TW201920622A - 液晶組成物及液晶顯示元件 - Google Patents

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間宮純一
井之上雄一
木村正臣
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Abstract

本發明所欲解決之課題在於提供一種垂直配向性、殘影與相容性優異之液晶組成物，及提供一種使用其之液晶顯示元件。
本發明提供一種垂直配向性、殘影特性(預傾角之隨時間之變化)與相容性優異之液晶組成物，及提供一種使用其之液晶顯示元件；該液晶組成物含有1種或2種以上之第1單體，該第1單體具有第1液晶原(mesogen)骨架、與上述第1液晶原骨架鍵結之通式(PG1)所表示之至少一個聚合性基、及與上述液晶原骨架或上述聚合性基鍵結之至少一個極性基；及1種或2種以上之第2單體，該第2單體具有第2液晶原骨架、與上述第2液晶原骨架鍵結之通式(PG2)所表示之聚合性基，且具備與上述第1單體不同的化學結構；並且，該液晶組成物含有超過0.4質量%之上述第2單體。

Description

液晶組成物及液晶顯示元件
本發明係關於一種含有自發配向性單體之液晶組成物及使用有其之液晶顯示元件。
一般而言，液晶面板或液晶顯示器等液晶顯示元件，是藉由電場等外部刺激來改變液晶分子之排列狀態，將跟著該改變之光學特性的變化利用於顯示。此種液晶顯示元件通常為於二片透明基板之間隙填充有液晶分子之狀態的構成，於與該液晶分子抵接之基板的表面形成有用以使液晶分子預先排列於特定方向的配向膜。
然而，於液晶顯示元件之製造步驟中具有下述問題：因發生於配向膜表面之損傷或灰塵而導致發生配向缺陷，或隨著基板尺寸大型化而難以設計及控管「於基板整面且用以得到長期間均一配向」之配向膜。
因此，近年來要求開發下述液晶顯示元件：藉由將含有控制液晶分子配向之自發配向材料的液晶組成物使用於液晶層，而不需要配向膜。
例如，於專利文獻1，記載一種含有自發配向材料之液晶組成物，藉由代替與液晶分子之相互作用相對較弱的丙烯酸月桂酯而含有「具備有辛基且顯示出高直線性之單官能聯苯單體」與「具備有硬脂醯基(stearyl)且顯示出低直線之二官能聯苯單體」的液晶組成物，以抑制電壓保持率下降。又，於專利文獻2，揭示有各種含有控制液晶分子配向之自配向添加劑代替配 向層的液晶組成物，並記載有：若將含有向列型LC介質、自配向添加劑及視需要之聚合性化合物的液晶組成物填充於無配向層之測試單元中，則關於基板表面具有自發的垂直(homeotropic)配向，及此垂直配向一直穩定至透明點，可藉由施加電壓可逆地轉換所形成之VA單元。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：美國專利公開2017-0123275號公報
專利文獻2：日本特表2016-501938號公報
然而，上述如專利文獻1所示之類的「含有2種烷基鏈長且具備有聯苯骨架之疏水性單體的組成物」，一般被認為與填充於一對基板間之液晶層之液晶分子的相互作用較丙烯酸月桂酯強，但因對基板之吸附力低，而會產生無法調控液晶分子之配向方向的問題。
於專利文獻2中，雖然考慮了初期之預傾角(pretilt)，但是並未考慮重複進行電壓之開關的液晶顯示元件中預傾角之隨時間之變化。因此，即便可以藉由專利文獻2之具備羥基之極性基的自配向添加劑來建構鈍化層，從而將初期預傾角(pretilt)抑制在所欲大小，但是會產生「由於預傾角隨時間變化而產生顯示不均」此新的問題。特別是，現狀為：並未針對「自配向添加劑及所添加之聚合性化合物的組合或其含量之關係與預傾角之隨時間之變化之關係」、與「自配向添加劑及聚合性化合物之含量與預傾角之隨時間之變化之關係」進行任何探討。
因此，本發明所欲解決之課題在於提供一種垂直配向性、殘影特性(預傾角之隨時間之變化)與相容性優異之液晶組成物，及提供一種使用其之液晶顯示元件。
本發明人等經潛心研究之結果，發現藉由含有「1種或2種以上之自配向聚合性單體」與「特定量之1種或2種以上之聚合性化合物」之液晶組成物及使用有其之液晶顯示元件，可解決上述課題，而完成了本案發明。
本發明之液晶組成物顯示出高相容性與對液晶分子之優異的垂直配向性。
本發明之液晶組成物藉由含有1種或2種以上之自配向聚合性化合物、與特定量之1種或2種以上之聚合性化合物，而顯示出沒有預傾角之隨時間之變化或較少預傾角之隨時間之變化。
本發明之液晶組成物藉由含有1種或2種以上之自配向聚合性化合物(第1單體)、與特定量之1種或2種以上之聚合性化合物，而可不產生配向不均或減少配向不均。
本發明之液晶顯示元件無配向不均或顯示出經降低之配向不均。
本發明之液晶組成物及具備其之液晶顯示元件顯示出高可靠性。
本發明之第一態樣為一種液晶組成物，其含有1種或2種以上之第1單體，該第1單體具有第1液晶原(mesogen)骨架、與上述第1液晶原骨架鍵結之通式(PG1)所表示之至少一個聚合性基、及與上述液晶原骨架或上述聚合性基鍵結之至少一個極性基；及1種或2種以上之第2單體，該第2單體具有第2液晶原骨架、與上述第2液晶原骨架鍵結之通式(PG2)所表示之聚合性基，且具備與上述第1單體不同的化學結構；並且，該液晶組成物含有超過0.4質量%之上述第2單體。
＊-S11-P11 (PG1)
＊-S21-P21 (PG2)
(上述式中，上述P11及P21分別獨立地為以下式(R-I)~式(R-IX)所表示之基，
(上述式(R-I)~(R-IX)中，R21、R31、R41、R51及R61相互獨立地為氫原子、碳原子數1~5個之烷基或碳原子數1~5個之鹵化烷基，W1為單鍵、-O-或亞甲基，T1為單鍵或-COO-，p1、t1及q1分別獨立地為0、1或2，上述聚合性基P11之一個以上之氫原子亦可被上述極性基取代，或者上述極性基亦可含有上述通式(PG1)所表示之聚合性基來作為取代基。上述化學式中之＊表 示鍵結鍵)
S11及S21分別獨立地表示單鍵或碳原子數1~15之伸烷基，該伸烷基中之1個之-CH2-或未鄰接之2個以上之-CH2-亦可以氧原子不直接鄰接之方式被上述極性基、-O-、-OCO-或-COO-取代)
藉此，可得到垂直配向性、殘影特性(預傾角之隨時間之變化)、與相容性優異之液晶組成物。
再者，於本說明書中之烷基可為直鏈狀或支鏈狀中之任一者，較佳為直鏈狀，作為具體例，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、異丙基、異丁基等。再者，本說明書中之伸烷基可為直鏈狀或支鏈狀中之任一者，較佳為直鏈狀，作為具體例，可列舉：亞甲基(methylene)、伸乙基(ethylene)、伸丙基(propylene)、伸丁基(butylene)、伸己基(hexylene)及伸辛基(octylene)等。再者，於本說明書中之烷氧基可為直鏈狀或支鏈狀中之任一者，較佳為直鏈狀，可列舉：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基等。
本發明之第1液晶原骨架較佳為通式(Me1)所表示者，
(上述通式(Me1)中，ZMe1表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH=C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)=CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-、或 碳原子數2~20之伸烷基，此伸烷基中之1個或未鄰接之2個以上之-CH2-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代，AMe1表示2價之6員環芳香族基、2價之6員環雜芳香族基、2價之6員環脂肪族基、2價之6員環雜脂肪族基，該等環結構中之氫原子亦可被鹵素原子、或P11-Sp11-、及極性基取代，於分別存在多個ZMe1及AMe1之情形時，分別可相互相同，亦可不同，mMe1表示1~5之整數，式(Me1)中，左端之黑點及右端之黑點表示鍵結鍵)。
本發明之式(Me1)所表示之液晶原骨架較佳為以下之式(Me1-1)~(Me1-16)中之任一者。
本發明之通式(PG1)所表示之聚合性基較佳為以下之式(R-I)~(R-IX)中之任一者。
(上述式(R-I)~(R-IX)中，R21、R31、R41、R51及R61相互獨立地為氫原子、碳原子數1~5個之烷基或碳原子數1~5個之鹵化烷基，W1為單鍵、-O-或亞甲基，T1為單鍵或-COO-，p1、t1及q1分別獨立地為0、1或2，上述 式(R-I)~(R-IX)之一個以上之氫原子亦可被上述極性基取代。上述化學式中之＊表示鍵結鍵)
該等之中，於上述(PG1)、(PG2)中，P11分別獨立地為式(R-I)、式(R-II)、式(R-III)、式(R-IV)、式(R-V)或式(R-VII)為較佳，更佳為式(R-I)、式(R-II)、式(R-III)或式(R-IV)，更佳為式(R-I)，再更佳為丙烯醯基(acryl group)或甲基丙烯醯基(methacryl group)，再又更佳為甲基丙烯醯基，一個以上之氫原子亦可被上述極性基取代。
於上述通式(PG1)中，S11較佳為亦可被單鍵或極性基取代之碳原子數1~5之伸烷基，更佳為亦可被極性基取代之碳原子數2~5之伸烷基，S11之至少一個氫原子被後述之通式(K)所表示之極性基取代為較佳。
本發明之通式(PG1)所表示之聚合性基的數量較佳為1個~5個，更佳為1個~4個，再更佳為1個~3個。
本發明之極性基較佳為具備與基板或膜、電極等相互作用(例如：吸附)之相互作用部位的角色，更佳為進行與跟第1單體不同之構件(基板(包含玻璃或金屬氧化物)、膜或電極)非共價鍵結性之相互作用的基。該極性基較佳為具有選自由N、O、S、P及Si所組成之群中之雜原子的極性要素之原子團，該極性基更佳為具有選自由N、O、S、P及Si所組成之群中之雜原子的極性要素之原子團且對上述第1單體以外之構件顯示相互作用，較佳為以下通式(K)所表示者。再者，本發明之極性基亦可和上述通式(PG1)所表示之聚合性基鍵結(上述極性基亦可含有上述通式(PG1)所表示之聚合性基來作為取代基)。
＊-Sik-Kik (K)
(上述通式(K)中，Sik表示單鍵或碳原子數1~15之伸烷基，該伸烷基中之1個之-CH2-或未鄰接之2個以上之-CH2-亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-O-、-OCO-或-COO-取代，上述Kik係由以下之式(K-1)~式(K-28)表示。
(上述式(K-1)~(K-23)中，RK1及RK2分別獨立地表示氫原子或碳原子數1~5之直鏈或支鏈烷基或烷氧基，RK3表示氫原子或碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基，此烷基中之1個或未鄰接之2個以上之-CH2-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代，RK4及RK5分別獨立地表示氫原子或碳原子數1~8之 烷基，WK1表示次甲基、≡C-CH3、≡C-C2H5、≡C-C3H7、≡C-C4H9、≡C-C5H11、≡C-C6H13或氮原子，XK1及XK2分別獨立地表示-CH2-、氧原子、-C(=O)-或硫原子，YK1、YK2及YK3分別獨立地表示次甲基或氮原子，ZK1表示氧原子或硫原子，ZK2表示碳原子、硫原子或矽原子，ZK3表示氧原子，ZK4表示單鍵或雙鍵)，上述Sik或上述Kik之1個以上之氫原子亦可被上述通式(PG1)所表示之聚合性基取代，上述化學式中之＊表示鍵結鍵)
(式中，Yi1表示碳原子數3~20之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，此等烷基中之至少2個以上的二級碳原子被-(C=Xi1)-及/或-(CH-CN)-取代，又，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，Xi1表示氧原子、硫原子、NH或NRi1，Si1及Si3分別獨立地表示碳原子數1~6之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH2-亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-C(=CH2)-、-C(=CHRi3)-、-C(=CRi3 2)-、-O-、-NH-、-C=O-、-COO-或-OCO-取代，Si2表示碳原子、氮原子或矽原子，Ri2表示氫原子、碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基，此等基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代，Pi1表示聚合性基， Spi1表示間隔基團(spacer group)或單鍵，ni1表示1~3之整數，ni2及ni3分別獨立地表示0~2之整數，於Si2表示碳原子或矽原子之情形時，ni1+ni2+ni3為3，於Si2表示氮原子之情形時，ni1+ni2+ni3為2。Ri3表示與通式(i)中之Ri3相同涵義，於通式(K-1)中存在多個Ri2、Xi1、Yi1、Si1、Si3、Pi1及Spi1之情形時，其等可相同亦可不同)
(式中，Si1、Pi1及Spi1分別表示與通式(K-1)中之Si1、Pi1及Spi1相同的意義，RK21表示碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，此等 烷基中之至少2個以上的二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-或-NH-取代，ni4、niK21分別獨立地表示0或1)
本發明之自發配向性單體具備有至少一個極性基、液晶原基及至少一個聚合性基，且具備有與本發明之第2單體不同的化學構造。該極性基亦可介隔間隔基團，與液晶原基或聚合性基鍵結。
本發明之第1單體具備1液晶原骨架、與上述第1液晶原骨架鍵結之通式(PG1)所表示之至少一個聚合性基、及與上述液晶原骨架或上述聚合性基鍵結之至少一個極性基，較佳為具有第1液晶原骨架、與上述第1液晶原骨架鍵結之通式(PG1)所表示之至少一個聚合性基、及與上述液晶原骨架或上述聚合性基鍵結之通式(K)所表示之極性基之至少一個。該極性基亦可介隔間隔基團Sik而與液晶原基或聚合性基鍵結。
作為該Sik，較佳為表示單鍵或碳原子數1~8之伸烷基，該伸烷基中之一個或兩個以上之-CH2-亦可以氧原子未直接鄰接的方式被-O-、-OCO-或-COO-取代。又，亦可被上述通式(PG1)所表示之聚合性基取代。
於本發明之極性基中，Kik較佳為選自由以下之式(K-1-1)~(K-23-1)所表示之化合物所組成之群中之至少1種。
(上述式中，RK4’及RK5’分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基。亦可被上述通式(PG1)所表示之聚合性基取代。上述化學式中之＊表示鍵結鍵)
上述中，作為本發明之極性基，較佳為式(K-1-1)、(K- 2-1)、(K-7-1)、(K-20-1)或(K-22-1)。
於本發明之第1單體中，極性基可與第1液晶原骨架直接鍵結，或是亦可與通式(PG1)所表示之聚合性基鍵結。作為於極性基與通式(PG1)所表示之聚合性基鍵結之情形時(上述極性基具有上述通式(PG1)所表示之聚合性基來作為取代基)之較佳態樣，於極性基以通式(K)所表示之情形，上述Sik或上述Kik之1個以上之氫原子亦可被通式(PG1)所表示之聚合性基取代。
又，於本發明之第1單體中，通式(PG1)所表示之聚合性基之1個以上之氫原子亦可被極性基取代。作為此情形之較佳態樣，可列舉聚合性基P11或S11之1個以上之氫原子被極性基取代之態樣，作為更佳之態樣，可列舉聚合性基P11或S11之1個以上之氫原子被通式(K)所表示之極性基取代之態樣。例如，作為極性基與通式(PG1)所表示之聚合性基直接鍵結之態樣，可列舉以下之式(P-K-1)、(P-K-2)、(P-K-3)或(P-K-4)等結構。
(上述式中，Rnk1表示氫原子或碳原子數1~5之烷基，nk1及nk2分別獨立地表示0~8之整數)
本發明之第1單體較佳為顯示控制液晶分子之配向的自發配向性，更佳為選自由通式(i)、通式(ii)、通式(iii)及通式(iv)所表示之化合物所組成之群中之1種或2種以上之化合物。
(上述通式(i)中，Ral1、Ral2、Zal1、Zal2、Lal1、Lal2、Lal3、Spal1、Spal2、Spal3、Xal1、Xal2、Xal3、mal1、mal2、mal3、nal1、nal2、nal3、pal1及pal2分別相互獨立，Ral1表示氫原子、鹵素原子、具有1~20個碳原子之直鏈狀、分枝狀或者環 狀烷基，此處，於該烷基中，1個或2個以上之未鄰接的CH2基亦可被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O及/或S原子彼此未直接鍵結之方式取代，並且1個或2個以上之氫原子亦可經F或Cl取代，Ral2表示具備有以下之任一部分結構的極性基，
Spal1、Spal2及Spal3分別相互獨立地表示碳原子數1~12個之烷基或單鍵，Xal1、Xal2及Xal3分別相互獨立地表示烷基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基或乙烯基，Zal1表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-(CH2)n al-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-(CF2)n al-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、-(CRal3Ral4)n al-、-CH(-Spal1-Xal1)-、-CH2CH(-Spal1-Xal1)-、-CH(-Spal1-Xal1)CH(-Spal1-Xal1)-，Zal2分別相互獨立地表示單鍵、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-(CH2)n1-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-(CF2)n al-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、-(CRal3Ral4)nal-、-CH(-Spal1- Xal1)-、-CH2CH(-Spal1-Xal1)-、-CH(-Spal1-Xal1)CH(-Spal1-Xal1)-，Lal1、Lal2、Lal3分別相互獨立地表示氫原子、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(Ral3)2、-C(=O)Ral3、具有3~15個碳原子之經任意取代過的矽基、經任意取代過的芳基或者環烷基或1~25個之碳原子，此處，1個或者2個以上之氫原子亦可經鹵素原子(氟原子、氯原子)取代，上述Ral3表示具有1~12個碳原子之烷基，上述Ral4表示氫原子或具有1~12個碳原子之烷基，上述nal表示1~4之整數，pal1及pal2分別相互獨立地表示0或1，mal1、mal2及mal3分別相互獨立地表示0~3之整數，nal1、nal2及nal3分別相互獨立地表示0~3之整數)
通式(ii)：
(式中，Zii1表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH=C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)=CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-或碳原子數2~20之伸烷基，此伸烷基中之1個或非鄰接之2個以上的-CH2-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代，Aii1表示2價之6員環芳香族基、2價之6員環雜芳香族基、2價之6員環脂肪族基、2價之6員環雜脂肪族基，此等之環結構中的氫原子亦可被鹵素原子或P11-S11-及具有由通式(K)表示之極性基的1價有機基或Ri1取代，至少一者被P11-S11-取代， 當分別存在多個Zii1及Aii1之情形時，各自彼此可相同或亦可不同，mii1表示1~5之整數，Rii1及Rii2分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~40之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或Pi1-Spi1-，該烷基中之-CH2-亦可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，但-O-不為連續，Rii1及Rii2之至少一者表示具有由通式(K)所表示之極性基的1價有機基，於通式(ii)中具有1個或2個以上之P11-S12-，並具有1個或2個以上具有由通式(K)所表示之極性基的1價有機基且具有1個或2個以上之Rii1。
亦可具有上述P11-S12-(P11表示聚合性基，表示選自上述通式(R-I)~通式(R-IX)所表示之群中的取代基、具有由通式(K)所表示之極性基的1價有機基(通式(K)具有上述通式(K-1)~通式(K-23)所表示之部分結構)及Ri1(Ri1表示氫原子、碳原子數1~40之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或Pi1-Spi1-，該烷基中之-CH2-亦可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，-O-不為連續)。
於上述通式(ii)中，Zii1較佳為表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH=C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)=CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-或碳原子數1~40之直鏈狀或支鏈狀伸烷基或該伸烷基中之1個或非鄰接之2個以上的-CH2-被-O-取代而成的基，更佳為表示單鍵、-COO-、-OCO-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH=C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)=CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-、或碳原子數1~40之直鏈狀或支鏈狀伸烷 基或該伸烷基中之1個或非鄰接之2個以上的-CH2-亦可經-O-取代而成的基、碳原子數2~15之直鏈狀伸烷基或該伸烷基中之1個或非鄰接之2個以上之-CH2-經-O-取代而成的基，再更佳為表示單鍵、CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH=C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)=CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-或碳原子數2之伸烷基(伸乙基(-CH2CH2-))或者伸乙基中之1個-CH2-經-O-取代而成的基(-CH2O-、-OCH2-)或碳原子數3~13之直鏈狀伸烷基或者該伸烷基中之1個或非鄰接之2個以上的-CH2-經-O-取代而成的基。
Aii1較佳為表示2價之6員環芳香族基或2價之6員環脂肪族基，2價之未經取代的6員環芳香族基、2價之未經取代的6員環脂肪族基或此等之環結構中的氫原子較佳為未經取代或經碳原子數1~6之烷基、碳原子數1~6之烷氧基、鹵素原子取代，較佳為2價之未經取代的6員環芳香族基或者此環結構中之氫原子被氟原子取代而成的基，或2價之未經取代的6員環脂肪族基，較佳為取代基上之氫原子亦可經鹵素原子、烷基或烷氧基取代之1,4-伸苯基、2,6-萘基或1,4-環己基，至少一個取代基經Pi1-Spi1-取代。
mii1較佳為表示2~5之整數，更佳為表示2~4之整數。
通式(iii)：
