貼附於黏著薄片(II)的狀態下可直接提供於下個步驟。
即，本發明之一態樣之製造方法中，加工對象物為半導體晶圓，步驟(2)中之一以上之加工包含下述步驟(2-A)，
・步驟(2-A)：於前述半導體晶圓，形成成為分割起點之改質區域的步驟
步驟(4)為下述步驟(4-A)，
・步驟(4-A)：對前述半導體晶圓之與黏著劑層(X2)之貼附面相反側之表面施以研削的步驟
步驟(4-A)係於下述(X-A)或(Y-A)中實施，
(X-A)：作為前述一以上之加工於前述步驟(2-A)之後實施；
(Y-A)：於前述步驟(3)之後實施。
(步驟(2-B))
步驟(2-B)為，加工對象物為半導體晶片，將該半導體晶片，與黏著劑層(X2)的黏著表面中之前述半導體晶片之周邊部，以封裝材料被覆，使該封裝材料硬化，得到前述半導體晶片於硬化封裝材料經封裝而成的硬化封裝體的步驟。
圖5所示，本發明之製造方法為具有步驟(2-B)時，在步驟(1)中，作為加工對象物使用半導體晶片60。
半導體晶片60可使用過去公知者，於迴路面上形成由電晶體、電阻、凝結器等迴路元件所構成的集成電路。
而半導體晶片60的迴路面係以載置成以黏著薄片(II)的黏著劑層(X2)的黏著表面覆蓋者為佳。於半導體晶片的載置中，可使用倒裝晶片貼片機、貼片機等公知裝置。
半導體晶片60之配置佈局、配置數等可配合目的之封裝形態、生產數等做適宜決定即可。
其中，作為本發明之一態樣之製造方法，如FOWLP、FOPLP等，將半導體晶片60以比晶片尺寸大的區域藉由封裝材料進行覆蓋，不僅對於半導體晶片60的迴路面，亦對於封裝材料之表面區域可適用形成再配線層之封裝者為佳。
因此，半導體晶片60為載置於黏著劑層(X2)的黏著表面之一部分者，複數的半導體晶片60在空出一定間隔而被排列之狀態下，載置於該黏著表面者為佳，複數的半導體晶片60在空出一定間隔下，被排列成複數行且複數列之矩陣狀的狀態下載置於該黏著表面者為較佳。
半導體晶片60彼此之間隔為配合作為目的之封裝形態等做適宜決定即可。
而在步驟(2-B)中，將前述半導體晶片60與該半導體晶片60的至少周邊部之黏著劑層(X1)的黏著表面以封裝材料進行被覆(以下亦稱為「被覆步驟」)，使該封裝材料進行硬化，得到前述半導體晶片60封裝於硬化封裝材料而成的硬化封裝體61(以下亦稱為「硬化步驟」)。
半導體晶片60為藉由載置於黏著劑層(X2)的黏著表面之一部分，於黏著劑層(X2)的黏著表面之中形成半導體晶片60之周邊部。
換言之，所謂半導體晶片60的周邊部，表示複數半導體晶片60之中，相當於鄰接的半導體晶片60彼此的間隙之黏著劑層(X2)的黏著表面。
對於步驟(2-B)的被覆步驟，首先於半導體晶片60與黏著劑層(X2)的黏著表面之中，將半導體晶片60的周邊部以封裝材料進行被覆。封裝材料為包覆半導體晶片CP的露出的全體面下，於複數半導體晶片CP彼此的間隙亦被填充。
封裝材料為具有將半導體晶片CP及有關此的元素由外部環境進行保護的功能者。
作為封裝材料，可使用由作為半導體封裝材料料而被使用者之中，適宜地選擇任意者，例如可舉出含有熱硬化性樹脂的封裝材料，或含有能量線硬化性樹脂之封裝材料等。
又，封裝材料即使為在室溫為顆粒狀、薄片狀等固體，亦可為成為組成物之形態的液狀，但由作業性之觀點來看以薄片狀封裝材料為佳。
使用封裝材料，作為被覆半導體晶片60及其周邊部的方法，使用由過去適用於半導體封裝步驟之方法中，配合封裝材料之種類而做適宜選擇者，例如可使用轉動層合法、真空加壓法、真空層合法、旋轉塗布法、模塗法、傳遞模塑法、壓縮成形模塑法等。
且進行被覆步驟後，使封裝材料進行硬化，可得到半導體晶片60由硬化封裝材料進行封裝而成的硬化封裝體61。
且，步驟(2-B)的被覆步驟及硬化步驟以在未達熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)的溫度條件下進行者為佳。
又，所謂被覆步驟與硬化步驟，可分別實施，但對於被覆步驟，使封裝材料進行加熱時，藉由該加熱，可直接硬化封裝材料，可同時實施被覆步驟與硬化步驟。
