TW201836144A - 終端及顯示幕 - Google Patents

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Abstract

本發明關於一種終端（Terminal）及顯示幕，其中顯示幕包括顯示區域，所述顯示區域包括至少兩個顯示區，所述至少兩個顯示區包括第一顯示區和第二顯示區；所述第一顯示區的金屬層的總厚度小於所述第二顯示區的金屬層的總厚度。當終端採用上述顯示幕時，可以將前置設備如前置攝像頭等設置在第一顯示區下方。當需要使用前置攝像頭時只需要控制第一顯示區不被點亮即可，而在前置攝像頭不工作時，顯示幕中的各顯示區均可以正常顯示，真正實現全面屏顯示。

Description

終端及顯示幕
本發明關於顯示技術領域，特別是關於一種終端及顯示幕。
隨著行動電子產品行業飛速發展，新產品不斷更新換代，市場對行動顯示電子產品存在越來越高的期許。例如，手機等產品由有邊框向窄邊框和無邊框的方向發展。上下無邊框直接影響了前置攝像頭、感光器件以及產品標識的放置。傳統的行動顯示電子設備為實現無邊框或者窄邊框，可以在顯示幕上開設槽體或者安裝孔等來容納相關設備，或者直接將相關設備移除。上述方案均無法真正實現全面屏顯示。
基於此，有必要提供一種能夠實現全面屏顯示的終端及顯示幕。
本發明提供一種顯示幕，包括：顯示區域，所述顯示區域包括至少兩個顯示區，所述至少兩個顯示區包括第一顯示區和第二顯示區；所述第一顯示區的金屬層的總厚度小於所述第二顯示區的金屬層的總厚度。
本發明更提供一種終端，包括本體和設置於所述本體上的顯示幕；所述本體用於實現所述終端的目標功能；所述顯示幕包括顯示區域，所述顯示區域包括至少兩個顯示區，所述至少兩個顯示區包括第一顯示區和第二顯示區；所述第一顯示區的金屬層的總厚度小於所述第二顯示區的金屬層的總厚度；所述本體包括控制器和前置設備；所述前置設備設置於所述顯示幕的第一顯示區的下方；所述控制器對所述第一顯示區和所述第二顯示區進行獨立控制；所述控制器還用於在所述前置設備工作時控制所述第一顯示區處於未被點亮狀態。
在本發明其中一個實施例中，上述的顯示幕的所述第一顯示區的金屬層的總厚度小於或等於所述第二顯示區的金屬層的總厚度的10%～80%。
在本發明其中一個實施例中，所述顯示幕包括相對設置的第一端和第二端；所述第一顯示區設置於所述顯示幕的第一端；所述第二顯示區與所述第一顯示區相連設置且位於所述顯示幕的第二端。
在本發明其中一個實施例中，上述的顯示幕的所述第一顯示區的各金屬層的厚度均小於所述第二顯示區中的相同金屬層的厚度的10%～80%。
在本發明其中一個實施例中，上述的顯示幕的所述第一顯示區和所述第二顯示區的各金屬層表面均形成有透明的平坦層；所述第一顯示區中的金屬層厚度和平坦層厚度之和等於所述第二顯示區中的金屬層厚度和平坦層厚度之和。
在本發明其中一個實施例中，所述顯示幕包括：襯底；形成於所述襯底上的屏體線路層；所述屏體線路層包括第一部分和形成於所述第一部分上的第二部分；設置於所述屏體線路層上的功率電晶體層；所述屏體線路層的第二部分與所述功率電晶體相連；設置於所述屏體線路層和所述功率電晶體層未連接處的絕緣層；以及設置於所述功率電晶體層上的發光模組；所述發光模組包括陽極、設置於所述陽極上的電洞層、設置於所述電洞層上的發光層、設置于所述發光層上的電子層以及設置於所述電子層上的陰極層；所述陰極層自所述電子層延伸至所述絕緣層並在所述絕緣層的一端延伸，以與外部電路連接；所述金屬層包括所述屏體線路層、所述陽極和所述陰極。
在本發明其中一個實施例中，所述顯示幕還包括導電層和形成在導電層上的第一類發光單元，所述第一類發光單元包括畫素區以及處於畫素區周圍的電致變化光透過率材料。
在本發明其中一個實施例中，所述顯示幕還包括第二類發光單元，所述第二類發光單元包括畫素區以及處於畫素區周圍的畫素限定層，所述畫素限定層不含有電致變化光透過率材料；多個第一類發光單元聚集成第一顯示區，多個第二類發光單元聚集成第二顯示區。
在本發明其中一個實施例中，上述的顯示幕的所述致變化光透過率材料為聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物中的一種，且所述聚噻吩衍生物為1,3-二甲基聚噻吩或1,4-對二甲基聚噻吩。
在本發明其中一個實施例中，上述的顯示幕的所述電致變化光透過率材料貫穿式設置在所述畫素限定層中並且與所述導電層接觸。
在本發明其中一個實施例中，上述的顯示幕的所述電致變化光透過率材料形成條帶，條帶的寬度與所述畫素限定層的寬度之比在1:2到3:4之間。
在本發明其中一個實施例中，上述的顯示幕的所述條帶的寬度在4μm到10μm之間。
在本發明其中一個實施例中，上述的顯示幕的所述屏體線路層上設置有畫素電路和驅動電路；所述畫素電路分佈於所述顯示幕的整個顯示區域；所述驅動電路位於所述畫素電路下方且設置在所述第二顯示區的兩側。
在本發明其中一個實施例中，上述的顯示幕的所述屏體線路層的第二部分上設置有凹槽；所述絕緣層還填充於所述凹槽內。
在本發明其中一個實施例中，上述的顯示幕的還包括瞬間擦黑電路；所述瞬間擦黑電路與所述第一顯示區的畫素電路連接；所述瞬間擦黑電路用於接收控制信號，並在接收到所述控制信號時控制所述第一顯示區的各畫素處於不顯示狀態。
在本發明其中一個實施例中，上述的終端的所述控制器包括分區控制模組；所述分區控制模組用於接收所述前置攝像頭的工作信號，並在接收到所述工作信號時生成控制信號至所述第一顯示區；所述控制信號用於控制所述第一顯示區的各畫素處於不顯示狀態。
在本發明其中一個實施例中，上述的終端的所述第一顯示區的畫素電路為N型電路，所述控制信號為低電平信號；或者所述第一顯示區的畫素電路為P型電路，所述控制信號為高電平信號。
在本發明其中一個實施例中，所述終端還包括屏下光敏模組，所述屏下光敏模組為光電感測器和攝像頭中至少之一。
綜合上文，上述終端及顯示幕，顯示幕至少包括第一顯示區和第二顯示區，將第一顯示區的金屬層的總厚度設置為小於第二顯示區的金屬層的總厚度，以使得第一顯示區在未被點亮狀態下呈現透明狀態。因此，當終端採用上述顯示幕時，可以將前置設備如前置攝像頭等設置在第一顯示區下方。當需要使用前置攝像頭時只需要控制第一顯示區不被點亮即可，而在前置攝像頭不工作時，顯示幕中的各顯示區均可以正常顯示，真正實現全面屏顯示。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，並不用於限定本發明。
在本發明其中一個實施例中，圖1為一實施例中的顯示幕的屏體結構示意圖。該顯示幕可以適用於各終端中，以滿足使用者對終端全面屏顯示的需求。終端可以為手機、平板、掌上型電腦以及電腦等設備。
在本實施例中，該顯示幕包括顯示區域。顯示區域包括兩個顯示區。兩個顯示區分別為第一顯示區110和第二顯示區120。第一顯示區110和第二顯示區120共同形成顯示幕的整個顯示區域。具體地，第一顯示區110和第二顯示區120形成的整個顯示區域也即為顯示幕的屏體區域，從而使得顯示幕能夠真正實現全面屏顯示。在本實施例中，第一顯示區110和第二顯示區120相對位於顯示幕的兩端。也即，顯示幕包括相對設置的第一端和第二端，其中，第一顯示區110設置在顯示幕的第一端，第二顯示區120設置在顯示幕的第二端。第一顯示區110和第二顯示區120沿終端的長度方向設置。在其他的實施例中，第一顯示區110和第二顯示區120也可以沿終端的寬度方向設置。在一實施例中，第一顯示區110也可以由第二顯示區120包圍。第一顯示區110在顯示幕上的位置可以根據終端中的前置設備的位置進行確定。在本發明中，前置設備是指需要安裝在終端的顯示幕所在側的設備，也即傳統的終端上與顯示幕位於同一側的設備。前置設備可以為前置攝像頭，也可以為感光器件（或者光敏器件）或者按需顯示的產品標識等。當多個前置設備集中設置在一個區域時，第一顯示區110可以為一個；當多個前置設備分散設置在多個區域時，則相應的可以設置多個第一顯示區110，以使得每個第一顯示區110對應一個或者多個前置設備，如圖2所示。其中，第一顯示區110中的金屬層的總厚度小於第二顯示區120的金屬層的總厚度。具體地，第一顯示區110的厚度小於或等於第一顯示區110在未被點亮狀態下呈現透明狀態時對應的厚度。
上述顯示幕至少包括第一顯示區110和第二顯示區120，將第一顯示區110的金屬層的總厚度設置為小於第二顯示區120的金屬層的總厚度，第一顯示區110的厚度小於或等於第一顯示區110在未被點亮狀態下呈現透明狀態時對應的厚度，以使得第一顯示區110在未被點亮狀態下呈現透明狀態。因此，當終端採用上述顯示幕時，可以將前置設備如前置攝像頭等設置在第一顯示區110下方。當需要使用前置攝像頭時只需要控制第一顯示區110不被點亮即可，而在前置攝像頭不工作時，顯示幕中的各顯示區均可以正常顯示，真正實現全面屏顯示。
