TW201841299A

TW201841299A - 零件製造用膜、零件製造用具及零件製造方法

Info

Publication number: TW201841299A
Application number: TW107103045A
Authority: TW
Inventors: 林下英司; 高橋宏和; 福良和秀
Original assignee: 日商三井化學東賽璐股份有限公司
Priority date: 2017-01-30
Filing date: 2018-01-29
Publication date: 2018-11-16
Also published as: JP6979037B2; KR20190100966A; EP3576139A4; EP3576139B1; US11251062B2; WO2018139612A1; EP3576139A1; US20190371645A1; CN110235236B; CN110235236A; TWI773727B; JPWO2018139612A1; KR102352925B1

Abstract

本發明的目的在於提供一種具有可於不同的步驟間共用的通用性、且於加熱環境下可確實地吸附於吸盤台的零件製造用膜、零件製造用具及零件製造方法，本膜1具有第1區域S1與包圍區域S1而配置的第2區域S2，區域S1是由基層11與設於其一面側的黏著材層12形成，區域S2是由基層11及黏著材層12、與貼附於層12上的附加層13形成，於溫度190℃以下的範圍下，附加層13的拉伸彈性係數為基層11的拉伸彈性係數以上。本方法具備零件固定步驟、以區域S1與區域S2的界限位於吸盤台的較端緣更靠內側的方式載置的膜載置步驟、吸附步驟以及加熱步驟。

Description

零件製造用膜、零件製造用具及零件製造方法

本發明是有關於一種零件製造用膜、零件製造用具及零件製造方法。更詳細而言，本發明是有關於一種半導體零件製造中所利用的零件製造用膜、使用該零件製造用膜的零件製造用具、製造半導體零件的零件製造方法、電子零件製造中所利用的零件製造用膜、使用該零件製造用膜的零件製造用具、以及製造電子零件的零件製造方法。

近年來，已知一種半導體零件的製造方法，其是於將形成有電路的晶圓單片化後，對經單片化的半導體零件進行檢查，拾取僅檢查合格的半導體零件，並送達至之後的步驟。該製造方法例如於下述專利文獻1（參照請求項1等）中有揭示。一般而言，半導體零件是一體地形成於一枚半導體晶圓上後進行單片化來製造，但存在初期不良的個體，因此利用專利文獻1的方法，不將初期不良令人擔心的個體帶入至後續步驟中，可提高最終製品的良率。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平08-330372號公報 [專利文獻2]日本專利特開2007-005436號公報

[發明所欲解決之課題] 利用所述方法時需要進行切割（單片化）、檢查、拾取三個步驟。此時，半導體晶圓或半導體零件（將半導體晶圓單片化而成者）等零件是以配置於載體（貼附片或夾具等）上的狀態進行加工，但於各步驟中對載體所要求的性能不同。因此先前需要依各步驟於視需要的載體上更換零件，從而導致繁雜且成本增加。

於所述專利文獻1中，欲利用伸縮性片來消除該問題。然而，專利文獻1中所設想的「伸縮性」是熱的伸縮性。即，藉由事先使片進行熱收縮，形成之後的伸張餘裕，欲消除起因於熱膨脹差的檢查用電極墊111與凸塊103的偏移（參照專利文獻1[圖15]）。因此，專利文獻1中所設想的伸縮量為接觸器的熱膨脹量程度而為極小的位移量（特意不於接觸器中利用熱膨脹量大的材料）。具有此種熱伸縮特性的片不僅缺乏伴隨力的負荷而獲得的力學伸縮性，而且無法獲得適於拾取步驟的擴張的伸長量。因而，專利文獻1中雖記載有拾取步驟（專利文獻1[圖2]（c）），但實際上若欲使用設想的伸縮性片進行至拾取步驟為止，則片的力學伸縮量不足，拾取性明顯下降。另一方面，力學伸縮性優異的片的熱膨脹量亦大，因此伸縮性片的熱膨脹量相對於接觸器的熱膨脹量而過量，結果，無法消除檢查用電極墊111與凸塊103的偏移。如此，可以說藉由構件間的熱膨脹差的校準來調整可於切割、檢查、拾取三個步驟中共用的載體是極其困難的。

另一方面，已知所述步驟中，切割步驟及拾取步驟中可利用所述專利文獻2中所揭示的切割膜作為載體。切割步驟為將半導體晶圓以貼附於切割膜的狀態單片化而獲得半導體零件的步驟，拾取步驟為將切割膜伸展並於經單片化的半導體零件彼此形成間隙而加以拾取的步驟。因而，切割膜具有耐受切割的機械強度、與可伸展至可於零件彼此形成間隙的程度的柔軟性（力學伸縮性）。另一方面，所述檢查步驟中可包含各種個別的步驟，其中包含加溫環境下的動作確認、或使用熱應力負荷的加速評價等利用熱附加的檢查。因此，載體除所述切割步驟及拾取步驟中所需要的機械強度及柔軟性以外，亦要求耐熱性，但關於該方面的研究於專利文獻2中未進行。

本發明者等人就所述觀點而研究各種材料，並重覆進行用於選擇可均衡更多的要求特性的材料的試驗。於是，發現若選擇可於零件彼此形成間隙（拾取步驟）程度的柔軟的材料，則有時產生無法將零件製造用膜固定於吸盤台的不良情況。即，可知若欲於檢查時相當的進行熱附加的狀態下將零件製造用膜固定於吸盤台，則即便為固定於框體的零件製造用膜，亦會產生於框體內產生褶皺而無法正常地吸附於吸盤台的不良情況。

本發明是鑒於所述問題而成者，其目的在於提供一種具有可於不同的步驟間共用的通用性、且於加熱環境下可確實地吸附於吸盤台的零件製造用膜，使用該零件製造用膜的零件製造用具，以及使用該些零件製造用膜及零件製造用具的零件製造方法。 [解決課題之手段]

即，本發明如以下般。 [1]第1發明中所述的零件製造用膜為用於半導體零件的製造方法或電子零件的製造方法中的零件製造用膜，所述第1發明中所述的零件製造用膜的主旨在於：具有第1區域、與包圍所述第1區域而配置的第2區域，所述第1區域是由基層、與設於所述基層的一面側的黏著材層形成，所述第2區域是由所述基層及所述黏著材層、與貼附於所述黏著材層上的附加層形成，於溫度190℃以下的範圍下，所述附加層的拉伸彈性係數與所述基層的拉伸彈性係數相同，或者大於所述基層的拉伸彈性係數。 [2]第2發明中所述的零件製造用膜如第1發明中所述的零件製造用膜，其主旨在於，所述基層的線熱膨脹係數為100 ppm/K以上。 [3]第3發明中所述的零件製造用膜如第1發明或第2發明中所述的零件製造用膜，其主旨在於，所述基層包含熱塑性聚酯系彈性體、熱塑性聚醯胺系彈性體、及聚對苯二甲酸丁二酯中的至少一種。 [4]第4發明中所述的零件製造用膜如第1發明或第2發明中所述的零件製造用膜，其主旨在於，所述附加層包含選自金屬、樹脂、陶瓷、玻璃的群組中的一種或兩種以上的材料。 [5]第5發明中所述的零件製造用膜如第1發明或第2發明中所述的零件製造用膜，其主旨在於，進而具有包圍所述第2區域而配置的第3區域，所述第3區域是由所述基層與所述黏著材層形成。 [6]第6發明中所述的零件製造用膜如第3發明中所述的零件製造用膜，其主旨在於，進而具有包圍所述第2區域而配置的第3區域，所述第3區域是由所述基層與所述黏著材層形成。 [7]第7發明中所述的零件製造用膜如第4發明中所述的零件製造用膜，其主旨在於，進而具有包圍所述第2區域而配置的第3區域，所述第3區域是由所述基層與所述黏著材層形成。 [8]第8發明中所述的零件製造用具為用於半導體零件的製造方法或電子零件的製造方法中的零件製造用具，所述第8發明中所述的零件製造用具的主旨在於：具備具有開口部的框體、與第1發明至第7發明中任一項所述的零件製造用膜，將所述零件製造用膜以覆蓋所述開口部，且所述第1區域與所述第2區域的界限位於所述開口部的內側的方式，固定於所述框體。 [9]第9發明中所述的零件製造方法為選自半導體零件及電子零件中的零件的製造方法，所述第9發明中所述的零件製造方法的主旨在於包括：零件固定步驟，將所述零件固定於第1發明至第7發明中任一項所述的零件製造用膜的所述第1區域內；膜載置步驟，將固定有所述零件的零件製造用膜以所述第1區域與所述第2區域的界限位於吸盤台的較端緣更靠內側的方式，載置於所述吸盤台；吸附步驟，將固定有所述零件的零件製造用膜吸附於所述吸盤台的表面並加以固定；以及加熱步驟，介隔固定於所述吸盤台上的所述零件製造用膜，自所述吸盤台側對所述零件製造用膜上的所述零件進行加熱。 [10]第10發明中所述的零件製造方法為選自半導體零件及電子零件中的零件的製造方法，所述第10發明中所述的零件製造方法的主旨在於包括：零件固定步驟，將所述零件固定於自第8發明中所述的零件製造用具的所述開口部中露出的所述零件製造用膜的所述第1區域內；膜載置步驟，將固定有所述零件的零件製造用具以所述零件製造用膜的所述第1區域與所述第2區域的界限位於吸盤台的較端緣更靠內側的方式，載置於所述吸盤台；吸附步驟，將固定有所述零件的零件製造用膜吸附於所述吸盤台的表面並加以固定；以及加熱步驟，介隔固定於所述吸盤台上的所述零件製造用膜，自所述吸盤台側對所述零件製造用膜上的所述零件進行加熱。 [發明的效果]