(上述通式(iii)中，Riii1為碳原子數1~15之烷基，於該烷基中，至少1個-CH2-亦可被-O-或-S-取代，至少1個-(CH2)2-亦可被-CH=CH-或-C≡C-取代，於此等基中，至少1個氫原子亦可被鹵素原子取代，Aiii1及Aiii2分別獨立地為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基(1,4- cyclohexenylene)、1,4-伸苯基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、四氫哌喃-2,5-二基、1,3-二烷-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、吡啶-2,5-二基、茀-2,7-二基、菲-2,7-二基、蒽-2,6-二基、過氫化(perhydro)環戊[a]菲-3,17-二基或2,3,4,7,8,9,10,11,12,13,14,15,16,17-十四氫(tetradecahydro)環戊[a]菲-3,17-二基，於此等環中，至少1個氫原子亦可被氟原子、氯原子、碳原子數1~12之烷基、碳原子數2~12之烯基、碳原子數1~11之烷氧基或碳原子數2~11之烯氧基取代，於此等基中，至少1個氫原子亦可被氟原子或氯原子取代，Ziii1為單鍵或碳原子數1~10之伸烷基，於此伸烷基中，至少1個-CH2-亦可被-O-、-CO-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代，至少1個-(CH2)2-亦可被-CH=CH-或-C≡C-取代，於此等基中，至少1個氫原子亦可被鹵素原子取代，Siii1為單鍵或碳原子數1~10之伸烷基，於該伸烷基中，至少1個-CH2-亦可被-O-、-CO-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代，至少1個-(CH2)2-亦可被-CH=CH-或-C≡C-取代，於此等基中，至少1個氫原子亦可被鹵素原子取代，Kiii1及Kiii2分別獨立地為氫原子、鹵素原子、碳原子數1~5之烷基或至少1個氫原子被鹵素原子(例如氟原子)取代之碳原子數1~5的烷基，niii1為0、1、2、3或4，Riii2為式(iii-1)或式(iii-2)所表示之基，‧-Siii1-Xiii1 (iii-1)
於式(iii-1)及式(iii-2)中， Siii2及Siii3分別獨立地為單鍵或碳原子數1~10之伸烷基，於該伸烷基中，至少1個-CH2-亦可被-O-、-NH-、-CO-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代，至少1個-(CH2)2-亦可被-CH=CH-或-C≡C-取代，於此等基中，至少1個之氫原子亦可被鹵素原子取代，Siii1為=CH-或=N-，Xiii1為-OH、-NH2、-OR3、-N(R3)2、式(Xiii1)、-COOH、-SH、-B(OH)2或-Si(R3)3表示之基，此處，R3為氫原子或碳原子數1~10之烷基，於該烷基中，至少1個-CH2-亦可被-O-或-CH=CH-取代，於此等基中，至少1個氫原子亦可被鹵素原子取代，式(Xiii1)：
(niii2為1~5之整數)。
通式(iv)：
通式(iv)所表示之化合物由於特別具有以Ki1表示之部分結構，故當被使用於液晶組成物時，可配向於夾持液晶組成物(液晶層)之基板，在使液晶分子配向於垂直方向之狀態下保持。通式(iv)所表示之化合物由於以Ki1表示之部分結構具有極性，故會吸附於夾持液晶組成物(液晶層)之基板，又，該化合物由於在化合物末端具有以Ki1表示之部分結構，故可在使液晶分子配向於垂直方向之狀態下保持。因此，若藉由使用有本實施形態之聚合性化合物的液晶組成物，則即使不設置PI層，亦可使液晶分子配向(於無施加電壓時誘發液晶分子之垂直配向，於施加電壓時則實現液晶分子之水平配 向)。因此，含有化合物(iv)之液晶組成物適合用以幫助液晶分子之垂直配向。
並且，本發明人等發現藉由本實施形態之含有化合物(iv)的液晶組成物具有以Ki1表示之部分結構，不僅液晶分子之配向，而且亦可確保液晶組成物之保存性穩定性。
並且，含有以通式(iv)表示之化合物(iv)的液晶組成物由於以Ai2或Ai3之取代基的形態或者以Ki1之取代基的形態在特定位置具有聚合性基，故可維持更加良好之配向性。
從以上之觀點，本實施形態之液晶組成物中的化合物(iv)於分子之末端(較佳為分子之主鏈的末端)具有以Ki1表示之部分結構即可，Ki1表示之部分結構所鍵結之鍵結對象的化學結構，若為不會阻礙液晶組成物之功能的範圍，則無特別限制。
以下，說明通式(iv)所表示之化合物的具體例。
通式(iv)中之Ki1較佳為直鏈或支鏈之碳原子數3~40的烷基、碳原子數3~40之直鏈或支鏈的鹵化烷基、碳原子數3~40之直鏈或支鏈的氰化烷基，此處，Ki1中之至少2個以上的二級碳原子經-(C=Xi1)-及/或-(CH-CN)-取代，較佳為Ki1中之至少2個以上的二級碳原子經-(C=Xi1)-取代，較佳為至少3個以上的二級碳原子經-(C=Xi1)-取代，較佳為至少4個以上的二級碳原子經-(C=Xi1)-取代。從提升電壓保持率(VHR)之觀點而言，Xi1較佳為氧原子。Ki1較佳為表示碳原子數3~30之直鏈或支鏈烷基、直鏈或支鏈鹵化烷基、直鏈或支鏈氰化烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-(C=CH2)-、-(C=CHRi3)-、-(C=CRi3 2)-、-CH=CH-、-C≡C-、-O-取代，更佳為表示碳原子數3~20之直鏈或支鏈烷基或直鏈或支鏈氰化烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原 子未直接鄰接之方式被-(C=CH2)-、-(C=CHRi3)-、-(C=CRi3 2)-、-O-取代，更佳為表示碳原子數3~20之支鏈烷基或支鏈氰化烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-(C=CH2)-、-O-取代。Ri3較佳為碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基，較佳為碳原子數1~7之烷基，較佳為碳原子數1~3之烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代。
又，Ki1中之氫原子較佳為聚合性基，亦即經Pi1-Spi1-取代。藉由在Ki1中存在有極性基與聚合性基，可得到更加良好之配向性。
Ki1較佳為表示通式(K-24)。
(式中，Yi1表示碳原子數3~20之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，此等烷基中之至少2個以上的二級碳原子經-(C=Xi1)-及/或-(CH-CN)-取代，又，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，又，此等烷基中之氫原子亦可被Pi1-Spi1-取代，Xi1表示氧原子、硫原子、NH或NRi1，Si1及Si3分別獨立地表示碳原子數1~6之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH2-亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-(C=CH2)-、-(C=CHRi3)-、-(C=CRi3 2)-、-O-、-NH-、-(C=O)-、-COO-或-OCO-取代，Si2表示碳原子、氮原子或矽原子， Ri2表示氫原子、碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，此等基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-、-C≡C-、-C(=Xi1)-或-CH(-CN)-取代，Pi1表示聚合性基，Spi1表示間隔基團或單鍵，ni1表示1~3之整數，ni2及ni3分別獨立地表示0~2之整數，但當Si2表示碳原子或矽原子之情形時，ni1+ni2+ni3為3，當Si2表示氮原子之情形時，ni1+ni2+ni3為2。Ri3為表示與通式(i)中之Ri3相同的意義，當於通式(K-1)中存在多個Ri2、Xi1、Yi1、Si1、Si3、Pi1及Spi1之情形時，其等可相同或亦可不同)
通式(K-1)中之Si1及Si3較佳為碳原子數1~6之直鏈或支鏈伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH2-亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-(C=CH2)-、-O-、-(C=O)-、-COO-或-OCO-取代，更佳為單鍵、碳原子數1~6之直鏈狀伸烷基或該伸烷基中之-CH2-以氧原子未直接鄰接之方式被-O-取代而成的基。Si1及Si3具體而言較佳為表示-(CH2)n-、-O-(CH2)n-、-(CH2)n-O-、-(CH2)n-O-(CH2)m-、-COO-(CH2)n-、-OCO-(CH2)n-(n及m表示1~6之整數)。
Si2較佳為碳原子。Ri2較佳為表示氫原子或碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之-CH2-亦可被-O-、-C(=Xi1)-或-CH(-CN)-取代(惟，-O-不為連續)，較佳為表示氫原子或碳原子數1~7之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之-CH2-亦可被-O-、-C(=Xi1)-或-CH(-CN)-取代(惟，-O-不為連續)，更佳為氫原子、碳原子數1~3之直鏈烷基。
Yi1為碳原子數3~20之烷基、碳原子數3~20之直鏈或支鏈鹵化 烷基、碳原子數3~20之直鏈或支鏈的氰化烷基，此處，Yi1中之至少2個以上的二級碳原子經-(C=Xi1)-及/或-(CH-CN)-取代，較佳為Yi1中之至少2個以上之二級碳原子經-(C=Xi1)-取代。從提升電壓保持率(VHR)之觀點而言，Xi1較佳為氧原子。Yi1較佳為表示碳原子數3~10之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基、氰化烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-(C=CH2)-、-(C=CHRi3)-、-(C=CRi3 2)-、-CH=CH-、-C≡C-、-O-取代，更佳為表示碳原子數3~7之直鏈或支鏈烷基或氰化烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-(C=CH2)-、-(C=CHRi3)-、-(C=CRi3 2)-、-O-取代，更佳為表示碳原子數3~7之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-O-取代。又，烷基中之氫原子亦可被Pi1-Spi1-取代。
從提升液晶之配向性的觀點而言，Yi1較佳為表示選自通式(Y-1)之基。
(式中，WiY1表示單鍵或氧原子，虛線表示單鍵或雙鍵，當虛線表示單鍵之情形時，RiY1表示氫原子、碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基或Pi1-Spi1-，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-、-C≡C-或-CO-取代，當虛線表示雙鍵之情形時，RiY1表示=CH2、=CHRiY4或=CRiY4 2，RiY4表示氫原子、碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代，RiY3為表示與當虛線表示單鍵之情形時之RiY1相同的意義，RiY2 表示氫原子、碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基、氰化烷基，此等烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-、-OCO-、-C(=O)-或-CH2(-CN)-取代，又，RiY2表示Pi1-Spi1-，當虛線表示雙鍵之情形時，niY1為0，當虛線表示單鍵之情形時，niY1為1，niY2表示0~5之整數，Pi1表示聚合性基，Spi1表示間隔基團或單鍵，當存在多個RiY1、RiY3、RiY4、Pi1及Spi1之情形時，該等可相同或亦可不同，以＊與Si3鍵結)
當虛線表示單鍵之情形時，RiY1較佳為氫原子或碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基，較佳為氫原子或碳原子數1~7之烷基，較佳為氫原子或碳原子數1~3之烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代。具體而言，較佳為表示氫原子，又，從提升耐熱性之觀點而言，較佳為表示碳原子數1~3之烷基、碳原子數1~3之烷氧基、-CO-CH3、-CH2-O-CH3。又，從提升耐熱性之觀點而言，RiY1亦較佳為表示Pi1-Spi1-。認為當RiY1表示pi1-Spi1-之情形時，由於因通式(i)所表示之化合物因熱而分解所產生的分解物會聚合，故可防止雜質增加，對液晶組成物之不良影響變少。pi1表示聚合性基，較佳為表示丙烯醯基(acryloyl)、甲基丙烯醯基(methacryloyl)或選自後述通式(P-1)~(P-15)所表示之群中的取代基。Spi1較佳為表示碳原子數1~18之直鏈狀伸烷基或單鍵，更佳為表示碳原子數2~15之直鏈狀伸烷基或單鍵，再更佳為表示碳原子數2~8之直鏈狀伸烷基或單鍵。
又，當虛線表示雙鍵之情形時，表示=CH2、=CHRiY4或=CRiY4 2，較佳為表示=CH2。RiY4較佳為碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基，較佳為碳原子數1~7之烷基，較佳為碳原子數1~3之烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代。
RiY3之較佳之基與當虛線表示單鍵之情形時的RiY1之較佳之基相同。niY1較佳為0。
作為RiY1及RiY3之較佳組合，可列舉：皆為氫原子、皆為碳原子數1~3之烷基、皆為碳原子數1~3之烷氧基、皆為-CH2-O-CH3等。當RiY1及RiY3之任一者表示Pi1-Spi1-或-CO-CH3的情形時，另一者較佳為表示氫原子。niY2較佳為0~3之整數，更佳為0、1或2，更佳為0或1。
RiY2較佳為氫原子或碳原子數1~10之烷基、鹵化烷基或氰化烷基，較佳為碳原子數1~7之烷基、鹵化烷基或氰化烷基，較佳為碳原子數1~3之烷基。又，該烷基中之二級碳原子較佳以氧原子未直接鄰接之方式經-O-、-(C=Xi2)-或-(CH2-CN)-取代。從提升VHR之觀點而言，Xi2較佳為氧原子。又，RiY2較佳為表示Pi1-Spi1-。認為當RiY2表示Pi1-Spi1-之情形時，由於因通式(i)所表示之化合物因熱而分解所產生的分解物會聚合，故可防止雜質增加，對液晶組成物之不良影響變少。
關於通式(Y-1)，更具體而言，較佳為式(Y-1-1)、(Y-1-2)、(Y-1-3a)、(Y-1-3b)、(Y-1-4)。
(式中，niY11表示0或1，RiY21表示碳原子數1~10之烷基、鹵化烷基、氰化烷基，此等烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-、-OCO-、-(C=O)-或-(CH2-CN)-取代，又，RiY21表示Pi1-Spi1-，RiY31及RiY32分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-、-C≡C-或-CO-取代，又，RiY31及RiY32表示Pi1-Spi1-)
RiY21較佳為碳原子數1~7之烷基、鹵化烷基或氰化烷基，較佳為碳原子數1~3之烷基。又，RiY21較佳為表示Pi1-Spi1-。RiY31及RiY32較佳為氫原子、碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基，較佳為表示氫原子或碳原子數1~3之烷基、碳原子數1~3之烷氧基、-CO-CH3、-CH2-O- CH3。又，RiY31及RiY32之至少任一者較佳為表示Pi1-Spi1-。
從提升與液晶化合物之相容性的觀點而言，較佳具有式(Y-1-1)之結構。作為式(Y-1-1)，較佳為式(Y-1-1a)~式(Y-1-1h)。
(式中，niY11表示0或1)
從提升與液晶化合物之相容性、耐熱性的觀點而言，較佳具有 式(Y-1-2)之結構。作為式(Y-1-2)，較佳為式(Y-1-2a)~式(Y-1-2f)。
(式中，niY11表示0或1)
從提升耐熱性之觀點而言，較佳具有式(Y-1-3a)及式(Y-1-3b)之結構。作為式(Y-1-3a)，較佳為式(Y-1-3aa)，作為式(Y-1-3b)，較佳為式(Y-1-3ba)。
(式中，niY11表示0或1)
從提升液晶組成物之配向性、電壓保持率的觀點而言，較佳具有式(Y-1-4)之結構。作為式(Y-1-4)，較佳為式(Y-1-4a)~式(Y-1-4f)。尤其是(Y-1-4a)~(Y-1-4c)之結構可取得與液晶化合物之相容性與液晶組成物之配向性的平衡，是較佳的。
(式中，niY11表示0或1)
又，Yi1較佳為表示選自通式(Y-2)之基。
(式中，WiY1、RiY3及RiY2表示與通式(Y-1)中之WiY1、RiY3及RiY2相同的意義)
通式(Y-2)較佳表示通式(Y-2-1)。
(式中，niY11、RiY21及Ri31表示與通式(Y-1-1)中之niY11、RiY21及Ri31相同的意義)
又，從提升耐熱性之觀點而言，Yi1較佳為表示選自通式(Y-3)之基。
(式中，RiY1、RiY2、RiY3、niY1及niY2分別表示與通式(Y-1)中之RiY1、RiY2、RiY3、niY1及niY2相同的意義)
通式(Y-3)較佳為表示通式(Y-3-1)~通式(Y-3-4)。
(式中，RiY21、RiY31、RiY32及niY11分別表示與通式(Y-1-1)中之RiY21、RiY31、RiY32及niY11相同的意義)
更具體而言，通式(Y-3-1)較佳為通式(Y-3-11)。
(式中，RiY21表示與通式(Y-3-1)中之RiY21相同的意義)
又，從提升耐熱性之觀點而言，Yi1較佳為表示選自通式(Y-4)之基。
(式中，RiY1、RiY2、RiY3、niY1及niY2分別表示與通式(Y-1)中之RiY1、RiY2、RiY3、niY1及niY2相同的意義)
通式(Y-4)較佳為表示通式(Y-4-1)~通式(Y-4-3b)。
(式中，RiY21、RiY31、RiY32及niY11分別表示與通式(Y-1-1)中之RiY21、RiY31、RiY32及niY11相同的意義)
更具體而言，通式(Y-4-1)較佳為通式(Y-4-11)。
(式中，RiY21表示與通式(Y-4-1)中之RiY21相同的意義)
Pi1較佳為表示選自以下之式(P-1)~通式(P-15)所表示之群中的取代基。從處理之簡便性、反應性的方面而言，較佳為式(P-1)~(P-3)、(P-14)、(P-15)之任一取代基，更佳為式(P-1)、(P-2)。
(式中，右端之黑點表示鍵結鍵)
Spi1較佳為表示碳原子數1~18之直鏈狀伸烷基或單鍵，更佳為表示碳原子數2~15之直鏈狀伸烷基或單鍵，再更佳為表示碳原子數2~8之直鏈狀伸烷基或單鍵。
從提升液晶之配向性與對液晶化合物之溶解性的觀點而言，ni1較佳為表示1或2。ni2較佳為表示0或1，從提升配向性之觀點而言，更佳為表示1。ni3較佳為表示0或1。
通式(K-24)較佳為表示選自通式(K-24A)或(K-24B) 之基。
(式中，Si1、Si2、Si3、Yi1、Pi1及Spi1分別表示與通式(K-1)中之Si1、Si2、Si3、Yi1、Pi1及Spi1相同的意義，niA1表示1~3之整數，niA3表示0~2之整數，niB1表示1~2之整數，niB3表示0或1，但當Si2表示碳原子或矽原子之情形時，niA1+niA3為3，niB1+niB3為2，當Si2表示氮原子之情形時，niA1+niA3表示2，niB1表示1，niB3表示0)
式(i)中之Ki1為用以使液晶組成物垂直配向的重要結構，藉由極性基與聚合基鄰接，可得到更加良好之配向性，又顯示出對液晶組成物之良好溶解性。因此，當重視液晶配向性之情形時，較佳為通式(K-24B)。另一方面，當重視對液晶化合物之溶解性的情形時，較佳為通式(K-24A)。作為通式(K-24A)~(K-24B)之較佳例，可列舉以下之式(K-24A-1)~(K-24A-4)及式(K-24B-1)~(K-24B-6)，從對液晶組成物之溶解性的方面而言，較佳為式(K-24A-1)~(K-24A-3)，從配向性的方面而言，較佳為式(K-24B-2)~(K-24B-4)，尤佳可列舉式(K-24A-1)、(K-24B-2)及(K-24B-4)。
(式中，Si1、Yi1及Pi1分別獨立地表示與通式(K-24)中之Si1、Yi1及Pi1相同的意義)
又，通式(K-24)較佳為表示選自通式(K-24-1)、(K-24-2)、(K-24-3a)、(K-24-3b)、(K-24-4a)、(K-24-4b)(K-24-Y2)、(K-24-Y3)及(K-24-Y4)之基。
(式中，niY11、RiY21、RiY31及RiY32分別獨立地表示與通式(Y-1-1)~(Y-4)中之niY11、RiY21、RiY31及RiY32相同的意義，Spi1及Pi1分別表示與通式(i)中之Spi1及Pi1相同的意義，RiK1表示碳原子數1~6之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH2-亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-或-O-取代，niK1及niK2分別獨立地表示0或1)
RiK1較佳為碳原子數1~6之直鏈伸烷基，較佳為碳原子數1~3之直鏈伸烷基。再者，RiY21、RiY31、RiY32、Spi1及Pi1之較佳之基與通式(Y-1-1)~(Y-1-4)、(Y-2)~(Y-4)、通式(i)中之RiY21、RiY31、RiY32、Spi1、Pi1相同。
又，Ki1較佳為表示通式(K-25)~(K-28)。
(式中，Si1、Pi1及Spi1分別表示與通式(K-24)中之Si1、Pi1及Spi1相同的意義，RK21表示碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，此等烷基中之至少1個以上的二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-或-NH-取代，ni4、niK21分別獨立地表示0或1)
RK21較佳為表示碳原子數1~5之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，更佳為表示碳原子數1~3之直鏈烷基或氰化烷基。又，此等烷基中之至少1個以上的二級碳原子較佳以氧原子未直接鄰接之方式經-O-取代。 RK21具體而言較佳為碳原子數1~3之烷基、碳原子數1~3之烷氧基、碳原子數1~3之氰化烷基。
通式(K-25)較佳為表示以下之通式(K-25-1)~(K-25-3)。
(式中，Si1、Pi1、Spi1、ni4及niK21分別表示與通式(K-25)中之Si1、Pi1、Spi1、ni4及niK21相同的意義，RK211表示碳原子數1~3之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基)
通式(K-26)較佳為表示以下之通式(K-26-1)及(K-26-2)。
(式中，Si1表示與通式(K-26)中之Si1相同的意義，RK211表示碳原子數1~3之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基)
通式(K-27)較佳為表示以下之通式(K-27-1)。
(式中，Si1、Pi1、Spi1及ni4分別表示與通式(K-27)中之Si1、Pi1、Spi1及niK21相同的意義，RK211表示碳原子數1~3之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基)
通式(K-28)較佳為表示以下之通式(K-28-1)。
