TW201842659A - 半導體裝置、其製造方法及電子設備 - Google Patents

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Abstract

一種半導體裝置包括一裝置基板，該裝置基板包含一裝置區域、安置在該裝置區域外側之一周邊區域及一第一佈線層。該裝置區域包含該第一佈線層之一第一部分及一半導體層，該半導體層包含一化合物半導體材料，且該周邊區域包含該第一佈線層之一第二部分。該半導體裝置包含一電路基板，該電路基板包含一第二佈線層。該裝置基板與該電路基板透過該第一佈線層之該第二部分及該第二佈線層彼此耦合。

Description

半導體裝置、其製造方法及電子設備
本發明係關於一種用於(舉例而言)一紅外線感測器之半導體裝置、一種製造該半導體裝置之方法及一種電子設備。
在一紅外線區域中具有敏感性之一影像感測器或一「紅外線感測器」在近年來已商業化。用於該紅外線感測器之一半導體裝置具有包含諸如砷化銦鎵(InGaAs)之一III-V族半導體之一光電轉換層。此一光電轉換層透過紅外線光之吸收產生電荷，亦即，執行光電轉換。舉例而言，參考PTL 1。 在PTL 1中，磊晶生長於包含磷化銦(InP)之一生長基板上之InGaAs用作光電轉換層。 [引用清單] [專利文獻] [PTL 1] 第2014-521216號日本未審查專利申請公開案(已發表的PCT申請案之日文翻譯)
[技術問題] 然而，在此一半導體裝置中，生長基板之一大小可對製造程序施加一影響。因此，期望在不影響生長基板之大小之情況下製造半導體裝置。 因此期望提供可在不影響生長基板之大小之情況下製造之一半導體裝置、製造該半導體裝置之一方法及一電子設備。 [問題之解決方案] 根據本發明之一實施例，提供一種半導體裝置，其包括一裝置基板，該裝置基板包含一裝置區域、安置在該裝置區域外側之一周邊區域及一第一佈線層。該裝置區域包含該第一佈線層之一第一部分及一半導體層，該半導體層包含一化合物半導體材料，且該周邊區域包含該第一佈線層之一第二部分。 根據本發明之一實施例，該半導體裝置包含一電路基板，該電路基板包含一第二佈線層，其中該裝置基板與該電路基板透過該第一佈線層之該第二部分及該第二佈線層彼此耦合。 根據本發明之一實施例，提供一種製造一半導體裝置之方法，該方法包括：形成包含一化合物半導體材料之一半導體層；將該半導體層接合至一臨時基板；在該半導體層上形成一埋入層；減小該埋入層之一厚度，因此該埋入層之頂部表面與該半導體層之頂部表面係共面的；在該半導體層之與接合至該臨時基板之一表面相對之一表面上形成一佈線層；及將一電路基板接合至該佈線層以使該半導體層與該電路基板彼此耦合。 根據本發明之一實施例，提供一種電子設備，其包括一半導體裝置，該半導體裝置包含：一裝置基板，其包含一裝置區域、安置在該裝置區域外側之一周邊區域及一第一佈線層，其中該裝置區域包含該第一佈線層之一第一部分及一半導體層，其中該半導體層包含一化合物半導體材料，且其中該周邊區域包含該第一佈線層之一第二部分。該半導體裝置包含一電路基板，該電路基板包含一第二佈線層，其中該裝置基板與該電路基板透過該第一佈線層之該第二部分及該第二佈線層彼此耦合。 在根據本發明之該等實施例之該半導體裝置及該電子設備中，該裝置基板之該周邊區域與該電路基板具有接面表面。換言之，在其中該裝置區域與該周邊區域之間的一位準差係小的或該裝置區域與該周邊區域之間不存在位準差之一狀態中，該裝置基板接合至該電路基板。舉例而言，可藉助根據本發明之該實施例之製造該半導體裝置之該方法之使用來製造根據本發明之該等實施例之該半導體裝置及該電子設備。 [本發明之有利效應] 根據本發明之該等實施例之該半導體裝置、製造該半導體裝置之該方法及該電子設備，抑制由該半導體層與該臨時基板之間的一位準差引起之一缺陷在製造程序中之出現，此使得可能藉助該臨時基板之使用執行製造。此使得可能在不影響用於形成該半導體層之一生長基板之一大小之情況下執行製造。 應注意，上文所闡述之內容係說明性的且非限制性的。將由本發明達成之效應不限於上文所闡述之效應，且可係除上文所闡述之彼等效應以外之效應，或可除了上文所闡述之彼等效應亦可進一步包含其他效應。 應理解，前述一般說明及以下詳細說明兩者皆係例示性的且經提供以提供對所主張之本發明技術之進一步闡釋。
[相關申請案之交叉參考] 此申請案主張2017年4月19日提出申請之日本優先權專利申請案JP 2017-082562之權益，該日本優先權專利申請案之全部內容以引用方式併入本文中。 下文參考圖式詳細闡述本發明之某些實施例。應注意，依以下次序給出說明。 1. 第一實施例(其中一裝置基板之一周邊區域與一電路基板具有一接面表面之一光接收裝置之一實例) 2. 第一修改實例(其中光接收裝置包含一彩色濾光器及一晶片上透鏡之一實例) 3. 第二修改實例(其中裝置基板與電路基板透過一貫穿電極彼此耦合之一實例) 4. 第二實施例(藉助一頂蓋層之使用製造之一光接收裝置之一實例) 5. 第三修改實例(其中藉由將複數個半導體層接合至一個臨時基板而製造光接收裝置之一實例) 6. 第三實施例(其中一矽層堆疊於一裝置基板上之一光接收裝置之一實例) 7. 第一應用實例(一成像裝置之一實例) 8. 第二應用實例(一電子設備之一實例) 9. 第一進一步應用實例(一內視鏡手術系統之一應用實例) 10. 第二進一步應用實例(一行動主體之一應用實例) [第一實施例] [組態] 圖1圖解說明根據本發明之一第一實施例之一半導體裝置(亦即，一光接收裝置1)之一示意性剖面組態。光接收裝置1可應用於其中使用一化合物半導體材料之一裝置，諸如一紅外線感測器。該化合物半導體材料可係(舉例而言但不限於)一III-V族半導體。光接收裝置1可具有一光電轉換功能以用於介於自一可見光區域至一短紅外線區域之範圍內之一波長之光。該可見光區域可係(舉例而言) 380 nm或更多且小於780 nm。該短紅外線區域可係(舉例而言) 780 nm或更多且小於2400 nm。光接收裝置1可包含經二維安置之複數個光接收單元區域。該光接收單元區域在下文稱為一「像素P」。圖1圖解說明與三個像素P對應之一部分之一剖面組態之一實例。 光接收裝置1具有一裝置基板10及一電路基板20之一堆疊式組態。裝置基板10之一第一表面用作一光入射表面，亦即，一光入射表面S1，且與光入射表面S1相對之一表面(亦即，一第二表面)用作與電路基板20之一接面表面，亦即，一接面表面S2。 裝置基板10可包含自靠近於電路基板20之一位置依序提供之一佈線層10W (包含一第一電極11)一半導體層10S、一第二電極15及一鈍化膜16。面對佈線層10W之一表面及半導體層10S之一端表面(亦即，一側表面)可覆蓋有一絕緣膜17。電路基板20可包含一佈線層20W及一支撐基板21。佈線層20W可與裝置基板10之接面表面S2接觸。支撐基板21可面對裝置基板10，其中佈線層20W在支撐基板21與裝置基板10之間。 用作一光接收區域之一裝置區域R1可設置於裝置基板10之一中央部分中，且半導體層10S可設置於裝置區域R1中。換言之，其中提供有半導體層10S之一區域可係裝置區域R1。環繞裝置區域R1之一周邊區域R2可設置於裝置區域R1外側。一埋入層18可與絕緣膜17一起設置於裝置基板10之周邊區域R2中。在光接收裝置1中，光可自裝置基板10之光入射表面S1透過鈍化膜16、第二電極15及一第二接觸層14進入半導體層10S。已在半導體層10S中經受光電轉換之信號電荷可遷移穿過佈線層10W且由電路基板20讀取。下文闡述各別組件之組態。 佈線層10W可設置於裝置區域R1及周邊區域R2上方，且可與電路基板20具有接面表面S2。舉例而言，在光接收裝置1中，裝置基板10之接面表面S2可設置於裝置區域R1及周邊區域R2中，且裝置區域R1之接面表面S2與周邊區域R2之接面表面S2可彼此齊平。在光接收裝置1中，埋入層18可經提供以形成周邊區域R2之接面表面S2，如稍後所闡述。 佈線層10W可包含(舉例而言)第一電極11以及在層間絕緣膜19A及19B中之接觸電極19EA及19EB。層間絕緣膜19B可安置於上面定位有電路基板20之側上，且層間絕緣膜19A可安置於上面定位有一第一接觸層12之側上。層間絕緣膜19A及19B可係堆疊的。層間絕緣膜19A及19B可包含(舉例而言)一無機絕緣材料。無機絕緣材料之非限制性實例可包含氮化矽(SiN)、氧化鋁(Al2 O3 )、氧化矽(SiO2 )及氧化鉿(HfO2 )。層間絕緣膜19A及19B可包含一完全相同無機絕緣材料。 第一電極11可係針對於讀出在一光電轉換層13中產生之信號電荷的一電壓所供應之一電極(或一「陽極」)，且可針對像素P中之每一者而提供。該等信號電荷可係電洞或電子。在下文中，信號電荷出於說明目的而經闡述為係電洞。設置於佈線層10W中之第一電極11可透過層間絕緣膜19A及絕緣膜17之一連接電洞與半導體層10S接觸，更具體而言，與稍後將闡述之一第一接觸層12接觸。各別相互毗鄰像素P之第一電極11可藉由層間絕緣膜19B而彼此電分開。 第一電極11可包含選自以下各項之一單純物質：舉例而言但不限於鈦(Ti)、鎢(W)、氮化鈦(TiN)、鉑(Pt)、金(Au)、鍺(Ge)、鈀(Pd)、鋅(Zn)、鎳(Ni)及鋁(Al)。另一選擇係，第一電極11可包含含有上文所闡述之單純物質中之一或多者之一合金。第一電極11可係藉由組態第一電極11之上文所闡述之材料中之任一者而組態之一單個膜，或可係具有上文所闡述之材料中之兩者或兩者以上之一組合之一層壓膜。在一項實例中，第一電極11可係包含一鈦膜及一鎢膜之一層壓膜。 接觸電極19EA可用於允許第一電極11與電路基板20彼此電耦合，且可針對裝置區域R1中之像素P中之每一者而提供。各別相互毗鄰像素P之接觸電極19EA可藉由層間絕緣膜19B而彼此電分開。 接觸電極19EB可用於允許第二電極15與電路基板20之一佈線線路(亦即，稍後將闡述之一佈線線路22CB)彼此電耦合，且可設置於周邊區域R2中。舉例而言，接觸電極19EB可在與形成接觸電極19EA之一程序相同之程序中形成。接觸電極19EA及19EB中之每一者可由(舉例而言)一銅(Cu)墊來組態，且可暴露至接面表面S2。 半導體層10S可包含自靠近於佈線層10W之一位置依序提供之第一接觸層12、光電轉換層13及第二接觸層14。第一接觸層12、光電轉換層13及第二接觸層14可具有彼此相同之平面形狀，且第一接觸層12之一端表面、光電轉換層13之一端表面及第二接觸層14之一端表面可在一平面圖中安置於相同位置處。 第一接觸層12可經提供為所有像素P所共有的，且可安置於絕緣膜17與光電轉換層13之間。舉例而言，第一接觸層12可用於將相互毗鄰像素彼此電分開，且可具有複數個擴散區域12A。針對第一接觸層12使用具有比組態光電轉換層13之一化合物半導體材料之一能帶隙大之一能帶隙之一化合物半導體材料使得可能抑制一暗電流。第一接觸層12可包含(舉例而言但不限於) n型磷化銦(InP)。 設置於第一接觸層12中之擴散區域12A可彼此分開。擴散區域12A中之一者可針對像素P中之每一者而提供，且像素P中之每一者之第一電極11可耦合至擴散區域12A中之對應一者。擴散區域12A中之每一者可用於自像素P中之對應一者讀取在光電轉換層13中產生之信號電荷，且可包含(舉例而言但不限於)一p型雜質。該p型雜質之非限制性實例可包含鋅(Zn)。因此，一p-n接面介面可形成於擴散區域12A與除擴散區域12A以外之第一接觸層12之間，且相互毗鄰像素P可彼此電分開。擴散區域12A中之每一者可係(舉例而言但不限於)在第一接觸層12之一厚度方向上設置的，且亦可設置於在光電轉換層13之厚度方向上之一部分中。 