TW201837074A - 液狀環氧樹脂組成物、半導體裝置及半導體裝置的製造方法 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 95
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 95
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 69
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 19
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- -1 aromatic amine compound Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical class C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- RNVCVTLRINQCPJ-UHFFFAOYSA-N o-toluidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N RNVCVTLRINQCPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 3
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 3
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXXSQMDHHYTRKY-UHFFFAOYSA-N 4-amino-2,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)phenol Chemical compound C1=C(O)C(CC2OC2)=C(CC2OC2)C(N)=C1CC1CO1 CXXSQMDHHYTRKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl)-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(C=C)C=C1 LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHKSKVKCKMGRDU-UHFFFAOYSA-N 2-(3-aminopropylamino)ethanol Chemical compound NCCCNCCO GHKSKVKCKMGRDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYYCPWLLBSSFBW-UHFFFAOYSA-N 2-(naphthalen-1-yloxymethyl)oxirane Chemical compound C=1C=CC2=CC=CC=C2C=1OCC1CO1 QYYCPWLLBSSFBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=NC=CN1 PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUPKCFBHJFNUEW-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound CCC1=NCCN1 QUPKCFBHJFNUEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWSLLSXLURJCDF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound CC1=NCCN1 VWSLLSXLURJCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUOZJYASZOSONT-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yl-1h-imidazole Chemical compound CC(C)C1=NC=CN1 FUOZJYASZOSONT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRPJWBIHQOHLND-UHFFFAOYSA-N 4-[dimethoxy(methyl)silyl]oxybutyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)OCCCCOC(=O)C(C)=C DRPJWBIHQOHLND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGFFAJCHTMNNMO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-N-(3-triethoxysilylpropyl)pentan-2-amine