TWI653736B - 半導體封裝裝置及製造半導體封裝裝置之方法 - Google Patents
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Abstract
本發明描述一種包括一載體之光學裝置，該載體包括一光透射層及安置於該光透射層上之一光屏蔽層。該光學裝置進一步包括安置於該載體上之一光發射器及安置於該載體上之一光偵測器。該光學裝置進一步包括囊封該光發射器及該光偵測器之一光透射封裝體，及安置於該光透射封裝體中且與該光透射封裝體及該光屏蔽層接觸之一光屏蔽壁。
Description
本發明係關於一種半導體封裝裝置，且更特定言之，係關於一種包括發光組件之半導體封裝裝置。
發光二極體(LED)或雷射二極體廣泛用於許多應用中。半導體發光裝置可包括具有一或多個半導體層的LED晶片。當給予能量時，該等層可經組態以發射相干及/或不相干的光。在製造期間，大量的LED半導體晶粒可產生於半導體晶圓上。晶圓可經探測及測試以精確地識別每一晶粒的特定顏色特性，例如色溫。接著，晶圓可經單體化以將晶圓切割成複數個LED晶片。LED晶片可經封裝以提供外部電連接、熱沈降、透鏡或波導、環境保護，及/或其他特徵。 LED晶片可用於光學模組(例如，近接感測器)中，且可用以感測光學模組附近的物件。光學模組可具有發光源及光學偵測器，其中該光學偵測器可接收或感測由發光源發射及由外部或附近物件反射的光(例如，紅外光)，使得可偵測到外部近接物件之存在。當光學偵測器直接接收自發光源發射的光或接收自不同於目標物件之介質反射的光時，可存在可被視為雜訊的「串話」且可使感測器發生故障。期望可減小此串話。
在一些實施例中，根據一態樣，一種光學裝置包括一載體，該載體包括光透射層及安置於該光透射層上之光屏蔽層。該光學裝置進一步包括安置於載體上之光發射器及安置於載體上之光偵測器。該光學裝置進一步包括囊封該光發射器及該光偵測器之光透射封裝體，及安置於光透射封裝體中且與光透射封裝體及光屏蔽層接觸之光屏蔽壁。 在一些實施例中，根據另一態樣，一種光學模組包括載體、安置於載體上之光發射器，及安置於載體上之光偵測器。該光學模組進一步包括安置於載體上發射器與偵測器之間的光屏蔽層，及囊封光發射器、光偵測器及光屏蔽層的光透射封裝體。該光學模組進一步包括安置於載體上光發射器與光偵測器之間的光屏蔽壁。光屏蔽壁接觸光屏蔽層。 在一些實施例中，根據另一態樣，一種用於製造光學裝置之方法包括：提供基板；在基板上形成至少一個發射器及至少一個偵測器；及在基板上發射器與偵測器之間形成光屏蔽層。該方法進一步包括：形成覆蓋光屏蔽層、發射器及偵測器之光透射封裝體；移除光透射封裝體之一部分以形成曝露光屏蔽層之腔；及在腔中形成接觸光屏蔽層之光屏蔽壁。
圖1說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置1的橫截面視圖。半導體封裝裝置1包括載體10，電子組件11、12，封裝本體13、14及壁結構15。 載體10可包括(例如)基板，印刷電路板，諸如紙基銅箔層合物、複合銅箔層合物或聚合物浸漬的基於玻璃纖維之銅箔層合物。載體10可包括互連結構，諸如導電跡線或重佈層(RDL)，及介電層，諸如預浸體層或聚醯亞胺層。 電子組件11安置於載體10之頂部表面101上。在一些實施例中，電子組件11可為光發射器或發光裝置，諸如LED或其他發射晶粒。舉例而言，電子組件11可包括發光二極體、雷射二極體或可包括一或多個半導體層之另一裝置。半導體層可包括矽、碳化矽、氮化鎵或任何其他半導體材料。電子組件11可(例如)藉助於覆晶或導線接合技術連接至載體。電子組件11可在紅外波長下發射光。 電子組件12安置於載體10之頂部表面101上，且與電子組件11實體上分離。在一些實施例中，電子組件12可為光偵測器，其為PIN二極體或光二極體或光電晶體。電子組件12可(例如)藉助於覆晶或導線接合技術連接至載體。 