JP2018159611A - 放射線検出器及び放射線画像撮影装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】センサ基板に可撓性の基材を用いた場合に、放射線画像の画質の低下を抑制することができる放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供する。【解決手段】放射線検出器１０は、可撓性の基材１４、及び基材１４の第１の面１４Ａに設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素１６が形成された層を含むセンサ基板１２と、センサ基板１２の第１の面１４Ａの側に設けられた、放射線を光に変換する変換層３０と、少なくとも、変換層３０を覆う領域から基材１４の第１の面１４Ａとは反対側の第２の面１４Ｂの外周部における領域１７までを含む領域を覆う保護膜３２と、基材１４の第２の面１４Ｂ側から保護膜３２を介して基材１４の領域１７を支持する支持部材３４と、を備える。【選択図】図３
Description
本発明は、放射線検出器及び放射線画像撮影装置に関する。
従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線画像撮影装置が知られている。このような放射線画像撮影装置には、被写体を透過した放射線を検出し放射線画像を生成するための放射線検出器が用いられている。
放射線検出器としては、放射線を光に変換するシンチレータ等の変換層と、変換層で変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられたセンサ基板と、を備えたものがある。このような放射線検出器として、耐久性の向上のために、変換層が保護膜で覆われているものがある（特許文献１参照）。
上記特許文献１に記載の技術では、変換層の、センサ基板に接している面（下面）以外の面（変換層の上面及び側面）が保護膜で覆われている。この保護膜の一端は、センサ基板の裏面（変換層と接していない面）に回り込んでおり、回り込んだ裏面における保護膜にはホットプレス部が設けられていることにより防湿性が向上する。
ところで、センサ基板に可撓性の基材を用いることが望まれている。可撓性の基材を用いることにより、例えば、放射線画像撮影装置（放射線検出器）を軽量化したり、被写体の撮影を行い易くすることができる。
センサ基板に可撓性の基材を用いる場合、基材すなわち、センサ基板に撓みが生じる。センサ基板に撓みが生じることにより、例えば変換層の耐久性や防湿性が低下する場合があった。この場合、特許文献１に記載の技術のように保護膜を設けても、耐久性や防湿性が十分とはいえなかった。
そのため、センサ基板に可撓性の基材を用いた場合に、放射線画像の画質の低下を招く場合があった。
本開示は、センサ基板に可撓性の基材を用いた場合に、放射線画像の画質の低下を抑制することができる放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本開示の放射線検出器は、可撓性の基材、及び基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された層を含むセンサ基板と、センサ基板の第１の面の側に設けられた、放射線を光に変換する変換層と、少なくとも、変換層を覆う領域から基材の第１の面とは反対側の第２の面の外周部における所定の領域までを含む領域を覆う保護膜と、基材の第２の面側から保護膜を介して基材の所定の領域を支持する支持部材と、を備える。
また、本開示の放射線検出器は、所定の領域は、基材の第２の面における、基材の第１の面における複数の画素が設けられた領域である画素領域に対応する領域の外側に対応する領域であってもよい。
また、本開示の放射線検出器の複数の画素は、複数の第１画素と複数の第１画素の外周部に設けられ、かつ放射線画像の形成における用途が複数の第１画素と異なる複数の第２画素とを含み、所定の領域は、基材の第２の面における、複数の第１画素が設けられた領域の外側に対応する領域であってもよい。
また、本開示の放射線検出器の支持部材は、第２の面の外周から所定の距離内側の周縁上に、周縁に沿って複数設けられており、周縁に沿った複数の支持部材の長さの合計が、周縁の長さに対して二分の一以上でかつ、周縁の長さ未満であってもよい。
また、本開示の放射線検出器のセンサ基板は、対向する一対の辺を有しており、支持部材は、少なくとも一対の辺の各々に設けられていてもよい。
また、本開示の放射線検出器の保護膜は、少なくとも、変換層のセンサ基板が設けられた面と反対側の面及び側面を覆う第１保護膜と、所定の領域及び第１保護膜全体を含む領域を覆う第２保護膜と、を備えていてもよい。
また、本開示の放射線検出器の保護膜は、少なくとも、変換層のセンサ基板が設けられた面と反対側の面及び側面を覆う第１保護膜と、所定の領域及び第１保護膜の端部を含む領域を覆う第２保護膜と、を備えていてもよい。
また、本開示の放射線検出器は、基材の第２の面に設けられた帯電防止膜をさらに備えていていもよい。
また、本開示の放射線検出器の保護膜は、第２の面の全体を覆っていてもよい。
また、本開示の放射線検出器は、基材の第２の面に放射線が照射される撮影に用いられてもよい。
また、本開示の放射線検出器の変換層は、ＣｓＩを含んでいてもよい。
また、本開示の放射線画像撮影装置は、本開示の放射線検出器と、複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、制御信号に応じて、複数の画素から電荷を読み出させる駆動部と、複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された電気信号に応じた画像データを生成して制御部に出力する信号処理部と、を備える。
また、本開示の放射線画像撮影装置は、放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、制御部と、放射線検出器とが並んで設けられていてもよい。
また、本開示の放射線画像撮影装置の制御部、駆動部、及び信号処理部の少なくとも一つに電力を供給する電源部をさらに備え、放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、電源部と、制御部と、放射線検出器とが並んで設けられていてもよい。