Chemical compound C(C)O[Si](CCCNC(CC(C)C)C)(OCC)OCC GGFFAJCHTMNNMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 5-(2,4-dioxooxolan-3-yl)-7-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)=CC1C1C(=O)COC1=O FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAEYKSUDUMUTHJ-UHFFFAOYSA-N C.NC1CCC(CC1)C1CCC(CC1)N Chemical compound C.NC1CCC(CC1)C1CCC(CC1)N QAEYKSUDUMUTHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical class OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N imidazoline Chemical compound C1CN=CN1 MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002462 imidazolines Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- HYIMSNHJOBLJNT-UHFFFAOYSA-N nifedipine Chemical compound COC(=O)C1=C(C)NC(C)=C(C(=O)OC)C1C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O HYIMSNHJOBLJNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTHOKNTVYKTUPI-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(3-triethoxysilylpropyltetrasulfanyl)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCSSSSCCC[Si](OCC)(OCC)OCC VTHOKNTVYKTUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWZLBIVZPIDURM-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3-prop-1-enoxypropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC=CC IWZLBIVZPIDURM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
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Abstract
一種液狀環氧樹脂組成物,其含有環氧樹脂、硬化劑、以及填料,所述環氧樹脂包含具有至少三個環氧基的環氧化合物,所述具有至少三個環氧基的環氧化合物的含有率為所述環氧樹脂全體的1質量%以上且未滿10質量%。
Description
本發明是有關於一種液狀環氧樹脂組成物、半導體裝置及半導體裝置的製造方法。
半導體裝置的配線等的進一步高密度化、高輸出化發展,作為能夠應對於此的半導體元件的安裝方式,利用倒裝晶片接合(flip chip bonding)方式。通常在倒裝晶片接合中,利用凸塊(bump)將半導體元件與基板接合,並利用被稱為底部填充(underfill)材的液狀的環氧樹脂組成物將半導體元件與基板的間隙密封。
近年來,為了應對半導體裝置等的高密度化、高輸出化等要求,不斷推進半導體裝置的配線圖案的細間距(fine pitch)化與窄間隔(gap)化。其結果,出現了產生無法注入底部填充材的部位的問題。
在使用環氧樹脂組成物將窄間隔的半導體裝置密封的情況下,若黏度高,則向間隔中的注入變得困難,有產生無法密封的部位之虞。另一方面,若為了降低黏度而減少環氧樹脂組成物中所含的填料的量,則有密封後的可靠性降低之虞。因此,提出了一種液狀環氧樹脂組成物,其藉由相對於環氧樹脂100質量份而使用10.0質量份~70質量份的胺基苯酚環氧樹脂,可維持良好的注入性與可靠性(耐填角(fillet)龜裂性)(例如參照專利文獻1)。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2016-113525號公報
