TW201905012A - 化合物、樹脂、光阻組成物以及產生光阻圖案的製程 - Google Patents

化合物、樹脂、光阻組成物以及產生光阻圖案的製程

Info

Publication number
TW201905012A
TW201905012A TW107121243A TW107121243A TW201905012A TW 201905012 A TW201905012 A TW 201905012A TW 107121243 A TW107121243 A TW 107121243A TW 107121243 A TW107121243 A TW 107121243A TW 201905012 A TW201905012 A TW 201905012A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
formula
hydrocarbon group
examples
structural unit
Prior art date
Application number
TW107121243A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI835737B (zh
Inventor
増山達郎
小室勝洋
市川幸司
Original Assignee
日商住友化學股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商住友化學股份有限公司 filed Critical 日商住友化學股份有限公司
Publication of TW201905012A publication Critical patent/TW201905012A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI835737B publication Critical patent/TWI835737B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D493/00—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
    • C07D493/02—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D493/10—Spiro-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09D133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
    • C08F20/10—Esters
    • C08F20/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
    • C08F20/10—Esters
    • C08F20/38—Esters containing sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F14/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
    • C08F14/18—Monomers containing fluorine

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

一種由式（I）表示的化合物：

Description

化合物、樹脂、光阻組成物以及產生光阻圖案的製程
本發明涉及一種化合物、樹脂、光阻組成物以及產生光阻圖案的製程。
JP2012-123376A1提及一種組成物，其包括具有衍生自以下化合物的結構單元的樹脂。
JP2007-114412A1提及一種組成物，其包括具有衍生自以下化合物的結構單元的樹脂。
本發明涉及以下各者： ＜1＞ 一種由式（I）表示的化合物：其中R1 表示氫原子或甲基， R2 及R3 各自獨立地表示氫原子或C1-C6飽和烴基， R4 表示具有C3-C24脂環烴部分的C1-C18脂族烴基，所述脂族烴基可具有取代基且其中亞甲基可經-O-、-S-、-CO-或-SO2 -置換，或 C3-C24脂環烴基，其可具有取代基，且其中亞甲基可經-O-、-S-、-CO-或-SO2 -置換。
＜2＞ 如＜1＞所述的化合物， 其中R4 表示具有C3-C18脂環烴部分的C1-C6脂族烴基，所述脂族烴基可具有氟原子或羥基且其中亞甲基可經-O-、-S-、-CO-或-SO2 -置換，或 C3-C24脂環烴基，其可具有氟原子或羥基，且其中亞甲基可經-O-、-S-、-CO-或-SO2 -置換。
＜3＞ 如＜1＞所述的化合物， 其中R3 表示氫原子。
＜4＞ 一種樹脂，包括衍生自如＜1＞至＜3＞中任一項的化合物的結構單元。
＜5＞ 如＜4＞所述的樹脂， 更包括具有酸不穩定基團且與衍生自由式（I）表示的化合物的結構單元不同的結構單元。
＜6＞ 一種光阻組成物，包括如＜4＞或＜5＞所述的樹脂以及酸產生劑。
＜7＞ 如＜6＞所述的光阻組成物， 其中所述酸產生劑包括由式（B1）表示的鹽：其中Qb1 及Qb2 各自獨立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基， Lb1 表示其中亞甲基可經-CO-或-O-置換且其中氫原子可經氟原子或羥基置換的C1-C24二價飽和烴基， Y表示其中氫原子可經取代基置換的甲基，或其中氫原子可經取代基置換且其中亞甲基已經-O-、-SO2 -或-CO-置換的C3-C18脂環烴基，以及 Z+ 表示有機陽離子。
＜8＞ 如＜6＞或＜7＞所述的光阻組成物，更包括鹽，所述鹽所產生的酸的酸性比所述酸產生劑所產生的酸弱。
＜9＞ 如＜6＞至＜8＞中任一項所述的光阻組成物，更包括包括具有氟原子的結構單元的樹脂。
＜10＞一種產生光阻圖案的方法，包括以下步驟（1）至步驟（5）： （1）將如＜6＞至＜9＞中任一項的光阻組成物塗覆於基板上的步驟， （2）藉由進行乾燥來形成組成物膜的步驟， （3）使所述組成物膜暴露於輻射的步驟， （4）烘烤暴露的組成物膜的步驟，以及 （5）使經烘烤組成物膜顯影從而形成光阻圖案的步驟。
＜由式（I）表示的化合物＞ 本揭露化合物由式（I）表示：其中R1 表示氫原子或甲基， R2 及R3 各自獨立地表示氫原子或C1-C6飽和烴基， R4 表示具有C3-C24脂環烴部分的C1-C18脂族烴基，所述脂族烴基可具有取代基且其中亞甲基可經-O-、-S-、-CO-或-SO2 -置換，或 C3-C24脂環烴基，其可具有取代基，且其中亞甲基可經-O-、-S-、-CO-或-SO2 -置換。
下文中，由化學式（I）表示的結構單元有時被稱作「結構單元（I）」。
對於R2 及R3 ，飽和烴基的實例包含：C1-C6烷基，諸如甲基、乙基、丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基以及己基戊基；C3-C6環烷基，諸如環戊基及環己基；以及烷基及環烷基的任何組合。
R2 及R3 較佳為氫原子、甲基或乙基，更佳為氫原子或甲基。仍更佳地，一個為甲基且另一個為氫原子或甲基。
對於R4，脂族烴基的實例包含：C1-C21烷基，諸如甲基、乙基、丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基以及己基、辛基以及壬基；如下文所描述的脂環烴基；以及烷基及脂環烴基的任何組合。
烷基較佳具有1個至4個碳原子，更佳1個至2個碳原子。
對於R4 ，脂環烴基及脂環烴部分可為單環酮、多環酮或螺環，其可具有不飽和鍵。
對於R4 ，脂環烴基及脂環烴部分的實例包含：C3-C20單環環烷基，諸如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環辛基、環壬基、環癸基以及環十二烷基）；及C6-C20多環環烷基，諸如降冰片烷基及金剛烷基。
脂環烴基及脂環烴部分較佳分別具有3個至18個碳原子，更佳3個至12個碳原子。
對於R4 ，脂族烴基可具有取代基。
此等烴基上的取代基的實例包含羥基、羰基、鹵素原子、氰基、C1-C12烷氧基、C2-C13烷氧基羰基、C2至C13烷基羰基以及C2-C13烷基羰氧基。
鹵素原子的實例包含氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。
烷氧基的實例包含甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基以及十二烷氧基。
烷氧基羰基的實例包含甲氧基羰基、乙氧基羰基以及丁氧基羰基。烷基羰基的實例包含乙醯基、丙醯基以及丁醯基。烷基羰氧基的實例包含乙醯氧基、丙醯氧基以及丁醯氧基。
其他取代基包含：C1-C12羥基烷基，諸如羥基甲基及羥基乙基；及C2-C24烷氧基烷氧基，諸如乙氧基乙氧基。
用於R4 的脂環烴部分或脂環烴基的較佳實例包含由式（Y1）至式（Y41）表示的彼等。更佳為由式（Y1）至式（Y20）、式（Y30）、式（Y31）、式（Y39）至式（Y41）表示的彼等。仍更佳為由式（Y11）、式（Y15）、式（Y18）、式（Y20）、式（Y30）以及式（Y39）至式（Y41）表示的彼等。
由R4 表示的此等烴基上的取代基較佳包含鹵素原子或羥基，更佳氟原子或羥基。
鹵素原子的實例包含氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。
R4 較佳為具有C3-C18脂環烴部分的C1-C6脂族烴基，所述脂族烴基可具有氟原子或羥基且其中亞甲基可經-O-、-S-、-CO-或-SO2 -置換；或C3-C24脂環烴基，其可具有取代基且其中亞甲基可經-O-、-S-、-CO-或-SO2 -置換。R4 更佳為羥基金剛烷基、羥基金剛烷基甲基、金剛烷酮基、金剛烷內酯環基、降莰烷丙酮環基、金剛烷基、金剛烷基甲基、環己基或環己基甲基，且仍更佳為羥基金剛烷基、金剛烷酮基、金剛烷內酯環基或降莰烷丙酮環基，且另外仍更佳為金剛烷內酯環基或降莰烷丙酮環基。
化合物（I）的特定實例包含以下各者。
化合物（I）的特定實例另外包含由式（I-1）至式（I-18）表示的化合物，其中對應於R1 的甲基已經氫原子置換。其中，由式（I-1）至式（I-4）、式（I-6）至式（I-12）以及式（I-18）表示的化合物為較佳的，由式（I-1）至式（I-4）、式（I-6）、式（I-7）以及式（I-18）表示的化合物為更佳，且由式（I-1）至式（I-4）以及式（I-18）表示的化合物為仍更佳的。 ＜用於產生化合物（I）的製程＞
化合物（I）可藉由在溶劑中在存在鹼催化劑的情況下使由表示式（I-a）的化合物與由式（I-b）表示的化合物反應而產生。
在反應式中，R1 、R2 、R3 以及R4 如上文所定義。
鹼催化劑的實例包含碳酸鉀、碘化鉀、吡啶以及三乙胺。
溶劑的實例包含二甲基甲醯胺、四氫呋喃、三氯甲烷 以及乙腈。
反應溫度通常為15℃至80℃，且反應時間通常為0.5小時至24小時。
由式（I-a）表示的化合物的實例包含以下化合物，其可在市場上獲得。
由式（I-b）表示的化合物可藉由在溶劑中在存在鹼催化劑的情況下使由式（I-c）表示的化合物與由式（I-d）表示的化合物反應而產生。
在反應式中，R2 、R3 以及R4 如上文所定義。
鹼催化劑的實例包含吡啶、二甲胺基吡啶以及三乙胺。
溶劑的實例包含二甲基甲醯胺、四氫呋喃以及乙腈。
反應溫度通常為0℃至80℃，且反應時間通常為0.5小時至24小時。
由式（I-c）表示的化合物的實例包含以下化合物，其可在市場上獲得。
由式（I-d）表示的化合物的實例包含以下化合物，其可在市場上獲得。＜樹脂＞
本揭露的樹脂包括衍生自化合物（I）的結構單元。下文中，樹脂及結構單元有時被稱作「樹脂（A）」及「結構單元（I）」。
樹脂（A）可由單個結構單元（I）或兩種或多於兩種類型的結構單元（I）組成，或可進一步包括除結構單元（I）外的另一結構單元。
另一結構單元的實例包含具有酸不穩定基團且與結構單元（I）[所述結構單元有時被稱作「結構單元（a1）」]不同的其他結構單元及不具有酸不穩定基團[所述結構單元有時被稱作「結構單元（s）」]的結構單元。
本文中，「酸不穩定基團」意謂具有諸如羥基或羧基的親水性基團的基團，所述基團由利用酸的作用自其移除離去基產生。
當樹脂（A）另外包括另一結構單元時，由式（I）表示的結構單元以通常5莫耳%至90莫耳%、較佳10莫耳%至80莫耳%、更佳10莫耳%至50莫耳%的量存在。
當樹脂（A）另外包括如稍後描述的結構單元（a4）或結構單元（a5）時，由式（I）表示的結構單元以通常5莫耳%至75莫耳%、較佳10莫耳%至70莫耳%、更佳10莫耳%至65莫耳%且仍更佳10莫耳%至60莫耳%的量存在。本文中，另外包括結構單元（a4）或結構單元（a5）的樹脂（A）被稱作「樹脂（AX）」。 ＜結構單元（a1）＞
結構單元（a1）衍生自具有酸不穩定基團的化合物，所述化合物有時稱作「單體（a1）」。
對於樹脂（A），由式（1）及式（2）表示的酸不穩定基團為較佳的。
在式（1）中，Ra1 、Ra2 以及Ra3 各自獨立地表示C1-C8烷基、C3-C20脂環烴基或由其組成的基團，且Ra1 及Ra2 可彼此鍵結以連同鍵結Ra1 及Ra2 的碳原子形成C3-C20脂環烴基，「na」及「ma」各自表示0或1的整數，其限制條件為其中的至少一個表示1，且＊ 表示鍵結位置。
在式（2）中，Ra1 ' 及Ra2 ' 各自獨立地表示氫原子或C1-C12烴基，且Ra3 ' 表示C1-C20烴基，且Ra2 ' 及Ra3 ' 可彼此鍵結以連同X以及鍵結Ra2 ' 及Ra3 ' 的碳原子形成C3-C20雜環基，且烴基及雜環基中的一或多個-CH2 -可經-O-或-S-置換，X表示氧原子或硫原子，「na'」表示0或1的整數，且＊ 表示鍵結位置。
對於Ra1 、Ra2 以及Ra3 而言，烷基的特定實例包含甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、戊基、己基、庚基以及辛基。
脂環烴基可為單環或多環。脂環烴基的實例包含單環脂環烴基，諸如C3-C20環烷基(例如環戊基、環己基、環庚基及環辛基）；及多環脂環烴基，諸如十氫萘基、金剛烷基、降冰片烷基；以及以下各者：其中＊ 表示鍵結位置。
脂環烴基較佳具有3個至16個碳原子。
由烷基及脂環烴基組成的基團的實例包含甲基環己基、二甲基環己基、甲基降冰片烷基、金剛烷基甲基以及降冰片烷基乙基。
「ma」較佳為0。「na」較佳為1。
當二價烴基藉由Ra1 與Ra2 彼此鍵結而形成時，部分-C(Ra1 )(Ra2 )(Ra3 )的實例包含以下基團且二價烴基較佳具有3個至12個碳原子。其中Ra3 與上文所定義的相同，且＊ 表示鍵結位置。
對於式（2），烴基的實例包含烷基、脂環烴基、芳族烴基以及由其中兩者或多於兩者組成的基團。
脂族烴基及脂環烴基的實例包含與上文所描述相同的彼等。芳族烴基的實例包含芳基，諸如苯基、萘基、對甲基苯基、對第三丁基苯基、對金剛烷基苯基、甲苯基、二甲苯基、異丙苯基、均三甲苯基、聯苯基、蒽基、菲基、2,6-二乙基苯基以及2-甲基-6-乙基苯基。
藉由鍵結Ra2 ' 及Ra3 ' 連同X以及鍵結Ra2 ' 及Ra3 ' 的碳原子形成的雜環基的實例包含以下各者。其中＊ 表示鍵結位置。
在式（2）中，Ra1 ' 及Ra2 ' 中的至少一個較佳為氫原子。「na'」較佳為0。
由式（1）表示的基團的實例包含以下各者： 由式（1）表示的基團，其中Ra1 、Ra2 以及Ra3 各自獨立地表示C1-C8烷基，ma為0，且na為1，諸如第三丁基； 由式（1）表示的基團，其中Ra1 與Ra2 彼此鍵結以形成金剛烷基環，Ra3 為C1-C8烷基；ma為0，且na為1，諸如2-烷基-2-金剛烷基； 由式（1）表示的基團，其中Ra1 及Ra2 為C1-C8烷基，Ra3 為金剛烷基，ma為0，且na為1，諸如1-(1-金剛烷基)-1-烷基烷氧羰基。
由式（1）表示的基團的特定實例包含以下基團。
由式（2）表示的基團的特定實例包含以下基團。
單體（a1）較佳為在其側鏈中具有酸不穩定基團以及烯系不飽和基團的單體，更佳為在其側鏈中具有酸不穩定基團的(甲基)丙烯酸酯單體，且仍更佳為具有由式（1）或式（2）表示的基團的(甲基)丙烯酸酯單體。
在其側鏈中具有酸不穩定基團的(甲基)丙烯酸酯單體較佳為包括C5-C20脂環烴基的彼等。包括衍生自此類單體的結構單元的樹脂可為待自其製備的光阻圖案提供提高的解析度。
衍生自具有由式（1）表示的基團的(甲基)丙烯酸酯單體的結構單元較佳為由式（a1-0）、式（a1-1）以及式（a1-2）表示的結構單元中的一者。
在各式中，La01 、La1 及La2 各自獨立地表示-O-或*-O-(CH2 )k1 -CO-O-，其中k1表示1至7的整數且*表示與-CO-的鍵結位置， Ra01 、Ra4 以及Ra5 各自獨立地表示氫原子或甲基， Ra02 、Ra03 、Ra04 、Ra6 以及Ra7 各自獨立地表示C1-C8烷基、C3-C18脂環烴基，或由其組合而形成的基團， m1表示0至14的整數， n1表示0至10的整數，以及 n1'表示0至3的整數。
下文中，由式（a1-0）、式（a1-1）及式（a1-2）表示的結構單元分別稱為「結構單元（a1-0）」、「結構單元（a1-1）」以及「結構單元（a1-2）」。
樹脂（A）可包括此類結構單元中的兩者或多於兩者。
La01 較佳為*-O-或*-O-(CH2 )f1 -CO-O-，其中*表示與-CO-的鍵結位置，且f1表示1至4的整數，且更佳為*-O-或*-O-CH2 -CO-O-，且特別較佳為*-O-。
Ra01 較佳為甲基。
對於Ra02 、Ra03 以及Ra04 ，烷基、脂環烴基以及由其組合形成的基團的實例包含與針對Ra1 、Ra2 以及Ra3 所提及者相同的彼等。
烷基較佳具有1個至6個碳原子。
