TW201932979A - 硬罩幕組成物與形成圖案的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種硬罩幕組成物及一種使用所述硬罩幕組成物形成圖案的方法，所述硬罩幕組成物包含：聚合物，包含由化學式1表示的結構單元；以及溶劑。 [化學式1]

Description

硬罩幕組成物與形成圖案的方法
本發明揭露一種硬罩幕組成物及一種使用所述硬罩幕組成物形成圖案的方法。
近來，半導體產業已發展至具有幾奈米至幾十奈米大小的圖案的超細技術。此種超細技術本質上需要有效的微影技術。
典型的微影技術包括：在半導體基板上提供材料層；在其上面塗佈光阻層；對所述光阻層進行曝光及顯影以提供光阻圖案；以及使用所述光阻圖案作為罩幕對材料層進行蝕刻。
當前，根據待形成的圖案的小型化，僅藉由上述典型的微影技術難以提供具有優異輪廓的精細圖案。因此，可在材料層與光阻層之間形成被稱為硬罩幕層的層以提供精細圖案。
硬罩幕層發揮中間層的作用以藉由選擇性蝕刻製程而將光阻的精細圖案轉移至材料層。因此，所述硬罩幕層需要具有例如耐熱性及耐蝕刻性等特性以便耐受多重蝕刻製程。
另一方面，近來已提議旋塗（spin-on coating）方法替代化學氣相沉積（chemical vapor deposition，CVD）方法來形成硬罩幕層。旋塗法不僅可輕易地執行且亦可改善間隙填充特性及平坦化特性。本文中，需要對圖案進行填充而無空隙的間隙填充特性，乃因所述精細圖案可藉由必要地形成多個圖案來達成。另外，當基板具有步階（step）時或當圖案密集區及無圖案區一起存在於晶圓上時，需要藉由底層對硬罩幕層的表面進行平坦化。
需要一種滿足硬罩幕層所需的特性的硬罩幕材料。
一實施例提供一種在確保溶解度的同時具有改善的耐熱性及耐蝕刻性的硬罩幕組成物。
另一實施例提供一種使用所述硬罩幕組成物形成圖案的方法。
根據實施例，一種硬罩幕組成物包含聚合物及溶劑，所述聚合物包含由化學式1表示的結構單元。
[化學式1]
在化學式1中， X為包含至少三個稠合的經取代或未經取代的苯環的多環環狀基，且 *為連接點。
在化學式1中，X可為經取代或未經取代的蒽（anthracene）部分、經取代或未經取代的菲（phenanthrene）部分、經取代或未經取代的稠四苯（tetracene）部分、經取代或未經取代的䓛（chrysene）部分、經取代或未經取代的聯三伸苯（triphenylene）部分、經取代或未經取代的芘（pyrene）部分、經取代或未經取代的苝（perylene）部分、經取代或未經取代的苯並苝（benzoperylene）部分或者經取代或未經取代的蔻（coronene）部分。
所述聚合物可藉由經取代或未經取代的丁二炔（diacetylene）衍生物與經取代或未經取代的雙環戊二烯酮（biscyclopentadienone）的反應來獲得。
經取代或未經取代的丁二炔衍生物可由化學式2表示。
[化學式2]
在化學式2中， X為包含至少三個稠合的經取代或未經取代的苯環的多環環狀基，且可為經取代或未經取代的蒽部分、經取代或未經取代的菲部分、經取代或未經取代的稠四苯部分、經取代或未經取代的䓛部分、經取代或未經取代的聯三伸苯部分、經取代或未經取代的芘部分、經取代或未經取代的苝部分、經取代或未經取代的苯並苝部分或者經取代或未經取代的蔻部分。
聚合物的重量平均分子量可介於500至200,000的範圍內。
以所述硬罩幕組成物的總量計，可包含0.1重量%至30重量%的量的聚合物。