且，在如圖5所示製造例中，雖於步驟(3)之後實施步驟(4)，但於步驟(2-B)之後，作為步驟(2)中之一以上的加工之一，可實施如步驟(4)。此時，無須將硬化封裝體自黏著薄片(II)分離，可將硬化封裝體貼附於黏著薄片(II)的狀態下提供於下個步驟。
即，本發明之一態樣之製造方法中，加工對象物為半導體晶片，步驟(2)中一以上的加工為含有下述步驟(2-B)，
・步驟(2-B)：將前述半導體晶片，與黏著劑層(X2)之黏著表面中之前述半導體晶片之周邊部，以封裝材被覆，使該封裝材硬化，得到前述半導體晶片經封裝於硬化封裝材而成之硬化封裝體的步驟
步驟(4)可於下述(X-B)及(Y-B)之至任一下實施。
(X-B)：作為前述一以上之加工於前述步驟(2-B)之後實施
(Y-B)：於前述步驟(3)之後實施
＜步驟(3)＞
步驟(3)中，藉由在膨脹開始溫度(t)以上之溫度的加熱處理(分離用加熱處理)，在前述黏著性層合體的黏著薄片(I)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P進行分離。
圖4(c)及圖5(c)表示藉由分離用加熱處理，在界面P進行分離的狀態之截面模式圖。
圖4(c)及圖5(c)表示藉由分離用加熱處理，施以所定加工的加工對象物於黏著薄片(II)上進行層合的狀態下進行分離之狀態。
作為步驟(3)中之分離用加熱處理時的「膨脹開始溫度(t)以上之溫度」，以「膨脹開始溫度(t)+10℃」以上「膨脹開始溫度(t)+60℃」以下者為佳，以「膨脹開始溫度(t)+15℃」以上「膨脹開始溫度(t)+40℃」以下者為較佳。
如此在步驟(2)中施以所定加工的加工對象物進行層合(貼附)之狀態下，因可將黏著薄片(II)自黏著薄片(I)分離並自支撐體分離，故可省略將分離後的加工對象物貼附於黏著薄片之作業，提供於下個步驟。
＜步驟(4)＞
在步驟(4)中，對於與加工對象物之黏著劑層(X2)的貼附面為相反側之表面施以切削及研削之至少一種加工。
例如，對於該加工對象物，藉由施以切削，可將該加工對象物分割成所望尺寸。又，藉由施以研削，可將該加工對象物調整為所望厚度。且，進行切削與研削之雙方加工，可進行加工對象物之分割與厚度的調整。
又，例如如圖4(d)所示，藉由成為分割起點的改質區域經雷射光照射所形成的半導體晶圓之與黏著薄片(II)的貼附面為相反側之面進行研削，使半導體晶圓成為薄且容易切斷的狀態後，藉由以研削砥石等加工壓力將改質區域71作為分割起點而產生間隙72，可將半導體晶圓個片化成所定尺寸，做成半導體晶片。
又，如圖5(d)所示，藉由將硬化封裝體61進行切削，將硬化封裝體61個片化成半導體晶片CP單位後可得到硬化封裝體之個片化物61a。使用將硬化封裝體61進行個片化之切削方法，並無特別限定，例如可舉出切割鋸等切斷手段等。
又，雖圖示中省略，在使半導體晶片之迴路表面露出的目的下，可使硬化封裝體61進行研削。
且，於步驟(1)～(4)之間、步驟(1)之前、步驟(4)之後，可進一步具有其他步驟。例如可具有再配線形成步驟等。
又，步驟(4)為如上述所示，可作為步驟(2)中一以上的加工之一而實施，或者亦可於步驟(3)之後實施。且，步驟(4)為作為步驟(2)中一以上的加工之一而實施之同時，可於步驟(3)之後實施。
例如，作為步驟(2)中一以上的加工之一，對於與加工對象物之黏著劑層(X2)的貼附面為相反側之表面進行研削，亦可於步驟(3)之後進行切削。
又，作為步驟(2)中一以上的加工之一，僅對於與加工對象物的黏著劑層(X2)之貼附面為相反側之表面的一方向(例如加工對象物之XY平面中的X軸方向)進行切削，將加工對象物分割成短冊狀，於步驟(3)之後，僅於另一方向(例如加工對象物之XY平面中的Y軸方向)進行切削，亦可將分割成短冊狀之加工對象物再進行切細(例如切割成正方形狀)分割。

[實施例]
對於本發明，藉由以下實施例更具體說明，但本發明並非限定於以下實施例者。且，以下製造例及實施例中之物性值係由以下方法所測定的值。
＜質量平均分子量(Mw)＞
使用凝膠滲透層析法裝置(Tosoh公司股份有限公司製之製品名「HLC-8020」)，以下述條件下進行測定，使用以標準聚苯乙烯換算所測定的值。

(測定條件)