脂環烴基較佳具有3個至8個碳原子且更佳具有3個至6個碳原子。脂環烴基較佳為飽和脂族環烴基。由其組合形成的基團較佳總共具有18個碳原子或更少，其實例包含甲基環己基、二甲基環己基以及甲基降冰片烷基。
Ra02 及Ra03 中的每一者較佳為C1-C6烷基，更佳為甲基及乙基。
Ra04 較佳為C1-C6烷基及C5-C12脂環烴基，更佳為甲基、乙基、環己基以及金剛烷基。
La1 及La2 中的每一者較佳為*-O-或*-O-(CH2 )f1 -CO-O-，其中*表示與-CO-的鍵結位置，且f1與上文所定義者相同，且更佳為*-O-或*-O-CH2 -CO-O-，且特別較佳為*-O-。
Ra4 及Ra5 中的每一者較佳為甲基。
對於Ra6 及Ra7 ，烷基的實例包含甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第三丁基、戊基、庚基、2-乙基庚基以及辛基。
對於Ra6 及Ra7 ，脂環烴基的實例包含：單環脂環烴基，諸如環己基、甲基環己基、二甲基環己基、環庚基以及甲基環庚基；及多環脂環烴基，諸如十氫萘基、金剛烷基、降冰片烷基以及甲基降冰片烷基。
對於Ra6 及Ra7 ，由烷基及脂環烴基組成的基團的實例包含芳烷基，諸如苯甲基及苯乙基。
由Ra6 及Ra7 表示的烷基較佳為C1-C6烷基，更佳為甲基、乙基或異丙基，且仍更佳為乙基或異丙基。
由Ra6 及Ra7 表示的脂環烴基較佳為C3-C8脂環烴基，更佳為C3-C6脂環烴基。
「m1」較佳為0至3的整數，且更佳為0或1。
「n1」較佳為0至3的整數，且更佳為0或1。
「n1'」較佳為0或1。
結構單元（a1-0）的實例包含由式（a1-0-1）至式（a1-0-12）表示的結構單元，較佳為由式（a1-0-1）至式（a1-0-10）表示的彼等。
結構單元（a1-0）的實例另外包含甲基已經式（a1-0-1）至式（a1-0-12）中的任一者中的氫原子置換的此類基團。
自其衍生結構單元（a1-1）的單體的實例包含：JP2010-204646A1中所描述的單體；及由式（a1-1-1）至式（a1-1-4）表示的以下單體；以及甲基已經式（a1-1-1）至式（a1-1-4）中的任一者中的氫原子置換的此類基團，較佳為由式（a1-1-1）至式（a1-1-4）表示的以下單體。
結構單元（a1-2）的較佳實例包含由式（a1-2-1）至式（a1-2-6）表示的各者及由其中對應於Ra5 的甲基已經氫原子置換的式表示的結構單元，更佳為由式（a1-2-2）、式（a1-2-5）以及式（a1-2-6）表示的單體。
當樹脂包括由式（a1-0）、式（a1-1）以及式（a1-2）表示的結構單元中的一或多者時，以樹脂的所有結構單元的100莫耳%計，結構單元的總含量通常為10莫耳%至95莫耳%，較佳為15莫耳%至70莫耳%，且更佳為15莫耳%至65莫耳%，仍更佳為20莫耳%至60莫耳%，且進一步更佳為20莫耳%至55莫耳%。
具有由式（2）表示的基團的結構單元（a1）的實例包含由式（a1-4）表示的結構單元。結構單元有時被稱作「結構單元（a1-4）」。
在式中，Ra32 表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的C1-C6烷基， Ra33 在每次出現時獨立地表示鹵素原子、羥基、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C2-C4醯基、C2-C4醯氧基、丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基， 「la」表示0至4的整數， Ra34 及Ra35 各自獨立地表示氫原子或C1-C12烴基；及 Ra36 表示C1-C20烴基，或Ra35 及Ra36 可與其所鍵結的C-O一起鍵結形成二價C3-C20雜環基，且烴基或二價雜環基中所含的亞甲基可經氧原子或硫原子置換。
Ra32 及Ra33 的烷基的實例包含甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、戊基以及己基。烷基較佳為C1-C4烷基，且更佳為甲基或乙基，且仍更佳為甲基。
Ra32 及Ra33 的鹵素原子的實例包含氟、氯、溴以及碘原子。
可具有鹵素原子的烷基的實例包含三氟甲基、二氟甲基、甲基、全氟乙基、1,1,1-三氟乙基、1,1,2,2-四氟乙基、乙基、全氟丙基、1,1,1,2,2-五氟丙基、丙基、全氟丁基、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁基、丁基、全氟戊基、1,1,1,2,2,3,3,4,4-九氟戊基、正戊基、正己基以及正全氟己基。
烷氧基的實例包含甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基以及己氧基。烷氧基較佳為C1-C4烷氧基，更佳為甲氧基或乙氧基，且仍更佳為甲氧基。
醯基的實例包含乙醯基、丙醯基以及丁醯基。醯氧基的實例包含乙醯氧基、丙醯氧基以及丁醯氧基。Ra34 及Ra35 的烴基的實例為與式（2）中的Ra1 ' 至Ra2 ' 所描述相同的實例。
Ra36 的烴基的實例包含C1-C18烷基、C3-C18脂環烴基、C6-C18芳族烴基或由其組合形成的基團。
在式（a1-4）中，Ra32 較佳為氫原子。
Ra33 較佳為C1-C4烷氧基，更佳為甲氧基或乙氧基，且仍更佳為甲氧基。
「la」較佳為0或1，且更佳為0。Ra34 較佳為氫原子。Ra35 較佳為C1-C12烴基，且更佳為甲基或乙基。
Ra36 的烴基較佳為C1-C18烷基、C3-C18脂環烴基、C6-C18芳族烴基或其組合，且更佳為C1-C18烷基、C3-C18脂環烴基或C7-C18芳烷基。Ra36 的烷基及脂環烴基較佳未經取代。當Ra36 的芳族烴基具有取代基時，取代基較佳為C6-C10芳氧基。
結構單元（a1-4）的實例包含衍生自JP2010-204646A1中所描述的單體的彼等。其中，結構單元較佳為由式（a1-4-1）至式（a1-4-8）表示的以下各者，且更佳為由式（a1-4-1）至式（a1-4-5）表示的結構單元。
當樹脂（A）具有結構單元（a1-4）時，以樹脂（A）的所有結構單元（100莫耳%）計，其比例較佳為5莫耳%至60莫耳%，更佳為5莫耳%至50莫耳%，且仍更佳為10莫耳%至40莫耳%。
具有由式（2）表示的酸不穩定基團的結構單元的實例包含由式（a1-5）表示的一者。
在式（a1-5）中，Ra8 表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的C1-C6烷基， Za1 表示單鍵或*-(CH2 )h3 -CO-L54 -，其中h3表示1至4的整數，且*表示與L51 的鍵結位置， L51 、L52 、L53 以及L54 各自獨立地表示氧原子或硫原子，且s1表示1至3的整數，且s1'表示0至3的整數。
本文中，由式（a1-5）表示的結構單元有時被稱作「結構單元（a1-5）」。
鹵素原子的實例包含氟原子及氯原子，較佳為氟原子。
可具有鹵素原子的烷基的實例包含甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、氟甲基以及三氟甲基。
在式（a1-5）中，Ra8 較佳表示氫原子、甲基或三氟甲基。
L51 較佳表示氧原子。
較佳地，L52 及L53 中的一者表示氧原子，而另一者表示硫原子。
s1較佳表示1。s1'表示0至2的整數。Za1 較佳表示單鍵或*-CH2 -CO-O-，其中*表示至L51 的鍵結位置。
結構單元（a1-5）的實例包含衍生自JP2010-61117A1中所提及的單體的一者，其較佳包含以下各者。
其中，由式（a1-5-1）及式（a1-5-2）表示的結構單元為更佳的。
當樹脂（A）具有結構單元（a1-5）時，以樹脂的所有結構單元的100莫耳%計，其含量通常為1莫耳%至50莫耳%，較佳為3莫耳%至45莫耳%，且更佳為5莫耳%至40莫耳%，且仍更佳為5莫耳%至30莫耳%。
結構單元（a1）的另一實例包含由式（a1-0X）表示的一者，其有時被稱作「結構單元（a1-0X）」。
在式中，Rx1 表示氫原子、甲基或乙基， Rx2 及Rx3 各自獨立地表示C1-C6飽和烴基，以及 Arx1 表示C6-C36芳族烴基。
樹脂（A）可包括此類結構單元中的兩者或多於兩者。
對於Rx2 及Rx3 ，飽和烴基的實例包含烷基、脂環烴基以及由其組合形成的基團。
烷基的實例包含甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、戊基以及己基。
脂環烴基可為單環或多環，且單環脂環烴基的實例包含環丙基、環丁基、環戊基以及環己基。
對於Arx1 ，芳族烴基的實例包含C6-C36芳基，諸如苯基、萘基以及蒽基。
芳族烴基較佳具有6個至24個碳原子，更佳6個至18個碳原子，且仍更佳苯基。
Arx1 較佳為C6-C36芳族烴基，更佳為苯基或萘基，且仍更佳為苯基。
較佳地，Rx1 、Rx2 以及Rx3 各自獨立地為甲基或乙基。更佳地，Rx1 、Rx2 以及Rx3 為甲基。
結構單元（a1-0X）的實例包含以下各者及由下式表示的結構單元，其中由Rx1 表示的甲基已經氫原子置換，且更佳為由式（a1-0X-1）至式（a1-0X-3）表示的結構單元。
當樹脂（A）具有結構單元（a1-0X）時，以樹脂的所有結構單元的100莫耳%計，其含量通常為5莫耳%至60莫耳%，較佳為5莫耳%至50莫耳%，且更佳為10莫耳%至40莫耳%。
結構單元（a1）的另一實例另外包含以下各者。
當樹脂（A）具有此等結構單元中的任一者時，以樹脂的所有結構單元的100莫耳%計，其含量通常為5莫耳%至60莫耳%，較佳為5莫耳%至50莫耳%，且更佳為10莫耳%至40莫耳%。
結構單元（s）衍生自不具有酸不穩定基團的單體。
結構單元（s）較佳具有羥基或內酯環。
下文中，具有羥基的結構單元（s）被稱作「結構單元（a2）」，且具有內酯環的結構單元（s）被稱作「結構單元（a3）」。
結構單元（a2）所具有的羥基可為醇羥基或酚羥基。
當KrF準分子雷射（波長：248奈米）微影系統或諸如電子束及極紫外的高能量雷射用作暴露系統時，較佳為包括具有酚羥基的結構單元（a2）的樹脂。當ArF準分子雷射（波長：193奈米）用作暴露系統時，較佳為包括具有醇羥基的結構單元（a2）的樹脂，且更佳為包括稍後描述的結構單元（a2-1）的樹脂。
樹脂（A）可具有結構單元（a2）中的兩者或多於兩者。
具有酚羥基的結構單元（a2）的實例包含由式（a2-A）表示的一者：
在式（a2-A）中，Ra50 表示氫原子、鹵素原子、C1-C6烷基或C1-C6鹵化烷基，Aa50 表示單鍵或* -Xa51 -(Aa52 -Xa52 )nb -，其中*表示與鍵結至Ra50 的碳原子的鍵結位置，Aa52 表示C1-C6烷二基，Xa51 及Xa52 表示-O-、-CO-O-或-O-CO-，且nb表示0或1的整數，Ra51 在每次出現時獨立地為鹵素原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C2-C4醯基、C2-C4醯氧基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基，且mb表示0至4的整數。
在式（a2-A）中，鹵素原子的實例包含氟原子、氯原子、溴原子或碘原子，C1-C6烷基的實例包含甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基以及己基，且較佳為C1-C4烷基且更佳為C1-C2烷基且尤其較佳為甲基。
C1-C6鹵化烷基的實例包含三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基、七氟異丙基、九氟丁基、九氟-第二丁基、九氟-第三丁基、全氟戊基以及全氟己基。
C1-C6烷氧基的實例包含甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、戊氧基以及己氧基，且較佳為C1-C4烷氧基且更佳為C1-C2烷氧基且尤其較佳為甲氧基。
C2-C4醯基的實例包含乙醯基、丙醯基以及丁醯基，且C2-C4醯氧基的實例包含乙醯氧基、丙醯氧基以及丁醯氧基。
Ra51 較佳為甲基。
Ra50 較佳為氫原子及C1-C4烷基，且更佳為氫原子、甲基以及乙基，且仍更佳為氫原子及甲基。
關於Aa50 ，* -Xa51 -(Aa52 -Xa52 )nb -的實例包含* -O-、* -CO-O-、* -O-CO-、* -CO-O-Aa52 -CO-O-、* -O-CO-Aa52 -O-、* -O-Aa52 -CO-O-、* -CO-O-Aa52 -O-CO-、* -O-CO-Aa52 -O-CO-，較佳為* -CO-O-、* -CO-O-Aa52 -CO-O-以及* -O-Aa52 -CO-O-。
關於Aa52 ，烷二基的實例包含伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基以及2-甲基丁烷-1,4-二基。
Aa50 較佳為單鍵、* -CO-O-或* -CO-O-Aa52 -O-CO-，更佳為單鍵、* -CO-O-或* -CO-O-CH2 -O-CO-，且仍更佳為單鍵或* -CO-O-。
在式（a2-A）中，mb較佳為0、1或2，且更佳為0或1，且尤其較佳為0。
在式（a2-A）中，苯基上的羥基較佳位於o-位置或P-位置上，且更佳為在P-位置上。
結構單元（a2）的實例包含衍生自JP2010-204634A1及JP2012-12577A1中所描述的單體的彼等。結構單元（a2）的較佳實例包含由式（a2-2-1）至式（a2-2-4）表示的結構單元及由其中對應於Ra50 的甲基已經氫原子置換的式表示的彼等。
其中，更佳為由式（a2-2-1）及式（a2-2-3）表示的結構單元及由其中對應於Ra50 的甲基已經氫原子置換的式表示的彼等。
當樹脂（A）具有由式（a2-A）表示的結構單元時，以樹脂的結構單元的總數計，其含量通常為5莫耳%至80莫耳%，且較佳為10莫耳%至70莫耳%，更佳為15莫耳%至65莫耳%，且再更佳為20莫耳%至65莫耳%。
另外包括由式（a2-A）表示的結構單元樹脂（A）可如下製備：例如藉由使另外包括由式（a1-4）表示的結構單元的樹脂（A）與酸反應；或藉由使用乙醯氧基苯乙烯來聚合樹脂（A）且另外與諸如四甲基銨氫氧化物的鹼反應。
具有醇羥基的結構單元（a2）的實例包含由式（a2-1）表示的一者：其中Ra14 表示氫原子或甲基，Ra15 及Ra16 各自獨立地表示氫原子、甲基或羥基，La3 表示*-O-或*-O-(CH2 )k2 -CO-O-，其中*表示與-CO-的鍵結位置，且k2表示1至7的整數，且o1表示0至10的整數。
下文中，由式（a2-1）表示的結構單元被稱作「結構單元（a2-1）」。
在式（a2-1）中，Ra14 較佳為甲基。Ra15 較佳為氫原子。Ra16 較佳為氫原子或羥基。La3 較佳為*-O-或*-O-(CH2 )f2 -CO-O-，其中*表示與-CO-的鍵結位置，且f2表示1至4的整數，更佳為*-O-及*-O-CH2 -CO-O-，且仍更佳為*-O-，且o1較佳為0、1、2或3且更佳為0或1。
自其衍生結構單元（a2-1）的單體的實例包含如JP2010-204646A中提及的化合物。
結構單元（a2-1）的較佳實例包含由式（a2-1-1）至式（a2-1-6）表示的彼等。
其中，更佳為由式（a2-1-1）、式（a2-1-2）、式（a2-1-3）以及式（a2-1-4）表示的結構單元，仍更佳為由式（a2-1-1）及(a2-1-3）表示的結構單元。
當樹脂（A）具有結構單元（a2-1）時，以樹脂的結構單元的總數計，其含量通常為1莫耳%至45莫耳%，較佳為1莫耳%至40莫耳%，且更佳為1莫耳%至35莫耳%，仍更佳為2莫耳%至20莫耳%，另外仍更佳為2莫耳%至10莫耳%。
結構單元（a3）的內酯環的實例包含單環內酯環，諸如β-丙內酯環、γ-丁內酯環以及γ-戊內酯環，及由單環內酯環及其他環形成的縮合環。其中，較佳為γ-丁內酯環及由γ-丁內酯環及其他環形成的縮合內酯環。
結構單元（a3）的較佳實例包含由式（a3-1）、式（a3-2）、式（a3-3）以及式（a3-4）表示的彼等。
在式中，La4 、La5 以及La6 各自獨立地表示*-O-或*-O-(CH2 )k3 -CO-O-，其中*表示與-CO-的鍵結位置且k3表示1至7的整數， Ra18 、Ra19 以及Ra20 各自獨立地表示氫原子或甲基， Ra21 表示C1-C4單價脂族烴基， Ra24 表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的C1-C6烷基， Ra22 、Ra23 以及Ra25 各自獨立地表示羧基、氰基或C1-C4脂族烴基， La7 表示氧原子、*1 -O-La8 -O-、*1 -O-La8 -CO-O-、*1 -O-La8 -CO-O-La9 -CO-O-或*1 -O-La8 -CO-O-La9 -O-，其中La8 及La9 各自獨立地表示C1-C6二價烷二基，*1表示與羰基的鍵結位置， p1表示0至5的整數， q1及r1各自獨立地表示0至3的整數，且w1表示0至8的整數。
由Ra21 、Ra22 、Ra23 以及Ra25 表示的脂族烴基的實例包含諸如甲基、乙基、丙基或丁基的烷基。
由Ra24 表示的烷基的實例包含甲基、乙基、丙基、丁基、戊基以及己基，較佳為C1-C4烷基，且更佳為甲基及乙基。
由Ra24 表示的鹵素原子的實例包含氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。
關於Ra24 ，具有鹵素原子的烷基的實例包含三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基、七氟異丙基、九氟丁基、九氟-第二丁基、九氟-第三丁基、全氟戊基、全氟己基、三氯甲基、三溴甲基以及三碘甲基。
