TW201821632A

TW201821632A - 濺射噴淋頭

Info

Publication number: TW201821632A
Application number: TW106132596A
Authority: TW
Inventors: 安納薩Ｋ沙布藍尼; 則敬龔; 帕布朗古柏羅吉; 哈利Ｋ波奈康提
Original assignee: 美商應用材料股份有限公司
Priority date: 2016-09-23
Filing date: 2017-09-22
Publication date: 2018-06-16
Also published as: WO2018057396A1; JP2019530801A; KR20190018572A; JP7175266B2; US20180087155A1; TWI691607B; KR102195798B1; US10577689B2; CN109477207A

Abstract

在一個實施方案中，提供一種濺射噴淋頭組件。濺射噴淋頭組件包含面板，面板包含濺射表面以及與濺射表面相對的第二表面，濺射表面包含靶材料，其中複數個氣體通道從濺射表面延伸到第二表面。濺射噴淋頭組件進一步包含位於相鄰於面板的第二表面的背板。背板包含第一表面以及與第一表面相對的第二表面。濺射噴淋頭組件係具有由背板的第一表面與面板的第二表面界定的充氣部。濺射噴淋頭組件進一步包含沿著背板的第二表面定位的一或更多個磁電管。

Description

濺射噴淋頭

本文描述的實施方案一般係關於用於沉積材料的設備及方法，而更特定為具有能夠進行物理氣相沉積與化學氣相沉積的濺射噴淋頭的氣相沉積腔室。

在積體電路的製造中，沉積處理（例如化學氣相沉積（CVD）或物理氣相沉積（PVD））係用於在半導體基板上沉積各種材料的膜。該等沉積處理通常發生在分離的封閉處理腔室中。

處理氣體係用於在CVD腔室中在基板上沉積膜。可以將處理氣體供應到位於基板支撐件上的基板。可以提供吹掃氣體，以移除處理氣體。可以使用設置於遠離處理區域（例如處理腔室的外周邊）的常見排氣從處理腔室移除處理氣體與吹掃氣體，以防止吹掃氣體與處理區域中的處理氣體混合。

PVD處理包括利用在電漿區域中產生的離子濺射包含源材料的靶，而造成噴射的源材料行進到基板上。噴射的源材料可以經由形成在基板上的負電壓或偏壓而朝向基板加速。一些PVD處理腔室將RF能量提供至靶上，以增加均勻性。

二個處理腔室採用非常不同的處理條件進行沉積。CVD處理係在比PVD處理高得多的溫度下操作，並涉及專門的前驅物的使用。為了將多層氧化物與金屬沉積到基板上，將基板從一個腔室轉移到另一腔室，然後再次返回。使用上述佈置，污染物與其他雜質可能在從一個系統到下一個系統的過渡期間沉積在基板上（特別是在試圖沉積交替的氧化物與金屬層時），而造成半導體膜中的不均勻性。

因此，需要一種用於在基板上沉積氧化物與金屬的改善的系統與方法。

本文描述的實施方案一般係關於用於沉積材料的設備及方法，而更特定為具有能夠進行物理氣相沉積與化學氣相沉積的濺射噴淋頭的氣相沉積腔室。在一個實施方案中，提供一種濺射噴淋頭組件。濺射噴淋頭組件包含面板，面板包含濺射表面以及與濺射表面相對的第二表面，濺射表面包含靶材料，其中複數個氣體通道從濺射表面延伸到第二表面。濺射噴淋頭組件進一步包含位於相鄰於面板的第二表面的背板。背板包含第一表面以及與第一表面相對的第二表面。濺射噴淋頭組件係具有由背板的第一表面與面板的第二表面界定的充氣部。濺射噴淋頭組件進一步包含沿著背板的第二表面定位的一或更多個磁電管。

