TW201907519A - 記憶體結構及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種記憶體結構，包括基底、記憶胞結構與保護層結構。記憶胞結構設置在基底上，且具有相對的第一側與第二側。保護層結構覆蓋記憶胞結構。保護層結構的材料為氮化物。保護層結構為連續結構。鄰近於記憶胞結構的第二側的保護層結構的高度高於鄰近於記憶胞結構的第一側的保護層結構的高度。

Description

記憶體結構及其製造方法

本發明是有關於一種半導體結構及其製造方法，且特別是有關於一種記憶體結構及其製造方法。

對於記憶體元件(如，快閃記憶體)而言，資料的保存為其最重要的特性之一，因此如何提升記憶體元件的可靠度一直以來為業界所探討的方向。

然而，傳統製程利用蝕刻製程定義接觸窗時，時常造成記憶胞頂部側角的損傷，而影響介電層對於記憶胞的包覆性，導致信賴性問題。此外，在用以包覆記憶胞結構的氮化物層的包覆性不佳的情況下，將會造成氮化物層不連續，而在氮化物層中形成裂口(breach)，因此會導致高溫資料保存能力下滑，進而使得記憶體元件的可靠度不佳且會造成良率的損失。

本發明提供一種記憶體結構及其製造方法，其可具有較佳的高溫資料保存能力。

本發明提出一種記憶體結構，包括基底、記憶胞結構與保護層結構。記憶胞結構設置在基底上，且具有相對的第一側與第二側。保護層結構覆蓋記憶胞結構。保護層結構的材料為氮化物。保護層結構為連續結構。鄰近於記憶胞結構的第二側的保護層結構的高度高於鄰近於記憶胞結構的第一側的保護層結構的高度。

本發明提出一種記憶體結構的製造方法，包括以下步驟。在基底上形成記憶胞結構。記憶胞結構具有相對的第一側與第二側。形成覆蓋記憶胞結構的保護層結構。保護層結構的材料為氮化物。保護層結構為連續結構。鄰近於記憶胞結構的第二側的保護層結構的高度高於鄰近於記憶胞結構的第一側的保護層結構的高度。

基於上述，在本發明所提出的記憶體結構及其製造方法中，保護層結構的材料為氮化物，保護層結構為連續結構，且鄰近於記憶胞結構的第二側的保護層結構的高度高於鄰近於記憶胞結構的第一側的保護層結構的高度。因此，保護層結構對於記憶胞結構具有較佳的包覆性，進而可使得記憶體結構具有較佳的高溫資料保存能力，藉此能夠提升記憶體結構的可靠度與良率。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

請參照圖1A，在基底100上形成記憶胞結構102。記憶胞結構102具有相對的第一側S1與第二側S2。舉例來說，第一側S1可為汲極側，且第二側S2可為源極側，但本發明並不以此為限。

記憶胞結構102可包括第一介電層104、電荷儲存結構106、第二介電層108與第一導體層110。第一介電層104設置在基底100上。

電荷儲存結構106設置在第一介電層104上。電荷儲存結構106可為浮置閘極。

第二介電層108設置在電荷儲存結構106上。第二介電層108的材料可為單層結構或多層結構。

第一導體層110設置在第二介電層108上。第一導體層110可用以作為控制閘極。

此外，記憶胞結構102更可包括金屬矽化物層112、第一頂蓋層114與第二頂蓋層116中的至少一層。金屬矽化物層112設置在第一導體層110上。金屬矽化物層112的材料例如是矽化鎳或矽化鈷。金屬矽化物層112的形成方法例如是進行自對準金屬矽化物製程。第一頂蓋層114設置在金屬矽化物層112上。第一頂蓋層114的材料例如是氮化物，如氮化矽。第一頂蓋層114的形成方法例如是化學氣相沉積法。第二頂蓋層116設置在第一頂蓋層114上。第二頂蓋層116的材料例如是氧化物，如由四乙氧基矽烷(TEOS)作為反應氣體所形成的氧化矽。第二頂蓋層116的形成方法例如是化學氣相沉積法。

