TW201910824A - 光學構件、影像顯示裝置及光學構件之製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種光學構件，其在用於影像顯示裝置時可有助於提升影像顯示裝置之對比。本發明之光學構件具有：偏光件、反射型偏光件、與折射率為1.25以下之低折射率層，且低折射率層係積層於偏光件之至少單側。光學構件中在代表上，反射型偏光件、偏光件、低折射率層係依序一體化而成。

Description

光學構件、影像顯示裝置及光學構件之製造方法
本發明係關於一種光學構件、影像顯示裝置及光學構件之製造方法。
發明背景 在代表性之影像顯示裝置即液晶顯示裝置中，由於其影像形成方式而於液晶單元的兩側配置有偏光板。偏光板在代表上具有：偏光件，係使二色性物質吸附於聚乙烯醇(PVA)系薄膜並經單軸延伸而成；與配置於該偏光件兩側之保護薄膜。又，有文獻提議於影像顯示裝置使用反射型偏光件與偏光件一體化而成之光學構件(例如專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本特表平9-507308號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而，使用了如上所述之光學構件的影像顯示裝置卻有對比不足之問題。本發明即是為了解決上述習知之課題而成者，其主要目的在於提供一種用於影像顯示裝置時可有助於提升影像顯示裝置之對比的光學構件、具備上述光學構件之高對比的影像顯示裝置、及上述光學構件之製造方法。
用以解決課題之手段 本發明之光學構件具有：偏光件、反射型偏光件、與折射率為1.25以下之低折射率層，且上述低折射率層係積層於上述偏光件之至少單側。 在一實施形態中，上述反射型偏光件、上述偏光件與上述低折射率層係依序一體化而成。 在一實施形態中，其更具有黏著層，該黏著層係配置於上述低折射率層之與上述偏光件相反之側。 在一實施形態中，上述反射型偏光件、上述低折射率層與上述偏光件係依序一體化而成。 在一實施形態中，其更具有保護薄膜，該保護薄膜係配置於上述偏光件之與上述低折射率層相反之側。 在一實施形態中，上述低折射率層之空隙率為35%以上，且上述低折射率層之厚度較上述偏光件之厚度更薄。 根據本發明之另一面向，提供一種影像顯示裝置。該影像顯示裝置具有上述光學構件。 根據本發明之又另一面向，可提供一種光學構件之製造方法。該光學構件之製造方法，係製造上述光學構件之方法，且該方法包含：將低折射率塗敷液塗敷於上述偏光件或上述反射型偏光件之表面並使其乾燥，藉此形成上述低折射率層；或者，將低折射率塗敷液塗敷於基材表面並使其乾燥藉此於上述基材上形成上述低折射率層，並將形成於上述基材上之上述低折射率層轉印至上述偏光件或上述反射型偏光件之表面。
發明效果 根據本發明，可提供一種用於影像顯示裝置時可有助於提升影像顯示裝置之對比的光學構件、及具備上述光學構件之高對比的影像顯示裝置、以及上述光學構件之製造方法。
用以實施發明之形態 以下說明本發明之實施形態，惟本發明不受該等實施形態限定。
A.光學構件的整體構成 圖1係本發明之一實施形態之光學構件的截面圖。如圖1所示，光學構件100具有：偏光件10；反射型偏光件20；與低折射率層30，係積層於偏光件之至少單面。低折射率層之折射率為1.25以下。如圖1所示，在一實施形態之光學構件100中，反射型偏光件20、偏光件10與低折射率層30係依序一體化而成。偏光件10與低折射率層30之間亦可設置保護薄膜(未示於圖式中)。亦即，偏光件10與低折射率層30亦可包夾保護薄膜而一體化而成。光學構件100在代表上可更具有黏著層(未示於圖式中)，該黏著層係配置於低折射率層30之與偏光件10相反之側。反射型偏光件20可作為偏光件10之保護層發揮功能。因此，可省略偏光件10之保護層，而可有助於光學構件100之薄型化。光學構件100在代表上可使用於影像顯示裝置，而可有助於提升影像顯示裝置之對比。
圖2為本發明之另一實施形態之光學構件的截面圖。在本實施形態之光學構件101中，反射型偏光件20、低折射率層30與偏光件10係依序一體化而成。光學構件101在代表上可更具有保護薄膜(未示於圖式中)，該保護薄膜係配置於偏光件10之與低折射率層30相反之側。在反射型偏光件與偏光件一體化而成之習知的光學構件中，以從反射型偏光件側斜向入射的光(令光垂直進入面的角度為040)來說，即使是朝與反射型偏光件之反射軸平行之方向振動的偏光，仍會有不被反射型偏光件反射而透射反射型偏光件的情形。透射了反射型偏光件的上述光會被偏光件吸收，而可能使將光學構件用於影像顯示裝置時光的利用效率降低。結果可能使影像顯示裝置的對比降低。相對於此，本實施形態之光學構件100、101，則能在反射型偏光件與低折射率層之界面，將從反射型偏光件側斜向入射且朝與反射型偏光件之反射軸平行之方向振動的偏光全反射，而可將其再利用。因此，可提升將光學構件用於影像顯示裝置時光的利用效率。結果可提升影像顯示裝置之對比。
較佳為低折射率層30之空隙率為35%以上，且低折射率層30之厚度較偏光件10之厚度更薄。反射型偏光件20之反射軸與偏光件10之吸收軸構成之角度宜為-5°~5°。
B.偏光件 偏光件可採用任意且適當的偏光件。例如，形成偏光件之樹脂薄膜可為單層樹脂薄膜亦可為二層以上之積層體。
由單層樹脂薄膜構成之偏光件的具體例，可舉如利用碘或二色性染料等二色性物質對聚乙烯醇(PVA)系薄膜、部分縮甲醛化PVA系薄膜、乙烯・乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜施予染色處理及延伸處理者，以及PVA之脫水處理物或聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等多烯系配向薄膜等。若從光學特性優異的觀點來看，宜使用以碘將PVA系薄膜染色並進行單軸延伸所得的偏光件。