舉例而言，設置於第一電極11與第二電極15之間(更具體而言第一接觸層12與第二接觸層14之間)的光電轉換層13可經提供為所有像素P所共有的。光電轉換層13可吸收一預定波長之光以藉此產生信號電荷，且可包含一化合物半導體材料，諸如但不限於一i類型III-V族半導體。組態光電轉換層13之化合物半導體材料之非限制性實例可包含砷化銦鎵(InGaAs)、砷銻化銦(InAsSb)、砷化銦(InAs)、銻化銦(InSb)及汞碲化鎘(HgCdTe)。另一選擇係，光電轉換層13可包含鍺(Ge)。光電轉換層13可對(舉例而言)介於自一可見光區域至一短紅外線區域之範圍內之一波長之光執行光電轉換。 舉例而言，第二接觸層14可經提供為所有像素P所共有的。第二接觸層14可設置於光電轉換層13與第二電極15之間，且可與光電轉換層13及第二電極15接觸。第二接觸層14可用作自第二電極15放電之電荷遷移於其中之一區域，且可包含一化合物半導體，該化合物半導體包含(舉例而言但不限於)一n型雜質。第二接觸層14可包含(舉例而言但不限於) n型磷化銦(InP)。 舉例而言，第二電極15可用作像素P中之每一者所共有之一電極。第二電極15可因此設置於第二接觸層14上(亦即，光入射側上)以便與第二接觸層14接觸。第二電極15可用於將作為在光電轉換層13中產生之電荷當中之信號電荷而未使用之電荷放電，亦即，可用作一陰極。舉例而言，可能在其中電洞將自第一電極11讀取為信號電荷之一情形中透過第二電極15將電子放電。第二電極15可係允許入射光(諸如但不限於紅外線光)之透射之一導電膜。第二電極15可包含(舉例而言)氧化銦錫(ITO)、經鈦摻雜氧化銦(ITiO) (諸如In2 O3 -TiO2 )或允許光透射之任何其他材料。 鈍化膜16可自上面定位有光入射表面S1之側覆蓋第二電極15。鈍化膜16可具有一抗反射功能。鈍化膜16可包含(舉例而言但不限於)氮化矽(SiN)、氧化鋁(Al2 O3 )、氧化矽(SiO2 )或氧化鉭(Ta2 O3 )。 絕緣膜17可設置於第一接觸層12與佈線層10W之間，且可覆蓋第一接觸層12之一端表面、光電轉換層13之一端表面、第二接觸層14之一端表面及第二電極15之一端表面。絕緣膜17可在周邊區域R2中與鈍化膜16接觸。絕緣膜17可包含(舉例而言)一種氧化物，諸如但不限於氧化矽(SiOx )及氧化鋁(Al2 O3 )。絕緣膜17可具有包含複數個膜之一堆疊式結構。另一選擇係，絕緣膜17可包含(舉例而言)一矽(Si)基絕緣材料，諸如但不限於氮氧化矽(SiON)、碳氧化矽(SiOC)、氮化矽(SiN)及碳化矽(SiC)。 埋入層18可用於消除半導體層10S與一臨時基板(亦即，稍後將在光接收裝置1之製造程序中闡述之圖2B中之一臨時基板33)之間的一位準差。在本發明實施例中，提供埋入層18在製造程序中抑制由半導體層10S與臨時基板33之間的位準差引起之一缺陷之出現，如稍後所闡述。 周邊區域R2中之埋入層18可設置於佈線層10W與鈍化膜16之間，且可具有(舉例而言)等於或大於半導體層10S之一厚度之一厚度。在此情形中，埋入層18可經提供以便環繞半導體層10S，藉此形成在半導體層10S周圍之一區域，亦即，周邊區域R2。此使得可能在周邊區域R2中提供與電路基板20之接面表面S2。在其中接面表面S2設置於周邊區域R2中之一情形中，可減小埋入層18之厚度；然而，埋入層18可較佳地在厚度方向上覆蓋半導體層10S且可較佳地覆蓋半導體層10S之整個端表面。用埋入層18覆蓋半導體層10S之整個端表面(其中絕緣膜17在該整個端表面與埋入層18之間)使得可能有效地抑制水進入半導體層10S。 埋入層18之一表面(在上面定位有接面表面S2之側上)可經平坦化，且在周邊區域R2中，佈線層10W可設置於埋入層18之經平坦化表面上。埋入層18可包含(舉例而言)一無機絕緣材料，諸如但不限於氮氧化矽(SiON)、碳氧化矽(SiOC)及碳化矽(SiC)。 埋入層18可具備一貫穿電極18V。貫穿電極18V可允許第二電極15與電路基板20之一佈線線路(亦即，稍後將闡述之佈線線路22CB)彼此耦合，且貫穿電極18V之一部分可設置於鈍化膜16上。貫穿電極18V之一端可自鈍化膜16上面穿透鈍化膜16以耦合至第二電極15。貫穿電極18V之另一端可自鈍化膜16上面穿透鈍化膜16、絕緣膜17、埋入層18及層間絕緣膜19A以耦合至接觸電極19EB。 電路基板20之支撐基板21可用於支撐佈線層22W，且可包含(舉例而言但不限於)矽(Si)。佈線層22W可在一層間絕緣膜22A中包含(舉例而言)接觸電極22EA及22EB、一像素電路22CA、佈線線路22CB及一墊電極22P。層間絕緣膜22A可包含(舉例而言但不限於)一無機絕緣材料。該無機絕緣材料之非限制性實例可包含氮化矽(SiN)、氧化鋁(Al2 O3 )、氧化矽(SiO2 )及氧化鉿(HfO2 )。 接觸電極22EA可用於允許第一電極11與像素電路22CA彼此電耦合，且可在裝置基板10之接面表面S2上與接觸電極19EA接觸。相互毗鄰接觸電極22EA可藉由層間絕緣膜22A而彼此電分開。 接觸電極22EB可用於允許第二電極15與電路基板20之佈線線路22CB彼此電耦合，且可在裝置基板10之接面表面S2上與接觸電極19EB接觸。舉例而言，接觸電極22EB可在與形成接觸電極22EA之一程序相同之程序中形成。貫穿電極18V可在不提供接觸電極19EB及22EB之情況下耦合至佈線線路22CB。接觸電極22EA及22EB中之每一者可由(舉例而言)一銅(Cu)墊來組態，且可暴露至電路基板20之面對裝置基板10之一表面。換言之，舉例而言，可在接觸電極19EA與接觸電極22EA之間且在接觸電極19EB與接觸電極22EB之間達成Cu-Cu接合。 像素電路22CA可針對像素P中之每一者而提供，且可耦合至接觸電極22EA。像素電路22CA可組態一讀出積體電路(ROIC)。耦合至接觸電極22EB之佈線線路22CB可耦合至(舉例而言)一預定電位。因此，在光電轉換層13中產生之電荷中之一者(例如，電洞)可透過接觸電極19EA及22EA自第一電極11讀取至像素電路22CA，且在光電轉換層13中產生之電荷中之另一者(例如，電子)可透過貫穿電極18V以及接觸電極19EB及22EB自第二電極15放電至一預定電位。 墊電極22P可經提供以電耦合至外側。光接收裝置1可具備穿透裝置基板10以到達墊電極22P之一電洞H，且墊電極22P可透過電洞H電耦合至外側。此耦合可藉由諸如但不限於線接合及一凸塊之方法中之任一者來實施。 [製造光接收裝置1之方法] 可依以下實例性方式製造光接收裝置1。圖2A至圖5C圖解說明依程序次序進行之光接收裝置1之製造程序。 首先，可在包含(舉例而言) InP之生長基板31上磊晶生長半導體層10S，且此後可在半導體層10S上形成絕緣層32，如圖2A中所圖解說明。生長基板31之一直徑可係(舉例而言) 6英吋或更少。可(舉例而言)藉由依序磊晶生長組態第一接觸層12之n型InP、組態光電轉換層13之i型InGaAs及組態第二接觸層14之n型InP而形成半導體層10S。舉例而言，氧化矽(SiO2 )可用於絕緣層32。可在生長基板31上形成一緩衝層及一停止層(亦即，稍後將闡述之圖13A中之一緩衝層34B及一停止層34S)，且此後可在生長基板31上形成半導體層10S。 接下來，可將具備半導體層10S之生長基板31接合至臨時基板33，其中絕緣層32在生長基板31與臨時基板33之間，如圖2B中所圖解說明。舉例而言，可使用具有比生長基板31之直徑大之一直徑之一矽(Si)基板(舉例而言)作為臨時基板33。臨時基板33之直徑可(舉例而言)在自8英吋至12英吋(包含8英吋及12英吋)之一範圍內。將具有一小直徑之生長基板31接合至具有一大直徑之臨時基板33使得可能針對用於形成裝置基板10之一大直徑基板使用各種設備。此使得可能使用(舉例而言) Cu-Cu接合來接合電路基板20與裝置基板10且縮小像素P。另一選擇係，可藉由任何其他接合技術(諸如電漿活化接合、室溫接合及使用一黏合劑之接合，亦即，黏合劑接合)將生長基板31接合至臨時基板33。因此，舉例而言，可將晶圓形狀之半導體層10S接合至臨時基板33。 在將具備半導體層10S之生長基板31接合至臨時基板33之後，可移除生長基板31，如圖2C中所圖解說明。可藉由諸如但不限於機械拋光、化學機械拋光(CMP)、濕式蝕刻及乾式蝕刻之方法中之任一者移除生長基板31。 隨後，可校正半導體層10S相對於臨時基板33之位移，如圖3之(A)及(B)以及圖4之(A)及(B)中所圖解說明。圖3之(A)及(B)分別係在校正之前之一狀態之一平面圖及一剖面圖，且圖4之(A)及(B)分別係在校正之後之一狀態之一平面圖及一剖面圖。具體而言，可藉助諸如但不限於光微影及蝕刻之方法之使用(舉例而言)校正半導體層10S之位移。參考圖3，可提前在臨時基板33上形成一標記(亦即，一標記33M)。該標記界定一預定區域。可在半導體層10S上形成一抗蝕劑(亦即，一抗蝕劑PR)，且可參考標記33M而蝕刻半導體層10S。蝕刻方法(諸如但不限於乾式蝕刻及濕式蝕刻)中之任一者可用於蝕刻。因此，可移除半導體層10S之一不必要部分，且僅在臨時基板33上之由標記33M界定之區域(亦即，裝置區域R1)可保留在半導體層10S中。因此，校正半導體層10S相對於臨時基板33之位移使得可能在一稍後程序中抑制不對準之出現，藉此容易地形成具有一所要組態之光接收裝置1。端表面及半導體層10S之已經受蝕刻之表面可覆蓋有絕緣膜17。 在校正半導體層10S相對於臨時基板33之位移之後，可在臨時基板33之一整個表面上形成配置埋入層18之一絕緣材料之一膜，如圖5A中所圖解說明。隨後，可藉由CMP而平坦化該絕緣材料，如圖5B中所圖解說明。因此，可在一周邊區域(亦即，半導體層10S之周邊區域R2)中形成埋入層18。埋入層18可與半導體層10S之一頂部表面(亦即，距臨時基板33最遠之一表面)齊平。在本發明實施例中，埋入層18可經形成以消除半導體層10S與臨時基板33之間的一位準差。此在製造程序中抑制由該位準差引起之一缺陷之出現。 在形成埋入層18之後，可在半導體層10S上針對像素P中之每一者而形成擴散區域12A，如圖5C中所圖解說明，此可引起裝置分開。舉例而言，絕緣膜17可用作一硬遮罩以形成擴散區域12A。具體而言，可在第一接觸層12上形成具有一預定形狀之一遮罩，且此後，可藉由蝕刻而在絕緣膜17中形成一開口。此後，可執行抗蝕劑移除，且可使用絕緣膜17作為一硬遮罩來執行一p型雜質之汽相擴散。因此，可在一選擇性區域中形成擴散區域12A。另一選擇係，可藉由諸如使用一抗蝕劑遮罩之離子植入之方法中之任一者而形成擴散區域12A。在此情形中，可在設置於具有一大直徑之臨時基板33上之半導體層10S中形成擴散區域12A，此使得可能縮小像素P。 在校正半導體層10S相對於臨時基板33之位移之後可依反向次序形成擴散區域12A及埋入層18，或可依序形成擴散區域12A及埋入層18。 參考圖6A，在形成埋入層18且於半導體層10S中設置擴散區域12A之後，可在半導體層10S上形成包含第一電極11之佈線層10W。舉例而言，可如下形成第一電極11。可藉由諸如但不限於一化學汽相沈積CVD方法、一物理汽相沈積(PVD)方法、一原子層沈積(ALD)方法及一蒸鍍方法之方法中之任一者而在設置於層間絕緣膜19A中之開口中形成鈦(Ti)與鎢(W)之一層壓膜，且此後，可藉由光微影及蝕刻而圖案化該層壓膜以形成第一電極11。可用層間絕緣膜19B覆蓋第一電極11，且此後可在層間絕緣膜19B中形成第一電極11所暴露至之一開口。可藉由諸如但不限於一蒸鍍方法、一PVD方法及一電鍍方法之方法中之任一者而在層間絕緣膜19B之開口中形成一銅(Cu)膜，且此後，可藉助(舉例而言但不限於)一CMP方法之使用拋光該銅膜之一表面以形成接觸電極19EA及19EB。