根據另一實施例，一種形成圖案的方法包括：在基板上形成材料層；在所述材料層上塗佈包含聚合物及溶劑的硬罩幕組成物；對硬罩幕組成物進行熱處理以形成硬罩幕層；在硬罩幕層上形成含矽的薄層；在硬罩幕層上形成含矽的薄層；對光阻層進行曝光及顯影以形成光阻圖案；使用光阻圖案來選擇性地移除含矽的薄層及硬罩幕層，以暴露出材料層的一部分；以及對材料層的暴露部分進行蝕刻。
硬罩幕組成物可利用旋塗法來塗佈。
所述方法可更包括在形成所述光阻層之前形成底部抗反射塗層（bottom antireflective coating，BARC）。
根據實施例的硬罩幕組成物表現出改善的耐熱性及耐蝕刻性。因此，可提供一種具有改善的膜密度及耐蝕刻性且滿足平坦度的硬罩幕薄層。
本揭露的示例性實施例將在以下進行詳細闡述，且可由熟習此項技術者輕易地執行。然而，本揭露內容可實施為諸多不同形式，且不應被解釋為僅限於本文所述的示例性實施例。
在本說明書中，當不另外提供定義時，「經取代」可指化合物的氫原子被選自以下的取代基置換：鹵素原子（F、Br、Cl或I）、羥基、硝基、氰基、胺基、疊氮基、脒基（amidino group）、肼基（hydrazino group）、腙基（hydrazono group）、羰基、胺甲醯基、硫醇基、酯基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸或其鹽、C1至C30烷基、C2至C30烯基、C2至C30炔基、C6至C30芳基、C7至C30芳烷基（arylalkyl group）、C1至C30烷氧基、C1至C20雜烷基（heteroalkyl group）、C3至C20雜芳烷基（heteroarylalkyl group）、C3至C30環烷基、C3至C15環烯基、C6至C15環炔基、C3至C30雜環烷基（heterocycloalkyl　 group）及其組合。
在本說明書中，當不另外提供定義時，用語「雜」（hetero）是指包含選自N、O、S及P中的1至3個雜原子。
在本說明書中，當不另外提供定義時，「*」是指化合物或化合物部分的連接點。
以下，闡述根據實施例的硬罩幕組成物。
根據實施例的硬罩幕組成物包含聚合物及溶劑，所述聚合物包含由化學式1表示的結構單元。
[化學式1]
在化學式1中， X為包含至少三個稠合的經取代或未經取代的苯環的多環環狀基，且 *為連接點。
藉由包含其中在所述結構單元的X部分中至少三個經取代或未經取代的苯環經稠合的多環環狀基，所述聚合物可具有改善的耐蝕刻性及耐熱性。
舉例而言，在化學式1中，X可為蒽部分、菲部分、稠四苯部分、䓛部分、聯三伸苯部分、芘部分、苝部分、苯並苝部分或蔻部分，但並非僅限於此。
舉例而言，在蒽部分、菲部分、稠四苯部分、䓛部分、聯三伸苯部分、芘部分、苝部分、苯並苝部分及蔻部分中，至少一個氫可獨立地被羥基、鹵素、經取代或未經取代的C1至C30烷氧基、經取代或未經取代的C1至C30烷基、經取代或未經取代的C2至C30烯基、經取代或未經取代的C2至C30炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C1至C30雜烷基、經取代或未經取代的C2至C30雜芳基或其組合置換。
由化學式1表示的聚合物可藉由狄耳士-阿德爾反應（Diels-Alder reaction）來合成，且所述聚合物可例如藉由反應流程1來合成。
[流程1]
參照流程1，所述聚合物是藉由經取代或未經取代的丁二炔衍生物與經取代或未經取代的雙環戊二烯酮的反應來獲得。
本文中，經取代或未經取代的丁二炔衍生物可例如由化學式2表示。
[化學式2]
在化學式2中，X為包含至少三個稠合的經取代或未經取代的苯環的多環環狀基，且例如X可為經取代或未經取代的蒽部分、經取代或未經取代的菲部分、經取代或未經取代的稠四苯部分、經取代或未經取代的䓛部分、經取代或未經取代的聯三伸苯部分、經取代或未經取代的芘部分、經取代或未經取代的苝部分、經取代或未經取代的苯並苝部分或者經取代或未經取代的蔻部分，但並非僅限於此。
