TW201901710A

TW201901710A - 扼流圈

Info

Publication number: TW201901710A
Application number: TW107115300A
Authority: TW
Inventors: 金炅泰; 金相儇
Original assignee: 南韓商摩達伊諾琴股份有限公司
Priority date: 2017-05-12
Filing date: 2018-05-04
Publication date: 2019-01-01
Also published as: KR20180124687A; JP2020519031A; US20210104356A1; TW201907423A; KR101981468B1; EP3624150A4; CN110651341A; KR101981467B1; EP3624150A1; CN110622264A; EP3624151B1; EP3624151A4; TWI662565B; EP3624151A1; US20210104355A1; JP2020519033A; KR20180124686A; TWI721269B

Abstract

本揭露提供一種扼流圈，包含：磁芯；凸緣，設置於在一個方向的磁芯之兩個末端部分中之每一者上；端電極，耦接至凸緣；導線，圍繞磁芯捲繞且具有各自伸出至端電極的末端部分；以及導線容納部分，經設置以容納導線之末端部分中之每一者。

Description

扼流圈

本揭露是關於一種扼流圈，且更具體而言是關於一種能夠藉由安裝於汽車或類似者上而確保穩定特性的扼流圈。

在根據相關技術的扼流圈中，端電極藉由鍍覆或焊接形成於鼓形磁芯（drum core）之凸緣上，一對導線圍繞鼓形磁芯捲繞，且隨後導線之端部經焊接至端電極。此類扼流圈之端電極藉由焊接附接至汽車之印刷線路板。

當根據相關技術的扼流圈安裝於汽車上時，應確保廣泛範圍溫度下之可靠性。然而，出現缺陷，諸如端電極自印刷線路板脫落或鼓形磁芯中之裂紋。

因此，近來一種扼流圈經製造使得將「C」形端電極插入至凸緣中且緊固至凸緣，導線之端部經固定至端電極之部分，且隨後焊接部分藉由使用雷射焊接或電弧焊接而形成於端電極之上部部分上。亦即，在根據相關技術的扼流圈中，端電極設置於凸緣之上部部分及下部部分上。因此，圍繞磁芯捲繞的第一導線及第二導線伸出至磁芯之上部外部。

同時，伸出至端電極之上部外部的導線經自端電極延伸的延伸部分按壓及固定。然而，由於延伸部分按壓導線，因此導線受到擠壓。亦即，圓形導線之原始形狀改變使得（例如）導線藉由延伸部分之按壓而受到擠壓。此時，導線之改變形狀根據按壓力而變化。此外，導線之張力根據按壓力而變化，且按壓力愈大，張力愈弱。為最小化導線之形狀變形，可微弱地按壓導線。在此情況下，端電極無法充分地按壓導線，使得導線未固定，且可存在圍繞磁芯捲繞之導線利用張力而鬆開的情況。因此，導線應由至少一種預定壓力按壓，但可存在例如導線由按壓力弱化且因而在操作期間切斷的缺陷。

此外，當藉由使用延伸部分按壓導線時，可存在導線經推動或偏離初始位置的限制。因此，出現導線之位置偏差，使得無法期望多個產品具有相同質量，其中在後續製程中，當焊接部分形成以將導線耦接至端電極時，焊接部分之位置發生變化。

（相關技術文件）

日本專利特許公開第2003-022916號

本揭露提供一種能夠最小化因導線之形狀變形及位置未對準所致之限制的扼流圈。

本揭露亦提供一種扼流圈，所述扼流圈能夠最小化導線之形狀變形並藉由在端電極之一部分上形成容納導線之至少一部分的導線容納部分來防止導線之位置未對準。

根據一例示性實施例，扼流圈包含：磁芯；凸緣，設置於在一個方向上的磁芯之兩個末端部分中之每一者上；端電極，耦接至凸緣；導線，圍繞磁芯捲繞且具有各自伸出至端電極的末端部分；以及導線容納部分，經設置以容納導線之末端部分中之每一者。

導線容納部分可設置於端電極之至少一部分上。

端電極可包含端子，所述端子接觸凸緣中之每一者之側表面或一個垂直表面，且導線可伸出至所述端子上。

扼流圈可更包含延伸部分，所述延伸部分在一個方向上自端子延伸且朝向端子彎曲。

導線容納部分可設置於端子及延伸部分中之至少一者上。

導線容納部分可包含凹槽，所述凹槽之深度為導線直徑之0.2倍至1倍且寬度為導線直徑之0.2倍至2倍。

凹槽可設置於端子之一個表面及延伸部分之一個表面中之至少一者上。

導線容納部分可更包含與所述凹槽相對的突出部分，所述突出部分於端子之另一表面及延伸部分之另一表面上。

凸緣可更包含導引凹槽，所述導引凹槽對應於端子之突出部分凹陷且經設置以容納突出部分。

扼流圈可更包含開口，所述開口經設置以與導線容納部分重疊。

扼流圈可更包含形成於導線容納部分上的焊接部分及經設置以覆蓋磁芯的封蓋部分中之至少一者。

在下文中，將參看附圖詳細地描述例示性實施例。然而，本揭露可以不同形式體現，且不應解釋為限於本文中所闡述的實施例。確切而言，提供這些實施例以使得本揭露將為透徹且完整的，且將向所屬領域中具通常知識者充分傳達本揭露之範疇。

圖1為根據第一實施例的扼流圈之組合透視圖。此外，圖2至圖4為根據第一例示性實施例的一些製程期間的扼流圈之分解透視圖、組合透視圖以及側視圖。此外，圖5及圖6為根據第一例示性實施例的端電極及導線容納部分之側視圖，圖7至圖9為說明根據第一例示性實施例的端電極之修改例示性實施例極的視圖。

參考圖1至圖9，根據第一例示性實施例的扼流圈可包含：磁芯100；導線200，圍繞磁芯100捲繞；凸緣300，設置於磁芯100之兩個末端部分上；端電極400，緊固至凸緣300；以及導線容納部分500，經設置以容納自磁芯100伸出的導線200之至少一部分。此處，導線容納部分500容納伸出至端電極400上的導線200之端部。此外，扼流圈可更包含形成於端電極400上的焊接部分600，及設置於磁芯100上方的封蓋部分700。亦即，扼流圈可選擇性地包含焊接部分600及封蓋部分700中之至少任一者。因此，圖2及圖3說明未設置焊接部分600及封蓋部分700的扼流圈，而圖1說明設置焊接部分600及封蓋部分700的扼流圈。亦即，如圖2及圖3中所示，當焊接部分600形成於其上固定導線200的端電極400上，且封蓋部分700形成以便與凸緣300之上表面相接觸時，扼流圈呈圖1中所示的形狀製造。1.磁芯