在此情形中，可在具有一大直徑之臨時基板33上形成佈線層10W，此使得可能針對具有一大直徑之基板使用各種設備。 在形成佈線層10W之後，可將電路基板20接合至臨時基板33，其中佈線層10W在電路基板20與臨時基板33之間，如圖6B中所圖解說明。在此場合，可提前在電路基板20中形成佈線層22W。電路基板20之佈線層22W可具有具一墊組態之接觸電極22EA及22EB，且在將電路基板20接合至臨時基板33之後，舉例而言，佈線層22W之接觸電極22EA及22EB與佈線層10W之接觸電極19EA及19EB旋即可藉由Cu-Cu接合而接合在一起。更具體而言，在裝置區域R1中，可形成接觸電極19EA與接觸電極22EA在其上接合在一起之接面表面S2，且在周邊區域R2中，可形成接觸電極19EB與接觸電極22EB在其上接合在一起之接面表面S2。在此情形中，亦可將裝置基板10之周邊區域R2接合至電路基板20。 在將電路基板20接合至臨時基板33之後，可移除臨時基板33，如圖6C中所圖解說明。可使用諸如但不限於機械拋光、濕式蝕刻及乾式蝕刻之方法中之任一者移除臨時基板33。在此場合，舉例而言，可將絕緣層32與臨時基板33一起移除。 隨後，可在藉由移除臨時基板33而暴露之一表面(亦即，與半導體層10S之上面設置有佈線層10W之一表面相對之一表面)上依序形成第二電極15及鈍化膜16。此後，可在埋入層18中形成貫穿電極18V以將第二電極15與電路基板20彼此電耦合。 最後，可形成電洞H。電洞H可穿透裝置基板10以到達電路基板20之墊電極22P。因此，完成圖1中所圖解說明之光接收裝置1。 [光接收裝置1之操作] 在光接收裝置1中，已透過鈍化膜16、第二電極15及第二接觸層14進入光電轉換層13之光可由光電轉換層13吸收。該光可係(舉例而言但不限於)在可見光區域及一紅外線區域中之一波長之光。光之吸收在光電轉換層13中產生電洞與電子之對，亦即，引起光之光電轉換。在此狀態中，在不具限制地將一預定電壓施加至第一電極31之後旋即可在光電轉換層13中產生一電位梯度，從而導致因此產生之電荷中之一者(例如，電洞)作為信號電荷遷移至擴散區域12A且自擴散區域12A收集至第一電極11。因此收集之信號電荷可透過接觸電極19EA及22EA遷移至像素電路22CA以自像素P中之每一者讀取。 [光接收裝置1之工作及效應] 根據本發明實施例之光接收裝置1包含在裝置基板10之周邊區域R2中之埋入層18，且與電路基板20之接面表面S2亦設置於周邊區域R2中。埋入層18用於消除半導體層10S與臨時基板33之間的位準差。形成埋入層18使得可能在製造程序中抑制由半導體層10S與臨時基板33之間的位準差引起之一缺陷之出現(此在下文經闡述)。 用於半導體層10S之磊晶生長之生長基板31之種類係有限的。舉例而言，用於生長光電轉換層13 (包含很少InGaAs)之生長基板31具有一大直徑。在其中具有一小直徑之生長基板31用於針對像素P中之每一者形成擴散區域12A或形成佈線層10W之一情形中，可出於諸如但不限於設備之約束之原因而難以縮小像素P。因此，可考量使用具有一大直徑之臨時基板33製造光接收裝置之一方法。 圖7圖解說明一光接收裝置(亦即，根據一比較性實例之一光接收裝置100)之一剖面組態。使用具有一大直徑之臨時基板33以與在前述光接收裝置1中闡述之一方式類似之一方式製造光接收裝置100；然而，在光接收裝置100中，一半導體層(亦即，一半導體層100S)設置於電路基板20之整個表面上。換言之，光接收裝置100與光接收裝置1之不同之處在於：裝置基板10不具有半導體層100S之一周邊區域，亦即，圖1中之周邊區域R2。允許第二電極15與電路基板20彼此耦合之一貫穿電極(亦即，一貫穿電極180V)穿透半導體層100S。 圖8係此一光接收裝置100之製造程序中之一程序之一剖面圖。甚至在形成光接收裝置100中，以圖8中所圖解說明之一方式將半導體層100S接合至臨時基板33。然而，不形成埋入層(亦即，圖5B中之埋入層18)。因此，在其中依然存在臨時基板33與半導體層100S之間的一大位準差(亦即，一位準差D100 )之一狀態中在半導體層100S上形成佈線層10W。此可在形成佈線層10W中導致光微影之散焦。此外，在藉由CMP在一銅膜上形成接觸電極19EA中，銅可保留在與位準差D100 對應之一部分中。此外，位準差D100 可在將電路基板20接合至臨時基板33中導致一接合故障。 另外，在半導體層100S中形成貫穿電極180V，此可導致以下問題。首先，在可見光區域及近紅外線區域中之一波長之光不穿過半導體層100S；因此，在用於形成貫穿電極180V之一光微影程序中，在視覺上觀察不到諸如但不限於電路基板20之一佈線線路圖案及接觸電極19EA之一圖案之圖案，且難以執行對準。接下來，在用於形成貫穿電極180V之一乾式蝕刻程序中，難以移除形成於半導體層100S上之一硬遮罩。剩餘硬遮罩可導致光學特性之劣化。此外，難以在不影響半導體層100S之情況下僅選擇性地蝕刻組態貫穿電極180V之一材料。此外，微製作在蝕刻半導體層100S中係困難的，且半導體層100S之蝕刻可導致對半導體層100S之電漿損壞。 可能在一平面圖中將電路基板20之一面積增加為大於半導體層100S之一面積，如圖9中所圖解說明。然而，甚至在此情形中，以與圖8中所闡述之方式類似之一方式形成佈線層10W，此可在製造程序中導致由位準差D100 引起之一缺陷。 在光接收裝置100中，舉例而言，透過第一電極11將半導體層100S耦合至電路基板20，且此後，用鈍化膜16覆蓋半導體層100S之一端表面，如圖10中所圖解說明。難以增加覆蓋半導體層100S之端表面之鈍化膜16之一厚度，且水自半導體層100S之端表面進入半導體層100S可使半導體層100S劣化。 相比之下，在光接收裝置1中，埋入層18可經形成以減小或消除半導體層10S與臨時基板33之間的一位準差，且此後可形成佈線層10W。此使得可能在前述光接收裝置100之製造期間抑制由位準差D100 引起之一缺陷之出現。因此，可能針對具有一大直徑之基板使用各種設備來製造光接收裝置1且在不受生長基板31之大小影響之情況下達成(舉例而言)像素之縮小。 此外，在光接收裝置1中，可能在周邊區域R2中之埋入層18中形成用於耦合第二電極15與電路基板20之貫穿電極18V。此使得可能在不於半導體層10S中設置貫穿電極之情況下將第二電極15與電路基板20彼此電耦合。此外，可能藉助現有技術之使用在包含絕緣材料之埋入層18中容易地形成貫穿電極18V。 此外，可能用具有一充足厚度之埋入層18覆蓋半導體層10S之端表面，藉此抑制水進入半導體層10S。此使得可能抑制半導體層10S之劣化。 如上文所闡述，在根據本發明實施例之光接收裝置1中，可形成埋入層18，此使得可能在製造程序中抑制由半導體層10S與臨時基板33之間的位準差引起之一缺陷之出現。因此，可能製造光接收裝置1且在不受用於形成半導體層10S之生長基板31之大小影響之情況下達成(舉例而言)像素P之縮小。在光接收裝置1中，提供埋入層18亦在裝置基板10之周邊區域R2中形成與電路基板20之接面表面S2。 此外，在形成埋入層18之前校正半導體層10S在臨時基板33上之位移使得可能在一稍後程序中抑制不對準之出現，藉此容易地形成具有一所要組態之光接收裝置1。 在下文中，給出對前述實施例及其他實施例之修改實例之說明。注意，下文說明中與上文所闡述之實施例之彼等組件相同或等效之組件用相同元件符號來表示，且省略其任何冗餘說明。 (第一修改實例) 圖11圖解說明根據前述第一實施例之一第一修改實例之一光接收裝置(亦即，一光接收裝置1A)之一剖面組態。光接收裝置1A可具有與光接收裝置1之彼等組態及效應類似之一組態及若干效應，除了光接收裝置1A在光入射表面S1 (亦即，裝置基板10之與面對電路基板20之一表面相對之一表面)上包含一彩色濾光器層41及一晶片上透鏡42。晶片上透鏡42可係一會聚透鏡。 在光接收裝置1A中，舉例而言，彩色濾光器層41及晶片上透鏡42可依此次序設置於裝置基板10之鈍化膜16上。彩色濾光器層41可包含(舉例而言)一紅色濾光器41R、一綠色濾光器41G及一藍色濾光器41B，其中之一者可針對像素P中之每一者而提供。紅色濾光器41R、綠色濾光器41G及藍色濾光器41B可 (舉例而言)以一規則色彩配置(諸如但不限於一拜耳配置)安置。彩色濾光器層41可包含一紅外線(IR)濾光器。提供彩色濾光器層41使得可能獲得與色彩配置對應之一波長之光接收資料。 晶片上透鏡42可用於允許已進入光接收裝置1之光朝向光電轉換層13經收集。晶片上透鏡42可包含(舉例而言但不限於)一有機材料或一種氧化矽(SiO2 )。在光接收裝置1A中，埋入層18可設置於周邊區域R2中，此使得可能減小或消除裝置基板10之裝置區域R1與周邊區域R2之間的一位準差，藉此形成經平坦化光入射表面S1。此使得可能藉助(舉例而言但不限於)一光微影程序之使用以高準確度形成晶片上透鏡42。 與目前修改實例一樣，彩色濾光器層41及晶片上透鏡42可設置於裝置基板10之光入射表面S1上。甚至在此情形中，可能達成與前述第一實施例中之彼等效應類似之效應。此外，可能容易地在藉由埋入層18平坦化之光入射表面S1上以高準確度形成晶片上透鏡42。 (第二修改實例) 圖12圖解說明根據一第二修改實例之一光接收裝置(亦即，一光接收裝置1B)之一剖面組態。光接收裝置1B可具有與光接收裝置1之彼等組態及效應類似之一組態及若干效應，除了裝置基板10與電路基板20透過一貫穿電極(亦即，一貫穿電極22V)彼此耦合。 貫穿電極22V可用於允許裝置基板10之第一電極11與像素電路22CA彼此電耦合，且可針對像素P中之每一者而提供。貫穿電極22V可自裝置基板10之第一電極11穿透接面表面S2，且可插入至電路基板20中。貫穿電極22V可穿透電路基板20之佈線層22W及支撐基板21。 替代藉由前述第一實施例中所闡述之接觸電極19EA、19EB、22EA及22EB進行之Cu-Cu接合，與本發明修改實例一樣，裝置基板10與電路基板20可藉由貫穿電極22V彼此耦合。甚至在此一情形中，可能達成與前述第一實施例中之彼等效應類似之效應。 (第二實施例) 圖13A至圖15B依程序次序圖解說明根據一第二實施例之一光接收裝置(亦即，一光接收裝置2)之製造程序。光接收裝置2可具有與光接收裝置1之彼等組態、工作及效應類似之一組態、若干工作及若干效應，除了藉由如下方式製造光接收裝置2：形成用於保護半導體層10S之一頂蓋層(亦即，圖13A中所圖解說明之一頂蓋層35)，且此後將半導體層10S接合至臨時基板33，其中該頂蓋層在半導體層10S與臨時基板33之間。 舉例而言，可使用頂蓋層35依以下實例性方式製造光接收裝置2。 首先，舉例而言，可藉由磊晶生長在生長基板31上依序形成包含n型InP之緩衝層34B、包含i型InGaAs之停止層34S、半導體層10S及包含i型InGaAs之頂蓋層35，如圖13A中所圖解說明。舉例而言，可依序形成包含n型InP之第一接觸層12、包含i型或n型InGaAs之光電轉換層13及包含n型InP之第二接觸層14作為半導體層10S。 頂蓋層35可用於阻止半導體層10S與用於將半導體層10S接合至臨時基板33之一黏合劑層B直接接觸。在其中在黏合劑層B與半導體層10S接觸時程序繼續進行之一情形中，半導體層10S之特性可因(舉例而言但不限於)膜形成、雜質擴散及能量輻照(諸如退火)而劣化。特定而言，在其中在半導體層10S中之安置於靠近於黏合劑層B之一位置處之第二接觸層14包含磷(P)之一情形中，磷可因能量輻照而洩漏，或黏合劑層B可因能量輻照而修改，藉此導致半導體層10S自臨時基板33剝離。在半導體層10S與黏合劑層B32之間提供頂蓋層35使得可能抑制諸如但不限於此特性劣化及此膜剝離之問題之出現。