上述利用碘進行之染色譬如可將PVA系薄膜浸漬於碘水溶液中來進行。上述單軸延伸之延伸倍率宜為3~7倍。延伸可在染色處理後進行，亦可在染色的同時進行。又，亦可延伸後再染色。可因應需求對PVA系薄膜施行膨潤處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等。譬如，在染色前將PVA系薄膜浸漬於水中進行水洗，不僅可洗淨PVA系薄膜表面的污垢或抗黏結劑，還可使PVA系薄膜膨潤，從而防止染色不均等。
使用積層體而獲得之偏光件的具體例，可舉出樹脂基材與積層在該樹脂基材之PVA系樹脂層(PVA系樹脂薄膜)的積層體，或者是使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層的積層體而獲得之偏光件。使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層的積層體而獲得之偏光件，舉例而言可透過下列程序製作：將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材，並使其乾燥而於樹脂基材上形成PVA系樹脂層，而獲得樹脂基材與PVA系樹脂層之積層體；將該積層體延伸並染色而將PVA系樹脂層製成偏光件。在本實施形態中，延伸在代表上係包含將積層體浸漬於硼酸水溶液中並延伸。並且，延伸可因應需求進一步包含：在硼酸水溶液中延伸之前，在高溫(例如95℃以上)下將積層體進行空中延伸。可以直接使用所得樹脂基材/偏光件之積層體(即，可將樹脂基材作為偏光件之保護層)，亦可從樹脂基材/偏光件之積層體剝離樹脂基材並於該剝離面視目的積層任意且適當的保護層後來使用。所述偏光件之製造方法的詳細內容記載於例如日本特開2012-73580號公報。本說明書中係援用該公報整體之記載作為參考。
偏光件之厚度舉例而言為1μm~80μm。在一實施形態中，偏光件之厚度宜為1μm~15μm，3μm~10μm較佳，3μm~8μm尤佳。只要偏光件之厚度在所述範圍內，即可良好地抑制加熱時之捲曲，並且可獲得良好的加熱時之外觀耐久性。
偏光件宜在波長380nm~780nm的任一波長下顯示吸收二色性。偏光件之單體透射率為35.0%~46.0%，且宜為37.0%~46.0%。偏光件的偏光度以97.0%以上為佳，99.0%以上較佳，99.9%以上更佳。
上述單體透射率及偏光度可使用分光光度計來測定。作為上述偏光度之具體測定方法，可測定上述偏光件之平行透射率(H0 )及正交透射率(H90 )，並由式：偏光度(%)={(H0 -H90 )/(H0 +H90 )}1/2 ×100來求得。上述平行透射率(H0 )係平行型積層偏光件的透射率之值，該平行型積層偏光件係將兩片相同偏光件疊合成雙方的吸收軸平行而製成者。又，上述正交透射率(H90 )係正交型積層偏光件的透射率之值，該正交型積層偏光件係將兩片相同偏光件疊合成雙方的吸收軸正交而製成者。此外，該等透射率係以JIS Z 8701-1982之2度視野(C光源)進行光視效能校正所得之Y值。
C.反射型偏光件 反射型偏光件具有使特定偏光狀態(偏光方向)的偏光透射並使該狀態以外之偏光狀態的光反射之功能。反射型偏光件可為直線偏光分離型，亦可為圓偏光分離型。以下作為一例，針對直線偏光分離型之反射型偏光件進行說明。另，圓偏光分離型之反射型偏光件可舉例如膽固醇型液晶固定化之薄膜與λ/4板之積層體。
圖3為反射型偏光件之一例的概略立體圖。反射型偏光件為具有雙折射性之層A與實質上不具雙折射性之層B交替積層而成的多層積層體。舉例而言，所述多層積層體之總層數可為50~1000。在圖式例中，A層的x軸方向之折射率nx較y軸方向之折射率ny更大，而B層的x軸方向之折射率nx與y軸方向之折射率ny在實質上相同。因此，A層與B層的折射率差在x軸方向大，在y軸方向則實質上為零。結果x軸方向為反射軸，而y軸方向為透射軸。A層與B層在x軸方向之折射率差宜為0.2~0.3。另，x軸方向係對應於後述製造方法中的反射型偏光件之延伸方向。
上述A層宜由可透過延伸展現雙折射性之材料來構成。所述材料之代表例可舉如萘二羧酸聚酯(例如聚萘二甲酸乙二酯)、聚碳酸酯及丙烯酸系樹脂(例如聚甲基丙烯酸甲酯)。宜為聚萘二甲酸乙二酯。上述B層宜由即使進行延伸在實質上也不會展現雙折射性之材料來構成。所述材料之代表例可舉如萘二羧酸與對苯二甲酸之共聚酯。
反射型偏光件中，於A層與B層之界面會透射具有第1偏光方向的光(例如p波)，並反射具有與第1偏光方向正交之第2偏光方向的光(例如s波)。所反射之光於A層與B層之界面，有一部份係作為具有第1偏光方向的光透射，而一部份則作為具有第2偏光方向的光反射。在反射型偏光件之內部，所述反射及透射會反覆進行多次，因此可提高光的利用效率。
在一實施形態中，反射型偏光件亦可如圖3所示包含反射層R，作為與偏光件相反之側的最外層。透過設置反射層R，可將最後未被利用而返回到反射型偏光件之最外部的光進一步利用，因此可再更提高光的利用效率。反射層R在代表上係透過聚酯樹脂層的多層結構來展現反射功能。
反射型偏光件之整體厚度可因應目的、反射型偏光件所包含的合計層數等來作適當的設定。反射型偏光件之整體厚度宜為10μm~150μm。
在一實施形態中，在光學構件中，反射型偏光件係配置成可透射平行於偏光件之透射軸的偏光方向的光。亦即，反射型偏光件宜配置成其反射軸與偏光件之吸收軸呈略平行方向(上述反射軸與上述吸收軸構成之角度，舉例而言為-5°~5°)。透過將其配置成所述構造，則可在將光學構件用於影像顯示裝置時，將被偏光板所吸收的光再利用，而可更提高利用效率，且亦可提升亮度。