本開示によれば、センサ基板に可撓性の基材を用いた場合に、放射線画像の画質の低下を抑制することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本実施形態は本発明を限定するものではない。
［第１実施形態］
本実施形態の放射線画像撮影装置は、撮影対象である被写体を透過した放射線を検出して被写体の放射線画像を表す画像情報を出力することにより、撮影対象の放射線画像を撮影する機能を有する。
本実施形態の放射線画像撮影装置は、撮影対象である被写体を透過した放射線を検出して被写体の放射線画像を表す画像情報を出力することにより、撮影対象の放射線画像を撮影する機能を有する。
まず、図１を参照して本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の構成の一例の概略を説明する。図１は、本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。
図１に示すように、本実施形態の放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８を備える。
放射線検出器１０は、センサ基板１２（図３参照）と、放射線を光に変換する変換層（図３参照）と、を備える。センサ基板１２は、可撓性の基材１４と、基材１４の第１の面１４Ａに設けられた複数の画素１６と、を備えている。なお、以下では、複数の画素１６について、単に「画素１６」という場合がある。
図１に示すように本実施形態の各画素１６は、変換層が変換した光に応じて電荷を発生して蓄積するセンサ部２２、及びセンサ部２２にて蓄積された電荷を読み出すスイッチング素子２０を備える。本実施形態では、一例として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）をスイッチング素子２０として用いている。そのため、以下では、スイッチング素子２０を「ＴＦＴ２０」という。本実施形態では、センサ部２２及びＴＦＴ２０が形成され、さらに平坦化された層として基材１４の第１の面１４Ａに画素１６が形成された層が設けられる。以下では、画素１６が形成された層についても、説明の便宜上「画素１６」という場合がある。
画素１６は、センサ基板１２のアクティブエリア１５に、一方向（図１の横方向に対応する走査配線方向、以下「行方向」ともいう）及び行方向に対する交差方向（図１の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう）に沿って二次元状に配置されている。図１では、画素１６の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素１６は行方向及び列方向に１０２４個×１０２４個配置される。
また、放射線検出器１０には、画素１６の行毎に備えられた、ＴＦＴ２０のスイッチング状態（オン及びオフ）を制御するための複数の走査配線２６と、画素１６の列毎に備えられた、センサ部２２に蓄積された電荷が読み出される複数の信号配線２４と、が互いに交差して設けられている。複数の走査配線２６の各々は、それぞれパッド（図示省略）を介して、駆動部１０２に接続されることにより、駆動部１０２から出力される、ＴＦＴ２０を駆動してスイッチング状態を制御する駆動信号が、複数の走査配線の各々に流れる。また、複数の信号配線２４の各々が、それぞれパッド（図示省略）を介して、信号処理部１０４に接続されることにより、各画素１６から読み出された電荷が、電気信号として信号処理部１０４に出力される。信号処理部１０４は、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する。
信号処理部１０４には後述する制御部１００が接続されており、信号処理部１０４から出力された画像データは制御部１００に順次出力される。制御部１００には画像メモリ１０６が接続されており、信号処理部１０４から順次出力された画像データは、制御部１００による制御によって画像メモリ１０６に順次記憶される。画像メモリ１０６は所定の枚数分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ１０６に順次記憶される。
制御部１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１００Ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）とＲＡＭ（Random Access Memory）等を含むメモリ１００Ｂ、及びフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶部１００Ｃを備えている。制御部１００の一例としては、マイクロコンピュータ等が挙げられる。制御部１００は、放射線画像撮影装置１の全体の動作を制御する。
また、各画素１６のセンサ部２２には、各画素１６にバイアス電圧を印加するために、共通配線２８が信号配線２４の配線方向に設けられている。共通配線２８が、パッド（図示省略）を介して、センサ基板１２の外部のバイアス電源（図示省略）に接続されることにより、バイアス電源から各画素１６にバイアス電圧が印加される。
電源部１０８は、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８等の各種素子や各種回路に電力を供給する。なお、図３では、錯綜を回避するために、電源部１０８と各種素子や各種回路を接続する配線の図示を省略している。
さらに、本実施形態の放射線検出器１０について詳細に説明する。図２は、本実施形態の放射線検出器１０を、第１の面１４Ａとは反対側の第２の面１４Ｂ側からみた平面図である。また、図３は、図２における放射線検出器１０のＡ−Ａ線断面図である。
本実施形態の放射線検出器１０は、図２及び図３に示すように、基材１４及び画素１６を含むセンサ基板１２と、変換層３０と、保護膜３２と、支持部材３４と、を備えており、基材１４、画素１６、及び変換層３０がこの順に設けられている。なお、以下では、基材１４、画素１６、及び変換層３０が並ぶ方向（図３における上下方向）を積層方向という。
