JP7400714B2 - アンダーフィル材、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
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Description
<1> エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有し、硬化物として175℃の条件下に1000時間配置したときに、硬化物の全質量から無機充填材の質量を差し引いて得られる成分の質量減少率が1.00質量%以下である、アンダーフィル材。
<2> 前記エポキシ樹脂がエポキシ基及びイソシアヌレート環を有するエポキシ樹脂を含む、<1>に記載のアンダーフィル材。
<3> 前記エポキシ基及びイソシアヌレート環を有するエポキシ樹脂における前記エポキシ基と前記イソシアヌレート環とが、炭素数1以上の鎖式炭化水素基により連結されている、<2>に記載のアンダーフィル材。
<4> 前記エポキシ樹脂が、分子内にエポキシ基以外の炭素-酸素単結合(C-O)を有しないエポキシ樹脂を含む、<1>に記載のアンダーフィル材。
<5> エポキシ基及びイソシアヌレート環を有し、前記エポキシ基と前記イソシアヌレート環とが炭素数1以上の鎖式炭化水素基により連結されているエポキシ樹脂を含む、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有するアンダーフィル材。
<6> 前記エポキシ基及びイソシアヌレート環を有し、前記エポキシ基と前記イソシアヌレート環とが炭素数1以上の鎖式炭化水素基により連結されているエポキシ樹脂が、分子内にエポキシ基以外の炭素-酸素単結合(C-O)を有しない、<5>に記載のアンダーフィル材。
<7> 前記硬化剤がアミン硬化剤を含む、<1>~<6>のいずれか1項に記載のアンダーフィル材。
<8> パワー半導体用である<1>~<7>のいずれか1項に記載のアンダーフィル材。
<9> 基板と、前記基板上に配置された半導体素子と、前記半導体素子を封止している<1>~<8>のいずれか1項に記載のアンダーフィル材の硬化物と、を備える、半導体パッケージ。
<10> 基板と、前記基板上に配置された半導体素子との間の空隙を<1>~<8>のいずれか1項に記載のアンダーフィル材で充填する工程と、前記アンダーフィル材を硬化する工程と、を有する、半導体パッケージの製造方法。
本開示において「~」を用いて示された数値範囲には、「~」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
本開示において各成分に該当する粒子は複数種含まれていてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
本開示のアンダーフィル材は、第1の実施形態において、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有し、硬化物として175℃の条件下に1000時間配置したときに、硬化物の全質量から無機充填材の質量を差し引いて得られる成分の質量減少率が1.00質量%以下である。
また、本開示のアンダーフィル材は、第2の実施形態において、エポキシ基及びイソシアヌレート環を有し、前記エポキシ基と前記イソシアヌレート環とが炭素数1以上の鎖式炭化水素基により連結されているエポキシ樹脂を含む、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材と、を含有する。以下、「エポキシ基及びイソシアヌレート環を有するエポキシ樹脂」を「イソシアヌレート環含有エポキシ樹脂」ともいい、「エポキシ基及びイソシアヌレート環を有し、前記エポキシ基と前記イソシアヌレート環とが炭素数1以上の鎖式炭化水素基により連結されているエポキシ樹脂」を「特定イソシアヌレート環含有エポキシ樹脂」ともいう。
一方、発明者は、硬化物を高温下に長時間配置したときの樹脂の分解に着目した新たなアプローチによってフィレットクラックの発生を効果的に抑制しうることを見出した。明確な機序は明らかではないが、フィレットクラックは、樹脂が高温下で劣化して分解したときに、当該分解点が起点となって近隣部の樹脂の分解が連鎖的に進行することが一因となって発生すると考えられる。そこで、樹脂自体の分解の進行を抑制することに着想し、高温下に硬化物を長時間配置したときの質量減少率を一定以下に調整することで、フィレットクラックを効果的に抑制できることを見出した。
アンダーフィル材はエポキシ樹脂を含む。第1の実施形態において、エポキシ樹脂の種類は特に制限されない。第2の実施形態において、エポキシ樹脂は特定イソシアヌレート環含有エポキシ樹脂を含む限り特に制限されない。エポキシ樹脂は1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂(2官能エポキシ樹脂ともいう)を含んでもよく、1分子中に3個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂(3官能エポキシ樹脂等ともいう)を含んでもよく、これらを組み合わせて用いてもよい。本開示において、エポキシ基を有する単量体化合物(すなわち、エポキシ化合物)もエポキシ樹脂と称するものとする。
本開示において、常温で液状であるとは、25℃における粘度が1000Pa・s以下であることを意味する。本開示において、粘度はレオメーター(例えば、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン株式会社製の「AR2000」)により、40mmのパラレルプレートにて、せん断速度:32.5/secの条件で測定することができる。