(式中，Si1、Pi1、Spi1及ni4分別表示與通式(K-28)中之Si1、Pi1、Spi1及ni4相同的意義，RK211表示碳原子數1~3之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基)
再者，Si1、Pi1及Spi1之較佳之基與通式(K-24)中之Si1、Pi1及Spi1相同。
式(i)中，Zi1及Zi1較佳為表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH=C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)=CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-、碳原子數1~40之直鏈狀或支鏈狀伸烷基或該伸烷基中之1個或非鄰接之2個以上的-CH2-經-O-取代而成的基，更佳為表示單鍵、-COO-、-OCO-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH=C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)=CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-、碳原子數1~10之直鏈狀或支鏈狀伸烷基或該伸烷基中之1個或非鄰接之2個以上的-CH2-經-O-取代而成的基，更佳為表示單鍵、碳原子數2~15之直鏈狀伸烷基或該伸烷基中之1個或非鄰接之2個以上的-CH2-經-O-取代而成的基，再更佳為單鍵、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-OCH2CH2O-、或碳原子數2之伸烷基(伸乙基(-CH2CH2-))或者伸乙基中之1個-CH2-經-O-取代而成的基(-CH2O-、-OCH2-)或者伸乙基中之1個-CH2-經-COO-、-OCO-取代而成的基(-CH-CHCOO-、-OCOCH-CH-)。
Ri1較佳為表示碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基或鹵化烷基，該烷基中之二級碳原子較佳以氧原子未直接鄰接之方式被-O-取代，更佳為表示碳原子數3~18之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-O-取代。從提升液晶化合物配向性之觀點而言，Ri1之碳原子數較佳為3以上，較佳為4以上，較佳為5以上。
Ai1較佳為2價之6員環芳香族基、2價之6員環雜芳香族基、2價之6員環脂肪族基或2價之6員環雜脂肪族基、2價之5員環芳香族基、2價之5員環雜芳香族基、2價之5員環脂肪族基或2價之5員環雜脂肪族基，具體而言，較佳為表示選自1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、蒽-2,6-二基、菲-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、環戊烷-1,3-二基、茚烷-2,5-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基及1,3-二烷-2,5-二基之環結構，該環結構較佳為未經取代或經Li1取代。Li1較佳為表示碳原子數1~12之烷基、碳原子數1~12之鹵化烷基、碳原子數1~12之烷氧基、碳原子數1~12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基或硝基。Ai1較佳為表示2價之6員環芳香族基或2價之6員環脂肪族基，較佳為2價之未經取代的6員環芳香族基、2價之未經取代的6員環脂肪族基或此等環結構中之氫原子經碳原子數1~6之烷基、碳原子數1~6之烷氧基或經鹵素原子取代而成之基，較佳為2價之未經取代的6員環芳香族基或者此環結構中之氫原子經氟原子取代而成的基或2價之未經取代的6員環脂肪族基，更佳為取代基上之氫原子亦可經鹵素原子、烷基或烷氧基取代的1,4-伸苯基、2,6-萘基或1,4-環己基。
Ai2及Ai3分別獨立地較佳為2價之6員環芳香族基、2價之6員環雜芳香族基、2價之6員環脂肪族基或2價之6員環雜脂肪族基、2價之5員環芳香族基、2價之5員環雜芳香族基、2價之5員環脂肪族基或2價之5員環雜脂肪族基，具體而言，較佳為表示選自1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、蒽-2,6-二基、菲 -2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、環戊烷-1,3-二基、茚烷-2,5-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基及1,3-二烷-2,5-二基的環結構，該環結構較佳為未經取代或經Li1、Pi1-Spi1-或者Ki1取代。又，Ai3亦較佳為表示選自1,3-伸苯基、1,3-伸環己基、萘-2,5-二基的環結構。
Li1之較佳之基與Ai1中之Li1相同。Ai2及Ai3較佳為表示2價之6員環芳香族基或2價之6員環脂肪族基，較佳為2價之未經取代的6員環芳香族基、2價之未經取代的6員環脂肪族基或此等環結構中之氫原子經碳原子數1~6之烷基、碳原子數1~6之烷氧基、鹵素原子或P-Sp-取代而成的基，較佳為2價之未經取代的6員環芳香族基或者此環結構中之氫原子經氟原子取代而成的基或2價之未經取代的6員環脂肪族基，更佳為取代基上之氫原子亦可經鹵素原子、烷基或烷氧基、P-Sp-取代的1,4-伸苯基、2,6-萘基或1,4-環己基。又，Ai3經Ki1取代亦較佳。
此處，通式(i)具有至少1個以上之Pi1-Spi1-作為Ai2或Ai3之取代基或者Ki1之取代基，從更加提升可靠性之觀點而言，通式(i)中之聚合性基的數目較佳為2以上，較佳為3以上。當重視可靠性之情形時，藉由將聚合基導入於Ai2或Ai3部，可輕易地謀求多官能化，能夠建構牢固之聚合物。Ai2或Ai3中之Pi1-Spi1-之被取代的位置較佳為Ki1之附近，更佳為Ai3經Pi1-Spi1-取代。
mi1較佳為表示0~3之整數，更佳為表示0~1之整數。
通式(iv)所表示之化合物較佳為以下之通式(iv-1)所表示之化合物。
(式中，Ri1、Ai1、Ai2、Zi1、Zi2、mi1、Pi1及Spi1分別獨立地表示與通式(iv)中之Ri1、Ai1、Ai2、Zi1、Zi2、mi1、Pi1及Spi1相同的意義，Yi1分別獨立地表示與通式(K-24)中之Yi1相同的意義，RiK1、niK1、niK2分別獨立地表示與通式(K-24-1)中之RiK1、niK1、niK2相同的意義，Li11表示碳原子數1~3之烷基，mi3表示0~3之整數，mi4表示0~3之整數，但mi3+mi4表示0~4)
通式(iv-1)所表示之化合物較佳為以下之通式(iv-1-1)、(iv-1-2)、(iv-1-3a)、(iv-1-3b)、(iv-1-4)、(iv-1-Y2)、(iv-1-Y3)及(iv-1-Y4)。
(式中，Ri1、Ai1、Ai2、Zi1、Zi2、mi1、Pi1及Spi1分別獨立地表示與通式(iv)中之Ri1、Ai1、Ai2、Zi1、Zi2、mi1、Pi1及Spi1相同的意義，RiK1、RiY21、Ri3Y1、Ri3Y2、niK1、niK2、niY11分別獨立地表示與通式(K-24-1)~(K-24-3)中之RiK1、RiY21、Ri31、Ri32、niK1、niK2、niY11相同的意義，Li11表示碳原子數1~3之烷基，mi3表示0~3之整數，mi4表示0~3之整數，但mi3+mi4表示0~4)
再者，通式(iv-1)及通式(iv-1-1)、(iv-1-2)、 (iv-1-3)中之各符號的較佳之基與上述通式(i)、通式(K-1)及通式(K-1-1)~(K-1-3)中的較佳之基相同。
又，通式(iv)所表示之化合物較佳為以下之通式(iv-2)~(iv-5)所表示的化合物。
(式中，Ri1、Ai1、Ai2、Zi1、Zi2、mi1、Pi1及Spi1分別獨立地表示與通式(iv)中之Ri1、Ai1、Ai2、Zi1、Zi2、mi1、Pi1及Spi1相同的意義，ni4、niK21、RK21 分別獨立地表示與通式(K-24)中之ni4、niK21、RK21相同的意義，Ri22表示碳原子數1~6之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH2-亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-或-O-取代，Li11表示碳原子數1~3之烷基，ni22表示0或1，mi23表示0~3之整數，mi24表示0~3之整數，但mi23+mi24表示0~4)
Ri22較佳為碳原子數1~6之直鏈伸烷基，較佳為碳原子數1~3之直鏈伸烷基。再者，RiY21、RiY31、RiY32、Spi1及Pi1之較佳之基與通式(Y-1-1)~(Y-1-3)、通式(i)中之RiY21、RiY31、RiY32、Spi1、Pi1相同。再者，通式(iv-2)中之各符號的較佳之基與上述通式(iv)、通式(K-24)中之較佳之基相同。
通式(iv)較佳為表示以下之通式(R-1)~(R-6)。
(式中，Ri1、Ki1及Li1分別表示與通式(iv)中之Ri1、Ki1及Li1相同的意義)
作為通式(iv)之更加具體之例，可列舉下述式(R-1-1)~(R-6-7)，但並不限定於此。
(式中，Ri1、Pi1、Si1及Yi1分別獨立地表示與通式(iv)及通式(K-1)中之Ri1、Pi1、Si1及Yi1相同的意義)
本發明之液晶組成物中之第1單體的含量下限較佳為0.4質量%，較佳為0.43質量%，較佳為0.44質量%，較佳為0.45質量%，較佳為0.46質量%，較佳為0.47質量%，較佳為0.48質量%，較佳為0.49質量%，較佳為0.5質量%，較佳為0.52質量%，較佳為0.55質量%，較佳為0.57質量%，較佳為0.6質量%，較佳為0.62質量%，較佳為0.65質量%，較佳為0.67質量%，較佳 為0.7質量%，較佳為0.72質量%，較佳為0.75質量%，較佳為0.77質量%，較佳為0.8質量%，較佳為0.82質量%，較佳為0.84質量%，較佳為0.87質量%，較佳為0.9質量%。本發明之液晶組成物中之第1單體的含量上限，較佳為6.0質量%，較佳為5.7質量%，較佳為5.5質量%，較佳為5.3質量%，較佳為5.0質量%，較佳為4.8質量%，較佳為4.5質量%，較佳為4.0質量%，較佳為3.8質量%，較佳為3.6質量%，較佳為3.5質量%，較佳為3.0質量%，較佳為2.5質量%，較佳為2.3質量%，較佳為2.1質量%，較佳為2質量%，較佳為1.8質量%，較佳為1.6質量%，較佳為1.5質量%，較佳為1質量%，較佳為0.95質量%，較佳為0.9質量%，較佳為0.85質量%，較佳為0.8質量%，較佳為0.75質量%，較佳為0.7質量%，較佳為0.65質量%，較佳為0.6質量%，較佳為0.55質量%，較佳為0.53質量%，較佳為0.5質量%，較佳為0.48質量%。
具體而言，作為較佳之顯示自發配向性的第1單體，可列舉以下之式(P-K-1)至(P-39)所表示之化合物。
本發明之第2單體較佳為：具有第2液晶原骨架、及與上述第2液晶原骨架鍵結之通式(PG2)所表示之聚合性基，且具備與上述第1單體不同之化學結構，不含有上述通式(K)所表示之極性基。
本發明之第2液晶原骨架較佳為通式(Me2)：
(上述通式(Me2)中，ZMe2表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH=C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)=CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-、或碳原子數2~20之伸烷基，此伸烷基中之1個或未鄰接之2個以上之-CH2-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代，AMe2表示1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、2,7-菲基或萘-2,6-二基，該等環結構中之氫原子亦可被鹵素原子、碳原子數1~10個之烷氧基或P21-Sp21-取代，於分別存在多個ZMe2及AMe2之情形時，分別可相互相同，亦可不同，mMe2表示1~5之整數，式(Me2)中，左端之黑點及右端之黑點表示鍵結鍵)。
本發明之通式(PG2)所表示之聚合性基係以下之式(R-I)~(R-IX)之任一者。
(上述式(R-I)~(R-IX)中，R21、R31、R41、R51及R61相互獨立地為氫原子、碳原子數1~5個之烷基或碳原子數1~5個之鹵化烷基，W1為單鍵、-O-或亞甲基，T1為單鍵或-COO-，p1、t1及q1分別獨立地為0、1或2)
該等之中，於上述(PG1)、(PG2)中，P11較佳為分別獨立地為式(R-I)、式(R-II)、式(R-III)、式(R-IV)、式(R-V)或式(R-VII)，更佳為式(R-I)、式(R-II)、式(R-III)或式(R-IV)，更佳為式(R-I)，再更佳為丙烯醯基或甲基丙烯醯基，又再更佳為甲基丙烯醯基。
於上述通式(PG2)中，S21較佳為單鍵或碳原子數1~3之伸烷基，更佳為單鍵。
本發明之第2單體一分子中之通式(PG2)所表示之聚合性基的數量較佳為2個~4個，更佳為2個~3個。
第1單體之角色為：極性基和基板或膜、電極等吸附，確保第1單體之液晶原基和液晶分子之相容性，進一步於聚合性基具備和其它單體的鍵結部位。另一方面，認為第2單體之角色為：與第1單體鍵結、及賦予預傾角和預傾角之穩定性。因此，認為在第2單體之含量不是特定量之情形時，交聯度較低，無法形成穩定的聚合物層，預傾角之穩定性(隨時間之變化)下降。
本發明之第2單體較佳為選自由以下之通式(RM-1)及(RM-2)所表示之聚合性化合物所組成之群中之1種或2種以上。
(上述通式(RM-1)中，ZM1及ZM2藉由以下來表示，
RM11-SM11-＊ (RM-S11)
(上述式(ZM1)中，XM11~XM15分別獨立地表示選自由碳原子數1~15個之烷基、-CF3基、氟原子、碳原子數1~15個之烷氧基及氯原子所組成之群中之1種或2種以上、或式(RM-S11)，惟，XM11~XM15之中之至少一個表示式(RM-S11))
＊-SM21-RM21 (RM-S21)
(上述式(ZM2)中，XM21~XM25分別獨立地表示選自由碳原子數1~15個之烷基、-CF3基、氟原子、碳原子數1~15個之烷氧基及氯原子所組成之群中之1種或2種以上或式(RM-S21)，惟，XM21~XM25之中之至少一個表示式(RM-S21))
(上述式(RM-S11)及上述式(RM-S21)中，SM11及SM21分別獨立地表示碳原子數1~12之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH2-亦可以氧原子彼此未直接鍵結之形式被-O-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代，RM11及RM21分別獨立地表示上述式(R-I)至式(R-IX)中之任一者，LM1及LM2分別獨立地表示單鍵、-O-、-CH2-、-OCH2-、-CH2O-、-CO-，-C2H4-、-COO-、-OCO-、-CH=CH-COO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-CH=CH-OCO-、-COOC2H4 -、-OCOC2H4-、-C2H4OCO-、-C2H4COO-、-OCOCH2-、-CH2COO-、-CH=CH-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF=CF-、-CF2-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-或-C≡C-，於存在多個LM2之情形時，其等可相同亦可不同)
MM1表示1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、或萘-2,6-二基，該等基中所含之氫原子亦可被氟原子、氯原子或碳原子數1~8之烷基、鹵化烷基、鹵化烷氧基、烷氧基、硝基或＊-SM1-RM1
(式中，SM1表示碳原子數1~12之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH2-亦可以氧原子彼此未直接鍵結之方式被氧原子、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代，RM1表示上述式(R-I)至式(R-IX)中之任一者)
取代，於存在多個MM1之情形時，其等可相同亦可不同，mM1表示0、1或2。
於存在多個SM11、SM21、SM1、RM11、RM21及/或RM1之情形時，該等可相同亦可不同)；
(上述通式(RM-2)中，XM1~XM8分別獨立地表示氫原子或氟原子，SM2及SM3分別獨立地表示碳原子數1~12之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH2-亦可以氧原子彼此未直接鍵結的方式被氧原子、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代，RM2及RM3表示上述式(R-I)至式(R-IX)中之任一者)。
本發明之液晶組成物中之第2單體的含量之下限較佳為超過0.4質量%，較佳為0.43質量%，較佳為0.44質量%，較佳為0.45質量%，較佳為0.46質量%，較佳為0.47質量%，較佳為0.48質量%，較佳為0.49質量%，較佳為0.5質量%，較佳為0.52質量%，較佳為0.55質量%，較佳為0.57質量%，較佳為0.6質量%，較佳為0.62質量%，較佳為0.65質量%，較佳為0.67質量%，較佳為0.7質量%，較佳為0.72質量%，較佳為0.75質量%，較佳為0.77質量%，較佳為0.8質量%，較佳為0.82質量%，較佳為0.84質量%，較佳為0.87質量%，較佳為0.9質量%。本發明之液晶組成物中之第2單體的含量之上限較佳為3質量%，較佳為2.5質量%，較佳為2.3質量%，較佳為2.1質量%，較佳為2質量%，較佳為1.8質量%，較佳為1.6質量%，較佳為1.5質量%，較佳為1質量%，較佳為0.95質量%，較佳為0.9質量%，較佳為0.85質量%，較佳為0.8質量%，較佳為0.75質量%，較佳為0.7質量%，較佳為0.65質量%，較佳為0.6質量%，較佳為0.55質量%，較佳為0.53質量%，較佳為0.5質量%，較佳為0.48質量%。
於上述通式(RM-1)中，ZM1表示通式(ZM1)，
RM11-SM11- (RM-S11)
較佳為XM11~XM15之中之一個或兩個表示通式(RM-S11)，更佳為XM13表示通式(RM-S11)。
於上述通式(RM-1)中，ZM2表示通式(ZM2)，
-SM21-RM21 (RM-S21)。
較佳為XM21~XM25之中之一個或兩個表示通式(RM-S21)，更佳為XM23表示通式(RM-S21)。
較佳為RM11及RM21分別獨立地表示式(R-1)或式(R-2)。
於上述通式(RM-1)中，MM1較佳為1,4-伸苯基，該等基中所含之氫原子亦可被氟原子、氯原子或碳原子數1~8之烷基、鹵化烷基、鹵化烷氧基、碳原子數1~8之烷氧基、硝基或上述通式(RM-S11)取代。
MM1為1,4-伸苯基之聚合性化合物其聚合速度變得非常快。
於上述通式(RM-1)中，LM1、LM2較佳為分別獨立地為-OCH2-、-CH2O-、-C2H4-、-COO-、-OCO-、-CH=CH-COO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-CH=CH-OCO-、-COOC2H4-、-OCOC2H4-、-C2H4OCO-、-C2H4COO-、-CH=CH-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF=CF-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-、-C≡C-或單鍵。又，為了提高與液晶分子之相容性，更佳為LM1、LM2其鍵結環之鍵結基的長度為偶數之原子數。
於上述通式(RM-1)中，較佳為mM1表示0或1。mM1表示0或1之第2單體顯示與其他液晶化合物之高相容性。
於本發明之液晶組成物中，通式(RM-1)所表示之第2單體相對於液晶組成物整體的含量較佳為超過0.4質量%，較佳為0.43質量%，較佳為0.44質量%，較佳為0.45質量%，較佳為0.46質量%，較佳為0.47質量%，較佳 為0.48質量%，較佳為0.49質量%，較佳為0.5質量%，較佳為0.52質量%，較佳為0.55質量%，較佳為0.57質量%，較佳為0.6質量%，較佳為0.62質量%，較佳為0.65質量%，較佳為0.67質量%，較佳為0.7質量%，較佳為0.72質量%，較佳為0.75質量%，較佳為0.77質量%，較佳為0.8質量%，較佳為0.82質量%，較佳為0.84質量%，較佳為0.87質量%，較佳為0.9質量%。於本發明之液晶組成物中，通式(RM-1)所表示之第2單體的含量之上限較佳為3質量%，較佳為2.5質量%，較佳為2.3質量%，較佳為2.1質量%，較佳為2質量%，較佳為1.8質量%，較佳為1.6質量%，較佳為1.5質量%，較佳為1.4質量%，較佳為1.2質量%，較佳為1質量%，較佳為0.95質量%，較佳為0.9質量%，較佳為0.85質量%，較佳為0.8質量%，較佳為0.75質量%，較佳為0.7質量%，較佳為0.65質量%，較佳為0.6質量%，較佳為0.55質量%，較佳為0.53質量%，較佳為0.5質量%，較佳為0.48質量%。又，關於通式(RM-1)之含量的較佳範圍，較佳為超過0.4質量%~1.4質量%，更佳為超過0.45質量%~1.3質量%。
作為本發明之通式(RM-1)所表示之第2單體，具體而言較佳為選自以下通式(RM-1-1)及通式(RM-1-2)所表示之聚合性化合物群中之1種或2種以上。
(上述通式(RM-1-1)及通式(RM-1-2)中，R107表示P107-S107-，R110表示P110-S110-，P107及P110分別獨立地表示上述式(R-1)至式(R -15)之任一者，S107及S110分別獨立地表示單鍵或碳數1~15之伸烷基，該伸烷基中之一個或兩個以上之-CH2-亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-O-、-OCO-或-COO-取代，R108、R109、R111及R112分別獨立地表示碳原子數1至3之烷基、碳原子數1至3之烷氧基、氟原子、氫原子或上述式(R-1)至式(R-15)之任一者，A15表示1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、茚烷-2,5-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或1,3-二烷-2,5-二基，其中，基可未經取代，或是亦可被碳原子數1至12之烷基、鹵素原子(氟原子、氯原子)、氰基或硝基取代，L15表示單鍵、-OCH2-、-CH2O-、-C2H4-、-COO-、-OCO-、-CH=CRa-COO-、-CH=CRa-OCO-、-COO-CRa=CH-、-OCO-CRa=CH-、-(CH2)Y-COO-、-(CH2)Y-OCO-、-OCO-(CH2)Y-、-COO-(CH2)Y-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-或-C≡C-(式中，Ra分別獨立地表示氫原子或碳原子數1至3之烷基，上述式中，Y表示1至4之整數)，X15、X16、X17及X18分別獨立地表示氫原子、碳原子數1至3之烷基或氟原子)
於上述通式(RM-1-1)及通式(RM-1-2)中，S107及S110較佳為單鍵或碳數1~6之伸烷基(該伸烷基中之一個或兩個以上之-CH2-亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-O-取代)，尤佳為單鍵。
於上述通式(RM-1-1)中，A15較佳為未經取代、被碳原子數1至12之烷基、鹵素原子(氟原子、氯原子)、氰基或是硝基取代之1,4-伸苯基或萘-2,6-二基，更佳為未經取代、經碳原子數1至3之烷基或是氟原子取代之1,4-伸苯基或萘-2,6-二基。於此情形時，A15之取代基數較佳為0~2 個。