關於La8 及La9 ，烷二基的實例包含亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基以及己烷-1,6-二基、丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基以及2-甲基丁烷-1,4-二基。
較佳地，La4 、La5 以及La6 各自獨立地表示*-O-或*-O-(CH2 )d1 -CO-O-，其中*表示與-CO-的鍵結位置且d1表示1至4的整數。更佳地，La4 、La5 以及La6 為*-O-及*-O-CH2 -CO-O-，且仍更佳地，La4 、La5 以及La6 為*-O-。
Ra18 、Ra19 以及Ra20 較佳為甲基。Ra21 較佳為甲基。較佳地，Ra22 及Ra23 各自出現時獨立地為羧基、氰基或甲基。
較佳地，p1、q1以及r1各自獨立地表示0至2的整數，且更佳為p1、q1以及r1各自獨立地表示0或1。
Ra24 較佳為氫原子或C1-C4烷基，更佳為氫原子、甲基或乙基，且仍更佳為氫原子或甲基。
La7 較佳表示氧原子或*1 -O-La8 -CO-O-，更佳為氧原子、*1 -O-CH2 -CO-O-或*1 -O-C2 H4 -CO-O-。
式（a3-4）'較佳為以下一者。
在式中，Ra24 及La7 分別如上文所定義。
自其衍生結構單元（a3）的單體的實例包含US2010/203446A1、US2002/098441A1以及US2013/143157A1中所提及的單體。
結構單元（a3）的實例包含以下各者。
結構單元（a3）的其他實例包含由式（a3-1）至式（a3-4）表示的結構單元，其中對應於式（a3-1）至式（a3-4）中的Ra18 、Ra19 、Ra20 以及Ra24 的甲基已經氫原子置換。
當樹脂（A）具有結構單元（a3）時，以樹脂（A）的結構單元的總數計，其含量較佳為5莫耳%至70莫耳%，且更佳為10莫耳%至65莫耳%且更佳10莫耳%至60莫耳%。
當樹脂（A）具有結構單元（a3-1）、結構單元（a3-2）、結構單元（a3-3）或結構單元（a3-4）時，以樹脂的結構單元的總數計，其含量較佳為5莫耳%至60莫耳%，且更佳為5莫耳%至50莫耳%，且更佳為10莫耳%至50莫耳%。
結構單元（s）的其他實例包含具有氟原子的結構單元及具有並未藉由酸的作用自其移除的烴的結構單元。
下文中，具有鹵素原子的結構單元（s）被稱作「結構單元（a4）」。
結構單元（a4）的鹵素原子可為氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。結構單元（a4）較佳具有氟原子。
結構單元（a4）的實例包含以下各者。
在式中，R41 表示氫原子或甲基，R42 表示具有氟原子的C1-C24飽和烴基，在所述烴基中亞甲基可經氧原子或羰基置換。
飽和烴基的實例包含C1-C24鏈烴基、包含單環或多環烴基的脂環烴基，以及此等基團的任何組合。
鏈烴基的實例包含甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基、十二烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基以及十八烷基。
脂環烴基的實例包含環戊基、環己基、環庚基以及環辛基、十氫萘基、金剛烷基、降冰片烷基以及以下基團：。
此等基團的組合的實例包含烷基或烷二基與脂環烴基的任何組合，其特定地包含-[烷二基]-[脂環烴基]、-[脂環烴基]-[烷基]以及-[烷二基]-[脂環烴基]-[烷基]。
結構單元（a4）的典型實例包含由式（a4-0）、式（a4-1）以及式（a4-4）表示的結構單元。
在式（a4-0）中，R5a 表示氫原子或甲基，L4a 表示單鍵或C1-C4烷二基，L3a 表示C1-C8全氟烷二基或C3-C12全氟環烷二基，且R6a 表示氫原子或氟原子。
對於L4a ，烷二基的實例包含直鏈烷二基，諸如亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基以及丁烷-1,4-二基；及分支鏈烷二基，諸如乙烷-1,1-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基以及2-甲基丙烷-1,2-二基。
L3a 的全氟烷二基的實例包含二氟亞甲基、全氟伸乙基、全氟丙烷-1,3-二基、全氟丙烷-1,2-二基、全氟丙烷-2,2-二基、全氟丁烷-1,4-二基、全氟丁烷-2,2-二基、全氟丁烷-1,2-二基、全氟戊烷-1,5-二基、全氟戊烷-2,2-二基、全氟戊烷-3,3-二基、全氟己烷-1,6-二基、全氟己烷-2,2-二基、全氟己烷-3,3-二基、全氟庚烷-1,7-二基、全氟庚烷-2,2-二基、全氟庚烷-3,4-二基、全氟庚烷-4,4-二基、全氟辛烷-1,8-二基、全氟辛烷-2,2-二基、全氟辛烷-3,3-二基以及全氟辛烷-4,4-二基。
L3a 的全氟環烷二基的實例包含全氟環己烷二基、全氟環戊烷二基、全氟環庚烷二基以及全氟金剛烷二基。
L3a 較佳為C1-C6全氟烷二基，更佳為C1-C3全氟烷二基。
L4 a 較佳為單鍵、亞甲基或伸乙基，更佳為單鍵或亞甲基。
由式（a4-0）表示的結構單元的實例包含由下式表示的結構單元及由其中甲基已經氫原子置換的下式表示的彼等。
由式（a4-1）表示的結構單元如下。
在式中，Ra41 表示氫原子或甲基； Ra42 表示可具有取代基且其中亞甲基可經氧原子或羰基置換的C1-C20飽和烴基，其限制條件為Aa41 及Ra42 中的每一者或兩者具有氟原子；及 Aa41 表示可具有取代基的C1-C6烷二基或由式（a-g1）表示的部分：其中s表示0至1的整數， Aa42 及Aa44 分別表示可具有取代基的C1-C5飽和烴基， Aa43 表示單鍵或可具有取代基的C1-C5鏈或脂環烴基， Xa41 及Xa42 分別表示-O-、-CO-、-CO-O-或-O-CO-，其限制條件為Aa42 、Aa43 、Aa44 、Xa41 以及Xa42 的碳原子的總數為7或更小；及 Aa44 鍵結至-O-CO-Ra42 。
Ra42 的飽和烴基包含鏈飽和烴基、包含單環烴基及多環烴基的脂環烴基，以及此等烴基的任何組合。
鏈飽和烴基的實例包含甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基、十二烷基、十六烷基、十五烷基、己基癸基、十七烷基以及十八烷基。
脂環烴基的實例包含環烷基，諸如環戊基、環己基、環庚基以及環辛基；及單價多環烴基，諸如十氫萘基、金剛烷基、降冰片烷基以及以下基團，其中*表示鍵結位置。
此等基團的組合的實例包含烷二基或烷基與脂環烴基的組合，諸如-[烷二基]-[脂環烴基]、-[脂環烴基]-[烷基]以及[烷二基]-[脂環烴基]-[烷基]。
由Ra42 表示的烴基較佳具有取代基。取代基的實例包含鹵素原子及由式（a-g3）表示的基團：其中Xa43 表示氧原子、羰基、羰氧基或氧羰基，以及 Aa45 表示可具有氟原子的C1-C17鏈或脂環烴基。
Aa45 的鏈或脂環烴基的實例包含烷基，諸如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基、十二烷基、十六烷基、十五烷基、己基癸基、十七烷基以及十八烷基； 單環脂環烴基，諸如環戊基、環己基、環庚基以及環辛基；及單價多環烴基，諸如十氫萘基、金剛烷基、降冰片烷基以及以下基團，其中*表示鍵結位置。
Ra42 較佳為可具有鹵素原子的鏈或脂環烴基，更佳為具有鹵素原子的烷基或由式（a-g3）表示的基團。
若Ra42 為具有鹵素原子的鏈或脂環烴基，則其較佳為具有氟原子的鏈或脂環烴基，更佳為全氟烷基或全氟環烷基，且仍更佳為C1-C6全氟烷基，尤其為C1-C3全氟烷基。
全氟烷基的特定實例包含全氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、全氟戊基、全氟己基、全氟庚基以及全氟辛基。全氟環烷基的特定實例包含全氟環己基。
Ra42 的取代基的實例包含羥基、C1-C6烷氧基以及諸如氟原子的鹵素原子。
若Ra42 為具有由式（a-g3）表示的基團的鏈或脂環烴基，則Ra42 較佳具有15個或更少碳原子，更佳為12個或更少碳原子。
若Ra42 具有由式（a-g3）表示的基團，則Ra42 較佳具有一個由式（a-g3）表示的基團。
具有由式（a-g3）表示的基團的鏈或脂環烴基較佳為由式（a-g2）表示的基團：其中Aa46 表示可具有氟原子的C1-C17鏈或脂環烴基，Xa44 表示羰氧基或氧羰基，且Aa47 表示可具有氟原子的C1-C17鏈或脂環烴基，其限制條件為Aa46 、Aa47 以及Xa44 總共具有18個或更少碳原子，且Aa46 及Aa47 中的一者或兩者具有氟原子。
由Aa46 表示的鏈或脂環烴基較佳具有1個至6個、更佳為1個至3個碳原子。
由Aa47 表示的鏈或脂環烴基較佳具有4個至15個、更佳為5個至12個碳原子。Aa47 更佳為環己基或金剛烷基。
由-Aa46 -Xa44 -Aa47 表示的部分的實例包含以下各者。
在各式中，＊ 表示與羧基的鍵結位置。
Aa41 的實例通常包含可為直鏈或分支鏈的C1-C6烷二基。其特定實例包含直鏈烷二基，諸如亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基或己烷-1,6-二基；及分支鏈烷二基，諸如丙烷-1,3-二基、丁烷-1,3-二基、1-甲基丁烷-1,2-二基或2-甲基丁烷-1,4-二基。烷二基上的取代基的實例包含羥基或C1-C6烷氧基。
Aa41 較佳為C1-C4烷二基，更佳為C2-C4烷二基，且仍更佳為伸乙基。
由Aa42 、Aa43 以及Aa44 表示的烷二基的實例包含亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基或2-甲基丁烷-1,4-二基。烷二基上的取代基的實例包含羥基或C1-C6烷氧基。
Xa42 表示氧原子、羰基、羰氧基或氧羰基。
由其中Xa42 為氧原子、羰基、羰氧基或氧羰基的式（a-g1）表示的部分的實例包含以下各者：其中＊ 及＊＊ 表示鍵結位置，且＊＊ 表示與-O-CO-Ra42 的鍵結位置。
由式（a4-1）表示的結構單元的典型實例包含由下式表示的結構單元及由其中對應於Ra41 的甲基已經氫原子置換的下式表示的彼等。
由式（a4-1）表示的結構單元通常為由式（a4-2）表示的結構單元：其中Rf5 表示氫原子或甲基， L44 表示其中亞甲基可經-O-或-CO-置換的C1-C18烷二基，以及 Rf6 表示具有氟原子的C1-C20飽和烴基，其限制條件為L44 及Rf6 總共具有2個至21個碳原子。
L44 的二價飽和烴基的實例包含直鏈烷二基，諸如亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基以及己烷-1,6-二基；及 分支鏈烷二基，諸如1-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、1-甲基丁烷-1,4-二基及2-甲基丁烷-1,4-二基。
Rf6 的飽和烴基的實例包含脂族烴基及芳族烴基。脂族烴基包含鏈基團及環狀基團，及其組合。脂族烴基較佳為烷基及環狀脂族烴基。
烷基的實例包含甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基以及2-乙基己基。
環狀脂族烴基的實例包含單環基團及多環基團中的任一者。單環脂環烴基的實例包含環烷基，諸如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、甲基環己基、二甲基環己基、環庚基、環辛基以及環癸基。多環烴基的實例包含十氫萘基、金剛烷基、2-烷基金剛烷-2-基、1-(金剛烷-1-基)烷-1-基、降冰片烷基、甲基降冰片烷基以及異冰片基。
Rf6 的具有氟原子的飽和烴基的實例包含具有氟原子的烷基及具有氟原子的脂環烴基。
具有氟原子的烷基的特定實例包含氟化烷基，諸如二氟甲基、三氟甲基、1,1-二氟乙基、2,2-二氟乙基、2,2,2-三氟乙基、全氟乙基、1,1,2,2-四氟丙基、1,1,2,2,3,3-六氟丙基、全氟乙基甲基、1-(三氟甲基)-1,2,2,2-四氟乙基、全氟丙基、1-(三氟甲基)-2,2,2-三氟乙基、1,1,2,2-四氟丁基、1,1,2,2,3,3-六氟丁基、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁基、全氟丁基、1,1-雙(三氟)甲基-2,2,2-三氟乙基、2-(全氟丙基)乙基、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟戊基、全氟戊基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-十氟戊基、1,1-雙(三氟甲基)-2,2,3,3,3-五氟丙基、2-(全氟丁基)乙基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-十氟己基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十二氟己基、全氟戊基甲基以及全氟己基。
具有氟原子的脂環烴基的實例包含氟化環烷基，諸如全氟環己基及全氟金剛烷基。
在式（a4-2）中，L44 較佳為C2-C4烷二基，且更佳為伸乙基。
Rf6 較佳為C1-C6氟化烷基。
由式（a4-2）表示的結構單元的實例包含由式（a4-1-1）至式（a4-1-11）表示的各者以及其中對應於Rf5 的甲基已經氫原子置換的彼等。
由式（a4-1）表示的結構單元的另一典型實例包含由式（a4-3）表示的一者。
在式中，Rf7 表示氫原子或甲基。
L5 表示C1-C6烷二基。
Af13 表示可具有氟原子的C1-C18飽和烴基。
Xf12 表示氧羰基或羰氧基。
Af14 表示可具有氟原子的C1-C17飽和烴基，其限制條件為Af13 及Af14 中的一者或兩者表示含氟脂族烴基。
L5 的烷二基的實例包含與L4a 的烷二基相同者。
Af13 另外包含鏈烴基及脂環烴基的組合基團。
關於Af13 ，可具有氟原子的鏈或脂環烴基較佳為可具有氟原子的二價飽和鏈烴基，更佳為全氟烷二基。
可具有氟原子的二價鏈飽和烴基的實例包含烷二基，諸如亞甲基、伸乙基、丙烷二基、丁二基以及戊二基；及全氟烷二基，諸如二氟亞甲基、全氟伸乙基、全氟丙烷二基、全氟丁烷二基以及全氟戊烷二基。
可具有氟原子的二價環狀飽和烴基可為二價單環或多環基團。
可具有氟原子的二價單環烴基的實例包含環己烷二基及全氟環己烷二基。
可具有氟原子的二價多環烴基的實例包含金剛烷二基、降艸伯烷二基以及全氟金剛烷二基。
在由Af14 表示的基團中，脂族烴基包含鏈飽和烴基、環狀飽和烴基以及此等飽和烴基的組合基團。
關於Af14 ，可具有氟原子的鏈或脂環烴基較佳為可具有氟原子的飽和脂族烴基，更佳為全氟烷二基。
可具有氟原子的鏈烴基的實例包含三氟甲基、氟甲基、甲基、全氟乙基、1,1,1-三氟乙基、1,1,2,2-四氟乙基、乙基、全氟丙基、1,1,1,2,2-五氟丙基、丙基、全氟丁基、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁基、丁基、全氟戊基、1,1,1,2,2,3,3,4,4-九氟戊基、戊基、己基、全氟己基、庚基、全氟庚基、辛基以及全氟辛基。
可具有氟原子的脂環烴基可為單環或多環基團。
可具有氟原子的單價單環烴基的實例包含環丙基、環戊基、環己基以及全氟環己基。
可具有氟原子的多環烴基的實例包含金剛烷基、降冰片烷基以及全氟金剛烷基。
上述鏈及脂環烴基的組合基團的實例包含環丙基甲基、環丁基甲基、金剛烷基甲基、降冰片烷基甲基以及全氟金剛烷基甲基。
在式（a4-3）中，L5 較佳為伸乙基。
由Af13 表示的鏈或脂環烴基較佳具有6個或更少、更佳2個至3個碳原子。
由Af14 表示的鏈或脂環烴基較佳具有3個至12個、更佳3個至10個碳原子。
Af14 較佳具有C3-C12脂環烴基，更佳為環丙基甲基、環戊基、環己基、降冰片烷基或金剛烷基。
由式（a4-3）表示的結構單元的實例較佳包含由式（a4-1'-1）至式（a4-1'-11）表示的彼等及其中對應於Rf7 的甲基已經氫原子置換的彼等。
結構單元（a4）的另一實例包含由式（a4-4）表示的彼等。
在式（a4-4）中，其中Rf21 表示氫原子或甲基； Af21 表示-(CH2 )j1 -、-(CH2 )j2 -O-(CH2 )j3 -或-(CH2 )j4 -CO-O-(CH2 )j5 -，其中j1、j2、j3、j4或j5各自獨立地表示1至6的整數；及 Rf22 表示具有氟原子的C1-C10烴基。
對於Rf22 ，具有氟原子的烴基的實例包含如針對Rf2 提及的彼等。
Rf22 較佳為具有氟原子的C1-C10烷基或具有氟原子的C3-C10脂環烴基，更佳為具有氟原子的C1-C10烷基，且仍更佳為具有氟原子的C1-C6烷基。
在式（a4-4）中，Af21 較佳為-(CH2 )j1 -，更佳為亞甲基或伸乙基，且仍更佳為亞甲基。
由式（a4-4）表示的結構單元的實例較佳包含以下各者及由其中對應於Rf21 的甲基已經氫原子置換的下式表示的彼等。
當樹脂（A）具有結構單元（a4）時，以樹脂的所有結構單元的100莫耳%計，其含量較佳為1莫耳%至20莫耳%，更佳為2莫耳%至15莫耳%且仍更佳為3莫耳%至10莫耳%。
結構單元（s）的其他實例包含具有酸穩定烴基的一者。具有酸穩定烴基的結構單元（s）有時被稱作「結構單元（a5）」。
本文中，術語「酸穩定烴基」意謂並未藉由如上文所描述的自酸產生劑產生的酸的作用自具有基團的結構單元移除的此烴基。
酸穩定烴基可為直鏈、分支鏈或環狀烴基。
具有並未藉由酸的作用而自其中移除的烴的結構單元可具有直鏈、分支鏈或環狀烴，較佳為脂環烴基。