[發明所欲解決之課題] 近年來,伴隨半導體裝置的薄型化及大型化的發展,對半導體裝置的密封中使用的環氧樹脂組成物的硬化物施加的應力有增大的傾向。因此,期望開發出一種密封時的注入性優異,並且在硬化後顯示出優異的斷裂韌性的環氧樹脂組成物。 本發明鑒於所述情況,將課題設為提供一種注入性與硬化後的斷裂韌性優異的液狀環氧樹脂組成物、使用其而獲得的半導體裝置及半導體裝置的製造方法。 [解決課題之手段]
<1> 一種液狀環氧樹脂組成物,包含環氧樹脂、硬化劑、以及填料,所述環氧樹脂包含具有至少三個環氧基的環氧化合物,所述具有至少三個環氧基的環氧化合物的含有率為所述環氧樹脂全體的1質量%以上且未滿10質量%。 <2> 如<1>所述的液狀環氧樹脂組成物,其中所述具有至少三個環氧基的環氧化合物包含含有氮原子的環氧化合物。 <3> 如<1>或<2>所述的液狀環氧樹脂組成物,其中所述具有至少三個環氧基的環氧化合物包含下述式(1)所表示的環氧化合物。
[化1]
<4> 如<3>所述的液狀環氧樹脂組成物,其中所述式(1)所表示的環氧化合物包含下述式(2)所表示的環氧化合物。
[化2]
<5> 如<1>~<4>中任一項所述的液狀環氧樹脂組成物,其中所述硬化劑包含選自由下述式(3)所表示的化合物及下述式(4)所表示的化合物所組成的群組中的至少一種芳香族胺化合物。
[化3]
<6> 如<1>~<5>中任一項所述的液狀環氧樹脂組成物,其中相對於所述液狀環氧樹脂組成物100質量份的所述填料的量為40質量份~75質量份。 <7> 如<1>~<6>中任一項所述的液狀環氧樹脂組成物,其用作半導體裝置的密封材。 <8> 一種半導體裝置,其包括:支撐體、配置於所述支撐體上的半導體元件、以及將所述半導體元件密封的如<1>~<7>中任一項所述的液狀環氧樹脂組成物的硬化物。 <9> 一種半導體裝置的製造方法,其包括:利用如<1>~<7>中任一項所述的液狀環氧樹脂組成物對支撐體與配置於所述支撐體上的半導體元件之間的空隙進行填充的步驟;以及對所述液狀環氧樹脂組成物進行硬化的步驟。 [發明的效果]
根據本發明,提供一種注入性與硬化後的斷裂韌性優異的液狀環氧樹脂組成物、使用其而獲得的半導體裝置及半導體裝置的製造方法。
以下,對用以實施本發明的形態進行詳細說明。其中,本發明並不限定於以下的實施形態。於以下的實施形態中,其構成要素(亦包括要素步驟等)除了特別明示的情況以外,並非為必需。關於數值及其範圍亦相同,並不限制本發明。
於本揭示中,「步驟」的術語除了獨立於其他步驟的步驟以外,即便在無法與其他步驟明確地區別的情況下,只要達成該步驟的目的,則亦包括該步驟。 於本揭示中,使用「~」而表示的數值範圍包括「~」的前後所記載的數值分別作為最小值及最大值。 於本揭示中階段性記載的數值範圍中,在一個數值範圍中所記載的上限值或下限值亦可置換為其他階段性記載的數值範圍的上限值或下限值。另外,於本揭示中所記載的數值範圍中,該數值範圍的上限值或下限值亦可置換為實施例中所示的值。 於本揭示中,各成分亦可包含多種相當的物質。在組成物中存在多種相當於各成分的物質的情況下,只要無特別說明,則各成分的含有率或含量是指組成物中所存在的該多種物質的合計的含有率或含有量。 於本揭示中,亦可包含多種相當於各成分的粒子。在組成物中存在多種相當於各成分的粒子的情況下,只要無特別說明,則各成分的粒徑是指關於組成物中所存在的該多種粒子的混合物的值。
[液狀環氧樹脂組成物] 本實施形態的液狀環氧樹脂組成物(以下亦稱為環氧樹脂組成物)含有環氧樹脂、硬化劑、以及填料,所述環氧樹脂包含具有至少三個環氧基的環氧化合物(以下亦稱為特定環氧化合物),所述具有至少三個環氧基的環氧化合物的含有率為環氧樹脂全體的1質量%以上且未滿10質量%。
具有所述構成的環氧樹脂組成物的注入性(特別是向具有細間距的配線圖案的倒裝晶片型半導體裝置中的注入性)優異。 進而,本發明者等人進行研究後,結果得知:若特定環氧化合物的含有率未滿環氧樹脂全體的10質量%,則與特定環氧化合物的含有率為環氧樹脂全體的10質量%以上的情況相比,硬化後的斷裂韌性良好。其理由未必明確,但認為原因在於:以環氧樹脂組成物的交聯密度不會變得過高的程度抑制了特定環氧樹脂的量。
於本揭示中,所謂「斷裂韌性」是指在對環氧樹脂組成物的硬化物進行的三點彎曲試驗中測定的彎曲強度與伸長率的積分值,該值越大,則可以說斷裂韌性越優異。
斷裂韌性的值例如較佳為450 N/mm以上。若斷裂韌性的值為450 N/mm以上,則有硬化後的填角龜裂得到有效抑制的傾向。
於本揭示中,所謂「液狀」是指25℃下的黏度為30 Pa・s以下。黏度是使用E型黏度計(例如,東京計器股份有限公司,商品名「威斯康克(VISCONIC) EHD型」),於椎體(cone)角度:3°、轉速:10轉/分的條件下進行測定而得的值。
就注入性的觀點而言,環氧樹脂組成物的25℃下的黏度較佳為28 Pa・s以下,更佳為25 Pa・s以下,進而佳為20 Pa・s以下。
(A)環氧樹脂 環氧樹脂含有特定環氧化合物,所述特定環氧化合物的含有率為環氧樹脂全體的1質量%以上且未滿10質量%。特定環氧化合物只要為具有至少三個環氧基的環氧化合物,則並無特別限制。特定環氧化合物可單獨使用一種,亦可併用兩種以上。