於上述通式(RM-1-1)及通式(RM-1-2)中，從相容性之觀點而言，L15較佳為單鍵、或環與環連結之鍵結部分的原子數為偶數(例如，Y較佳為2或4)。
於本發明之液晶組成物中，通式(RM-1-1)及通式(RM-1-2)所表示之第2單體的相對於液晶組成物整體之含量較佳為超過0.4質量%，較佳為0.43質量%，較佳為0.44質量%，較佳為0.45質量%，較佳為0.46質量%，較佳為0.47質量%，較佳為0.48質量%，較佳為0.49質量%，較佳為0.5質量%，較佳為0.52質量%，較佳為0.55質量%，較佳為0.57質量%，較佳為0.6質量%，較佳為0.62質量%，較佳為0.65質量%，較佳為0.67質量%，較佳為0.7質量%，較佳為0.72質量%，較佳為0.75質量%，較佳為0.77質量%，較佳為0.8質量%，較佳為0.82質量%，較佳為0.84質量%，較佳為0.87質量%，較佳為0.9質量%。於本發明之液晶組成物中，通式(RM-1-1)及通式(RM-1-2)所表示之第2單體的含量之上限較佳為3質量%，較佳為2.5質量%，較佳為2.3質量%，較佳為2.1質量%，較佳為2質量%，較佳為1.8質量%，較佳為1.6質量%，較佳為1.5質量%，較佳為1.4質量%，較佳為1.2質量%，較佳為1質量%，較佳為0.95質量%，較佳為0.9質量%，較佳為0.85質量%，較佳為0.8質量%，較佳為0.75質量%，較佳為0.7質量%，較佳為0.65質量%，較佳為0.6質量%，較佳為0.55質量%，較佳為0.53質量%，較佳為0.5質量%，較佳為0.48質量%。
本發明之通式(RM-1-2)所表示之第2單體較佳為含有1種或2種以上通式(IV)所表示之聚合性化合物。
上述通式(IV)中，R7及R8分別獨立地表示上述式(R-1)至式(R-15)之任一者，X1至X8分別獨立地表示三氟甲基、三氟甲氧基、甲氧基、甲基、氟原子或氫原子。
上述通式(IV)中之聯苯骨架之結構更佳為式(IV-11)至式(IV-21)，尤佳為式(IV-20)。
含有式(IV-11)至式(IV-21)所表示之骨架的聚合性化合物，聚合後之配向控制力最適當，可得到良好的配向狀態。
關於本發明之通式(RM-1)所表示之化合物，具體而言較佳為例如為式(XX-1)至通式(XX-29)所表示之化合物，更佳為式(XX-1)至式(XX-7)及、式(XX-23)。
式(XX-1)至通式(XX-29)中，Spxx表示碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH2)s-(式中，s表示2至7之整數，氧原子為與環鍵結者)。
式(XX-1)至通式(XX-29)中，1,4-伸苯基中之氫原子亦可進一步被-F、-Cl、-CF3、-CH3、式(R-1)至式(R-15)中之任一者取代。
又，作為通式(RM-1)所表示之化合物，較佳例如為式(M1)至式(M18)般之聚合性化合物。
又，式(M19)至式(M34)般之聚合性化合物亦佳。
式(M19)至式(M34)中之1,4-伸苯基及萘基中之氫原子亦可進一步被-F、-Cl、-CF3、-CH3取代。
又，式(M35)~式(M65)般之聚合性化合物亦佳。
於本發明之液晶組成物中，式(M1)~式(M67)所表示之第2單體的相對於液晶組成物整體之含量較佳為超過0.4質量%，較佳為0.43質量%，較佳為0.44質量%，較佳為0.45質量%，較佳為0.46質量%，較佳為0.47質量%，較佳為0.48質量%，較佳為0.49質量%，較佳為0.5質量%，較佳為0.52 質量%，較佳為0.55質量%，較佳為0.57質量%，較佳為0.6質量%，較佳為0.62質量%，較佳為0.65質量%，較佳為0.67質量%，較佳為0.7質量%，較佳為0.72質量%，較佳為0.75質量%，較佳為0.77質量%，較佳為0.8質量%，較佳為0.82質量%，較佳為0.84質量%，較佳為0.87質量%，較佳為0.9質量%。於本發明之液晶組成物中，通式(RM-1)所表示之第2單體的含量之上限較佳為3質量%，較佳為2.5質量%，較佳為2.3質量%，較佳為2.1質量%，較佳為2質量%，較佳為1.8質量%，較佳為1.6質量%，較佳為1.5質量%，較佳為1.4質量%，較佳為1.2質量%，較佳為1質量%，較佳為0.95質量%，較佳為0.9質量%，較佳為0.85質量%，較佳為0.8質量%，較佳為0.75質量%，較佳為0.7質量%，較佳為0.65質量%，較佳為0.6質量%，較佳為0.55質量%，較佳為0.53質量%，較佳為0.5質量%，較佳為0.48質量%。又，關於式(M1)~式(M67)所表示之第2單體的相對於液晶組成物整體之含量的較佳範圍，較佳為超過0.4質量%~1.4質量%，更佳為超過0.45質量%~1.3質量%。
於上述通式(RM-2)中，RM2及RM3較佳為分別獨立地表示上述式(R-1)或式(R-2)之任一者。
於上述通式(RM-2)中，SM2及SM3較佳為分別獨立地為碳原子數1~6之伸烷基(該伸烷基中之-CH2-亦可以氧原子彼此不直接鍵結的形式被氧原子、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代)或單鍵。
於本發明之液晶組成物中，通式(RM-2)所表示之第2單體的相對於液晶組成物整體之含量較佳為超過0.4質量%，較佳為0.43質量%，較佳為0.44質量%，較佳為0.45質量%，較佳為0.46質量%，較佳為0.47質量%，較佳為0.48質量%，較佳為0.49質量%，較佳為0.5質量%，較佳為0.52質量%，較佳為0.55質量%，較佳為0.57質量%，較佳為0.6質量%，較佳為0.62質量%，較佳為0.65質量%，較佳為0.67質量%，較佳為0.7質量%，較佳為0.72質 量%，較佳為0.75質量%，較佳為0.77質量%，較佳為0.8質量%，較佳為0.82質量%，較佳為0.84質量%，較佳為0.87質量%，較佳為0.9質量%。於本發明之液晶組成物中，通式(RM-1)所表示之第2單體的含量之上限較佳為3質量%，較佳為2.5質量%，較佳為2.3質量%，較佳為2.1質量%，較佳為2質量%，較佳為1.8質量%，較佳為1.6質量%，較佳為1.5質量%，較佳為1.4質量%，較佳為1.2質量%，較佳為1質量%，較佳為0.95質量%，較佳為0.9質量%，較佳為0.85質量%，較佳為0.8質量%，較佳為0.75質量%，較佳為0.7質量%，較佳為0.65質量%，較佳為0.6質量%，較佳為0.55質量%，較佳為0.53質量%，較佳為0.5質量%，較佳為0.48質量%。
作為本發明之通式(RM-2)所表示之化合物的較佳例子，可列舉下述式(RM-2-1)~式(RM-2-52)所表示之聚合性化合物。
又，作為上述式(RM-2-1)~(RM-2-52)所表示之聚合性單體的具體含量，較佳為超過0.4質量%~1.4質量%以下，更佳為0.42質量%~1.3質量%以下，再更佳為0.43質量%~1.2質量%以下，尤佳為0.44質量%~1質量%以下，最佳為0.45質量%~0.8質量%以下。
於本發明之液晶組成物中，關於第1單體與第2單體之含有質量比率(第1單體/第2單體)，較佳為0.5~10，較佳為0.6~8，較佳為0.7~6，較佳為0.72~5.5，較佳為0.73~5.2，較佳為0.74~4.5，較佳為0.75~4，較佳為0.77~3.5，較佳為0.8~3.3，較佳為0.82~3。
若第1單體與第2單體之混合比為上述範圍，則從預傾角之穩定性、低溫穩定性及垂直配向性的觀點來看較佳，特別是若第1單體與第2單體之含有質量比率(第1單體/第2單體)的下限值為0.7，則可發揮預傾角之穩定性、低溫穩定性及垂直配向性此三個效果。
於本發明之液晶組成物中，作為第1單體，較佳為含有1種或2種以上具有通式(K)所表示之極性基的化合物，作為第2單體，較佳為含有1種 或2種以上選自通式(RM-1)及(RM-2)之化合物。第1單體及第2單體可分別各有一種，亦可組合骨架不同之單體，而為一種第1單體及兩種第2單體，亦可為兩種第1單體及一種第2單體，亦可為第1單體及第2單體皆為兩種。
本發明之液晶組成物較佳為於(25℃)中呈現液晶相，更佳為呈現向列相，較佳為介電異向性為負的向列型液晶組成物。
本發明之液晶組成物除了第1單體及第2單體以外，較佳還含有1種或2種以上選自通式(N-1)、(N-2)及(N-3)所表示之化合物中的化合物。此等化合物相當於介電性為負之化合物(△ε之符號為負，其絕對值大於2)。
又，再者，化合物之△ε為下述之值：從添加於在25℃介電性大致為中性之組成物所製備的組成物其介電異向性之測量值外插之值。再者，以下雖然以%記載含量，但其意指質量%。
(式中，RN11、RN12、RN21、RN22、RN31及RN32分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上的-CH2-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，AN11、AN12、AN21、AN22、AN31及AN32分別獨立地表示選自由下述(a)、 (b)、(c)及(d)組成之群中的基：(a)1,4-伸環己基(存在於此基中之1個-CH2-或未鄰接之2個以上的-CH2-亦可被-O-取代)，(b)1,4-伸苯基(存在於此基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上的-CH=亦可被-N=取代)，(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上的-CH=亦可被-N=取代)及(d)1,4-伸環己烯基，上述之基(a)、基(b)、基(c)及基(d)亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代，ZN11、ZN12、ZN21、ZN22、ZN31及ZN32分別獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，XN21表示氫原子或氟原子，TN31表示-CH2-或氧原子，nN11、nN12、nN21、nN22、nN31及nN32分別獨立地表示0~3之整數，但nN11+nN12、nN21+nN22及nN31+nN32分別獨立地為1、2或3，當存在多個AN11~AN32、ZN11~ZN32之情形時，其等可相同或亦可不同)
通式(N-1)、(N-2)及(N-3)所表示之化合物較佳為△ε為負且其絕對值大於3之化合物。
通式(N-1)、(N-2)及(N-3)中，RN11、RN12、RN21、RN22、RN31及RN32較佳為分別獨立地為碳原子數1~8之烷基、碳原子數1~8之烷氧基、碳原子數2~8之烯基或碳原子數2~8之烯氧基，較佳為碳原子數1~5之 烷基、碳原子數1~5之烷氧基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數2~5之烯氧基。R11、R21及R31更佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，R12、R22及R32更佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基或碳原子數2~5之烯氧基。
又，當末端基(RN11、RN12、RN21、RN22、RN31及RN32)鍵結之環結構為苯基(芳香族)的情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，當前述末端基鍵結之環結構為環己烷、哌喃及二烷等飽和之環結構的情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。為了使向列相穩定化，較佳為碳原子與存在之情形時之氧原子之合計在5以下，較佳為直鏈狀。
作為烯基，較佳選自式(R1)~式(R5)之任一者表示之基。(各式中之黑點表示環結構中之碳原子)
當要求增大△n之情形時，AN11、AN12、AN21、AN22、AN31及AN32較佳為分別獨立地為芳香族，而為了改善應答速度，較佳為脂肪族，較佳為表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、3,5-二氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，更佳為表示下述之結構，
更佳為表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基或1,4-伸苯基。
較佳為ZN11、ZN12、ZN21、ZN22、ZN31及ZN32分別獨立地表示-CH2O-、-CF2O-、-CH2CH2-、-CF2CF2-或單鍵，更佳為-CH2O-、-CH2CH2-或單鍵，尤佳為-CH2O-或單鍵。
XN21較佳為氟原子。
TN31較佳為氧原子。
nN11+nN12、nN21+nN22及nN31+nN32較佳為1或2，較佳為nN11為1且nN12為0之組合、nN11為2且nN12為0之組合、nN11為1且nN12為1之組合、nN11為0且nN12為2之組合、nN21為1且nN22為0之組合、nN21為2且nN22為0之組合、nN31為1且nN32為0之組合、nN31為2且nN32為0之組合。
式(N-1)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳含量之上限值為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%、20%。
式(N-2)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳含量之上限值為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%、20%。
式(N-3)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳含量之上限值為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%、20%。
當將本發明之組成物之黏度保持得較低，需要應答速度快之組 成物的情形時，較佳為上述之下限值低且上限值亦低。並且，當將本發明之組成物之Tni保持得較高，需要溫度穩定性佳之組成物的情形時，較佳為上述之下限值低且上限值亦低。又，為了將驅動電壓保持得較低，而欲增大介電異向性時，較佳提高上述之下限值且上限值高。
作為通式(N-1)所表示之化合物，可列舉下述通式(N-1a)~(N-1g)所表示之化合物群。
(式中，RN11及RN12表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義，nNa12表示0或1，nNb11表示0或1，nNc11表示0或1，nNd11表示0或1，nNe11表示1或2，nNf12表示1或2，nNg11表示1或2，ANe11表示反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基， ANg11表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基或1,4-伸苯基，但當nNg11為1之情形時，ANg11表示1,4-伸環己烯基，當nNg11為2之情形時，至少1個ANg11表示1,4-伸環己烯基，ZNe11表示單鍵或伸乙基，但當nNe11為1之情形時，ZNe11表示伸乙基。當nNe11為2之情形時，至少1個之ZNe11表示伸乙基)
更具體而言，通式(N-1)所表示之化合物較佳為選自通式(N-1-1)~(N-1-22)所表示之化合物群中的化合物。
通式(N-1-1)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN111及RN112分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN111較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為丙基、戊基或乙烯基。RN112較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基或丁氧基。
通式(N-1-1)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，而當重視Tni之情形時，若將含量設定為少一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-1)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的 較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%。較佳含量之上限值則相對於本發明之組成物總量，為50%、40%、38%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
並且，通式(N-1-1)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-1.1)~式(N-1-1.22)所表示之化合物群中的化合物，較佳為式(N-1-1.1)~(N-1-1.4)所表示之化合物，較佳為式(N-1-1.1)及式(N-1-1.3)所表示之化合物。
式(N-1-1.1)~(N-1-1.22)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本發明之組成物總量的單獨或此等化合物其較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%。較佳含量之上限值則相對於本發明之組成物總量，為50%、 40%、38%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
通式(N-1-2)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN121及RN122分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN121較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基或戊基。RN122較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為甲基、丙基、甲氧基、乙氧基或丙氧基。
通式(N-1-2)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為少一點，則效果高，而當重視Tni之情形時，若將含量設定為多一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-2)所表示之化合物的較佳含量之下限值相對於本發明之組成物總量為5%、7%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%、37%、40%、42%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為50%、48%、45%、43%、40%、38%、35%、33 %、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%。
並且，通式(N-1-2)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-2.1)~式(N-1-2.22)所表示之化合物群中的化合物，較佳為式(N-1-2.3)~式(N-1-2.7)、式(N-1-2.10)、式(N-1-2.11)、式(N-1-2.13)及式(N-1-2.20)所表示之化合物，當重視改良△ε之情形時，較佳為式(N-1-2.3)~式(N-1-2.7)所表示之化合物，當重視改良Tni之情形時，較佳為式(N-1-2.10)、式(N-1-2.11)及式(N-1-2.13)所表示之化合物，當重視改良應答速度之情形時，則較佳為式(N-1-2.20)所表示之化合物。
式(N-1-2.1)~式(N-1-2.22)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本發明之組成物總量的單獨或此等化合物其較佳含量之下限值，為5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、 30%、33%、35%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為50%、40%、38%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
通式(N-1-3)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN131及RN132分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN131較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。RN132較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數3~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為1-丙烯基、乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-3)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，而當重視Tni之情形時，若將含量設定為多一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-3)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值，為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
並且，通式(N-1-3)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-3.1)~式(N-1-3.21)所表示之化合物群中的化合物，較佳為式(N-1-3.1)~(N-1-3.7)及式(N-1-3.21)所表示之化合物，較佳為式(N-1-3.1)、式(N-1-3.2)、式(N-1-3.3)、式(N-1-3.4)及式(N-1-3.6)所表示之化合物。
式(N-1-3.1)~式(N-1-3.4)、式(N-1-3.6)及式(N-1-3.21)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，較佳為式(N-1-3.1)及式(N-1-3.2)之組合或選自式(N-1-3.3)、式(N-1-3.4)及式(N-1-3.6)中之2種或3種的組合。相對於本發明之組成物總量的單獨或此等化合物其較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(N-1-4)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN141及RN142分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN141及RN142較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為甲基、丙基、乙氧基或丁氧基。
通式(N-1-4)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，而當重視Tni之情形時，若將含量設定為少一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-4)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為3%、5%、7%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、11%、10%、8%。
並且，通式(N-1-4)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-4.1)~式(N-1-4.14)所表示之化合物群中的化合物，較佳為式(N-1-4.1)~(N-1-4.4)所表示之化合物，較佳為式(N-1-4.1)、式(N-1-4.2)及式(N-1-4.4)所表示之化合物。