封裝本體13安置於載體10之頂部表面101上且覆蓋電子組件11。在一些實施例中，封裝本體13包括環氧樹脂。在一些實施例中，封裝本體13為透光的。 封裝本體14安置於載體10之頂部表面101上，且覆蓋電子組件12。在一些實施例中，封裝本體14包括環氧樹脂。在一些實施例中，封裝本體13及14包括一或多種相同材料。在一些實施例中，封裝本體13及14包括一或多種不同材料。在一些實施例中，封裝本體13及14可單獨地形成，且在實體上彼此分離。替代地，封裝本體13及14可由單個模製製程形成，且接著可進行切割製程以分離封裝本體13及14。 壁結構15安置於載體10之頂部表面101上電子組件11與電子組件12之間。壁結構15實質上不透明，且可有助於防止由電子組件11發射之非所要光直接透射至電子組件12。在一些實施例中，壁結構15可為不透明的液晶聚合物(LCP)帽。 在電子組件11、12上方形成封裝本體13、14之製程期間，模製件可安置於載體10之頂部表面101上，且接著將模製化合物注入至由模製件及載體10界定之空間中，且覆蓋電子組件11、12。在一些實施例中，經沈積模製化合物之一部分可清洗或徑流至由點線圈標記的載體10之頂部表面101之位置(亦即，過度滲出)。在形成封裝本體13、14之後，模製件經移除，且壁結構15接著置放於由點線圈標記、在模製化合物之徑流部分上方的位置上。壁結構15下模製化合物之徑流部分可允許來自電子組件11之非所要光直接透射至電子組件12 (例如，經由光路L
11)，其可導致串話且可使電子組件12發生故障。 圖2A說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置2之橫截面視圖。半導體封裝裝置2類似於如圖1中所展示之半導體封裝裝置1，除了半導體封裝裝置2進一步包括光屏蔽元件26。 光屏蔽元件26安置於載體10之頂部表面101上電子組件11與電子組件12之間。在一些實施例中，光屏蔽元件26由一或多種不透明材料(諸如不透明膠)形成。光屏蔽元件26具有凹座，其中壁結構25安置於該凹座中。凹座之寬度W2實質上等於壁結構25之寬度W3。光屏蔽元件26之底座部分或光屏蔽元件26之最寬的部分之寬度W1大於壁結構25之寬度W3。在一些實施例中，光屏蔽元件26a可安置於載體10之一或多個邊緣或末端處，且框架25a安置於屏蔽元件26a上。替代地，安置於載體10之邊緣處之光屏蔽元件26a並未執行，且框架25a直接安置於載體10之頂部表面101上。在一些實施例中，兩個光屏蔽元件26a分別安置於載體10之兩個相對末端處，且具有兩個末端部分之框架25a安置於兩個光屏蔽元件26a上使得每一末端部分分別安置於至少一個光屏蔽元件26a上。 由於光屏蔽元件26由一或多種不透明材料形成，其可阻斷(至少部分地阻斷)電子組件11與電子組件12之間的光透射。舉例而言，光屏蔽元件26可有助於防止由電子組件11發射之光經由光路L
21進入電子組件12，且從而改良相較於圖1中所展示之壁結構15之壁結構25之光阻斷能力。因此，在壁結構25下方形成光屏蔽元件26可消除或減少串話干擾且增加光學裝置之效能。 圖2B說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置2之俯視圖。如圖2B中所展示，壁結構25及光屏蔽元件26跨越載體10安置以有助於防止由電子組件11發射之光進入電子組件12，由此有助於消除串話干擾。 圖3A說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置3之橫截面視圖。半導體封裝裝置3包括載體30，電子組件31、32，封裝本體33、34及壁結構35。 載體30可包括(例如)印刷電路板，諸如紙基銅箔層合物、複合銅箔層合物或聚合物浸漬的基於玻璃纖維之銅箔層合物。載體30可包括互連結構，諸如導電跡線或RDL，及介電層，諸如預浸體層或聚醯亞胺層。