TW201824509A - 半導體封裝裝置及製造半導體封裝裝置之方法 - Google Patents

半導體封裝裝置及製造半導體封裝裝置之方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種電子裝置，其包含一載體、一發射器、一偵測器、一分離壁及一遮光層。該發射器安置於該載體之該頂部表面之一第一部分上。該偵測器安置於該載體之該頂部表面之一第二部分上。該分離壁安置於該發射器與該偵測器之間該載體之該頂部表面上。該遮光層鄰近於該載體之該頂部表面安置，且自該分離壁延伸至該載體之該第二部分。

Description

半導體封裝裝置及製造半導體封裝裝置之方法
本發明係關於一種半導體封裝裝置，且更特定言之，係關於一種包括發光組件之半導體封裝裝置。
發光二極體(LED)或雷射二極體廣泛用於多種應用。半導體發光裝置可包括具有一或多個半導體層之LED晶片。當給予能量時，該等層可經組態以發射相干的光及/或不相干的光。在製造期間，可於半導體晶圓上產生大量LED半導體晶粒。晶圓可經探測及測試以精確地識別每一晶粒之特定顏色特性，諸如色溫。隨後，晶圓可經單體化以將晶圓切割成複數個晶片。LED晶片通常經封裝以提供外部電連接、熱沈降、透鏡或波導、環境保護及/或其他特徵。 LED晶片可用於光學模組（例如，近接感測器）中，且可用以感測光學模組附近之物件。光學模組可具有發光源及光學偵測器，其中該光學偵測器可接收或感測由發光源發射及由外部或附近物件反射之光(例如，紅外光)，以使得可偵測到外部接近物件之存在。當光學偵測器直接接收自發光源發射之光或接收自不同於目標物件之介質反射的光時，可存在可被視為雜訊之「串話」且可使感測器發生故障。期望可減小此串話。
根據本發明之一些實施例，一種電子裝置包括載體、發射器、偵測器、分離壁及遮光層。發射器安置於載體之頂部表面之第一部分上。偵測器安置於載體之頂部表面之第二部分上。分離壁安置於發射器與偵測器之間的載體之頂部表面上。遮光層鄰近於載體之頂部表面安置，且自分離壁延伸至載體之第二部分。 根據本發明之一些實施例，一種光學結構包括載體、第一晶片、第二晶片、第一包覆層、第二包覆層及分離壁。第一晶片安置於載體之表面之第一區域上。第二晶片安置於載體之表面之第二區域上。桿體安置於第一區域與第二區域之間。第一包覆層鄰近於桿體之一側安置且藉由第一開口與桿體分離。第二包覆層鄰近於桿體之另一側安置且藉由第二開口與桿體分離。分離壁安置於桿體、第一開口、第二開口及第一及第二包覆層中之每一者的一部分上。 根據本發明之一些實施例，一種其上安置有光學裝置之載體包括發射器安置區域、偵測器安置區域、第一遮光層及第二遮光層。第一遮光層在發射器安置區域下面延伸。第二遮光層在偵測器安置區域下面延伸。第一遮光層及第二遮光層經配置以防止來自發射器安置區域之光經由載體內的一或多個光路進入偵測器安置區域。
圖1說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置1之橫截面視圖。半導體封裝裝置1包括載體10，電子組件11、12，封裝本體13、14及壁結構15。 載體10可包括(例如)印刷電路板，諸如紙基銅箔層合物、複合銅箔層合物或聚合物浸漬的基於玻璃纖維之銅箔層合物。載體10可包括互連結構，諸如導電跡線或重佈層(RDL)及介電層，該介電層諸如預浸體層或聚醯亞胺層。 電子組件11安置於載體10之頂部表面101上。在一些實施例中，電子組件11可為發光裝置，諸如LED或其他發射晶粒。舉例而言，電子組件11可包括發光二極體、雷射二極體或可包括一或多個半導體層之另一裝置。半導體層可包括矽、碳化矽、氮化鎵或任何其他半導體材料。電子組件11可(例如)藉助於覆晶或導線接合技術連接至載體。