TW201834615A - 放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種於感測器基板中使用撓性基材時能夠抑制放射線圖像的畫質下降之放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置。一種放射線檢測器10，具備：感測器基板12，包含撓性基材14及形成有設置於基材14的第1面14A且蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素16之層；轉換層30，設置於感測器基板12的第1面14A側，並將放射線轉換為光；保護膜32，至少覆蓋如下區域，即包含從覆蓋轉換層30之區域到基材14的與第1面14A相反的一側的第2面14B的外周部中的區域17為止之區域；及支撐構件34，從基材14的第2面14B側經由保護膜32支撐基材14的區域17。

Description

放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置

本發明有關一種放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置。

一直以來，已知有以醫療診斷為目的而進行放射線拍攝之放射線圖像攝影裝置。於該種放射線圖像攝影裝置中使用用於檢測透射了被攝體之放射線並生成放射線圖像之放射線檢測器。

作為放射線檢測器，存在如下放射線檢測器，其具備：閃爍器等轉換層，將放射線轉換為光；以及感測器基板，設置有蓄積依據被轉換層轉換之光而產生之電荷之複數個像素。作為該種放射線檢測器，存在為了提高耐久性而用保護膜覆蓋轉換層者（參閱專利文獻1）。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2011-247822號公報

上述專利文獻1中記載之技術中，轉換層的與感測器基板接觸之面（下表面）以外的面（轉換層的上表面和側面）被保護膜覆蓋。該保護膜的一端環繞於感測器基板的背面（不與轉換層接觸之面），並藉由於所環繞之背面之保護膜上設置熱壓部來提高防濕性。

於感測器基板中使用撓性基材為較佳。藉由使用撓性基材，例如能夠將放射線圖像攝影裝置（放射線檢測器）輕量化，或者能夠容易進行被攝體的拍攝。

當於感測器基板中使用撓性基材時，會於基材亦即感測器基板上產生彎曲。因於感測器基板上產生彎曲，有時會降低例如轉換層的耐久性和防濕性。該情況下，即使如專利文獻1中記載之技術般設置保護膜，亦不能說耐久性和防濕性充分。

因此，當於感測器基板中使用撓性基材時，有時會導致放射線圖像的畫質下降。

本公開的目的為提供一種於感測器基板中使用撓性基材時能夠抑制放射線圖像的畫質下降之放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置。

為了實現上述目的，本公開的放射線檢測器具備：感測器基板，包含撓性基材、及形成有設置於基材的第1面且蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素之層；轉換層，設置於感測器基板的第1面側，並且將放射線轉換為光；保護膜，至少覆蓋如下區域，亦即包含從覆蓋轉換層之區域到基材的與第1面相反的一側的第2面的外周部中的特定的區域為止之區域；以及支撐構件，從基材的第2面側經由保護膜支撐基材的特定的區域。

又，亦可以為本公開的放射線檢測器中，特定的區域為與基材的第2面中的對應於像素區域之區域的外側對應之區域，前述像素區域為基材的第1面中的設置有複數個像素之區域。

又，亦可以為本公開的放射線檢測器的複數個像素包含：複數個第1像素；以及複數個第2像素，設置於複數個第1像素的外周部，且形成放射線圖像時之用途與複數個第1像素不同，特定的區域為基材的第2面中的與設置有複數個第1像素之區域的外側對應之區域。

又，亦可以為本公開的放射線檢測器的支撐構件於從第2面的外周至特定的距離內側的周緣上，沿著周緣設置有複數個，並且沿著周緣之複數個支撐構件的長度的總計相對於周緣的長度為二分之一以上且小於周緣的長度。

又，亦可以為本公開的放射線檢測器的感測器基板具有相對向之一對邊，支撐構件分別設置於至少一對邊上。

又，亦可以為本公開的放射線檢測器的保護膜具備：第1保護膜，至少覆蓋轉換層的與設置有感測器基板之面相反的一側的面和側面；以及第2保護膜，覆蓋特定的區域和包含整個第1保護膜之區域。

又，亦可以為本公開的放射線檢測器的保護膜具備：第1保護膜，至少覆蓋轉換層的與設置有感測器基板之面相反的一側的面和側面；以及第2保護膜，覆蓋特定的區域和包含第1保護膜的端部之區域。

又，亦可以為本公開的放射線檢測器還具備設置於基材的第2面之抗靜電膜。

又，亦可以為本公開的放射線檢測器的保護膜覆蓋整個第2面。

又，亦可以為本公開的放射線檢測器用於對基材的第2面照射放射線之拍攝中。

又，亦可以為本公開的放射線檢測器的轉換層包含CsI。

又，本公開的放射線圖像攝影裝置具備：本公開的放射線檢測器；控制部，輸出用於讀取蓄積於複數個像素中的電荷之控制訊號；驅動部，依據控制訊號，使電荷從複數個像素被讀取；以及訊號處理部，被輸入與從複數個像素讀取的電荷對應之電訊號，並且生成與所輸入之電訊號對應之圖像資料並輸出至控制部。

又，亦可以為本公開的放射線圖像攝影裝置中，於與放射線檢測器中的基材、形成有複數個像素之層及轉換層排列之積層方向交叉之方向上，並排設置有控制部及放射線檢測器。

又，亦可以為本公開的放射線圖像攝影裝置還具備電源部，前述電源部向控制部、驅動部及訊號處理部中的至少一處供電，於與放射線檢測器中的基材、形成有複數個像素之層及轉換層排列之積層方向交叉之方向上，並排設置有電源部、控制部及放射線檢測器。 [發明效果]

