TW201903185A - 用於減少ｏｖｐｄ塗佈裝置中ｈｏ分壓之裝置及方法 - Google Patents

用於減少ｏｖｐｄ塗佈裝置中ｈｏ分壓之裝置及方法 Download PDF

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Abstract

本發明係有關於一種用於將由有機材料構成之層沉積在基板(13)上的裝置，包含設於反應器殼體(1)中的具有加熱裝置(31)的氣體入口構件(7)，包含蒸氣發生器(30)，其用於將有機起始材料轉化為蒸氣形態並且係藉由輸送管線(8)與氣體入口構件(7)連接，透過輸送管線將產生的蒸氣以及饋送入蒸氣發生器(30)之惰性氣體饋送入氣體入口構件(7)，並且包含設於反應器殼體(1)中的具有冷卻裝置(32)的基板架(14)，其用於支承基板(13)。設有冷卻區(20、28)以及構件(24、29)，此等構件用於將冷卻區(20、28)冷卻至低於200K的溫度，其中，冷卻區係由具有經冷卻之表面的冷卻面板(20)構成，該冷卻面板為減少水之分壓而被至少0.1mbar之惰性氣體氛圍包圍。

Description

用於減少OVPD塗佈裝置中H 2 O分壓之裝置及方法
本發明係有關於一種將由有機材料構成之層沉積在基板上的裝置，包含設於反應器殼體中的具有加熱裝置的氣體入口構件，包含蒸氣發生器，其用於將有機起始材料轉化為蒸氣形態並且係藉由輸送管線與該氣體入口構件連接，透過該輸送管線將產生的蒸氣以及饋送入該蒸氣發生器之惰性氣體饋送入該氣體入口構件，並且包含設於反應器殼體中的具有冷卻裝置的基板架，其用於支承該基板。
本發明亦有關於一種減少此種裝置之製程室中之水的分壓的方法，其中，該製程室內之總壓力落在介於0.1與10mbar之間的範圍內。
US 2011/0117289 A1以及US 2014/0302624 A1描述一種用於在高真空條件下在無載氣存在的情況下沉積OLED的裝置。緊鄰針對超高真空泵的吸入口設有用於將有機物質凍結的冷卻面板。
此外，在例如EP 2 264 224 B1或US 8,858,713 B2所述之其他高真空製程中已知冷卻情形。
DE 10 2007 054 851 A1描述冷卻護板在MBE裝置中之應用。
DE 20 2015 101 792 U1描述用於將廢氣流中之揮發性組分凝結的冷卻情形。
DE 10 2014 109 195 A1描述用於產生蒸氣的方法及裝置，其中，透過輸入熱量將在載氣中運輸之液態或固態粒子轉化為氣態。將如此產生之蒸氣輸送至例如DE 10 2015 118 765 A1所述之用於沉積由有機材料構成之層的裝置。
將應用於OLED製造的有機起始材料轉化為氣態，並將其作為蒸氣與載氣一起透過經加熱之氣體入口構件導入製程室，在此製程室中將起始材料作為層沉積在基板上，此基板被經冷卻之基板架承載。在此基板架上貼靠有用於將層結構化的蔭罩。惰性氣體氛圍中之極少量水蒸氣的存在對OLED的功能有巨大影響。在維護間隔期後對同類型之用於沉積OLED層的裝置進行調試時，必須採取措施，以在製程室之壁部上以及特別是在與製程室流體連接之殼體腔室之壁部上將吸附的水移除。為此，對反應器殼體進行數日的泵吸。此外在先前技術中已為吾人所知的是，透過對反應器殼體之壁部進行加熱將水分子自反應器殼體之內壁移除。
本發明之目的在於提出措施，其用於將至少0.1mbar之惰性氣體氛圍中之水蒸氣含量減小。