根據本零件製造用膜及本零件製造用具，可具有可於不同的步驟間共用的通用性，且於加熱環境下可使零件製造用膜確實地吸附於吸盤台。因此，可將零件製造用膜固定於吸盤台來進行包含加熱步驟的檢查，並且於檢查前後無需進行載體的替換，可效率良好地製造零件。尤其，本零件製造用膜及本零件製造用具能夠共用包含切割、檢查及拾取各步驟的多個步驟中的載體。

根據使用本零件製造用膜的本第1零件製造方法、及使用本零件製造用具的本第2零件製造方法，可具有可於不同的步驟間共用的通用性，且於加熱環境下亦可使零件製造用膜確實地吸附於吸盤台。因此，可將零件製造用膜固定於吸盤台來進行包含加熱步驟的檢查，並且於檢查前後無需進行載體的替換，可效率良好地製造零件。尤其，本零件製造用膜及本零件製造用具能夠共用包含切割、檢查及拾取各步驟的多個步驟中的載體。

以下，一面參照圖一面對本發明進行說明。此處所示的事項為例示事項及用以對本發明的實施形態進行例示說明的事項，其闡述目的在於提供可最有效且容易地理解本發明的原理及概念性特徵的說明。就此方面而言，其為從根本上理解本發明所必需的說明，而非意指於某種程度以上示出本發明的詳細結構，本領域技術人員明知如何根據與圖式一併示出的說明而實際實現本發明的若干形態。

[1]零件製造用膜本發明的零件製造用膜（1）是用於半導體零件的製造方法或電子零件的製造方法中的膜。即，本發明的零件製造用膜（1）中包含半導體零件製造用膜（1）與電子零件製造用膜（1）。該零件製造用膜（1）具有第1區域（S1）、與包圍第1區域（S1）而配置的第2區域（S2）（參照圖1～圖3）。而且，第1區域（S1）是由基層（11）、與設於基層（11）的一面（11a）側的黏著材層（12）形成（參照圖1）。另一方面，第2區域（S2）是由基層（11）及黏著材層（12）、與貼附於黏著材層（12）上的附加層（13）形成（參照圖1）。進而，於溫度190℃以下的範圍下，附加層（13）的拉伸彈性係數與基層（11）的拉伸彈性係數相同，或者高於基層（11）的拉伸彈性係數。本零件製造用膜1藉由具有該構成，可具有可於不同的步驟間共用的通用性，且於加熱環境下可使零件製造用膜（1）確實地吸附於吸盤台。

若將所述構成換言之，則零件製造用膜1具備基層11、積層於基層11的一面11a側的黏著材層12、以及僅積層於黏著材層12的表背面中位於與基層11為相反側的黏著材層12的表面（一面）12a的一部分的附加層13這三層（參照圖1）。而且，於俯視的情況下，具有包圍第1區域S1而配置的第2區域S2，第1區域S1僅具備基層11及黏著材層12，第2區域S2具備全部三層。再者，黏著材層12只要僅設於基層11的一面11a側即可，視需要可設於基層11的一面11a側及另一面11b側兩者。另外，基層11與黏著材層12可直接相接亦可介隔其他層。同樣地，黏著材層12與附加層13可直接相接亦可介隔其他層。

（1）關於各區域本零件製造用膜1具有第1區域S1與第2區域S2，第1區域S1為由第2區域S2包圍的區域（參照圖1～圖3）。如先前的零件製造用膜1'般，於不具備第2區域S2的零件製造用膜1'中，因基層的材料選擇或吸盤台表面的溫度狀況等不適宜，若進行吸附，則有產生褶皺X而引起抽吸洩漏，無法將零件製造用膜1'正常地吸附固定於吸盤台的情況（參照圖5（b））。相對於此，如所述般，具備包圍第1區域S1的第2區域S2的本零件製造用膜1可正常地吸附固定於吸盤台60的表面61。尤其，於作為基層11而選擇柔軟的材料，進而相對於經加溫的吸盤台60進行吸附的情況下，亦可將零件製造用膜1正常地吸附固定於吸盤台60的表面61而不會產生吸附不良。

可藉由具備第2區域S2來進行吸附的機制並不明確，但認為藉由利用加溫下的拉伸彈性係數與基層11相同或者大於基層11的附加層13來包圍第1區域S1，可使第2區域S2作為吸附起點發揮功能。即，可認為藉由利用加溫時的彈性下降相對更低的第2區域S2來包圍第1區域S1，第2區域S2先正常地被吸附，防止自由該第2區域S2包圍的第1區域S1的抽吸洩漏，從而第1區域S1亦可正常地吸附。

通常，所述第2區域S2的形狀與附加層13的形狀相對應。因而，第1區域S1的外周形狀（第1區域S1的概形，相當於第2區域S2的內周形狀）、第2區域S2的內周形狀、第2區域S2的外周形狀等可由附加層13的形狀決定。如所述般，本零件製造用膜1可根據附加層13來設計第1區域S1的形狀或大小，故適於例如相對於零件製造用膜1整體而載置零件的區域較通常更小的情況，或需要載置大小不一的形態的零件的情況（相對於大小不同的零件製造而共通利用本零件製造用膜1的情況，或需要批量載置不同尺寸的零件的情況等）。即，可與載置區域（即，第1區域S1）的形狀或大小相一致地將具有適當的形狀或大小的附加層13貼附於黏著材層12上，藉此可設定最佳的第1區域S1。

作為本零件製造用膜1的概形，例如可例示圖1～圖3的形態。圖1所示的第2區域S2呈一連串的環形形狀。即，圖1所示的零件製造用膜1具備成為一連串的環形形狀的附加層13。圖1的附加層13成為與第2區域S2的外周形狀與內周形狀相似的圓形形狀。如此，第2區域S2的外周形狀與內周形狀可為相關聯的形狀，亦可為無關的形狀。即，可設為第2區域S2的外周形狀與內周形狀為相似的圓形形狀的相關聯的形狀。另一方面，例如於第2區域S2的外周形狀為四邊形、第2區域S2的內周形狀為圓形的情況下，外周形狀與內周形狀成為無關的形狀，即便為此種形狀，亦可發揮本發明的效果。

另外，本零件製造用膜1亦可於一片零件製造用膜1內具有僅一處第1區域S1（參照圖1），亦可具有兩處以上。同樣地，可於一片本零件製造用膜1內具有僅一處第2區域S2（參照圖1），亦可具有兩處以上。另外，附加層13可為利用構成黏著材層12的黏著材以外的部件而更牢固地接合於黏著材層12的狀態，亦可為將附加層13僅貼附於黏著材層12的狀態。任一狀態下亦可以本零件製造用膜1的形式發揮功能。

進而，本零件製造用膜1可為僅具有所述第1區域S1及第2區域S2的形態，亦可為進而具備其他區域的形態。將僅具有第1區域S1及第2區域S2的形態例示於圖3中。即，可製成將自第1區域S1的外周至外側的零件製造用膜1的外緣為止的所有區域設為第2區域S2的零件製造用膜1。相對於此，作為具備第1區域S1及第2區域S2以外的其他區域的形態，可例示圖1及圖2的零件製造用膜1。即，除第1區域S1及第2區域S2以外，可具備由基層11與黏著材層12形成且包圍第2區域S2而配置的第3區域S3。

如此，於具備第3區域S3的情況下，可提高拾取性。藉由本零件製造用膜1以於第2區域S2的較外緣更靠內側配置有吸盤台60的端緣62的方式配置於吸盤台60上，可將零件製造用膜1吸附固定於吸盤台的表面61，而不會產生吸附不良。而且，於在較第2區域S2更靠外側具有第3區域S3的情況下，藉由使零件製造用膜1的外緣位於較吸盤台60而更靠例如下側，可展開並拉伸零件製造用膜1。藉此，第1區域S1均等地被伸張，可於置於第1區域S1的零件彼此（經切割的零件）形成間隙，並可容易拾取各零件。

