TW201827488A - 正型感光性樹脂組成物、乾膜、硬化物、印刷配線板及半導體元件 - Google Patents

正型感光性樹脂組成物、乾膜、硬化物、印刷配線板及半導體元件 Download PDF

Info

Publication number
TW201827488A
TW201827488A TW106131345A TW106131345A TW201827488A TW 201827488 A TW201827488 A TW 201827488A TW 106131345 A TW106131345 A TW 106131345A TW 106131345 A TW106131345 A TW 106131345A TW 201827488 A TW201827488 A TW 201827488A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin composition
photosensitive resin
positive photosensitive
film
coupling agent
Prior art date
Application number
TW106131345A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI743196B (zh
Inventor
秋元真
許成強
Original Assignee
日商太陽控股股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商太陽控股股份有限公司 filed Critical 日商太陽控股股份有限公司
Publication of TW201827488A publication Critical patent/TW201827488A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI743196B publication Critical patent/TWI743196B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

提供殘膜率優良之正型感光性樹脂組成物、具有由該組成物所得到之樹脂層的乾膜、該組成物或該乾膜之樹脂層的硬化物、具有該硬化物之印刷配線板及具有該硬化物之半導體元件。一種正型感光性樹脂組成物等，其係含有(A)聚苯并噁唑前驅物、(B)光酸產生劑、(C)三聚氰胺系交聯劑及(D)矽烷偶合劑之正型感光性樹脂組成物，其特徵為前述(D)矽烷偶合劑，包含由具有芳基胺基之矽烷偶合劑及具有二個以上之三烷氧基矽烷基的矽烷偶合劑中選出之至少1種。

Description

正型感光性樹脂組成物、乾膜、硬化物、印刷配線板及半導體元件
[0001] 本發明係關於正型感光性樹脂組成物、乾膜、硬化物、印刷配線板及半導體元件。
[0002] 作為能夠以鹼水溶液顯像之正型感光性樹脂組成物，係使用摻合有聚苯并噁唑(PBO)前驅物與萘醌二疊氮化合物等之光酸產生劑的組成物。使如此之組成物熱硬化所得到的聚苯并噁唑硬化物，由於耐熱性及電絕緣性優良，故對於電材料之表面保護膜或層間絕緣膜，例如對於半導體元件之塗覆膜，或可撓印刷配線板材料、耐熱絕緣性層間材之應用係有所進展。 　　[0003] 為了使含有如上述之聚苯并噁唑前驅物的正型感光性樹脂組成物熱硬化，必須於高溫處理，但為了亦可使用於缺乏耐熱性的材料，又，由於環境面、成本面、安全面之要求，故要求減低處理溫度。作為如此的手段，以往已知有摻合交聯劑(例如專利文獻1、2)。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0004] 　　[專利文獻1]日本特開2009-265520號公報 　　[專利文獻2]日本特開2011-053458號公報
