TW201829735A - 有機電致發光化合物及包括此化合物之有機電致發光裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種有機電致發光化合物及一種包括此化合物之有機電致發光裝置。藉由包括本發明之所述有機電致發光化合物，可提供一種具有低驅動電壓、高發光效率及/或極佳壽命特徵之有機電致發光裝置。

Description

有機電致發光化合物及包括此化合物之有機電致發光裝置
本發明係關於一種有機電致發光化合物及一種包括此化合物之有機電致發光裝置。
電致發光裝置（EL裝置）為自發光裝置，其優點在於提供較寬視角、較高對比率及較快回應時間。首個有機EL裝置由Eastman Kodak在1987年藉由使用小芳族二胺分子及鋁錯合物作為用於形成發光層之材料而加以研發[《應用物理學快報（Appl. Phys. Lett.）》 51, 913, 1987]。
決定有機電致發光裝置中之發光效率的最重要因素為發光材料。迄今為止，已經廣泛使用螢光材料作為發光材料。然而，鑒於電致發光機制，由於與螢光發光材料相比磷光發光材料在理論上使發光效率增強四（4）倍，因此磷光發光材料的開發得以廣泛研究。迄今為止，銥(III)錯合物已廣泛地被稱為磷光發光材料，包含雙(2-(2'-苯并噻吩基)-吡啶根-N,C3')銥(乙醯基丙酮酸鹽)((acac)Ir(btp)2 )、三(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)3 )及雙(4,6-二弗苯基吡啶根-N,C2)吡啶甲酸銥（Firpic）分別地作為發紅光、綠光及藍光材料。
目前，4,4'-N,N'-二咔唑-聯二苯（CBP）為最廣泛已知的磷光主體材料。近年來，Pioneer（日本）等人研發高效能有機電致發光裝置，使用浴銅靈（BCP）及鋁(III)雙(2-甲基-8-喹啉酸)(4-苯基苯酚酸)（BAlq）等作為主體材料，其被稱為電洞阻擋層材料。
儘管此等材料提供良好發光特徵，但其具有以下缺點：（1）由於其低玻璃轉化溫度及不良熱穩定性，其降解可在高溫沈積製程期間在真空中發生，且所述裝置之壽命可縮短。（2）有機電致發光裝置之功率效率係以[（π/電壓）×電流效率]給出，且功率效率與電壓成反比。儘管，與包括螢光材料之有機電致發光裝置相比，包括磷光主體材料之有機電致發光裝置提供較高電流效率（cd/A），但顯著高驅動電壓為必要的。因此，就功率效率（lm/W）而言不存在優點。（3）此外，當此等材料用於有機電致發光裝置中時，有機電致發光裝置的操作壽命很短且仍需要改良發光效率。
此外，電子傳輸材料有效地將電子自陰極傳輸至發光層且抑制傳輸未在發光層中重組之電洞以提高電洞與電子在發光層中重組的機會。因此，使用電子親和性材料作為電子傳輸材料。具有發光功能之有機金屬錯合物（諸如Alq3 ）對於傳輸電子極佳，且因此通常已用作電子傳輸材料。然而，Alq3 之問題在於當用於發藍光裝置中時其會移動至其他層且展示色彩純度降低。因此，需要不具有以上問題之新穎電子傳輸材料，其具有高度電子親和性且在有機EL裝置中快速傳遞電子，以得到具有高發光效率之有機EL裝置。
為提高發光效率、驅動電壓及/或壽命，已提出用於有機電致發光裝置之有機層的各種材料或概念。然而，其實際使用並不令人滿意。
韓國專利申請特許公開第KR 2016-0034804 A號揭示一種化合物，其中在氮位置處經由聯伸二苯基之連接子將經取代之三嗪基或嘧啶基鍵結至苯并咔唑。然而，所述參考未特定地揭示一種化合物，其中在氮位置處經由具有10個碳原子之伸芳基的連接子將經取代之三嗪基或嘧啶基等鍵結至苯并咔唑。此外，就驅動電壓、發光效率及/或壽命特徵而言，其並未充分令人滿意。
待解決之問題
本發明之目標為提供一種有機電致發光化合物，其可高效地製造具有低驅動電壓、高發光效率及/或極佳壽命特徵之有機電致發光裝置。 針對問題之解決方案
作為針對解決上文之技術問題之密集研究的結果，本發明人發現可藉由用以下式1表示之有機電致發光化合物來達成上文目標：-----------(1) 其中 X1 至X3 各自獨立地表示N或CR3 ，其限制條件為所述X1 至X3 中之至少一者為N； L1 表示具有10個碳原子之經取代或未經取代之伸芳基； Ar1 、 Ar2 及R1 至R3 各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、經取代或未經取代之(C1-C30)烷基、經取代或未經取代之(C6-C30)芳基、經取代或未經取代之(3至30員)雜芳基、經取代或未經取代之(C3-C30)環烷基、經取代或未經取代之(C1-C30)烷氧基、經取代或未經取代之三(C1-C30)烷基矽烷基、經取代或未經取代之二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基矽烷基、經取代或未經取代之(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基矽烷基、經取代或未經取代之三(C6-C30)芳基矽烷基、經取代或未經取代之單-或二-(C1-C30)烷胺基、經取代或未經取代之單-或二-(C6-C30)芳胺基或經取代或未經取代之(C1-C30)烷基(C6-C30)芳胺基；或經鍵聯至相鄰取代基以形成經取代或未經取代之單環或多環(C3-C30)脂環、芳環或其組合，其碳原子可由至少一個選自氮、氧及硫之雜原子置換； 雜芳基含有至少一個選自B、N、O、S、Si及P之雜原子； a為1至4之整數且b為1至6之整數； 其中a或b為2或大於2之整數，每一R1 與每一R2 可相同或不同。 本發明之效果
藉由使用根據本發明之有機電致發光化合物，可製造一種具有低驅動電壓、高發光效率及/或極佳壽命特徵之有機電致發光裝置。
在下文中，將詳細描述本發明。然而，以下實施方式意欲解釋本發明，且不意謂以任何方式限制本發明之範疇。
在本發明中，術語「有機電致發光化合物」意謂可用於有機電致發光裝置中且可包括於構成有機電致發光裝置之任何層（必要時）中之化合物。