具有酸穩定烴基的結構單元的實例包含由式（a5-1）表示的一者：其中R51 表示氫原子或甲基； R52 表示可具有C1-C8單價脂族烴基作為取代基的C3-C18單價脂環烴基，其限制條件為脂環烴基在鍵結至L55 的碳原子上不具有取代基；及 L55 表示單鍵或其中亞甲基可經氧原子或羰基置換的C1-C18二價飽和烴基。
由R52 表示的脂環烴基可為單環或多環脂環烴基。
脂環烴基的實例包含單環烴基，諸如C3-C18環烷基(例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基）；及多環脂環烴基，諸如金剛烷基，或降冰片烷基。
脂族烴基的實例包含烷基，諸如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、辛基以及2-乙基己基。
具有取代基的脂環烴基的實例包含3-羥基金剛烷基及3-甲基金剛烷基。
R52 較佳為C3-C18未經取代脂環烴基，更佳為金剛烷基、降冰片烷基或環己基。
由L55 表示的二價飽和烴基的實例包含二價脂族烴基及二價脂環烴基，較佳為二價脂族烴基。
二價脂族烴基的實例包含烷二基，諸如亞甲基、伸乙基、丙烷二基、丁二基以及戊二基。
二價脂環烴基可為單環或多環脂環烴基。
二價單環烴基的實例包含諸如環戊烷二基及環己烷二基的環烷二基。二價多環脂環烴基的實例包含金剛烷二基及降艸伯烷二基。
其中亞甲基已經氧原子或羰基置換的二價烴基的實例包含由式（L1-1）至式（L1-4）表示的彼等。
在此等式中，＊ 表示與氧原子的鍵結位置。
Xx1 為羰氧基或氧羰基；及 Lx1 為C1-C16二價脂族飽和烴基，且Lx2 為單鍵或C1-C15二價鏈或脂環烴基，其限制條件為Lx1 及Lx2 中的碳原子的總數為16或更少。
Lx3 是C1-C17二價脂族飽和烴基，且Lx4 為單鍵或C1-C16二價鏈或脂環烴基，其限制條件為Lx3 及Lx4 中的碳原子的總數為17或更少。
Lx5 為C1-C15二價脂族飽和烴基，且Lx6 及Lx7 為單鍵或C1-C14二價鏈或脂環烴基，其限制條件為Lx5 、Lx6 以及Lx7 中的碳原子的總數為15或更少。
Lx8 及Lx9 各自獨立地為單鍵或C1-C12二價鏈或脂環烴基，且Wx1 為C3-C15二價環狀飽和烴基，其限制條件為Lx8 、Lx9 以及Wx1 中的碳原子的總數為15或更少。
Lx1 較佳為C1-C8二價脂族飽和烴基，更佳為亞甲基或伸乙基。
Lx2 較佳為單鍵或C1-C8二價脂族飽和烴基，更佳為單鍵。
Lx3 較佳為C1-C8二價脂族飽和烴基，更佳為亞甲基或伸乙基。
Lx4 較佳為單鍵或C1-C8二價脂族飽和烴基，更佳為單鍵、亞甲基或伸乙基。
Lx5 較佳為C1-C8二價脂族飽和烴基，更佳為亞甲基或伸乙基。
Lx6 較佳為單鍵或C1-C8二價脂族飽和烴基，更佳為亞甲基或伸乙基。
Lx7 較佳為單鍵或C1-C8二價脂族飽和烴基，更佳為亞甲基或伸乙基。
Lx8 較佳為單鍵或C1-C8二價脂族飽和烴基，更佳為單鍵或亞甲基。
Lx9 較佳為單鍵或C1-C8二價脂族飽和烴基，更佳為單鍵或亞甲基。
Wx1 較佳為C3-C10二價環狀飽和烴基，更佳為環己烷二基或金剛烷二基。
由式（L1-1）表示的基團的實例包含以下各者。
在此等式中，＊ 表示與氧原子的鍵結位置。
由式（L1-2）表示的基團的實例包含以下各者。
在此等式中，＊ 表示與氧原子的鍵結位置。
由式（L1-3）表示的基團的實例包含以下各者。
在此等式中，＊ 表示與氧原子的鍵結位置。
由式（L1-4）表示的基團的實例包含以下各者。
在此等式中，＊ 表示與氧原子的鍵結位置。
L55 較佳為單鍵或由式（L1-1）表示的基團。
由式（a5-1）表示的結構單元的實例包含以下各者及在各式中甲基已經氫原子置換的彼等。
當樹脂（A）具有結構單元（a5）時，以樹脂的所有結構單元的100莫耳%計，其含量較佳為1莫耳%至30莫耳%，更佳為2莫耳%至20莫耳%且仍更佳為3莫耳%至15莫耳%。 ＜結構單元（II）＞
樹脂（A）可包括藉由輻照分解以產生酸的結構單元。所述結構單元被稱作「結構單元（II）」。結構單元（II）的實例包含如JP2016-79235A1中所描述的各者。
結構單元（II）在其側鏈處較佳包括磺酸鹽或羧酸鹽基團以及有機陽離子，或S+基團及有機陰離子。
在其側鏈處包括磺酸鹽或羧酸鹽基團以及有機陽離子的結構單元（II）較佳由式（II-2-A'）表示：其中XIII3 表示其中亞甲基可經-O-、-S-或-CO-置換且其中氫原子可經氟原子、羥基或可具有氟原子的C1-C6烷基置換的C1-C18二價飽和烴基， Ax1 表示其中氫原子可經氟原子或C1-C6全氟烷基置換的C1-C8烷二基，RA- 表示磺酸鹽或羧酸鹽基團， RIII3 表示氫原子、鹵素原子或其中氫原子可經鹵素原子置換的C1-C6烷基，且ZA+ 表示有機陽離子。
對於RIII3 ，鹵素原子的實例包含氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。
對於RIII3 ，含鹵素的烷基的實例包含全氟甲基及全氟乙基。
對於AX1 ，烷二基的實例包含亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、乙烷-1,1-二基、丙烷-1,1-二基、丙烷-1,2-二基、丙烷-2,2-二基、戊烷-2,4-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基以及2-甲基丁烷-1,4-二基。
對於XIII3 ，二價脂族烴基的實例包含直鏈烷二基、分支鏈烷二基、單環脂環烴、多環脂環烴以及此等基團的任何組合，所述二價脂族烴基的特定實例包含：直鏈烷二基，諸如亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基、十二烷-1,12-二基； 分支鏈烷二基，諸如丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基以及2-甲基丁烷-1,4-二基； 環烷二基基團，諸如環丁烷-1,3-二基、環戊烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基以及環辛烷-1,5-二基；及二價多環脂環烴基，諸如降冰片烷-1,4-二基、降冰片烷-2,5-二基、金剛烷-1,5-二基以及金剛烷-2,6-二基。
其中亞甲基已經-O-、-S-或-CO-置換的飽和烴基的實例包含由式（X1）至式（X53）表示的二價基團。
在各式中，X3 表示C1-C16二價烴基，X4 表示C1-C15二價烴基，X5 表示C1-C13二價烴基，X6 表示C1-C14二價烴基，X7 表示C1-C14二價烴基，且X8 表示C1-C13二價烴基且*表示與Ax1 的鍵結位置，其限制條件為由式（X1）至式（X53）中的一者表示的各二價基團總共具有1個至17個碳原子。
由ZA+ 表示的有機陽離子的實例包含有機鎓陽離子，諸如有機鋶陽離子、有機錪陽離子、有機銨陽離子、苯并噻唑鎓陽離子以及有機鏻陽離子。
其中，較佳為有機鋶陽離子及有機錪陽離子，且更佳為鋶陽離子，尤其芳基鋶陽離子。
由式（II-2-A'）表示的結構單元較佳由式（II-2-A）表示：其中XIII3 、RIII3 以及ZA+ 如上文所定義； RIII2 及RIII4 各自獨立地表示氫原子、氟原子或C1-C6全氟烷基； z表示0至6的整數；及 Qa 及Qb 各自獨立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基。
對於Qa 、Qb 、RIII2 以及RIII4 ，全氟烷基的實例包含三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基、九氟丁基、十一氟戊基以及十三氟己基，且較佳為三氟甲基。
由式（II-2-A）表示的結構單元較佳由式（II-2-A-1）表示：其中RIII2 、RIII3 、RIII4 、Qa 、Qb 、z以及ZA+ 如上文所定義； RIII5 表示C1-C12飽和烴基，以及 XI2 表示其中亞甲基可經-O-、-S-或-CO-置換且其中氫原子可經鹵素原子或羥基置換的C1-C18二價飽和烴基。
對於RIII5 ，飽和烴基的實例包含鏈烷基，諸如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、2-乙基己基以及十二烷基。
對於XI2 ，二價飽和烴基的實例包含與XIII3 的二價飽和烴基相同的實例。
由式（II-2-A-1）表示的結構單元較佳由式（II-2-A-2）表示：其中RIII3 、RIII5 以及ZA+ 如上文所定義；及 n及m各自獨立地表示1或2。
由式（II-2-A'）表示的結構單元的實例包含以下各者及WO2012/050015A1中所列舉的彼等。
在其側鏈處包括S+ 基團及有機陰離子的結構單元（II）較佳由式（II-1-1）表示：其中AII1 表示單鍵或二價連接基團， RII1 表示C6-C18二價芳族烴基， RII2 及RII3 各自獨立地表示C1-C18烴基或與鍵結到其的S+ 一起聯合地表示環結構， RII4 表示氫原子、鹵素原子或其中氫原子可經鹵素原子置換的C1-C6烷基，且A- 表示有機陰離子。
對於RII1 ，芳族烴基的實例包含伸苯基及伸萘基。
對於RII2 及RII3 ，烴基的實例包含烷基、脂環烴基、芳族烴基以及此等基團的任何組合。
對於RII4 ，鹵素原子的實例包含氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。
對於RII4 ，含鹵素的烷基的實例包含全氟甲基及全氟乙基。
對於AII1 ，二價連接基團的實例包含其中亞甲基可經-O-、-S-或-CO-置換的C1-C18二價飽和烴基。二價連接基團的特定實例包含由XIII3 表示的相同飽和烴基。
由式（II-1-1）表示的結構單元的陽離子的實例包含以下各者。
由A- 表示的有機陰離子的實例包含磺酸鹽陰離子、磺醯亞胺陰離子、甲基磺醯陰離子以及羧酸鹽陰離子。
其中，較佳為磺酸鹽陰離子。對於A- ，磺酸鹽陰離子較佳為與用於由式（B1）表示的鹽的相同者。
對於A- ，磺醯亞胺陰離子的實例包含以下各者。
對於A- ，甲基磺醯陰離子的實例包含以下各者。
對於A- ，羰基氧基陰離子的實例包含以下各者。
由式（II-1-1）表示的結構單元的實例包含以下各者。
當樹脂（A）具有結構單元（II）時，以樹脂的所有結構單元的100莫耳%計，其含量較佳為1莫耳%至20莫耳%，更佳2莫耳%至15莫耳%，仍更佳3莫耳%至10莫耳%。
樹脂（A）通常為由結構單元（I）組成的一者、由結構單元（I）及結構單元（a1）組成的一者、由結構單元（I）及結構單元（s）組成的一者，或由結構單元（I）、結構單元（a1）以及結構單元（s）組成的一者。
由結構單元（I）、結構單元（a1）以及結構單元（s）組成的樹脂（A）的實例包含具有結構單元（I）、結構單元（a1）、結構單元（a2）或結構單元（a3）以及結構單元（a4）的樹脂，及具有結構單元（I）、結構單元（a1）、結構單元（a2）或結構單元（a3）、結構單元（a4）以及結構單元（a5）的樹脂。
結構單元（a1）較佳為選自由以下組成的群的一者：結構單元（a1-0）、結構單元（a1-0X）、結構單元（a1-1）以及結構單元（a1-2），尤其為具有環己基或環戊基的一者。更佳地，樹脂（A）具有選自由以下組成的群的兩個結構單元：結構單元（a1-0）、結構單元（a1-0X）、結構單元（a1-1）以及結構單元（a1-2），尤其為具有環己基或環戊基的一者。
結構單元（s）較佳為選自由結構單元（a2）及結構單元（a3）組成的群的一者。結構單元（a2）較佳為結構單元（a2-1）。結構單元（a3）較佳為結構單元（a3-1）、結構單元（a3-2）及結構單元（a3-4）。
可根據諸如自由基聚合的已知聚合方法產生樹脂（A）。
樹脂通常具有2,000或超過2,000的重量平均分子量，較佳2,500或超過2,500的重量平均分子量，更佳3,000或超過3,000的重量平均分子量。樹脂通常具有50,000或小於50,000的重量平均分子量，更佳30,000或小於30,000的重量平均分子量，且更佳15,000或小於15,000的重量平均分子量。
重量平均分子量可利用凝膠滲透層析法量測。
本揭露組成物可具有除樹脂（A）外的另一樹脂。
除樹脂（A）外的另一樹脂不包括結構單元（I）。
除樹脂（A）外的另一樹脂的實例包含：不包括結構單元（I）但包括結構單元（a1）的一者[此樹脂有時被稱作「樹脂（A2）」；及由結構單元（a4）組成或由結構單元（a4）及結構單元（a5）組成的一者[此樹脂有時被稱作「樹脂（X）」。
在樹脂（X）中，以樹脂中的結構單元的總數計，結構單元（a4）的含量較佳為30莫耳%或更多，更佳40莫耳%或更多，仍更佳45莫耳%或更多。
樹脂（X）通常具有6000或超過6000的重量平均分子量，較佳7000或超過7000的重量平均分子量。樹脂通常具有80,000或小於80,000的重量平均分子量，較佳具有60,000或小於60,000的重量平均分子量。
重量平均分子量可用已知方法量測，諸如液相層析或氣相層析。
當光阻組成物含有樹脂（X）時，相對於100份樹脂（A），樹脂的含量較佳為1重量份至60重量份，更佳1重量份至50重量份，且仍更佳1重量份至40重量份，進一步更佳1重量份至30重量份，進一步仍更佳1重量份至8重量份。
本發明的光阻組成物中的樹脂的總含量以固體組分的總數計通常為80質量%或更多，較佳90質量%或更多，且以固體組分的總數計通常為99質量%或更少。在本說明書中，「固體組分」意謂光阻組成物中除溶劑之外的組分。
樹脂可藉由進行對應單體的聚合反應而獲得。聚合反應通常在自由基起始劑存在下進行。此聚合反應可根據已知方法進行。
本揭露的組成物包括酸產生劑。
在光阻組成物中，酸藉由微影光自酸產生劑產生。酸以催化方式抵靠樹脂中的酸不穩定基團起作用以分解酸不穩定基團。本揭露的組成物可具有本領域中已知的酸產生劑。
本領域中已知的酸產生劑可為非離子酸產生劑或離子酸產生劑。非離子酸產生劑的實例包含有機鹵素化合物；磺酸酯化合物，諸如2-硝基苄基磺酸酯（2-nitrobenzylsulfonate）、芳族磺酸酯、肟磺酸酯、N-磺醯氧基醯亞胺、磺醯氧基酮以及重氮基萘醌4-磺酸酯；及碸化合物，諸如二碸、酮碸以及磺醯基重氮甲烷。離子酸產生劑的實例包含鎓鹽化合物，諸如重氮鹽、鏻鹽、鋶鹽以及錪鹽。鎓鹽的陰離子的實例包含磺酸陰離子、磺醯亞胺陰離子以及甲基磺醯陰離子。
本揭露的組成物較佳包括由式（B1）表示的鹽：Qb1 及Qb2 各自獨立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基， Lb1 表示其中亞甲基可經-CO-或-O-置換的C1-C24二價飽和烴基，且其中氫原子可經氟原子或羥基置換， Y表示其中氫原子可經取代基置換的甲基，或其中氫原子可經取代基置換且其中亞甲基已經-O-、-S(O)2 -或-CO-置換的C3-C18脂環烴基，以及 Z+ 表示有機陽離子。
下文中，鹽將僅被稱作「鹽（B1）」。
對於Qb1 及Qb2 ，全氟烷基的實例包含三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基、九氟丁基、十一氟戊基以及十三氟己基，且較佳為三氟甲基。
Qb1 及Qb2 較佳各自獨立地表示氟原子或三氟甲基，且Qb1 及Qb2 更佳為氟原子。
對於Lb1 ，二價飽和烴基的實例包含直鏈伸烷基諸如亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基、十二烷-1,12-二基、十三烷-1,13-二基、十四烷-1,14-二基、十五碳烷-1,15-二基、十六碳烷-1,16-二基以及十七烷-1,17-二基； 分支鏈伸烷基，諸如乙烷-1,1-二基、丙烷-1,1-二基、丙烷-1,2-二基、丙烷-2,2-二基、戊烷-2,4-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基以及2-甲基丁烷-1,4-二基； 二價單環脂環烴基，諸如環丁烷-1,3-二基、環戊烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基以及環辛烷-1,5-二基；及二價多環脂環烴基，諸如降冰片烷-1,4-二基、降冰片烷-2,5-二基、金剛烷-1,5-二基以及金剛烷-2,6-二基。
對於Lb1 ，其中亞甲基已經氧原子或羰基置換的飽和烴基的實例包含由式（b1-1）至式（b1-3）表示的彼等。
在式（b1-1）中，Lb2 表示單鍵或其中氫原子可經氟原子置換的C1-C22二價飽和烴基，且Lb3 表示單鍵或其中氫原子可經羥基或氟原子置換且其中亞甲基可經氧原子或羰基置換的C1-C22二價飽和烴基，其限制條件為Lb2 及Lb3 的碳原子的總數為至多22。
在式（b1-2）中，Lb4 表示其中氫原子可經氟原子置換的C1-C22二價飽和烴基，且Lb5 表示單鍵或其中氫原子可經羥基或氟原子置換且其中亞甲基可經氧原子或羰基置換的C1-C22二價飽和烴基，其限制條件為Lb4 及Lb5 中的碳原子總數為至多22。
在此等式中，*表示與Y的鍵結位置。
在式（b1-1）及式（b1-2）中，二價飽和烴基包含直鏈烷二基、分支鏈烷二基、單環或多環二價飽和烴基以及組合上述基團中的兩者或多於兩者的基團。
Lb2 較佳為單鍵。
Lb3 較佳為C1-C4二價飽和烴基。
Lb4 較佳為其中氫原子可經氟原子置換的C1-C8二價飽和烴基。
Lb5 較佳為單鍵或C1-C8二價飽和烴基。
Lb6 較佳為單鍵或其中氫原子可經氟原子置換的C1-C4二價飽和烴基。
Lb7 較佳為單鍵或其中氫原子可經羥基或氟原子置換且其中亞甲基可經氧原子或羰基置換的C1-C7二價飽和烴基。
由式（b1-1）表示的基團的實例包含由式（b1-4）、式（b1-5）、式（b1-6）、式（b1-7）以及式（b1-8）表示的彼等。
