TW201834256A - 顯示裝置及電子裝置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 141
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 85
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 66
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 43
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 24
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000012769 display material Substances 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 382
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 76
- 239000010408 film Substances 0.000 description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 description 41
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 34
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 24
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 20
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 12
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 11
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 5
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- HVYWMOMLDIMFJA-DPAQBDIFSA-N cholesterol Chemical compound C1C=C2C[C@@H](O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2 HVYWMOMLDIMFJA-DPAQBDIFSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 208000003464 asthenopia Diseases 0.000 description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012000 cholesterol Nutrition 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- -1 tantalum or tungsten Chemical compound 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012069 chiral reagent Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000004438 eyesight Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000007794 irritation Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 1
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 230000003936 working memory Effects 0.000 description 1
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Abstract
本發明提供一種功耗得到降低的電子裝置。電子裝置具有發送資料的功能。電子裝置被供應第一資料及第二資料。電子裝置具有從第一資料生成第一雜湊值，且發送第一資料的功能。電子裝置具有如下功能：從第二資料生成第二雜湊值；對第一雜湊值及第二雜湊值進行比較；當第一雜湊值與第二雜湊值不同時，發送第二資料；以及當第一雜湊值與第二雜湊值相同時，不發送第二資料。
Description
[0001] 本發明的一個實施方式係關於一種顯示裝置及電子裝置。 [0002] 注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個實施方式的技術領域係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明係關於一種製程（process）、機器（machine）、產品（manufacture）或者組合物（composition of matter）。尤其是，本發明的一個實施方式係關於一種半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、它們的驅動方法或它們的製造方法。 [0003] 另外，在本說明書等中，半導體裝置是指藉由利用半導體特性而能夠工作的元件、電路或裝置等。作為一個例子，電晶體和二極體等半導體元件是半導體裝置。此外，作為另外的例子，包含半導體元件的電路是半導體裝置。此外，作為另外的例子，具備包含半導體元件的電路的裝置是半導體裝置。
[0004] 顯示裝置用於智慧手機、平板電腦、電子書閱讀器等移動設備、監視器、TV、數位看板（Digital Signage）等電子裝置。移動設備被要求能夠長時間使用，電子裝置被要求能夠以低功耗使用。 [0005] 作為實現低功耗化的技術之一，能夠應用於電晶體的金屬氧化物受到矚目。例如，專利文獻1公開了使用氧化鋅或In-Ga-Zn類氧化物等金屬氧化物形成電晶體的技術。在半導體層中包含金屬氧化物的電晶體是指OS電晶體。 [0006] OS電晶體的關態電流（off-state current）非常小。專利文獻2公開了藉由利用OS電晶體降低顯示靜態影像時的顯示的更新間隔，來降低液晶顯示器的功耗的技術。此外，在本說明書中，將上述降低顯示裝置的功耗的技術稱為“空轉停止（idling stop）驅動”或“IDS驅動”。 [0007] 專利文獻3公開了在對程式或多個資料的集合進行比較時使用雜湊值。 [0008] 此外，報告了藉由利用OS電晶體的關態電流小將OS電晶體用於記憶體元件的例子。例如，專利文獻4公開了將OS電晶體用於DRAM（Dynamic Random Access Memory：動態隨機存取記憶體）的例子。例如，專利文獻5公開了使用OS電晶體的非揮發性記憶體元件。在本說明書中，將這些使用OS電晶體的記憶體元件稱為OS記憶體。OS記憶體對能夠重寫的次數沒有限制，功耗也低。 [0009] [專利文獻1] 日本專利申請公開第2007-123861號公報 [專利文獻2] 日本專利申請公開第2011-141522號公報 [專利文獻3] 國際公開第2011/155098號 [專利文獻4] 日本專利申請公開第2013-168631號公報 [專利文獻5] 日本專利申請公開第2012-069932號公報
[0010] 在長時間使用智慧手機、平板電腦及電子書閱讀器等時，需要降低功耗。作為降低功耗的方法的典型例子，有電源閘控或時脈閘控。在使用顯示裝置的情況下，提出了減少顯示的更新間隔等方法。控制週邊電路的處理器為了電源閘控及時脈閘控需要監視週邊電路。因此，處理器有如下問題：因用來監視週邊電路的輪詢處理或中斷處理導致處理器的處理能力的下降，由此增高功耗。 [0011] 電子裝置的顯示控制由程式管理。也就是說，控制智慧手機、平板電腦、電子書閱讀器、監視器、TV及數位看板等的程式需要控制顯示的更新間隔。 [0012] 鑒於上述問題，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎結構的顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是根據顯示內容控制顯示的更新間隔。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種功耗得到降低的電子裝置。 [0013] 注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。上述目的以外的目的可以顯而易見地從說明書、圖式、申請專利範圍等的描述中看出，並且可以從該描述中抽取上述目的以外的目的。 [0014] 注意，本發明的一個實施方式的目的不侷限於上述目的。上述目的並不妨礙其他目的的存在。此外，其他目的是上面沒有提到而將在下面的記載中進行說明的目的。所屬技術領域的通常知識者可以從說明書或圖式等的記載中導出並適當抽取該上面沒有提到的目的。注意，本發明的一個實施方式實現上述目的及/或其他目的中的至少一個目的。 [0015] 本發明的一個實施方式是一種具有發送資料的功能的電子裝置，其中，電子裝置被供應第一資料及第二資料。電子裝置具有如下功能：從第一資料生成第一雜湊值，且發送第一資料；從第二資料生成第二雜湊值；對第一雜湊值及第二雜湊值進行比較；當第一雜湊值與第二雜湊值不同時，發送第二資料；以及當第一雜湊值與第二雜湊值相同時，不發送第二資料。 [0016] 本發明的一個實施方式是一種顯示裝置，包括：顯示控制器；以及顯示面板，其中，顯示控制器包括雜湊生成電路、雜湊控制電路、圖框記憶體、比較電路、時序控制電路及影像處理電路。雜湊生成電路被供應第一顯示資料。雜湊生成電路具有生成第一雜湊值的功能、將第一顯示資料供應給圖框記憶體的功能，雜湊控制電路具有確定第一雜湊值的功能。比較電路具有儲存第一雜湊值且啟動時序控制電路的功能。時序控制電路具有啟動影像處理電路對儲存於圖框記憶體中的第一顯示資料進行影像處理的功能以及將進行了影像處理的第一顯示資料從影像處理電路發送到顯示面板以使顯示更新的功能。 [0017] 具有上述各結構的顯示裝置較佳為如下。雜湊生成電路被供應第二顯示資料。雜湊生成電路具有生成第二雜湊值的功能以及將第二顯示資料供應給圖框記憶體的功能，雜湊控制電路具有確定第二雜湊值的功能。比較電路具有對儲存的第一雜湊值與第二雜湊值進行比較的功能以及當第二雜湊值與第一雜湊值不同時儲存第二雜湊值且啟動時序控制電路的功能。時序控制電路具有啟動影像處理電路對儲存於圖框記憶體中的第二顯示資料進行影像處理的功能以及將進行了影像處理的第二顯示資料從影像處理電路發送到顯示面板以使顯示更新的功能。比較電路具有在第二雜湊值與第一雜湊值相同時停止時序控制電路的功能。 [0018] 具有上述各結構的顯示裝置較佳為如下。雜湊生成電路被供應第二顯示資料。雜湊生成電路具有生成第二雜湊值的功能以及將第二顯示資料供應給圖框記憶體的功能，雜湊控制電路具有確定第二雜湊值的功能。比較電路具有對儲存的第一雜湊值與第二雜湊值進行比較的功能以及當第二雜湊值與第一雜湊值不同時儲存第二雜湊值且啟動時序控制電路的功能，由時序控制電路啟動的影像處理電路將儲存於圖框記憶體中的第二顯示資料發送到顯示面板以使顯示更新的功能。比較電路具有在第二雜湊值與第一雜湊值相同時停止時序控制電路的功能。 [0019] 具有上述各結構的顯示裝置較佳為如下。顯示面板包括多個像素，像素還包括表示顯示面板的顯示位置的第一座標資料。雜湊生成電路具有從包括在第一顯示資料中的第一座標資料規律性地進行取樣的功能以及從取樣的第一顯示資料生成第一雜湊值的功能。雜湊生成電路具有從包括在第二顯示資料中的第一座標資料規律性地進行取樣的功能以及從取樣的第二顯示資料生成第二子雜湊值的功能。 [0020] 具有上述各結構的顯示裝置較佳為如下。雜湊生成電路具有將權係數加到第一顯示資料來生成第一雜湊值的功能以及將權係數加到第二顯示資料來生成第二雜湊值。 [0021] 具有上述各結構的顯示裝置較佳為如下。像素還包括多個子像素，子像素還包括表示顯示面板的顯示位置的第二座標資料，第一顯示資料包括多個第一子顯示資料。雜湊生成電路具有從包括在第一子顯示資料中的第二座標資料生成第一子雜湊值。第二顯示資料包括多個第二子顯示資料。雜湊生成電路具有從包括在第二子顯示資料中的第二座標資料生成第二子雜湊值的功能。 [0022] 具有上述各結構的顯示裝置較佳為如下。雜湊生成電路具有從包括在第一子顯示資料中的第二座標資料規律性地進行取樣來生成第一子雜湊值的功能以及從包括在第二子顯示資料中的第二座標資料規律性地進行取樣來生成第二子雜湊值的功能。 [0023] 具有上述各結構的顯示裝置較佳為如下。雜湊生成電路具有將權係數加到第一子顯示資料來生成第一子雜湊值的功能以及將權係數加到第二子顯示資料來生成第二子雜湊值的功能。 [0024] 具有上述各結構的顯示裝置的任一個較佳為包括電晶體，該電晶體在半導體層中包含非晶矽。 [0025] 具有上述各結構的顯示裝置的任一個較佳為包括電晶體，該電晶體在半導體層中包含多晶矽。 [0026] 具有上述各結構的顯示裝置的任一個較佳為包括電晶體，該電晶體在半導體層中包含金屬氧化物。 [0027] 本發明的一個實施方式較佳為一種顯示模組，包括：具有上述各結構的顯示裝置的任一個；以及觸控感測器。 [0028] 本發明的一個實施方式較佳為一種電子裝置，包括：具有上述各結構的顯示裝置的任一個或顯示模組；以及操作鍵。 [0029] 鑒於上述問題，本發明的一個實施方式可以提供一種新穎結構的顯示裝置。本發明的一個實施方式可以根據顯示內容控制顯示的更新間隔。本發明的一個實施方式可以提供一種功耗得到降低的電子裝置。 [0030] 注意，本發明的一個實施方式的效果不侷限於上述效果。上述效果並不妨礙其他效果的存在。另外，其他效果是上面沒有提到而將在下面的記載中進行說明的效果。所屬技術領域的通常知識者可以從說明書或圖式等的記載中導出並適當衍生上面沒有提到的效果。注意，本發明的一個實施方式具有上述效果及/或其他效果中的至少一個效果。因此，本發明的一個實施方式根據情況有時不具有上述效果。
[0032] 下面，參照圖式對實施方式進行說明。但是，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實，就是實施方式可以以多個不同形式來實施，其方式和詳細內容可以在不脫離本發明的精神及其範圍的條件下被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在下面的實施方式所記載的內容中。 [0033] 在圖式中，為便於清楚地說明，有時誇大表示大小、層的厚度或區域。因此，本發明並不一定限定於上述尺寸。此外，在圖式中，示意性地示出理想的例子，因此本發明不侷限於圖式所示的形狀或數值等。 [0034] 本說明書所使用的“第一”、“第二”、“第三”等序數詞是為了避免組件的混淆而附加的，而不是為了在數目方面上進行限定的。 [0035] 在本說明書中，為方便起見，使用了“上”、“下”等表示配置的詞句，以參照圖式說明組件的位置關係。另外，組件的位置關係根據描述各組件的方向適當地改變。因此，不侷限於本說明書中所說明的詞句，可以根據情況適當地更換。 [0036] 在本說明書等中，電晶體是指至少包括閘極、汲極以及源極這三個端子的元件。電晶體在汲極（汲極端子、汲極區域或汲極電極）與源極（源極端子、源極區域或源極電極）之間具有通道區域，並且電流能夠藉由通道區域流過源極與汲極之間。注意，在本說明書等中，通道區域是指電流主要流過的區域。 [0037] 另外，在使用極性不同的電晶體的情況或電路工作中的電流方向變化的情況等下，源極及汲極的功能有時相互調換。因此，在本說明書等中，源極和汲極可以相互調換。 [0038] 在本說明書等中，“電連接”包括藉由“具有某種電作用的元件”連接的情況。在此，“具有某種電作用的元件”只要可以進行連接對象間的電信號的授收，就對其沒有特別的限制。例如，“具有某種電作用的元件”不僅包括電極和佈線，而且還包括電晶體等的切換元件、電阻元件、電感器、電容器、其他具有各種功能的元件等。 [0039] 在本說明書等中，“平行”是指兩條直線形成的角度為-10°以上且10°以下的狀態。因此，也包括該角度為-5°以上且5°以下的狀態。另外，“垂直”是指兩條直線形成的角度為80°以上且100°以下的狀態。因此也包括85°以上且95°以下的角度的狀態。 [0040] 另外，在本說明書等中，可以將“膜”和“層”相互調換。例如，有時可以將“導電層”變換為“導電膜”。此外，例如，有時可以將“絕緣膜”變換為“絕緣層”。 [0041] 在本說明書等中，在沒有特別的說明的情況下，關態電流是指電晶體處於關閉狀態（也稱為非導通狀態、遮斷狀態）的汲極電流。在沒有特別的說明的情況下，在n通道電晶體中，關閉狀態是指閘極與源極間的電壓Vgs低於臨界電壓Vth的狀態，在p通道電晶體中，關閉狀態是指閘極與源極間的電壓Vgs高於臨界電壓Vth的狀態。例如，n通道電晶體的關態電流有時是指閘極與源極間的電壓Vgs低於臨界電壓Vth時的汲極電流。 [0042] 電晶體的關態電流有時取決於Vgs。因此，“電晶體的關態電流為I以下”有時是指存在使電晶體的關態電流成為I以下的Vgs的值。電晶體的關態電流有時是指預定的Vgs中的關閉狀態、預定的範圍內的Vgs中的關閉狀態或能夠獲得充分被降低的關態電流的Vgs中的關閉狀態等時的關態電流。 [0043] 作為一個例子，設想一種n通道電晶體，該n通道電晶體的臨界電壓Vth為0.5V，Vgs為0.5V時的汲極電流為1´10-9
