TW201940337A - 氣體阻隔性層合體 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於提供一種具有優良可撓性之氣體阻隔性層合體者，其為含有底層及氣體阻隔層之氣體阻隔性層合體，其為前述底層含有具有硬化性單體的硬化性樹脂組成物之硬化物，前述硬化性單體為含有具有以下長間隔物之硬化性單體，該長間隔物為，於分子內具有1個反應性官能基與其他反應性官能基，隔著聚伸烷基及聚氧化烯基中任一方，或雙方進行連結的結構，具有構成該聚伸烷基及聚氧化烯基的各主鏈之碳原子數的合計為18以上者。

Description

氣體阻隔性層合體
本發明係關於氣體阻隔性層合體。
近年來，對於液晶顯示器、有機電致發光(EL)顯示等顯示裝置，欲實現薄型化、輕量化及可撓性化等，作為構成裝置之密封材料，取代過去玻璃而使用厚度薄的透明塑質薄膜者被檢討。
但，一般塑質薄膜與玻璃相比，對大氣中之水蒸氣或氧等透過性為大，若將透明塑質薄膜作為顯示裝置的支持基板使用時，透過前述支持基板的水蒸氣或氧等會在顯示裝置內部的元件等起作用，而具有降低裝置之性能，或縮短壽命等問題。
欲解決該問題，有提案出將具有抑制水蒸氣或氧的透過之特性的薄膜(以下將該特性稱為「氣體阻隔性」，將具有氣體阻隔性的層合體稱為「氣體阻隔性層合體」)作為顯示裝置之密封材料使用。
例如，於專利文獻1中記載於透明塑質薄膜表面上，藉由蒸鍍法、離子電鍍法、濺射法等，層合由金屬氧化物所成的透明氣體阻隔層之可撓性顯示基板。
又，於專利文獻2中記載，於基材的至少單面上，具有對聚矽氮烷膜施予電漿處理所形成的氣體阻隔層之氣體阻隔薄膜。
如此中，要求更高性能之顯示裝置等，對於使用於電子裝置用構件等氣體阻隔層合體上，除氣體阻隔性以外，對於耐熱性、耐溶劑性、層間密著性的優異性，複折射率低且對光學各向同性的優異性等種種優良特性開始被要求。
對於上述要求，例如於專利文獻3中記載具有由含有玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上的熱可塑性樹脂及硬化性單體之硬化性樹脂組成物的硬化物所成的層之氣體阻隔薄膜。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]特開2010-192764公報
[專利文獻2]特開2012-204452公報
[專利文獻3]國際公開第2013/065812號
[發明所解決的問題]
然而，專利文獻3的氣體阻隔薄膜除氣體阻隔性，即使耐熱性、耐溶劑性、層間密著性等優異，但不具有充分的可撓性。對於專利文獻3的氣體阻隔薄膜，於硬化性樹脂組成物中之熱可塑性樹脂及硬化性單體的配合比中，若增加熱可塑性樹脂的比率，雖可得到由硬化性樹脂組成物之硬化物所成的層之可撓性的提高，但並非充分者。
本發明為有鑑於上述，提高具有優良可撓性的氣體阻隔性層合體為課題。

[解決課題的手段]
本發明者們，欲解決上述課題而重複詳細檢討結果，發現對於含有底層及氣體阻隔層的氣體阻隔性層合體中構成底層的硬化性單體之化學結構，將構成於反應性官能基間使用作為間隔物的聚伸烷基或聚氧化烯基之各主鏈的碳原子之數目合計設定在特定範圍時，可得到具有優良可撓性之氣體阻隔性層合體，而完成本發明。
即，本發明為提供以下[1]～[10]者。
[1]一種氣體阻隔性層合體，其為含有底層及氣體阻隔層的氣體阻隔性層合體，其特徵為前述底層含有具有硬化性單體的硬化性樹脂組成物之硬化物，前述硬化性單體為含有具有以下長間隔物之硬化性單體，該長間隔物為，於分子內具有1個反應性官能基與其他反應性官能基，隔著聚伸烷基及聚氧化烯基中任一方，或雙方進行連結的結構，具有構成該聚伸烷基及聚氧化烯基的各主鏈之碳原子數的合計為18以上者。
[2]如上述[1]之氣體阻隔性層合體，其中前述硬化性單體為進一步含有具有以下短間隔物之硬化性單體，該短間隔物為，具有1個反應性官能基與其他反應性官能基未隔著聚伸烷基或聚氧化烯基中任一者而進行連結的結構，或1個反應性官能基與其他反應性官能基隔著聚伸烷基及聚氧化烯基中任一方，或者雙方進行連結的結構，構成該聚伸烷基及聚氧化烯基的主鏈之碳原子數的合計為16以下者。
[3]前述底層為進一步含有熱可塑性樹脂之上述[1]或[2]所記載的氣體阻隔性層合體。
[4]前述熱可塑性樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)為130℃以上的上述[3]所記載的氣體阻隔性層合體。
[5]前述熱可塑性樹脂為聚碸系樹脂，或脂環式烴系樹脂的上述[3]或[4]所記載的氣體阻隔性層合體。
[6]前述底層的厚度為0.1～50μm之上述[1]～[5]中任一所記載的氣體阻隔性層合體。
[7]前述底層的斷裂伸長率為3.5%以上之上述[1]～[6]中任一所記載的氣體阻隔性層合體。
[8]前述氣體阻隔層為進行硬化的塗膜之上述[1]～[7]中任一所記載的氣體阻隔性層合體。
[9]前述氣體阻隔層為對於含有進行硬化的聚矽氮烷系化合物之層施予改質處理者之上述[1]～[8]中任一所記載的氣體阻隔性層合體。
[10]前述氣體阻隔性層合體為進一步含有工程片之上述[1]～[9]中任一所記載的氣體阻隔性層合體。

[發明之效果]
依據本發明提供一種具有優良可撓性之氣體阻隔性層合體。
[實施發明的型態]
[氣體阻隔性層合體]
本發明之氣體阻隔性層合體為含有底層及氣體阻隔層之氣體阻隔性層合體，前述底層含有具有硬化性單體的硬化性樹脂組成物之硬化物，前述硬化性單體為含有具有以下長間隔物之硬化性單體，該長間隔物為，於分子內具有1個反應性官能基與其他反應性官能基，隔著聚伸烷基及聚氧化烯基中任一方，或雙方進行連結的結構，具有構成該聚伸烷基及聚氧化烯基的各主鏈之碳原子數的合計為18以上者(以下有時將具有長間隔物的硬化性單體稱為「長間隔物硬化性單體」)。
本發明為含有底層及氣體阻隔層的氣體阻隔性層合體中，對於具有構成底層之反應性官能基的長間隔物硬化性單體之分子內，於反應性官能基間，隔著成為間隔物之聚伸烷基及/或聚氧化烯基，使含於聚伸烷基或聚氧化烯基的碳原子之數目合計為18以上，可賦予優良的可撓性。又，藉由組合後述具有特定短間隔物之硬化性單體，可容易得到不僅可滿足可撓性亦可同時滿足耐溶劑性之氣體阻隔性層合體。
且，對於本說明書，所謂「間隔物」為如聚伸烷基、聚氧化烯基之賦予柔軟性的分子鏈之意思。
＜底層＞
構成本發明之氣體阻隔性層合體的底層為含有：含有硬化性單體的硬化性樹脂組成物之硬化物。