所述聚合物可具有約500至200,000的重量平均分子量。更具體而言，聚合物可具有約1,000至20,000的重量平均分子量。當聚合物具有處於所述範圍內的重量平均分子量時，可藉由調整碳含量及在溶劑中的溶解度而將包含聚合物的硬罩幕組成物最佳化。
硬罩幕組成物中的溶劑可為對於聚合物具有足夠的可溶性或可分散性的任何溶劑，且可包括例如選自以下的至少一者：丙二醇、丙二醇二乙酸酯（propylene glycol diacetate）、甲氧基丙二醇、二乙二醇、二乙二醇丁醚（diethylene glycol butylether）、三(乙二醇)單甲醚（tri(ethylene glycol)monomethylether）、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、環己酮、乳酸乙酯（ethyl lactate）、γ-丁內酯（gamma-butyrolactone）、N,N-二甲基甲醯胺、N,N二甲基乙醯胺、甲基吡咯酮（methyl pyrrolidone）、甲基吡咯啶酮（methyl pyrrolidinone）、乙醯丙酮及3-乙氧基丙酸乙酯（ethyl 3-ethoxypropionate）。
以硬罩幕組成物的總量計，可包含約0.1重量%至50重量%、約0.1重量%至30重量%或約0.1重量%至15重量%的量的聚合物。當包含處於所述範圍內的聚合物時，可對硬罩幕層的厚度、表面粗糙度及平坦化進行控制。
硬罩幕組成物可更包含以下添加劑：界面活性劑、交聯劑、熱酸產生劑或塑化劑。
界面活性劑可包括例如氟烷基系化合物、烷基苯磺酸鹽、烷基吡啶鎓鹽（alkyl pyridinium salt）、聚乙二醇或四級銨鹽，但並非僅限於此。
交聯劑可為例如三聚氰胺系交聯劑、取代脲系交聯劑（substituted urea-based）或聚合物系交聯劑。較佳地，其可為具有至少兩個交聯形成取代基的交聯劑，舉例而言，例如甲氧基甲基化甘脲（methoxymethylated glycoluril）、丁氧基甲基化甘脲（butoxymethylated glycoluril）、甲氧基甲基化三聚氰胺（methoxymethylated melamine）、丁氧基甲基化三聚氰胺（butoxymethylated melamine）、甲氧基甲基化苯並胍胺（methoxymethylated benzoguanamine）、丁氧基甲基化苯並胍胺（butoxymethylated benzoguanamine）、甲氧基甲基化脲（methoxymethylatedurea）、丁氧基甲基化脲（butoxymethylatedurea）、甲氧基甲基化硫脲（methoxymethylated thiourea）或丁氧基甲基化硫脲（butoxymethylated thiourea）等化合物。
交聯劑可為具有高耐熱性的交聯劑。具有高耐熱性的交聯劑可為在分子中包括包含芳族環（例如，苯環或萘環）的交聯取代基的化合物。
熱酸產生劑可為例如酸性化合物，例如對甲苯磺酸、三氟甲烷磺酸、吡啶鎓對甲苯磺酸（pyridinium p-toluene sulfonic acid）、水楊酸、磺基水楊酸、檸檬酸、苯甲酸、羥基苯甲酸、萘甲酸等或/及2,4,4,6-四溴環己二烯酮（2,4,4,6-tetrabromocyclohexadienone）、安息香甲苯磺酸酯（benzointosylate）、2-硝基苯甲基甲苯磺酸酯（2-nitrobenzyltosylate）、其他有機磺酸烷基酯等，但並非僅限於此。
