TW201905507A

TW201905507A - 相位差膜、圓偏光板及相位差膜之製造方法

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Publication number: TW201905507A
Application number: TW107112894A
Authority: TW
Inventors: 鈴木暢; 角村浩; 高松秀行; 清水享; 柳沼寛教; 友久寛
Original assignee: 日商日東電工股份有限公司
Priority date: 2017-06-28
Filing date: 2018-04-16
Publication date: 2019-02-01
Also published as: TW202223460A; KR20200018487A; CN110799869B; KR102518911B1; TWI757471B; CN110799869A; TWI799158B; JP6781111B2; JP2019008252A; WO2019003503A1

Abstract

本發明提供一種可抑制高溫高濕環境下之相位差值之變化之相位差膜。本發明之製造方法係獲得面內相位差滿足Re(450)＜Re(550)之關係之相位差膜之製造方法，其包含將延伸膜於105℃以上之溫度下加熱2分鐘以上之加熱處理步驟，該延伸膜於將自30℃升溫至Tg－25℃並再次冷卻至30℃之步驟反覆進行3個循環之加熱TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.4%以下，或者於使環境按25℃/25%RH、85℃/2%RH、85℃/85%RH、85℃/2%RH之順序變化之加濕TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.7%以下。

Description

相位差膜、圓偏光板及相位差膜之製造方法

本發明係關於一種相位差膜、圓偏光板及相位差膜之製造方法。

近年來，隨著薄型顯示器之普及，提出一種搭載了有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板之顯示器。有機EL面板具有反射性較高之金屬層，容易發生外界光反射或背景之映入等問題。因此，已知藉由將具有λ/4板之圓偏光板設置於視認側而防止該等問題。另外，關於用於上述圓偏光板之相位差膜，通常相位差值根據波長之不同而不同，根據波長之不同，有時無法獲得充分之抗反射效果，導致褪色成為問題。因此，提出一種波長越長則相位差值越大之所謂逆分散性之相位差膜(例如，專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2006-171235號公報

[發明所欲解決之問題] 然而，如上所述之先前之逆分散性之相位差膜存在於高溫環境下及/或高濕環境下使用時相位差值發生變化之情況，其結果為，存在產生相位差不均之情況。本發明係為了解決上述先前之問題而成者，其主要目的在於提供一種高溫高濕環境下之相位差值之變化得到抑制之相位差膜、具有此種相位差膜之圓偏光板、及此種相位差膜之製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明之相位差膜之製造方法係獲得面內相位差滿足Re(450)＜Re(550)之關係之相位差膜之製造方法，其包含將延伸膜於105℃以上之溫度下加熱2分鐘以上之加熱處理步驟，該延伸膜於將自30℃升溫至Tg－25℃並再次冷卻至30℃之步驟反覆進行3個循環之加熱TMA(Thermomechanical Analysis，熱機械分析)試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.4%以下，或者於使環境按25℃/25%RH、85℃/2%RH、85℃/85%RH、85℃/2%RH之順序變化之加濕TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.7%以下。於一實施形態中，將上述加熱處理步驟中之加熱溫度設為T₁ (℃)，將上述加熱處理步驟中之加熱時間設為t₁ (分鐘)，將上述加熱處理步驟前之上述延伸膜之於上述加熱TMA試驗中之上述收縮率設為A₁ 時，滿足10×t₁ /{(Tg－T₁ )² ×A₁ ² }＞2。於一實施形態中，將上述加熱處理步驟中之加熱溫度設為T₁ (℃)，將上述加熱處理步驟中之加熱時間設為t₁ (分鐘)，將上述加熱處理步驟前之上述延伸膜之於上述加濕TMA試驗中之上述收縮率設為A₂ 時，滿足10×t₁ /{(Tg－T₁ )² ×A₂ ² }＞0.9。本發明之相位差膜之製造方法係獲得面內相位差滿足Re(450)＜Re(550)之關係之相位差膜之製造方法，其包含將延伸膜浸漬於60℃以上之溫水中3分鐘以上之溫水處理步驟，該延伸膜於使環境按25℃/25%RH、85℃/2%RH、85℃/85%RH、85℃/2%RH之順序變化之加濕TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.7%以下。於一實施形態中，將上述溫水處理步驟中之浸漬時間設為t₂ (分鐘)，將上述溫水處理步驟前之上述延伸膜之於上述加濕TMA試驗中之上述收縮率設為A₃ 時，滿足t₂ /A₃ ² ＞20。根據本發明之另一態樣，提供一種相位差膜。關於該相位差膜，面內相位差滿足Re(450)＜Re(550)之關係，於將自30℃升溫至Tg－25℃並再次冷卻至30℃之步驟反覆進行3個循環之加熱TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.1%以下，且於使環境按25℃/25%RH、85℃/2%RH、85℃/85%RH、85℃/2%RH之順序變化之加濕TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.2%以下。於一實施形態中，上述相位差膜係由選自聚碳酸酯樹脂及聚酯碳酸酯系樹脂中之樹脂形成。於一實施形態中，上述相位差膜之Re(450)/Re(550)為0.8～0.9。於一實施形態中，上述相位差膜之光彈性係數為1×10^-12 (m² /N)～40×10^-12 (m² /N)。根據本發明之另一態樣，提供一種圓偏光板。該圓偏光板具有包含上述相位差膜之相位差層、及偏光元件，上述相位差層之遲相軸與上述偏光元件之吸收軸所成之角度為35°～55°。於一實施形態中，上述圓偏光板為單片狀，將上述相位差層之中心部之面內相位差值設為R_A0 ，將頂點部分之面內相位差值設為R_B0 ，將在兩面貼合玻璃並於85℃下保持240小時之後之上述相位差層之中心部之面內相位差值設為R_A1 ，將在兩面貼合玻璃並於85℃下保持240小時之後之上述頂點部分之面內相位差值設為R_B1 ，將在兩面貼合玻璃並於65℃/90%RH下保持240小時之後之上述相位差層之上述中心部之面內相位差值設為R_A2 ，將在兩面貼合玻璃並於65℃/90%RH下保持240小時之後之上述頂點部分之面內相位差值設為R_B2 時，(R_A1 －R_B1 )－(R_A0 －R_B0 )之絕對值為3 nm以下，且(R_A2 －R_B2 )－(R_A0 －R_B0 )之絕對值為3 nm以下。於一實施形態中，上述圓偏光板依序具有保護膜、上述相位差層、上述偏光元件、及折射率橢球具有nz＞nx＝ny之關係之另一相位差層。 [發明之效果] 根據本發明之製造方法，藉由包含將於加熱TMA試驗中遲相軸方向之收縮率為0.4%以下，或者於加濕TMA試驗中遲相軸方向之收縮率為0.7%以下之延伸膜於105℃以上之溫度下加熱2分鐘以上之加熱處理步驟，可獲得一種高溫高濕環境下之相位差值之變化得到抑制之相位差膜。