依本公開，當於感測器基板中使用撓性基材時，能夠抑制放射線圖像的畫質下降。

以下，參閱圖式對本發明的實施形態進行詳細說明。另外，本實施形態並不限定本發明。

[第1實施形態] 本實施形態的放射線圖像攝影裝置藉由檢測透射了攝影對象亦即被攝體之放射線並輸出表示被攝體的放射線圖像之圖像資訊，從而具有拍攝攝影對象的放射線圖像之功能。

首先，參閱圖1，對本實施形態的放射線圖像攝影裝置中的電子系統的構成的一例的概略進行說明。圖1係表示本實施形態的放射線圖像攝影裝置中的電子系統的主要部分構成的一例之方塊圖。

如圖1所示，本實施形態的放射線圖像攝影裝置1具備放射線檢測器10、控制部100、驅動部102、訊號處理部104、圖像記憶體106以及電源部108。

放射線檢測器10具備感測器基板12（參閱圖3）以及將放射線轉換為光之轉換層（參閱圖3）。感測器基板12具備撓性基材14以及設置於基材14的第1面14A之複數個像素16。另外，以下，對於複數個像素16，有時簡稱為“像素16”。

如圖1所示，本實施形態的各像素16具備依據轉換層所轉換之光而產生並蓄積電荷之感測器部22、以及讀取蓄積於感測器部22中的電荷之開關元件20。本實施形態中，作為一例，使用薄膜電晶體（TFT：Thin Film Transistor）作為開關元件20。因此，以下，將開關元件20稱為“TFT20”。本實施形態中形成有感測器部22和TFT20，作為經平坦化之層而進一步設置有於基材14的第1面14A形成有像素16之層。以下，對於形成有像素16之層，為了方便說明，有時亦稱為“像素16”。

於感測器基板12的主動區域15，沿著一個方向（與圖1的橫向對應之掃描配線方向，以下亦稱為“行方向”）和與行方向交叉之方向（與圖1的縱向對應之訊號配線方向，以下亦稱為“列方向”）而二維狀地配置有像素16。圖1中，簡化顯示了像素16的排列，例如像素16於行方向和列方向上配置有1024個×1024個。

又，放射線檢測器10中相互交叉設置有針對像素16的每一行而設置且用於控制TFT20的開關狀態（導通和關斷）之複數個掃描配線26和針對像素16的每一列而設置且用於讀取蓄積於感測器部22中的電荷之複數個訊號配線24。複數個掃描配線26的每一個分別經由焊墊（省略圖示）而與驅動部102連接，藉此從驅動部102輸出且驅動TFT20而控制開關狀態之驅動訊號流入複數個掃描配線的每一個中。又，複數個訊號配線24的每一個分別經由焊墊（省略圖示）而與訊號處理部104連接，藉此從各像素16讀取之電荷作為電訊號而輸出至訊號處理部104。訊號處理部104生成並輸出與所輸入之電訊號對應之圖像資料。

訊號處理部104中連接有後述之控制部100，從訊號處理部104輸出之圖像資料依序輸出至控制部100。控制部100中連接有圖像記憶體106，從訊號處理部104依序輸出之圖像資料藉由由控制部100進行之控制而依序記憶於圖像記憶體106。圖像記憶體106具有能夠記憶特定數量的圖像資料之記憶容量，每當進行放射線圖像的拍攝時，藉由拍攝而得到之圖像資料依序記憶於圖像記憶體106。

控制部100具備CPU（中央處理單元（Central Processing Unit））100A、包含ROM（唯讀記憶體（Read Only Memory））和RAM（隨機存取記憶體（Random Access Memory））等之記憶體100B、以及快閃記憶體等非易失性記憶部100C。作為控制部100的一例，可舉出微電腦等。控制部100控制放射線圖像攝影裝置1的整體的動作。

又，為了對各像素16施加偏壓，各像素16的感測器部22中，於訊號配線24的配線方向上設置有共用配線28。共用配線28經由焊墊（省略圖示）而與感測器基板12的外部的偏壓電源（省略圖示）連接，藉此從偏壓電源對各像素16施加偏壓。

電源部108向控制部100、驅動部102、訊號處理部104、圖像記憶體106及電源部108等各種元件和各種電路供電。另外，圖3中，為了避免複雜化，省略了將電源部108與各種元件和各種電路連接的配線的圖示。

進一步對本實施形態的放射線檢測器10進行詳細說明。圖2係從與第1面14A相反的一側的第2面14B側觀察本實施形態的放射線檢測器10之平面圖。又，圖3係圖2中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。

如圖2和圖3所示，本實施形態的放射線檢測器10具備包含基材14和像素16之感測器基板12、轉換層30、保護膜32以及支撐構件34，並且依序設置有基材14、像素16以及轉換層30。另外，以下，將基材14、像素16以及轉換層30所排列之方向（圖3中的上下方向）稱為積層方向。

基材14具有撓性，例如為包含聚醯亞胺等塑膠之樹脂片。作為基材14的具體例，可舉出XENOMAX（註冊商標）。另外，基材14只要具有期望之撓性即可，並不限定於樹脂片。例如，基材14亦可以為厚度比較薄的玻璃基板等。基材14的厚度為能夠依據材質的硬度和感測器基板12的大小（第1面14A或第2面14B的面積）等而得到期望之撓性的厚度即可。例如當基材14為樹脂片時，只要係厚度為5μm～125μm者即可。又，例如當基材14為玻璃基板時，通常於一個邊為43cm以下的尺寸下，若厚度為0.3mm以下則具有撓性，因此係厚度為0.3mm以下者即可。