＜硬化性樹脂組成物＞
硬化性樹脂組成物為含有硬化性單體。進一步含有後述熱可塑性樹脂者為佳，混合聚合起始劑或其他成分，可藉由溶解或分散於適當溶劑中而調製。
(硬化性單體)
使用於本發明的硬化性單體為含有具有以下長間隔物之硬化性單體，該長間隔物為，具有1個反應性官能基與其他反應性官能基，隔著聚伸烷基及聚氧化烯基中任一方，或雙方進行連結的結構，構成該聚伸烷基及聚氧化烯基的各主鏈之碳原子數的合計為18以上者。有關長間隔物，1個反應性官能基為隔著2個以上聚伸烷基或聚氧化烯基與其他反應性官能基進行連結時，構成聚伸烷基或聚氧化烯基的各主鏈之碳原子數為，2個以上聚伸烷基或聚氧化烯基中構成主鏈之碳原子數之合計。又，硬化性單體為於一分子中具有3個以上反應性官能基時，於任意2個反應性官能基之間所隔著之聚伸烷基及聚氧化烯基中，構成此等各主鏈之碳原子數的合計必定為18以上。
作為長間隔物的聚伸烷基及聚氧化烯基中構成這些各主鏈之碳原子數的合計若在16以下時會降低可撓性。又，由提高底層的耐溶劑性之觀點來看，將構成聚伸烷基及聚氧化烯基的各主鏈之碳原子數的合計設定在70以下者為佳，以42以下者為較佳。
對於本發明，作為反應性官能基，可舉出醇類的羥基、酮類的羰基、羧酸類的羧基、羧酸鹵化物基、羧酸酐基、異氰酸酯基、環氧基、聚合性不飽和基等。其中，以聚合性不飽和基為佳，以具有自由基聚合性的碳-碳不飽和雙鍵為較佳。具體可舉出乙烯基、(甲基)丙烯醯基、馬來醯亞胺基等，由容易與熱可塑性樹脂混合，且不容易引起聚合物的硬化收縮而容易聚合的觀點來看以(甲基)丙烯醯基為佳。
其中一反應性官能基與其他反應性官能基可相同，亦可相異，但以相同為佳。
本發明中，所謂「(甲基)丙烯酸酯」表示可為甲基丙烯酸酯與丙烯酸酯中任一方或雙方，所謂「(甲基)丙烯醯基」表示可為甲基丙烯醯基與丙烯醯基中任一方或雙方，所謂「(甲基)丙烯酸」表示可為甲基丙烯酸與丙烯酸中任一方或雙方。
作為構成含於長間隔物硬化性單體的分子內之聚伸烷基的伸烷基，雖無特別限制，可使用碳數2～30的伸烷基。由對基膜賦予可撓性的觀點來看，以直鏈者為佳，具體以伸乙基、n-伸丙基、n-伸丁基、n-伸戊基等為佳，由可進一步提高氣體阻隔性層合體的可撓性之觀點來看，以伸乙基為佳。又，亦可使用這些複數組合者。
同樣地，作為構成含於長間隔物硬化性單體的分子內之聚氧化烯基的氧基伸烷基，並無特別限制，較佳為於前述伸烷基鍵結氧原子者。又，亦可組合這些複數種而使用。
且，長間隔物硬化性單體可為作為間隔物具有與聚伸烷基及聚氧化烯基進行連結的結構者，亦可為伸烷基的重複結構或氧基伸烷基的重複結構為不連續的立體配置者。
前述長間隔物硬化性單體以下述式(1)所示者為佳。

Z表示k價有機基，R表示反應性官能基。
Y表示伸烷基，O-Y表示氧基伸烷基。
k為2～6的整數，m、n各獨立為0或1以上的整數，m及n不會同時為0。
對於其中一個[Ym-(O-Y)n-R]所示基，Y及O-Y亦可為不連續，順序亦任意。m表示[Ym-(O-Y)n-R]所示基中之所有伸烷基的總和，n表示[Ym-(O-Y)n-R]所示基中之所有氧基伸烷基的總和。作為構成Ym的各Y或構成(O-Y)n的各O-Y，可使用2種以上的伸烷基或氧基伸烷基。對於k個的[Ym-(O-Y)n-R]所示基，各Y及O-Y的順序、m及n的值、使用於Y及O-Y的伸烷基及氧基伸烷基之種類彼此為獨立。
且，m或n為1時，Y或O-Y雖僅為伸烷基或氧基伸烷基，但亦含有如此情況，本發明中將Ym、(O-Y)n稱為聚伸烷基、聚氧化烯基。
例如k=2時，m各獨立為m1、m2，n各獨立為n1、n2。又，在m1、m2、n1及n2之間符合下述式(2)。
對於k為2～6之情況，若一般時，將i、j作為任意整數，1≦i≦k、1≦j≦k、i≠j時，選擇任意2個[Ym-(O-Y)n-R]所示基之[Ymi-(O-Y)ni-R]與[Ymj-(O-Y)nj-R]時，mi與mj彼此為獨立，ni與nj彼此為獨立，mi、mj、ni及nj之間必需符合下述式(3)。
對於上述式(1)及式(3)，作為長間隔物硬化性單體，k=2或k=3，亦可為k=2。
又，僅使用長間隔物硬化性單體時，由耐溶劑性之觀點來看，構成聚伸烷基及聚氧化烯基的各主鏈之碳原子數的合計以18以上26以下者為佳，較佳為18以上24以下，更佳為18以上22以下。
前述硬化性單體在存在長間隔物硬化性單體與短間隔物硬化性單體雙方時，由兼具氣體阻隔性層合體之可撓性與底層之耐溶劑性的觀點來看，伸烷基及氧基伸烷基的各碳數合計以28以上70以下者為佳，以28以上42以下者為較佳。
且前述硬化性單體為含有以下硬化性單體者為佳，該硬化性單體為具有：1個反應性官能基與其他反應性官能基未隔著聚伸烷基或聚氧化烯基中任一者而進行連結的結構，或1個反應性官能基與其他反應性官能基隔著聚伸烷基及聚氧化烯基中任一方，或者雙方進行連結的結構，其為構成該聚伸烷基及聚氧化烯基之主鏈的碳原子數的合計為16以下之短間隔物者(以下有時將該具有短間隔物的硬化性單體稱為「短間隔物硬化性單體」)。有關短間隔物，1個反應性官能基為隔著2個以上聚伸烷基或聚氧化烯基與其他反應性官能基進行連結時，構成聚伸烷基或聚氧化烯基的各主鏈之碳原子數為，2個以上的聚伸烷基或聚氧化烯基中，構成該主鏈的碳原子數之合計。又，硬化性單體為於一分子中具有3個以上反應性官能基時，隔著任意2個反應性官能基之間的聚伸烷基及聚氧化烯基中構成這些各主鏈之碳原子數的合計，對於至少1組反應性官能基的組合而言為16以下。
作為反應性官能基，與前述者相同，以聚合性不飽和基為佳，以具有自由基聚合性的碳-碳不飽和雙鍵為較佳。具體可舉出乙烯基、(甲基)丙烯醯基、馬來醯亞胺基等，由聚合容易的觀點來看，以(甲基)丙烯醯基為佳。
具有短間隔物硬化性單體的一個反應性官能基與其他官能性反應基可為相同，亦可為相異，以相同為佳。
作為構成聚伸烷基及聚氧化烯基的伸烷基及氧基伸烷基，與前述者相同。
短間隔物硬化性單體中，作為間隔物以具有連結聚伸烷基及聚氧化烯基的結構者亦佳，伸烷基的重複結構或氧基伸烷基的重複結構亦可成為不連續之立體配置。
藉由作為短間隔物的聚伸烷基及聚氧化烯基中，構成此等各主鏈之碳原子數的合計為16以下，可容易提高底層之耐溶劑性。若單獨使用短間隔物硬化性單體時，有著容易降低氣體阻隔性層合體之可撓性的顧慮，但藉由與長間隔物硬化性單體之併用，可達到兼具底層之耐溶劑性與氣體阻隔性層合體的可撓性之效果。
前述短間隔物硬化性單體與前述長間隔物硬化性單體同樣地，以下述式(11)所示者為佳。