在本發明中，術語「有機電致發光材料」意謂可用於有機電致發光裝置中且可包括至少一種化合物之材料。有機電致發光材料可包括於構成有機電致發光裝置之任何層（必要時）中。舉例而言，有機電致發光材料可為電洞注入材料、電洞傳輸材料、電洞輔助材料、發光輔助材料、電子阻擋材料、發光材料、電子緩衝材料、電洞阻擋材料、電子傳輸材料或電子注入材料。
本發明之有機電致發光材料可包括由式1表示之至少一種化合物。由式1表示之化合物可包括於發光層及/或電子傳輸層中，但不限於此。在包括於發光層中時，式1之化合物可作為主體而被包括，而當包括於電子傳輸層中時，式1之化合物可作為電子傳輸材料而被包括。
在下文中，將詳細地描述由式1表示之化合物。
可由以下式2至式8中的任一者表示式1之化合物：--(2)--(3)--(4)--(5)--(6)--(7)--(8) 其中 X1 至X3 、Ar1 、Ar2 及R1 至R3 如式1中所定義。
在上式1中，X1 至X3 各自獨立地表示N或CR3 ，其限制條件為所述X1 至X3 中之至少一者為N。較佳地，X1 至X3 中之至少兩者為N。
L1 表示具有10個碳原子之經取代或未經取代的伸芳基，較佳地表示經取代或未經取代之伸萘基，且更佳地表示未經取代之伸萘基。
Ar1 、Ar2 及R1 至R3 各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、經取代或未經取代之(C1-C30)烷基、經取代或未經取代之(C6-C30)芳基、經取代或未經取代之(3至30員)雜芳基、經取代或未經取代之(C3-C30)環烷基、經取代或未經取代之(C1-C30)烷氧基、經取代或未經取代之三(C1-C30)烷基矽烷基、經取代或未經取代之二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基矽烷基、經取代或未經取代之(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基矽烷基、經取代或未經取代之三(C6-C30)芳基矽烷基、經取代或未經取代之單-或二-(C1-C30)烷胺基、經取代或未經取代之單-或二-(C6-C30)芳胺基或經取代或未經取代之(C1-C30)烷基(C6-C30)芳胺基；或經鍵聯至相鄰取代基以形成經取代或未經取代之單環或多環(C3-C30)脂環、芳環或其組合，其碳原子可由至少一個選自氮、氧及硫之雜原子置換。
此外，Ar1 及Ar2 較佳地各自獨立地表示經取代或未經取代之(C6-C25)芳基或經取代或未經取代之(5至20員)雜芳基，且更佳地各自獨立地表示未經取代或經(C1-C30)烷基取代之(C6-C25)芳基，或未經取代之(5至20員)雜芳基。
此外，R1 至R3 較佳地各自獨立地表示氫、經取代或未經取代之(C6-C20)芳基或經取代或未經取代之(5至20員)雜芳基，且更佳地各自獨立地表示氫、未經取代之(C6-C20)芳基或未經取代之(5至20員)雜芳基。
根據本發明之一個實施例，在上式1中，X1 至X3 各自獨立地表示N或CR3 ，其限制條件為所述X1 至X3 中之至少兩者為N；L1 表示經取代或未經取代之伸萘基；Ar1 及Ar2 各自獨立地表示經取代或未經取代之(C6-C25)芳基或經取代或未經取代之(5至20員)雜芳基；以及R1 至R3 各自獨立地表示氫、經取代或未經取代之(C6-C20)芳基或經取代或未經取代之(5至20員)雜芳基。
根據本發明之另一實施例，在上式1中，X1 至X3 各自獨立地表示N或CR3 ，其限制條件為所述X1 至X3 中之至少兩者為N；L1 表示未經取代之伸萘基；Ar1 及Ar2 各自獨立地表示未經取代或經(C1-C30)烷基取代之(C6-C25)芳基或未經取代之(5至20員)雜芳基；以及R1 至R3 各自獨立地表示氫、未經取代之(C6-C20)芳基或未經取代之(5至20員)雜芳基。
在本文中，「(C1-C30)烷基」意謂為具有1個至30個構成鏈之碳原子的直鏈或分支鏈烷基（其中碳原子數目較佳為1至20，更佳為1至10）且包含甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基等。「(C2-C30)烯基」意謂具有2個至30個構成鏈之碳原子的直鏈或分支鏈烯基（其中碳原子數目較佳為2至20，更佳為2至10）且包含乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基丁-2-烯基等。「(C2-C30)炔基」意謂具有2個至30個構成鏈之碳原子的直鏈或分支鏈炔基（其中碳原子數目較佳為2至20，更佳為2至10）且包含乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、1-甲基戊-2-炔基等。「(C3-C30)環烷基」意謂為具有3個至30個環主鏈碳原子之單環或多環烴（其中碳原子數目較佳為3至20，更佳為3至7）且包含環丙基、環丁基、環戊基、環己基等。「(3至7員)雜環烷基」意謂為環烷基（其具有至少一個選自由B、N、O、S、Si及p組成之群（較佳地選自由O、S及N組成之群）的雜原子，以及3個至7個環主鏈原子、較佳地5個至7個環主鏈原子）且包含四氫呋喃、吡咯啶、硫口東、四氫哌喃等。「(C6-C30)(伸)芳基」意謂為衍生於具有6個至30個環主鏈碳原子之芳族烴的單環或稠環自由基且可為部分飽和的，其中環主鏈碳原子數目較佳為6至25，更佳為6至18；包含螺環結構；且包含苯基、聯二苯、聯三苯、萘基、聯萘、苯基萘基、萘基苯基、苯基聯三苯、茀基、苯基茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、苯基菲基、蒽基、茚基、聯伸三苯基、芘基、并四苯基、苝基、屈基（chrysenyl）、稠四苯基、丙(二)烯合茀基、螺聯茀基（spirobifluorenyl）等。