A，Vgs為0.1V時的汲極電流為1´10-13
A，Vgs為-0.5V時的汲極電流為1´10-19
A，Vgs為-0.8V時的汲極電流為1´10-22
A。在Vgs為-0.5V時或在Vgs為-0.5V至-0.8V的範圍內，該電晶體的汲極電流為1´10-19
A以下，所以有時稱該電晶體的關態電流為1´10-19
A以下。由於存在使該電晶體的汲極電流成為1´10-22
A以下的Vgs，因此有時稱該電晶體的關態電流為1´10-22
A以下。 [0044] 在本說明書等中，有時以每通道寬度W的電流值表示具有通道寬度W的電晶體的關態電流。另外，有時以每預定的通道寬度（例如1mm）的電流值表示具有通道寬度W的電晶體的關態電流。在為後者時，關態電流的單位有時以具有電流/長度的次元的單位（例如，A/mm）表示。 [0045] 電晶體的關態電流有時取決於溫度。在本說明書中，在沒有特別的說明的情況下，關態電流有時表示在室溫、60℃、85℃、95℃或125℃下的關態電流。或者，有時表示在保證包括該電晶體的半導體裝置等的可靠性的溫度下或者在包括該電晶體的半導體裝置等被使用的溫度（例如，5℃至35℃中的任一溫度）下的關態電流。“電晶體的關態電流為I以下”有時是指在室溫、60℃、85℃、95℃、125℃、保證包括該電晶體的半導體裝置等的可靠性的溫度下或者在包括該電晶體的半導體裝置等被使用的溫度（例如，5℃至35℃中的任一溫度）下存在使電晶體的關態電流成為I以下的Vgs的值。 [0046] 電晶體的關態電流有時取決於汲極與源極間的電壓Vds。在本說明書中，在沒有特別的說明的情況下，關態電流有時表示Vds為0.1V、0.8V、1V、1.2V、1.8V、2.5V、3V、3.3V、10V、12V、16V或20V時的關態電流。或者，有時表示保證包括該電晶體的半導體裝置等的可靠性的Vds時或者包括該電晶體的半導體裝置等所使用的Vds時的關態電流。“電晶體的關態電流為I以下”有時是指：在Vds為0.1V、0.8V、1V、1.2V、1.8V、2.5V、3V、3.3V、10V、12V、16V、20V、保證包括該電晶體的半導體裝置的可靠性的Vds或包括該電晶體的半導體裝置等被使用的Vds下存在使電晶體的關態電流成為I以下的Vgs的值。 [0047] 在上述關態電流的說明中，可以將汲極換稱為源極。也就是說，關態電流有時指電晶體處於關閉狀態時流過源極的電流。 [0048] 在本說明書等中，有時將關態電流記作洩漏電流。在本說明書等中，關態電流例如有時指在電晶體處於關閉狀態時流在源極與汲極間的電流。 [0049] 電壓是指兩個點之間的電位差，而電位是指某一點的靜電場中的某單位電荷所具有的靜電能（電位能量）。但是，一般來說，將某一點的電位與基準的電位（例如接地電位）之間的電位差簡單地稱為電位或電壓，通常，電位和電壓是同義詞。因此，在本說明書中，除了特別指定的情況以外，既可將“電位”稱為“電壓”，又可將“電壓”稱為“電位”。 [0050] 實施方式1 在本實施方式中，參照圖1至圖6C對根據從顯示資料生成的雜湊值控制顯示的更新間隔的顯示裝置進行說明。 [0051] 圖1示出電子裝置1000的結構。電子裝置1000包括顯示裝置1100、處理器1011、記憶體裝置1012、輸入裝置1013、時脈生成電路1014、揚聲器1015及麥克風1016。顯示裝置1100包括顯示控制器1101及顯示面板1102。顯示控制器1101包括解碼器電路1111、雜湊生成電路1112、圖框記憶體1113、影像處理電路1114、雜湊控制電路1115、比較電路1116及時序控制電路1117。 [0052] 電子裝置1000具有無線通訊及有線通訊的功能。因此，電子裝置1000利用無線通訊或有線通訊與資料伺服器1121之間進行資料的發送及接收。例如，在進行無線通訊時，可以使用載波收發資料。在本實施方式中，作為一個例子對電子裝置1000接收顯示資料的情況進行說明。資料伺服器1121也可以是包括記憶體裝置的移動設備等。 [0053] 當進行無線通訊時，可以利用由IEEE通訊標準化的規格諸如無線LAN（Local Area Network）、Wi-Fi（註冊商標）、Bluetooth（註冊商標）、ZigBee（註冊商標）等。 [0054] 電子裝置1000也可以與外部記憶體裝置1122電連接。外部記憶體裝置1122較佳為HDD、光碟、磁片、磁帶、能夠連接USB記憶體的非揮發性記憶體或者從外部插入的非揮發性記憶體。電子裝置1000也可以包括上述外部記憶體裝置1122作為其組件之一。 [0055] 記憶體裝置1012儲存控制程式、應用程式及資料。處理器1011具有根據控制程式或應用程式控制顯示裝置1100、記憶體裝置1012、輸入裝置1013、時脈生成電路1014、揚聲器1015及麥克風1016的功能。記憶體裝置1012即使關閉電子裝置1000的電源也可以保持資料。由此，在再次啟動電子裝置1000的電源時，可以縮短程式的啟動時間。 [0056] 記憶體裝置1012或圖框記憶體1113較佳為內置記憶體（非揮發性記憶體、SRAM（Static Random Access Memory：靜態隨機存取記憶體）、DRAM、OS記憶體等）或從外部插入的非揮發性記憶體。或者，記憶體裝置1012或圖框記憶體1113也可以為暫時儲存由通訊模組下載的程式或資料的工作記憶體（非揮發性記憶體、SRAM、DRAM、OS記憶體等）。 [0057] 作為非揮發性記憶體的EEPROM（Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory：電子式可抹除可程式唯讀記憶體）或快閃記憶體藉由被稱為浮動閘極的構件設置在通道與閘極之間且在浮動閘極中儲存電荷，保持資料。但是，在習知的EEPROM或快閃記憶體中，在對浮動閘極注入電荷或者去除電荷時需要高電壓。由此，無法避免閘極絕緣膜的劣化，並且無法沒有限制地重複寫入和擦除。 [0058] OS記憶體藉由使用關態電流小的OS電晶體，即使關閉電源也可以保持資料。在實施方式6中對用於OS記憶體的電晶體進行詳細說明。 [0059] 作為輸入裝置1013，有感測器（該感測器具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線）、控制杆、鍵盤、硬體按鈕、指向裝置、攝像裝置、聲音輸入裝置、視點輸入裝置及姿勢檢測裝置等。 [0060] 時脈生成電路1014生成在電子裝置1000中使用的時脈。處理器1011由藉由時脈生成電路1014生成的時脈工作。例如，時脈生成電路1014生成用來控制顯示控制器1101的時脈。再者，生成用來生成從時序控制電路1117供應給顯示面板1102的時脈的基準時脈等。 [0061] 對顯示控制器1101進行說明。解碼器電路1111可以從資料伺服器1121或外部記憶體裝置1122接收的接收資料去除頭部，進行熵解碼化處理，抽出顯示資料。 [0062] 顯示資料供應給雜湊生成電路1112。雜湊生成電路1112將顯示資料儲存在圖框記憶體1113中，同時從顯示資料生成雜湊值。雜湊控制電路1115可以檢測顯示資料的每圖框的中斷點（breackpoint）。因此，雜湊控制電路1115可以確定每圖框的雜湊值。 [0063] 這裡，為了說明定義以下內容。第一雜湊值是顯示在顯示面板1102上的第一顯示資料的雜湊值。第二雜湊值是由雜湊控制電路1115確定的雜湊值。第二雜湊值表示儲存在圖框記憶體1113中的第二顯示資料，亦即供應給顯示面板1102之前的非顯示的第二顯示資料。 [0064] 比較電路1116可以儲存第一雜湊值。此外，比較電路1116可以對第一雜湊值及第二雜湊值進行比較。在比較的值彼此不同時，為了使顯示面板1102以第二顯示資料進行更新，使時序控制電路1117工作。再者，將第二雜湊值儲存於比較電路1116中。但是，在比較的值相同時，停止時序控制電路1117的工作，比較電路1116所儲存的雜湊值及顯示面板1102的顯示都不更新。 [0065] 時序控制電路1117可以生成用來更新顯示面板1102的顯示的控制信號。影像處理電路1114可以對儲存在圖框記憶體1113中的顯示資料進行影像處理（伽瑪校正、調色、調光等）。作為一個例子，調色可以改變進行白色顯示時的色溫。電子裝置1000藉由根據使用環境改變色溫可以減輕使用者的眼睛疲勞。 [0066] 影像處理電路1114可以與時序控制電路1117所生成的控制信號同步地將儲存在圖框記憶體1113中的顯示資料供應給顯示面板1102。因此，顯示面板1102的顯示以儲存在圖框記憶體1113中的第二顯示資料更新。 [0067] 圖2示出顯示控制器1101的詳細結構。雜湊控制電路1115包括檢測表示1圖框的結束的EOF（End of Frame Flag：圖框尾旗標）的EOF檢測電路1115a和記憶體1115b。比較電路1116包括比較控制電路1116a和記憶體1116b。 [0068] 這裡，使用在圖1中為了說明定義的條件繼續進行說明。第二顯示資料藉由解碼器電路1111供應給雜湊生成電路1112。雜湊生成電路1112可以從第二顯示資料生成雜湊值。雜湊生成電路1112可以將第二顯示資料儲存在圖框記憶體1113中。第一顯示資料顯示在顯示面板1102上，記憶體1116b中儲存有第一雜湊值。 [0069] EOF檢測電路1115a可以檢測每個圖框的EOF且確定第二顯示資料的雜湊值。換言之，在檢測第二顯示資料的EOF時確定第二雜湊值。確定的第二雜湊值儲存於記憶體1115b中。作為EOF檢測電路，可以使用計數電路或比較電路等。例如，在使用計數電路檢測EOF時，藉由對將資料寫入到圖框記憶體1113的次數進行計數，可以檢測EOF。同樣地，在使用比較電路檢測EOF時，藉由對寫入到圖框記憶體1113的位址進行比較，可以檢測EOF。 [0070] 包括在比較電路1116中的記憶體1116b儲存從顯示在顯示面板1102上的第一顯示資料生成的第一雜湊值。比較控制電路1116a在從EOF檢測電路1115a接收EOF時，對儲存於記憶體1116b中的第一雜湊值及儲存於記憶體1115b中的第二雜湊值進行比較。 [0071] 當比較控制電路1116a判斷對第一雜湊值及第二雜湊值進行比較時的值不同時，將第二雜湊值儲存於記憶體1116b中。再者，啟動時序控制電路1117。時序控制電路1117啟動影像處理電路1114，對影像處理電路1114供應儲存於圖框記憶體1113中的顯示資料。顯示資料由影像處理電路1114進行影像處理。進行了影像處理的顯示資料由時序控制電路1117從影像處理電路1114發送到顯示面板1102，對顯示面板1102的顯示進行更新。 [0072] 圖3示出雜湊生成電路1112的詳細結構。雜湊生成電路1112包括閂鎖電路1130、運算電路1131、加法電路1132及記憶體1133。 [0073] 顯示面板1102包括多個像素，每個像素包括多個子像素。這裡，以像素包括三個子像素的情況為例進行說明。注意，子像素的個數不侷限於三個。像素既可以包括四個子像素，又可以包括更多的子像素。或者，在顯示灰階級的影像的顯示面板1102中，像素包括一個子像素。 [0074] 由解碼器電路1111抽出的顯示資料由三個子顯示資料構成。閂鎖電路1130可以儲存三個子顯示資料。 [0075] 閂鎖電路1130可以對運算電路1131供應三個子顯示資料。此外，閂鎖電路1130可以對圖框記憶體1113供應資料。再者，閂鎖電路1130可以將對運算電路1131及圖框記憶體1113供應資料的時序供應給EOF檢測電路1115a。上述時序根據用來更新輸入到圖框記憶體1113的顯示資料的控制信號來決定。作為一個例子，控制信號可以為用來對圖框記憶體1113寫入資料的選擇信號或寫入信號等。因此，選擇信號或寫入信號適合於計數對圖框記憶體1113寫入資料的次數。 [0076] 運算電路1131藉由對每個子顯示資料進行運算處理生成第一中間資料。在圖5A至圖5F以及圖6A至圖6C中對第一中間資料的生成方法進行詳細說明。第一中間資料供應給加法電路1132。加法電路1132可以對第一中間資料與儲存於記憶體1133中的第二中間資料進行加法。加法的結果供應給記憶體1115b作為子顯示資料的第二中間資料。再者，加法的結果複寫於記憶體1133中。 [0077] 雜湊生成電路1112藉由對每個子顯示資料進行運算處理，可以求出每個子雜湊值。雜湊值藉由組合每個子雜湊值生成。因此，雜湊值在由EOF檢測電路1115a檢測的EOF的時序儲存於記憶體1115b中。以後，由EOF檢測電路1115a確定的第二中間資料稱為子雜湊值。子雜湊值示出子顯示資料的積分值。 [0078] 參照圖4、圖5A至圖5F以及圖6A至圖6C說明生成雜湊值的運算電路1131的運算處理。作為一個例子，圖4示出顯示面板1102的座標資料。顯示面板1102包括像素P（1、1）至像素P（m、n）。例如，像素P（i、j）包括座標資料（i、j）。也就是說，座標資料是指由顯示資料顯示的像素的顯示位置。注意，i為1以上且m以下的自然數，j為1以上且n以下的自然數。 [0079] 在圖5A至圖5F中，為了簡單地說明，說明像素P（1、1）至像素P（4、4）。圖5A至圖5F示出對用來生成雜湊值的顯示資料進行積分的座標。如圖5A所示，雜湊值較佳為對所有的顯示資料進行積分來得到。注意，在增加像素數的情況下，在對所有的顯示資料進行積分時，與像素數的增加成比例運算量也增加。再者，與像素數的增加成比例功耗也增加。此外，當對所有的顯示資料進行積分時，有如下問題：在圖形或文字等顯示資料向上下左右方向或傾斜方向平行移動時，雜湊值的算出結果沒有變化。 [0080] 例如，當像素P（1、1）的顯示資料向像素P（2、2）平行移動時，對像素P（1、1）與像素P（2、2）的顯示資料一起進行積分，所以所得到的雜湊值沒有變化。換言之，難以從雜湊值檢測顯示資料的變化。 [0081] 圖5B至圖5F與圖5A相比可以減少用來算出雜湊值的運算量。再者，在對顯示在圖5B至圖5F中的位置的顯示資料進行積分時，即使圖形或文字等的顯示平行移動也可以算出正確的雜湊值。 [0082] 在圖5B的例子中，藉由對x座標的奇數列的顯示資料進行積分，雜湊值的運算量可以為圖5A的二分之一。藉由增大所積分的x座標的間隔可以進一步減少雜湊值的運算量。但是，當在所運算的x座標的間隔內顯示向x方向平行移動時，雜湊值沒有變化。 [0083] 例如，即使像素P（1、1）的顯示資料向像素P（3、1）平行移動，對像素P（1、1）與像素P（3、1）的顯示資料一起進行積分，所以所得到的雜湊值也沒有變化。作為不同的例子，在所積分的x座標間隔為如像素P（1、1）及像素P（1、4）那樣與圖5B不同的間隔時，即使像素P（2、1）的顯示資料向像素P（3、1）平行移動，也不對像素P（2、1）及像素P（3、1）的顯示資料進行積分，所以所得到的雜湊值沒有變化。換言之，難以從雜湊值檢測顯示資料的變化。 [0084] 此外，在顯示內容向y方向平行移動時，有如下問題：在為了算出雜湊值進行積分的座標都進行或都不進行積分時，算出的雜湊值不反映顯示變化。因此，電子裝置1000的使用者較佳為設定不需要反應顯示內容的移動的變化範圍。 [0085] 此外，在圖5B中，與上述不同，雜湊值也可以對x座標的偶數列的顯示資料進行積分來得到。此外，在圖5B中，既可以對y座標的奇數列的顯示資料進行積分，又可以對y座標的偶數列的顯示資料進行積分。 [0086] 圖5C示出對y座標為奇數行時的x座標的奇數列的顯示資料進行積分且對y座標為偶數行時的x座標的偶數列的顯示資料進行積分的例子。雜湊值的運算量可以為圖5A的二分之一。與圖5B相比，圖5C可以對於上下左右的平行移動的變化反映到雜湊值。 [0087] 圖5D示出從圖5C減少積分的x座標的個數的例子。因此，雜湊值的運算量可以為圖5A的四分之一。也就是說，圖5D的配置為圖5B與圖5C的組合，在減少運算量的同時，除了上下左右的平行移動以外還可以將傾斜方向的平行移動的變化也反映到雜湊值。 [0088] 圖5E示出對在傾斜方向上排列的座標群的顯示資料進行積分的例子。雜湊值的運算量可以為圖5A的四分之一。再者，除了上下左右的平行移動以外還可以將傾斜方向的平行移動的變化反映到雜湊值。 [0089] 圖5F示出從圖5E減少所積分的座標的個數的例子。雜湊值的運算量可以為圖5A的八分之一。再者，除了上下左右的平行移動以外還可以將傾斜方向的平行移動的變化反映到雜湊值。注意，當在x座標間隔內包括x方向的平行移動的範圍時，雜湊值沒有變化。y座標也具有相同的問題。 [0090] 例如，即使像素P（1、1）的顯示資料向像素P（3、3）平行移動也對像素P（1、1）與像素P（3、3）的顯示資料一起進行積分，所以所得到的雜湊值沒有變化。作為不同的例子，在所積分的x座標間隔如像素P（2、2）及像素P（4、4）那樣具有間隔時，即使像素P（2、2）的顯示資料向像素P（4、4）平行移動，也不對像素P（2、2）及像素P（4、4）的顯示資料進行積分，所以所得到雜湊值沒有變化。換言之，難以從雜湊值檢測顯示資料的變化。 [0091] 在圖5B至圖5F中，所積分的座標資料具有有規則的間隔。因此，運算電路1131可以容易設定所積分的座標資料。圖5B至圖5F所示的座標資料只是一個例子而已，對所積分的座標位置沒有限制。此外，當圖5B至圖5F所說明的有規則的間隔例如應用於更廣大的範圍諸如像素P（1、1）至像素P（i、j）時，較佳為具有與上述不同的有規則的間隔。 [0092] 參照圖6A至圖6C說明將權係數加到運算電路1131的運算處理的方法。例如，在顯示內容平行移動時，藉由將權係數加到第一中間資料，可以算出準確地反映顯示內容的變化的雜湊值。 [0093] 圖6A示出顯示資料的一個例子。顯示資料由RGB的三個子顯示資料構成。藉由每個子顯示資料具有權係數，即使具有相同的灰階的顯示資料，也可以生成不同的第一中間資料。 [0094] 這裡，為了簡單的說明，對圖5A的顯示位置的子顯示資料進行積分處理時的例子。顯示資料以24位元寬度由RGB的三種顏色構成。因此，子顯示資料的每一個具有8（=24/3）位元寬度。子顯示資料的每個位元由0（LSB）至7（MSB）表示。由儲存於0至7的位元中的二進位資料取得顯示灰階。 [0095] 圖6A至圖6C示出將權係數加到子顯示資料的方法。權係數較佳為以位元移位加上不同的權。再者，藉由位元移位產生的溢出位元根據消失的方法（圖6B）或再次利用的方法（圖6C），子雜湊值的算出結果不同。也就是說，較佳為藉由子顯示資料向左移位（在1位元向左移位時，子顯示資料大一倍），算出子雜湊值。 [0096] 在圖6B中，在如像素P（2、1）所示那樣向左移位時，位元7溢出。換言之，示出溢出的位元7的資料消失的例子。此外，當向左移位時，將位元s加到位元0的位置作為存儲位元。位元s為“0”或“1”。藉由對子顯示資料進行位元移位處理，將每個顯示位置的子顯示資料轉換為不同的第一中間資料。 [0097] 作為一個例子，在向x方向顯示內容平行移動時，運算電路1131由於將權係數加到子顯示資料，所以即使子顯示資料相同，也可以生成不同的第一中間資料。 [0098] 圖6C示出以與圖6B不同的方法加上權係數的例子。首先，藉由與圖6B相同地向左移位，生成第一中間資料。如像素P（2、1）所示那樣，在向左移位時，位元7溢出。注意，溢出的位元7的資料不消失而加到位元0。換言之，藉由使子顯示資料循環來生成第一中間資料，可以防止資料的消失。 [0099] 因此，藉由雜湊生成電路1112對在每個顯示位置改變權係數生成的第一中間資料進行積分，可以生成反映顯示內容的變化的雜湊值。上面示出位元移位寬度向左移位1位元的例子，但是對移位方向、每個座標的移位寬度及子顯示資料所包括的位元寬度的移位量沒有限制，較佳為可以適當地選擇。 [0100] 在圖6B或圖6C中示出將不同的權係數加到不同的座標位置的像素的例子，但是加上權係數的方法不侷限於此，也可以組合加上不同的權係數的方法。雜湊值的生成方法不侷限於上述方法，也可以使用錯誤檢測符號生成雜湊值。例如，也可以使用作為錯誤檢測符號的CRC32或作為加密學雜湊函數的MD5、RIPEMD-256、SHA-1、SHA-256、SHA-384等已知的函數。 [0101] 圖5A至圖5F示出藉由選擇對子顯示資料進行積分的顯示位置，生成準確地反映顯示內容的變化的雜湊值的方法。在圖6A至圖6C中，藉由將權係數還加到子顯示資料，即使減少運算量也可以生成反映顯示內容的變化的雜湊值。因此，藉由對顯示資料的雜湊值進行比較，可以判斷是否顯示面板1102的顯示內容與下一個圖框的顯示資料相同。當示出顯示內容的雜湊值不同時，記憶體1116b被第二雜湊值更新，由此顯示面板的顯示被更新。當示出顯示內容的雜湊值相同時，保持於記憶體1116b中的雜湊值及顯示面板的顯示不被更新。 [0102] 顯示控制器1101在顯示資料的雜湊值不同時對顯示進行更新，在顯示資料的雜湊值相同時可以進行空轉停止驅動而不需要處理器的監視。 [0103] 顯示面板的像素數越多，用來更新顯示面板的顯示的功耗越大。因此，在本實施方式中所示的顯示裝置與高清（像素數1366´768）相比應用於全高清（像素數1920´1080）時功耗得到降低。此外，與全高清相比應用於4K（像素數3840´2160）時功耗進一步得到降低。再者，應用於8K（像素數7680´4320）時功耗顯著得到降低。 [0104] 本實施方式所示的結構、方法可以與其他實施方式所示的結構、方法適當地組合而實施。 [0105] 實施方式2 在本實施方式中，對本發明的一個實施方式的顯示裝置進行說明。 [0106] 本發明的一個實施方式是一種包括多個像素排列為矩陣狀的顯示區域（也稱為像素部）的顯示裝置。在像素部中分別設置有：多個被供應選擇信號的佈線（也稱為閘極線或掃描線）；以及多個被供應寫入像素的信號（也稱為視訊信號等）的佈線（也稱為源極線、信號線、資料線等）。在此，閘極線之間或源極線之間分別以彼此平行的方式設置，閘極線和源極線彼此交叉。 [0107] 一個像素包括至少一個電晶體以及一個顯示元件。顯示元件包括被用作像素電極的導電層，該導電層與電晶體的源極和汲極中的一個電連接。另外，電晶體的閘極與閘極線電連接，源極和汲極中的另一個與源極線電連接。 [0108] 在此，閘極線的延伸方向稱為行方向或第一方向，源極線的延伸方向稱為列方向或第二方向。 [0109] 在此，較佳為對相鄰的兩個以上的閘極線供應相同的選擇信號。就是說，這些閘極線的選擇期間較佳為相同。在此，使用以三個閘極線為一組的例子進行說明。注意，閘極線的選擇期間同一的閘極線的個數不侷限於三個一組，也可以將四個以上的個數的閘極線設為一組。 [0110] 在對三個閘極線供應相同的選擇信號時，在列方向上相鄰的三個像素同時被選擇。由此，對該三個像素分別連接不同的源極線。就是說，每列排列有三個源極線。 [0111] 在此，三個源極線中的位於內側的源極線較佳為以與被用作像素電路的導電層重疊的方式配置。由此，可以縮短各像素電極之間的距離。 [0112] 再者，較佳為採用三個源極線中的位於外側的源極線和內側的源極線之間設置有電晶體的半導體層的一部分的結構。例如在將第一至第三源極線依次排列時，採用與第一源極線連接的電晶體以及與第二源極線連接的電晶體的半導體層的一部分位於第一源極線和第二源極線之間的結構。再者，採用與第三源極線連接的電晶體的半導體層的一部分位於第二源極線和第三源極線之間的結構。由此，可以成為各源極線和各半導體層之間的節點不與其他源極線交叉的結構。因此，可以減少各源極線之間的寄生電容。 [0113] 藉由採用該結構，可以比以前延長一水平期間。例如在對三個閘極線供應相同的選擇信號時，可以將一水平期間的長度增大三倍。再者，由於可以減少各源極線之間的寄生電容，所以可以減少源極線的負載。由此，即使是解析度是4K、8K等極高的顯示裝置，也可以使用場效移動率低的電晶體使顯示裝置工作。另外，上述結構也可以適用於螢幕尺寸為對角線50英寸以上、60英寸以上或者70英寸以上的大型顯示裝置。 [0114] 以下參照圖式對顯示裝置的更具體的例子進行說明。 [0115] [顯示裝置的結構例子] 圖7示出本發明的一個實施方式的顯示裝置1100的方塊圖。顯示裝置1100包括像素區域（顯示區域）、源極驅動器（Source Driver）以及閘極驅動器（Gate Driver）。 [0116] 圖7示出夾著像素區域包括兩個閘極驅動器的例子。上述兩個閘極驅動器連接有多個閘極線GL0
。圖7示出第i個閘極線GL0
（i）。閘極線GL0
（i）與三個閘極線（閘極線GL（i）、閘極線GL（i+1）及閘極線GL（i+2））電連接。因此，對上述三個閘極線供應相同的選擇信號。 [0117] 源極驅動器連接有多個源極線。在一個像素列上設置有三個源極線。圖7示出對應於第j個像素列的三個源極線（源極線SL1
（j）、源極線SL2
（j）、源極線SL3
（j））以及對應於第j+1個像素列的三個源極線（源極線SL1
（j+1）、源極線SL2
（j+1）、源極線SL3
（j+1））。 [0118] 一個像素包括至少一個電晶體以及被用作顯示元件的像素電極的一個導電層21。像素是對應於一個顏色的像素。因此，在利用多個像素所發射的光的混色進行彩色顯示時，像素也可以稱為子像素。 [0119] 另外，在列方向上排列的多個像素較佳為分別發射相同的顏色的像素。在作為顯示元件使用液晶元件的情況下，排列在列方向上的像素為設置有與液晶元件重疊並使相同顏色的光透過的彩色層的結構。 [0120] 在此，在對應於一個像素列的三個源極線中，位於內側的源極線（源極線SL2
（j））的一部分較佳為與導電層21重疊。再者，源極線SL2
（j）較佳為與其他源極線隔開地在導電層21的中央部分配置。例如，較佳為以源極線SL1
（j）與源極線SL2
（j）間的間隔及源極線SL2
（j）與源極線SL3
（j）間的間隔大致相同的方式配置。由此，可以更有效地減少源極線之間所產生的寄生電容且減少每一個源極線的負載。 [0121] 在此，在使用場效移動率很難提高的非晶矽等的電晶體時，作為實現高解析度的方法可以舉出將顯示裝置中的顯示區域分成多個像素區域而驅動的方法。但是在上述結構的情況下，有時因驅動電路的特性的不均勻等使被分割的像素區域的邊界被看到，而導致可見度降低。另外，需要進行用於預先分割被輸入的影像資料的影像處理，並且需要高速且大規模的影像處理裝置。 [0122] 另一方面，本發明的一個實施方式的顯示裝置即使在使用場效移動率較低的電晶體時也無需分割顯示區域而驅動。 [0123] 雖然圖7示出沿著像素區域的一側的邊配置源極驅動器的例子，但是也可以沿著像素區域的彼此相對的兩個邊以夾著像素區域的方式配置源極驅動器。 [0124] 圖8示出在設置於像素區域的多個源極線中，與奇數列連接的源極驅動器IC及與偶數列連接的源極驅動器IC彼此相對配置的例子。換言之，排列在行方向的多個源極線交替地連接於不同的源極驅動器IC。圖8示出源極線SL1
（j）及源極線SL3
（j）與位於上側的源極驅動器IC連接，源極線SL2
（j）與位於下側的源極驅動器IC連接的例子。藉由採用上述結構，即使是大型顯示裝置也可以減少佈線電阻的電位下降導致的顯示的不均勻。此外，藉由採用圖8的結構，與圖7的結構相比，可以使源極驅動器IC的配置面積增大，所以可以使相鄰的兩個源極驅動器IC之間的距離增大，由此可以提高良率。 [0125] [像素的結構例子] 下面，說明配置在顯示裝置1100的像素區域中的像素的結構例子。 [0126] 圖9A示出包括在列方向上排列的三個像素的電路圖。 [0127] 一個像素包括電晶體30、液晶元件20以及電容器60。 [0128] 佈線S1至S3分別對應於源極線，佈線G1至G3分別對應於閘極線。另外，佈線CS與電容器60中的一個電極電連接，並且被供應預定的電位。 [0129] 像素與佈線S1至S3中的一個以及佈線G1至G3中的一個電連接。作為一個例子，說明與佈線S1及佈線G1連接的像素。電晶體30的閘極與佈線G1電連接，源極和汲極中的一個與佈線S1電連接，另一個與電容器60中的另一個電極及液晶元件20中的一個電極（像素電極）電連接。對電容器60中的一個電極供應共用電位。 [0130] 圖9B示出與佈線S1及佈線G1連接的像素的佈局的例子。 [0131] 如圖9B所示，佈線G1及佈線CS在行方向（橫方向）上延伸，佈線S1至佈線S3在列方向（縱方向）上延伸。 [0132] 另外，在電晶體30中，在佈線G1上設置半導體層32，並且佈線G1的一部分被用作閘極電極。另外，佈線S1的一部分被用作源極電極和汲極電極中的一個。半導體層32具有位於佈線S1和佈線S2之間的區域。 [0133] 電晶體30的源極電極和汲極電極中的另一個與被用作像素電極的導電層21藉由連接部38電連接。另外，與導電層21重疊的位置設置有彩色層41。 [0134] 另外，導電層21具有與佈線S2重疊的部分。另外，導電層21較佳為不與位於其兩端的佈線S1及佈線S3重疊。由此，可以減少佈線S1及佈線S3的寄生電容。 [0135] 在此，當將佈線S1與佈線S2之間的距離設為距離D1，將佈線S2與佈線S3之間的距離設為距離D2時，較佳為距離D1與距離D2大致相同。例如，較佳為將對於距離D1的距離D2的比率（亦即D2/D1值）設定為0.8以上且1.2以下，較佳為0.9以上且1.1以下。由此，可以降低佈線S1與佈線S2之間的寄生電容及佈線S2與佈線S3之間的寄生電容。 [0136] 另外，藉由延長各佈線之間的距離，在製程中在塵埃等附著於佈線之間的情況下，可以容易藉由清洗進行去除，所以可以提高良率。在作為清洗方法使用線狀清洗裝置的情況下，藉由沿著佈線S1等的延伸方向一邊移動基板一邊進行清洗，可以更容易去除塵埃，所以是較佳的。 [0137] 另外，在圖9B中，在佈線S1至佈線S3的一部分以及佈線CS的一部分中具有比其他部分粗的部分。由此，可以降低佈線電阻。 [0138] 圖9C及圖9D分別示出與佈線G2及佈線G3連接的像素的佈局的例子。 [0139] 在圖9C中，設置在佈線G2上的半導體層32與佈線S2電連接，並且具有位於佈線S1與佈線S2之間的部分。 [0140] 另外，在圖9D中，設置在佈線G3上的半導體層32與佈線S3電連接，並且具有位於佈線S2與佈線S3之間的部分。 [0141] 另外，圖9B、圖9C及圖9D所示的各像素較佳為發射相同顏色的像素。可以在重疊於導電層21的區域層疊而配置使相同顏色的光透過的彩色層41。另外，在列方向上相鄰的像素可以具有與圖9B、圖9C及圖9D相同的結構，但是只使彩色層41為使不同顏色透過的彩色層。 [0142] [剖面結構例子] 下面說明顯示裝置的剖面結構的一個例子。 [0143] [剖面結構例子1] 圖10示出對應於圖9B的切割線A1-A2的剖面的一個例子。在此示出作為顯示元件適用透射型液晶元件20的情況下的例子。在圖10中，基板12一側是顯示面一側。 [0144] 顯示裝置1100具有液晶22夾在基板11與基板12之間的結構。液晶元件20包括：設置在基板11一側的導電層21；設置在基板12一側的導電層23；以及由上述導電層夾持的液晶22。另外，液晶22和導電層21之間設置有配向膜24a，液晶22和導電層23之間設置有配向膜24b。 [0145] 導電層21用作像素電極。另外，導電層23用作共用電極等。另外，導電層21及導電層23都具有使可見光透過的功能。由此，液晶元件20是透射型液晶元件。 [0146] 基板12的基板11一側的面上設置有彩色層41及遮光層42。以覆蓋彩色層41及遮光層42的方式設置有絕緣層26。以覆蓋絕緣層26的方式設置有導電層23。另外，彩色層41設置在與導電層21重疊的區域中。遮光層42以覆蓋電晶體30及連接部38的方式設置。 [0147] 基板11的外側配置有偏光板39a，基板12的外側配置有偏光板39b。再者，偏光板39a的外側設置有背光單元90。 [0148] 基板11上設置有電晶體30及電容器60等。電晶體30被用作像素的選擇電晶體。電晶體30藉由連接部38與液晶元件20電連接。 [0149] 圖10所示的電晶體30為所謂底閘極型通道蝕刻結構的電晶體。電晶體30包括：被用作閘極電極的導電層31；被用作閘極絕緣層的絕緣層34；半導體層32；被用作源極區域及汲極區域的一對雜質半導體層35；以及被用作源極電極及汲極電極的一對導電層33a及導電層33b。半導體層32中的與導電層31重疊的部分被用作通道形成區域。半導體層32與雜質半導體層35以接觸的方式設置，雜質半導體層35與導電層33a或導電層33b以接觸的方式設置。 [0150] 導電層31對應於圖9B中的佈線G1的一部分，導電層33a對應於佈線S1的一部分。另外，在後面說明的導電層31a、導電層33c及導電層33d分別對應於佈線CS、佈線S2及佈線S3。 [0151] 作為半導體層32，較佳為使用包含矽的半導體。例如，可以使用非晶矽、微晶矽或多晶矽等。尤其是，使用非晶矽時可以高良率地形成在大型基板上，所以是較佳的。本發明的一個實施方式的顯示裝置即使利用使用場效移動率較低的非晶矽的電晶體也可以進行良好的顯示。在使用非晶矽時，較佳為使用利用氫實現懸空鍵的終結的氫化非晶矽（有時記為a-Si：H）。 [0152] 構成雜質半導體層35的雜質半導體膜使用對其添加賦予一種導電類型的雜質元素的半導體來形成。當電晶體為n型時，作為添加有賦予一種導電型的雜質元素的半導體，例如可以舉出添加有P或As的矽。或者，當電晶體為p型時，作為添加有賦予一種導電型的雜質元素，例如可以添加B，但是電晶體較佳為n型。雜質半導體層35可使用非晶半導體或者如微晶半導體等的結晶半導體來形成。 [0153] 電容器60由導電層31a、絕緣層34以及導電層33b構成。另外，在導電層31a上隔著絕緣層34分別設置有導電層33c以及導電層33d。 [0154] 以覆蓋電晶體30等的方式層疊而設置有絕緣層82和絕緣層81。被用作像素電極的導電層21設置在絕緣層81上。