以下，對本發明之實施形態進行說明，但本發明並不限定於該等實施形態。 (用語及記號之定義) 本說明書中之用語及記號之定義如下所述。 (1)折射率(nx、ny、nz) 「nx」係面內之折射率變得最大之方向(即，遲相軸方向)之折射率，「ny」係於面內與遲相軸正交之方向(即，進相軸方向)之折射率，「nz」係厚度方向之折射率。 (2)面內相位差(Re) 「Re(λ)」係23℃下之利用波長λ nm之光測得之面內相位差。例如，「Re(550)」係23℃下之利用波長550 nm之光測得之面內相位差。Re(λ)係將層(膜)之厚度設為d(nm)時，由式：Re＝(nx－ny)×d求出。 (3)厚度方向之相位差(Rth) 「Rth(λ)」係23℃下之利用波長λ nm之光測得之厚度方向之相位差。例如，「Rth(550)」係23℃下之利用波長550 nm之光測得之厚度方向之相位差。Rth(λ)係將層(膜)之厚度設為d(nm)時，由式：Rth＝(nx－nz)×d求出。 (4)Nz係數 Nz係數係由Nz＝Rth/Re求出。 A.相位差膜之製造方法本發明之製造方法係面內相位差滿足Re(450)＜Re(550)之關係之表現出所謂逆分散之波長相依性之相位差膜之製造中所使用之製造方法。本發明之一實施形態之相位差膜之製造方法包含將延伸膜於105℃以上之溫度下加熱2分鐘以上之加熱處理步驟。上述延伸膜於將自30℃升溫至Tg－25℃並再次冷卻至30℃之步驟反覆進行3個循環之加熱TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.4%以下，或者於使環境按25℃/25%RH、85℃/2%RH、85℃/85%RH、85℃/2%RH之順序變化之加濕TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.7%以下。將加熱處理步驟中之加熱溫度設為T₁ (℃)，將加熱處理步驟中之加熱時間設為t₁ (分鐘)，將加熱處理步驟前之延伸膜之於加熱TMA試驗中之收縮率設為A₁ 時，較佳為滿足10×t₁ /{(Tg－T₁ )² ×A₁ ² }＞2。將加熱處理步驟前之延伸膜之於加濕TMA試驗中之收縮率設為A₂ 時，較佳為滿足10×t₁ /{(Tg－T₁ )² ×A₂ ² }＞0.9。本發明之另一實施形態之相位差膜之製造方法包含將延伸膜浸漬於60℃以上之溫水中3分鐘以上之溫水處理步驟。上述延伸膜於使環境按25℃/25%RH、85℃/2%RH、85℃/85%RH、85℃/2%RH之順序變化之加濕TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.7%以下。將溫水處理步驟中之浸漬時間設為t₂ (分鐘)，將溫水處理步驟前之延伸膜之於加濕TMA試驗中之收縮率設為A₃ 時，較佳為滿足t₂ /A₃ ² ＞20。於先前之製造方法中，根據構成相位差膜之材料之不同，而存在耐久性不充分，結果於高溫高濕環境下相位差值發生變化之情況。與此相對，根據本發明之製造方法，可不依存於構成相位差膜之材料而獲得耐久性較高且於高溫高濕環境下尺寸變化率(收縮率)較小之相位差膜。此種相位差膜可抑制高溫高濕環境下之相位差值之變化。 A-1.延伸膜如上所述，延伸膜於將自30℃升溫至Tg－25℃並再次冷卻至30℃之步驟反覆進行3個循環之加熱TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.4%以下，或者於使環境按25℃/25%RH、85℃/2%RH、85℃/85%RH、85℃/2%RH之順序變化之加濕TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.7%以下。代表性而言，延伸膜係藉由將樹脂膜向至少一個方向延伸而製作。只要可藉由實施延伸處理而獲得表現出所謂逆分散之波長相依性之延伸膜(相位差膜)，則樹脂膜由任意之適當之樹脂形成。作為形成樹脂膜之樹脂，例如可列舉：聚碳酸酯樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、纖維素酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚酯碳酸酯系樹脂。該等樹脂可單獨使用，亦可根據所需之特性而組合使用。作為上述聚碳酸酯系樹脂，使用任意之適當之聚碳酸酯系樹脂。例如，較佳為包含來自二羥基化合物之結構單元之聚碳酸酯樹脂。作為二羥基化合物之具體例，可列舉：9,9-雙(4-羥基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-甲基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-乙基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-正丙基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-異丙基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-正丁基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-第二丁基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-第三丁基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-環己基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-苯基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-甲基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-異丙基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-異丁基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-第三丁基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-環己基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-苯基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3,5-二甲基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-第三丁基-6-甲基苯基)茀、9,9-雙(4-(3-羥基-2,2-二甲基丙氧基)苯基)茀等。