Z表示k價有機基，R表示反應性官能基。
Y表示伸烷基，O-Y表示氧基伸烷基，k為2～6的整數，m、n各獨立為0或1以上的整數，m及n可同時為0。
k=2時，m各獨立為m11、m12，n各獨立為n11、n12。在m11、m12、n11及n12之間，以符合下述式(12)者為佳。
對於k為2～6之情況下，一般使i、j設定為任意整數，作為1≦i≦k、1≦j≦k、i≠j時，選擇任意2個[Ym-(O-Y)n-R]所示基之[Ymi-(O-Y)ni-R]與[Ym1j-(O-Y)n1j-R]時，m1i與m1j彼此為獨立，n1i與n1j彼此為獨立，在m1i、m1j、n1i及n1j之間符合下述式(13)之i、j的組合至少存在1組。
對於上述式(11)及式(13)，作為短間隔物硬化性單體，可為k=2或k=3，亦可為k=2。
式(1)及式(11)中之Z所示有機基中，作為2價者，例如可舉出下述式所示基。兩末端的「-」表示結合鍵。
進一步含上述下，作為有機基，可舉出具有碳原子數6～20的芳香族，或碳原子數3～20的脂環式之烴基的2～6價有機基。前述烴基中之芳香環或脂環可被取代，亦可為無被取代。
作為碳原子數6～20的芳香族之烴基，可舉出自苯環、萘環、蒽環、菲環、芴環、1,2-苯並菲環、熒蒽環及芘環等除去2～6個氫原子後所形成的2～6價基。
作為脂環式的烴基，可舉出自環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、環十一烷基、環十二烷基等環烷基或二環戊基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、降冰片基、異冰片基等縮合環基除去氫原子後所形成的2～6價基。
作為前述烴基的取代基，可舉出甲基、乙基等碳數1～20的烷基、苯基、萘基等碳數6～16的芳基、羥基、胺基、羧基、磺醯胺基、N-磺醯基醯胺基，又可舉出甲氧基、乙氧基等碳數1～6的烷氧基、氯、溴等鹵素原子等。
有機基以具有碳原子數6～20的芳香族之烴基的2～6價有機基者為佳。具有如此有機基的硬化性單體，若為與熱可塑性樹脂之相溶性優良，熱可塑性樹脂為聚碸系樹脂時，因與聚碸系樹脂的相溶性優良而更適合。具有碳原子數6～20的芳香族之烴基的2～6價有機基，可舉出上述碳原子數6～20的芳香族之烴基本身以外，亦可舉出雙酚基、芴基、聯苯基等。
作為使用於本發明的硬化性單體，以作為反應性官能基而具有(甲基)丙烯醯基者為佳，由可控制可撓性、耐溶劑性之觀點來看，對於上述式，具有含有本發明之範圍所含的長間隔物及短間隔物之乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯等雙酚骨架者，同樣地具有含有長間隔物及短間隔物的9,9-雙[4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)苯基]芴等9,9-雙苯基芴骨架者、具有含有長間隔物及短間隔物的三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯等三環癸烷骨架者為佳。
又，作為2官能之(甲基)丙烯酸衍生物，可舉出新戊二醇己二酸二(甲基)丙烯酸酯、羥基特戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性二環戊烯基二(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改性磷酸二(甲基)丙烯酸酯、二(丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯、烯丙基化環己基二(甲基)丙烯酸酯等。
作為3官能之(甲基)丙烯酸衍生物，可舉出三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸改性二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、參(丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯等。
作為4官能的(甲基)丙烯酸衍生物，可舉出季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯等。
作為5官能的(甲基)丙烯酸衍生物，可舉出丙酸改性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯等。
作為6官能之(甲基)丙烯酸衍生物，可舉出二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。
此等之中，硬化性單體通常亦由耐熱性及耐溶劑性的觀點來看，以多官能型單體為佳，作為多官能單體，由容易與熱可塑性樹脂混合，且不容易引起聚合物的硬化收縮，且可抑制硬化物的捲曲之觀點來看，以2官能(甲基)丙烯酸衍生物為更佳。
長間隔物硬化性單體可單獨使用1種，或者亦可組合2種以上後使用。
同樣地，短間隔物硬化性單體可單獨使用1種，或者亦可組合2種以上後使用。
(熱可塑性樹脂)
對於使用於本發明之底層的硬化性樹脂組成物中，以含有熱可塑性樹脂者為佳。
熱可塑性樹脂雖無特別限定，但以非晶性熱可塑性樹脂為佳。藉由使用非晶性熱可塑性樹脂，可容易得到透明性優良的樹脂薄膜或氣體阻隔性層合體。
其中，所謂非晶性熱可塑性樹脂為，於差示掃描熱量測定中熔點未被觀測的熱可塑性樹脂而言。
又，作為熱可塑性樹脂，由容易得到耐熱性優良的樹脂薄膜來看，具有芳香族環結構或脂環式結構等環結構的熱可塑性樹脂為佳，具有芳香族環結構的熱可塑性樹脂為較佳。
作為熱可塑性樹脂的具體例子，可舉出聚碸系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂及脂環式烴系樹脂等。此等中，亦由容易得到耐熱性及光學各向同性優良的樹脂薄膜來看，以聚碸系樹脂及脂環式烴系樹脂為佳。
聚碸系樹脂為於主鏈中具有磺基之高分子。作為聚碸系樹脂，雖無特別限制，但可使用公知者。聚碸系樹脂，例如可舉出聚迷碸樹脂、聚碸樹脂、聚苯基碸樹脂等。又，使用於本發明的聚碸系樹脂亦可為改性聚碸系樹脂。在此等中以聚迷碸樹脂或聚碸樹脂為佳。
聚芳酯系樹脂係由藉由芳香族二醇與芳香族二羧酸或與該氯化物的反應所得之高分子化合物而成的樹脂。作為聚芳酯系樹脂，並無特別限制，可使用公知者。
聚碳酸酯系樹脂為於主鏈中具有碳酸酯基之高分子。作為聚碳酸酯系樹脂，雖無特別限定，可使用公知者。作為聚碳酸酯系樹脂，可舉出芳香族聚碳酸酯樹脂或脂肪族聚碳酸酯樹脂等。其中亦由耐熱性、機械的強度、透明性等優良來看，以芳香族聚碳酸酯樹脂為佳。
芳香族聚碳酸酯樹脂為可藉由將芳香族二醇與碳酸酯前驅物以界面重縮合法或熔融酯交換法使其反應的方法，或將碳酸酯預聚物經固相酯交換法使其聚合的方法，或藉由環狀碳酸酯化合物的開環聚合法而使其聚合的方法而得。
脂環式烴系樹脂為於主鏈中具有環狀烴基之高分子。作為脂環式烴系樹脂，雖無特別限定，可使用公知者。作為脂環式烴系樹脂，例如可舉出單環的環狀烯烴系聚合物、降冰片烯系聚合物、環狀共軛二烯系聚合物、乙烯基脂環式烴聚合物及這些氫化物。作為販賣品，可舉出APPEL(三井化學公司製之乙烯-環烯烴共聚物)、TOPAS (Polyplastics公司製之乙烯-環烯烴共聚物)、Arton(JSR公司製之降冰片烯系聚合物)、Zeonor(Nippon Zeon公司製之降冰片烯系聚合物)等。
熱可塑性樹脂可單獨使用1種，或者亦可組合2種以上後使用。
氣體阻隔層為經硬化的塗膜之情況時，由使塗膜進行乾燥時的溫度條件中之耐熱性的觀點來看，熱可塑性樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)以超過130℃者為佳，以135℃以上者為較佳。
其中，玻璃轉移溫度(Tg)為藉由黏彈性測定(頻率11Hz，在昇溫速度3℃/分鐘下以0～250℃的範圍下藉由拉伸模式進行測定)所得的tanδ(損失彈性率/貯藏彈性率)之最大溫度點而言。
熱可塑性樹脂(A)的重量平均分子量(Mw)，通常為100,000～3,000,000，以200,000～2,000,000為佳，較佳為500,000～2,000,000的範圍。又，分子量分布(Mw/Mn)以1.0～5.0為佳，較佳為2.0～4.5的範圍。重量平均分子量(Mw)及分子量分布(Mw/Mn)為藉由凝膠滲透層析法(GPC)法所測定的聚苯乙烯換算值。
對於硬化性樹脂組成物中，該硬化性單體與熱可塑性樹脂的含有量以質量比來看，以硬化性單體：熱可塑性樹脂=70：30～10：90為佳，較佳為65：35～20：80。
若硬化性單體與熱可塑性樹脂的質量比在上述範圍時，可容易得到耐溶劑性或可撓性。
同時使用含於本發明之範圍的長間隔物硬化性單體與短間隔物硬化性單體，且長間隔物硬化性單體的伸烷基及氧基伸烷基之各碳數合計為28以上時，由兼具氣體阻隔性層合體的可撓性與底層的耐溶劑性之觀點來看，與各硬化性單體的質量比，以長間隔物硬化性單體：短間隔物硬化性單體=80：20～20：80為佳，較佳為70：30～30：70，更佳為60：40～40：60。
又，長間隔物硬化性單體的伸烷基及氧基伸烷基之各碳數合計為27以下時，由兼具氣體阻隔性層合體的可撓性與底層之耐溶劑性的觀點來看，與各硬化性單體之質量比，以長間隔物硬化性單體：短間隔物硬化性單體=100：0～60：40為佳，較佳為100：0～70：30。
硬化性樹脂組成物中之硬化性單體與熱可塑性樹脂為符合上述質量比，且長間隔物硬化性單體與短間隔物硬化性單體的質量比為上述範圍時，可在底層維持耐溶劑性下容易得到可撓性。
又，若硬化性樹脂組成物中之硬化性單體的含有量為上述範圍，例如可將硬化樹脂層由溶液澆鑄法等獲得時，故可有效率地除去溶劑，可解決藉由乾燥步驟之長時間化的捲曲產生問題。
對於使用於本發明的硬化性樹脂組成物，可含有聚合起始劑。聚合起始劑若為開始硬化反應者即可，並無特別限制而使用，例如可舉出熱聚合起始劑或光聚合起始劑。
作為熱聚合起始劑，可舉出有機過氧化物或偶氮系化合物。
作為有機過氧化物，可舉出二-t-丁基過氧化物、t-丁基異丙苯過氧化物、異丙苯過氧化物等二烷基過氧化物類；乙醯過氧化物、月桂醯基過氧化物、苯甲醯基過氧化物等二醯基過氧化物類；甲基乙基酮過氧化物、環己酮過氧化物、3,3,5-三甲基環己酮過氧化物、甲基環己酮過氧化物等酮過氧化物類；1,1-雙(t-丁基過氧)環己烷等過氧縮酮類；t-丁基氫過氧化物、異丙苯氫過氧化物、1,1,3,3-四甲基丁基氫過氧化物、p-薄荷烷氫過氧化物、二異丙基苯氫過氧化物、2,5-二甲基己烷-2,5-二氫過氧化物等氫過氧化物類；t-丁基過氧乙酸酯、t-丁基過氧-2-乙基己酸酯、t-丁基過氧苯甲酸酯、t-丁基過氧異丙基碳酸酯等過氧酯類等。
作為偶氮系化合物，可舉出2,2’-偶氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)、2,2’-偶氮雙(2-環丙基丙腈)、2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、偶氮二異丁腈、2,2’-偶氮雙(2-甲基丁腈)、1,1’-偶氮雙(環己烷-1-甲腈)、2-(胺基甲醯基偶氮)異丁腈、2-苯基偶氮-4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈等。
作為光聚合起始劑，可舉出2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基-環己基-苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-1-[4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苯甲基]苯基]-2-甲基-丙烷-1-酮、2-甲基-1-(4-甲基硫基苯基)-2-嗎啉代丙烷-1-酮、2-苯甲基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉代苯基)-丁酮-1、2-(二甲基胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-嗎啉基)苯基]-1-丁酮等烷基苯酮系光聚合起始劑；2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基膦氧化物、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物、乙基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦酸鹽、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基-戊基膦氧化物等磷系光聚合起始劑；雙(η5-2,4-環戊二烯-1-基)-雙[2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)-苯基]鈦等茂鈦系光聚合起始劑；1,2-辛烷二酮-1-[4-(苯基硫基)-2-(O-苯甲醯肟)]、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯肟)等肟酯系光聚合起始劑；二苯甲酮、p-氯二苯甲酮、苯甲醯基安息香酸、o-苯甲醯基安息香酸甲基、4-甲基二苯甲酮、4-苯基二苯甲酮、羥基二苯甲酮、丙烯酸化二苯甲酮、4-苯甲醯基-4’-甲基-二苯基硫化物、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、2,4,6-三甲基二苯甲酮、4-(13-丙烯醯基-1,4,7,10,13-五氧雜十三烷基)-二苯甲酮等二苯甲酮系光聚合起始劑；噻噸酮、2-氯噻噸酮、3-甲基硫基呫噸酮、2,4-二甲基硫基呫噸酮、2,4-二異丙基硫基呫噸酮、2,4-二氯噻噸酮、1-氯-4-丙氧基噻噸酮、2-甲基硫基呫噸酮、2-異丙基硫基呫噸酮、4-異丙基硫基呫噸酮等噻噸酮系光聚合起始劑等。