在記憶胞結構102的第一側S1的側壁上與記憶胞結構102的第二側S2的側壁上的可形成第一間隙壁118。第一間隙壁118的材料例如是氮化物，如氮化矽。此外，在第一間隙壁118與記憶胞結構102之間更可選擇性地形成第二間隙壁120。第二間隙壁120的材料例如是氧化物，如氧化矽。第二間隙壁120與第一間隙壁118的形成方法例如是先依序形成共形的第二間隙壁材料層(未示出)與第一間隙壁材料層(未示出)，再對第二間隙壁材料層與第一間隙壁材料層進行回蝕刻製程。回蝕刻製程例如是乾式蝕刻製程。

接著，可形成覆蓋記憶胞結構102與第一間隙壁118的第三介電層122。第三介電層122的材料例如是氧化物，如由四乙氧基矽烷(TEOS)作為反應氣體所形成的氧化矽。第三介電層122的形成方法例如是化學氣相沉積法。

然後，可在第三介電層122上形成犧牲材料層124，且犧牲材料層124填入位於記憶胞結構102的第二側S2的第一開口126。犧牲材料層124的材料例如是多晶矽。

接下來，可在犧牲材料層124上形成圖案化硬罩幕層128。圖案化硬罩幕層128的材料例如是氮化物，如氮化矽。

請參照圖1B，可利用圖案化硬罩幕層128作為罩幕，移除部分犧牲材料層124，而形成填入位於記憶胞結構102的第二側S2的第一開口126的犧牲層124a。犧牲層124a覆蓋位於記憶胞結構102的鄰近於第二側S2的頂面上的第三介電層122。在此實施例中，在形成犧牲層124a之後，圖案化硬罩幕層128可殘留於犧牲層124a上，但本發明並不以此為限。

請參照圖1C，可移除部分第三介電層122，而暴露出位於記憶胞結構102的第一側S1的第一間隙壁118且暴露出位於記憶胞結構102的第二側S2的第一間隙壁118的頂部。部分第三介電層122的移除方法例如是SiCoNi蝕刻法或濕式蝕刻法。在移除部分第三介電層122的過程中，可能會同時移除部分第二頂蓋層116。在此實施例中，是以完全移除第二頂蓋層116來進行說明。在另一實施例中，亦可留下部分第二頂蓋層116。

請參照圖1D，可在記憶胞結構102上、犧牲層124a上與圖案化硬罩幕層128上共形地形成襯層130。襯層130連接於第一間隙壁118。襯層130的材料例如是氮化物，如氮化矽。襯層130的形成方法例如是化學氣相沉積法。

請參照圖1E，可形成覆蓋襯層130的第四介電層132。第四介電層132的材料例如是氧化物，如硼磷矽玻璃(BPSG)。第四介電層132的形成方法例如是化學氣相沉積法。

請參照圖1F，可移除部分第四介電層132、圖案化硬罩幕層128與部分襯層130，以暴露出犧牲層124a的頂面，其中未被移除的襯層130形成保護層130a。保護層130a與第一間隙壁118連接而形成保護層結構134。部分第四介電層132與部分襯層130的移除方法例如是化學機械研磨法。

藉此，可形成覆蓋記憶胞結構102的頂面、第一側S1的側壁與第二側S2的側壁的保護層結構134。保護層結構134的材料為氮化物。保護層結構134為連續結構。在此實施例中，「連續結構」是指保護層結構134所包含的各構件(如，保護層130a與第一間隙壁118)之間的連接關係為直接連接而形成連續膜層。鄰近於記憶胞結構102的第二側S2的保護層結構134的高度H2高於鄰近於記憶胞結構102的第一側S1的保護層結構134的高度H1。藉此，可使得鄰近於記憶胞結構102的第二側S2的保護層結構134具有較厚的厚度。鄰近於記憶胞結構102的第二側S2的部分保護層130a可具有凹口136，且凹口136朝向記憶胞結構102的第一側S1。

請參照圖1G，可移除犧牲層124a，而在第四介電層132中形成第二開口138。犧牲層124a的移除方法例如是乾式蝕刻法。

接著，可移除由第二開口138所暴露且位於基底100上的第三介電層122與第一介電層104。部分第三介電層122與部分第一介電層104的移除方法例如是乾式蝕刻法。

然後，可在第二開口138中形成第二導體層140。第二導體層140的材料例如是金屬，如鎢。第二導體層140的形成方法例如是金屬鑲嵌法或組合使用沉積製程與蝕刻製程。此外，在第二導體層140與基底100之間可選擇性地形成阻障層(未示出)。阻障層的材料可為Ti、TiN或其組合。