在式（b1-4）中，Lb8 表示單鍵或其中氫原子可經氟原子或羥基置換的C1-C22二價飽和烴基。
在式（b1-5）中，Lb9 表示C1-C20二價飽和烴基，且Lb10 表示單鍵或其中氫原子可經羥基或氟原子置換的C1-C19二價飽和烴基，其限制條件為Lb9 及Lb10 的碳原子總數為至多20。
在式（b1-6）中，Lb11 表示C1-C21二價飽和烴基，且Lb12 表示單鍵或其中氫原子可經羥基或氟原子置換的C1-C20二價飽和烴基，其限制條件為Lb11 及Lb12 的總碳數為至多21。
在式（b1-7）中，Lb13 表示C1-C19二價飽和烴基，Lb14 表示單鍵或C1-C18二價飽和烴基，且Lb15 表示單鍵或其中氫原子可經羥基或氟原子置換的C1-C18二價飽和烴基，其限制條件為Lb13 、Lb14 以及Lb15 的總碳數為至多19。
在式（b1-8）中，Lb16 表示C1-C18二價飽和烴基，Lb17 表示C1-C18二價飽和烴基，且Lb18 表示單鍵或其中氫原子可經羥基或氟原子置換的C1-C17二價飽和烴基，其限制條件為Lb16 、Lb17 以及Lb18 的總碳數為至多19。
由式（b1-3）表示的基團的實例包含由式（b1-9）、式（b1-10）以及式（b1-11）表示的彼等。
在式（b1-9）中，Lb19 表示單鍵或其中氫原子可經氟原子置換的C1-C23二價飽和烴基，且Lb20 表示單鍵或其中氫原子可經羥基或氟原子置換且其中亞甲基可經氧原子或羰基置換的C1-C23二價飽和烴基，其限制條件為Lb19 及Lb20 的碳原子總數為至多23。
在式（b1-10）中，Lb21 表示單鍵或其中氫原子可經氟原子置換的C1-C21二價飽和烴基，Lb22 表示單鍵或C1-C21二價飽和烴基且Lb23 表示單鍵或其中氫原子可經羥基或氟原子置換且其中亞甲基可經氧原子或羰基置換的C1-C21二價飽和烴基，其限制條件為Lb21 、Lb22 以及Lb23 的碳原子總數為至多21。
在式（b1-11）中，Lb24 表示其中氫原子可經氟原子置換的C1-C21二價飽和烴基，Lb25 表示C1-C21二價飽和烴基，且Lb26 表示單鍵或其中氫原子可經羥基或氟原子置換且其中亞甲基可經氧原子或羰基置換的C1-C20二價飽和烴基，其限制條件為Lb24 、Lb25 以及Lb26 的碳原子總數為至多21。
在此等式中，＊ 表示與Y的鍵結位置。
在此等式中，二價飽和烴基包含直鏈烷二基、分支鏈烷二基、單環或多環二價飽和烴基，以及組合上述基團中的兩者或多於兩者的基團。
二價飽和烴基的特定實例包含如針對Lb1 提及的彼等。
Lb8 較佳為C1-C4烷二基。
Lb9 較佳為C1-C8二價飽和烴基。
Lb10 較佳為單鍵或C1-C19二價飽和烴基，且更佳為單鍵或C1-C8二價飽和烴基。
Lb11 較佳為C1-C8二價飽和烴基。
Lb12 較佳為單鍵或C1-C8二價飽和烴基。
Lb13 較佳為C1-C12二價飽和烴基。
Lb14 較佳為單鍵或C1-C6二價飽和烴基。
Lb15 較佳為單鍵或C1-C18二價飽和烴基，且更佳為單鍵或C1-C8二價飽和烴基。
Lb16 較佳為C1-C12二價飽和烴基。
Lb17 較佳為C1-C6二價飽和烴基。
Lb18 較佳為單鍵或C1-C17二價飽和烴基，且更佳為單鍵或C1-C4二價飽和烴基。
在此等式中，二價飽和烴基包含直鏈烷二基、分支鏈烷二基、單環或多環二價飽和烴基，以及組合上述基團中的兩者或多於兩者的基團。
二價飽和烴基的特定實例包含如針對Lb1 提及的彼等。
其中亞甲基已經氧原子或羰基置換的二價飽和烴基的實例包含具有醯氧基的二價飽和烴基。在具有醯氧基的二價飽和烴基中，氫原子可經羥基置換，且亞甲基可經氧原子或羰基置換。
具有醯氧基的二價飽和烴基的實例包含乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、環己基羰氧基以及金剛烷基羰氧基。
當在具有醯氧基的二價飽和烴基中氫原子已經羥基置換或亞甲基已經氧原子或羰基置換時，此基團的實例包含側氧基金剛烷基羰氧基（oxoadamantylcarbonyloxy）、羥基金剛烷基羰氧基（hydroxyadamantylcarbonyloxy）、側氧基環己基羰氧基（oxocyclohexylcarbonyloxy）以及羥基環己基羰氧基（hydroxycyclohexylcarbonyloxy）。
由式（B1-4）表示的基團的實例包含以下各者。
由式（b1-5）表示的基團的實例包含以下各者。
由式（b1-6）表示的基團的實例包含以下各者。
由式（b1-7）表示的基團的實例包含以下各者。
由式（b1-8）表示的基團的實例包含以下各者。
由式（b1-2）表示的基團的實例包含以下各者。
由式（b1-9）表示的基團的實例包含以下各者。
由式（b1-10）表示的基團的實例包含以下各者。
由式（b1-11）表示的基團的實例包含以下各者。
Y的單價脂環烴基可為單環脂環烴基或多環脂環烴基，諸如螺環。
由Y表示的脂環烴基的較佳實例包含由式（Y1）至式（Y11）以及式（Y36）至式（Y38）表示的彼等。由Y表示且其中亞甲基已經-O-、-SO2 -或-CO-置換的脂環烴基的較佳實例包含由式（Y12）至式（Y35）以及式Y（39）及式Y（40）表示的彼等。
在由式表示的基團之中，較佳為由式（Y1）至式（Y20）、式（Y30）、式（Y31）、式（Y39）以及式（Y40）表示的彼等，更佳為由式（Y11）、式（Y15）、式（Y16）、式（Y20）、式（Y30）、式（Y31）、式（Y39）以及式（Y40）表示的彼等；且仍更佳為由式（Y11）、式（Y15）、式（Y30）、式（Y39）以及式（Y40）表示的彼等。
當Y具有諸如由式（Y28）至式（35）表示的彼等螺環時，螺環較佳具有至少兩個氧原子及在兩個氧原子之間的烷二基上的氟原子。當Y具有縮酮結構時，直接連接至氧原子的烷二基在結構中較佳不具有氟原子。
Y的甲基上的取代基包含鹵素原子、羥基、C3-C16脂環烴基、C6-C18芳族烴基、縮水甘油氧基，以及-(CH2 )j2 -O-CO-Rb1 ' -，其中Rb1 ' 是C1-C16烷基、C3-C16脂環烴基或C6-C18芳族烴基，且j2為0至4的整數。
Y的脂環烴基上的取代基包含鹵素原子、羥基、C1-C12烷基、含C1-C12羥基烷基、C1-C12烷氧基、C3-C16脂環烴基、C6-C18芳族烴基、C7-C21芳烷基、C2-C4醯基、縮水甘油氧基，以及-(CH2 )j2 -O-CO-Rb1 ' -，其中Rb1 ' 為C1-C16烷基，且j2為0至4的整數。
鹵素原子的實例包含氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。
脂環烴基的實例包含環戊基、環己基、環庚基以及環辛基、降冰片烷基以及金剛烷基。
芳族烴基的實例包含芳基，諸如苯基、萘基、蒽基、對甲基苯基、對第三丁基苯基、對金剛烷基苯基、甲苯基、二甲苯基、異丙苯基、均三甲苯基、聯苯基、菲基、2,6-二乙基苯基以及2-甲基-6-乙基苯基。
烷基的實例包含甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、2-乙基己基以及十二烷基。
含羥基烷基的實例包含羥甲基及羥乙基。
C1-C12烷氧基的實例包含甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、癸氧基以及十二烷氧基。
芳烷基的實例包含苯甲基、苯丙基、苯乙基、萘甲基或萘乙基。
醯基的實例包含乙醯基、丙醯基以及丁醯基。
Y的實例包含如下基團。
Y較佳表示可具有取代基且其中亞甲基可經-O-、-SO2 -或-CO-置換的C3-C18脂環烴基，更佳為可具有取代基且其中亞甲基可經-O-、-SO2 -或-CO-置換的金剛烷基，且仍更佳為金剛烷基、羥基金剛烷基、側氧基金剛烷基或以下基團。其中*表示鍵結位置。
由式（B1）表示的鹽的磺酸陰離子的較佳實例包含由式（B1-A-1）至式（B1-A-55），較佳為式（B1-A-1）至式（B1-A-4）、式（B1-A-9）、式（B1-A-10）、式（B1-A-24）至式（B1-A-33）、式（B1-A-36）至式（B1-A-40）以及式（B1-A-47）至式（B1-A-55）表示的鹽。
在此等式中，符號Qb1 及符號Qb2 如上文所定義，Ri2 、Ri3 、Ri4 、Ri5 、Ri6 以及Ri7 各自獨立地表示C1-C4烷基，較佳為甲基或乙基，Ri8 表示C1-C12脂族烴基[較佳為C1-C4烷基]、C5-C12單價脂環烴基或其組合基團，較佳為甲基、乙基、環己基或金剛烷基，且LA4 表示單鍵或C1-C4烷二基。
由式（B1）表示的鹽的磺酸陰離子的實例包含JP2010-2046465A1中所描述的彼等。
由式（B1）表示的鹽的磺酸陰離子的特定實例包含以下陰離子。
其中，較佳為由式（B1a-1）至式（B1a-3）、式（B1a-7）至式（B1a-16）、式（B1a-18）、式（B1a-19）以及式（B1a-22）至式（B1a-30）表示的彼等。
由Z+ 表示的有機陽離子的實例包含有機鎓陽離子，諸如有機鋶陽離子、有機錪陽離子、有機銨陽離子、苯并噻唑鎓陽離子以及有機鏻陽離子。
其中，較佳為有機鋶陽離子及有機錪陽離子，且更佳為鋶陽離子，尤其芳基鋶陽離子。
陽離子的較佳實例包含由式（b2-1）、式（b2-2）、式（b2-3）以及式（b2-4）表示的彼等。
在式（b2-1）至式（b2-4）中，Rb4 、Rb5 以及Rb6 獨立地表示C1-C30脂族烴基、C3-C36脂環烴基以及C6-C36芳族烴基。脂族烴基可具有選自由以下組成的群的取代基：羥基、C1-C12烷氧基、C3-C12脂環烴基以及C6-C18芳族烴基。脂環烴基可具有選自由以下組成的群的取代基：鹵素原子、C1-C18脂族烴基、C2-C4醯基以及縮水甘油氧基。芳族烴基可具有選自由以下組成的群的取代基：鹵素原子、羥基、C1-C18脂族烴基以及C1-C12烷氧基。
Rb4 及Rb5 可鍵結而與鄰近S+ 一起形成環，且環中的亞甲基可經-CO-、-O-或-SO-置換。
Rb7 及Rb8 在每次出現時獨立地為羥基、C1-C12脂族烴基或C1-C12烷氧基，m2及n2獨立地表示0至5的整數。
Rb9 及Rb10 獨立地表示C1-C36脂族烴基或C3-C36脂環烴基。
Rb9 及Rb10 可鍵結而與鄰近S+ 一起形成環，且二價脂環烴基中的亞甲基可經-CO-、-O-或-SO-置換。
Rb11 表示氫原子、C1-C36脂族烴基、C3-C36脂環烴基或C6-C18芳族烴基。
Rb12 表示其中氫原子可經C6-C18芳族烴基置換的C1-C12脂族烴基、C3-C18飽和環烴基，以及其中氫原子可經C1-C12烷氧基或(C1-C12烷基)羰氧基置換的C6-C18芳族烴基。
Rb11 及Rb12 可彼此鍵結而與鄰近-CHCO-一起形成C1-C10二價脂環烴基，其形成2-側氧基環烷基，且二價脂環烴基中的亞甲基可經-CO-、-O-或-SO-置換。
Rb13 、Rb14 、Rb15 、Rb16 、Rb17 以及Rb18 獨立地表示羥基、C1-C12脂族烴基或C1-C12烷氧基。
Lb31 表示-S-或-O-，且o2、p2、s2以及t2各自獨立地表示0至5的整數，q2及r2各自獨立地表示0至4的整數，且u2表示0或1。
由Rb4 至Rb12 表示的脂族烴基的較佳實例包含烷基，諸如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、辛基以及2-乙基己基。由Rb9 、Rb10 、Rb11 以及Rb12 表示的脂族烴基較佳具有1個至12個碳原子。
脂環烴基可為單環或多環脂環烴基。單環烴基的較佳實例包含環烷基，諸如環戊基、環己基、甲基環己基、二甲基環己基、環庚基以及環辛基。多環烴基的較佳實例包含金剛烷基、降冰片烷基以及十氫萘基，以及以下基團。
由Rb9 、Rb10 、Rb11 以及Rb12 表示的脂環烴基較佳具有3個至18個碳原子，更佳4個至12個碳原子。
其中氫原子已經脂族烴基置換的脂環烴基的實例包含甲基環己基、二甲基環己基、甲基降冰片烷基及異降冰片烷基。
其中氫原子已經脂族烴基置換的脂環烴基較佳總共具有20個或更少的碳原子。
芳族烴基的實例包含芳基，諸如苯基、甲苯基、二甲苯基、異丙苯基、均三甲苯基、對乙基苯基、對第三丁基苯基、對金剛烷基苯基、聯苯基、萘基、菲基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基。
當芳族烴基具有脂環烴基或脂族烴基時，較佳的是脂環烴基及脂族烴基分別具有1個至18個碳原子以及3個至18個碳原子。
其中氫原子已經烷氧基置換的芳族烴基的實例包含對甲氧基苯基。
其中氫原子已經芳族烴基置換的脂族烴基的實例包含苯甲基、苯乙基、苯丙基、三苯甲基、萘基甲基以及萘基乙基。
烷氧基的實例包含甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、癸氧基以及十二烷氧基。
醯基的實例包含乙醯基、丙醯基以及丁醯基。
鹵素原子的實例包含氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。
烷基羰氧基的實例包含甲基羰氧基、乙基羰氧基、正丙基羰氧基、異丙基羰氧基、正丁基羰氧基、第二丁基羰氧基、第三丁基羰氧基、戊基羰氧基、己基羰氧基、辛基羰氧基以及2-乙基己基羰氧基。
由鍵結Rb4 及Rb5 而與鄰近S+ 一起形成的環基團可為單環或多環、飽和或不飽和、芳族或非芳族基團。環通常為3員至12員環，較佳為3員至7員環。環的實例包含以下各者。
由鍵結Rb9 及Rb10 而與鄰近S+ 一起形成的環基團可為單環或多環、飽和或不飽和、芳族或非芳族基團。環通常具有C3個至C12個、較佳C3個至C7個碳原子。環的實例包含硫雜環戊烷-1-鎓環（四氫噻吩鎓環）、硫雜環己烷-1-鎓環以及1,4-氧硫雜環己烷-4-鎓環。
由鍵結Rb11 及Rb12 而與-CH-CO-一起形成的環基團可為單環或多環、飽和或不飽和、芳族或非芳族基團。環通常具有C3個至C12個、較佳C3個至C7個碳原子。環的實例包含側氧基環庚烷環、側氧基環己烷環、側氧基降艸伯烷環以及側氧基金剛烷環。
酸產生劑的陽離子的較佳實例包含芳基鋶陽離子，尤其式（b2-1）的陽離子，且更特定言之苯基鋶陽離子。
較佳地，式（b2-1）的陽離子具有一個或三個苯基。當式（b2-1）的陽離子具有一個苯基時，其另外具有硫雜環戊烷-1-鎓環或1,4-氧硫雜環己烷-4-鎓環。
由式（b2-1）表示的陽離子實例包含以下各者。
由式（b2-2）表示的陽離子的實例包含以下各者。
由式（b2-3）表示的陽離子的實例包含以下各者。
由式（b2-4）表示的陽離子的實例包含以下各者。
由Z+ 表示的有機反離子的實例包含鎓陽離子，諸如鋶陽離子、錪陽離子、銨陽離子、苯并噻唑鎓陽離子以及鏻陽離子，且較佳為鋶陽離子及錪陽離子，且更佳為鋶陽離子，尤其芳基鋶陽離子。
由式（B1）表示的鹽可由上述有機反離子及上述磺酸陰離子組成。由式（B1）表示的鹽較佳由陰離子及陽離子組成，所述陰離子由以下中的任一者表示：式（B1a-1）至式（B1a-3）、式（B1a-7）至式（B1a-16）、式（B1a-18）、式（B1a-19）以及式（B1a-22）至式（B1a-34），所述陽離子由式（b2-1）或式（b2-3）表示。
由式（B1）表示的鹽的特定實例包含以下由式（B1-1）至式（B1-48）表示的鹽。其中，較佳為包括芳基鋶陽離子的彼等，更佳為由式（B1-1）至式（B1-3）、式（B1-5）至式（B1-7）、式（B1-11）至式（B1-14）、式（B1-20）至式（B1-26）、式（B1-29）、式（B1-31）至式（B1-48）表示的鹽。
本揭露的組成物可含有兩種或多於兩種類型的鹽（B1）。
在本揭露的組成物中，按100份樹脂（A），酸產生劑的總含量較佳為1質量份至40質量份，更佳為3質量份至35質量份。 ＜溶劑＞
較佳地，本揭露的光阻組成物另外含有溶劑。
以本發明的光阻組成物的總量計，溶劑的量通常為90重量%或更多，較佳92重量%或更多，更佳94重量%或更多。以本發明的光阻組成物的總量計，溶劑的量通常為99.9重量%或更少，且較佳99重量%或更少。含量可利用已知方法量測，諸如液相層析或氣相層析。
溶劑的實例包含二醇醚酯，諸如乙基乙二醇乙酸乙醚、甲基乙二醇乙酸乙醚以及丙二醇單甲醚乙酸酯；二醇醚，諸如丙二醇單甲醚；酯，諸如乳酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯以及丙酮酸乙酯；酮，諸如丙酮、甲基異丁基酮、2-庚酮以及環己酮；以及環酯，諸如γ-丁內酯。 ＜淬滅劑＞
本揭露的光阻組成物可另外含有諸如鹼性化合物的淬滅劑。「淬滅劑」的特性為其可截獲酸，尤其藉由暴露於微影光而自酸產生劑產生的酸。
淬滅劑的實例包含鹼性化合物，諸如鹼性含氮有機化合物及產生酸性比由酸產生劑產生的酸更弱的酸的鹽。
鹼性含氮有機化合物的實例包含胺化合物，諸如脂族胺、芳族胺以及銨鹽。脂族胺的實例包含一級胺、二級胺以及三級胺。
淬滅劑的實例包含1-萘胺、2-萘胺、苯胺、二異丙基苯胺、2-甲基苯胺、3-甲基苯胺或4-甲基苯胺、4-硝基苯胺、N-甲基苯胺、N,N-二甲基苯胺、二苯胺、己胺、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、二丁胺、戊胺、二辛胺、三乙胺、三甲胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、三己胺、三庚胺、三辛胺、三壬胺、三癸胺、甲基二丁胺、甲基二戊胺、甲基二己胺、甲基二環己胺、甲基二庚胺、甲基二辛胺、甲基二壬胺、甲基二癸胺、乙基二丁胺、乙基二戊胺、乙基二己胺、乙基二庚胺、乙基二辛胺、乙基二壬胺、乙基二癸胺、二環己基甲胺、三[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]胺、三異丙醇胺、乙二胺、丁二胺、己二胺、4,4'-二胺基-1,2-二苯基乙烷、4,4'-二胺基-3,3'-二甲基二苯基甲烷、4,4'-二胺基-3,3'-二乙基二苯基甲烷、哌嗪、嗎啉、哌啶、具有哌啶結構的受阻胺化合物、2,2'-亞甲基雙苯胺、咪唑、4-甲基咪唑、吡啶、4-甲基吡啶、1,2-二(2-吡啶基)乙烷、1,2-二(4-吡啶基)乙烷、1,2-二(2-吡啶基)乙烯、1,2-二(4-吡啶基)乙烯、1,3-二(4-吡啶基)丙烷、1,2-二(4-吡啶氧基)乙烷、二(2-吡啶基)酮、4,4'-二吡啶基硫化物、4,4'-二吡啶基二硫化物、2,2'-二吡啶胺、2,2'-二吡啶甲胺以及聯吡啶。