[發明所欲解決之課題] 　　[0005] 但是，摻合交聯劑時，係有鹼顯像後之未曝光部的殘膜率降低的問題。 　　[0006] 因而本發明之目的，係提供殘膜率優良之正型感光性樹脂組成物、具有由該組成物所得到之樹脂層的乾膜、該組成物或該乾膜之樹脂層的硬化物、具有該硬化物之印刷配線板及具有該硬化物之半導體元件。 [用以解決課題之手段] 　　[0007] 本發明者等鑑於上述而戮力探討的結果，發現藉由使用特定之交聯劑與矽烷偶合劑，可解決上述課題，而完成本發明。 　　[0008] 亦即，本發明之正型感光性樹脂組成物，係含有(A)聚苯并噁唑前驅物、(B)光酸產生劑、(C)三聚氰胺系交聯劑及(D)矽烷偶合劑之正型感光性樹脂組成物，其特徵為前述(D)矽烷偶合劑，包含由具有芳基胺基之矽烷偶合劑及具有二個以上之三烷氧基矽烷基的矽烷偶合劑中選出之至少1種。 　　[0009] 本發明之正型感光性樹脂組成物，較佳為前述(D)矽烷偶合劑，包含具有芳基胺基之矽烷偶合劑。 　　[0010] 本發明之乾膜，其特徵為具有將前述感光性樹脂組成物塗佈於薄膜並乾燥而得到之樹脂層。 　　[0011] 本發明之硬化物，其特徵為使前述感光性樹脂組成物或前述乾膜之樹脂層硬化而得到。 　　[0012] 本發明之印刷配線板，其特徵為具有前述硬化物。 　　[0013] 本發明之半導體元件，其特徵為具有前述硬化物。 [發明之效果] 　　[0014] 依照本發明，可提供殘膜率優良之正型感光性樹脂組成物、具有由該組成物所得到之樹脂層的乾膜、該組成物或該乾膜之樹脂層的硬化物、具有該硬化物之印刷配線板及具有該硬化物之半導體元件。
[0016] 以下，詳述本發明之正型感光性樹脂組成物所含有之成分。 　　[0017] [(A)聚苯并噁唑前驅物] 　　本發明之正型感光性樹脂組成物，含有(A)聚苯并噁唑前驅物。合成(A)聚苯并噁唑前驅物之方法並無特殊限定，以公知方法合成即可。例如，可使作為胺成分之二羥基二胺類與作為酸成分之二羧酸二氯化物等的二羧酸之二鹵化物反應而得到。 　　[0018] (A)聚苯并噁唑前驅物，較佳為具有下述重複構造之聚羥基醯胺酸。(式中，X表示4價有機基，Y表示2價有機基。n為1以上之整數、較佳為10~50、更佳為20~40)。 　　[0019] 以上述合成方法合成(A)聚苯并噁唑前驅物時，前述通式(1)中，X為前述二羥基二胺類之殘基，Y為前述二羧酸之殘基。 　　[0020] 前述二羥基二胺類，可列舉3,3’-二胺基-4,4’-二羥基聯苯、4,4’-二胺基-3,3’-二羥基聯苯、雙(3-胺基-4-羥基苯基)丙烷、雙(4-胺基-3-羥基苯基)丙烷、雙(3-胺基-4-羥基苯基)碸、雙(4-胺基-3-羥基苯基)碸、2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-雙(4-胺基-3-羥基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷等。其中尤以2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷為佳。 　　[0021] 前述二羧酸可列舉間苯二甲酸、對苯二甲酸、5-tert-丁基間苯二甲酸、5-溴間苯二甲酸、5-氟間苯二甲酸、5-氯間苯二甲酸、2,6-萘二羧酸、4,4’-二羧基聯苯、4,4’-二羧基二苯基醚、4,4’-二羧基四苯基矽烷、雙(4-羧基苯基)碸、2,2-雙(p-羧基苯基)丙烷、2,2-雙(4-羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷等之具有芳香環之二羧酸；草酸、丙二酸、琥珀酸、1,2-環丁烷二羧酸、1,4-環己烷二羧酸、1,3-環戊烷二羧酸等之脂肪族系二羧酸。其中尤以4,4’-二羧基二苯基醚為佳。 　　[0022] 前述通式(1)中，X所表示之4價有機基係脂肪族基亦可芳香族基亦可，較佳為芳香族基，更佳為2個羥基與2個胺基係以鄰位而位於芳香環上。前述4價芳香族基之碳原子數，較佳為6~30、更佳為6~24。前述4價芳香族基之具體例子可列舉下述基，但不限定於此等，只要依用途選擇聚苯并噁唑前驅物中可含有的公知之芳香族基即可。 　　[0023][0024] 前述4價芳香族基，於前述芳香族基當中，尤以下述基為佳。[0025] 前述通式(1)中，Y所表示之2價有機基係脂肪族基亦可芳香族基亦可，較佳為芳香族基，更佳為於芳香環上與前述通式(1)中之羰基鍵結。前述2價芳香族基之碳原子數，較佳為6~30、更佳為6~24。前述2價芳香族基之具體例子可列舉下述基，但不限定於此等，只要依用途來選擇聚苯并噁唑前驅物中所含有的公知之芳香族基即可。 　　[0026](式中，A表示選自由單鍵、-CH2 -、-O-、-CO-、-S-、 -SO2 -、-NHCO-、-C(CF3 )2 -、-C(CH3 )2 -所成之群的2價基)。 　　[0027] 前述2價有機基，於前述芳香族基當中，尤以下述基為佳。[0028] (A)聚苯并噁唑前驅物，亦可含有2種以上之上述聚羥基醯胺酸的重複構造。又，亦可含有上述聚羥基醯胺酸的重複構造以外之構造，例如可含有聚醯胺酸之重複構造。 　　[0029] (A)聚苯并噁唑前驅物之數平均分子量(Mn)較佳為5,000~100,000、更佳為8,000~50,000。