一個邊為43cm以上的大型尺寸下，若厚度為0.3mm以下則具有撓性，因此係厚度為0.3mm以下者即可。

如圖2和圖3所示，複數個像素16設置於基材14的第1面14A中的內側的一部分區域。亦即，本實施形態的感測器基板12中，於基材14的第1面14A的外周部未設置有像素16。本實施形態中，將基材14的第1面14A中的設置有像素16之區域設為主動區域15。又，將基材14的與主動區域15相反的一側的第2面14B的區域稱為“第2面14B的與主動區域15對應之區域”。本實施形態的主動區域15為本公開的像素區域的一例。另外，本實施形態中，作為一例，於基材14的第1面14A隔著使用了SiN等之底塗層（省略圖示）而設置有像素16。

又，如圖3所示，轉換層30覆蓋主動區域15。本實施形態中，作為轉換層30的一例，使用包含CsI（碘化銫）之閃爍器。作為該種閃爍器，例如包含X射線照射時的發射光譜為400nm～700nm的CsI:Tl（添加有鉈之碘化銫）或CsI:Na（添加有鈉之碘化銫）為較佳。另外，CsI:Tl的可見光區域中的發射峰值波長為565nm。

本實施形態中，藉由真空蒸鍍法、濺射法及CVD（化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition））法等氣相沉積法，於感測器基板12上作為柱狀晶體直接形成有CsI的轉換層30。該情況下，轉換層30中的與像素16接觸之一側成為柱狀晶體的生長方向基點側。

另外，如此，於感測器基板12上藉由氣相沉積法而直接形成有CsI的轉換層時，於與感測器基板12接觸之一側相反的一側的面上例如亦可以設置有具有反射由轉換層30轉換之光之功能之反射層（省略圖示）。反射層可以直接設置於轉換層30上，亦可以隔著黏著層等而設置。作為該情況下的反射層的材料，使用了有機類材料者為較佳，例如將白色PET（聚對酞酸乙二酯（Polyethylene Terephthalate））、TiO₂ 、Al₂ O₃ 、發泡白色PET、聚酯類高反射片及鏡面反射鋁等中的至少一個作為材料而使用者為較佳。從反射率的觀點考慮，將白色PET作為材料而使用者為特佳。

另外，白色PET係指於PET中添加有TiO₂ 或硫酸鋇等白色顏料而成者。又，聚酯類高反射片係指具有重疊有複數個薄聚酯片之多層構造之薄片（薄膜）。又，發泡白色PET係指表面成為多孔質之白色PET。

又，當作為轉換層30而使用CsI的閃爍器時，亦能夠藉由與本實施形態不同之方法而於感測器基板12上形成轉換層30。例如可以準備於鋁板等上藉由氣相沉積法蒸鍍了CsI者，並藉由黏著性薄片等來貼合CsI的不與鋁板接觸之一側和感測器基板12的像素16，從而於感測器基板12上形成轉換層30。

而且，與本實施形態的放射線檢測器10不同地，作為轉換層30，亦可以使用GOS（Gd₂ O₂ S:Tb）等來代替CsI。該情況下，例如準備將使GOS分散於樹脂等黏著劑的薄片，於藉由白色PET等形成之支撐體上藉由黏著層等貼合而成者，並藉由黏著性薄片等來貼合GOS的未貼合有支撐體的一側和感測器基板12的像素16，從而能夠於感測器基板12上形成轉換層30。

又，如圖2和圖3所示，本實施形態的放射線檢測器10中，保護膜32至少覆蓋包含從覆蓋轉換層30之區域到區域17為止之區域。具體而言，保護膜32覆蓋轉換層30的表面（不與像素16接觸之一側的面）、轉換層30的側面和像素16的側面、以及從第1面14A的外周部環繞基材14的側面而遍及第2面14B的區域17之整個區域。另外，區域17為基材14的第2面14B的與主動區域15對應之區域以外的外周部的區域，本實施形態的區域17對應於本公開的特定的區域的一例。

作為保護膜32，例如可使用派瑞林（parylene）（註冊商標）膜、聚對酞酸乙二酯等絕緣性薄片等防濕膜。

又，如圖2和圖3所示，本實施形態的放射線檢測器10中，支撐構件34從基材14的第2面14B側經由保護膜32支撐基材14的區域17。亦即，支撐構件34於區域17中經由保護膜32而將基材14進行所謂內襯。支撐構件34例如藉由雙面膠帶或糊劑等接著劑而固定於保護膜32上。

本實施形態的支撐構件34具有剛性，並且至少第2面14B的面內方向上的剛性高於基材14。作為支撐構件34，可舉出具有能夠得到期望之剛性之大小之PET（聚對酞酸乙二酯）等塑膠或鋁板等。另外，本實施形態的支撐構件34設置於第2面14B的與主動區域15對應之區域的外側，因此支撐構件34中的放射線的透射率和吸收率不會對放射線圖像的拍攝帶來較大影響。另外，支撐構件34的厚度L1變得越厚，從被攝體至像素16的距離（參閱圖4中的距離L2）變得越長，因此於所拍攝之放射線圖像上會產生模糊。因此，支撐構件34的厚度L1依據期望之剛性和期望之畫質而確定為較佳。

本實施形態的放射線圖像攝影裝置1設置於透射放射線並且具有防水性、抗菌性及密閉性之殼體內。

圖4中示出將本實施形態的放射線圖像攝影裝置1適用於表面讀取方式（ISS：Irradiation Side Sampling）之情況下放射線檢測器10被設置於殼體120內之狀態的一例。

如圖4所示，於殼體120內，於與積層方向交叉之方向上並排設置有放射線檢測器10、電源部108及控制基板110。放射線檢測器10設置成，基材14的第2面14B與被照射透射了被攝體之放射線之殼體120的攝影面120A側相對向。