在一些實施例中，載體30具有核心層30a，金屬層30b、30b1，及焊料遮罩(或阻焊劑) 30c、30c1。金屬層30b安置於核心層30a上且接觸核心層30a。焊料遮罩30c安置於金屬層30b上，且曝露金屬層30b之一部分。在其他實施例中，載體可包括核心層、多個金屬層及預浸體層。在一些實施例中，焊料遮罩30c之一部分進一步安置於由金屬層30b界定之一或多個間隙中，且可接觸載體之核心層或預浸體層。 在一些實施例中，金屬層30b經形成以覆蓋核心層30a之一部分。在其他實施例中，如圖3B中所展示，金屬層30b經形成達到核心層30a之整個區域的程度。金屬層30b可界定複數個開口30h (如圖3C中所展示)，且因此有助於防止載體30經受彎曲(例如在加熱製程期間)，且可有助於增加金屬層30b與核心層30a之間的黏著力。金屬層30b之一部分自焊料遮罩30c曝露。在一些實施例中，複數個跡線30t形成於載體30內以提供電連接。跡線30t中之至少一些及金屬層30b之至少一部分可安置於載體之相同層中(例如，可實質上在相同平面上)，且可藉由由金屬層30b界定之開口中之一或多者彼此隔離。跡線30t中之至少一者可安置於由金屬層30b界定之開口30h中之至少一者中。 電子組件31安置於載體30之頂部表面301上(例如焊料遮罩30c上)。在一些實施例中，電子組件31可為發光裝置，諸如LED或其他晶粒。舉例而言，電子組件31可包括發光二極體、雷射二極體或可包括一或多個半導體層之另一裝置。半導體層可包括矽、碳化矽、氮化鎵或任何其他半導體材料。電子組件31可藉助於(例如)覆晶或導線接合技術連接至載體。 電子組件32安置於載體30之頂部表面301上(例如焊料遮罩30c上)，且與電子組件31實體上分離。在一些實施例中，電子組件32可為光偵測器或光感測器。電子組件32可藉助於(例如)覆晶或導線接合技術連接至載體。 壁結構35安置於電子組件31與電子組件32之間。壁結構35安置於金屬層30b之一部分上，該金屬層自焊料遮罩30c曝露。在一些實施例中，壁結構35不覆蓋由金屬層30b界定之開口中之一些或不覆蓋開口中之任一者。焊料遮罩30c界定凹座30r，其中壁結構35安置於該凹座中。因此，壁結構35之底部表面不與載體30之頂部表面301(例如焊料遮罩30c之頂部表面)共面。舉例而言，壁結構35之底部表面比載體30之頂部表面301低。在一些實施例中，載體30可包括核心層、多個金屬層、預浸體層及焊料遮罩。壁結構35安置於其中之凹座可經形成以曝露金屬層中之任一者。舉例而言，可藉由移除焊料遮罩而形成凹座以曝露頂部金屬層，或可藉由移除焊料遮罩、頂部金屬層及預浸體層而形成凹座以曝露鄰接於核心層之金屬層。 壁結構35安置於其上之金屬層30b之寬度W5大於凹座30r之寬度W4。因此，壁結構35可有助於防止由電子組件31發射之光進入載體30。舉例而言，金屬層30b可有助於阻斷經由光路L
31透射之光。核心層30a或預浸體層可包括可為光提供透射路徑之玻璃光纖(且此核心層30a、預浸體層30a及/或其組件在本文中可稱作光透射層)。因此，金屬層30b (其在本文中可稱作光屏蔽層)可有助於防止由電子組件31發射的光經由核心層30a或預浸體層內之玻璃光纖進入電子組件32，其可消除或減少串話干擾及增加光學裝置之效能。 壁結構35實質上不透明，且可有助於防止由電子組件31發射之非所要光進入電子組件32。在一些實施例中，壁結構35可包括光吸收材料或諸如碳黑或顏料之光衰減材料或可與光吸收材料或光衰減材料結合實施以減少來自壁結構35之內表面的反射光。 封裝本體33安置於載體30之頂部表面301上。封裝本體33覆蓋電子組件31。在一些實施例中，封裝本體33包括環氧樹脂。在一些實施例中，封裝本體33為透光的。 封裝本體34安置於載體30之頂部表面301上。封裝本體34覆蓋電子組件32。在一些實施例中，封裝本體34包括環氧樹脂。在一些實施例中，封裝本體33及34包括一或多種相同材料。