TW201842035A - 氟樹脂薄膜 - Google Patents

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Abstract

提供具有低的靜摩擦係數及高的絕緣破壞強度的氟樹脂薄膜。本發明之氟樹脂薄膜，其係包含氟樹脂的氟樹脂薄膜，其特徵為至少一側之表面之十點平均粗糙度為0.100～1.200μm，且算術平均粗糙度為0.010～0.050μm，絕緣破壞強度為400V/μm以上。

Description

氟樹脂薄膜
本發明為關於氟樹脂薄膜。
偏二氟乙烯的均聚物的薄膜、或由偏二氟乙烯與其他的單體所成之共聚物的薄膜已知是具有高的比介電率。
專利文獻1中記載著一種使用氟樹脂所形成的高介電薄膜，該氟樹脂包含合計為95莫耳%以上的偏二氟乙烯單位及四氟乙烯單位。
專利文獻2中記載著一種包含四氟乙烯系樹脂來作為薄膜形成樹脂的薄膜電容器用薄膜，該四氟乙烯系樹脂包含偏二氟乙烯單位及四氟乙烯單位，偏二氟乙烯單位/四氟乙烯單位(莫耳%比)為0/100～49/51之範圍。
然而，專利文獻3中記載著一種二軸配向聚丙烯薄膜，其係由以丙烯作為主體的聚丙烯樹脂所成之聚丙烯薄膜，其特徵為，該聚丙烯樹脂係對於直鏈狀聚丙烯混合0.1～1.5重量%的支鏈狀聚丙烯(H)而成，該支鏈狀聚丙烯(H)係以230℃測定時的熔融張力(MS)與熔融流動指數(MFR)為滿足log(MS)＞-0.56log(MFR)+0.74之關係式，該薄膜表面之至少一側之面具有由梨皮狀的凹凸所成之基層、且該表面的十點平均粗糙度(Rz)為0.50～1.50μm、表面光澤度為90～135%。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2008/090947號 　　[專利文獻2]國際公開第2012/039424號 　　[專利文獻3]日本專利第4940986號公報
[發明所欲解決之課題]
但，對於薄膜電容器等中所使用的氟樹脂薄膜而言，除了要求高的比介電率以外，亦要求著具有高的絕緣破壞強度之同時，具有低的靜摩擦係數來改善薄膜的捲取性等。但至今仍無法得到能維持高的絕緣破壞強度之同時具有低的靜摩擦係數的氟樹脂薄膜。
本發明之目的係有鑑於上述現狀，故提供一種具有低的靜摩擦係數及高的絕緣破壞強度的氟樹脂薄膜。 [解決課題之手段]
本發明為一種氟樹脂薄膜，其係包含氟樹脂的氟樹脂薄膜，其特徵為至少一側之表面之十點平均粗糙度為0.100～1.200μm，且算術平均粗糙度為0.010～0.050μm，絕緣破壞強度為400V/μm以上。
上述氟樹脂較佳為偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物。又，上述氟樹脂亦較佳為進一步包含基於乙烯性不飽和單體(但四氟乙烯及偏二氟乙烯除外)的共聚物單位。
本發明之氟樹脂薄膜較佳為進一步包含無機粒子。相對於氟樹脂100質量份，無機粒子之含量較佳為0.01～5質量份。
本發明之氟樹脂薄膜較佳為經壓紋加工者。
本發明之氟樹脂薄膜亦較佳為經表面塗佈者。
本發明之氟樹脂薄膜較佳為包含2種的氟樹脂來作為氟樹脂。
本發明之氟樹脂薄膜較佳為包含未交聯氟樹脂與交聯氟樹脂來作為氟樹脂。
又，本發明之氟樹脂薄膜亦較佳為包含2種熔融流動速率為相異的氟樹脂來作為氟樹脂。較佳為氟樹脂之一方為熔融流動速率2.0～30.0g/10分的氟樹脂，另一方為熔融流動速率0.1～1.9g/10分的氟樹脂。
本發明之氟樹脂薄膜較佳為包含2種聚合單位之組成比為相異的氟樹脂來作為氟樹脂。較佳為氟樹脂之一方為偏二氟乙烯單位/四氟乙烯單位之莫耳比為95.0/5.0～39.0/61.0的偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物，另一方為偏二氟乙烯單位/四氟乙烯單位之莫耳比為38.9/61.1～5.0/95.0的偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物。
本發明之氟樹脂薄膜較佳為二軸延伸薄膜。
本發明之氟樹脂薄膜係以厚度為1～100μm為較佳。
本發明亦為一種薄膜電容器用薄膜，其係在上述氟樹脂薄膜之至少單面上具備有電極層。
本發明進一步亦為一種薄膜電容器，其係具備有上述薄膜電容器用薄膜。 [發明的效果]
本發明之氟樹脂薄膜係因為具有上述構成，故具有低的靜摩擦係數及高的絕緣破壞強度。
[實施發明之最佳形態]
以下，具體地說明本發明。
本發明之氟樹脂薄膜係包含氟樹脂，至少一側之表面之十點平均粗糙度為0.100～1.200μm，且算術平均粗糙度為0.010～0.050μm，絕緣破壞強度為400V/μm以上，因而即是具有高的絕緣破壞強度，亦仍具有低的靜摩擦係數。據此，亦可實現優異的捲取性。 　　又，將氟樹脂薄膜使用作為薄膜電容器用的高介電性薄膜之情形時，若產生絕緣破壞則會產生氣體，而使可靠性降低，但本發明之氟樹脂薄膜係因為具有上述構成，故所產生的氣體容易排放而亦具有優異的可靠性(例如長期耐久性等)。 　　進一步，因為包含氟樹脂，故與使用介電率為低的樹脂之情形相比較時，即使是使薄膜的厚度變薄亦可得到高的電容量。
一般而言，相較於汎用樹脂，亞乙烯(vinylidene)系氟樹脂為高介電材料，其係容易帶靜電(容易帶電)的樹脂。因此，因為靜電的作用，薄膜彼此間、或薄膜成形中對於輥亦為容易密著，而使得操作性變困難，故生產性為低。進一步，若薄膜表面為平滑時(接觸面積越大)，凡得瓦爾力(分子間力)亦會作用，薄膜彼此間、對於輥將為容易密著等，而使得操作性更加變得困難。 　　本發明之氟薄膜係由於具有特定的絕緣破壞強度、且特定的表面性狀，故即使是高介電材料，在薄膜彼此間、或薄膜生產時不會密著於成形機的各輥而可滑動，可提供薄膜的操作性、薄膜生產性為未降低的高介電性薄膜。
本發明之氟樹脂薄膜，至少一側之表面之十點平均粗糙度為0.100～1.200μm，且算術平均粗糙度為0.010～0.050μm。 　　就氟樹脂薄膜的靜摩係數為低及可靠性為優異之點而言，上述十點平均粗糙度係以0.150～1.150μm為較佳，以0.170～1.100μm為又較佳，以0.200～1.000μm為更佳。又，上述算術平均粗糙度係以0.011～0.048μm為較佳，以0.012～0.045μm為又較佳，以0.013～0.045μm為更佳。
上述十點平均粗糙度及算術平均粗糙度的值係基於JIS B-0601-2001所測定的值。可使用例如Keyence股份有限公司製「雷射顯微鏡」來進行測定。
本發明之氟樹脂薄膜，絕緣破壞強度為400 V/μm以上，較佳為420V/μm以上，更佳為450V/μm以上，特佳為500V/μm以上。上述絕緣破壞強度之上限並無限定，但亦可例如為1000V/μm以下、或亦可為800V/μm以下。又，亦可為700V/μm以下、或亦可為650V/μm以下。 　　上述絕緣破壞強度係將上述薄膜放置於下部電極，作為上部電極為放置φ25mm、重量500g的砝碼，並使兩端以100V/sec下來增加電壓，從而測定至破壞的電壓。測定數係設為50點，削除上下5點來算出平均值，並利用除以厚度的值來求出絕緣破壞強度。
本發明之氟樹脂薄膜，結晶化度較佳為50%以上。藉由使氟樹脂薄膜的結晶化度成為上述範圍內，可製造出具有上述絕緣破壞強度的氟樹脂薄膜。作為上述結晶化度係以60%以上為又較佳，以70%以上為更佳。結晶化度的上限並無特別限定，但可為100%。結晶性高的樹脂，對於將絕緣破壞強度設為400V/μm以上為有效的。 　　上述結晶化度係利用X線繞射裝置，使用波峰分離法來測定薄膜。具體而言，將以合計的厚度成為40μm以上之方式所疊合的多片薄膜的測定樣品安置在樣品架上，由利用X線繞射裝置所得到的繞射光譜的結晶質部分與非晶質部分的面積比來算出結晶化度。