・管柱：依序連結「TSK guard column HXL-L」「TSK gel G2500HXL」「TSK gel G2000HXL」「TSK gel G1000HXL」(皆為Tosoh公司股份有限公司製)者
・管柱溫度：40℃
・展開溶劑：四氫呋喃
・流速：1.0mL/min
＜各層之厚度測定＞
使用TECLOCK股份有限公司製的定壓厚度測定器(型號：「PG-02J」，依據標準規格：JIS K6783、Z1702、Z1709)而進行測定。
＜熱膨脹性粒子之平均粒子徑(D50 )，90%粒子徑(D90 )＞
使用雷射衍射式粒度分布測定裝置(例如Malvern公司製之製品名「Mastersizer3000」)，測定在23℃中之膨脹前的熱膨脹性粒子之粒子分布。
且將自粒子分布的粒子徑較小開始計算的累積體積頻度相當於50%及90%之粒子徑，各作為「熱膨脹性粒子之平均粒子徑(D50 )」及「熱膨脹性粒子之90%粒子徑(D90 )」。
＜熱膨脹性基材層(Y1-1)的儲存模數E’＞
將所形成的熱膨脹性基材層(Y1-1)做成尺寸為縱5mm×橫30mm×厚度200μm，將除去剝離材者作為試驗試樣。
使用動態黏彈性測定裝置(TA儀器公司製之製品名「DMAQ800」)，在試驗開始溫度0℃，試驗終了溫度300℃，昇溫速度3℃/分鐘，振動數1Hz、振幅20μm之條件下，測定所定溫度中之該試驗試樣的儲存模數E’。
＜第1黏著劑層(X11)及第2黏著劑層(X12)以及黏著劑層(X2)的貯藏剪斷彈性率G’＞
將所形成的第1黏著劑層(X11)及第2黏著劑層(X12)以及黏著劑層(X2)切斷成直徑8mm的圓形者，除去剝離材後重疊，做成厚度3mm之試驗試樣。
使用黏彈性測定裝置(使用Anton Paar公司製之裝置名「MCR300」)，在試驗開始溫度0℃，試驗終了溫度300℃，昇溫速度3℃/分鐘，振動數1Hz之條件下，藉由扭轉剪斷法，測定在所定溫度中之試驗試樣的貯藏剪斷彈性率G’。
＜探針黏性值＞
將成為測定對象的基材切成一邊10mm的正方形後，將在23℃且50%RH(相對濕度)的環境下靜置24小時者作為試驗試樣。
在23℃且50%RH(相對濕度)的環境下，使用黏性試驗機(日本特殊測器股份有限公司製之製品名「NTS-4800」)，將試驗試樣表面中之探針黏性值依據JIS Z0237：1991進行測定。
具體為，將直徑5mm的不銹鋼鋼製之探測器以1秒且接觸負載0.98N/cm2 的試驗試樣表面上使其接觸後，將該探測器以10mm/秒的速度，測定自試驗試樣的表面脫離的必要力量，將所得之值作為該試驗試樣之探針黏性值。
＜分離用加熱處理前之黏著劑層的黏著力之測定＞
於形成在剝離薄膜上之黏著劑層的黏著表面上，層合厚度50μm之PET薄膜(東洋紡股份有限公司製之製品名「Cosmo ShineA4100」)，做成貼附基材之黏著薄片。
且除去剝離薄膜，將露出的黏著劑層之黏著表面，貼附於黏著體之不銹鋼鋼板(SUS304 360號研磨)，在23℃且50%RH(相對濕度)的環境下，靜置24小時後，在相同環境下，依據JIS Z0237：2000，藉由180°拉伸剝離法，以拉伸速度300mm/分鐘下，測定在23℃中之黏著力。
在以下實施例中，在形成各層時所使用的黏著性樹脂、添加劑、熱膨脹性粒子及剝離材的詳細內容如以下所示。
＜黏著性樹脂＞
・丙烯酸系共聚物(i)：具有來自由2-乙基己基丙烯酸酯(2EHA)/2-羥基乙基丙烯酸酯(HEA)＝80.0/20.0(質量比)所成的原料單體之構成單位的Mw60萬之丙烯酸系共聚物。
・丙烯酸系共聚物(ii)：具有來自由n-丁基丙烯酸酯(BA)/甲基甲基丙烯酸酯(MMA)/2-羥基乙基丙烯酸酯(HEA)/丙烯酸＝86.0/8.0/5.0/1.0(質量比)所成原料單體之構成單位的Mw60萬之丙烯酸系共聚物。
＜添加劑＞
・異氰酸酯交聯劑(i)：Tosoh公司股份有限公司製之製品名「Coronate L」、固體成分濃度：75質量%。
・光聚合起始劑(i)：BASF公司製之製品名「IRGACURE184」、1-羥基-環己基-苯基-酮。
＜熱膨脹性粒子＞