電子組件可發射紅外波長的光。 電子組件12安置於載體10之頂部表面101上，且與電子組件11實體上分離。在一些實施例中，電子組件12可為光偵測器，該光偵測器為PIN二極體或光二極體或光電晶體。電子組件12可(例如)藉助於覆晶或導線接合技術連接至載體。 封裝本體13安置於載體10之頂部表面101上且覆蓋電子組件11。在一些實施例中，封裝本體13包括具有分散於其中之填充劑的環氧樹脂。封裝本體13之上部表面可具有安置其上之透鏡結構，且從而自電子組件11發射的光可經集中且對應光錐之角度可減小。 封裝本體14安置於載體10之頂部表面101上且覆蓋電子組件12。在一些實施例中，封裝本體14包括具有分散於其中之填充劑的環氧樹脂。在一些實施例中，封裝本體13及14包括相同材料。在一些實施例中，封裝本體13及14由不同材料形成。 壁結構15安置於載體10之頂部表面101上且安置於電子組件11與電子組件12之間。壁結構15是大體上不透明的，以防止由電子組件11發射之非所要光直接透射至電子組件12。 圖2A及2B說明說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝製造製程。如圖2A中所展示，在電子組件11、12上方形成封裝本體13、14之製程期間，模製件26安置於載體10之頂部表面101上，且隨後模製化合物注入至由模製件26及載體10界定的空間中且覆蓋電子組件11、12。在一些實施例中，經沈積模製化合物之一部分可沖洗或徑流至由點線圈標記的載體10之頂部表面101之位置(例如，歸因於模製件26不與在由點線圈標記之位置處的載體之頂部表面101齊平)。在形成封裝本體13、14之後，模製件26經移除，且壁結構15隨後置放於由點線圈標記、在模製化合物之徑流部分上方的位置上。壁結構15下之模製化合物之徑流部分可使得來自電子組件11的非所要光直接地透射至電子組件12，其可產生串話且可使得電子組件12發生故障。 為解決此問題，如圖2B中所展示，桿體27可置放於壁結構15將置放於其上之位置處。在一些實施例中，桿體27可為金屬桿體。為了防止遮光蓋(該遮光蓋包括壁結構15及桿體27)之向下力損壞安置於載體之表面上的導線(例如，電線或跡線)，可使該等導線繞過遮光蓋。舉例而言，導線可內埋於載體內，且可連接至穿過遮光蓋或在遮光蓋下方之通孔。當模製件26置放於載體10上時，向下力F會施加在載體10上。根據等式P=F/A (其中P為壓力，F為法向力，且A為接觸表面之面積)，桿體27上的壓力在桿體27與模製件26之間存在較小接觸面積之情況下會較大。在此情況下，歸因於壓力增加，桿體27與模製件26之間的接合將為緊密的，且模製件26可大體上與桿體27齊平，以防止模製化合物移動至桿體27上。因此，桿體27可有助於防止透明模製化合物移動至壁結構15將形成於其上之位置，以便提高壁結構15之阻光能力。在一些實施例中，阻焊劑可經形成以使得其覆蓋導線及/或桿體27及/或曝露半導體封裝裝置之焊接墊。阻焊劑可包括諸如碳黑或顏料之光吸收材料或光衰減材料以減少非所要光之透射。 圖3A為根據本發明之一些實施例的由圖2B中所展示之製程製造的載體10之透視圖。載體10具有發光裝置安置於其上之第一區域10A及光偵測器安置於其上之第二區域10B。第一區域10A及第二區域10B由壁結構安置於其上之金屬桿體27分離。 圖3B說明根據本發明之一些實施例的具有圖3A中所展示之載體10的半導體封裝裝置3之橫截面視圖。半導體封裝裝置3類似於圖1中之半導體封裝裝置1，除了半導體封裝裝置3進一步包括安置在壁結構15下方之金屬桿體27之外。 如上文所提及，使用在壁結構15下方之金屬桿體27可防止由電子組件11發射之光通過安置在壁結構15下方的徑流模製化合物進入電子組件12。