此處數平均分子量，係以(GPC)測定，以標準聚苯乙烯所換算之數值。又，(A)聚苯并噁唑前驅物之重量平均分子量(Mw)較佳為10,000~200,000、更佳為16,000~100,000。此處重量平均分子量，係以(GPC)測定，以標準聚苯乙烯所換算之數值。Mw/Mn較佳為1~5、更佳為1~3。 　　[0030] (A)聚苯并噁唑前驅物，可1種單獨使用、亦可組合2種以上使用。(A)聚苯并噁唑前驅物之摻合量，以組成物固體成分總量為基準較佳為60~90質量%。 　　[0031] [(B)光酸產生劑] 　　(B)光酸產生劑可列舉萘醌二疊氮化合物、二芳基鋶鹽、三芳基鋶鹽、二烷基苯甲醯甲基鋶鹽、二芳基錪鹽、芳基重氮鎓鹽、芳香族四羧酸酯、芳香族磺酸酯、硝基苄基酯、芳香族N-氧基醯亞胺磺酸酯、芳香族磺醯胺、苯醌重氮磺酸酯等。(B)光酸產生劑較佳為溶解抑制劑。其中尤以萘醌二疊氮化合物為佳。 　　[0032] 萘醌二疊氮化合物，具體而言例如可使用參(4-羥基苯基)-1-乙基-4-異丙基苯之萘醌二疊氮加成物(例如三寶化學研究所公司製之TS533、TS567、TS583、TS593)或四羥基二苯甲酮之萘醌二疊氮加成物(例如三寶化學研究所公司製之BS550、BS570、BS599)等。 　　[0033] (B)光酸產生劑可1種單獨使用、亦可組合2種以上使用。(B)光酸產生劑之摻合量，以組成物固體成分總量為基準，較佳為3~20質量%。 　　[0034] [(C)三聚氰胺系交聯劑] 　　(C)三聚氰胺系交聯劑，只要為具有三聚氰胺構造之交聯劑則無特殊限定，較佳為下述通式(2)表示之三聚氰胺系交聯劑。(式中，R21A 、R22A 、R23A 、R24A 、R25A 及R26A 較佳分別獨立地為碳數1~3之伸烷基。R21B 、R22B 、R23B 、R24B 、R25B 及R26B 較佳分別獨立地為氫原子或碳數1~3之烷基)。 　　[0035] 上述通式(2)中，R21A 、R22A 、R23A 、R24A 、R25A 及R26A 更佳分別為亞甲基。又，R21B 、R22B 、R23B 、R24B 、R25B 及R26B 更佳分別獨立地為甲基或氫原子。 　　[0036] (C)三聚氰胺系交聯劑可1種單獨使用、亦可組合2種以上使用。(C)三聚氰胺系交聯劑之摻合量，以組成物固體成分總量為基準，較佳為1~15質量%。若為1~15質量%，可提高未曝光部之殘膜率，且可防止曝光部之顯像殘留。 　　[0037] 本發明之正型感光性樹脂組成物，較佳含有(C)三聚氰胺系交聯劑以外之其他交聯劑，較佳為含有以下之交聯劑2、交聯劑5及交聯劑6的至少任一種。藉由含有(C)三聚氰胺系交聯劑，與交聯劑2、交聯劑5及交聯劑6的至少任一種，可得到溶解促進效果，顯像性成為良好。 　　[0038] [0039] (C)三聚氰胺系交聯劑以外之其他交聯劑的摻合量，以組成物固體成分總量為基準，較佳為1~15質量%。特別地，交聯劑2、交聯劑5及交聯劑6之合計摻合量，以組成物固體成分總量為基準，較佳為1~15質量%。 　　[0040] [(D)矽烷偶合劑] 　　本發明之正型感光性樹脂組成物，(D)矽烷偶合劑，包含由具有芳基胺基之矽烷偶合劑及具有二個以上之三烷氧基矽烷基的矽烷偶合劑中選出之至少1種。 　　[0041] 前述芳基胺基之芳基，可列舉苯基、甲苯基、二甲苯基等之芳香族烴基；萘基、蒽基、菲基等之縮合多環芳香族基；噻吩基、吲哚基等之芳香族雜環基。 　　[0042] 前述具有芳基胺基之矽烷偶合劑，較佳為具有下述通式(3)表示之基的化合物。(式中，R31 ~R35 係分別獨立地表示氫原子或有機基)。 　　[0043] 前述通式(3)中，R31 ~R35 較佳為氫原子。 　　[0044] 前述具有芳基胺基之矽烷偶合劑，較佳為矽原子與芳基胺基，以碳數1~10之有機基，較佳為以碳數1~10之伸烷基鍵結。 　　[0045] 前述具有芳基胺基之矽烷偶合劑之具體例子較佳為下述化合物。[0046] 前述具有二個以上之三烷氧基矽烷基的矽烷偶合劑所具有之三烷氧基矽烷基可各自相同亦可相異，又，此等基所具有之烷氧基可各自相同亦可相異。烷氧基可列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等，其中尤以甲氧基、乙氧基為佳。 　　[0047] 前述具有二個以上之三烷氧基矽烷基的矽烷偶合劑，較佳為至少二個矽原子，係以碳數1~10之有機基，較佳係以碳數1~10之伸烷基鍵結。 　　[0048] 前述具有二個以上之三烷氧基矽烷基的矽烷偶合劑之具體例子較佳為下述化合物。[0049] (D)矽烷偶合劑，由於解像性優良，較佳為具有芳基胺基之矽烷偶合劑。 　　