在一實施例中，第一顯示區110中的金屬層的總厚度小於或等於第二顯示區120的金屬層總厚度的10%～80%，從而確保對金屬層減薄後的第一顯示區110在未被點亮狀態時呈現透明狀態。在本實施例中，第一顯示區110設置在顯示幕的末端邊緣位置，從而即便是因為顯示區的金屬層的減薄導致走線阻抗增大，也不會對第一顯示區110的顯示效果產生影響。
在一實施例中，在對第一顯示區110中的金屬層做減薄的過程中，是對顯示區內的各金屬層均做相應的減薄處理，從而確保各金屬層均能夠正常工作。也即，第一顯示區110中的各金屬層的厚度均為第二顯示區120中的相同金屬層的厚度的10%～80%。可選的，第一顯示區110內的各金屬層的厚度相對于第二顯示區120中的相應金屬層的厚度做相同比例的減薄。
在一實施例中，顯示幕中的各金屬層上均形成有透明的平坦層。平坦層可以採用透明的絕緣物質填充得到。因此，第一顯示區110中的各金屬層的厚度和相連平坦層的厚度之和等於第二顯示區120中的各金屬層和相連平坦層的厚度之和，從而使得整個顯示幕具有較好的平坦度。也即，第一顯示區110的金屬層相對于第二顯示區120上的同一金屬層具有較薄的厚度，而第一顯示區110上與減薄後的金屬層接觸的平坦層的厚度相對于第二顯示區120上的同一平坦層而言具有較厚的厚度，從而使得第一顯示區110的總厚度和第二顯示區120的總厚度相同。
在一實施例中，上述顯示幕還包括瞬間擦黑電路。瞬間擦黑電路與第一顯示區110的畫素電路連接。該瞬間擦黑電路用於接收控制信號，並在接收到控制信號時控制第一顯示區110的各畫素處於不顯示狀態。該控制信號可以由顯示幕所在的終端上的控制器等設備發出。例如，當終端中的控制器檢測到第一顯示區110下方的前置設備（如前置攝像頭以及光敏器件等）工作時，則生成該控制信號並輸出給瞬間擦黑電路。瞬間擦黑電路在接收到該控制信號後控制顯示幕上的第一顯示區110的各畫素處於不顯示狀態。具體地，如果顯示幕上的第一顯示區110正處於顯示狀態，則瞬間擦黑電路控制第一顯示區110上的各畫素關閉也即瞬間擦黑，從而使得其處於不顯示狀態。由於第一顯示區110處於不顯示狀態（也即未被點亮狀態）時呈現透明狀態，從而使得光線可以透過第一顯示區正常進入到相應的前置設備中，確保該前置設備能夠正常工作。如果顯示幕上的第一顯示區110正處於不顯示狀態，也即未被點亮狀態時，瞬間擦黑電路則控制第一顯示區110保持不顯示狀態。在本實施例中，瞬間擦黑電路在未接收到控制信號時，處於待機狀態，不工作，因此不會影響顯示幕上的各顯示區的正常顯示。瞬間擦黑電路僅在接收到控制信號時，進入工作狀態，從而實現對第一顯示區110的顯示控制，而並不影響其他顯示區的正常顯示。圖3為一實施例中的顯示幕的剖面示意圖。參見圖3，該顯示幕包括襯底310、屏體線路層320、功率電晶體層330、絕緣層340和發光模組350。
襯底310包括基板312、設置在基板312上的粘接層（PI）314以及設置在粘接層314上的緩衝層（Buffer Layer，BL）316。其中，基板312可以為玻璃基板（glass）、塑膠基板或者不銹鋼基板。
屏體線路層320設置在襯底310的緩衝層316上。屏體線路層320包括第一部分322和形成於第一部分322上的第二部分324。功率電晶體層330設置在屏體線路層320的上方且與屏體線路層320的第二部分324相連。在本實施例中，功率電晶體層330為薄膜電晶體（TFT）層。絕緣層340則填充在屏體線路層320和功率電晶體層330上未連接的區域。發光模組350則設置在功率電晶體層330上。
在本實施例中，通過將屏體線路層320和功率電晶體層330設置在發光模組350和襯底310之間，即設計成上下的立體結構，而非採用傳統的將其設置在發光模組周圍的平鋪結構，由此避免了邊框的存在，可以實現顯示幕的無邊框，進而確保顯示幕能夠實現全面屏顯示。在本實施例中，屏體線路層320的第二部分324上形成有多個凹槽324a。多個凹槽324a均勻分佈從而使得第二部分324在各凹槽324a之間的寬度均勻且較小，從而更有利於屏體線路層320中的各種電路與功率電晶體層320的連接。另外，通過在第二部分324上設置多個凹槽324a，有利於提升整個顯示幕的透明度。
發光模組350包括陽極351、設置於陽極351上的電洞層353、設置於電洞層353上的發光層355、設置于發光層355上的電子層357以及設置於電子層357上的陰極層359。陰極層359自電子層357延伸至絕緣層340並在絕緣層340的一端延伸，以與外部電路連接。也即，在本實施例中，顯示幕中的金屬層包括了屏體線路層320、陽極351和陰極359等包含有金屬線路的層結構。其中，發光層355包括均勻排布的紅R、綠B和藍B三種發光單元。發光模組350可以按照傳統的設計來實現。
在本實施例中，在發光模組350的上方還形成有覆蓋該發光模組350的封裝層360。封裝層360與絕緣層340、陰極359形成包覆空間，以包覆功率電晶體層330和發光模組350。
在一實施例中，屏體線路層320上設置有畫素電路和驅動電路。其中畫素電路分佈於顯示幕的整個顯示區域。而驅動電路位於畫素電路下方且設置在第二顯示區120的兩側，如圖4所示。圖4中的40表示驅動電路所在區域位置。驅動電路所在區域的大小可以根據需要進行設置。通過將驅動電路40集成在顯示幕的屏體線路層320上，可以避免邊框的存在，確保顯示幕能夠實現全屏顯示。
需要說明的是，上述顯示幕不局限於用於帶前置設備的終端中，也可以用於其它不帶前置設備的終端中，即上述顯示幕可以適用於任意一種終端中。
本發明一實施例還提供一種終端，該終端包括本體以及設置在本體上的顯示幕。其中，本體用於實現終端的目標或者預期功能。顯示幕則可以採用前述任一實施例中的顯示幕。本體包括控制器和前置設備。在本實施例中，前置設備以前置攝像頭為例進行說明。
前置攝像頭設置在第一顯示區的下方。控制器則用於對前置攝像頭的工作狀態進行監測，從而在監測到前置攝像頭工作時控制第一顯示區處於未被點亮狀態。而第一顯示區處於未被點亮狀態時會呈現出透明狀態，從而不會影響前置攝像頭的正常工作。顯示幕的其他顯示區由控制器獨立進行控制，不受前置攝像頭工作狀態的影響。也即，終端在前置攝像頭不工作時，控制器對第一顯示區和第二顯示區進行控制，從而使得第一顯示區和第二顯示區按需進行顯示，實現全面屏顯示。在前置攝像頭工作時，控制器控制第一顯示區不被點亮，也即該區域不顯示，從而使得前置攝像頭可見，不會影響前置攝像頭的正常工作，而其他顯示區域由控制器進行獨立控制，其顯示過程不受影響。上述終端，當終端處於休眠、待機或者關機狀態下，也即顯示幕均未被點亮時，前置攝像頭也處於可見狀態。
圖5為一實施例中的終端的驅動示意圖。在本實施例中，控制器包括分區控制模組410。分區控制模組用於接收前置攝像頭的工作信號（Camera signal），從而在接收到該工作信號時，輸出控制信號以控制第一顯示區110上的各畫素暫態擦黑（也即處於未被點亮狀態）。工作信號（Camera signal）可以由控制器對前置攝像頭的工作狀態進行監測並在監測到前置攝像頭工作時輸出該信號。該信號也可以設置相應的檢測元件對前置攝像頭的工作狀態進行檢測，從而在其處於工作狀態時，輸出該信號。分區控制模組410輸出的控制信號為電平信號，其電平信號的高低需要根據畫素電路的類型來確定。當畫素電路為N型電路（也即採用N型薄膜電晶體）時，該控制信號為低電平信號，當畫素電路為P型電路（也即採用P型薄膜電晶體）時，該控制信號為高電平信號。
上述終端，在攝像頭未使用時，屏體正常顯示，分區控制模組410處於待機狀態，不工作。攝像頭上方的第一顯示區和其他顯示區均不受影響，能夠正常工作。當攝像頭啟動，分區控制模組410接收到Camera signal後將相應的控制信號High level或者Low level信號直接傳入攝像頭上方的區域畫素（也即第一顯示區的各畫素），將第一顯示區的各畫素關閉（也即將第一顯示區的各畫素暫態擦黑），其他顯示區不受影響，仍舊正常顯示。
在其中一個實施例中，請參見圖6~圖8，一實施方式的顯示幕500，包括導電層510和形成在導電層510上的第一類發光單元511。第一類發光單元511包括畫素區512以及處於畫素區512周圍的電致變化光透過率材料513。在通電時，電致變化光透過率材料513表現為吸光性；在不通電時，電致變化光透過率材料513表現為透光性。