在一些實施例中，封裝本體33及34包括一或多種不同材料。在一些實施例中，封裝本體33及34可單獨地形成且在實體上彼此分離。替代地，封裝本體33及34可由單個模製製程形成，且接著可進行切割製程以分離封裝本體33及34。 在一些實施例中，半導體封裝裝置3可經由導電接觸點37 (例如焊料球)連接至其他半導體封裝裝置(諸如場可程式化閘陣列(FPGA))。舉例而言，半導體封裝裝置3可安裝於其他半導體封裝裝置上。自電子組件31及/或電子組件32接收或由電子組件31及/或電子組件32偵測之信號可經由一或多個穿孔30v (例如，其將金屬層30b電連接至一或多個導電接觸點37，且其可橫穿載體核心30a)及導電接觸點37透射至其他半導體封裝裝置之電路。另外，控制信號可經由穿孔30v及導電接觸點37自其他半導體封裝裝置之電路透射至電子組件31及/或電子組件32。藉由將半導體封裝裝置3直接安裝於其他半導體封裝裝置上，可減小晶片之總大小。 圖4A、圖4B、圖4C及圖4D說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝製造製程。 參看圖4A，提供包括多個載體10之載體條帶，且多個載體10之提供允許同時製造多個半導體封裝裝置。在以下描述中，描述關於單個載體10之一些製程，但應理解，此等製程視需要可應用於載體條帶之一個載體10、應用於載體條帶之超過一個載體或應用於載體條帶之所有載體。 黏著材料46、46a、46b塗覆於載體10之頂部表面101之預定區域上。在一些實施例中，黏著材料46、46a由一或多種不透明材料形成。在一些實施例中，可忽略塗覆黏著材料46a之操作。 接著藉由黏著材料46b將電子組件11及12附接至載體10之頂部表面101。藉由覆晶或導線接合技術將電子組件11、12連接至載體10之導電接觸點。在一些實施例中，圖4A中所展示之電子組件11、12與圖1或圖2A或圖2B中所展示之電子組件11、12相同。 參看圖4B，封裝本體43形成於載體10之頂部表面101上，且囊封載體10之頂部表面101，電子組件11、12，及黏著材料46、46a之一部分。在一些實施例中，封裝本體43包括環氧樹脂。在一些實施例中，封裝本體43為透光的。封裝本體43可由諸如轉移模製或壓縮模製之模製技術形成。 參看圖4C，藉由移除封裝本體43之一部分及黏著材料46之一部分，開口46h形成於封裝本體43中及黏著材料46中以曝露黏著材料46之剩餘部分。開口46h之寬度W6可設定為適於設計規格。開口46h之寬度W6小於底座部分或黏著材料46之最寬部分之寬度W7。藉由移除封裝本體43之一部分及黏著材料46a之一部分來形成開口46a1以曝露黏著材料46a之剩餘部分。在一些實施例中，可藉由切割、鑽孔、雷射鑽孔或其他合適的技術來形成開口46h、46a1。 參看圖4D，不透明材料形成於開口46h內以形成壁結構45。在一些實施例中，壁結構45可包括光吸收材料或諸如碳黑或顏料之光衰減材料或可與光吸收材料或光衰減材料結合實施以減少來自壁結構45之內表面的反射光。在一些實施例中，壁結構45可由諸如轉移模製或壓縮模製之模製技術形成。 接著，可執行單體化以分離出個別半導體封裝裝置。亦即，可經由封裝本體43及包括載體10之載體條帶執行單體化。舉例而言，可藉由使用劃片機、雷射或其他合適的切割技術執行單體化。框架45a可置放於黏著材料46a上以形成如圖2A中所展示之半導體封裝裝置2。 圖5A、圖5B及圖5C說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝製造製程。 參看圖5A，提供包括多個載體30之載體條帶，且多個載體30之提供允許同時製造多個半導體封裝裝置。在一些實施例中，圖5A中所展示之載體30與圖3A中所展示之載體30相同。在以下描述中，描述關於單個載體10之一些製程，但應理解，此等製程視需要可應用於載體條帶之一個載體10、應用於載體條帶之超過一個載體或應用於載體條帶之所有載體。 