氫氧化四級銨的實例包含氫氧化四甲基銨、氫氧化四丁基銨、氫氧化四己基銨、氫氧化四辛基銨、氫氧化苯基三甲基銨、氫氧化(3-三氟甲基苯基)三甲基銨以及氫氧化(2-羥乙基)三甲基銨（所謂的「膽鹼」）。
關於產生酸性比由酸產生劑產生的酸更弱的酸的鹽，鹽的酸性藉由酸解離常數（pKa）示出。
用於淬滅劑的鹽所產生的酸的酸解離常數通常為-3 ＜ pKa。
用於淬滅劑的鹽較佳為-1 ＜ pKa ＜ 7的鹽，且更佳為0 ＜ pKa ＜ 5的鹽。
用於淬滅劑的鹽的特定實例包含以下各者：諸如式（D）的鹽的鎓羧酸鹽及US2012/328986A1、US2011/171576A1、US2011/201823A1、JP2011-39502A1以及US2011/200935A1中所列舉的鹽。
光阻組成物較佳包含鎓羧酸鹽，更佳式（D）的鹽。
在式（D）中，RD1 及RD2 分別表示C1-C12單價烴基、C1-C6烷氧基、C2-C7醯基、C2-C7醯氧基、C2-C7烷氧基羰基、硝基或鹵素原子。符號m'及n'各自獨立地表示0至4的整數，較佳為0至2的整數，更佳為0。
式（D）化合物的實例包含以下各者。
以固體組分的總和計，淬滅劑的含量較佳為0.01質量%至5質量%，且更佳為0.01質量%至3質量%。
必要時，本發明的光阻組成物可含有少量的各種添加劑，諸如敏化劑、溶解抑制劑、其他聚合物、界面活性劑、穩定劑及染料，只要對本發明的效應無礙即可。
本發明的光阻組成物可如下製備：通常在溶劑中，藉由以用於組成物的合適比率來混合含有鹽（B1）及樹脂（A）且必要時樹脂（A2）、樹脂（X）的酸產生劑、淬滅劑及/或添加劑；視情況隨後利用孔徑為0.003微米至0.2微米的過濾器來過濾混合物。
此等組分混合的次序不限於任何特定次序。混合組分的溫度通常為10℃至40℃，其可考慮樹脂或其類似物來選擇。混合時間通常為0.5小時至24小時，其可考慮溫度來選擇。組分混合方式不限於特定方式。組分可藉由攪拌來混合。
光阻組成物中的組分的量可藉由選擇用於產生其的量來調節。
本揭露的光阻組成物適用於化學增幅型光阻組成物。
光阻圖案可藉由以下步驟（1）至步驟（5）來產生： （1）將本發明的光阻組成物塗覆於基板上的步驟， （2）藉由進行乾燥來形成組成物膜的步驟， （3）使所述組成物膜暴露於輻射的步驟， （4）烘烤暴露的組成物膜的步驟，以及 （5）使經烘烤組成物膜顯影的步驟。
光阻組成物塗覆於基板上通常使用諸如旋塗器的習知設備進行。基板的實例包含上面形成有感測器、電路、電晶體或其類似物的矽晶圓或石英晶圓。
組成物膜的形成通常使用諸如加熱板的加熱設備或減壓器進行，且加熱溫度通常為50℃至200℃。當壓力在加熱期間降低時，操作壓力通常為1帕至1.0*105 帕。加熱時間通常為10秒至180秒。
所得組成物膜使用暴露系統暴露於輻射。暴露通常經由具有對應於所要光阻圖案的圖案的遮罩進行。暴露源的實例包含：在UV區域中輻射雷射光的光源，諸如KrF準分子雷射（波長：248奈米）、ArF準分子雷射（波長：193奈米）以及F2雷射（波長：157奈米）；藉由來自固體雷射光源（諸如釔鋁石榴石（yttrium aluminum garnet，YAG）或半導體雷射器）的雷射光的波長轉換在遠UV區域或真空UV區域中輻射諧波雷射光的光源；以及輻射電子束或EUV（極紫外）光的光源。
暴露的組成物膜的烘烤溫度通常為50℃至200℃，且較佳為70℃至150℃。
所烘焙的組成物膜的顯影通常使用顯影設備進行。顯影方法包含浸漬方法、漿式方法、噴霧方法以及動態分配方法。顯影溫度較佳為5℃至60℃，且顯影時間較佳為5秒至300秒。
可藉由顯影獲得正型及負型光阻圖案，此視其所用的顯影劑而定。
當正型光阻圖案是由本發明的光阻組成物製備時，顯影可使用鹼性顯影劑進行。所用鹼性顯影劑可為本領域中所用的各種鹼性水溶液中的任一者。一般而言，通常使用四甲基氫氧化銨或(2-羥乙基)三甲基氫氧化銨（通常稱為「膽鹼」）的水溶液。鹼性顯影劑可包括界面活性劑。
顯影之後，具有光阻圖案的光阻膜較佳用超純水洗滌，且光阻膜及基板上的剩餘水較佳自其中移除。
當負型光阻圖案是由本發明的光阻組成物製備時，顯影可使用含有有機溶劑的顯影劑進行，此類顯影劑有時被稱作「有機顯影劑」。
用於有機顯影劑的有機溶劑的實例包含酮溶劑，諸如2-己酮、2-庚酮；醇醚酯溶劑，諸如丙二醇單甲醚乙酸酯；酯溶劑，諸如乙酸丁酯；醇醚溶劑，諸如丙二醇單甲醚；醯胺溶劑，諸如N,N-二甲基乙醯胺；及芳族烴溶劑，諸如苯甲醚。
有機溶劑在有機顯影劑中的含量較佳為90重量%至100重量%，更佳為95重量%至100重量%。較佳地，有機顯影劑基本上由有機溶劑組成。
其中，有機顯影劑較佳為包括乙酸丁酯及/或2-庚酮的顯影劑。
乙酸丁酯及2-庚酮的總含量較佳為90重量%至100重量%，更佳為95重量%至100重量%。較佳地，有機顯影劑基本上由乙酸丁酯及/或2-庚酮組成。
有機顯影劑可包括界面活性劑或極少量的水。
利用有機顯影劑的顯影可藉由用沖洗劑替換顯影劑而停止。沖洗劑不限於任何具體沖洗劑，只要其並不溶解光阻組成物即可。沖洗劑的實例包含含有例如醇溶劑或酯溶劑的有機溶劑。
本發明的光阻組成物適用於KrF準分子雷射微影、ArF準分子雷射微影、EUV（極紫外（extreme ultraviolet））雷射微影以及EB（電子束（electron beam））微影。 實例
將藉由實例更具體描述本發明，所述實例不理解為限制本發明的範疇。
除非另外特別指出，用於表示在以下實例及比較例中所使用的任何組分的含量及任何材料的量的「%」及「份」是以重量計。
以下實例中所使用任何材料的重量平均分子量為在以下條件下使用凝膠滲透層析法所得到的值。 管柱：HLC-8120GPC型（具有保護管柱的三個管柱），TSKgel Multipore HXL-M，藉由東曹公司（TOSOH CORPORATION）製造 溶劑：四氫呋喃，流動速率：1.0毫升/分鐘。 偵測器：RI偵測器 管柱溫度：40℃ 注射體積：100微升 標準參考材料：標準聚苯乙烯
化合物的結構藉由質譜分析(液相層析：1100型，由安捷倫技術有限公司（AGILENT TECHNOLOGIES LTD.）製造，質譜法：LC/MSD型，由安捷倫技術有限公司製造）測定。
在以下實例中，分子態離子峰的值被稱作「質量（MASS）」。 實例1
在反應器中，在23℃下將60份由式（I-1-a）表示的化合物、200份四氫呋喃以及31.17份吡啶混合及攪拌30分鐘，接著冷卻至5℃。在23℃下向所得混合物中添加42.35份由式（I-1-b）表示的化合物且隨後攪拌18小時。
在23℃下向反應混合物中添加350份乙酸乙酯及275份10%碳酸鉀水溶液且隨後攪拌30分鐘。隨後自其收集所得有機層。
在23℃下向所收集的有機層中添加300份離子交換水且隨後攪拌30分鐘以用於洗滌，接著分離有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。
隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學（Kanto Chemical），溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=2/1]分離以獲得69.28份由式（I-1-c）表示的化合物。
在反應器中，在23℃下將21.11份由式（I-1-d）表示的化合物、100份二甲基甲醯胺、16.94份碳酸鉀以及2.03份碘化鉀混合且隨後攪拌30分鐘。
在50℃下向所得混合物中添加56份由式（I-1-c）表示的化合物且隨後攪拌2小時。
將所得混合物冷卻至23℃，且添加400份正庚烷及170份10%碳酸鉀水溶液，且隨後在23℃下攪拌30分鐘，接著分離有機層。
在23℃下向所得有機層中添加150份離子交換水且隨後攪拌30分鐘，接著分離有機層。隨後自其收集所得有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=1/1]分離以獲得50.97份由式（I-1）表示的化合物。 質量（質譜）：325.1 [M+ + H] 實例2
在反應器中，在23℃下將51份由式（I-3-a）表示的化合物、200份四氫呋喃以及31.17份吡啶混合及攪拌30分鐘，接著冷卻至5℃。在23℃下向所得混合物中添加42.35份由式（I-1-b）表示的化合物且隨後攪拌18小時。
在23℃下向反應混合物中添加350份乙酸乙酯及275份10%碳酸鉀水溶液且隨後攪拌30分鐘。隨後自其收集所得有機層。
在23℃下向所收集的有機層中添加300份離子交換水且隨後攪拌30分鐘以用於洗滌，接著分離有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。
隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=2/1]分離以獲得58.51份由式（I-3-c）表示的化合物。
在反應器中，在23℃下將21.11份由式（I-1-d）表示的化合物、100份二甲基甲醯胺、16.94份碳酸鉀以及2.03份碘化鉀混合且隨後攪拌30分鐘。
在50℃下向所得混合物中添加50份由式（I-3-c）表示的化合物且隨後攪拌2小時。
將所得混合物冷卻至23℃，且添加400份正庚烷及170份10%碳酸鉀水溶液，且隨後在23℃下攪拌30分鐘，接著分離有機層。
在23℃下向所得有機層中添加150份離子交換水且隨後攪拌30分鐘，接著分離有機層。隨後自其收集所得有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=1/1]分離以獲得47.22份由式（I-3）表示的化合物。 質量（質譜）：297.1 [M + H]+ 實例3
在反應器中，在23℃下將60份由式（I-7-a）表示的化合物、200份四氫呋喃以及31.17份吡啶混合及攪拌30分鐘，接著冷卻至5℃。在23℃下向所得混合物中添加42.35份由式（I-1-b）表示的化合物且隨後攪拌18小時。
在23℃下向反應混合物中添加350份乙酸乙酯及275份10%碳酸鉀水溶液且隨後攪拌30分鐘。隨後自其收集所得有機層。
在23℃下向所收集的有機層中添加300份離子交換水且隨後攪拌30分鐘以用於洗滌，接著分離有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。 隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=1/1]分離以獲得58.11份由式（I-7-c）表示的化合物。
在反應器中，在23℃下將21.11份由式（I-1-d）表示的化合物、100份二甲基甲醯胺、16.94份碳酸鉀以及2.03份碘化鉀混合且隨後攪拌30分鐘。
在50℃下向所得混合物中添加56份由式（I-7-c）表示的化合物且隨後攪拌2小時。
將所得混合物冷卻至23℃，且添加400份正庚烷及170份10%碳酸鉀水溶液，且隨後在23℃下攪拌30分鐘，接著分離有機層。
在23℃下向所得有機層中添加150份離子交換水且隨後攪拌30分鐘，接著分離有機層。隨後自其收集所得有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=1/1]分離以獲得49.39份由式（I-7）表示的化合物。 質量（質譜）：325.2 [M+ + H] 實例4
在反應器中，在23℃下將50份由式（I-8-a）表示的化合物、200份四氫呋喃以及31.17份吡啶混合及攪拌30分鐘，接著冷卻至5℃。在23℃下向所得混合物中添加42.35份由式（I-1-b）表示的化合物且隨後攪拌18小時。
在23℃下向反應混合物中添加350份乙酸乙酯及275份10%碳酸鉀水溶液且隨後攪拌30分鐘。隨後自其收集所得有機層。
在23℃下向所收集的有機層中添加300份離子交換水且隨後攪拌30分鐘以用於洗滌，接著分離有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。
隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=5/1]分離以獲得66.07份由式（I-8-c）表示的化合物。
在反應器中，在23℃下將21.11份由式（I-1-d）表示的化合物、100份二甲基甲醯胺、16.94份碳酸鉀以及2.03份碘化鉀混合且隨後攪拌30分鐘。
在50℃下向所得混合物中添加50份由式（I-8-c）表示的化合物且隨後攪拌2小時。
將所得混合物冷卻至23℃，且添加400份正庚烷及170份10%碳酸鉀水溶液，且隨後在23℃下攪拌30分鐘，接著分離有機層。
在23℃下向所得有機層中添加150份離子交換水且隨後攪拌30分鐘，接著分離有機層。隨後自其收集所得有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=5/1]分離以獲得52.61份由式（I-8-c）表示的化合物。 質量（質譜）：295.2 [M+ + H] 實例5
在反應器中，在23℃下將33份由式（I-10-a）表示的化合物、200份四氫呋喃以及31.17份吡啶混合及攪拌30分鐘，接著冷卻至5℃。在23℃下向所得混合物中添加42.35份由式（I-1-b）表示的化合物且隨後攪拌18小時。
在23℃下向反應混合物中添加350份乙酸乙酯及275份10%碳酸鉀水溶液且隨後攪拌30分鐘。隨後自其收集所得有機層。
在23℃下向所收集的有機層中添加300份離子交換水且隨後攪拌30分鐘以用於洗滌，接著分離有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。
隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=5/1]分離以獲得39.21份由式（I-10-c）表示的化合物。
在反應器中，在23℃下將21.11份由式（I-1-d）表示的化合物、100份二甲基甲醯胺、16.94份碳酸鉀以及2.03份碘化鉀混合且隨後攪拌30分鐘。
在50℃下向所得混合物中添加39份由式（I-10-c）表示的化合物且隨後攪拌2小時。
將所得混合物冷卻至23℃，且添加400份正庚烷及170份10%碳酸鉀水溶液，且隨後在23℃下攪拌30分鐘，接著分離有機層。
在23℃下向所得有機層中添加150份離子交換水且隨後攪拌30分鐘，接著分離有機層。隨後自其收集所得有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=5/1]分離以獲得38.44份由式（I-10）表示的化合物。 質量（質譜）：243.1 [M+ + H] 實例6
在反應器中，在23℃下將60份由式（I-2-a）表示的化合物、200份四氫呋喃以及31.17份吡啶混合及攪拌30分鐘，接著冷卻至5℃。在23℃下向所得混合物中添加42.35份由式（I-1-b）表示的化合物且隨後攪拌18小時。
在23℃下向反應混合物中添加350份乙酸乙酯及275份10%碳酸鉀水溶液且隨後攪拌30分鐘。隨後自其收集所得有機層。
在23℃下向所收集的有機層中添加300份離子交換水且隨後攪拌30分鐘以用於洗滌，接著分離有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。
隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=2/1]分離以獲得65.22份由式（I-2-c）表示的化合物。
在反應器中，在23℃下將21.11份由式（I-1-d）表示的化合物、100份二甲基甲醯胺、16.94份碳酸鉀以及2.03份碘化鉀混合且隨後攪拌30分鐘。
在50℃下向所得混合物中添加56份由式（I-2-c）表示的化合物且隨後攪拌2小時。
將所得混合物冷卻至23℃，且添加400份正庚烷及170份10%碳酸鉀水溶液，且隨後在23℃下攪拌30分鐘，接著分離有機層。
在23℃下向所得有機層中添加150份離子交換水且隨後攪拌30分鐘，接著分離有機層。隨後自其收集所得有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=1/1]分離以獲得48.19份由式（I-2）表示的化合物。 質量（質譜）：325.1 [M+ + H] 實例7
在反應器中，在23℃下將54.6份由式（I-4-a）表示的化合物、200份四氫呋喃以及31.17份吡啶混合及攪拌30分鐘，接著冷卻至5℃。在23℃下向所得混合物中添加42.35份由式（I-1-b）表示的化合物且隨後攪拌18小時。
在23℃下向反應混合物中添加350份乙酸乙酯及275份10%碳酸鉀水溶液且隨後攪拌30分鐘。隨後自其收集所得有機層。
在23℃下向所收集的有機層中添加300份離子交換水且隨後攪拌30分鐘以用於洗滌，接著分離有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。
隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=5/1]分離以獲得53.68份由式（I-4-c）表示的化合物。
在反應器中，在23℃下將21.11份由式（I-1-d）表示的化合物、100份二甲基甲醯胺、16.94份碳酸鉀以及2.03份碘化鉀混合且隨後攪拌30分鐘。
在50℃下向所得混合物中添加53份由式（I-4-c）表示的化合物且隨後攪拌2小時。