本發明為一種氟樹脂薄膜，其係包含氟樹脂。
作為上述氟樹脂，可舉出聚四氟乙烯、四氟乙烯/乙烯共聚物、聚偏二氟乙烯、四氟乙烯/全氟烷基乙烯基醚共聚物、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物等。作為氟樹脂係以熔融加工性的氟樹脂為又較佳。 　　就展現出更優異的耐熱性、高介電性而言，以包含偏二氟乙烯單位的氟聚合物為較佳，以由偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物、偏二氟乙烯/三氟乙烯共聚物、偏二氟乙烯/六氟丙烯共聚物、及偏二氟乙烯/四氟乙烯/六氟丙烯共聚物所成群中選出之至少1種為又較佳。
上述氟樹脂，熔融流動速率(MFR)較佳為0.1～100g/10分，以0.1～50g/10分為又較佳。 　　上述MFR係依據ASTM D3307-01，以297℃、5kg荷重下，從內徑2mm、長度8mm的噴嘴中以每10分鐘所流出的聚合物的質量(g/10分)。
上述氟樹脂，在頻率1kHz、30℃下的比介電率(ε)較佳為8以上，以9以上為又較佳。上述比介電率的上限並無特別限定，但可例如為15。 　　上述比介電率係在已形成上述氟樹脂的薄膜的表面上實施φ50mm的鋁蒸鍍，並連該相反面也全面地實施鋁蒸鍍來作為樣品，使用LCR測量儀來測定容量(C)，並由容量、電極面積(S)、薄膜的厚度(d)，利用式C=ε×ε0 ×S/d(ε0 為真空的介電率)來算出的值。
上述氟樹脂，熔點較佳為180℃以上，上限可為320℃。又較佳的下限為190℃，上限為300℃。 　　上述熔點係使用示差掃描熱量計，依據ASTM D-4591，以昇溫速度10℃/分來進行熱測定，並將所得到的吸熱曲線處於波峰的溫度設為熔點。
上述氟樹脂，熱分解開始溫度(1%質量減少溫度)較佳為360℃以上。又較佳的下限為370℃。若上述熱分解開始溫度在上述範圍內時，可將上限設為例如410℃。 　　上述熱分解開始溫度係供給於加熱測試的共聚物的1質量%為被分解的溫度，藉由使用示差熱・熱重量測定裝置[TG-DTA]，來測定供給於加熱測試的共聚物的質量為減少1質量%時的溫度，而得到該值。
上述氟樹脂，以動態黏彈性測定所測得的170℃下的儲存模數(E’；storage modulus)較佳為60～400MPa。 　　上述儲存模數係以動態黏彈性測定來測定在170℃下的值，更具體而言是利用動態黏彈性裝置，以拉伸模式、夾持寬度20mm、測定溫度從25℃至250℃、昇溫速度2℃/min、頻率1Hz的條件下，來測定長度30mm、寬度5mm、厚度0.25mm的樣品而得到的值。在170℃下的較佳的儲存模數(E’)為80～350MPa，又較佳為的儲存模數(E’)為100～350MPa。 　　測定樣品可藉由例如下述般來製作：將成形溫度設定較共聚物的熔點高50～100℃的溫度，並藉由3MPa的壓力來成形為厚度0.25mm的薄膜，將該薄膜裁切成長度30mm、寬度5mm。
作為上述氟樹脂，就優異的高介電性、低的靜摩擦係數、高的絕緣破壞強度之觀點而言，以偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(VdF/TFE共聚物)為較佳。 　　上述VdF/TFE共聚物係以偏二氟乙烯單位/四氟乙烯單位之莫耳比為5/95～95/5為較佳，以10/90～90/10為又較佳，以10/90～49/51為更佳。以20/80以上(相對於VdF單位與TFE單位的合計100莫耳%，VdF單位為20莫耳%以上，TFE單位為80莫耳%以下)為又較佳，以45/55以下(相對於VdF單位與TFE單位的合計100莫耳%，VdF單位為45莫耳%以下，TFE單位為55莫耳%以上)為更佳。
上述VdF/TFE共聚物，以進一步包含乙烯性不飽和單體(但四氟乙烯及偏二氟乙烯除外)的共聚合單位為較佳。 　　作為上述乙烯性不飽和單體的共聚合單位之含量，相對於全共聚合單位可為0～50莫耳%，可為0～40莫耳%，可為0～30莫耳%，可為0～15莫耳%，可為0～10莫耳%，可為0～5莫耳%。乙烯性不飽和單體的共聚物之含量係可為0.1莫耳%以上。
作為上述乙烯性不飽和單體，只要是能夠與四氟乙烯及偏二氟乙烯共聚合的單體即可，並無特別限制，以由下述之式(1)及(2)所表示之乙烯性不飽和單體所成群中選出之至少1種為較佳。
(式中，X1 、X2 、X3 及X4 係相同或相異地表示H、F或Cl，n係表示0～8的整數，但四氟乙烯及偏二氟乙烯除外)
(式中，Rf1 係表示碳數1～3的烷基或碳數1～3的氟烷基)
作為式(1)所表示之乙烯性不飽和單體，以由CF2 =CFCl、CF2 =CFCF3 、下述式(3)：(式中，X4 及n係與上述相同)、及、下述式(4)：(式中，X4 及n係與上述相同) 　　所成群中選出之至少1種為較佳；以由CF2 =CFCl、CH2 =CFCF3 、CH2 =CH-C4 F9 、CH2 =CH-C6 F13 、CH2 =CF-C3 F6 H及CF2 =CFCF3 所成群中選出之至少1種為又較佳；以由CF2 =CFCl、CH2 =CH-C6 F13 及CH2 =CFCF3 選出之至少1種為更佳。
作為式(2)所表示之乙烯性不飽和單體，以由CF2 =CF-OCF3 、CF2 =CF-OCF2 CF3 及CF2 =CF-OCF2 CF2 CF3 所成群中選出之至少1種為較佳。
上述VdF/TFE共聚物，較佳為包含下述共聚合單位的共聚物： 　　55.0～90.0莫耳%的四氟乙烯、 　　5.0～44.9莫耳%的偏二氟乙烯、及、 　　0.1～10.0莫耳%的式(1)所表示之乙烯性不飽和單體，(式中，X1 、X2 、X3 及X4 係相同或相異地表示H、F或Cl，n係表示0～8的整數，但四氟乙烯及偏二氟乙烯除外)。
又較佳為包含下述共聚合單位的共聚物： 　　55.0～85.0莫耳%的四氟乙烯、 　　10.0～44.9莫耳%的偏二氟乙烯、及、 　　0.1～5.0莫耳%的式(1)所表示之乙烯性不飽和單體。
更佳為包含下述共聚合單位的共聚物： 　　55.0～85.0莫耳%的四氟乙烯、 　　13.0～44.9莫耳%的偏二氟乙烯、及、 　　0.1～2.0莫耳%的式(1)所表示之乙烯性不飽和單體。
就使VdF/TFE共聚物的高溫及低溫下的機械強度提升之觀點而言，式(1)所表示之乙烯性不飽和單體係以由CH2 =CH-C4 F9 、CH2 =CH-C6 F13 及CH2 =CF-C3 F6 H所成群中選出之至少1種的單體為較佳。又較佳為，式(1)所表示之乙烯性不飽和單體係由CH2 =CH-C4 F9 、CH2 =CH-C6 F13 及CH2 =CF-C3 F6 H所成群中選出之至少1種的單體，且共聚物係包含下述共聚合單位的共聚物： 　　55.0～80.0莫耳%的四氟乙烯、 　　19.5～44.9莫耳%的偏二氟乙烯、及、 　　0.1～0.6莫耳%的式(1)所表示之乙烯性不飽和單體。
上述VdF/TFE共聚物亦可為包含下述共聚合單位的共聚物： 　　58.0～85.0莫耳%的四氟乙烯、 　　10.0～41.9莫耳%的偏二氟乙烯、及、 　　0.1～5.0莫耳%的式(1)所表示之乙烯性不飽和單體。
上述VdF/TFE共聚物亦較佳為包含下述共聚合單位的共聚物： 　　55.0～90.0莫耳%的四氟乙烯、 　　9.2～44.2莫耳%的偏二氟乙烯、及、 　　0.1～0.8莫耳%的式(2)所表示之乙烯性不飽和單體，(式中，Rf1 係表示碳數1～3的烷基或碳數1～3的氟烷基)。
又較佳為包含下述共聚合單位的共聚物： 　　58.0～85.0莫耳%的四氟乙烯、 　　14.5～39.9莫耳%的偏二氟乙烯、及、 　　0.1～0.5莫耳%的式(2)所表示之乙烯性不飽和單體。