在前述實施方式的基礎上，顯示幕500還包括第二類發光單元514，第二類發光單元514包括畫素區515以及處於畫素區515周圍的畫素限定層516，畫素限定層516不含有電致變化光透過率材料；多個第一類發光單元511聚集成第一顯示區517，多個第二類發光單元514聚集成第二顯示區518。
由於上述第一類發光單元511具有電致變化光透過率材料513，在導電層510通電時，使得第一類發光單元511的畫素區512發光，電致變化光透過率材料513為吸光性而減少外界環境光的影響，從而正常顯示畫面。這樣，在顯示幕500的第一顯示區517處就可以不使用偏光片，從而實現改進顯示幕500。
上述實施方式的顯示幕500的第一顯示區517由於含有電致變化光透過率材料513，在導電層510通電時，可使得第一顯示區517正常顯示畫面；而在導電層510不通電時，使得第一類發光單元511的畫素區512不發光，電致變化光透過率材料513為透光，由此第一顯示區517變成為接近透明，而使環境光可順利地照射穿過顯示幕500的第一顯示區517。這樣，可將前置攝像頭設置到顯示幕500後方並正對第一顯示區517，由此在使用前置攝像頭時，僅通過使第一顯示區517的導電層510不通電，就可以借助前置攝像頭成像。由此可知，根據本實施方式的顯示幕500無需為前置攝像頭預留位置，甚至省去現有技術中的顯示幕的非顯示區，擴大顯示幕佔比，優化使用感受。
在前述實施方式的基礎上，在第一顯示區517的上方不設置偏光片。由此，在使用前置攝像頭時，可進一步增強照射到前置攝像頭內的環境光，進一步提高成像品質。
在前述實施方式的基礎上，電致變化光透過率材料513為聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物中的一種。一方面，當導電層510通電時，聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物這些電致變化光透過率材料表現為吸光性，而減少外界光的影響；當導電層510不通電時，聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物這些電致變化光透過率材料表現為透光性，且這些材料的透過率較大，使得第一顯示區517非常接近透明，而使環境光可順利地照射穿過，攝像頭可正常成像；另一方面，聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物均為有機材料，設置在第一類發光單元511的畫素區512的外側，起到保護第一類發光單元511的畫素區512的作用，同時具有一定的柔性，能夠與畫素區512很好地貼合。
在前述實施方式的基礎上，聚噻吩衍生物為1,3-二甲基聚噻吩或者1,4-對二甲基聚噻吩。當導電層510通電時或者不通電時，這兩種聚噻吩衍生物的透過率能夠在外加電場的作用下發生快速的且穩定的變化，能夠使顯示幕500的第一顯示區517在顯示圖像與透光兩種狀態之間快速切換。
在前述實施方式的基礎上，電致變化光透過率材料513緊鄰畫素區512而佈置。這樣能夠充分利用顯示幕500的第一顯示區517的空間，當導電層510通電時，畫素區512發光，以使第一顯示區517正常顯示畫面；而當導電層510不通電時，電致變化光透過率材料513接近透明，同時畫素區512接近透明，以使第一顯示區517變成接近透明，而使環境光可順利地照射穿過第一顯示區517。
在前述實施方式的基礎上，電致變化光透過率材料513形成了第一類發光單元511的畫素限定層。也就是說，採用電致變化光透過率材料513代替了第一類發光單元511的畫素限定層。這樣電致變化光透過率材料513在起到上述作用的同時，還能夠起到限定第一類發光單元511的畫素區512的作用。
在前述實施方式的基礎上，第一類發光單元511的畫素限定層的臨近畫素區512的側面為在遠離導電層510的方向上逐漸遠離畫素區512的斜面，如圖6所示。目的在於防止OLED的發光被大量吸收。
優選地，第一類發光單元511的畫素限定層的厚度為4μm~8μm。目的在於防止OLED的發光被大量吸收。
請參見圖9，另一實施方式的顯示幕519在第一顯示區包括依次層疊的走線層5110、平坦化層5111、陽極5112、第一類發光單元5113、陰極5116以及薄膜封裝層（TFE）5117。
其中，第一類發光單元5113包括畫素區5114以及處於畫素區5114周圍的電致變化光透過率材料5115。
請一併參見圖10，在通電時，使得第一類發光單元5113的畫素區5114發光，此時顯示幕500點亮。同時，電致變化光透過率材料5115表現為吸光性，電致變化光透過率材料5115的透光率小於10%，能夠減少外界環境光的影響，從而正常顯示畫面。
請一併參見圖11和圖12，在不通電時，電致變化光透過率材料5115表現為透光性。此時，電致變化光透過率材料5115的透光率大於90%。由此可使環境光可順利地照射穿過顯示幕519的第一顯示區。
請一併參見圖13，一實施方式的電子設備5118包括上述實施方式的顯示幕500和屏下光敏模組5119。
其中，請一併參見圖6~圖8，上述實施方式的顯示幕500包括導電層510和形成在導電層510上的第一類發光單元511。第一類發光單元511包括畫素區512以及處於畫素區512周圍的電致變化光透過率材料513。在通電時，電致變化光透過率材料513表現為吸光性；在不通電時，電致變化光透過率材料513表現為透光性。
其中，屏下光敏模組5119能感應穿過顯示幕500而照射進來的光。
本發明的電子設備5118中，由於上述顯示幕500的第一類發光單元511具有電致變化光透過率材料513，在導電層510通電時，使得第一類發光單元511的畫素區512發光，電致變化光透過率材料513為吸光性而減少外界環境光的影響，從而正常顯示畫面。這樣，在電子設備5118的顯示幕500中就可以不使用偏光片，從而實現改進顯示幕500。
在前述實施方式的基礎上，屏下光敏模組5119為光電感測器、攝像頭中至少其中之一。
本發明的電子設備5118中，顯示幕500的第一顯示區517由於含有電致變化光透過率材料513，在導電層510通電時，可使得第一顯示區517正常顯示畫面；而在導電層510不通電時，使得第一類發光單元511的畫素區512不發光，電致變化光透過率材料513為透光，由此第一顯示區517變成為接近透明，而使環境光可順利地照射穿過顯示幕500的第一顯示區517。這樣，可將光電感測器、攝像頭中至少其中之一的屏下光敏模組5119設置到顯示幕500後方並正對第一顯示區517。由此可知，根據本發明的顯示幕500無需為上述屏下光敏模組5119預留位置，甚至省去現有技術中的顯示幕500的非顯示區，擴大顯示幕佔比，優化使用感受。
在其中一個實施例中，請參見圖14~圖16，一實施方式的顯示幕500包括導電層521和形成在導電層521上的第一類發光單元522。第一類發光單元522包括畫素區523以及處於畫素區523周圍的電致變化光透過率材料524。在通電時，電致變化光透過率材料524表現為吸光性；在不通電時，電致變化光透過率材料524表現為透光性。
由於上述第一類發光單元522具有電致變化光透過率材料524，在導電層521通電時，使得第一類發光單元522的畫素區523發光，電致變化光透過率材料524為吸光性而減少外界環境光的影響，從而正常顯示畫面。這樣，在顯示幕500中就可以不使用偏光片，從而實現改進顯示幕500。
在前述實施方式的基礎上，在畫素區523周圍設置有畫素限定層525，電致變化光透過率材料524貫穿式設置在畫素限定層525中並且與導電層521接觸。這樣設置的目的是，當通電或者不通電時，能夠使電流由導電層521傳導至電致變化光透過率材料524或者切斷電流，從而控制電致變化光透過率材料524的透過率。
在前述實施方式的基礎上，在畫素限定層525和畫素區523之間設置有電致變化光透過率材料524，如圖15所示。這樣設置的目的是，使電致變化光透過率材料524分佈較均勻，以在導電層521通電時，分佈均勻的電致變化光透過率材料524使得第一類發光單元522的畫素區523均勻發光，有利於提升顯示畫面的顯示效果；同時在導電層521不通電時，分佈均勻的電致變化光透過率材料524使得環境光均勻地照射穿過顯示幕500上電致變化光透過率材料524分佈的區域。
在前述實施方式的基礎上，電致變化光透過率材料524形成條帶，條帶的寬度與畫素限定層525的寬度之比在1:2到3:4之間。在上述寬度之比的範圍內，既能夠在導電層521通電時，提升顯示畫面的顯示效果；又同時能夠在導電層521不通電時，使得環境光均勻地照射穿過顯示幕500上條帶的區域。