以硬罩幕組成物的100重量份計，添加劑可以約0.001重量份至40重量份的量存在。在所述範圍內，可提高溶解度而硬罩幕組成物的光學性質不會改變。
根據另一實施例，提供一種使用所述硬罩幕組成物製造的有機層。所述有機層可例如藉由將硬罩幕組成物塗佈於基板上並對其進行熱處理以固化而形成，且可包括例如用於電子裝置的硬罩幕層、平坦化層、犧牲層、填料等。
根據另一實施例，提供一種使用所述硬罩幕組成物製造的有機層。
圖1為根據實施例的一種形成圖案的方法的流程圖。
根據實施例的一種形成圖案的方法包括：在基板上形成材料層（步驟S1）；在材料層上塗佈包含聚合物及溶劑的硬罩幕組成物（步驟S2）；對硬罩幕組成物進行熱處理以形成硬罩幕層（步驟S3）；在硬罩幕層上形成含矽的薄層（步驟S4）；在含矽的薄層上形成光阻層（步驟S5）；對光阻層進行曝光及顯影以形成光阻圖案（步驟S6）；使用光阻圖案來選擇性地移除含矽的薄層及硬罩幕層以暴露出材料層的一部分（步驟S7）；以及對材料層的暴露部分進行蝕刻（步驟S8）。
基板可為例如矽晶圓、玻璃基板或聚合物基板。
材料層為待最終進行圖案化的材料，舉例而言，例如鋁層及銅層等金屬層、例如矽層等半導體層或例如氧化矽層及氮化矽層等絕緣層。材料層可藉由例如化學氣相沉積（CVD）製程等方法來形成。
硬罩幕組成物與上述相同，且可藉由旋塗以溶液形式塗佈。在本文中，硬罩幕組成物的厚度無特別限制，但可為例如約50埃至200,000埃。
可例如在約100℃至700℃下對硬罩幕組成物執行熱處理約10秒至1小時。
含矽的薄層可由例如SiCN、SiOC、SiON、SiOCN、SiC、SiO及/或SiN等材料形成。
所述方法可更包括在形成光阻層之前，在含矽的薄層上形成底部抗反射塗層（BARC）。
可使用例如ArF、KrF或EUV對光阻層執行曝光。在曝光之後，可在約100℃至700℃下執行熱處理。
可藉由使用蝕刻氣體的乾式蝕刻製程對材料層的暴露部分執行蝕刻製程，且蝕刻氣體可為例如CHF3 、CF4 、Cl2 、BCl3 及其混合氣體，但不受限制。
經蝕刻材料層可被形成為多個圖案，且所述多個圖案可為金屬圖案、半導體圖案、絕緣圖案等，例如半導體積體電路裝置的各種各樣的圖案。
以下，參照實例更詳細地說明本揭露。然而，該些實例為示範性的，且本揭露並非僅限於此。合成例 合成例 1
將芘（12克，59.3毫莫耳）放入配備有冷凝器的1升兩頸圓底燒瓶中，向其中以滴入的方式（dropwise fashion）加了400毫升乙酸，且將此混合物在90℃下進行了加熱以溶解芘。隨後，將溶液冷卻至40℃，向其中添加了40毫升蒸餾水、碘（15.07克，59.36毫莫耳）及KI（5.14克，24毫莫耳），且將此混合物攪拌了4小時。接著，對其中生成的棕色固體進行了過濾，利用二氯甲烷及蒸餾水進行了洗滌並在熱甲苯中進行了再結晶以獲得二碘芘。隨後，將2-甲基-丁-3-炔-2-醇（2-methyl-but-3-yn-2-ol）（1毫升，10.3毫莫耳）及60毫升經蒸餾的二乙胺放入舒倫克燒瓶（Schlenk flask）中，以冷凍-抽吸-融化方法（freeze-pump-thaw method）進行了冷卻及除氣，並接著在氬氣條件下與二碘芘（2克，4.4毫莫耳）、Pd[PPh3 ]2 Cl2 （68毫克）及CuI（0.12毫莫耳）進行了混合。將所獲得的混合物在50℃下攪拌了20小時，且在真空下移除溶劑之後，利用二氯甲烷進行了乾燥以獲得中間物。接著，向中間物（500毫克，1.34毫莫耳）及NaOH（480毫克，12毫莫耳）中以滴入的方式加了經蒸餾的甲苯，且將此混合物回流並加熱了3小時，在熱狀態下進行了過濾並冷卻至室溫。在冷卻之後，利用水對其中的有機層進行了洗滌，直至pH為7，並接著利用熱甲苯進行了乾燥及再結晶以獲得由化學式1a表示的化合物。