反射型偏光件在代表上可組合共擠壓與橫延伸來製作。共擠壓可採任意適當之方式來進行。舉例而言，可為進料塊方式，亦可為多歧管方式。譬如可在進料塊中將構成A層之材料與構成B層之材料擠製出，接著使用倍增器使其多層化。另，所述多層化裝置對熟知此項技藝之人士而言既為公知。接著，在代表上係將所獲得之長條狀多層積層體沿與輸送方向正交之方向(TD)延伸。構成A層之材料(例如聚萘二甲酸乙二酯)透過該橫延伸而僅於延伸方向上折射率會增大，結果可展現雙折射性。而構成B層之材料(例如萘二羧酸與對苯二甲酸之共聚酯)即使透過該橫延伸，其在任一方向上折射率皆不會增大。結果，可獲得一種反射型偏光件，其於延伸方向(TD)具有反射軸，而於輸送方向(MD)具有透射軸(TD對應於圖3之x軸方向，而MD對應於y軸方向)。此外，延伸操作可適用任意且適當之裝置來進行。
反射型偏光件如可使用日本特表平9-507308號公報記載之物。反射型偏光件可直接使用市售品，亦可將市售品2次加工(例如延伸)後使用。市售品例如可舉3M公司製之商品名DBEF、3M公司製之商品名APF。
D.低折射率層及其製造方法 低折射率層之折射率如上述為1.25以下。上述折射率宜為1.25~1.10，較宜為1.20~1.05。低折射率層之厚度如上述宜較偏光件之厚度更薄。低折射率層之厚度宜為10nm~10000nm，較宜為200nm~2000nm。
低折射率層在代表上於內部具有空隙。低折射率層之空隙率可取任意且適當之值。上述空隙率宜為5%~90%，較佳為35%~80%。使空隙率在上述範圍內，即可充分降低低折射率層之折射率，並可獲得高機械強度。
上述於內部具有空隙之低折射率層，可舉例如多孔質層、及/或至少在一部份具有空氣層之低折射率層。多孔質層在代表上包含氣凝膠、及/或粒子(例如中空微粒子及/或多孔質粒子)。低折射率層宜為奈米多孔層(具體而言為90%以上之微細孔的直徑在10-2 ~103 nm之範圍內的多孔質層)。
本發明之低折射率層譬如亦可由矽化合物所形成。另，本發明之低折射率層譬如亦可為藉由微細孔粒子彼此之化學結合所形成的低折射率層。譬如，前述微細孔粒子亦可為凝膠的粉碎物。
在本發明中，前述凝膠粉碎物亦可由具有譬如粒狀、纖維狀、平板狀之至少一種形狀之結構所構成。前述粒狀及平板狀之構成單元例如可由無機物所構成。又，前述粒狀構成單元之構成元素亦可含有例如選自於由Si、Mg、Al、Ti、Zn及Zr所構成群組中之至少一種元素。形成粒狀之結構體(構成單元)可為實心粒子亦可為中空粒子，具體上可列舉聚矽氧粒子或具有微細孔之聚矽氧粒子、二氧化矽中空奈米粒子或二氧化矽中空奈米球等。前述纖維狀之構成單元例如係直徑為奈米尺寸之奈米纖維，具體上可列舉纖維素奈米纖維或氧化鋁奈米纖維等。平板狀之構成單元可舉如奈米黏土，具體上可列舉奈米尺寸之膨土(例如Kunipia F[商品名])等。前述纖維狀之構成單元無特別限定，例如可為選自於由下列纖維所構成群組中之至少一種纖維狀物質：碳奈米纖維、纖維素奈米纖維、氧化鋁奈米纖維、幾丁質奈米纖維、幾丁聚醣奈米纖維、聚合物奈米纖維、玻璃奈米纖維及二氧化矽奈米纖維。
在本發明之低折射率層之製造方法中，含有前述凝膠粉碎物之含凝膠粉碎物液體，舉例而言為含有經將前述凝膠粉碎而得之粒子(粉碎物粒子)的溶膠液。
在本發明之低折射率層之製造方法中，前述凝膠舉例而言為至少含有3官能以下之飽和鍵官能基的矽化合物之凝膠。
根據本發明之含凝膠粉碎物液體，舉例而言可形成該塗敷膜，並使前述塗敷膜中之前述粉碎物彼此進行化學結合，藉此形成作為功能性多孔體之前述本發明之低折射率層。根據本發明之含凝膠粉碎物液體，譬如可對各種對象物賦予前述本發明之低折射率層。因此，本發明之含凝膠粉碎物液體及其製造方法，舉例而言可也用於製造前述本發明之低折射率層。
本發明之含凝膠粉碎物液體譬如亦可為用來將前述含凝膠粉碎物液體塗敷(塗佈)於基板上並進一步乾燥，以製得具有高空隙率之層(低折射率層)的含凝膠粉碎物液體。又，本發明之含凝膠粉碎物液體，舉例而言亦可為用於製得高空隙率多孔體(厚度大、或為塊狀塊體)之含凝膠粉碎物液體。前述塊體舉例而言可使用前述含凝膠粉碎物液體進行塊材製膜，藉此來製得。
如前述，本發明之低折射率層亦可為空隙層。以下有時會將空隙層之本發明之低折射率層稱作「本發明之空隙層」。舉例而言，可透過包含下列步驟之製造方法，來製造具有高空隙率之前述本發明之空隙層：製造前述本發明之含凝膠粉碎物液體之步驟、將前述含凝膠粉碎物液體塗敷於基板上而形成塗敷膜之步驟、及使前述塗敷膜乾燥之步驟。
又，譬如亦可藉由包含下列步驟之製造方法來製造積層薄膜捲料：製造前述本發明之含凝膠粉碎物液體之步驟；旋出捲狀之前述樹脂薄膜之步驟；於被旋出之前述樹脂薄膜上塗敷前述含凝膠粉碎物液體，以形成塗敷膜之步驟；使前述塗敷膜乾燥之步驟；及，於前述乾燥步驟後，將前述樹脂薄膜上形成有前述本發明之低折射率層之積層薄膜予以捲取之步驟。所述製造方法以下有時會稱作「本發明之積層薄膜捲料之製造方法」。又，以下有時會將透過本發明之積層薄膜捲料之製造方法所製造出之積層薄膜捲料稱作「本發明之積層薄膜捲料」。
在本發明之含凝膠粉碎物液體中，粉碎物(多孔體凝膠粒子)之體積平均粒徑的範圍，舉例而言可為1nm~1000nm、10nm~700nm、100nm~500nm。前述體積平均粒徑表示前述粉碎物在本發明之含凝膠粉碎物液體中的粒度參差。前述體積平均粒徑如前述，例如可藉由動態光散射法、雷射繞射法等粒度分布評估裝置及掃描型電子顯微鏡(SEM)、穿透型電子顯微鏡(TEM)等電子顯微鏡等進行測定。
在本發明之含凝膠粉碎物液體中，前述凝膠(例如多孔體凝膠)並無特別限制，可舉例如矽化合物等。
