TW201843215A - 矽氫化可固化聚矽氧樹脂 - Google Patents

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Abstract

一種矽氫化可固化聚矽氧烷，其包含式(I)單元及式(II)單元中之至少一者(I)(II) 其中Ar係C6 -C20 芳基、R1 係C2 -C20 烯基、且R2 、R3 、R4 及R5 獨立地係C1 -C20 烴基。

Description

矽氫化可固化聚矽氧樹脂
本發明涉及一種具有良好的固化速率同時使熱穩定性最大化的矽氫化可固化聚矽氧樹脂。
包含烷基矽氧烷單元之矽氫化可固化聚矽氧組成物係已知的，包括用於發光二極體(LED)之封裝材料，但已知的組成物並未展現出良好的固化速度與改善的熱穩定性之組合。由於用於固化的催化劑和鍵聯基降低了穩定性，一般提高固化速度的犧性是熱穩定性降低。本發明克服了這些限制。
已知同時包含TVi 和TPh 單元的矽氫化可固化聚矽氧組成物，例如在US20160208055中。然而，此參考文獻並未教示本發明之組成物。
本發明提供一種矽氫化可固化聚矽氧烷，其包含式(I)單元及式(II)單元中之至少一者(I)(II) 其中Ar係C6 -C20 芳基、R1 係C2 -C20 烯基、且R2 、R3 、R4 及R5 獨立地係C1 -C20 烴基。
除非特別註明，否則百分比為重量百分比(wt%)且溫度使用℃。除非特別註明，否則操作是在室溫下執行。烷基是飽和的直鏈或支鏈烴基。較佳地，烷基具有一至六個、較佳地一或兩個碳原子。烯基是可以為直鍊或支鏈的並且具有至少一個脂族碳-碳雙鍵、較佳地一個脂族碳-碳雙鍵的烴基。較佳地，烯基不具有芳族環。較佳地，烷基及烯基是未經取代的。芳基是衍生自可為單核或多核的芳族化合物。芳基可以經烷基或烷氧基取代。較佳地，芳基是未經取代的。較佳地，芳基是烴基。
如本文中所使用，除非另有指示，否則分子量、Mn 、Mw 、及Mz 具有習知意義，且係藉由凝膠滲透層析術判定。在本文中以g/mol之單位記述分子量。
較佳地，式(I)或式(II)中的-OSi(R2 )(R3 )-單元是具有10至500個這些單元（[R2 R3 SiO2/2 ]單元或D單元）之聚矽氧烷鏈的部分；較佳地至少20個、較佳地至少30個、較佳地至少35個；較佳地不大於400個、較佳地不大於300個、較佳地不大於200個、較佳地不大於150個。較佳地，R2 及R3 獨立地代表C1 -C12 烷基或C6 -C12 芳基、較佳地苯基或C1 -C12 烷基、較佳地苯基或C1 -C4 烷基、較佳地C1 -C12 烷基、較佳地C1 -C6 烷基、較佳地C1 -C4 烷基、較佳地甲基或乙基、較佳地甲基。較佳地，R2 及R3 代表相同烷基。較佳地，R4 及R5 獨立地代表C1 -C12 烷基或C6 -C12 芳基、較佳地苯基或C1 -C12 烷基、較佳地C1 -C12 烷基、較佳地C1 -C6 烷基、較佳地C1 -C4 烷基、較佳地甲基或乙基、較佳地甲基。以「--」或「---」結尾的鍵被理解為連接到另一個矽氧烷單元的矽原子或連接到氫。
較佳地，R1 係C2 -C12 烯基、較佳地C2 -C8 烯基、較佳地C2 -C6 烯基、較佳地C2 -C4 烯基、較佳地乙烯基。較佳地，當R1 大於乙烯基時，雙鍵處於末端位置。較佳地，R1 係非環狀。包含R1 的矽氧烷單元係標示為[R1 SiO3/2 ]單元或T-烯基或T烯基 單元。
較佳地，Ar係C6 -C14 芳基、較佳地C6 -C12 芳基、較佳地C6 -C10 芳基、較佳地苯基。較佳地，Ar不包含雜環芳族環。較佳地，Ar不包含雜原子。較佳地，Ar不包含稠合環。較佳地，Ar基團上的任何取代基限於C1 -C4 烷基或烷氧基。較佳地，Ar基團是未經取代的。包含Ar的矽氧烷單元係標示為[ArSiO3/2 ]單元或T-芳基或T芳基 單元。