控制基板110為形成有圖像記憶體106和控制部100等之基板，並且藉由包含複數個訊號配線之柔性電纜112而與感測器基板12的像素16電連接。另外，本實施形態中設為於柔性電纜112上設置有驅動部102和訊號處理部104之所謂COF（覆晶薄膜（Chip On Film）），但亦可以使將驅動部102和訊號處理部104中的至少一者形成於控制基板110上。

又，控制基板110與電源部108藉由電源線114而連接。

本實施形態的放射線圖像攝影裝置1的殼體120內，於透射了放射線檢測器10之放射線所出射之一側還設置有薄片116。作為薄片116，例如可舉出銅製薄片。銅製薄片很難藉由入射放射線而產生二次放射線，因此具有防止向後方亦即轉換層30側的散射之功能。另外，薄片116至少覆蓋轉換層30的放射線所出射之一側的整個面，又，覆蓋整個轉換層30為較佳，進而，覆蓋整個保護膜32為更佳。另外，薄片116的厚度依據放射線圖像攝影裝置1整體的撓性和重量等來選擇即可，例如，當薄片116為銅製薄片時，若厚度為0.1mm左右以上，則具有撓性，並且還具有屏蔽從外部侵入到放射線圖像攝影裝置1的內部之二次放射線之功能。並且例如薄片116為銅製薄片時，從撓性和重量的觀點考慮，0.3mm以下為較佳。

圖4所示之放射線圖像攝影裝置1能夠於使放射線檢測器10向基材14的第2面14B的面外方向彎曲之狀態下拍攝放射線圖像。例如，能夠依據被攝體的攝影部位等來將放射線檢測器10維持於彎曲之狀態而拍攝放射線圖像。

圖4所示之放射線圖像攝影裝置1中，於剛性相對高之殼體120的周邊部設置電源部108和控制基板110，因此能夠抑制外力對電源部108和控制基板110帶來的影響。

另外，圖4中示出將電源部108和控制基板110這兩者設置於放射線檢測器10的一側、具體而言設置於矩形形狀的放射線檢測器10的一個邊側之形態，但設置電源部108和控制基板110之位置並不限定於圖4所示之形態。例如，可以將電源部108和控制基板110分散設置於放射線檢測器10的相對向之2個邊的各邊上，亦可以分散設置於相鄰之2個邊的各邊上。又，圖4中示出於本實施形態中將電源部108和控制基板110設為1個構成部（基板）之形態，但並不限定於圖4所示之形態，亦可以係將電源部108和控制基板110中的至少一者設為複數個構成部（基板）之形態。例如，亦可以將電源部108設為包含第1電源部和第2電源部（均省略圖示）之形態，並且將第1電源部和第2電源部分別分散設置於放射線檢測器10的相對向之2個邊的各邊上。

另外，當使放射線圖像攝影裝置1（放射線檢測器10）整體彎曲而拍攝放射線圖像時，因彎曲而對圖像產生之影響能夠藉由進行圖像校正來抑制。

又，圖5中示出將本實施形態的放射線圖像攝影裝置1適用於ISS方式之情況下放射線檢測器10被設置於殼體120內之狀態的另一例。

如圖5所示，於殼體120內，於與積層方向交叉之方向上並排設置有電源部108及控制基板110，並且放射線檢測器10、電源部108及控制基板110並排設置於積層方向上。

又，圖5所示之放射線圖像攝影裝置1中，於控制基板110及電源部108與薄片116之間設置有用於支撐放射線檢測器10和控制基板110之基座118。基座118中例如使用碳等。

圖5所示之放射線圖像攝影裝置1能夠於使放射線檢測器10向基材14的第2面14B的面外方向稍微彎曲之狀態下、例如於使中央部彎曲1mm～5mm左右之狀態下拍攝放射線圖像，但因控制基板110、電源部108和放射線檢測器10設置於積層方向上，並且設置有基座118，因此不會彎曲成圖4所示之放射線圖像攝影裝置1的程度。

通常，若基材14彎曲，則轉換層30容易從感測器基板12剝落。如上所述，為ISS方式之情況下，轉換層30容易因自身重量而剝落。當尤其係轉換層30的端部剝落時，防濕性下降。

然而，本實施形態的放射線檢測器10中，保護膜32至少覆蓋包含從覆蓋轉換層30之區域到基材14的第2面14B的外周部中的區域17為止之區域，因此即使於基材14彎曲之情況下，轉換層30亦會變得不易剝落。又，本實施形態的放射線檢測器10中，支撐構件34從第2面14B支撐基材14的外周的區域亦即區域17，因此即使感測器基板12中的撓性基材14彎曲，亦會藉由支撐構件34來抑制區域17中的彎曲。因此，保護膜32變得不易從感測器基板12和轉換層30剝落，因此能夠進一步提高抑制轉換層30的剝離之效果。

通常，於轉換層30剝離或因濕氣等而劣化之情況下，會導致所生成之放射線的畫質下降。相對於此，本實施形態的放射線檢測器10中抑制轉換層30的剝離並且抑制防濕性下降，因此能夠抑制所生成之放射線圖像的畫質下降。

[第2實施形態] 本實施形態的放射線檢測器10中，與第1實施形態的保護膜32對應之構成不同，因此對不同之構成進行說明。

圖6中示出本實施形態的放射線檢測器10的一例的剖面圖。如圖6所示，本實施形態的放射線檢測器10具備第1保護膜32A和第2保護膜32B這兩個保護膜，以代替第1實施形態的放射線檢測器10的保護膜32。