「(3至30員)(伸)雜芳基」意謂為芳基，其具有至少一個、較佳地1個至4個選自由B、N、O、S、Si及P組成之群的雜原子之，以及3個至30個環主鏈原子；為單環環狀，或為與至少一個苯環縮合之稠環；可為部分飽和的；可為藉由經由單鍵將至少一個雜芳基或芳基鍵聯至雜芳基所形成之一個；包含螺環結構；且包含單環環型的包含呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噻二唑基、異噻唑基、異噁唑基、噁唑基、噁二唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、呋口占基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基等之雜芳基，及稠環型包含苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并異噻唑基、苯并異噁唑基、苯并噁唑基、異吲哚基、吲哚基、苯并吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、異喹啉基、口辛啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基（benzoquinazolinyl）、喹喏啉基、苯并喹喏啉基（benzoquinoxalinyl）、口奈啶基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、啡噁嗪基、啡噻嗪基、啡啶基、苯并間二氧雜環戊烯基、二氫吖啶基等之雜芳基。「鹵素」包含F、Cl、Br及I。
在本文中，表述「經取代或未經取代之」中之「經取代之」」意謂某官能基中的氫原子由另一原子或官能基，即取代基置換。L1 、Ar1 、Ar2 及R1 至R3 中之具有10個碳原子之經取代之伸芳基、經取代之(C1-C30)烷基、經取代之(C6-C30)(伸)芳基、經取代之(3至30員)雜芳基、經取代之(C3-C30)環烷基、經取代之(C1-C30)烷氧基、經取代之三(C1-C30)烷基矽烷基、經取代之二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基矽烷基、經取代之(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基矽烷基、經取代之三(C6-C30)芳基矽烷基、經取代之單-或二-(C1-C30)烷胺基、經取代之單-或二-(C6-C30)芳胺基、經取代之(C1-C30)烷基(C6-C30)芳胺基及經取代之單環或多環、(C3-C30)脂環、芳環或其組合的取代基各自獨立地為選自由以下組成之群中之至少一者：氘；鹵素；氰基；羧基；硝基；羥基；(C1-C30)烷基；鹵基(C1-C30)烷基；(C2-C30)烯基、(C2-C30)炔基、(C1-C30)烷氧基；(C1-C30)烷硫基；(C3-C30)環烷基；(C3-C30)環烯基；(3至7員)雜環烷基；(C6-C30)芳氧基；(C6-C30)芳硫基；未經取代或經(C6-C30)芳基取代之(5至30員)雜芳基；未經取代或經(5至30員)雜芳基取代之(C6-C30)芳基；三(C1-C30)烷基矽烷基；三(C6-C30)芳基矽烷基；二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基矽烷基；(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基矽烷基；胺基；單-或二-(C1-C30)烷胺基；未經取代或經(C1-C30)烷基取代之單-或二-(C6-C30)芳胺基；(C1-C30)烷基(C6-C30)芳胺基；(C1-C30)烷基羰基；(C1-C30)烷氧羰基；(C6-C30)芳基羰基；二(C6-C30)芳基硼基；二(C1-C30)烷基硼基；(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硼基；(C6-C30)芳基(C1-C30)烷基；及(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基；且較佳地各自獨立地為(C1-C6)烷基。
由式1表示之化合物包含以下化合物，但不限於此： 。
根據本發明之式1化合物可藉由本領域中熟習此項技術者已知之合成方法製備。舉例而言，其可根據以下反應流程製備。 [反應流程1][反應流程2]其中X1 至X3 、L1 、Ar1 、Ar2 、R1 、R2 、a及b如式1中所定義，且OTf表示三氟甲烷磺酸酯。
本發明提供包括式1之有機電致發光化合物的有機電致發光材料，及包括所述材料之有機電致發光裝置。
以上材料可僅由根據本發明之有機電致發光化合物組成，或可進一步包含一般用於有機電致發光材料中之習知材料。
根據本發明之有機電致發光裝置包括第一電極；第二電極；以及第一電極與第二電極之間的至少一個有機層。有機層可包括至少一種式1之有機電致發光化合物。
第一及第二電極中之一者可為陽極，且另一者可為陰極。有機層可包括發光層，且可進一步包括選自電洞注入層、電洞傳輸層、電洞輔助層、發光輔助層、電子傳輸層、電子緩衝層、電子注入層、間層、電洞阻擋層及電子阻擋層中之至少一個層。
式1之有機電致發光化合物可包括於發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電洞輔助層、發光輔助層、電子傳輸層、電子緩衝層、電子注入層、間層、電洞阻擋層及電子阻擋層中之一或多個層中；且較佳地包括於發光層及電子傳輸層中之一或多個層中。當用於發光層中時，本發明之式1之有機電致發光化合物可作為主體材料而被包括。較佳地，發光層可進一步包括一或多種摻雜劑。視需要，可使用本發明之有機電致發光化合物作為輔助主體材料。亦即，發光層可另外包括除本發明之式1之有機電致發光化合物（第一主體材料）以外的化合物作為第二主體材料。在本文中，第一主體材料與第二主體材料之重量比在1:99至99:1範圍內。