磁芯100可以近似六面體形狀設置，且導線200可經捲繞以接觸並包圍磁芯100。舉例而言，磁芯100具有分別在縱向方向（X方向）及寬度方向（Y方向）上近似長方形形狀的橫截面形狀，且磁芯100可以在X方向上比在Y方向上更大尺寸設置。此時，設置凸緣300的方向被稱為縱向方向（X方向）而垂直於縱向方向的方向被稱為寬度方向（Y方向）。亦即，磁芯100可設置：在X方向上面向彼此的第一表面及第二表面（亦即，前表面及後表面）；在Y方向上面向彼此的第三表面及第四表面（亦即，兩個側表面）；以及在Z方向上面向彼此的第五表面及第六表面（亦即，上表面及下表面），其中第一表面與第二表面之間的距離可大於第三表面與第四表面之寬度。此外，可形成磁芯100使得其邊緣部分形成為圓形且具有預定傾斜。亦即，第三表面至第六表面之間的（亦即，兩個側表面與上表面及下表面之間的）邊緣部分可形成為圓形且具有預定傾斜。如此，磁芯100形成為具有圓形邊緣，從而可以避免諸如因在導線200捲繞時尖銳邊緣所致的導線200之斷開的限制。當然，磁芯100亦可以圓柱形狀或以多面體形狀設置。舉例而言，當查看平面視圖或X方向上的截面視圖時，磁芯100可具有至少五邊形形狀之多邊形形狀，且可以X方向上的預定長度設置。凸緣300可設置於磁芯100之兩個末端部分上，亦即在X方向上的第一表面及第二表面上。同時，磁芯100可藉由使用鐵氧體材料製造。作為鐵氧體材料，由以下各者所構成的族群中選出之一或多者：鎳（Ni）鐵氧體、銅（Co）鐵氧體、錳（Mn）鐵氧體、鈷（CO）鐵氧體、鋇（Ba）鐵氧體以及鎳-鋅-銅（Ni-Zn-Cu）鐵氧體，以及其一或多種氧化物之鐵氧體。磁芯100可以使此類鐵氧體材料與例如聚合物混合且隨後混合物以預定形狀，諸如六面體形成的方式來製造。

2.導線

導線200可經設置以包圍磁芯100。亦即，導線200可經設置以在X方向上自一側朝向另一側，例如自第一表面朝向第二表面來包圍磁芯100。此外，導線200可伸出使得其兩個末端部分接觸緊固至凸緣300的端電極400。導線200可在至少一個或更多個層中捲繞於磁芯100上。舉例而言，導線200可包含：接觸並圍繞磁芯100捲繞的第一導線；以及接觸且圍繞第一導線捲繞的第二導線。此時，第一導線之兩端可延伸至緊固至兩個凸緣300且面向彼此的端電極，且第二導線之兩端可延伸至緊固至兩個凸緣300且面向彼此的端電極，且第一導線未延伸至所述電極。同時，導線200可由導電材料形成且塗佈有絕緣材料以便由絕緣材料包圍。舉例而言，導線200可經形成使得金屬線（諸如，銅線）以預定厚度形成，且絕緣材料（諸如樹脂）塗佈金屬線。對於絕緣塗層，可單獨使用聚胺酯、聚酯、聚酯醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醯亞胺或類似者，或亦可使用其至少兩種或大於兩種之混合物或層合物。舉例而言，對於絕緣塗層，可使用聚酯及聚醯胺之混合物，或亦可使用其層合物。同時，可完全地移除與端電極400接觸的導線200之末端部分上的絕緣塗層，且金屬線可因此暴露。為完全地移除絕緣塗層，塗層可由雷射輻射至少兩次。舉例而言，導線200之末端部分經第一雷射輻射，且隨後經第一雷射輻射之部分經第二雷射輻射，從而可完全地移除絕緣塗層。完全地移除導線200之末端部分上的絕緣塗層，從而端電極400與導線200之間不存在絕緣塗層。當然，在導線200之末端部分中，可僅移除絕緣塗層之與端電極400接觸的部分。亦即，可移除與端電極400接觸的區域中的絕緣塗層，且可保留包含與端電極400接觸的區域之相對區域的保留區域中的絕緣塗層。

3.凸緣

凸緣300設置於磁芯100之兩個末端部分上。亦即，凸緣300設置於X方向上的磁芯100之兩個末端部分上。凸緣300可以具有兩個面向彼此的表面且具有預定厚度的板形狀設置。亦即，凸緣300各自可具有與磁芯100接觸的第一表面及面向第一表面的第二表面，且可在Y方向上具有預定厚度。此時，在凸緣300中，在Y方向上面向彼此的兩個表面將被稱作側表面，而在Z方向上面向彼此的兩個表面將被稱作上表面及下表面。因此，凸緣300以具有預定厚度的板形狀設置，且各自具有：面向彼此的第一表面及第二表面；兩個側表面，垂直於X方向上的第一表面及第二表面且在Y方向上面向彼此；以及下表面及上表面，在Z方向上垂直於第一表面及第二表面且面向彼此。此處，凸緣300之厚度，亦即在X方向上之厚度可能與端電極400之表面之寬度相同或大於端電極400之表面之寬度，導線200伸出至所述端電極且安裝於其上。亦即，凸緣300之厚度可根據經設置以與凸緣300之側表面接觸的端電極400之寬度來調節。同時凸緣300可設置為在Y方向及Z方向上大於磁芯100。亦即，凸緣300可在Y方向上具有大於磁芯100的寬度且在Z方向上具有大於磁芯100的高度。此外，凸緣300可具有寬度小於Y方向上的其其他區域之寬度的區域。亦即，在凸緣300中，其上緊固端電極400之區域，例如Z方向上之中間區域之寬度可小於上部區域及下部區域之寬度。此時，在凸緣300中，具有較小寬度的中間區域之高度可大於上部區域及下部區域之高度。舉例而言，在凸緣300中之每一者中，當具有第一寬度的下部區域、具有小於第一寬度的第二寬度的中間區域以及具有第一寬度的上部區域形成於Z方向上時，下部區域、中間區域以及上部區域之高度之比率可為1:2:1。亦即，在每一凸緣300中，在Y方向上面向彼此的兩個側表面可形成諸如「平鋪H（laid H）」形狀的形狀，其中中間區域在上下方向上凹陷。當然，高度之此比率可不同地改變，例如可根據緊固至凸緣300的端電極400的高度而改變。