上述VdF/TFE共聚物亦較佳為包含下述共聚合單位的共聚物： 　　55.0～90.0莫耳%的四氟乙烯、 　　5.0～44.8莫耳%的偏二氟乙烯、 　　0.1～10.0莫耳%的式(1)所表示之乙烯性不飽和單體、及、 　　0.1～0.8莫耳%的式(2)所表示之乙烯性不飽和單體。
又較佳為包含下述共聚合單位的共聚物： 　　55.0～85.0莫耳%的四氟乙烯、 　　9.5～44.8莫耳%的偏二氟乙烯、 　　0.1～5.0莫耳%的式(1)所表示之乙烯性不飽和單體、及、 　　0.1～0.5莫耳%的式(2)所表示之乙烯性不飽和單體。
更佳為包含下述共聚合單位的共聚物： 　　55.0～80.0莫耳%的四氟乙烯、 　　19.8～44.8莫耳%的偏二氟乙烯、 　　0.1～2.0莫耳%的式(1)所表示之乙烯性不飽和單體、及 　　0.1～0.3莫耳%的式(2)所表示之乙烯性不飽和單體。若上述共聚物具有該組成之情形時，特別對於低透過性為優異。
上述共聚物係亦可為包含下述共聚合單位的共聚物： 　　58.0～85.0莫耳%的四氟乙烯、 　　9.5～39.8莫耳%的偏二氟乙烯、 　　0.1～5.0莫耳%的式(1)所表示之乙烯性不飽和單體、及 　　0.1～0.5莫耳%的式(2)所表示之乙烯性不飽和單體。
本發明之氟樹脂薄膜可以是實質上僅由氟樹脂所成之薄膜、或亦可以是包含除氟樹脂以外的其他成分之薄膜。本發明之氟樹脂薄膜係以包含氟樹脂50質量%以上者為較佳。
以下，對於本發明之更適合的形態來進行說明。
本發明之氟樹脂薄膜，可進一步包含無機粒子。藉由在氟樹脂薄膜中調配無機粒子，從而可製造出具有上述十點平均粗糙度及算術平均粗糙度的氟樹脂薄膜，並可改善捲取性。又，藉由包含無機粒子，從而可使機械強度的特性得到提升。 　　就得到具有上述十點平均粗糙度及算術平均粗糙度的氟樹脂薄膜之觀點而言，相對於氟樹脂100質量份，無機粒子之含量較佳為0.01～5質量份。又較佳為相對於氟樹脂100質量份為0.05～4質量份，更佳為0.1～3質量份。
作為上述無機粒子，可舉出二氧化矽、高介電性無機粒子、補強用填充料等。
就不損及薄膜的機械強度並可改善薄膜的捲取性之方面而言，以上述二氧化矽為較佳。二氧化矽之含量，就薄膜的捲取性及絕緣破壞強度之方面而言，相對於氟樹脂100質量份，以0.01～1質量份為較佳，以0.1質量份以上為又較佳。又，若添加量過多時，與添加劑的界面會變大，而有可能導致成為缺陷之虞。
作為上述高介電性無機粒子，可舉出鈦酸鋇系氧化物粒子、鈦酸鍶系氧化物粒子等。就薄膜的捲取性及絕緣破壞強度之方面而言，高介電性無機粒子之含量係相對於氟樹脂100質量份以0.1～10質量份為較佳。又，若添加量過多時，與添加劑的界面會變大，而有可能導致成為缺陷之虞。
若含有上述鈦酸鋇系氧化物粒子時，介電率雖會提升，但可發現介電損失的增加、耐電壓的降低。因此，上述鈦酸鋇系氧化物粒子之含量係相對於氟樹脂100質量份以10質量份左右為上限。又，就捲取性、介電率提升的改善效果之方面而言，鈦酸鋇系氧化物粒子之含量係以0.1質量份以上為較佳。又，若添加量過多時，與添加劑的界面會變大，而有可能導致成為缺陷之虞。
本發明之氟樹脂薄膜，經壓紋加工者亦為適合的形態之一種。藉由經壓紋加工，可製造出具有上述十點平均粗糙度及算術平均粗糙度的氟樹脂薄膜，從而使靜摩擦係數降低進而可改善捲取性。又，藉由經壓紋加工，因此抑制了薄膜加工時的皺褶的產生，從而減低缺陷並使可靠性提升。以使氟樹脂薄膜能滿足上述十點平均粗糙度、算術平均粗糙度及絕緣破壞強度之方式來進行上述壓紋加工即可，可採用通常的壓紋加工。 　　具體而言，藉由將具有條紋或梨皮、正方形、波形、梯形、菱形、布紋、絹紋、斜線、點等的凸凹的壓紋輥，在常溫常濕下按壓於薄膜上，從而可對薄膜表面進行壓紋加工。 　　壓紋加工中，若賦予深的凹面時，膜厚將變薄，故該部分的絕緣破壞強度為降低。因此，壓紋加工中之凹面係以膜厚的5%以內為較佳。
本發明之氟樹脂薄膜，經表面塗佈者亦為適合的形態之一種。藉由經表面塗佈，可製造出具有上述十點平均粗糙度及算術平均粗糙度的氟樹脂薄膜，從而使靜摩擦係數降低進而可改善捲取性。又，藉由經表面塗佈，從而可使絕緣破壞強度的特性得到提升。以能滿足上述十點平均粗糙度、算術平均粗糙度及絕緣破壞強度之方式來進行上述表面塗佈即可，可採用以往的表面塗佈。 　　具體而言，藉由將奈米粒子分散溶液塗佈在薄膜表面上，並以溶劑的沸點以上來進行乾燥處理，從而可對薄膜表面進行塗佈。作為奈米粒子，以粒徑500nm以下為較佳，可舉出二氧化矽、氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅等。又，並無溶劑的限制，但若無法均勻地塗佈在薄膜表面上時，將會導致不均，故以在氟樹脂薄膜上為不易收縮(cissing)的酯系、酮系的溶劑為較佳。又，僅併用奈米粒子與溶劑時，表面塗佈不會貼附在薄膜表面，故黏合劑的添加亦為必須。作為黏合劑的例子，可舉出聚偏二氟乙烯。
本發明之氟樹脂薄膜，以包含2種的氟樹脂來作為氟樹脂為適合的形態之一種。藉由包含2種的氟樹脂，可製造出具有上述十點平均粗糙度及算術平均粗糙度的氟樹脂薄膜，從而使靜摩擦係數降低進而可改善捲取性。又，若包含2種的氟樹脂之情形時，可得到對薄膜加工時為不易破裂、且機械強度為優異的氟樹脂薄膜。 　　2種的氟樹脂係以互為相溶(互溶)的聚合物為較佳。藉由使用互溶的聚合物，可得到更不易破裂、且機械強度為優異的氟樹脂薄膜。 　　本說明書中，所謂「互溶」係指2種的氟樹脂成為熔融且均勻地摻合狀態之意。
上述氟樹脂，以包含未交聯氟樹脂與交聯氟樹脂為較佳。若包含未交聯氟樹脂與交聯氟樹脂之情形時，由於並非其他素材的複合體而為相同的氟材料，故不易生成界面，而可得到缺陷少的薄膜。 　　上述交聯氟樹脂係例如可藉由對未交聯氟樹脂照射電子線從而製造。即，上述交聯氟樹脂係可以是被照射電子線者。作為藉由電子線之交聯，吸收線量方面係以在常溫下為20kGy～100kGy的範圍為較佳。藉由經電子線照射在分子鏈間形成三次元網絡，從而可使降伏點應力、彈性率得到提升。 　　又，交聯氟樹脂係亦可藉由添加交聯劑來使其熱硬化、紫外線硬化而製造。作為交聯劑，可舉出二烷基過氧化物、三烯丙基異氰脲酸酯、過氧化酯等。
因為容易互溶，而可得到機械強度為優異的氟樹脂薄膜，故上述未交聯氟樹脂及交聯氟樹脂係以具有相同的聚合單位的氟樹脂為較佳，以皆具有VdF單位的氟樹脂為又較佳，以皆具有VdF/TFE共聚物為佳。又，上述未交聯氟樹脂及交聯氟樹脂係以設為相同的組成比為較佳。上述組成比係可設為對於上述氟樹脂所述般。 　　本說明書中，所謂「交聯」係指分子鏈連繫而形成三次元網絡狀態之意。
就氟樹脂薄膜的絕緣破壞強度、機械強度之方面而言，相對於交聯氟樹脂與未交聯氟樹脂的合計，交聯氟樹脂較佳為0.01～10質量%。又較佳為0.03質量%以上，更更佳為0.05質量%以上，特佳為0.1質量%以上。又，若添加量過多時，因為與添加劑的界面會變大，而會導致成為缺陷，故以10質量%以下為又較佳，以8質量%以下為更佳，以5質量%以下為特佳。
本發明之氟樹脂薄膜，以包含2種熔融流動速率為相異的氟樹脂來作為氟樹脂亦為適合的形態之一種。 　　就氟樹脂薄膜的絕緣破壞強度、機械強度之方面而言，上述氟樹脂係以一方的熔融流動速率為2.0～30.0g/10分，另一方的熔融流動速率為0.1～1.9g/10分為較佳。又，一方的熔融流動速率為2.0～20.0g/10分，另一方的熔融流動速率為0.1～1.9g/10分為較佳。又較佳為一方的熔融流動速率為2.1～10.0g/10分，另一方的熔融流動速率為0.5～1.8g/10分。
就氟樹脂薄膜的絕緣破壞強度、機械強度之方面而言，相對於另一方為具有較小的熔融流動速率的氟樹脂，相對於氟樹脂的合計100質量%，以0.1～10質量%為較佳，以0.5～8質量%為又較佳，以1～5質量%為更更佳。