電子組件31及32形成於載體30之頂部表面301上。藉由覆晶或導線接合技術將電子組件31、32連接至載體30之導電接觸點。在一些實施例中，圖5A中所展示之電子組件31、32與圖3A中所展示之電子組件31、32相同。 封裝本體53形成於載體30之頂部表面301上，且囊封載體30之頂部表面301及電子組件31、32的一部分。在一些實施例中，封裝本體53包括環氧樹脂。在一些實施例中，封裝本體53為透光的。封裝本體53可由諸如轉移模製或壓縮模製之模製技術形成。 參看圖5B，藉由移除封裝本體53之一部分及焊料遮罩30c之一部分，開口53h形成於封裝本體53及焊料遮罩30c中以曝露載體30之金屬層30b之一部分。在一些實施例中，可藉由切割、鑽孔、雷射鑽孔或其他合適的技術形成開口53h。金屬層30b可有助於防止載體30內之導電跡線或核心層30a在形成開口53h之操作期間受到損害(例如，可充當切割障壁)。 參看圖5C，不透明材料形成於開口53h內以形成壁結構55。在一些實施例中，壁結構55可包括光吸收材料或諸如碳黑或顏料之光衰減材料或可與光吸收材料或光衰減材料結合實施以減少來自壁結構55之內表面的反射光。在一些實施例中，壁結構55可由諸如轉移模製或壓縮模製之模製技術形成。 接著，可執行單體化以分離出個別半導體封裝裝置以形成如圖3A中所展示之半導體封裝裝置3。亦即，可經由封裝本體53及包括載體30之載體條帶執行單體化。舉例而言，可藉由使用劃片機、雷射或其他合適的切割技術執行單體化。 如上文所提及，半導體封裝裝置3可經由導電接觸點37 (例如焊料球)安裝於其他半導體封裝裝置(諸如FPGA)上。在一些實施例中，製造半導體封裝裝置3安裝於另一半導體封裝裝置上之晶片之製程可包括以下步驟：(i)在圖5A中所展示之操作之後，經由導電接觸點37將半導體封裝裝置3安裝於另一半導體封裝裝置上；(ii)形成如圖5B中所展示之開口53h；及(iii)在開口53h內形成填充劑分散於其中之封裝本體以覆蓋或以囊封半導體封裝裝置3及另一半導體封裝裝置兩者。在其他實施例中，可在圖5B中所展示之操作之後進行將半導體封裝裝置3安裝於另一半導體封裝裝置上之步驟。藉由在一個單模製製程中模製半導體封裝裝置3及另一半導體封裝裝置，可減少製造成本及時間。 在一些實施例之描述中，提供於另一組件「上」之一組件可涵蓋前一組件直接在後一組件上(例如，與後一組件實體接觸)的情況以及一或多個介入組件位於前一組件與後一組件之間的情況。 在一些實施例之描述中，表徵為「光透射」之組件可將此組件稱作在相關波長或相關波長之範圍(諸如由光發射器發射之紅外波長峰值或紅外波長範圍)內具有至少80% (諸如至少85%或至少90%)之透光率之組件。在一些實施例之描述中，表徵為「光屏蔽」之組件可將此組件稱作在相關波長或相關波長之範圍(諸如由光發射器發射之紅外波長峰值或紅外波長範圍)內具有不大於20% (諸如不大於15%或不大於10%)之透光率之組件。 另外，有時在本文中以範圍格式呈現量、比率及其他數值。可理解，此類範圍格式出於便利及簡潔起見而使用，且應靈活地理解為不僅包括明確地指定為範圍限制之數值，而且包括涵蓋於該範圍內之所有個別數值或子範圍，如同明確地指定每一數值及子範圍一般。 如本文中所使用，術語「大約」、「實質上」、「實質的」及「約」用以描述及考慮小變化。當與事件或情形結合使用時，術語可指事件或情形明確發生之情況以及事件或情形極近似於發生之情況。舉例而言，當結合數值使用時，術語可指小於或等於彼數值之±10%的變化範圍，諸如，小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%，或小於或等於±0.05%之變化範圍。舉例而言，若兩個數值之間的差小於或等於該等值之平均值的±10% (諸如，小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%、或小於或等於±0.05%)，則可認為該兩個數值「實質上」相同或相等。