此外，每一凸緣300可在至少一個區域中具有預定傾斜，導線200在伸出時與所述至少一個區域接觸。舉例而言，凸緣300可在與磁芯100相鄰的中間區域中具有預定傾斜。當然，如圖1及圖2中所示，每一凸緣300可在中間區域中的與磁芯100相鄰的區域中具有凹陷部分310，且導線200在伸出時與所述凹陷部分接觸。亦即，凹陷部分310可形成於每一凸緣300之中間區域中與磁芯100相鄰的表面及與其垂直的表面的預定區域中。如此形成的凹陷部分310可作用以導引導線200伸出。亦即，凹陷部分310設置於預定區域中，從而導線200可由凹陷部分310導引且伸出至端電極400上。如上文所描述，在凸緣300中且在伸出時與導線200接觸的區域為圓形或凹陷的，從而可避免導線200之斷開、塗層剝落以及類似者。亦即，當邊緣形成於在伸出時與導線200接觸的凸緣300的兩個表面之間時，導線200可能切碎且導線200之塗層亦可能剝落，或導線200亦可能斷開。然而，藉由圓化對應部分，可避免伸出導線200之斷開或類似者。

4.4.端電極

端電極400插入至凸緣300中且緊固至凸緣300，且設置藉由將導線200固定於其之一個區域中而所形成的焊接部分600。亦即，焊接部分600各自形成使得導線200接觸且固定至端電極400中之每一者之一個表面上，所述端電極經設置以與每一凸緣300之兩個側表面接觸。端電極400可以可接觸且緊固至凸緣300之多個表面的形狀設置。亦即，端電極400可以與凸緣300之至少兩個表面接觸的形狀設置。舉例而言，如圖1及圖2中所示，端電極400各自可包含：第一端子410，與凸緣300之第二表面接觸；第二端子420，與凸緣300之下表面接觸；以及第三端子430，與凸緣300之側表面接觸。第一端子410可具有近似矩形形狀，且具有設置在凸緣300之第二表面與側表面之間的邊緣處的第一側。此外，第一端子410包含具有自其第二側垂直於其第一側的預定寬度的朝向凸緣300之下表面延伸的部分。此時，延伸部分可延伸直至凸緣300之第二表面與下表面之間的邊緣區域。因此，例如第一端子410可呈「Г」形狀形成。第二端子420可沿自端子410之朝下延伸部分垂直的凸緣300之下表面形成。此時，寬度（亦即第一端子410及第二端子420之延伸部分的Y方向上的寬度）可小於第一端子410之寬度。此外，第三端子430可自對應於凸緣300之第二表面與側表面之間的邊緣的第一端子410的一側沿凸緣300之側表面設置。此時，第三端子430可經設置以與設置於凸緣300之側表面中的凹陷區域相接觸。如上文所描述，端電極400各自可自凸緣300之第一表面接觸且緊固至下表面及側表面。同時，第三端子430可在面向磁芯100的區域上設置凹陷部分435，亦即與第一端子大大分離、對應於凸緣300之凹陷部分310的中心部分。凹陷部分435可經設置以導引導線200之伸出。此外，可設置用於一個凸緣300的兩個端電極400，且總計四個端電極。

同時，預定傾斜形成於凸緣300之第二表面與側表面及下表面之間，從而第二端子420及第三端子430可沿傾斜移動至凸緣300之下表面及側表面。此外，第一端子410與第二端子420及第三端子430可形成直角。然而，為了藉由第二端子420及第三端子430中之任一者之按壓力來進一步增強耦接力，端電極400之第一端子與第二端子420及第三端子430可形成小於90°，諸如大約88°之銳角。

此外，如圖1、圖2以及圖7中所示，用於固定導線200之端部的第一延伸部分431及第二延伸部分432可設置於其上安裝導線200的端電極400之區域中，亦即設置於第三端子430上。第一延伸部分431暫時固定導線200之端部，且第二延伸部分432固定導線200之端部且連同導線200形成焊接部分600。亦即，導線200之部分及第二延伸部分432熔融且可因此形成焊接部分600。

第一延伸部分431可形成於面向第一側的第三側上的第三端子430上，所述第一側與端電極400之第一端子410接觸。第一延伸部分431可呈以預定高度自第三端子430之第三側延伸，且隨後在一個方向上進一步延伸之形狀形成。亦即，第一延伸部分431可包含：高度部分，以距第三端子430之預定高度形成；及水平部分，在一個方向上自高度部分之端部延伸。因此，第一延伸部分431可呈「Г」形狀形成。此時，由於形成第一延伸部分431，因此凹陷部分可能不形成於端電極400中。當然，凹陷部分435可形成且第一延伸部分431可形成於端電極400中，但在此情況下，第一延伸部分431之高度部分可鄰接於凹陷部分形成。因此，由於形成第一延伸部分431，導線200可由第一延伸部分431之高度部分及水平部分導引且伸出。亦即，由於可在具有「Г形狀」之第一延伸部分431之高度部分與水平部分之間導引導線200，因此可避免導線200之脫落。此外，第一延伸部分431可在導線200之伸出方向，亦即在與磁芯100相對方向上彎曲。因此，第一延伸部分431之水平部分在垂直於導線200之伸出方向的方向上與第三端子430接觸且暫時導引導線200。

第二延伸部分432可經設置以與第一延伸部分431間隔開。舉例而言，第二延伸部分432可形成於垂直於第二側的第三側上的第三端子430上，在所述第三端子430上已經形成第一延伸部分431。第二延伸部分432可包含：高度部分，以第三端子430之第三側的預定區域上方的預定高度設置；及水平部分，以距高度部分之端部的預定尺寸形成。此時，可形成寬於高度部分之寬度的水平部分。亦即，考慮到焊接部分600及其類似物之尺寸，可形成大於第一延伸部分431之尺寸的第二延伸部分432之水平部分。舉例而言，第二延伸部分432之水平部分可形成以便在第一側之方向上自高度部分增寬。此外，第二延伸部分432可在垂直於第一延伸部分431之彎曲方向的方向上彎曲。亦即，第一延伸部分431之高度部分在第三端子430之第一側的方向上自第二側彎曲，且第二延伸部分432可在面向第三端子430之第三側的第四側方向上自第三側彎曲。因此，第一延伸部分431之水平部分及第二延伸部分432之水平部分在相同方向上固定導線200。因此，導線200可藉助於第一延伸部分431及第二延伸部分432來與端電極400之第三端子430接觸且固定至端電極400之第三端子430上。