本發明之氟樹脂薄膜，以包含2種聚合單位之組成比為相異的氟樹脂來作為氟樹脂亦為適合的形態之一種。 　　就氟樹脂薄膜的絕緣破壞強度、機械強度之方面而言，作為氟樹脂係包含基於VdF的聚合單位，並以包含基於VdF的聚合單位的比例為不同的2種的聚合物為較佳。 　　若包含基於VdF的聚合單位的比例為不同的氟樹脂之情形時，就氟樹脂薄膜的絕緣破壞強度、機械強度之方面、及若添加量過多時，因為與添加劑的界面會變大，而會導致缺陷，故基於VdF的聚合單位的比例為較少的聚合物之含量，相對於氟樹脂的合計，以0.1～10質量%為較佳，以0.5～8質量%為又較佳。
就氟樹脂薄膜的絕緣破壞強度、機械強度之方面而言，氟樹脂又較佳為：一方為偏二氟乙烯(VdF)單位/四氟乙烯(TFE)單位之莫耳比為35.0/65.0～50.0/50.0的VdF/TFE共聚物，另一方為VdF單位/TFE單位之莫耳比為10.0/90.0以上且未滿35.0/65.0(相對於VdF單位與TFE單位的合計100莫耳%，VdF單位為10.0莫耳%以上且未滿35.0莫耳%，TFE單位為90.0莫耳%以下且超過65.0莫耳%)的VdF/TFE共聚物。
又，上述氟樹脂亦較佳為：一方為偏二氟乙烯單位/四氟乙烯單位之莫耳比為95.0/5.0～39.0/61.0的偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物，另一方為偏二氟乙烯單位/四氟乙烯單位之莫耳比為38.9/61.1～5.0/95.0的偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物。 　　又，上述氟樹脂亦較佳為：一方為偏二氟乙烯單位/四氟乙烯單位之莫耳比為50.0/50.0～39.0/61.0的偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物，另一方為偏二氟乙烯單位/四氟乙烯單位之莫耳比為38.9/61.1～10.0/90.0的偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物。 　　上述偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物係皆以進一步包含乙烯性不飽和單體(但四氟乙烯及偏二氟乙烯除外)的共聚合單位為較佳，作為上述乙烯性不飽和單體的共聚合單位之含量，相對於全共聚合單位，以0.1莫耳%～5.0莫耳%為較佳。
本發明之氟樹脂薄膜亦較佳為包含偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物與聚偏二氟乙烯來作為氟樹脂。若併用偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物與聚偏二氟乙烯之情形時，氟樹脂薄膜的機械特性將更加提升。 　　相對於偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物與聚偏二氟乙烯的合計，聚偏二氟乙烯較佳為0.1～10質量%，又較佳為0.5質量%以上，更佳為1質量%以上。又，以8質量%以下為又較佳，以6質量%以下為特佳。 　　本說明書中，聚偏二氟乙烯係意味僅由基於偏二氟乙烯的單體單位所成的聚合物。
本發明之氟樹脂薄膜亦較佳為包含偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物與六氟丙烯/四氟乙烯共聚物(FEP)來作為氟樹脂。若併用偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物與六氟丙烯/四氟乙烯共聚物之情形時，氟樹脂薄膜的機械特性將更加提升。 　　若六氟丙烯/四氟乙烯共聚物的添加量過多時，因為與添加劑的界面會變大，而會導致成為缺陷，故相對於偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物與六氟丙烯/四氟乙烯共聚物的合計，以0.1～10質量%為較佳，又較佳為0.5質量%以上，更佳為1質量%以上。又，以8質量%以下為又較佳，以6質量%以下為特佳。
上述六氟丙烯/四氟乙烯共聚物(FEP)係包含四氟乙烯(TFE)單位及六氟丙烯(HFP)單位。
上述FEP係以TFE單位與HFP單位的質量比(TFE/HFP)為70～99/1～30(質量%)為較佳。上述質量比(TFE/HFP)係以85～95/5～15(質量%)為又較佳。
上述FEP，除了TFE單位及HFP單位以外，亦較佳為進一步包含全氟烷基乙烯基醚(PAVE)單位的TFE/HFP/PAVE共聚物。作為上述FEP中所包含之PAVE單位，可舉出基於由一般式(5)：(式中，Y1 係表示F或CF3 ，Rf 係表示碳數1～5的全氟烷基，p係表示0～5的整數，q係表示0～5的整數)、及、一般式(6)：(式中，X係相同或相異地表示F或CF3 ，R1 係表示直鏈或支鏈的碳數為1～6的全氟烷基、或碳數為5或6的環狀全氟烷基) 　　所成群中選出之至少1種的單位。 　　具體而言，可舉出全氟(甲基乙烯基醚)[PMVE]、全氟(乙基乙烯基醚)[PEVE]、全氟(丙基乙烯基醚)[PPVE]、全氟(丁基乙烯基醚)[PBVE]等。 　　其中，作為上述PAVE係以具有體積大(bulky)的側鏈者為較佳，具體而言以PPVE為較佳。
上述FEP，相對於全聚合單位，基於TFE、HFP及PAVE的聚合單位的合計較佳為90莫耳%以上，更佳為95莫耳%以上。上述FEP係可以是僅由基於TFE及HFP的聚合單位所成、也可以是僅由基於TFE、HFP及PAVE的聚合單位所成。
若上述FEP為TFE/HFP/PAVE共聚物之情形時，以質量比(TFE/HFP/PAVE)為70～99.8/0.1～25/0.1～25(質量%)為較佳。若為上述範圍內時，耐熱性更加為優異。 　　上述質量比(TFE/HFP/PAVE)係以75～98/1.0～15/1.0～10(質量%)為又較佳。 　　上述TFE/HFP/PAVE共聚物係包含合計為1質量%以上的HFP單位及PAVE單位。
上述TFE/HFP/PAVE共聚物，以HFP單位為全單體單位的25質量%以下為較佳。若HFP單位之含量為上述之範圍內時，耐熱性為更加優異。HFP單位之含量係以20質量%以下為又較佳，以18質量%以下為更佳。特佳為15質量%以下。又，HFP單位之含量係以0.1質量%以上為較佳，以1質量%以上為又較佳。特佳為2質量%以上。 　　尚，HFP單位之含量係可藉由19F-NMR法來進行測定。
上述TFE/HFP/PAVE共聚物中，PAVE單位之含量係以20質量%以下為又較佳，以10質量%以下為更佳。特佳為3質量%以下。又，PAVE單位之含量係以0.1質量%以上為較佳，以1質量%以上為又較佳。尚，PAVE單位之含量係可藉由19F-NMR法來進行測定。
上述FEP係可進一步包含其他的乙烯性單體(α)單位。 　　作為其他的乙烯性單體(α)單位，若為TFE單位及HFP單位、以及TFE/HFP/PAVE共聚物之情形時，只要是進一步能夠與PAVE單位共聚合的單體單位即可並無特別限定，可舉出例如氟乙烯[VF]、VdF、氯三氟乙烯[CTFE]等的含氟乙烯性單體、或乙烯、丙烯、烷基乙烯基醚等的非氟化乙烯性單體等。
若上述共聚物為TFE/HFP/PAVE/其他的乙烯性單體(α)共聚物之情形時，質量比(TFE/HFP/PAVE/其他的乙烯性單體(α))係以70～98/0.1～25/0.1～25/0.1～25(質量%)為較佳，以70～98/0.1～25/0.1～20/0.1～15(質量%)為又較佳，以70～98/0.1～20/0.1～10/0.1～5(質量%)為更佳。 　　上述TFE/HFP共聚物係包含合計為1質量%以上的TFE單位以外的聚合單位。