基材１４は、可撓性を有し、例えば、ポリイミド等のプラスチックを含む樹脂シートである。基材１４の具体例としては、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）が挙げられる。なお、基材１４は、所望の可撓性を有しておればよく、樹脂シートに限定されない。例えば、基材１４は、厚みが比較的薄いガラス基板等であってもよい。基材１４の厚みは、材質の硬度、及びセンサ基板１２の大きさ（第１の面１４Ａまたは第２の面１４Ｂの面積）等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。例えば、基材１４が樹脂シートの場合、厚みが５μｍ〜１２５μｍのものであればよい。また例えば、基材１４がガラス基板の場合、一般に、一辺が４３ｃｍ以下のサイズでは、厚さが０．３ｍｍ以下ならば可撓性を有しているため、厚さが０．３ｍｍ以下のものであればよい。
一辺が４３ｃｍ以上の大型サイズでは、厚さが０．３ｍｍ以下ならば可撓性を有しているため、厚さが０．３ｍｍ以下のものであればよい。
図２及び図３に示すように、複数の画素１６は、基材１４の第１の面１４Ａにおける内側の一部の領域に設けられている。すなわち、本実施形態のセンサ基板１２では、基材１４の第１の面１４Ａの外周部には、画素１６が設けられていない。本実施形態では、基材１４の第１の面１４Ａにおける画素１６が設けられた領域をアクティブエリア１５としている。また、基材１４のアクティブエリア１５の反対側の第２の面１４Ｂの領域を、「第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５に対応する領域」という。本実施形態のアクティブエリア１５が、本開示の画素領域の一例である。なお、本実施形態では、一例として、基材１４の第１の面１４Ａに、ＳｉＮ等を用いたアンダーコート層（図示省略）を介して、画素１６が設けられている。
また、図３に示すように、変換層３０は、アクティブエリア１５を覆っている。本実施形態では、変換層３０の一例としてＣｓＩ（ヨウ化セシウム）を含むシンチレータを用いている。このようなシンチレータとしては、例えば、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４００ｎｍ〜７００ｎｍであるＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウムが添加されたヨウ化セシウム）を含むことが好ましい。なお、ＣｓＩ：Ｔｌの可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
本実施形態では、センサ基板１２上に直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相堆積法によって柱状結晶としてＣｓＩの変換層３０を形成している。この場合、変換層３０における画素１６と接する側が、柱状結晶の成長方向基点側となる。
なお、このように、センサ基板１２上に直接、気相堆積法によってＣｓＩの変換層を形成した場合、センサ基板１２と接する側と反対側の面には、例えば、変換層３０で変換した光を反射する機能を有する反射層（図示省略）が設けられていてもよい。反射層は、変換層３０に直接設けられていてもよいし、粘着層等を介して設けてもよい。この場合の反射層の材料としては、有機系の材料を用いたものが好ましく、例えば、白ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、発泡白ＰＥＴ、ポリエステル系高反射シート、及び鏡面反射アルミ等の少なくとも１つを材料として用いたものが好ましい。特に、反射率の観点から、白ＰＥＴを材料として用いたものが好ましい。
なお白ＰＥＴとは、ＰＥＴに、ＴｉＯ２や硫酸バリウム等の白色顔料を添加したものである。また、ポリエステル系高反射シートとは、薄いポリエステルのシートを複数重ねた多層構造を有するシート（フィルム）である。また、発泡白ＰＥＴとは、表面が多孔質になっている白ＰＥＴである。
また、変換層３０としてＣｓＩのシンチレータを用いる場合、本実施形態と異なる方法で、センサ基板１２に変換層３０を形成することもできる。例えば、アルミの板等に気相堆積法によってＣｓＩを蒸着させたものを用意し、ＣｓＩのアルミの板と接していない側と、センサ基板１２の画素１６とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層３０を形成してもよい。
さらに、本実施形態の放射線検出器１０と異なり、変換層３０としてＣｓＩに替わり、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等を用いてもよい。この場合、例えば、ＧＯＳを樹脂等のバインダに分散させたシートを、白ＰＥＴ等により形成された支持体に粘着層等により貼り合わせたものを用意し、ＧＯＳの支持体が貼り合わせられていない側と、センサ基板１２の画素１６とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層３０を形成することができる。
また、本実施形態の放射線検出器１０は、図２及び図３に示すように、保護膜３２が、 少なくとも、変換層３０を覆う領域から領域１７までを含む領域を覆っている。具体的には、保護膜３２は、変換層３０の表面（画素１６と接していない側の面）、変換層３０の側面、及び画素１６の側面、さらに第１の面１４Ａの外周部から基材１４の側面を回り込み第２の面１４Ｂの領域１７に亘る領域全体を覆っている。なお、領域１７は、基材１４の第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５に対応する領域以外の外周部の領域であり、本実施形態の領域１７が、本開示の所定の領域の一例に対応している。
保護膜３２としては、例えば、パリレン（登録商標）膜や、ポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート等の防湿膜が用いられる。
また、本実施形態の放射線検出器１０は、図２及び図３に示すように、支持部材３４が基材１４の第２の面１４Ｂ側から保護膜３２を介して基材１４の領域１７を支持する。すなわち、支持部材３４は、領域１７において基材１４を保護膜３２を介して、いわゆる裏打ちしている。支持部材３４は、例えば、両面テープやのり等の接着剤により、保護膜３２に固定されている。
本実施形態の支持部材３４は、剛性を有しており、少なくとも第２の面１４Ｂの面内方向における剛性が基材１４よりも高い。支持部材３４としては、所望の剛性が得られる大きさを有するＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）等のプラスチックやアルミ板等が挙げられる。なお、本実施形態の支持部材３４は、第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５に対応する領域の外側に設けられているため、支持部材３４における放射線の透過率及び吸収率は放射線画像の撮影において大きな影響を与えない。なお、支持部材３４の厚みＬ１は、厚くなるほど、被写体から画素１６までの距離（図４、距離Ｌ２参照）が長くなるため、撮影された放射線画像にボケが生じるようになる。そのため、支持部材３４の厚みＬ１は、所望の剛性と、所望の画質とに応じて定めることが好ましい。
