CN110085766B - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括显示区，显示区包括透明显示区和围绕所述透明显示区的非透明显示区；在所述显示区，所述显示面板还包括阵列基板；以及第一电极，设置在所述阵列基板上；其中所述透明显示区的第一电极的厚度小于所述非透明显示区的第一电极的厚度，所述透明显示区的第一电极的透光率大于或等于70％。本发明的显示面板、显示装置，有效的增加了透明显示区的透光率；本发明的显示面板制备方法，步骤简单，而且能够减少使用光罩的次数和光罩数量，有效的提高了生产效率。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示器等领域，具体为一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode)由于其重量轻，自发光，广视角、驱动电压低、发光效率高功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛，尤其是柔性OLED显示装置具有可弯折易携带的特点，成为显示技术领域研究和开发的主要领域。
全面屏是OLED显示技术开发的目标之一，屏下摄像头技术可以在现有技术水平上进一步提升屏占比，达到完美的全面屏设计。当前，屏下摄像头技术主要为通孔、盲孔结构，通孔设计的外观效果差、信赖性低，且无法达到完美的全面屏设计。盲孔结构同样摄像头区域无法显示，无法做到真正的全面屏。
发明内容
为解决上述技术问题：本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，通过改变透明显示区的电极结构，以提高透明显示区的透光率，达到提高屏占比。
解决上述问题的技术方案是：本发明提供一种显示面板，包括显示区，所述显示区包括透明显示区和围绕所述透明显示区的非透明显示区；在所述显示区，所述显示面板还包括阵列基板；以及第一电极，设置在所述阵列基板上；其中所述透明显示区的第一电极的厚度小于所述非透明显示区的第一电极的厚度，所述透明显示区的第一电极的透光率大于或等于70％。
在本发明一实施例中，所述第一电极包括第一透明导电氧化物层；所述第一透明导电氧化物层的厚度在30A-1500A之间。
在本发明一实施例中，在所述非透明显示区，所述第一电极包括第二透明导电氧化物层，与所述第一透明导电氧化物层同层设置于所述阵列基板上；金属反射层，设于所述第二透明导电氧化物层上，所述金属反射层的反射率大于或等于70％；第三透明导电氧化物层，设于所述金属反射层上。
在本发明一实施例中，所述阵列基板包括基层结构，为透明结构；以及薄膜晶体管结构层，设于所述基层结构上；所述第一电极设于所述薄膜晶体管结构层上。
在本发明一实施例中，所述透明显示区中的像素密度小于所述非透明显示区的像素密度；或者，单位面积内透明显示区中的所述薄膜晶体管的密度小于非透明显示区中的所述薄膜晶体管的密度。
在本发明一实施例中，所述基层结构包括第一柔性层，其材料为透明聚酰亚胺材料；第一缓冲层，设于所述第一柔性层上；第二柔性层，设于所述第一缓冲层上，所述第二柔性层所用材料为透明聚酰亚胺材料；第二缓冲层，设于所述第二柔性层上，所述薄膜晶体管结构层设于所述第二缓冲层上。
本发明还提供了一种所述的显示面板的制备方法，包括以下步骤：提供一阵列基板；在透明显示区和非透明显示区，形成第一电极于阵列基板上，其中所述透明显示区的第一电极的厚度小于所述非透明显示区的第一电极的厚度，所述透明显示区的第一电极的透光率大于或等于70％。
在本发明一实施例中，形成第一电极步骤中，包括在透明显示区和非透明显示区，沉积透明导电氧化物形成第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层，并对第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层进行蚀刻形成相应图案；在所述第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层上，形成金属反射层；在所述金属反射层上，沉积透明导电氧化物形成第三透明导电氧化物层；在所述透明显示区，蚀刻去除所述第三透明导电氧化物层和所述金属反射层；在所述非透明显示区，蚀刻所述第三透明导电氧化物层和所述金属反射层，形成相应图案。
在本发明一实施例中，形成第一电极步骤中，包括在透明显示区和非透明显示区，分别沉积透明导电氧化物形成第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层，在所述第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层上，形成金属反射层；在所述金属反射层上，沉积透明导电氧化物形成第三透明导电氧化物层；在第三透明导电氧化物层上涂布光阻材料，其中，所述透明显示区的光阻材料的厚度小于所述非透明显示区的厚度；采用半曝光工艺，对未涂覆光阻材料的区域进行蚀刻并形成相应图案；
表面处理去除透明显示区光阻材料，对无光阻材料的区域进行蚀刻在透明显示区形成具有所述第一透明导电氧化物层的第一电极；在非透明显示区所述第二透明导电氧化物层、所述金属反射层和所述第三透明导电氧化物层的第一电极。
本发明还提供了一种显示装置，包括所述的显示面板；以及摄像头，设于所述阵列基板下方，且对应于所述透明显示区。