本發明用以達成上述目的之解決方案為在申請專利範圍中定義之發明，其中，附屬項不僅為在並列請求項中定義之發明的較佳進一步方案，亦為用以達成上述目的的獨立解決方案。
首先且實質上，在用於將由有機材料構成之層沉積在基板上的裝置中設有冷卻區，其具有若干用於將該冷卻區冷卻至低 於200K的溫度的構件。該裝置具有氣體入口構件，其可被加熱至一溫度，該溫度高於藉由入口構件導入製程室之蒸氣的冷凝溫度。此外，設有蒸氣發生器，其中將固態或液態的有機起始材料轉化為蒸氣形態。將該經蒸發之有機起始材料與饋送入該蒸氣發生器之惰性氣體(例如氮氣)一起透過經加熱之氣體管線送至經加熱之氣體入口構件。該氣體入口構件具有一排氣面，該排氣面具有數個特別是規則佈置的排氣孔，該惰性氣體以及該惰性氣體所輸送之有機蒸氣能夠自該等排氣孔進入製程室。該排氣面之平面延伸度約等於實質上平行於排氣面延伸之基板的平面延伸度。該基板位於經冷卻之基板架上，故蒸氣能夠凝結在基板表面上。在基板表面上設有蔭罩，故該層係經結構化。該層結構處於微米範圍內，故該遮罩必須能夠以精確至微米的方式調整。在本發明之一較佳技術方案中，上述方案需要該裝置之一定的低振動性。根據本發明，將該冷卻區保持在一溫度，該溫度低於200K，但高於載氣之冷凝溫度(就氮氣而言即77K)。該冷卻區之溫度較佳低於170K或尤佳低於150K，並且較佳高於100K。在該裝置之一技術方案中，該製程室位於反應器殼體中並與一殼體腔室流體連接，該殼體腔室亦可與饋送口連接，用以饋送惰性氣體。該殼體腔室可為將該製程室包圍之環境室，其中，該製程室藉由可經加熱之製程室壁部與該環境室分隔。因此，該製程室與該環境室構成腔室嵌套腔室佈局。但饋送入環境室之惰性氣流因流體連接而流入製程室。該殼體腔室亦可為針對屏蔽板的儲存室，該屏蔽板能夠在遮罩更換及/或基板更換過程中自儲存位置移入屏蔽位置，在此位置中該屏蔽板係佈置在氣體入口構件之排氣面前，用以將遮罩或基板與源自氣體入口構件之輻射熱隔絕。該收 納室(其中屏蔽板處於儲存位置)可具有冷卻區。此外，該裝置可具有若干傳送室，並且在一傳送室中例如可儲存有需要更換成另一遮罩的遮罩。一傳送室將一基板儲存，該基板在基板更換過程中被送至基板架上。根據本發明的一種方案，此傳送室係配設有冷卻區。該傳送室可透過氣密的門與閘門連接，用以自反應器殼體提取基板或遮罩或將其送入反應器殼體。該閘門亦可具有冷卻區。該反應器殼體係藉由該閘門與一經惰性氣體沖洗的外部腔室連接，用以操縱遮罩或基板。此外部腔室亦可具有冷卻區。本發明之冷卻區的用處在於：將在冷卻區旁流過之惰性氣體中的水蒸氣凍結，或在冷卻區中將透過惰性氣體氛圍擴散至冷卻區的水蒸氣凍結。目的在於：將該惰性氣體氛圍中之水之分壓減少至最大10-8mbar。根據本發明之一種方案，該冷卻區係由冷卻面板之經冷卻的表面構成。設有若干用於將該冷卻面板冷卻的構件。該冷卻面板係連接至冷卻機構，其將熱量自該冷卻面板導出。為此，可藉由輸送管線將冷卻液饋送入該冷卻面板之冷卻通道。該冷卻液能夠自排出管線重新流回冷卻機構。根據一種方案，由低溫泵提供冷卻功率。該冷卻區在此可由低溫泵之吸入口構成。該低溫泵為在其他情況下應用於高真空裝置中之低溫泵。在本發明之減小水蒸氣的方法中產生惰性氣體氛圍，其中總壓力落在介於0.1與10mbar之間的範圍內。在OVPD塗佈裝置之製程室中沉積OLED。該製程室位於一反應器殼體中，在該反應器殼體之殼體腔中透過饋送惰性氣體維持該惰性氣體氛圍。此外，透過該氣體入口構件將蒸氣狀的有機起始材料饋送入該製程室。