較佳地，聚矽氧烷包含0.5至4.5莫耳%的包含至少一個碳-碳雙鍵的C1 -C20 烴基、較佳地0.8至4、較佳地1至3、較佳地1至2.5。較佳地，聚矽氧烷包含20至60莫耳%的T芳基 單元；較佳地至少25莫耳%、較佳地至少28莫耳%；較佳地不大於55莫耳%、較佳地不大於52莫耳%。較佳地，聚矽氧烷包含0.5至4.5莫耳%的T烯基 單元；較佳地至少0.8莫耳%、較佳地至少1.0莫耳%；較佳地不大於4莫耳%、較佳地不大於3莫耳%、較佳地不大於2.5莫耳%。較佳地，聚矽氧烷包含40至80莫耳%的D單元；較佳地至少45莫耳%、較佳地至少48莫耳%；較佳地不大於75莫耳%、較佳地不大於72莫耳%。較佳地，T芳基 單元排列在非線性嵌段中、較佳地具有至少500 g/莫耳的分子量。較佳地，聚矽氧烷具有至少20,000 g/莫耳之重量平均分子量。較佳地，至少50莫耳%的具有碳-碳雙鍵的單元（這不包括芳基單元）作為T單元存在、較佳地至少60莫耳%、較佳地至少70莫耳%、較佳地至少80莫耳%、較佳地至少90莫耳%。
較佳地，矽氫化可固化聚矽氧烷包含式(I)單元。較佳地，在矽氫化可固化聚矽氧烷中小於50莫耳%的R1 基團來自式(II)的單元、較佳地小於25莫耳%、較佳地小於10莫耳%、較佳地小於5莫耳%、較佳地小於1莫耳%。
本發明的一較佳實施例中，矽氫化可固化聚矽氧烷包含式(III)單元。(III)
本發明的一較佳實施例中，矽氫化可固化聚矽氧烷包含式(IV)單元。(IV)
本發明進一步關於一種包含矽氫化可固化聚矽氧烷的可固化聚矽氧組成物。較佳地，組成物進一步包含矽氫化催化劑及交聯劑。
較佳地，矽氫化催化劑係以催化量連同足以促進組成物固化的量之聚矽氧烷存在於可固化聚矽氧組成物中。合適的矽氫化催化劑包括但不限於鉑族金屬，其包括鉑、銠、釕、鈀、鋨、或銥金屬或其有機金屬化合物及其任二或更多者之組合。在一較佳實施例中，矽氫化催化劑係鉑黑、鉑化合物諸如氯鉑酸、氯鉑酸六水合物、氯鉑酸與單羥醇之反應產物、雙(乙基乙醯乙酸)鉑、雙(乙醯丙酮)鉑、二氯化鉑、及該等鉑化合物與烯烴或低分子量有機聚矽氧烷之錯合物、或微封裝(microencapsulate)於基質或核殼型結構中的鉑化合物。
較佳地，矽氫化催化劑於組成物中之存在量係0.1至5 ppm；較佳地至少0.2 ppm、較佳地至少0.25 ppm；較佳地不大於3 ppm、較佳地不大於2 ppm、較佳地不大於1.5 ppm、較佳地不大於1 ppm、較佳地不大於0.7 ppm、較佳地不大於0.5 ppm。
較佳地，交聯劑係含有至少兩個、較佳地至少三個矽鍵結氫原子的聚矽氧烷。較佳地，矽鍵結氫以外的矽鍵結基團係苯基或C1-10 烷基，其量為每1莫耳之有機聚矽氧烷中的總烯基提供約0.8莫耳至約2.5莫耳的矽鍵結氫、較佳地0.8至1.5、較佳地0.9至1.2。較佳地，交聯劑本身係包含約0.3質量%至2.0質量%之矽鍵結氫的有機聚矽氧烷。較佳地，直鏈有機聚矽氧烷含有RSiO3/2 單元、R2 SiO2/2 單元、R3 SiO1/2 、及HR2 SiO1/2 、及/或HRSiO2/2 ，其中矽鍵結R基團係苯基或C1- C10 烷基、較佳地苯基或甲基。較佳交聯劑係MH 0.6 TPh 0.4 （在「M」單元上未指定的任何基團係甲基，例如MH 係MH(CH 3 ) 2 ）。
實例
矽氧烷之製備
實例1 {與實例2相同的過程，但是如表3所示具有更高量的T-苯基}
實例2 （在線性封端步驟中併入的T-乙烯基（使用用於控制產物分子量的最佳方法）） 組成：45 wt% Ph-T（Dow Corning RSN-0217片狀樹脂(Flake Resin): 217短片）+ 55 wt% 101 dp PDMS + 1.4 mol% T-乙烯基（來自乙烯基三乙醯氧基矽烷: VTA）