在一些實施例中，載體包括核心層、至少一個金屬層及預浸體層。當形成導線時，可移除金屬層之區域，從而在每兩根導線之間產生間隙，該等間隙曝露核心層或預浸體層。不需要地，在此實施中，自電子組件11發射之光之一部分可經由經曝露核心層或經曝露預浸體層透射至電子組件12。另外，載體可具有形成於其中之玻璃纖維，該等玻璃纖維可形成將光自電子組件11透射至電子組件12 (例如，光路L1及L2)之濾光器，從而產生串話干擾。 圖4說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置4之橫截面視圖。半導體封裝裝置4包括載體40，電子組件41、42，封裝本體43、44及壁結構45。 載體40可包括(例如)印刷電路板，諸如紙基銅箔層合物、複合銅箔層合物或聚合物浸漬的基於玻璃纖維之銅箔層合物。載體40可包括互連結構，諸如RDL、RDL導電跡線、接地元件及介電層，該介電層諸如預浸體層或聚醯亞胺層。 電子組件41安置於載體40之頂部表面401之第一區域401A上。在一些實施例中，電子組件41可為發光裝置，諸如LED或其他晶粒。舉例而言，電子組件41可包括發光二極體、雷射二極體或可包括一或多個半導體層之另一裝置。半導體層可包括矽、碳化矽、氮化鎵或任何其他半導體材料。電子組件41可藉助於(例如)覆晶或導線接合技術連接至載體。 電子組件42安置於載體40之頂部表面101之第二區域401B上且與電子組件41實體上分離。在一些實施例中，電子組件42可為光偵測器或光感測器。電子組件42可藉助於(例如)覆晶或導線接合技術連接至載體。 壁結構45安置於載體40之頂部表面401上且安置於電子組件41與電子組件42之間。在一些實施例中，壁結構45將載體40之頂部表面401分成電子組件41安置於其上之第一區域401A及電子組件42安置於其上之第二區域401B。壁結構45為不透明的以防止由電子組件41發射之非所要光進入電子組件42。在一些實施例中，壁結構45可包括諸如碳黑或顏料之光吸收材料或光衰減材料，或可與光吸收材料或光衰減材料結合實施以減少來自壁結構45之內表面的反射光。 封裝本體43安置於載體40之頂部表面401之第一區域401A上。封裝本體43覆蓋電子組件41。在一些實施例中，封裝本體43包括環氧樹脂。在一些實施例中，封裝本體43為透明的。 封裝本體44安置於載體40之頂部表面101之第二區域401B上。封裝本體44覆蓋電子組件42及遮光層40b之一部分。在一些實施例中，封裝本體44包括環氧樹脂。在一些實施例中，封裝本體43及44包括相同材料。在一些實施例中，封裝本體43及44由不同材料形成。在一些實施例中，封裝本體43及44可單獨地形成且在實體上彼此分離。可替代地，封裝本體43及44可由單個模製製程形成，且隨後可進行切割製程以分離封裝本體43及44。 遮光層40m鄰近於載體40之頂部表面401安置，且自至少電子組件41延伸至至少電子組件42。遮光層40m可有助於防止由電子組件41發射之光進入載體40。舉例而言，遮光層40a可有助於阻斷通過光路L3透射之光。另外，遮光層40m可防止由電子組件41發射之光通過核心層或預浸體層(例如，光路L5)或通過位於載體40之底部表面的金屬層40m1 (例如，光路L6)進入電子組件42，該預浸體層可包括載體40內之玻璃纖維。在一些實施例中，遮光層40m為載體40之金屬層。 圖5A說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置5之橫截面視圖。半導體封裝裝置5類似於圖4中所展示之半導體4，除了圖4中所展示之遮光層40m經分成金屬桿體50c與兩個分離遮光層50a及50b之外。 