若特定環氧化合物的含有率為環氧樹脂全體的1質量%以上,則有獲得充分的注入性提高效果的傾向。另外,與不包含特定環氧化合物的狀態相比,有交聯密度昇高、硬化物的強度增加的傾向。特定環氧化合物的含有率較佳為環氧樹脂全體的2質量%以上,更佳為3質量%以上。
若特定環氧化合物的含有率未滿環氧樹脂全體的10質量%,則有硬化物的斷裂韌性得到良好地維持的傾向。其結果,可期待提高半導體元件的安裝後的相對於應力的耐性、或抑制填角龜裂的發生的效果。特定環氧化合物的含有率較佳為環氧樹脂全體的9質量%以下,更佳為8質量%以下。
就良好地維持環氧樹脂組成物的注入性的觀點而言,特定環氧化合物的分子量越小越佳。例如,特定環氧化合物的分子量較佳為110以下,更佳為100以下,進而佳為90以下。
於某實施方式中,特定環氧化合物包含如下的環氧化合物:其具有氮原子。另外,於某實施方式中,特定環氧化合物包含如下的環氧化合物:其具有鍵結有縮水甘油基的氮原子。另外,於某實施方式中,特定環氧化合物包含如下的環氧化合物:其具有鍵結有縮水甘油基的氮原子鍵結於芳香環的結構。另外,於某實施方式中,特定環氧化合物包含如下的環氧化合物:其具有鍵結有兩個縮水甘油基的氮原子鍵結於芳香環的結構。
就環氧樹脂組成物的注入性、硬化性、耐熱性、黏接性、耐久性(抑制填角龜裂等)及耐遷移性的觀點而言,特定環氧化合物較佳為包含下述式(1)所表示的環氧化合物。
[化4]
在特定環氧化合物為上述式所表示的環氧化合物的情況下,較佳為與芳香環鍵結的氮原子與氧原子處於鄰位或對位的關係的環氧化合物,更佳為處於對位的關係的環氧化合物(即,下述式(2)所表示的三縮水甘油基對胺基苯酚)。
[化5]
所述式(2)所表示的特定環氧化合物例如可作為三菱化學股份有限公司製造的胺基苯酚型環氧樹脂(等級(grade):jER630、jER630LSD)而獲取。
環氧樹脂中所包含的特定環氧化合物以外的環氧樹脂並無特別限制。例如,液狀的環氧樹脂組成物可使用通常所使用的液狀環氧樹脂。作為液狀環氧樹脂,可列舉:液狀雙酚A型環氧樹脂、液狀雙酚F型環氧樹脂、液狀萘型環氧樹脂、液狀氫化雙酚型環氧樹脂、液狀脂環式環氧樹脂、液狀醇醚型環氧樹脂、液狀環狀脂肪族型環氧樹脂、液狀烯烴型環氧樹脂、及液狀矽烷系環氧樹脂。環氧樹脂可單獨使用一種,亦可併用兩種以上。
所述環氧樹脂中,就硬化性、耐熱性、黏接性及耐久性的觀點而言,較佳為液狀雙酚A型環氧樹脂、液狀雙酚F型環氧樹脂、及液狀萘型環氧樹脂。
就調整黏度的觀點而言,環氧樹脂的環氧當量較佳為80 g/eq~250 g/eq。作為環氧當量為該範圍的環氧樹脂的市售品,可列舉三井化學股份有限公司製造的雙酚A型環氧樹脂(品名:R-140P)、新日鐵住金股份有限公司製造的雙酚F型雙氧樹脂(品名:YDF8170)、迪愛生(DIC)股份有限公司製造的萘型環氧樹脂(品名:HP4032D)等。
(B)硬化劑 環氧樹脂組成物中所包含的硬化劑對環氧樹脂組成物賦予良好的反應性(硬化速度)與適度的黏性。硬化劑可單獨使用一種,亦可併用兩種以上。
就與液狀的環氧樹脂組成物的適合性的觀點而言,硬化劑較佳為胺系硬化劑(具有至少兩個胺基的化合物)。作為胺系硬化劑,具體而言可列舉:脂肪族胺化合物、芳香族胺化合物、咪唑化合物、咪唑啉化合物等。
作為脂肪族胺化合物,可列舉:二乙三胺、三乙四胺、正丙基胺、2-羥基乙基胺基丙基胺、環己基胺、4,4'-二胺基-二環己基甲烷等。作為芳香族胺化合物,可列舉:4,4'-二胺基二苯基甲烷、2-甲基苯胺、下述式(3)所表示的胺化合物、下述式(4)所表示的胺化合物等。作為咪唑化合物,可列舉:咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-異丙基咪唑等。作為咪唑啉化合物,可列舉:咪唑啉、2-甲基咪唑啉、2-乙基咪唑啉等。
就與液狀的環氧樹脂組成物的適合性及保存穩定性的觀點而言,硬化劑較佳為包含芳香族胺化合物。
芳香族胺化合物的芳香環可具有胺基以外的取代基。例如,可具有碳數1~5的烷基,亦可具有碳數1或3的烷基。芳香族胺化合物所具有的芳香環的數量可為一個,亦可為兩個以上。在芳香環的數量為兩個以上的情況下,芳香環彼此可藉由單鍵而鍵結,亦可經由伸烷基等連接基而鍵結。
硬化劑更佳為包含選自由下述式(3)所表示的化合物及下述式(4)所表示的化合物所組成的群組中的至少一種芳香族胺化合物。
[化6]
作為芳香族胺化合物的市售品,可列舉三菱化學股份有限公司製造的芳香族胺化合物(等級:jER固化(jERcure)、日本化藥股份有限公司製造的芳香族胺化合物(卡亞哈得(Kayahard)AA)等。
環氧樹脂組成物中的硬化劑的量並無特別限制,可考慮與環氧樹脂的當量比來設定。例如,較佳為環氧樹脂A與硬化劑B的當量比(B/A)成為0.7~1.2的範圍的量,更佳為成為0.7~1.1的範圍的量。