在1 L四頸圓底燒瓶中裝入217片(90.0 g, 0.659 mols Si)和甲苯(240.77 g)。燒瓶配有溫度計、鐵氟龍攪拌槳及附接至水冷式冷凝器的Dean Stark設備。施加氮包覆層。使用加熱包加熱。Dean Stark係預填充有甲苯。加熱回流30分鐘。此步驟是為了去除任何可能存在的水。將甲苯溶液(59.23 g) +矽醇封端的PDMS (110.0 g, 1.478 mols Si, 0.0293 mols SiOH)以乙烯基三乙醯氧基矽烷(VTA)封端。在氮氣下在手套箱（同一天）中藉由將VTA (7.14 g, 0.0307 mols Si)加入矽醇封端的PDMS中並在室溫下混合1小時來製備。
樹脂 - 線性 (Resin-Linear) 偶合 - 低於回流冷卻幾度。將二乙醯氧基封端的PDMS溶液快速加入到樹脂溶液中。加熱回流2小時。
樹脂 - 樹脂偶合 CF=5.0 CF=[mols MTA/ETA /在苯基-T上的mols Si]*100冷卻至106℃然後加入50/50 MTA/ETA (7.49 g, 0.0330 mols)加熱回流1小時。
水處理 1 & 2 -重複以下程序2次：[在~90℃加入DI水(23.0 g)然後藉由共沸蒸餾除去水。]（每次洗滌-20:1莫耳比，水：總MTA/ETA + VTA）
分子量控制 - 蒸餾出100.2 g的揮發物以增加固體含量至多~50%。加熱回流4小時。分子量增長遵循二階多項式。
比較例1 （在RR偶合步驟中引入的T-乙烯基） 組成：56 wt% Ph-T（217片）+ 44 wt% 46 dp PDMS + 1.57 mol% T-乙烯基
在2 L四頸圓底燒瓶中裝入217片(Ph-T) (224.0 g, 1.64 mols Si)和甲苯(394.12 g)。燒瓶配有溫度計、鐵氟龍攪拌槳及附接至水冷式冷凝器的Dean Stark設備。施加氮包覆層。使用加熱包加熱。Dean Stark係預填充有甲苯。加熱回流30分鐘。此步驟是為了去除任何可能存在的水。將甲苯溶液(94.77 g) +矽醇封端的PDMS (176.0 g, 2.36 mols Si, 0.102 mols SiOH)以50/50莫耳比的甲基三乙醯氧基矽烷及乙基三乙醯氧基矽烷(MTA/ETA)封端。在氮氣下在手套箱（同一天）中藉由將MTA/ETA (24.45 g, 0.1076mols Si)加入矽醇封端的PDMS中並在室溫下混合1小時來製備。
樹脂 - 線性偶合 - 低於回流冷卻幾度。將二乙醯氧基封端的PDMS溶液快速加入到樹脂溶液中。加熱回流2小時。
樹脂 - 樹脂偶合 CF=4.0 CF=[mols VTA /在苯基-T上的mols Si]*100冷卻至106℃然後加入乙烯基三乙醯氧基矽烷(15.23 g, 0.0656 mols)加熱回流1小時。
水處理 1 & 2 -重複以下程序2次：[在~90℃加入DI水(46.8 g)然後藉由共沸蒸餾除去水。]
蒸餾出224.1 g的揮發物，目標是~60%固體含量。此步驟主要是為了除去一些乙酸以提高最終兩次水處理的效率。
水處理 3 & 4 -重複以下程序2次：[在~90℃加入DI水(46.8 g)然後藉由共沸蒸餾除去水。]
最終後處理 -蒸餾出109.3 g的揮發物以增加NVC到70至75%。冷卻至室溫，然後通過Magna, Nylon, Supported, Plain 5.0微米過濾器加壓過濾。
比較例2 （在樹脂-線性偶合步驟之後併入的D-乙烯基（使用用於控制產物分子量的最佳方法）） 組成：45 wt% Ph-T（217片）+ 55 wt% 101 dp PDMS + 1.4 mol% D-乙烯基