在前述實施方式的基礎上，條帶的寬度在4μm到10μm之間。一方面，在導電層521通電時，足以保證顯示畫面的顯示效果；同時在導電層521不通電時，足以保證環境光的透射效果。另一方面，寬度在4μm到10μm之間的條帶的製作工藝簡單，且避免了在製作過程中對畫素區523造成破壞。
在前述實施方式的基礎上，電致變化光透過率材料524為聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物中的一種，或氧化鎢、氧化鈦和氧化鎳中的一種；
優選地，聚噻吩衍生物為1,3-二甲基聚噻吩或者1,4-對二甲基聚噻吩。
其中，對於聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物這些有機電致變化光透過率材料來說，一方面，當導電層521通電時，聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物這些電致變化光透過率材料表現為吸光性，而減少外界光的影響；當導電層521不通電時，聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物這些電致變化光透過率材料表現為透光性，且這些材料的透過率較大，使得這些材料所在的區域非常接近透明，而使環境光可順利地照射穿過，攝像頭可正常成像；另一方面，聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物均為有機材料，設置在第一類發光單元522的畫素區523的外側，起到保護第一類發光單元522的畫素區523的作用，同時具有一定的柔性，能夠與畫素區523很好地貼合。
其中，聚噻吩衍生物優選為1,3-二甲基聚噻吩或者1,4-對二甲基聚噻吩。當導電層521通電時或者不通電時，這兩種聚噻吩衍生物的透過率能夠在外加電場的作用下發生快速的且穩定的變化，能夠使顯示幕500在顯示圖像與透光兩種狀態之間快速切換。同時具有費用低、光學品質好、和迴圈可逆性好等優點。
其中，對於氧化鎢、氧化鈦和氧化鎳這些無機電致變化光透過率材料來說，具有著色效率高、可逆性好、回應時間短、壽命長以及成本低等優點，有利於應用於本發明的顯示幕500中。
在前述實施方式的基礎上，請一併參見圖8，顯示幕500還包括第二類發光單元526，第二類發光單元526包括畫素區527以及處於畫素區527周圍的畫素限定層528，並且不含有電致變化光透過率材料；多個第一類發光單元522聚集成第一顯示區517，多個第二類發光單元526聚集成第二顯示區518。
上述實施方式的顯示幕500的第一顯示區517由於含有電致變化光透過率材料524，在導電層521通電時，可使得第一顯示區517正常顯示畫面；而在導電層521不通電時，使得第一類發光單元522的畫素區527不發光，電致變化光透過率材料524為透光，由此第一顯示區517變成為接近透明，而使環境光可順利地照射穿過顯示幕500的第一顯示區517。這樣，可將前置攝像頭設置到顯示幕500後方並正對第一顯示區517，由此在使用前置攝像頭時，僅通過使第一顯示區517的導電層521不通電，就可以借助前置攝像頭成像。由此可知，根據本實施方式的顯示幕500無需為前置攝像頭預留位置，甚至省去現有技術中的顯示幕的非顯示區，擴大顯示幕佔比，優化使用感受。
在前述實施方式的基礎上，在第一顯示區517的上方不設置偏光片。由此，在使用前置攝像頭時，可進一步增強照射到前置攝像頭內的環境光，進一步提高成像品質。
請一併參見圖17，顯示幕500在第一顯示區包括依次層疊的陣列基板5212、第一類發光單元5213、薄膜封裝層（TFE）5214、觸控屏5215以及防護膜5216。
其中，第一類發光單元5213包括畫素區5217、處於畫素區5217周圍的電致變化光透過率材料5218以及設置在畫素區5217周圍的畫素限定層5219。
請一併參見圖18，在通電時，使得第一類發光單元5213的畫素區5217發光，此時顯示幕500點亮。同時，電致變化光透過率材料5218表現為吸光性，電致變化光透過率材料5642的透光率小於10%，能夠減少外界環境光的影響，從而正常顯示畫面。
請一併參見圖19和圖20，在不通電時，電致變化光透過率材料5218表現為透光性。此時，電致變化光透過率材料5218的透光率大於90%。由此可使環境光可順利地照射穿過顯示幕500的第一顯示區。
請一併參見圖13，一實施方式的電子設備5118包括上述實施方式的顯示幕500和屏下光敏模組5119。
其中，上述實施方式的的顯示幕500包括導電層521和形成在導電層521上的第一類發光單元522。第一類發光單元522包括畫素區521以及處於畫素區521周圍的電致變化光透過率材料524。在通電時，電致變化光透過率材料524表現為吸光性；在不通電時，電致變化光透過率材料524表現為透光性。
其中，屏下光敏模組5119能感應穿過顯示幕500而照射進來的光。
本發明的電子設備5118中，由於上述顯示幕500的第一類發光單元522具有電致變化光透過率材料524，在導電層521通電時，使得第一類發光單元522的畫素區521發光，電致變化光透過率材料524為吸光性而減少外界環境光的影響，從而正常顯示畫面。這樣，在電子設備5118的顯示幕500中就可以不使用偏光片，從而實現改進顯示幕500。
在前述實施方式的基礎上，屏下光敏模組5119為光電感測器、攝像頭中至少其中之一。
本發明的電子設備5118中，顯示幕500的第一顯示區517由於含有電致變化光透過率材料524，在導電層521通電時，可使得第一顯示區517正常顯示畫面；而在導電層521不通電時，使得第一類發光單元522的畫素區521不發光，電致變化光透過率材料524為透光，由此第一顯示區517變成為接近透明，而使環境光可順利地照射穿過顯示幕500的第一顯示區517。這樣，可將光電感測器、攝像頭中至少其中之一的屏下光敏模組5118設置到顯示幕500後方並正對第一顯示區517。由此可知，根據本發明的顯示幕500無需為上述屏下光敏模組5119預留位置，甚至省去現有技術中的顯示幕500的非顯示區，擴大顯示幕佔比，優化使用感受。
在其中一個實施例中，請參見圖21~圖23，一實施方式的顯示幕500包括導電層531和形成在導電層531上的第一類發光單元532。
第一類發光單元532包括畫素區533以及處於畫素區533周圍的電致變化光透過率材料534。在通電時，電致變化光透過率材料534表現為吸光性；在不通電時，電致變化光透過率材料534表現為透光性。
由於上述第一類發光單元532具有電致變化光透過率材料534，在導電層531通電時，使得第一類發光單元532的畫素區533發光，電致變化光透過率材料534為吸光性而減少外界環境光的影響，從而正常顯示畫面。這樣，在顯示幕500中就可以不使用偏光片，從而實現改進顯示幕500。
在前述實施方式的基礎上，在第一類發光單元532中，在電致變化光透過率材料534上設置有透明的畫素限定層535。也就是說，電致變化光透過率材料534與畫素限定層535層疊設置。其中，電致變化光透過率材料534根據通電情況來吸光或者透光，而畫素限定層535起到間隔畫素的作用，二者疊加之後的結構結合了各自的優勢，更進一步改進了顯示幕500。
在前述實施方式的基礎上，電致變化光透過率材料534的厚度小於畫素區533內的畫素限定層535的厚度。這樣設置的目的是避免使畫素限定層535的厚度太小而影響畫素限定層535的緩衝作用。
在前述實施方式的基礎上，電致變化光透過率材料534的厚度為1μm~3μm，畫素限定層535的厚度為3μm~5μm。本發明的發明人經過研究發現，當電致變化光透過率材料534和畫素限定層535的厚度分別設置為上述數值時，能夠將二者的優勢結合，且效果最佳。即，在導電層531通電時，電致變化光透過率材料534為吸光性，能夠正常顯示畫面；在導電層531不通電時，電致變化光透過率材料534的透光性能夠滿足攝像的需求；同時，畫素限定層535的緩衝作用能夠保護畫素區533。
在前述實施方式的基礎上，請一併參見圖8，顯示幕500還包括第二類發光單元536，第二類發光單元536包括畫素區537以及處於畫素區537周圍的畫素限定層538，並且畫素限定層538不含有電致變化光透過率材料；多個第一類發光單元532聚集成第一顯示區517，多個第二類發光單元536聚集成第二顯示區518。