頂蓋層35可包含經允許以磊晶生長於半導體層10S上(更具體而言第二接觸層14上)之任何半導體材料。舉例而言，可針對頂蓋層35使用半導體材料(諸如但不限於InGaAs及InAsSb)中之任一者。 在於半導體層10S上形成頂蓋層35之後，可執行一退火程序。該退火程序可用於準備在形成擴散區域12A之一稍後程序中進行迅速能量輻照。該退火程序可較佳地具有比形成擴散區域12A之程序之加熱時間長之加熱時間及比形成擴散區域12A之程序之加熱溫度高之加熱溫度中之一者或兩者。此後，可在頂蓋層35上形成包含(舉例而言但不限於)氧化矽(SiO2 )之黏合劑層B，且可執行該退火程序。可執行在形成頂蓋層35之後之退火程序及在形成黏合劑層B之後之退火程序中之僅一者。 隨後，可將生長基板31接合至具有一大直徑之臨時基板33，其中黏合劑層B在生長基板31與臨時基板33之間，如圖13B中所圖解說明。在此場合，頂蓋層35可插置於黏合劑層B與第二接觸層14之間。黏合劑層B可包含(舉例而言但不限於)四乙氧矽烷(TEOS)或氧化矽(SiO2 )。 隨後，參考圖14A，可以與前述第一實施例中所闡述之方式類似之一方式依序執行生長基板31之移除、埋入層18之形成、藉由雜質擴散進行之擴散區域12A之形成及佈線層10W之形成。在移除生長基板31之後，可藉由(舉例而言)光微影及蝕刻以與前述第一實施例中所闡述之方式類似之一方式校正半導體層10S相對於臨時基板33之位移，或可省略此一校正程序。在本發明實施例中，與光接收裝置1一樣，形成消除半導體層10S與臨時基板33之間的位準差之埋入層18，此使得可能在製造程序中抑制由位準差引起之一缺陷之出現。此外，在包含但不限於生長基板31之移除、擴散區域12A之形成及佈線層10W之形成之程序中，頂蓋層35可插置於黏合劑層B與第二接觸層14之間，此使得可能抑制諸如但不限於半導體層10S之特性劣化及膜剝離之問題之出現。 參考圖14B，在形成佈線層10W之後，可以與前述第一實施例中所闡述之方式類似之一方式將臨時基板33接合至電路基板20，其中佈線層10W在臨時基板33與電路基板20之間。 隨後，可依序移除臨時基板33、黏合劑層B及頂蓋層35以暴露第二接觸層14，如圖15A中所圖解說明。可以與前述第一實施例中所闡述之方式類似之一方式執行臨時基板33之移除。可藉由(舉例而言)濕式蝕刻而移除黏合劑層B及頂蓋層35。針對黏合劑層B上之濕式蝕刻，舉例而言，可使用氟化氫(HF)或經緩衝氟化氫(BHF)。針對頂蓋層35上之濕式蝕刻，舉例而言，可使用一種酸與一種氧化劑之一混合液體。將用於濕式蝕刻之酸之非限制性實例可包含HF、鹽酸(HCl)及磷酸(H3 PO4 )。將用於濕式蝕刻之氧化劑之非限制性實例可包含過氧化氫水及臭氧水。可藉由乾式蝕刻而移除黏合劑層B及頂蓋層35；然而，濕式蝕刻可較佳地用於移除黏合劑層B及頂蓋層35，如稍後所闡述。 圖16A係圖15A中所圖解說明之一部分R之一放大視圖之一實例。舉例而言，在一平面圖中，其中將移除黏合劑層B及頂蓋層35之一區域之面積可小於半導體層10S。因此，頂蓋層35及黏合劑層B可保留在上面定位有光入射表面S1之側(亦即，半導體層10S之與面對電路基板20之表面相對之表面)上之一外邊緣中，更具體而言保留在第二接觸層14之一端部分上。 在移除頂蓋層35之後，可在經暴露第二接觸層14上形成第二電極15及鈍化膜16，如圖15B中所圖解說明。 圖16B係圖15B中所圖解說明之部分R之一放大視圖之一實例。可在其中保留頂蓋層35及黏合劑層B之一狀態中形成第二電極15及鈍化膜16，如圖16B中所圖解說明。在此場合，第二電極15可與第二接觸層14接觸且與頂蓋層35及黏合劑層B接觸。埋入層18可自半導體層10S朝向光入射表面S1 (亦即，朝向與電路基板20相對之側)突出與頂蓋層35及黏合劑層B之厚度對應之一量。 藉由移除黏合劑層B及頂蓋層35而形成之一開口(亦即，第二接觸層14所暴露至之一開口)可較佳地具有一錐形形狀，如圖16C中所圖解說明。第二電極15可形成於具有此一錐形形狀之開口中，此改良第二電極15之覆蓋。舉例而言，可藉由濕式蝕刻移除黏合劑層B及頂蓋層35以形成具有一錐形形狀之開口。因此，可較佳地藉由濕式蝕刻而移除黏合劑層B及頂蓋層35。 圖17A係圖15A中所圖解說明之部分R之一放大視圖之另一實例，且圖17B係圖15B中所圖解說明之部分R之一放大視圖之另一實例。舉例而言，在一平面圖中，其中將移除黏合劑層B及頂蓋層35之區域之一面積可等於半導體層10S之面積，如各圖式中所圖解說明。因此，可移除在第二接觸層14之端部分上之頂蓋層35。在因此形成之光接收裝置2中，第二接觸層14之一頂部表面(亦即，在上面定位有光入射表面S1之側上之一表面)與黏合劑層B之一底部表面(亦即，在上面定位有電路基板20之側上之一表面)之間的位移可在其之間形成由頂蓋層35導致之一位準差。此外，第二電極15可與第二接觸層14接觸且與黏合劑層B接觸。 藉由移除黏合劑層B及頂蓋層35而形成之開口(亦即，第二接觸層14所暴露至之開口)可較佳地具有一錐形形狀，如圖17C中所圖解說明。 圖18A係圖15A中所圖解說明之部分R之一放大視圖之另一實例，且圖18B係圖15B中所圖解說明之部分R之一放大視圖之另一實例。舉例而言，在一平面圖中，其中將移除黏合劑層B及頂蓋層35之區域之面積可大於半導體層10S之面積，如各圖式中所圖解說明。因此，可移除在第二接觸層14之端部分上之頂蓋層35。在因此形成之光接收裝置2中，可在半導體層10S之一端表面與埋入層18之間形成由蝕刻產生之一凹部18R。此外，第二電極15可與第二接觸層14接觸且埋入於凹部18R中，且第二電極15亦可與黏合劑層B接觸。 藉由移除黏合劑層B及頂蓋層35而形成之開口(亦即，第二接觸層14所暴露至之開口)可較佳地具有一錐形形狀，如圖18C中所圖解說明。 可進一步增加其中將移除黏合劑層B及頂蓋層35之區域以將黏合劑層B與頂蓋層35一起移除，如圖18D中所圖解說明。 在移除黏合劑層B及頂蓋層35之後，舉例而言，可以與前述第一實施例中所闡述之方式類似之一方式形成允許第二電極15與電路基板20彼此電耦合之貫穿電極18V (參考圖1)。因此，完成光接收裝置2。 甚至在藉由此一方法形成之光接收裝置2中，可以與前述光接收裝置1中所闡述之方式類似之一方式形成埋入層18，此使得可能在製造程序中抑制由半導體層10S與臨時基板33之間的位準差引起之一缺陷之出現。此外，可形成阻止半導體層10S (具體而言第二接觸層14)與黏合劑層B接觸之頂蓋層35。 在如圖16A至圖16C中所圖解說明之光接收裝置2中，頂蓋層35可保留在第二接觸層14之端部分上。另一選擇係，可完全移除頂蓋層35。在其中完全移除頂蓋層35之光接收裝置2中，舉例而言，可提供如圖17A至圖17C中所圖解說明之第二接觸層14之頂部表面與黏合劑層B之底部表面之間的位準差或如圖18A至圖18D中所圖解說明之半導體層10S之端表面與埋入層18之間的凹部18R。在光接收裝置2中，埋入層18可自半導體層10S朝向光入射表面S1突出與頂蓋層35及黏合劑層B之厚度對應之量。 [第三修改實例] 作為一第三修改實例，可在其中半導體層10S彼此分開之一狀態中將複數個半導體層10S接合至臨時基板33，如圖19中所圖解說明。半導體層10S中之一者可設置於生長基板31上，且複數個生長基板31可接合至一個臨時基板33。 該複數個半導體層10S可係(舉例而言)若干區段，將磊晶生長於晶圓形狀之生長基板31上之半導體層10S劃分成該若干區段。換言之，可以(舉例而言)一晶片形狀形成圖19中所圖解說明之該複數個生長基板31及該複數個半導體層10S。 可在生長基板31上依序磊晶生長緩衝層34B、停止層34S、半導體層10S及頂蓋層35，且此後可將半導體層10S劃分成若干區段，如圖20中所圖解說明。 在該複數個半導體層10S設置於臨時基板33上之後，可以與前述第一實施例中所闡述之方式或前述第二實施例中所闡述之方式類似之一方式完成複數個光接收裝置1或複數個光接收裝置2，此參考圖21A至圖21C經詳細闡述。 可將具備半導體層10S之該複數個生長基板31接合至臨時基板33，且此後，可移除生長基板31中之每一者，如圖21A中所圖解說明。 隨後，可在半導體層10S中之每一者上形成抗蝕劑PR，且可執行光微影及蝕刻，如圖21B中所圖解說明。因此，可校正半導體層10S相對於臨時基板33之位移。可省略此程序。 在校正半導體層10S相對於臨時基板33之位移之後，可在臨時基板33之整個表面上形成一絕緣材料之一膜以覆蓋該複數個半導體層10S。此後，可藉由(舉例而言) CMP平坦化絕緣材料以形成埋入層18。 此後，可透過與前述第一實施例或前述第二實施例中所闡述之彼等程序類似之程序完成光接收裝置1或2。 甚至在藉由此一方法而形成之光接收裝置1及2中，可以與前述光接收裝置1及2中所闡述之彼等方式類似之一方式形成埋入層18，此使得可能在製造程序中抑制由半導體層10S與臨時基板33之間的位準差引起之一缺陷之出現。 (第三實施例) 圖22示意性地圖解說明根據一第三實施例之一光接收裝置(亦即，一光接收裝置3)之一剖面組態。光接收裝置3可具有與光接收裝置1之彼等組態、工作及效應類似之一組態、若干工作及若干效應，除了光接收裝置3具有包含化合物半導體材料之裝置基板10及一矽(Si)層(亦即，一矽層51S)之一堆疊式組態。 光接收裝置3可在裝置基板10之光入射表面S1上依序包含佈線層51W、矽層51S、彩色濾光器層41及晶片上透鏡42。佈線層51W可電耦合至矽層51S。 矽層51S A可針對像素P中之每一者包含具有p-n接面之一光電二極體PD。佈線層51W可包含複數個佈線線路，且舉例而言，在光電二極體PD中產生之信號電荷可透過在像素P中之每一者中之佈線層51W遷移至電路基板20。 在光接收裝置3中，舉例而言，可對在可見光區域及紅外線區域中之一波長之光執行光電轉換。舉例而言，在可見光區域中之一波長之光可透過晶片上透鏡42及彩色濾光器層41進入矽層51S，且可在光電二極體PD中經受光電轉換。相比之下，在紅外線區域中之一波長之光可穿過矽層51S，且可在裝置基板10之光電轉換層13中經受光電轉換。在光電二極體PD中產生之信號電荷及在光電轉換層13中產生之信號電荷可由電路基板20讀取。 甚至在根據本發明實施例之光接收裝置3中，可以與前述光接收裝置1及2中所闡述之彼等方式類似之一方式形成埋入層18，此使得可能在製造程序中抑制由半導體層10S與臨時基板33之間的位準差引起之一缺陷之出現。此外，矽層51S可堆疊於裝置基板10上，此使得一個像素P可能對在可見光區域中之一波長之光及在紅外線區域中之一波長之光執行光電轉換。此使得可能增加可自一個像素P獲得之資訊之一量。 [第一應用實例] 圖23圖解說明使用前述實施例及修改實例中所闡述之光接收裝置1、1A、1B、2及3 (在下文統稱為「光接收裝置1」)中之任一者之裝置結構之一成像裝置4之一功能組態。成像裝置4可係(舉例而言但不限於)一紅外線影像感測器，且可包含裝置區域R1及一電路區段130，舉例而言。裝置區域R1可設置於光接收裝置1中，且電路區段130可驅動裝置區域R1。舉例而言，電路區段130可包含一列掃描區段131、一水平選擇區段133、一行掃描區段134及一系統控制器132。 裝置區域R1可包含以二維方式配置成若干列及若干行(舉例而言)之複數個像素P，亦即，複數個光接收裝置1。像素P可具有其中(舉例而言)一像素驅動線Lread (諸如一列選擇線及一重設控制線)針對每一像素列而佈線且一垂直信號線Lsig針對每一像素行而佈線之一組態。像素驅動線Lread可傳輸針對於自任一像素P讀取一信號之一驅動信號。像素驅動線Lread可使一端耦合至列掃描區段131之輸出端子(與各別列對應)中之對應一者。 