除了來自上述二羥基化合物之結構單元以外，聚碳酸酯樹脂亦可包含來自異山梨糖醇、異甘露糖醇、異艾杜糖醇、螺二醇、二㗁烷二醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇、雙酚類等二羥基化合物之結構單元。如上所述之聚碳酸酯樹脂之詳細內容例如記載於日本專利特開2012-67300號公報、日本專利第3325560號及WO2014/061677號中。該專利文獻之記載係作為參考而援用於本說明書中。聚碳酸酯樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為110℃以上且250℃以下，更佳為120℃以上且230℃以下。若玻璃轉移溫度過低，則處於耐熱性變差之傾向，存在膜成形後引起尺寸變化之可能性。若玻璃轉移溫度過高，則存在膜成形時之成形穩定性變差之情況，又，存在損害膜之透明性之情況。再者，玻璃轉移溫度係依據JIS K 7121(1987)而求出。作為上述樹脂膜之形成方法，可採用任意之適當之方法。例如，可列舉：熔融擠出法(例如，T模成形法)、鑄塗法(例如，流延法)、壓延成形法、熱壓法、共擠出法、共熔融法、多層擠出、吹脹成形法等。較佳為使用T模成形法、流延法及吹脹成形法。樹脂膜(未延伸膜)之厚度可根據所需之光學特性、下述延伸條件等而設定為任意之適當之值。較佳為50 μm～300 μm，更佳為80 μm～250 μm。只要可獲得上述延伸膜，則上述延伸可採用任意之適當之延伸方向、延伸條件(例如，延伸溫度、延伸倍率、延伸方向)。具體而言，可單獨使用自由端延伸、固定端延伸-自由端收縮、固定端收縮等各種延伸方法，亦可同時或逐次使用該等延伸方法。關於延伸方向，亦可於水平方向、垂直方向、厚度方向、對角方向等各個方向或維度進行。延伸之溫度較佳為樹脂膜之玻璃轉移溫度(Tg)±20℃之範圍。藉由適當選擇上述延伸方法、延伸條件，可最終獲得具有所需之光學特性(例如，折射率橢球、面內相位差、Nz係數)之相位差膜。於一實施形態中，延伸膜係藉由將樹脂膜進行單軸延伸或固定端單軸延伸而製作。作為單軸延伸之具體例，可列舉一面使樹脂膜向長條方向移行，一面向長度方向(縱向)延伸之方法。延伸倍率較佳為10%～500%。於另一實施形態中，延伸膜係藉由將長條狀之樹脂膜向相對於長條方向角度為θ之方向連續地斜向延伸而製作。藉由採用斜向延伸，可獲得具有相對於膜之長條方向角度為θ之配向角之長條狀之延伸膜，例如與偏光元件進行積層時可實行卷對卷，而可簡化製造步驟。作為用於斜向延伸之延伸機，例如可列舉可對橫向及/或縱向附加左右不同速度之進給力或拉伸力或牽引力之拉幅式延伸機。拉幅式延伸機有橫單軸延伸機、同時雙軸延伸機等，只要可將長條狀之樹脂膜連續地斜向延伸，則可使用任意之適當之延伸機。作為斜向延伸之方法，例如可列舉：日本專利特開昭50-83482號公報、日本專利特開平2-113920號公報、日本專利特開平3-182701號公報、日本專利特開2000-9912號公報、日本專利特開2002-86554號公報、日本專利特開2002-22944號公報等中記載之方法。延伸膜之厚度較佳為20 μm～100 μm，更佳為30 μm～80 μm。作為延伸膜，可直接使用市售之膜，亦可根據目的對市售之膜進行2次加工(例如，延伸處理、表面處理)而使用。作為市售之膜之具體例，可列舉帝人公司製造之商品名「PURE-ACE RM」。於一實施形態中，對上述延伸膜實施緩和處理。藉此，可緩和由延伸所產生之應力，可使上述加熱TMA試驗中之遲相軸方向之收縮率為0.4%以下，或者使上述加濕TMA試驗中之遲相軸方向之收縮率為0.7%以下。作為緩和處理條件，可採用任意之適當之條件。例如，使延伸膜沿著延伸方向以特定之緩和溫度及特定之緩和率(收縮率)收縮。緩和溫度較佳為60℃～150℃。緩和率較佳為3%～6%。 A-2.加熱處理步驟如上所述，於加熱處理步驟中，將延伸膜於105℃以上之溫度下加熱2分鐘以上。於一實施形態中，將加熱處理步驟中之加熱溫度設為T₁ (℃)，將加熱處理步驟中之加熱時間設為t₁ (分鐘)，將加熱處理步驟前之延伸膜之於加熱TMA試驗中之收縮率設為A₁ 時，較佳為10×t₁ /{(Tg－T₁ )² ×A₁ ² }所表示之值大於2。上述值較佳為大於2且未達150，更佳為3～50，尤佳為3～10。再者，(Tg－T₁ )較佳為5以上。另一實施形態中，將加熱處理步驟前之延伸膜之於加濕TMA試驗中之收縮率設為A₂ 時，較佳為10×t₁ /{(Tg－T₁ )² ×A₂ ² }所表示之值大於0.9。上述值較佳為1～60，更佳為1～20，尤佳為1～10。加熱溫度較佳為105℃～140℃，更佳為110℃～130℃，尤佳為115℃～125℃。加熱時間較佳為2分鐘～150分鐘，更佳為3分鐘～120分鐘，尤佳為5分鐘～60分鐘。於加熱處理步驟中，只要可將延伸膜於上述加熱條件下加熱，則可使用任意之適當之加熱機構。代表性而言，上述加熱機構為烘箱。於藉由一面使長條狀之樹脂膜向長條方向移行一面將其延伸而獲得延伸膜之情形時，亦可一面使所獲得之延伸膜保持該狀態移行，一面實施加熱處理。 A-3.溫水處理步驟如上所述，於溫水處理步驟中，將延伸膜浸漬於60℃以上之溫水中3分鐘以上。將溫水處理步驟中之浸漬時間設為t₂ (分鐘)，將溫水處理步驟前之延伸膜之於加濕TMA試驗中之收縮率設為A₃ 時，較佳為t₂ /A₃ ² 所表示之值大於20。上述值較佳為大於20且1000以下，更佳為25～500，尤佳為30～150。溫水之溫度較佳為60℃～90℃，更佳為65℃～85℃，尤佳為68℃～82℃。浸漬時間較佳為3分鐘～60分鐘，更佳為3分鐘～30分鐘，尤佳為5分鐘～20分鐘。於溫水處理步驟中，只要可將延伸膜於上述加熱條件下加熱，則可使用任意之適當之溫水處理機構。代表性而言，上述溫水處理機構為調整為適當之溫度之溫水浴。於藉由一面使長條狀之樹脂膜向長條方向移行一面將其延伸而獲得延伸膜之情形時，亦可一面使所獲得之延伸膜保持該狀態移行，一面實施溫水處理。 B.相位差膜本發明之相位差膜係面內相位差滿足Re(450)＜Re(550)之關係之表現出所謂逆分散之波長相依性之相位差膜。上述相位差膜於將自30℃升溫至Tg－25℃並再次冷卻至30℃之步驟反覆進行3個循環之加熱TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.1%以下，且於使環境按25℃/25%RH、85℃/2%RH、85℃/85%RH、85℃/2%RH之順序變化之加濕TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.2%以下。