在另一實施方案中，提供一種沉積腔室。沉積腔室包含濺射噴淋頭組件以及設置在濺射噴淋頭組件下方的基板支撐件。濺射噴淋頭組件包含面板，面板包含濺射表面以及與濺射表面相對的第二表面，濺射表面包含靶材料，其中複數個氣體通道從濺射表面延伸到第二表面。濺射噴淋頭組件進一步包含位於相鄰於面板的第二表面的背板。背板包含第一表面以及與第一表面相對的第二表面。濺射噴淋頭組件係具有由背板的第一表面與面板的第二表面界定的充氣部。濺射噴淋頭組件進一步包含沿著背板的第二表面定位的一或更多個磁電管。

在另一實施方案中，提供一種沉積方法。該方法包含以下步驟：將基板定位於基板支撐件上，以及將前驅物流體通過濺射噴淋頭組件的面板流動到內部容積中，以在基板上沉積第一層。內部容積係設置於濺射噴淋頭組件與基板支撐件之間。該方法進一步包含以下步驟：從濺射噴淋頭組件的面板濺射一或更多種金屬，以在第一層上沉積第二層。

以下之揭示描述執行物理氣相沉積（PVD）與化學氣相沉積（CVD）處理的濺射噴淋頭，以及包括濺射噴淋頭的處理腔室。在以下描述與第1圖至第4圖中闡述某些細節，以提供對本揭示的各種實施方案的透徹理解。描述通常與PVD及CVD相關聯的已知結構與系統的其他細節係在以下揭示中沒有闡述，以避免不必要地模糊各種實施方案的描述。

圖式所示的許多細節、尺寸、角度、及其他特徵僅為具體實施方案的說明。因此，在不悖離本揭示的精神或範圍的情況下，其他實施方案可以具有其他細節、部件、尺寸、角度、及特徵。此外，可以實現本揭示的進一步實施方案，而不需要下面描述的幾個細節。

第1圖係為根據本文所述的實施方案的包括能夠處理基板105的濺射噴淋頭組件150的一個實施方案的示例性電漿處理腔室100的局部截面示意側視圖。第2圖係為根據本文所述的實施方案的濺射噴淋頭組件150的背板160的示意側視圖。第3A圖係為根據本文所述的實施方案的濺射噴淋頭組件150的面板152的示意側視圖。第3B圖係為第3A圖的面板152的頂視圖。

濺射噴淋頭組件150包括面板，面板包括複數個氣體遞送通道，並作為濺射靶。電漿處理腔室100同時作為能夠在基板上沉積金屬或金屬氧化物的物理氣相沉積（PVD）腔室以及能夠在基板上沉積介電材料的化學氣相沉積（CVD）腔室。舉例而言，電漿處理腔室100亦可用於其他目的，例如，沉積氧化物、氮化物、鋁、銅、鉭、氮化鉭、碳化鉭、鎢、氮化鎢、及鈦。

電漿處理腔室100包括腔室主體102，腔室主體102具有側壁104、底壁106、及濺射噴淋頭組件150，以包圍內部容積110或電漿區域。腔室主體102通常由不銹鋼焊接板或整體鋁塊製成。在一個實施方案中，側壁104包含鋁，而底壁106包含不銹鋼。側壁104通常包含狹縫閥（在此視圖中未圖示），以提供基板105從電漿處理腔室100的進入及移出。電漿處理腔室100的濺射噴淋頭組件150與可移動屏蔽件結合，以將形成於內部容積110中的電漿侷限於基板105上方的區域。

台座組件120係由電漿處理腔室100的底壁106支撐。台座組件120在處理期間支撐基板105。台座組件120藉由升降機構122耦接到電漿處理腔室100的底壁106，而升降機構122經配置以在上下位置之間移動台座組件120。此外，在較低位置中，升降銷移動通過台座組件120，以使基板105與台座組件120間隔開，以便於將基板與設置於電漿處理腔室100外部的晶圓傳送機構（例如單刀片機器人（未圖示））交換。可選擇地，波紋管（未圖示）通常設置於台座組件120與底壁106之間，以將腔室主體102的內部容積110從台座組件120的內部及腔室的外部隔離開。