如圖6所示，第1保護膜32A至少覆蓋轉換層30的與設置有感測器基板12之面相反的一側的面和轉換層30的側面。具體而言，本實施形態的第1保護膜32A覆蓋轉換層30的表面（不與像素16接觸之一側的面）、轉換層30的側面及像素16的側面。另外，圖6所示之第1保護膜32A還覆蓋像素16的側面，但亦可以設為不覆蓋像素16的側面的局部或全部之形態。又，對於圖6所示之第1保護膜32A，示出第1保護膜32A的端部（側面）與基材14的第1面14A接觸之形態，但第1保護膜32A的端部與基材14的第1面14A亦可以不接觸。又，例如亦可以如圖7所示，第1保護膜32A的端部於基材14的第1面14A中的形成有像素16之邊界亦即角部14C彎折，並且由第1保護膜32A覆蓋角部14C附近的第1面14A的表面。

另一方面，如圖6所示，第2保護膜32B覆蓋區域17和包含整個第1保護膜32A之區域。具體而言，第2保護膜32B覆蓋被第1保護膜32A覆蓋之轉換層30和像素16，並且覆蓋與第1實施形態的保護膜32相同之區域。

作為該種第1保護膜32A，例如可舉出派瑞林膜等，該情況下，能夠藉由蒸鍍而形成第1保護膜32A。又，作為第2保護膜32B，例如可舉出絕緣性薄片等，該情況下，藉由接著劑等進行貼合，從而能夠設置第2保護膜32B。

如此，本實施形態的放射線檢測器10可以說係相對於轉換層30的表面、轉換層30的側面及像素16的側面被第1保護膜32A覆蓋之感測器基板12，於與第1實施形態的保護膜32相同之區域設置有第2保護膜32B者。

圖6和圖7所示之本實施形態的放射線檢測器10中，與第1實施形態的保護膜32相同地設置有第2保護膜32B，因此依據本實施形態的放射線檢測器10，與第1實施形態的放射線檢測器10相同地能夠進一步提高抑制轉換層30的剝離之效果。因此，依據本實施形態的放射線檢測器10，抑制轉換層30的剝離並且抑制防濕性下降，因此能夠抑制所生成之放射線圖像的畫質下降。

又，本實施形態的放射線檢測器10中，藉由第1保護膜32A和第2保護膜32B覆蓋轉換層30的表面和側面，進行了雙重密封，因此能夠進一步提高對轉換層30之防濕性能。尤其，CsI的耐水性較弱，當水分侵入放射線檢測器10的內部時，可能會導致放射線圖像的畫質下降。因此，於轉換層30中使用CsI時，如本實施形態的放射線檢測器10般進一步提高對轉換層30之防濕性能為較佳。

[第3實施形態] 本實施形態的放射線檢測器10中，與第1實施形態的保護膜32對應之構成不同，因此對不同之構成進行說明。

圖8中示出本實施形態的放射線檢測器10的一例的剖面圖。如圖8所示，本實施形態的放射線檢測器10具備第1保護膜32A和第2保護膜32B這兩個保護膜，以代替第1實施形態的放射線檢測器10的保護膜32。

如圖8所示，本實施形態的第1保護膜32A至少覆蓋轉換層30的與設置有感測器基板12之面相反的一側的面和側面。具體而言，本實施形態的第1保護膜32A設置成與圖6所示之第2實施形態的放射線檢測器10的第1保護膜32A相同，並且覆蓋轉換層30的表面（不與像素16接觸之一側的面）、轉換層30的側面及像素16的側面。

另一方面，如圖8所示，第2保護膜32B覆蓋區域17和包含第1保護膜32A的端部之區域。具體而言，第2保護膜32B覆蓋基材14的第2面14B的區域17、基材14的側面、基材14的第1面14A的區域17及第1保護膜32A的端部的區域。另外，第2保護膜32B所覆蓋之第1保護膜32A的端部的區域為從第1保護膜32A的外周至特定的範圍內的區域。另外，特定的範圍設為，依據為了支撐轉換層30的側面或像素16的側面上的第1保護膜32A的端部的位置和轉換層30而所需之第2保護膜32B與第1保護膜32A的接觸面積等，實驗性地得到之範圍即可。

作為該種第1保護膜32A，例如可舉出派瑞林膜或絕緣性薄片等，為派瑞林膜之情況下，能夠藉由蒸鍍而形成第1保護膜32A，為絕緣性薄片之情況下，藉由接著劑等進行貼合，從而能夠設置第1保護膜32A。

又，作為第2保護膜32B，例如可舉出絕緣性薄片等，該情況下，藉由接著劑等進行貼合，從而能夠設置第2保護膜32B。如此，本實施形態的放射線檢測器10中，藉由接著劑等來貼合第1保護膜32A和第2保護膜32B，從而使第1保護膜32A和第2保護膜32B成為一體。

圖8所示之本實施形態的放射線檢測器10中，第1保護膜32A覆蓋轉換層30的表面和側面、像素16的側面，第2保護膜32B覆蓋基材14的外周部中的與區域17對應之第1面14A和第2面14B、基材14的側面、以及第1保護膜32A的端部的區域。因此，與第1實施形態的放射線檢測器10相同地，能夠進一步提高抑制轉換層30的剝離之效果。因此，依據本實施形態的放射線檢測器10，抑制轉換層30的剝離並且抑制防濕性下降，因此能夠抑制所生成之放射線圖像的畫質下降。

[第4實施形態] 本實施形態的放射線檢測器10中，與第1實施形態的保護膜32對應之構成不同，因此對不同之構成進行說明。

圖9中示出本實施形態的放射線檢測器10的一例的剖面圖。如圖9所示，本實施形態的放射線檢測器10具備第1保護膜32A和第2保護膜32B這兩個保護膜，以代替第1實施形態的放射線檢測器10的保護膜32。