上述加熱TMA試驗中之遲相軸方向之收縮率較佳為0%～0.08%，更佳為0%～0.05%。上述加濕TMA試驗中之遲相軸方向之收縮率較佳為0%～0.15%，更佳為0%～0.10%。如上所述之相位差膜可抑制高溫高濕環境下之相位差值之變化。相位差膜之Re(450)/Re(550)之值較佳為0.8～0.9，更佳為0.83～0.87。相位差膜之面內相位差Re(550)較佳為100 nm～180 nm，更佳為135 nm～155 nm。相位差膜之光彈性係數較佳為1×10^-12 (m² /N)～40×10^-12 (m² /N)，更佳為1×10^-12 (m² /N)～30×10^-12 (m² /N)，尤佳為1×10^-12 (m² /N)～20×10^-12 (m² /N)。如上所述之相位差膜例如可藉由A項中說明之製造方法而獲得。相位差膜可用於圓偏光板。 C.圓偏光板本發明之圓偏光板具有包含上述相位差膜之相位差層、及偏光元件。相位差層之遲相軸與偏光元件之吸收軸所成之角度為35°～55°，較佳為40°～50°，尤佳為43～47°，最佳為約45°。圖1係本發明之一實施形態之圓偏光板之概略剖視圖。圓偏光板100依序具備保護層10、偏光元件20、相位差層30、及折射率橢球具有nz＞nx＝ny之關係之另一相位差層40(有時稱為第2相位差層)。於一實施形態中，圓偏光板100為單片狀。將圓偏光板100加熱時之相位差層30之相位差不均(加熱相位差不均)為3 nm以下。進而，將圓偏光板100加濕時之相位差層30之相位差不均(加濕相位差不均)為3 nm以下。加熱相位差不均及加濕相位差不均較佳為0 nm～2 nm，更佳為0 nm～1 nm。上述加熱相位差不均例如可於在圓偏光板100之兩面貼合玻璃並進行加熱(於85℃下保持240小時)時，作為由以下之式算出之值之絕對值而決定。 (R_A1 －R_B1 )－(R_A0 －R_B0 ) 此處，R_A0 係相位差層30之中心部之面內相位差值，R_B0 係相位差層30之頂點部分之面內相位差值，R_A1 係上述加熱後之相位差層30之中心部之面內相位差值，R_B1 係上述加熱後之上述頂點部分之面內相位差值。上述加濕相位差不均例如可於在圓偏光板100之兩面貼合玻璃並進行加濕(於65℃/90%RH下保持240小時)時，作為由以下之式算出之值之絕對值而決定。 (R_A2 －R_B2 )－(R_A0 －R_B0 ) 此處，R_A2 係上述加濕後之相位差層30之中心部之面內相位差值，R_B2 係上述加濕後之上述頂點部分之面內相位差值。先前之圓偏光板於在兩面貼合玻璃等並使用於圖像顯示裝置等之情形時，相位差層之中心部不易受到高溫高濕環境之影響，另一方面，相位差層之端部受到高溫高濕環境之影響。其結果為，相位差層之中心部之面內相位差值之變化較小，相位差層之端部之面內相位差值之變化變大，可能產生相位差不均。與此相對，本發明之圓偏光板藉由使相位差層包含上述相位差膜，可抑制相位差層之端部之面內相位差之變化，而可抑制相位差不均。 C-1.偏光元件作為偏光元件，可採用任意之適當之偏光元件。例如，形成偏光元件之樹脂膜可為單層之樹脂膜，亦可為兩層以上之積層體。作為包含單層之樹脂膜之偏光元件之具體例，可列舉：對聚乙烯醇(PVA)系膜、部分縮甲醛化PVA系膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化膜等親水性高分子膜實施利用碘或二色性染料等二色性物質之染色處理及延伸處理而成者、PVA之脫水處理物或聚氯乙烯之脫氯化氫處理物等多烯系配向膜等。就光學特性優異之方面而言，較佳為使用利用碘將PVA系膜染色並進行單軸延伸而獲得之偏光元件。上述利用碘之染色例如藉由將PVA系膜浸漬於碘水溶液中而進行。上述單軸延伸之延伸倍率較佳為3～7倍。延伸可於染色處理後進行，亦可一面進行染色一面進行。又，亦可於延伸之後進行染色。視需要對PVA系膜實施膨潤處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等。例如，藉由在染色之前將PVA系膜浸漬於水中進行水洗，不僅可將PVA系膜表面之污垢或抗黏連劑洗淨，而且可使PVA系膜膨潤而防止染色不均等。作為使用積層體所獲得之偏光元件之具體例，可列舉：使用樹脂基材與積層於該樹脂基材之PVA系樹脂層(PVA系樹脂膜)之積層體、或樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體所獲得之偏光元件。使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體所獲得之偏光元件例如可藉由如下步驟而製作：將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材，使其乾燥而於樹脂基材上形成PVA系樹脂層，而獲得樹脂基材與PVA系樹脂層之積層體；將該積層體進行延伸及染色而將PVA系樹脂層製成偏光元件。於本實施形態中，代表性而言，延伸包含使積層體浸漬於硼酸水溶液中而將其延伸之步驟。進而，延伸可視需要進而包含在進行硼酸水溶液中之延伸之前將積層體於高溫(例如，95℃以上)下進行空中延伸之步驟。所獲得之樹脂基材/偏光元件之積層體可直接使用(即，可將樹脂基材作為偏光元件之保護層)，亦可自樹脂基材/偏光元件之積層體將樹脂基材剝離，並於該剝離面積層根據目的之任意之適當之保護層而使用。此種偏光元件之製造方法之詳細內容例如記載於日本專利特開2012-73580號公報中。該公報之整體之記載係作為參考而援用於本說明書中。偏光元件之厚度例如為1 μm～80 μm。於一實施形態中，偏光元件之厚度較佳為1 μm～15 μm，進而較佳為3 μm～10 μm，尤佳為3 μm～8 μm。若偏光元件之厚度為此種範圍，則可良好地抑制加熱時之捲曲，及獲得良好之加熱時之外觀耐久性。 C-2.第2相位差層關於第2相位差層，如上所述，折射率橢球具有nz＞nx＝ny之關係，可作為所謂陽極C板而發揮功能。具有此種第2相位差層之圓偏光板可抑制用於有機EL面板之情形時之反射率及反射色相之變化。第2相位差層之厚度方向之相位差Rth(550)較佳為-50 nm～-300 nm，更佳為-70 nm～-250 nm，進而較佳為-90 nm～-200 nm，尤佳為 -100 nm～-180 nm。此處，「nx＝ny」不僅包括nx與ny嚴格相等之情況，而且亦包括nx與ny實質上相等之情況。即，第2相位差層之面內相位差Re(550)可未達10 nm。具有nz＞nx＝ny之折射率特性之第2相位差層可由任意之適當之材料形成。第2相位差層較佳為可包含固定為垂直配向之液晶材料。