遮光層50a鄰近於載體40之頂部表面401安置。遮光層50a在電子組件41的至少一部分及壁結構45之至少一部分下面且在其間延伸。在一些實施例中，遮光層50a為載體40之金屬層，諸如金屬包覆層及/或完全金屬層。包覆層可指安置於另一層及/或半導體封裝裝置之結構或組件上之薄層或塗層。遮光層50a可有助於防止由電子組件41發射之光進入載體40。舉例而言，遮光層50a可有助於阻斷通過光路L6透射之光。 遮光層50b鄰近於載體40之頂部表面401安置。遮光層50b在電子組件42的至少一部分及壁結構45之至少一部分下面且在其間延伸。在一些實施例中，遮光層50b為載體40之金屬層，諸如金屬包覆層及/或完全金屬層。遮光層50b可有助於防止由電子組件41發射之光通過可包括載體40內之玻璃纖維的核心層或預浸體層(例如，光路L7)或通過位於載體40之底部表面的金屬層40m1(例如，光路L8)進入電子組件42。 如上文所提及，即使壁結構安置於發射器與偵測器之間，來自發射器之光的一部分可經由可包括載體內之玻璃纖維的核心層或預浸體層透射至偵測器，這將會產生串話干擾。根據本發明之一些實施例，遮光層50a、50b可防止由電子組件41發射之光經由可包括載體內之玻璃纖維的核心層或預浸體層進入電子組件42，其會轉而有助於消除或減少串話干擾且增加光學裝置之效能。 桿體50c鄰近於載體40之頂部表面401且在壁結構45下方安置。桿體50c與遮光層40a分離。亦即，桿體50c與遮光層50a之間存在間隙50o2。桿體50c還與遮光層50b分離。亦即，桿體50c與遮光層50b之間存在間隙50o1。在一些實施例中，桿體50c可為金屬桿體。如上文所提及，當形成封裝本體43及44時，模製件可置放於載體40上，以使得向下力F會施加在載體40上。根據圖5A所展示之實施例，藉由用具有更小表面積的桿體50c來替換圖4中所展示之全遮光層40m，由於桿體50c與模製件之間的接觸面積較小，桿體50c上之壓力會大於圖4之全遮光層40m上的壓力。因此，桿體50c及模製件可更緊密地按壓在一起，其可有助於防止透明模製化合物安置於稍後將安置壁結構45之位置上，以便提高壁結構45之阻光能力。 在一些實施例中，壁結構45之寬度D1大於間隙50o1與50o2之間的距離D2。在一些實施例中，間隙50o1、50o2由壁結構45覆蓋。完全覆蓋間隙50o1、50o2可有助於防止由電子組件41發射之非所要光經由間隙40o1、40o2進入電子組件42 (例如通過光路L8透射的光)。 在其他實施例中，如圖5B中所展示，壁結構45並不完全覆蓋間隙50o1及50o2兩者。因此，自電子組件41發射之光之一部分可通過間隙50o1 (例如，通過光路L9)進入電子組件42。在一些實施例中，黏接層安置於壁結構45與載體40之間。黏接層可具有諸如碳黑或顏料之光吸收材料或光衰減材料以減少反射光。安置覆蓋載體40之頂部表面401上之間隙50o1及50o2的黏接層可有助於防止光通過光路L9進入電子組件42。 在一些實施例中，阻焊劑可經形成，該阻焊劑覆蓋遮光層50a、50b及桿體50c。阻焊劑可包括諸如碳黑或顏料之光吸收材料或光衰減材料以減少非所要光之透射。 圖6說明根據本發明之一些實施例的載體60之透視圖。載體60具有電子組件41可在以下裝配製程中安置於其上的第一晶粒安裝區域或組件安裝區域401A及電子組件42可在以下裝配製程中安置於其上的第二晶粒安裝區域或組件安裝區域401B。第一區域401A及第二區域401B由壁結構可安置於其上之金屬桿體50C分離。 如圖6中所展示，遮光層50a之至少一部分安置於安裝區域401A與金屬桿體50c之間。遮光層50b的至少一部分安置於安裝區域401B與金屬桿體50c之間。