本実施形態の放射線画像撮影装置１は、放射線を透過し、防水性、抗菌性、及び密閉性を有する筐体内に設けられている。
図４には、表面読取方式(ＩＳＳ：Irradiation Side Sampling)に本実施形態の放射線画像撮影装置１を適用した場合における、放射線検出器１０が筐体１２０内に設けられた状態の一例を示す。
図４に示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０、電源部１０８、及び制御基板１１０が積層方向と交差する方向に並んで設けられている。放射線検出器１０は、被写体を透過した放射線が照射される筐体１２０の撮影面１２０Ａ側に、基材１４の第２の面１４Ｂが対向するように設けられている。
制御基板１１０は、画像メモリ１０６及び制御部１００等が形成された基板であり、複数の信号配線を含むフレキシブルケーブル１１２によりセンサ基板１２の画素１６と電気的に接続されている。なお、本実施形態では、フレキシブルケーブル１１２上に駆動部１０２及び信号処理部１０４が設けられた、いわゆる、ＣＯＦ（Chip On Film）としているが、駆動部１０２及び信号処理部１０４の少なくとも一方は制御基板１１０に形成されていてもよい。
また、制御基板１１０と電源部１０８とは、電源線１１４により接続されている。
本実施形態の放射線画像撮影装置１の筐体１２０内には、放射線検出器１０を透過した放射線が出射される側にシート１１６がさらに設けられている。シート１１６としては、例えば、銅製のシートが挙げられる。銅製のシートは入射放射線によって２次放射線を発生し難く、よって、後方、すなわち変換層３０側への散乱を防止する機能を有する。なお、シート１１６は、少なくとも変換層３０の放射線が出射する側の面全体を覆い、また、変換層３０全体を覆うこと好ましく、さらに、保護膜３２全体を覆うことがより好ましい。なお、シート１１６の厚さは、放射線画像撮影装置１全体の可撓性及び重量等に応じて選択すればよく、例えば、シート１１６が銅製のシートの場合、厚さが０．１ｍｍ程度以上であれば、可撓性を有し、かつ外部から放射線画像撮影装置１の内部に侵入してきた２次放射線を遮蔽する機能も有する。また例えば、シート１１６が銅製のシートの場合、可撓性及び重量の観点からは、０．３ｍｍ以下であることが好ましい。
図４に示した放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０を基材１４の第２の面１４Ｂの面外方向に撓ませた状態で放射線画像の撮影を行うことが可能である。例えば、被写体の撮影部位等に応じて放射線検出器１０を撓ませた状態に維持して放射線画像の撮影を行うことができる。
図４に示した放射線画像撮影装置１では、相対的に剛性の高い筐体１２０の周辺部に電源部１０８及び制御基板１１０が設けられるため、電源部１０８及び制御基板１１０に与える外力の影響を抑制することができる。
なお、図４では、電源部１０８及び制御基板１１０の両方を放射線検出器１０の一方の側、具体的には、矩形状の放射線検出器１０の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部１０８及び制御基板１１０を設ける位置は図４に示した形態に限定されない。例えば、電源部１０８及び制御基板１１０を、放射線検出器１０の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する２辺の各々に分散させて設けてもよい。また、図４では、本実施形態では、電源部１０８及び制御基板１１０を１つの構成部（基板）とした形態を示したが、図４に示した形態に限定されず、電源部１０８及び制御基板１１０の少なくとも一方を複数の構成部（基板）とした形態であってもよい。例えば、電源部１０８を第１電源部及び第２電源部（いずれも図示省略）を含む形態とし、第１電源部及び第２電源部の各々を、放射線検出器１０の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよい。
なお、放射線画像撮影装置１（放射線検出器１０）全体を撓ませて放射線画像の撮影を行った場合、撓みによる画像への影響は画像補正を行うことにより抑制することができる。
また、図５には、ＩＳＳ方式に本実施形態の放射線画像撮影装置１を適用した場合における、放射線検出器１０が筐体１２０内に設けられた状態の他の例を示す。
図５に示すように、筐体１２０内には、積層方向と交差する方向に電源部１０８及び制御基板１１０が並んで設けられており、放射線検出器１０と電源部１０８及び制御基板１１０とは積層方向に並んで設けられている。
また、図５に示した放射線画像撮影装置１では、制御基板１１０及び電源部１０８とシート１１６との間に、放射線検出器１０及び制御基板１１０を支持する基台１１８が設けられている。基台１１８には、例えば、カーボン等が用いられる。
図５に示した放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０を基材１４の第２の面１４Ｂの面外方向にわずかに撓ませた状態、例えば、中央部を１ｍｍ〜５ｍｍ程度撓ませた状態で放射線画像の撮影を行うことが可能であるが、制御基板１１０及び電源部１０８と放射線検出器１０とが積層方向に設けられており、かつ基台１１８が設けられているため、図４に示した放射線画像撮影装置１の場合ほどは撓まない。
一般に、基材１４が撓むと、変換層３０がセンサ基板１２から剥がれやすくなる。上述したように、ＩＳＳ方式の場合、変換層３０が自重により剥がれやすくなる。変換層３０の特に端部が剥がれた場合、防湿性が低下する。
しかしながら、本実施形態の放射線検出器１０では、保護膜３２が、少なくとも、変換層３０を覆う領域から基材１４の第２の面１４Ｂの外周部における領域１７までを含む領域を覆っているため、基材１４が撓んだ場合でも、変換層３０が剥がれにくくなる。また、本実施形態の放射線検出器１０では、支持部材３４が基材１４の外周の領域である領域１７を第２の面１４Ｂから支持しているため、センサ基板１２における可撓性の基材１４が撓んでも、支持部材３４により領域１７における撓みが抑制される。従って、保護膜３２がセンサ基板１２及び変換層３０から剥がれにくくなるため、変換層３０の剥離を抑制する効果をより高めることができる。