在1 L四頸圓底燒瓶中裝入217片(90.0 g, 0.659 mols Si) +甲苯(240.77 g)。燒瓶配有溫度計、鐵氟龍攪拌槳及附接至水冷式冷凝器的Dean Stark設備。施加氮包覆層。使用加熱包加熱。Dean Stark係預填充有甲苯。加熱回流30分鐘。此是為了去除任何可能存在的水。將甲苯溶液(59.23 g) +矽醇封端的PDMS (110.0 g, 1.478 mols Si, 0.0293 mols SiOH)以MTA/ETA封端。在氮氣下在手套箱（同一天）中藉由將50/50 MTA/ETA (6.98 g, 0.0307 mols Si)加入矽醇封端的PDMS中並在室溫下混合1小時來製備。
樹脂 - 線性 (Resin-Linear) 偶合 - 低於回流冷卻幾度。將二乙醯氧基封端的PDMS溶液快速加入到樹脂溶液中。加熱回流2小時。
乙烯基甲基二乙醯氧基矽烷偶合 - 在106℃下加入乙烯基甲基二乙醯氧基矽烷(5.83 g, 0.0310 mols Si)。加熱回流1小時。
VMDA 水處理 - 在~90℃加入DI水(27.0 g)。化學計量-20:1 莫耳比，水：總MTA/ETA + VMDA 。加熱至回流並且藉由共沸蒸餾來移除水。
樹脂 - 樹脂偶合 CF=2.0 CF=[mols MTA/ETA /在苯基-T上的mols Si]*100-冷卻至106℃然後加入50/50 MTA/ETA (3.00 g, 0.0132 mols)。加熱回流1小時。
水處理 1 & 2 -重複以下程序2次：[在~90℃加入DI水(27.0 g)然後藉由共沸蒸餾除去水。]
分子量控制 - 蒸餾出100.5 g的揮發物以增加固體含量至~50%。加熱回流2小時及50分鐘。分子量增長遵循二階多項式。
水處理 3 、 4 、 5 -重複以下程序3次：[在~90℃加入DI水(27.0 g)然後藉由共沸蒸餾除去水。]
在真空下蒸餾出一些甲苯以增加固體含量至~75%。此是在1 L圓底燒瓶中在50℃的油浴溫度下在旋轉蒸發器上完成的。在真空下增加固體是為了使分子量增長最小化。通過142 mm直徑的Magna, Nylon, Supported, Plain 5.0微米過濾器加壓過濾。
結果： NVC樣本是清晰的。分離產率：230.0 g溶液（@76.1% NVC = 175.0 g固體） 產品膜的折射率= 1.468（在使用633 nm紅光的Metricon 2010棱鏡偶合儀上測量）
比較例3： （在RR偶合步驟中引入的T-乙烯基） 組成：45 wt% Ph-T（217片）+ 55 wt% 101 dp PDMS + 1.4 mol% T-乙烯基
在1 L四頸圓底燒瓶中裝入217片(90.0 g, 0.659 mols Si)和甲苯(240.77 g)。燒瓶配有溫度計、鐵氟龍攪拌槳及附接至水冷式冷凝器的Dean Stark設備。施加氮包覆層。使用加熱包加熱。Dean Stark係預填充有甲苯。加熱回流30分鐘。此步驟是為了去除任何可能存在的水。將甲苯溶液(59.23 g) +矽醇封端的PDMS (110.0 g, 1.478 mols Si, 0.0293 mols SiOH)以50/50莫耳比的甲基三乙醯氧基矽烷及乙基三乙醯氧基矽烷(MTA/ETA)封端。在氮氣下在手套箱（同一天）中藉由將MTA/ETA (6.98 g, 0.0307 mols Si)加入矽醇封端的PDMS中並在室溫下混合1小時來製備。
樹脂 - 線性偶合 - 低於回流冷卻幾度。將二乙醯氧基封端的PDMS溶液快速加入到樹脂溶液中。加熱回流2小時。
樹脂 - 樹脂偶合 CF=4.7 CF=[mols VTA /在苯基-T上的mols Si]*100冷卻至106℃然後加入乙烯基三乙醯氧基矽烷(7.14 g, 0.0307 mols)加熱回流1小時。
水處理 1 & 2 -重複以下程序2次：[在~90℃加入DI水(22.1 g)然後藉由共沸蒸餾除去水。]