上述實施方式的顯示幕500的第一顯示區517由於含有電致變化光透過率材料534，在導電層531通電時，可使得第一顯示區517正常顯示畫面；而在導電層531不通電時，使得第一類發光單元532的畫素區533不發光，電致變化光透過率材料534為透光，由此第一顯示區517變成為接近透明，而使環境光可順利地照射穿過顯示幕500的第一顯示區517。這樣，可將前置攝像頭設置到顯示幕500後方並正對第一顯示區517，由此在使用前置攝像頭時，僅通過使第一顯示區517的導電層531不通電，就可以借助前置攝像頭成像。由此可知，根據本實施方式的顯示幕500無需為前置攝像頭預留位置，甚至省去現有技術中的顯示幕的非顯示區，擴大顯示幕佔比，優化使用感受。
在前述實施方式的基礎上，在第一顯示區517的上方不設置偏光片。由此，在使用前置攝像頭時，可進一步增強照射到前置攝像頭內的環境光，進一步提高成像品質。
在前述實施方式的基礎上，電致可變透過率材料為聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物中的一種，或氧化鎢、氧化鈦和氧化鎳中的一種。
其中，對於聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物這些有機電致變化光透過率材料來說，一方面，當導電層531通電時，聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物這些電致變化光透過率材料表現為吸光性，而減少外界光的影響；當導電層531不通電時，聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物這些電致變化光透過率材料表現為透光性，且這些材料的透過率較大，使得第一顯示區517非常接近透明，而使環境光可順利地照射穿過，攝像頭可正常成像；另一方面，聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物均為有機材料，設置在第一類發光單元532的畫素區533的外側，起到保護第一類發光單元532的畫素區533的作用，同時具有一定的柔性，能夠與畫素區533很好地貼合。
其中，對於氧化鎢、氧化鈦和氧化鎳這些無機電致變化光透過率材料來說，具有著色效率高、可逆性好、回應時間短、壽命長以及成本低等優點，有利於應用於本發明的顯示幕500中。
在前述實施方式的基礎上，聚噻吩衍生物為1,3-二甲基聚噻吩或者1,4-對二甲基聚噻吩。當導電層531通電時或者不通電時，這兩種聚噻吩衍生物的透過率能夠在外加電場的作用下發生快速的且穩定的變化，能夠使顯示幕500在顯示圖像與透光兩種狀態之間快速切換。同時具有費用低、光學品質好、和迴圈可逆性好等優點。
請一併參見圖24，顯示幕500在第一顯示區包括依次層疊的走線層5312、平坦化層5313、陽極5314、第一類發光單元5315、陰極5319以及薄膜封裝層（TFE）5320。
其中，第一類發光單元5315包括畫素區5316以及處於畫素區5316周圍的電致變化光透過率材料5317。
請一併參見圖25，在通電時，使得第一類發光單元5315的畫素區5316發光，此時顯示幕500點亮。同時，電致變化光透過率材料5317表現為吸光性，電致變化光透過率材料5317的透光率小於10%，能夠減少外界環境光的影響，從而正常顯示畫面。
請一併參見圖26和圖27，在不通電時，電致變化光透過率材料5317表現為透光性。此時，電致變化光透過率材料5317的透光率大於90%。由此可使環境光可順利地照射穿過顯示幕500的第一顯示區。
請一併參見圖13，一實施方式的電子設備5118包括上述實施方式的顯示幕500和屏下光敏模組5119。
其中，上述實施方式的的顯示幕500包括導電層531和形成在導電層531上的第一類發光單元532。第一類發光單元532包括畫素區533以及處於畫素區533周圍的電致變化光透過率材料534。在通電時，電致變化光透過率材料534表現為吸光性；在不通電時，電致變化光透過率材料534表現為透光性。
其中，屏下光敏模組5119能感應穿過顯示幕500而照射進來的光。
本發明的電子設備5118中，由於上述顯示幕500的第一類發光單元532具有電致變化光透過率材料534，在導電層531通電時，使得第一類發光單元532的畫素區533發光，電致變化光透過率材料534為吸光性而減少外界環境光的影響，從而正常顯示畫面。這樣，在電子設備5118的顯示幕500中就可以不使用偏光片，從而實現改進顯示幕500。
在前述實施方式的基礎上，屏下光敏模組5119為光電感測器、攝像頭中至少其中之一。
本發明的電子設備5118中，顯示幕500的第一顯示區517由於含有電致變化光透過率材料534，在導電層531通電時，可使得第一顯示區517正常顯示畫面；而在導電層521不通電時，使得第一類發光單元532的畫素區533不發光，電致變化光透過率材料534為透光，由此第一顯示區517變成為接近透明，而使環境光可順利地照射穿過顯示幕500的第一顯示區517。這樣，可將光電感測器、攝像頭中至少其中之一的屏下光敏模組5119設置到顯示幕後方並正對第一顯示區。由此可知，根據本發明的顯示幕500無需為上述屏下光敏模組5119預留位置，甚至省去現有技術中的顯示幕500的非顯示區，擴大顯示幕佔比，優化使用感受。
在其中一個實施例中，請參見圖8、圖28和圖29，一實施方式的顯示幕500具有第二顯示區518和第一顯示區517。第一顯示區517中的畫素的驅動陣列553偏離第一顯示區517。有利於提高第一顯示區517的透光性，以使環境光順利地照射穿過顯示幕的第一顯示區517，從而實現成像。
在前述實施方式的基礎上，第一顯示區517中的畫素的驅動陣列553處於第二顯示區518內，並且通過透明走線554與第一顯示區517中的畫素的透明陽極相連。由於透明走線554的一部分仍位於第一顯示區517內，因此將第一顯示區517中的畫素的驅動陣列553通過透明走線554與第一顯示區517中的畫素的透明陽極相連，避免了非透明走線對第一顯示區517內光線的遮擋，從而提高第一顯示區517的透光性。
在前述實施方式的基礎上，透明走線554由ITO和IGZO中的至少一種製成。ITO（Indium Tin Oxides，氧化銦錫）和IGZO（indium gallium zinc oxide，銦鎵鋅氧化物）具有很好的透明性和導電性。一方面，由於ITO和IGZO的透明性較好，能夠避免非透明走線對第一顯示區517內光線的遮擋，從而提高第一顯示區517的透光性；另一方面，由於ITO和IGZO的導電性較好，作為透明走線554能夠快速傳遞電流，以當需要顯示畫面時，第一顯示區517中的畫素的驅動陣列能夠快速驅動第一顯示區517中的畫素發光，從而實現正常顯示畫面。
在前述實施方式的基礎上，第一顯示區517內的陰極由透明材料製成。這樣能夠進一步增加第一顯示區517的透光性。
在前述實施方式的基礎上，陰極由磷摻雜ITO製成。磷摻雜ITO具有良好的導電性，能夠滿足陰極對導電性能的要求；同時，磷摻雜ITO具有良好的透明性，能夠增加陰極的透明度。
透明走線554和第一顯示區517內的陰極均由透明材料製成，使得第一顯示區517內的畫素接近透明。再加上將第一顯示區517中的畫素的驅動陣列553偏離第一顯示區517。這樣使得第一顯示區517整體非常接近透明，而使環境光可順利地照射穿過，攝像頭可正常成像。
此外，在前述實施方式的基礎上，第一顯示區517的陽極由ITO製成。以進一步增加第一顯示區517的透光性。
在前述實施方式的基礎上，第二顯示區518對應驅動陣列基板555包括第一驅動區556和第二驅動區557。第一驅動區556接近第一顯示區517。
在第一驅動區556和第二驅動區557內設置有第二顯示區518中的畫素的驅動陣列558，並且在第一驅動區556內設置有第一顯示區517中的畫素的驅動陣列553。
這樣能夠縮短第一顯示區517中的畫素的驅動陣列553與其所驅動的第一顯示區517中的畫素之間的距離，從而減小導線的損耗，更有利於均勻的顯示畫面。
在前述實施方式的基礎上，第一驅動區556和與第二驅動區557的面積比為3:10000至9:10000。這樣使得位於第一驅動區556的第一顯示區517中的畫素的驅動陣列553密集的分佈在第一顯示區517的週邊，能夠減小導線的損耗，更有利於均勻的顯示畫面。
需要說明的是，本發明的顯示幕中的第一驅動區556和與第二驅動區557均不限於本實施方式。
在前述實施方式的基礎上，第一顯示區517的畫素密度與第二顯示區518的畫素密度的比值為1:1至0.5:1。這樣當需要顯示畫面時，第一顯示區517中的畫素的驅動陣列553能夠驅動第一顯示區517中的畫素發光，從而與第二顯示區518一同正常顯示畫面。
其中，第一顯示區517的畫素密度與第二顯示區518的畫素密度的比值為1:1時，顯示畫面的效果最優。