前述矽化合物無特別限制，可舉如含有至少3官能以下之飽和鍵官能基的矽化合物。前述「含有3官能基以下之飽和鍵官能基」意指矽化合物具有3個以下之官能基且該等官能基與矽(Si)呈飽和鍵結之狀態。
前述矽化合物可列舉如下述式(1)或下述式(2)所示化合物。
[化學式1][化學式2]
前述式(1)中，譬如X為2、3或4，R1 為直鏈烷基或支鏈烷基。前述R1 之碳數例如為1~6、1~4、1~2。前述直鏈烷基可舉如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等，前述支鏈烷基可舉如正丙基、正丁基等。前述X例如為3或4。
前述式(1)所示矽化合物之具體例可舉如X為3之下述式(1’)所示化合物。下述式(1’)中，R1 與前述式(1)相同，例如為甲基。R1 為甲基時，前述矽化合物為參(羥)甲基矽烷。前述X為3時，前述矽化合物例如為具有3個官能基之3官能矽烷。
[化學式3]
又，前述式(1)所示矽化合物之具體例可舉如X為4之化合物。此時，前述矽化合物例如為具有4個官能基之4官能矽烷。
前述式(2)中，例如X為2、3或4， R1 及R2 分別為直鏈烷基或支鏈烷基， R1 及R2 可分別相同亦可互異， X為2時，R1 可彼此相同亦可互異， R2 可彼此相同亦可互異。
前述X及R1 與前述式(1)之X及R1 相同。又，前述R2 可援引例如前述式(1)之R1 之例示。
前述式(2)所示矽化合物之具體例可舉如X為3之下述式(2’)所示化合物。下述式(2’)中，R1 及R2 分別與前述式(2)相同。R1 及R2 為甲基時，前述矽化合物為三甲氧基(甲基)矽烷(以下亦稱作「MTMS」)。
[化學式4]
在本發明之含凝膠粉碎物液體中，前述溶劑可舉例如分散媒等。前述分散媒(以下亦稱作「塗敷用溶劑」)並無特別限制，可舉例如後述之凝膠化溶劑及粉碎用溶劑，而宜為前述粉碎用溶劑。前述塗敷用溶劑包含以下有機溶劑：沸點為70℃以上且低於180℃，並且在20℃下之飽和蒸氣壓為15kPa以下。
前述有機溶劑可舉如四氯化碳、1,2-二氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、三氯乙烯、異丁醇、異丙醇、異戊醇、1-戊醇(pentyl alcohol；pentanol)、乙醇(ethyl alcohol；ethanol)、乙二醇單乙基醚、乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇單正丁基醚、乙二醇單甲基醚、二甲苯、甲酚、氯苯、乙酸異丁酯、乙酸異丙酯、乙酸異戊酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸正丙酯、乙酸正戊酯、環己醇、環己酮、1,4-二烷、N,N-二甲基甲醯胺、苯乙烯、四氯乙烯、1,1,1-三氯乙烷、甲苯、1-丁醇、2-丁醇、甲基異丁基酮、甲基乙基酮、甲基環己醇、甲基環己酮、甲基-正丁基酮、異戊醇等。又，前述分散媒中，可含有適量之可降低表面張力的全氟系界面活性劑或聚矽氧系界面活性劑等。
本發明之含凝膠粉碎物液體可舉例如經分散於前述分散媒中之溶膠狀的前述粉碎物即溶膠粒子液等。本發明之含凝膠粉碎物液體譬如在塗敷於基材上且乾燥後，藉由後述之結合步驟進行化學交聯，可連續成膜具有一定程度以上之膜強度的空隙層。又，本發明之「溶膠」係指藉由將凝膠之三維結構粉碎，使粉碎物(亦即，保持有部分空隙結構的奈米三維結構之多孔體溶膠粒子)分散在溶劑中而顯示流動性的狀態。
本發明之含凝膠粉碎物液體，舉例而言可含有用以使前述凝膠之粉碎物彼此行化學結合的觸媒。前述觸媒之含有率無特別限定，其相對於前述凝膠之粉碎物的重量譬如為0.01重量%~20重量%、0.05重量%~10重量%或0.1重量%~5重量%。
又，本發明之含凝膠粉碎物液體更可含有譬如用以使前述凝膠之粉碎物彼此行間接結合的交聯輔助劑。前述交聯輔助劑之含有率無特別限定，譬如相對於前述凝膠之粉碎物重量為0.01重量%~20重量%、0.05重量%~15重量%或0.1重量%~10重量%。
在本發明中，前述矽化合物可舉如三甲氧基(甲基)矽烷之水解物。
前述單體之矽化合物並無特別限制，舉例而言可因應所製造之功能性多孔體之用途作適當選擇。在製造前述功能性多孔體時，舉例而言在重視低折射率性時，由具有優異低折射率性之觀點，前述矽化合物以前述3官能矽烷為宜，而在重視強度(例如耐擦傷性)時，由具有優異耐擦傷性之觀點，前述矽化合物以前述4官能矽烷為宜。又，作為前述矽化合物凝膠之原料的前述矽化合物，舉例而言可僅使用一種，亦可併用兩種以上。就具體例來說，前述矽化合物例如可僅含有前述3官能矽烷，可僅含有前述4官能矽烷，亦可含有前述3官能矽烷及前述4官能矽烷兩者，更可含有其他矽化合物。使用二種以上矽化合物作為前述矽化合物時，其比率並無特別限制，可適宜設定。
前述矽化合物等多孔體的凝膠化譬如可藉由前述多孔體間之脫水縮合反應來進行。前述脫水縮合反應例如宜在觸媒存在下進行，前述觸媒可舉例如酸觸媒及鹼性觸媒等脫水縮合觸媒，前述酸觸媒有鹽酸、草酸、硫酸等，前述鹼性觸媒有氨、氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨等。前述脫水縮合觸媒可為酸觸媒亦可為鹼性觸媒，且以鹼性觸媒為佳。在前述脫水縮合反應中，前述觸媒相對於前述多孔體的添加量並無特別限制，譬如相對於前述多孔體1莫耳，觸媒為0.01莫耳~10莫耳、0.05莫耳~7莫耳、0.1莫耳~5莫耳。
前述矽化合物等多孔體的凝膠化譬如宜在溶劑中進行。前述多孔體在前述溶劑中所佔比率無特別限制。前述溶劑可舉如二甲亞碸(DMSO)、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)、二甲基甲醯胺(DMF)、γ-丁內酯(GBL)、乙腈(MeCN)、乙二醇乙基醚(EGEE)等。前述溶劑例如可為1種亦可將2種以上併用。用來進行前述凝膠化的溶劑以下亦稱作「凝膠化用溶劑」。