將所得混合物冷卻至23℃，且添加400份正庚烷及170份10%碳酸鉀水溶液，且隨後在23℃下攪拌30分鐘，接著分離有機層。
在23℃下向所得有機層中添加150份離子交換水且隨後攪拌30分鐘，接著分離有機層。隨後自其收集所得有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=5/1]分離以獲得48.92份由式（I-4）表示的化合物。 質量（質譜）：309.1 [M+ + H] 實例8
在反應器中，在23℃下將55份由式（I-6-a）表示的化合物、200份四氫呋喃以及31.17份吡啶混合及攪拌30分鐘，接著冷卻至5℃。在23℃下向所得混合物中添加42.35份由式（I-1-b）表示的化合物且隨後攪拌18小時。
在23℃下向反應混合物中添加350份乙酸乙酯及275份10%碳酸鉀水溶液且隨後攪拌30分鐘。隨後自其收集所得有機層。
在23℃下向所收集的有機層中添加300份離子交換水且隨後攪拌30分鐘以用於洗滌，接著分離有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。
隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=1/1]分離以獲得32.18份由式（I-6-c）表示的化合物。
在反應器中，在23℃下將10.56份由式（I-1-d）表示的化合物、100份二甲基甲醯胺、8.47份碳酸鉀以及1.02份碘化鉀混合且隨後攪拌30分鐘。
在50℃下向所得混合物中添加26.6份由式（I-6-c）表示的化合物且隨後攪拌2小時。
將所得混合物冷卻至23℃，且添加400份正庚烷及170份10%碳酸鉀水溶液，且隨後在23℃下攪拌30分鐘，接著分離有機層。
在23℃下向所得有機層中添加150份離子交換水且隨後攪拌30分鐘，接著分離有機層。隨後自其收集所得有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=1/1]分離以獲得18.98份由式（I-6）表示的化合物。 質量（質譜）：311.1 [M+ + H] 實例9
在反應器中，在23℃下將10.19份由式（I-18-a）表示的化合物、50份四氫呋喃以及3.12份吡啶混合及攪拌30分鐘，接著冷卻至5℃。在23℃下向所得混合物中添加4.24份由式（I-1-b）表示的化合物且隨後攪拌18小時。
在23℃下向反應混合物中添加100份乙酸乙酯及30份10%碳酸鉀水溶液且隨後攪拌30分鐘。隨後自其收集所得有機層。
在23℃下向所收集的有機層中添加30份離子交換水且隨後攪拌30分鐘以用於洗滌，接著分離有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。
隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=5/1]分離以獲得8.44份由式（I-18-c）表示的化合物。
在反應器中，在23℃下將2.11份由式（I-1-d）表示的化合物、50份二甲基甲醯胺、1.69份碳酸鉀以及0.2份碘化鉀混合且隨後攪拌30分鐘。
在50℃下向所得混合物中添加8.25份由式（I-18-c）表示的化合物且隨後攪拌2小時。
將所得混合物冷卻至23℃，且添加100份正庚烷及20份10%碳酸鉀水溶液，且隨後在23℃下攪拌30分鐘，接著分離有機層。
在23℃下向所得有機層中添加50份離子交換水且隨後攪拌30分鐘，接著分離有機層。隨後自其收集所得有機層。以與上述相同的方式將有機層用水洗滌四次。隨後濃縮所得混合物，且濃縮液藉由矽膠管柱層析[矽膠60N（球形，中性），100微米至210微米，關東化學，溶離劑：正庚烷/乙酸乙酯=5/1]分離以獲得6.88份由式（I-18）表示的化合物。 質量（質譜）：453.2 [M+ + H] 合成樹脂
在以下實例中使用的單體為以下單體。
彼等單體有時被稱作「單體（X）」，其中（X）表示對應於單體的式的符號。舉例而言，由式（a1-1-3）表示的單體被稱作「單體（a1-1-3）」。 實例10
將單體（a1-1-3）、單體（a1-2-9）、單體（a2-1-3）、單體（a3-4-2）以及單體（I-1）以14/30/2.5/38.5/15（單體（a1-1-3）/單體（a1-2-9）/單體（a2-1-3）/單體（a3-4-2）/單體（I-1））的莫耳比混合，且以所有單體的總份數的1.5倍的量添加丙二醇單甲醚乙酸酯以製備混合物。向混合物中添加以所有單體莫耳量計1莫耳%比率的偶氮二異丁腈作為起始劑以及以所有單體莫耳量計3莫耳%的比率的偶氮二(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，且在73℃下將所得混合物加熱約5小時。
將所得反應混合物倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾。
所得樹脂溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中，且隨後所得溶液倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾：進行此洗滌步驟兩次。
因此，以61%的產率獲得具有約8,000的重量平均分子量的聚合物。
所述聚合物被稱作樹脂A1-1。實例11
將單體（a1-1-3）、單體（a1-2-9）、單體（a3-4-2）以及單體（I-1）以14/35/36/15（單體（a1-1-3）/單體（a1-2-9）/單體（a3-4-2）/單體（I-1））的莫耳比混合，且以所有單體的總份數的1.5倍的量添加丙二醇單甲醚乙酸酯以製備混合物。向混合物中添加以所有單體莫耳量計1莫耳%比率的偶氮二異丁腈作為起始劑以及以所有單體莫耳量計3莫耳%的比率的偶氮二(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，且在73℃下將所得混合物加熱約5小時。
將所得反應混合物倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾。
所得樹脂溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中，且隨後所得溶液倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾：進行此洗滌步驟兩次。
因此，以60%的產率獲得具有約8,200的重量平均分子量的聚合物。
所述聚合物被稱作樹脂A1-2。實例12
將單體（a1-1-3）、單體（a1-2-9）、單體（a3-4-2）以及單體（I-3）以14/35/36/15（單體（a1-1-3）/單體（a1-2-9）/單體（a3-4-2）/單體（I-3））的莫耳比混合，且以所有單體的總份數的1.5倍的量添加丙二醇單甲醚乙酸酯以製備混合物。向混合物中添加以所有單體莫耳量計1莫耳%比率的偶氮二異丁腈作為起始劑以及以所有單體莫耳量計3莫耳%的比率的偶氮二(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，且在73℃下將所得混合物加熱約5小時。
將所得反應混合物倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾。
所得樹脂溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中，且隨後所得溶液倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾：進行此洗滌步驟兩次。
因此，以63%的產率獲得具有約8,400的重量平均分子量的聚合物。
所述聚合物被稱作樹脂A1-3。實例13
將單體（a1-1-3）、單體（a1-2-9）、單體（a3-4-2）以及單體（I-7）以14/35/36/15（單體（a1-1-3）/單體（a1-2-9）/單體（a3-4-2）/單體（I-7））的莫耳比混合，且以所有單體的總份數的1.5倍的量添加丙二醇單甲醚乙酸酯以製備混合物。向混合物中添加以所有單體莫耳量計1莫耳%比率的偶氮二異丁腈作為起始劑以及以所有單體莫耳量計3莫耳%的比率的偶氮二(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，且在73℃下將所得混合物加熱約5小時。
將所得反應混合物倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾。
所得樹脂溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中，且隨後所得溶液倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾：進行此洗滌步驟兩次。
因此，以60%的產率獲得具有約7,900的重量平均分子量的聚合物。
所述聚合物被稱作樹脂A1-4。實例14
將單體（a1-1-3）、單體（a1-2-9）、單體（a3-4-2）以及單體（I-7）以14/35/36/15（單體（a1-1-3）/單體（a1-2-9）/單體（a3-4-2）/單體（I-7））的莫耳比混合，且以所有單體的總份數的1.5倍的量添加丙二醇單甲醚乙酸酯以製備混合物。向混合物中添加以所有單體莫耳量計1莫耳%比率的偶氮二異丁腈作為起始劑以及以所有單體莫耳量計3莫耳%的比率的偶氮二(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，且在73℃下將所得混合物加熱約5小時。
將所得反應混合物倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾。
所得樹脂溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中，且隨後所得溶液倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾：進行此洗滌步驟兩次。
因此，以62%的產率獲得具有約7,600的重量平均分子量的聚合物。
所述聚合物被稱作樹脂A1-5。實例15
將單體（a1-1-3）、單體（a1-2-9）、單體（a3-4-2）以及單體（I-10）以14/35/36/15（單體（a1-1-3）/單體（a1-2-9）/單體（a3-4-2）/單體（I-10））的莫耳比混合，且以所有單體的總份數的1.5倍的量添加丙二醇單甲醚乙酸酯以製備混合物。向混合物中添加以所有單體莫耳量計1莫耳%比率的偶氮二異丁腈作為起始劑以及以所有單體莫耳量計3莫耳%的比率的偶氮二(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，且在73℃下將所得混合物加熱約5小時。
將所得反應混合物倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾。
所得樹脂溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中，且隨後所得溶液倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾：進行此洗滌步驟兩次。
因此，以65%的產率獲得具有約7,400的重量平均分子量的聚合物。
所述聚合物被稱作樹脂A1-6。實例16
將單體（a1-1-3）、單體（a1-2-9）、單體（a3-4-2）以及單體（I-2）以14/35/36/15（單體（a1-1-3）/單體（a1-2-9）/單體（a3-4-2）/單體（I-2））的莫耳比混合，且以所有單體的總份數的1.5倍的量添加丙二醇單甲醚乙酸酯以製備混合物。向混合物中添加以所有單體莫耳量計1莫耳%比率的偶氮二異丁腈作為起始劑以及以所有單體莫耳量計3莫耳%的比率的偶氮二(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，且在73℃下將所得混合物加熱約5小時。
將所得反應混合物倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾。
所得樹脂溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中，且隨後所得溶液倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾：進行此洗滌步驟兩次。
因此，以67%的產率獲得具有約7,900的重量平均分子量的聚合物。
所述聚合物被稱作樹脂A1-7。實例17
將單體（a1-1-3）、單體（a1-2-9）、單體（a3-4-2）以及單體（I-4）以14/35/36/15（單體（a1-1-3）/單體（a1-2-9）/單體（a3-4-2）/單體（I-4））的莫耳比混合，且以所有單體的總份數的1.5倍的量添加丙二醇單甲醚乙酸酯以製備混合物。向混合物中添加以所有單體莫耳量計1莫耳%比率的偶氮二異丁腈作為起始劑以及以所有單體莫耳量計3莫耳%的比率的偶氮二(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，且在73℃下將所得混合物加熱約5小時。
將所得反應混合物倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾。
所得樹脂溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中，且隨後所得溶液倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾：進行此洗滌步驟兩次。
因此，以63%的產率獲得具有約7,800的重量平均分子量的聚合物。
所述聚合物被稱作樹脂A1-8。實例18
將單體（a1-1-3）、單體（a1-2-9）、單體（a3-4-2）以及單體（I-6）以14/35/36/15（單體（a1-1-3）/單體（a1-2-9）/單體（a3-4-2）/單體（I-6））的莫耳比混合，且以所有單體的總份數的1.5倍的量添加丙二醇單甲醚乙酸酯以製備混合物。向混合物中添加以所有單體莫耳量計1莫耳%比率的偶氮二異丁腈作為起始劑以及以所有單體莫耳量計3莫耳%的比率的偶氮二(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，且在73℃下將所得混合物加熱約5小時。
將所得反應混合物倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾。
所得樹脂溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中，且隨後所得溶液倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾：進行此洗滌步驟兩次。
因此，以58%的產率獲得具有約8,100的重量平均分子量的聚合物。
所述聚合物被稱作樹脂A1-9。實例19
將單體（a1-1-3）、單體（a1-2-9）、單體（a3-4-2）以及單體（I-18）以14/35/36/15（單體（a1-1-3）/單體（a1-2-9）/單體（a3-4-2）/單體（I-18））的莫耳比混合，且以所有單體的總份數的1.5倍的量添加丙二醇單甲醚乙酸酯以製備混合物。向混合物中添加以所有單體莫耳量計1莫耳%比率的偶氮二異丁腈作為起始劑以及以所有單體莫耳量計3莫耳%的比率的偶氮二(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，且在73℃下將所得混合物加熱約5小時。
將所得反應混合物倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾。
所得樹脂溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中，且隨後所得溶液倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾：進行此洗滌步驟兩次。
因此，以55%的產率獲得具有約7,700的重量平均分子量的聚合物。
所述聚合物被稱作樹脂A1-10。合成實例1
將單體（a1-1-3）、單體（a1-2-9）、單體（a3-4-2）以及單體（IX-1）以14/35/36/15（單體（a1-1-3）/單體（a1-2-9）/單體（a3-4-2）/單體（IX-1））的莫耳比混合，且以所有單體的總份數的1.5倍的量添加丙二醇單甲醚乙酸酯以製備混合物。向混合物中添加以所有單體莫耳量計1莫耳%比率的偶氮二異丁腈作為起始劑以及以所有單體莫耳量計3莫耳%的比率的偶氮二(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，且在73℃下將所得混合物加熱約5小時。
將所得反應混合物倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾。
所得樹脂溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中，且隨後所得溶液倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾：進行此洗滌步驟兩次。
因此，以60%的產率獲得具有約8,000的重量平均分子量的聚合物。
所述聚合物被稱作樹脂AXX-1。合成實例2
將單體（a1-1-3）、單體（a1-2-9）、單體（a3-4-2）以及單體（IX-2）以14/35/36/15（單體（a1-1-3）/單體（a1-2-9）/單體（a3-4-2）/單體（IX-2））的莫耳比混合，且以所有單體的總份數的1.5倍的量添加丙二醇單甲醚乙酸酯以製備混合物。向混合物中添加以所有單體莫耳量計1莫耳%比率的偶氮二異丁腈作為起始劑以及以所有單體莫耳量計3莫耳%的比率的偶氮二(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，且在73℃下將所得混合物加熱約5小時。