另外，於圖2中，多個圓弧形狀（扇形）的個別區域S21成為整體形成第2區域S2並包圍第1區域S1的形態。即，圖2所示的零件製造用膜1中多個圓弧形狀（扇形）的個別附加層131整體形成附加層13。另外，於該圖2中，個別區域S21分別形成圓弧形狀，該些可為相同的形狀，亦可混在有不同形狀者。個別區域S21的形狀並不限於圓弧形狀，例如亦可由長方形形狀的個別區域S21同樣地形成第2區域S2。進而，構成第2區域S2的個別區域S21的個數並無限定，可由兩個以上的個別區域S21來形成第2區域S2（通常為50個以下）。另外，與圖1的情況同樣地，圖2中的個別區域S21的各自的外周形狀與內周形狀可為相關聯的形狀，亦可為無關的形狀。

如所述般，於以多個個別區域S21整體形成第2區域S2並包圍第1區域S1的形態，自第1區域S1的中心P（可設為旋轉中心）向離心方向劃虛擬線L的情況下，較佳為以朝任一離心方向D的虛擬線L均與任一個別區域S21交叉的方式配置個別區域S21。因而，如圖2所示，作為個別區域S21的各圓弧較佳為以圓弧形狀的個別區域S21彼此的一部分於離心方向D相互重疊的方式配置，以防止自中心P向離心方向D的貫通（參照圖2）。

（2）基層基層11只要可支撐黏著材層12及附加層13即可，構成基層11的材料並無特別限定。構成基層11的材料較佳為樹脂。另外，樹脂中，為了可於切割步驟、拾取步驟、檢查步驟等更多不同的步驟間共用，較佳為具有充分的柔軟性（力學伸縮性）的樹脂，特佳為具有彈性體性的樹脂。

作為具有彈性體性的樹脂，可列舉熱塑性彈性體及矽酮等。該些樹脂可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些樹脂中，較佳為具有熱塑性者，因此較佳為熱塑性彈性體。熱塑性彈性體可包含具有硬段及軟段的嵌段共聚物，亦可包含硬質聚合物與軟質聚合物的聚合物合金（polymer alloy），抑或可具有該些兩者的特性。

於包含熱塑性彈性體的情況下，關於其比例，相對於構成基層11的樹脂整體，例如可設為30質量%以上且100質量%以下。即，構成基層11的樹脂可僅包含熱塑性彈性體。熱塑性彈性體的比例進而佳為50質量%以上且100質量%以下，更佳為70質量%以上且100質量%以下。

具體而言，作為熱塑性彈性體，可列舉：聚酯系熱塑性彈性體、聚醯胺系熱塑性彈性體、苯乙烯系熱塑性彈性體、烯烴系熱塑性彈性體、氯乙烯系熱塑性彈性體、聚醯亞胺系熱塑性彈性體（聚醯亞胺酯系、聚醯亞胺胺基甲酸酯系等）等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些熱塑性彈性體中，較佳為聚酯系熱塑性彈性體、聚醯胺系熱塑性彈性體、聚醯亞胺系熱塑性彈性體，進而特佳為聚酯系熱塑性彈性體及/或聚醯胺系熱塑性彈性體。

聚酯系熱塑性彈性體除了以聚酯成分作為硬段以外，可為任意構成。作為軟段，可利用聚酯、聚醚及聚醚酯等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。即，例如構成硬段的聚酯成分可包含來源於對苯二甲酸二甲酯等單體的構成單元。另一方面，構成軟段的成分可包含來源於1,4-丁二醇及聚(氧基四亞甲基)二醇等單體的構成單元。更具體可列舉PBT-PE-PBT型聚酯系熱塑性彈性體等。

作為此種聚酯系熱塑性彈性體，可列舉：三井化學股份有限公司製造的「普利馬羅（Primalloy）（商品名）」、東麗杜邦（Toray-Dupont）公司製造的「海特萊爾（Hytrel）（商品名）」、東洋紡績股份有限公司製造的「派爾普蘭（Pelprene）（商品名）」、理研科技（Riken technos）股份有限公司製造的「海帕羅伊愛可提瑪（Hyper Alloy Actymer）（商品名）」等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

聚醯胺系熱塑性彈性體除了以聚醯胺成分作為硬段以外，可為任意構成。作為軟段，可利用聚酯、聚醚及聚醚酯等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。即，例如構成硬段的聚醯胺成分可列舉聚醯胺6、聚醯胺11及聚醯胺12等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些聚醯胺成分中可利用各種內醯胺等作為單體。另一方面，構成軟段的成分可包含來源於二羧酸等單體或聚醚多元醇的構成單元。其中，聚醚多元醇較佳為聚醚二醇，例如可列舉聚(四亞甲基)二醇、聚(氧伸丙基)二醇等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。更具體可列舉：聚醚醯胺型聚醯胺系熱塑性彈性體、聚酯醯胺型聚醯胺系熱塑性彈性體、聚醚酯醯胺型聚醯胺系熱塑性彈性體等。

作為此種聚醯胺系熱塑性彈性體，可列舉：阿科瑪（Arkema）股份有限公司製造的「派巴克斯（Pebax）（商品名）」、大賽璐贏創（Daicel-Evonik）股份有限公司製造的「帶阿米德（Diamide）（商品名）」、大賽璐贏創（Daicel-Evonik）股份有限公司製造的「貝斯泰咪德（Vestamid）（商品名）」、宇部興產股份有限公司製造的「優貝斯達（UBESTA）XPA（商品名）」等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

另外，於基層11包含熱塑性彈性體以外的樹脂的情況下，作為此種樹脂，可列舉：聚酯、聚醯胺、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些樹脂中，較佳為聚酯及/或聚醯胺，具體可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸丁二酯等聚酯，尼龍6、尼龍12等聚醯胺。具體而言，作為聚萘二甲酸丁二酯，可列舉東麗（Toray）股份有限公司製造的「東麗考（toraycon）（商品名）」。該聚對苯二甲酸丁二酯可單獨用作基層11。

進而，基層11可於構成其的樹脂中包含塑化劑及軟化劑（礦物油等）、填充劑（碳酸鹽、硫酸鹽、鈦酸鹽、矽酸鹽、氧化物（氧化鈦、氧化鎂）、二氧化矽、滑石、雲母、黏土、纖維填料等）、抗氧化劑、光穩定劑、抗靜電劑、潤滑劑、著色劑等各種添加劑。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

另外，基層11於溫度190℃以下的範圍下拉伸彈性係數與附加層13相同，或者小於附加層13。即，基層11為基層11的溫度190℃以下的拉伸彈性係數（以下，亦簡稱為「E₁₁ '」）與附加層13的拉伸彈性係數（以下，亦簡稱為「E₁₃ '」）相同或小的層。即，E₁₁ '≦E₁₃ '。藉由具有該拉伸彈性係數的相關性（E₁₁ '≦E₁₃ '），本零件製造用膜1可具有可於不同的步驟間共用的通用性，且於加熱環境下可確實地吸附於吸盤台。

所述E₁₁ '≦E₁₃ '的相關性較佳為於更高溫度範圍下成立。就此種觀點而言，E₁₁ '≦E₁₃ '的相關性較佳為於50℃以上且190℃以下的溫度範圍下成立，更佳為於70℃以上且180℃以下的溫度範圍下成立，進而佳為於90℃以上且170℃以下的溫度範圍下成立，特佳為於110℃以上且160℃以下的溫度範圍下成立。另外，本發明的效果於基層11為高溫下的E₁₁ '更小的材料時大。即，越於基層11中利用高溫下的E₁₁ '小的材料的情況下，越容易產生所述的吸附不良。因此，可以說藉由設置附加層13而形成第2區域S2，可容易獲得可防止吸附不良的效果。就此種觀點而言，較佳為E₁₁ '於90℃以上且190℃以下的溫度範圍下（進而於110℃以上且160℃以下的溫度範圍下）成為E₁₁ '≦390 MPa的基層11，更佳為0.1 MPa≦E₁₁ '≦570 MPa的基層11，進而較佳為0.5 MPa≦E₁₁ '≦270 MPa的基層11，進而更佳為1 MPa≦E₁₁ '≦130 MPa的基層11，進而尤佳為2 MPa≦E₁₁ '≦80 MPa的基層11，進而特佳為3 MPa≦E₁₁ '≦40 MPa的基層11。