基於上述實施例可知，在上述記憶體結構142的製造方法中，保護層結構134的材料為氮化物，保護層結構134為連續結構，且鄰近於記憶胞結構102的第二側S2的保護層結構134的高度H2高於鄰近於記憶胞結構102的第一側S1的保護層結構134的高度H1。因此，保護層結構134對於記憶胞結構102具有較佳的包覆性，進而可使得記憶體結構142具有較佳的高溫資料保存能力，藉此能夠提升記憶體結構142的可靠度與良率。

以下，藉由圖1G來說明上述實施例的記憶體結構142。

請參照圖1G，記憶體結構142包括基底100、記憶胞結構102與保護層結構134。此外，記憶體結構142更可包括第一間隙壁118、第二間隙壁120、第三介電層122、第四介電層132與第二導體層140中的至少一者。記憶胞結構102設置在基底100上，且具有相對的第一側S1與第二側S2。保護層結構134覆蓋記憶胞結構102。保護層結構134的材料為氮化物。保護層結構134為連續結構。鄰近於記憶胞結構102的第二側S2的保護層結構134的高度H2高於鄰近於記憶胞結構102的第一側S1的保護層結構134的高度H1。保護層結構134可包括保護層130a與第一間隙壁118。保護層130a設置在記憶胞結構102的頂面上與記憶胞結構102的第一側S1的第一間隙壁118上。第一間隙壁118設置在記憶胞結構102的第一側S1的側壁上與記憶胞結構102的第二側S2的側壁上，且連接於保護層130a。鄰近於記憶胞結構102的第二側S2的部分保護層130a可具有凹口136，且凹口136朝向記憶胞結構102的第一側S1。第二間隙壁120設置在第一間隙壁118與記憶胞結構102之間。第三介電層122覆蓋位於記憶胞結構102的第二側S2的第一間隙壁118。第四介電層132覆蓋記憶胞結構102，且具有第二開口138。第二開口138暴露出位於記憶胞結構102的第二側S2的基底100。第二導體層140填入第二開口138中。此外，記憶體結構142的各構件的材料、特性、形成方法與配置方式已於上述實施例中進行詳盡地說明，於此不再重複說明。

圖2A至圖2G與圖1B中相似的構件使用相同的符號表示並省略其說明。

請參照圖2A，可在第三介電層122上、犧牲層124a上與圖案化硬罩幕層128上共形地形成襯層200。襯層200的材料例如是氮化物，如氮化矽。襯層200的形成方法例如是化學氣相沉積法。

請參照圖2B，可形成覆蓋襯層200的第四介電層202。第四介電層202的材料例如是氧化物，如硼磷矽玻璃(BPSG)。第四介電層202的形成方法例如是化學氣相沉積法。

請參照圖2C，可移除部分第四介電層202、圖案化硬罩幕層128與部分襯層200，以暴露出犧牲層124a的頂面，其中未被移除的襯層200形成第一保護層200a。部分第四介電層202與部分襯層200的移除方法例如是化學機械研磨法。

請參照圖2D，可移除部分犧牲層124a，直到暴露出位於記憶胞結構102的鄰近於第二側S2的頂面上的第三介電層122。在另一實施例中，在沒有形成第三介電層122的情況下，可移除部分犧牲層124a，直到暴露出記憶胞結構102的鄰近於第二側S2的頂面。部分犧牲層124a的移除方法例如是乾式蝕刻法。

接著，可在第四介電層202上、第一保護層200a上、第三介電層122上與犧牲層124a上共形地形成第二保護材料層204。第二保護材料層204的材料例如是氮化物，如氮化矽。第二保護材料層204的形成方法例如是化學氣相沉積法。

請參照圖2E，可對第二保護材料層204進行回蝕刻製程，而在記憶胞結構102的鄰近於第二側S2的頂面上形成第二保護層204a，其中第二保護層204a連接於第一保護層200a。回蝕刻製程例如是乾式蝕刻製程。

接著，可移除犧牲層124a，而在第四介電層202中形成第二開口206。犧牲層124a的移除方法例如是乾式蝕刻法。

請參照圖2F，在第四介電層202上、第一保護層200a上、第二保護層204a上與第三介電層122上共形地形成第三保護材料層208。第三保護材料層208的材料例如是氮化物，如氮化矽。第三保護材料層208的形成方法例如是化學氣相沉積法。