列掃描區段131可包含諸如但不限於一移位暫存器及一位址解碼器之一組件。舉例而言，列掃描區段131可係在一列基礎上驅動裝置區域R1之像素P之一像素驅動器。可透過各別垂直信號線Lsig將自由列掃描區段131掃描及選擇之像素列中之各別像素P輸出之信號供應至水平選擇區段133。水平選擇區段133可包含諸如但不限於針對垂直信號線Lsig中之每一者提供之一放大器及一水平選擇開關之組件。 行掃描區段134可包含諸如但不限於一移位暫存器及一位址解碼器之一組件，且可在順序地執行水平選擇區段133之水平選擇開關之掃描時依序驅動彼等水平選擇開關。由行掃描區段134執行之此選擇及掃描可允許透過各別垂直信號線Lsig傳輸之像素P之信號順序地輸出至一水平信號線135。因此輸出之信號可透過水平信號線135供應至一未經圖解說明信號處理器或類似者。 參考圖24，成像裝置4可具有其中堆疊有具有裝置區域R1之裝置基板10及具有電路區段130之電路基板20之一組態，舉例而言。然而，成像裝置4不限於此一組態。舉例而言，電路區段130可設置於與裝置區域R1相同之基板上，或可安置於一外部控制IC中。另一選擇係，電路區段130可設置於藉助於一電纜或任何其他耦合器耦合之任何其他基板中。 系統控制器132可接收自外側提供之一時脈、指令一操作模式之資料等等。系統控制器132亦可輸出諸如成像裝置4之內部資訊之資料。系統控制器132可包含一定時產生器，該定時產生器產生各種定時信號以因此在由定時產生器產生之各種定時信號之基礎上控制電路(諸如列掃描區段131、水平選擇區段133及行掃描區段134)之驅動。 [第二應用實例] 如上文所闡述之成像裝置4可應用於各種類型之電子設備，諸如但不限於允許使一紅外線區域成像之一攝影機。圖25圖解說明作為此一攝影機之一非限制性實例之一電子設備5 (亦即，一攝影機)之一示意性組態。電子設備5可係允許拍攝一靜止影像、一移動影像或兩者之一攝影機，舉例而言。電子設備5可包含成像裝置4、一光學系統(例如，一光學透鏡) 310、一快門單元311、一驅動器313及一信號處理器312。驅動器313可驅動成像裝置4及快門單元311。 光學系統310可將自一物件獲得之影像光(亦即，入射光)導引至成像裝置4。光學系統310可包含複數個光學透鏡。快門單元311可控制其中用光輻照成像裝置4之一週期及其中阻擋光之一週期。驅動器313可控制成像裝置4之一傳送操作及快門單元311之一快門操作。信號處理器312可對自成像裝置4輸出之信號執行各種信號程序。已經受信號程序之一圖像信號Dout可儲存於諸如一記憶體之一存儲媒體中，或輸出至諸如一監視器之一單元。 藉由參考前述實施例、修改實例及應用實例所闡述之光接收裝置1亦可應用於以下非限制性電子設備，包含一膠囊內視鏡及一行動主體。該行動主體可係(舉例而言但不限於)一車輛。 [第一進一步應用實例(內視鏡手術系統)] 根據本發明之前述實施例、修改實例及應用實例中之任一者之技術可應用於各種產品。舉例而言，根據本發明之前述實施例、修改實例及應用實例中之任一者之技術可應用於一內視鏡手術系統。 圖26係繪示可應用根據本發明之一實施例之本發明技術(目前技術)之一內視鏡手術系統之一示意性組態之一實例之一視圖。 在圖26中，圖解說明其中一外科醫生(醫學醫生) 11131正在使用一內視鏡手術系統11000對一病床11133上之一患者11132執行手術之一狀態。如所繪示，內視鏡手術系統11000包含一內視鏡11100、諸如一氣腹管11111及一能量治療工具11112之其他手術工具11110、上面支撐有內視鏡11100之一支撐臂設備11120及上面安裝有用於內視手術之各種設備之一匣11200。 內視鏡11100包含具有距其將插入至患者11132之一體腔中之一遠端有一預定長度之一區域之一透鏡鏡筒11101，及連接至透鏡鏡筒11101之一近端之一攝影機頭部11102。在所繪示之實例中，繪示包含為具有硬類型之透鏡鏡筒11101之一硬鏡之內視鏡11100。然而，內視鏡11100可以其他方式經包含為具有軟類型之透鏡鏡筒11101之一軟鏡。 透鏡鏡筒11101在其一遠端處具有其中裝配有一物鏡之一開口。一光源設備11203連接至內視鏡11100使得由光源設備11203產生之光藉由在透鏡鏡筒11101內側延伸之一光導經引入至透鏡鏡筒11101之一遠端且透過物鏡朝向患者11132之一體腔中之一觀察目標輻照。應注意，內視鏡11100可係一直視鏡或可係一透視鏡或一側視鏡。 一光學系統及一攝影元件設置於攝影機頭部11102內側使得自觀察目標反射之光(觀察光)藉由光學系統壓縮於攝影元件上。觀察光由攝影元件進行光電轉換以產生與觀察光對應之一電信號，亦即，與一觀察影像對應之一影像信號。將該影像信號作為RAW資料傳輸至一CCU 11201。 CCU 11201包含一中央處理單元(CPU)、一圖形處理單元(GPU)或類似者且在內部控制內視鏡11100及一顯示設備11202之操作。此外，CCU 11201自攝影機頭部11102接收一影像信號且針對該影像信號執行用於基於該影像信號而顯示一影像之各種影像程序，諸如(舉例而言)一顯影程序(去馬賽克程序)。 在CCU 11201之控制下，顯示設備11202基於一影像信號而在其上顯示一影像，已由CCU 11201針對該影像而執行影像程序。 光源設備11203包含諸如(舉例而言)一發光二極體(LED)之一光源且在使一手術區域成像至內視鏡11100之後旋即供應輻照光。 一輸入設備11204係內視鏡手術系統11000之一輸入介面。一使用者可透過輸入設備11204執行至內視鏡手術系統11000之各種資訊輸入或指令輸入。舉例而言，使用者將輸入一指令或一類似者以改變內視鏡11100之一攝像條件(輻照光類型、放大率及聚焦或類似者)。 一治療工具控制設備11205控制用於燒灼或切開一組織、密封一血管或類似者之能量治療工具11112之驅動。一氣腹設備11206透過氣腹管11111將氣體饋送至患者11132之一體腔中以使體腔膨脹以便確保內視鏡11100之視域且確保手術之工作空間。一記錄器11207係能夠記錄與手術有關之各種資訊之一設備。一印表機11208係能夠以各種格式(諸如一文字、一影像或一圖表)打印與手術有關之各種資訊之一設備。 應注意，在一手術區域將成像至內視鏡11100時供應輻照光之光源設備11203可包含一白色光源，該白色光源包含(舉例而言)一LED、一雷射光源或其一組合。在一白色光源包含紅色、綠色及藍色(RGB)雷射光源之一組合之情況下，由於可針對每一色彩(每一波長)以一高準確度控制輸出強度及輸出定時，因此可由光源設備11203執行一所攝取影像之白色平衡之調整。此外，在此情形中，若來自各別RGB雷射光源之雷射束以時分方式輻照在一觀察目標上且與輻照定時同步地控制攝影機頭部11102之攝影元件之驅動。則亦可以時分方式攝取與R、G及B色彩個別地對應之影像。根據此方法，即使不針對攝影元件提供彩色濾光器亦可獲得一色彩影像。 此外，可控制光源設備11203使得將輸出之光之強度針對每一預定時間而改變。藉由與光強度之改變之定時同步地控制攝影機頭部11102之攝影元件之驅動從而以時分方式獲取影像且藉由合成影像，可形成不具有曝光不足經阻擋陰影及曝光過度高亮區之一高動態範圍之一影像。 此外，光源設備11203可經組態以供應準備好用於特殊光觀察之一預定波長頻帶之光。在特殊光觀察中，舉例而言，藉由利用一身體組織中之光吸收之波長相依性來輻照一窄頻帶之光(與在普通觀察時之輻照光(亦即，白光)相比較)，執行使一預定組織(諸如黏膜之一表面部分之一血管或類似者)以一高反差度成像之窄頻帶觀察(窄頻帶成像)。另一選擇係，在特殊光觀察中，可執行用於自藉由激發光之輻照而產生之螢光獲得一影像之螢光觀察。在螢光觀察中，可能藉由使激發光輻照在身體組織上而執行來自一身體組織之螢光之觀察(自動螢光觀察)或藉由將諸如吲哚菁綠(ICG)之一試劑區域地注入至一身體組織中且使與試劑之一螢光波長對應之激發光輻照在身體組織上而獲得一螢光影像。光源設備11203可經組態以供應如上文所闡述之適合用於特殊光觀察之此窄頻帶光及/或激發光。 圖27係繪示圖26中所繪示之攝影機頭部11102及CCU 11201之一功能組態之一實例之一方塊圖。 攝影機頭部11102包含一透鏡單元11401、一攝像單元11402、一驅動單元11403、一通信單元11404及一攝影機頭部控制單元11405。CCU 11201包含一通信單元11411、一影像處理單元11412及一控制單元11413。攝影機頭部11102與CCU 11201藉由一傳輸電纜11400而連接以進行彼此通信。 透鏡單元11401係在一連接位置處提供至透鏡鏡筒11101之一光學系統。自透鏡鏡筒11101之一遠端進入之觀察光經導引至攝影機頭部11102且引入至透鏡單元11401中。透鏡單元11401包含複數個透鏡(包含一變焦透鏡及一聚焦透鏡)之一組合。 由攝像單元11402包含之攝影元件之數目可係1 (單板類型)或一複數(多板類型)。在攝像單元11402經組態為多板類型之攝像單元之情況下，舉例而言，與各別R、G及B對應之影像信號由該等攝影元件產生，且該等影像信號可經合成以獲得一色彩影像。攝像單元11402亦可經組態以便具有一對攝影元件以用於針對右眼及左眼獲取準備好用於三維(3D)顯示之各別影像信號。若執行3D顯示，則外科醫生11131可更準確地理解一手術區域中之一活體組織之深度。應注意，在攝像單元11402經組態為立體類型之攝像單元之情況下，提供與個別攝影元件對應之透鏡單元11401之複數個系統。 此外，攝影單元11402可未必設置於攝影機頭部11102上。舉例而言，攝影單元11402可設置於緊接在透鏡鏡筒11101內側之物鏡後面。 驅動單元11403包含一致動器且在攝影機頭部控制單元11405之控制下使透鏡單元11401之變焦透鏡及聚焦透鏡沿著一光學軸線移動一預定距離。因此，可以適合方式調整由攝影單元11402攝取之一影像之放大率及焦點。 通信單元11404包含用於將各種資訊傳輸至CCU 11201且自CCU 11201接收各種資訊之一通信設備。通信單元11404透過傳輸電纜11400將自攝影單元11402獲取之一影像信號作為RAW資料傳輸至CCU 11201。 另外，通信單元11404自CCU 11201接收用於控制攝影機頭部11102之驅動之一控制信號且將該控制信號供應至攝影機頭部控制單元11405。該控制信號包含與攝影條件有關之資訊，諸如(舉例而言)指定一所攝取影像之一圖框率之資訊、指定在攝影時之一曝光值之資訊及/或指定一所攝取影像之一放大率及一焦點之資訊。 應注意，諸如圖框率、曝光值、放大率或焦點之攝影條件可由使用者指定或可在一所獲取影像信號之基礎上由CCU 11201之控制單元11413自動設定。在稍後情形中，一自動曝光(AE)功能、一自動聚焦(AF)功能及一自動白色平衡(AWB)功能併入於內視鏡11100中。 攝影機頭部控制單元11405在透過通信單元11404自CCU 11201接收之一控制信號之基礎上控制攝影機頭部11102之驅動。 通信單元11411包含用於將各種資訊傳輸至攝影機頭部11102且自攝影機頭部11102接收各種資訊之一通信設備。通信單元11411接收透過傳輸電纜11400自攝影機頭部11102傳輸至其之一影像信號。 此外，通信單元11411將用於控制攝影機頭部11102之驅動之一控制信號傳輸至攝影機頭部11102。影像信號及控制信號可藉由電通信、光學通信或類似者而傳輸。 影像處理單元11412針對呈自攝影機頭部11102傳輸至其之RAW資料之形式之一影像信號執行各種影像程序。 控制單元11413執行與藉由內視鏡11100對一手術區域或類似者進行攝影有關之各種控制以及藉由對手術區域或類似者進行攝影而獲得之一所攝取影像之顯示。