另外，在連接部38中，藉由在絕緣層81及絕緣層82中設置的開口，導電層21與導電層33b電連接。絕緣層81較佳為被用作平坦化層。另外，絕緣層82較佳為具有抑制雜質等擴散到電晶體30等的作為保護膜的功能。例如，作為絕緣層82可以使用無機絕緣材料，作為絕緣層81可以使用有機絕緣材料。 [0155] [剖面結構例子2] 上面作為液晶元件示出一對電極配置在液晶的上下的垂直電場方式液晶元件的例子，但是液晶元件的結構不侷限於此，可以使用各種方式的液晶元件。 [0156] 圖11示出採用具有FFS（Fringe Field Switching：邊緣場切換）模式的液晶元件的顯示裝置的剖面示意圖。 [0157] 液晶元件20包括：被用作像素電極的導電層21；以及與導電層21隔著絕緣層83重疊的導電層23。導電層23具有狹縫狀或梳齒狀的頂面形狀。 [0158] 另外，在上述結構中，在導電層21與導電層23重疊的部分形成有電容器，可以將該電容器用作電容器60。由此，可以減小像素的佔有面積，所以可以實現高解析度的顯示裝置。另外，可以提高開口率。 [0159] 在此，在製造顯示裝置時，製程中的光微影製程越少，亦即光罩的遮罩數越少，越可以降低製造成本。 [0160] 例如，在圖10所示的結構中，基板11一側可以藉由導電層31等的形成製程、半導體層32及雜質半導體層35的形成製程、導電層33a等的形成製程、用作連接部38的開口的形成製程以及導電層21的形成製程的共五個光微影製程製造。就是說，可以由五個光罩製造背板基板。另一方面，在基板12（相對基板）一側，作為彩色層41及遮光層42的形成方法，如使用噴墨法或網版印刷法，則不需要光罩，所以是較佳的。例如，在設置三個顏色的彩色層41及遮光層42的情況下，與利用光微影法形成的情況相比，可以減少四個光罩。 [0161] 以上是剖面結構例子的說明。 [0162] [電晶體的結構例子] 以下說明與上述不同的電晶體的結構例子。 [0163] 圖12A所示的電晶體在半導體層32與雜質半導體層35之間包括半導體層37。 [0164] 半導體層37可以由與半導體層32相同的半導體膜形成。半導體層37可以被用作在對雜質半導體層35進行蝕刻時防止半導體層32由於蝕刻而消失的蝕刻停止層。注意，圖12A示出半導體層37左右分離的例子，但是半導體層37的一部分也可以覆蓋半導體層32的通道形成區域。 [0165] 另外，半導體層37也可以包括其濃度低於雜質半導體層35的雜質。由此，可以將半導體層37用作LDD（Lightly Doped Drain）區域，而可以抑制驅動電晶體時的熱載子劣化。 [0166] 在圖12B所示的電晶體中，在半導體層32的通道形成區域上設置有絕緣層84。絕緣層84被用作在對雜質半導體層35進行蝕刻時的蝕刻停止層。 [0167] 圖12C所示的電晶體包括代替半導體層32的半導體層32p。半導體層32p包括高結晶性的半導體膜。例如，半導體層32p包括多晶半導體或單晶半導體。由此，可以實現場效移動率高的電晶體。 [0168] 圖12D所示的電晶體在半導體層32的通道形成區域中包括半導體層32p。例如圖12D所示的電晶體可以藉由對成為半導體層32的半導體膜照射雷射等藉由局部晶化而形成。由此，可以實現場效移動率高的電晶體。 [0169] 圖12E所示的電晶體在圖12A所示的電晶體的半導體層32的通道形成區域中包括具有結晶性的半導體層32p。 [0170] 圖12F所示的電晶體在圖12B所示的電晶體的半導體層32的通道形成區域中包括具有結晶性的半導體層32p。 [0171] 以上是電晶體的結構例子的說明。 [0172] [各組件] 下面，說明上述各組件。 [0173] [基板] 顯示面板所包括的基板可以使用具有平坦面的材料。作為提取來自顯示元件的光的基板，使用使該光透過的材料。例如，可以使用玻璃、石英、陶瓷、藍寶石或有機樹脂等的材料。 [0174] 藉由使用厚度薄的基板，可以實現顯示面板的輕量化及薄型化。再者，藉由使用其厚度允許其具有撓性的基板，可以實現具有撓性的顯示面板。或者，可以將薄得足以具有撓性的玻璃等用於基板。或者，可以使用玻璃與樹脂材料由黏合層貼合在一起的複合材料。 [0175] [電晶體] 電晶體包括被用作閘極電極的導電層、半導體層、被用作源極電極的導電層、被用作汲極電極的導電層以及被用作閘極絕緣層的絕緣層。 [0176] 注意，對本發明的一個實施方式的顯示裝置所包括的電晶體的結構沒有特別的限制。例如，可以採用平面型電晶體、交錯型電晶體或反交錯型電晶體。另外，還可以採用頂閘極型或底閘極型的電晶體結構。或者，也可以在通道的上下設置有閘極電極。 [0177] 對用於電晶體的半導體材料的結晶性也沒有特別的限制，可以使用非晶半導體或具有結晶性的半導體（微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體）。當使用具有結晶性的半導體時可以抑制電晶體的特性劣化，所以是較佳的。 [0178] 形成電晶體的通道的半導體例如可以使用矽。作為矽，尤其較佳為使用非晶矽。藉由使用非晶矽，可以在大型基板上以高良率形成電晶體，生產性優良。 [0179] 另外，也可以使用微晶矽、多晶矽、單晶矽等具有結晶性的矽。尤其是，多晶矽與單晶矽相比能夠在低溫下形成，並且其場效移動率和可靠性比非晶矽高。 [0180] 或者，電晶體的半導體層也可以使用金屬氧化物。已知在半導體層中包含金屬氧化物的電晶體的關態電流小。藉由作為像素的選擇電晶體使用關態電流小的電晶體，即使使顯示的更新間隔長，也可以抑制顯示品質的劣化。因此，由於在顯示靜態影像時，可以減縮顯示的更新間隔，所以可以降低功耗。實施方式1的顯示控制器1101適用於控制在半導體層中包含金屬氧化物的選擇電晶體。在實施方式6中對在半導體層中包含金屬氧化物的電晶體進行詳細說明。 [0181] 本實施方式所示的底閘極結構的電晶體由於能夠減少製程，所以是較佳的。另外，此時藉由使用非晶矽，可以在比多晶矽低的溫度下形成，並且作為半導體層下方的佈線或電極的材料及基板材料可以使用耐熱性低的材料，由此可以擴大材料的選擇範圍。例如，可以適當地使用極大面積的玻璃基板等。另一方面，頂閘極型電晶體容易自對準地形成雜質區域，從而可以減少特性的不均勻等，所以是較佳的。此時，有時尤其適合於多晶矽或單晶矽等。 [0182] [導電層] 作為可用於電晶體的閘極、源極及汲極和構成顯示裝置的各種佈線及電極等導電層的材料，可以舉出鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢等金屬或者以上述金屬為主要成分的合金等。另外，可以以單層或疊層結構使用包含這些材料的膜。例如，可以舉出包含矽的鋁膜的單層結構、在鈦膜上層疊鋁膜的兩層結構、在鎢膜上層疊鋁膜的兩層結構、在銅-鎂-鋁合金膜上層疊銅膜的兩層結構、在鈦膜上層疊銅膜的兩層結構、在鎢膜上層疊銅膜的兩層結構、依次層疊鈦膜或氮化鈦膜、鋁膜或銅膜以及鈦膜或氮化鈦膜的三層結構、以及依次層疊鉬膜或氮化鉬膜、鋁膜或銅膜以及鉬膜或氮化鉬膜的三層結構等。另外，可以使用氧化銦、氧化錫或氧化鋅等氧化物。另外，藉由使用包含錳的銅，可以提高蝕刻時的形狀的控制性，所以是較佳的。 [0183] 另外，作為除了電晶體的閘極、源極以及汲極以外還可以用於構成顯示裝置的各種佈線及電極等的導電層的具有透光性的導電性材料，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導電氧化物或石墨烯。或者，可以使用金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含該金屬材料的合金材料。或者，還可以使用該金屬材料的氮化物（例如，氮化鈦）等。另外，當使用金屬材料、合金材料（或者它們的氮化物）時，可以將其形成得薄到具有透光性。另外，可以將上述材料的疊層膜用作導電層。例如，藉由使用銀和鎂的合金與銦錫氧化物的疊層膜等，可以提高導電性，所以是較佳的。上述材料也可以用於構成顯示裝置的各種佈線及電極等的導電層、顯示元件所包括的導電層（被用作像素電極及共用電極的導電層）。 [0184] [絕緣層] 作為可用於各絕緣層的絕緣材料，例如可以使用丙烯酸樹脂、環氧樹脂等樹脂、具有矽氧烷鍵的樹脂、無機絕緣材料諸如氧化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化矽或氧化鋁等。 [0185] 作為透水性低的絕緣膜，可以舉出氮化矽膜、氮氧化矽膜等含有氮及矽的膜以及氮化鋁膜等含有氮及鋁的膜等。另外，也可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜以及氧化鋁膜等。 [0186] [液晶元件] 作為液晶元件，例如可以採用使用VA（Vertical Alignment：垂直配向）模式的液晶元件。作為垂直配向模式，可以使用MVA（Multi-Domain Vertical Alignment：多象限垂直配向）模式、PVA（Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型）模式、ASV（Advanced Super View：超視覺）模式等。 [0187] 另外，作為液晶元件，可以採用使用各種模式的液晶元件。例如，除了VA（Vertical Alignment：垂直配向）模式以外，可以使用TN（Twisted Nematic：扭曲向列）模式、IPS（In-Plane-Switching：平面切換）模式、FFS（Fringe Field Switching：邊緣電場切換）模式、ASM（Axially Symmetric Aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元）模式、OCB（Optically Compensated Birefringence：光學補償彎曲）模式、FLC（Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電性液晶）模式、AFLC（AntiFerroelectric Liquid Crystal：反鐵電液晶）模式、ECB（Electrically Controlled Birefringence：電控雙折射）模式、賓主模式等的液晶元件。 [0188] 另外，液晶元件是利用液晶的光學調變作用而控制光的透過或非透過的元件。液晶的光學調變作用由施加到液晶的電場（包括橫向電場、縱向電場或傾斜方向電場）控制。作為用於液晶元件的液晶可以使用熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（PDLC:Polymer Dispersed Liquid Crystal：聚合物分散液晶）、高分子網路型液晶（PNLC：Polymer Network Liquid Crystal）、鐵電液晶、反鐵電液晶等。這些液晶材料根據條件呈現出膽固醇相、層列相、立方相、手向列相、各向同性相等。 [0189] 另外，作為液晶材料，可以使用正型液晶和負型液晶中的任一種，根據所適用的模式或設計可以採用適當的液晶材料。 [0190] 另外，為了控制液晶的配向，可以設置配向膜。在採用橫向電場方式的情況下，也可以使用不使用配向膜的呈現藍相的液晶。藍相是液晶相的一種，是指當使膽固醇液晶的溫度上升時即將從膽固醇相轉變到各向同性相之前出現的相。因為藍相只在窄的溫度範圍內出現，所以將其中混合了幾wt%以上的手性試劑的液晶組合物用於液晶層，以擴大溫度範圍。包含呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物的回應速度快，並且其具有光學各向同性。另外，包含呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物不需要配向處理，並且視角依賴性小。另外，由於不需要設置配向膜而不需要摩擦處理，因此可以防止由於摩擦處理而引起的靜電破壞，並可以降低製程中的液晶顯示裝置的不良及破損。 [0191] 另外，作為液晶元件，可以舉出透射型液晶元件、反射型液晶元件、半透射型液晶元件等。 [0192] 在本發明的一個實施方式中，尤其可以適當地採用透射型液晶元件。 [0193] 當採用透射型液晶元件或半透射型液晶元件時，以夾著一對基板的方式設置兩個偏光板。另外，在一個偏光板的外側設置背光源。背光源可以是直下型背光源，也可以是邊緣照明型背光源。當使用具備LED（Light Emitting Diode：發光二極體）的直下型背光源時，容易進行區域調光（local dimming）處理，由此可以提高對比度，所以是較佳的。另外，當使用邊緣照明型背光源時，可以將包括背光源的模組形成得較薄，所以是較佳的。 [0194] 另外，藉由使邊緣照明型背光源為關閉狀態，可以進行透空顯示。 [0195] [彩色層] 作為能夠用於彩色層的材料，可以舉出金屬材料、樹脂材料、包含顏料或染料的樹脂材料等。 [0196] [遮光層] 作為能夠用於遮光層的材料，可以舉出碳黑、鈦黑、金屬、金屬氧化物或包含多個金屬氧化物的固溶體的複合氧化物等。遮光層也可以為包含樹脂材料的膜或包含金屬等無機材料的薄膜。另外，也可以對遮光層使用包含彩色層的材料的膜的疊層膜。例如，可以採用包含用於使某個顏色的光透過的彩色層的材料的膜與包含用於使其他顏色的光透過的彩色層的材料的膜的疊層結構。藉由使彩色層與遮光層的材料相同，除了可以使用相同的設備以外，還可以實現製程簡化，因此是較佳的。 [0197] 以上是各組件的說明。 [0198] 本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。 [0199] 實施方式3 在本實施方式中，對能夠用於電晶體的半導體層的多晶矽的晶化方法及雷射晶化裝置的一個例子進行說明。 [0200] 為了形成結晶性良好的多晶矽層，較佳為採用在基板上形成非晶矽層並對該非晶矽層照射雷射而進行晶化的方法。例如，作為雷射使用線狀光束，一邊移動基板一邊將該線狀光束照射到非晶矽層，由此可以在基板上的所希望的區域形成多晶矽層。 [0201] 使用線狀光束的方法的生產量比較好。然而，使用線狀光束的方法是將雷射以相對地移動的方式多次照射到一個區域的方法，因此，雷射的輸出變動及起因於雷射的輸出變動的光束分佈的變化容易導致結晶性不均勻。例如，當將用該方法晶化的半導體層用於顯示裝置的像素所包括的電晶體時，有時在顯示螢幕上出現起因於結晶性不均勻的無規則的條紋。 [0202] 另外，理想的是線狀光束的長度為基板的一邊的長度以上，但是線狀光束的長度受到雷射振盪器的輸出和光學系統的結構的限制。因此，當對大型基板進行處理時，對基板面內折回地照射雷射是現實的。因此，產生重複照射雷射的區域。該區域的結晶性容易與其他區域的結晶性不同，因此該區域有時發生顯示不均勻。 [0203] 為了抑制上述問題的發生，也可以對基板上的非晶矽層局部性地照射雷射而使其晶化。藉由局部性地照射雷射，容易形成結晶性不均勻少的多晶矽層。 [0204] 圖13A是說明對形成在基板上的非晶矽層局部性地照射雷射的方法的圖。 [0205] 從光學系統單元821射出的雷射826被鏡子822反射而入射到微透鏡陣列823。微透鏡陣列823集聚雷射826而形成多個雷射光束827。 [0206] 形成有非晶矽層840的基板830固定在載物台815。藉由對非晶矽層840照射多個雷射光束827，可以同時形成多個多晶矽層841。 [0207] 微透鏡陣列823所包括的各微透鏡較佳為以顯示裝置的像素間距設置。或者，也可以以像素間距的整數倍的間隔設置。無論採用上述任何方式，都可以藉由反復在X方向或Y方向上移動載物台815並照射雷射來在對應於所有的像素的區域形成多晶矽層。 [0208] 例如，在微透鏡陣列823以像素間距具有M行N列（M和N為自然數）的微透鏡的情況下，首先，藉由對指定的開始位置照射雷射，可以形成M行N列的多晶矽層。然後，在行方向上移動載物台815相當於N列的距離並照射雷射，進一步形成M行N列的多晶矽層841，由此可以形成M行2N列的多晶矽層841。藉由反復進行該製程，可以在所希望的區域形成多個多晶矽層841。另外，在折回地照射雷射的情況下，反復進行在行方向上移動載物台815相當於N列的距離並照射雷射的製程及在列方向上移動載物台815相當於M行的距離並照射雷射的製程。 [0209] 另外，藉由適當地調節雷射的振盪頻率及載物台815的移動速度，即使是一邊在一個方向上移動載物台815一邊照射雷射的方法，也可以以像素間距形成多晶矽層。 [0210] 例如可以將雷射光束827的尺寸設定為包括一個電晶體的半導體層整體的程度的面積。或者，可以將其設定為包括一個電晶體的通道區域整體的程度的面積。或者，可以將其設定為包括一個電晶體的通道區域的一部分的程度的面積。雷射光束827的尺寸根據所需要的電晶體的電特性適當地設定即可。 [0211] 另外，在製造一個像素包括多個電晶體的顯示裝置的情況下，可以將雷射光束827設定為包括一個像素內的各電晶體的半導體層整體的程度的面積。另外，也可以將雷射光束827設定為包括多個像素所包括的電晶體的半導體層整體的程度的面積。 [0212] 另外，如圖14A所示，也可以在鏡子822與微透鏡陣列823之間設置遮罩824。