在前述實施方式的基礎上，第一顯示區517中的每個畫素採用單獨驅動的方式實現單獨驅動，這樣方便攝像頭工作時第一顯示區517的畫素及時關閉，且攝像頭不工作時第一顯示區517的畫素及時打開。
此外，本實施方式中，第一顯示區517中的畫素的驅動陣列553分佈在靠近第一顯示區517的左右兩側，即圖28中沿X方向與X方向的反方向上。當然，第一顯示區517中的畫素的驅動陣列553亦可沿圖28中Y方向設置。
較優的，第一顯示區517中的畫素的驅動陣列553的密度沿靠近第一顯示區517的外側逐漸減小，且沿X方向的任意橫排上的驅動電路的總數相等。這樣實現該區域能夠緩衝畫素與驅動電流之間的連接關係。
較優的，第一顯示區517中的每橫排畫素的驅動電路沿橫向設置，這樣能夠避免導線交叉，方便製備。本發明的顯示幕中，當需要顯示畫面時，第二顯示區中的畫素的驅動陣列能夠驅動第二顯示區中的畫素發光，從而與第一顯示區一同正常顯示畫面；當需要成像時，由於第二顯示區中的畫素的驅動陣列偏離第二顯示區，因此提高了第二顯示區的透光性，以使環境光順利地照射穿過顯示幕的第二顯示區，從而實現成像。由此可知，根據本發明的顯示幕能夠省去現有技術中的顯示幕的非顯示區，擴大顯示幕佔比，優化使用感受。
請參見圖13，一實施方式的電子設備5118包括顯示幕500以及屏下光敏模組5119。
其中，顯示幕500具有第二顯示區518和第一顯示區517。第一顯示區517中的畫素的驅動陣列553偏離第一顯示區517。
其中，屏下光敏模組5119能感應穿過顯示幕500而照射進來的光。
本發明的電子設備中，當需要顯示畫面時，顯示幕的第二顯示區中的畫素的驅動陣列能夠驅動第二顯示區中的畫素發光，從而與第一顯示區一同正常顯示畫面；當需要屏下光敏模組工作時，由於第二顯示區中的畫素的驅動陣列偏離第二顯示區，因此提高了第二顯示區的透光性，以使環境光順利地照射穿過顯示幕的第二顯示區，從而保證屏下光敏模組正常工作。由此可知，根據本發明的電子設備的顯示幕能夠省去現有技術中的顯示幕的非顯示區，擴大顯示幕佔比，優化使用感受。
在前述實施方式的基礎上，屏下光敏模組5119為光電感測器、攝像頭中至少其中之一。當然，屏下光敏模組5119還可以為其他元件。
在其中一個實施例中，一種製造有機發光顯示裝置的方法，可以包括以下步驟：
請參照圖30，首先，準備基板11。基板11具有第一顏色子畫素區域、第二顏色子畫素區域和第三顏色子畫素區域。一組第一顏色子畫素區域、第二顏色子畫素區域和第三顏色子畫素區域可以構成一個畫素區域。基板11可以具有多個畫素區域。在一個實施例中，第一顏色子畫素區域可以是發射紅光的子畫素區域。第二顏色子畫素區域可以是發射綠光的子畫素區域。第三顏色子畫素區域可以是發射藍光的子畫素區域。
基板11可以由諸如玻璃材料、金屬材料或包括聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）或聚醯亞胺等的塑膠材料中合適的材料形成。薄膜電晶體（Thin-film transistor，TFT）可以設置在基板11上。在一個實施例中，在形成TFT之前，可以在基板11上形成諸如緩衝層12的另外的層。緩衝層12可以形成在基板11的整個表面上，也可以通過被圖案化來形成。
緩衝層12可以具有包括PET、PEN、聚丙烯酸酯和/或聚醯亞胺等材料中合適的材料，以單層或多層堆疊的形式形成層狀結構。緩衝層12還可以由氧化矽或氮化矽形成，或者可以包括有機材料和/或無機材料的複合層。
TFT可以控制每個子畫素的發射，或者可以控制每個子畫素發射光時發射的量。TFT可以包括半導體層21、柵電極22、源電極23和漏電極24。
半導體層21可以由非晶矽層、氧化矽層金屬氧化物或多晶矽層形成，或者可以由有機半導體材料形成。在一個實施例中，半導體層21包括溝道區和摻雜有摻雜劑的源區與漏區。
可以利用柵極絕緣層25覆蓋半導體層21。柵電極22可以設置在柵極絕緣層25上。大體上，柵極絕緣層25可以覆蓋基板11的整個表面。在一個實施例中，可以通過圖案化來形成柵極絕緣層25。考慮到與相鄰層的粘合、堆疊目標層的可成形性和表面平整性，柵極絕緣層25可以由氧化矽、氮化矽或其他絕緣有機或無機材料形成。柵電極22可以被由氧化矽、氮化矽和/或其他合適的絕緣有機或無機材料形成的層間絕緣層26覆蓋。可以去除柵極絕緣層25和層間絕緣層26的一部分，在去除之後形成接觸孔以暴露半導體層21的預定區域。源電極23和漏電極24可以經由接觸孔接觸半導體層21。考慮到導電性，源電極23和漏電極24可以由包括鋁（Al）、鉑（Pt）、鈀（Pd）、銀（Ag）、鎂（Mg）、金（Au）、鎳（Ni）、釹（Nd）、銥（Ir）、鉻（Cr）、鋰（Li）、鈣（Ca）、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)或其他合適的合金中的至少一種材料的單一材料層或複合材料層形成。
由氧化矽、氮化矽和/或其他合適的絕緣有機或無機材料形成的保護層27可以覆蓋TFT。保護層27覆蓋基板11的全部或局部部分。由於具有複雜的層結構的TFT設置在保護層27下方。因此保護層27的頂表面可能不是足夠平坦。因此有必要在保護層27上形成平坦化層28，以便形成足夠平坦的頂表面。
在形成平坦化層28後，可以在保護層27和平坦化層28中形成通孔，以暴露TFT的源電極23和漏電極24。
然後，在平坦化層28上形成第一顏色子畫素電極31、第二顏色子畫素電極32和第三顏色子畫素電極33。第一顏色子畫素電極31形成在第一畫素區域。第二顏色子畫素電極32形成在第二顏色子畫素區域。第三顏色子畫素電極33形成在第三顏色子畫素區域。這裡，第一顏色子畫素電極31、第二顏色子畫素電極32和第三顏色子畫素電極33可以同時地或同步地形成。第一顏色子畫素電極31、第二顏色子畫素電極32和第三顏色子畫素電極33中的每一個可以經過通孔電連接到TFT。這裡的第一顏色子畫素電極31、第二顏色子畫素電極32、第三顏色子畫素電極33通常被稱為陽極。
第一顏色子畫素電極31、第二顏色子畫素電極32和第三顏色子畫素電極33中的每個可以形成透明電極（透反射式）或反射電極。當第一顏色子畫素電極31、第二顏色子畫素電極32和第三顏色子畫素電極33形成透明電極（透反射式）電極時，可以由氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅(ZnO)、氧化銦（In2 O3 ）、氧化銦鎵(IGO)或氧化鋁鋅(AZO)形成。
當第一顏色子畫素電極31、第二顏色子畫素電極32和第三顏色子畫素電極33形成反射電極時，可由銀（Ag）、鎂（Mg）、鋁（Al）、鉑（Pt）、鈀（Pd）、金（Au）、鎳（Ni）、釹（Nd）、銥（Ir）、鉻（Cr）、或這些材料中的任何材料混合形成的反射層，和由氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅(ZnO) 、氧化銦（In2 O3 ）等透明電極材料形成輔助層，相疊加形成反射電極層這裡，第一顏色子畫素電極31、第二顏色子畫素電極32和第三顏色子畫素電極33的結構和材料不限於此，並且可以變化。
在形成第一顏色子畫素電極31、第二顏色子畫素電極32和第三顏色子畫素電極33之後，如圖30所示，可以形成畫素限定層41（PDL）。形成的PDL同時覆蓋第一顏色子畫素電極31、第二顏色子畫素電極32和第三顏色子畫素電極33。PDL可以通過具有對應每個子畫素的開口（即暴露每個子畫素的中心部分開口）來用於限定子畫素。PDL可以由諸如聚丙烯酸酯和聚醯亞胺等材料中合適的有機材料或包括合適的無機材料的單一材料層或複合材料層形成。
PDL可以以下面的方式形成，即在基板11的整個表面上通過利用適於PDL的材料，形成用於PDL的層，以覆蓋第一顏色子畫素電極31、第二顏色子畫素電極32和第三顏色子畫素電極33。然後，將將PDL層圖案化，以暴露第一顏色子畫素電極31、第二顏色子畫素電極32和第三顏色子畫素電極33的中心部分。
可以蒸鍍發光材料形成發光層51。蒸鍍材料覆蓋第一顏色子畫素電極31沒有被PDL層覆蓋的一部分，覆蓋第二顏色子畫素電極32沒有被PDL層覆蓋的一部分，覆蓋第三顏色子畫素電極33沒有被PDL層覆蓋的一部分，以及PDL層的頂表面。
可以使用精密金屬掩範本蒸鍍發射紅光、綠光和藍光的發光材料。
然後，蒸鍍形成覆蓋第一顏色子畫素區域、第二顏色子畫素區域和第三顏色子畫素區域的對電極61。對電極61可以相對多個子畫素一體形成，從而覆蓋整個顯示區域。對電極61通常被稱為陰極。