藉由溫度最大為200K且至少為惰性氣體之冷凝溫度的冷卻區將自反應器殼體腔之壁部蒸發的水蒸氣凍結。在本發明之方法中， 在冷卻區之區域內特別是將與該製程室流體連接之殼體腔室如此冷卻，使得該冷卻區構成水蒸氣減少。在本發明之裝置中，在反應器殼體經開啟的維護間隔期後，藉由本發明之方法將沉積功能性OLED層所需之時間顯著減少。較佳在維護間隔期後應用本發明之方法，具有製程室之反應器殼體係在該維護間隔期中被打開過，故反應器殼體壁部與承載水蒸氣之氣體、例如空氣發生接觸。但亦在塗佈程序期間應用本發明之方法，用以持續地將惰性氣體氛圍中之自殼體壁部蒸發的水蒸氣凍結。藉由本發明之方法實質上針對吸附在腔室之壁部上之水的解吸率工作，其中，由於製程室壓力高於0.1mbar，水分子在反應器殼體容積中之自由徑處於毫米範圍或次毫米範圍內，水蒸氣分子自製程室至冷卻區的主要輸送機制為擴散。因此，本發明之冷卻區毋需與將水蒸氣解吸的面處於「視距」中。由於製程室或反應器殼體中僅存在高真空，該等冷卻區亦可由以一定距離相互層疊的冷卻面板構成。水蒸氣分子能夠擴散進入位於相鄰冷卻面板之間的間隙，從而在該等面板之經冷卻的表面上被凍結。氮氣環境中之平均自由徑在1mbar壓力下為約0.6mm，在0.1mbar壓力下為約6mm。就堆疊之冷卻面板而言，兩個冷卻面板之間的距離應至少等於該平均自由徑的十倍。亦即，在1mbar壓力下，該距離應為至少6mm。此外，在量測距離時亦需要將在冷卻面板之經冷卻的表面上的冰層形成考慮在內。此冰層形成沿擴散方向，即自外部區域朝向板中心逐漸變細，因為水蒸氣之凍結使得中心處之分壓減少。因此，該等板件較佳互成一定角度。此外以下為較佳方案：每個板件皆具有V形，且兩個板件如此相對，使得V形頂點面向彼此。本發明既有關於冷卻面板之平面平行佈局，亦有關於 冷卻面板之非平面平行佈局。但根據本發明，該等冷卻面板亦可以呈星形的方式佈置，其中，該等面板沿徑向延伸至一軸線。在此情形下，該軸線可背離該反應器殼體之壁部。此外，該冷卻區可由具有若干開口之散熱器構成。該等開口可為鑽孔，特別是為通孔。該等鑽孔可規則佈置並具有圓形橫截面。但亦可採用格柵佈局。
1‧‧‧反應器殼體
2‧‧‧製程室
3‧‧‧殼體腔室
4‧‧‧殼體腔室
5‧‧‧殼體腔室
6‧‧‧殼體腔室
7‧‧‧氣體入口構件
8‧‧‧輸送管線
9‧‧‧排氣面
10‧‧‧製程室壁部
11‧‧‧製程室壁部
12‧‧‧遮罩
13‧‧‧基板
14‧‧‧基板架
15‧‧‧排氣通道
16‧‧‧泵
17‧‧‧惰性氣體輸送管線
18‧‧‧屏蔽板
19‧‧‧導氣板
20‧‧‧冷卻面板
21‧‧‧冷卻面板
22‧‧‧冷卻面板
23‧‧‧冷卻面板
24‧‧‧冷卻機構
25‧‧‧輸送管線
26‧‧‧排出管線
27‧‧‧隔熱板
28‧‧‧吸入口
29‧‧‧低溫泵
30‧‧‧蒸氣發生器
31‧‧‧加熱裝置
32‧‧‧冷卻裝置
33‧‧‧閘室
34‧‧‧門
35‧‧‧外部殼體
36‧‧‧冰層
37‧‧‧開口
h‧‧‧間隙寬度
α‧‧‧角度
下面結合實施例對本發明進行詳細說明。其中：圖1為處於製程位置中之OLED沉積裝置的示意圖，圖2為處於基板或遮罩更換位置中的裝置，圖3為第二實施例之根據圖1的示意圖，圖4為藉由閘門與外部殼體連接的反應器殼體的示意圖，圖5為兩個相互平行之冷卻面板的一個實施例，圖6為根據圖5之佈局，但包含設於冷卻面板之表面上之冰層，圖7為由兩個冷卻面板構成之冷卻面板佈局的另一實施例，圖8為另一實施例，其中冷卻面板佈局具有呈星形佈置的面板，圖9為另一實施例，其中冷卻面板係呈柵格狀佈置，以及圖10為另一實施例，其中冷卻面板具有若干開口。