[0050] (D)矽烷偶合劑可1種單獨使用、亦可組合2種以上使用。(D)矽烷偶合劑之摻合量，以組成物固體成分總量為基準，較佳為1~15質量%。若為1~15質量%，可防止曝光部之顯像殘留。 　　[0051] 本發明之正型感光性樹脂組成物，於不損及本發明之效果的範圍內，亦可含有其他矽烷偶合劑。 　　[0052] 以下說明可摻合於本發明之正型感光性樹脂組成物中的其他成分。 　　[0053] (t-丁基兒茶酚) 　　本發明之正型感光性樹脂組成物，較佳為含有t-丁基兒茶酚。藉由含有t-丁基兒茶酚，顯像殘渣(浮渣)少，顯像性優良。 　　[0054] t-丁基兒茶酚之摻合量，以組成物固體成分總量為基準，較佳為0.1~2質量%。 　　[0055] 本發明之正型感光性樹脂組成物中可摻合溶劑。溶劑只要係會溶解(A)聚苯并噁唑前驅物、(B)光酸產生劑、(C)三聚氰胺系交聯劑、(D)矽烷偶合劑及其他添加劑者則無特殊限定。可列舉N,N’-二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、N,N’-二甲基乙醯胺、二乙二醇二甲基醚、環戊酮、γ-丁內酯、α-乙醯基-γ-丁內酯、四甲基尿素、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(1,3-dimethyl-2-imidazolinone)、N-環己基-2-吡咯啶酮、二甲基亞碸、六甲基磷醯胺、吡啶、γ-丁內酯、二乙二醇單甲基醚作為一例。此等可單獨使用、亦可混合二種以上使用。所使用的溶劑之量，可依塗佈膜厚或黏度，相對於(A)聚苯并噁唑前驅物100質量份而言，以50~9000質量份之範圍使用。 　　[0056] 本發明之正型感光性樹脂組成物中，為了進一步提高光感度，亦可摻合公知之增感劑。 　　[0057] 又，本發明之正型感光性樹脂組成物中，為了提高與基材之接著性，亦可添加公知之接著助劑。 　　[0058] 為了對本發明之正型感光性樹脂組成物賦予加工特性或各種功能性，其他亦可摻合各種有機或無機之低分子或高分子化合物。例如可使用界面活性劑、調平劑、可塑劑、微粒子等。微粒子係包含聚苯乙烯、聚四氟乙烯等之有機微粒子；膠體二氧化矽、碳、層狀矽酸鹽等之無機微粒子。又，本發明之正型感光性樹脂組成物中亦可摻合各種著色劑及纖維等。 　　[0059] [乾膜] 　　本發明之乾膜，具有將本發明之正型感光性樹脂組成物塗佈後乾燥所得到之樹脂層。本發明之乾膜，係將樹脂層以鄰接於基材的方式層合來使用。 　　[0060] 可藉由刮刀塗佈器、唇模塗佈器、缺角輪塗佈器、薄膜塗佈器等之適當方法均勻塗佈本發明之正型感光性樹脂組成物於載體膜上並乾燥，形成前述樹脂層，較佳為於其上層合覆蓋膜藉以製造本發明之乾膜。覆蓋膜與載體膜可為相同之薄膜材料、亦可使用不同的薄膜。 　　[0061] 本發明之乾膜中，載體膜及覆蓋膜之薄膜材料，可使用作為乾膜所使用者而為人所知的任意物。 　　[0062] 就載體膜而言例如可使用2~150μm之厚度的聚對苯二甲酸乙二酯等之聚酯薄膜等之熱可塑性薄膜。 　　[0063] 就覆蓋膜而言，可使用聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜等，但與樹脂層之接著力小於載體膜者為佳。 　　[0064] 本發明之乾膜上的樹脂層之膜厚，較佳為100μm以下、更佳為5~50μm之範圍。 　　[0065] 使用本發明之正型感光性樹脂組成物，其硬化物之圖型膜，例如係如下述般製造。 　　[0066] 首先，步驟1，係將正型感光性樹脂組成物於基材上塗佈、乾燥，或者將樹脂層由乾膜轉印至基材上藉以得到塗膜。將正型感光性樹脂組成物塗佈於基材上之方法，可使用自以往起使用於感光性樹脂組成物之塗佈的方法，例如以旋轉塗佈器、棒塗佈器、刮刀塗佈器、淋幕塗佈器、網版印刷機等塗佈之方法；以噴霧塗佈器進行噴霧塗佈之方法；進而噴墨法等。塗膜之乾燥方法，可使用以風乾、烘箱或加熱板進行的加熱乾燥、真空乾燥等之方法。又，塗膜之乾燥，較期望於不會引起感光性樹脂組成物中之(A)聚苯并噁唑前驅物的閉環之條件下進行。具體而言，能夠以70~140℃、1~30分鐘的條件來進行自然乾燥、送風乾燥或者加熱乾燥。較佳為於加熱板上進行1~20分鐘乾燥。又，亦可進行真空乾燥，此時可於室溫下20分鐘~1小時之條件進行。 　　[0067] 基材並無特殊限制，可廣為應用矽晶圓等之半導體基材、配線基板、各種樹脂、金屬等。 　　[0068] 接著，步驟2，將上述塗膜透過具有圖型之光罩或者直接進行曝光。曝光光線係使用使(B)光酸產生劑活性化，而可產生酸之波長者。