第二主體材料可為已知主體中之任一種。選自由下文式11至17之化合物組成的群之主體可為較佳的。 H-(Cz-L4 )h -M -----------(11) H-(Cz)i -L4 -M -----------(12)-----------(13)-----------(14)-----------(15) 其中 Cz表示以下結構：A表示-O-或-S-；及 R21 至R24 各自獨立地表示氫、氘、鹵素、經取代或未經取代之(C1-C30)烷基、經取代或未經取代之(C6-C30)芳基、經取代或未經取代之(5至30員)雜芳基或-SiR25 R26 R27 ；其中R25 至R27 各自獨立地表示經取代或未經取代之(C1-C30)烷基或經取代或未經取代之(C6-C30)芳基；L4 表示單鍵、經取代或未經取代之(C6-C30)伸芳基或經取代或未經取代之(5至30員)伸雜芳基；M表示經取代或未經取代之(C6-C30)芳基或經取代或未經取代之(5至30員)雜芳基；Y1 及Y2 各自獨立地表示-O-、-S-、-N(R31 )-或-C(R32 )(R33 )-，其限制條件為Y1 及Y2 不同時呈現；R31 至R33 各自獨立地表示經取代或未經取代之(C1-C30)烷基、經取代或未經取代之(C6-C30)芳基或經取代或未經取代之(5至30員)雜芳基；R32 及R33 可相同或不同；h及i各自獨立地表示1至3之整數；j、k、l及m各自獨立地表示1至4之整數；q表示1至3之整數；若h、i、j、k、l、m或q表示2或大於2之整數，則每一(Cz-L4 )、每一(Cz)、每一R21 、每一R22 、每一R23 或每一R24 可相同或不同；-----------(16) 其中 Y3 至Y5 各自獨立地表示CR34 或N； R34 表示氫、經取代或未經取代之(C1-C30)烷基、經取代或未經取代之(C6-C30)芳基或經取代或未經取代之(5至30員)雜芳基； B1 及B2 各自獨立地表示氫、經取代或未經取代之(C6-C30)芳基或經取代或未經取代之(5至30員)雜芳基； B3 表示經取代或未經取代之(C6-C30)芳基或經取代或未經取代之(5至30員)雜芳基；及 L5 表示單鍵、經取代或未經取代之(C6-C30)伸芳基或經取代或未經取代之(5至30員)伸雜芳基。-----------(17) 其中 Ar31 至Ar33 各自獨立地表示經取代或未經取代之(C6-C30)芳基或經取代或未經取代之(3至30員)雜芳基；或經鍵聯至相鄰取代基以形成經取代或未經取代之單環或多環(3至30員)脂環、芳環或其組合；及 L31 表示單鍵、經取代或未經取代之(C6-C30)伸芳基或經取代或未經取代之(3至30員)伸雜芳基。
在式17中， Ar31 至Ar33 較佳地各自獨立地表示經取代或未經取代之(C6-C25)芳基或經取代或未經取代之(5至25員)雜芳基。特定言之，Ar31 至Ar33 較佳地可各自獨立地表示經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之聯二苯、經取代或未經取代之茀基、經取代或未經取代之苯并茀基、經取代或未經取代之二苯并呋喃基、經取代或未經取代之二苯并噻吩基、經取代或未經取代之咔唑基、經取代或未經取代之苯并咔唑基、經取代或未經取代之二苯并咔唑基、經取代或未經取代之吲哚并咔唑基、經取代或未經取代之茚并咔唑基、經取代或未經取代之苯并噻吩并咔唑基（benzothienocarbazolyl）、經取代或未經取代之苯并呋喃并咔唑基（benzofurocarbazolyl）、經取代或未經取代之苯并吲哚并咔唑基（benzoindolocarbazolyl）、經取代或未經取代之二苯并吲哚并咔唑基（dibenzoindolocarbazolyl）、經取代或未經取代之菲并噁唑基（phenanthrooxazolyl）、經取代或未經取代之菲并噻唑基（phenanthrothiazolyl）等，但不限於此。
L31 較佳地表示單鍵、經取代或未經取代之(C6-C25)伸芳基或經取代或未經取代之(5至20員）伸雜芳基，且更佳地表示單鍵、經取代或未經取代之(C6-C20)伸芳基或未經取代之(5至15員）伸雜芳基。特定言之，L31 可表示單鍵、經取代或未經取代之伸苯基、經取代或未經取代之伸萘基、經取代或未經取代之聯伸二苯、經取代或未經取代之伸茀基、經取代或未經取代之伸苯并茐基（benzofluorenylene）、經取代或未經取代之聯伸三苯、經取代或未經取代之伸萘基苯基（naphthylphenylene）、經取代或未經取代之伸苯基萘基（phenylnaphthylene）等，但不限於此。
特定言之，第二主體材料之實例如下，但不限於此。 [其中TPS表示三苯基矽烷基]
包括於根據本發明之有機電致發光裝置中的摻雜劑可較佳地為至少一種磷光摻雜劑。應用於根據本發明之有機電致發光裝置的磷光摻雜劑材料不受特定限制，但可選自銥（Ir）、鋨（Os）、銅（Cu）及鉑（Pt）之金屬化錯合化合物，可較佳地選自銥（Ir）、鋨（Os）、銅（Cu）及鉑（Pt）之鄰位金屬化錯合化合物，且可更佳為鄰位金屬化銥錯合化合物。
包括於本發明之有機電致發光裝置中之摻雜劑可選自由下文式101至式104表示之化合物組成之群，但不限於此。---------- (101)---------- (102)------------- (103)------------ (104) 其中L選自以下結構：R100 、R134 及R135 各自獨立地表示氫、氘、經取代或未經取代之(C1-C30)烷基或經取代或未經取代之(C3-C30)環烷基； R101 至R109 及R111 至R123 各自獨立地表示氫、氘、鹵素、未經取代或經氘或鹵素取代之(C1-C30)烷基、經取代或未經取代之(C3-C30)環烷基、經取代或未經取代之(C6-C30)芳基、氰基或經取代或未經取代之(C1-C30)烷氧基；R106 至R109 之相鄰取代基可彼此鍵聯以形成經取代或未經取代之稠環，例如未經取代或經烷基取代之茀、未經取代或經烷基取代之二苯并噻吩或未經取代或經烷基取代之二苯并呋喃；及R120 至R123 之相鄰取代基可彼此鍵聯以形成經取代或未經取代之稠環，例如，未經取代或經烷基、芳基、芳烷基及烷芳基中之至少一者取代之喹啉； R124 至R133 及R136 至R139 各自獨立地表示氫、氘、鹵素、經取代或未經取代之(C1-C30)烷基或經取代或未經取代之(C6-C30)芳基；及R124 至R127 之相鄰取代基可彼此鍵聯以形成經取代或未經取代之稠環，例如，未經取代或經烷基取代之茀，未經取代或經烷基取代之二苯并噻吩或未經取代或經烷基取代之二苯并呋喃； X表示CR51 R52 、O或S； R51 及R52 各自獨立地表示經取代或未經取代之(C1-C10)烷基或經取代或未經取代之(C6-C30)芳基； R201 至R211 各自獨立地表示氫、氘、鹵素、未經取代或經氘或鹵素取代之(C1-C30)烷基、經取代或未經取代之(C3-C30)環烷基、或未經取代或經烷基或氘取代之(C6-C30)芳基；且R208 至R211 之相鄰取代基可彼此鍵聯以形成經取代或未經取代之稠環，例如未經取代或經烷基取代之茀、未經取代或經烷基取代之二苯并噻吩或未經取代或經烷基取代之二苯并呋喃； f及g各自獨立地表示1至3之整數；當f或g為2或大於2之整數時，每一R100 可相同或不同；以及 s表示1至3之整數。