上述光聚合起始劑之中，亦以2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基膦氧化物、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物、乙基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦酸鹽、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基-戊基膦氧化物等磷系光聚合起始劑為佳。
聚合起始劑可單獨使用1種，或者亦可組合2種以上後使用。
聚合起始劑的含有量，對於硬化性樹脂組成物全體而言，以0.05～15質量%為佳，以0.05～10質量%為較佳，以0.05～5質量%為更佳。
作為使用於前述硬化性樹脂組成物的調製之溶劑，並無特別限制，例如可舉出n-己烷、n-庚烷等脂肪族烴系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑；二氯甲烷、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、1,2-二氯乙烷、單氯苯等鹵素化烴系溶劑；甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、丙二醇單甲基醚等醇系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、2-戊酮、異佛爾酮、環己酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯系溶劑；乙基溶纖劑等溶纖劑系溶劑；1,3-二呋喃等醚系溶劑等。
對於在前述硬化性樹脂組成物中所含的熱可塑性樹脂之溶劑的含有量，並無特別限定，對於熱可塑性樹脂1g而言，通常為0.1～1000g，以1～100g為佳。藉由調節溶劑量，可調節成適宜的硬化性樹脂組成物之黏度者。
又，前述硬化性樹脂組成物以不損害本發明之目的及效果之範圍內，可進一步含有可塑劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑等公知添加劑。
使前述硬化性樹脂組成物進行硬化的方法，可配合所使用的聚合起始劑或硬化性單體的種類而做適宜決定。
前述硬化性樹脂組成物中之硬化性單體、熱可塑性樹脂及聚合起始劑的含有量之合計量，對於硬化性樹脂組成物全量而言，以50%以上為佳，較佳為70%以上，更佳為90%以上。但，具有可塑劑之情況除外。
本發明之氣體阻隔性層合體的底層厚度，並無特別限定，可配合用途而做適宜決定即可。底層厚度，通常為0.05～100μm，以0.1～50μm為佳，較佳為0.5～30μm，更佳為3～15μm。
前述底層的斷裂伸長率以3.5%以上者為佳，較佳為4.5%以上，更佳為6.0%以上。若底層的斷裂伸長率在此範圍時，可容易得到優良可撓性。對於欲形成底層的硬化性樹脂組成物中之該硬化性單體與熱可塑性樹脂的含有量，若增加熱可塑性樹脂的含有量比率時，可提高底層之斷裂伸長率。然而，硬化性單體若未含長間隔物硬化性單體時，即使增加熱可塑性樹脂的含有量比率，不容易使底層的斷裂伸長率到達如此高範圍。在本發明中，因硬化性單體含有長間隔物硬化性單體，可將底層的斷裂伸長率調整至如此高範圍。
前述底層以賦予耐溶劑性者為佳。前述底層為具有耐溶劑性時，例如於在底層表面形成其他層時即使使用有機溶劑的情況下，可抑制存在於底層表面的成分移動至該其他層。因此，例如於底層表面，即使使用含有有機溶劑，例如二甲苯等的樹脂溶液而形成氣體阻隔層之情況下，因底層的成分難混入氣體阻隔層而不容易降低氣體阻隔性。
＜氣體阻隔層＞
氣體阻隔層僅具有氣體阻隔性即可，對於材質等並無特別限定。例如作為氣體阻隔層，可舉出氣相成膜無機層、聚乙烯醇等氣體阻隔性樹脂層、對於含有高分子化合物的層施予改質處理而得的層。
又，本發明之氣體阻隔層亦可藉由如氣相成膜無機層的蒸鍍、濺鍍等所得者，亦可為將塗膜進行硬化者，但由進一步提高氣體阻隔性層合體之可撓性的觀點來看，氣體阻隔層以經硬化的塗膜者為佳。
本發明中，氣體阻隔層因厚度薄，可有效率地形成具有優良氣體阻隔性之層，故以氣相成膜無機層及高分子化合物為佳。又，氣體阻隔層以將塗膜經硬化而得者為佳，容易得到氣體阻隔性高的氣體阻隔性層合體，且對於含有高分子化合物的層施予離子注入等改質處理者為較佳。又，作為其他態樣，對於底層的耐溶劑性非充分時，氣體阻隔層以氣相成膜無機層者為佳。
氣體阻隔層的厚度為由氣體阻隔性與處理性之觀點來進行適宜調整後而使用，通常為10～2000nm，以20～1000nm為佳，較佳為30～500nm，更佳為40～200nm的範圍。
氣體阻隔層可為層合單層氣體阻隔層者，此時單層的氣體阻隔層之厚度以10～600nm為佳，較佳為30～500nm。
作為構成氣相成膜無機層的無機物，並無特別限制，例如可舉出鋁、鎂、鋅、及錫等金屬；氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等無機氧化物；氮化矽、氮化鋁、氮化鈦等無機氮化物；無機碳化物；無機硫化物；氧化氮化矽等無機氧化氮化物；無機氧化碳化物；無機氮化碳化物；無機氧化氮化碳化物等。這些可單獨使用1種，或者亦可組合2種以上後使用。
作為形成氣相成膜無機層的方法，可舉出真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法等PVD(物理的蒸鍍)法或熱CVD(化學的蒸鍍)法、電漿CVD法、光CVD法等CVD法。
作為形成經硬化的塗膜之氣體阻隔層的方法，例如可將含有作為氣體阻隔層的材料之高分子化合物等溶液，藉由公知塗布方法進行塗布後，將所得之塗膜進行適宜乾燥之方法。
作為對於含有高分子化合物的層施予改質處理之層的形成上所使用的高分子化合物，以含有矽的高分子化合物為佳，作為含有矽的高分子化合物，可舉出聚矽氮烷系化合物、聚碳矽烷系化合物、聚矽烷系化合物及聚有機矽氧烷系化合物等。此等中亦由可形成具有優良氣體阻隔性的氣體阻隔層之觀點來看以聚矽氮烷系化合物為佳。
作為聚矽氮烷系化合物，可舉出全氫聚矽氮烷等無機聚矽氮烷，或全氫聚矽氮烷的氫一部分或全部由烷基等有機基所取代的有機聚矽氮烷。這些聚矽氮烷系化合物可單獨使用1種，或者亦可組合2種以上。
又，聚矽氮烷系化合物可直接使用作為玻璃塗布材等經販賣的販賣品。
含有前述高分子化合物的層，除上述高分子化合物以外，在不阻礙本發明之目的的範圍下亦可含有其他成分。作為其他成分，可舉出硬化劑、其他高分子、老化防止劑、光安定劑、難燃劑等。
作為改質處理，除離子注入處理以外，亦可舉出電漿處理、紫外線照射處理等。
對於離子注入處理，作為注入於含有高分子化合物的層之離子，可舉出氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體的離子；氟碳、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等離子；甲烷、乙烷等烷烴系氣體類離子；伸乙基、伸丙基等鏈烯系氣體類離子；戊二烯、丁二烯等烷二烯系氣體類離子；乙炔、甲基乙炔等炔烴系氣體類離子；苯、甲苯等芳香族烴系氣體類離子；環丙烷、環己烷等環烷烴系氣體類離子；環戊烯、環己烯等環鏈烯系氣體類離子；金、銀等導電性之金屬離子；矽烷(SiH4 )或有機矽化合物的離子等。
這些離子可單獨使用1種，或者亦可組合2種以上後使用。
其中，由可更簡便地注入，且可得到具有特優氣體阻隔性之氣體阻隔層來看，以選自由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙及氪所成群的至少一種離子為佳。
對於具有含有矽的高分子化合物之層所注入的離子之注入量，可配合所形成的氣體阻隔薄膜之使用目的等而適宜決定即可。
作為對具有含有矽的高分子化合物的層注入離子的方法，雖無特別限定，可舉出使藉由電場使其加速的離子(離子束)進行照射的方法、注入電漿中之離子的方法等。其中對於本發明，由可簡便地得到氣體阻隔層來看，以後者的注入電漿離子的方法為佳。
作為電漿離子注入法，並無特別限定，可舉出將使用外部電場而產生的電漿中所存在的離子進行注入之方法、無須使用外部電場而使藉由負高電壓脈衝僅在電場產生的電漿中所存在的離子進行注入之方法等公知方法。
作為使用於紫外線照射處理的紫外線，例如可舉出真空紫外光。
作為照射真空紫外光使其改質的紫外線照射處理，例如可採用特開2017-095758號公報等記載的方法。
本發明之氣體阻隔性層合體亦可為進一步具有其他層者。
作為其他層，例如可舉出溶解防止層、工程片、接著劑層。
若前述底層的耐溶劑性非充分時，於前述底層與氣體阻隔層之間，可設置溶解防止層。溶解防止層若為耐溶劑性高的層即可，並無特別限定，可舉出由無機物所形成的層，或由將上述短間隔物硬化性單體作為樹脂成分的主成分之硬化性組成物所形成的層等。由容易得到氣體阻隔性層合體之可撓性的觀點來看，溶解防止層之厚度以底層的厚度0.3倍以下者為佳，以0.2倍以下者為較佳。
工程片例如為具有形成底層時的支持體之角色，且具有在步驟內等對底層進行處理、運搬、保管等時的保護底層之角色，於使用底層時可剝離者。
作為工程片，並無特別限定，可舉出紙；聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯等塑質薄膜；玻璃等。
又，作為工程片，由處理容易度的觀點來看，可為於紙或塑質薄膜上設置剝離劑層者。剝離層為可使用聚矽氧系剝離劑、氟系剝離劑、醇酸系剝離劑、烯烴系剝離劑等過去公知的剝離劑而形成者。
剝離劑層的厚度並無特別限制，通常為0.02～2.0μm，以0.05～1.5μm為佳。
工程片的厚度，由處理容易度之觀點來看，以1～500μm為佳，以5～300μm為較佳。
於工程片上，塗層使用於本發明的硬化性樹脂組成物之方法並無特別限制。例如可利用棒塗布法、旋轉塗布法、浸漬法、輥塗布法、凹版塗布法、刮刀塗布法、空氣刮塗法布法、輥刮刀塗布法、模塗法、絲網印刷法、噴霧塗布法、凹板偏移法等公知方法。使所得之塗膜進行乾燥的方法並無特別限制。例如可利用熱風乾燥法、熱輥乾燥法、紅外線照射法等公知乾燥方法。
塗膜之乾燥溫度可藉由所使用的溶劑等做適宜調整，但通常為30～150℃，以50～100℃為佳。加熱時間通常為數秒至數十分鐘。
且，於工程片上形成底層的方法並未限定於此，例如可藉由將另外形成的底層轉移至工程片上而於工程片上得到底層。
接著劑層，例如可使用於貼著於其他樹脂薄膜或被著體等時。由發揮氣體阻隔性層合體之封裝性能到最大限的觀點來看，因氣體阻隔層盡可能地接近被封裝物者為佳，故接著劑層為層合於與氣體阻隔層中層合底層之側的相反側上者為佳。又，隔在氣體阻隔層與接著劑層之間的層為使用於提高層間接著性之接著性提高層等以控制在最小化者為佳。此時，直到使用氣體阻隔性層合體時對於接著劑層之保護，於與層合接著劑層之氣體阻隔層的側為相反的側上可設置剝離薄膜。
作為具有如此本發明之一態樣的氣體阻隔性層合體之層構成，例如可舉出以下所示態樣。
･工程片/底層/氣體阻隔層/接著劑層/剝離薄膜
･工程片/底層/溶解防止層/氣體阻隔層/接著劑層/剝離薄膜
前述層構成的態樣為表示，將氣體阻隔性層合體作為密封材料使用前的狀態者。
將氣體阻隔性層合體作為密封材料使用時，通常使剝離薄膜進行剝離除去，接著露出的接著劑層面與被封裝物的面而得到封裝體者。又，於接著密封材料的接著劑層面與被封裝物的面後，通常使工程片進行剝離除去，露出底層後可成為以下所示的層構成。
･底層/氣體阻隔層/接著劑層
･底層/溶解防止層/氣體阻隔層/接著劑層
且，工程片如上述所示，若底層不具有作為氣體阻隔性層合體之支持體的充分功能時，直到經剝離除去為止之間，作為氣體阻隔性層合體之支持體或保護材的功能。
又，接著劑層對於本發明之氣體阻隔性層合體，可於複數氣體阻隔性層合體隔著接著劑層進行層合時使用。
此時的氣體阻隔性層合體之構成並無特別限定。例如將由底層與氣體阻隔層所成的氣體阻隔性層合體2片進行層合時，作為氣體阻隔性層合體之構成可舉出下述所示者。
(底層/氣體阻隔層/接著劑層/底層/氣體阻隔層)
(底層/氣體阻隔層/接著劑層/氣體阻隔/底層)
(氣體阻隔層/底層/接著劑層/底層/氣體阻隔層)
接著劑層的形成材料並無特別限定，可使用熱硬化性的接著劑、感濕性接著劑、熱封性的接著劑、黏著劑(感壓接著劑)等。此等中，以進行接著時無須施予特殊處理的黏著劑為佳。作為黏著劑，例如可舉出丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、橡膠系黏著劑等。
黏著劑層的形成方法並無特別限定，可利用公知方法。
黏著劑層之厚度通常為0.5～200μm，以1～100μm為佳。
作為上述剝離薄膜，可使用與上述工程片相同者。
本發明之氣體阻隔性層合體為具有氣體阻隔性者，可由氣體阻隔層合體之水蒸氣透過率值來確認。
氣體阻隔性層合體在40℃且相對濕度90%環境下之水蒸氣透過率，通常為1g･m-2 ･day-1 以下，以0.8g･m-2 ･day-1 以下為佳，較佳為0.5g･m-2 ･day-1 以下，更佳為0.1g･m-2 ･day-1 以下。且，水蒸氣透過率可藉由如實施例之評估方法的公知方法進行測定。
[封裝體]
本發明之封裝體為，將被封裝物以作為密封材料的本發明之氣體阻隔性層合體進行封裝而成者。
作為被封裝物，可舉出選自由有機EL元件、有機EL顯示元件、無機EL元件、無機EL顯示元件、電子紙元件、液晶顯示元件及太陽電池元件所成群的至少1種。
(封裝體之製作方法)
本發明之封裝體的製作方法並無特別限定，例如作為密封材料的本發明之氣體阻隔性層合體若為以下所示態樣時，首先將工程片進行剝離除去，將露出的接著劑層之面與被封裝物之面進行貼合，以所望條件下進行接著後得到封裝體者。
･工程片/底層/溶解防止層/氣體阻隔層/接著劑層/剝離薄膜
通常工程片為使接著劑層之面與被封裝物之面進行接著後，進行剝離除去。
依據如此封裝體的製作方法，即使底層無法具有作為氣體阻隔性薄膜之支持體的充分功能時，即底層之厚度為非常薄之情況等，直到工程片經剝離除去為止之期間，因工程片作為氣體阻隔性薄膜之支持體的功能，可防止氣體阻隔性層合體之斷裂或變形而具有優良的處理性。