本发明的有益效果是：本发明的显示面板、显示装置，通过在透明显示区和非透明显示区设置不同后的第一电极(阳极)，使得透明显示区中的第一电极的厚度小于非透明显示区的第一电极的厚度，同时采用透明材料作为透明显示区的第一电极的所用材料，使得透光率大于或等于70％，有效的增加了透明显示区的透光率，其基层结构为透明结构，进一步增加了透明显示区的透光率；本发明的显示面板制备方法，步骤简单，而且能够减少使用光罩的次数和光罩数量，有效的提高了生产效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步解释。
图1是本发明实施例的显示面板的结构示意图。
图2是本发明实施例的显示装置的结构示意图，主要体现摄像头与显示面板的位置关系。
附图标记:
1 显示面板； 2 摄像头；
1000 显示装置； 100 显示区；
101 透明显示区； 102 非透明显示区；
10 基层结构； 20 薄膜晶体管结构层；
30 第一电极； 40 像素限定层；
11 第一柔性层； 12 第一缓冲层；
13 第二柔性层； 14 第二缓冲层；
21 有源层； 22 第一栅极绝缘层；
23 第一栅极； 24 第二栅极绝缘层；
25 第二栅极； 26 层间介质层；
27 源漏极走线； 28 平坦化层；
31 第一透明导电氧化物层； 32 第二透明导电氧化物层；
33 金属反射层； 34 第三透明导电氧化物层；
41 开槽。
具体实施方式
以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，以举例证明本发明可以实施，使得本发明公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。
以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
如图1所示，在一实施例中，本发明的显示面板1包括显示区100。所述显示区100包括透明显示区101和围绕所述透明显示区101的非透明显示区 102。在所述显示区100，所述显示面板1还包括阵列基板、第一电极30以及像素限定层40。
在所述显示区100，所述阵列基板包括基层结构10以及薄膜晶体管结构层20。
所述基层结构10设置为透明结构，此有利于增加所述透明显示区101的透光率。具体的，所述基层结构10包括第一柔性层11、第一缓冲层12、第二柔性层13、第二缓冲层14，所述第一柔性层11和所述第二柔性层13的所用材料为透明聚酰亚胺材料；所述第一缓冲层12设于所述第一柔性层11上；所述第二柔性层13设于所述第一缓冲层12上。所述第二缓冲层14设于所述第二柔性层13上，所述薄膜晶体管结构层20设于所述第二缓冲层14上。
所述薄膜晶体管结构层20包括有源层21、第一栅极绝缘层22、第一栅极23、第二栅极绝缘层24、第二栅极25、层间介质层26、源漏极走线27以及平坦化层28。其中，所述有源层21设于所述第二缓冲层14上，所述第一栅极绝缘层22设于所述有源层21上，所述第一栅极23设于所述第一栅极绝缘层22上，所述第二栅极绝缘层24设于所述第一栅极23上，所述第二栅极 25设于所述第二栅极绝缘层24上，所述层间介质层26设于所述第二栅极25 上，从所述层间介质层26到所述有源层21具有对应的贯穿的通孔，所述源漏极走线27设于所述层间介质层26上，且通过所述通孔连接至所述有源层 21。所述平坦化层28上设有开孔，其中所述源漏极走线27中的漏极裸露在所述开孔中。
所述第一电极30设于所述薄膜晶体管结构层20上。具体的，本实施例中，所述第一电极30设于所述平坦化层28上，且通过所述开孔连接至所述漏极。本实施例中，所述第一电极30均为阳极。
为了提高所述透明显示区101的透光率，本实施例中，所述透明显示区 101的第一电极30的厚度小于所述非透明显示区102的第一电极30的厚度，所述透明显示区101的第一电极30的透光率大于或等于70％。优选的所述透明显示区101的第一电极30的透光率优选为70％-90％。
在所述透明显示区101，所述第一电极30包括第一透明导电氧化物层31；所述第一透明导电氧化物层31的厚度在30 Å -1500 Å 之间。在所述非透明显示区102，所述第一电极30包括第二透明导电氧化物层32、金属反射层33、第三透明导电氧化物层34，所述第二透明导电氧化物层32与所述第一透明导电氧化物层31同层设置于所述阵列基板上，所述第二透明导电氧化物层32的厚度也在30 Å-1500 Å之间；所述金属反射层33设于所述第二透明导电氧化物层32上，所述金属反射层33的反射率大于或等于70％；所述第三透明导电氧化物层34设于所述金属反射层33上。本实施例中，所述金属反射层33所用材料选择银。本实施例中，所述第一透明导电氧化物层31、所述第二透明导电氧化物层32以及所述第三透明导电氧化物层34中的透明导电氧化物选用氧化铟锡、铟锌氧化物中的一种。
为了进一步提高所述透明显示区101的透光率，本实施例中，所述透明显示区中的像素密度小于所述非透明显示区的像素密度，或者，单位面积内透明显示区中的所述薄膜晶体管的密度小于非透明显示区中的所述薄膜晶体管的密度。这样，在所述阵列基板中，在对应的透明显示区101，由于薄膜晶体管的分布较稀疏，因而所采用的不透光的金属走线排列也比较稀疏，有利于进一步提高透明显示区101的透光率。
下面结合本发明的显示面板1的制备方法，对本发明的显示面板1进行进一步说明。
制备方法一：
本发明还提供了一种显示面板1的制备方法，包括以下步骤。