請參照圖2G，對第三保護材料層208進行回蝕刻製程，而在記憶胞結構102的第二側S2的側壁上與第二保護層204a上形成第三保護層208a。第三保護層208a連接於第二保護層204a。回蝕刻製程例如是乾式蝕刻製程。

藉此，可由第一保護層200a、第二保護層204a與第三保護層208a形成覆蓋記憶胞結構102的保護層結構210。詳細而言，保護層結構210可覆蓋記憶胞結構102的頂面、第一側S1的側壁與第二側S2的側壁。保護層結構210的材料為氮化物。保護層結構210為連續結構。在此實施例中，「連續結構」是指保護層結構210所包含的各構件(如，第一保護層200a、第二保護層204a與第三保護層208a)之間的連接關係為直接連接而形成連續膜層。鄰近於記憶胞結構102的第二側S2的保護層結構210的高度H4高於鄰近於記憶胞結構102的第一側S1的保護層結構210的高度H3。藉此，可使得鄰近於記憶胞結構102的第二側S2的保護層結構210具有較厚的厚度。

接著，可移除由第二開口206所暴露且位於基底100上的第三介電層122與第一介電層104。部分第三介電層122與部分第一介電層104的移除方法例如是乾式蝕刻法。

然後，可在第二開口206中形成第二導體層212。第二導體層212的材料例如是金屬，如鎢。第二導體層212的形成方法例如是金屬鑲嵌法或組合使用沉積製程與蝕刻製程。此外，在第二導體層212與基底100之間可選擇性地形成阻障層(未示出)。阻障層的材料可為Ti、TiN或其組合。

基於上述實施例可知，在上述記憶體結構214的製造方法中，保護層結構210的材料為氮化物，保護層結構210為連續結構，且鄰近於記憶胞結構102的第二側S2的保護層結構210的高度H4高於鄰近於記憶胞結構102的第一側S1的保護層結構210的高度H3。因此，保護層結構210對於記憶胞結構102具有較佳的包覆性，進而可使得記憶體結構214具有較佳的高溫資料保存能力，藉此能夠提升記憶體結構214的可靠度與良率。

以下，藉由圖2G來說明上述實施例的記憶體結構214。

請參照圖1G，記憶體結構214包括基底100、記憶胞結構102與保護層結構210。此外，記憶體結構214更可包括第一間隙壁118、第二間隙壁120、第三介電層122、第四介電層202與第二導體層212中的至少一者。記憶胞結構102設置在基底100上，且具有相對的第一側S1與第二側S2。保護層結構210覆蓋記憶胞結構102。保護層結構210的材料為氮化物。保護層結構210為連續結構。鄰近於記憶胞結構102的第二側S2的保護層結構210的高度H4高於鄰近於記憶胞結構102的第一側S1的保護層結構210的高度H3。保護層結構210包括第一保護層200a、第二保護層204a與第三保護層208a。第一保護層200a設置在記憶胞結構102的頂面上與記憶胞結構102的第一側S1的側壁上。第二保護層204a設置在記憶胞結構102的鄰近於第二側S2的頂面上，且連接於第一保護層200a。第三保護層208a設置在記憶胞結構102的第二側S2的側壁上與第二保護層204a上，且連接於第二保護層204a。第一間隙壁118設置在記憶胞結構102的第一側S1的側壁上與記憶胞結構102的第二側S2的側壁上。第二間隙壁120設置在第一間隙壁118與記憶胞結構102之間。第三介電層122覆蓋位於記憶胞結構102的第二側S2的第一間隙壁118，且更可覆蓋記憶胞結構102的頂面與位於記憶胞結構102的第一側S1的第一間隙壁118。第四介電層202覆蓋記憶胞結構102，且具有第二開口206。第二開口206暴露出位於記憶胞結構102的第二側S2的基底100。第二導體層212填入第二開口206中。此外，記憶體結構214的各構件的材料、特性、形成方法與配置方式已於上述實施例中進行詳盡地說明，於此不再重複說明。

綜上所述，在上述實施例的記憶體結構及其製造方法中，保護層結構的材料為氮化物，保護層結構為連續結構，且鄰近於記憶胞結構的第二側的保護層結構的高度高於鄰近於記憶胞結構的第一側的保護層結構的高度。因此，保護層結構對於記憶胞結構具有較佳的包覆性，進而可使得記憶體結構具有較佳的高溫資料保存能力，藉此能夠提升記憶體結構的可靠度與良率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧基底