可垂直配向之液晶材料(液晶化合物)可為液晶單體，亦可為液晶聚合物。作為該液晶化合物及該第2相位差層之形成方法之具體例，可列舉日本專利特開2002-333642號公報之[0020]～[0028]中記載之液晶化合物及相位差膜之形成方法。於此情形時，第2相位差層之厚度較佳為0.5 μm～10 μm，更佳為0.5 μm～8 μm，進而較佳為0.5 μm～5 μm。作為另一較佳之具體例，第2相位差層亦可包含日本專利特開2012-32784號公報中記載之由反丁烯二酸二酯系樹脂形成之相位差膜。於此情形時，厚度較佳為5 μm～80 μm，更佳為10 μm～50 μm。 C-3.保護層保護層係由可用作保護偏光元件之膜之任意之適當之保護膜形成。作為成為該保護膜之主成分之材料之具體例，可列舉：三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、或聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降烯系、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系、乙酸酯系等之透明樹脂等。又，亦可列舉：(甲基)丙烯酸系、胺基甲酸酯系、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯系、環氧系、矽酮系等之熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。除此以外，例如亦可列舉矽氧烷系聚合物等玻璃質系聚合物。又，亦可使用日本專利特開2001-343529號公報(WO01/37007)中記載之聚合物膜。作為該膜之材料，例如可使用含有側鏈具有經取代或未經取代之醯亞胺基之熱塑性樹脂、及側鏈具有經取代或未經取代之苯基及腈基之熱塑性樹脂之樹脂組合物，例如可列舉具有包含異丁烯及N-甲基順丁烯二醯亞胺之交替共聚物、以及丙烯腈-苯乙烯共聚物之樹脂組合物。該聚合物膜例如可為上述樹脂組合物之擠出成形物。保護膜之厚度較佳為10 μm～100 μm。保護膜可經由接著層(具體而言，為接著劑層、黏著劑層)而積層於偏光元件，亦可密接(不經由接著層)積層於偏光元件。接著劑層係由任意之適當之接著劑形成。作為接著劑，例如可列舉以聚乙烯醇系樹脂為主成分之水溶性接著劑。以聚乙烯醇系樹脂為主成分之水溶性接著劑較佳為可進而含有金屬化合物膠體。金屬化合物膠體可為金屬化合物微粒子分散於分散介質中者，可為因微粒子之同種電荷之相互排斥而靜電穩定化且持久地具有穩定性者。形成金屬化合物膠體之微粒子之平均粒徑只要不對偏光特性等光學特性造成不良影響，則可為任意之適當之值。較佳為1 nm～100 nm，進而較佳為1 nm～50 nm。其原因在於，可使微粒子均勻地分散於接著劑層中，可確保接著性且抑制裂點。再者，「裂點」係指於偏光元件與保護膜之界面產生之局部之凹凸缺陷。黏著劑層包含任意之適當之黏著劑。亦可視需要對保護膜之與偏光元件相反之側之表面實施硬塗處理、抗反射處理、抗黏處理、防眩處理等表面處理。代表性而言，保護膜之厚度為5 mm以下，較佳為1 mm以下，更佳為1 μm～500 μm，進而較佳為5 μm～150 μm。 [實施例] 以下，藉由實施例而對本發明具體地進行說明，但本發明並不受到該等實施例限定。各特性之測定方法如下所述。再者，只要無特別明示，則實施例及比較例中之「份」及「%」係重量基準。 (1)厚度使用針盤量規(PEACOCK公司製造，製品名「DG-205 type pds-2」)進行測定。 (2)相位差值使用Axometrics公司製造之Axoscan進行測定。 (3)由加熱所引起之尺寸變化率(加熱TMA試驗) 將實施例及比較例中所獲得之延伸膜或相位差膜切斷為20 mm(遲相軸方向)×4 mm(進相軸方向)而製成測定樣本。使用熱機械分析裝置(Hitachi High-Tech Science公司製造，型號「TMA7100」)，將使測定樣本自30℃升溫至Tg－25℃並再次冷卻至30℃之步驟反覆進行3個循環之後，對測定樣本之長度方向(遲相軸方向)上之尺寸變化率(收縮率)進行測定。再者，升溫速度係設為5℃/min，各溫度下之保持時間係設為10分鐘。 (4)由加濕所引起之尺寸變化率(加濕TMA試驗) 將實施例及比較例中所獲得之延伸膜或相位差膜切斷為20 mm(遲相軸方向)×5 mm(進相軸方向)而製成測定樣本。使用熱機械分析裝置，使環境按25℃/25%RH、85℃/2%RH、85℃/85%RH、85℃/2%RH之順序變化之後，對測定樣本之長度方向(遲相軸方向)上之尺寸變化率(收縮率)進行測定。再者，25℃/25%RH下之保持時間係設為60分鐘，85℃/2%RH下之保持時間係設為60分鐘，85℃/85%RH下之保持時間係設為300分鐘。 (5)加熱相位差不均將實施例及比較例中所獲得之圓偏光板以偏光元件之吸收軸成為短邊方向之方式切為75 mm×150 mm，並經由黏著劑將玻璃基板貼合於圓偏光板之兩側，而製成測定樣本。對於測定樣本，測定中央部之面內相位差值R_A0 、中心部至位於遲相軸方向之頂點部分之面內相位差值R_B01 、及中心部至位於進相軸方向之頂點部分之面內相位差值R_B02 。繼而，將測定樣本於85℃之烘箱中加熱240小時，對於加熱後之測定樣本，測定中央部之面內相位差值R_A1 、中心部至位於遲相軸方向之頂點部分之面內相位差值R_B11 、及中心部至位於進相軸方向之頂點部分之面內相位差值R_B12 。將由以下之式獲得之值A及B之絕對值之中較大之值作為加熱相位差不均。 A＝(R_A1 －R_B11 )－(R_A0 －R_B01 ) B＝(R_A1 －R_B12 )－(R_A0 －R_B02 ) (6)加濕相位差不均與上述(5)同樣地製作圓偏光板之測定樣本，並測定中央部之面內相位差值R_A0 、中心部至位於遲相軸方向之頂點部分之面內相位差值R_B01 、及中心部至位於進相軸方向之頂點部分之面內相位差值R_B02 。繼而，將測定樣本於65℃/90%之烘箱中加濕240小時，對於加濕後之測定樣本，測定中央部之面內相位差值R_A2 、中心部至位於遲相軸方向之頂點部分之面內相位差值R_B21 、及中心部至位於進相軸方向之頂點部分之面內相位差值R_B22 。將由以下之式獲得之值C及D之絕對值之中較大之值作為加濕相位差不均。 C＝(R_A2 －R_B21 )－(R_A0 －R_B01 ) D＝(R_A2 －R_B22 )－(R_A0 －R_B02 ) ＜實施例1＞ 1.相位差膜之製作 (聚碳酸酯樹脂) 使用分批聚合裝置進行聚合，該分批聚合裝置包含具備攪拌翼及控制為100℃之回流冷卻器之立式反應器兩個。