エポキシ樹脂の融点は示差走査熱量測定(DSC)で測定される値とし、エポキシ樹脂の軟化点はJIS K 7234:1986に準じた方法(環球法)で測定される値とする。
エポキシ樹脂は、フィレットクラックをより良好に抑制する観点から、イソシアヌレート環含有エポキシ樹脂を含むことが好ましい。イソシアヌレート環は高温下での優れた耐熱分解性を有すると考えられ、イソシアヌレート環含有エポキシ樹脂を用いると硬化物の靭性が向上し、フィレットクラックが効果的に抑制されると考えられる。
なお、イソシアヌレート環含有エポキシ樹脂における、エポキシ基とイソシアヌレート環とを連結する鎖式炭化水素基に含まれる炭素数は、主鎖上、すなわちエポキシ基とイソシアヌレート基を連結する鎖上の炭素数をいい、分岐鎖及び置換基の炭素数を含まないものとする。
エポキシ樹脂が特定イソシアヌレート環含有エポキシ樹脂を含むとき、イソシアヌレート環含有エポキシ樹脂全体に占める特定イソシアヌレート環含有エポキシ樹脂の割合は、50質量%以上であってもよく、70質量%以上であってもよく、90質量%以上であってもよい。
アンダーフィル材は硬化剤を含有する。硬化剤の種類は特に制限されず、アンダーフィル材の所望の特性等に応じて選択してよい。例えば、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、酸無水物硬化剤、ポリメルカプタン硬化剤、ポリアミノアミド硬化剤、イソシアネート硬化剤、ブロックイソシアネート硬化剤等が挙げられる。硬化剤は、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
アンダーフィル材は無機充填材を含有する。無機充填材の種類は、特に制限されない。具体的には、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸カルシウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア、タルク、クレー、マイカ等の無機材料が挙げられる。また、難燃効果を有する無機充填材を用いてもよい。難燃効果を有する無機充填材としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、マグネシウムと亜鉛の複合水酸化物等の複合金属水酸化物、ホウ酸亜鉛などが挙げられる。
アンダーフィル材は、上述の成分に加えて、硬化促進剤、応力緩和剤、カップリング剤、着色剤等の各種添加剤を含んでもよい。アンダーフィル材は、以下に例示する添加剤以外にも必要に応じて当技術分野で周知の各種添加剤を含んでもよい。
アンダーフィル材は、硬化促進剤を含んでもよい。硬化促進剤の種類は特に制限されず、エポキシ樹脂及び硬化剤の種類、アンダーフィル材の所望の特性等に応じて選択できる。
アンダーフィル材は、応力緩和剤を含んでもよい。応力緩和剤としては、熱可塑性エラストマー、NR(天然ゴム)、NBR(アクリロニトリル-ブタジエンゴム)、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム等の粒子などが挙げられる。応力緩和剤は、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
アンダーフィル材は、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤としては、エポキシシラン、フェニルシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、フェニルアミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等のシラン化合物、チタン化合物、アルミニウムキレート化合物、アルミニウム/ジルコニウム化合物などが挙げられる。これらの中でもシラン化合物(シランカップリング剤)が好ましい。カップリング剤は、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
アンダーフィル材は、着色剤を含んでもよい。着色剤としては、カーボンブラック、有機染料、有機顔料、鉛丹、ベンガラ等が挙げられる。着色剤は、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(質量減少率)
アンダーフィル材は、硬化物として175℃条件下に1000時間配置したときに、硬化物の全質量から無機充填材の質量を差し引いて得られる成分(「硬化物の無機充填材以外の成分」ともいう)の質量減少率が1.00質量%以下であることが好ましい。本開示の第1の実施形態に係るアンダーフィル材は、上記質量減少率が1.00質量%以下である。
m0:175℃、1000時間処理前の硬化物の質量(mg)
mB:175℃、1000時間処理後の硬化物の質量(mg)
mF:無機充填材の質量(mg)
アンダーフィル材は、基板と半導体素子との間の空隙を充填する際の粘度が充分に低いことが好ましい。具体的には、110℃における粘度が1.0Pa・s以下であることが好ましく、0.75Pa・s以下であることがより好ましく、0.50Pa・s以下であることがさらに好ましい。本開示においてアンダーフィル材の110℃における粘度は、レオメーター(例えば、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン株式会社製の「AR2000」)により、40mmのパラレルプレートにて、せん断速度:32.5/secの条件で測定される値である。
アンダーフィル材は、種々の実装技術に用いることができる。特に、フリップチップ型実装技術に用いるアンダーフィル材として好適である。例えば、バンプ等で接合された半導体素子と基板の間の隙間を充填する用途に好適に用いることができる。