台座組件120通常包括基板支撐件126。基板支撐件126可以由鋁或陶瓷構成。基板支撐件126具有在處理期間接收及支撐基板105的基板接收表面127；基板接收表面127界定與面板152的濺射表面154平行或基本平行的平面。基板支撐件126可以是靜電卡盤、陶瓷主體、加熱器、或其組合。在一個實施方案中，基板支撐件126係為靜電卡盤，包括其中嵌入導電層的介電主體。介電主體通常由高導熱介電材料製成，例如熱解氮化硼、氮化鋁、氮化矽、氧化鋁、或等效材料。在一個實施方案中，基板支撐件126作為由RF功率源121（通常經由匹配網路）偏壓的底部電極。在一個實施方案中，基板支撐件是可旋轉的。

濺射噴淋頭組件150通常包括面板152、與面板152相對的背板160、及一或更多個磁電管170a-170f（統稱為170）。一或更多個磁電管170a-170f可以增強均勻性與侵蝕控制。面板152與背板160界定充氣部180。

面板152包含第一表面或濺射表面154以及第二表面156或上表面，第一表面或濺射表面154相鄰於內部容積110，而第二表面156或上表面相鄰於充氣部180並與濺射表面相對。面板152具有從第二表面156延伸到濺射表面154的複數個氣體通道158。複數個氣體通道158耦接內部容積110與充氣部180，並提供用於將處理氣體從充氣部180遞送到內部容積110的導管。複數個氣體通道158亦可用於遞送其他氣體至內部容積110，例如載體氣體、吹掃氣體、及/或清潔氣體。在一個實施方案中，複數個氣體通道158均勻地分佈在與基板支撐件126的表面區域對應的面板152的表面區域上。引入到充氣部180中的氣體可以均勻地分散在面板152後方，以通過複數個氣體通道158引入到內部容積110中。

在一個實施方案中，可以通過氣體輸入130將氣體引入到充氣部180中。可以由氣體源132提供氣體。在一個實施方案中，氣體源132可以包含處理氣體源。在另一實施方案中，氣源132可以包含清潔氣體源。氣體從氣體源132行進通過遠端電漿源134。RF功率源138亦可以藉由RF饋送136而與氣體輸入130耦接。在一些實施方案中，DC功率源藉由DC饋送而與氣體輸入130耦接。

在一個實施方案中，面板152係由靶材料形成。面板152提供在沉積處理期間沉積在基板105上的材料。可用於形成面板152的示例性靶材料包括但不限於鋁、鋼、不銹鋼（例如，可選擇地含有鎳的鐵鉻合金）、鐵、鎳、鉻、鋁、銅、鉭、氮化鉭、碳化鉭、鎢、氮化鎢、鈦、其合金、及其組合。在一個實施方案中，面板152係為平坦的盤。

背板160包含與充氣部180相鄰的第一表面162或下表面以及與第一表面162相對的第二表面164或上表面。

在一個實施方案中，背板160可以由導電材料（例如金屬或金屬合金）形成。在一個實施方案中，背板160係由金屬形成。示例性金屬可以選自包含鋁、鋼、不銹鋼（例如，可選擇地含有鎳的鐵鉻合金）、鐵、鎳、鉻、其合金、及其組合的群組，或選自由其組成的群組。在一個實施方案中，背板160係為平坦的盤。

在一個實施方案中，絕緣體（未圖示）係定位於面板152與背板160之間。絕緣體在面板152與背板160之間提供電絕緣。在一個實施方案中，絕緣體係由陶瓷材料形成，例如氮化鋁（Al_x N_y ）或氧化鋁（Al₂ O₃ ）。