[化學式1a] 合成例 2
將50毫升經乾燥的三乙胺、9,10-二溴蒽（5克，14.9毫莫耳）、CuI（0.14克，0.75毫莫耳）及Pd[PPh3 ]4 （0.85克，0.75毫莫耳）放入200毫升燒瓶中，並接著以冷凍-抽吸-融化方式進行了除氣。隨後，向其中以滴入的方式加了三甲基矽烷基乙炔（4.2毫升，29.8毫莫耳），且將此混合物回流了3小時。在對自其獲得的溶劑進行乾燥之後，利用二氯甲烷/蒸餾水自其獲得了萃取物並接著進行了管柱分析（columned）及純化，以獲得9,10-雙-三甲基矽烷基乙炔蒽（9,10-bis-trimethylsilylethynylanthracene）。接著，向其中添加了9,10-雙-三甲基矽烷基乙炔蒽（0.6克，1.62毫莫耳）、經蒸餾的二氯甲烷（5毫升）、無水KF（0.94克，16.2毫莫耳）及經蒸餾的甲醇（5毫升），且將所獲得的混合物回流了12小時。利用二氯甲烷對生成物進行了管柱分析以獲得由化學式2a表示的化合物。
[化學式2a] 合成例 3
將2,6-二溴蒽（5克，14.9毫莫耳）、CuI（0.5克，2.63毫莫耳）及Pd(PPh3 )2 Cl2 （0.5克，0.71毫莫耳）溶解於125毫升四氫呋喃（tetrahydrofuran，THF）中。利用氮氣對此溶液進行了除氣，向其中以滴入的方式加了三甲基矽烷基乙炔（10毫升，72.5毫莫耳）及二異丙胺（25毫升），且將此混合物在60℃下進行了加熱並攪拌了7小時。利用氯仿對生成物進行了管柱分析並進行了乾燥以獲得固體，且將所述固體與3克K2 CO3 一起溶解於以1:1的比率混合的甲醇/THF的溶液（100毫升）中。將所獲得的混合物在50℃下攪拌了30分鐘，並利用蒸餾水及氯仿進行了萃取，且利用Na2 SO4 對自其獲得的有機層進行了乾燥並利用己烷進行了管柱分析，以獲得由化學式3a表示的化合物。
[化學式3a] 合成例 4
將䓛-2,8-二基雙(三氟甲烷)磺酸鹽（Chrysene-2,8-diyl bis(trifluoromethan)sulfonate）（5克，14.9毫莫耳）、CuI（0.5克，2.63毫莫耳）及Pd(PPh3 )2 Cl2 （0.5克，0.71毫莫耳）溶解於125毫升THF中。利用氮氣對此溶液進行了除氣，向其中以滴入的方式加了三甲基矽烷基乙炔（10毫升、72.5毫莫耳）及二異丙胺（25毫升），且將此混合物在60℃下進行了加熱並攪拌了7小時。利用氯仿對生成物進行了管柱分析並進行了乾燥以獲得固體，且將所述固體與3克K2 CO3 一起溶解於以1:1的比率混合的甲醇/THF的溶液（100毫升）中。將所獲得的溶液在50℃下攪拌了30分鐘，並利用蒸餾水及氯仿進行了萃取，且利用Na2 SO4 對自其獲得的有機層進行了乾燥並利用己烷進行了管柱分析，以獲得由化學式4a表示的化合物。
[化學式4a] 比較合成例 1
將二甲基乙炔甲醇（8.412克，100毫莫耳，1當量）放入配備有冷凝器的500毫升兩頸圓底燒瓶中，向其中添加了溶解於100克苯中的1,4-二碘苯（32.99克，100毫莫耳，1當量）。隨後，向反應混合物中以滴入的方式加了二乙胺等價物（51.198克）、20莫耳%（3.809）碘化銅及3莫耳%（2.1327克）雙(三苯基膦)二氯化鈀(II)（bis(triphenylphosphine)palladium (II)），且將此混合物在室溫下進行了回流。對自其獲得的中間物進行了過濾，向其中以滴入的方式加了氫氧化鉀及甲基苯，且對此混合物進行了回流以完成反應。隨後，將反應物緩慢冷卻至室溫以獲得由化學式A表示的化合物。
[化學式A] 比較合成例 2