上述FEP係以熔點為200～300℃為較佳，又較佳為210℃以上，更佳為220℃以上。又，以280℃以下為又較佳，以270℃以下為特佳。 　　上述熔點係對應於使用示差掃描熱量計[DSC]並以10℃/分的速度下昇溫時的融解熱曲線中之極大值的溫度。
上述FEP，玻璃轉移溫度(Tg)較佳為60～110 ℃，以65℃以上為又較佳，以100℃以下為又較佳。上述玻璃轉移溫度係依據動態黏彈性測定來進行測定所得到的值。
上述FEP係可藉由例如適當混合成為該構成單位的單體、或聚合起始劑等的添加劑，並進行乳化聚合、溶液聚合或懸濁聚合等的以往周知的方法來予以製造。
上述FEP，熔融流動速率(MFR)較佳為0.1～10，又較佳為0.5以上，更佳為1以上。又，以5以下為又較佳，以3以下為特佳。 　　上述MFR係依據ASTM D3307-01，以297℃、5kg荷重下，從內徑2mm、長度8mm的噴嘴中以每10分鐘所流出的聚合物的質量(g/10分)。
又，本發明之氟樹脂薄膜亦較佳為包含偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物與全氟烷基乙烯基醚/四氟乙烯共聚物(PFA)來作為氟樹脂。若併用偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物與全氟烷基乙烯基醚/四氟乙烯共聚物之情形時，因為薄膜的表面粗糙度會變大而使摩擦係數降低，故薄膜的操作性為提升。 　　若全氟烷基乙烯基醚/四氟乙烯共聚物的添加量過多時，因為與添加劑的界面會變大，而會導致缺陷，故相對於偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物與全氟烷基乙烯基醚/四氟乙烯共聚物的合計，以0.1～10質量%為較佳，又較佳為0.3質量%以上，更佳為0.5質量%以上。又，以8質量%以下為又較佳，以6質量%以下為特佳。
作為構成上述PFA的PAVE，可舉出由一般式(5)：(式中，Y1 係表示F或CF3 ，Rf 係表示碳數1～5的全氟烷基，p係表示0～5的整數，q係表示0～5的整數)、及一般式(6)：(式中，X係相同或相異地表示F或CF3 ，R1 係表示直鏈或支鏈的碳數為1～6的全氟烷基、或碳數為5或6的環狀全氟烷基) 　　所成群中選出之至少1種。 　　具體而言可舉出全氟(甲基乙烯基醚)[PMVE]、全氟(乙基乙烯基醚)[PEVE]、全氟(丙基乙烯基醚)[PPVE]、全氟(丁基乙烯基醚)[PBVE]等。
其中，作為上述PAVE，以具有體積大的側鏈者為較佳，具體而言以PPVE為較佳。
上述PFA，相對於全聚合單位，較佳為包含1.0～10質量%的基於PAVE的聚合單位。 　　上述基於PAVE的聚合單位的量，相對於全聚合單位，以2.0質量%以上為又較佳，以3.5質量%以上為更佳，以4.0質量%以上為特佳，以5.0質量%以上為最佳，以8.0質量%以下為又較佳，以7.0質量%以下為更佳，以6.5質量%以下為特佳，以6.0質量%以下為最佳。尚，上述基於PAVE的聚合單位的量係依據19 F-NMR法來進行測定。 　　上述PFA，相對於全聚合單位，基於TFE及PAVE的聚合單位的合計較佳為90莫耳%以上，更佳為95莫耳%以上。上述PFA亦較佳為僅由基於TFE及PAVE的聚合單位所成。尚，上述PFA係不包含HFP單位。
上述PFA，每106 個主鏈碳數中可具有400個以下的不穩定末端基。上述不穩定末端基係-COF、-COOH、-CF2 H、-COOCH3 、-CH2 OH、-CONH2 、-CF=CF2 等，且上述個數係該等不穩定末端基的總數。上述個數係可以是20個以下、亦可以是10個以下。下限可為0個。特別是，每106 個主鏈碳數中具有20個以下的不穩定末端基的PFA，就在高頻區域(10GHz以上)的低介電正接之方面而言為較佳。
上述不穩定末端基數，可藉由紅外分光分析法來進行測定。 　　首先，將上述共聚物進行熔融擠壓成形，來製作厚度0.25～0.3mm的薄膜。藉由傅立葉轉換紅外分光分析來對該薄膜進行分析，得到上述共聚物的紅外吸收光譜，並得到與完全被氟化處理而不存在不穩定末端基的基譜(base spectrum)的差光譜(difference spectrum)。依據下述式(A)，由在該差光譜中所顯現的特定不穩定末端基的吸收波峰，來算出上述共聚物的每106 個碳原子中的不穩定末端基數N。 　　N=I×K/t　　(A) 　　I：吸光度 　　K：校正係數 　　t：薄膜的厚度(mm)
上述PFA，熔點較佳為280～322℃。 　　上述熔點係以290℃以上為又較佳，以315℃以下為又較佳。 　　上述熔點係對應於使用示差掃描熱量計[DSC]並以10℃/分的速度下昇溫時的融解熱曲線中之極大值的溫度。
上述PFA，玻璃轉移溫度(Tg)較佳為70～110℃。玻璃轉移溫度係以80℃以上為又較佳，以100℃以下為又較佳。 　　上述玻璃轉移溫度係藉由動態黏彈性測定來進行測定所得到的值。
上述PFA係可藉由例如適當混合成為該構成單位的單體、或聚合起始劑等的添加劑，並進行乳化聚合、懸濁聚合等的以往周知的方法來予以製造。
本發明之氟樹脂薄膜亦可包含氟樹脂以外的其他聚合物。作為其他聚合物，例如為了使可撓性提高以聚碳酸酯(PC)、聚酯、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚矽氧樹脂、聚醚、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯、聚丙烯(PP)等為較佳，為了提高強度可舉出聚(甲基)丙烯酸酯、環氧樹脂、聚環氧乙烷、聚環氧丙烷、聚伸苯醚(PPO)、聚苯硫醚(PPS)、聚醯胺(PA)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、PC、聚苯乙烯、聚苯并咪唑(PBI)等，又就輔助高介電性之方面而言，可舉出奇數聚醯胺、氰基普魯蘭多(cyanopullulan)、銅酞青素系聚合物等。
上述氟樹脂與其他聚合物的質量比，以50/50～99/1為較佳，以75/25～99/1為又較佳。
本發明之氟樹脂薄膜可包含親和性提升劑。作為親和性提升劑，可舉出偶合劑、官能基改性聚烯烴、苯乙烯改質聚烯烴、官能基改性聚苯乙烯、聚丙烯酸醯亞胺、枯基苯酚(cumylphenol)等，只要在不損及本發明效果之範圍內可包含該等。尚，就耐電壓之方面而言，以不包含該等的成分為又較佳。
本發明之氟樹脂薄膜，厚度較佳為100μm以下，以50μm以下為又較佳，以30μm以下為更佳，以10μm以下為特佳。氟樹脂薄膜的厚度係可為1μm以上。上述厚度係可使用數位型測長機來進行測定。
本發明之氟樹脂薄膜，在頻率1kHz、30℃下的比介電率(ε)較佳為9以上，以10以上為又較佳。 　　上述比介電率係對上述薄膜的表面上實施φ50mm的鋁蒸鍍，並連該相反面也全面地實施鋁蒸鍍來作為樣品，使用LCR測量儀來測定容量(C)，並由容量、電極面積(S)、薄膜的厚度(d)，利用式C=ε×ε0 ×S/d(ε0 為真空的介電率)來算出的值。
本發明之氟樹脂薄膜，在30℃下的體積電阻率較佳為1E+15Ω・cm以上，又較佳為2E+15Ω・cm以上。 　　上述體積電阻率係在真空中對上述薄膜的單面上蒸鍍鋁來製成樣品。接下來，將該樣品設置在恆溫槽內(30℃、25%RH)，並藉由數位型超絕緣計/微小電流計來對樣品外加50V/μm的電壓，從而測定體積電阻率(Ω・cm)。
本發明之氟樹脂薄膜，在頻率1kHz、150℃下的介電正接較佳為7%以下，以6%以下為又較佳。 　　上述介電正接係使用LCR測量儀來進行測定。