添加雙[9-(2-苯氧基羰基乙基)茀-9-基]甲烷29.60質量份(0.046 mol)、ISB(Isosorbide，異山梨糖醇)29.21質量份(0.200 mol)、SPG(Spiroglycol，螺二醇)42.28質量份(0.139 mol)、DPC(Diphenyl Carbonate，碳酸二苯酯)63.77質量份(0.298 mol)及作為觸媒之乙酸鈣一水合物1.19×10^-2 質量份(6.78×10^-5 mol)。對反應器內進行減壓氮氣置換之後，利用熱媒進行加溫，於內溫成為100℃之時點開始攪拌。升溫開始40分鐘後使內溫達到220℃，以保持該溫度之方式進行控制，同時開始減壓，達到220℃之後，用90分鐘使其成為13.3 kPa。將隨聚合反應副生成之苯酚蒸氣導入至100℃之回流冷卻器，使苯酚蒸氣中包含之若干量之單體成分返回至反應器，未冷凝之苯酚蒸氣則導入至45℃之冷凝器加以回收。向第1反應器中導入氮氣暫時複壓至大氣壓之後，將第1反應器內之經低聚物化之反應液移至第2反應器。繼而，開始第2反應器內之升溫及減壓，用50分鐘使其達到內溫240℃、壓力0.2 kPa。其後，進行聚合直至成為特定之攪拌動力為止。於達到特定動力之時點向反應器中導入氮氣進行複壓，將所生成之聚酯碳酸酯擠出至水中，並將線料切割，而獲得顆粒。 (樹脂膜) 將所獲得之聚碳酸酯樹脂於80℃下真空乾燥5小時之後，使用具備單軸擠出機(東芝機械公司製造，缸體設定溫度：250℃)、T模(寬度200 mm，設定溫度：250℃)、冷卻輥(設定溫度：120～130℃)及卷取機之膜製膜裝置，製作厚度135 μm之樹脂膜。 (相位差膜) 將所獲得之長條狀之樹脂膜以延伸溫度134℃、延伸倍率2.8倍於寬度方向延伸，繼而，對延伸後之膜之寬度方向實施緩和處理，藉此製作延伸膜。緩和處理之條件係設為緩和溫度130℃、緩和率4.5%。將該延伸膜供於上述(4)之加濕TMA試驗，結果尺寸變化率為0.30%。又，將該延伸膜供於上述(3)之加熱TMA試驗，結果尺寸變化率為0.05%。繼而，藉由將上述延伸膜於125℃下加熱(加熱處理)2分鐘，而獲得厚度48 μm之相位差膜。 2.圓偏光板之製作 (偏光元件) 準備長條狀之非晶質聚對苯二甲酸乙二酯(A-PET)膜(三菱樹脂公司製造，商品名「Novaclear」，厚度：100 μm)作為基材，於60℃下於基材之單面進行聚乙烯醇(PVA)樹脂(日本合成化學工業公司製造，商品名「Gohsenol(註冊商標)NH-26」)之水溶液之塗佈及乾燥，而形成厚度7 μm之PVA系樹脂層。使以此方式獲得之積層體浸漬於液溫30℃之不溶化浴30秒鐘(不溶化步驟)。繼而，使其浸漬於液溫30℃之染色浴60秒鐘(染色步驟)。繼而，使其浸漬於液溫30℃之交聯浴30秒鐘(交聯步驟)。其後，一面使積層體浸漬於液溫60℃之硼酸水溶液中，一面於周速不同之輥間於縱向(長條方向)進行單軸延伸。浸漬於硼酸水溶液中之時間係120秒，延伸至積層體即將斷裂之前為止。其後，使積層體浸漬於洗淨浴之後，利用60℃之溫風使其乾燥(洗淨、乾燥步驟)。以此方式獲得於基材上形成有厚度5 μm之偏光元件之長條狀之積層體(偏光元件積層體)。 (偏光板) 經由黏著劑將作為保護膜之環烯烴系樹脂膜(日本瑞翁股份有限公司製造，商品名「ZEONOR FILM」，厚度25 μm)貼合於上述積層體之偏光元件側之面，並自偏光元件將上述基材剝離，藉此獲得偏光板。 (第2相位差層) 將下述化學式(I)所表示之側鏈型液晶聚合物20重量份、表現出向列型液晶相之聚合性液晶(BASF公司製造：商品名Paliocolor LC242)80重量份及光聚合起始劑(BASF公司製造：商品名Irgacure 907)5重量份溶解於環戊酮400重量份中，而製備液晶塗佈液。然後，藉由棒式塗佈機將該塗佈液塗佈於基材膜(降烯系樹脂膜：日本瑞翁(股)製造，商品名「ZEONOR」)之後，於70℃下加熱乾燥4分鐘，藉此使液晶配向。對該液晶層照射紫外線，而使液晶層硬化，藉此於基材上形成成為相位差膜之液晶固化層(厚度：1 μm)。該層之Re(550)為0 nm，Rth(550)為-71 nm(nx：1.5326，ny：1.5326，nz：1.6550)。 [化1](圓偏光板) 經由黏著劑將上述相位差膜以偏光元件之吸收軸與相位差膜之遲相軸所成之角度成為45°之方式貼合於上述偏光板之偏光元件側。繼而，將上述液晶固化層轉印於相位差膜之與偏光元件相反之側之面，藉此製作具有保護層/偏光元件/相位差層/第2相位差層之構成之圓偏光板。＜實施例2＞將延伸膜於125℃下加熱10分鐘，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例3＞將延伸膜於125℃下加熱30分鐘，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例4＞將延伸膜於125℃下加熱60分鐘，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例5＞將延伸膜於125℃下加熱120分鐘，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例6＞將緩和溫度設為110℃，除此以外，與實施例1同樣地製作延伸膜。將該延伸膜供於上述(4)之加濕TMA試驗，結果尺寸變化率為0.50%。又，將該延伸膜供於上述(3)之加熱TMA試驗，結果尺寸變化率為0.08%。使用上述延伸膜，除此以外，與實施例2同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例7＞將緩和溫度設為80℃，除此以外，與實施例1同樣地製作延伸膜。將該延伸膜供於上述(4)之加濕TMA試驗，結果尺寸變化率為0.70%。又，將該延伸膜供於上述(3)之加熱TMA試驗，結果尺寸變化率為0.13%。