本發明之裝置具有反應器殼體1，其具有壁部，該等壁部將反應器殼體1之殼體腔氣密地對外封閉。在反應器殼體1外設有蒸氣發生器30，其用於自液態或固態起始材料產生有機材料之蒸氣，藉由載氣、特別是氮氣透過惰性氣體輸送管線17將該起始材料饋送入蒸氣發生器30，並透過輸送管線8輸送至氣體入口構件7，該氣體入口構件7位於反應器殼體1之殼體腔內。
此外，在反應器殼體1外設有與排氣通道15流體連接的泵16，其透過未繪示之控制系統以及未繪示之節流閥在該反應器殼體之殼體腔內實現落在介於0.1與10mbar之間的範圍內的總壓力。
還設有惰性氣體輸送管線17，用於將諸如氮氣的惰性氣體導入將原本之製程室2包圍的環境室3。
環境室3具有外壁，其係由反應器殼體1之壁部構成並且較冷。在常見之塗佈法中，該環境室之溫度為約80度。但亦可在一「焙燒步驟」中對整個反應器殼體1進行加熱。此操作在介於120℃與150℃之間的溫度下進行。因此，反應器殼體1較佳如下設計：該反應器殼體能夠具有介於室溫與150度之間的溫度。
製程室2在頂側被氣體入口構件7之排氣面9界定，該排氣面具有數個排氣口，該由有機蒸氣與惰性氣體構成之製程氣體能夠透過該等排氣口流入設於排氣面9下方之製程室2。製程室2之底部由經冷卻之基板架14之支承面構成。在基板架14之支承面上貼靠有基板13，其係被遮罩12遮蓋。遮罩12具有微米數量級的結構，用以在基板13之面向排氣面9的表面上沉積由有機材料構成之經結構化的層。該層為OLED層。
製程室2係被壁部10、11包圍。壁部10、11可經過主動加熱。但至少透過經加熱之氣體入口構件7所發出之熱量將該等壁部加熱。
自排氣面9排出之製程氣體以及特別是該載氣自排氣通道15離開製程室，其中，製程室壁部10、11具有導氣板19，用以將製程氣體導入排氣通道19。
可將基板架14自如圖1所示之塗佈位置降入如圖2所示之裝載/卸載位置。在如圖2所示之裝載/卸載位置中，將收納於收納室6中之屏蔽板18送至氣體入口構件7之排氣面9前，從而將遮罩12或基板與氣體入口構件7所輻射之熱量隔絕。可藉由惰性氣體輸送管線17用惰性氣體對該在塗佈工作期間收納有屏蔽板18的收納室6進行沖洗。
設有針對基板13的傳送室4。在將基板13更換為另一基板的情況下，該基板在此傳送室中得到容置。
設有針對遮罩12的傳送室5，遮罩12在遮罩更換過程中在此傳送室中得到容置。傳送室4、5係配設有惰性氣體輸送管線17，用以藉由惰性氣體沖洗傳送室4、5。
元件符號20、21、23表示冷卻面板(低溫面板)，其具有表面，該表面可被冷卻至低於200K、較佳低於170K且尤佳低於150K的溫度。但冷卻面板20、21、22、23之表面溫度高於載氣之冷凝溫度，在使用氮氣的情況下高於77K，特別是高於100K。
可藉由冷卻機構將低溫面板20、21、22、23冷卻。元件符號24示例性示出用於將冷卻面板20冷卻的冷卻機構，其係佈置在內部設有製程室2的環境室3中。輸送管線25為冷卻面板20饋送經冷卻之冷卻液。藉由排出管線26將此冷卻液送回冷卻機構24。但亦可設有其他用於將低溫面板20、21、22、23冷卻的裝置/方法，例如可透過冷表面將面板冷卻。此外，亦可使用相互交疊之冷卻面板，在這些冷卻面板之間設有可供水蒸氣擴散進入的間隙。