另外，如所述般，拉伸彈性係數E₁₁ '與拉伸彈性係數E₁₃ '可相同（E₁₁ '=E₁₃ '），較佳為E₁₃ '大於E₁₁ '（E₁₁ '＜E₁₃ '）。更具體而言，於90℃以上且190℃以下的溫度範圍下（進而於110℃以上且160℃以下的溫度範圍下），E₁₁ '與E₁₃ '之比（E₁₃ '/E₁₁ '）較佳為（E₁₃ '/E₁₁ '）≧1.5（通常，（E₁₃ '/E₁₁ '）≦17000）。特別是於後述般附加層13由樹脂構成的情況下，較佳為1.5≦（E₁₃ '/E₁₁ '）≦250，更佳為1.8≦（E₁₃ '/E₁₁ '）≦100，進而佳為2.2≦（E₁₃ '/E₁₁ '）≦80，特佳為2.5≦（E₁₃ '/E₁₁ '）≦65。

進而，於將基層11的溫度T（℃）下的拉伸彈性係數設為E₁₁ '（T）（以下相同），將拉伸彈性係數E₁₁ '（160）及E₁₁ '（-40）之比「E₁₁ '（160）/E₁₁ '（-40）」設為R₁₁ 的情況下，較佳為E₁₁ '（160）≦800 MPa且0.01≦R₁₁ ≦1。藉此，於零件製造時，可經歷於-40℃以上且0℃以下的低溫及/或100℃以上且190℃以下（特別是160℃以下）的高溫的各溫度範圍下進行的步驟，並且亦可維持拾取步驟中所需的柔軟性。因而，可獲得可於伴有溫度變化的加熱步驟（例如，評價步驟）與單片化步驟（將半導體晶圓或經陣列化的電子零件等切分為單片的步驟）或拾取步驟等各步驟中共通地利用的零件製造用膜1。因此，無需依步驟而將零件換貼於專用的零件製造用膜上，生產性優異。此外，亦可於貼附有零件製造用膜1的狀態下進行加熱步驟或其他步驟，故亦可先進行該些步驟的任一步驟，與利用專用的黏著膜或托盤等的情況相比，步驟的自由度優異。該R₁₁ 進而較佳為0.01≦R₁₁ ≦0.5，更佳為0.01≦R₁₁ ≦0.3，進而佳為0.02≦R₁₁ ≦0.2，特佳為0.02≦R₁₁ ≦0.1。

於本發明的零件50（半導體晶圓51、半導體零件52、陣列狀電子零件53、電子零件54等）的製造時，有經歷低溫的情況（例如，低溫化下的評價步驟等）。基層11的低溫下的拉伸彈性係數E'大於高溫下的拉伸彈性係數E'，因此於經歷此種步驟的情況下，較佳為可維持低溫下的柔軟性。然而，可獲得高溫下的耐熱性的材料通常高溫拉伸彈性係數大，此種材料的拉伸彈性係數於低溫下變得更大。就該方面，於基層11的比R₁₁ 為R₁₁ ≧0.01且E₁₁ '（-40）為20 MPa≦E₁₁ '（-40）≦4300 MPa的零件製造用膜1中，亦可於製造本發明的零件50時所可產生的所述般的各狀況下共用。

進而，E₁₁ '（-40）較佳為滿足所述R₁₁ 的相關性，E₁₁ '（-40）單獨的具體的值並無限定，較佳為80 MPa≦E₁₁ '（-40）≦4000 MPa，更佳為120 MPa≦E₁₁ '（-40）≦3800 MPa，進而佳為180 MPa≦E₁₁ '（-40）≦2500 MPa，特佳為250 MPa≦E₁₁ '（-40）≦1400 MPa。再者，本說明書中敘述的E₁₁ '較佳為基層11的MD方向及TD方向兩者中記載的範圍。

與基層11有關的所述各拉伸彈性係數E₁₁ '可藉由動態黏彈性測定裝置（Dynamic Mechanical Analysis，DMA）來測定。具體而言，將樣品尺寸設為寬度10 mm、夾具間的長度20 mm，根據於頻率1 Hz、昇溫速度5℃/min的測定條件下自-50℃至200℃進行測定而獲得的資料來讀取各溫度的資料，由此獲得各拉伸彈性係數E₁₁ '。

進而，基層11的線熱膨脹係數並無限定，但較佳為100 ppm/K以上。作為此種材料，可列舉所述般的熱塑性彈性體。即，熱塑性彈性體為線熱膨脹係數較大的材料，認為大的線熱膨脹係數為於高溫下引起零件製造用膜的變形的驅動因素。如此，使用線熱膨脹係數為100 ppm/K以上的基層的零件製造用膜1特別是於加熱環境下有容易產生褶皺等而產生對吸盤台的吸附不良情況的傾向。相對於此，即便於利用線熱膨脹係數為100 ppm/K以上的基層11的情況下，藉由使用附加層13來設置第2區域S2，亦可防止加溫環境下的對吸盤台的吸附不良。進而，本發明的零件製造用膜1的構成適於基層11的線熱膨脹係數為100 ppm/K以上且300 ppm/K以下的情況，進而更適合於150 ppm/K以上且250 ppm/K以下的情況。再者，線熱膨脹係數為可基於JIS K7197而測定，且溫度50℃至190℃之間的熱膨脹係數。

基層11的厚度並無特別限定，例如可設為50 μm以上且200 μm以下，較佳為65 μm以上且175 μm以下，更佳為80 μm以上且150 μm以下。另外，基層11的延伸的有無均可。

（3）黏著材層黏著材層12為由黏著材而形成的層，可僅於基層11的一面或於基層11的兩面上具備。該黏著材層12可與基層11直接相接而設置，亦可介隔其他層而設置。

黏著材層12的黏著力並無特別限定，較佳為貼附於矽晶圓的表面上並放置60分鐘後，自矽晶圓的表面剝離時的依據JIS Z0237所測定的對矽晶圓的黏著力（於溫度23℃、相對濕度50%的環境下測定）為0.1 N/25 mm～10 N/25 mm。於黏著力為所述範圍的情況下，可確保與零件的良好的接著性，並且剝離時抑制對零件的殘糊。該黏著力進而更佳為0.2 N/25 mm以上且9 N/25 mm以下，進而佳為0.3 N/25 mm以上且8 N/25 mm以下。另外，黏著材層12的厚度（基層11的一面側的厚度）並無特別限定，較佳為1 μm以上且40 μm以下，更佳為2 μm以上且35 μm以下，特佳為3 μm以上且25 μm以下。

作為黏著材，可使用任意材料。通常至少包含黏著主劑。作為黏著主劑，可列舉丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、橡膠系黏著劑等。另外，該黏著材除黏著主劑以外可包含交聯劑。進而，黏著材可為可藉由能量線而硬化的能量線硬化型黏著材，亦可為不藉由能量線而硬化的能量非硬化型黏著材。於為能量線硬化型黏著材的情況下，藉由對黏著材進行能量線照射，可使黏著材硬化而使其黏著力降低，於使本零件製造用膜1與零件50分離時，可防止對零件50的殘糊。能量線的種類並無限定，可利用紫外線、電子束、紅外線等。於為能量線硬化型黏著材的情況下，黏著材除所述黏著主劑以外，可包含於分子內具有碳-碳雙鍵的化合物、及可對能量線發生反應而引發硬化性化合物的聚合的光聚合起始劑。該硬化性化合物較佳為於分子中具有碳-碳雙鍵且可藉由自由基聚合而硬化的單體、寡聚物及/或聚合物。

（4）附加層附加層13為形成第2區域S2的層，且為於溫度190℃以下的範圍下其拉伸彈性係數（以下，亦簡稱為「E₁₃ '」）與基層11的拉伸彈性係數E₁₁ '相同、或大於基層11的拉伸彈性係數的層。即，E₁₁ '≦E₁₃ '。附加層13只要為E₁₁ '≦E₁₃ '的材料，則可無限制地利用。具體而言，可為有機材料，亦可為無機材料，抑或可為該些的複合材料。

所述中，作為有機材料，可列舉各種樹脂（樹脂膜、樹脂環等）、抄紙材（將漿料、樹脂纖維等抄紙而獲得的抄紙材等）等。該些有機材料中，就成形性、物性控制的容易性等觀點而言，較佳為樹脂。另外，作為樹脂，可列舉熱塑性樹脂、熱可硬化性樹脂及熱塑性彈性體。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些樹脂中，就成形性的觀點而言，較佳為熱塑性樹脂及熱塑性樹脂彈性體。所述中，作為可構成附加層13的熱塑性樹脂，可列舉：聚酯（聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸丁二酯等）、聚醯胺（尼龍6、尼龍12等）、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。所述中，作為可構成附加層13的熱塑性彈性體，可直接應用可構成基層11的材料。