由遮光層50a及金屬桿體50c界定之開口400位於安裝區域401A與金屬桿體50c之間。 在一些實施例中，載體60為雙層板，其中核心層在其頂部表面及底部表面上塗佈有金屬層。間隙50o1、50o2及開口50c皆藉由在相同製程中蝕刻核心層之頂部表面上之金屬層的一部分而形成。在蝕刻製程之後，在蝕刻製程期間未經蝕刻之金屬層的一部分形成可有助於防止光在載體60內透射之遮光層50a。開口400在區域401A1與401A2之間提供電絕緣，且區域401A1及401A2可由此充當安裝在區域401A上之電子組件的正節點及負節點。在蝕刻製程期間，形成包圍第二區域401B之導線401B1、401B2、401B3、401B4、401B5。導線401B1、401B2、401B3、401B4、401B5通過由金屬層界定之開口彼此絕緣。導線401B1、401B2、401B3、401B4、401B5可為安裝在第二區域401B上之電子組件提供電連接。導線401B1、401B2、401B3、401B4、401B5提供電連接，且經配置在距第一區域401A最遠之第二區域401B之一側或經配置與面向第一區域401A的第二區域401B之一側相對。舉例而言，如圖6中所展示，導線401B1、401B2、401B3、401B4、401B5經配置在距第一區域401A最遠之一側的第二區域401B之右側，發光裝置可安裝於該第一區域上。在此配置之情況下，即使光並不由遮光層50a、50b完全阻擋，載體內透射之光可不明顯影響安裝在第二區域401B上的光電偵測器，因為光在此長距離透射期間衰減。在一些實施例中，導線401B1、401B2、401B3、401B4、401B5之間的開口可經配置鄰近於第二區域401B，以使得開口之至少一部分可由安裝在第二區域401B上之電子組件覆蓋。在一些實施例中，阻焊劑可經形成以使得其覆蓋金屬層(包括遮光層50b，第二區域401B及導線401B1、401B2、401B3、401B4、401B5)之至少一部分。阻焊劑可包括諸如碳黑或顏料之光吸收材料或光衰減材料以增加其阻光能力。 另外，圖6中所展示之金屬層之較大區域可有助於防止導線或阻焊劑斷裂，因為較大表面積可更易於承受由模製件在模製製程期間或由遮光蓋造成的向下力。此外，包括通孔50v之一些實施例很好地適合於防止導線由於水分而氧化，由於信號可通過通孔50v在第一區域401A與第二區域401B之間透射，該通孔穿過核心層且連接至核心層之底部表面上的金屬層，進而將電接線中之一些與水分屏蔽。 圖7說明根據本發明之一些實施例的載體70之透視圖。圖7中之載體70類似於圖6中之載體60，除了圖7中所展示的開口401並不如圖6中所展示之開口400一樣位於安裝區域401A與金屬桿體50c之間之外。相反，開口401位於距金屬桿體50c最遠的第一區域401A之一側(或與面向金屬桿體50c之第一區域401A之一側相對)，以使得載體70內透射之光之強度由於長距離透射而衰減。另外，載體70與載體60相比可具有更佳阻光效果，因為間隙及安裝區域401A與安裝區域401B之間的開口經全部覆蓋。 另外，不同於圖6中之載體60，圖7中之桿體50c的一部分連接至包括遮光層50a之至少一部分及遮光層50b之至少一部分的金屬層，該金屬層可有助於防止模製化合物沖洗或徑流至在後續製程中壁結構將形成於其上之位置。此外，與桿體50c連接之金屬層(包括遮光層50a之至少一部分及遮光層50b之至少一部分)可充當電極(諸如發光裝置之負節點)。在一些實施例中，為了促進在線接合製程期間辨識線接合墊，開口可按需要形成於本文中所述之任何層中，以曝露(例如)半導體封裝裝置之線接合墊的邊緣。 在對一些實施例之描述中，提供「在」另一組件「上」之組件可涵蓋前一組件直接在後一組件上(例如，與後一組件實體接觸)的情況以及一或多個介入組件位於前一組件與後一組件之間的情況。 