102‧‧‧記憶胞結構

104‧‧‧第一介電層

106‧‧‧電荷儲存結構

108‧‧‧第二介電層

110‧‧‧第一導體層

112‧‧‧金屬矽化物層

114‧‧‧第一頂蓋層

116‧‧‧第二頂蓋層

118‧‧‧第一間隙壁

120‧‧‧第二間隙壁

122‧‧‧第三介電層

124‧‧‧犧牲材料層

124a‧‧‧犧牲層

126‧‧‧第一開口

128‧‧‧圖案化硬罩幕層

130、200‧‧‧襯層

130a‧‧‧保護層

132、202‧‧‧第四介電層

134、210‧‧‧保護層結構

136‧‧‧凹口

138、206‧‧‧第二開口

140、212‧‧‧第二導體層

142、214‧‧‧記憶體結構

200a‧‧‧第一保護層

204‧‧‧第二保護材料層

204a‧‧‧第二保護層

208‧‧‧第三保護材料層

208a‧‧‧第三保護層

H1、H2、H3、H4‧‧‧高度

S1‧‧‧第一側

S2‧‧‧第二側

圖1A至圖1G為本發明一實施例的記憶體結構的製造流程剖面圖。 圖2A至圖2G為本發明另一實施例在接續圖1B的步驟之後的記憶體結構的製造流程剖面圖。

Claims (19)