特定言之，摻雜化合物之實例如下，但不限於此。
根據本發明之有機電致發光裝置包括第一電極；第二電極；以及第一電極與第二電極之間的至少一個有機層。
第一及第二電極中之一者可為陽極，且另一者可為陰極。有機層可包括發光層，且可進一步包括選自電洞注入層、電洞傳輸層、電洞輔助層、發光輔助層、電子傳輸層、電子緩衝層、電子注入層、間層、電洞阻擋層及電子阻擋層中之至少一個層。
有機層可進一步包括選自由芳胺基化合物及苯乙烯基芳基胺基化合物組成的群中之至少一種化合物。
另外，在根據本發明之有機電致發光裝置中，有機層可進一步包括選自由以下組成之群的至少一種金屬：週期表的第1族金屬、第2族金屬、第4週期過渡金屬、第5週期過渡金屬、鑭系元素及d-過渡元素的有機金屬，或包括所述金屬的至少一種錯合化合物。
此外，根據本發明之有機電致發光裝置可藉由進一步包括至少一個發光層而發射白光，所述發光層除根據本發明之化合物以外亦包括本領域中已知的藍光電致發光化合物、紅光電致發光化合物或綠光電致發光化合物。此外，必要時，裝置中可進一步包括發黃光或橙光層。
在根據本發明之有機電致發光裝置中，至少一個層（下文中，「表層」）較佳置放於一個或兩個電極之內表面上，所述至少一個層選自硫屬化物層、金屬鹵化物層及金屬氧化層。特定言之，矽或鋁之硫屬化物（包含氧化物）層較佳置放於電致發光介質層之陽極表面上，且金屬鹵化物層或金屬氧化物層較佳置放於電致發光介質層之陰極表面上。所述表層為有機電致發光裝置提供操作穩定性。較佳地，所述硫屬化物包含SiOX （1≤X≤2）、AlOX （1≤X≤1.5）、SiON、SiAlON等；所述金屬鹵化物包含LiF、MgF2 、CaF2 、稀土金屬氟化物等；且所述金屬氧化物包含Cs2 O、Li2 O、MgO、SrO、BaO、CaO等。
在陽極與發光層之間可使用電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層或其組合。電洞注入層可為多層以降低陽極至電洞傳輸層或電子阻擋層之電洞注入障壁（或電洞注入電壓），其中多層中之每一層可同時使用兩種化合物。電洞傳輸層或電子阻擋層亦可為多層。
在發光層與陰極之間可使用電子緩衝層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層或其組合。電子緩衝層可為多層以控制電子之注入且改良發光層與電子注入層之間的界面特性，其中多層中之每一層可同時使用兩種化合物。電洞阻擋層或電子傳輸層亦可為多層，其中多層中之每一層可使用複數種化合物。
發光輔助層可置放於陽極與發光層之間或陰極與發光層之間。當發光輔助層置放於陽極與發光層之間時，其可用於促進電洞注入及/或電洞傳輸或用於預防電子溢出。當發光輔助層置放於陰極與發光層之間時，其可用於促進電子注入及/或電子傳輸或用於防止電洞溢出。此外，電洞輔助層可置放於電洞傳輸層（或電洞注入層）與發光層之間，且可有效促進或阻斷電洞傳輸速率（或電洞注入速率），由此使得能夠控制電荷平衡。此外，電子阻擋層可置放於電洞傳輸層（或電洞注入層）與發光層之間，且可藉由阻斷電子自發光層溢出而將激子限制於發光層內以防止發光洩漏。當有機電致發光裝置包含兩個或多於兩個電洞傳輸層時，可使用進一步包含之電洞傳輸層作為電洞輔助層或電子阻擋層。電洞輔助層及電子阻擋層可具有改良有機電致發光裝置之效能及/或壽命的效果。
較佳地，在本發明之有機電致發光裝置中，電子傳輸化合物及還原性摻雜劑之混合區、或電洞傳輸化合物及氧化性摻雜劑之混合區可置放於一對電極之至少一個表面上。在此情況下，電子傳輸化合物還原為陰離子，且因此變得更容易將電子自混合區域注入及傳輸至發光介質。此外，電洞傳輸化合物經氧化成陽離子，且因此變得更容易將電洞自混合區注入及傳輸至發光介質。較佳地，氧化性摻雜劑包含各種路易斯酸（Lewis acid）及受體化合物；且還原性摻雜劑包含鹼金屬、鹼金屬化合物、鹼土金屬、稀土金屬以及其混合物。還原性摻雜劑層可用作電荷產生層以製備具有兩個或多於兩個發光層且發射白光之有機EL裝置。
為形成構成本發明之有機電致發光裝置的每一層，可使用諸如真空沈積、濺鍍、電漿、離子電鍍方法等之幹式成膜方法或諸如旋塗、浸塗、流動塗佈方法等之濕式成膜方法。當形成本發明之第一及第二主體化合物之膜時，使用輔助蒸發或混合蒸發方法。
當使用濕式成膜方法時，藉由將構成每一層之材料溶解或分散於適合之溶劑中來形成薄膜，溶劑為諸如乙醇、氯仿、四氫呋喃、二噁烷等。溶劑不進行特定限制只要構成每一層之材料可溶於或可分散於溶劑中即可，由此不會在形成膜中產生任何問題。
藉由使用本發明之有機電致發光裝置，可製造顯示裝置，例如智慧型電話、平板電腦、筆記型電腦、PC、TV或媒介物，或照明裝置，例如室內或戶外照明裝置。
下文中，將關於本發明之代表性化合物詳細解釋本發明之化合物之製備方法、化合物之實體屬性及包括化合物之有機電致發光裝置的發光屬性。然而，本發明不限於下文實例。實例 1 ：製備化合物 HHHhh-1