此外，位於冷卻面板22與氣體入口構件7之間及/或 位於冷卻面板20與基板架14之間的製程室壁部11可構成隔熱板，其防止冷卻面板20獲得影響製程室2內之溫度曲線的效應。為此特別是採用對隔熱板11進行主動加熱的方案。但隔熱板11亦可僅構成熱流阻。
在圖3中示出之實施例與在圖1及圖2中示出之實施例的主要區別在於：在環境室3之區域內藉由低溫泵29之吸入口28構成冷卻區。在此亦可在吸入口28前設有隔熱板27。
使用冷卻面板20、21、22、23、24的優點在於：由此僅產生較小的對遮罩之調整造成影響的振動。較佳地，該等由冷卻面板或低溫泵構成之冷卻區位於製程室2外部。本發明特別是應用於以下系統：其中該製程室內之溫度落在介於20攝氏度與150攝氏度之間的範圍內。此外，本發明之方法不侷限於0.1至10mbar的壓力範圍，而是亦涵蓋自0.1mbar至1000mbar的範圍。較佳使冷卻循環與遮罩之調整步驟匹配。
圖4示意性示出用於將由有機材料構成之層沉積在基板上的裝置，其中為氣體入口構件7供應有機蒸氣，該蒸氣係透過液態或粉末狀有機起始材料之蒸發產生，該起始材料被與透過惰性氣體輸送管線17饋送之惰性氣體一起透過輸送管線饋送入氣體入口構件7，在該處透過排氣口排入該製程室，用以凝結在貼靠於基板架14上之基板上。該製程室係由製程室壁部10、11界定。反應器殼體1之空腔係透過可氣密封閉之門34與閘門之閘室33連接，可透過惰性氣體輸送管線17將惰性氣體饋送入該閘室。在閘室33中設有如前文所述的冷卻區。閘室33係透過另一門34與亦可透過惰性氣體輸送管線17被饋送入惰性氣體的外部腔室35連 接。在外部腔室35中設有如前文所述的冷卻區20。
圖5示出冷卻面板佈局的一個實施例，其中第一冷卻面板20係平行於第二冷卻面板21佈置。一具有不變的間隙寬度h的間隙在該二冷卻面板20、21之間延伸。冷卻面板20、21之側向尺寸大於間隙寬度h。在本實施例中，間隙寬度h為約5至20mm，並且大於1mbar之氮氣氛圍中之平均自由徑的十倍。
圖6示出類似於圖5的佈局，但示出長時間使用用於將氮氣氛圍中之水蒸氣凍結的冷卻面板20、21後的情形。形成冰層36，其在冷卻面板佈局之邊緣處的層厚大於在中心區域內之層厚。為了避免由此造成的有效間隙寬度的減小，根據如圖7所示之實施例，冷卻面板20、21互成角度α。在此情形下，冷卻面板20、21皆呈V形，其中，該等V形頂點彼此相對。在此係有關於非平面平行之冷卻面板20、21的佈局，其中該二冷卻面板20、21之間的間隙寬度在邊緣處最大並朝向中心遞減，其中該間隙寬度在中心處具有最小值。
圖8示出另一實施例，其中數個冷卻面板20、21、22、23係呈星形圍繞一中心佈置。該中心構成一軸線，所有冷卻面板20、21、22、23皆位於該軸線中。該軸線較佳垂直於該反應器殼體之一壁部延伸。故該星形佈局可自反應器壁部伸出。
圖9示出一個實施例，其中冷卻面板20具有柵格結構。該冷卻面板構成若干多邊形通孔，其可供具有水蒸氣的氮氣流入。但亦可採用以下方案：無流體穿過開口37流動，而是水蒸氣擴散進入開口37。
如圖10所示之實施例示出形式為散熱器的冷卻面板 20，其中該散熱器具有數個渾圓的開口。此等開口亦可為通孔。該等開口在此係建構為鑽孔。