對電極61接觸顯示區域外側的電極供電線，從而電極供電線可以接收電信號。對電極61可以形成透明電極或反射電極。當對電極61形成透明電極時，對電極61可以包括通過沿朝著發光層方向沉積Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或這些材料中的任何材料的混合材料而形成的層以及由包括ITO、IZO、ZnO或In2 O3 的透明（透反射式）材料形成的輔助電極或匯流電極線。當對電極61形成為反射電極時，對電極61可以具有包括從Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag和Mg中選擇一種或多種材料的層。然而，對電極61的構造和材料不限於此，因此亦可以改變。
本發明提供了一種顯示幕，如圖31所示，包括第一區域、第二區域。在第一區域中設置有第一類發光單元100，在第二區域中設置有第二類發光單元200，第一類發光單元100與第二類發光單元200不同。
具體地，第一類發光單元100的驅動陣列偏離第一區域，第二類發光單元200的驅動陣列處於第二區域。也就是說，第二類發光單元200的驅動陣列是正常設置在第二區域中，而第一類發光單元100的驅動陣列沒有設置在第一區域中，而是設置在偏離第一區域的第二區域。這樣，第一區域中不設置第一類發光單元100的驅動陣列，由圖30所示的有機發光顯示裝置的層狀結構示意圖可知，TFT驅動陣列中的柵電極22、源電極23和漏電極24可以形成金屬網。當光線從顯示幕外部進入內部時，金屬網會引起光線的衍射或干涉，通常被稱為光柵效應。這樣當屏下光敏模組設置於顯示幕下，或者說嵌入顯示幕內部時，會影響屏下光敏模組的工作。而在本發明提供的實施方式中，第一類發光單元100的驅動陣列偏離第一區域，從而可以減少驅動陣列對光線的干涉與衍射，因此可以提高成像效果。
進一步地，在本發明提供的一實施例中，所述第一類發光單元100中存在多個畫素組，每個畫素組中具有多個第一類子畫素，每個畫素組中的多個第一類子畫素串聯式驅動。
進一步地，在本發明提供的又一實施例中，所述多個畫素組中的一個畫素組為紅色畫素陣列、綠色畫素陣列和藍色畫素陣列中的一種。
第一顏色子畫素、第二顏色子畫素、第三顏色子畫素可以發出不同顏色的色光，例如可以是紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）三色。三個子畫素發出的色光顏色互不相同。應當指出的是，這裡的第一顏色子畫素、第二顏色子畫素、第三顏色子畫素還可以是其他色光的子畫素，還可以不同色光的子畫素疊加後的子畫素組合。為了保持白平衡及降低生產成本，第一顏色子畫素、第二顏色子畫素、第三顏色子畫素可以分別為紅色子畫素、綠色子畫素、藍色子畫素。
一個畫素組可以是紅色畫素陣列、綠色畫素陣列和藍色畫素陣列中的一種。多個畫素組可以由紅色畫素陣列、綠色畫素陣列和藍色畫素陣列混合而形成，從而達到白平衡。
進一步地，在本發明提供的一實施例中，所述第一類發光單元100由所述第二類發光單元200的驅動陣列來驅動。
請參照圖31，第一類發光單元100的驅動陣列由位於左右兩側的第二類發光單元200的驅動陣列來驅動。可以理解的是，這裡第一類發光單元100中的一個畫素組同時發光或同時不發光。在具體的應用中，可以用於表示電池的電量指示、網路信號的強度指示等。
進一步地，在本發明提供的一實施例中，對於所述第一類發光單元100中的每一個畫素組，所述第二類發光單元200具有多個第二類子畫素，所述多個第二類子畫素中存在與所述每一個畫素組對應且串聯的驅動子畫素。
進一步地，在本發明提供的一實施例中，所述驅動子畫素的顏色和與之串聯式驅動的畫素組的顏色相同。
請再次參照圖31，可以理解的是，第一類發光單元100的一個畫素組與第二類發光單元200的一個驅動子畫素相對應。具體的例如，第一類發光單元100的紅色畫素陣列與左側的一個紅色子畫素對應，或者是，與右側的一個紅色子畫素對應。可以理解的是，可以是同一行，或者，同一列，還可以是，間隔一定行數或間隔一定列數。這裡的一個畫素組發出的色光可以與驅動子像素髮相同的色光，以便於控制。
進一步地，在本發明提供的一實施例中，所述多個畫素組中的任一個畫素組從所述第一區域的第一側延伸到相對的第二側，並且其兩端的兩個子畫素分別與所述第二類發光單元200中的兩個驅動子畫素串聯。
請再次參照圖31，第一類發光單元100的一個畫素組與（兩個）第二類發光單元200的驅動子畫素相對應。（兩個）第二類發光單元200的驅動子畫素可以分別位於畫素組的兩側。也就是說，畫素組中的任一個畫素組從所述第一區域的第一側延伸到相對的第二側，並且其兩端的兩個子畫素分別與所述第二類發光單元200中的兩個驅動子畫素串聯。這樣，一個畫素組的驅動信號的強度，可以藉由兩側的子畫素來平均承擔，降低驅動信號的強度要求。
進一步地，在本發明提供的一實施例中，所述第二類發光單元200中的多個第二類子畫素為獨立驅動。
第二類發光單元200可以包括多個第二類子畫素。第二類子畫素獨立驅動。具體的例如，第二類發光單元200包括紅色子畫素、綠色子畫素和藍色子畫素。主動矩陣有機發光二極體（Active Matrix Organic Light Emitting Diode ，AMOLED）是將有機發光二極體（Organic Light Emitting Diode，OLED）畫素澱積或集成在TFT陣列上，通過TFT陣列來控制流入每個OLED畫素的電流大小，從而決定每個畫素點發光強度的顯示技術。本發明提供的實施方式中顯示幕可以採用AMOLED技術製備。具體的製備方法請參見前述有機發光顯示裝置的方法。紅色子畫素由對應TFT陣列中的一個單元獨立驅動。
進一步地，在本發明提供的一實施例中，所述顯示幕設有補償電路300；
所述補償電路300電性連接所述第一類發光單元100和/或所述第二類發光單元200，用以平衡所述第一類發光單元100和所述第二類發光單元200之間的亮度差。
所述補償電路300可以設置在所述第一類發光單元100的任一畫素組的兩側，補償電路300分別與任一畫素組兩端的子畫素串聯，向所述畫素組輸入驅動信號，以增強所述畫素組的驅動信號。
進一步地，補償電路300也可以位於所述第二類發光單元200的驅動子畫素的外側，與驅動子畫素串聯，進一步增強所述第一類發光單元100的驅動信號。
從以上內容可知，第一類發光單元100中的一個畫素組與第二類發光單元200中的至少一個驅動子畫素相對應，相當於一個驅動子畫素同時驅動若干個子畫素。而第二類發光單元200獨立驅動，相當於一次驅動一個子畫素。可以理解的是，相同的驅動信號驅動第一類發光單元100和驅動第二類發光單元200具有不同的性能表現，這時，可以提供補償電路300，以使相同的驅動信號驅動下的第一類發光單元100中的一個畫素組中的一個子畫素和第二類發光單元200的一個子畫素具有相同的性能表現。
具體地，補償電路300為擴展驅動電路。
當然，可以理解的是，本發明並不局限於採用補償電路300的方式來平衡亮度差，還可以是其它方式，例如利用終端的特殊UI設計來平衡亮度差。
進一步地，在本發明提供的一種實施例中，還提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括顯示幕和屏下光敏模組；
所述顯示幕包括：
顯示幕，其包括第一區域和第二區域，
在所述第一區域中設置有第一類發光單元100，在所述第二區域中設置有與所述第一類發光單元100不同的第二類發光單元200，所述第一類發光單元100的驅動陣列偏離所述第一區域，所述第二類發光單元200的驅動陣列處於所述第二區域內；
屏下光敏模組，其能感應穿過所述顯示幕而照射進來的光。
對於顯示幕、第一區域、第二區域，前面部分已經做了詳細說明，此處不再贅述。
本發明提供的一種具體應用中，屏下光敏模組可以是攝像頭、光電感測器。光電感測器具體的可以是用於測量人面部是否靠近顯示幕的紅外感測器。
可以理解的是，這裡的顯示裝置可以理解為一種獨立的產品，例如手機、平板電腦等。顯示裝置還可以包括直流電源、直流電源或交流電源介面、記憶體、處理器等。
這裡的直流電源在具體的應用中可以為鋰電池。直流電源或交流電源介面在具體的應用中可以為mirco-USB插介面。記憶體可以為快閃記憶體晶片。處理器可以為具有運算功能的CPU、單片機等。
進一步地，在本發明提供的一種實施例中，所述屏下光敏模組為光電感測器、攝像頭中至少其中之一。
當然，可以根據需要設置屏下光敏模組。該屏下光敏模組具體的可以為光電感測器、攝像頭至少其中之一。
進一步地，在本發明提供的一種實施例中，所述屏下光敏模組嵌入所述顯示幕下4mm-6mm。