遮罩824中設置有對應於各微透鏡的多個開口。可以將該開口的形狀反映到雷射光束827的形狀，如圖14A所示，在遮罩824包括圓形開口的情況下，可以獲得圓形雷射光束827。另外，在遮罩824包括矩形開口的情況下，可以獲得矩形雷射光束827。例如，遮罩824在只想使電晶體的通道區域晶化的情況等下有效。另外，如圖14B所示，也可以將遮罩824設置在光學系統單元821與鏡子822之間。 [0213] 圖13B是說明對可用於上述局部性的雷射照射製程的雷射晶化裝置的主要結構的立體圖。雷射晶化裝置包括作為X-Y載物台的組件的移動機構812、移動機構813及載物台815。另外，還包括用來對雷射光束827進行成型的雷射振盪器820、光學系統單元821、鏡子822及微透鏡陣列823。 [0214] 移動機構812及移動機構813具有在水平方向上進行往復直線運動的功能。作為對移動機構812及移動機構813供應動力的機構，例如可以使用用電動機驅動的滾珠螺桿機構816等。移動機構812及移動機構813的各移動方向垂直地相交，所以固定在移動機構813的載物台815可以在X方向及Y方向上自如地移動。 [0215] 載物台815包括真空吸著機構等固定機構，可以固定基板830等。另外，載物台815也可以根據需要包括加熱機構。另外，雖然未圖示，但是載物台815包括彈力頂出杆及其上下機構，在將基板830等搬出或搬入時，可以在上下方向上移動基板830等。 [0216] 雷射振盪器820能夠輸出具有適於處理目的的波長及強度的光即可，較佳為使用脈衝雷射器，但是也可以使用CW雷射器。典型的是，使用能夠照射波長為351nm至353nm（XeF）或308nm（XeCl）等的紫外光的準分子雷射器。或者，也可以使用固體雷射（YAG雷射、光纖雷射等）的二倍頻（515nm、532nm等）或者三倍頻（343nm、355nm等）。另外，也可以設置多個雷射振盪器820。 [0217] 光學系統單元821例如包括鏡子、光束擴展器、光束均質器等，可以使從雷射振盪器820輸出的雷射825的能量的面內分佈均勻且擴展。 [0218] 作為鏡子822，例如可以使用介電質多層膜鏡子，以使雷射的入射角大致為45°的方式設置。微透鏡陣列823例如可以具有在石英板的頂面或頂底面上設置有多個凸透鏡的形狀。 [0219] 藉由採用上述雷射晶化裝置，可以形成結晶性不均勻少的多晶矽層。 [0220] 本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。 [0221] 實施方式4 在本實施方式中，對本發明的一個實施方式的混合型顯示器進行說明。 [0222] 另外，混合型顯示方法是指在同一像素或同一子像素中顯示多個光並顯示文字及/或影像的方法。另外，混合型顯示器是指在顯示部所包括的同一像素或同一子像素中顯示多個光並顯示文字及/或影像的集合體。 [0223] 作為混合型顯示方法的一個例子，有在同一像素或同一子像素中以不同的顯示時序顯示第一光及第二光而進行顯示的方法。此時，在同一像素或同一子像素中，可以同時顯示同一色調（紅色、綠色和藍色中的任一個或者青色（cyan）、洋紅色（magenta）和黃色（yellow）中的任一個）的第一光及第二光，而在顯示部中顯示文字及/或影像。 [0224] 另外，作為混合型顯示方法的一個例子，有在同一像素或同一子像素中顯示反射光及自發光的方法。在同一像素或同一子像素中，可以同時顯示同一色調的反射光及自發光（例如，OLED（Organic Light Emitting Diode：有機發光二極體）光、LED光等）。 [0225] 注意，在混合型顯示方法中，也可以使用相鄰像素或相鄰子像素顯示多個光而不使用同一像素或同一子像素顯示多個光（1的一部分）。此外，同時顯示第一光及第二光是指在人的眼睛感覺不到閃爍的範圍內以相同期間顯示第一光及第二光，如果人的眼睛感覺不到閃爍，第一光的顯示期間與第二光的顯示期間則也可以不同。 [0226] 另外，混合型顯示器是在同一像素或同一子像素中具有多個顯示元件且在同一期間多個顯示元件的每一個進行顯示的集合體。另外，混合型顯示器在同一像素或同一子像素中具有多個顯示元件及用來驅動顯示元件的主動元件。作為主動元件，有開關、電晶體、薄膜電晶體等。由於多個顯示元件的每一個與主動元件連接，所以可以獨立地控制多個顯示元件的每一個的顯示。 [0227] 注意，在本說明書等中，混合型顯示滿足上述顯示中的任何一個或多個。實施方式1的顯示控制器1101可以控制混合型顯示器。 [0228] 此外，混合型顯示器在一個像素或一個子像素中包括多個顯示元件。作為多個顯示元件，例如可以舉出反射光的反射型元件和發射光的自發光元件。反射型元件和自發光元件可以分別獨立地被控制。混合型顯示器具有在顯示部中使用反射光和自發光中的任何一個或兩個來顯示文字及/或影像的功能。 [0229] 本發明的一個實施方式的顯示裝置可以包括設置有反射可見光的第一顯示元件的像素。此外，可以包括設置有發射可見光的第二顯示元件的像素。此外，可以包括設置有第一顯示元件及第二顯示元件的像素。 [0230] 在本實施方式中，對包括反射可見光的第一顯示元件和發射可見光的第二顯示元件的顯示裝置進行說明。 [0231] 顯示裝置具有利用第一顯示元件所反射的第一光和第二顯示元件所發射的第二光中的一個或兩個顯示影像的功能。另外，顯示裝置具有控制第一顯示元件所反射的第一光的光量和第二顯示元件所發射的第二光的光量來表達灰階的功能。 [0232] 另外，顯示裝置較佳為包括藉由控制第一顯示元件所反射的光的光量來表達灰階的第一像素及藉由控制來自第二顯示元件的發光的光量來表達灰階的第二像素。第一像素及第二像素例如配置為矩陣狀而構成顯示部。 [0233] 另外，較佳為在顯示區域中以相同間距設置相同數量的第一像素及第二像素。此時，可以將包括相鄰的第一像素和第二像素的單元稱為像素單元。由此，如下面所描述，可以在相同的顯示區域中顯示只由多個第一像素顯示的影像、只由多個第二像素顯示的影像及由多個第一像素和多個第二像素的兩者顯示的影像。 [0234] 作為第一像素所包括的第一顯示元件，可以使用反射外光來進行顯示的元件。因為這種元件不包括光源，所以可以使顯示時的功耗為極小。 [0235] 作為第一顯示元件，可以典型地使用反射型液晶元件。或者，作為第一顯示元件，不僅可以使用快門方式的MEMS（Micro Electro Mechanical System：微機電系統）元件、光干涉方式的MEMS元件，而且還可以使用應用微囊方式、電泳方式、電潤濕方式、電子粉流體（註冊商標）方式等的元件。 [0236] 作為第二像素所包括的第二顯示元件，可以使用包括光源且利用來自該光源的光來進行顯示的元件。尤其是，較佳為使用能夠藉由施加電場從發光物質提取發光的電場發光元件。由於這種像素所發射的光的亮度及色度不受到外光的影響，因此這種像素可以顯示色彩再現性高（色域寬）且對比度高的影像，亦即鮮明的影像。 [0237] 作為第二顯示元件，例如可以使用OLED、LED（Light Emitting Diode：發光二極體）、QLED（Quantum-dot Light Emitting Diode：量子點發光二極體）、半導體雷射等自發光型發光元件。或者，作為第二像素所包括的顯示元件，也可以組合作為光源的背光和控制來自背光的光的透過光量的透射型液晶元件而使用。 [0238] 例如，第一像素可以包括呈現白色（W）光的子像素或者包括呈現紅色（R）光的子像素、呈現綠色（G）光的子像素及呈現藍色（B）光的子像素。此外，例如第二像素也可以同樣地包括呈現白色（W）光的子像素或者包括呈現紅色（R）光的子像素、呈現綠色（G）光的子像素及呈現藍色（B）光的子像素。另外，第一像素及第二像素的每一個也可以包括四種顏色以上的子像素。子像素的種類越多，越可以降低功耗並提高色彩再現性。 [0239] 本發明的一個實施方式可以切換由第一像素顯示影像的第一模式、由第二像素顯示影像的第二模式及由第一像素和第二像素顯示影像的第三模式。此外，也可以對第一像素和第二象素輸入彼此不同的影像信號來顯示合成影像。 [0240] 第一模式為利用第一顯示元件所反射的光顯示影像的模式。在第一模式中不需要光源，因此是功耗極低的驅動模式。例如，在外光的照度足夠高且外光為白色光或接近於白色光的情況下，第一模式是有效的。第一模式例如適於顯示書本或文件等的文字資訊。另外，由於使用反射光，因此其顯示對眼睛刺激少，不容易引起眼疲勞。 [0241] 第二模式為利用第二顯示元件所發射的光顯示影像的模式。因此，無論外光的照度或色度如何，都可以顯示極為鮮明的（對比度及色彩再現性高的）影像。例如，在夜間及昏暗的室內等外光的照度極低的情況等下，第二模式是有效的。此外，在外光的照度低時，明亮的顯示有時讓使用者感到刺眼。為了防止發生這種問題，在第二模式中較佳為降低亮度。由此，不僅可以減少刺眼，而且還可以降低功耗。第二模式適於顯示鮮明的影像或流暢的動態影像等。 [0242] 第三模式為利用第一顯示元件所反射的光及第二顯示元件所發射的光的兩者顯示影像的模式。明確而言，以混合第一像素所呈現的光的顏色和與第一像素相鄰的第二像素所呈現的光的顏色來表達一個顏色的方式進行驅動。由此，可以以比第二模式小的功耗顯示比第一模式鮮明的影像。例如，在室內照明下或者早晨或傍晚等外光的照度較低的情況、外光的色度不是白色的情況等下，第三模式是有效的。 [0243] 下面，參照圖式說明本發明的一個實施方式的更具體的例子。 [0244] [顯示裝置的結構例子] 圖15是說明本發明的一個實施方式的顯示裝置所包括的顯示區域70的圖。顯示區域70包括設置為矩陣狀的多個像素單元75。像素單元75包括像素76和像素77。 [0245] 圖15示出像素76和像素77都包括對應於紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）這三種顏色的顯示元件的情況的例子。 [0246] 像素76包括對應於紅色（R）的顯示元件76R、對應於綠色（G）的顯示元件76G、對應於藍色（B）的顯示元件76B。顯示元件76R、76G、76B都是利用光源的光的第二顯示元件。 [0247] 像素77包括對應於紅色（R）的顯示元件77R、對應於綠色（G）的顯示元件77G、對應於藍色（B）的顯示元件77B。顯示元件77R、77G、77B都是利用外光的反射的第一顯示元件。 [0248] 以上是顯示裝置的結構例子的說明。 [0249] [像素單元的結構例子] 接著，參照圖16A、圖16B和圖16C說明像素單元75。圖16A、圖16B和圖16C是示出像素單元75的結構例子的示意圖。 [0250] 像素76包括顯示元件76R、顯示元件76G以及顯示元件76B。顯示元件76R包括光源，並向顯示面一側發射具有基於輸入到像素76的第二灰階值所包括的與紅色對應的灰階值的亮度的紅色光RL2。與此同樣，顯示元件76G及顯示元件76B也分別向顯示面一側發射綠色光GL2或藍色光BL2。 [0251] 像素77包括顯示元件77R、顯示元件77G以及顯示元件77B。顯示元件77R反射外光，並向顯示面一側發射具有基於輸入到像素77的第一灰階值所包括的與紅色對應的灰階值的亮度的紅色光RL1。與此同樣，顯示元件77G及顯示元件77B也分別向顯示面一側發射綠色光GL1或藍色光BL1。 [0252] [第一模式] 圖16A示出驅動反射外光的顯示元件77R、顯示元件77G和顯示元件77B顯示影像的工作模式的例子。如圖16A所示，像素單元75例如在外光的照度充分高的情況等下，藉由只混合來自像素77的光（光RL1、光GL1及光BL1）的顏色而不驅動像素76，可以向顯示面一側發射指定顏色的光79。由此，可以以極低功耗進行驅動。 [0253] [第二模式] 圖16B示出驅動顯示元件76R、顯示元件76G和顯示元件76B顯示影像的工作模式的例子。如圖16B所示，像素單元75例如在外光的照度極低的情況等下，藉由只混合來自像素76的光（光RL2、光GL2及光BL2）的顏色而不驅動像素77，也可以向顯示面一側發射指定顏色的光79。由此，可以顯示鮮明的影像。此外，藉由在外光的照度低時降低亮度，不僅可以減少使用者的刺眼，而且還可以降低功耗。 [0254] [第三模式] 圖16C示出驅動反射外光的顯示元件77R、顯示元件77G、顯示元件77B以及發射光的顯示元件76R、顯示元件76G、顯示元件76B顯示影像的工作模式的例子。如圖16C所示，像素單元75藉由混合光RL1、光GL1、光BL1、光RL2、光GL2及光BL2這六個光的顏色，可以向顯示面一側發射指定顏色的光79。 [0255] 因此，由於圖15所示的顯示區域70在像素單元中包括發光型顯示元件及反射型顯示元件，所以適合顯示選擇區域。例如，當由反射型顯示元件進行顯示區域70的顯示時，可以由發光型顯示元件進行選擇區域的顯示。此外，當由發光型顯示元件進行顯示區域70的顯示時，也可以由反射型顯示元件顯示選擇區域。此外，既可以藉由改變反射型顯示元件的灰階資料來顯示選擇區域，又可以藉由改變發光型顯示元件的灰階資料來顯示選擇區域。 [0256] 以上是對像素單元75的結構例子的說明。 [0257] 本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。 [0258] 實施方式5 下面，說明在實施方式4中說明的混合型顯示器的結構的具體例子。下面例示的顯示面板是包括反射型液晶元件及發光元件這兩種元件且能夠以透射模式和反射模式這兩種模式進行顯示的顯示面板。 [0259] [結構例子] 圖17A是示出顯示裝置400的結構的一個例子的方塊圖。顯示裝置400包括在顯示部362中排列為矩陣狀的多個像素410。另外，顯示裝置400包括電路GD及電路SD。此外，包括與在方向R上排列的多個像素410及電路GD電連接的多個佈線GD1、多個佈線GD2、多個佈線ANO及多個佈線CSCOM。此外，包括與在方向C上排列的多個像素410及電路SD電連接的多個佈線S1及多個佈線S2。 [0260] 在此，為了簡化起見，示出包括一個電路GD和一個電路SD的結構，但是也可以分別設置驅動液晶元件的電路GD及電路SD以及驅動發光元件的電路GD及電路SD。 [0261] 像素410包括反射型液晶元件及發光元件。在像素410中，液晶元件及發光元件具有彼此重疊的部分。 [0262] 圖17B1示出像素410所包括的導電層311b的結構例子。導電層311b被用作像素410中的液晶元件的反射電極。在導電層311b中設置有開口451。 [0263] 在圖17B1中，以虛線示出位於與導電層311b重疊的區域中的發光元件360。發光元件360與導電層311b所包括的開口451重疊。由此，發光元件360所發射出的光藉由開口451射出到顯示面一側。 [0264] 在圖17B1中在方向R上相鄰的像素410是對應於不同的顏色的像素。此時，如圖17B1所示，在方向R上相鄰的兩個像素中較佳為開口451以不設置在一條線上的方式都設置於導電層311b的不同位置上。由此，可以使兩個發光元件360分開地配置，從而可以抑制發光元件360所發射出的光入射到相鄰的像素410所包括的彩色層的現象（也稱為串擾）。另外，可以使相鄰的兩個發光元件360分開地配置，因此即使利用陰影遮罩等分別製造發光元件360的EL層，也可以實現高解析度顯示裝置。 [0265] 另外，也可以採用圖17B2所示的排列。 [0266] 當在開口451的總面積中非開口部的總面積所佔的比例過大時，使用液晶元件的顯示變暗。另外，當在開口451的總面積中非開口部的總面積所佔的比例過小時，使用發光元件360的顯示變暗。 [0267] 另外，當設置於被用作反射電極的導電層311b中的開口451的面積過小時，發光元件360所發射出的光的提取效率變低。 [0268] 開口451的形狀例如可以為多角形、四角形、橢圓形、圓形或十字狀等的形狀。另外，也可以為細長的條狀、狹縫狀、方格狀的形狀。另外，也可以以靠近相鄰的像素的方式配置開口451。較佳的是，將開口451配置以靠近顯示相同的顏色的其他像素。由此，可以抑制產生串擾。 [0269] [電路結構例子] 圖18是示出像素410的結構例子的電路圖。圖18示出相鄰的兩個像素410。 [0270] 像素410包括開關SW1、電容器C1、液晶元件340、開關SW2、電晶體M、電容器C2以及發光元件360等。另外，佈線GD1、佈線GD3、佈線ANO、佈線CSCOM、佈線S1及佈線S2與像素410電連接。另外，圖18還示出與液晶元件340電連接的佈線VCOM1以及與發光元件360電連接的佈線VCOM2。 [0271] 圖18示出將電晶體用於開關SW1及開關SW2的情況的例子。 [0272] 在開關SW1中，閘極與佈線GD3連接，源極和汲極中的一個與佈線S1連接，源極和汲極中的另一個與電容器C1的一個電極及液晶元件340的一個電極連接。在電容器C1中，另一個電極與佈線CSCOM連接。在液晶元件340中，另一個電極與佈線VCOM1連接。 [0273] 在開關SW2中，閘極與佈線GD1連接，源極和汲極中的一個與佈線S2連接，源極和汲極中的另一個與電容器C2的一個電極及電晶體M的閘極連接。在電容器C2中，另一個電極與佈線CSCOM連接。在電晶體M中，源極和汲極中的另一個與發光元件360的一個電極連接。在發光元件360中，另一個電極與佈線VCOM2連接。 [0274] 圖18示出電晶體M包括夾著半導體的兩個閘極並且該閘極彼此連接的例子。由此，可以提高電晶體M能夠流過的電流量。 [0275] 此外，可以對佈線GD3供應將開關SW1控制為導通狀態或非導通狀態的信號。可以對佈線VCOM1供應規定的電位。可以對佈線S1供應控制液晶元件340所具有的液晶的配向狀態的信號。可以對佈線CSCOM供應規定的電位。 [0276] 此外，可以對佈線GD1供應將開關SW2控制為導通狀態或非導通狀態的信號。可以對佈線VCOM2及佈線ANO供應產生用來使發光元件360發射光的電位差的電位。可以對佈線S2供應控制電晶體M的導通狀態的信號。 [0277] 圖18所示的像素410例如在以反射模式進行顯示時，可以利用供應給佈線GD3及佈線S1的信號進行驅動，並利用液晶元件340的光學調變而進行顯示。在以透射模式進行顯示時，可以利用供應給佈線GD1及佈線S2的信號進行驅動，並使發光元件360發射光而進行顯示。另外，在以兩個模式驅動時，可以利用分別供應給佈線GD1、佈線GD3、佈線S1及佈線S2的信號進行驅動。 [0278] 注意，雖然圖18示出一個像素410包括一個液晶元件340及一個發光元件360的例子，但是不侷限於此。圖19A示出一個像素410包括一個液晶元件340及四個發光元件360（發光元件360r、360g、360b、360w）的例子。 [0279] 在圖19A中，除了圖18所示的例子之外，佈線GD4及佈線S3與像素410連接。 [0280] 在圖19A所示的例子中，例如作為四個發光元件360，可以使用分別呈現紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）及白色（W）的發光元件。另外，作為液晶元件340可以使用呈現白色的反射型液晶元件。由此，在以反射模式進行顯示時，可以進行高反射率的白色顯示。另外，在以透射模式進行顯示時，可以以低功耗進行高演色性的顯示。 [0281] 另外，圖19B示出像素410的結構例子。像素410包括與電極311所包括的開口部重疊的發光元件360w、配置在電極311周圍的發光元件360r、發光元件360g及發光元件360b。發光元件360r、發光元件360g及發光元件360b較佳為具有幾乎相同的發光面積。 [0282] [顯示面板的結構例子] 圖20是本發明的一個實施方式的顯示面板300的透視示意圖。顯示面板300包括將基板351與基板361貼合在一起的結構。在圖20中，以虛線表示基板361。 [0283] 顯示面板300包括顯示部362、電路364及佈線365等。基板351例如設置有電路364、佈線365及被用作像素電極的導電層311b等。另外，圖20示出在基板351上安裝有IC373及FPC372的例子。由此，圖20所示的結構可以說是包括顯示面板300、FPC372及IC373的顯示模組。 [0284] 作為電路364，例如可以使用用作掃描線驅動電路的電路。 [0285] 佈線365具有對顯示部及電路364供應信號或電力的功能。該信號或電力從外部經由FPC372或者從IC373輸入到佈線365。 [0286] 圖20示出利用COG（Chip On Glass：晶粒玻璃接合）方式等對基板351設置IC373的例子。例如，可以對IC373應用用作掃描線驅動電路或信號線驅動電路等的IC。另外，當顯示面板300具備用作掃描線驅動電路或信號線驅動電路的電路，或者將用作掃描線驅動電路或信號線驅動電路的電路設置在外部且藉由FPC372輸入用來驅動顯示面板300的信號等時，也可以不設置IC373。另外，也可以將IC373利用COF（Chip On Film：薄膜覆晶封裝）方式等安裝於FPC372。 [0287] 圖20示出顯示部362的一部分的放大圖。在顯示部362中以矩陣狀配置有多個顯示元件所包括的導電層311b。導電層311b具有反射可見光的功能且被用作下述液晶元件340的反射電極。 [0288] 此外，如圖20所示，導電層311b包括開口。再者，在導電層311b的基板351一側包括發光元件360。來自發光元件360的光透過導電層311b的開口發射到基板361一側。 [0289] 另外，可以在基板361上設置輸入裝置366。例如，可以採用與顯示部362重疊地設置薄片狀的靜電電容式觸控感測器的結構。或者，也可以在基板361與基板351之間設置觸控感測器。當在基板361與基板351之間設置觸控感測器時，既可以使用靜電電容式觸控感測器，又可以使用利用光電轉換元件的光學式觸控感測器。 [0290] [剖面結構例子1] 圖21示出圖20所例示的顯示面板中的包括FPC372的區域的一部分、包括電路364的區域的一部分、包括顯示部362的區域的一部分的剖面的一個例子。 [0291] 顯示面板在基板351與基板361之間包括絕緣層220。另外，在基板351與絕緣層220之間包括發光元件360、電晶體201、電晶體205、電晶體206及彩色層134等。另外，在絕緣層220與基板361之間包括液晶元件340、彩色層135等。另外，基板361隔著黏合層143與絕緣層220黏合，基板351隔著黏合層142與絕緣層220黏合。 [0292] 電晶體206與液晶元件340電連接，而電晶體205與發光元件360電連接。因為電晶體205和電晶體206都形成在絕緣層220的基板351一側的面上，所以它們可以藉由同一製程製造。 [0293] 基板361設置有彩色層135、遮光層136、絕緣層125及被用作液晶元件340的共用電極的導電層313、配向膜133b、絕緣層117等。絕緣層117被用作用來保持液晶元件340的單元間隙的間隔物。 [0294] 在絕緣層220的基板351一側設置有絕緣層211、絕緣層212、絕緣層213、絕緣層214、絕緣層215等絕緣層。絕緣層211的一部分被用作各電晶體的閘極絕緣層。絕緣層212、絕緣層213及絕緣層214以覆蓋各電晶體的方式設置。此外，絕緣層215以覆蓋絕緣層214的方式設置。絕緣層214及絕緣層215具有平坦化層的功能。此外,這裡示出作為覆蓋電晶體等的絕緣層包括絕緣層212、絕緣層213及絕緣層214這三層的情況，但是絕緣層不侷限於此，也可以為四層以上、單層或兩層。如果不需要，則可以不設置用作平坦化層的絕緣層214。 [0295] 電晶體201、電晶體205及電晶體206包括其一部分用作閘極的導電層221、其一部分用作源極或汲極的導電層222、半導體層231。在此，對經過同一導電膜進行加工而得到的多個層附有相同的陰影線。 [0296] 液晶元件340是反射型液晶元件。液晶元件340具有層疊有導電層370、液晶312及導電層313的疊層結構。另外，設置有與導電層370的基板351一側接觸的反射可見光的導電層311b。導電層311b包括開口251。另外，導電層370及導電層313包含使可見光透過的材料。此外，在液晶312和導電層370之間設置有配向膜133a，並且在液晶312和導電層313之間設置有配向膜133b。 [0297] 在基板361的外側的面上設置有光擴散片129及偏光板140。作為偏光板140可以使用直線偏光板，也可以使用圓偏光板。作為圓偏光板，例如可以使用將直線偏光板和四分之一波片層疊而成的偏光板。由此，可以抑制外光的反射。此外，設置光擴散片129以抑制外光的反射。另外，藉由根據偏光板的種類調整用於液晶元件340的液晶元件的單元間隙、配向及驅動電壓等，來實現所希望的對比度，即可。 [0298] 在液晶元件340中，導電層311b具有反射可見光的功能，導電層313具有透射可見光的功能。從基板361一側入射的光被偏光板140偏振，透過導電層313、液晶312，且被導電層311b反射。而且，再次透過液晶312及導電層313而到達偏光板140。此時，由施加到導電層311b和導電層313之間的電壓控制液晶的配向，從而可以控制光的光學調變。也就是說，可以控制經過偏光板140發射的光的強度。此外，由於特定的波長區域之外的光被彩色層135吸收，因此被提取的光例如呈現紅色。 [0299] 發光元件360是底部發射型發光元件。發光元件360具有從絕緣層220一側依次層疊有導電層191、EL層192及導電層193b的疊層結構。另外，設置有覆蓋導電層193b的導電層193a。導電層193b包含反射可見光的材料，導電層191及導電層193a包含使可見光透過的材料。發光元件360所發射的光經過彩色層134、絕緣層220、開口251及導電層313等向基板361一側發射出。 [0300] 在此，如圖21所示，較佳為在開口251中設置有透射可見光的導電層370。由此，液晶312在與開口251重疊的區域中也與其他區域同樣地配向，從而可以抑制因在這些區域的邊界產生液晶的配向不良而產生非意圖的漏光。 [0301] 在覆蓋導電層191的端部的絕緣層216上設置有絕緣層217。絕緣層217具有抑制絕緣層220與基板351之間的距離過近的間隙物的功能。另外，當使用陰影遮罩（金屬遮罩）形成EL層192及導電層193a時，絕緣層217可以具有抑制該陰影遮罩接觸於被形成面的功能。另外，如果不需要則可以不設置絕緣層217。 [0302] 電晶體205的源極和汲極中的一個藉由導電層224與發光元件360的導電層191電連接。 [0303] 電晶體206的源極和汲極中的另一個藉由連接部207與導電層311b電連接。導電層311b與導電層370接觸，它們彼此電連接。連接部207是使設置在絕緣層220的雙面上的導電層藉由形成在絕緣層220中的開口彼此電連接的部分。 [0304] 在基板351的不與基板361重疊的區域中設置有連接部204。連接部204藉由連接層242與FPC372電連接。連接部204具有與連接部207相同的結構。在連接部204的頂面上，對與導電層370同一的導電膜進行加工來獲得的導電層露出。因此，藉由連接層242可以使連接部204與FPC372電連接。 [0305] 在設置有黏合層143的一部分的區域中設置有連接部252。在連接部252中，藉由連接器243使對與導電層370同一的導電膜進行加工來獲得的導電層和導電層313的一部分電連接。由此，可以將從連接於基板351一側的FPC372輸入的信號或電位藉由連接部252供應到形成在基板361一側的導電層313。 [0306] 例如，作為連接器243可以使用導電粒子。作為導電粒子，可以採用其表面被金屬材料覆蓋的有機樹脂或二氧化矽等的粒子。作為金屬材料，較佳為使用鎳或金，因為其可以降低接觸電阻。另外，較佳為使用如在鎳上還覆蓋有金等以層狀覆蓋有兩種以上的金屬材料的粒子。另外，連接器243較佳為採用能夠彈性變形或塑性變形的材料。此時，有時導電粒子的連接器243成為圖21所示那樣的在縱向上被壓扁的形狀。藉由具有該形狀，可以增大連接器243與電連接於該連接器的導電層的接觸面積，從而可以降低接觸電阻並抑制接觸不良等問題發生。 [0307] 連接器243較佳為以由黏合層143覆蓋的方式配置。例如，可以將連接器243分散在固化之前的黏合層143。 [0308] 在圖21中，作為電路364的例子，示出設置有電晶體201的例子。 [0309] 在圖21中，作為電晶體201及電晶體205的例子，應用由兩個閘極夾著形成通道的半導體層231的結構。一個閘極由導電層221構成，而另一個閘極由隔著絕緣層212與半導體層231重疊的導電層223構成。藉由採用這種結構，可以控制電晶體的臨界電壓。此時，也可以連接兩個閘極，並藉由對該兩個閘極供應同一信號來驅動電晶體。與其他電晶體相比，這種電晶體能夠提高場效移動率，而可以增大通態電流（on-state current）。其結果是，可以製造能夠高速驅動的電路。再者能夠縮小電路部的佔有面積。藉由使用通態電流大的電晶體，即使在使顯示面板大型化或高清晰化時佈線數增多，也可以降低各佈線的信號延遲，由此可以抑制顯示的不均勻。 [0310] 電路364所包括的電晶體與顯示部362所包括的電晶體也可以具有相同的結構。此外，電路364所包括的多個電晶體可以都具有相同的結構或不同的結構。另外，顯示部362所包括的多個電晶體可以都具有相同的結構或不同的結構。 [0311] 覆蓋各電晶體的絕緣層212和絕緣層213中的至少一個較佳為使用水或氫等雜質不容易擴散的材料。也就是說，可以將絕緣層212或絕緣層213用作障壁膜。藉由採用這種結構，可以有效地抑制雜質從外部擴散到電晶體中，從而能夠實現可靠性高的顯示面板。 [0312] 在基板361一側設置有覆蓋彩色層135、遮光層136的絕緣層125。絕緣層125可以具有平坦化層的功能。藉由使用絕緣層125可以使導電層313的表面大致平坦，可以使液晶312的配向狀態成為均勻。 [0313] [剖面結構例子2] 圖22所示的顯示面板示出在圖21所示的結構中對各電晶體採用頂閘極型電晶體時的例子。如此，藉由採用頂閘極型電晶體，可以降低寄生電容，因此可以提高顯示時的圖框頻率。 [0314] 本發明的一個實施方式的顯示裝置所包括的電晶體包括被用作閘極電極的導電層、半導體層、被用作源極電極的導電層、被用作汲極電極的導電層以及被用作閘極絕緣層的絕緣層。注意，對電晶體的結構沒有特別的限制。 [0315] 另外，作為用於電晶體的半導體材料，可以使用能隙為2eV以上，較佳為2.5eV以上，更佳為3eV以上的金屬氧化物。典型的是，可以使用包含銦的氧化物半導體等。 [0316] 使用其能帶間隙比矽寬且載子密度小的氧化物半導體的電晶體由於其關態電流低，因此能夠長期間保持儲存於與電晶體串聯連接的電容器中的電荷。 [0317] 作為半導體層例如可以採用包含銦、鋅及M（鋁、鈦、鎵、鍺、釔、鋯、鑭、鈰、錫、釹或鉿等金屬）的以“In-M-Zn類氧化物”、In-M類氧化物、M-Zn類氧化物或In-Zn氧化物表示的膜。 [0318] 當構成半導體層的氧化物半導體為In-M-Zn類氧化物時，較佳為用來形成In-M-Zn氧化物膜的濺射靶材的金屬元素的原子個數比滿足In≥M及Zn≥M。這種濺射靶材的金屬元素的原子個數比較佳為In:M:Zn=1:1:1、In:M:Zn=1:1:1.2、In:M:Zn=3:1:2、In:M:Zn=4:2:3、In:M:Zn=4:2:4.1、In:M:Zn=5:1:6、In:M:Zn=5:1:7、In:M:Zn=5:1:8等。注意，所形成的半導體層的原子個數比分別有可能在上述濺射靶材中的金屬元素的原子個數比的±40%的範圍內變動。 [0319] 使用上述材料等形成的金屬氧化物藉由控制雜質或氧缺陷等可以被用作具有透光性的導電體。因此，除了上述半導體層以外，藉由使用具有透光性的導電體形成電晶體的其他組件的源極電極、汲極電極及閘極電極等，可以構成具有透光性的電晶體。藉由將該具有透光性的電晶體用於顯示裝置的像素，透過顯示元件的光或從顯示元件發射的光能夠透過該電晶體，因此可以提高開口率。 [0320] 例如，如圖23所示的剖面結構例子1的變形例子所示的那樣，電晶體205、206及連接部207的組件可以使用具有透光性的導電體形成。當不在剖面結構例子1中設置導電層311b時，發光元件360所發射的光可以透過電晶體205、206及連接部207的一部分或者全部。另外，從基板361一側入射而透過液晶312的光可以被導電層193b反射。另外，為了提高電晶體205、206的可靠性，被用作閘極電極的導電層及被用作背閘極電極的導電層的一個或兩個也可以使用金屬等不具有透光性的層形成。 [0321] 可以將矽用於電晶體的形成有通道的半導體。作為矽可以使用非晶矽，尤其較佳為使用具有結晶性的矽。例如，較佳為使用微晶矽、多晶矽、單晶矽等。尤其是，多晶矽與單晶矽相比能夠在低溫下形成，並且其場效移動率和可靠性比非晶矽高。 [0322] 本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。 [0323] 實施方式6 在本說明書等中，金屬氧化物（metal oxide）是指廣義上的金屬的氧化物。金屬氧化物被分類為氧化物絕緣體、氧化物導電體（包括透明氧化物導電體）和氧化物半導體（Oxide Semiconductor，也可以簡稱為OS）等。例如，在將金屬氧化物用於電晶體的半導體層的情況下，有時將該金屬氧化物稱為氧化物半導體。換言之，在金屬氧化物具有放大作用、整流作用及開關作用中的至少一個時，該金屬氧化物稱為金屬氧化物半導體（metal oxide semiconductor），簡稱為OS。此外，可以將OS FET換稱為包含金屬氧化物或氧化物半導體的電晶體。 [0324] 此外，在本說明書等中，有時將包含氮的金屬氧化物也稱為金屬氧化物（metal oxide）。此外，也可以將包含氮的金屬氧化物稱為金屬氧氮化物（metal oxynitride）。 [0325] 此外，在本說明書等中，有時記載CAAC（c-axis aligned crystal）或CAC（Cloud-Aligned Composite）。注意，CAAC是指結晶結構的一個例子，CAC是指功能或材料構成的一個例子。 [0326] 此外，在本說明書等中，CAC-OS或CAC-metal oxide在材料的一部分中具有導電性的功能，在材料的另一部分中具有絕緣性的功能，作為材料的整體具有半導體的功能。此外，在將CAC-OS或CAC-metal oxide用於電晶體的半導體層的情況下，導電性的功能是使被用作載子的電子（或電洞）流過的功能，絕緣性的功能是不使被用作載子的電子流過的功能。藉由導電性的功能和絕緣性的功能的互補作用，可以使CAC-OS或CAC-metal oxide具有開關功能（開啟/關閉的功能）。藉由在CAC-OS或CAC-metal oxide中使各功能分離，可以最大限度地提高各功能。 [0327] 此外，CAC-OS或CAC-metal oxide由具有不同能帶間隙的成分構成。例如，CAC-OS或CAC-metal oxide由具有起因於絕緣性區域的寬隙的成分及具有起因於導電性區域的窄隙的成分構成。在該結構中，當使載子流過時，載子主要在具有窄隙的成分中流過。此外，具有窄隙的成分與具有寬隙的成分互補作用，與具有窄隙的成分聯動地在具有寬隙的成分中載子流過。因此，在將上述CAC-OS或CAC-metal oxide用於電晶體的通道區域時，在電晶體的導通狀態中可以得到高電流驅動力，亦即大通態電流（on-state current）及高場效移動率。 [0328] 就是說，也可以將CAC-OS或CAC-metal oxide稱為基質複合材料（matrix composite）或金屬基質複合材料（metal matrix composite）。 [0329] áCAC-OS的構成ñ 以下，對可用於在本發明的一個實施方式中公開的電晶體的CAC-OS的構成進行說明。 [0330] CAC-OS例如是指包含在氧化物半導體中的元素不均勻地分佈的構成，其中包含不均勻地分佈的元素的材料的尺寸為0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸。注意，在下面也將在氧化物半導體中一個或多個金屬元素不均勻地分佈且包含該金屬元素的區域混合的狀態稱為馬賽克（mosaic）狀或補丁（patch）狀，該區域的尺寸為0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸。 [0331] 氧化物半導體較佳為至少包含銦。尤其是，較佳為包含銦及鋅。除此之外，也可以還包含選自鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種。 [0332] 例如，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS（在CAC-OS中，尤其可以將In-Ga-Zn氧化物稱為CAC-IGZO）是指材料分成銦氧化物（以下，稱為InOX1