將10 g之化合物1-1（46 mmol）、27 g之2-(4-溴萘-1-基)-4-(萘-2-基)-6-苯基-1,3,5-三嗪（55 mmol）、1 g之乙酸鈀(II)（5 mmol）、3.8 g之2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯（9 mmol）、6.6 g之第三丁醇鈉（69 mmol）及230 mL的鄰二甲苯引入至反應容器中，並且在回流下攪拌混合物5小時。反應完成後，用蒸餾水洗滌且用乙酸乙酯萃取混合物。用硫酸鎂乾燥經萃取有機層，且使用旋轉式蒸發器去除溶劑。此後，藉由管柱層析來純化所得產物從而獲得9.3 g的化合物H-1 （ 產量：32%）。 實例 2 ：化合物 C- 2 之製備
將10 g之化合物1-1（46 mmol），24 g之2-（4-溴萘)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪（55 mmol），1 g之乙酸鈀(II)（5 mmol）、3.8 g之2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯（9 mmol），6.6 g之第三丁醇鈉（69 mmol）及230 mL之鄰二甲苯引入至反應容器中且在回流下攪拌混合物5小時。反應完成後，用蒸餾水洗滌且用乙酸乙酯萃取混合物。用硫酸鎂乾燥經萃取有機層，且使用旋轉式蒸發器去除溶劑。此後，藉由管柱層析來純化所得產物從而獲得8.2 g的化合物H-2 （產量：31%）。 裝置實例 1 及 2 ： 在電子傳輸層中使用根據本發明的有機電致發光化合物製造 OLED 裝置
製造包括本發明之化合物的有機發光二極體（OLED）裝置。依序用丙酮及異丙醇對OLED裝置（Geomatec，日本）之玻璃基板上的透明電極氧化銦錫（ITO）薄膜（10 Ω/sq）經受進行超音波洗滌，且接著將其儲存於異丙醇中。隨後，將ITO基板安裝於真空氣相沈積設備之基板固持器上。將化合物HI-1引入至所述真空氣相沈積設備之單元中，並且接著將所述設備之腔室中之壓力控制至10-7 托。此後，向所述單元施加電流以汽化上述引入之材料，藉此在ITO基板上形成厚度為60 nm之第一電洞注入層。接著將化合物HI-2引入至所述真空氣相沈積設備之另一單元中，且藉由向所述單元施加電流而汽化，藉此在第一電洞注入層上形成厚度為5 nm的第二電洞注入層。將化合物HT-1引入至所述真空氣相沈積設備之另一單元中，且藉由向所述單元施加電流而汽化，藉此在第二電洞注入層上形成厚度為20 nm的第一電洞傳輸層。將化合物HT-2引入到所述真空氣相沈積設備的另一單元中，且藉由向所述單元施加電流而汽化，藉此在第一電洞傳輸層上形成厚度為5 nm的第二電洞傳輸層。在形成電洞注入層及電洞傳輸層之後，接著如下沈積發光層。將化合物BH-1引入至真空氣相沈積設備之一個單元中作為主體，且將化合物BD-1引入至另一單元中作為摻雜劑。兩種材料以不同速率汽化且以基於主體及摻雜劑之總量的2wt%之摻雜量沈積以在第二電洞傳輸層上形成具有20 nm厚度之發光層。隨後將化合物H-1或H-2及化合物EI-1引入至其他兩個單元中，同時以1:1之速率汽化且沈積以在發光層上形成具有35 nm厚度之電子傳輸層。接著，在將化合物EI-1作為具有2 nm厚度之電子注入層沈積於電子傳輸層上之後，藉由另一真空氣相沈積設備將具有80 nm厚度之Al陰極沈積於電子注入層上。因此，製造OLED裝置。用於製造OLED裝置的所有材料藉由在10-6 托下真空昇華而純化。
當有機電致發光裝置開始發光時，1尼特之驅動電壓及當所製造之OLED裝置亮度為2,000尼特時，亮度自100%降至90%所需的時間週期提供於下文表1中。 比較實例 1 及 2 ： 使用電子傳輸層中之習知的有機電致發光化合物製造 OLED 裝置
在比較實例1及2中，以與裝置實例1及2中之相同的方式製造OLED裝置，不同之處在於使用表1之電子傳輸材料替代H-1或H-2。比較實例1及2之有機電致發光裝置的評價結果提供於下文表1中。 [表1]
包括本發明之化合物的有機電致發光裝置保持類似於包括習知化合物之有機電致發光裝置的良好驅動電壓特徵，且相較於包括習知化合物之有機電致發光裝置，展現顯著增強壽命特徵。裝置實例 3 ： 使用根據本發明之有機電致發光化合物作為主體製造 OLED 裝置
使用本發明之有機電致發光化合物製造OLED裝置。依序用三氯乙烯、丙酮、乙醇及蒸餾水對OLED裝置（Geomatec，日本）之玻璃基板上的透明電極氧化銦錫（ITO）薄膜（10 Ω/sq）進行超音波洗滌，且接著將其儲存於異丙醇中。隨後，將ITO基板安裝於真空氣相沈積設備之基板固持器上。將化合物HI-1作為第一電洞注入材料引入至真空氣相沈積設備之單元中，且接著將所述設備之腔室中的壓力控制至10-6 托。此後，向所述單元施加電流以汽化上述引入之材料，藉此在ITO基板上形成厚度為80 nm之第一電洞注入層。隨後將化合物HI-2作為第二電洞注入材料引入至所述真空氣相沈積設備之另一單元中，且藉由向所述單元施加電流而汽化，由此在第一電洞注入層上形成厚度為5 nm之第二電洞注入層。將化合物HT-1作為第一電洞傳輸材料引入至所述真空氣相沈積設備之另一單元中，且藉由向單元施加電流而汽化，由此在第二電洞注入層上形成厚度為10 nm之第一電洞傳輸層。將化合物HT-3作為第二電洞傳輸材料引入至所述真空氣相沈積設備之另一單元中，且藉由向單元施加電流而汽化，由此在第一電洞傳輸層上形成厚度為60 nm之第二電洞傳輸層。在形成電洞注入層及電洞傳輸層之後，接著如下沈積發光層。將化合物H-2引入至真空氣相沈積設備之一個單元中作為主體，且將化合物D-71引入至另一單元中作為摻雜劑。兩種材料以不同速率汽化且以基於主體及摻雜劑之總量的3wt%之摻雜量沈積以在第二電洞傳輸層上形成厚度為40nm之發光層。隨後將化合物ET-2及化合物EI-1引入至其他兩個單元中，同時以1:1之速率汽化及沈積以在發光層上形成厚度為35 nm之電子傳輸層。接著，在將化合物EI-1沈積作為厚度為2 nm之電子注入層之後，藉由另一真空氣相沈積設備沈積厚度為80 nm之Al陰極。因此，製造OLED裝置。
因此，展示3.1 V下22.3 lm/W之功率效率，發出1000 cd/m2 之紅光，且消耗時間自5,000尼特亮度之100%降低至95%且恆定電流為59小時。比較實例 3 ： 使用習知有機電致發光化合物作為主體製造 OLED 裝置
以與裝置實例3中相同之方式製造OLED裝置，不同之處在於使用X-1代替H-2作為主體。