同時，在第一例示性實施例中，雖然已描述第一延伸部分431及第二延伸部分432均設置於第三端子430上之情況，但可僅提供第二延伸部分432而無需提供第一延伸部分431。

5.導線容納部分

提供導線容納部分500來容納自磁芯100伸出至端電極400上的導線200之至少一部分。導線容納部分500可設置於端電極400之至少部分上。舉例而言，如圖5及圖6中所示，導線容納部分500可設置於第二延伸部分432之預定區域中。此時，導線容納部分500各自可形成於第二延伸部分432之表面上，所述部分與導線200接觸。亦即，在第二延伸部分432中，其水平部分在一個方向上（亦即）朝向端電極400之第三端子430彎曲且可因此與導線200接觸。導線容納部分500各自可設置於與導線200接觸的水平部分的一個表面上。舉例而言，導線容納部分500各自可以預定長度設置於在導線200之伸出方向上，亦即在X方向上之水平部分之一個表面上。此處，導線容納部分500各自亦可在X方向上以水平部分之整個長度或以導線200之至少伸出長度設置。導線容納部分500各自可以具有預定深度及寬度以及預定長度的凹槽形狀設置。亦即，具有預定深度及寬度以及預定長度的凹槽形成於第二延伸部分432之預定區域中，從而可形成導線容納部分500各者。此時，導線容納部分500之形狀可具有能夠容納導線200的各種形狀。舉例而言，導線容納部分500可以各自具有各種橫截面形狀，諸如半圓、橢圓形、三角形、矩形以及五邊形之各種形狀形成。同時，導線容納部分500之深度及寬度可形成為導線200之直徑的0.2倍至2倍。較佳地，導線容納部分500之深度可形成為導線200之直徑的0.2倍至1倍，且寬度可形成為導線200之直徑的0.5倍至2倍。此時，導線容納部分500之深度及寬度愈大，導線200可經更完全地容納。因此，可最小化導線200之形狀變形。然而，導線容納部分500之深度愈深，第二延伸部分432之厚度可愈大。當第二延伸部分432之厚度時，其中當焊接部分600藉由使用雷射稍後形成時，可存在容納於第二延伸部分432下方的導線容納部分500中之導線200未熔融之限制。因此，導線容納部分500之深度可小於第二延伸部分432之水平部分之厚度。亦即，導線容納部分500之深度可小於第二延伸部分432之水平部分之厚度，且可形成為導線200之直徑之0.2倍至1倍。同時，導線容納部分500之深度及寬度小於導線200之直徑的0.2倍，容納於導線容納部分500中之導線200減少。因此，第二延伸部分432進一步按壓導線200，從而可減小防止導線200的形狀變形的效果。亦即，當導線容納部分500之深度及寬度較小時，容納於導線容納部分500中之導線200的面積較小。因此，第二延伸部分432之水平部分與第三端子430之間按壓的面積增大，從而增大導線200之受擠壓面積。

6.焊接部分

焊接部分600形成於緊固至凸緣300之側表面的端電極400的第三端子430上。當第二延伸部分432彎曲且按壓導線200時，焊接部分600可形成使得導線200安裝於端電極400上，且經雷射輻射。亦即，焊接部分600可藉由將導線200熔融於端電極400上來形成。此外，焊接部分600可以球面形狀形成。同時，絕緣層可設置於焊接部分600下方。亦即，絕緣層可設置於焊接部分600與第三端子430之間。當焊接部分600形成而無需完全地移除導線200之絕緣塗層時，絕緣層可由於導線200的絕緣塗層而保留。當然，當焊接部分600在完全移除絕緣塗層後形成時，絕緣層可能不設置於焊接部分600下方。

7.封蓋部分

封蓋部分700可設置於磁芯100上方，導線200圍繞磁芯捲繞且端電極400緊固至導線上。封蓋部分700可以具有預定厚度之近似長方形板之形狀設置。此時，封蓋部分700之下表面可與凸緣300之上表面接觸。

同時，為使導線200容納且固定於端電極400上且促使形成焊接部分600，如圖7至圖10中所示，端電極400及導線容納部分500可以各種形狀形成。

4.1端電極及導線容納部分之修改實例

如圖7之（a）中所示，開口部分433可形成於端電極400之第三端子430中。開口部分433可以預定深度及長度形成，且導線200可定位於開口部分433上。亦即，凸緣300之側表面可藉由形成開口部分433而暴露於導線200下方。此時，容納導線200之至少一部分的導線容納部分500可形成於第二延伸部分432中。此外，開口部分433可以比導線200更寬的寬度及比安裝於第三端子430上的導線200較短的長度形成。因此，導線200可浮動於開口部分433上方且導線200之最末端部分可與第三端子430接觸。亦即，導線200可藉由距導線200之最末端部分之預定寬度與開口部分433接觸，且導線200之一部分可浮動於開口部分433上方。當然，導線200之一部分可經由開口部分433與凸緣300接觸。因此，導線200及第二延伸部分432定位於開口部分433上且導線及第二延伸部分藉由經雷射輻射而熔融，從而可形成焊接部分600。亦即，焊接部分600可定位於開口部分433上方。因此，藉由使開口部分433形成於端電極400之第三端子430中，可抑制因雷射輻射所致之能量轉移，所述雷射輻射用於經由導線200將焊接部分600形成於端電極400之第三端子430上。因此，可避免因雷射輻射期間的熱量所致端電極400的第三端子430之形狀變形，且焊接部分600可藉由使用理想能量來形成。此外，轉移至捲繞導線200之熱能減小，從而可避免短路。此外，空氣層藉由開口部分433形成於焊接部分600與凸緣300之間，使得可期望形成焊接部分600之後的快速冷卻效果，且可因此穩定維持焊接部分600之形狀。

此外，在焊接導線200及端電極400之第二延伸部分432時所形成的焊接部分600之一部分定位於端電極400之開口部分433上方，從而可降低焊接部分600之高度。因此，可最大限度地使用在Z方向上的焊接部分600之高度空間之面積，從而產品小型化及低輪廓設計變為可能的。

同時，如圖7之（b）中所示，開口部分433可形成於第二延伸部分432中。藉由在第二延伸部分432中形成開口部分433，可最大限度地使用焊接部分500之高度方向上之空間，亦即Z方向上之空間，從而小型化及低輪廓設計變為可能的。