使用上述延伸膜，除此以外，與實施例2同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例8＞將延伸膜於105℃下加熱10分鐘，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例9＞將延伸膜於110℃下加熱10分鐘，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例10＞將延伸膜於115℃下加熱10分鐘，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例11＞將延伸膜於120℃下加熱10分鐘，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例12＞將延伸膜於130℃下加熱10分鐘，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例13＞代替上述加熱處理，將延伸膜浸漬於60℃之溫水中3分鐘(溫水處理)，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例14＞代替上述加熱處理，將延伸膜浸漬於60℃之溫水中10分鐘，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例15＞代替上述加熱處理，將延伸膜浸漬於60℃之溫水中30分鐘，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例16＞代替上述加熱處理，將延伸膜浸漬於60℃之溫水中60分鐘，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例17＞代替上述加熱處理，將延伸膜浸漬於60℃之溫水中10分鐘，除此以外，與實施例6同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例18＞代替上述加熱處理，將延伸膜浸漬於60℃之溫水中10分鐘，除此以外，與實施例7同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例19＞使用市售之聚碳酸酯樹脂膜(帝人股份有限公司製造，製品名「PURE-ACE RM」，厚度50 μm)作為延伸膜。將該延伸膜供於上述(3)之加熱TMA試驗，結果尺寸變化率為0.22%。又，將該延伸膜供於上述(4)之加濕TMA試驗，結果尺寸變化率為0.10%。繼而，將上述延伸膜於125℃下加熱(加熱處理)2分鐘，藉此獲得相位差膜。進而，使用上述相位差膜，除此以外，與實施例1同樣地製作圓偏光板。＜實施例20＞將延伸膜於125℃下加熱10分鐘，除此以外，與實施例19同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例21＞將延伸膜於125℃下加熱30分鐘，除此以外，與實施例19同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例22＞將延伸膜於125℃下加熱60分鐘，除此以外，與實施例19同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例23＞將延伸膜於125℃下加熱120分鐘，除此以外，與實施例19同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例24＞將延伸膜於105℃下加熱10分鐘，除此以外，與實施例19同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例25＞將延伸膜於110℃下加熱10分鐘，除此以外，與實施例19同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例26＞將延伸膜於115℃下加熱10分鐘，除此以外，與實施例19同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜實施例27＞將延伸膜於120℃下加熱10分鐘，除此以外，與實施例19同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜比較例1＞將延伸膜於125℃下加熱1分鐘，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜比較例2＞將延伸膜於100℃下加熱10分鐘，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜比較例3＞將緩和溫度設為80℃，將緩和率設為0%，除此以外，與實施例1同樣地製作延伸膜。將該延伸膜供於上述(4)之加濕TMA試驗，結果尺寸變化率為0.90%。又，將該延伸膜供於上述(3)之加熱TMA試驗，結果尺寸變化率為0.18%。使用上述延伸膜，除此以外，與實施例2同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜比較例4＞代替上述加熱處理，將延伸膜浸漬於60℃之溫水中1分鐘，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜比較例5＞代替上述加熱處理，將延伸膜浸漬於60℃之溫水中10分鐘，除此以外，與比較例3同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜比較例6＞不實施加熱處理，除此以外，與實施例1同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜比較例7＞將延伸膜於100℃下加熱10分鐘，除此以外，與實施例19同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜比較例8＞將延伸膜於125℃下加熱1分鐘，除此以外，與實施例19同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜比較例9＞不實施加熱處理，除此以外，與實施例19同樣地製作相位差膜及圓偏光板。＜評價＞關於實施例1～12、實施例19～27、比較例1～3、及比較例7～8，作為加熱處理條件之指標，算出 10×t₁ /{(Tg－T₁ )² ×A₁ ² } 及 10×t₁ /{(Tg－T₁ )² ×A₂ ² }。此處，T₁ 係設為加熱處理步驟中之加熱溫度(℃)，t₁ 係設為加熱處理步驟中之加熱時間(分鐘)，A₁ 係設為加熱處理步驟前之延伸膜之於加熱TMA試驗中之收縮率(%)，A₂ 係設為加熱處理步驟前之延伸膜之於加濕TMA試驗中之收縮率(%)。關於實施例13～18及比較例4～5，作為溫水處理條件之指標，算出 t₂ /A₃ ² 。此處，t₂ 係設為溫水處理步驟中之浸漬時間(分鐘)，A₃ 係設為溫水處理步驟前之延伸膜之於加濕TMA試驗中之收縮率(%)。將實施例1～27及比較例1～9之相位差膜供於加濕TMA試驗及加熱TMA試驗，並測定由各個試驗所得之尺寸變化率。進而，對於實施例1～27及比較例1～9，測定加濕相位差不均及加熱相位差不均。將各個結果示於表1中。 [表1] 由表1可明確，實施例之相位差膜與比較例之相位差膜相比，加熱處理或溫水處理後之TMA試驗中之尺寸變化率較小，用於圓偏光板之情形之相位差不均亦較小。 [產業上之可利用性] 本發明之相位差膜可較佳地用於圓偏光板，本發明之圓偏光板可較佳地用於有機EL面板。