一般に、変換層３０が剥離したり、湿気等により劣化したりした場合、生成される放射線の画質の低下を招く。これに対して本実施形態の放射線検出器１０では、変換層３０の剥離を抑制し、防湿の低下を抑制するため、生成される放射線画像の画質の低下を抑制することができる。
[第２実施形態]
本実施形態の放射線検出器１０では、第１実施形態の保護膜３２に対応する構成が異なるため異なる構成について説明する。
本実施形態の放射線検出器１０では、第１実施形態の保護膜３２に対応する構成が異なるため異なる構成について説明する。
図６には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図６に示すように本実施形態の放射線検出器１０は、第１実施形態の放射線検出器１０の保護膜３２に替わり第１保護膜３２Ａ及び第２保護膜３２Ｂの２つの保護膜を備えている。
図６に示すように第１保護膜３２Ａは、少なくとも、変換層３０のセンサ基板１２が設けられた面と反対側の面及び変換層３０の側面を覆う。具体的には、本実施形態の第１保護膜３２Ａは、変換層３０の表面（画素１６と接していない側の面）、変換層３０の側面、及び画素１６の側面を覆っている。なお、図６に示した第１保護膜３２Ａは、画素１６の側面も覆っているが、画素１６の側面の一部または全体を覆わない形態としてもよい。また、図６に示した第１保護膜３２Ａは、第１保護膜３２Ａの端部（側面）が基材１４の第１の面１４Ａと接触している形態を示しているが、第１保護膜３２Ａの端部と基材１４の第１の面１４Ａとは非接触であってもよい。また、例えば、図７に示すように、基材１４の第１の面１４Ａにおける画素１６が形成された境界である角部１４Ｃで第１保護膜３２Ａの端部が折れ曲がり、角部１４Ｃの近傍の、第１の面１４Ａの表面を第１保護膜３２Ａが覆っていてもよい。
一方、図６に示すように第２保護膜３２Ｂは、領域１７及び第１保護膜３２Ａ全体を含む領域を覆う。具体的には、第２保護膜３２Ｂは、第１保護膜３２Ａに覆われた変換層３０及び画素１６を覆っており、第１実施形態の保護膜３２と同様の領域を覆っている。
このような第１保護膜３２Ａとしては、例えば、パリレン膜等が挙げられ、この場合、蒸着により第１保護膜３２Ａを形成することができる。また、第２保護膜３２Ｂとしては、例えば、絶縁性のシート等が挙げられ、この場合、接着剤等により貼り合わせることで第２保護膜３２Ｂを設けることができる。
このように本実施形態の放射線検出器１０は、いわば、変換層３０の表面、変換層３０の側面、及び画素１６の側面が第１保護膜３２Ａにより覆われたセンサ基板１２に対して、第１実施形態の保護膜３２と同様の領域に第２保護膜３２Ｂが設けられたものである。
図６及び図７に示した本実施形態の放射線検出器１０では、第１実施形態の保護膜３２と同様に第２保護膜３２Ｂが設けられているため、本実施形態の放射線検出器１０によれば、第１実施形態の放射線検出器１０と同様に、変換層３０の剥離を抑制する効果をより高めることができる。従って、本実施形態の放射線検出器１０によれば、変換層３０の剥離を抑制し、防湿の低下を抑制するため、生成される放射線画像の画質の低下を抑制することができる。
また、本実施形態の放射線検出器１０では、変換層３０の表面及び側面を第１保護膜３２Ａ及び第２保護膜３２Ｂで覆うことにより、二重の封止を行っているため、変換層３０に対する防湿性能をより高めることができる。特に、ＣｓＩは、水分に弱く、放射線検出器１０の内部に水分が侵入した場合、放射線画像の画質が低下する懸念がある。そのため、変換層３０にＣｓＩを用いた場合、本実施形態の放射線検出器１０のように、変換層３０に対する防湿性能をより高めることが好ましい。
[第３実施形態]
本実施形態の放射線検出器１０では、第１実施形態の保護膜３２に対応する構成が異なるため異なる構成について説明する。
本実施形態の放射線検出器１０では、第１実施形態の保護膜３２に対応する構成が異なるため異なる構成について説明する。
図８には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図８に示すように本実施形態の放射線検出器１０は、第１実施形態の放射線検出器１０の保護膜３２に替わり、第１保護膜３２Ａ及び第２保護膜３２Ｂの２つの保護膜を備えている。
図８に示すように本実施形態の第１保護膜３２Ａは、少なくとも、変換層３０のセンサ基板１２が設けられた面と反対側の面及び側面を覆う。具体的には、本実施形態の第１保護膜３２Ａは、図６に示した第２実施形態の放射線検出器１０の第１保護膜３２Ａと同様に設けられており、変換層３０の表面（画素１６と接していない側の面）、変換層３０の側面、及び画素１６の側面を覆っている。
一方、図８に示すように第２保護膜３２Ｂは、領域１７及び第１保護膜３２Ａの端部を含む領域を覆う。具体的には、第２保護膜３２Ｂは、基材１４の第２の面１４Ｂの領域１７、基材１４の側面、基材１４の第１の面１４Ａの領域１７、及び第１保護膜３２Ａの端部の領域を覆っている。なお、第２保護膜３２Ｂが覆う第１保護膜３２Ａの端部の領域は、第１保護膜３２Ａの外周から所定の範囲内の領域である。なお、所定の範囲は、変換層３０の側面または画素１６の側面における第１保護膜３２Ａの端部の位置、及び変換層３０を支えるために必要な第２保護膜３２Ｂと第１保護膜３２Ａとの接触面積等に基づき、実験的に得られた範囲とすればよい。
このような第１保護膜３２Ａとしては、例えば、パリレン膜または絶縁性のシート等が挙げられ、パリレン膜の場合、蒸着により第１保護膜３２Ａを形成することができ、絶縁性のシートの場合、接着剤等により貼り合わせることで第１保護膜３２Ａを設けることができる。
また、第２保護膜３２Ｂとしては、例えば、絶縁性のシート等が挙げられ、この場合、接着剤等により貼り合わせることで第２保護膜３２Ｂを設けることができる。このように本実施形態の放射線検出器１０では、第１保護膜３２Ａと第２保護膜３２Ｂとを接着剤等により貼り合わせることにより、第１保護膜３２Ａと第２保護膜３２Ｂとを一体化させている。