・熱膨脹性粒子(i)：日本Philite股份有限公司之製品名「Expancel 031DU40」、膨脹開始溫度(t)＝90℃、平均粒子徑(D50 )＝22μm，90%粒子徑(D90 )＝30μm。
＜剝離材＞
・重剝離薄膜：Lintec股份有限公司製之製品名「SP-PET382150」，於聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的單面上設有由聚矽氧系剝離劑所形成的剝離劑層者，厚度：38μm。
・輕剝離薄膜：Lintec股份有限公司製之製品名「SP-PET381031」，於PET薄膜的單面上設有由聚矽氧系剝離劑所形成的剝離劑層者，厚度：38μm。
[實施例1]
對於圖2(b)所示黏著性層合體1d，於黏著薄片(I)的第2黏著劑層(X12)及黏著薄片(II)的黏著劑層(X2)上，進一步具有層合剝離材之構成，將於黏著薄片(II)的基材(Y2)與黏著劑層(X2)之間設有中間層(Z2)的黏著性層合體以以下程序製作。
[1]黏著薄片(I)的製作
(1-1)第1黏著劑層(X11)的形成
於黏著性樹脂的上述丙烯酸系共聚物(i)的固體成分100質量份，添加上述異氰酸酯系交聯劑(i)5.0質量份(固體成分比)，以甲苯進行稀釋，並均勻地攪拌後調製出固體成分濃度(有效成分濃度)25質量%的黏著劑組成物。
且於上述重剝離薄膜的剝離劑層之表面上塗布該黏著劑組成物而形成塗膜，將該塗膜在100℃下進行60秒乾燥後形成厚度5μm之非熱膨脹性黏著劑層的第1黏著劑層(X11)。
且，在23℃中之第1黏著劑層(X11)的貯藏剪斷彈性率G’(23)為2.5×105 Pa。
又，依據上述方法進行測定的第1黏著劑層(X11)的黏著力為0.3N/25mm。
(1-2)第2黏著劑層(X12)的形成
於黏著性樹脂之上述丙烯酸系共聚物(ii)的固體成分100質量份中添加上述異氰酸酯系交聯劑(i)0.8質量份(固體成分比)，以甲苯進行稀釋，並均勻地攪拌，調製出固體成分濃度(有效成分濃度)25質量%之黏著劑組成物。
且於上述輕剝離薄膜之剝離劑層的表面上塗布該黏著劑組成物並形成塗膜，將該塗膜在100℃進行60秒乾燥後形成厚度10μm之第2黏著劑層(X12)。
且，在23℃中之第2黏著劑層(X12)的貯藏剪斷彈性率G’(23)為9.0×104 Pa。
又，依據上述方法進行測定之第2黏著劑層(X12)的黏著力為1.0N/25mm。
(1-3)基材(Y1)的製作
(1-3-1)組成物(y1-1)的調製
於使酯型二醇與異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)進行反應所得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物，與2-羥基乙基丙烯酸酯進行反應後得到質量平均分子量(Mw)5000之2官能的丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物。
且，於在上述所合成的丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物40質量%(固體成分比)中，作為能量線聚合性單體，添加異冰片基丙烯酸酯(IBXA)40質量%(固體成分比)及苯基羥基丙基丙烯酸酯(HPPA)20質量%(固體成分比)，對於丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物及能量線聚合性單體之全量(100質量份)而言，進一步添加光聚合起始劑(i)2.0質量份(固體成分比)及作為添加劑之酞菁系顏料0.2質量份(固體成分比)，調製出能量線硬化性組成物。
且於該能量線硬化性組成物中添加上述熱膨脹性粒子(i)，調製出未含有溶劑之無溶劑型的組成物(y1-1)。
且，對於組成物(y1-1)的全量(100質量%)而言，熱膨脹性粒子(i)的含有量為20質量%。
(1-3-2)基材(Y1)的製作
於非熱膨脹性基材之厚度50μm的聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜(東洋紡股份有限公司製之製品名「Cosmo ShineA4300」，探針黏性值：0mN/5mmφ)的表面上塗布所調製的組成物(y1-1)而形成塗膜。