前述凝膠化之條件並無特別限制。對含有前述多孔體之前述溶劑的處理溫度例如為20℃~30℃、22℃~28℃、24℃~26℃，處理時間例如為1分鐘~60分鐘、5分鐘~40分鐘、10分鐘~30分鐘。進行前述脫水縮合反應時，其處理條件無特別限制，可援引該等例示。當前述多孔體為矽化合物時，藉由進行前述凝膠化，譬如可使矽氧烷鍵成長而形成前述矽化合物之一次粒子，再藉由反應進行，使前述一次粒子彼此連接成串珠狀，生成三維結構之凝膠。
藉由前述凝膠化製得之前述多孔體凝膠譬如可直接供給至溶劑置換步驟及第1粉碎階段，或可在前述第1粉碎階段之前，在熟成步驟施行熟成處理。前述熟成步驟係使已凝膠化之前述多孔體(多孔體凝膠)在溶劑中熟成。在前述熟成步驟中，前述熟成處理之條件無特別限制，譬如在溶劑中將前述多孔體凝膠在預定溫度下進行培育即可。藉由前述熟成處理，譬如可針對經凝膠化製得具有三維結構之多孔體凝膠，使前述一次粒子進一步成長，藉此可增加前述粒子本身的尺寸。並且，結果可使前述粒子彼此接觸之頸部的接觸狀態譬如由點接觸改為面接觸，從而增加接觸面積。經過如上述熟成處理的多孔體凝膠例如凝膠本身的強度會增加，結果便可更加提升粉碎後的前述粉碎物之三維基本結構之強度。藉此，使用前述本發明之含凝膠粉碎物液體形成塗敷膜時，譬如即使在塗敷後之乾燥步驟中，亦可抑制前述三維基本結構堆積而成的空隙結構之細孔尺寸隨前述乾燥步驟中發生之前述塗敷膜中的溶劑揮發而收縮的情況。
前述熟成處理之溫度，其下限譬如為30℃以上、35℃以上、40℃以上，其上限譬如為80℃以下、75℃以下、70℃以下，其範圍譬如為30℃~80℃、35℃~75℃、40℃~70℃。前述預定時間無特別限制，其下限例如為5小時以上、10小時以上、15小時以上，其上限例如為50小時以下、40小時以下、30小時以下，其範圍例如為5小時~50小時、10小時~40小時、15小時~30小時。另外，關於熟成的最佳條件，譬如宜如前述設定成可獲得前述多孔體凝膠中之前述一次粒子之尺寸增大及前述頸部接觸面積增大的條件。又，在前述熟成步驟中，前述熟成處理之溫度譬如宜考量要使用的溶劑沸點。前述熟成處理譬如當熟成溫度過高時，前述溶劑可能會過度揮發，而因前述塗敷液之濃縮，產生三維空隙結構之細孔閉口等不良狀況。另一方面，前述熟成處理譬如當熟成溫度過低時，不僅無法充分獲得藉由前述熟成所得的效果，量產製程的歷時溫度偏差還會增大，而可能製出品質不良的製品。
又，於製出含有前述微細孔粒子之液體後或是於製作步驟中添加可使前述微細孔粒子彼此化學結合之觸媒，可製造含有前述微細孔粒子及前述觸媒之含有液。前述觸媒之添加量無特別限定，相對於前述膠狀矽化合物之粉碎物的重量，譬如為0.01重量%~20重量%、0.05重量%~10重量%或0.1重量%~5重量%。前述觸媒亦可為譬如促進前述微細孔粒子彼此之交聯鍵結的觸媒。使前述微細孔粒子彼此行化學結合之化學反應，宜利用二氧化矽溶膠分子中所含殘留矽烷醇基的脫水縮合反應。藉前述觸媒促進矽烷醇基之羥基彼此的反應，可做到在短時間內使空隙結構硬化的連續成膜。前述觸媒可列舉如光活性觸媒及熱活性觸媒。藉由前述光活性觸媒，例如在空隙層形成步驟中不用加熱就可讓前述微細孔粒子彼此行化學結合(例如交聯鍵結)。藉此，例如在前述空隙層形成步驟中就不容易引起前述空隙層整體的收縮，所以可維持較高的空隙率。又，除了前述觸媒以外，亦可使用可產生觸媒之物質(觸媒產生劑)或乾脆取而代之。譬如，除了前述光活性觸媒以外，亦可使用藉由光產生觸媒之物質(光觸媒產生劑)或乾脆取而代之，又除了前述熱活性觸媒以外，亦可使用藉由熱產生觸媒之物質(熱觸媒產生劑)或乾脆取而代之。前述光觸媒產生劑無特別限定，可舉如光鹼產生劑(藉由光照射產生鹼性觸媒之物質)、光酸產生劑(藉由光照射產生酸性觸媒之物質)等，且以光鹼產生劑為宜。前述光鹼產生劑可舉例如9-蒽基甲基N,N-二乙基胺甲酸酯(9-anthrylmethyl N,N-diethylcarbamate，商品名WPBG-018)、(E)-1-[3-(2-羥基苯基)-2-丙烯醯基]哌啶((E)-1-[3-(2-hydroxyphenyl)-2-propenoyl]piperidine，商品名WPBG-027)、1-(蒽醌-2-基)乙基咪唑羧酸酯(1-(anthraquinon-2-yl)ethyl imidazolecarboxylate，商品名WPBG-140)、2-硝基苯甲基4-甲基丙醯氧基哌啶-1-羧酸酯(商品名WPBG-165)、1,2-二異丙基-3-[雙(二甲基胺基)亞甲基]鈲 2-(3-苯甲醯基苯基)丙酸酯(商品名WPBG-266)、1,2-二環己基4,4,5,5-四甲基雙鈲正丁基三苯基硼酸酯(商品名WPBG-300)、及2-(9-氧雜二苯并哌喃-2-基)丙酸1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯(東京化成工業股份有限公司)、含4-哌啶甲醇之化合物(商品名HDPD-PB100：Heraeus公司製)等。又，前述含有「WPBG」之商品名皆為和光純藥工業股份有限公司之商品名。前述光酸產生劑可舉如芳香族鋶鹽(商品名SP-170：ADEKA公司)、三芳基鋶鹽(商品名CPI101A：San-Apro Ltd.)、芳香族錪鹽(商品名Irgacure250：Ciba Japan公司)等。此外，使前述微細孔粒子彼此行化學結合之觸媒不限於前述光活性觸媒及前述光觸媒產生劑，例如亦可為熱活性觸媒或熱觸媒產生劑。使前述微細孔粒子彼此行化學結合之觸媒可舉如氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨等鹼性觸媒，及鹽酸、乙酸、草酸等酸觸媒等。該等中以鹼性觸媒為宜。使前述微細孔粒子彼此行化學結合之觸媒或觸媒產生劑，譬如可在正要進行塗敷前才添加至含有前述粉碎物(微細孔粒子)之溶膠粒子液(例如懸浮液)中作使用，或可作成已將前述觸媒或觸媒產生劑混合至溶劑中之混合液來使用。前述混合液例如可為：直接添加而溶解於前述溶膠粒子液中的塗敷液、使前述觸媒或觸媒產生劑溶解於溶劑中的溶液、或使前述觸媒或觸媒產生劑分散於溶劑中的分散液。前述溶劑無特別限制，可列舉如水、緩衝液等。