提供一阵列基板，其中依次将所述第一缓冲层12设于所述第一柔性层11 上；将所述第二柔性层13设于所述第一缓冲层12上；将所述第二缓冲层14 设于所述第二柔性层13上，将所述薄膜晶体管结构层20设于所述第二缓冲层14上；形成透明的基层结构10。之后在基层结构10的第二缓冲层14上制作薄膜晶体管结构层20。即将所述有源层21设于所述第二缓冲层14上，将所述第一栅极绝缘层22设于所述有源层21上，将所述第一栅极23设于所述第一栅极绝缘层22上，将所述第二栅极绝缘层24设于所述第一栅极23上，将所述第二栅极25设于所述第二栅极绝缘层24上，将所述层间介质层26设于所述第二栅极25上，从所述层间介质层26到所述有源层21蚀刻出对应的贯穿的通孔，将所述源漏极走线27设于所述层间介质层26上，且通过所述通孔连接至所述有源层21。将所述平坦化层28上设置在源漏极上，且在所述平坦化层28上设置开孔，其中所述源漏极走线27中的漏极裸露在所述开孔中。
在透明显示区101和非透明显示区102，形成第一电极30于阵列基板上，其中所述透明显示区101的第一电极30的厚度小于所述非透明显示区102的第一电极30的厚度，所述透明显示区101的第一电极30的透光率大于或等于70％。具体的，形成第一电极30步骤中，包括在透明显示区101和非透明显示区102，沉积透明导电氧化物于所述开孔以及平坦化层28上形成第一透明导电氧化物层31和第二透明导电氧化物层32，并对第一透明导电氧化物层 31和第二透明导电氧化物层32进行蚀刻形成相应图案；在所述第一透明导电氧化物层31和第二透明导电氧化物层32上，形成金属反射层33；在所述金属反射层33上，沉积透明导电氧化物形成第三透明导电氧化物层34；在所述透明显示区101，蚀刻去除所述第三透明导电氧化物层34和所述金属反射层 33；在所述非透明显示区102，蚀刻所述第三透明导电氧化物层34和所述金属反射层33，形成相应图案。
之后在所述平坦化层28上形成像素限定层40，并在所述像素限定层40 对应第一电极30处设置开槽41。
制备方法二：
本制备方法与制备方法一的区别在于：形成第一电极30步骤中，包括在透明显示区101和非透明显示区102，分别沉积透明导电氧化物形成第一透明导电氧化物层31和第二透明导电氧化物层32，在所述第一透明导电氧化物层31 和第二透明导电氧化物层32上，形成金属反射层33；在所述金属反射层33 上，沉积透明导电氧化物形成第三透明导电氧化物层34；在第三透明导电氧化物层34上涂布光阻材料，其中，所述透明显示区101的光阻材料的厚度小于所述非透明显示区102的厚度；采用半曝光工艺，对未涂覆光阻材料的区域进行蚀刻并形成相应图案；表面处理去除透明显示区101的光阻材料而在非透明显示区102中保留一定厚度的光阻材料，之后对无光阻材料的区域进行蚀刻，即在透明显示区101形成具有所述第一透明导电氧化物层31的第一电极30；而在非透明显示区102所述第二透明导电氧化物层32、所述金属反射层33和所述第三透明导电氧化物层34的第一电极30。
制备方法二与制备方法一相比，节省光罩以及更加简化了工艺步骤，有效的提高了制备效率。
如图2所示，本发明还提供了一种显示装置1000，包括所述的显示面板 1以及摄像头2，所述摄像头2设于所述阵列基板下方，且对应于所述透明显示区101。本实施例中，其主要设计要点在于透明显示区101和非透明显示区 102的设计，特别是第一电极30的设计，至于显示装置1000的其他结构，如弯折区的结构等，就不再一一赘述。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，应理解，本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的，用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，而并不用于限制本发明。在每个示例性实施方式中对特征或方面的描述通常应被视作适用于其他示例性实施例中的类似特征或方面。尽管参考示例性实施例描述了本发明，但可建议所属领域的技术人员进行各种变化和更改。本发明意图涵盖所附权利要求书的范围内的这些变化和更改。

Claims (7)

1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区，所述显示区包括透明显示区和围绕所述透明显示区的非透明显示区；在所述显示区，所述显示面板还包括
阵列基板；以及
第一电极，设置在所述阵列基板上；其中所述透明显示区的第一电极的厚度小于所述非透明显示区的第一电极的厚度，所述透明显示区的第一电极的透光率大于或等于70％；
在所述透明显示区，所述第一电极包括第一透明导电氧化物层；
在所述非透明显示区，所述第一电极包括
第二透明导电氧化物层，与所述第一透明导电氧化物层同层设置于所述阵列基板上；
金属反射层，设于所述第二透明导电氧化物层上，所述金属反射层的可见光波段反射率大于或等于70％；
第三透明导电氧化物层，设于所述金属反射层上。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明导电氧化物层的厚度在30 Å-1500 Å之间。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括基层结构，为透明结构；以及