如圖9所示，本實施形態的放射線檢測器10中的第1保護膜32A與第1實施形態的保護膜32相同。

另一方面，如圖9所示，本實施形態的第2保護膜32B隔著第1保護膜32A覆蓋基材14的第1面14A與像素16的邊界亦即角部14C附近的區域。具體而言，第2保護膜32B隔著第1保護膜32A覆蓋從基材14的與區域17對應之區域至像素16的側面和轉換層30的側面的局部。

依據本實施形態的放射線檢測器10，與第1實施形態的保護膜32相同地設置有第1保護膜32A，因此與第1實施形態的放射線檢測器10相同地，能夠進一步提高抑制轉換層30的剝離之效果。因此，依據本實施形態的放射線檢測器10，抑制轉換層30的剝離並且抑制防濕性下降，因此能夠抑制所生成之放射線圖像的畫質下降。

[第5實施形態] 本實施形態的放射線檢測器10中，與第1實施形態的保護膜32對應之構成不同，因此對不同之構成進行說明。

圖10中示出本實施形態的放射線檢測器10的一例的剖面圖。如圖10所示，本實施形態的放射線檢測器10中，保護膜32所覆蓋之區域與第1實施形態的放射線檢測器10的保護膜32不同。

如圖10所示，本實施形態的保護膜32與第1實施形態的保護膜32不同，還覆蓋基材14的整個第2面14B。亦即，本實施形態的放射線檢測器10中，設置有轉換層30之狀態的整個感測器基板12被保護膜32覆蓋。

依據本實施形態的放射線檢測器10，保護膜32覆蓋設置有轉換層30之狀態的整個感測器基板12，因此密閉性變高，對轉換層30和感測器基板12的防濕性能進一步得到提高。

[第6實施形態] 本實施形態的放射線檢測器10中，與第1實施形態的保護膜32對應之構成不同，因此對不同之構成進行說明。

圖11中示出本實施形態的放射線檢測器10的一例的剖面圖。如圖11所示，本實施形態的放射線檢測器10中，於基材14的第2面14B的與主動區域15對應之區域上設置有抗靜電膜39。

作為抗靜電膜39，例如能夠適用於聚對酞酸乙二酯等絕緣性薄片（薄膜）上藉由接著鋁箔等而積層有鋁之ALPET（註冊商標）薄片、或使用抗靜電塗料“COLCOAT”（商品名：COLCOAT CO., LTD.製）之膜等。

本實施形態的基材14具有撓性，並且基材14的厚度比通常不具有撓性之放射線檢測器薄，因此因摩擦等，基材14容易帶電，又，於基材14的面內不均勻地帶電。如此，當產生不均勻之帶電等時，成為於所生成之放射線圖像中產生不均之原因。

另一方面，本實施形態的放射線檢測器10中，於基材14的第2面14B的與主動區域15的對應之區域設置有抗靜電膜39，因此能夠抑制基材14的帶電。因此，依據本實施形態的放射線檢測器10，還能夠抑制基材14的面內的帶電變得不均勻之情況。

如上述說明，上述各實施形態的放射線檢測器10具備：感測器基板12，包含撓性基材14、及形成有設置於基材14的第1面14A且蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素16之層；轉換層30，設置於感測器基板12的第1面14A側，並且將放射線轉換為光；保護膜32，至少覆蓋包含從覆蓋轉換層30之區域到基材14的與第1面14A相反的一側的第2面14B的外周部中的區域17為止之區域；以及支撐構件34，從基材14的第2面14B側經由保護膜32支撐基材14的區域17。

依據上述各實施形態的放射線檢測器10，藉由設置保護膜32和支撐構件34，即使於基材14彎曲時，轉換層30亦不易剝落。又，上述各實施形態的放射線檢測器10中，支撐構件34從第2面14B支撐基材14的外周的區域亦即區域17，因此即使撓性基材14彎曲，亦能夠藉由支撐構件34來抑制區域17中的彎曲。因此，保護膜32不易從感測器基板12和轉換層30剝落，因此能夠進一步提高抑制轉換層30的剝離之效果。

如此，上述實施形態的放射線檢測器10中，抑制轉換層30的剝離，又，抑制由濕氣等引起之劣化，因此能夠抑制所生成之放射線圖像的畫質下降。因此，依據上述各實施形態的放射線檢測器10，於感測器基板12中使用撓性基材14時，能夠抑制放射線圖像的畫質下降。

另外，上述各實施形態中，對於基材14的第2面14B中的與主動區域15對應之區域外的區域亦即整個區域17設置支撐構件34之形態進行了說明，但設置支撐構件34的位置和數量等並不限定於上述各實施形態。如上所述，只要係能夠藉由支撐構件34來抑制區域17中的彎曲之形態，則具體之支撐構件34的數量、設置複數個時每一個支撐構件34的大小和配置當然沒有限定。例如，如圖12所示，亦可以於從基材14的第2面14B的外周14O至特定的距離內側的周緣14S上，沿著周緣14S而設置複數個支撐構件34（圖12中為16個）。另外，圖12所示之放射線檢測器10中，將設置支撐構件34的周緣14S設為主動區域15與區域17的邊界，但並沒有特別限定。另外，從藉由支撐構件34來抑制區域17中的彎曲之觀點考慮，沿著周緣14S的複數個支撐構件34的長度的總計相對於周緣14S的長度為二分之一以上且小於周緣14S的長度為較佳。