舉例而言，「實質上」平行可指相對於0°而言小於或等於±10°之變化範圍，諸如，小於或等於±5°、小於或等於±4°、小於或等於±3°、小於或等於±2°、小於或等於±1°、小於或等於±0.5°、小於或等於±0.1°，或小於或等於±0.05°之變化範圍。舉例而言，「實質上」垂直可指相對於90°而言小於或等於±10°之變化範圍，諸如，小於或等於±5°、小於或等於±4°、小於或等於±3°、小於或等於±2°、小於或等於±1°、小於或等於±0.5°、小於或等於±0.1°，或小於或等於±0.05°之變化範圍。 儘管已參考本發明之特定實施例描述並說明本發明，但此等描述及說明並不限制本發明。熟習此項技術者將清楚地理解，在不背離如由隨附申請專利範圍所定義之本發明之真實精神及範疇之情況下可作出各種改變，且該等實施例內之等效物可經取代。說明可不必按比例繪製。歸因於製造程序之類中的變數，本發明中之藝術再現與實際設備之間可存在區別。可存在並未特定說明的本發明之其他實施例。應將本說明書及圖式視為說明性而非限制性的。可作出修改，以使特定情形、材料、物質組成、方法或製程適應於本發明之目標、精神及範疇。所有此類修改均意欲處於此處所附之申請專利範圍的範疇內。儘管已參看以特定次序執行之特定操作來描述本文中所揭示之方法，但應理解，在不脫離本發明之教示的情況下，可組合、再細分，或重新定序此等操作以形成等效方法。因此，除非在本文中特定指示，否則操作之次序及分組並非本發明之限制。
1 半導體封裝裝置 2 半導體封裝裝置 3 半導體封裝裝置 10 載體 11 電子組件 12 電子組件 13 封裝本體 14 封裝本體 15 壁結構 25 壁結構 25a 框架 26 光屏蔽元件 26a 光屏蔽元件 30 載體 30a 核心層 30b 金屬層 30b1 金屬層 30c 焊料遮罩/阻焊劑 30c1 焊料遮罩/阻焊劑 30h 開口 30r 凹座 30t 跡線 30v 穿孔 31 電子組件 32 電子組件 33 封裝本體 34 封裝本體 35 壁結構 37 導電接觸點 43 封裝本體 45 壁機構 45a 框架 46 黏著材料 46a 黏著材料 46a1 開口 46b 黏著材料 46h 開口 53 封裝本體 53h 開口 55 壁結構 101 頂部表面 301 頂部表面 L
11光路 L
21光路 L
31光路 W1 寬度 W2 寬度 W3 寬度 W4 寬度 W5 寬度 W6 寬度 W7 寬度
圖1說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置之橫截面視圖。 圖2A說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置之橫截面視圖。 圖2B說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置之俯視圖。 圖3A說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置之橫截面視圖。 圖3B說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置之橫截面視圖。 圖3C說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝裝置之俯視圖。 圖4A、圖4B、圖4C及圖4D說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝製造製程。 圖5A、圖5B及圖5C說明根據本發明之一些實施例的半導體封裝製造製程。 貫穿圖式及實施方式使用共同參考編號來指示相同或類似組件。根據結合附圖的以下實施方式可最好地理解本發明。
Claims (29)