如所述般，作為附加層13，可使用無機材料，因此亦可利用例如相對於零件製造用膜1而成為重石（金屬環等）的附加層13。然而，若利用可作為重石發揮功能的附加層13，則其重量相對於零件製造用膜1而成為負擔，因此有難以以零件製造用具15的形式進行操作的傾向。即，於將零件製造用膜1於不同的兩個以上的吸盤台間一面移動一面共用的情況下等，可能需要根據情況而取下附加層13。相對於此，若為自重充分輕、難以相對於零件製造用膜1而施加負荷的樹脂製的附加層13或金屬箔製的附加層13，則可於無需取下附加層13的情況下實現步驟間的更高級的共用。就此種觀點而言，關於附加層13，可將厚度1 mm的每單位面積的質量設為0.1 g/cm² 以上且2.0 g/cm² 以下。進而可設為0.2 g/cm² 以上且1.5 g/cm² 以下，進一步可設為0.3 g/cm² 以上且1.2 g/cm² 以下，進而可設為0.5 g/cm² 以上且1.0 g/cm² 以下。

另外，於作為附加層13而使用樹脂的情況下，附加層13的拉伸彈性係數E₁₃ '只要滿足所述「E₁₁ '≦E₁₃ '」的關係，則並無特別限定，該E₁₁ '≦E₁₃ '的相關性較佳為於更高溫度範圍下成立。就該觀點而言，E₁₁ '≦E₁₃ '的相關性較佳為於50℃以上且190℃以下的溫度範圍下成立，更佳為於70℃以上且190℃以下的溫度範圍下成立，進而佳為於90℃以上且190℃以下的溫度範圍下成立，特佳為於110℃以上且190℃以下的溫度範圍下成立。

進而，較佳為E₁₃ '於90℃以上且190℃以下的溫度範圍下（進而於110℃以上且160℃以下的溫度範圍下）成為E₁₃ '＞390 MPa的附加層13，更佳為390 MPa≦E₁₃ '≦5000 MPa的附加層13，進而佳為500 MPa≦E₁₃ '≦4500 MPa的附加層13，特佳為800 MPa≦E₁₃ '≦4000 MPa的附加層13。再者，本說明書中敘述的E₁₃ '較佳為附加層13的MD方向及TD方向兩者中記載的範圍。

再者，與附加層13有關的所述各拉伸彈性係數E₁₃ '可藉由動態黏彈性測定裝置（Dynamic Mechanical Analysis，DMA）來測定。具體而言，將樣品尺寸設為寬度10 mm、夾具間的長度20 mm，根據於頻率1 Hz、昇溫速度5℃/min的測定條件下自-50℃至200℃進行測定而獲得的資料來讀取各溫度的資料，由此獲得各拉伸彈性係數E₁₃ '。

另外，於作為附加層13而使用無機材料的情況下，作為無機材料，可列舉：金屬（金屬膜、金屬環等）、陶瓷（陶瓷環等）、玻璃（玻璃環等）等。該些無機材料中，就成形性、物性控制的容易性等觀點而言，較佳為金屬。另外，作為金屬，可列舉：鎂、鈦、鐵、鎳、銅、鋅、鈀、銀、錫、鎢、鉑、金、鉛等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上（合金等）。

附加層13的厚度並無特別限定，例如可設為50 μm以上且2000 μm以下，較佳為65 μm以上且1750 μm以下，更佳為80 μm以上且1500 μm以下。特別是如後述般，進行使用探針卡80的評價步驟作為加熱步驟R4的情況下，為了於評價時避免探針卡80等測定設備側的各部與附加層13的接觸，附加層13較佳為可抑制為不與探針卡80等測定設備側的各部接觸的厚度。即，較佳為可於更薄的形態下發揮特性。

（3）其他層本零件製造用膜1可僅包含基層11、黏著材層12及附加層13，但可具備其他層。作為其他層，可列舉：可吸收貼附面的凹凸形狀而使膜面平滑的凹凸吸收層、提昇與黏著材的介面強度的介面強度提昇層、抑制低分子量成分自基材向黏著面轉移的防轉移層等。該些層可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

（4）零件製造用膜的製造本零件製造用膜可利用任意方法製造，該方法並無特別限定。具體可藉由共擠出法、擠出層壓法、接著層壓法、塗佈法等方法來製造。其中，共擠出法為藉由共擠出將成為基層11的熔融樹脂與成為黏著材層12的熔融樹脂積層而製造零件製造用膜中除附加層13以外的基礎層的方法。之後，相對於所獲得的基礎層而積層另外準備的附加層13，藉此可獲得本零件製造用膜1。

另外，擠出層壓法為於基層11上藉由擠出而積層成為黏著材層12的熔融樹脂，製造零件製造用膜中除附加層13以外的基礎層的方法。該情況下，之後，亦相對於所獲得的基礎層而積層另外準備的附加層13，藉此可獲得本零件製造用膜1。進而，塗佈法為於基層11上藉由塗佈或塗敷而積層成為黏著材層12的熔融樹脂，製造零件製造用膜中除附加層13以外的基礎層的方法。於使用能量線硬化型黏著材作為構成黏著材層12的黏著材的情況下，較佳為使用該塗佈法。於該塗佈法中，之後，亦相對於所獲得的基礎層而積層另外準備的附加層13，藉此可獲得本零件製造用膜1。

另外，接著層壓法為經由熱壓接、接著劑、熱熔等將基層11與黏著材層12積層而製造半導體零件製造用膜的方法。於該接著層壓法中，可先積層基層11與黏著材層12而形成基礎層，亦可同時積層基層11與黏著材層12及附加層13而一起製造本零件製造用膜1。該些方法可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

[2]零件製造用具本發明的零件製造用具（15）可用於半導體零件的製造方法或電子零件的製造方法中。該零件製造用具（15）的特徵在於：具備具有開口部（71）的框體（70）以及零件製造用膜（1）。而且，將零件製造用膜（1）以覆蓋開口部（71）、且第1區域（S1）與第2區域（S2）的界限位於開口部（71）的內側的方式，固定於框體（70）（參照圖4）。

如此，藉由以第1區域（S1）與第2區域（S2）的界限位於開口部（71）的內側的方式固定於框體（70），可具有可於不同的步驟間共用的通用性，且於加熱環境下可使零件製造用膜1確實地吸附於吸盤台。即，可將件製造用膜1吸附固定於吸盤台60的表面61而不會產生吸附不良。尤其，於作為基層11而選擇柔軟的材料，進而相對於經加溫的吸盤台60進行吸附的情況下，亦不會產生吸附不良。

進而，零件製造用膜1如所述般，於具備第3區域S3的情況下，較佳為以第1區域S1與第2區域S2的界限、及第2區域S2與第3區域S3的界限這兩者的界限均位於開口部71的內側的方式固定於框體70。即，較佳為以第2區域S2與第3區域S3的界限位於框體70的開口部71的較內周端緣而更靠內側的方式，將零件製造用膜1固定於框體70。如此，於使第3區域S3位於開口部71的內側的情況下，可提高拾取性。即，第2區域S2具備附加層13，但第3區域S3不具備附加層13，因此第3區域S3容易直接享有基層11的伸張性。進而，於該第3區域S3為第2區域S2的外側且位於開口部71的較內周端緣72更靠內側的情況下，可使第3區域S3伸張。例如，使框體70位於較吸盤台60更靠下側，從而可展開並拉伸零件製造用膜1。該情況下，第1區域S1均等地被伸張，可於置於第1區域S1的零件彼此（經切割的零件）形成間隙，並可容易拾取各零件。

作為構成零件製造用具15的框體70，例如可使用環狀框架。框體70的概形並無限定，可適當設定為必要形狀。例如可採用圓形或四邊形等。同樣地，開口部71的概形亦無限定，可適當設定為必要形狀，例如可採用圓形或四邊形等。構成框體70的材質亦無限定，例如可使用樹脂及/或金屬等。另外，以覆蓋框體70的開口部71的方式於框體70的一面70a上貼附電子零件製造用膜1的黏著材層12時，視需要可進行加熱。

[3]零件的製造方法（1）第1方法本第1發明的方法為使用零件製造用膜（1）的零件（50）的製造方法。該第1方法中包含半導體零件（52）的製造方法及電子零件（54）的製造方法。本第1方法包括：零件固定步驟（R1），將零件（50）固定於零件製造用膜（1）的第1區域（S1）內（參照圖6）；膜載置步驟（R2），將固定有零件（50）的零件製造用膜（1）以第1區域（S1）與第2區域（S2）的界限位於吸盤台（60）的較端緣（62）更靠內側的方式，載置於所述吸盤台（參照圖7）；吸附步驟（R3），將固定有零件（50）的零件製造用膜（1）吸附於吸盤台（60）的表面（61）並加以固定（參照圖8）；以及加熱步驟（R4），介隔固定於吸盤台（60）上的零件製造用膜（1），自吸盤台（60）側對零件製造用膜（1）上的零件（50）進行加熱（參照圖8）。其中，吸附步驟（R3）與加熱步驟（R4）可同時進行。即，例如可設想將固定有零件（50）的零件製造用膜（1）吸附於預先加熱的吸盤台（60）的表面（61）並加以固定的情況。