[實施例]
其次，將本發明藉由實施例做更詳細說明，但本發明並未藉由此等例子做任何限定。
在實施例及比較例所製作的底層單層之耐溶劑性、光學各向同性，又氣體阻隔性層合體之水蒸氣透過率(WVTR)、斷裂伸長率的評估藉由以下方法進行。
(1)耐溶劑性
將底層切成25mm×25mm之試驗片，將試驗片在二甲苯溶劑中浸漬2分鐘，將浸漬前後的試驗片之變化以目視進行觀察，依據下述基準來評估耐溶劑性。
○：無變化。
△：見到若干捲曲，但實用上無問題。
×：產生泛白、膨潤、捲曲等外形變化。
(2)光學各向同性
將底層切成10mm×10mm之試驗片，將底層的面內相位差(延遲)使用相位差測定裝置(Oji Scientific Instruments公司製之KOBRA-WR)進行測定，依據下述基準對光學各向同性進行評估。
○：延遲值未達10nm
×：延遲值為10nm以上
(3)水蒸氣透過率(WVTR)
將氣體阻隔性層合體切成50cm2 面積之圓形狀試驗片，使用水蒸氣透過率測定裝置(MOCON公司製之裝置名：AQUATRAN)，在40℃90%RH條件下以氣體流量20sccm下測定水蒸氣透過率(g･m-2 ･day-1 )。且，測定裝置的檢測下限為0.0005g·m-2 ·day-1 。氣體阻隔性層合體為，若使用於形成底層時的PET薄膜經剝離時為自立性劣化，故在該PET薄膜經層合的狀態下進行測定。氣體阻隔層的水蒸氣透過率因遠遠小於PET薄膜，故藉由PET薄膜之層合的對WVTR之影響為小。
(4)斷裂伸長率
將底層切成15mm×150mm之試驗片，依據JIS K7127：1999，測定斷裂伸長率。具體為將上述試驗片以拉伸試驗機(島津製作所公司製之autograph)，夾頭之間距離設定在100mm後，以200mm/min的速度進行拉伸試驗，測定斷裂伸長率(%)。且，試驗片為不具有屈服點時，將拉伸斷裂應力作為斷裂伸長率，將具有屈服點時，將拉伸斷裂引起的應力作為斷裂伸長率。
(實施例1)
(1)底層之形成
將成為底層的硬化性樹脂組成物1如以下而調製。