具體而言，曝光光線，較佳為最大波長350~410nm之範圍者。如上所述，適當使用增感劑時，可調整光感度。曝光裝置可使用接觸對準器(contact aligner)、鏡投射、步進器、雷射直接曝光裝置等。 　　[0069] 接著，可加熱，將未曝光部之(A)聚苯并噁唑前驅物的一部分閉環，作為步驟3。此處，閉環率為30%左右。加熱時間及加熱溫度，係依(A)聚苯并噁唑前驅物、塗佈膜厚、(B)光酸產生劑之種類而適當變更。 　　[0070] 接著，步驟4，將塗膜以顯像液處理。藉此，可將塗膜中之曝光部分去除，形成本發明之正型感光性樹脂組成物的圖型膜。 　　[0071] 顯像所使用之方法，可由以往已知之光阻的顯像方法，例如旋轉噴霧法、槳式法、伴隨超音波處理之浸漬法等當中選擇任意之方法。顯像液可列舉氫氧化鈉、碳酸鈉、矽酸鈉、氨水等之無機鹼類；乙胺、二乙胺、三乙胺、三乙醇胺等之有機胺類；氫氧化四甲基銨、氫氧化四丁基銨等之四級銨鹽類等之水溶液。又，亦可依需要，於此等中添加適當量之甲醇、乙醇、異丙醇等之水溶性有機溶劑或界面活性劑。之後，依需要以潤洗液洗淨塗膜而得到圖型膜。潤洗液可單獨或組合使用蒸餾水、甲醇、乙醇、異丙基醇等。又，亦可使用上述溶劑作為顯像液。 　　[0072] 之後，步驟5，將圖型膜加熱而得到硬化塗膜(硬化物)。此時，只要使(A)聚苯并噁唑前驅物閉環，而得到聚苯并噁唑即可。加熱溫度係適當設定為可硬化聚苯并噁唑之圖型膜。例如，於惰性氣體中，於150~350℃進行5~120分鐘左右的加熱。加熱溫度之更佳範圍係200~300℃。加熱係藉由使用例如加熱板、烘箱、可設定溫度程式之昇溫式烘箱來進行。此時之環境(氣體)可使用空氣，亦可使用氮、氬等之惰性氣體。 　　[0073] 本發明之正型感光性樹脂組成物之用途並無特殊限定，例如可列舉印刷油墨、接著劑、填充劑、電子材料、光電路零件、成形材料、阻劑材料、建築材料、3維造形、光學構件等使用樹脂材料之公知的各種領域/製品等。特別是可適合使用作為以聚苯并噁唑膜之耐熱性、尺寸安定性、絕緣性等之特性為有效的廣泛領域/製品，例如塗料或印刷油墨，或彩色濾光片、可撓顯示器用薄膜、半導體元件之被覆膜、電子零件、層間絕緣膜、防焊油墨等之印刷配線板之被覆膜、光電路、光電路零件、抗反射膜、全像術、光學構件或建築材料之形成材料。 　　[0074] 特別地，本發明之正型感光性樹脂組成物，主要作為圖型形成材料(阻劑)使用，藉此所形成之圖型膜，係作為由聚苯并噁唑所構成的永久膜，而發揮作為賦予耐熱性或絕緣性之成分的功能，適於形成例如彩色濾光片、可撓顯示器用薄膜、電子零件、半導體元件之被覆膜、層間絕緣膜、防焊油墨或覆蓋膜等之印刷配線板之被覆膜、焊壩(solder dam)、光電路、光電路零件、抗反射膜、其他光學構件或電子構件。 [實施例] 　　[0075] 以下，使用實施例更詳細說明本發明，但本發明不受下述實施例限定。再者，以下，記載為「份」及「%」者，只要無特別指明，均為質量基準。 　　[0076] (聚苯并噁唑(PBO)前驅物之合成) 　　於具備攪拌機、溫度計之0.5公升燒瓶中給入N-甲基吡咯啶酮212g，將雙(3-胺基-4-羥基醯胺苯基)六氟丙烷28.00g(76.5mmol)予以攪拌溶解。之後，將燒瓶浸於冰浴中，將燒瓶內保持於0~5℃，並且將4,4-二苯基醚二羧酸氯化物25.00g(83.2mmol)以固體形態每次5g地添加30分鐘，於冰浴中攪拌30分鐘。之後，於室溫繼續攪拌5小時。將經攪拌之溶液投入1L之離子交換水(比電阻值18.2MΩ･cm)中，回收析出物。之後，將所得之固體溶解於丙酮420mL，投入1L之離子交換水中。回收析出之固體後，減壓乾燥而得到具有羧基末端之下述重複構造的聚苯并噁唑(PBO)前驅物A1。聚苯并噁唑前驅物A1之數平均分子量(Mn)為12,900、重量平均分子量(Mw)為29,300、Mw/Mn為2.28。 　　[0077][0078] (實施例1、2、比較例1~11) 　　對於上述合成之苯并噁唑前驅物100質量份，摻合重氮萘醌(DNQ)10質量份與下述表1記載之交聯劑5質量份、矽烷偶合劑5質量份後，添加N-甲基吡咯啶酮(NMP)使苯并噁唑前驅物成為30質量%，作為塗漆，使用旋轉塗佈器塗佈於矽基板上。以加熱板於120℃乾燥3分鐘，得到感光性樹脂組成物之乾燥塗膜。對所得之乾燥塗膜，使用高壓水銀燈，透過刻有圖型的遮罩照射200mJ/cm2 之泛光燈(broad light)。曝光後以2.38%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液顯像60秒，以水潤洗，得到正型圖型膜。 　　