薄膜晶体管结构层，设于所述基层结构上；所述第一电极设于所述薄膜晶体管结构层上。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述透明显示区中的像素密度小于所述非透明显示区的像素密度；或者，单位面积内透明显示区中的所述薄膜晶体管的密度小于非透明显示区中的所述薄膜晶体管的密度。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述基层结构包括
第一柔性层，其材料为透明聚酰亚胺材料；
第一缓冲层，设于所述第一柔性层上；
第二柔性层，设于所述第一缓冲层上，所述第二柔性层所用材料为透明聚酰亚胺材料；
第二缓冲层，设于所述第二柔性层上，所述薄膜晶体管结构层设于所述第二缓冲层上。
6.一种如权利要求1-5中任意一项所述的显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一阵列基板；
在透明显示区和非透明显示区，形成第一电极于阵列基板上，其中所述透明显示区的第一电极的厚度小于所述非透明显示区的第一电极的厚度，所述透明显示区的第一电极的透光率大于或等于70％；
形成第一电极步骤中，包括
在透明显示区和非透明显示区，沉积透明导电氧化物形成第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层，并对第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层进行蚀刻形成相应图案；
在所述第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层上，形成金属反射层；
在所述金属反射层上，沉积透明导电氧化物形成第三透明导电氧化物层；
在所述透明显示区，蚀刻去除所述第三透明导电氧化物层和所述金属反射层；
在所述非透明显示区，蚀刻所述第三透明导电氧化物层和所述金属反射层，形成相应图案。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5中任意一项所述的显示面板；以及摄像头，设于所述阵列基板下方，且对应于所述透明显示区。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110085766B (zh) * 2019-04-28 2020-09-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN110400521B (zh) * 2019-07-30 2021-10-15 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110571252A (zh) * 2019-08-20 2019-12-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、阵列基板制造方法及显示装置
CN110619818B (zh) * 2019-08-27 2021-04-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN111028687B (zh) * 2019-12-16 2021-10-15 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
US20230117774A1 (en) * 2020-03-02 2023-04-20 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and production method therefor
CN111584566A (zh) 2020-05-11 2020-08-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、掩模版组
CN113838889A (zh) * 2020-06-23 2021-12-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板、电子设备和显示方法
CN114783305B (zh) * 2022-04-26 2023-11-03 昆山国显光电有限公司 一种显示面板及显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108376696B (zh) * 2017-09-30 2020-08-25 云谷（固安）科技有限公司 终端及显示屏
CN108364967B (zh) * 2017-09-30 2021-07-27 昆山国显光电有限公司 显示屏及显示装置
CN107946341B (zh) * 2017-11-10 2020-05-22 上海天马微电子有限公司 显示装置和显示装置的制造方法
CN108899348A (zh) * 2018-07-09 2018-11-27 京东方科技集团股份有限公司 透明显示基板及其驱动方法和透明显示装置
CN209487511U (zh) * 2018-12-28 2019-10-11 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN110085766B (zh) * 2019-04-28 2020-09-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

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