另外，有時在本文中按範圍格式呈現量、比率及其他數值。可理解，此類範圍格式出於便利及簡潔起見而使用，且應靈活地理解為不僅包括明確地指定為範圍限制之數值，而且包括涵蓋於該範圍內之所有個別數值或子範圍，如同明確地指定每一數值及子範圍一般。 儘管已參考本發明之特定實施例描述並說明本發明，但此等描述及說明並不限制本發明。熟習此項技術者可清楚地理解，可進行各種改變，且可在實施例內替代等效元件而不會脫離如由所附申請專利範圍所界定之本發明之真實精神及範疇。說明可不必按比例繪製。歸因於製造程序之類中的變數，本發明中之藝術再現與實際設備之間可存在區別。可存在並未特定說明的本發明之其他實施例。應將本說明書及圖式視為說明性而非限制性的。可作出修改，以使特定情形、材料、物質組成、方法或製程適應於本發明之目標、精神及範疇。所有此類修改意欲在此處附加之申請專利範圍之範疇內。儘管已參看按特定次序執行之特定操作描述本文中所揭示的方法，但可理解，在不脫離本發明之教示的情況下，可組合、再細分或重新定序此等操作以形成等效方法。因此，除非在本文中特定指示，否則操作之次序及分組並非本發明之限制。
1‧‧‧半導體封裝裝置
3‧‧‧半導體封裝裝置
4‧‧‧半導體封裝裝置
5‧‧‧半導體封裝裝置
10‧‧‧載體
10A‧‧‧第一區域
10B‧‧‧第二區域
11‧‧‧電子組件
12‧‧‧電子組件
13‧‧‧封裝本體
14‧‧‧封裝本體
15‧‧‧壁結構
26‧‧‧模製件
27‧‧‧桿體
40‧‧‧載體
40a‧‧‧遮光層
40b‧‧‧遮光層
40m‧‧‧遮光層
40m1‧‧‧金屬層
40o1‧‧‧間隙
40o2‧‧‧間隙
41‧‧‧電子組件
42‧‧‧電子組件
43‧‧‧封裝本體
44‧‧‧封裝本體
45‧‧‧壁結構
50a‧‧‧遮光層
50b‧‧‧遮光層
50c‧‧‧桿體
50o1‧‧‧間隙
50o2‧‧‧間隙
50v‧‧‧通孔
60‧‧‧載體
70‧‧‧載體
101‧‧‧頂部表面
102‧‧‧底部表面
400‧‧‧開口
401‧‧‧頂部表面/開口
401‧‧‧第一區域
401A1‧‧‧區域
401A2‧‧‧區域
401B‧‧‧第二區域
401B1‧‧‧導線
401B2‧‧‧導線
401B3‧‧‧導線
401B4‧‧‧導線
401B5‧‧‧導線
D1‧‧‧寬度
D2‧‧‧距離
F‧‧‧向下力
L1‧‧‧光路
L2‧‧‧光路
L3‧‧‧光路
L5‧‧‧光路
L6‧‧‧光路
L7‧‧‧光路
L8‧‧‧光路
L9‧‧‧光路
圖1說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置之橫截面視圖。 圖2A及圖2B說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝製造製程。 圖3A說明根據本發明之一些實施例的載體之透視圖。 圖3B說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置之橫截面視圖。 圖4說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置之橫截面視圖。 圖5A說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置之橫截面視圖。 圖5B說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置之橫截面視圖。 圖6說明根據本發明之一些實施例的載體之透視圖。 圖7說明根據本發明之一些實施例的載體之透視圖。 貫穿圖式及實施方式使用共同參考編號以指示相同或相似組件。根據結合附圖的以下實施方式可最好地理解本發明。