(C)填料 填料的種類並無特別限制。具體而言,可列舉:二氧化矽、玻璃、氧化鋁、碳酸鈣、矽酸鋯、矽酸鈣、氮化矽、氮化鋁、氮化硼、氧化鈹、氧化鋯、鋯石(zircon)、鎂橄欖石(forsterite)、塊滑石(steatite)、尖晶石(spinel)、莫來石(mullite)、氧化鈦、滑石、黏土、雲母等無機材料。亦可使用具有阻燃效果的填料。作為具有阻燃效果的填料,可列舉:氫氧化鋁、氫氧化鎂、鎂與鋅的複合氫氧化物等複合金屬氫氧化物、硼酸鋅等。填料可單獨使用一種,亦可組合使用兩種以上。所述填料中,就減小環氧樹脂組成物的硬化物的熱膨脹率以縮小與基板的熱膨脹率差,並抑制翹曲等的產生的觀點而言,較佳為二氧化矽。作為二氧化矽,可列舉:膠體二氧化矽、疏水性二氧化矽、微細二氧化矽、奈米二氧化矽等。
環氧樹脂組成物中所包含的填料的含有率較佳為相對於環氧樹脂組成物100質量份而為40質量份~75質量份。
在填料為粒子狀的情況下,其平均粒徑並無特別限制。例如,體積平均粒徑較佳為0.2 μm~20 μm,更佳為0.5 μm~15 μm。若體積平均粒徑為0.2 μm以上,則有環氧樹脂組成物的黏度的上昇進一步得到抑制的傾向。若體積平均粒徑為20 μm以下,則有向狹小間隙中的填充性進一步提高的傾向。填料的體積平均粒徑可作為於藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置而獲得的體積基準的粒度分佈中,自小徑側起的體積的累計成為50%時的粒徑(D50)來測定。
作為填料的市售品,可列舉:雅都瑪(Admatechs)股份有限公司製造的高純度合成球狀二氧化矽(品名:SE2200SEJ,體積平均粒徑:0.5 μm,品名:SE1053SEO,體積平均粒徑:0.3 μm;品名:SE5200SEE,體積平均粒徑:2.0 μm;品名:SO-E5,體積平均粒徑:2 μm;品名:SE-2300,體積平均粒徑:0.6 μm)等。
(D)偶合劑 環氧樹脂組成物可含有偶合劑。藉由含有偶合劑,有環氧樹脂組成物的密接性提高的傾向。
作為偶合劑,可列舉:3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙基胺、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、雙(三乙氧基矽烷基丙基)四硫醚、3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷等,較佳為3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙基胺。偶合劑可單獨使用一種,亦可併用兩種以上。
作為偶合劑的市售品,可列舉:信越化學工業股份有限公司製造的3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(品名:KBM403)、3-胺基丙基三乙氧基矽烷(品名:KBE903)、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙基胺(品名:KBE9103)等。
在環氧樹脂組成物包含偶合劑的情況下,所述偶合劑的量並無特別限制。例如,相對於環氧樹脂100質量份而較佳為0.05質量份~5.0質量份,更佳為0.1質量份~3.0質量份。若偶合劑的量為0.05質量份以上,則有環氧樹脂組成物的密接性提高,硬化後的環氧樹脂組成物的耐濕可靠性更優異的傾向。若偶合劑的量為5.0質量份以下,則有環氧樹脂組成物的發泡得到抑制的傾向。
(E)其他成分 環氧樹脂組成物視需要可含有硬化促進劑、包接化合物、調平劑、離子捕獲劑、消泡劑、搖變劑、抗氧化劑、顏料、染料等所述成分以外的添加劑。
(環氧樹脂組成物的用途) 環氧樹脂組成物可用於各種安裝技術。特別是可較佳地用作倒裝晶片型安裝技術中所使用的底部填充材。例如可較佳地用於對利用凸塊等接合的半導體元件與支撐體之間的間隙進行填充的用途。本實施形態的環氧樹脂組成物因注入性優異,故亦可較佳地用於具有晶片與基板的間隙狹小(例如5 μm~25 μm)的配線圖案的倒裝晶片接合中。
半導體元件與支撐體的種類並無特別限制,可自半導體裝置的領域中所通常使用者中選擇。使用環氧樹脂組成物對半導體元件與支撐體之間的間隙進行填充的方法並無特別限制。例如,可使用分配器等藉由習知的方法來進行。
<半導體裝置> 本實施形態的半導體裝置包括:支撐體、配置於所述支撐體上的半導體元件、以及將所述半導體元件密封的所述環氧樹脂組成物的硬化物。
在所述半導體裝置中,半導體元件與支撐體的種類並無特別限制,可自半導體裝置的領域中所通常使用者中選擇。所述半導體裝置的環氧樹脂組成物的硬化物的斷裂韌性優異。因此,在環氧樹脂組成物的硬化物與支撐體之間產生應力的情況下,對所述應力的抑制效果優異。
<半導體裝置的製造方法> 本實施形態的半導體裝置的製造方法包括:利用所述環氧樹脂組成物對支撐體與配置於所述支撐體上的半導體元件之間的空隙進行填充的步驟;以及對所述環氧樹脂組成物進行硬化的步驟。
在所述方法中,半導體元件與支撐體的種類並無特別限制,可自半導體裝置的領域中所通常使用者中選擇。使用環氧樹脂組成物對半導體元件與支撐體之間的間隙進行填充的方法、及填充後對環氧樹脂組成物進行硬化的方法並無特別限制,可藉由習知的手法來進行。 [實施例]
以下,藉由實施例來對所述實施形態進行具體說明,但所述實施形態的範圍並不限定於該些實施例。