[0079] 再者，下述表1中，三聚氰胺系交聯劑係使用交聯劑1(三和化學品公司製NIKALAC MW390)。又，具有芳基胺基之矽烷偶合劑及具有二個以上之三烷氧基矽烷基的矽烷偶合劑，係分別使用偶合劑1(信越聚矽氧公司製KBM-573)及2(信越聚矽氧公司製KBM-3066)。 　　[0080] (未曝光部殘膜率之評估) 　　於顯像後之圖型膜測定膜厚，藉由取與顯像前之膜厚的比，分別求得未曝光部殘膜率，以下述基準評估。 　　○：未曝光部殘膜率為75%以上 　　×：未曝光部殘膜率未達75% 　　[0081] (解像度之評估) 　　以電子顯微鏡(SEM“JSM-6010”)觀察顯像後之圖型膜，以無浮渣地可將曝光部圖型化之最少圖型的大小作為解像度(L(μm)/S(μm))。 　　[0082][0083] [0084] [0085] 由表1所示結果，可知含有前述特定之交聯劑與矽烷偶合劑的本發明之正型感光性樹脂組成物，殘膜率優良。 　　[0086] (實施例3~6) 　　對於上述合成之苯并噁唑前驅物100質量份，摻合重氮萘醌(DNQ)10質量份與下述表2記載之各交聯劑5質量份、矽烷偶合劑5質量份、t-丁基兒茶酚0.5質量份後，添加N-甲基吡咯啶酮(NMP)使苯并噁唑前驅物成為30質量%，作為塗漆，使用旋轉塗佈器塗佈於矽基板上。以加熱板於120℃乾燥3分鐘，得到感光性樹脂組成物之乾燥塗膜。對所得之乾燥塗膜，使用高壓水銀燈，透過刻有圖型的遮罩照射200mJ/cm2 之泛光燈。曝光後以2.38%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液顯像60秒，以水潤洗，得到正型圖型膜。 　　[0087] 再者，下述表2中，三聚氰胺系交聯劑係使用上述交聯劑1(三和化學品公司製NIKALAC MW390)。又，具有芳基胺基之矽烷偶合劑係使用上述偶合劑1(信越聚矽氧公司製KBM-573)。三聚氰胺系交聯劑以外之其他交聯劑係使用上述交聯劑2、5及6。 　　[0088] 下述表2中，以與上述相同之方法評估未曝光部殘膜率及解像度。 　　[0089] (浮渣之確認方法) 　　確認顯像後圖型之截面影像，以無圖型拖尾，整齊地無浮渣者為〇、以雖有圖型拖尾但可顯像至矽基板面者為△、以殘留有浮渣者為×。又，〇、△、×之評估例分別示於圖1~3。 　　[0090] 對於表1中之實施例1的感光性樹脂組成物亦同樣地進行評估，與實施例3~6一起將結果示於表2。 　　[0091][0092] 　　t-丁基兒茶酚[0093] (實施例7、8、比較例12~25) 　　對於上述合成之苯并噁唑前驅物100質量份，摻合重氮萘醌(DNQ)10質量份與下述表3記載之交聯劑5質量份、矽烷偶合劑5質量份、t-丁基兒茶酚0.5質量份後，添加N-甲基吡咯啶酮(NMP)使苯并噁唑前驅物成為30質量%，作為塗漆，使用旋轉塗佈器塗佈於矽基板上。以加熱板於120℃乾燥3分鐘，得到感光性樹脂組成物之乾燥塗膜。對所得之乾燥塗膜，使用高壓水銀燈，透過刻有圖型的遮罩照射200mJ/cm2 之泛光燈。曝光後以2.38%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液顯像60秒，以水潤洗，得到正型圖型膜。 　　[0094] 再者，下述表3中，三聚氰胺系交聯劑係使用上述交聯劑1(三和化學品公司製NIKALAC MW390)。又，具有芳基胺基之矽烷偶合劑及具有二個以上之三烷氧基矽烷基的矽烷偶合劑係分別使用上述偶合劑1(信越聚矽氧公司製KBM-573)及2(信越聚矽氧公司製KBM-3066)。 　　[0095] 下述表3中，以與上述相同之方法評估未曝光部殘膜率、解像度及浮渣。 　　[0096][0097] [0098] 由表2、3所示之結果，亦可知含有前述之特定交聯劑與矽烷偶合劑的本發明之正型感光性樹脂組成物，殘膜率優良。又，可知藉由於本發明之正型感光性樹脂組成物中摻合t-丁基兒茶酚，而顯像殘渣少，顯像性更優良。進一步地，可知藉由於本發明之正型感光性樹脂組成物中摻合其他交聯劑，顯像性更優良。
[0015] 　　[圖1]顯示實施例中之浮渣之確認方法的評估〇之評估例的照片圖。 　　[圖2]顯示實施例中之浮渣之確認方法的評估△之評估例的照片圖。 　　[圖3]顯示實施例中之浮渣之確認方法的評估×之評估例的照片圖。

Claims (7)

  1. 一種正型感光性樹脂組成物，其係含有 　　(A)聚苯并噁唑前驅物、 　　(B)光酸產生劑、 　　(C)三聚氰胺系交聯劑及 　　(D)矽烷偶合劑 之正型感光性樹脂組成物，其特徵為 前述(D)矽烷偶合劑，包含由具有芳基胺基之矽烷偶合劑及具有二個以上之三烷氧基矽烷基的矽烷偶合劑中選出之至少1種。