又，譬如亦可於本發明之含凝膠液體中進一步添加用以使前述凝膠之粉碎物彼此間接結合的交聯輔助劑。該交聯輔助劑會進入粒子(前述粉碎物)彼此之間，使粒子與交聯輔助劑各自相互作用或結合，讓距離上略為分開的粒子彼此也得以結合，進而可有效率地提高強度。前述交聯輔助劑以多交聯矽烷單體為佳。前述多交聯矽烷單體具體上具有例如2以上且3以下之烷氧矽基，且烷氧矽基間之鏈長可為碳數1以上且10以下，亦並可含有碳以外之元素。前述交聯輔助劑可舉如：雙(三甲氧矽基)乙烷、雙(三乙氧矽基)乙烷、雙(三甲氧矽基)甲烷、雙(三乙氧矽基)甲烷、雙(三乙氧矽基)丙烷、雙(三甲氧矽基)丙烷、雙(三乙氧矽基)丁烷、雙(三甲氧矽基)丁烷、雙(三乙氧矽基)戊烷、雙(三甲氧矽基)戊烷、雙(三乙氧矽基)己烷、雙(三甲氧矽基)己烷、雙(三甲氧矽基)-N-丁基-N-丙基-乙烷-1,2-二胺、參-(3-三甲氧矽基丙基)三聚異氰酸酯、參-(3-三乙氧矽基丙基)三聚異氰酸酯等。該交聯輔助劑之添加量並無特別限定，譬如相對於前述矽化合物之粉碎物重量為0.01重量%~20重量%、0.05重量%~15重量%或0.1重量%~10重量%。
前述觸媒存在下之化學反應譬如可藉由下列方式進行：對含有事先添加至前述含凝膠粉碎物液體中之前述觸媒或觸媒產生劑的前述塗敷膜進行光照射或加熱；或是對前述塗敷膜噴附前述觸媒後進行光照射或加熱；又或是噴附前述觸媒或觸媒產生劑後進行光照射或加熱。譬如當前述觸媒為光活性觸媒時，可藉由光照射使前述微細孔粒子彼此行化學結合，而形成前述聚矽氧多孔體。又，當前述觸媒為熱活性觸媒，可藉由加熱使前述微細孔粒子彼此行化學結合，而形成前述聚矽氧多孔體。前述光照射之光照射量(能量)並無特別限定，在＠360nm換算下譬如為200mJ/cm2 ~800mJ/cm2 、250mJ/cm2 ~600mJ/cm2 或300mJ/cm2 ~400mJ/cm2 。若從為了防止因照射量不足使利用觸媒產生劑之光吸收的分解無法進展而效果不彰的觀點來看，以200mJ/cm2 以上之累積光量為佳。又，基於防止低折射率層下之基材受損傷產生熱皺痕的觀點，以800mJ/cm2 以下之累積光量為宜。前述光照射的光波長並無特別限定，譬如為200nm~500nm、300nm~450nm。前述光照射的光照射時間並無特別限定，譬如為0.1分鐘~30分鐘、0.2分鐘~10分鐘、0.3分鐘~3分鐘。前述加熱處理之條件無特別限制，前述加熱溫度例如為50℃~250℃、60℃~150℃、70℃~130℃，前述加熱時間則例如為0.1分鐘~30分鐘、0.2分鐘~10分鐘、0.3分鐘~3分鐘。此外，關於可使用的溶劑，例如當為了抑制乾燥時隨溶劑揮發而產生的收縮應力及隨之而來的低折射率層之裂痕現象時，以低表面張力的溶劑為佳。可舉如以異丙醇(IPA)為代表的低級醇、己烷、全氟己烷等，惟不限於該等。
前述矽化合物(二氧化矽系化合物)舉例而言可為SiO2 (矽酸酐)；含有SiO2 與選自於由Na2 O-B2 O3 (硼矽酸)、Al2 O3 (氧化鋁)、B2 O3 、TiO2 、ZrO2 、SnO2 、Ce2 O3 、P2 O5 、Sb2 O3 、MoO3 、ZnO2 、WO3 、TiO2 -Al2 O3 、TiO2 -ZrO2 、In2 O3 -SnO2 及Sb2 O3 -SnO2 所構成群組中之至少一種化合物的化合物(上述「-」表示其為複合氧化物)。
低折射率層可由水解性矽烷類來形成，而前述水解性矽烷類可舉例如含有亦可具有取代基(例如氟)之烷基的水解性矽烷類。上述水解性矽烷類以及其部分水解物及脫水縮合物宜為烷氧基矽烷及倍半矽氧烷。
烷氧基矽烷可為單體，亦可為寡聚物。烷氧基矽烷單體宜具有3個以上烷氧基。烷氧基矽烷單體可舉例如甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四丁氧基矽烷、四丙氧基矽烷、二乙氧基二甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷及二甲基二乙氧基矽烷。烷氧基矽烷寡聚物宜為透過上述單體之水解及聚縮合所獲得之聚縮合物。上述材料藉由使用烷氧基矽烷，可獲得具有優異均勻性之低折射率層。
倍半矽氧烷為以通式RSiO1.5 (惟，R表示有基官能基)表示之網狀聚矽氧烷的總稱。R可舉例如烷基(可為直鏈亦可為支鏈且碳數為1~6)、苯基及烷氧基(例如甲氧基及乙氧基)。倍半矽氧烷之構造可舉例如梯子型及籠型。上述材料藉由使用倍半矽氧烷，可獲得具有優異均勻性、耐候性、透明性及硬度之低折射率層。
上述多孔質層所含上述粒子可採用任意且適當的粒子。上述粒子代表上由二氧化矽系化合物構成。
上述粒子的平均粒徑例如為5nm~200nm，且宜為10nm~200nm。藉由具有上述構成，可獲得折射率夠低之低折射率層，並且可維持低折射率層之透明性。另，在本說明書中，平均粒徑意指從氮吸附法(BET法)測得之比表面積(m2 /g)，透過平均粒徑=(2720/比表面積)之式所賦予之值(參照日本專利特開平1-317115號)。