在一個實施方案中，面板152具有凹部159。如第1圖所示，充氣部180係由凹部159與背板160的第一表面162界定。充氣部180係經由複數個氣體通道158定位於內部容積110上方，並與其流體耦接，以用於將處理氣體供應到內部容積110。

一或更多個磁電管170a-170f（統稱為170）在電漿處理腔室100的外部耦接到背板160的第二表面164。一或更多個磁電管170經定位以控制面板152的濺射表面154的侵蝕。在一個實施方案中，一或更多個磁電管170係位於面板152上方。一或更多個磁電管170可以包括藉由連接至軸件的底板支撐的一或更多個磁體，而軸件可以軸向對準面板152的中心軸。磁體在面板152的前表面附近的電漿處理腔室100內產生磁場，以產生電漿，而使得顯著的離子流量撞擊面板152，以造成靶材料的濺射發射。磁體可以環繞面板152旋轉，以增加通過面板152的濺射表面154的磁場的均勻性。一或更多個磁電管170通常在PVD處理期間開啟，但通常在CVD處理期間關閉。發明人已發現，一或更多個磁電管170若在CVD處理期間中使用，會顯著干擾電漿。

面板152的濺射表面154暴露於電漿處理腔室100的內部容積110。面板152提供在PVD處理沉積在基板上的材料。隔離環184係設置於面板152與腔室主體102之間，以電隔離面板152與腔室主體102。

相對於接地（例如腔室主體102）藉由RF電源140（通常經由匹配網路）將面板152偏壓。在另一實施方案中，經由充氣部180與複數個氣體通道158將氣體（例如氬）從氣體源142供應到內部容積110。氣體源142可以包含能夠從面板152以能量撞擊並濺射靶材料的非活性氣體（例如氬或氙）。氣體源142亦可以包括能夠與濺射的靶材料反應而在基板上形成一層的活性氣體，例如含氧氣體、含氮氣體、含甲烷氣體中之一或更多者。氣體源142亦可以包括用於經由CVD處理在基板105上沉積膜的處理氣體。廢棄的處理氣體與副產物透過排放埠146從電漿處理腔室100排出，排放埠146接收廢棄的處理氣體，並將廢棄的處理氣體引導到具有節流閥的排放導管148，以控制電漿處理腔室100中的氣體的壓力。排放導管148連接到一或更多個排放泵149。通常，將電漿處理腔室100中的濺射氣體的壓力設定為低於大氣壓的等級，例如真空環境，例如0.6mTorr至400mTorr的氣體壓力。在基板105與面板152之間從氣體形成電漿。電漿內的離子朝向面板152加速，並造成材料從面板152移出。移出的靶材料係沉積在基板105上。

在一個實施方案中，電漿處理腔室100包括在腔室主體102內接地的可移動襯墊174。可移動襯墊174將內部容積110從側壁104及隔離環184屏蔽開。側壁104可以是鋁或不銹鋼。側壁104可以與前驅物反應，並在內部容積110中造成污染。可移動襯墊174可以在高壓CVD處理期間向下移動，並在低壓PVD處理期間朝向面板152向上移動，以形成暗空間（dark space）。在PVD處理期間，將可移動襯墊174朝向面板152向上移動係減少隔離環184上的金屬沉積。若未檢查，則隔離環184上的金屬沉積會導致金屬側壁104與濺射噴淋頭組件150之間的短路。在一個實施方式中，可移動襯墊174與台座組件120耦接，並與台座組件120一起上下移動。在另一實施方案中，單獨的升降機構係用於移動可移動襯墊174。可移動襯墊174可以由石英或其他耐處理材料製成。

電漿處理腔室100係藉由控制器190控制，控制器190包含具有用於操作電漿處理腔室100的部件以處理電漿處理腔室100中的基板的指令集的程式代碼。舉例而言，控制器190可含包括程式代碼，程式代碼包括：基板定位指令集，用於操作台座組件120；氣體流動控制指令集，用於操作氣體流量控制閥，以設定濺射氣體流動到電漿處理腔室100；氣壓控制指令集，用於操作節流閥，以維持電漿處理腔室100中的壓力；溫度控制指令集，用於控制台座組件120或側壁104中的溫度控制系統（未圖示），以分別設定基板或側壁104的溫度；以及處理監測指令集，用於監測電漿處理腔室100中的處理。