舉例而言，控制單元11413產生用於控制攝影機頭部11102之驅動之一控制信號。 此外，控制單元11413在影像處理單元11412已針對其執行影像程序之一影像信號之基礎上控制顯示設備11202顯示其中使手術區域或類似者成像之一所攝取影像。於是，控制單元11413可使用各種影像辨識技術辨識所攝取影像中之各種物件。舉例而言，控制單元11413可藉由偵測包含於一所攝取影像中之物件之邊緣之形狀、色彩等等而辨識諸如鑷子之一手術工具、一特定活體區域、出血、在使用能量治療工具11112時之霧氣等等。控制單元11413可在其控制顯示設備11202顯示一所攝取影像時使用辨識之一結果致使各種手術支援資訊以一重疊方式與手術區域之一影像一起經顯示。在手術支援資訊以一重疊方式經顯示且呈現給外科醫生11131之情況下，可減輕外科醫生11131之負擔且外科醫生11131可確定無疑地繼續進行手術。 將攝影機頭部11102與CCU 11201彼此連接之傳輸電纜11400係準備好用於一電信號之通信之一電信號電纜、準備好用於光學通信之一光纖或準備好用於電通信及光學通信兩者之一複合電纜。 在此處，雖然在所繪示之實例中藉由使用傳輸電纜11400之有線通信執行通信，但可藉由無線通信執行攝影機頭部11102與CCU 11201之間的通信。 在前文中，已給出對可應用根據本發明之一實施例之本發明技術之內視鏡手術系統之一項實例之說明。根據本發明之一實施例之本發明技術可應用於在上文所闡述之組態之組件當中之攝影單元11402。將根據本發明之一實施例之本發明技術應用於攝影單元11402使得可能獲得手術區域之一更清晰影像。因此，外科醫生可能確定無疑地確認手術區域。 注意，已在上文給出對作為一項實例之內視鏡手術系統之說明。根據本發明之一實施例之本發明技術可應用於除內視鏡手術系統以外之任何醫學系統(諸如但不限於一顯微照相手術系統)。 [(第二進一步應用實例(行動主體)] 根據本發明之前述實施例、修改實例及應用實例中之任一者之本發明技術可應用於各種產品。舉例而言，可以將安裝至任一種類之一行動主體之一設備之形式達成根據本發明之前述實施例、修改實例及應用實例中之任一者之本發明技術。該行動主體之非限制性實例可包含一汽車、一電動車輛、一混合電動車輛、一機車、一自行車、一個人移動性、一飛機、一無人航空載具(遙控飛機)、一船艦及一機器人。 圖28係繪示作為可應用根據本發明之一實施例之本發明技術之一行動主體控制系統之一實例之一車輛控制系統之示意性組態之一實例之一方塊圖。 車輛控制系統12000包含經由一通信網路12001彼此連接之複數個電子控制單元。在圖28中所繪示之實例中，車輛控制系統12000包含一驅動系統控制單元12010、一主體系統控制單元12020、一車輛外資訊偵測單元12030、一車輛內資訊偵測單元12040及一整合式控制單元12050。另外，一微電腦12051、一聲音/影像輸出區段12052及一車輛安裝式網路介面(I/F) 12053經圖解說明為整合式控制單元12050之一功能組態。 驅動系統控制單元12010根據各種程式控制與車輛之驅動系統有關之裝置之操作。舉例而言，驅動系統控制單元12010用作用於以下各項之一控制裝置：用於產生車輛之驅動力之一驅動力產生裝置，諸如一內燃機、一驅動馬達或類似者；用於將驅動力傳輸至輪之一驅動力傳輸機構；用於調整車輛之轉向角度之一轉向機構；用於產生車輛之制動力之一制動裝置；及類似者。 主體系統控制單元12020根據各種程式控制提供至一車輛主體之各種裝置之操作。舉例而言，主體系統控制單元12020用作用於以下各項之一控制裝置：一無鑰進入系統；一智慧金鑰系統；一電動窗裝置；或各種燈，諸如一頭燈、一倒車燈、一制動燈、一轉彎信號、一霧燈或類似者。在此情形中，自一行動裝置傳輸之無線電波作為各種開關之一金鑰或信號之一替代方案而可輸入至主體系統控制單元12020。主體系統控制單元12020接收此等輸入無線電波或信號，且控制車輛之一門鎖裝置、電動窗裝置、燈或類似者。 車輛外資訊偵測單元12030偵測關於包含車輛控制系統12000之車輛外側之資訊。舉例而言，車輛外資訊偵測單元12030與一成像區段12031連接。車輛外資訊偵測單元12030使成像區段12031將車輛外側之一影像成像，且接收該經成像影像。在所接收影像之基礎上，車輛外資訊偵測單元12030可執行偵測一物件(諸如一人、一車輛、一障礙物、一標誌、一路面上之一字符或類似者)之處理或偵測距其之一距離之處理。 成像區段12031係接收光且輸出與該光之一所接收光量對應之一電信號的一光學感測器。成像區段12031可輸出電信號作為一影像，或可輸出電信號作為關於一所量測距離之資訊。另外，由成像區段12031接收之光可係可見光，或可係不可見光(諸如紅外射線或類似者)。 車輛內資訊偵測單元12040偵測關於車輛內側之資訊。舉例而言，車輛內資訊偵測單元12040與偵測一駕駛員之狀態之一駕駛員狀態偵測區段12041連接。舉例而言，駕駛員狀態偵測區段12041包含使駕駛員成像之一攝影機。在自駕駛員狀態偵測區段12041輸入之偵測資訊之基礎上，車輛內資訊偵測單元12040可計算駕駛員之一疲勞程度或駕駛員之一集中程度，或可判定駕駛員是否在打盹。 微電腦12051可在關於車輛內側或外側之資訊(該資訊由車輛外資訊偵測單元12030或車輛內資訊偵測單元12040獲得)之基礎上計算驅動力產生裝置、轉向機構或制動裝置之一控制目標值，且將一控制命令輸出至驅動系統控制單元12010。舉例而言，微電腦12051可執行意欲實施一進階駕駛員輔助系統(ADAS)之功能之協作控制，該等功能包含車輛之碰撞避免或衝擊緩解、基於一行車距離進行跟車、車速維持駕駛、車輛之碰撞之一警告、車輛偏離一車道之一警告或類似者。 另外，微電腦12051可藉由以下方式執行意欲用於自動駕駛之協作控制(此使車輛在不取決於駕駛員之操作或類似者之情況下自動行駛)：在關於車輛外側或內側之資訊之基礎上控制驅動力產生裝置、轉向機構、制動裝置或類似者，該資訊由車輛外資訊偵測單元12030或車輛內資訊偵測單元12040獲得。 另外，微電腦12051可在關於車輛外側之資訊(該資訊由車輛外資訊偵測單元12030獲得)之基礎上將一控制命令輸出至主體系統控制單元12020。舉例而言，微電腦12051可藉由以下方式執行意欲阻止(或另一選擇係，減少)一眩光之協作控制：舉例而言，根據由車輛外資訊偵測單元12030偵測到之一前行車輛或一即將到來車輛之位置而控制頭燈以便自一高光束改變至一低光束。 聲音/影像輸出區段12052將一聲音及一影像中之至少一者之一輸出信號傳輸至能夠視覺上或聽覺上將資訊通知給車輛之一佔有者或車輛外側之一輸出裝置。在圖28之實例中，一音訊揚聲器12061、一顯示區段12062及一儀器面板12063經圖解說明為輸出裝置。舉例而言，顯示區段12062可包含一板上顯示器及一抬頭顯示器中之至少一者。 圖29係繪示成像區段12031之安裝位置之一實例之一圖式。 在圖29中，成像區段12031包含成像區段12101、12102、12103、12104及12105。 舉例而言，成像區段12101、12102、12103、12104及12105安置在車輛12100之一前鼻、側視鏡、一後保險杠及一後門上之位置以及在車輛內部內之一擋風玻璃之一上部部分上之一位置處。提供至前鼻之成像區段12101及提供至在車輛內部內之擋風玻璃之上部部分之成像區段12105主要獲得車輛12100前面之一影像。提供至側視鏡之成像區段12102及12103主要獲得車輛12100之側面之一影像。提供至後保險杠或後門之成像區段12104主要獲得車輛12100後面之一影像。提供至在車輛內部內之擋風玻璃之上部部分之成像區段12105主要用於偵測一前行車輛、一行人、一障礙物、一信號、一交通標誌、一車道或類似者。 附帶地，圖29繪示成像區段12101至12104之攝影範圍之一實例。一成像範圍12111表示提供至前鼻之成像區段12101之成像範圍。成像範圍12112及12113分別表示提供至側視鏡之成像區段12102及12103之成像範圍。一成像範圍12114表示提供至後保險杠或後門之成像區段12104之成像範圍。如自上面觀看之車輛12100之一鳥瞰影像藉由以下方式而獲得：疊加藉由成像區段12101至12104而成像之影像資料，舉例而言。 成像區段12101至12104中之至少一者可具有獲得距離資訊之一功能。舉例而言，成像區段12101至12104中之至少一者可係由複數個成像元件組成之一立體攝影機，或可係具有用於相差偵測之像素之一成像元件。 舉例而言，微電腦12051可在自成像區段12101至12104獲得之距離資訊之基礎上判定距在成像範圍12111至12114內之每一三維物件之一距離及該距離之一時間改變(關於車輛12100之相對速度)，且因此提取存在於車輛12100之一行進路徑上且在與車輛12100實質上相同之方向上以一預定速度(舉例而言，等於或大於0 km/小時)行進之一最近三維目標(特定而言)作為一前行車輛。此外，微電腦12051可提前設定將在一前行車輛前面維持之一跟車距離，且執行自動制動控制(包含跟車停止控制)、自動加速控制(包含跟車開始控制)或類似者。因此可能執行意欲用於自動駕駛之協作控制，此使車輛在不取決於駕駛員之操作或類似者之情況下自動行進。 舉例而言，微電腦12051可在自成像區段12101至12104獲得之距離資訊之基礎上將關於三維物件之三維物件資料分類成一兩輪車輛、一標準尺寸車輛、一大尺寸車輛、一行人、一電線桿及其他三維物件之三維物件資料，提取該經分類三維物件資料，且使用該經提取三維物件資料來自動避免一障礙物。舉例而言，微電腦12051將車輛12100周圍之障礙物識別為車輛12100之駕駛員可視覺上辨識之障礙物及車輛12100之駕駛員難以視覺上辨識之障礙物。然後，微電腦12051判定指示與每一障礙物之一碰撞風險之一碰撞風險。在其中碰撞風險等於或高於一設定值且因此存在一碰撞可能性之一情景中，微電腦12051經由音訊揚聲器12061或顯示區段12062輸出對駕駛員之一警告，且經由驅動系統控制單元12010執行被迫減速或避免轉向。微電腦12051可因此輔助駕駛以避免碰撞。 成像區段12101至12104中之至少一者可係偵測紅外射線之一紅外線攝影機。舉例而言，微電腦12051可藉由判定成像區段12101至12104之經成像影像中是否存在一行人而辨識一行人。舉例而言，一行人之此辨識藉由以下各項來執行：提取作為紅外線攝影機之成像區段12101至12104之經成像影像中之特性點之一程序；及藉由對表示物件之輪廓之一系列特性點執行圖案匹配處理而判定其是否係行人之一程序。當微電腦12051判定成像區段12101至12104之經成像影像中存在一行人且因此辨識出該行人時，聲音/影像輸出區段12052控制顯示區段12062使得顯示用於強調之一正方形輪廓線以便疊加在該經辨識行人上。聲音/影像輸出區段12052亦可控制顯示區段12062使得表示行人之一圖符或類似者顯示在一所要位置處。 在前文中，已給出對可應用根據本發明之一實施例之本發明技術之車輛控制系統之一項實例之說明。根據本發明之一實施例之本發明技術可應用於在上文所闡述之組態之組件當中之成像區段12031。將根據本發明之一實施例之本發明技術應用於成像區段12031使得可能獲得更容易看到之一所擷取影像。因此，可能減輕駕駛員之疲勞。 此外，實施例及修改實例中所闡述之光接收裝置1可應用於諸如一監控攝影機、一生物計量鑑別系統及一溫度記錄器之電子設備。監控攝影機之非限制性實例可包含夜視系統，亦即，夜視鏡。將光接收裝置1應用於監控攝影機使得可能在夜間自一定距離辨識一行人及一動物。此外，藉由將光接收裝置1應用於一車輛安裝式攝影機而減小一前照燈及天氣之影響。舉例而言，可能藉由在不具有(舉例而言但不限於)煙與霧之影響之情況下進行拍攝而擷取一影像。