式(N-1-4.1)~(N-1-4.14)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本發明之組成物總量的單獨或此等化合物其較佳含量之下限值為3%、5%、7%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、11%、10%、8%。
通式(N-1-5)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN151及RN152分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN151及RN152較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙基、丙基或丁基。
通式(N-1-5)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為少一點，則效果高，而當重視Tni之情形時，若將含量設定為多一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-5)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5%、8%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
並且，通式(N-1-5)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-5.1)~式(N-1-5.6)所表示之化合物群中的化合物，較佳為式(N-1-5.1)、式(N-1-5.2)及式(N-1-5.4)所表示之化合物。
式(N-1-5.1)、式(N-1-5.2)及式(N-1-5.4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本發明之組成物總量的單獨或此 等化合物其較佳含量之下限值為5%、8%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(N-1-10)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN1101及RN1102分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN1101較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基、乙烯基或1-丙烯基。RN1102較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-10)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為高一點，則效果高，而當重視Tni之情形時，若將含量設定為高一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-10)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、 18%、15%、13%。
並且，通式(N-1-10)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-10.1)~式(N-1-10.14)所表示之化合物群中的化合物，較佳為式(N-1-10.1)~(N-1-10.5)、式(N-1-10.13)及式(N-1-10.14)所表示之化合物，較佳為式(N-1-10.1)、式(N-1-10.2)、式(N-1-10.13)及式(N-1-10.14)所表示之化合物。
式(N-1-10.1)、式(N-1-10.2)、式(N-1-10.13)及式(N-1-10.14)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本發明之組成物總量的單獨或此等化合物其較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(N-1-11)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN1111及RN1112分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN1111較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基、乙烯基或1-丙烯基。較佳為RN1112為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-11)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為低一點，則效果高，而當重視Tni之情形時，若將含量設定為高一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-11)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
並且，通式(N-1-11)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-11.1)~式(N-1-11.14)所表示之化合物群中的化合物，較佳為式(N-1-11.1)~(N-1-11.14)所表示之化合物，較佳為式(N-1-11.2)及式(N-1-11.4)所表示之化合物。
式(N-1-11.2)及式(N-1-11.4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本發明之組成物總量的單獨或此等化合物其較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(N-1-12)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN1121及RN1122分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN1121較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。RN1122較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-12)所表示之化合物雖亦可單獨，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，而當重視Tni之情形時，若將含量設定為多一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-12)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(N-1-13)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN1131及RN1132分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN1131較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳 為乙基、丙基或丁基。較佳為RN1132為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-13)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，而當重視Tni之情形時，若將含量設定為多一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-13)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(N-1-14)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN1141及RN1142分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN1141較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。RN1142較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-14)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將 2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，而當重視Tni之情形時，若將含量設定為多一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-14)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(N-1-15)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN1151及RN1152分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN1151較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。RN1152較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-15)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2 種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，而當重視Tni之情形時，若將含量設定為多一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-15)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(N-1-16)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN1161及RN1162分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN1161較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。RN1162較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-16)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，而當重視Tni之 情形時，若將含量設定為多一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-16)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(N-1-17)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN1171及RN1172分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN1171較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。RN1172較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-17)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，而當重視Tni之情形時，若將含量設定為多一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-17)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的 較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(N-1-18)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN1181及RN1182分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN1181較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為甲基、乙基、丙基或丁基。RN1182較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-18)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，而當重視Tni之情形時，若將含量設定為多一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-18)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
並且，通式(N-1-18)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-18.1)~式(N-1-18.5)所表示之化合物群中的化合物，較佳為式(N-1-18.1)~(N-1-18.3)所表示之化合物，較佳為式(N-1-18.2)及式(N-1-18.3)所表示之化合物。
通式(N-1-20)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN1201及RN1202分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN1201及RN1202分別獨立地較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。
通式(N-1-20)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於 低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，而當重視Tni之情形時，若將含量設定為多一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-20)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(N-1-21)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN1211及RN1212分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN1211及RN1212分別獨立地較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。
通式(N-1-21)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視 於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定為多一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-21)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(N-1-22)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN1221及RN1222分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同的意義)
RN1221及RN1222較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。
通式(N-1-22)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定為多一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-1-22)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的 較佳含量之下限值為1%、5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、5%。
並且，通式(N-1-22)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-22.1)~式(N-1-22.12)所表示之化合物群中的化合物，較佳為式(N-1-22.1)~(N-1-22.5)所表示之化合物，較佳為式(N-1-22.1)~(N-1-22.4)所表示之化合物。
通式(N-2)所表示之化合物較佳為選自以下之通式(N-2-1)~(N-2-3)所表示之化合物群中的化合物。
通式(N-2-1)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN211及RN212分別獨立地表示與通式(N-2)中之RN21及RN22相同的意義)
通式(N-2-2)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN221及RN222分別獨立地表示與通式(N-2)中之RN21及RN22相同的意義)
通式(N-2-3)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN231及RN232分別獨立地表示與通式(N-2)中之RN21及RN22相同的意義)
通式(N-3)所表示之化合物較佳為選自通式(N-3-2)所表示之化合物群中的化合物。
(式中，RN321及RN322分別獨立地表示與通式(N-3)中之RN31及RN32相同 的意義)
RN321及RN322較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為丙基或戊基。
通式(N-3-2)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視改善△ε之情形時，較佳為將含量設定為高一點，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，當重視Tni之情形時，若將含量設定為少一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(N-3-2)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為3%、5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為50%、40%、38%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%。
並且，通式(N-3-2)所表示之化合物較佳為選自式(N-3-2.1)~式(N-3-2.3)所表示之化合物群中的化合物。
本發明之液晶組成物較佳除了第1單體及第2單體所表示之化合物以外，還含有1種或2種以上通式(L)所表示之化合物。通式(L)所表示之化合物相當於介電性大致為中性之化合物(△ε之值為-2~2)。
(式中，RL1及RL2分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上的-CH2-亦可分別獨立地經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，nL1表示0、1、2或3，AL1、AL2及AL3分別獨立地表示選自由(a)、(b)及(c)組成之群中之基：(a)1,4-伸環己基(存在於此基中之1個-CH2-或未鄰接之2個以上的-CH2-亦可被-O-取代)，(b)1,4-伸苯基(存在於此基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上的-CH=亦可被-N=取代)及(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上的-CH=亦可被-N=取代)， 上述之基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，ZL1及ZL2分別獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，當nL1為2或3而存在多個AL2之情形時，該等可相同亦可不同，當nL1為2或3而存在多個ZL2之情形時，該等可相同亦可不同，但不包括通式(N-1)、(N-2)及(N-3)所表示之化合物)
通式(L)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等想要之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種。或者於本發明之另外的實施形態，為2種、3種、4種、5種、6種、7種、8種、9種、10種以上。
於本發明之組成物中，通式(L)所表示之化合物的含量必須根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴痕、殘影、介電異向性等所要求之性能做適當調整。
式(L)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳含量之上限值為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%。
當將本發明之組成物的黏度保持得較低，需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為上述之下限值高且上限值亦高。並且，當將本發明之組成物的Tni保持得較高，需要溫度穩定性佳之組成物的情形時，較佳為上述之下限值高且上限值亦高。又，為了將驅動電壓保持得較低，而欲增大介電異向性 時，較佳降低上述之下限值且上限值低。
當重視可靠性之情形時，RL1及RL2較佳皆為烷基，當重視降低化合物之揮發性的情形時，較佳為烷氧基，當重視黏性下降之情形時，較佳為至少一者為烯基。
存在於分子內之鹵素原子較佳為0、1、2或3個，較佳為0或1，當重視與其他液晶分子之相容性的情形時，則較佳為1。
當RL1及RL2鍵結之環結構為苯基(芳香族)的情形時，RL1及RL2較佳為分別獨立地為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，當RL1及RL2鍵結之環結構為環己烷、哌喃及二烷等飽和之環結構的情形時，RL1及RL2較佳為分別獨立地為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。為了使向列相穩定化，較佳為碳原子與存在之情形時之氧原子之合計在5以下，較佳為直鏈狀。
作為烯基，較佳選自式(R1)~式(R5)之任一者所表示之基。(各式中之黑點表示環結構中之碳原子)
當重視應答速度之情形時，nL1較佳為0，為了改善向列相之上限溫度，較佳為2或3，為了取得此等之平衡，則較佳為1。又，為了滿足作為組成物所要求之特性，較佳為組合不同之值的化合物。
當要求增大△n之情形時，AL1、AL2及AL3較佳為芳香族，為了改善應答速度，則較佳為脂肪族，較佳為分別獨立地表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、3,5-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6 -二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，更佳為表示下述之結構，
更佳為表示反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。