此外，如圖8中所示，第二延伸部分432之水平部分之端部可以「U」形狀形成，及高度部分及水平部分可以近似「F」形狀形成。亦即，水平部分可在面向磁芯100之方向上以近似「U」形狀形成，使得凹槽形成於導線200穿過的區域中，且突出部分形成於凹槽之兩側上。當然，容納導線200之至少一部分的導線容納部分500亦可形成於具有「F」形狀的第二延伸部分432中。此時，兩側上的突出部分可延伸至端電極400之外部。亦即，假設端電極400之第一端子410垂直延伸之情況，呈「U」形狀突出之部分延伸直至超出端電極400之第一端子410的區域。第二延伸部分432在自第三端子430之第三側的第四側方向上彎曲。因此，在第二延伸部分432中，導線200穿過呈「U」形部分之凹槽部分，且其兩側上之突出部分延伸穿過第一端子410。因此，導線200可藉助於第二延伸部分432來接觸且固定至端電極400上。此外，由於第二延伸部分432之突出部分突出至端電極400之第一端子之外部，因此端電極400之突出部分及導線200可藉由雷射焊接接合，且未剝離端電極400上方的導線200，從而可避免過度焊接。

同時，導線容納部分500亦可形成於端電極400之第三端子430上。亦即，如圖9中所示出，具有預定深度及寬度以及預定長度的凹槽形導線容納部分500可形成於第三端子430上。因此，導線容納部分500形成於第三端子上，從而導線200可在經導引時經容納及固定。亦即，導線200伸出以便與第三端子430接觸，且伸出導線200可經導引以便容納於形成於第三端子430中之導線容納部分中，且導線200可經容納及固定。當然，導線容納部分500可不僅形成於第三端子430中，而亦可形成於面向第三端子430的第二延伸部分432中。同時，當導線容納部分500形成於第三端子430中時，導線容納部分500之深度可形成為小於第三端子430之厚度。

此外，導線容納部分500可以等於或大於第二延伸部分432之厚度的深度形成，且為此目的，第二延伸部分432之一部分可突出。亦即，如圖10中所示，導線容納部分500形成為朝向第二延伸部分432之內部凹陷，且第二延伸部分432之面向其中形成導線容納部分500之表面的一個表面可根據容納部分500之深度而突出。因此，第二延伸部分432之一個表面凹陷而其另一表面突出，從而導線容納部分500可以無關於第二延伸部分432之厚度的深度形成。亦即，導線容納部分500可以等於或大於第二延伸部分432之厚度的深度形成。

此外，導線容納部分500可不僅形成於第二延伸部分432中，而亦可形成於端電極400之第三端子430中。亦即，如圖11中所示，導線容納部分500可包含形成於第二延伸部分432中之第一導線容納部分510及形成於第三端子430中之第二導線容納部分520。此時，第一導線容納部分510及第二導線容納部分520可形成於彼此重疊的區域中。亦即，第一導線容納部分510及第二導線容納部分520形成於相同區域中，使得導線200之直徑之一部分伸出以便容納於第二導線容納部分520中，且隨後導線200之直徑之剩餘部分可在第二延伸部分432彎曲時容納於第一導線容納部分510中。此外，第一導線容納部分510及第二導線容納部分520可具有相同深度及寬度。然而，第一導線容納部分510及第二導線容納部分520亦可具有不同深度及寬度。舉例而言，形成於第三端子430中之第二導線容納部分520可具有比第一導線容納部分510更大的深度及寬度。當然，相反，形成於第二端子432中之第一導線容納部分510可具有比第二導線容納部分520更大的深度及寬度。

如上文所描述，根據第一例示性實施例的扼流圈設置有導線容納部分500，所述導線容納部分容納端電極400之部分上之導線200的至少一部分，從而可避免導線200受擠壓及位置未對準。亦即，當伸出至端電極400之第三端子上之導線200經端電極400之至少部分，諸如第二延伸部分432按壓時，設置於第二延伸部分432中之導線容納部分500容納導線200，從而可避免導線200受擠壓及位置未對準。因此，可改良導線之張力，從而可改良抗衝擊及振動之抗性，且可改良扼流圈之可靠性。此外，可能未出現導線之位置偏差，且因此在後續製程中，可期望相同質量之導線與端電極的耦接。

此外，凸緣300設置於磁芯100之兩個末端部分上，導線200圍繞磁芯捲繞，且端電極400緊固至凸緣300之至少側表面。此外，傾斜表面（或圓形表面）形成於凸緣300中之每一者之邊緣部分上（端電極400緊固至所述邊緣部分上），且有助於緊固端電極400，從而可避免伸出至端電極400之第三端子430的導線200的斷開。因此，由於端電極400設置於凸緣300之側表面上，且導線200伸出至凸緣300之側表面，因此可避免第一導線受第二導線擠壓之現象，且因此可避免第一導線之位置未對準。

此外，藉由在其上安裝導線200的第三端子430中形成開口部分433，可抑制因雷射輻射所致之能量轉移，所述雷射輻射用於經由導線200形成焊接部分600於端電極400之第三端子430上。因此，可避免因雷射輻射期間產生的熱量所致的端電極400的形狀變形，焊接部分600可藉由使用理想能量而形成，且可減小轉移至捲繞導線200之熱能，從而可因而避免短路。

將如下描述一種用於製造根據一例示性實施例的扼流圈的方法。

首先，製造其兩端分別耦接至凸緣300的磁芯100及封蓋部分700。磁芯100具有分別地在縱向方向（X方向）上及在寬度方向（Y方向）上近似長方形之橫截面形狀，且磁芯100可以在X方向上尺寸比在Y方向上更大的近似六邊形的形狀設置。此外，可形成具有圓形邊緣且具有預定傾斜的磁芯100。凸緣300可設置於在X方向上的磁芯100的兩個末端部分上，可與磁芯100一起整體地製造，且亦可單獨地製造並耦接至磁芯100。此時，凸緣300可經設置以便在高度方向上（亦即在Z方向上）的側表面中具有預定曲率。亦即，凸緣300各自可經設置以使得其中心部分在高度方向上具有比其在上部部分及下部部分更小的寬度。此外，在凸緣300中之每一者上，凹陷部分可形成於中心部分之預定部分中，且面向磁芯100的第一表面與側表面之間的邊緣可圓形地形成。同時，封蓋部分700可以具有預定厚度的近似長方形板之形狀設置。

隨後，端電極400經插入以便與凸緣300之側表面及下表面接觸並耦接至凸緣300。為此目的，端電極400各自可經設置以便包含：第一端子410，與凸緣300之第二表面接觸；第二端子420，自第一端子410延伸且與凸緣300之下表面接觸；以及第三端子430，自第一端子410延伸且與凸緣300之側表面接觸。此時，凸緣300之第二表面與下表面及側表面之間的邊緣部分圓形地形成，且端電極400可沿圓形部分移動至凸緣300之側表面及下表面。