在一實施形態中，低折射率層可將包含上述材料之塗敷液塗敷於反射型偏光件(或形成於反射型偏光件上之偏光件)之表面並使其乾燥，藉此來形成。在另一實施形態中，低折射率層可將包含上述材料之塗敷液塗敷於任意適當之基材上，並使其乾燥後，透過任意適當之接著層來轉印至反射型偏光件(或偏光件)，藉此來形成。此外，低折射率層以黏著劑構成時，可省略接著層。
E.保護薄膜 保護薄膜係由可作為用以保護偏光件之薄膜來使用的任意適當之薄膜來形成。作為該薄膜之主成分的材料之具體例，可舉出三乙醯纖維素(TAC)等之纖維素樹脂、聚脂系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降莰烯系、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系及乙酸酯系等之透明樹脂等。又，亦可舉出(甲基)丙烯酸系、胺甲酸乙酯系、(甲基)丙烯酸胺甲酸乙酯系、環氧系、聚矽氧系等熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。其他亦可舉出例如矽氧烷系聚合物等之玻璃質系聚合物。並且，亦可使用日本專利特開2001-343529號公報(WO01/37007)所記載之聚合物薄膜。作為該薄膜之材料，例如可以使用含有在側鏈具有取代或非取代之醯亞胺基的熱可塑性樹脂與在側鏈具有取代或非取代之苯基以及腈基的熱可塑性樹脂之樹脂組成物，且例如可舉出具有由異丁烯與N-甲基馬來醯亞胺構成之交替共聚物及丙烯腈-苯乙烯共聚物之樹脂組成物。該聚合物薄膜例如可為上述樹脂組成物之擠製成形物。
保護薄膜的厚度宜為10μm~100μm。保護薄膜可透過接著層(具體而言為接著劑層、黏著劑層)積層於偏光件，亦可與偏光件密著(不透過接著層)而積層。接著劑層可以任意且適當的接著劑形成。接著劑可舉例如以聚乙烯醇系樹脂為主成分之水溶性接著劑。以聚乙烯醇系樹脂為主成分之水溶性接著劑較佳可進一步含有金屬化合物膠體。金屬化合物膠體可為金屬化合物微粒子分散於分散媒中者，亦可為因微粒子之同種電荷互相排斥而靜電性穩定化從而具有永續穩定性者。形成金屬化合物膠體之微粒子的平均粒徑只要不對偏光特性等光學特性造成不良影響，即可為任意適當之值。較宜為1nm~100nm，更宜為1nm~50nm。其係因可使微粒子均勻分散於接著劑層中，並確保接著性，且可抑制裂點(knick)之故。另，所謂「裂點」意指於偏光件與保護薄膜之界面產生之局部性的凹凸缺陷。黏著劑層係以任意且適當之黏著劑構成。
F.影像顯示裝置 上述A項至F項所記載之光學構件可用於液晶顯示裝置等影像顯示裝置。具體而言，上述光學構件可作為配置於液晶顯示裝置之液晶單元的背面側之偏光板，以使反射型偏光件朝背面側而貼合於液晶單元來使用。因此，本發明包含使用了上述光學構件之影像顯示裝置。本發明之實施形態之影像顯示裝置係具備上述A項至F項所記載之光學構件。 實施例
以下，以實施例來具體說明本發明，惟本發明不受該等實施例限定。實施例中之試驗及評估方法如下。又，只要無特別註記，實施例中之「份」及「%」即為重量基準。 (1)折射率及膜厚之測定方法 使用橢圓偏光儀(製品名「Woollam M2000」，J.A. Woollam股份有限公司製)進行反射測定，藉此求得折射率及膜厚。 (2)液晶顯示裝置之顯示特性 使液晶顯示裝置成為整個畫面白顯示，以錐光鏡(AUTRONIC MELCHERS股份有限公司製)測定了正面輝度(白亮度)(單位：cd/m2 )。接著，使液晶顯示裝置成為整個畫面黑顯示，以錐光鏡(AUTRONIC MELCHERS股份有限公司製)測定了正面輝度(黑亮度)(單位：cd/m2 )。算出(白亮度/黑亮度)之值，將其作為正面對比。
＜製造例1＞ (偏光件之製作) 準備長條狀非晶質聚對苯二甲酸乙二酯(A-PET)薄膜(三菱樹脂公司製，商品名「NOVACLEAR」，厚度：100μm)作為基材，並將聚乙烯醇(PVA)樹脂(日本合成化學工業公司製，商品名「GOHSENOL(註冊商標)NH-26」)之水溶液在60℃下塗佈於上述基材之單面並使其乾燥，而於基材上形成PVA系樹脂層後，將此積層體浸漬於液溫30℃之不溶解浴中30秒鐘(不溶解步驟)。然後，浸漬於液溫30℃之染色浴中60秒鐘(染色步驟)。然後，浸漬於液溫30℃之交聯浴中30秒鐘(交聯步驟)。之後，將積層體一邊浸漬於液溫60℃之硼酸水溶液，一邊在周速相異的輥間沿縱方向(長邊方向)進行單軸延伸。在硼酸水溶液中的浸漬時間為120秒，且將積層體延伸直至將要破裂之前。之後，將積層體浸漬於洗淨浴之後，以60℃的溫風使其乾燥(洗淨、乾燥步驟)。經由所述程序，製得了於基材上形成有厚度5μm之偏光件(單體透射率：38.1%，偏光度：99.99%)的積層體。
＜製造例2＞ (低折射率塗敷液之調整) 於經將矽化合物的前驅物即甲基三甲氧基矽烷(MTMS)0.95g溶解於二甲亞碸(DMSO)2.2g中而製成之混合液中，添加0.01mol/L之草酸水溶液0.5g，並在室溫下攪拌30分鐘，藉此水解MTMS，而生成了參(羥)甲基矽烷。之後，於DMSO 5.5g添加28%濃度之氨水0.38g及純水0.2g後，再添加上述經水解處理過之混合液，並在室溫下攪拌15分鐘進行參(羥)甲基矽烷之膠化而獲得膠狀矽化合物。將經上述膠化處理過之混合液直接在40℃下培育20小時，進行熟成處理。接著，用刮勺將經上述熟成處理過之膠狀矽化合物碾碎成數mm~數cm尺寸的顆粒狀。並於其中依序適當添加作為置換溶劑之水、異丙醇(IPA)、異丁醇(IBA)且各為凝膠體積之4倍量，於室溫下各靜置4小時，使凝膠中的溶劑最後置換完成為IBA。此時，各分別實施3次在各溶劑中之置換步驟。接著，將上述混合液中之膠狀矽化合物予以粉碎處理。粉碎處理係使用均質機(商品名「UH-50」，SMT公司製)，於5cm3 之旋蓋瓶中秤量凝膠1.85g、IBA 1.14g之後，以50W、20kHz之條件進行粉碎2分鐘。藉由上述粉碎處理使上述混合液中之膠狀矽化合物粉碎，從而使上述混合液成為粉碎物之溶膠液。於此粉碎液3g中添加混合光鹼引發劑(WPNG-266：Wako)1.5%濃度MIBK溶液0.36g與交聯輔助劑之雙(三甲氧矽基)乙烷(TCI)之5%濃度MIBK溶液0.11g，而製成了低折射率層塗敷液。