因此，展示3.6 V下18.7 lm/W之功率效率，發出1000 cd/m2 之紅光，且用於5,000尼特亮度及恆定電流自100%降低至95%所消耗時間為31小時。 X-1
使用本發明之有機電致發光化合物作為主體之有機電致發光裝置具有降低驅動電壓，展示出類似或更好的功率效率，且特定言之相較於包括習知有機電致發光化合物之有機電致發光裝置，展示出顯著更好的壽命特徵。裝置實例 4 至 13 ： 使用根據本發明之有機電致發光化合物作為複數個主體中之一者製造 OLED 裝置
使用本發明之有機電致發光化合物製造OLED裝置。依序用三氯乙烯、丙酮、乙醇及蒸餾水對OLED裝置（Geomatec，日本）之玻璃基板上的透明電極氧化銦錫（ITO）薄膜（10 Ω/sq）進行超音波洗滌，且接著將其儲存於異丙醇中。隨後，將ITO基板安裝於真空氣相沈積設備之基板固持器上。將化合物HI-1作為第一電洞注入材料引入至真空氣相沈積設備之單元中，且接著將所述設備之腔室中的壓力控制至10-6 托。此後，向所述單元施加電流以汽化上述引入之材料，藉此在ITO基板上形成厚度為80 nm之第一電洞注入層。隨後將化合物HI-2作為第二電洞注入材料引入至所述真空氣相沈積設備之另一單元中，且藉由向所述單元施加電流而汽化，由此在第一電洞注入層上形成厚度為5 nm之第二電洞注入層。將化合物HT-1作為第一電洞傳輸材料引入至所述真空氣相沈積設備之另一單元中，且藉由向單元施加電流而汽化，由此在第二電洞注入層上形成厚度為10 nm之第一電洞傳輸層。將化合物HT-2作為第二電洞傳輸材料引入至所述真空氣相沈積設備之另一單元中，且藉由向單元施加電流而汽化，由此在第一電洞傳輸層上形成厚度為60 nm之第二電洞傳輸層。在形成電洞注入層及電洞傳輸層之後，接著如下沈積發光層。將表2之第一主體引入至真空氣相沈積設備之一個單元中，將第二主體引入至另一個單元中，且將化合物D-71引入至另一單元中作為摻雜劑。第一及第二主體以1:1之速率汽化且摻雜劑基於主體及摻雜劑之總量以3 wt%之摻雜量沈積以在第二電洞傳輸層上形成厚度為40 nm之發光層。隨後將化合物ET-2及化合物EI-1引入至其他兩個單元中，同時以1:1之速率汽化及沈積以在發光層上形成厚度為35 nm之電子傳輸層。接著，在將化合物EI-1沈積作為厚度為2 nm之電子注入層之後，藉由另一真空氣相沈積設備沈積厚度為80 nm之Al陰極。因此，製造OLED裝置。
用於以5,000尼特之亮度自100%減小至95%亮度的時間週期（T95）及製造OLED裝置之恆定電流提供於下文表2中。 [表2]
表2展示使用根據本發明之有機電致發光化合物作為複數個主體中之一者的有機電致發光裝置展現極佳發光效率及壽命特徵。
無
無

Claims (10)

  1. 一種由下式1表示之有機電致發光化合物：-----------(1) 其中 X1 至X3 各自獨立地表示N或CR3 ，其限制條件為所述X1 至X3 中之至少一者為N； L1 表示具有10個碳原子之經取代或未經取代之伸芳基； Ar1 、Ar2 及R1 至R3 各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、經取代或未經取代之(C1-C30)烷基、經取代或未經取代之(C6-C30)芳基、經取代或未經取代之(3至30員)雜芳基、經取代或未經取代之(C3-C30)環烷基、經取代或未經取代之(C1-C30)烷氧基、經取代或未經取代之三(C1-C30)烷基矽烷基、經取代或未經取代之二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基矽烷基、經取代或未經取代之(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基矽烷基、經取代或未經取代之三(C6-C30)芳基矽烷基、經取代或未經取代之單-或二-(C1-C30)烷胺基、經取代或未經取代之單-或二-(C6-C30)芳胺基或經取代或未經取代之(C1-C30)烷基(C6-C30)芳胺基；或經鍵聯至相鄰取代基以形成經取代或未經取代之單環或多環(C3-C30)脂環、芳環或其組合，其碳原子可由至少一個選自氮、氧及硫之雜原子置換； 所述雜芳基含有至少一個選自B、N、O、S、Si及P之雜原子； a為1至4之整數且b為1至6之整數； 其中a或b為2或大於2之整數，每一R1 與每一R2 可相同或不同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光化合物，其中L1 、Ar1 、Ar2 及R1 至R3 中之所述具有10個碳原子之經取代之伸芳基、所述經取代之(C1-C30)烷基、所述經取代之(C6-C30)(伸)芳基、所述經取代之(3至30員)雜芳基、所述經取代之(C3-C30)環烷基、所述經取代之(C1-C30)烷氧基、所述經取代之三(C1-C30)烷基矽烷基、所述經取代之二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基矽烷基、所述經取代之(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基矽烷基、所述經取代之三(C6-C30)芳基矽烷基、所述經取代之單-或二-(C1-C30)烷胺基、所述經取代之單-或二-(C6-C30)芳胺基、所述經取代之(C1-C30)烷基(C6-C30)芳胺基及所述經取代之單環或多環(C3-C30)脂環、芳環或其組合的所述取代基各自獨立地為選自由以下組成之群中之至少一者：氘；鹵素；氰基；羧基；硝基；羥基；(C1-C30)烷基；鹵基(C1-C30)烷基；(C2-C30)烯基；(C2-C30)炔基；(C1-C30)烷氧基；(C1-C30)烷硫基；(C3-C30)環烷基；(C3-C30)環烯基；(3至7員)雜環烷基；(C6-C30)芳氧基；(C6-C30)芳硫基；未經取代或經(C6-C30)芳基取代之(5至30員)雜芳基；未經取代或經(5至30員)雜芳基取代之(C6-C30)芳基；三(C1-C30)烷基矽烷基，(C6-C30