＜硬化性樹脂組成物1＞
作為熱可塑性樹脂，將聚碸樹脂(PSF)之顆粒(BASF公司製的ULTRASON S6010、Tg=187℃)100質量份溶解於1,3-二呋喃與甲苯的混合溶劑(1,3-二呋喃：甲苯之質量比為7：3者)，調製出PSF之25質量%溶液。其次，於該溶液中，添加且混合作為硬化性單體之乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯(新中村化學工業公司製之A-BPE-10，2個丙烯醯基間之氧乙烯鏈的碳數合計：20)122質量份，及作為聚合起始劑之雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物(BASF公司製之Irgacure819)5質量份，調製出硬化性樹脂組成物1。且，對於本實施例及其他實驗例中所使用的硬化性單體及聚合起始劑未含有溶劑，全固體成分100%之原料。
其次，於與作為工程片的聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜(東洋紡公司製的PET100A-4100，厚度100μm)之易接著層面為相反的面上，將硬化性樹脂組成物以手套方式進行塗布，將所得之塗膜在90℃進行3分鐘加熱而使塗膜進行乾燥。
進一步於該經乾燥的塗膜上，欲使PET薄膜(東洋紡公司製的PET100A-4100，厚度100μm)與易接著面之相反面呈相對方向而進行層合，使用皮帶輸送機類型紫外線照射裝置(Eye graphics公司製之製品名：ECS-401GX)，藉由高壓水銀燈(Eye graphics公司製之製品名：H04-L41)，在紫外線燈高度100mm，紫外線燈輸出3kw，光線波長365nm之照度為400mW/cm2 ，光量為800mJ/cm2 (藉由Oak製作所公司製之紫外線光量計UV-351進行測定)的條件下進行硬化反應，形成厚度25μm的底層。
(2)氣體阻隔層之層合
其次，將層合於前述塗膜上的前述PET薄膜進行剝離，於底層上將以聚矽氮烷化合物(全氫聚矽氮烷(PHPS)作為主成分的塗布劑(Merck Performance Materials公司製的AmiakukaNL-110-20，溶劑：二甲苯)藉由旋轉塗布法進行塗布，使其經6小時真空乾燥後，形成含有全氫聚矽氮烷且厚度200nm之高分子化合物層(聚矽氮烷層)。
其次，使用電漿離子注入裝置(日本電子公司製的RF電源：「RF」56000；栗田製作所公司製的高電壓脈衝電源：PV-3-HSHV-0835)，在氣體流量100sccm，Duty比0.5%，輸入DC電壓-6kV，頻率1000Hz、輸入RF電力1000W，室內壓0.2Pa，DC脈衝寬度5μsec，處理時間200秒之條件下，將來自氬氣的離子注入於高分子化合物層(聚矽氮烷層)之表面，形成氣體阻隔層。如此於底層上藉由層合氣體阻隔層而製作出氣體阻隔性層合體。
進行所得之底層單層的耐溶劑性、光學各向同性、斷裂伸長率及氣體阻隔性層合體的水蒸氣透過率(WVTR)之評估。結果如表1所示。
(實施例2)
(1)底層之形成
對於實施例1，除取代硬化性樹脂組成物1而使用下述硬化性樹脂組成物2而形成底層(乾燥後之厚度：25μm)以外，與實施例1同樣地，藉由於底層上層合氣體阻隔層而製作氣體阻隔性層合體。
進行所得之底層單層的耐溶劑性、光學各向同性、斷裂伸長率及氣體阻隔性層合體的水蒸氣透過率(WVTR)之評估。結果如表1所示。