將所得反應混合物倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾。
所得樹脂溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中，且隨後所得溶液倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾：進行此洗滌步驟兩次。
因此，以62%的產率獲得具有約8,400的重量平均分子量的聚合物。
所述聚合物被稱作樹脂AXX-2。合成實例3
將單體（a1-1-3）、單體（a1-2-9）、單體（a3-4-2）以及單體（IX-3）以14/35/36/15（單體（a1-1-3）/單體（a1-2-9）/單體（a3-4-2）/單體（IX-3））的莫耳比混合，且以所有單體的總份數的1.5倍的量添加丙二醇單甲醚乙酸酯以製備混合物。向混合物中添加以所有單體莫耳量計1莫耳%比率的偶氮二異丁腈作為起始劑以及以所有單體莫耳量計3莫耳%的比率的偶氮二(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，且在73℃下將所得混合物加熱約5小時。
將所得反應混合物倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾。
所得樹脂溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中，且隨後所得溶液倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾：進行此洗滌步驟兩次。
因此，以65%的產率獲得具有約8,600的重量平均分子量的聚合物。
所述聚合物被稱作樹脂AXX-3。合成實例4
將單體（a1-1-3）、單體（a1-2-9）、單體（a2-1-3）以及單體（a3-4-2）以29/30/2.5/38.5[單體（a1-1-3）/單體（a1-2-9）/單體（a2-1-3）/單體（a3-4-2）]的莫耳比混合，且以所有單體的總份數的1.5倍的量添加丙二醇單甲醚乙酸酯以製備混合物。向混合物中添加以所有單體莫耳量計1莫耳%比率的偶氮二異丁腈作為起始劑以及以所有單體莫耳量計3莫耳%的比率的偶氮二(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，且在73℃下將所得混合物加熱約5小時。
將所得反應混合物倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾。
所得樹脂溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中，且隨後所得溶液倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾：進行此洗滌步驟兩次。
因此，以67%的產率獲得具有約7,900的重量平均分子量的聚合物。
所述聚合物被稱作樹脂A2-1。合成實例5
將單體（a5-1-1）及單體（a4-0-12）以50/50[單體（a5-1-1）/單體（a4-0-12）]的莫耳比混合，且以所有單體的總份數的1.2倍的量添加丙二醇單甲醚乙酸酯以製備混合物。向混合物中添加以所有單體莫耳量計3莫耳%的比率的偶氮二(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，且在70℃下將所得混合物加熱約5小時。
將所得反應混合物倒入大量的甲醇與水的混合物中以引起沈澱，接著過濾。
因此，以91%的產率獲得具有約10,000的重量平均分子量的聚合物。
所述聚合物被稱作樹脂X1。實例20至實例29及比較例1至比較例4 ＜產生光阻組成物＞
將如下表中所列的以下組分混合且溶解於如下文所提及的溶劑中，且隨後經由孔隙直徑為0.2微米的氟樹脂過濾器過濾，以製備光阻組成物。 表1
在表1中，字符中的每一者表示以下組分： ＜樹脂＞ A1-1：樹脂A1-1, A1-2：樹脂A1-2, A1-3：樹脂A1-3, A1-4：樹脂A1-4, A1-5：樹脂A1-5, A1-6：樹脂A1-6, A1-7：樹脂A1-7, A1-8：樹脂A1-8, A1-9：樹脂A1-9, A1-10：樹脂A1-10, AXX-1：樹脂AXX-1, AXX-2：樹脂AXX-2, AXX-3：樹脂AXX-3, X1：樹脂X1 ＜酸產生劑＞ B1-21：由式（B1-21）表示的鹽，根據如JP2015-200886A1中所列舉的方法產生 B1-22：由式（B1-22）表示的鹽，根據如JP2015-200886A1中所列舉的方法產生＜淬滅劑＞ D1：下式的化合物，東京化學有限公司（Tokyo Chemical Co., Ltd.）的產品＜溶劑＞ 以下溶劑的：混合物 丙二醇單甲醚乙酸酯 265份 丙二醇單甲醚 20份 2-庚酮 20份 γ-丁內酯 3.5份 ＜產生光阻圖案＞
矽晶圓各自用「ARC-29」塗佈，「ARC-29」為獲自尼桑化學工業有限公司（Nissan Chemical Industries, Ltd.）的有機抗反射塗層組成物，且隨後在205℃下烘烤60秒，形成78奈米厚的有機抗反射塗層。將如上製備的光阻組成物中的每一者旋塗於抗反射塗層上，使得所得膜的厚度在乾燥後變為85奈米。因此，將塗佈有各別光阻組成物的矽晶圓在直接加熱板上在表1的「PB」行中所列的溫度下各自預烘烤60秒。使用ArF準分子步進器（由ASML公司製造的XT:1900G1，3/4環形，X-Y極化）及用於形成接觸孔圖案（間距：90奈米，直徑：55奈米）的遮罩，具有各別抗蝕膜的各晶圓經受暴露，其中暴露量逐步變化。
暴露後，將各晶圓在加熱板上在表1的「PEB」行中所列的溫度下進行暴露後烘烤60秒，隨後在23℃下以動態分配方法的方式用乙酸丁酯（東京化學工業有限公司（Tokyo Chemical Industries, Co. Ltd.））顯影20秒，從而產生負型光阻圖案。
在以下評估中，有效敏感度（effective sensitivity；ES）意謂在顯影之後使用上述遮罩暴露的暴露量提供直徑45奈米的圖案。 ＜遮罩誤差因素[mass error factor，MEF]的評估＞
以與「產生光阻圖案」中所列舉的相同的方式產生負型光阻圖案，以有效敏感度且使用孔直徑為57奈米、56奈米、55奈米、54奈米或53奈米的遮罩進行暴露，且遮罩的孔間距為90奈米。
沿著表示遮罩孔的直徑的橫座標軸線且沿著表示藉由暴露形成（轉印）於基板上的光阻圖案的孔直徑的縱座標軸線標繪結果。
將所標繪的回歸線的斜率，即橫座標每遞增1的縱座標的遞增，判定為MEF值。
結果展示於表2中。行中的數值表示MEF值。 表2
根據本發明，可提供具有更小MEF的光阻圖案。本發明適用於半導體的精細處理。
無
無

Claims (10)

  1. 一種由式（I）表示的化合物：其中R1 表示氫原子或甲基， R2 及R3 各自獨立地表示氫原子或C1-C6飽和烴基， R4 表示具有C3-C24脂環烴部分的C1-C18脂族烴基，所述脂族烴基可具有取代基且其中亞甲基可經-O-、-S-、-CO-或-SO2 -置換，或 C3-C24脂環烴基，其可具有取代基，且其中亞甲基可經-O-、-S-、-CO-或-SO2 -置換。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的化合物， 其中R4 表示具有C3-C18脂環烴部分的C1-C6脂族烴基，所述脂族烴基可具有氟原子或羥基且其中亞甲基可經-O-、-S-、-CO-或-SO2 -置換，或 C3-C24脂環烴基，其可具有氟原子或羥基，且其中亞甲基可經-O-、-S-、-CO-或-SO2 -置換。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的化合物， 其中R3 表示氫原子。
  4. 一種樹脂，包括衍生自如申請專利範圍第1項所述的化合物的結構單元。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的樹脂， 其更包括具有酸不穩定基團且與由式（I）表示的化合物不同的結構單元。
  6. 一種光阻組成物，包括如申請專利範圍第4項所述的樹脂以及酸產生劑。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的光阻組成物， 其中所述酸產生劑包括由式（B1）表示的鹽：其中Qb1 及Qb2 各自獨立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基， Lb1 表示其中亞甲基可經-CO-或-O-置換且其中氫原子可經氟原子或羥基置換的C1-C24二價飽和烴基， Y表示其中氫原子可經取代基置換的甲基，或其中氫原子可經取代基置換且其中亞甲基已經-O-、-SO2 -或-CO-置換的C3-C18脂環烴基，以及 Z+ 表示有機陽離子。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的光阻組成物，更包括鹽，所述鹽所產生的酸的酸性比所述酸產生劑所產生的酸弱。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的光阻組成物，更包括包括具有氟原子的結構單元的樹脂。
  10. 一種產生光阻圖案的方法，包括以下步驟（1）至步驟（5）： （1）將如申請專利範圍第6項所述的光阻組成物塗覆於基板上的步驟， （2）藉由進行乾燥來形成組成物膜的步驟， （3）使所述組成物膜暴露於輻射的步驟， （4）烘烤暴露的組成物膜的步驟，以及 （5）使經烘烤組成物膜顯影從而形成光阻圖案的步驟。
TW107121243A 2017-06-23 2018-06-21 光阻組成物以及產生光阻圖案的製程 TWI835737B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-123228 2017-06-23
JP2017123228 2017-06-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201905012A true TW201905012A (zh) 2019-02-01
TWI835737B TWI835737B (zh) 2024-03-21

Family

ID=64693114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107121243A TWI835737B (zh) 2017-06-23 2018-06-21 光阻組成物以及產生光阻圖案的製程

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11474431B2 (zh)
JP (1) JP7115914B2 (zh)
KR (1) KR102590405B1 (zh)
TW (1) TWI835737B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7389670B2 (ja) * 2019-02-15 2023-11-30 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに化合物
JP7389671B2 (ja) * 2019-02-15 2023-11-30 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
CN111116605B (zh) * 2019-12-28 2021-06-04 上海博栋化学科技有限公司 由戊醛糖合成的光刻胶树脂单体及其合成方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4344982A (en) * 1980-12-31 1982-08-17 Mobil Oil Corporation Carbonate-acrylate or alkylacrylate radiation curable coating compositions and method of curing
US5276068A (en) * 1985-03-29 1994-01-04 Jeneric/Pentron, Inc. Dental resin materials
JPS6228319A (ja) * 1986-04-28 1987-02-06 三洋電機株式会社 錠剤供給装置
LV10396B (en) 1992-03-06 1996-02-20 Nycomed Imaging As Novel contrast agents
US5674468A (en) 1992-03-06 1997-10-07 Nycomed Imaging As Contrast agents comprising gas-containing or gas-generating polymer microparticles or microballoons
GB9204918D0 (en) 1992-03-06 1992-04-22 Nycomed As Chemical compounds
JP4657883B2 (ja) 2005-10-19 2011-03-23 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
CN102109760B (zh) * 2006-03-31 2015-04-15 Jsr株式会社 抗蚀剂图案形成方法
JP2012123376A (ja) 2010-11-16 2012-06-28 Sumitomo Chemical Co Ltd レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6039279B2 (ja) * 2011-07-19 2016-12-07 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5935633B2 (ja) * 2011-10-12 2016-06-15 住友化学株式会社 樹脂及びレジスト組成物
JP6246536B2 (ja) * 2012-09-21 2017-12-13 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
TWI610909B (zh) * 2013-10-24 2018-01-11 住友化學股份有限公司 鹽及含有該鹽之光阻組成物
JP6795928B2 (ja) 2015-08-25 2020-12-02 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7115914B2 (ja) 2022-08-09
KR102590405B1 (ko) 2023-10-17
JP2019006989A (ja) 2019-01-17
KR20190000822A (ko) 2019-01-03
TWI835737B (zh) 2024-03-21
US11474431B2 (en) 2022-10-18
US20180373146A1 (en) 2018-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI651315B (zh) 鹽及含有該鹽之光阻組成物
KR102376558B1 (ko) 포토레지스트 조성물, 화합물 및 포토레지스트 패턴의 제조 방법
TWI652545B (zh) 光阻組成物、化合物及光阻圖案的製造方法
TWI659023B (zh) 鹽及含有該鹽之光阻組成物
TWI632129B (zh) 鹽及包含該鹽的光阻組成物
KR102662011B1 (ko) 염 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물
TWI761530B (zh) 光阻組成物以及生產光阻圖案的製程
TW201903524A (zh) 光阻組成物以及製造光阻圖案的製程
KR102269718B1 (ko) 화합물, 수지, 포토레지스트 조성물, 및 포토레지스트 패턴의 제조 방법
TW201525046A (zh) 樹脂、光阻組成物，以及光阻圖案之製造方法
KR20230113255A (ko) 화합물, 수지, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의제조 방법
KR102590405B1 (ko) 화합물, 수지, 포토레지스트 조성물 및 포토레지스트 패턴의 제조방법
KR102527834B1 (ko) 화합물, 수지, 포토레지스트 조성물, 및 포토레지스트 패턴의 제조 방법
TWI773837B (zh) 鹽、包含此鹽的酸產生劑、光阻組成物以及生產光阻圖案的製程
KR102654791B1 (ko) 염 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물
JP6330498B2 (ja) 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
TWI774849B (zh) 鹽、包含此鹽的酸產生劑、光阻組成物以及生產光阻圖案的製程
TWI773769B (zh) 化合物、樹脂、光阻組成物及製造光阻圖案的製程
JP2016210769A (ja) 化合物、酸発生剤、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法