可以理解的是，在顯示幕內，隨著光傳播的深度逐漸變大，光照強度在衰減，當屏下光敏模組嵌入顯示幕下4mm-6mm的深度時，既可以保證屏下光敏模組穩定的組裝，又可以保證光照強度在需要的範圍之內。
以上所述實施例的各技術特徵可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特徵所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特徵的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的範圍。
以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但並不能因此而理解為對發明專利範圍的限制。應當指出的是，對於本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬於本發明的保護範圍。因此，本發明專利的保護範圍應以所附申請專利範圍為准。
11、312‧‧‧基板
21‧‧‧半導體層
22‧‧‧柵電極
23‧‧‧源電極
24‧‧‧漏電極
25‧‧‧柵極絕緣層
26‧‧‧層間絕緣層
27‧‧‧保護層
28、5313‧‧‧平坦化層
31‧‧‧第一顏色子圖元電極
32‧‧‧第二顏色子圖元電極
33‧‧‧第三顏色子圖元電極
40‧‧‧驅動電路
41、516、5219、525、528、535、538‧‧‧圖元限定層
51、355‧‧‧發光層
61‧‧‧對電極
100、511、5113、5213、522、532、5315‧‧‧第一類發光單元
200、514、526、536‧‧‧第二類發光單元
110、517‧‧‧第一顯示區
120、518‧‧‧第二顯示區
300‧‧‧補償電路
310‧‧‧襯底
314‧‧‧粘接
316‧‧‧緩衝層
320‧‧‧屏體線路層
322‧‧‧第一部分
324‧‧‧第二部分
324a‧‧‧凹槽
330‧‧‧功率電晶體層
340‧‧‧絕緣層
350‧‧‧發光模組
351‧‧‧陽極
353‧‧‧電洞層
357‧‧‧電子層
359‧‧‧陰極層
360‧‧‧封裝層
410‧‧‧分區控制模組
500‧‧‧顯示幕
510、521、531‧‧‧導電層
5110、5312‧‧‧走線層
5111‧‧‧平坦化層
5112、5314‧‧‧陽極
5114、512、515、5217、523、527、533、5316、537‧‧‧圖元區
5115、513、5218、524、5317、534‧‧‧電致變化光透過率材料
5116、5319‧‧‧陰極
5117、5214、5320‧‧‧薄膜封裝層
519‧‧‧顯示幕
5212‧‧‧陣列基板
5215‧‧‧觸控屏
5216‧‧‧防護膜
5318‧‧‧電子設備
553、558‧‧‧圖元的驅動陣列
554‧‧‧透明走線
555‧‧‧驅動陣列基板
556‧‧‧第一驅動區
557‧‧‧第二驅動區
圖1為本發明一實施例中的顯示幕的屏體結構示意圖。 圖2為另一實施例中的顯示幕的屏體結構示意圖。 圖3為一實施例中的顯示幕的剖面示意圖。 圖4為一實施例中的顯示幕中的驅動電路的位置示意圖。 圖5為一實施例中的終端的驅動示意圖。 圖6為一實施方式的顯示幕在第一顯示區的示意圖。 圖7為一實施方式的顯示幕在第二顯示區的示意圖。 圖8為一實施方式的顯示幕的結構示意圖。 圖9為另一實施方式的顯示幕在通電時第一顯示區的側面示意圖。 圖10為另一實施方式的顯示幕在通電時第一顯示區的俯視示意圖。 圖11為另一實施方式的顯示幕在不通電時第一顯示區的側面示意圖。 圖12為另一實施方式的顯示幕在不通電時第一顯示區的俯視示意圖。 圖13為一實施方式的電子設備的結構示意圖。 圖14為一實施方式的顯示幕在第一顯示區的側面示意圖。 圖15為一實施方式的顯示幕在第一顯示區的俯視示意圖。 圖16為一實施方式的顯示幕在第二顯示區的側面示意圖。 圖17為另一實施方式的顯示幕在通電時第一顯示區的側面示意圖。 圖18為另一實施方式的顯示幕在通電時第一顯示區的俯視示意圖。 圖19為另一實施方式的顯示幕在不通電時第一顯示區的側面示意圖。 圖20為另一實施方式的顯示幕在不通電時第一顯示區的俯視示意圖。 圖21為一實施方式的顯示幕在第一顯示區的側面示意圖。 圖22為一實施方式的顯示幕在第一顯示區的仰視示意圖。 圖23為一實施方式的顯示幕在第二顯示區的側面示意圖。 圖24為另一實施方式的顯示幕在通電時第一顯示區的側面示意圖。 圖25為另一實施方式的顯示幕在通電時第一顯示區的俯視示意圖。 圖26為另一實施方式的顯示幕在不通電時第一顯示區的側面示意圖。 圖27為另一實施方式的顯示幕在不通電時第一顯示區的俯視示意圖。 圖28為一實施方式的顯示幕上驅動陣列的分佈圖。 圖29為圖28中顯示幕上驅動陣列的分佈圖的部分放大示意圖。 圖30為一實施方式的有機發光顯示裝置的層狀結構示意圖。 圖31為一實施方式的顯示幕的子畫素驅動結構示意圖。

Claims (10)

  1. 一種顯示幕，包括：顯示區域，所述顯示區域包括至少兩個顯示區，所述至少兩個顯示區包括第一顯示區和第二顯示區；所述第一顯示區的金屬層的總厚度小於所述第二顯示區的金屬層的總厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示幕，其中，所述第一顯示區的金屬層的總厚度小於或等於所述第二顯示區的金屬層的總厚度的10%～80%。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的顯示幕，其中，所述第一顯示區的各金屬層的厚度均小於所述第二顯示區中的相同金屬層的厚度的10%～80%。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的顯示幕，其中，所述第一顯示區和所述第二顯示區的各金屬層表面均形成有透明的平坦層；所述第一顯示區中的金屬層厚度和平坦層厚度之和等於所述第二顯示區中的金屬層厚度和平坦層厚度之和。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的顯示幕，其中，所述顯示幕包括： 襯底； 形成於所述襯底上的屏體線路層；所述屏體線路層包括第一部分和形成於所述第一部分上的第二部分； 設置於所述屏體線路層上的功率電晶體層；所述屏體線路層的第二部分與所述功率電晶體相連； 設置於所述屏體線路層和所述功率電晶體層未連接處的絕緣層；以及 設置於所述功率電晶體層上的發光模組；所述發光模組包括陽極、設置於所述陽極上的電洞層、設置於所述電洞層上的發光層、設置于所述發光層上的電子層以及設置於所述電子層上的陰極層；所述陰極層自所述電子層延伸至所述絕緣層並在所述絕緣層的一端延伸，以與外部電路連接；所述金屬層包括所述屏體線路層、所述陽極和所述陰極。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的顯示幕，其中，所述屏體線路層上設置有畫素電路和驅動電路；所述畫素電路分佈於所述顯示幕的整個顯示區域；所述驅動電路位於所述畫素電路下方且設置在所述第二顯示區的兩側。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的顯示幕，其中，所述屏體線路層的第二部分上設置有凹槽；所述絕緣層還填充於所述凹槽內。
  8. 如申請專利範圍第5項到第7項中任一項所述的顯示幕，其中，還包括瞬間擦黑電路；所述瞬間擦黑電路與所述第一顯示區的畫素電路連接；所述瞬間擦黑電路用於接收控制信號，並在接收到所述控制信號時控制所述第一顯示區的各畫素處於不顯示狀態。
  9. 一種終端，包括本體和設置於所述本體上的顯示幕；所述本體用於實現所述終端的目標功能； 所述顯示幕包括顯示區域，所述顯示區域包括至少兩個顯示區，所述至少兩個顯示區包括第一顯示區和第二顯示區；所述第一顯示區的金屬層的總厚度小於所述第二顯示區的金屬層的總厚度；所述本體包括控制器和前置設備；所述前置設備設置於所述顯示幕的第一顯示區的下方；所述控制器對所述第一顯示區和所述第二顯示區進行獨立控制；所述控制器還用於在所述前置設備工作時控制所述第一顯示區處於未被點亮狀態。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的終端，其中，所述控制器包括分區控制模組；所述分區控制模組用於接收所述前置攝像頭的工作信號，並在接收到所述工作信號時生成控制信號至所述第一顯示區；所述控制信號用於控制所述第一顯示區的各畫素處於不顯示狀態。
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