蒸餾出100.1 g的揮發物，目標是~50%固體含量。加熱回流1.25小時以增加分子量。
水處理 3 、 4 、 & 5 -重複以下程序3次：[在~90℃加入DI水(22.1 g)然後藉由共沸蒸餾除去水。]
最終後處理 -蒸餾出一些揮發物(120.2 g)以增加固體含量至多~75%固體。冷卻至室溫，然後通過Magna, Nylon, Supported, Plain 5.0微米過濾器加壓過濾。
比較例4： （在RR偶合步驟中引入的D-乙烯基，TPh -D乙烯基 -DMe2 ） 組成：45 wt% Ph-T（217片）+ 55 wt% 101 dp PDMS + 1.4 mol% D-乙烯基
在1 L四頸圓底燒瓶中裝入217片(90.0 g, 0.659 mols Si)和甲苯(240.77 g)。燒瓶配有溫度計、鐵氟龍攪拌槳及附接至水冷式冷凝器的Dean Stark設備。施加氮包覆層。使用加熱包加熱。Dean Stark係預填充有甲苯。加熱回流30分鐘。此步驟是為了去除任何可能存在的水。將甲苯溶液(59.23 g) +矽醇封端的PDMS (110.0 g, 1.478 mols Si, 0.0293 mols SiOH)以乙烯基甲基二乙醯氧基矽烷(VMDA, 5.78 g, 0.0307 mols Si)封端。在氮氣下在手套箱（同一天）中藉由將VMDA加入矽醇封端的PDMS中並在室溫下混合1小時來製備。
樹脂 - 線性偶合 - 低於回流冷卻幾度。將封端的PDMS溶液快速加入到樹脂溶液中。加入21.9 g甲苯。加熱回流4小時。當冷卻至室溫時，反應混合物變得非常霧。因此此路線在生產用於光學應用的有用材料時是無效的。
固化速度測試 a) 以相同量的Pt-DSC熱分析圖係在10℃/min（開口鍋，He氣氛）而獲得：1.57 mol%乙烯基-T改質的56 wt% Ph-T – 46 dp PDMS樹脂-線性（配方：MH 0.6 TPh 0.4 SiH交聯劑與SiH/Vinyl = 1.0、500 ppm DODS（二(十八烷基)二硫化物）、2/1 mol/mol TPP/Pt（三苯膦）及1 ppm Pt）與i) C. Ex. 1及ii) Ex. 1之產物。 含有Ex. 1之產物的配方相較於含有C. Ex. 2之產物的配方(160.98℃)展現較低反應放熱峰（T峰 ：144.15℃），顯示Ex. 1之產物產生較高的固化速率。 b) 以不同量的Pt-DSC分析（在He氣氛、開口鍋20℃/min）矽氫化反應放熱：56 wt% Ph-T (217) + 44% 46 dp PDMS、1.57 mol%乙烯基-T樣本（隨Pt量而變動）與i) Ex. 1及ii) C. Ex. 1之產物；計算反應放熱峰（T峰 ）的峰值溫度；配方：T-乙烯基樹脂-線性+ MH 0.6 TPh 0.4 （SiH/乙烯基= 1.0）+ Pt。
下表含有不同Pt量的T峰 值（單位℃）。數據符合對數方程：T峰 =11.11 ln(ppm Pt) +142.46與相關係數R2 =0.9967。
為了達到與C. Ex. 1在1 ppm相同的T峰 ，Ex. 1只需要0.31 ppm Pt。表 2 ：乙烯基官能性 Ph-T - PDMS 實例及比較例。組成： 1 ppm Pt 、 250 ppm DODS 、 13.5 ppm TPP 、 RMS 356 SiH/Vi=1 構成表2基礎的詳細結果： 表3 表4：以RMS 356調配的乙烯基官能性Ph-T - PDMS，不同量的Pt（無抑製劑）及比較例，其固化速度（來自DSC）及熱穩定性的結果；組合僅包含的乙烯基官能性樹脂-線性，RMS 356 (SiH/Vi=1)及Pt
這些結果展示出本發明之組成物能夠在較低的鉑含量下產生更好的熱穩定性，同時保持固化速度。