隨後，導線200捲繞包圍磁芯100。亦即，導線200可在X方向上自一側至另一側包圍磁芯100。導線200可包含：第一導線，與磁芯100接觸並圍繞磁芯100捲繞；及第二導線，與第一導線接觸並圍繞第一導線捲繞。第一導線之兩端可延伸至緊固至面向彼此的兩個凸緣300的端電極400的第三端子430，且第二導線之兩端可延伸至分別緊固至面向彼此的兩個凸緣300的端電極400之第三端子430，且第一導線未延伸至所述端子。此時，當第一導線及第二導線伸出時，可避免第一導線受第二導線擠壓的現象，且因此可避免第一導線之位置未對準。同時，導線200可由導電材料形成且塗佈有絕緣材料以便由絕緣材料包圍。舉例而言，導線200可形成使得金屬線（諸如，銅線）以預定厚度形成，且絕緣材料（諸如樹脂）塗佈金屬線。導線200捲繞之後，導線200之末端部分上的塗層可能剝落。導線200之末端部分剝落使得移除包圍金屬線的所有塗層。為此目的，雷射設置於導線200上方，導線200之上部部分隨後經雷射輻射，且隨後旋轉導線200使得未經雷射輻射之區域面朝上且隨後導線200可再次經雷射輻射。

同時，未自其中導線200與端電極400接觸的區域移除絕緣材料，而移除端電極400之外的末端區域中之絕緣材料。亦即，在形成焊接部分600之前，定位於端電極400外的導線200之末端部分經雷射輻射至少一次，且可因此移除塗層之至少一部分。亦即，定位於端電極400外的導線200之末端部分經來自上方的雷射輻射，使得可因此移除上側之塗層且可保留下側之塗層。可替代地，可藉由利用分別來自上側及下側的雷射來輻射以完全地移除導線200之末端部分的塗層。當然，雷射亦可自下方發射使得移除導線200之末端部分之底部上的塗層且保留上側塗層。因此，可藉由雷射輻射方法自在導線200伸出之方向上端電極400外之末端部分來至少部分地移除絕緣塗層。因此，未自定位於端電極400上的導線200移除絕緣塗層，而部分地移除導線200之末端部分之絕緣塗層，從而當形成焊接部分600時，由於導線200之絕緣塗層，絕緣層存在於導線200與端電極400之間。此外，絕緣層可保留於焊接部分600之至少一區域中且亦可保留於剩餘區域中。亦即，導線200及端電極400存在於焊接部分600下方，且絕緣層可保留於焊接部分600與導線200之間以及導線200與端電極400之間。此外，絕緣層可亦保留於焊接部分600或類似者之表面上。因此，絕緣層可存在於焊接部分600周圍的多個區域中。此是因為焊接部分600以未移除焊接部分600與端電極400之間的導線200之絕緣塗層而移除端電極400外的區域中的導線200之絕緣塗層的狀態形成。

隨後，導線200之端部，亦即塗層剝落之導線200之末端部分伸出至端電極400之第三端子。此時，凹陷部分或傾斜表面可形成於凸緣300之第一表面與側表面之間，且導線200可沿凹陷部分或傾斜表面伸出。此外，各自自高度部分及水平部分設置且具有近似「Г」形狀的第一延伸部分431可形成於端電極400之第三端子430上。因此，導線200導引於高度部分與水平部分之間且定位於端電極400之第三端子430上。此時，開口部分433形成於端電極400之第三端子430中，且導線200亦可安裝於開口部分433上方。因此，導線200之部分定位於開口部分433上。同時，開口部分433形成於端電極400之第三端子430中，導線200伸出以穿過開口部分433上方。因此，安裝導線200之後，第一延伸部分431彎曲且暫時固定導線200。隨後，第二延伸部分432彎曲且固定導線200。由於導線容納部分500設置於第二延伸部分432中，當第二延伸部分432彎曲時，導線200之至少一部分可容納於導線容納部分500中。因此，當第二延伸部分432彎曲時，可避免導線200受擠壓或位置未對準。

隨後，第二延伸部分432經雷射輻射，從而形成焊接部分600。亦即，第二延伸部分432及導線200藉由利用雷射輻射而熔融，且因此球面焊接部分600形成於端電極400上。此處，當開口部分形成於端電極400中時，焊接部分600可形成於開口部分上方。開口部分形成於端電極400中，從而可避免因用於形成焊接部分600之雷射輻射所致的能量經由導線200轉移至端電極400。因此，可避免因雷射輻射期間的熱量所致的端電極400之形狀變形，且焊接部分600可藉由使用理想能量而形成。此外，轉移至捲繞導線200的熱能減小，從而可避免短路。此外，空氣層藉由開口部分433形成於焊接部分600與凸緣300之間，使得可期望形成焊接部分600之後的快速冷卻效果，且可穩定維持焊接部分600之形狀。

隨後，封蓋部分700覆蓋凸緣300之上部部分以便與凸緣300之上部部分接觸。

圖12及圖13為根據第二例示性實施例的扼流圈之分解透視圖及組合透視圖。

參考圖12及圖13，根據第二例示性實施例的扼流圈可具有：凸緣300之側表面上的凹槽310，及對應於緊固至凸緣300的端電極400中的凹槽310形成的導線容納部分500。亦即，相較於第一例示性實施例，第二例示性實施例可進一步設置：形成於凸緣300之側表面中之凹槽310；及形成於對應於凹槽310的端電極400中的導線容納部分500。端電極400各自包含：第一端子410，與凸緣300之前表面接觸；第二端子420，與凸緣300之下表面接觸；以及第三端子430，與凸緣300之側表面接觸，其中導線容納部分500各自形成於與凸緣300之凹槽310對應的第三端子中。此處，當端電極400緊固至凸緣300時，導線容納部分500插入至凸緣300之凹槽310中，且導線容納部分500可經形成以比第三端子430之表面更凹陷。因此，導線200可容納於導線容納部分500中且自導線容納部分500伸出。此處，導線容納部分500之深度及寬度可為導線200之直徑之0.2倍至2倍使得導線200之至少一部分可容納於其中，且較佳地，其深度及寬度為導線200之直徑之0.5倍至1倍。因此，凹槽310形成於凸緣300之側表面中，且導線容納部分500形成於端電極400中以便緊固至凹槽310。因此，端電極400可進一步牢固地緊固至凸緣300。亦即，除端電極400之第一端子至第三端子：410、420以及430以外，進一步設置導線容納部分500。因此，端電極400與凸緣300之間的接觸區域進一步增大，從而可進一步加固凸緣300與端電極400之固定。此外，導線200可更易於經由端電極400之導線容納部分500而伸出。