10‧‧‧保護層

20‧‧‧偏光元件

30‧‧‧相位差層

40‧‧‧第2相位差層

100‧‧‧圓偏光板

圖1係本發明之一實施形態之圓偏光板之概略剖視圖。

Claims

一種相位差膜之製造方法，其係獲得面內相位差滿足Re(450)＜Re(550)之關係之相位差膜之製造方法，其包含將延伸膜於105℃以上之溫度下加熱2分鐘以上之加熱處理步驟，該延伸膜於將自30℃升溫至Tg－25℃並再次冷卻至30℃之步驟反覆進行3個循環之加熱TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.4%以下，或者於使環境按25℃/25%RH、85℃/2%RH、85℃/85%RH、85℃/2%RH之順序變化之加濕TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.7%以下，此處，Re(450)及Re(550)分別表示23℃下之利用波長450 nm及550 nm之光測得之面內相位差。
如請求項1之製造方法，其中將上述加熱處理步驟中之加熱溫度設為T₁ (℃)，將上述加熱處理步驟中之加熱時間設為t₁ (分鐘)，將上述加熱處理步驟前之上述延伸膜之於上述加熱TMA試驗中之上述收縮率設為A₁ 時，滿足10×t₁ /{(Tg－T₁ )² ×A₁ ² }＞2。
如請求項1之製造方法，其中將上述加熱處理步驟中之加熱溫度設為T₁ (℃)，將上述加熱處理步驟中之加熱時間設為t₁ (分鐘)，將上述加熱處理步驟前之上述延伸膜之於上述加濕TMA試驗中之上述收縮率設為A₂ 時，滿足10×t₁ /{(Tg－T₁ )² ×A₂ ² }＞0.9。
一種相位差膜之製造方法，其係獲得面內相位差滿足Re(450)＜Re(550)之關係之相位差膜之製造方法，其包含將延伸膜浸漬於60℃以上之溫水中3分鐘以上之溫水處理步驟，該延伸膜於使環境按25℃/25%RH、85℃/2%RH、85℃/85%RH、85℃/2%RH之順序變化之加濕TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.7%以下，此處，Re(450)及Re(550)分別表示23℃下之利用波長450 nm及550 nm之光測得之面內相位差。
如請求項4之製造方法，其中將上述溫水處理步驟中之浸漬時間設為t₂ (分鐘)，將上述溫水處理步驟前之上述延伸膜之於上述加濕TMA試驗中之上述收縮率設為A₃ 時，滿足t₂ /A₃ ² ＞20。
一種相位差膜，其面內相位差滿足Re(450)＜Re(550)之關係，於將自30℃升溫至Tg－25℃並再次冷卻至30℃之步驟反覆進行3個循環之加熱TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.1%以下，且於使環境按25℃/25%RH、85℃/2%RH、85℃/85%RH、85℃/2%RH之順序變化之加濕TMA試驗中，遲相軸方向之收縮率為0.2%以下，此處，Re(450)及Re(550)分別表示23℃下之利用波長450 nm及550 nm之光測得之面內相位差。
如請求項6之相位差膜，其係由選自聚碳酸酯樹脂及聚酯碳酸酯系樹脂中之樹脂形成。
如請求項6之相位差膜，其Re(450)/Re(550)為0.8～0.9。
如請求項7之相位差膜，其Re(450)/Re(550)為0.8～0.9。
如請求項6至9中任一項之相位差膜，其光彈性係數為1×10^-12 (m² /N)～40×10^-12 (m² /N)。
一種圓偏光板，其具有包含如請求項6至10中任一項之相位差膜之相位差層、及偏光元件，上述相位差層之遲相軸與上述偏光元件之吸收軸所成之角度為35°～55°。
如請求項11之圓偏光板，其為單片狀，將上述相位差層之中心部之面內相位差值設為R_A0 ，將頂點部分之面內相位差值設為R_B0 ，將在兩面貼合玻璃並於85℃下保持240小時之後之上述相位差層之中心部之面內相位差值設為R_A1 ，將在兩面貼合玻璃並於85℃下保持240小時之後之上述頂點部分之面內相位差值設為R_B1 ，將在兩面貼合玻璃並於65℃/90%RH下保持240小時之後之上述相位差層之上述中心部之面內相位差值設為R_A2 ，將在兩面貼合玻璃並於65℃/90%RH下保持240小時之後之上述頂點部分之面內相位差值設為R_B2 時， (R_A1 －R_B1 )－(R_A0 －R_B0 )之絕對值為3 nm以下，且 (R_A2 －R_B2 )－(R_A0 －R_B0 )之絕對值為3 nm以下。
如請求項11或12之圓偏光板，其依序具有保護膜、上述相位差層、上述偏光元件、及折射率橢球具有nz＞nx＝ny之關係之另一相位差層。