（2）第2方法本第2發明的方法為使用零件製造用具（15）的零件（50）的製造方法。該第2方法中包含半導體零件（52）的製造方法及電子零件（54）的製造方法。本第2方法包括：零件固定步驟（R1），將零件（50）固定於自零件製造用具（15）的開口部（71）中露出的零件製造用膜（1）的第1區域（S1）內（參照圖6）；膜載置步驟（R2），將固定有零件（50）的零件製造用具（15）以零件製造用膜（1）的第1區域（S1）與第2區域（S2）的界限位於吸盤台（60）的較端緣（62）更靠內側的方式，載置於吸盤台（60）（參照圖7）；吸附步驟（R3），將固定有零件（50）的零件製造用膜（1）吸附於吸盤台（60）的表面（61）並加以固定（參照圖8）；以及加熱步驟（R4），介隔固定於吸盤台（60）上的零件製造用膜（1），自吸盤台（60）側對零件製造用膜（1）上的零件（50）進行加熱（參照圖8）。其中，吸附步驟（R3）與加熱步驟（R4）可同時進行。即，例如可設想將固定有零件（50）的零件製造用膜（1）吸附於預先加熱的吸盤台（60）的表面（61）並加以固定的情況。

（3）零件固定步驟（R1）零件固定步驟（R1）（圖6）於第1方法中，為將零件50固定於零件製造用膜1的第1區域S1內的步驟。另外，於第2方法中，為將零件50固定於自零件製造用具15的開口部71中露出的零件製造用膜1的第1區域S1內的步驟。固定方法並無特別限定，可將零件製造用膜1的黏著材層12貼附於零件50的背面而加以固定。

於所述固定時，如圖6所例示般，可使零件製造用膜1位於上方並且使零件50位於下方，從而將零件50貼附於零件製造用膜1的黏著材層12的表面12a。另外，當然亦可與所述相反而進行貼附。即，可使零件50位於上方並且使零件製造用膜1位於下方，從而將零件50貼附於零件製造用膜1的黏著材層12的表面12a。進而，於固定時，視需要可進行加熱。

再者，零件製造用具15以覆蓋開口部71，且第1區域S1與第2區域S2的界限位於開口部71的內側的方式，將零件製造用膜1固定於框體70。該零件製造用具15中的框體70與零件製造用膜1的固定方法並無限定，可將零件製造用膜1的黏著材層12貼附於框體70的一面70a而加以固定。因而，零件固定步驟R1中，可將零件50固定於零件製造用膜1的同時將零件製造用膜1固定於框體70。

此處，零件50中包含半導體晶圓51、半導體零件52、陣列狀電子零件53、及電子零件54。半導體零件52為將半導體晶圓51單片化（切割，參照圖10）而獲得的零件。陣列狀電子零件53為將單片化前的電子零件54以陣列狀一體化的狀態的零件。即，陣列狀電子零件53亦可表現為將多個半導體零件以陣列狀密封而成的電子零件。另一方面，電子零件54為將陣列狀電子零件53單片化（切割，參照圖10）而獲得的零件。一個電子零件54可包含一個或兩個以上的半導體零件52。該些單片化可使用公知的方法適當進行。

另外，關於單片化，可以於一個半導體零件52內包含至少一個半導體電路區域的方式進行單片化，亦可以於一個半導體零件52內包含兩個以上的半導體電路區域的方式進行單片化，同樣地，可以於一個電子零件54內包含至少一個半導體零件52的方式進行單片化，亦可以於一個電子零件54內包含兩個以上的半導體零件52的方式進行單片化。

所述零件50中構成半導體晶圓51的基板並無特別限定，可列舉：矽基板、藍寶石基板、鍺基板、鍺-砷基板、鎵-磷基板、鎵-砷-鋁基板等。其中，所謂使用藍寶石基板的半導體晶圓，可列舉於藍寶石基板上積層有半導體層（GaN等）的半導體晶圓。於該些半導體晶圓的表面上通常形成有電路。作為該電路，可列舉：配線、電容器、二極體及電晶體等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

另外，零件50中陣列狀電子零件53是將半導體零件52以陣列狀密封而成。具體而言包含下述形態（1）-形態（3）的電子零件54。形態（1）為將形成有電路的半導體晶圓51單片化而獲得半導體零件52（晶片、晶粒），將所獲得的半導體零件52（晶片、晶粒）排列於引線框架上，進行打線接合後，以密封劑57密封而獲得的陣列狀電子零件53。形態（2）為將形成有電路的半導體晶圓51單片化而獲得半導體零件52（晶片、晶粒），將所獲得的半導體零件52（晶片、晶粒）分離排列，以密封劑57密封後，一起形成再配線層及凸塊電極等獲得與外部的導通的外部電路59而成的陣列狀電子零件53。即，為以扇出（fan out）方式（eWLB方式）獲得的陣列狀電子零件53。形態（3）為將半導體晶圓51直接以晶圓狀態用作半導體零件52，一起形成再配線層及凸塊電極等獲得與外部的導通的外部電路59、或以密封劑57密封的密封層57而成的陣列狀電子零件53。形態（3）中的半導體晶圓51為單片化前狀態，且包含將半導體零件52（晶片、晶粒）形成為陣列狀的形態、或將半導體晶圓51用作基體（於非電路矽基板上接合具有電路的晶片而利用的形態）等。即，形態（3）中的陣列狀電子零件53為以晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP）方式獲得的陣列狀電子零件。再者，亦可於形成形態（2）的電子零件54時利用本零件製造用膜1。具體而言，可於零件製造用膜1上將半導體零件52分離排列，以密封劑57密封後，一起形成再配線層及凸塊電極等獲得與外部的導通的外部電路59而獲得陣列狀電子零件53。

（4）膜載置步驟（R2）膜載置步驟（R2）（圖7）於第1方法中，為將固定有零件50的零件製造用膜1以第1區域S1與第2區域S2的界限位於吸盤台60的較端緣62更靠內側的方式，載置於吸盤台的步驟。另外，於第2方法中為將固定有零件50的零件製造用具15以零件製造用膜1的第1區域S1與第2區域S2的界限位於吸盤台60的較端緣62更靠內側的方式，載置於吸盤台60的步驟。於該步驟中，如所述般，於零件製造用膜1具備第3區域S3的情況下，較佳為以第2區域S2與第3區域S3的界限亦位於吸盤台60的較端緣62更靠內側的方式載置。

如此，使第1區域S1與第2區域S2的界限位於吸盤台60的較端緣62更靠內側，藉此可將零件製造用膜1正常地吸附於吸盤台60。該吸附的機制並不明確，但認為若第1區域S1與第2區域S2的界限位於吸盤台60的較端緣62更靠內側，則具有高溫下的拉伸彈性係數與基層11相同或者大於基層11的附加層13的第2區域S2作為吸附起點發揮功能。即，可認為高溫時的彈性下降相對更低的第2區域S2先正常地被吸附，防止自由該第2區域S2包圍的第1區域S1的抽吸洩漏，從而第1區域S1亦可正常地進行吸附。

（5）吸附步驟（R3）第1方法及第2方法中的吸附步驟R3（參照圖8）為將固定有零件50的零件製造用膜1吸附於吸盤台60的表面61並加以固定的步驟。該吸附步驟R3可與加熱步驟R4同時進行。即，例如可設想將固定有零件50的零件製造用膜1吸附於預先加熱的吸盤台60的表面61並加以固定的情況，或者吸附步驟R3與加熱步驟R4交替進行，於吸盤台60的表面61被充分冷卻之前進行零件製造用膜1的吸附的情況等。

此處，吸盤台60只要為可吸附本零件製造用膜的夾具，則可無限制地利用。通常為具有可吸附本零件製造用膜的吸附面的夾具。另外，較佳為具有另外設置的抽吸部件，可藉由來自抽吸部件的抽吸操作而以使本零件製造用膜吸附於吸附面的狀態進行保持。具體而言，可將具有吸附面並於該吸附面具有包含槽及/或孔的抽吸路線的細密體或能夠吸氣的多孔質體等用作所述吸附面。此種吸附面通常為平面。

（6）加熱步驟（R4）第1方法及第2方法中的加熱步驟R4（參照圖8）為介隔固定於吸盤台60上的零件製造用膜1，自吸盤台60側對零件製造用膜1上的零件50進行加熱的步驟。該加熱步驟R4中的加熱的目的並未限定，例如可設想進行零件50的評價時的加熱。即，可列舉評價零件50的評價步驟（參照圖9、圖11）中的加熱。即，作為零件50的評價，包含半導體晶圓51的評價、半導體零件52的評價、陣列狀電子零件53的評價、電子零件54的評價等。