第4圖圖示根據本文所述的實現方案的用於沉積材料的方法400的一個實施方案的處理流程圖。方法400係藉由將基板（例如，基板105）定位於處理腔室（例如第1圖所示的電漿處理腔室100）中，而開始於操作410。基板105係位於基板支撐件126上。基板105可以透過電卡盤（未圖示）電耦接到基板支撐件126。如本文所述，基板支撐件126係定位為與濺射噴淋頭組件150相對。濺射噴淋頭組件150係設置於電漿處理腔室100的內部容積110中。

基板105可以具有基本平坦的表面、不平坦的表面、或具有結構形成其上。在一些實施方案中，在基板105上存在一或更多個材料層。在一個實施方案中，一或更多個材料層可以是用於邏輯或記憶體裝置（例如NAND結構）的前端或後端處理的閘結構、接觸結構、互連結構或淺溝道隔離（STI）結構的膜堆疊的一部分。在材料層不存在的實施方案中，方法400直接在基板的表面上進行。

在一個實施方案中，材料層可以是包括用於形成NAND結構的閘結構的氧化矽及/或氮化矽層的重複層的膜堆疊。可替代地，材料層可以是用於形成閘電極的矽材料。在另一實施方案中，材料層可以包括氧化矽層與沉積在矽層上的氧化矽層。在另一實施方案中，材料層可以包括用於製造半導體裝置的一或更多層的其他介電材料。介電層的合適實例包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳化矽、或根據需要的任何合適的低k或多孔介電材料。在另一實施方案中，材料層不包括任何金屬層。

在操作420處，在電漿處理腔室100中經由CVD處理在基板上沉積第一層。CVD處理可以是電漿增強CVD處理。CVD處理可以在較高的壓力（例如約10Torr至約20Torr）下進行。在可移動襯墊174存在的實施方案中，可移動襯墊174通常在CVD處理期間移動遠離面板152。在操作420的CVD處理期間，一或更多個磁電管170通常關閉。發明人已發現，若啟動，則一或更多個磁電管170可能在操作420期間干擾在內部容積110中形成的電漿。內部容積110係設置於濺射噴淋頭組件150與基板支撐件126之間。

在一個實施方案中，第一層係為介電層。在一個實施方案中，第一層係為高k介電層。在一個實施方案中，第一層係為含氧化物層。在一個實施方案中，第一膜層係為含氧化矽的層、含氮化矽的層、或含矽層。在一個實施方案中，第一層係為氧化矽層。

前驅物流體流動通過濺射噴淋頭組件150的面板152而進入內部容積110。前驅物流體可以是在基板105上沉積第一層的一或更多種處理氣體。在一個實施方案中，前驅物流體包括含矽氣體與可選擇的活性氣體。含矽氣體的合適實例包括但不限於矽烷（SiH₄ ）、乙矽烷（Si₂ H₆ ）、四氟化矽（SiF₄ ）、四氯化矽（SiCl₄ ）、二氯矽烷（SiH₂ Cl₂ ）、四乙氧基矽烷（TEOS）、及類似者。活性氣體可以是用於形成含氧化矽的層的含氧氣體、用於形成含氮化矽的層的含氮氣體、或用於形成含碳化矽的層的含碳氣體。含氧氣體的合適實例包括O₂ 、N₂ O、NO₂ 、O₃ 、H₂ O、及類似者。含氮氣體的合適實例包括N₂ 、N₂ O、NO₂ 、NH₃ 、N₂ H₂ 、NF₃ 、及類似者。含碳氣體的合適實例包括CO₂ 、CO、CH₄ 、CF₄ 、其他合適的碳基聚合物氣體、及類似者。可替代地，可以在提供至電漿處理腔室100的前驅物流體中包括一或更多種惰性氣體。惰性氣體可以包括但不限於鈍氣（例如Ar、He、及Xe）或N₂ 以及類似者。在一個實施方案中，前驅物流體包括含有鹵素的氣體，例如NF₃ 。在一個實施方案中，前驅物流體流進內部容積110中5-25秒。