- 一種光學裝置，其包含：一載體，其包括一光透射層及安置於該光透射層上之一光屏蔽層；一光發射器，其安置於該載體上；一光偵測器，其安置於該載體上；一光透射封裝體，其囊封該光發射器及該光偵測器；及一光屏蔽壁，其安置於該光透射封裝體中且與該光透射封裝體及該光屏蔽層接觸。
- 如請求項1之光學裝置，其中該光屏蔽層為一金屬層，且該金屬層經形成以達到該光透射層之一整個區域之程度。
- 如請求項2之光學裝置，其中該金屬層界定複數個開口。
- 如請求項3之光學裝置，其中該載體進一步包含複數個跡線，其中該等跡線中之一些的至少一部分及該金屬層之至少一部分安置於該載體之一相同層中，且該等跡線中之至少一者安置於由該金屬層界定之該等開口中之至少一者中。
- 如請求項4之光學裝置，其中該光屏蔽壁不覆蓋由該金屬層界定之該等開口中之任一者。
- 如請求項4之光學裝置，其中該等跡線與該金屬層電隔離。
- 如請求項6之光學裝置，其中該光透射層為包含安置於其中之複數個玻璃光纖之一核心層。
- 如請求項3之光學裝置，其中該金屬層接觸該光透射層。
- 如請求項8之光學裝置，其中該載體進一步包含安置於該光透射層及該金屬層上之一介電層，其中該介電層經由該金屬層界定之該等開口中之至少一者接觸該光透射層。
- 如請求項1之光學裝置，其中該載體進一步包含安置於該光屏蔽層上之一焊料遮罩，且該焊料遮罩界定一凹座以曝露該光屏蔽層之至少一部份。
- 如請求項10之光學裝置，其中該光屏蔽壁安置於該焊料遮罩界定之該凹座內且於該光屏蔽層上。
- 如請求項11之光學裝置，其中自該焊料遮罩曝露之該光屏蔽層之一區域大於或等於該光屏蔽壁之一底部表面之一區域。
- 一種光學模組，其包含：一載體；一光發射器，其安置於該載體上；一光偵測器，其安置於該載體上；一光屏蔽層，其安置於該載體上該發射器與該偵測器之間；一光透射封裝體，其囊封該光發射器、該光偵測器及該光屏蔽層；及一光屏蔽壁，其安置於該載體上該光發射器與該光偵測器之間，其中該光屏蔽壁接觸該光屏蔽層且包含一底部表面，該底部表面經安置為低於該載體之一頂部表面。
- 如請求項13之光學模組，其中該光屏蔽層包含一黏著材料。
- 如請求項14之光學模組，其中該黏著材料進一步包含一光吸收材料。
- 如請求項15之光學模組，其中該光吸收材料為一紅外吸收材料。
- 如請求項13之光學模組，其中該光屏蔽層之一底座之一寬度大於該光屏蔽壁之一寬度。
- 如請求項17之光學模組，其中該光屏蔽層界定一凹槽，其中該光屏蔽壁安置於該凹槽中。
- 如請求項18之光學模組，其中該光屏蔽層之該凹槽之一寬度實質上等於該光屏蔽壁之該寬度。
- 如請求項13之光學模組，其中該載體進一步包含接觸該光屏蔽層之一金屬層。
- 如請求項13之光學模組，其中該光屏蔽壁及該光屏蔽層跨越該載體安置。
- 一種用於製造一光學裝置之方法，其包含：提供一基板；在該基板上安置至少一個發射器及至少一個偵測器；在該基板上該發射器與該偵測器之間形成一光屏蔽層，形成覆蓋該光屏蔽層、該發射器及該偵測器之一光透射封裝體；移除該光透射封裝體之一部分以形成曝露該光屏蔽層之一腔；及在該腔中形成接觸該光屏蔽層之一光屏蔽壁。
- 如請求項22之方法，其中該光屏蔽壁經形成使得其實質上填充該腔。
- 如請求項22之方法，其中移除該光透射封裝體之該部分進一步包含移除該光屏蔽層之一部分以在該光屏蔽層中形成一凹槽。
- 如請求項24之方法，其中該光屏蔽壁藉由將一光屏蔽材料安置於該凹槽中而形成。
- 如請求項24之方法，其中該光屏蔽壁藉由將模製化合物填充至該凹槽中而形成。
- 如請求項20之方法，其中形成該光屏蔽層包含將一光屏蔽黏著材料施配於該基板上及將一晶粒黏結材料施配於該基板上。
- 如請求項20之方法，其中該光屏蔽層包括形成於該基板上之一金屬層。
- 如請求項28之方法，其中藉由雷射切割移除該光透射封裝體之該部分，且該金屬層充當一切割障壁。
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