將4,4’-雙(三甲基矽烷基)聯苯基（1.8克，5.19毫莫耳）及30毫升以1:1的比率混合的乙醚/甲醇的混合物構成的混合物放入50毫升球形燒瓶中並接著進行了攪拌。隨後，在攪拌的同時向此混合物中緩慢添加了K2 CO3 （7.18克，51.93毫莫耳），且將所獲得的混合物在室溫下攪拌並反應了6小時。在反應之後，將反應物傾倒至250毫升蒸餾水中，且利用二氯甲烷將其中的水層萃取了三次（每一次利用125毫升）。利用MgSO4 對自其獲得的有機層進行了脫水，且在真空下及減壓下移除了其中的溶劑以獲得由化學式B表示的化合物。
[化學式B] 比較合成例
將21.8克（0.1莫耳）1-羥基芘、14.5克（0.1莫耳）1-萘酚、6克（0.2莫耳）對甲醛、15.4克（0.1莫耳）硫酸二乙酯及115克丙二醇單甲醚乙酸酯（propylene glycol monomethyl ether acetate，PGMEA）放入配備有冷凝器的500毫升兩頸圓底燒瓶中，以藉由合成製程來獲得由化學式C表示的聚合物（MW：1,500）。
[化學式C] 硬罩幕 組成物的製備 實例 1
將根據合成例1的由化學式1a表示的化合物溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA）及環己酮（7:3（v/v））的混合溶劑中，且利用4,4'-(1,4-伸苯基)雙(2,3,5-三苯基環戊-2,4-二烯酮)（4,4'-(1,4-phenylene)bis(2,3,5-triphenylcylopenta-2,4-dienone)）以1:1的莫耳比對溶液進行了稀釋，並接著利用0.1微米的鐵氟龍（TEFLON）（四氟乙烯）過濾器進行了過濾以製備硬罩幕組成物。以硬罩幕組成物的總重量計，端視所期望的厚度而將聚合物的重量調整成處於5重量%至20重量%範圍內。實例 2
除了使用根據合成例2的化合物（化學式2a）代替由合成例1表示的化合物以外，根據與實例1相同的方法製備了硬罩幕組成物。實例 3
除了使用根據合成例3的化合物（化學式3a）代替由合成例1表示的化合物以外，根據與實例1相同的方法製備了硬罩幕組成物。實例 4
除了使用根據合成例4的化合物（化學式4a）代替由合成例1表示的化合物以外，根據與實例1相同的方法製備了硬罩幕組成物。比較例 1
除了使用根據比較合成例1的化合物（化學式A）代替由合成例1表示的化合物以外，根據與實例1相同的方法製備了硬罩幕組成物。比較例 2
除了使用根據比較合成例2的化合物（化學式B）代替由合成例1表示的化合物以外，根據與實例1相同的方法製備了硬罩幕組成物。比較例 3
藉由以下方式製備了硬罩幕組成物：將根據比較合成例3的聚合物（化學式C）溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA）及環己酮（7:3（v/v））的混合溶劑中，且利用0.1微米的鐵氟龍（四氟乙烯）過濾器對此溶液進行過濾。評價 評價 1 ：耐蝕刻性
將根據實例1至實例4以及比較例1至比較例3的各硬罩幕組成物以4,000埃的厚度旋塗於矽晶圓上，並在240℃下在熱板上熱處理了30分鐘，以分別形成各薄膜。
隨後，對各薄膜的厚度進行了量測。接著，使用CHF3 /CF4 混合的氣體及N2 /O2 混合的氣體將薄膜分別乾式蝕刻了分別為100秒及60秒，且再次對其厚度進行了量測。使用乾式蝕刻之前及之後的薄膜的厚度以及其蝕刻時間來根據計算方程式1計算體蝕刻速率（bulk etch rate，BER）。
[計算方程式1] (初始薄膜厚度–蝕刻後的薄膜厚度)/蝕刻時間（埃/秒）
結果示於表1中。
[表1]
參照表1，相較於分別由根據比較例1至比較例3的硬罩幕組成物形成的各薄膜，分別由根據實例1至實例4的硬罩幕組成物形成的各薄膜顯示出足夠的抵抗蝕刻氣體的耐蝕刻性，且顯示出改善的體蝕刻特性。