＜實施例1＞ 1.光學構件之製作 將在製造例1所製得之積層體的偏光件側之面，透過黏著劑貼合於反射型偏光件(3M公司製，製品名「DBEF」)。 接著，將基材從上述積層體之偏光件上剝離，並將在製造例2中所製得之低折射率塗敷液塗敷於剝離面，在80℃下使其乾燥20秒鐘後，進行300mJ/cm2 之UV照射，而於偏光件之表面形成低折射率層，藉此製得了具有反射型偏光件/偏光件/低折射率層之構造的光學構件。上述低折射層之厚度為800nm，空隙率為59%，折射率為1.16。 2.液晶顯示裝置之製作 從IPS模式之液晶顯示裝置(Apple股份有限公司製，商品名「iPad(註冊商標)2」)取出液晶面板，並從該液晶面板移除了下側(背面側)之偏光板。 接著，作為下側之偏光板的代替品，係將上述所製得之光學構件的低折射率層側之面，透過丙烯酸系光學黏著劑(12μm)貼附於液晶單元之下側。此時，係貼附成光學構件之偏光件的吸收軸與視辨側之偏光板的偏光件之吸收軸呈正交。 將具有上述光學構件之液晶面板作為下側之偏光板裝置於液晶顯示裝置，藉此製得了本實施例之液晶顯示裝置。將上述液晶顯示裝置供於亮度及對比之評估。結果列於表1。
＜實施例2＞ 將在製造例2所製得之低折射率塗敷液塗敷於反射型偏光件(3M公司製，製品名「DBEF」)之表面，並在80℃下使其乾燥20秒鐘後，進行300mJ/cm2 之UV照射，而於反射型偏光件之表面形成低折射率層。上述低折射層之厚度為800nm，空隙率為59%，折射率為1.16。 接著，將在製造例1所製得之積層體的偏光件側之面，透過黏著劑貼合於低折射率層之與反射型偏光件相反之側。接著，將基材從上述積層體之偏光件上剝離，藉此製得了具有反射型偏光件/低折射率層/偏光件之構造的光學構件。 將上述所製得之光學構件的偏光件側之面貼附於液晶單元之下側，除此之外依與實施例1相同方式，而製得了液晶顯示裝置。將上述液晶顯示裝置供於亮度及對比之評估。結果列於表1。
＜實施例3＞ 透過UV硬化型接著劑將丙烯酸系保護薄膜(厚度40μm)貼合於在製造例1所製得之積層體的偏光件側之面，並將基材從上述積層體之偏光件側剝離。 接著，將在製造例2所製得之低折射率塗敷液塗敷於丙烯酸系保護薄膜面，並在80℃下使其乾燥20秒鐘後，進行300mJ/cm2 之UV照射，而於丙烯酸系保護薄膜之表面形成低折射率層。接著，透過丙烯酸系光學黏著劑(12μm)，將反射型偏光件(3M公司製，製品名「DBEF」)貼合於偏光件之表面，藉此製得了具有反射型偏光件/偏光件/丙烯酸系保護薄膜/低折射率層之構造的光學構件。 將上述所製得之光學構件的低折射率層側之面貼附於液晶單元之下側，除此之外依與實施例1相同方式，而製得了液晶顯示裝置。將上述液晶顯示裝置供於亮度及對比之評估。結果列於表1。
＜比較例1＞ 除了未形成低折射率層外，依與實施例1相同方式而製得了具有反射型偏光件/偏光件之構造的光學構件。 將上述所製得之光學構件的偏光件側之面貼附於液晶單元之下側，除此之外依與實施例1相同方式，而製得了液晶顯示裝置。將上述液晶顯示裝置供於亮度及對比之評估。結果列於表1。
[表1]
由表1可明顯得知，相較於比較例之液晶顯示裝置，實施例1~3之液晶顯示裝置之對比較高。
產業上之可利用性 本發明之光學構件可適宜使用在液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置等影像顯示裝置。
10‧‧‧偏光件
20‧‧‧反射型偏光件
30‧‧‧低折射率層
100、101‧‧‧光學構件
R‧‧‧反射層
圖1為本發明之一實施形態之偏光板的截面圖。 圖2為本發明之另一實施形態之光學構件的截面圖。 圖3為顯示可用在本發明實施形態中之反射型偏光件之一例的概略立體圖。

Claims (9)

  1. 一種光學構件，具有：偏光件、反射型偏光件、與折射率為1.25以下之低折射率層，且 前述低折射率層係積層於前述偏光件之至少單側。
  2. 如請求項1之光學構件，其中前述反射型偏光件、前述偏光件與前述低折射率層係依序一體化而成。
  3. 如請求項2之光學構件，其更具有黏著層，該黏著層係配置於前述低折射率層之與前述偏光件相反之側。
  4. 如請求項1之光學構件，其中前述反射型偏光件、前述低折射率層與前述偏光件係依序一體化而成。
  5. 如請求項4之光學構件，其更具有保護薄膜，該保護薄膜係配置於前述偏光件之與前述低折射率層相反之側。
  6. 如請求項1至5中任一項之光學構件，其中前述低折射率層之空隙率為35%以上，且 前述低折射率層之厚度較前述偏光件之厚度更薄。
  7. 如請求項1至6中任一項之光學構件，其中前述反射型偏光件之反射軸與前述偏光件之吸收軸構成之角度為-5°~5°。
  8. 一種影像顯示裝置，具有如請求項1至7中任一項之光學構件。
  9. 一種光學構件之製造方法，係製造如請求項1至7中任一項之光學構件之方法，且該方法包含： 將低折射率塗敷液塗敷於前述偏光件或前述反射型偏光件之表面並使其乾燥，藉此形成前述低折射率層；或者， 將低折射率塗敷液塗敷於基材表面並使其乾燥藉此於前述基材上形成前述低折射率層，並將形成於前述基材上之前述低折射率層轉印至前述偏光件或前述反射型偏光件之表面。
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