（X1為大於0的實數））或銦鋅氧化物（以下，稱為InX2
ZnY2
OZ2
（X2、Y2及Z2為大於0的實數））以及鎵氧化物（以下，稱為GaOX3
（X3為大於0的實數））或鎵鋅氧化物（以下，稱為GaX4
ZnY4
OZ4
（X4、Y4及Z4為大於0的實數））等而成為馬賽克狀，且馬賽克狀的InOX1
或InX2
ZnY2
OZ2
均勻地分佈在膜中的構成（以下，也稱為雲狀）。 [0333] 換言之，CAC-OS是具有以GaOX3
為主要成分的區域和以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域混在一起的構成的複合氧化物半導體。在本說明書中，例如，當第一區域的In與元素M的原子數比大於第二區域的In與元素M的原子數比時，第一區域的In濃度高於第二區域。 [0334] 注意，IGZO是通稱，有時是指包含In、Ga、Zn及O的化合物。作為典型例子，可以舉出以InGaO3
(ZnO)m1
（m1為自然數）或In(1+x0)
Ga(1-x0)
O3
（ZnO）m0
（-1≤x0≤1，m0為任意數）表示的結晶性化合物。 [0335] 上述結晶性化合物具有單晶結構、多晶結構或CAAC結構。CAAC結構是多個IGZO的奈米晶具有c軸配向性且在a-b面上以不配向的方式連接的結晶結構。 [0336] 另一方面，CAC-OS與氧化物半導體的材料構成有關。CAC-OS是指如下構成：在包含In、Ga、Zn及O的材料構成中，一部分中觀察到以Ga為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域分別以馬賽克狀無規律地分散。因此，在CAC-OS中，結晶結構是次要因素。 [0337] CAC-OS不包含組成不同的二種以上的膜的疊層結構。例如，不包含由以In為主要成分的膜與以Ga為主要成分的膜的兩層構成的結構。 [0338] 注意，有時觀察不到以GaOX3
為主要成分的區域與以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域之間的明確的邊界。 [0339] 在CAC-OS中包含選自鋁、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種以代替鎵的情況下，CAC-OS是指如下構成：一部分中觀察到以該元素為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域以馬賽克狀無規律地分散。 [0340] CAC-OS例如可以藉由在對基板不進行加熱的條件下利用濺射法來形成。在利用濺射法形成CAC-OS的情況下，作為沉積氣體，可以使用選自惰性氣體（典型的是氬）、氧氣體和氮氣體中的一種或多種。另外，成膜時的沉積氣體的總流量中的氧氣體的流量比越低越好，例如，將氧氣體的流量比設定為0%以上且低於30%，較佳為0%以上且10%以下。 [0341] CAC-OS具有如下特徵：藉由根據X射線繞射（XRD：X-ray diffraction）測定法之一的out-of-plane法利用q/2q掃描進行測定時，觀察不到明確的峰值。也就是說，根據X射線繞射，可知在測定區域中沒有a-b面方向及c軸方向上的配向。 [0342] 另外，在藉由照射束徑為1nm的電子束（也稱為奈米束）而取得的CAC-OS的電子繞射圖案中，觀察到環狀的亮度高的區域以及在該環狀區域內的多個亮點。由此，根據電子繞射圖案，可知CAC-OS的結晶結構具有在平面方向及剖面方向上沒有配向的nc（nano-crystal）結構。 [0343] 另外，例如在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS中，根據藉由能量色散型X射線分析法（EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy）取得的EDX面分析影像，可確認到：具有以GaOX3
為主要成分的區域及以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域不均勻地分佈而混合的構成。 [0344] CAC-OS的結構與金屬元素均勻地分佈的IGZO化合物不同，具有與IGZO化合物不同的性質。換言之，CAC-OS具有以GaOX3
等為主要成分的區域及以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域互相分離且以各元素為主要成分的區域為馬賽克狀的構成。 [0345] 在此，以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域的導電性高於以GaOX3
等為主要成分的區域。換言之，當載子流過以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域時，呈現氧化物半導體的導電性。因此，當以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域在氧化物半導體中以雲狀分佈時，可以實現高場效移動率（m）。 [0346] 另一方面，以GaOX3
等為主要成分的區域的絕緣性高於以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域。換言之，當以GaOX3
等為主要成分的區域在氧化物半導體中分佈時，可以抑制洩漏電流而實現良好的切換工作。 [0347] 因此，當將CAC-OS用於半導體元件時，藉由起因於GaOX3
等的絕緣性及起因於InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
的導電性的互補作用可以實現高通態電流（Ion
）及高場效移動率（m）。 [0348] 另外，使用CAC-OS的半導體元件具有高可靠性。因此，CAC-OS適用於顯示器等各種半導體裝置。 [0349] 本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。 [0350] 實施方式7 在本實施方式中，參照圖式對本發明的一個實施方式的電子裝置進行說明。 [0351] 以下所例示的電子裝置是在顯示部中包括本發明的一個實施方式的顯示裝置的電子裝置，因此是可以實現高解析度的電子裝置。此外，可以實現兼具高解析度及大螢幕特性的電子裝置。 [0352] 在本發明的一個實施方式的電子裝置的顯示部上例如可以顯示具有全高清、4K2K、8K4K、16K8K或更高的解析度的影像。此外，顯示部的螢幕尺寸可以為對角線20英寸以上、30英寸以上、50英寸以上、60英寸以上或70英寸以上。 [0353] 作為電子裝置，例如除了電視機、桌上型或膝上型個人電腦、用於電腦等的顯示器、數位看板、彈珠機等大型遊戲機等具有較大的螢幕的電子裝置以外，還可以舉出數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生裝置等。 [0354] 可以將本發明的一個實施方式的電子裝置或照明設備沿著房屋或高樓的內壁或外壁、汽車的內部裝飾或外部裝飾的曲面組裝。 [0355] 本發明的一個實施方式的電子裝置也可以包括天線。藉由由天線接收信號，可以在顯示部上顯示影像或資料等。另外，在電子裝置包括天線及二次電池時，可以用天線進行非接觸電力傳送。 [0356] 本發明的一個實施方式的電子裝置也可以包括感測器（該感測器具有測定如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線）。 [0357] 本發明的一個實施方式的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊（靜態影像、動態影像、文字影像等）顯示在顯示部上的功能；觸控面板的功能；顯示日曆、日期或時間等的功能；執行各種軟體（程式）的功能；進行無線通訊的功能；讀出儲存在存儲介質中的程式或資料的功能；等。 [0358] 圖24A示出電視機的一個例子。在電視機7100中，外殼7101中組裝有顯示部7000。在此示出利用支架7103支撐外殼7101的結構。 [0359] 可以對顯示部7000適用本發明的一個實施方式的顯示裝置。 [0360] 可以藉由利用外殼7101所具備的操作開關或另外提供的遙控器7111進行圖24A所示的電視機7100的操作。另外，也可以在顯示部7000中具備觸控感測器，也可以藉由用指頭等觸摸顯示部7000進行電視機7100的操作。另外，也可以在遙控器7111中具備顯示從該遙控器7111輸出的資料的顯示部。藉由利用遙控器7111所具備的操作鍵或觸控面板，可以進行頻道及音量的操作，並可以對顯示在顯示部7000上的影像進行操作。 [0361] 另外，電視機7100具備接收機及數據機等。可以藉由利用接收機接收一般的電視廣播。再者，藉由數據機將電視機連接到有線或無線方式的通訊網路，從而進行單向（從發送者到接收者）或雙向（發送者和接收者之間或接收者之間等）的資訊通訊。 [0362] 圖24B示出筆記型個人電腦7200。筆記型個人電腦7200包括外殼7211、鍵盤7212、指向裝置7213、外部連接埠7214等。在外殼7211中組裝有顯示部7000。 [0363] 可以對顯示部7000適用本發明的一個實施方式的顯示裝置。 [0364] 圖24C和圖24D示出數位看板的例子。 [0365] 圖24C所示的數位看板7300包括外殼7301、顯示部7000及揚聲器7303等。此外，還可以包括LED燈、操作鍵（包括電源開關或操作開關）、連接端子、各種感測器、麥克風等。 [0366] 圖24D示出設置於圓柱狀柱子7401上的數位看板7400。數位看板7400包括沿著柱子7401的曲面設置的顯示部7000。 [0367] 在圖24C和圖24D中，可以對顯示部7000適用本發明的一個實施方式的顯示裝置。 [0368] 顯示部7000越大，顯示裝置一次能夠提供的資訊量越多。顯示部7000越大，容易吸引人的注意，例如可以提高廣告宣傳效果。此外，顯示部7000較佳為具備觸控面板。藉由使用者對顯示部7000的一部分進行觸摸操作，使用者可以得到顯示在顯示部7000的顯示區域7001中的詳細的資訊。 [0369] 藉由將觸控面板用於顯示部7000，不僅可以在顯示部7000上顯示靜態影像或動態影像，使用者還能夠直覺性地進行操作，所以是較佳的。另外，在用於提供路線資訊或交通資訊等資訊的用途時，可以藉由直覺性的操作提高易用性。 [0370] 如圖24C和圖24D所示，數位看板7300或數位看板7400較佳為藉由無線通訊可以與使用者所攜帶的智慧手機等資訊終端設備7311或資訊終端設備7411聯動。例如，顯示在顯示部7000上的廣告資訊可以顯示在資訊終端設備7311或資訊終端設備7411的螢幕。此外，藉由操作資訊終端設備7311或資訊終端設備7411，可以切換顯示部7000的顯示。 [0371] 此外，可以在數位看板7300或數位看板7400上以資訊終端設備7311或資訊終端設備7411的螢幕為操作單元（控制器或觸控面板）執行遊戲。由此，不特定多個使用者可以同時參加遊戲，享受遊戲的樂趣。 [0372] 圖24E是可攜式資訊終端7500的立體圖。可攜式資訊終端例如具有選自電話機、電子筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種的功能。明確而言，可以將該可攜式資訊終端用作智慧手機。本實施方式所例示出的可攜式資訊終端例如可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編寫、音樂播放、網路通訊以及電腦遊戲等各種應用程式。 [0373] 可攜式資訊終端7500可以將文字及影像資訊等顯示在其多個面上。例如，如圖24E所示，可以將三個操作鍵7502顯示在一個面上，而將由矩形表示的資訊7503顯示在另一個面上。顯示在顯示部7000上的操作鍵7502也可以藉由觸控面板進行操作。圖24E示出在可攜式資訊終端的側面上顯示資訊的例子。此外，也可以在可攜式資訊終端的三個以上的面顯示資訊。 [0374] 此外，作為資訊的例子，可以舉出提示收到SNS（Social Networking Services：社交網路服務）的通知、電子郵件或電話等的顯示；電子郵件等的標題或發送者姓名；日期；時間；電量；以及天線接收強度等。或者，也可以在顯示資訊的位置顯示操作鍵或圖示等而代替資訊。 [0375] 圖24F是一種平板電腦式個人電腦，其包括外殼7601、外殼7602、根據本發明的一個實施方式的顯示部7000、光感測器7604、光感測器7605、開關7606等。顯示部7000由外殼7601及外殼7602支撐。由於顯示部7000使用具有撓性的基板形成，因此可以被彎曲。 [0376] 藉由利用鉸鏈7607及7608改變外殼7601與外殼7602之間的角度，可以以外殼7601與外殼7602重疊的方式折疊顯示部7000。雖然未圖示，但是也可以內置開閉感測器來將上述角度的變化用於平板電腦式個人電腦的使用條件的資訊。藉由將根據本發明的一個實施方式的顯示部7000用於平板電腦式個人電腦，無論使用環境下的外光的強度如何，也可以將顯示品質高的影像顯示在顯示部7000上，並可以抑制功耗。 [0377] 本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
[0378]
BL1‧‧‧光
BL2‧‧‧光
C1‧‧‧電容器
C2‧‧‧電容器
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧距離
G1‧‧‧佈線
G2‧‧‧佈線
G3‧‧‧佈線
GD1‧‧‧佈線
GD2‧‧‧佈線
GD3‧‧‧佈線
GD4‧‧‧佈線
GL1‧‧‧光
GL2‧‧‧光
RL1‧‧‧光
RL2‧‧‧光
S1‧‧‧佈線
S2‧‧‧佈線
S3‧‧‧佈線
SW1‧‧‧開關
SW2‧‧‧開關
VCOM1‧‧‧佈線
VCOM2‧‧‧佈線
11‧‧‧基板
12‧‧‧基板
20‧‧‧液晶元件
21‧‧‧導電層
22‧‧‧液晶
23‧‧‧導電層
24a‧‧‧配向膜
24b‧‧‧配向膜
26‧‧‧絕緣層
30‧‧‧電晶體
31‧‧‧導電層
31a‧‧‧導電層
32‧‧‧半導體層
32p‧‧‧半導體層
33a‧‧‧導電層
33b‧‧‧導電層
33c‧‧‧導電層
33d‧‧‧導電層
34‧‧‧絕緣層
35‧‧‧雜質半導體層
37‧‧‧半導體層
38‧‧‧連接部
39a‧‧‧偏光板
39b‧‧‧偏光板
41‧‧‧彩色層
42‧‧‧遮光層
60‧‧‧電容器
70‧‧‧顯示區域
75‧‧‧像素單元
76‧‧‧像素
76B‧‧‧顯示元件
76G‧‧‧顯示元件
76R‧‧‧顯示元件