本開示の半導体パッケージは、基板と、前記基板上に配置された半導体素子と、前記半導体素子を封止している上述したアンダーフィル材の硬化物と、を備える。
本開示の半導体パッケージの製造方法は、基板と、前記基板上に配置された半導体素子との間の空隙を上述したアンダーフィル材で充填する工程と、前記アンダーフィル材を硬化する工程と、を有する。
素子:縦20mm、横20mm、厚み725μmの素子
バンプ:高さ45μmの銅ポスト上に高さ15μm鉛フリーはんだを設けたもの、バンプピッチは200μm
基板:縦45mm、横45mm、厚み0.82mmのE-705G(日立化成株式会社、商品名)
ソルダーレジスト:SR7300G(日立化成株式会社、商品名)
表1に示す成分を表1に示す量(質量部)にて混合し、アンダーフィル材を調製した。各成分の詳細は下記のとおりである。
エポキシ樹脂2…トリグリシジル-p-アミノフェノール、エポキシ当量:95g/eq、商品名「jER 630」、三菱ケミカル株式会社
エポキシ樹脂3…トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、エポキシ当量:120g/eq、商品名「エポトート ZX-1542」、日鉄ケミカル&マテリアル株式会社
エポキシ樹脂4…1,3,5-トリス(4,5-エポキシペンチル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6(1H,3H,5H)-トリオン、エポキシ当量:135g/eq、商品名「TEPIC-VL」、日産化学工業株式会社
硬化剤2…3,3’-ジエチル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、商品名「カヤハード A-A」、活性水素当量:63g/eq、日本化薬株式会社
硬化物の無機充填材以外の成分の質量減少率(質量%)は、硬化物の175℃、1000時間の処理前後における硬化物の質量を測定し、無機充填材の質量を求め、下記式によって算出した。
m0:175℃、1000時間処理前の硬化物の質量(mg)
mB:175℃、1000時間処理後の硬化物の質量(mg)
mF:無機充填材の質量(mg)
175℃で1000時間の熱履歴を経た半導体装置を、顕微鏡で観察し、フィレットクラックの有無を観察した。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に援用されて取り込まれる。
Claims (11)
- エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有し、硬化物として175℃の条件下に1000時間配置したときに、硬化物の全質量から無機充填材の質量を差し引いて得られる成分の質量減少率が1.00質量%以下であり、
前記エポキシ樹脂が、エポキシ基及びイソシアヌレート環を有しかつ前記エポキシ基と前記イソシアヌレート環とが炭素数1以上の鎖式炭化水素基により連結されているエポキシ樹脂を含み、
前記硬化剤がアミン硬化剤を含み、
前記エポキシ樹脂のエポキシ基の数に対する前記アミン硬化剤の活性水素の数の比(アミン硬化剤の活性水素数/エポキシ樹脂のエポキシ基数)が0.5以上である、アンダーフィル材。 - 前記エポキシ基と前記イソシアヌレート環とが炭素数1以上の鎖式炭化水素基により連結されている前記エポキシ樹脂が、分子内にエポキシ基以外の炭素-酸素単結合(C-O)を有しない、請求項1に記載のアンダーフィル材。
- 前記エポキシ基と前記イソシアヌレート環とが炭素数1以上の鎖式炭化水素基により連結されている前記エポキシ樹脂が、前記エポキシ基と前記イソシアヌレート環とが炭素数2以上の鎖式炭化水素基により連結されているエポキシ樹脂を含む、請求項1又は請求項2に記載のアンダーフィル材。
- 前記エポキシ基と前記イソシアヌレート環とが炭素数1以上の鎖式炭化水素基により連結されている前記エポキシ樹脂が、前記エポキシ基と前記イソシアヌレート環とが炭素数2~4の鎖式炭化水素基により連結されているエポキシ樹脂を含む、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のアンダーフィル材。
- 前記エポキシ基と前記イソシアヌレート環とが炭素数1以上の鎖式炭化水素基により連結されている前記エポキシ樹脂が、1,3,5-トリス(4,5-エポキシペンチル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6(1H,3H,5H)-トリオンを含む、請求項1~請求項4のいずれか1項に記載のアンダーフィル材。
- 前記エポキシ基と前記イソシアヌレート環とが炭素数1以上の鎖式炭化水素基により連結されている前記エポキシ樹脂の含有量が、アンダーフィル材に含まれるエポキシ樹脂の全質量に対して、10質量%~60質量%である、請求項1~請求項5のいずれか1項に記載のアンダーフィル材。
- 前記エポキシ樹脂がビスフェノールF型エポキシ樹脂をさらに含む、請求項1~請求項6のいずれか1項に記載のアンダーフィル材。
- さらにカーボンブラックを含む、請求項1~請求項7のいずれか1項に記載のアンダーフィル材。
- パワー半導体用である請求項1~請求項8のいずれか1項に記載のアンダーフィル材。
- 基板と、前記基板上に配置された半導体素子と、前記半導体素子を封止している請求項1~請求項9のいずれか1項に記載のアンダーフィル材の硬化物と、を備える、半導体パッケージ。
- 基板と、前記基板上に配置された半導体素子との間の空隙を請求項1~請求項9のいずれか1項に記載のアンダーフィル材で充填する工程と、前記アンダーフィル材を硬化する工程と、を有する、半導体パッケージの製造方法。
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