[環氧樹脂組成物的製備] 在以表1所示的調配將原料混合後,在室溫下使用三根輥(roll mill)進行分散,製作環氧樹脂組成物。原料的詳情如下所述。表1中的「eq」表示硬化物的當量數基準下的比例(硬化物1與硬化物2的合計為1)。填料的「質量%」表示相對於環氧樹脂組成物全體的比例。
環氧樹脂1···液狀雙酚F型環氧樹脂,商品名「YDF-8170C」,新日鐵住金化學股份有限公司 環氧樹脂2···1,6-雙(縮水甘油基氧基)萘,商品名「艾匹克龍(EPICLON)HP-4023D」,迪愛生(DIC)股份有限公司 環氧樹脂3···三縮水甘油基對胺基苯酚,商品名「jER 630」,三菱化學股份有限公司 硬化劑1···2-甲基苯胺,商品名「jER固化(jERcure)W」,三菱化學股份有限公司 硬化劑2···4,4'-二胺基二苯基甲烷,商品名「卡亞哈得(Kayahard)AA」,日本化藥股份有限公司 填料···高純度合成球狀二氧化矽,商品名:SE2200-SEJ,平均粒徑:0.5 μm,雅都瑪(Admatechs)股份有限公司 偶合劑···3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷,商品名「KBM-403」,信越化學工業股份有限公司
[黏度] 使用E型黏度計(東京計器股份有限公司,商品名「威斯康克(VISCONIC) EHD型」),於25℃、椎體角度:3°、轉速:10轉/分的條件下對所製備的環氧樹脂組成物的黏度(初始黏度,單位:Pa・s)進行測定。將結果示於表1中。
[注入性的評價] 製作代替可撓性基板而在玻璃基板上設置25 μm的間隙來固定代替半導體元件的玻璃板(20 mm×20 mm)而有的試驗片。接著,將該試驗片置於設定為110℃的加熱板上,於玻璃板的一端側塗佈環氧樹脂組成物,並測定間隙被樹脂組成物填滿為止的時間(秒)。若所測定的時間為300秒以下,則可評價為注入性良好。將結果示於表1中。
[斷裂韌性的評價] 使環氧樹脂組成物成形硬化為長邊60 mm、短邊10 mm、厚度3 mm的長方體而獲得試驗片。關於該試驗片,使用自動立體測圖儀(autograph)(歐力士藍德科(ORIX・Rentec)股份有限公司,商品名「RTC-1350A」)進行三點彎曲試驗。三點彎曲試驗是以圖表速度(chart speed)為2.0 mm/sec、跨距為48 mm來進行,獲得S-S曲線(強度-伸長率曲線)。對所獲得的曲線進行解析,藉由下述計算式來計算彎曲強度、伸長率及斷裂韌性值。
[彎曲強度及伸長率的計算式] [數1]F:彎曲荷重、L:支點間距離、b:試驗片寬度、h:試驗片厚度、s:撓度
[斷裂韌性值的計算式] [數2]σ=彎曲強度 ε=伸長率
若斷裂韌性值為450 N/mm以上,則可判斷:在具有細間距的配線圖案的倒裝晶片型半導體裝置中的濕回流、熱循環等可靠性試驗中,填角龜裂得到有效抑制。將所獲得的斷裂韌性的值(N/mm)與最大彎曲強度(MPa)及最大伸長率(%)的測定值一同示於表1中。
[表1]
如表1所示,在含有特定環氧化合物(環氧樹脂3)且所述特定環氧化合物的含有率為環氧樹脂全體的1質量%~未滿10質量%的實施例1~實施例3中,注入性與斷裂韌性的評價結果均良好。 在不含有特定環氧化合物的比較例1中,注入性良好,但最大彎曲強度(MPa)的值低於實施例,結果斷裂韌性的值亦低於實施例。 在特定環氧化合物的含有率為環氧樹脂全體的10質量%以上的比較例2~比較例5中,注入性良好,但最大伸長率(%)的值低於實施例,結果斷裂韌性的值亦低於實施例。
根據以上結果可知,本實施形態的環氧樹脂組成物的注入性與硬化後的斷裂韌性優異。
關於日本專利申請第2017-071914號的揭示,藉由參照而將其全部併入至本說明書中。 本說明書中記載的所有文獻、專利申請、以及技術規格是與具體且分別記載各個文獻、專利申請、以及技術規格藉由參照而併入的情況相同程度地藉由引用而併入本說明書中。
無。
無。
Claims (9)
- 一種液狀環氧樹脂組成物,包含環氧樹脂、硬化劑、以及填料,所述環氧樹脂包含具有至少三個環氧基的環氧化合物,所述具有至少三個環氧基的環氧化合物的含有率為所述環氧樹脂全體的1質量%以上且未滿10質量%。
- 如申請專利範圍第1項所述的液狀環氧樹脂組成物,其中所述具有至少三個環氧基的環氧化合物包含含有氮原子的環氧化合物。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的液狀環氧樹脂組成物,其中所述具有至少三個環氧基的環氧化合物包含下述式(1)所表示的環氧化合物,。
- 如申請專利範圍第3項所述的液狀環氧樹脂組成物,其中所述式(1)所表示的環氧化合物包含下述式(2)所表示的環氧化合物,。
- 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的液狀環氧樹脂組成物,其中所述硬化劑包含選自由下述式(3)所表示的化合物及下述式(4)所表示的化合物所組成的群組中的至少一種芳香族胺化合物,。