図８に示した本実施形態の放射線検出器１０では、第１保護膜３２Ａが、変換層３０の表面及び側面、画素１６の側面を覆っており、第２保護膜３２Ｂが、基材１４の外周部における領域１７に対応する第１の面１４Ａ及び第２の面１４Ｂ、基材１４の側面、及び第１保護膜３２Ａの端部の領域を覆っている。従って、第１実施形態の放射線検出器１０と同様に、変換層３０の剥離を抑制する効果をより高めることができる。従って、本実施形態の放射線検出器１０によれば、変換層３０の剥離を抑制し、防湿の低下を抑制するため、生成される放射線画像の画質の低下を抑制することができる。
[第４実施形態]
本実施形態の放射線検出器１０では、第１実施形態の保護膜３２に対応する構成が異なるため異なる構成について説明する。
本実施形態の放射線検出器１０では、第１実施形態の保護膜３２に対応する構成が異なるため異なる構成について説明する。
図９には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図９示すように本実施形態の放射線検出器１０は、第１実施形態の放射線検出器１０の保護膜３２に替わり、第１保護膜３２Ａ及び第２保護膜３２Ｂの２つの保護膜を備えている。
図９に示すように、本実施形態の放射線検出器１０における第１保護膜３２Ａは、第１実施形態の保護膜３２と同様である。
一方、図９に示すように、本実施形態の第２保護膜３２Ｂは、基材１４の第１の面１４Ａと画素１６との境界である角部１４Ｃの近傍の領域を第１保護膜３２Ａを介して覆っている。具体的には、第２保護膜３２Ｂは、基材１４の領域１７に対応する領域から、画素１６の側面及び変換層３０の側面の一部までを、第１保護膜３２Ａを介して覆っている。
本実施形態の放射線検出器１０によれば、第１実施形態の保護膜３２と同様に第１保護膜３２Ａが設けられているため、第１実施形態の放射線検出器１０と同様に、変換層３０の剥離を抑制する効果をより高めることができる。従って、本実施形態の放射線検出器１０によれば、変換層３０の剥離を抑制し、防湿の低下を抑制するため、生成される放射線画像の画質の低下を抑制することができる。
[第５実施形態]
本実施形態の放射線検出器１０では、第１実施形態の保護膜３２に対応する構成が異なるため異なる構成について説明する。
本実施形態の放射線検出器１０では、第１実施形態の保護膜３２に対応する構成が異なるため異なる構成について説明する。
図１０には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図１０示すように本実施形態の放射線検出器１０は、保護膜３２が覆っている領域が第１実施形態の放射線検出器１０の保護膜３２と異なっている。
図１０に示すように、本実施形態の保護膜３２は、第１実施形態の保護膜３２と異なり、基材１４の第２の面１４Ｂの全体も覆っている。すなわち、本実施形態の放射線検出器１０では、変換層３０が設けられた状態のセンサ基板１２全体が、保護膜３２により覆されている。
本実施形態の放射線検出器１０によれば、保護膜３２が変換層３０が設けられた状態のセンサ基板１２全体を覆っているため、密閉性が高くなり、変換層３０やセンサ基板１２に対する防湿性能がより向上する。
[第６実施形態]
本実施形態の放射線検出器１０では、第１実施形態の保護膜３２に対応する構成が異なるため異なる構成について説明する。
本実施形態の放射線検出器１０では、第１実施形態の保護膜３２に対応する構成が異なるため異なる構成について説明する。
図１１には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図１１に示すように本実施形態の放射線検出器１０は、基材１４の第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５に対応する領域に帯電防止膜３９が設けられている。
帯電防止膜３９としては、例えばポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット（登録商標）のシートや、帯電防止塗料「コルコート」（商品名：コルコート社製）を用いた膜等を適用できる。
本実施形態の基材１４は可撓性を有しており、一般的な可撓性を有していない放射線検出器よりも基材１４の厚みが薄いため、摩擦等により基材１４が帯電し易くなり、また、基材１４の面内において不均一に帯電する。このように、不均一な帯電等が生じた場合、生成された放射線画像にムラが生じる原因になる。
一方、本実施形態の放射線検出器１０では、基材１４の第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５に対応する領域に帯電防止膜３９が設けられているため、基材１４の帯電を抑制することができる。そのため、本実施形態の放射線検出器１０によれば、基材１４の面内における帯電が不均一になることも抑制できる。
以上説明したように、上記各実施形態の放射線検出器１０は、可撓性の基材１４、及び基材１４の第１の面１４Ａに設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素１６が形成された層を含むセンサ基板１２と、センサ基板１２の第１の面１４Ａの側に設けられた、放射線を光に変換する変換層３０と、少なくとも、変換層３０を覆う領域から基材１４の第１の面１４Ａとは反対側の第２の面１４Ｂの外周部における領域１７までを含む領域を覆う保護膜３２と、基材１４の第２の面１４Ｂ側から保護膜３２を介して基材１４の領域１７を支持する支持部材３４と、を備える。
上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、保護膜３２及び支持部材３４を設けたことにより、基材１４が撓んだ場合でも、変換層３０が剥がれにくくなる。また、上記各実施形態の放射線検出器１０では、支持部材３４が基材１４の外周の領域である領域１７を第２の面１４Ｂから支持しているため、可撓性の基材１４が撓んでも、支持部材３４により領域１７における撓みが抑制される。従って、保護膜３２がセンサ基板１２及び変換層３０から剥がれにくくなるため、変換層３０の剥離を抑制する効果をより高めることができる。
このように、上記実施形態の放射線検出器１０では、変換層３０の剥離を抑制し、また、湿気等による劣化を抑制するため、生成される放射線画像の画質の低下を抑制することができる。従って、上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、センサ基板１２に可撓性の基材１４を用いた場合に、放射線画像の画質の低下を抑制することができる。