前述實施方案係用於說明本申請整體所包含之發明，該等發明至少透過以下特徵組合分別獨立構成相對於先前技術之改良方案，其中亦可將此等特徵組合中的兩個、數個或所有相互組合，亦即：一種裝置，其特徵在於冷卻區20、28以及構件24、29，該等構件用於將冷卻區20、28冷卻至低於200K的溫度；一種裝置，其特徵在於：在該反應器殼體1中設有至少一個包含氣體入口構件7以及基板架14的製程室2，以及設有至少一個與該製程室流體連接但藉由製程室壁部10、11與製程室分隔的殼體腔室3、4、5、6，其中，冷卻區20、28係與具有用於饋送惰性氣體的饋送口18的殼體腔室3、4、5、6對應；一種裝置，其特徵在於：在殼體腔室3與製程室2之間設有將基板架14以及氣體入口構件7與冷卻區20、28隔絕的隔熱板11；一種裝置，其特徵在於：該冷卻區係由具有經冷卻之表面的冷卻面板20構成；一種裝置，其特徵在於：該冷卻區係由低溫泵之吸入口28構成。
一種裝置，其特徵在於：該殼體腔室為用於容置基板13或遮罩12的傳送室4、5，或者為將製程室2包圍之環境室，或者為針對屏蔽板18的收納室6，該屏蔽板係可在遮罩12之更換及/或基板13之更換過程中被送至氣體入口構件7之排氣面9前； 一種裝置，其特徵在於：製程室壁部10、11係可主動加熱；一種裝置，其特徵在於：冷卻區20係設於閘門之閘室33中以及/或者設於藉由該閘門與反應器殼體1連接之外部殼體35中；一種方法，其特徵在於：將與製程室2流體連接之冷卻區20、28調整至最大200K且至少為惰性氣體之冷凝溫度的溫度；一種方法，其特徵在於：該溫度<170K或<150K。
一種方法，其特徵在於：該惰性氣體氛圍中之水的分壓最大為10-7mbar；一種方法，其特徵在於：該惰性氣體為氮氣。
一種方法，其在如請求項1至8中任一項之裝置中。
一種方法，其特徵在於：該冷卻區具有第一冷卻元件20，其與第二冷卻元件21間隔一定距離，其中，該距離h大於分壓為0.1mbar至1000mbar之氮氣氛圍中之平均自由徑，其中，距離h特別是落在介於4與20mm之間的範圍內，較佳落在介於4與14mm之間的範圍內，以及/或者，該冷卻區係由具有開口37的冷卻元件20構成。
所有已揭露特徵(作為單項特徵或特徵組合)皆為發明本質所在。故本申請之揭露內容亦包含相關/所附優先權檔案(在先申請副本)所揭露之全部內容，該等檔案所述特徵亦一併納入本申請之申請專利範圍。附屬項以其特徵對本發明針對先前技術之改良方案的特徵予以說明，其目的主要在於在該等請求項基礎上進行分 案申請。此外，在每個請求項中定義之發明可具有在前文描述中揭示的、特別是用元件符號表示及/或在元件符號列表中定義的特徵中的一或多個。本發明亦涵蓋未實現前述特徵中之個別特徵的實施方案，特別是在此等特徵對於具體用途而言並非不可或缺或可被其他等效手段替代的情況下。

Claims (14)

  1. 一種用於將由有機材料構成之層沉積在基板上的裝置，包含設於反應器殼體(1)中的具有加熱裝置(31)的氣體入口構件(7)，包含蒸氣發生器(30)，其用於將有機起始材料轉化為蒸氣形態並且係藉由輸送管線(8)與該氣體入口構件(7)連接，透過該輸送管線將產生的蒸氣以及饋送入該蒸氣發生器(30)之惰性氣體饋送入該氣體入口構件(7)，並且包含設於該反應器殼體(1)中的具有冷卻裝置(32)的基板架(14)，其用於支承該基板(13)，其特徵在於冷卻區(20、28)以及構件(24、29)，該等構件用於將該冷卻區(20、28)冷卻至低於200K的溫度，其中，該冷卻區(20、28)係佈置在該反應器殼體(1)內，使得該惰性氣體在該冷卻區旁流過，用以將惰性氣體中之水蒸氣凍結。
  2. 如請求項1之裝置，其中，在該反應器殼體(1)中設有至少一個包含該氣體入口構件(7)以及該基板架(14)的製程室(2)，以及設有至少一個與該製程室流體連接但藉由製程室壁部(10、11)與製程室分隔的殼體腔室(3、4、5、6)，其中，該冷卻區(20、28)係與具有用於饋送惰性氣體的饋送口(17、18)的殼體腔室(3、4、5、6)對應。