當重視應答速度之情形時，ZL1及ZL2較佳為單鍵。
通式(L)所表示之化合物較佳為分子內之鹵素原子數為0個或1個。作為該鹵素原子，較佳為氟原子或氯原子，更佳為氟原子。
通式(L)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1)~(L-7)所表示之化合物群中的化合物。
通式(L-1)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RL11及RL12分別獨立地表示與通式(L)中之RL1及RL2相同的意義)
RL11及RL12較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。
通式(L-1)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
較佳含量之下限值為相對於本發明之組成物總量，為1%、2 %、3%、5%、7%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為95%、90%、85%、80%、75%、70%、65%、60%、55%、50%、45%、40%、35%、30%、25%。
當將本發明之組成物的黏度保持得較低，需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為上述之下限值高且上限值亦高。並且，當將本發明之組成物之Tni保持得較高，需要溫度穩定性佳之組成物的情形時，較佳為上述之下限值適中且上限值適中。又，為了將驅動電壓保持得較低，而欲增大介電異向性時，較佳為上述之下限值低且上限值亦低。
通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-1)所表示之化合物群中的化合物。
(式中，RL12表示與通式(L-1)中之意義相同的意義)
通式(L-1-1)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-1.1)至式(L-1-1.3)所表示之化合物群中的化合物，較佳為式(L-1-1.2)或式(L-1-1.3)所表示之化合物，尤佳為式(L-1-1.3)所表示之化合物。
式(L-1-1.3)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳含量之上限值係 相對於本發明之組成物總量，為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
較佳為通式(L-1)所表示之化合物為選自通式(L-1-2)所表示之化合物群中的化合物。
(式中，RL12表示與通式(L-1)中之意義相同的意義)
式(L-1-2)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、5%、10%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、35%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為60%、55%、50%、45%、42%、40%、38%、35%、33%、30%。
並且，較佳為通式(L-1-2)所表示之化合物為選自式(L-1-2.1)~式(L-1-2.4)所表示之化合物群中的化合物，較佳為式(L-1-2.2)~式(L-1-2.4)所表示之化合物。為了特別改善本發明之組成物的應答速度，尤佳為式(L-1-2.2)所表示之化合物。又，比起應答速度，更要求高Tni時，較佳為使用式(L-1-2.3)或式(L-1-2.4)所表示之化合物。關於式(L-1-2.3)及式(L-1-2.4)所表示之化合物的含量，為了使於低溫之溶解度佳，不宜在30%以上。
式(L-1-2.2)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為10%、15%、18%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%、38%、40%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為60%、55%、50%、45%、43%、40%、38%、35%、32%、30%、27%、25%、22%。
相對於本發明之組成物總量，式(L-1-1.3)所表示之化合物及式(L-1-2.2)所表示之化合物之合計的較佳含量之下限值為10%、15%、20%、25%、27%、30%、35%、40%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為60%、55%、50%、45%、43%、40%、38%、35%、32%、30%、27%、25%、22%。
較佳為通式(L-1)所表示之化合物為選自通式(L-1-3)所表示之化合物群中的化合物。
(式中，RL13及RL14分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數1~8之烷氧基)
RL13及RL14較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。
式(L-1-3)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、30%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為60%、55%、50%、45%、40%、37%、35%、33%、30%、27%、25%、23%、20%、17%、15%、13%、10%。
並且，較佳為通式(L-1-3)所表示之化合物為選自式(L- 1-3.1)~式(L-1-3.13)所表示之化合物群中的化合物，較佳為式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)或式(L-1-3.4)所表示之化合物。為了特別改善本發明之組成物的應答速度，尤佳為式(L-1-3.1)所表示之化合物。又，比起應答速度，更要求高Tni時，較佳為使用式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示之化合物。關於式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示之化合物的合計含量，為了使於低溫之溶解度佳，不宜在20%以上。
式(L-1-3.1)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為20%、17%、15%、13%、10%、8%、7%、6%。
較佳為通式(L-1)所表示之化合物為選自通式(L-1-4)及/或(L-1-5)所表示之化合物群中的化合物。
(式中，RL15及RL16分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數1~8之烷氧基)
RL15及RL16較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。
式(L-1-4)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為25%、23%、20%、17%、15%、13%、10%。
式(L-1-5)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為25%、23%、20%、17%、15%、13%、10%。
並且，較佳為通式(L-1-4)及(L-1-5)所表示之化合物為選自式(L-1-4.1)~式(L-1-5.3)所表示之化合物群中的化合物，較佳為式(L-1-4.2)或式(L-1-5.2)所表示之化合物。
式(L-1-4.2)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為20%、17%、15%、13%、10%、8%、7%、6%。
較佳將選自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示之化合物的2種以上化合物加以組合，較佳將選自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)及式(L-1-4.2)所表示之化合物的2種以上化合物加以組合，此等化合物之合計含量的較佳含量之下限值係相對於本發明之組成物總量，為1%、2%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、18%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%，上限值為，相對於本發明之組成物總量，為80%、70%、60%、50%、45%、40%、37%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%。當重視組成物之可靠性的情形時，較佳將選自式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)及式(L-1-3.4)所表示之化合物的2種以上化合物加以組合，而當重視組成物之應答速度的情形時，則較佳為將選自式(L-1-1.3)、式(L- 1-2.2)所表示之化合物的2種以上化合物加以組合。
通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-6)所表示之化合物群中的化合物。
(式中，RL17及RL18分別獨立地表示甲基或氫原子)
式(L-1-6)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、5%、10%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、35%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為60%、55%、50%、45%、42%、40%、38%、35%、33%、30%。
並且，通式(L-1-6)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-6.1)~式(L-1-6.3)所表示之化合物群中的化合物。
通式(L-2)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RL21及RL22分別獨立地表示與通式(L)中之RL1及RL2相同的意義)
RL21較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，RL22較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
通式(L-1)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個 以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，相反地，當重視應答速度之情形時，若將含量設定為少一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
式(L-2)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
並且，較佳為通式(L-2)所表示之化合物為選自式(L-2.1)~式(L-2.6)所表示之化合物群中的化合物，較佳為式(L-2.1)、式(L-2.3)、式(L-2.4)及式(L-2.6)所表示之化合物。
通式(L-3)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RL31及RL32分別獨立地表示與通式(L)中之RL1及RL2相同的意義)
RL31及RL32較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
通式(L-3)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
式(L-3)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳含量之上限值係相對於本發明之組成物總量，為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
當要得到高雙折射率之情形時，若將含量設定為多一點，則效果高，相反地，當重視高Tni之情形時，若將含量設定為少一點，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
並且，較佳為通式(L-3)所表示之化合物為選自式(L-3.1)~式(L-3.7)所表示之化合物群中的化合物，較佳為式(L-3.2)~式(L-3.7)所表示之化合物。
通式(L-4)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RL41及RL42分別獨立地表示與通式(L)中之RL1及RL2相同的意義)
RL41較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，RL42較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
通式(L-4)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
於本發明之組成物中，通式(L-4)所表示之化合物的含量必須根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴痕、殘影、介電異向性等所要求之性能作適當調整。
式(L-4)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%、23%、26%、30%、35%、40%。式(L-4)所表示之化合物相對於本發明之組 成物總量的較佳含量之上限值為50%、40%、35%、30%、20%、15%、10%、5%。
較佳為通式(L-4)所表示之化合物例如為式(L-4.1)~式(L-4.3)所表示之化合物。
可根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能，含有式(L-4.1)所表示之化合物，或含有式(L-4.2)所表示之化合物，或亦可含有式(L-4.1)所表示之化合物與式(L-4.2)所表示之化合物兩者，或者亦可含有所有式(L-4.1)~式(L-4.3)所表示之化合物。相對於本發明之組成物總量，式(L-4.1)或式(L-4.2)所表示之化合物的較佳含量之下限值為3%、5%、7%、9%、11%、12%、13%、18%、21%，較佳之上限值為45%、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。
當含有式(L-4.1)所表示之化合物與式(L-4.2)所表示之化合物兩者的情形時，兩化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為15%、19%、24%、30%，較佳之上限值為45%、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
較佳為通式(L-4)所表示之化合物例如為式(L-4.4)~式(L-4.6)所表示之化合物，較佳為式(L-4.4)所表示之化合物。
可根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能，含有式(L-4.4)所表示之化合物，或含有式(L-4.5)所表示之化合物，或亦可含有式(L-4.4)所表示之化合物與式(L-4.5)所表示之化合物兩者。
式(L-4.4)或式(L-4.5)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為3%、5%、7%、9%、11%、12%、13%、18%、21%。較佳之上限值為45%、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。
當含有式(L-4.4)所表示之化合物與式(L-4.5)所表示之化合物兩者的情形時，兩化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為15%、19%、24%、30%，較佳之上限值為45%、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
較佳為通式(L-4)所表示之化合物為式(L-4.7)~式(L-4.10)所表示之化合物，尤佳為式(L-4.9)所表示之化合物。
通式(L-5)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RL51及RL52分別獨立地表示與通式(L)中之RL1及RL2相同的意義)
RL51較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，RL52較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
通式(L-5)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
於本發明之組成物中，通式(L-5)所表示之化合物的含量必須根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴痕、殘影、介電異向性等所要求之性能作適當調整。
式(L-5)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%、23%、26%、30%、35%、40%。式(L-5)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之上限值為50%、40%、35%、30%、20%、15%、10%、5%。
較佳為通式(L-5)所表示之化合物為式(L-5.1)或式(L-5.2)所表示之化合物，尤佳為式(L-5.1)所表示之化合物。
此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%。此等化合物之較佳含量之上限值為20%、15%、13%、10%、9%。
較佳為通式(L-5)所表示之化合物為式(L-5.3)或式(L-5.4)所表示之化合物。
此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%。此等化合物之較佳含量之上限值為20%、15%、13%、10%、9%。
較佳為通式(L-5)所表示之化合物為選自式(L-5.5)~式(L-5.7)所表示之化合物群中的化合物，尤佳為式(L-5.7)所表示之化合物。
此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%。此等化合物之較佳含量之上限值為20%、15%、13%、10%、9%。
通式(L-6)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RL61及RL62分別獨立地表示與通式(L)中之RL1及RL2相同的意義，XL61及XL62分別獨立地表示氫原子或氟原子)
RL61及RL62較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為XL61及XL62其中一者為氟原子，另一者為氫原子。
通式(L-6)所表示之化合物雖亦可單獨使用，但亦可將2個以上之化合物組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以適當組合使用。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。
式(L-6)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%、23%、26%、30%、35%、40%。式(L-6)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之上限值為50%、40%、35%、30%、20%、15%、10%、5%。當重點為增大△n之情形時，較佳為將含量增多，當重點為於低溫之析出的情形時，較佳為含量少。
較佳為通式(L-6)所表示之化合物為式(L-6.1)~式(L-6.9)所表示之化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制，較佳為從此等化合物中含有1種~3種，更佳為含有1種~4種。又，由於所選擇之化合物的分子量分布廣亦對溶解性有效，故例如較佳為從式(L-6.1)或(L-6.2)所表示之化合物選擇1種化合物，從式(L-6.4)或(L-6.5)所表示之化合物選擇1種化合物，從式(L-6.6)或式(L-6.7)所表示之化合物選擇1種化合物，從式(L-6.8)或(L-6.9)所表示之化合物選擇1種化合物，再將此等加以適當組合。其中，較佳為含有式(L-6.1)、式(L-6.3)、式(L-6.4)、式(L-6.6)及式(L-6.9)所表示之化合物。
並且，較佳為通式(L-6)所表示之化合物例如為式(L- 6.10)~式(L-6.17)所表示之化合物，其中，較佳為式(L-6.11)所表示之化合物。
此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%。此等化合物之較佳含量之上限值為20%、15%、13%、10%、9%。
通式(L-7)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RL71及RL72分別獨立地表示與通式(L)中之RL1及RL2相同的意義，AL71及AL72分別獨立地表示與通式(L)中之AL2及AL3相同的意義，但AL71及AL72上之氫原子亦可分別獨立地經氟原子取代，ZL71表示與通式(L)中之ZL2相同的意義，XL71及XL72分別獨立地表示氟原子或氫原子)
式中，RL71及RL72較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，AL71及AL72較佳為分別獨立地為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，AL71及AL72上之氫原子亦可分別獨立地經氟原子取代，ZL71較佳為單鍵或-COO-，較佳為單鍵，XL71及XL72較佳為氫原子。
可組合之化合物的種類並無特別限制，係根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率等所要求之性能加以組合。關於使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種。
於本發明之組成物中，通式(L-7)所表示之化合物的含量必須根據於低溫之溶解性、轉變溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴痕、殘影、介電異向性等所要求之性能作適當調整。
式(L-7)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%。式(L-7)所表示之化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、10%、5%。
當期望本發明之組成物為高Tni之實施形態的情形時，較佳為使式(L-7)所表示之化合物的含量多一點，當期望低黏度之實施形態的情形時，較佳為使含量少一點。
並且，較佳為通式(L-7)所表示之化合物為式(L-7.1)~式(L-7.4)所表示之化合物，較佳為式(L-7.2)所表示之化合物。
並且，較佳為通式(L-7)所表示之化合物為式(L-7.11)~式(L-7.13)所表示之化合物，較佳為式(L-7.11)所表示之化合物。
並且，通式(L-7)所表示之化合物為式(L-7.21)~式(L-7.23)所表示之化合物。較佳為式(L-7.21)所表示之化合物。
並且，較佳為式(L-7)所表示之化合物為式(L-7.31)~式(L-7.34)所表示之化合物，較佳為(L-7.31)或/及式(L-7.32)所表示之化合物。