  2. 如請求項1之正型感光性樹脂組成物，其中前述(D)矽烷偶合劑，包含具有芳基胺基之矽烷偶合劑。
  3. 如請求項1之正型感光性樹脂組成物，其中進一步含有t-丁基兒茶酚。
  4. 一種乾膜，其特徵為具有將如請求項1之正型感光性樹脂組成物塗佈於薄膜並乾燥而得到之樹脂層。
  5. 一種硬化物，其特徵為使如請求項1~3中任一項之正型感光性樹脂組成物或如請求項4之乾膜之樹脂層硬化而得到。
  6. 一種印刷配線板，其特徵為具有如請求項5之硬化物。
  7. 一種半導體元件，其特徵為具有如請求項5之硬化物。
TW106131345A 2016-09-20 2017-09-13 正型感光性樹脂組成物、乾膜、硬化物、印刷配線板及半導體元件 TWI743196B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016182791 2016-09-20
JP2016-182791 2016-09-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201827488A true TW201827488A (zh) 2018-08-01
TWI743196B TWI743196B (zh) 2021-10-21

Family

ID=61690282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106131345A TWI743196B (zh) 2016-09-20 2017-09-13 正型感光性樹脂組成物、乾膜、硬化物、印刷配線板及半導體元件

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7011591B2 (zh)
KR (1) KR102385641B1 (zh)
CN (1) CN109716235B (zh)
TW (1) TWI743196B (zh)
WO (1) WO2018056013A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018097210A (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、硬化パターンの製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品
JP7440224B2 (ja) * 2019-08-21 2024-02-28 太陽ホールディングス株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW594287B (en) * 2002-12-17 2004-06-21 Ind Tech Res Inst Transflective display with different pre-tilt angle structures and its manufacturing method
KR20070114267A (ko) * 2005-03-25 2007-11-30 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 전처리 조성물
JP5035240B2 (ja) * 2006-03-30 2012-09-26 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性絶縁樹脂組成物
JP5498170B2 (ja) 2007-12-26 2014-05-21 旭化成イーマテリアルズ株式会社 耐熱性樹脂前駆体及びそれを用いた感光性樹脂組成物
KR100914064B1 (ko) * 2008-03-19 2009-08-28 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
JP5169446B2 (ja) 2008-04-28 2013-03-27 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたポリベンゾオキサゾール膜、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品
WO2009136647A1 (ja) * 2008-05-07 2009-11-12 住友ベークライト株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜及び絶縁膜、並びにそれを用いた半導体装置及び表示体装置