1. 一種記憶體結構，包括： 基底； 記憶胞結構，設置在所述基底上，且具有相對的第一側與第二側；以及 保護層結構，覆蓋所述記憶胞結構，其中 所述保護層結構的材料為氮化物， 所述保護層結構為連續結構，且 鄰近於所述記憶胞結構的所述第二側的所述保護層結構的高度高於鄰近於所述記憶胞結構的所述第一側的所述保護層結構的高度。
2. 如申請專利範圍第1項所述的記憶體結構，其中所述記憶胞結構包括： 第一介電層，設置在所述基底上； 電荷儲存結構，設置在所述第一介電層上； 第二介電層，設置在所述電荷儲存結構上；以及 第一導體層，設置在所述第二介電層上。
3. 如申請專利範圍第2項所述的記憶體結構，其中所述記憶胞結構更包括： 金屬矽化物層，設置在所述第一導體層上； 第一頂蓋層，設置在所述第一導體層上；以及 第二頂蓋層，設置在所述第一頂蓋層上。
4. 如申請專利範圍第1項所述的記憶體結構，其中所述保護層結構包括第一間隙壁，設置在所述記憶胞結構的所述第一側的側壁上與所述記憶胞結構的所述第二側的側壁上。
5. 如申請專利範圍第4項所述的記憶體結構，更包括第二間隙壁，設置在所述第一間隙壁與所述記憶胞結構之間。
6. 如申請專利範圍第4項所述的記憶體結構，更包括第三介電層，覆蓋位於所述記憶胞結構的所述第二側的所述第一間隙壁。
7. 如申請專利範圍第6項所述的記憶體結構，其中所述第三介電層更覆蓋所述記憶胞結構的頂面與位於所述記憶胞結構的所述第一側的所述第一間隙壁。
8. 如申請專利範圍第4項所述的記憶體結構，其中所述保護層結構更包括保護層，設置在所述記憶胞結構的頂面上與所述記憶胞結構的所述第一側的所述第一間隙壁上，且連接於所述第一間隙壁。
9. 如申請專利範圍第8項所述的記憶體結構，其中鄰近於所述記憶胞結構的所述第二側的部分所述保護層具有凹口，且所述凹口朝向所述記憶胞結構的所述第一側。
10. 如申請專利範圍第1項所述的記憶體結構，其中所述保護層結構包括： 第一保護層，設置在所述記憶胞結構的頂面上與所述記憶胞結構的所述第一側的側壁上； 第二保護層，設置在所述記憶胞結構的鄰近於所述第二側的頂面上，且連接於所述第一保護層；以及 第三保護層，設置在所述記憶胞結構的所述第二側的側壁上與所述第二保護層上，且連接於所述第二保護層。
11. 如申請專利範圍第1項所述的記憶體結構，更包括： 第四介電層，覆蓋所述記憶胞結構，且具有開口，其中所述開口暴露出位於所述記憶胞結構的所述第二側的所述基底；以及 第二導體層，填入所述開口中。
12. 一種記憶體結構的製造方法，包括： 在基底上形成記憶胞結構，其中所述記憶胞結構具有相對的第一側與第二側；以及 形成覆蓋所述記憶胞結構的保護層結構，其中 所述保護層結構的材料為氮化物， 所述保護層結構為連續結構，且 鄰近於所述記憶胞結構的所述第二側的所述保護層結構的高度高於鄰近於所述記憶胞結構的所述第一側的所述保護層結構的高度。
13. 如申請專利範圍第12項所述的記憶體結構的製造方法，其中所述保護層結構的形成方法包括： 在所述記憶胞結構的所述第一側的側壁上與所述記憶胞結構的所述第二側的側壁上形成第一間隙壁； 形成覆蓋所述記憶胞結構與所述第一間隙壁的第三介電層； 形成填入位於所述記憶胞結構的所述第二側的第一開口的犧牲層，其中所述犧牲層覆蓋位於所述記憶胞結構的鄰近於所述第二側的頂面上的所述第三介電層； 移除部分所述第三介電層，而暴露出位於所述記憶胞結構的所述第一側的所述第一間隙壁且暴露出位於所述記憶胞結構的所述第二側的所述第一間隙壁的頂部； 在所述記憶胞結構上與所述犧牲層上共形地形成襯層，其中所述襯層連接於所述第一間隙壁； 形成覆蓋所述襯層的第四介電層；以及 移除部分所述第四介電層與部分所述襯層，以暴露出所述犧牲層的頂面，其中未被移除的所述襯層形成保護層，且所述保護層與所述第一間隙壁連接而形成所述保護層結構。
14. 如申請專利範圍第13項所述的記憶體結構的製造方法，更包括： 移除所述犧牲層，而在所述第四介電層中形成第二開口； 移除由所述第二開口所暴露且位於所述基底上的所述第三介電層；以及 在所述第二開口中形成第二導體層。
15. 如申請專利範圍第12項所述的記憶體結構的製造方法，其中所述保護層結構的形成方法包括： 形成填入位於所述記憶胞結構的所述第二側的第一開口的犧牲層，其中所述犧牲層覆蓋所述記憶胞結構的鄰近於所述第二側的頂面； 在所述記憶胞結構上與所述犧牲層上共形地形成襯層； 形成覆蓋所述襯層的第四介電層； 移除部分所述第四介電層與部分所述襯層，以暴露出所述犧牲層的頂面，其中未被移除的所述襯層形成第一保護層； 移除部分犧牲層，直到暴露出所述記憶胞結構的鄰近於所述第二側的頂面； 在所述記憶胞結構的鄰近於所述第二側的頂面上形成第二保護層，其中所述第二保護層連接於所述第一保護層； 移除所述犧牲層，而在所述第四介電層中形成第二開口；以及 在所述記憶胞結構的所述第二側的側壁上與所述第二保護層上形成第三保護層，其中所述第三保護層連接於所述第二保護層，其中 由所述第一保護層、所述第二保護層與所述第三保護層形成所述保護層結構。
16. 如申請專利範圍第15項所述的記憶體結構的製造方法，其中所述第二保護層結構的形成方法包括： 在所述第四介電層上、所述第一保護層上、所述記憶胞結構上與所述犧牲層上共形地形成第二保護材料層；以及 對所述第二保護材料層進行回蝕刻製程。
17. 如申請專利範圍第15項所述的記憶體結構的製造方法，其中所述第三保護層結構的形成方法包括： 在所述第四介電層上、所述第一保護層上、所述第二保護層上與所述記憶胞結構上共形地形成第三保護材料層；以及 對所述第三保護材料層進行回蝕刻製程。
18. 如申請專利範圍第15項所述的記憶體結構的製造方法，更包括在形成所述犧牲層之前，在所述記憶胞結構的所述第一側的側壁上與所述記憶胞結構的所述第二側的側壁上形成第一間隙壁。
19. 如申請專利範圍第18項所述的記憶體結構的製造方法，更包括： 形成覆蓋所述記憶胞結構與所述第一間隙壁的第三介電層； 移除由所述第二開口所暴露且位於所述基底上的所述第三介電層；以及 在所述第二開口中形成第二導體層。