且，使用紫外線照射裝置(Eye graphics公司製之製品名「ECS-401GX」)及高壓水銀燈(Eye graphics公司製之製品名「H04-L41」)，以照度160mW/cm2 ，光量500mJ/cm2 的條件下照射紫外線，使該塗膜硬化，形成厚度50μm之熱膨脹性基材(Y-1)。且，紫外線照射時之上述照度及光量為使用照度・光量計(EIT公司製之製品名「UV Power Puck II」)所測定的值。
又，上述非熱膨脹性基材之PET薄膜相當於非熱膨脹性基材層(Y1-2)。
且，作為測定熱膨脹性基材層(Y1-1)的物性值之試樣，於上述輕剝離薄膜的剝離劑層之表面上塗布該樹脂組成物並形成塗膜，將該塗膜在100℃下進行120秒乾燥，同樣形成厚度50μm之熱膨脹性基材層(Y1-1)。
且，依據上述測定方法，測定熱膨脹性基材層(Y1-1)的各溫度中之儲存模數及探針黏性值。該測定結果如以下所示。
・23℃中之儲存模數E’(23)＝5.0×108 Pa
・100℃中之儲存模數E’(100)＝4.0×106 Pa
・208℃中之儲存模數E’(208)＝4.0×105 Pa
・探針黏性值＝2mN/5mmφ
(1-4)各層之層合
將在上述(1-3)所製作的基材(Y1)之非熱膨脹性基材層(Y1-2)與在上述(1-2)所形成的第2黏著劑層(X12)進行貼附，同時將熱膨脹性基材層(Y1-1)與在上述(1-2)所形成的第2黏著劑層(X12)進行貼附。
且以輕剝離薄膜/第2黏著劑層(X12)/非熱膨脹性基材層(Y1-2)/熱膨脹性基材層(Y1-1)/第1黏著劑層(X11)/重剝離薄膜之順序進行層合後製作黏著薄片(I)。
[2]黏著薄片(II)的製作
(2-1)黏著劑層(X2)的形成
於黏著性樹脂之上述丙烯酸系共聚物(ii)的固體成分100質量份中添加上述異氰酸酯系交聯劑(i)8質量份(固體成分比)，以甲苯進行稀釋，並均勻地攪拌，調製出固體成分濃度(有效成分濃度)25質量%之黏著劑組成物。
且於上述重剝離薄膜之剝離劑層的表面上，塗布該黏著劑組成物並形成塗膜，將該塗膜在100℃進行60秒乾燥後形成厚度20μm之黏著劑層(X2)。
又，依據上述方法所測定的黏著劑層(X2)的黏著力為0.5N/25mm。
(2-2)基材(Y2)
基材(Y2)為厚度50μm之聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜(東洋紡股份有限公司製之製品名「Cosmo ShineA4300」、探針黏性值：0mN/5mmφ)。
(2-3)中間層(Z2)
(1)中間層形成用組成物之調製
添加非能量線硬化性丙烯酸系共聚物C1之100質量份、能量線硬化性丙烯酸系共聚物D1之68質量份、甲苯二異氰酸酯系交聯劑(商品名：BHS 8515、Toyochem公司製)2.8質量份及上述光聚合起始劑(i)2.7質量份，以乙酸乙酯進行稀釋後，調製出固體成分濃度(有效成分濃度)35質量%之中間層形成用組成物的溶液。
(2)非能量線硬化性丙烯酸系共聚物C1之調製
將丁基丙烯酸酯(BA)90質量份及丙烯酸(AAc)10質量份添加於乙酸乙酯溶劑中，作為聚合起始劑添加偶氮二異丁腈(AIBN)1.0質量份，進行溶液聚合後得到非能量線硬化性之丙烯酸系共聚物C1(Mw：50萬)。
(3)能量線硬化性丙烯酸系共聚物D1之調製
將丁基丙烯酸酯(BA)62質量份、甲基甲基丙烯酸酯(MMA)10質量份及2-羥基乙基丙烯酸酯(HEA)28質量份添加於乙酸乙酯溶劑中，作為聚合起始劑，添加偶氮二異丁腈(AIBN)1.0質量份，進行溶液聚合，經一定時間後，得到丙烯酸系共聚物(BA/MMA/HEA＝62/10/28(質量%))。
繼續對於該丙烯酸系共聚物，添加對於所添加的HEA中之全羥基數100當量而言異氰酸酯基數為80當量之量的甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯，進行反應，得到於側鏈具有能量線聚合性基之能量線硬化性丙烯酸系共聚物D1(Mw：10萬)。能量線硬化性丙烯酸系共聚物D1中由上述式(2)所算出的β值為22.4。