又，例如上述各實施形態中，對於矩形形狀的感測器基板12的所有邊上設置有支撐構件34之形態進行了說明，但亦可以僅於感測器基板12的一部分的邊上設置支撐構件34。例如，如圖13所示，亦可以於連接有將感測器基板12和控制基板110進行連接之柔性電纜112之感測器基板12的邊上不設置支撐構件34。另外，如上述各實施形態的放射線檢測器10，於感測器基板12具有1組以上相對向之一對邊之情況下，支撐構件34於相對向之彼此邊上支撐基材14，藉此轉換層30等變得更加不易剝離，因此該種情況下，支撐構件34設置於至少一對邊的各邊上為較佳。又，如上述各實施形態的放射線檢測器10，於感測器基板12的3個邊以上的各邊上設置支撐構件34為更佳。

又，上述各實施形態的放射線檢測器10中，對將設置有像素16之整個區域設為主動區域15之形態進行了說明，但設為主動區域15之區域並不限定於上述各實施形態。例如，亦可以由與複數個像素16中的一部分像素16對應之區域來指定主動區域15。例如，如圖14所示，放射線檢測器10有時存在如下情況，亦即，像素16具備：複數個第1像素16A，實質上與放射線圖像的像素對應；以及複數個第2像素16B，形成放射線圖像時之用途不同且設置於第1像素16A的外周部。另外，在此，形成放射線圖像時之用途不同係指例如使用於圖像的校正之情況等以及不使用於放射線圖像的形成而讀取並丟棄電荷之情況。圖14所示之放射線檢測器10中，將設置有第1像素16A的區域設定為主動區域15。

另外，如圖14所示之放射線檢測器10，有時轉換層30大於主動區域15，並且轉換層30覆蓋整個主動區域15。例如，除了上述圖14所示之情況以外，如考慮形成轉換層30時相對於感測器基板12之蒸鍍位置的偏移和貼合位置的偏移等情況下，將轉換層30設置為大於主動區域15。該情況下，如圖14所示，於主動區域15外側藉由支撐構件34和轉換層30而夾持支撐基材14為較佳。

又，上述各實施形態中，對將放射線檢測器10（放射線圖像攝影裝置1）適用於ISS方式之情況進行了說明，但亦可以將放射線檢測器10（放射線圖像攝影裝置1）適用於於轉換層30的與放射線所入射側的相反的一側配置感測器基板12之所謂“背面讀取方式（PSS：Penetration Side Sampling）”中。於適用於PSS方式之情況下，藉由基材14的彎曲，基材14亦會被拉向與設置有轉換層30側相反的一側的面外方向。即使於該情況下，亦依據上述各實施形態的放射線檢測器10，藉由設置保護膜32和支撐構件34，即使於基材14彎曲時亦能夠抑制轉換層30的剝離。

又，上述各實施形態中，對放射線圖像攝影裝置1具備1個放射線檢測器10之形態進行了說明，但放射線圖像攝影裝置1亦可以為具備複數個放射線檢測器10之形態。例如，如圖15所示，放射線圖像攝影裝置1亦可以為於照射放射線之方向上疊加使用ISS方式的放射線檢測器10_1和10_2之形態。於圖15所示之情況下，於撓性基材14_1上設置有像素16_1之感測器基板12_1上，將藉由直接蒸鍍而形成有使用CsI之轉換層30_1之放射線檢測器10_1配置於靠近放射線的照射側之位置。又，於撓性基材14_2上，將藉由於設置有像素16_2之感測器基板12_2上貼合GOS薄片而形成有轉換層30_2之放射線檢測器10_2配置於遠離放射線的照射側之位置。另外，與第1實施形態的放射線檢測器10相同地，圖15中示出放射線檢測器10_1中設置有保護膜32_1和支撐構件34_1，並且放射線檢測器10_2中設置有保護膜32_2和支撐構件34_2之狀態。

該情況下，於基材14_1的第2面14B_1上設置對放射線具有透射性之緩衝層40為較佳。又，轉換層30_1的CsI的柱狀晶體的末端朝向放射線檢測器10_2側，因此為了防止柱狀晶體的末端及其周邊部的損傷，於基材14_2的第2面14B_2、亦即基材14_2與保護膜32_1之間設置對可見光具有透射性之緩衝層42為較佳。

又，如圖1所示，上述各實施形態中，對像素16二維排列成矩陣狀之形態進行了說明，但並不限定於此，例如可以係一維排列，亦可以係蜂窩排列。又，像素的形狀亦並沒有限定，可以係矩形，亦可以係六邊形等多邊形。進而，主動區域15的形狀當然亦沒有限定