なお、上記各実施形態では、基材１４の第２の面１４Ｂにおけるアクティブエリア１５に対応する領域外の領域である領域１７全体に、支持部材３４を設ける形態について説明したが、支持部材３４を設ける位置や数等は上記各実施形態に限定されない。上述したように、支持部材３４により領域１７における撓みを抑制することができる形態であれば、具体的な、支持部材３４の数、複数設ける場合の個々の支持部材３４の大きさや配置は、限定されないことはいうまでもない。例えば、図１２に示すように、複数の支持部材３４（図１２では１６個）を基材１４の第２の面１４Ｂの外周１４Ｏから所定の距離内側の周縁１４Ｓ上に、周縁１４Ｓに沿って設けてもよい。なお、図１２に示した放射線検出器１０では、支持部材３４を設ける周縁１４Ｓをアクティブエリア１５と領域１７との境界としているが、特に限定されない。なお、支持部材３４により領域１７における撓みを抑制する観点から、周縁１４Ｓに沿った複数の支持部材３４の長さの合計が、周縁１４Ｓの長さに対して二分の一以上でかつ、周縁１４Ｓの長さ未満であることが好ましい。
また例えば、上記各実施形態では、矩形状のセンサ基板１２の全ての辺に支持部材３４を設けた形態について説明したが、センサ基板１２の一部の辺のみに支持部材３４を設けてもよい。例えば、図１３に示すように、センサ基板１２と制御基板１１０とを接続するフレキシブルケーブル１１２が接続されるセンサ基板１２の辺には、支持部材３４を設けなくてもよい。なお、上記各実施形態の放射線検出器１０のように、センサ基板１２が、対向する一対の辺を１組以上有している場合、対向する辺同士において支持部材３４が基材１４を支持することにより、変換層３０等がより剥離しにくくなるため、このような場合、支持部材３４は、少なくとも一対の辺の各々に設けられていることが好ましい。また、上記各実施形態の放射線検出器１０のように、センサ基板１２の３辺以上の各々の辺に支持部材３４を設けることがより好ましい。
また、上記各実施形態の放射線検出器１０では、画素１６が設けられた領域全体をアクティブエリア１５とする形態について説明したが、アクティブエリア１５とする領域は上記各実施形態に限定されるものではない。例えば、複数の画素１６のうち、一部の画素１６に対応する領域によりアクティブエリア１５を特定してもよい。例えば、放射線検出器１０が、図１４に示すように、画素１６が、放射線画像の画素に実質的に対応する複数の第１画素１６Ａと、放射線画像の形成における用途が異なり、かつ第１画素１６Ａの外周部に設けられた複数の第２画素１６Ｂとを備えている場合がある。なお、ここで放射線画像の形成における用途が異なるとは、例えば、画像の補正に用いられる場合等のことをいう他、放射線画像の形成において用いられず、電荷が読み捨てられる場合のこともいう。図１４に示した放射線検出器１０では、第１画素１６Ａが設けられた領域をアクティブエリア１５として定めている。
なお、図１４に示した放射線検出器１０のように、アクティブエリア１５よりも変換層３０が大きく、アクティブエリア１５全体を変換層３０が覆う場合がある。例えば、上記図１４に示した場合の他、変換層３０の形成におけるセンサ基板１２に対する蒸着位置のずれや貼り合わせ位置のずれ等を考慮する場合等では、変換層３０をアクティブエリア１５よりも大きく設ける。この場合、図１４に示したように、アクティブエリア１５外において、支持部材３４と変換層３０とにより、基材１４を挟み込んで支持することが好ましい。
また、上記各実施形態では、放射線検出器１０（放射線画像撮影装置１）をＩＳＳ方式に適用した場合について説明したが、放射線検出器１０（放射線画像撮影装置１）を変換層３０の放射線が入射する側と反対側にセンサ基板１２を配置するいわゆる、「裏面読取方式(ＰＳＳ：Penetration Side Sampling)」に適用してもよい。ＰＳＳ方式に適用した場合でも、基材１４が撓むことにより、変換層３０が設けられた側と反対側の面外方向に、基材１４が引っ張られるたりする。この場合であっても、上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、保護膜３２及び支持部材３４を設けたことにより、基材１４が撓んだ場合でも、変換層３０の剥離を抑制することができる。
また、上記各実施形態では、放射線画像撮影装置１が１つの放射線検出器１０を備えている形態について説明したが、放射線画像撮影装置１は、複数の放射線検出器１０を備える形態であってもよい。例えば、図１５に示すように、放射線画像撮影装置１は、ＩＳＳ方式の放射線検出器１０＿１及び１０＿２を放射線が照射される方向に重ねて用いる形態であってもよい。図１５に示した場合では、可撓性の基材１４＿１に画素１６＿１が設けられたセンサ基板１２＿１に、直接蒸着することによりＣｓＩを用いた変換層３０＿１を形成した放射線検出器１０＿１を、放射線の照射側に近い位置に配置している。また、可撓性の基材１４＿２に、画素１６＿２が設けられたセンサ基板１２＿２にＧＯＳのシートを貼り合わせることにより変換層３０＿２を形成した放射線検出器１０＿１を放射線の照射側から離れた位置に配置している。なお、図１５では、第１実施形態の放射線検出器１０と同様に、放射線検出器１０＿１には、保護膜３２＿１及び支持部材３４＿１が設けられ、放射線検出器１０＿２には、保護膜３２＿２及び支持部材３４＿２が設けられた状態を示している。
この場合、基材１４＿１の第２の面１４Ｂ＿１には、放射線に対して透過性を有する緩衝層４０を設けることが好ましい。また、変換層３０＿１のＣｓＩの柱状結晶の先端が、放射線検出器１０＿２側に向いているため、柱状結晶の先端やその周辺部の損傷を防止するために、基材１４＿２の第２の面１４Ｂ＿２、すなわち、基材１４＿２と保護膜３２＿１との間に、可視光に対して透過性を有する緩衝層４２を設けることが好ましい。
また、上記各実施形態では、図１に示したように画素１６がマトリクス状に２次元配列されている態様について説明したがこれに限らず、例えば、１次元配列であってもよいし、ハニカム配列であってもよい。また、画素の形状も限定されず、矩形であってもよいし、六角形等の多角形であってもよい。さらに、アクティブエリア１５の形状も限定されないことはいうまでもない。
その他、上記各実施形態で説明した放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０等の構成や製造方法等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。
１ 放射線画像撮影装置
１０、１０＿１、１０＿２ 放射線検出器
１２、１２＿１、１２＿２ センサ基板