並且，較佳為式(L-7)所表示之化合物為式(L-7.41)~式(L-7.44)所表示之化合物，較佳為(L-7.41)或/及式(L-7.42)所表示之化合物。
並且，較佳為式(L-7)所表示之化合物為式(L-7.51)~式(L-7.53)所表示之化合物。
本發明之液晶組成物除了上述化合物以外，亦可含有通常之向列型液晶、層列型液晶液晶、膽固醇型液晶、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑或紅外線吸收劑等。
作為抗氧化劑，可列舉通式(H-1)~通式(H-4)所表示之受阻酚(hindered phenol)。
通式(H-1)~通式(H-4)中，RH1表示碳原子數1~10之烷 基、碳原子數1~10之烷氧基、碳原子數2~10之烯基或碳原子數2~10之烯氧基，存在於基中之1個-CH2-或非鄰接之2個以上的-CH2-亦可分別獨立地被-O-或-S-取代，又，存在於基中之1個或2個以上之氫原子亦可分別獨立地被氟原子或氯原子取代。更具體而言，較佳為碳原子數2~7之烷基、碳原子數2~7之烷氧基、碳原子數2~7之烯基或碳原子數2~7之烯氧基，更佳為碳原子數3~7之烷基或碳原子數2~7之烯基。
通式(H-4)中，MH4表示碳原子數1~15之伸烷基(該伸烷基中之1個或2個以上之-CH2-亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-O-、-CO-、-COO-、-OCO-取代)、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2CF2-、-CH=CH-COO-、-CH=CH-OCO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-CH=CH-、-C≡C-、單鍵、1,4-伸苯基(1,4-伸苯基中之任意氫原子亦可經氟原子取代)或反式-1,4-伸環己基，較佳為碳原子數1~14之伸烷基，若考慮揮發性，則碳原子數較佳為大的數值，若考慮黏度，則碳原子數較佳為不過大，因此，更佳為碳原子數2~12，更佳為碳原子數3~10，更佳為碳原子數4~10，更佳為碳原子數5~10，更佳為碳原子數6~10。
通式(H-1)~通式(H-4)中，1,4-伸苯基中之1個或非鄰接之2個以上的-CH=亦可經-N=取代。又，1,4-伸苯基中之氫原子亦可分別獨立地經氟原子或氯原子取代。
通式(H-1)~通式(H-4)中，1,4-伸環己基中之1個或非鄰接之2個以上的-CH2-亦可經-O-或-S-取代。又，1,4-伸環己基中之氫原子亦可分別獨立地經氟原子或氯原子取代。
更具體而言，例如可列舉式(H-11)~式(H-15)。
當於本發明之液晶組成物含有抗氧化劑的情形時，較佳為10質量ppm以上，較佳為20質量ppm以上，較佳為50質量ppm以上。含有抗氧化劑時之上限為10000質量ppm，較佳為1000質量ppm，較佳為500質量ppm，較佳為100質量ppm。
本發明之液晶組成物於20℃的介電異向性(△ε)為-2.0~-8.0，較佳為-2.0~-6.0，更佳為-2.0~-5.0，尤佳為-2.5~-5.0。
本發明之液晶組成物於20℃的折射率異向性(△n)為0.08~ 0.14，更佳為0.09~0.13，尤佳為0.09~0.12。若更詳而言之，則當因應薄的單元間隙(gap)之情形時，較佳為0.10~0.13，而當因應厚的單元間隙之情形時，則較佳為0.08~0.10。
本發明之液晶組成物於20℃的黏度(η)為10~50mPa‧s，較佳為10~45mPa‧s，較佳為10~40mPa‧s，較佳為10~35mPa‧s，較佳為10~30mPa‧s，更佳為10~25mPa‧s，尤佳為10~22mPa‧s。
本發明之液晶組成物於20℃的旋轉黏性(γ1)為50~160mPa‧s，較佳為55~160mPa‧s，較佳為60~160mPa‧s，較佳為60~150mPa˙s，較佳為60~140mPa‧s，較佳為60~130mPa‧s，較佳為60~125mPa‧s，更佳為60~120mPa‧s，更佳為60~115mPa‧s，更佳為60~110mPa‧s，尤佳為60~100mPa‧s。
本發明之液晶組成物的向列相-等向性液相轉變溫度(Tni)為60℃~120℃，更佳為70℃~100℃，尤佳為70℃~85℃。
例如，當本發明之液晶組成物整體顯示出負的介電異向性之情形時，較佳為含有「第1單體及第2單體」、「1種或2種以上選自通式(N-1)、(N-2)及(N-3)所表示之化合物中的化合物」及「通式(L)所表示之化合物」。
本發明之液晶組成物整體之中，較佳為僅由「1種或2種以上之第1單體」、「1種或2種以上之第2單體」及「通式(N-1)、通式(N-2)、通式(N-3)及通式(L)所表示之化合物」構成之成分所佔有的比例上限值為100質量%、99質量%、98質量%、97質量%、96質量%、95質量%、94質量%、93質量%、92質量%、91質量%、90質量%、89質量%、88質量%、87質量%、86質量%、85質量%、84質量%。
又，本發明之液晶組成物整體之中，較佳為僅由「1種或2種以 上之第1單體」、「1種或2種以上之第2單體」及「通式(N-1)、通式(N-2)、通式(N-3)及通式(L)所表示之化合物」構成之成分所佔有的比例下限值為78質量%、80質量%、81質量%、83質量%、85質量%、86質量%、87質量%、88質量%、89質量%、90質量%、91質量%、92質量%、93質量%、94質量%、95質量%、96質量%、97質量%、98質量%、99質量%。
本發明之液晶組成物整體之中，較佳為僅由「1種或2種以上之第1單體」、「1種或2種以上之第2單體」及「通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)及通式(L)所表示之化合物」構成之成分所佔有的比例上限值為100質量%、99質量%、98質量%、97質量%、96質量%、95質量%、94質量%、93質量%、92質量%、91質量%、90質量%、89質量%、88質量%、87質量%、86質量%、85質量%、84質量%。
又，本發明之液晶組成物整體之中，較佳為僅由「1種或2種以上之第1單體」、「1種或2種以上之第2單體」及「通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)及通式(L)所表示之化合物」構成之成分所佔有的比例下限值為78質量%、80質量%、81質量%、83質量%、85質量%、86質量%、87質量%、88質量%、89質量%、90質量%、91質量%、92質量%、93質量%、94質量%、95質量%、96質量%、97質量%、98質量%、99質量%。
本發明之液晶組成物整體之中，較佳為僅由「1種或2種以上之第1單體」、「1種或2種以上之第2單體」及「通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)及通式(L)所表示之化合物」構成之成分所佔有的比例上限值為100質量%、99質量%、98質量%、97質量%、96質量%、95質量%、94質量%、93質量%、92質量%、91質 量%、90質量%、89質量%、88質量%、87質量%、86質量%、85質量%。
又，本發明之液晶組成物整體之中，較佳為僅由「1種或2種以上之第1單體」、「1種或2種以上之第2單體」及「通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)及通式(L)所表示之化合物」構成之成分所佔有的比例下限值為78質量%、80質量%、81質量%、83質量%、85質量%、86質量%、87質量%、88質量%、89質量%、90質量%、91質量%、92質量%、93質量%、94質量%、95質量%、96質量%、97質量%、98質量%。
本發明之液晶組成物整體之中，較佳為僅由「1種或2種以上之第1單體」、「1種或2種以上之第2單體」及「通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)及通式(L)所表示之化合物」構成之成分所佔有的比例上限值為100質量%、99質量%、98質量%、97質量%、96質量%、95質量%、94質量%、93質量%、92質量%、91質量%、90質量%、89質量%、88質量%、87質量%、86質量%、85質量%。
又，本發明之液晶組成物整體之中，較佳為僅由「1種或2種以上之第1單體」、「1種或2種以上之第2單體」及「通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)及通式(L)所表示之化合物」構成之成分所佔有的比例下限值為78質量%、80質量%、81質量%、83質量%、85質量%、86質量%、87質量%、88質量%、89質量%、90質量%、91質量%、92質量%、93質量%、94質量%、95質量%、96質量%、97質量%、98質量%。
本發明之液晶組成物整體之中，較佳為僅由「1種或2種以上之第1單體」、「1種或2種以上之第2單體」及「通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)及通式(L)所表示 之化合物」構成之成分所佔有的比例上限值為100質量%、99質量%、98質量%、97質量%、96質量%、95質量%、94質量%、93質量%、92質量%、91質量%、90質量%、89質量%、88質量%、87質量%、86質量%、85質量%。
又，本發明之液晶組成物整體之中，較佳為僅由「1種或2種以上之第1單體」、「1種或2種以上之第2單體」及「通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)及通式(L)所表示之化合物」構成之成分所佔有的比例下限值為78質量%、80質量%、81質量%、83質量%、85質量%、86質量%、87質量%、88質量%、89質量%、90質量%、91質量%、92質量%、93質量%、94質量%、95質量%、96質量%、97質量%、98質量%。
又，當重視配向性之情形時，本發明之液晶組成物必須含有1種或2種以上之第1單體與1種或2種以上之第2單體，較佳為含有通式(N-1-1)、通式(N-1-2)、通式(N-1-3)或通式(N-1-4)。
又，當重視應答速度之情形時，本發明之液晶組成物必須含有1種或2種以上之第1單體與1種或2種以上之第2單體，較佳為含有通式(N-1-10)或通式(N-1-11)。
又，當重視配向性之情形時，本發明之液晶組成物必須含有1種或2種以上之第1單體與1種或2種以上之第2單體，較佳為含有通式(N-1-1)、通式(N-1-2)、通式(N-1-3)或通式(N-1-4)。
又，當重視應答速度之情形時，本發明之液晶組成物必須含有1種或2種以上之第1單體與1種或2種以上之第2單體，較佳為含有通式(N-1-10)或通式(N-1-11)。
又，當重視配向性之情形時，本發明之液晶組成物必須含有1種或2種以上之第1單體與1種或2種以上之第2單體，較佳為含有通式(N-1- 1)、通式(N-1-2)、通式(N-1-3)或通式(N-1-4)。
又，當重視應答速度之情形時，本發明之液晶組成物必須含有1種或2種以上之第1單體與1種或2種以上之第2單體，較佳為含有通式(N-1-10)或通式(N-1-11)。
本發明之液晶組成物整體之中，較佳為僅由「通式(N-1-4)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)及通式(L)所表示之化合物」構成之成分所佔有的比例上限值為99質量%、98質量%、97質量%、96質量%、95質量%、94質量%、93質量%、92質量%、91質量%、90質量%、89質量%、88質量%、87質量%、86質量%、85質量%、84質量%。
又，本發明之液晶組成物整體之中，較佳為僅由「通式(N-1-4)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)及通式(L)所表示之化合物」構成之成分所佔有的比例下限值為78質量%、80質量%、81質量%、83質量%、85質量%、86質量%、87質量%、88質量%、89質量%、90質量%、91質量%、92質量%、93質量%、94質量%、95質量%、96質量%、97質量%、98質量%。
本發明之液晶組成物整體之中，較佳為僅由「通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)、通式(L-1)、通式(L-3)、通式(L-4)、通式(L-5)及通式(L-6)所表示之化合物」構成之成分所佔有的比例上限值為99質量%、98質量%、97質量%、96質量%、95質量%、94質量%、93質量%、92質量%、91質量%、90質量%、89質量%、88質量%、87質量%、86質量%、85質量%、84質量%、83質量%、82質量%、81質量%、80質量%。
又，本發明之液晶組成物整體之中，較佳為僅由「通式(N- 1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)」及「通式(L-1)、通式(L-3)、通式(L-4)、通式(L-5)及通式(L-6)所表示之化合物」構成之成分所佔有的比例下限值為68質量%、70質量%、71質量%、73質量%、75質量%、78質量%、80質量%、81質量%、83質量%、85質量%、86質量%、87質量%、88質量%、89質量%、90質量%、91質量%、92質量%、93質量%、94質量%、95質量%、96質量%、97質量%、98質量%。
使用有本發明之液晶組成物的液晶顯示元件具有高速應答此一顯著的特徵，並且可充分得到傾斜角(tilt angle)，沒有未反應之聚合性化合物或少至不會產生問題，由於電壓保持率(VHR)高，故沒有配向不良或顯示不良等不良情形或不良情形充分被抑制。又，由於可輕易控制傾斜角及聚合性化合物之殘留量，故能輕易將用以製造之能源成本最佳化及削減，因此最適合於提升生產效率與穩定之量產。
使用有本發明之液晶組成物的液晶顯示元件尤其對於主動矩陣驅動用液晶顯示元件有用，可用於PSA模式、PSVA模式、VA模式、PS-IPS模式或PS-FFS模式用液晶顯示元件。
本發明之液晶顯示元件較佳具有「對向配置之第1基板及第2基板」、「設置於前述第1基板或前述第2基板之共通電極」、「設置於前述第1基板或前述第2基板，具有薄膜電晶體之像素電極」及「設置於前述第1基板與第2基板間且含有液晶組成物之液晶層」。亦可視需要，以與前述液晶層抵接之方式，於第1基板及/或第2基板之至少一基板的對向面側設置控制液晶分子配向方向之配向膜。作為該配向膜，可配合液晶顯示元件之驅動模式，適當選擇垂直配向膜或水平配向膜等，可使用摩擦配向膜(例如，聚醯亞胺)或光配向膜(分解型聚醯亞胺等)等公知之配向膜。並且，亦可將濾色器適當設置於 第1基板或第2基板上，又，可於前述像素電極或共通電極上設置濾色器。
使用於本發明之液晶顯示元件的液晶單元其2片基板可使用玻璃或如塑膠般具有柔軟性之透明材料，其中一者亦可為矽等不透明之材料。具有透明電極層之透明基板，例如可藉由將銦錫氧化物(ITO)濺鍍於玻璃板等透明基板上而得。
濾色器例如可藉由顏料分散法、印刷法、電沉積法或染色法等製成。若以藉由顏料分散法製成濾色器之方法作為一例來說明，則將濾色器用之硬化性著色組成物塗布於該透明基板上，施以圖案化處理，然後藉由加熱或照光使之硬化。藉由對紅色、綠色、藍色之3個顏色分別進行此步驟，可製成濾色器用之像素部。另外，亦可於該基板上設置設有TFT、薄膜二極體、金屬絕緣體金屬比電阻元件等主動元件之像素電極。
較佳使前述第1基板及前述第2基板對向成共通電極或像素電極層成為內側。
第1基板與第2基板之間隔亦可透過間隔物加以調整。此時，較佳調整成所得到之調光層的厚度成為1~100μm。更佳為1.5~10μm，當使用偏光板之情形時，較佳以對比度成為最大之方式來調整液晶之折射率異向性△n與單元厚度d的積。又，當具有二片偏光板之情形時，亦可調整各偏光板之偏光軸，調整成視野角或對比度為良好。並且，亦可使用用以擴展視野角之相位差膜。作為間隔物，例如可列舉：玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子、光阻劑(photoresist)材料等。然後，以設有液晶注入口之形狀將環氧系熱硬化性組成物等密封劑網板印刷於該基板，將該基板彼此貼合，進行加熱使密封劑熱硬化。
將液晶組成物夾持於2片基板間之方法，可使用一般之真空注入法或ODF法等。
本發明之第2態樣為一種於至少一基板表面不具備有配向膜之液晶顯示元件，該液晶顯示元件具有：對向配置之第一基板及第二基板；填充於前述第一基板與前述第二基板之間的液晶層；呈矩陣狀配置於前述第一基板上之多個閘極匯流線(gate bus line)及資料匯流線(data bus line)；設置於前述閘極匯流線與資料匯流線之交叉部的薄膜電晶體；電極層：於每個像素具有藉由前述薄膜電晶體驅動之像素電極；形成於前述第一基板或前述第二基板上之共通電極；及2種以上具有聯苯骨架之聚合性化合物硬化於前述第一基板及前述第二基板之間而成的樹脂成分。
作為使本發明之液晶組成物所含有的聚合性化合物或聚合性單體及自發配向性單體聚合的方法，較佳為下述方法：為了得到液晶之良好配向性能，較理想為適度之聚合速度，因此，藉由單一或合併使用或依序地照射紫外線或電子線等活性能量線，使之聚合。當使用紫外線之情形時，可使用偏光光源，亦可使用非偏光光源。又，當於2片基板間夾持液晶組成物之狀態下進行聚合的情形時，至少照射面側之基板必須對於活性能量線具有適當之透明性。又，亦可使用下述方式：於照光時使用遮罩僅使特定部分聚合後，改變電場或磁場或溫度等條件，藉此改變未聚合部分之配向狀態，並進一步照射活性能量線使之聚合。尤其是當進行紫外線曝光時，較佳對液晶組成物施加交流電場且同時進行紫外線曝光。所施加之交流電場較佳為頻率10Hz~10kHz之交流，更佳為頻率60Hz~10kHz，電壓取決於液晶顯示元件之所欲的預傾角(pretilt angle)來選擇。亦即，可藉由施加之電壓來控制液晶顯示元件之預傾角。對於PSVA模式之液晶顯示元件，從配向穩定性及對比度之觀點而言，較佳將預傾角控制為80度~89.9度。
當使本發明之液晶組成物含有的聚合性化合物聚合時所使用的紫外線或電子線等活性能量線之照射時的溫度並無特別限制。例如，當將本發 明之液晶組成物應用於具備具有配向膜之基板的液晶顯示元件之情形時，較佳在前述液晶組成物保持液晶狀態之溫度範圍內。較佳為接近室溫之溫度，亦即典型上於15~35℃使之聚合。
另一方面，例如當將本發明之液晶組成物應用於具備不具有配向膜之基板的液晶顯示元件之情形時，其溫度範圍亦可較上述應用於具備具有配向膜之基板的液晶顯示元件之照射時的溫度範圍廣。
作為產生紫外線之燈，可使用金屬鹵素燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，作為照射之紫外線的波長，較佳照射非為液晶組成物其吸收波長區域之波長區域的紫外線，視需要，較佳將紫外線濾除後使用。所照射之紫外線的強度較佳為0.1mW/cm2~100W/cm2，更佳為2mW/cm2~50W/cm2。所照射之紫外線的能量，可加以適當調整，較佳為10mJ/cm2~500J/cm2，更佳為100mJ/cm2~200J/cm2。當照射紫外線時，亦可改變強度。照射紫外線之時間，可根據所照射之紫外線強度加以適當選擇，較佳為10秒~3600秒，更佳為10秒~600秒。
[實施例]
以下舉實施例進一步詳述本發明，但本發明並不限定於此等實施例。又，以下之實施例及比較例之組成物中的「%」意指「質量%」。於實施例中關於化合物之記載使用以下之代號。
實施例中，所測得之特性如下。
Tni：向列相-等向性液相轉變溫度(℃)
△n：於20℃之折射率異向性
η：於20℃之黏度(mPa‧s)
γ1：於20℃之旋轉黏性(mPa‧s)
△ε：於20℃之介電異向性
K33：於20℃之彈性常數K33(pN)
於實施例中關於化合物之記載使用以下代號。
(側鏈)
(鍵結基)
<環結構>
本實施例及比較例中之「低溫保存性」、「垂直配向性」、「殘影試驗(預傾角之隨時間之變化)」及「可靠性」的評價係以下述方法進行。
(低溫保存性之評價測試)
使用膜濾器(安捷倫科技公司製，PTFE 13m-0.2μm)對液晶組成物進行過濾，以真空減壓條件靜置15分鐘，進行溶存空氣之除去。使用丙酮將其加以清洗，秤量0.5g於經充分乾燥之小玻璃瓶(vial bottle)，於-20℃之環境下靜置20日。然後，以目視觀察有無析出，以下述4階段加以判定。
A：無法確認到析出。
B：於2週後析出。
C：於1週後析出。
D：可確認到析出。
(垂直配向性之評價試驗1)
製作「整面一樣地具備由透明之共通電極構成之透明電極層及濾色器層，但不具有配向膜之第一基板(共通電極基板)」、與「具有像素電極層但不具有配向膜的第二基板(像素電極基板)，該像素電極層具有受到主動元件驅動之透明像素電極」。將液晶組成物滴下於第一基板上，於第二基板上進行夾持，於常壓以110℃2小時之條件使密封材硬化，得到單元間隙3.2μm之液晶單元(不具有絕緣膜)。使用偏光顯微鏡觀察此時之垂直配向性及滴痕等配向不均，以下述4階段加以評價。
A：於整面上，均勻垂直配向
B：雖有些微配向缺陷，但為可容許之程度
C：有配向缺陷，為無法容許之程度
D：配向不良相當嚴重
(垂直配向性之評價試驗2)
製作「於絕緣層上具有經圖案化之透明共通電極構成之透明電極層，且具備有濾色器層但不具有配向膜的第一基板(共通電極基板)」與「具有像素電極層但不具有配向膜的第二基板(像素電極基板)，該像素電極層具有受到主動元件驅動之透明像素電極」。將液晶組成物滴下於第一基板上，於第二基板上進行夾持，於常壓以110℃2小時之條件使密封材硬化，得到單元間隙3.2μm之液晶單元(具有絕緣膜)。使用偏光顯微鏡觀察此時之垂直配向性及滴痕等配向不均，以下述4階段加以評價。
使用偏光顯微鏡進行觀察，以下述4階段加以評價。
A：於整面上，均勻垂直配向
B：雖有些微配向缺陷，但為可容許之程度
C：有配向缺陷，為無法容許之程度
D：配向不良相當嚴重
(液晶殘影評價方法(預傾角之隨時間之變化))
首先，將誘發垂直配向之聚醯亞胺配向膜塗布於附有ITO之基板後，以真空注入法將上述聚醯亞胺配向膜注入含有經摩擦處理之附有ITO之基板的液晶單元(單元間隙3.5μm)間。然後，在以頻率100Hz對注入有液晶組成物的液晶單元施加10V電壓之狀態下使用高壓水銀燈，經由濾除325nm以下之紫外線的濾波器，照射紫外線。此時，調整成以中心波長365nm之條件測得的照度為100mW/cm2，照射積分光量10J/cm2之紫外線。使上述之紫外線照射條件為照射條件1。藉由此照射條件1對液晶單元中之液晶分子賦予預傾角。
接著，使用螢光UV燈，調整成以中心波長313nm之條件測得的照度為3mW/cm2，進一步照射積分光量20J/cm2之紫外線，得到液晶顯示元件。使上述之紫外線照射條件為照射條件2。藉由照射條件2，來降低照射條件1中未反應之液晶單元中之聚合性化合物的殘留量。
照射紫外線後，進行因預傾角之變化所引起之顯示不良(殘影)評價。首先，測量液晶顯示元件之預傾角，作為預傾角(初期)。以頻率100Hz施加矩形波30V電壓於此液晶顯示元件，且同時照射背光10小時。然後，測量預傾角，作為預傾角(測試後)。將自測得之預傾角(初期)減去預傾角(測試後)所得之值作為預傾角變化量(=預傾角變化之絕對值)[°]。預傾角係使用Shintech製之OPTIPRO進行測量。再者，30V之電壓大小係通常之驅動電壓的數倍大，而為加速試驗。
預傾角變化量越接近0[°]，發生因預傾角之變化所引起之顯示不良的可能性越低。在本探討中，將變化量1.3[°]以下設為顯示不均之許容極限範圍。
(液晶組成物之製備與評價結果)
於本實施例中，使用以下之式(P-1)至(P-35)所表示之第1單體。
(比較例1、實施例1~實施例3)
製備以下之LC-A之液晶組成物，測定其物性值。液晶組成物之構成與其物性值之結果係如表所示。
作為實施例1，製備「相對於液晶組成物LC-A 100重量份，添加有1.50重量份之式(P-1)所表示之化合物及0.50重量份之式(XX-5)所表示之化合物」的液晶組成物LC-1。作為實施例2，製備「相對於液晶組成物LC-A 100重量份，添加有1.50重量份之式(P-1)所表示之化合物及1.00重量份之式(XX-5)所表示之化合物」的液晶組成物LC-2。作為實施例3，製備「相對於液晶組成物LC-A 100重量份，添加有1.50重量份之式(P-1)所表示之化合物及1.50重量份之式(XX-5)所表示之化合物」的液晶組成物LC-3。作為實施例4，製備「相對於液晶組成物LC-A 100重量份，添加有0.50重量份之式(P-1)所表示之化合物及1.50重量份之式(XX-5)所表示之化合物」的液晶組成物LC-4。又，將「相對於LC-A 100重量份，添加有1.50重量份之式(P-1)所表示之化合物及0.30重量份之式(XX-5)所表示之化合物」的液晶組成物LC-5設為比較例1。