＜硬化性樹脂組成物2＞
作為熱可塑性樹脂，將聚碸樹脂(PSF)的顆粒(BASF公司製的ULTRASON S6010，Tg=187℃)100質量份溶解於1,3-二呋喃與甲苯之混合溶劑(1,3-二呋喃：甲苯=7：3)，調製出PSF的25質量%溶液。其次，於該溶液中添加且混合作為硬化性單體的乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯(新中村化學工業公司製的ABE-300，2的丙烯醯基間之氧乙烯鏈的碳數合計：6)61質量份、乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯(新中村化學工業公司製的A-BPE-20，2個丙烯醯基間之氧乙烯鏈的碳數合計：34)61質量份及作為聚合起始劑的雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物(BASF公司製的Irgacure819)5質量份，調製出硬化性樹脂組成物2。
(實施例3)
對於實施例2，除取代硬化性樹脂組成物2使用硬化性樹脂組成物3而形成底層(乾燥後的厚度：25μm)以外，與實施例1同樣地，藉由於底層上層合氣體阻隔層而製作氣體阻隔性層合體。
進行所得的底層單層的耐溶劑性、光學各向同性、斷裂伸長率及氣體阻隔性層合體的水蒸氣透過率(WVTR)之評估。結果如表1所示。

＜硬化性樹脂組成物3＞
對於硬化性樹脂組成物2，硬化性單體中除將乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯(新中村化學工業公司製的ABE-300，2個丙烯醯基間之氧乙烯鏈的碳數合計：6)變更為52.3質量份，及將乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯(新中村化學工業公司製的A-BPE-20，2個丙烯醯基間之氧乙烯鏈的碳數合計：34)變更為69.7質量份以外，與硬化性樹脂組成物2同樣地調製出硬化性樹脂組成物3。
(實施例4)
對於實施例1，取代氣體阻隔層(注入離子的聚矽氮烷層)，藉由濺鍍法層合由厚度60nm的氮化矽所成的氣體阻隔層，對於硬化性樹脂組成物1，取代作為硬化性單體的乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯(A-BPE-10)而使用乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯(A-BPE-20)(成為硬化性樹脂組成物1’)以外，與實施例1同樣地製作出氣體阻隔性層合體。
進行所得的底層單層的耐溶劑性、光學各向同性、斷裂伸長率及氣體阻隔性層合體的水蒸氣透過率(WVTR)之評估。結果如表1所示。
(比較例1)
對於實施例1，取代硬化性樹脂組成物1而使用下述硬化性樹脂組成物4成為底層(乾燥後的厚度：25μm)以外，與實施例1同樣下於底層上層合氣體阻隔層後製作出氣體阻隔性層合體。
進行所得的底層單層的耐溶劑性、光學各向同性、斷裂伸長率及氣體阻隔性層合體的水蒸氣透過率(WVTR)之評估。結果如表1所示。