(4)中間層(Z2)的製作
於剝離薄片(Lintec公司製之商品名「SP-PET381031」，進行聚矽氧剝離處理的聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯薄膜，厚度：38μm)的經剝離處理之面上，將如上述所調製之中間層形成用組成物的溶液，塗布至乾燥後的厚度為45μm後形成塗布膜。其次，將該塗布膜在100℃進行2分鐘乾燥後，形成中間層(Z2)，製作出附有中間層的剝離薄片。
且，對於該附有中間層的剝離薄片，製作出2片相同者，貼附2片附有中間層的剝離薄片之中間層彼此，得到厚度90μm之中間層(Z2)為2片剝離薄片所挾持之層壓板。
(2-4)各層之層合
除去厚度90μm之中間層(Z2)以2片剝離薄片所挾持的層壓板之一方剝離薄片，於露出的中間層(Z2)的面上層合基材(Y2)。
又，亦除去另一方的剝離薄片，於露出的中間層(Z2)的面上，貼附在上述(2-1)所形成的黏著劑層(X2)，以基材(Y2)/中間層(Z2)/黏著劑層(X2)/重剝離薄膜之順序進行層合後製作出黏著薄片(II)。
[3]黏著性層合體之製作
除去在上述[1]所製作的黏著薄片(I)之重剝離薄膜，貼附露出的第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)的基材(Y2)後得到黏著性層合體。
對於該黏著性層合體，在加熱處理前及加熱處理後的黏著薄片(I)的第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P進行分離時的剝離力(F0 )、(F1 )依據下述方法進行測定。
其結果，剝離力(F0 )＝0.5N/25mm，剝離力(F1 )＝0mN/25mm，剝離力(F1 )與剝離力(F0 )之比〔(F1 )/(F0 )〕為0。
＜剝離力(F0 )的測定＞
將所製作的黏著性層合體在23℃且50%RH(相對濕度)的環境下，靜置24小時後，除去黏著性層合體之黏著薄片(II)所具有的重剝離薄膜，將露出的黏著劑層(X2)貼附於不銹鋼板(SUS304，360號研磨)。
其次將貼附有黏著性層合體的不銹鋼板之端部固定在萬能拉伸試驗機(Orientec公司製之製品名「Tensilon UTM-4-100」)的下夾盤。
又，欲在黏著性層合體之黏著薄片(I)的第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P進行剝離，以萬能拉伸試驗機的上夾盤固定黏著性層合體之黏著薄片(I)。
且在與上述相同環境下，依據JIS Z0237：2000，藉由180°拉伸剝離法，以拉伸速度300mm/分鐘在界面P進行剝離時所測定的剝離力作為「剝離力(F0 )」。
＜剝離力(F1 )的測定＞
除去所製作的黏著性層合體之黏著薄片(II)所具有的重剝離薄膜，將露出的黏著劑層(X2)貼附於不銹鋼板(SUS304，360號研磨)。
且將不銹鋼鋼板及黏著性層合體在240℃進行3分鐘加熱，使黏著性層合體之熱膨脹性基材層(Y1-2)中之熱膨脹性粒子進行膨脹。
其後與上述剝離力(F0 )的測定同樣地，在上述條件下，在黏著薄片(I)的第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P進行剝離時所測定的剝離力作為「剝離力(F1 )」。
且對於剝離力(F1 )的測定，在萬能拉伸試驗機之上夾盤，欲固定黏著性層合體之黏著薄片(I)時，在界面P，黏著薄片(I)會完全被分離，無法固定之情況時，結束測定，此時的剝離力(F1 )為「0mN/25mm」。
[實施例2]
藉由以下程序，製作出貼附有加工對象物之狀態的黏著薄片(II)。

(1)半導體晶圓之固定
除去在實施例1所製作的黏著性層合體所具有的輕剝離薄膜，將露出的黏著薄片(I)的第2黏著劑層(X12)的黏著表面貼附於支撐體(玻璃)。
且使具有形成圖型之迴路面的半導體晶圓之迴路面側的表面，與黏著薄片(II)的黏著劑層(X2)進行貼附，隔著在實施例1所製作之黏著性層合體，於支撐體固定半導體晶圓。