- 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的液狀環氧樹脂組成物,其中相對於所述液狀環氧樹脂組成物100質量份,所述填料的含量為40質量份~75質量份。
- 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的液狀環氧樹脂組成物,其用於半導體裝置的密封材。
- 一種半導體裝置,包括:支撐體、配置於所述支撐體上的半導體元件、以及將所述半導體元件密封的如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的液狀環氧樹脂組成物的硬化物。
- 一種半導體裝置的製造方法,包括:利用如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的液狀環氧樹脂組成物對支撐體與配置於所述支撐體上的半導體元件之間的空隙進行填充的步驟;以及對所述液狀環氧樹脂組成物進行硬化的步驟。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017071914 | 2017-03-31 | ||
JP2017-071914 | 2017-03-31 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201837074A true TW201837074A (zh) | 2018-10-16 |
Family
ID=63677960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107111080A TW201837074A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-30 | 液狀環氧樹脂組成物、半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2018181603A1 (zh) |
TW (1) | TW201837074A (zh) |
WO (1) | WO2018181603A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7327247B2 (ja) * | 2020-03-31 | 2023-08-16 | 株式会社デンソー | 蒸発燃料漏れ検査装置の圧力センサ |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5468853B2 (ja) * | 2009-09-07 | 2014-04-09 | 東邦テナックス株式会社 | 複合材料 |
JP2012089750A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止充てん用熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置 |
JP5593259B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2014-09-17 | ナミックス株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物 |
JP6057423B2 (ja) * | 2013-03-04 | 2017-01-11 | 田岡化学工業株式会社 | 一液型液状エポキシ樹脂組成物 |
JP6969729B2 (ja) * | 2014-12-12 | 2021-11-24 | ナミックス株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物、半導体封止剤、半導体装置、および液状エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
CN107251209B (zh) * | 2015-03-19 | 2019-12-27 | 纳美仕有限公司 | 倒装芯片安装体的制造方法、倒装芯片安装体及先供给型底部填充用树脂组合物 |
-
2018
- 2018-03-28 WO PCT/JP2018/013020 patent/WO2018181603A1/ja active Application Filing
- 2018-03-28 JP JP2019510062A patent/JPWO2018181603A1/ja active Pending
- 2018-03-30 TW TW107111080A patent/TW201837074A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2018181603A1 (ja) | 2020-02-06 |
WO2018181603A1 (ja) | 2018-10-04 |
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