１４、１４＿１、１４＿２ 基材、１４Ａ 第１の面、１４Ｂ 第２の面、１４Ｃ 角部、１４Ｏ 外周、１４Ｓ 周縁
１５ アクティブエリア
１６ 画素、１６Ａ 第１画素、１６Ｂ 第２画素
１７ 領域
２０ ＴＦＴ（スイッチング素子）
２２ センサ部
２４ 信号配線
２６ 走査配線
２８ 共通配線
３０、３０＿１、３０＿２ 変換層
３２、３２＿１、３２＿３ 保護膜、３２Ａ 第１保護膜、３２Ｂ 第２保護膜
３４、３４＿１、３４＿２ 支持部材
３９ 帯電防止膜
４０、４２ 緩衝層
１００ 制御部、１００Ａ ＣＰＵ、１００Ｂ メモリ、１００Ｃ 記憶部
１０２ 駆動部
１０４ 信号処理部
１０６ 画像メモリ
１０８ 電源部
１１０ 制御基板
１１２ フレキシブルケーブル
１１４ 電源線
１１６ シート
１１８ 基台
１２０ 筐体、１２０Ａ 撮影面
Ｌ１ 厚み
Ｌ２ 距離
１０、１０＿１、１０＿２ 放射線検出器
１２、１２＿１、１２＿２ センサ基板
１４、１４＿１、１４＿２ 基材、１４Ａ 第１の面、１４Ｂ 第２の面、１４Ｃ 角部、１４Ｏ 外周、１４Ｓ 周縁
１５ アクティブエリア
１６ 画素、１６Ａ 第１画素、１６Ｂ 第２画素
１７ 領域
２０ ＴＦＴ（スイッチング素子）
２２ センサ部
２４ 信号配線
２６ 走査配線
２８ 共通配線
３０、３０＿１、３０＿２ 変換層
３２、３２＿１、３２＿３ 保護膜、３２Ａ 第１保護膜、３２Ｂ 第２保護膜
３４、３４＿１、３４＿２ 支持部材
３９ 帯電防止膜
４０、４２ 緩衝層
１００ 制御部、１００Ａ ＣＰＵ、１００Ｂ メモリ、１００Ｃ 記憶部
１０２ 駆動部
１０４ 信号処理部
１０６ 画像メモリ
１０８ 電源部
１１０ 制御基板
１１２ フレキシブルケーブル
１１４ 電源線
１１６ シート
１１８ 基台
１２０ 筐体、１２０Ａ 撮影面
Ｌ１ 厚み
Ｌ２ 距離
Claims (14)
- 可撓性の基材、及び前記基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された層を含むセンサ基板と、
前記センサ基板の前記第１の面の側に設けられた、放射線を光に変換する変換層と、
少なくとも、前記変換層を覆う領域から前記基材の前記第１の面とは反対側の第２の面の外周部における所定の領域までを含む領域を覆う保護膜と、
前記基材の前記第２の面側から前記保護膜を介して前記基材の前記所定の領域を支持する支持部材と、
を備えた放射線検出器。 - 前記所定の領域は、前記基材の前記第２の面における、前記基材の前記第１の面における前記複数の画素が設けられた領域である画素領域に対応する領域の外側に対応する領域である、
請求項１に記載の放射線検出器。 - 前記複数の画素は、複数の第１画素と前記複数の第１画素の外周部に設けられ、かつ放射線画像の形成における用途が前記複数の第１画素と異なる複数の第２画素とを含み、
前記所定の領域は、前記基材の前記第２の面における、前記複数の第１画素が設けられた領域の外側に対応する領域である、
請求項１に記載の放射線検出器。 - 前記支持部材は、前記第２の面の外周から所定の距離内側の周縁上に、前記周縁に沿って複数設けられており、前記周縁に沿った複数の前記支持部材の長さの合計が、前記周縁の長さに対して二分の一以上でかつ、周縁の長さ未満である、
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の放射線検出器。 - 前記センサ基板は、対向する一対の辺を有しており、
前記支持部材は、少なくとも前記一対の辺の各々に設けられている、
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の放射線検出器。 - 前記保護膜は、少なくとも、前記変換層の前記センサ基板が設けられた面と反対側の面及び側面を覆う第１保護膜と、前記所定の領域及び前記第１保護膜全体を含む領域を覆う第２保護膜と、を備える、
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の放射線検出器。 - 前記保護膜は、少なくとも、前記変換層の前記センサ基板が設けられた面と反対側の面及び側面を覆う第１保護膜と、前記所定の領域及び前記第１保護膜の端部を含む領域を覆う第２保護膜と、を備える、
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の放射線検出器。 - 前記基材の前記第２の面に設けられた帯電防止膜をさらに備えた、
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の放射線検出器。 - 前記保護膜は、前記第２の面の全体を覆っている、
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の放射線検出器。 - 前記基材の前記第２の面に放射線が照射される撮影に用いられる、
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の放射線検出器。 - 前記変換層は、ＣｓＩを含む、
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の放射線検出器。 - 請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の放射線検出器と、
前記複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、
前記制御信号に応じて、前記複数の画素から電荷を読み出させる駆動部と、
前記複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された前記電気信号に応じた画像データを生成して前記制御部に出力する信号処理部と、
を備えた放射線画像撮影装置。 - 前記放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、前記制御部と、前記放射線検出器とが並んで設けられている、
請求項１２に記載の放射線画像撮影装置。 - 前記制御部、前記駆動部、及び前記信号処理部の少なくとも一つに電力を供給する電源部をさらに備え、
前記放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、前記電源部と、前記制御部と、前記放射線検出器とが並んで設けられている、
請求項１２に記載の放射線画像撮影装置。
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