其中，半導體晶圓51的評價中包含利用探針對以下進行的評價：於將半導體晶圓51固定於零件製造用膜1上的狀態下，形成於半導體晶圓51上的多個電路（與各半導體零件的電路相對應）的電氣特性於規定的溫度範圍（例如，0℃以下或100℃以上）是否可發揮所期望的特性（參照圖9）。另外，半導體零件52的評價中包含利用探針對以下進行的評價：於將對半導體晶圓51單片化而成的多個半導體零件52在本零件製造用膜1上以陣列狀排列並加以固定的狀態下，該些半導體零件52的電氣特性於規定的溫度範圍（例如，0℃以下或100℃以上）是否可發揮所期望的特性（參照圖11）。該些各評價中，包括以確認所述各溫度範圍內的動作為目的之評價、或以所述各溫度範圍內的加速耐久試驗為目的之評價（例如預燒測試（burn-in test））。

具體而言，例如可使形成有多個探針81的探針卡80與半導體晶圓51或半導體零件52的各零件50的規定的對應部位接觸並進行電性連接，判定探針81與形成於各零件50上的電路之間交換的信號的正確與否（探針測試）（參照圖9、圖11）。另外，於利用零件製造用具15的固定於框體70的零件製造用膜1進行的情況下，為了避免探針卡80等測定設備側的各部與框體70的接觸，較佳為將吸盤台60或制動器91等夾具配置於框體70的內側，將框體70向下方壓下（例如，0.5 mm～15 mm），使框體70遠離探針卡80等測定設備。該些評價除如所述般使探針接觸而進行的電性評價（探針測試）以外，可列舉非接觸的光學式的評價。

進而，陣列狀電子零件53的評價中包含利用探針對以下進行的評價：於使陣列狀電子零件53保持陣列狀的狀態，固定於零件製造用膜1上的狀態下，陣列狀電子零件53中所含的各內部電路、及與該些內部電路相對應而形成的外部電路（用以將各內部電路向外部導出的電路）的電氣特性於規定的溫度範圍（例如，0℃以下或100℃以上）是否可發揮所期望的特性（參照圖9）。另外，電子零件54的評價中包含利用探針對以下進行的評價：將陣列狀電子零件53單片化，將多個電子零件在本零件製造用膜1上以陣列狀排列並加以固定的狀態下，該些各電子零件的電氣特性於規定的溫度範圍（例如，0℃以下或100℃以上）是否可發揮所期望的特性（參照圖11）。該些各評價中，包括以確認所述各溫度範圍內的動作為目的之評價、或以所述各溫度範圍內的加速耐久試驗為目的之評價（例如預燒測試）。

具體而言，例如可使形成有多個探針81的探針卡80與陣列狀電子零件53或電子零件54的各零件50的規定的對應部位接觸並進行電性連接，判定探針81與形成於陣列狀電子零件53的外部電路之間交換的信號的正確與否（探針測試）（參照圖9、圖11）。另外，於利用零件製造用具15的固定於框體70的零件製造用膜1進行的情況下，為了避免探針卡80等測定設備側的各部與框體70的接觸，較佳為將吸盤台60或制動器91等夾具配置於框體70的內側，將框體70向下方壓下（例如，0.5 mm～15 mm），使框體70遠離探針卡80等測定設備。

於加熱步驟R4中，即便在高溫側於例如100℃以上且170℃以下（進而110℃以上且170℃以下，特別是120℃以上且160℃以下）進行評價，零件製造用膜1亦可於評價時維持必要的柔軟性。進而，可不妨礙拾取步驟（參照圖13）。即，於拾取步驟中利用頂起構件92頂起時，零件製造用膜1亦維持柔軟性，可於不使零件製造用膜1破裂的情況下頂起。特別是於在拾取步驟（參照圖13）之前具備零件分離步驟（參照圖12）的情況下，成為零件製造用膜1更易破裂的狀況，但藉由利用所述的零件製造用膜1，可防止破裂而順利地進行拾取。

所述製造方法中，除零件固定步驟R1、膜載置步驟R2、吸附步驟R3、及加熱步驟R4以外，亦可具備其他步驟。作為其他步驟，可列舉單片化步驟（參照圖10）、零件分離步驟（參照圖12）及拾取步驟（參照圖13）等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

其中，單片化步驟（參照圖10）為以半導體晶圓51成為半導體零件52的方式或陣列狀電子零件53成為電子零件54的方式切分為各單片的步驟。該單片化可使用公知的方法適當進行。另外，零件分離步驟（參照圖12）為藉由將零件製造用膜1向其外周方向伸張，至少使第1區域S1伸張，使經單片化的零件50（半導體零件52、電子零件54）彼此於第1區域S1上分離的步驟。使零件製造用膜1伸張時，例如可使制動器91抵接於框體70的內側而進行。

進而，拾取步驟（參照圖13）為將經單片化的零件50（半導體零件52、電子零件54）自零件製造用膜1的黏著材層12分離的步驟。可於各步驟中維持本零件製造用膜1的柔軟性，因此可具有高的拾取性。具體而言，於拾取步驟中，可僅使貼附有拾取對象零件的部位的膜發生變形。即，可將藉由頂起構件92頂起時所追隨抬起的周邊膜的面積抑制得小，可縮短伴隨頂起而抬起的圓形部的直徑L（參照圖13）。藉此，可防止作為非拾取對象的零件不期望地抬起等不良情況。對於無法維持充分的柔軟性的膜而言，伴隨頂起而不期望地抬起的周邊膜的面積大，因此讓人擔心的是與作為拾取對象的零件鄰接的其他零件（非拾取對象零件）同時抬起或傾斜地抬起，產生零件彼此碰撞等不良情況。本零件製造用膜1中可防止此種不良情況。拾取步驟可使用公知的方法適當進行，例如可藉由如下方式進行：利用頂起構件92自零件製造用膜1的基層11之側，將作為拾取對象的零件50頂起，藉由拾取器具93利用吸附等方法來拾取該被頂起的零件50。再者，於將附加層13以能夠適當取下的狀態貼附於黏著材層12的情況下，亦可自零件製造用膜1取下附加層13來進行所述零件分離步驟或拾取步驟。

另外，雖不包含於本發明中，但利用與本發明相同的機制，於以下般的形態的零件製造用膜中亦可獲得相同的作用、效果。如圖14所例示，可列舉形成有基層11的一部分較第1區域S1更厚地形成的膜厚區域141，該膜厚區域141形成區域S4的形態的零件製造用膜1'。於該零件製造用膜1'中，可使基層11的較其他部分更厚地形成的部位與本零件製造用膜1的附加層13同樣地發揮功能，使區域S4與本零件製造用膜1的第2區域S2同樣地發揮功能。

進而，如圖15所例示，零件製造用膜1'具有區域S4，與本零件製造用膜1同樣地，區域S4是由與基層11不同的層（其他層）142形成。其中，不同的方面為於其他層142的上側具備黏著材層12的形態。於該零件製造用膜1'中，可使其他層142與本零件製造用膜1的附加層13同樣地發揮功能，使區域S4與本零件製造用膜1的第2區域S2同樣地發揮功能。

進而，如圖16所例示，零件製造用膜1'具有區域S4，與本零件製造用膜1同樣地，區域S4是由與基層11不同的層（其他層）143形成。其中，不同的方面為其他層143被埋入至基層11的一部分（或者，基層11的一部分由作為不同的其他層143發揮功能的其他材料來形成）的形態。於該零件製造用膜1'中，可使其他層143與本零件製造用膜1的附加層13同樣地發揮功能，使區域S4與本零件製造用膜1的第2區域S2同樣地發揮功能。 [實施例]

以下，藉由實施例來具體地說明本發明。 [1]零件製造用膜的製造〈實施例1〉（1）基層作為基層11，使用厚度80 μm的聚酯系熱塑性彈性體（TPEE）膜（東麗杜邦（Toray-Dupont）股份有限公司製造，品名「海特萊爾（Hytrel）4777」，溫度50℃～200℃下的熱膨脹係數220 ppm/K，熔點200℃）。使用該基層11，藉由動態黏彈性測定裝置（Dynamic Mechanical Analysis，DMA）（製品名：RSA-3，TA儀器（TA Instrument）公司製造）來測定拉伸彈性係數E₁₁ '。具體而言，將樣品尺寸設為寬度10 mm、夾具間的長度20 mm，根據於頻率1 Hz、昇溫速度5℃/min的測定條件下自-50℃至200℃進行測定所獲得的資料來讀取各溫度的資料。即，將-40℃下的值作為拉伸彈性係數E'（-40），將160℃下的值作為拉伸彈性係數E'（160）。結果，E'（-40）為440 MPa，E'（160）為12 MPa。結果，比R_E （=E'（160）/E'（-40））為0.03。