Claims (20)

  1. 一種電子裝置，其包含： 一載體，其具有一頂部表面； 一發射器，其安置於該載體之該頂部表面之一第一部分上； 一偵測器，其安置於該載體之該頂部表面之一第二部分上； 一分離壁，其安置於該發射器與該偵測器之間的該載體之該頂部表面上；及 一第一遮光層，其鄰近於該載體之該頂部表面安置且自該分離壁延伸至該載體之該第二部分。
  2. 如請求項1之電子裝置，其中該第一遮光層在該偵測器下面延伸。
  3. 如請求項1之電子裝置，其進一步包含鄰近於該載體之該頂部表面安置且自該分離壁延伸至該載體之該第一部分的一第二遮光層，其中該分離壁係不透明的。
  4. 如請求項3之電子裝置，其中該第二遮光層在該發射器下面延伸。
  5. 如請求項3之電子裝置，其中該第一遮光層及該第二遮光層經配置以防止自該發射器發射之光經由該載體內的一或多個光路進入該偵測器。
  6. 如請求項3之電子裝置，其中該第一遮光層及該第二遮光層由一金屬層分離。
  7. 如請求項6之電子裝置，其中： 該金屬層在該分離壁下方， 該金屬層及該第一遮光層由一第一間隙分離，且 該金屬層及該第二遮光層由一第二間隙分離。
  8. 如請求項7之電子裝置，其中該第一間隙及該第二間隙在該分離壁下方。
  9. 如請求項7之電子裝置，其中該第一間隙與該第二間隙之間的一距離小於該分離壁之一寬度。
  10. 如請求項1之電子裝置，其進一步包含： 一第一封裝本體，其覆蓋該發射器；及 一第二封裝本體，其覆蓋該偵測器，其中該第一封裝本體及該第二封裝本體由該分離壁分離。
  11. 一種光學結構，其包含： 一載體； 一第一晶片，其安置於該載體之一表面之一第一區域上； 一第二晶片，其安置於該載體之該表面之一第二區域上； 一桿體，其安置於該第一區域與該第二區域之間； 一第一包覆層，其鄰近於該桿體之一側安置且藉由一第一開口與該桿體分離； 一第二包覆層，其鄰近於該桿體之另一側安置且藉由一第二開口與該桿體分離；及 一分離壁，其安置於該桿體、該第一開口、該第二開口及該第一及該第二包覆層中之每一者的一部分上。
  12. 如請求項11之光學結構，其中該第一包覆層包含電連接一負電極或該第一晶片之一接地的一互連結構。
  13. 如請求項11之光學結構，其中該第一晶片為一發光裝置，且該第二晶片為一光偵測器。
  14. 如請求項11之光學結構，其中該第一開口與該第二開口之間的一距離小於該分離壁之一寬度。
  15. 如請求項11之光學結構，其中該第一包覆層在該第一晶片下面延伸。
  16. 如請求項11之光學結構，其中該第二包覆層在該第二晶片下面延伸。
  17. 如請求項11之光學結構，其中該第一包覆層及該第二包覆層經配置以防止自該第一晶片發射之光經由該載體內的一或多個光路進入該第二晶片。
  18. 如請求項11之光學結構，其進一步包含： 一第一封裝本體，其覆蓋該第一晶片；及 一第二封裝本體，其覆蓋該第二晶片； 其中該第一封裝本體及該第二封裝本體由該分離壁分離。
  19. 一種其上安置有一光學裝置之載體，該載體包含： 一發射器安置區域； 一偵測器安置區域； 一第一遮光層，其在該發射器安置區域下面延伸；及 一第二遮光層，其在該偵測器安置區域下面延伸； 其中該第一遮光層及該第二遮光層經配置以防止來自該發射器安置區域之光經由該載體內的一或多個光路進入該偵測器安置區域。
  20. 如請求項19之載體，其進一步包含該第一遮光層與該第二遮光層之間的一金屬層，該金屬層藉由一第一間隙與該第一遮光層分離，且該金屬層藉由一第二間隙與該第二遮光層分離。
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