CN102076740B (zh) * 2008-07-03 2013-08-21 旭化成电子材料株式会社 耐热性树脂前体及使用其的感光性树脂组合物
CN102365341B (zh) 2009-03-31 2014-12-31 大日本印刷株式会社 碱产生剂、感光性树脂组合物、含有该感光性树脂组合物的图案形成用材料、使用该感光性树脂组合物的图案形成方法以及物品
JP2011053458A (ja) 2009-09-02 2011-03-17 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品
WO2011135887A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物
TWI430024B (zh) * 2010-08-05 2014-03-11 Asahi Kasei E Materials Corp A photosensitive resin composition, a method for manufacturing a hardened bump pattern, and a semiconductor device
JP5613851B1 (ja) * 2014-02-28 2014-10-29 Jsr株式会社 表示又は照明装置
TWI644979B (zh) * 2014-06-27 2018-12-21 日商富士軟片股份有限公司 熱硬化性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜的製造方法及半導體元件

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018056013A1 (ja) 2018-03-29
KR102385641B1 (ko) 2022-04-12
CN109716235A (zh) 2019-05-03
JP7011591B2 (ja) 2022-01-26
JPWO2018056013A1 (ja) 2019-07-04
KR20190054128A (ko) 2019-05-21
TWI743196B (zh) 2021-10-21
CN109716235B (zh) 2022-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102582915B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 드라이 필름, 경화물, 반도체 소자, 프린트 배선판 및 전자 부품
JP6929198B2 (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、半導体素子、プリント配線板および電子部品
TWI743196B (zh) 正型感光性樹脂組成物、乾膜、硬化物、印刷配線板及半導體元件
JP7075243B2 (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、および電子部品
TWI768051B (zh) 感光性樹脂組成物、乾膜、硬化物、印刷配線板及半導體元件
JP2019012223A (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、プリント配線板および半導体素子
JP7264688B2 (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、及び、電子部品
TWI763815B (zh) 正型感光性樹脂組成物、乾膜、硬化物、印刷電路板及半導體元件
KR102461088B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물
JP2020154246A (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、及び、電子部品
TW201920207A (zh) 感光性樹脂組成物、乾膜、硬化物、印刷配線板、半導體元件及電子零件
TW202003695A (zh) 感光性樹脂組成物、乾薄膜、硬化物、印刷配線板及半導體元件
WO2020195804A1 (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、及び、電子部品