本發明之氟樹脂薄膜，在縱軸方向(MD)的25℃下的拉伸彈性率較佳為800MPa以上，以900MPa以上為又較佳。 　　上述拉伸彈性率係可依據ASTM D1708來進行測定。
本發明之氟樹脂薄膜係在縱軸方向(MD)的25℃下的彈性率為800MPa以上、且厚度可為100μm以下。上述彈性率係以900MPa以上為又較佳。又，上述厚度係以30μm以下為又較佳，以10μm以下為更佳，以1μm以上為較佳。
本發明之氟樹脂薄膜，可藉由包含例如對包含氟樹脂的加工前薄膜施予壓紋加工之步驟或施予表面塗佈加工之步驟的製造方法來製造。可藉由例如將氟樹脂以熔融擠壓成形得到薄膜之步驟來獲得上述加工前薄膜。又，以熔融擠壓成形所得到的薄膜，亦可進一步被延伸。關於熔融擠壓成形及延伸係如後述。
又，若本發明之氟樹脂薄膜包含2種的氟樹脂來作為氟樹脂之情形時，可藉由包含下述步驟的製造方法來製造：混合2種的氟樹脂而得到氟樹脂混合物之步驟、藉由將該氟樹脂混合物進行熔融擠壓成形而得到薄膜之步驟、及藉由將所得到的薄膜延伸而得到延伸薄膜之步驟。 　　得到上述氟樹脂混合物之步驟及得到薄膜之步驟係可分別進行、或亦可同時進行。例如，可藉由熔融擠壓成形機同時進行2種的氟樹脂的混合及熔融擠壓成形。
上述熔融擠壓成形，可在250～380℃下來進行。 　　上述熔融擠壓成形又可使用熔融擠壓成形機來進行，以將圓筒溫度設為250～350℃、模頭溫度設為300～380℃為較佳。
上述製造方法亦較佳為包含藉由輥來捲取上述擠壓成形所得到的薄膜之步驟。上述輥的溫度係以設為0～180℃為較佳。
上述擠壓成形之後，將所得到的薄膜延伸從而可得到延伸薄膜。上述延伸係可以是一軸延伸、也可以是二軸延伸。
上述一軸延伸係在擠壓成形中，朝向與擠出上述氟樹脂的方向為相同的縱方向(MD)來將薄膜進行延伸。 　　上述一軸延伸中之延伸倍率係以2～10倍為較佳，以3倍以上為又較佳。 　　上述一軸延伸中之延伸溫度係以0～180℃為較佳，以30℃以上為又較佳，以120℃以下為又較佳。
上述二軸延伸係朝向與縱方向(MD)為垂直的橫方向(TD)來將薄膜進行延伸。 　　上述二軸延伸中之延伸倍率，MD及TD的各倍率係以2～10倍為較佳，以3倍以上為又較佳。 　　上述二軸延伸中之延伸溫度係以0～200℃為較佳，以30℃以上為又較佳，以120℃以下為又較佳。
上述二軸延伸可以是逐次二軸延伸、也可以是同時二軸延伸。 　　作為上述二軸延伸之方法，可採用拉幅機(tentering machine)式二軸延伸、管式二軸延伸等的方法，以拉幅機式二軸延伸為較佳。 　　上述二軸延伸中之延伸溫度係以0～200℃為較佳，以30℃以上為又較佳，以120℃以下為又較佳。 　　逐次二軸延伸法，一般而言為下述之方法：利用輥的旋轉差來延伸縱延伸(MD方向)，接下來在橫延伸時，利用鉗夾夾住輥狀薄膜的端部(TD側)並朝向TD方向進行延伸。依據情形，也有以縱延伸、橫延伸、縱延伸的順序來朝向MD方向施加拉伸之情形。 　　同時二軸延伸法係利用鉗夾夾住輥狀薄膜的端部(TD側)，藉由該鉗夾間隔朝向MD方向、TD方向的兩邊展開，來將薄膜進行延伸之方法。
上述製造方法亦較佳為包含於上述延伸之後將所得到的延伸薄膜進行熱固定之步驟。藉由進行熱固定，從而可得到抑制因熱等的影響所導致的薄膜收縮、或使耐久性提升的效果。 　　上述熱固定的溫度係以100～250℃為較佳，以150℃以上為又較佳，以200℃以下為又較佳。熱固定時間係以短時間為佳，連續延伸係以5分以下為佳。
就可得到具有上述之十點平均粗糙度、算術平均粗糙度及絕緣破壞強度的氟樹脂薄膜之同時，可提升體積電阻率之方面而言，本發明之氟樹脂薄膜係以二軸延伸薄膜為較佳，以包含2種的氟樹脂來作為上述之氟樹脂的二軸延伸薄膜為又較佳。
本發明之氟樹脂薄膜係適合作為高介電性薄膜或壓電薄膜。
若將本發明的薄膜製成壓電薄膜之情形時，以將薄膜進行分極處理為較佳。上述分極處理係可藉由電暈放電來進行，例如，日本特開2011-181748號公報所記載般，藉由對於薄膜使用線狀電極來實施外加放電；或對於薄膜使用針狀電極來實施外加放電而可進行。進行上述分極處理後，亦可進行熱處理。
本發明之氟樹脂薄膜係又可適合使用於薄膜電容器、電潤濕裝置(electrowetting device)、或壓電面板。
本發明之氟樹脂薄膜，因為具有低的靜摩擦係數因而具有優異的捲取性、且進一步絕緣破壞強度為優異，故可特別適合使用作為薄膜電容器的高介電性薄膜。 　　在上述氟樹脂薄膜之至少單面上具備電極層的薄膜電容器用薄膜，亦為本發明之一種。又，具備上述薄膜電容器用薄膜的薄膜電容器，亦為本發明之一種。
作為薄膜電容器的構造，可舉出例如電極層與高介電性薄膜為交互地層合的層合型(日本特開昭63-181411號公報、日本特開平3-18113號公報等)、或捲入捲帶狀的高介電性薄膜與電極層的捲繞型(未在高介電性薄膜上連續層合電極的日本特開昭60-262414號公報等中所揭示者、或在高介電性薄膜上連續層合電極的日本特開平3-286514號公報等中所揭示者等)等。構造為單純且可相對容易製造的在高介電性薄膜上連續層合電極層的捲繞型薄膜電容器之情形時，一般而言以電極彼此不接觸之方式來重疊捲入2片在單面上層合有電極的高介電性薄膜，且因應所需於捲入後以不展開之方式來進行固定並製造。
電極層並無特別限定，但一般為由鋁、鋅、金、鉑、銅等的導電性金屬所成的層，且以金屬箔、或以蒸鍍金屬被膜來使用。金屬箔與蒸鍍金屬被膜中任一皆可，又亦可併用兩者。就可使電極層變薄，其結果，相對於體積可使容量變大，與介電質的密著性為優異，又，厚度的偏差為小之方面而言，通常係以蒸鍍金屬被膜為較佳。蒸鍍金屬被膜並不僅限於一層，例如為了使其具有耐濕性而在鋁層上進一步形成半導體的氧化鋁層來製成電極層的方法(例如日本特開平2-250306號公報等)等，因應所需亦可製成多層。蒸鍍金屬被膜的厚度亦無特別限定，但較佳設為100～2,000埃(Å)，又較佳設為200～1,000埃(Å)的範圍。若蒸鍍金屬被膜的厚度為該範圍時，電容器的容量或強度為平衡而適合。
作為電極層若使用蒸鍍金屬被膜之情形時，被膜的形成方法並無特別限定，可使用例如真空蒸鍍法、濺鍍法、離子蒸鍍法等。通常係使用真空蒸鍍法。
作為真空蒸鍍法，例如有成形品的分批方式、與長條品所使用的半連續(semicontinuous)方式及連續(air to air)方式等，現今主要為進行半連續方式。半連續方式的金屬蒸鍍法係在真空狀態中進行金屬蒸鍍、捲取後，使真空狀態恢復至大氣狀態，並取出經蒸鍍的薄膜的方法。
關於半連續方式，具體而言係可參考例如日本專利第3664342號說明書的圖1所記載之方法來進行。
若在薄膜上形成金屬薄膜層之情形時，亦可以在薄膜表面預先施予電暈處理、電漿處理等的用於提升接著性的處理。即使是使用金屬箔來作為電極層之情形，金屬箔的厚度並無特別限定，但通常為0.1～100μm，較佳為1～50μm，又較佳為3～15μm的範圍。
固定方法並無特別限定，例如，藉由利用樹脂來進行密封或封裝至絕緣盒等中，同時進行固定與構造的保護即可。導線的連接方法亦無限定，可例示如熔接、超音波按壓、熱按壓、藉由黏著捲帶之固定等。也可以在捲入前將導線連接在電極上。若封裝至絕緣盒中之情形時等，因應所需也可利用聚胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂等的熱硬化性樹脂來密封開口部等，從而防止氧化劣化等。
本發明之氟樹脂薄膜係可適合使用作為電潤濕裝置的高介電性薄膜。
上述電潤濕裝置係可具有：第1電極；第2電極；在第1電極與第2電極之間能夠移動配置的導電性液體；與在第1電極與前述導電性液體之間以絕緣第1電極與前述第2電極之方式所配置的本發明的薄膜(高介電性薄膜)。在本發明的薄膜之上亦可設置撥水層。在第1電極與第2電極之間，除了導電性液體以外，能以導電性液體與絕緣性液體為構成2層之方式來保持絕緣性液體。