此外，上述各實施形態中說明之放射線圖像攝影裝置1以及放射線檢測器10等的構成和製造方法等為一例，於不脫離本發明的宗旨之範圍內，當然能夠依據狀況而進行變更。

1‧‧‧放射線圖像攝影裝置

10、10_1、10_2‧‧‧放射線檢測器

12、12_1、12_2‧‧‧感測器基板

14、14_1、14_2‧‧‧基材

14A‧‧‧第1面

14B、14B_1、14B_2‧‧‧第2面

14C‧‧‧角部

14O‧‧‧外周

14S‧‧‧周緣

15‧‧‧主動區域

16、16_1、16_2‧‧‧像素

16A‧‧‧第1像素

16B‧‧‧第2像素

17‧‧‧區域

20‧‧‧TFT（開關元件）

22‧‧‧感測器部

24‧‧‧訊號配線

26‧‧‧掃描配線

28‧‧‧共用配線

30、30_1、30_2‧‧‧轉換層

32、32_1、32_3‧‧‧保護膜

32A‧‧‧第1保護膜

32B‧‧‧第2保護膜

34、34_1、34_2‧‧‧支撐構件

39‧‧‧抗靜電膜

40、42‧‧‧緩衝層

100‧‧‧控制部

100A‧‧‧CPU

100B‧‧‧記憶體

100C‧‧‧記憶部

102‧‧‧驅動部

104‧‧‧訊號處理部

106‧‧‧圖像記憶體

108‧‧‧電源部

110‧‧‧控制基板

112‧‧‧柔性電纜

114‧‧‧電源線

116‧‧‧薄片

118‧‧‧基座

120‧‧‧殼體

120A‧‧‧攝影面

L1‧‧‧厚度

L2‧‧‧距離

圖1係表示第1實施形態的放射線圖像攝影裝置中的電子系統的主要部分構成的一例之方塊圖。係表示放射線檢測器中的感測器基板的構成的一例之構成圖。 圖2係從設置有轉換層側的相反的一側觀察第1實施形態的放射線檢測器的一例之平面圖。 圖3係圖2所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖4係表示將本實施形態的放射線圖像攝影裝置適用於表面讀取方式之情況下放射線檢測器被設置於殼體內之狀態的一例之剖面圖。 圖5係表示將本實施形態的放射線圖像攝影裝置適用於表面讀取方式之情況下放射線檢測器被設置於殼體內之狀態的另一例之剖面圖。 圖6係第2實施形態的放射線檢測器的一例的剖面圖。 圖7係第2實施形態的放射線檢測器的另一例的剖面圖。 圖8係第3實施形態的放射線檢測器的一例的剖面圖。 圖9係第4實施形態的放射線檢測器的一例的剖面圖。 圖10係第5實施形態的放射線檢測器的一例的剖面圖。 圖11係第6實施形態的放射線檢測器的一例的剖面圖。 圖12係為了對支撐構件的另一例進行說明而從設置有轉換層側的相反的一側觀察放射線檢測器之平面圖。 圖13係為了對設置有支撐構件之位置的另一例進行說明而從放射線檢測器的設置有轉換層側的相反的一側觀察放射線圖像攝影裝置之平面圖。 圖14係用於對主動區域的另一例進行說明之放射線檢測器的另一例的剖面圖。 圖15係具備複數個（兩個）放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置中的複數個放射線檢測器的一例的剖面圖。

Claims (14)

1. 一種放射線檢測器，其具備： 感測器基板，包含撓性的基材、及形成有設置於前述基材的第1面且蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素之層； 轉換層，設置於前述感測器基板的前述第1面側，並且將放射線轉換為光； 保護膜，至少覆蓋如下區域，亦即包含從覆蓋前述轉換層之區域到前述基材的與前述第1面相反的一側的第2面的外周部中的特定的區域為止之區域；以及 支撐構件，從前述基材的前述第2面側經由前述保護膜支撐前述基材的前述特定的區域。
2. 如申請專利範圍第1項所述之放射線檢測器，其中 前述特定的區域為與前述基材的前述第2面中的對應於像素區域之區域的外側對應之區域，前述像素區域為前述基材的前述第1面中的設置有前述複數個像素之區域。
3. 如申請專利範圍第1項所述之放射線檢測器，其中 前述複數個像素包含：複數個第1像素；以及複數個第2像素，設置於前述複數個第1像素的外周部，且形成放射線圖像時之用途與前述複數個第1像素不同， 前述特定的區域為前述基材的前述第2面中的與設置有前述複數個第1像素之區域的外側對應之區域。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之放射線檢測器，其中 前述支撐構件於從前述第2面的外周至特定的距離內側的周緣上，沿著前述周緣被設置有複數個，並且沿著前述周緣之複數個前述支撐構件的長度的總計相對於前述周緣的長度為二分之一以上且小於周緣的長度。
5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之放射線檢測器，其中 前述感測器基板具有相對向之一對邊， 前述支撐構件至少分別設置於前述一對邊上。
6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之放射線檢測器，其中 前述保護膜具備：第1保護膜，至少覆蓋前述轉換層的與設置有前述感測器基板之面相反的一側的面和側面；以及第2保護膜，覆蓋前述特定的區域和包含整個前述第1保護膜之區域。
7. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之放射線檢測器，其中 前述保護膜具備：第1保護膜，至少覆蓋前述轉換層的與設置有前述感測器基板之面相反的一側的面和側面；以及第2保護膜，覆蓋前述特定的區域和包含前述第1保護膜的端部之區域。
8. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之放射線檢測器，其還具備設置於前述基材的前述第2面之抗靜電膜。
9. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之放射線檢測器，其中 前述保護膜覆蓋整個前述第2面。
10. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之放射線檢測器，其用於對前述基材的前述第2面照射放射線之拍攝中。
11. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之放射線檢測器，其中 前述轉換層包含CsI。
12. 一種放射線圖像攝影裝置，其具備： 申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之放射線檢測器； 控制部，輸出用於讀取蓄積於前述複數個像素中的電荷之控制訊號； 驅動部，依據前述控制訊號，使電荷從前述複數個像素被讀取；以及 訊號處理部，被輸入與從前述複數個像素讀取之電荷對應之電訊號，並且生成與所輸入之前述電訊號對應之圖像資料並輸出至前述控制部。
13. 如申請專利範圍第12項所述之放射線圖像攝影裝置，其中 於與前述放射線檢測器中的基材、形成有複數個像素之層及轉換層排列之積層方向交叉之方向上，並排設置有前述控制部及前述放射線檢測器。
14. 如申請專利範圍第12項所述之放射線圖像攝影裝置，其還具備電源部，前述電源部向前述控制部、前述驅動部及前述訊號處理部中的至少一處供電， 於與前述放射線檢測器中的基材、形成有複數個像素之層及轉換層排列之積層方向交叉之方向上，並排設置有前述電源部、前述控制部及前述放射線檢測器。