執行一些額外的實驗以將DVi 引入相鄰於DMe2 ，而沒有表2之詳細結果中指出的不相容問題：乙烯基 -D 相鄰於 DMe2 vs. TPh ：固化速度
將乙烯基-D引入相鄰於DMe2 的另一種方法是用乙烯基甲基二乙醯氧基矽烷封端，接著藉由水解以將相對不反應的第二乙醯氧基轉化為矽醇，以確保與樹脂的進一步偶合是可能的。由於需要甲基/乙基三乙醯氧基矽烷來引起樹脂-線性與樹脂-樹脂(resin-resin)偶合，這導致相對麻煩的合成和乙烯基環境TPh -TMe/Et -DVi -DMe2 （表7實例3）。表7將此系統與其中使用乙烯基-D作為形成TPh -DVi -TPh 鏈的RR偶合劑的一部分的對照進行比較。數據流變性及DSC數據再一次證實，相鄰於DMe2 單元的乙烯基部分如預期展現出更高的固化速度。 表7：乙烯基官能性Ph-T - PDMS樹脂-線性的組成和固化速度的彙總結果；組成：1 ppm Pt、TPP（三苯膦）、RMS 352 SiH/Vi=1。
實例 5 ： TPh -TMe/Et -DVi -DMe2 ：含有 D- 乙烯基封端線性的樹脂線性，隨後水解並進一步與 TPh 偶合。
MVi(OH) 封端 PDMS (Dp122) 之製備
300 mL四頸燒瓶配備有溫度計，Dean-Stark阱附接至回流冷凝器，以及具有鐵氟龍攪拌槳的機械攪拌器。將OH封端PDMS (Dp103, 120 g, 15.7 mmol)及甲苯(65 g)裝入燒瓶並在回流下攪拌1小時以脫水。將溶液冷卻至室溫後，加入過量的ViMeSi(OAc)2 (11.8 g, 62.8 mmol)並在室溫下繼續攪拌0.5小時，然後回流2小時。在減壓下（2至3托，100℃，N2 鼓泡）汽提殘留的ViMeSi(OAc)2 和甲苯，得到MVi(OAc) 2 封端PDMS作為中間體。
然後，向具有中間體的燒瓶加入甲苯(50 g)、水(50 g)、NaHCO3 (6.44 g)、及三乙胺(0.7 g)並在室溫下繼續攪拌過夜（通過IR監測反應的進展（C=O/Si-Me減少））。從混合物中除去水層後，重複用水(50 mL × 3)洗滌有機層。於減壓（2至3托，50℃，N2 鼓泡）下汽提甲苯和三乙胺，以給出粗產物，藉由Zeta-plus過濾(40QSH)純化，得到呈透明油狀物的MVi(OH) 封端PDMS（藉由29 Si NMR為101.5 g，Dp 122）
樹脂 - 線性 (R/L=45/55) 與 MVi(OH) 封端 PDMS (Dp122) 之製備 （第1天）
200 mL四頸燒瓶配備有溫度計，Dean-Stark阱附接至回流冷凝器，以及具有鐵氟龍攪拌槳的機械攪拌器。將MVi(OH) 封端PDMS (41.25 g)及甲苯(22.5 g)裝入燒瓶並在N2 氣氛及回流下攪拌0.5小時以脫水。將溶液冷卻至室溫後，加入ETS900 (2.167 g)並在室溫下繼續攪拌0.5小時，以給出具有ETS900封端線性的溶液。
500 mL四頸燒瓶（在底部有排液管的燒瓶是有利的）配備有溫度計，Dean-Stark阱附接至回流冷凝器，以及具有鐵氟龍攪拌槳的機械攪拌器。將甲苯(90 g)及217片(33.75 g)裝入燒瓶並在N2 氣氛及回流下攪拌1小時以脫水。將溶液冷卻至100℃以下後，將上述ETS900封端線性溶液加入到燒瓶中並繼續回流2小時（樹脂-線性偶合）。 （第2天~）
將所得溶液加熱至100℃並加入ETS900 (3.37 g, CF=6)。然後將該溶液加熱回流2.5小時進行樹脂-樹脂偶合（最終黏度為28.29 cSt）。將溶液冷卻至低於85℃後，除去Dean-Stark阱並將回流冷凝器直接附接至燒瓶。向燒瓶中加入35 g水並繼續回流1小時。將溶液冷卻至低於85℃後，藉由注射器除去水層（或者若可用，則排出燒瓶底部）。在60至80℃下用水×3，鹽水×2，然後水×2重複類似的洗滌過程7次。再次將Dean-Stark阱附接至燒瓶上並加熱該溶液以除去殘留的水和甲苯以將該溶液的NVC濃縮至約60%。通過Zeta-plus過濾器(150GN)過濾溶液，得到88.5 g最終產物(NVC:64.43%)。（如果過濾前溶液是澄清的，將其一次加熱至80℃以加速T8 的沉澱）。