在本文所述的一個實施方案中，含矽氣體係為TEOS，活性氣體係為含氧氣體（例如N₂ O），而惰性氣體係為氬氣，以形成第一膜層（例如氧化矽層）。

在操作420期間，在將前驅物流體供應到處理腔室時，調節幾個處理參數。在一個實施方案中，將處理腔室中的前驅物流體的壓力調節在約10mTorr至約15Torr之間，而基板溫度係維持在約攝氏200度至約攝氏700度之間。

在操作420期間，在一個實施方案中，在將前驅物流體供應到處理腔室時，可以產生RF源功率，並將其耦接到氣體混合物，以輔助將前驅物流體解離成電漿（例如電漿151）中的活性物質。在一些實施方案中，可以在將沉積氣體供應到處理腔室之前，產生RF源功率。

在達到所期望厚度的第一膜層之後，可以終止沉積處理。一旦沉積完成，相鄰於內部容積110的區域以及基板支撐件126下方的區域可以抽真空。在一個實施方案中，吹掃氣體可以供應到內部容積110。吹掃氣體可以是氧氣或惰性氣體，例如氮氣或氬氣。在操作420期間使用惰性氣體的一些實施方案中，不論有沒有施加RF功率，惰性氣體都可以作為吹掃氣體。

可選擇地，在操作430之前，可移動襯墊174可以向上移動，以與濺射噴淋頭組件150對接，以界定內部容積110中的電漿形成區域。在操作430的PVD處理期間，可移動襯墊174可以朝向面板152向上移動，以形成暗空間。在PVD處理期間，將可移動襯墊174朝向面板152向上移動係減少隔離環184上的金屬沉積。若未檢查，則隔離環184上的金屬沉積會導致金屬側壁104與濺射噴淋頭組件150之間的短路。在一個實施方式中，可移動襯墊174與台座組件120耦接，並與台座組件120一起上下移動。在另一實施方案中，單獨的升降機構係用於移動可移動襯墊174。

在操作430處，在電漿處理腔室100中經由PVD處理在基板上沉積第二層。若第二層存在，則第二層可以沉積在第一層上。第二層可以是含金屬層。第二層可以是金屬、金屬氧化物、或金屬合金層。在操作430期間，從濺射噴淋頭組件的面板濺射一或更多種金屬，以在第一層上沉積第二層。第二層可以是金屬，金屬氧化物、或金屬合金。

通常，將電漿處理腔室100中的濺射氣體的壓力設定為低於大氣壓的等級，例如真空環境，例如0.6mTorr至400mTorr的氣體壓力。在基板105與面板152之間從氣體形成電漿。電漿內的離子朝向面板152加速，並造成靶材料從面板152移出。移出的靶材料係沉積在基板105上，以形成第二層。可以使用任何合適的靶材料。在一個實施方案中，靶材料選自包含鎳、鉻、鋁、銅、鉭、氮化鉭、碳化鉭、鎢、氮化鎢、鈦，其合金、及其組合的群組，或選自由其組成的群組。