(2)改質區域之形成
使用隱形雷射照射裝置(東京精密公司製之裝置名「ML300PlusWH」)，自與半導體晶圓的迴路形成面為相反側之面上進行隱形雷射照射，於半導體晶圓內部形成成為分割起點之改質區域。
(3)在界面P之分離
上述(2)之後，將黏著性層合體在成為熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(90℃)以上的120℃下進行3分鐘之加熱處理。且在黏著薄片(I)的第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)的基材(Y2)之界面P，可一次容易地分離。
且於分離後，得到內部貼附有形成改質區域之半導體晶圓的狀態之黏著薄片(II)。
1a、1b、1c、1d、2‧‧‧黏著性層合體
(I)‧‧‧黏著薄片
(X1)‧‧‧黏著劑層
(X11)‧‧‧第1黏著劑層
(X12)‧‧‧第2黏著劑層
(Y1)‧‧‧基材
(Y1-1)‧‧‧熱膨脹性基材層
(Y1-2)‧‧‧非熱膨脹性基材層
(II)‧‧‧黏著薄片
(X2)‧‧‧黏著劑層
(Z2)‧‧‧中間層
(Y2)‧‧‧基材
50‧‧‧支撐體
60、70‧‧‧加工對象物
61‧‧‧硬化封裝體
61a‧‧‧硬化封裝體之個片化物
71‧‧‧改質區域
72‧‧‧間隙
[圖1]表示使用於本發明之製造方法的第一態樣之黏著性層合體的構成之該黏著性層合體的截面模式圖。
[圖2]表示使用於本發明之製造方法的第二態樣之黏著性層合體的構成的該黏著性層合體之截面模式圖。
[圖3]表示使用於本發明之製造方法的第三態樣之黏著性層合體的構成之該黏著性層合體的截面模式圖。
[圖4]表示本發明之製造方法的一例子概略圖。
[圖5]表示本發明之製造方法的其他例子概略圖。

Claims (17)

  1. 一種加工品之製造方法，其係使用黏著性層合體，製造施以切削及研削之至少一種加工之加工品的方法，前述黏著性層合體具備：具有基材(Y1)及黏著劑層(X1)，且於任一層含有熱膨脹開始溫度(t)之熱膨脹性粒子的熱膨脹性之黏著薄片(I)，以及，具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著薄片(II)，且其係由黏著薄片(I)與黏著薄片(II)之基材(Y2)直接層合而成， 前述製造方法依序具有下述步驟(1)~(3)， ・步驟(1)：將前述黏著性層合體之黏著劑層(X1)之表面貼附於支撐體，同時於前述黏著性層合體之黏著劑層(X2)之表面貼附加工對象物的步驟； ・步驟(2)：對前述加工對象物施以一以上之加工的步驟； ・步驟(3)：藉由於前述熱膨脹性粒子之熱膨脹開始溫度(t)以上之加熱，一邊維持前述加工對象物貼附於前述黏著性層合體之黏著劑層(X2)之表面的狀態，一邊將前述黏著性層合體於黏著薄片(I)與黏著薄片(II)之基材(Y2)之界面P分離的步驟； 進而，具有下述步驟(4)， ・步驟(4)：對前述加工對象物之與黏著劑層(X2)之貼附面相反側之表面施以切削及研削之至少一種加工的步驟； 前述步驟(4)係於下述(X)及(Y)之至少一者中實施， (X)：作為前述一以上之加工於前述步驟(2)中實施； (Y)：於前述步驟(3)之後實施。
  2. 如請求項1之製造方法，其中前述熱膨脹性粒子之熱膨脹開始溫度(t)為60~270℃。
  3. 如請求項1或2之製造方法，其中黏著薄片(I)所具有之基材(Y1)，具有含有前述熱膨脹性粒子之熱膨脹性基材層(Y1-1)。
  4. 如請求項3之製造方法，其中黏著薄片(I)所具有之基材(Y1)，具有熱膨脹性基材層(Y1-1)與非熱膨脹性基材層(Y1-2)。
  5. 如請求項3或4之製造方法，其中黏著薄片(I)所具有之基材(Y1)之熱膨脹性基材層(Y1-1)，與黏著薄片(II)之基材(Y2)直接層合而成。