比較例 5 ： TPh -DVi -TPh ：樹脂線性，其中樹脂 - 線性偶合後使用 D- 乙烯基
樹脂 - 線性 (R/L=45/55) 與 OH 封端 PDMS (Dp100) 之製備 （第1天）
200 mL四頸燒瓶配備有溫度計，Dean-Stark阱附接至回流冷凝器。將OH封端PDMS (82.5 g)及甲苯(45.0 g)裝入燒瓶並在N2 氣氛及回流下藉由攪拌棒攪拌0.5小時以脫水。將溶液冷卻至室溫後，加入ETS900 (5.300 g)並在室溫下繼續攪拌0.5小時，以給出具有ETS900封端線性的溶液。
1000 mL四頸燒瓶（在底部有排液管的燒瓶是有利的）配備有溫度計，Dean-Stark阱附接至回流冷凝器，以及具有鐵氟龍攪拌槳的機械攪拌器。將甲苯(180.0 g)及217片(67.5 g)裝入燒瓶並在N2 氣氛及回流下攪拌0.5小時以脫水。將溶液冷卻至100℃以下後，將上述ETS900封端線性溶液加入到燒瓶中並繼續回流2小時（樹脂-線性偶合）。 （第2天~）
將所得溶液加熱至100℃並加入ETS900 (5.5057 g)。然後將該溶液加熱回流1小時進行樹脂-樹脂偶合（黏度為20.6 cSt）。溶液冷卻至低於100℃後，將乙烯基甲基二乙醯氧基矽烷加入該溶液中並繼續回流2小時。將溶液冷卻至低於85℃後，除去Dean-Stark阱並將回流冷凝器直接附接至燒瓶。向燒瓶中加入40 g水並繼續回流1小時。將溶液冷卻至低於85℃後，藉由注射器除去水層（或者若可用，則排出燒瓶底部）。在60至80℃下用水×3，鹽水×2，然後水×2重複類似的洗滌過程7次。再次將Dean-Stark阱附接至燒瓶上並加熱該溶液以除去殘留的水和甲苯以將該溶液的NVC濃縮至約70%。通過Zeta-plus過濾器(150GN)過濾溶液，得到163.9 g最終產物(NVC:70.4%)。
無
無

Claims (10)

  1. 一種矽氫化可固化聚矽氧烷，其包含式(I)單元及式(II)單元中之至少一者(I)(II) 其中Ar係C6 -C20 芳基、R1 係C2 -C20 烯基、且R2 、R3 、R4 及R5 獨立地係C1 -C20 烴基。
  2. 如請求項1之聚矽氧烷，其中R2 、R3 、R4 及R5 獨立地代表C1 -C4 烷基。
  3. 如請求項2之聚矽氧烷，其中R1 係C2 -C8 烯基。
  4. 如請求項3之聚矽氧烷，其包含式(I)單元且其中該矽氫化可固化聚矽氧烷中小於25莫耳%的R1 基團來自式(II)單元。
  5. 如請求項4之聚矽氧烷，其中式(I)或式(II)中的[R2 R3 SiO2/2 ]單元是具有10至500個[R2 R3 SiO2/2 ]單元之聚矽氧烷鏈的部分。
  6. 如請求項5之聚矽氧烷，其中該聚矽氧烷包含20至60莫耳%的[ArSiO3/2 ]單元及40至80莫耳%的[R2 R3 SiO2/2 ]單元。
  7. 如請求項6之聚矽氧烷，其中該聚矽氧烷進一步包含0.5至4.5莫耳%的[R1 SiO3/2 ]單元。
  8. 如請求項7之聚矽氧烷，其中R2 、R3 、R4 及R5 獨立地代表甲基或乙基。
  9. 如請求項8之聚矽氧烷，其中式(I)中的[R2 R3 SiO2/2 ]單元是具有30至200個[R2 R3 SiO2/2 ]單元之聚矽氧烷鏈的部分。
  10. 如請求項9之聚矽氧烷，其中R2 、R3 、R4 及R5 係甲基，R1 係乙烯基且Ar係苯基。
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