[表2]
低溫保存性、垂直配向性(1)、垂直配向性(2)、預傾角變化量之結果係如表所示。
實施例1~4顯示和比較例1相比非常小的預傾角變化量，確認到顯示不均、殘影較少。實施例1~4和比較例1相比，由於第2單體(XX-5)之添加量較多，因此聚合物之強度變高，認為穩定性優異。又，實施例1~3由於第1單體(P-1)相對於第2單體(XX-5)之比例充分，因此認為垂直配向性較高。
(比較例2、實施例5~實施例8)
製備以下之LC-B之液晶組成物，測定其物性值。液晶組成物之構成與其物性值之結果係如表所示。
[表4]
作為實施例5，製備「相對於液晶組成物LC-B 100重量份，添加有0.50重量份之式(P-26)所表示之化合物及0.50重量份之式(XX-2)所表示之化合物」的液晶組成物LC-6。作為實施例6，製備「相對於液晶組成物LC-B 100重量份，添加有0.50重量份之式(P-26)所表示之化合物及1.00重量份之式(XX-2)所表示之化合物」的液晶組成物LC-7。作為實施例7，製備「相對於液晶組成物LC-B 100重量份，添加有0.50重量份之式(P-26)所表示之化合物及1.50重量份之式(XX-2)所表示之化合物」的液晶組成物LC-8。作為實施例8，製備「相對於液晶組成物LC-B 100重量份，添加有0.50重量份之式(P-26)所表示之化合物及1.50重量份之式(XX-2)所表示之化合物」的液晶組成物LC-9。又，將「相對於LC-B 100重量份，添加有1.50重量份之式(P-26)所表示之化合物及0.30重量份之式(XX-2)所表示之化合物」的液晶組成物LC-10設為比較例2。
於以下表示低溫保存性、垂直配向性(1)、垂直配向性(2)、預傾角變化量。
實施例5~7顯示和比較例2相比非常小的預傾角變化量，確認到顯示不均、殘影較少。實施例5~7和比較例2相比，由於第2單體(R-1)之添加量較多，因此聚合物之強度變高，認為穩定性優異。又，實施例4~6由於第1單體(P-26)相對於第2單體(XX-2)之比例充分，因此認為垂直配向性較高。
(實施例9~實施例29)
製備「相對於液晶組成物LC-A 100重量份，分別添加作為第1單體之式(P-2)、式(P-4)、式(P-5)、式(P-6)、式(P-13)、式(P-14)、或式(P-15)所表示之化合物，並且添加第2單體(XX-5)」的液晶組成物，設為實施例9至實施例29。於下表表示各實施例之比例。
於以下表示低溫保存性、垂直配向性(1)、垂直配向性(2)、預傾角變化量。
實施例9~29顯示和比較例相比非常小的預傾角變化量，確認到顯示不均、殘影較少。實施例9~29和比較例2相比，由於第2單體(XX-5)之添加量較多，因此聚合物之強度變高，認為穩定性優異。
(實施例30~實施例36)
製備「相對於液晶組成物LC-B 100重量份，分別添加0.50重量份之作為第1單體的式(P-20)、式(P-25)、式(P-27)、式(P-28)、式(P-29)、式(P-22)或式(P-35)所表示之化合物，並且添加0.50重量份之作為第2單體之式(XX-2)所表示之化合物」的液晶組成物，設為實施例30至實施例36。於下表表示各實施例之比例。
於表表示低溫保存性、垂直配向性(1)、垂直配向性(2)、預傾角變化量。
於實施例30~36中，確認到顯示和比較例相比非常小的預傾角變化量。認為：藉由增加第2單體量，聚合物之強度變高，穩定性優異，傾斜角穩定性提高。
(實施例37~實施例45)
製備「相對於液晶組成物LC-A 100重量份，分別添加作為第1單體之式(P-1)、式(P-4)、式(P-5)、或式(P-26)所表示之化合物、與作為第2單體之式(XX-5)、式(XX-1)、式(XX-7)、或式(XX-15)所表示之化合物」的液晶組成物，設為實施例37至實施例45。以下表示各實施例之比例。
於表表示低溫保存性、垂直配向性(1)、垂直配向性(2)、預傾角變化量。
於實施例37至45中，亦確認到顯示和比較例相比非常小的預傾角變化量。認為：藉由增加第2單體量，聚合物之穩定性變高，傾斜角穩定性 提高。
評價於實施例37至45中使用兩種類之第1單體、兩種類之第2單體的情形時之低溫保存性與垂直配向性、預傾角變化量。確認到顯示和比較例相比非常小的預傾角變化量。確認到：即便添加二種類之單體，亦同樣地顯示和比較例相比非常小的預傾角變化量。進一步，亦確認到：藉由添加新的聚合性化合物，低溫保存性受到改善。於第1單體及第2單體對於液晶之溶解性較低之情形時，降低一成分的濃度，進一步添加不同的自發配向性單體，可使垂直配向性提高。
進一步，製備「以如下所述之化合物及混合比率構成之組成物」來取代上述液晶組成物LC-A及LC-B，將所製備之液晶組成物設為LC-C至LC-H。
[表13]
對於上述液晶組成物LC-C至LC-H，以適當的濃度將作為第1單體之式(P-1)、(P-2)、(P-3)、(P-7)、(P-15)、(P-28)或(P-32)所表示之化合物、與作為第2單體之式(XX-1)、(XX-2)、(XX-5)、(XX-7)、(XX-15)所表示之化合物混合，進行與上述相同 的配向性試驗之評價，其結果確認到配向性提高地較比較例多。
(實施例46~實施例53)
製備以下之LC-A之液晶組成物，測定其物性值。液晶組成物之構成與其物性值之結果係如表所示。
製備「相對於液晶組成物LC-A 100重量份，分別添加作為第1單體之式(P-36)、式(P-37)、式(P-48)、式(P-49)、式(P-50)、式(P-51)、式(P-52)或、式(P-53)所表示之化合物、與作為第2單體之式(XX-5)或式(XX-21)所表示之化合物」的液晶組成物，設為實施例46至實施例53。以下表示各實施例之比例。
於表表示低溫保存性、垂直配向性(1)、垂直配向性(2)、預傾角變化量。
於實施例46~53中，確認到顯示和比較例相比非常小的預傾角變化量。認為：藉由增加第2單體量，聚合物之穩定性變高，傾斜角穩定性提高。
評價於實施例46至53中使用兩種類之第1單體、兩種類之第2單體的情形時之低溫保存性與垂直配向性、預傾角變化量。確認到顯示和比較例相比非常小的預傾角變化量。確認到：即便添加二種類之單體，亦同樣地顯示和比較例相比非常小的預傾角變化量。進一步，亦確認到：藉由添加新的聚合性化合物，低溫保存性受到改善。於第1單體及第2單體對於液晶之溶解性較低之情形時，降低一成分的濃度，進一步添加不同的自發配向性單體，可使垂直配向性提高。
又，將含有第1單體及第2單體之液晶組成物封入於單元而成的單元安裝於偏光元件與檢偏鏡(analyzer)正交配置的偏光顯微鏡，觀察透射光。若液晶分子垂直配向，則因偏光板之作用而使得光無法透射過，單元呈現黑色。藉由此測試法評價上述樣品，結果可確認所有樣品皆未產生配向不均，皆呈現出同樣的垂直配向性。
又，評價藉由利用照射紫外光之聚合所產生的預傾角，結果確認到所有之樣品皆被賦予適當的傾斜角。而使用有此等之液晶顯示元件由於被賦予有足夠之預傾角，故被確認到夠快速之應答。
又，於本評價中，為了於將初期預傾角設為一定之狀態下評價各單體之聚合物穩定性，在確認預傾角變化量時，使用誘發垂直配向之附有聚醯亞胺配向膜的基板。此外，於使用「以不具有配向膜之第一基板(共通電極基板)、與不具有配向膜之第二基板(像素電極基板)來進行製作，將液晶組成物滴下於第一基板上，於第二基板上進行夾持，使密封材硬化，得到單元間隙3.2μm之液晶單元」之情形時，亦確認到顯示相同結果。
又，認為本發明之預傾角之隨時間之變化受到聚合物膜之硬度影響，認為藉由本發明之條件來進行製造，會形成更硬的聚合物膜。

Claims (11)

  1. 一種液晶組成物，其含有1種或2種以上之第1單體，該第1單體具有第1液晶原(mesogen)骨架、與上述第1液晶原骨架鍵結之通式(PG1)所表示之至少一個聚合性基、及與上述液晶原骨架或上述聚合性基鍵結之至少一個極性基；及1種或2種以上之第2單體，該第2單體具有第2液晶原骨架、與上述第2液晶原骨架鍵結之通式(PG2)所表示之聚合性基，且具備與上述第1單體不同的化學結構；並且，該液晶組成物含有超過0.4質量%之上述第2單體，＊-S11-P11 (PG1) ＊-S21-P21 (PG2)(上述式中，上述P11及P21分別獨立地為以下式(R-I)~式(R-IX)所表示之基， (上述式(R-I)~(R-IX)中，R21、R31、R41、R51及R61相互獨立地為氫原子、碳原子數1~5個之烷基或碳原子數1~5個之鹵化烷基，W1為單鍵、-O-或亞甲基，T1為單鍵或-COO-，p1、t1及q1分別獨立地為0、1或2，上述聚合性基P11之一個以上之氫原子亦可被上述極性基取代，或者上述極性基亦可含有上述通式(PG1)所表示之聚合性基來作為取代基) S11及S21分別獨立地表示單鍵或碳原子數1~15之伸烷基，該伸烷基中之1個之-CH2-或未鄰接之2個以上之-CH2-亦可以氧原子不直接鄰接之方式被上述極性基、-O-、-OCO-或-COO-取代，上述化學式中之＊表示鍵結鍵)。
  2. 如請求項1所述之液晶組成物，其中，上述極性基係具有選自由N、O、S、P及Si所組成之群中之雜原子的極性要素之原子團。
  3. 如請求項1或2所述之液晶組成物，其含有具有以下通式(K)所表示之極性基的上述第1單體、及不具有上述通式(K)所表示之極性基的第2單體，＊-Sik-Kik (K)(上述通式(K)中，Sik表示單鍵或碳原子數1~15之伸烷基，該伸烷基中之1個之-CH2-或未鄰接之2個以上之-CH2-亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-O-、-OCO-或-COO-取代，上述Kik係由以下之式(K-1)~式(K-28)表示， (上述式(K-1)~(K-23)中，RK1及RK2分別獨立地表示氫原子或碳原子數1~5之直鏈或支鏈烷基或烷氧基，RK3表示氫原子或碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基，此烷基中之1個或未鄰接之2個以上之-CH2-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代，RK4及RK5分別獨立地表示氫原子或碳原子數1~8之 烷基，WK1表示次甲基、≡C-CH3、≡C-C2H5、≡C-C3H7、≡C-C4H9、≡C-C5H11、≡C-C6H13或氮原子，XK1及XK2分別獨立地表示-CH2-、氧原子、-C(=O)-或硫原子，YK1、YK2及YK3分別獨立地表示次甲基或氮原子，ZK1表示氧原子或硫原子，ZK2表示碳原子、硫原子或矽原子，ZK3表示氧原子，ZK4表示單鍵或雙鍵)，上述Sik或上述Kik之1個以上之氫原子亦可被通式(PG1)所表示之聚合性基取代，上述化學式中之＊表示鍵結鍵) (式中，Yi1表示碳原子數3~20之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，此等烷基中之至少2個以上的二級碳原子被-(C=Xi1)-及/或-(CH-CN)-取代，又，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，Xi1表示氧原子、硫原子、NH或NRi1，Si1及Si3分別獨立地表示碳原子數1~6之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH2-亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-C(=CH2)-、-C(=CHRi3)-、-C(=CRi3 2)-、-O-、-NH-、-C=O-、-COO-或-OCO-取代，Si2表示碳原子、氮原子或矽原子，Ri2表示氫原子、碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基，此等基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代，Pi1表示聚合性基， Spi1表示間隔基團(spacer group)或單鍵，ni1表示1~3之整數，ni2及ni3分別獨立地表示0~2之整數，於Si2表示碳原子或矽原子之情形時，ni1+ni2+ni3為3，於Si2表示氮原子之情形時，ni1+ni2+ni3為2；Ri3表示與通式(i)中之Ri3相同涵義，於通式(K-1)中存在多個Ri2、Xi1、Yi1、Si1、Si3、Pi1及Spi1之情形時，其等可相同亦可不同) (式中，Si1、Pi1及Spi1分別表示與通式(K-1)中之Si1、Pi1及Spi1相同的意義，RK21表示碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，此等 烷基中之至少2個以上的二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-或-NH-取代，ni4、niK21分別獨立地表示0或1)。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之液晶組成物，其中，上述第1單體與上述第2單體之含有質量比率(第1單體/第2單體)為0.5~10。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之液晶組成物，其中，上述第1液晶原骨架係以通式(Me1)表示， (上述通式(Me1)中，ZMe1表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH=C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)=CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-、或碳原子數2~20之伸烷基，此伸烷基中之1個或未鄰接之2個以上之-CH2-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代，AMe1表示2價之6員環芳香族基、2價之6員環雜芳香族基、2價之6員環脂肪族基、2價之6員環雜脂肪族基，該等環結構中之氫原子亦可被鹵素原子、或P11-Sp11-、及極性基取代，於分別存在多個ZMe1及AMe1之情形時，分別可相互相同，亦可不同，mMe1表示1~5之整數，式(Me1)中，左端之黑點及右端之黑點表示鍵結鍵)。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之液晶組成物，其中，上述極性基係以下之式(K-1-1)~(K-28)， (上述式中，RK4’及RK5’分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基，上述化學式中之＊表示鍵結鍵) (式中，Yi1表示碳原子數3~20之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，此等烷基中之至少2個以上的二級碳原子經-(C=Xi1)-及/或-(CH-CN)-取代，又，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，Xi1表示氧原子、硫原子、NH或NRi1，Si1及Si3分別獨立地表示碳原子數1~6之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH2-亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-C(=CH2)-、-C(=CHRi3)-、-C(=CRi3 2)-、-O-、-NH-、-C=O-、-COO-或-OCO-取代，Si2表示碳原子、氮原子或矽原子，Ri2表示氫原子、碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基，此等基中之二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代，Pi1表示聚合性基，Spi1表示間隔基團或單鍵，ni1表示1~3之整數，ni2及ni3分別獨立地表示0~2之整數，但當Si2表示碳原子或矽原子之情形時，ni1+ni2+ni3為3，當Si2表示氮原子之情形時，ni1+ni2+ni3為2；Ri3為表示與通式(i)中之Ri3相同的意義，當於通式(K-1)中存在多個Ri2、Xi1、Yi1、Si1、Si3、Pi1及Spi1之情形時，其等可相同或亦可不同) (式中，Si1、Pi1及Spi1分別表示與通式(K-1)中之Si1、Pi1及Spi1相同的意義，RK21表示碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，此等烷基中之至少2個以上的二級碳原子亦可以氧原子未直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-或-NH-取代，ni4、niK21分別獨立地表示0或1)。
  7. 如請求項1至6中任一項所述之液晶組成物，其中，上述第1單體之含量為0.2~5.0質量%。
  8. 如請求項1至7中任一項所述之液晶組成物，其中，上述第2單體 之含量為超過0.4~3.0質量%。
  9. 如請求項1至8中任一項所述之液晶組成物，其中，上述第2單體係選自由以下之通式(RM-1)及(RM-2)所表示之聚合性化合物所組成之群中之1種或2種以上， (上述通式(RM-1)中，ZM1及ZM2藉由以下來表示， RM11-SM11-＊ (RM-S11)(上述式(ZM1)中，XM11~XM15分別獨立地表示選自由碳原子數1~15個之烷基、-CF3基、氟原子、碳原子數1~15個之烷氧基及氯原子所組成之群中之1種或2種以上、或式(RM-S11)，惟，XM11~XM15之中之至少一個表示式(RM-S11)) ＊-SM21-RM21 (RM-S21)(上述式(ZM2)中，XM21~XM25分別獨立地表示選自由碳原子數1~15個之烷基、-CF3基、氟原子、碳原子數1~15個之烷氧基及氯原子所組成之群中之1種或2種以上或式(RM-S21)，惟，XM21~XM25之中之至少一個表示式(RM-S21)) (上述式(RM-S11)及上述式(RM-S21)中，SM11及SM21分別獨立地表示碳原子數1~12之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH2-亦可以氧原子彼此未直接鍵結之形式被-O-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代，RM11及RM21分別獨立地表示上述式(R-I)至式(R-IX)中之任一者，LM1及LM2分別獨立地表示單鍵、-O-、-CH2-、-OCH2-、-CH2O-、-CO-，-C2H4-、-COO-、-OCO-、-CH=CH-COO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-CH=CH-OCO-、-COOC2H4-、-OCOC2H4-、-C2H4OCO-、-C2H4COO-、-OCOCH2-、-CH2COO-、-CH=CH-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF=CF-、-CF2-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-或-C≡C-，於存在多個LM2之情形時，其等可相同亦可不同)MM1表示1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、或萘-2,6-二基，該等基中所含之氫原子亦可被氟原子、氯原子或碳原子數1~8之烷基、鹵化烷基、鹵化烷氧基、烷氧基、硝基或＊-SM1-RM1(式中，SM1表示碳原子數1~12之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH2-亦可以氧原子彼此未直接鍵結之方式被氧原子、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代，RM1表示上述式(R-I)至式(R-IX)中之任一者)取代，於存在多個MM1之情形時，其等可相同亦可不同，mM1表示0、1或2，於存在多個SM11、SM21、SM1、RM11、RM21及/或RM1之情形時，該等可相同亦可不同，上述化學式中之＊表示鍵結鍵)； (上述通式(RM-2)中，XM1~XM8分別獨立地表示氫原子或氟原子，SM2及SM3分別獨立地表示碳原子數1~12之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH2-亦可以氧原子彼此未直接鍵結的方式被氧原子、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代，RM2及RM3表示上述式(R-I)至式(R-IX)中之任一者)。
  10. 如請求項1至9中任一項所述之液晶組成物，其進一步含有選自通式(N-1)、(N-2)及(N-3)所表示之化合物群中的化合物， (式中，RN11、RN12、RN21、RN22、RN31及RN32分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上的-CH2-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，AN11、AN12、AN21、AN22、AN31及AN32分別獨立地表示選自由下述(a)、(b)、(c)及(d)組成之群中的基：(a)1,4-伸環己基(存在於此基中之1個-CH2-或未鄰接之2個以上的-CH2-亦可被-O-取代)， (b)1,4-伸苯基(存在於此基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上的-CH=亦可被-N=取代)，(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上的-CH=亦可被-N=取代)及(d)1,4-伸環己烯基，上述之基(a)、基(b)、基(c)及基(d)亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代，ZN11、ZN12、ZN21、ZN22、ZN31及ZN32分別獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，XN21表示氫原子或氟原子，TN31表示-CH2-或氧原子，nN11、nN12、nN21、nN22、nN31及nN32分別獨立地表示0~3之整數，但nN11+nN12、nN21+nN22及nN31+nN32分別獨立地為1、2或3，當存在多個AN11~AN32、ZN11~ZN32之情形時，其等可相同或亦可不同)。
  11. 如請求項1至10中任一項所述之液晶組成物，其進一步含有通式(L)所表示之化合物， (式中，RL1及RL2分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上的-CH2-亦可分別獨立地經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，nL1表示0、1、2或3，AL1、AL2及AL3分別獨立地表示選自由(a)、(b)及(c)組成之群中之 基：(a)1,4-伸環己基(存在於此基中之1個-CH2-或未鄰接之2個以上的-CH2-亦可被-O-取代)，(b)1,4-伸苯基(存在於此基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上的-CH=亦可被-N=取代)及(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上的-CH=亦可被-N=取代)，上述之基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，ZL1及ZL2分別獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，當nL1為2或3而存在多個AL2之情形時，該等可相同亦可不同，當nL1為2或3而存在多個ZL2之情形時，該等可相同亦可不同，但不包括通式(N-1)、(N-2)及(N-3)所表示之化合物)。
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