（2）黏著材層作為黏著材層12，使用厚度10 μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑。

（3）基層與黏著材層的積層於所述（1）中獲得的基層11的一面上層壓所述（2）的黏著材層12。

（4）附加層的積層作為附加層13，使用厚度50 μm的聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜（東麗股份有限公司製造，品名「魯米拉（Lumira）」，溫度50℃～190℃下的熱膨脹係數15 ppm/K，熔點258℃）（形狀為圖1所示的環形形狀），並貼附於至所述（3）為止所獲得的黏著材層12的表面12a，從而獲得實施例1的零件製造用膜1。再者，該附加層13的拉伸彈性係數（160℃）藉由與基層11的情況相同的測定，E'（160）為400 MPa。

〈實施例2〉（1）附加層的積層將下述的附加層13積層於與至所述〈實施例1〉（3）為止同樣地進行而獲得的積層體上。作為附加層13，使用厚度300 μm的不鏽鋼（SUS304）片（溫度50℃～190℃下的熱膨脹係數10 ppm/K）（形狀為圖1所示的環形形狀），從而獲得實施例2的零件製造用膜1。再者，該附加層13的拉伸彈性係數（160℃）藉由與基層11的情況相同的測定，E'（160）為185×10³ MPa。

〈比較例1〉除不使用附加層13以外，將與實施例1及實施例2同樣地進行而獲得的基層11與黏著材層12的積層體用作比較例1的零件製造用膜（即，不具有附加層13的先前的零件製造用膜）。

[表1]

[2]使用零件製造用膜的試驗使用實施例1-實施例2及比較例1進行以下的試驗。（1）試驗1（耐熱性的評價）於經設定為溫度120℃的真空吸附式的吸盤台上，吸附固定所述[1]中獲得的實施例1-實施例2及比較例1的各零件製造用膜的基層11。按以下的基準來評價此時的吸附固定的狀態，將其結果示於表1中。「○」･･･可良好地吸附固定。「△」･･･可吸附固定，但於第3區域S3確認到稍許褶皺。「×」･･･零件製造用膜發生波動而無法吸附固定。

[3]實施例的效果藉由具備附加層13，即便為加溫至160℃的吸盤台60，亦可吸附固定零件製造用膜1。

再者，本發明不限於所述具體實施例所示的內容，可設為根據目的、用途於本發明的範圍內加以各種變更而成的實施例。 [產業上之可利用性]

本發明的零件製造用膜、零件製造用具及零件的製造方法可廣泛用於半導體零件製造、電子零件製造的用途中。特別是於利用具備伴有加熱的評價步驟、單片化步驟及拾取步驟的零件的製造方法的情況下，具有可於該些步驟中共通地利用的通用性，且具有於加熱環境下可確實地吸附於吸盤台的特性，因此可較佳地用於進行生產性優異的零件製造。

1、1'‧‧‧零件製造用膜

11‧‧‧基層

12‧‧‧黏著材層

12a‧‧‧黏著材層的表面（露出於開口部71中的黏著材層12的表面）

13‧‧‧附加層

15‧‧‧零件製造用具

50‧‧‧零件

51‧‧‧半導體晶圓

52‧‧‧半導體零件

53‧‧‧陣列狀電子零件

54‧‧‧電子零件

57‧‧‧密封劑（密封材、密封層）

59‧‧‧外部電路

60‧‧‧吸盤台

61‧‧‧表面（吸盤台的能夠吸附的表面）

62‧‧‧端緣（吸盤台的端緣）

70‧‧‧框體

70a‧‧‧框體的一面

71‧‧‧框體的開口部

72‧‧‧框體的開口部的內周端緣

80‧‧‧探針卡

81‧‧‧探針

91‧‧‧制動器

92‧‧‧頂起構件

93‧‧‧拾取器具

131‧‧‧個別附加層

141‧‧‧膜厚區域

142‧‧‧其他層

143‧‧‧與基層11不同的層（其他層）

D‧‧‧離心方向

L‧‧‧虛擬線

P‧‧‧中心

R1‧‧‧零件固定步驟

R2‧‧‧膜載置步驟

R3‧‧‧吸附步驟

R4‧‧‧加熱步驟

R5‧‧‧評價步驟（半導體晶圓評價步驟、陣列狀電子零件評價步驟）

R6‧‧‧單片化步驟

R7‧‧‧評價步驟（半導體零件評價步驟、電子零件評價步驟）

R8‧‧‧零件分離步驟

R9‧‧‧拾取步驟

S1‧‧‧第1區域

S2‧‧‧第2區域

S3‧‧‧第3區域

S4‧‧‧區域

S21‧‧‧個別區域

X‧‧‧褶皺

圖1是對本零件製造用膜的一例的平面形態（a）及相對應的剖面形態（b）進行說明的說明圖。圖2是對本零件製造用膜的另一例的平面形態進行說明的說明圖。圖3是對本零件製造用膜的又一例的平面形態進行說明的說明圖。圖4是對本零件製造用具的一例的平面形態（a）及相對應的剖面形態（b）進行說明的說明圖。圖5（a）、圖5（b）是對本零件製造用膜的效果（a）與先前的零件製造用膜的效果（b）的差異進行說明的說明圖。圖6是對本方法的零件固定步驟進行說明的說明圖。圖7是對本方法的膜載置步驟進行說明的說明圖。圖8是對本方法的吸附步驟及加熱步驟進行說明的說明圖。圖9是對本方法的評價步驟進行說明的說明圖。圖10是對本方法的單片化步驟進行說明的說明圖。圖11是對本方法的評價步驟進行說明的說明圖。圖12是對本方法的零件分離步驟進行說明的說明圖。圖13是對本方法的拾取步驟進行說明的說明圖。圖14是不包含於本發明的零件製造用膜的例示。圖15是不包含於本發明的零件製造用膜的例示。圖16是不包含於本發明的零件製造用膜的例示。

Claims

一種零件製造用膜，其用於半導體零件的製造方法或電子零件的製造方法中，所述零件製造用膜的特徵在於：具有第1區域、與包圍所述第1區域而配置的第2區域，所述第1區域是由基層、與設於所述基層的一面側的黏著材層形成，所述第2區域是由所述基層及所述黏著材層、與貼附於所述黏著材層上的附加層形成，於溫度190℃以下的範圍下，所述附加層的拉伸彈性係數與所述基層的拉伸彈性係數相同，或者大於所述基層的拉伸彈性係數。
如申請專利範圍第1項所述的零件製造用膜，其中所述基層的線熱膨脹係數為100 ppm/K以上。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的零件製造用膜，其中所述基層包含熱塑性聚酯系彈性體、熱塑性聚醯胺系彈性體、及聚對苯二甲酸丁二酯中的至少一種。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的零件製造用膜，其中所述附加層包含選自金屬、樹脂、陶瓷、玻璃的群組中的一種或兩種以上的材料。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的零件製造用膜，其進而具有包圍所述第2區域而配置的第3區域，所述第3區域是由所述基層與所述黏著材層形成。
如申請專利範圍第3項所述的零件製造用膜，其進而具有包圍所述第2區域而配置的第3區域，所述第3區域是由所述基層與所述黏著材層形成。
如申請專利範圍第4項所述的零件製造用膜，其進而具有包圍所述第2區域而配置的第3區域，所述第3區域是由所述基層與所述黏著材層形成。
一種零件製造用具，其用於半導體零件的製造方法或電子零件的製造方法中，所述零件製造用具的特徵在於：具備具有開口部的框體、與如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的零件製造用膜，將所述零件製造用膜以覆蓋所述開口部，且所述第1區域與所述第2區域的界限位於所述開口部的內側的方式，固定於所述框體。
一種零件製造方法，其為選自半導體零件及電子零件中的零件的製造方法，所述零件製造方法的特徵在於包括：零件固定步驟，將所述零件固定於如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的零件製造用膜的所述第1區域內；膜載置步驟，將固定有所述零件的所述零件製造用膜以所述第1區域與所述第2區域的界限位於吸盤台的較端緣更靠內側的方式，載置於所述吸盤台；吸附步驟，將固定有所述零件的所述零件製造用膜吸附於所述吸盤台的表面並加以固定；以及加熱步驟，介隔固定於所述吸盤台上的所述零件製造用膜，自所述吸盤台側對所述零件製造用膜上的所述零件進行加熱。
一種零件製造方法，其為選自半導體零件及電子零件中的零件的製造方法，所述零件製造方法的特徵在於包括：零件固定步驟，將所述零件固定於自如申請專利範圍第8項所述的零件製造用具的所述開口部中露出的所述零件製造用膜的所述第1區域內；膜載置步驟，將固定有所述零件的所述零件製造用具以所述第1區域與所述第2區域的界限位於吸盤台的較端緣更靠內側的方式，載置於所述吸盤台；吸附步驟，將固定有所述零件的所述零件製造用膜吸附於所述吸盤台的表面並加以固定；以及加熱步驟，介隔固定於所述吸盤台上的所述零件製造用膜，自所述吸盤台側對所述零件製造用膜上的所述零件進行加熱。