  6. 如請求項3~5中任一項之製造方法，其中黏著薄片(I)具有藉由第1黏著劑層(X11)及第2黏著劑層(X12)夾持基材(Y1)的構成， 具有黏著薄片(I)之第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)之基材(Y2)直接層合的構成， 黏著薄片(I)之第2黏著劑層(X12)之表面，係貼附於前述支撐體的面。
  7. 如請求項1或2之製造方法，其中第1黏著劑層(X11)為含有前述熱膨脹性粒子之熱膨脹性黏著劑層， 第2黏著劑層(X12)為非熱膨脹性黏著劑層， 具有黏著薄片(I)之第1黏著劑層(X11)與黏著薄片(II)之基材(Y2)直接層合的構成， 黏著薄片(I)之第2黏著劑層(X12)之表面，係貼附於前述支撐體的面。
  8. 如請求項6或7之製造方法，其中基材(Y1)之層合有第1黏著劑層(X11)之側的表面，係施以易接著處理的表面。
  9. 如請求項1~8中任一項之製造方法，其中基材(Y2)之層合有黏著薄片(I)之側的表面，係施以剝離處理的表面。
  10. 如請求項1~9中任一項之製造方法，其中黏著薄片(II)在基材(Y2)與黏著劑層(X2)之間，具有中間層(Z2)。
  11. 如請求項1~10中任一項之製造方法，其中黏著薄片(II)之黏著劑層(X2)，係能量線硬化型之黏著劑層。
  12. 如請求項1~11中任一項之製造方法，其中黏著薄片(II)滿足1以上之下述要件(α)~(γ)， ・要件(α)：基材(Y2)之楊氏模數為1.0MPa以上； ・要件(β)：基材(Y2)之厚度為5μm以上； ・要件(γ)：黏著劑層(X2)之儲存模數G’(23℃)為0.1MPa以上。
  13. 如請求項1~12中任一項之製造方法，其中前述加工對象物為半導體晶圓， 前述步驟(2)中之前述一以上之加工包含下述步驟(2-A)， ・步驟(2-A)：於前述半導體晶圓，形成成為分割起點之改質區域的步驟； 前述步驟(4)為下述步驟(4-A)， ・步驟(4-A)：對前述半導體晶圓之與黏著劑層(X2)之貼附面相反側之表面施以研削的步驟； 前述步驟(4-A)係於下述(X-A)或(Y-A)中實施， (X-A)：作為前述一以上之加工於前述步驟(2-A)之後實施； (Y-A)：於前述步驟(3)之後實施。
  14. 如請求項1~12中任一項之製造方法，其中前述加工對象物為半導體晶片， 前述步驟(2)中之前述一以上之加工包含下述步驟(2-B)， ・步驟(2-B)：將前述半導體晶片，與黏著劑層(X2)之黏著表面中之前述半導體晶片之周邊部，以封裝材被覆，使該封裝材硬化，得到前述半導體晶片經封裝於硬化封裝材而成之硬化封裝體的步驟； 前述步驟(4)係於下述(X-B)及(Y-B)之至少一者中實施， (X-B)：作為前述一以上之加工於前述步驟(2-B)之後實施； (Y-B)：於前述步驟(3)之後實施。
  15. 如請求項1~12中任一項之製造方法，其中前述加工對象物為具有成為分割起點之改質區域的半導體晶圓， 前述步驟(4)為下述步驟(4-A)， ・步驟(4-A)：對前述半導體晶圓之與黏著劑層(X2)之貼附面相反側之表面實施研削的步驟。
  16. 如請求項1~12中任一項之製造方法，其中前述加工對象物為具有成為分割起點之切入溝的半導體晶圓， 前述步驟(1)為下述步驟(1-C)，前述步驟(4)為下述步驟(4-C)， ・步驟(1-C)：將前述黏著性層合體之黏著劑層(X1)之表面貼附於支撐體，同時於前述黏著性層合體之黏著劑層(X2)之表面貼附前述半導體晶圓之具有切入溝之面的步驟； ・步驟(4-C)：對前述半導體晶圓之與黏著劑層(X2)之貼附面相反側之表面實施研削的步驟。
  17. 一種用以製造施以切削及研削之至少一種加工之加工品的黏著性層合體，其具備：具有基材(Y1)及黏著劑層(X1)，且於任一層含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性之黏著薄片(I)，以及，具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著薄片(II)，且其係由黏著薄片(I)與黏著薄片(II)之基材(Y2)直接層合而成。
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