儘管本發明已結合目前視為實用的示例性實施例加以闡述，然而應理解本發明不限於所揭露的實施例，而是相反地旨在涵蓋包含在隨附申請專利範圍的精神及範圍內的各種潤飾及等效配置。
S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8‧‧‧步驟
圖1為闡釋根據實施例的一種形成圖案的方法的流程圖。

Claims (9)

  1. 一種硬罩幕組成物，包括： 聚合物，包括由化學式1表示的結構單元；以及 溶劑， [化學式1]其中，在化學式1中， X為包括至少三個稠合的經取代或未經取代的苯環的多環環狀基，且 *為連接點。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的硬罩幕組成物，其中在化學式1中，X為經取代或未經取代的蒽部分、經取代或未經取代的菲部分、經取代或未經取代的稠四苯部分、經取代或未經取代的䓛部分、經取代或未經取代的聯三伸苯部分、經取代或未經取代的芘部分、經取代或未經取代的苝部分、經取代或未經取代的苯並苝部分或者經取代或未經取代的蔻部分。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的硬罩幕組成物，其中所述聚合物是藉由經取代或未經取代的丁二炔衍生物與經取代或未經取代的雙環戊二烯酮的反應來獲得。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的硬罩幕組成物，其中所述經取代或未經取代的丁二炔衍生物是由化學式2表示： [化學式2]其中，在化學式2中， X為包括至少三個稠合的經取代或未經取代的苯環的多環環狀基，且為經取代或未經取代的蒽部分、經取代或未經取代的菲部分、經取代或未經取代的稠四苯部分、經取代或未經取代的䓛部分、經取代或未經取代的聯三伸苯部分、經取代或未經取代的芘部分、經取代或未經取代的苝部分、經取代或未經取代的苯並苝部分或者經取代或未經取代的蔻部分。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的硬罩幕組成物，其中所述聚合物的重量平均分子量介於500至200,000的範圍內。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的硬罩幕組成物，其中以所述硬罩幕組成物的總量計，包括0.1重量%至30重量%的量的所述聚合物。
  7. 一種形成圖案的方法，包括： 在基板上提供材料層； 在所述材料層上塗佈如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的包含所述聚合物及所述溶劑的硬罩幕組成物； 對所述硬罩幕組成物進行熱處理以形成硬罩幕層； 在所述硬罩幕層上形成含矽的薄層； 在所述硬罩幕層上形成含矽的薄層； 對所述光阻層進行曝光及顯影以形成光阻圖案； 使用所述光阻圖案來選擇性地移除所述含矽的薄層及所述硬罩幕層，以暴露出所述材料層的一部分；以及 對所述材料層的暴露部分進行蝕刻。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的形成圖案的方法，其中所述硬罩幕組成物是利用旋塗法來塗佈。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的形成圖案的方法，其中所述方法更包括： 在形成所述光阻層之前，形成底部抗反射塗層（BARC）。
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