一旦濺射完成，可以重複CVD處理與PVD處理。氧化物層與金屬層沉積可以重複約80至100次，而使得在基板105上沉積80至100層交替的氧化物與金屬。

本文所揭示的實施方案係關於能夠執行CVD與PVD以降低均勻半導體處理的成本的單一濺射噴淋頭組件。此外，單一氧化物金屬沉積系統降低沉積在半導體基板上所需的時間。此外，相較於傳統的PVD處理，實施方案提供使用RF能量濺射以減少基板損傷的能力。實施方案亦提供使用高電子抑制的優點的能力，以控制使用磁電管與DC功率的磁體的目標侵蝕，以及控制使用RF能量所建立的更多擴散電漿（全面侵蝕）。應理解，本文描述的實現方案可以在各種整合方案中找到合適的應用性，例如前閘極（gate first）與後閘極（gate last）的整合方案。

當引入本揭示的元件或示例性態樣或實施方案時，冠詞「一」、「一個」、「該」、及「所述」意欲表示存在一或更多個元件。

術語「包含」、「包括」、及「具有」意欲為包含性，而意味著在所列出的元件之外可以存在額外元件。

儘管前述係關於本揭示之實施方案，本揭示之其他及進一步實施方案可以在不悖離本揭示之基本範疇的情況下擬出，而本揭示之範疇係由下列申請專利範圍所決定。

100‧‧‧電漿處理腔室

102‧‧‧腔室主體

104‧‧‧側壁

105‧‧‧基板

106‧‧‧底壁

110‧‧‧內部容積

120‧‧‧台座組件

121‧‧‧RF功率源

122‧‧‧升降機構

126‧‧‧基板支撐件

127‧‧‧基板接收表面

130‧‧‧氣體輸入

132‧‧‧氣體源

134‧‧‧遠端電漿源

136‧‧‧RF饋送

138‧‧‧RF功率源

140‧‧‧RF功率源

142‧‧‧氣體源

146‧‧‧排放埠

148‧‧‧排放導管

149‧‧‧排放泵

150‧‧‧濺射噴淋頭組件

151‧‧‧電漿

152‧‧‧面板

154‧‧‧濺射表面

156‧‧‧第二表面

158‧‧‧氣體通道

159‧‧‧凹部

160‧‧‧背板

162‧‧‧第一表面

164‧‧‧第二表面

170‧‧‧磁電管

170a-170f‧‧‧磁電管

174‧‧‧可移動襯墊

184‧‧‧隔離環

190‧‧‧控制器

400‧‧‧方法

410‧‧‧操作

420‧‧‧操作

430‧‧‧操作

為使本揭示的上述特徵可詳細地被理解，本實施方案（簡短概要如上）的更特定描述可參照實施方案而得，該等實施方案之一些係繪示於隨附圖式中。然而，應注意隨附圖式僅圖示本揭示之典型實施方案，而非視為限定本揭示的保護範疇，本揭示可接納其他等效實施方案。

第1圖圖示根據本文所述的實施方案的包括濺射噴淋頭組件的電漿腔室的局部截面示意側視圖；

第2圖圖示根據本文所述的實施方案的濺射噴淋頭組件的背板的示意側視圖；

第3A圖圖示根據本文所述的實施方案的濺射噴淋頭組件的面板的示意側視圖；

第3B圖圖示第3A圖的面板的頂視圖；以及

第4圖圖示根據本文所述的實現方案的用於沉積材料的方法的一個實施方案的處理流程圖。

為促進理解，各圖中相同的元件符號儘可能指定相同的元件。預期一個實施方案的元件與特徵可以有利地併入其他實施方案，而不另外詳述。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims

一種沉積腔室，包含：一腔室主體；一濺射噴淋頭組件，包含：一面板，包含：一濺射表面，包含一靶材料；以及一第二表面，與該濺射表面相對，其中複數個氣體通道從該濺射表面延伸到該第二表面；一背板，位於相鄰於該面板的該第二表面，而該背板包含：一第一表面；以及一第二表面，與該第一表面相對；一充氣部，由該背板的該第一表面與該面板的該第二表面界定；以及一或更多個磁電管，沿著該背板的該第二表面定位；以及一基板支撐件，設置於該濺射噴淋頭組件下方，其中該腔室主體與該濺射噴淋頭組件界定一內部容積。
如請求項1所述的沉積腔室，其中該靶材料係選自由鎳、鉻、鋁、銅、鉭、氮化鉭、碳化鉭、鎢、氮化鎢、鈦，其合金、及其組合所組成的群組。
如請求項1所述的沉積腔室，其中該等複數個氣體通道係均勻地分佈在該面板的一表面區域上。
如請求項1所述的沉積腔室，其中該面板係與一RF功率源耦接。
如請求項4所述的沉積腔室，其中該基板支撐件係與一RF功率源耦接。
如請求項1所述的沉積腔室，進一步包含一可移動襯墊，其中該可移動襯墊係與該濺射噴淋頭組件對接，以界定該內部容積中的一電漿形成區域。
如請求項1所述的沉積腔室，其中該面板具有一凹部，而該充氣部係藉由該凹部與該背板的該第一表面界定。
如請求項7所述的沉積腔室，其中該充氣部係位於該內部容積上方，並經由該等複數個氣體通道與該內部容積流體連接。
一種濺射噴淋頭組件，包含：一面板，包含：一濺射表面，包含一靶材料；以及一第二表面，與該濺射表面相對，其中複數個氣體通道從該濺射表面延伸到該第二表面；一背板，位於相鄰於該面板的該第二表面，而該背板包含：一第一表面；以及一第二表面，與該第一表面相對；一充氣部，由該背板的該第一表面與該面板的該第二表面界定；以及一或更多個磁電管，沿著該背板的該第二表面定位。
如請求項9所述的濺射噴淋頭組件，其中該靶材料係選自由鎳、鉻、鋁、銅、鉭、氮化鉭、碳化鉭、鎢、氮化鎢、鈦，其合金、及其組合所組成的群組。
如請求項9所述的濺射噴淋頭組件，其中該等複數個氣體通道係均勻地分佈在該面板的一表面區域上。
如請求項9所述的濺射噴淋頭組件，其中該面板具有一凹部，而該充氣部係藉由該凹部與該背板的該第一表面界定。
一種沉積方法，包含以下步驟：將一基板定位於一基板支撐件上；將一前驅物流體流經一濺射噴淋頭組件的該面板而進入一內部容積，其中該內部容積係設置於該濺射噴淋頭組件與該基板支撐件之間，以及在該基板上沉積一第一層；以及從該濺射噴淋頭組件的該面板濺射一或更多種金屬，以及在該第一層上沉積一第二層。
如請求項13所述之方法，其中該第一層係為一氧化物。
如請求項14所述之方法，其中該第二層係為一含金屬層。
如請求項13所述之方法，進一步包含以下步驟：在讓該前驅物流體流經該濺射噴淋頭組件的該面板而進入該內部容積之後以及在從該面板濺射一或更多種金屬之前，對該內部容積抽真空。
如請求項13所述之方法，進一步包含以下步驟：重複讓該前驅物流體流經該濺射噴淋頭組件的該面板而進入該內部容積之步驟以及從該面板濺射一或更多種金屬之步驟。
如請求項13所述之方法，其中該濺射噴淋頭組件包含：一面板，包含：一濺射表面，包含一靶材料；以及一第二表面，與該濺射表面相對，其中複數個氣體通道從該濺射表面延伸到該第二表面；一背板，位於相鄰於該面板的該第二表面，而該背板包含：一第一表面；以及一第二表面，與該第一表面相對；一充氣部，由該背板的該第一表面與該面板的該第二表面界定；以及一或更多個磁電管，沿著該背板的該第二表面定位。
如請求項18所述的方法，其中該靶材料係選自由鎳、鉻、鋁、銅、鉭、氮化鉭、碳化鉭、鎢、氮化鎢、鈦，其合金、及其組合所組成的群組。
如請求項16所述的方法，其中該等複數個氣體通道係均勻地分佈在該面板的一表面區域上。