上述電潤濕裝置係可使用於光學元件、顯示裝置(顯示器)、可變焦點透鏡、光調制裝置、光學讀取裝置、光學記錄再生裝置、顯影裝置、液滴操作裝置、分析機器(例如為了試樣的分析而需要使微小的導電性液體移動的化學、生物化學、及生物學的分析機器)中。
本發明之氟樹脂薄膜亦可適合使用作為壓電面板的壓電薄膜。
上述壓電面板係可依序具有：第1電極；本發明之氟樹脂薄膜(壓電薄膜)；與第2電極。第1電極係被直接或間接地配置在薄膜的一側的主面上，第2電極係被直接或間接地配置在薄膜的另一側的主面上。
上述壓電面板係可使用於觸控式面板。上述觸控式面板係可使用於輸入裝置中。具有上述觸控式面板的輸入裝置係基於觸控位置、觸控壓、或其兩者而能夠進行輸入。具有上述觸控式面板的輸入裝置係可具有位置檢測部及壓力檢測部。
上述輸入裝置係可使用於電子機器(例行動電話(例智慧手機)、個人數據終端(PDA)、平板PC、ATM、自動售票機、及汽車導航系統)。具有該輸入裝置的電子機器係基於觸控位置、觸控壓或其兩者而能夠進行操作及運作。
又，亦可使用作為振動發電等的環境發電、觸控式感測器、觸控式面板、觸碰感測器、介電熱輻射儀、薄膜揚聲器、觸覺回饋(觸覺介面)等的強介電質用途、或電致動器(electrostriction actuator)等的薄膜。 [實施例]
接下來列舉實施例來說明本發明，但本發明並非僅被限定於該實施例。
實施例的各數值係依據以下之方法來進行測定。
氟聚合物的單體組成 　　使用核磁共振裝置，將測定溫度設定為(聚合物的熔點+20)℃來進行19 F-NMR測定，並依據各波峰的積分值及單體的種類來適當組合元素分析而求出。
熔點 　　使用示差掃描熱量計，依據ASTM D-4591並以昇溫速度10℃/分下來進行熱測定，由所得到的吸熱曲線的波峰來求出熔點。
厚度 　　使用數位型測長機，以在室溫下來測定放置在基板上的薄膜。
比介電率 　　在真空中對薄膜的兩面上蒸鍍鋁來製成樣品。利用LCR測量儀，測定該樣品在30℃、頻率1kHz下的靜電容量。由所得到的各靜電容量來算出比介電率。
體積電阻率 　　在真空中對薄膜的單面上蒸鍍鋁來製成樣品。接下來，將該樣品設置在恆溫槽內(30℃、25%RH)並利用數位型超絕緣計/微小電流計，對樣品外加50V/μm的電壓，從而測定體積電阻率(Ω・cm)。
絕緣破壞強度係基於JISC2110所測定的值。 　　將薄膜放置於下部電極，作為上部電極為放置φ25 mm、重量500g的砝碼，並使兩端以100V/sec下來增加電壓，從而測定至破壞的電壓。測定數係設為50點，削除上下5點來算出平均值，並利用除以厚度的值來求出絕緣破壞強度。
十點平均粗糙度及算術平均粗糙度的值係基於JIS B-0601-2001所測定的值。
靜摩擦係數 　　使用表面性測定機，以速度：150mm/min、測定長度：15.0mm、輥荷重100g、輥(寬60mm直徑30mm)的測定條件下來求出靜摩擦係數。測定時亦在輥上貼附薄膜，並測定2片疊合的薄膜間的靜摩擦係數。無法滑動而無法測定靜摩擦係數之情形時，評估結果設為×。
結晶化度 　　結晶化度係利用X線繞射裝置，使用波峰分離法來測定薄膜。具體而言，將以合計的厚度成為40μm以上之方式所疊合的多片薄膜的測定樣品安置在樣品架上，由利用X線繞射裝置所得到的繞射光譜的結晶質部分與非晶質部分的面積比來算出結晶化度。
實施例及比較例中使用的各成分係如下述般。 　　氟樹脂(1)：VdF/TFE共聚物、VdF/TFE=40.0/60.0(莫耳比)、MFR：2.7g/10分、熔點：216℃(VdF及TFE以外的乙烯性不飽和單體之構成單位為1重量%以下)。 添加劑 　　添加劑A：對於交聯氟樹脂：VdF/TFE共聚物(VdF/ TFE=40.0/60.0(莫耳比)、VdF及TFE以外的乙烯性不飽和單體之構成單位為1重量%以下、MFR：0.8g/10分、熔點：216℃)照射20kGy的電子線，從而得到交聯氟樹脂。 　　添加劑B：PVDF：MFR：1g/10分、熔點：172℃。 　　添加劑C：VdF系聚合物1：VdF/TFE共聚物、VdF/ TFE=31.0/69.0(莫耳比)、MFR：1.5g/10分、熔點：240℃(VdF及TFE以外的乙烯性不飽和單體之構成單位為1重量%以下)。 　　添加劑D：VdF系聚合物2：VdF/TFE共聚物、VdF/ TFE=22.0/78.0(莫耳比)、MFR：1.6g/10分、熔點：270℃(VdF及TFE以外的乙烯性不飽和單體之構成單位為1重量%以下)。 　　添加劑E：FEP(六氟丙烯/四氟乙烯共聚物)、MFR：1g/10分、熔點：260℃。
實施例1 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂99質量份，加入1質量份的添加劑A，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚85μm的薄膜。將該85μm的薄膜，利用二軸延伸機以60℃下延伸3.5倍，從而得到薄膜厚9μm的延伸薄膜。
實施例2 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂97質量份，加入3質量份的添加劑A，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚75μm的薄膜。將該75μm的薄膜，利用二軸延伸機以60℃下延伸3.5倍，從而得到薄膜厚7μm的延伸薄膜。
實施例3 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂95質量份，加入5質量份的添加劑A，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚80μm的薄膜。將該80μm的薄膜，利用二軸延伸機以60℃下延伸3.5倍，從而得到薄膜厚8μm的延伸薄膜。
實施例4 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂99質量份，加入1質量份的添加劑B，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚85μm的薄膜。將該85μm的薄膜，利用二軸延伸機以60℃下延伸3.5倍，從而得到薄膜厚10μm的延伸薄膜。
實施例5 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂97質量份，加入3質量份的添加劑B，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚80μm的薄膜。將該80μm的薄膜，利用二軸延伸機以60℃下延伸3.5倍，從而得到薄膜厚9μm的延伸薄膜。
實施例6 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂95質量份，加入5質量份的添加劑B，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚85μm的薄膜。將該85μm的薄膜，利用二軸延伸機以60℃下延伸3.5倍，從而得到薄膜厚10μm的延伸薄膜。
實施例7 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂99質量份，加入1質量份的添加劑C，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚80μm的薄膜。將該80μm的薄膜，利用二軸延伸機以60℃下延伸3.5倍，從而得到薄膜厚8μm的延伸薄膜。