  3. 如請求項1之裝置，其中，在殼體腔室(3)與製程室(2)之間設有將該基板架(14)以及該氣體入口構件(7)與該冷卻區(20、28)隔絕的隔熱板(11)。
  4. 如請求項1之裝置，其中，該冷卻區係由具有經冷卻之表面的冷卻面板(20)構成。
  5. 如請求項1之裝置，其中，該冷卻區係由低溫泵之吸入口(28)構成。
  6. 如請求項1之裝置，其中，該殼體腔室為用於容置基板(13)或遮罩(12)的傳送室(4、5)，或者為針對屏蔽板(18)的收納室(6)，該屏蔽板係可在遮罩(12)之更換及/或基板(13)之更換過程中被送至氣體入口構件(7)之排氣面(9)前，以及/或者，該冷卻區(20)係設於閘門之閘室(33)中及/或設於藉由該閘門與反應器殼體(1)連接之外部殼體(35)中。
  7. 如請求項1之裝置，其中，該等製程室壁部(10、11)係可主動加熱。
  8. 如請求項1之裝置，其中，該冷卻區(20)係設於與該製程室(2)流體連接之環境室中，在該環境室中設有製程室(2)，使得該製程室被環境室包圍，其中，該環境室具有惰性氣體輸送管線(17)，其用於饋送惰性氣體，使得惰性氣體在該冷卻區(20)旁流過。
  9. 一種在OVPD塗佈裝置之反應器殼體之製程室中將至少0.1mbar及/或最大10mbar惰性氣體氛圍中水的分壓減少之方法，其透過氣體入口構件(7)藉由惰性氣體將蒸氣發生器(30)所產生之有機材料的蒸氣饋送入該製程室(2)，並凝結在貼靠於經冷卻裝置(32)冷卻之基板架(14)上的基板(13)上，其特徵在於：使得該惰性氣體在設於該反應器殼體內之冷卻區(20、28)旁流過並且將該惰性氣體中之水蒸氣凍結，該冷卻區被調整至最大200K且至少為該惰性氣體之冷凝溫度的溫度。
  10. 如請求項9之方法，其中，該溫度<170K或<150K。
  11. 如請求項9之方法，其中，該惰性氣體氛圍中之水的分壓最大為10 -7mbar。
  12. 如請求項9之方法，其中，該惰性氣體為氮氣。
  13. 如請求項1之裝置，其中，該冷卻區具有第一冷卻元件(20)，其與第二冷卻元件(21)間隔一定距離，其中，該距離(h)大於分壓為0.1mbar至1000mbar之氮氣氛圍中之平均自由徑，其中，該距離(h)特別是落在介於4與20mm之間的範圍內，較佳落在介於4與14mm之間的範圍內，以及/或者，該冷卻區係由具有開口(37)的冷卻元件(20)構成。
  14. 一種冷卻區作為將由有機材料構成之層沉積在基板上的裝置中的應用，該裝置包含設於反應器殼體(1)中的具有加熱裝置(31)的氣體入口構件(7)，包含蒸氣發生器(30)，其用於將有機起始材料轉化為蒸氣形態並且係藉由輸送管線(8)與該氣體入口構件(7)連接，透過該輸送管線將產生的蒸氣以及饋送入該蒸氣發生器(30)之惰性氣體饋送入該氣體入口構件(7)，並且包含設於該反應器殼體(1)中的具有冷卻裝置(32)的基板架(14)，其用於支承該基板(13)，其特徵在於：將該冷卻區(20)調整至最大200K且至少為該惰性氣體之冷凝溫度的溫度，以及，該冷卻區係佈置在該反應器殼體內，使得該惰性氣體在該冷卻區旁流過，用以將惰性氣體中之水凍結。
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