此外，可能辨識一物件之一形狀。此外，溫度記錄器允許非接觸式溫度量測。溫度記錄器允許對一溫度分佈與熱產生之偵測。另外，光接收裝置1可應用於偵測(舉例而言但不限於)火、水及氣體之電子設備。 儘管已藉由參考實施例、修改實例及應用實例而給出說明，但本發明之內容不限於實施例、修改實例及應用實例，且可以各種方式來修改。舉例而言，在前述實施例中闡述之光接收裝置中之任一者之層組態係說明性的，且可進一步包含任何其他層。各別層之材料及厚度亦係說明性的且不限於上文所闡述之彼等材料及厚度。舉例而言，已藉由參考其中第一接觸層12、光電轉換層13及第二接觸層14組態半導體層10S之一實例而闡述實施例、修改實例及應用實例。然而，可僅半導體層10S有必要包含光電轉換層13。舉例而言，半導體層10S可不包含第一接觸層12及第二接觸層14，或可包含任何其他層。 此外，已出於說明目的而藉由參考其中信號電荷係電洞之一實例闡述實施例、修改實例及應用實例。在一替代實例中，信號電荷可係電子。舉例而言，擴散區域可包含一n型雜質。 另外，已藉由參考係根據目前技術之一實施例之一半導體裝置之一特定實例之光接收裝置而闡述實施例、修改實例及應用實例；然而，半導體裝置可係除光接收裝置以外之一裝置。根據目前技術之實施例之半導體裝置之一替代實例可係一發光裝置。 應注意，在實施例、修改實例及應用實例中所闡述之效應係說明性及非限制性的。將藉由本發明達成之效應可係除上文所闡述之彼等效應以外之效應，或除了上文所闡述之彼等效應亦可進一步包含其他效應。 應注意，本發明可具有以下組態。 (1) 一種半導體裝置，其包含： 一裝置基板，其包含一裝置區域及一周邊區域，該裝置區域中堆疊有一佈線層及包含一化合物半導體材料之一半導體層，且該周邊區域安置在該裝置區域外側；及 一電路基板，其面對半導體層且透過該佈線層電耦合至該半導體層，其中該佈線層在該電路基板與該半導體層之間， 該裝置基板之該周邊區域與該電路基板具有一接面表面。 (2) 如(1)之半導體裝置，其中該裝置基板之該裝置區域在與該周邊區域之該接面表面相同之平面上耦合至該電路基板。 (3) 如(1)或(2)之半導體裝置，其中該裝置基板進一步在該周邊區域中包含環繞該半導體層之一埋入層。 (4) 如(3)之半導體裝置，其進一步包含： 一第一電極，其設置於該佈線層中且電耦合至該半導體層；及 一第二電極，其面對該第一電極，其中該半導體層在該第二電極與該第一電極之間。 (5) 如(4)之半導體裝置，其中該裝置基板進一步包含在該埋入層中之一貫穿電極，該貫穿電極電耦合至該第二電極及該電路基板。 (6) 如(3)至(5)中任一項之半導體裝置，其中該埋入層自該半導體層朝向與上面定位有該電路基板之側相對之側突起。 (7) 如(3)至(6)中任一項之半導體裝置，其中該半導體層及該埋入層在其之間具有一凹部。 (8) 如(3)至(7)中任一項之半導體裝置，其中該埋入層係在該半導體層之一厚度方向上設置的。 (9) 如(1)至(8)中任一項之半導體裝置，其中該裝置基板進一步包含在該半導體層之一表面之一外邊緣上之一頂蓋層，該表面與面對該半導體層之該電路基板之一表面相對。 (10) 如(1)至(9)中任一項之半導體裝置，其中該佈線層亦設置於該周邊區域中。 (11) 如(1)至(10)中任一項之半導體裝置，其中該化合物半導體材料吸收處於一紅外線區域中之一波長之光。 (12) 如(1)至(11)中任一項之半導體裝置，其中該化合物半導體材料係砷化銦鎵(InGaAs)、砷銻化銦(InAsSb)、砷化銦(InAs)、銻化銦(InSb)及汞碲化鎘(HgCdTe)中之一者。 (13) 如(1)至(12)中任一項之半導體裝置，其進一步包含在該半導體層之一表面上之一晶片上透鏡，該表面與面對該半導體層之該電路基板之一表面相對。 (14) 如(1)至(13)中任一項之半導體裝置，其進一步包含堆疊在該裝置基板上且包含一光電二極體之一矽層。 (15) 一種製造一半導體裝置之方法，其包含： 形成包含一化合物半導體材料之一半導體層； 將該半導體層接合至一臨時基板； 形成減小或消除該半導體層與該臨時基板之間的一位準差之一埋入層； 在該半導體層之一表面上形成一佈線層，該表面和與該臨時基板之一接面表面相對；及 將一電路基板提供為面對該半導體層且透過該佈線層使該半導體層與該電路基板彼此電耦合，其中該佈線層在該電路基板與該半導體層之間。 (16) 如(15)之製造半導體裝置之方法，其中在將該半導體層接合至該臨時基板之後，對該半導體層執行蝕刻。 (17) 如(15)或(16)之製造半導體裝置之方法，其中將一頂蓋層堆疊在該半導體層上，且此後將該半導體層接合至該臨時基板，其中該頂蓋層在該半導體層與該臨時基板之間。 (18) 如(17)之製造半導體裝置之方法，其中藉由設置於該頂蓋層與該臨時基板之間的一黏合劑層將該半導體層接合至該臨時基板。 (19) 如(15)至(18)中任一項之製造半導體裝置之方法，其中將該半導體層劃分成複數個半導體層，且將該等半導體層接合至該臨時基板同時該等半導體層彼此分開。 (20) 一種包含一半導體裝置之電子設備，該半導體裝置包含： 一裝置基板，其包含一裝置區域及一周邊區域，該裝置區域中堆疊有一佈線層及包含一化合物半導體材料之一半導體層，且該周邊區域安置在該裝置區域外側；及 一電路基板，其面對半導體層且透過該佈線層電耦合至該半導體層，其中該佈線層在該電路基板與該半導體層之間， 該裝置基板之該周邊區域與該電路基板具有一接面表面。 (21) 一種半導體裝置，其包括： 一裝置基板，其包含一裝置區域、安置在該裝置區域外側之一周邊區域及一第一佈線層，其中該裝置區域包含該第一佈線層之一第一部分及一半導體層，其中該半導體層包含一化合物半導體材料，且其中該周邊區域包含該第一佈線層之一第二部分；及 一電路基板，其包含一第二佈線層，其中該裝置基板與該電路基板透過該第一佈線層之該第二部分及該第二佈線層彼此耦合。 (22) 如(21)之半導體裝置，其中該第一佈線層之該第一部分在與該第一佈線層之該第二部分耦合至該第二佈線層相同之一平面處耦合至該第二佈線層。 (23) 如(21)之半導體裝置，其中該周邊區域包含耦合至該第一佈線層之該第二部分之一貫穿電極，且其中該裝置基板進一步包含環繞該半導體層及該貫穿電極之一埋入層。 (24) 如請求項(23)之半導體裝置，其進一步包括： 一第一電極，其位於該第一佈線層中且電耦合至該半導體層；及 一第二電極，其位於該第二佈線層中且面對該第一電極。 (25) 如(24)之半導體裝置，其中該第二電極包含位於該周邊區域中之一部分。 (26) 如(24)之半導體裝置，其中該貫穿電極位於該埋入層中，其中該貫穿電極電耦合至該第二電極，且其中該埋入層環繞該第一佈線層。 (27) 如(23)之半導體裝置，其中該埋入層及該第二佈線層包含暴露該第二佈線層中之一墊之一凹部。 (28) 如(23)之半導體裝置，其中該埋入層係在該半導體層之一水平方向上設置的。 (29) 如(21)之半導體裝置，其中該裝置基板進一步包含位於該裝置基板之一光入射側上之一鈍化膜。 (30) 如(21)之半導體裝置，其中該周邊區域包含位於該裝置區域之一第一側處之一第一區域及位於該裝置區域之一第二側處之一第二區域，其中該第一側與該第二側係相對側。 (31) 如(21)之半導體裝置，其中該化合物半導體材料吸收處於一紅外線區域中之一波長之光。 (32) 如(21)之半導體裝置，其中該化合物半導體材料係砷化銦鎵(InGaAs)、砷銻化銦(InAsSb)、砷化銦(InAs)、銻化銦(InSb)及汞碲化鎘(HgCdTe)中之一者。 (33) 如(21)之半導體裝置，其進一步包括： 一晶片上透鏡，其位於該半導體層之一光入射側上，其中該電路基板包含與該裝置基板之該周邊區域及該裝置區域對準之一周邊區域及一裝置區域，且其中該裝置基板與該電路基板在其各別周邊區域處直接彼此接合。 (34) 如(31)之半導體裝置，其進一步包括堆疊在該裝置基板上且包含一光電二極體之一矽層，其中該光電二極體吸收處於一可見光區域中之一波長之光。 (35) 一種製造一半導體裝置之方法，其包括： 形成包含一化合物半導體材料之一半導體層； 將該半導體層接合至一臨時基板； 在該半導體層上形成一埋入層； 減小該埋入層之一厚度，因此該埋入層之頂部表面與該半導體層之頂部表面係共面的； 在該半導體層之與接合至該臨時基板之一表面相對之一表面上形成一佈線層；及 將一電路基板接合至該佈線層以使該半導體層與該電路基板彼此耦合。 (36) 如(35)之製造半導體裝置之方法，其中在將該半導體層接合至該臨時基板之後，對該半導體層執行蝕刻。 (37) 如(35)之製造半導體裝置之方法，其進一步包括： 在該半導體層上形成一頂蓋層，其中該將該半導體層接合至臨時層包含將該半導體層接合至該頂蓋層。 (38) 如(37)之製造半導體裝置之方法，其中藉由該頂蓋層與該臨時基板之間的一黏合劑層將該半導體層接合至該臨時基板。 (39) 如(35)之製造半導體裝置之方法，其進一步包括： 藉由在該半導體層中形成複數個擴散區域而將該半導體層劃分成複數個半導體層。 (40) 一種電子設備，其包括： 一半導體裝置，該半導體裝置包含： 一裝置基板，其包含一裝置區域、安置在該裝置區域外側之一周邊區域及一第一佈線層，其中該裝置區域包含該第一佈線層之一第一部分及一半導體層，其中該半導體層包含一化合物半導體材料，且其中該周邊區域包含該第一佈線層之一第二部分；及 一電路基板，其包含一第二佈線層，其中該裝置基板與該電路基板透過該第一佈線層之該第二部分及該第二佈線層彼此耦合。 熟習此項技術者應理解，可取決於設計要求及其他因素想出各種修改、組合、子組合及變更，只要其屬隨附申請專利範圍及其等效內容之範疇內。
1‧‧‧光接收裝置
1A‧‧‧光接收裝置
1B‧‧‧光接收裝置
2‧‧‧光接收裝置
3‧‧‧光接收裝置
4‧‧‧成像裝置
5‧‧‧電子設備
10‧‧‧裝置基板
10S‧‧‧半導體層
10W‧‧‧佈線層
11‧‧‧第一電極
12‧‧‧第一接觸層
12A‧‧‧擴散區域
13‧‧‧光電轉換層
13A‧‧‧圖
14‧‧‧第二接觸層
15‧‧‧第二電極
16‧‧‧鈍化膜
17‧‧‧絕緣膜
18‧‧‧埋入層
18R‧‧‧凹部
18V‧‧‧貫穿電極
19A‧‧‧層間絕緣膜
19B‧‧‧層間絕緣膜
19EA‧‧‧接觸電極
19EB‧‧‧接觸電極
20‧‧‧電路基板
21‧‧‧支撐基板
22A‧‧‧層間絕緣膜
22CA‧‧‧像素電路
22CB‧‧‧佈線線路
22EA‧‧‧接觸電極
22EB‧‧‧接觸電極
22P‧‧‧墊電極
22V‧‧‧貫穿電極
22W‧‧‧佈線層
31‧‧‧生長基板
32‧‧‧絕緣層
33‧‧‧臨時基板
33M‧‧‧標記
34B‧‧‧緩衝層
34S‧‧‧停止層
35‧‧‧頂蓋層
41‧‧‧彩色濾光器層
41B‧‧‧藍色濾光器
41G‧‧‧綠色濾光器
41R‧‧‧紅色濾光器
42‧‧‧晶片上透鏡
51S‧‧‧矽層
51W‧‧‧佈線層
100‧‧‧光接收裝置
100S‧‧‧半導體層
130‧‧‧電路區段
131‧‧‧列掃描區段
132‧‧‧系統控制器
133‧‧‧水平選擇區段
134‧‧‧行掃描區段
135‧‧‧水平信號線
180V‧‧‧貫穿電極
310‧‧‧光學系統
311‧‧‧快門單元
312‧‧‧信號處理器
313‧‧‧驅動器
11000‧‧‧內視鏡手術系統
11100‧‧‧內視鏡
11101‧‧‧透鏡鏡筒
11102‧‧‧攝影機頭部
11110‧‧‧手術工具
11111‧‧‧氣腹管
11112‧‧‧能量治療工具
11120‧‧‧支撐臂設備
11131‧‧‧外科醫生
11132‧‧‧患者
11133‧‧‧病床
11200‧‧‧匣
11201‧‧‧攝影機控制單元
11202‧‧‧顯示設備