實施例8 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂97質量份，加入3質量份的添加劑C，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚80μm的薄膜。將該80μm的薄膜，利用二軸延伸機以60℃下延伸3.5倍，從而得到薄膜厚8μm的延伸薄膜。
實施例9 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂95質量份，加入5質量份的添加劑C，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚85μm的薄膜。將該85μm的薄膜，利用二軸延伸機以60℃下延伸3.5倍，從而得到薄膜厚9μm的延伸薄膜。
實施例10 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂99質量份，加入1質量份的添加劑D，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚75μm的薄膜。將該75μm的薄膜，利用二軸延伸機以60℃下延伸3.5倍，從而得到薄膜厚7μm的延伸薄膜。
實施例11 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂97質量份，加入3質量份的添加劑D，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚75μm的薄膜。將該75μm的薄膜，利用二軸延伸機以60℃下延伸3.5倍，從而得到薄膜厚7μm的延伸薄膜。
實施例12 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂95質量份，加入5質量份的添加劑D，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚85μm的薄膜。將該85μm的薄膜，利用二軸延伸機以60℃下延伸3.5倍，從而得到薄膜厚9μm的延伸薄膜。
實施例13 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂99質量份，加入1質量份的添加劑E，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚85μm的薄膜。將該85μm的薄膜，利用二軸延伸機以60℃下延伸3.5倍，從而得到薄膜厚9μm的延伸薄膜。
實施例14 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂99質量份，加入1.5質量份的添加劑E，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚85μm的薄膜。將該85μm的薄膜，利用二軸延伸機以60℃下延伸3.5倍，從而得到薄膜厚9μm的延伸薄膜。
實施例15 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂99質量份，加入1質量份的添加劑E，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚85μm的薄膜。將該85μm的薄膜，利用二軸延伸機以60℃下延伸4.0倍，從而得到薄膜厚7μm的延伸薄膜。
比較例1 　　將氟樹脂(1)的顆粒樹脂在290～350℃下利用熔融擠壓成形機製膜、利用T模頭成形擠壓機製膜，從而得到薄膜厚85μm的薄膜。將該30μm的薄膜，利用一軸延伸機以60℃下延伸3.0倍，從而得到薄膜厚10μm的延伸薄膜。由於無法滑動而無法測定靜摩擦係數。
比較例2 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂99.95質量份，加入0.05質量份的添加劑B，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚29μm的薄膜。將該29μm的薄膜，利用一軸延伸機以60℃下延伸3.0倍，從而得到薄膜厚10μm的延伸薄膜。由於無法滑動而無法測定靜摩擦係數。
比較例3 　　相對於氟樹脂(1)的顆粒樹脂89質量份，加入11質量份的添加劑B，並在290～350℃下利用熔融擠壓成形機來製膜，從而得到薄膜厚30μm的薄膜。將該30μm的薄膜，利用一軸延伸機以60℃下延伸3.0倍，從而得到薄膜厚11μm的延伸薄膜。 　　將實施例及比較例所得到的薄膜的物性表示於表1及2中。

Claims (17)

  1. 一種氟樹脂薄膜，其係包含氟樹脂的氟樹脂薄膜，其特徵為 　　至少一側之表面之十點平均粗糙度為0.100～1.200 μm，且算術平均粗糙度為0.010～0.050μm，絕緣破壞強度為400V/μm以上。
  2. 如請求項1記載之氟樹脂薄膜，其中，氟樹脂為偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物。
  3. 如請求項2記載之氟樹脂薄膜，其中，氟樹脂進一步包含基於乙烯性不飽和單體(但四氟乙烯及偏二氟乙烯除外)的共聚物單位。
  4. 2或3記載之氟樹脂薄膜，其係進一步包含無機粒子。
  5. 如請求項4記載之氟樹脂薄膜，其中，相對於氟樹脂100質量份，無機粒子之含量為0.01～5質量份。
  6. 2、3、4或5記載之氟樹脂薄膜，其係經壓紋加工。
  7. 2、3、4、5或6記載之氟樹脂薄膜，其係經表面塗佈。
  8. 2、3、4、5、6或7記載之氟樹脂薄膜，其中，包含2種的氟樹脂來作為氟樹脂。
  9. 如請求項8記載之氟樹脂薄膜，其中，包含未交聯氟樹脂與交聯氟樹脂來作為氟樹脂。
  10. 如請求項8或9記載之氟樹脂薄膜，其中，包含2種熔融流動速率為相異的氟樹脂來作為氟樹脂。
  11. 9或10記載之氟樹脂薄膜，其中，一方為熔融流動速率2.0～30.0g/10分的氟樹脂，另一方為熔融流動速率0.1～1.9g/10分的氟樹脂。
  12. 9、10或11記載之氟樹脂薄膜，其中，包含2種聚合單位之組成比為相異的氟樹脂來作為氟樹脂。
  13. 9、10、11或12記載之氟樹脂薄膜，其中，一方為偏二氟乙烯單位/四氟乙烯單位之莫耳比為95.0/5.0～39.0/61.0的偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物，另一方為偏二氟乙烯單位/四氟乙烯單位之莫耳比為38.9/61.1～5.0/95.0的偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物。
  14. 2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12或13記載之氟樹脂薄膜，其係二軸延伸薄膜。
  15. 2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13或14記載之氟樹脂薄膜，其中，厚度為1～100μm。
  16. 一種薄膜電容器用薄膜，其係在請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14或15記載之氟樹脂薄膜之至少單面上具備有電極層。
  17. 一種薄膜電容器，其係具備有請求項16記載之薄膜電容器用薄膜。
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