77‧‧‧像素
77B‧‧‧顯示元件
77G‧‧‧顯示元件
77R‧‧‧顯示元件
79‧‧‧光
81‧‧‧絕緣層
82‧‧‧絕緣層
83‧‧‧絕緣層
84‧‧‧絕緣層
90‧‧‧背光單元
117‧‧‧絕緣層
125‧‧‧絕緣層
129‧‧‧光擴散片
133a‧‧‧配向膜
133b‧‧‧配向膜
134‧‧‧彩色層
135‧‧‧彩色層
136‧‧‧遮光層
140‧‧‧偏光板
142‧‧‧黏合層
143‧‧‧黏合層
191‧‧‧導電層
192‧‧‧EL層
193a‧‧‧導電層
193b‧‧‧導電層
201‧‧‧電晶體
204‧‧‧連接部
205‧‧‧電晶體
206‧‧‧電晶體
207‧‧‧連接部
211‧‧‧絕緣層
212‧‧‧絕緣層
213‧‧‧絕緣層
214‧‧‧絕緣層
215‧‧‧絕緣層
216‧‧‧絕緣層
217‧‧‧絕緣層
220‧‧‧絕緣層
221‧‧‧導電層
222‧‧‧導電層
223‧‧‧導電層
224‧‧‧導電層
231‧‧‧半導體層
242‧‧‧連接層
243‧‧‧連接器
251‧‧‧開口
252‧‧‧連接部
300‧‧‧顯示面板
311‧‧‧電極
311b‧‧‧導電層
312‧‧‧液晶
313‧‧‧導電層
340‧‧‧液晶元件
351‧‧‧基板
360‧‧‧發光元件
360b‧‧‧發光元件
360g‧‧‧發光元件
360r‧‧‧發光元件
360w‧‧‧發光元件
361‧‧‧基板
362‧‧‧顯示部
364‧‧‧電路
365‧‧‧佈線
366‧‧‧輸入裝置
370‧‧‧導電層
372‧‧‧FPC
373‧‧‧IC
400‧‧‧顯示裝置
410‧‧‧像素
451‧‧‧開口
812‧‧‧移動機構
813‧‧‧移動機構
815‧‧‧載物台
816‧‧‧滾珠螺桿機構
820‧‧‧雷射振盪器
821‧‧‧光學系統單元
822‧‧‧鏡子
823‧‧‧微透鏡陣列
824‧‧‧遮罩
825‧‧‧雷射
826‧‧‧雷射
827‧‧‧雷射光束
830‧‧‧基板
840‧‧‧非晶矽層
841‧‧‧多晶矽層
1000‧‧‧電子裝置
1011‧‧‧處理器
1012‧‧‧記憶體裝置
1013‧‧‧輸入裝置
1014‧‧‧時脈生成電路
1015‧‧‧揚聲器
1016‧‧‧麥克風
1100‧‧‧顯示裝置
1101‧‧‧顯示控制器
1102‧‧‧顯示面板
1111‧‧‧解碼器電路
1112‧‧‧雜湊生成電路
1113‧‧‧圖框記憶體
1114‧‧‧影像處理電路
1115‧‧‧雜湊控制電路
1115a‧‧‧EOF檢測電路
1115b‧‧‧記憶體
1116‧‧‧比較電路
1116a‧‧‧比較控制電路
1116b‧‧‧記憶體
1117‧‧‧時序控制電路
1121‧‧‧資料伺服器
1122‧‧‧外部記憶體裝置
1130‧‧‧閂鎖電路
1131‧‧‧運算電路
1132‧‧‧加法電路
1133‧‧‧記憶體
7000‧‧‧顯示部
7001‧‧‧顯示區域
7100‧‧‧電視機
7101‧‧‧外殼
7103‧‧‧支架
7111‧‧‧遙控器
7200‧‧‧筆記型個人電腦
7211‧‧‧外殼
7212‧‧‧鍵盤
7213‧‧‧指向裝置
7214‧‧‧外部連接埠
7300‧‧‧數位看板
7301‧‧‧外殼
7303‧‧‧揚聲器
7311‧‧‧資訊終端設備
7400‧‧‧數位看板
7401‧‧‧柱子
7411‧‧‧資訊終端設備
7500‧‧‧可攜式資訊終端
7502‧‧‧操作鍵
7503‧‧‧資訊
7601‧‧‧外殼
7602‧‧‧外殼
7604‧‧‧光感測器
7605‧‧‧光感測器
7606‧‧‧開關
7607‧‧‧鉸鏈
[0031] 在圖式中： 圖1是說明電子裝置的結構的方塊圖； 圖2是說明顯示裝置的結構的圖； 圖3是說明顯示裝置的結構的圖； 圖4是說明顯示面板的圖； 圖5A至圖5F是說明顯示面板的圖； 圖6A是說明顯示資料的結構的圖；圖6B是說明運算處理的方法的圖；圖6C是說明運算處理的方法的圖； 圖7是顯示裝置的結構例子； 圖8是顯示裝置的結構例子； 圖9A至圖9D是顯示裝置的結構例子； 圖10是顯示裝置的結構例子； 圖11是顯示裝置的結構例子； 圖12A至圖12F是顯示裝置的結構例子； 圖13A及圖13B是說明雷射照射方法及雷射晶化裝置的圖； 圖14A及圖14B是說明雷射照射方法的圖； 圖15是說明像素單元的圖； 圖16A至圖16C是說明像素單元的圖； 圖17A、圖17B1及圖17B2是說明顯示裝置的電路的圖及像素的俯視圖； 圖18是說明顯示裝置的電路的圖； 圖19A及圖19B是說明顯示裝置的電路的圖及像素的俯視圖； 圖20是說明顯示裝置的結構的圖； 圖21是說明顯示裝置的結構的圖； 圖22是說明顯示裝置的結構的圖； 圖23是說明顯示裝置的結構的圖； 圖24A至圖24F是說明電子裝置的圖。
Claims (18)
- 一種電子裝置，包括： 包括像素的顯示面板；以及 包括雜湊生成電路、雜湊控制電路、比較電路、時序控制電路以及影像處理電路的顯示控制器， 其中，該雜湊生成電路從第一顯示資料生成第一雜湊值且從第二顯示資料生成第二雜湊值，且將該第一顯示資料及該第二顯示資料供應給圖框記憶體， 該雜湊控制電路確定該第一雜湊值及該第二雜湊值， 該比較電路對該第一雜湊值及該第二雜湊值進行比較，在該第一雜湊值與該第二雜湊值不同時，啟動該時序控制電路，在該第一雜湊值與該第二雜湊值相同時，停止該時序控制電路的工作， 該時序控制電路啟動該影像處理電路以對儲存於該圖框記憶體中的該第二顯示資料進行影像處理， 並且，該影像處理電路將該處理了的第二顯示資料發送到該顯示面板以使顯示更新。
- 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置， 其中該雜湊生成電路對包括在該第一顯示資料中的該像素的第一座標資料規律性地進行取樣來生成該第一雜湊值， 並且該雜湊生成電路對包括在該第二顯示資料中的該像素的該第一座標資料規律性地進行取樣來生成該第二雜湊值。
- 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該雜湊生成電路將第一權係數加到該第一顯示資料來生成該第一雜湊值，且將第二權係數加到該第二顯示資料來生成該第二雜湊值。
- 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置， 其中該像素包括子像素， 該第一顯示資料包括第一子顯示資料， 該第二顯示資料包括第二子顯示資料， 並且該雜湊生成電路從該第一子顯示資料生成第一子雜湊值且從該第二子顯示資料生成第二子雜湊值。
- 根據申請專利範圍第4項之顯示裝置， 其中該雜湊生成電路對包括在該第一子顯示資料中的該子像素的第二座標資料規律性地進行取樣來生成該第一子雜湊值， 並且該雜湊生成電路對包括在該第二子顯示資料中的該子像素的該第二座標資料規律性地進行取樣來生成該第二子雜湊值。
- 根據申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中該雜湊生成電路將第三權係數加到該第一子顯示資料來生成該第一子雜湊值，且將第四權係數加到該第二子顯示資料來生成該第二子雜湊值。
- 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置， 其中該顯示控制器及該顯示面板都包括電晶體， 並且該電晶體在半導體層中包含非晶矽或多晶矽。
- 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置， 其中該顯示控制器及該顯示面板都包括電晶體， 並且該電晶體在半導體層中包含金屬氧化物。
- 一種包括申請專利範圍第1項之顯示裝置的顯示模組。
- 一種包括申請專利範圍第1項之顯示裝置的電子裝置。
- 一種電子裝置，包括： 包括像素的顯示面板；以及 包括雜湊生成電路、比較電路以及時序控制電路的顯示控制器， 其中，該雜湊生成電路從第一顯示資料生成第一雜湊值且將該第一顯示資料供應給圖框記憶體， 並且，該比較電路對該第一雜湊值及第二雜湊值進行比較，在該第一雜湊值與該第二雜湊值不同時，啟動該時序控制電路，在該第一雜湊值與該第二雜湊值相同時，停止該時序控制電路的工作。
- 根據申請專利範圍第11項之顯示裝置，其中該雜湊生成電路對包括在該第一顯示資料中的該像素的第一座標資料規律性地進行取樣來生成該第一雜湊值。
- 根據申請專利範圍第11項之顯示裝置，其中該雜湊生成電路將第一權係數加到該第一顯示資料來生成該第一雜湊值。
- 根據申請專利範圍第11項之顯示裝置， 其中該顯示控制器及該顯示面板都包括電晶體， 並且該電晶體在半導體層中包含非晶矽或多晶矽。
- 根據申請專利範圍第11項之顯示裝置， 其中該顯示控制器及該顯示面板都包括電晶體， 並且該電晶體在半導體層中包含金屬氧化物。
- 一種包括申請專利範圍第11項之顯示裝置的顯示模組。
- 一種包括申請專利範圍第11項之顯示裝置的電子裝置。
- 一種電子裝置，具有如下功能： 從第一資料生成第一雜湊值； 從第二資料生成第二雜湊值； 對該第一雜湊值及該第二雜湊值進行比較； 當該第一雜湊值與該第二雜湊值不同時發送該第二資料；以及 當該第一雜湊值與該第二雜湊值相同時不發送該第二資料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017-010511 | 2017-01-24 | ||
| JP2017010511 | 2017-01-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201834256A true TW201834256A (zh) | 2018-09-16 |
Family
ID=62979270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107101621A TW201834256A (zh) | 2017-01-24 | 2018-01-17 | 顯示裝置及電子裝置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11200859B2 (zh) |
| JP (2) | JP2018120220A (zh) |
| KR (1) | KR20190104394A (zh) |
| CN (1) | CN110192239A (zh) |
| DE (1) | DE112018000492T5 (zh) |
| TW (1) | TW201834256A (zh) |
| WO (1) | WO2018138590A1 (zh) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101876607B1 (ko) * | 2014-10-30 | 2018-07-16 | 한국과학기술원 | 펌웨어 기반의 휴대 및 확장이 가능한 광분광학 시스템 및 그 제어 방법 |
| WO2020021650A1 (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 株式会社エアロネクスト | プロペラ、モータ部品及びこれを備えた飛行体 |
| KR20200119601A (ko) * | 2019-04-10 | 2020-10-20 | 현대모비스 주식회사 | 차량의 바이너리 데이터 처리 장치 및 방법 |
| JPWO2020217140A1 (zh) | 2019-04-26 | 2020-10-29 | ||
| US11366879B2 (en) * | 2019-07-08 | 2022-06-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Server-side audio rendering licensing |
| US11348543B2 (en) | 2020-03-26 | 2022-05-31 | Macroblock, Inc. | Scan-type display apparatus, and driving device and driving method thereof |
| CN113450724B (zh) | 2020-03-26 | 2024-10-01 | 聚积科技股份有限公司 | 扫描式显示器及其驱动装置 |
| CN113450723B (zh) | 2020-03-26 | 2024-05-28 | 聚积科技股份有限公司 | 扫描式显示器及其驱动装置与驱动方法 |
| CN113450719A (zh) | 2020-03-26 | 2021-09-28 | 聚积科技股份有限公司 | 扫描式显示器的驱动方法及其驱动装置 |
| US11568793B2 (en) | 2020-03-26 | 2023-01-31 | Macroblock, Inc. | Scan-type display apparatus, and driving device and driving method thereof |
| CN113450721B (zh) | 2020-03-26 | 2024-05-28 | 聚积科技股份有限公司 | 扫描式显示器及其驱动装置与驱动方法 |
| TWI769616B (zh) * | 2020-03-26 | 2022-07-01 | 聚積科技股份有限公司 | 掃描式顯示器的驅動方法及其驅動裝置 |
| CN113872996A (zh) * | 2020-06-30 | 2021-12-31 | 华为技术有限公司 | 数据对账方法及装置 |
| TW202243178A (zh) * | 2021-04-23 | 2022-11-01 | 元太科技工業股份有限公司 | 電子裝置及其線路結構 |
| CN113517305A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
| CN113554967A (zh) * | 2021-07-06 | 2021-10-26 | 北京奕斯伟计算技术有限公司 | 像素数据的处理方法、装置、电子设备及存储介质 |
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Family Cites Families (36)
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| GB2282307A (en) | 1993-09-24 | 1995-03-29 | Ibm | Disabling display unit when image is unchanged |
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-
2018
- 2018-01-10 DE DE112018000492.9T patent/DE112018000492T5/de not_active Withdrawn
- 2018-01-10 US US16/477,733 patent/US11200859B2/en active Active
- 2018-01-10 WO PCT/IB2018/050139 patent/WO2018138590A1/en active Application Filing
- 2018-01-10 KR KR1020197023552A patent/KR20190104394A/ko active Search and Examination
- 2018-01-10 CN CN201880007334.8A patent/CN110192239A/zh active Pending
- 2018-01-17 TW TW107101621A patent/TW201834256A/zh unknown
- 2018-01-23 JP JP2018008533A patent/JP2018120220A/ja not_active Withdrawn
-
2022
- 2022-07-21 JP JP2022116399A patent/JP7463445B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110192239A (zh) | 2019-08-30 |
| US11200859B2 (en) | 2021-12-14 |
| KR20190104394A (ko) | 2019-09-09 |
| WO2018138590A1 (en) | 2018-08-02 |
| JP7463445B2 (ja) | 2024-04-08 |
| US20190362683A1 (en) | 2019-11-28 |
| JP2018120220A (ja) | 2018-08-02 |
| DE112018000492T5 (de) | 2019-10-31 |
| JP2022142796A (ja) | 2022-09-30 |
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