同時，根據例示性實施例的扼流圈亦可應用於導線200自凸緣300朝上伸出的情況。亦即，亦在「C」形端電極400緊固至凸緣300，以及導線200伸出至凸緣300上方的端電極400的情況下，導線容納部分500形成且可容納導線200之至少一部分。根據此第三例示性實施例的扼流圈將參考圖14至圖18如下描述。

圖14至圖15為根據第三例示性實施例的一些製程期間的扼流圈之透視圖以及一個側視圖，且圖16至圖17為根據第三例示性實施例的一些製程期間的扼流圈之透視圖以及部分放大視圖。亦即，圖14及圖15為端電極之一部分固定導線之前的透視圖及一個側視圖，且圖16及圖17為端電極之一部分固定導線之後的透視圖及一個側視圖。同樣，圖18為根據例示性實施例的扼流圈的部分像片，且為導線容納於導線容納部分中並由端電極夾持之狀態下的像片。

參看圖14至圖17，根據第三例示性實施例的扼流圈可包含：磁芯100；導線200，圍繞磁芯100捲繞；凸緣300，設置於磁芯之兩個末端部分上且經提供使得其兩側具有比其中心部分較低的高度；端電極400，緊固至凸緣300之兩側；以及導線容納部分500，經設置以容納伸出至凸緣300上方的端電極400上的導線20。此外，雖然未繪示，但是可進一步設置形成於端電極400上方的焊接部分；以及設置於磁芯100上方的封蓋部分。此第三例示性實施例將不同於第一例示性實施例及第二例示性實施例而如下以內容為中心進行描述。亦即，由於第三例示性實施例在凸緣之形狀及端電極中不同於第一例示性實施例及第二例示性實施例，因此第三例示性實施例將以凸緣及端電極為中心進行描述。

凸緣300設置於X方向上的磁芯100之兩個末端部分上。凸緣300各自可包含：第一區域321，與磁芯100接觸；及第二區域322，設置於第一區域321之兩側上且未接觸磁芯100。

凸緣300之第一區域321及第二區域322可經形成以分別地具有預定深度、寬度以及高度。

此時，磁芯100設置於第一區域321之第一表面上，且第二區域設置於每一第一區域321之兩個側表面上。同時，第一區域321可經形成高於第二區域322。亦即，焊接部分形成之後，第一區域321及第二區域322可以使得第一區域321與封蓋部分之下表面接觸的高度形成，且焊接部分不接觸第二區域322中之封蓋部分。此時，考慮到第二區域之高度及焊接部分之高度，第一區域321可以使得焊接部分不接觸封蓋部分的高度形成。此外，第一區域321可經形成以具有大於第二區域322之寬度及長度的寬度及長度。因此，階梯可形成於第一區域321之上表面與第二區域322之上表面之間，且階梯可形成於第一區域321之前表面與第二區域322之前表面之間。

「C」形端電極400緊固至凸緣300之第二區域322。亦即，端電極400在X方向上自一側插入至另一側且緊固至凸緣300之第二區域322。此時，在緊固端電極400的方向上第二區域322之上表面與表面（亦即，前表面）之間的部分可具有預定傾斜（亦即，斜度）。亦即，在第二區域322中，具有預定傾斜的傾斜區域可形成於前表面與上表面之間，亦即第一表面與第六表面之間。換言之，邊緣未形成於前表面與上表面之間且可具有預定傾斜。此時，傾斜區域亦可圓形地形成以便具有預定曲率，且亦形成為具有自上表面至前表面的預定傾斜。因此，預定傾斜形成於前表面與上表面之間，端電極400之上表面沿傾斜移動，且因此端電極400可更易於緊固。

此外，在凸緣300之第二區域322中，不僅具有預定寬度的第一傾斜區域可形成於前表面與上表面之間（亦即，第一表面與第六表面之間），而且具有預定寬度的第二傾斜區域亦可形成於後表面與上表面之間（亦即，第二表面與第六表面之間）。此時，第二傾斜區域亦可圓形地形成以便具有預定曲率，且亦形成為具有自上表面至後表面的預定傾斜。因此，預定傾斜形成於後表面與上表面之間，使得伸出至端電極400的導線200沿圓形部分導引，且可避免導線200之斷開、塗層剝落或類似者。亦即，當邊緣形成於凸緣300之第二區域322之後表面與上表面之間時，導線200在伸出時與所述邊緣接觸，導線200可能切碎且導線200之塗層亦可剝落或導線200亦斷開。然而，藉由圓化對應部分，可避免伸出導線200之斷開或類似者。

端電極400插入至凸緣300之第二區域322中且緊固至凸緣300之第二區域322且自上方固定導線200。端電極400可以近似「C」形狀形成以便插入至凸緣300中且緊固至凸緣300。亦即，端電極400各自可包含：第一端子410，與凸緣300之第二區域322之前表面接觸；第二端子，與第二區域322之下表面接觸；以及第三端子430，與第二區域322之上表面接觸。亦即，在第一例示性實施例及第二例示性實施例中，第三端子430與凸緣300之側表面接觸，但在第三例示性實施例中，第三端子與凸緣300之上表面接觸。因此，在端電極400中之每一者中，第一端子410、第二端子420以及第三端子430可形成近似「C」形狀。此處，第三端子430可以近似長方形板形狀提供。亦即，第三端子430各自可包含：第一側，與第一端子410接觸；第二側，面向第一側；第三側，與第一側與第二側之間的凸緣300之第一區域310及第二區域320的階梯部分接觸；以及第四側，面向第三側。端電極400自面向第一端子410的開口區域插入至凸緣300之第二區域322中，且第二端子420及第三端子430與第二區域322之下表面及上表面接觸，且第一端子410與第二區域322之前表面接觸，從而端電極400緊固至凸緣300。此時，由於預定傾斜形成於第二區域322之上表面與前表面之間，因此端電極400之第三端子430可沿傾斜表面移動至凸緣300之上表面。第一延伸部分431及第二延伸部分432可形成於端電極400之第三端子430中以固定導線200之端部。第一延伸部分431及第二延伸部分432與第一實施例及其修改實例中所描述的那些相同，且因此將不提供其上的實施方式。