)芳基矽烷基；二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基矽烷基；(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基矽烷基；胺基；單-或二-(C1-C30)烷胺基；未經取代或經(C1-C30)烷基取代之單-或二-(C6-C30)芳胺基；(C1-C30)烷基(C6-C30)芳胺基；(C1-C30)烷基羰基；(C1-C30)烷氧羰基；(C6-C30)芳基羰基；二(C6-C30)芳基硼基；二(C1-C30)烷基硼基；(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硼基；(C6-C30)芳基(C1-C30)烷基；及(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光化合物，其中式1由下式2至式8中之任一者表示：--(2)--(3)--(4)--(5)--(6)--(7)--(8) 其中 X1 至X3 、Ar1 、Ar2 及R1 至R3 如申請專利範圍第1項中所定義。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光化合物，其中 X1 至X3 各自獨立地表示N或CR3 ，其限制條件為所述X1 至X3 中之至少兩者為N； L1 表示經取代或未經取代之伸萘基； Ar1 及Ar2 各自獨立地表示經取代或未經取代之(C6-C25)芳基或經取代或未經取代之(5至20員)雜芳基；及 R1 至R3 各自獨立地表示氫、經取代或未經取代之(C6-C20)芳基或經取代或未經取代之(5至20員)雜芳基。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光化合物，其中 X1 至X3 各自獨立地表示N或CR3 ，其限制條件為所述X1 至X3 中之至少兩者為N； L1 表示未經取代之伸萘基； Ar1 及Ar2 各自獨立地表示未經取代或經(C1-C30)烷基取代之(C6-C25)芳基或未經取代之(5至20員)雜芳基；及 R1 至R3 各自獨立地表示氫、未經取代之(C6-C20)芳基或未經取代之(5至20員)雜芳基。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光化合物，其中由式1表示之所述化合物選自由以下組成之群： 。
  7. 一種有機電致發光材料，包括如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光化合物。
  8. 一種有機電致發光裝置，包括如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光化合物。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的有機電致發光裝置，其中所述有機電致發光化合物包括於電子傳輸層、發光層或其兩者中。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的有機電致發光裝置，其中除如申請專利範圍第9項所述的有機電致發光化合物以外，所述發光層進一步包括有機電致發光化合物且所述進一步包括的有機電致發光化合物由以下式11至式17中之任一者表示 H-(Cz-L4 )h -M -----------(11) H-(Cz)i -L4 -M -----------(12)-----------(13)-----------(14)-----------(15) 其中 Cz表示以下結構：A表示-O-或-S-；及 R21 至R24 各自獨立地表示氫、氘、鹵素、經取代或未經取代之(C1-C30)烷基、經取代或未經取代之(C6-C30)芳基、經取代或未經取代之(5至30員)雜芳基或-SiR25 R26 R27 ；其中R25 至R27 各自獨立地表示經取代或未經取代之(C1-C30)烷基或經取代或未經取代之(C6-C30)芳基；L4 表示單鍵、經取代或未經取代之(C6-C30)伸芳基或經取代或未經取代之(5至30員)伸雜芳基；M表示經取代或未經取代之(C6-C30)芳基或經取代或未經取代之(5至30員)雜芳基；Y1 及Y2 各自獨立地表示-O-、-S-、-N(R31 )-或-C(R32 )(R33 )-，其限制條件為Y1 及Y2 不同時呈現；R31 至R33 各自獨立地表示經取代或未經取代之(C1-C30)烷基、經取代或未經取代之(C6-C30)芳基或經取代或未經取代之(5至30員)雜芳基；R32 及R33 可相同或不同；h及i各自獨立地表示1至3之整數；j、k、l及m各自獨立地表示1至4之整數；q表示1至3之整數；若h、i、j、k、l、m或q表示2或大於2之整數，則每一(Cz-L4 )、每一(Cz)、每一R21 、每一R22 、每一R23 或每一R24 可相同或不同；-----------(16) 其中 Y3 至Y5 各自獨立地表示CR34 或N； R34 表示氫、經取代或未經取代之(C1-C30)烷基、經取代或未經取代之(C6-C30)芳基或經取代或未經取代之(5至30員)雜芳基； B1 及B2 各自獨立地表示氫、經取代或未經取代之(C6-C30)芳基或經取代或未經取代之(5至30員)雜芳基； B3 表示經取代或未經取代之(C6-C30)芳基或經取代或未經取代之(5至30員)雜芳基；及 L5 表示單鍵、經取代或未經取代之(C6-C30)伸芳基或經取代或未經取代之(5至30員)伸雜芳基-----------(17) 其中 Ar31 至Ar33 各自獨立地表示經取代或未經取代之(C6-C30)芳基或經取代或未經取代之(3至30員)雜芳基；或經鍵聯至相鄰取代基以形成經取代或未經取代之單環或多環(3至30員)脂環、芳環或其組合；及 L31 表示單鍵、經取代或未經取代之(C6-C30)伸芳基或經取代或未經取代之(3至30員)伸雜芳基。
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