11203‧‧‧光源設備
11204‧‧‧輸入設備
11205‧‧‧治療工具控制設備
11206‧‧‧氣腹設備
11207‧‧‧記錄器
11208‧‧‧印表機
11400‧‧‧傳輸電纜
11401‧‧‧透鏡單元
11402‧‧‧攝影單元
11403‧‧‧驅動單元
11404‧‧‧通信單元
11405‧‧‧攝影機頭部控制單元
11411‧‧‧通信單元
11412‧‧‧影像處理單元
11413‧‧‧控制單元
12000‧‧‧車輛控制系統
12001‧‧‧通信網路
12010‧‧‧驅動系統控制單元
12020‧‧‧主體系統控制單元
12030‧‧‧車輛外資訊偵測單元
12031‧‧‧成像區段
12040‧‧‧車輛內資訊偵測單元
12041‧‧‧駕駛員狀態偵測區段
12050‧‧‧整合式控制單元
12051‧‧‧微電腦
12052‧‧‧聲音/影像輸出區段
12053‧‧‧車輛安裝式網路介面
12100‧‧‧車輛
12101‧‧‧成像區段
12102‧‧‧成像區段
12103‧‧‧成像區段
12104‧‧‧成像區段
12105‧‧‧成像區段
12111‧‧‧成像範圍
12112‧‧‧成像範圍
12113‧‧‧成像範圍
12114‧‧‧成像範圍
B‧‧‧黏合劑層
D100‧‧‧位準差
Dout‧‧‧圖像信號
H‧‧‧電洞
Lread‧‧‧像素驅動線
Lsig‧‧‧垂直信號線
P‧‧‧像素
PD‧‧‧光電二極體
PR‧‧‧抗蝕劑
R‧‧‧部分
R1‧‧‧裝置區域
R2‧‧‧周邊區域
S1‧‧‧光入射表面
S2‧‧‧接面表面
包含隨附圖式以提供對本發明技術之一進一步理解，且該等隨附圖式併入於本說明書中並構成本說明書之一部分。該等圖式圖解說明實施例且與本說明書一起用於闡釋本發明技術之原理。 [圖1] 圖1係根據本發明之一第一實施例之一光接收裝置之一示意性組態之一示意性剖面圖。 [圖2A] 圖2係闡述製造圖1中所圖解說明之光接收裝置之一方法之一程序之一示意性剖面圖。 [圖2B] 圖2B係繼圖2A中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖2C] 圖2C係繼圖2B中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖3] 圖3之(A)係圖2C中所圖解說明之程序之一示意性平面圖且(B)係圖2C中所圖解說明之程序之一示意性剖面圖。 [圖4] 圖4之(A)係繼圖3中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性平面圖且(B)係該程序之一示意性剖面圖。 [圖5A] 圖5A係繼圖4中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖5B] 圖5B係繼圖5A中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖5C] 圖5C係繼圖5B中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖6A] 圖6A係繼圖5C中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖6B] 圖6B係繼圖6A中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖6C] 圖6C係繼圖6B中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖7] 圖7係根據一比較性實例之一光接收裝置之一示意性組態之一示意性剖面圖。 [圖8] 圖8係闡述製造圖7中所圖解說明之光接收裝置之一方法之一程序之一示意性剖面圖。 [圖9] 圖9係圖7中所圖解說明之光接收裝置之另一實例之一示意性剖面圖。 [圖10] 圖10係包含一鈍化膜之圖9中所圖解說明之光接收裝置之一示意性剖面圖。 [圖11] 圖11係根據一第一修改實例之一光接收裝置之一示意性組態之一示意性剖面圖。 [圖12] 圖12係根據一第二修改實例之一光接收裝置之一示意性組態之一剖面圖。 [圖13A] 圖13A係闡述根據本發明之一第二實施例之製造一光接收裝置之一方法之一程序之一示意性剖面圖。 [圖13B] 圖13B係繼圖13A中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖14A] 圖14A係繼圖13B之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖14B] 圖14B係繼圖14A中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖15A] 圖15A係繼圖14B中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖15B] 圖15B係繼圖15A中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖16A] 圖16A係圖15A中所圖解說明之一部分之一示意性放大剖面圖(1)。 [圖16B] 圖16B係圖15B中所圖解說明之一部分之一示意性放大剖面圖(1)。 [圖16C] 圖16C係圖16A中所圖解說明之一開口之一形狀之另一實例之一示意性剖面圖。 [圖17A] 圖17A係圖15A中所圖解說明之部分之一示意性放大剖面圖(2)。 [圖17B] 圖17B係圖15B中所圖解說明之部分之一示意性放大剖面圖(2)。 [圖17C] 圖17C係圖17A中所圖解說明之一開口之一形狀之另一實例之一示意性剖面圖。 [圖18A] 圖18A係圖15A中所圖解說明之部分之一示意性放大剖面圖(3)。 [圖18B] 圖18B係圖15B中所圖解說明之部分之一示意性放大剖面圖(3)。 [圖18C] 圖18C係圖18A中所圖解說明之一開口之一形狀之另一實例之一示意性剖面圖。 [圖18D] 圖18D係圖15A中所圖解說明之部分之一示意性放大剖面圖(4)。 [圖19] 圖19係闡述根據一第三修改實例之製造一光接收裝置之一方法之一程序之一示意性剖面圖。 [圖20] 圖20係圖19中所圖解說明之程序之另一實例之一示意性剖面圖。 [圖21A] 圖21A係繼圖19中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖21B] 圖21B係繼圖21A中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖21C] 圖21C係繼圖21B中所圖解說明之程序之後之一程序之一示意性剖面圖。 [圖22] 圖22係根據本發明之一第三實施例之一光接收裝置之一示意性組態之一示意性剖面圖。 [圖23] 圖23係圖解說明一成像裝置之一組態之一方塊圖。 [圖24] 圖24係一堆疊式成像裝置之一組態實例之一示意圖。 [圖25] 圖25係圖解說明使用圖23中所圖解說明之成像裝置之一電子設備(諸如一攝影機)之一實例之一功能方塊圖。 [圖26] 圖26係繪示一內視鏡手術系統之一示意性組態之一實例之一視圖。 [圖27] 圖27係繪示一攝影機頭部及一攝影機控制單元(CCU)之一功能組態之一實例之一方塊圖。 [圖28] 圖28係繪示一車輛控制系統之示意性組態之一實例之一方塊圖。 [圖29] 圖29係輔助闡釋一車輛外資訊偵測區段及一成像區段之安裝位置之一實例之一圖式。

Claims (20)

  1. 一種半導體裝置，其包括： 一裝置基板，其包含一裝置區域、安置在該裝置區域外側之一周邊區域及一第一佈線層，其中該裝置區域包含該第一佈線層之一第一部分及一半導體層，其中該半導體層包含一化合物半導體材料，且其中該周邊區域包含該第一佈線層之一第二部分；及一電路基板，其包含一第二佈線層，其中該裝置基板與該電路基板透過該第一佈線層之該第二部分及該第二佈線層彼此耦合。
  2. 如請求項1之半導體裝置，其中該第一佈線層之該第一部分在與該第一佈線層之該第二部分耦合至該第二佈線層相同之一平面處耦合至該第二佈線層。
  3. 如請求項1之半導體裝置，其中該周邊區域包含耦合至該第一佈線層之該第二部分之一貫穿電極，且其中該裝置基板進一步包含環繞該半導體層及該貫穿電極之一埋入層。
  4. 如請求項3之半導體裝置，其進一步包括： 一第一電極，其位於該第一佈線層中且電耦合至該半導體層；及一第二電極，其位於該第二佈線層中且面對該第一電極。
  5. 如請求項4之半導體裝置，其中該第二電極包含位於該周邊區域中之一部分。
  6. 如請求項4之半導體裝置，其中該貫穿電極位於該埋入層中，其中該貫穿電極電耦合至該第二電極，且其中該埋入層環繞該第一佈線層。
  7. 如請求項3之半導體裝置，其中該埋入層及該第二佈線層包含暴露該第二佈線層中之一墊之一凹部。
  8. 如請求項3之半導體裝置，其中該埋入層係在該半導體層之一水平方向上設置的。
  9. 如請求項1之半導體裝置，其中該裝置基板進一步包含位於該裝置基板之一光入射側上之一鈍化膜。
  10. 如請求項1之半導體裝置，其中該周邊區域包含位於該裝置區域之一第一側處之一第一區域及位於該裝置區域之一第二側處之一第二區域，其中該第一側與該第二側係相對側。
  11. 如請求項1之半導體裝置，其中該化合物半導體材料吸收處於一紅外線區域中之一波長之光。
  12. 如請求項1之半導體裝置，其中該化合物半導體材料係砷化銦鎵(InGaAs)、砷銻化銦(InAsSb)、砷化銦(InAs)、銻化銦(InSb)及汞碲化鎘(HgCdTe)中之一者。
  13. 如請求項1之半導體裝置，其進一步包括： 一晶片上透鏡，其位於該半導體層之一光入射側上，其中該電路基板包含與該裝置基板之該周邊區域及該裝置區域對準之一周邊區域及一裝置區域，且其中該裝置基板與該電路基板在其各別周邊區域處直接彼此接合。
  14. 如請求項11之半導體裝置，其進一步包括堆疊在該裝置基板上且包含一光電二極體之一矽層，其中該光電二極體吸收處於一可見光區域中之一波長之光。
  15. 一種製造一半導體裝置之方法，其包括： 形成包含一化合物半導體材料之一半導體層；將該半導體層接合至一臨時基板；在該半導體層上形成一埋入層；減小該埋入層之一厚度，因此該埋入層之頂部表面與該半導體層之頂部表面係共面的；在該半導體層之與接合至該臨時基板之一表面相對之一表面上形成一佈線層；及將一電路基板接合至該佈線層以使該半導體層與該電路基板彼此耦合。
  16. 如請求項15之製造半導體裝置之方法，其中在將該半導體層接合至該臨時基板之後，對該半導體層執行蝕刻。
  17. 如請求項15之製造半導體裝置之方法，其進一步包括： 在該半導體層上形成一頂蓋層，其中該將該半導體層接合至臨時層包含將該半導體層接合至該頂蓋層。
  18. 如請求項17之製造半導體裝置之方法，其中藉由該頂蓋層與該臨時基板之間的一黏合劑層將該半導體層接合至該臨時基板。
  19. 如請求項15之製造半導體裝置之方法，其進一步包括： 藉由在該半導體層中形成複數個擴散區域而將該半導體層劃分成複數個半導體層。
  20. 一種電子設備，其包括： 一半導體裝置，該半導體裝置包含：一裝置基板，其包含一裝置區域、安置在該裝置區域外側之一周邊區域及一第一佈線層，其中該裝置區域包含該第一佈線層之一第一部分及一半導體層，其中該半導體層包含一化合物半導體材料，且其中該周邊區域包含該第一佈線層之一第二部分；及一電路基板，其包含一第二佈線層，其中該裝置基板與該電路基板透過該第一佈線層之該第二部分及該第二佈線層彼此耦合。
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