此外，導線容納部分500可設置於端電極400之至少部分上。舉例而言，如圖14至圖17中所示，具有預定直徑及寬度及預定長度的凹槽形導線容納部分500可形成於第二延伸部分432之一個表面上。當然，雖然未繪示，但是導線容納部分500亦可形成於第三端子430中，且亦形成於第三端子430及第二端子432兩者中。因此，設置導線容納部分500，從而如圖16及圖17中所示可容納且固定伸出至第三端子430上的導線200。圖18為第二延伸部分432為彎曲且導線200容納於形成於第二延伸部分432中的導線容納部分500中的像片。

如上文所描述，在例示性實施例中，導線容納部分設置於端電極之至少部分上，從而最小化導線之形狀變形且可避免導線之位置未對準。未提供導線容納部分的相關實例中及提供導線容納部分的例示性實施例中之根據按壓力之形狀變形度繪示於下表1及表2中。

表1繪示根據未包含導線容納部分的相關技術的扼流圈之按壓力的導線之高度及按壓程度，且表2繪示根據包含導線容納部分的一例示性實施例的扼流圈之按壓力的導線之高度及按壓程度。此處，導線之高度為導線經按壓之後的第二延伸部分與第三端子之間的導線之高度。此外，導線之按壓程度為導線之高度關於導線之初始直徑且藉由「-」符號呈現，因為相較於導線之直徑導線之高度減小。此外，導線之直徑經設置為70微米，且在例示性實施例中，以及導線伸出部分以各種寬度形成於第二延伸部分中。

[表1]

如表1中所繪示，對於導線之按壓力愈大，形狀變形愈大，亦即導線之受擠壓程度。因此，可發現導線之高度減小，而擠壓程度增大。因此，愈按壓導線，導線之抗張強度愈弱且可能導致質量劣化。

[表2]

然而，如表2中所繪示，在例示性實施例中，可發現導線之按壓程度，亦即導線之形狀變形小於相關技術中之導線之形狀變形，且因此導線之高度亦高於相關技術中之導線之高度。此外，可發現導線容納部分之寬度愈接近導線之直徑，愈改良導線之按壓程度。亦即，可發現當導線容納部分之寬度相較於0.04mm之情況為0.06mm時，進一步改良導線之按壓程度，且在相較於0.06mm而為0.08mm的情況下又進一步改良。因此，當導線容納部分之寬度大於導線之直徑時，可期望最大化效果。

根據例示性實施例的扼流圈各自包含形成於端電極之至少一部分上的導線容納部分，且導線伸出使得導線之至少一部分容納於導線容納部分中。導線之至少一部分（例如導線之直徑之至少一部分）容納於導線容納部分中，且因此當按壓導線時，可最小化導線之形狀變形。因此，導線之張力改良，從而改良抗衝擊及振動之抗性，且可改良扼流圈之可靠性。

此外，由於導線伸出以便容納於導線容納部分中，導線之位置可固定且可避免導線之位置未對準。因此，由於未出現導線之位置偏差，因此可在相同位置處形成耦接導線及端電極之焊接部分，且因此多個產品可具有相同質量。

同時，本發明的技術想法已關於上述實施例特定地描述，但應注意前述實施例僅經提供用於說明而不限制本揭露。此外，可提供各種實施例以允許所屬領域中具通常知識者理解本發明之範疇。

100‧‧‧磁芯

200‧‧‧導線

300‧‧‧凸緣

310‧‧‧凹陷部分/凹槽

321‧‧‧第一區域

322‧‧‧第二區域

400‧‧‧端電極

410‧‧‧第一端子

420‧‧‧第二端子

430‧‧‧第三端子

431‧‧‧第一延伸部分

432‧‧‧第二延伸部分

433‧‧‧開口部分

435‧‧‧凹陷部分

500‧‧‧導線容納部分

510‧‧‧第一導線容納部分

520‧‧‧第二導線容納部分

600‧‧‧焊接部分

700‧‧‧封蓋部分

X、Y、Z‧‧‧方向

根據結合附圖進行的以下描述可更詳細地理解例示性實施例，其中：圖1為根據第一實施例的扼流圈之組合透視圖。圖2至圖4為根據第一例示性實施例的扼流圈之部分分解透視圖、組合透視圖以及側視圖。圖5及圖6為根據第一例示性實施例的端電極及導線容納部分之側視圖。圖7至圖11為說明根據第一例示性實施例的端電極及導線容納部分之修改例示性實施例的視圖。圖12及圖13為根據第二例示性實施例的扼流圈之分解透視圖及組合透視圖。圖14及圖15為根據第三例示性實施例的一些製程期間的扼流圈的透視圖及一個側視圖。圖16至圖17為根據第三例示性實施例的一些製程期間的扼流圈的透視圖及部分放大視圖。圖18為根據例示性實施例的扼流圈之部分像片。

Claims

一種扼流圈，包括：磁芯；凸緣，設置於在一個方向上的所述磁芯之兩個末端部分中之每一者上；端電極，耦接至所述凸緣；導線，圍繞所述磁芯捲繞且具有各自伸出至所述端電極的末端部分；以及導線容納部分，經設置以容納所述導線之所述末端部分中之每一者。
如申請專利範圍第1項所述之扼流圈，其中所述導線容納部分設置於所述端電極之至少一部分上。
如申請專利範圍第2項所述之扼流圈，其中所述端電極包括：端子，接觸在每一凸緣之水平方向上的所述凸緣中之每一者之側表面或一個垂直表面，以及所述導線伸出至所述端子上。
如申請專利範圍第3項所述之扼流圈，更包括延伸部分，所述延伸部分自所述端子在一個方向上延伸且朝向所述端子彎曲。
如申請專利範圍第4項所述之扼流圈，其中所述導線容納部分設置於所述端子及所述延伸部分中之至少一者上。
如申請專利範圍第5項所述之扼流圈，其中所述導線容納部分包括凹槽，所述凹槽之深度為導線直徑之0.2倍至1倍，且寬度為所述導線直徑之0.2倍至2倍。
如申請專利範圍第6項所述之扼流圈，其中所述凹槽設置於面向彼此的所述端子之一個表面及所述延伸部分之一個表面中之至少一者中。
如申請專利範圍第7項所述之扼流圈，其中所述導線容納部分更包括與所述凹槽相對的突出部分，所述突出部分設置於所述端子之另一表面及所述延伸部分之另一表面上。
如申請專利範圍第8項所述之扼流圈，其中所述凸緣包括導引凹槽，所述導引凹槽對應於所述端子之所述突出部分凹陷且經設置以容納所述突出部分。
如申請專利範圍第1項所述之扼流圈，更包括開口，所述開口經設置以與所述導線容納部分重疊。
如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述之扼流圈，更包括形成於所述導線容納部分上的焊接部分以及經設置以覆蓋所述磁芯的封蓋部分中之至少一者。