＜硬化性樹脂組成物4＞
作為熱可塑性樹脂，將聚碸樹脂(PSF)的顆粒(BASF公司製的ULTRASON S6010，Tg=187℃)100質量份溶解於1,3-二呋喃與甲苯的混合溶劑(1,3-二呋喃：甲苯=7：3)，調製出PSF的25質量%溶液。其次，於該溶液中，作為硬化性單體，添加且混合乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯(新中村化學工業公司製的ABE-300，2個丙烯醯基間之氧乙烯鏈的碳數合計：6)122質量份及作為聚合起始劑的雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物(BASF公司製的Irgacure819) 1質量份後，調製出硬化性樹脂組成物4。
(比較例2)
對於實施例1，取代硬化性樹脂組成物1而使用下述硬化性樹脂組成物5做成底層(乾燥後的厚度：25μm)以外，與實施例1同樣下於底層上層合氣體阻隔層後製作出氣體阻隔性層合體。
進行所得的底層單層的耐溶劑性、光學各向同性及氣體阻隔性層合體的水蒸氣透過率(WVTR)、斷裂伸長率之評估。結果如表1所示。

＜硬化性樹脂組成物5＞
作為熱可塑性樹脂，將聚碸樹脂(PSF)的顆粒(BASF公司製的ULTRASON S6010，Tg=187℃)100質量份溶解於1,3-二呋喃與甲苯的混合溶劑(1,3-二呋喃：甲苯=7：3)，調製出PSF的25質量%溶液。其次，於該溶液中，添加且混合作為硬化性單體，三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(新中村化學工業公司製的A-DCP，2個丙烯醯基間之氧乙烯鏈的碳數合計：2)122質量份及作為聚合起始劑的雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物(BASF公司製的Irgacure819)1質量份後，調製出硬化性樹脂組成物5。
以下表示在實施例及比較例所使用的硬化性單體之化學結構式。其中，s及t表示正整數。
由實施例1～4得知，作為氣體阻隔性層合體之底層，藉由使用長間隔物硬化性單體，可提高底層的斷裂伸長率，得到具有優良可撓性之氣體阻隔性層合體。
又，由實施例1得知，因長間隔物硬化性單體之間隔物的碳數減少而可得到具有優良可撓性且具有耐溶劑性之氣體阻隔性層合體。
又，由實施例2及3得知，作為氣體阻隔性層合體之底層，藉由將長間隔物硬化性單體與短間隔物硬化性單體的質量比組合在特定範圍下，可得到具有優良可撓性及具有耐溶劑性的氣體阻隔性層合體。
相對於此，僅使用短間隔物硬化性單體的比較例1、2與實施例比較下其可撓性較為差。

[產業上可利用性]
依據本發明之氣體阻隔性層合體，藉由具有氣體阻隔性而可具有優良可撓性，故對於使用於同時要求氣體阻隔性及可撓性的電子裝置，例如可撓性有機EL元件等，又使用於可撓性熱電變換元件等構成容易大氣劣化的各種電子裝置之元件用構件上受到期待。
1‧‧‧氣體阻隔性層合體
2‧‧‧底層
3‧‧‧氣體阻隔層
[圖1]表示本發明之氣體阻隔性層合體的一例截面構成圖。

Claims (10)

  1. 一種氣體阻隔性層合體，其為含有底層及氣體阻隔層的氣體阻隔性層合體，其特徵為前述底層含有具有硬化性單體的硬化性樹脂組成物之硬化物，前述硬化性單體為含有具有以下長間隔物之硬化性單體，該長間隔物為，於分子內具有1個反應性官能基與其他反應性官能基，隔著聚伸烷基及聚氧化烯基中任一方，或雙方進行連結的結構，具有構成該聚伸烷基及聚氧化烯基的各主鏈之碳原子數的合計為18以上者。
  2. 如請求項1之氣體阻隔性層合體，其中前述硬化性單體為進一步含有具有以下短間隔物之硬化性單體，該短間隔物為，具有1個反應性官能基與其他反應性官能基未隔著聚伸烷基或聚氧化烯基中任一者而進行連結的結構，或1個反應性官能基與其他反應性官能基隔著聚伸烷基及聚氧化烯基中任一方，或者雙方進行連結的結構，構成該聚伸烷基及聚氧化烯基的主鏈之碳原子數的合計為16者。
  3. 如請求項1或2之氣體阻隔性層合體，其中前述底層為進一步含有熱可塑性樹脂。
  4. 如請求項3之氣體阻隔性層合體，其中前述熱可塑性樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)為130℃以上。
  5. 如請求項3或4之氣體阻隔性層合體，其中前述熱可塑性樹脂為聚碸系樹脂，或脂環式烴系樹脂。
  6. 如請求項1～5中任一項之氣體阻隔性層合體，其中前述底層的厚度為0.1～50μm。
  7. 如請求項1～6中任一項之氣體阻隔性層合體，其中前述底層的斷裂伸長率為3.5%以上。
  8. 如請求項1～7中任一項之氣體阻隔性層合體，其中前述氣體阻隔層為進行硬化的塗膜。
  9. 如請求項1～8中任一項之氣體阻隔性層合體，其中前述氣體阻隔層為對於含有進行硬化的聚矽氮烷系化合物之層施予改質處理者。
  10. 如請求項1～9中任一項之氣體阻隔性層合體，其中前述氣體阻隔性層合體為進一步含有工程片。
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