TW201821570A - 黏著薄片 - Google Patents

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Abstract

一種黏著薄片(10),其係密封黏著薄片上之半導體元件時所使用之黏著薄片(10),其具有基材(11)、含有黏著劑之黏著劑層(12)、與設置於基材(11)與黏著劑層(12)之間的寡聚物密封層(13)。

Description

黏著薄片
本發明係關於黏著薄片。
對於半導體裝置之製造步驟中使用之黏著薄片,係要求各種特性。近年來,對於黏著薄片,係要求即使經過施以高溫條件之步驟,亦不會污染製造步驟中使用之裝置、構件、及被黏著體。進一步地,亦要求於高溫條件之步驟後,將黏著薄片於室溫剝離時,對被黏著體等殘留黏著劑之不良狀況(所謂之殘膠)少、且剝離力小。
例如,文獻1(日本特開2002-275435號公報)中,記載了用以抑制黏著劑之殘膠,安定地生產QFN(Quad Flat Non-lead)之半導體封裝的遮罩片。文獻1中,記載藉由使用特定之耐熱薄膜及聚矽氧系黏著劑來製作遮罩片,而可耐受黏晶步驟及樹脂密封步驟中於150℃~180℃下1小時~6小時的環境。
近年來,即使於施以如180℃以上200℃以下之高溫條件的步驟,亦使用黏著薄片。於如此之高溫步驟中,例如使用較聚醯亞胺薄膜等耐熱性低且價格便宜的薄膜(例 如聚對苯二甲酸乙二酯等之薄膜)作為基材時,可知於步驟結束後由被黏著體將黏著薄片剝離時,被黏著體之表面會被污染。如此之污染的原因,可認為係使用作為基材之樹脂薄膜中所含有的低分子量成分(寡聚物)析出於被黏著體表面所致。例如,於將貼附於黏著薄片之黏著劑層的半導體元件予以樹脂密封之步驟中施以高溫條件時,係有半導體元件之表面被污染,於半導體裝置產生不良狀況的可能性。
本發明之目的為提供即使經過施以高溫條件之步驟後,亦可防止被黏著體之表面污染的黏著薄片。
依照本發明之一態樣,係提供一種黏著薄片,其係密封黏著薄片上之半導體元件時所使用之黏著薄片,其具有基材、含有黏著劑之黏著劑層、與設置於前述基材與前述黏著劑層之間的寡聚物密封層。
本發明之一態樣之黏著薄片中,前述寡聚物密封層,較佳為使含有環氧化合物、聚酯化合物、與多官能胺基化合物之寡聚物密封層用組成物硬化而得的硬化被膜。
本發明之一態樣之黏著薄片中,前述寡聚物密封層用組成物,較佳含有(A)50質量%以上且80質量%以下之雙酚A型環氧化合物、(B)5質量%以上且30質量%以下之聚酯化合物、與(C)10質量%以上且40質量%以下之多官能胺基化合物。
本發明之一態樣之黏著薄片中,前述基材之於100℃之儲存模數較佳為1×107Pa以上。
本發明之一態樣之黏著薄片中,前述黏著劑層,較佳含有丙烯酸系黏著劑組成物或聚矽氧系黏著劑組成物。
本發明之一態樣之黏著薄片中,前述丙烯酸系黏著劑組成物,較佳含有以丙烯酸2-乙基己酯為主要單體之丙烯酸系共聚物。
本發明之一態樣之黏著薄片中,前述聚矽氧系黏著劑組成物,較佳含有加成聚合型聚矽氧樹脂。
本發明之一態樣之黏著薄片中,較佳於前述基材之兩面具有前述寡聚物密封層。
本發明之一態樣之黏著薄片中,前述基材較佳含有聚酯系樹脂。
依照本發明,可提供即使經過施以高溫條件之步驟後,亦可防止被黏著體之表面污染的黏著薄片。
10、10A‧‧‧黏著薄片
11‧‧‧基材
11a‧‧‧第一基材面
11b‧‧‧第二基材面
12‧‧‧黏著劑層
13‧‧‧寡聚物密封層
20‧‧‧框構件
21‧‧‧開口部
30‧‧‧密封樹脂
30A‧‧‧密封樹脂層
40‧‧‧補強構件
41‧‧‧補強板
42‧‧‧接著層
50‧‧‧密封體
CP‧‧‧半導體晶片
圖1為第一實施形態之黏著薄片之截面概略圖。
圖2A為說明使用第一實施形態之黏著薄片的半導體裝置之製造步驟的一部分之圖。
圖2B為說明使用第一實施形態之黏著薄片的半導體裝置之製造步驟的一部分之圖。
圖2C為說明使用第一實施形態之黏著薄片的半導體裝置之製造步驟的一部分之圖。
圖2D為說明使用第一實施形態之黏著薄片的半導體裝置之製造步驟的一部分之圖。
圖2E為說明使用第一實施形態之黏著薄片的半導體裝置之製造步驟的一部分之圖。
圖3為第二實施形態之黏著薄片之截面概略圖。
[第一實施形態] (黏著薄片)
圖1顯示本實施形態之黏著薄片10的截面概略圖。
黏著薄片10,具有基材11、黏著劑層12及寡聚物密封層13。
基材11具有第一基材面11a、及與第一基材面11a相反側之第二基材面11b。於基材11與黏著劑層12之間係設置有寡聚物密封層13。於黏著薄片10,較佳為寡聚物密封層13係層合於第一基材面11a,且第一基材面11a經寡聚物密封層13被覆。
黏著薄片10之形狀,例如可採取薄片狀、帶狀、標籤狀等任意形狀。
(基材)
基材11為支撐黏著劑層12及寡聚物密封層13之構件。
基材11,例如可使用合成樹脂薄膜等之薄片材料 等。合成樹脂薄膜可列舉例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚胺基甲酸酯薄膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚物薄膜、離子聚合物樹脂薄膜、乙烯/(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯/(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、及聚醯亞胺薄膜等。其他,作為基材11,可列舉此等之交聯薄膜及層合薄膜等。
基材11較佳含有聚酯系樹脂、更佳為由以聚酯系樹脂為主成分之材料所構成。本說明書中,以聚酯系樹脂為主成分之材料,意指構成基材之材料全體質量中聚酯系樹脂所佔之質量的比例為50質量%以上。
聚酯系樹脂,較佳為例如選自由聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸丁二酯樹脂、及此等樹脂之共聚合樹脂所成之群的任一樹脂;更佳為聚對苯二甲酸乙二酯樹脂。
基材11較佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、或聚萘二甲酸乙二酯薄膜;更佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。聚酯薄膜中含有之寡聚物,係來自於聚酯形成性單體、二聚體、及三聚體等。
基材11之於100℃之儲存模數的下限,由加工時之尺寸安定性的觀點而言,較佳為1×107Pa以上、更佳為1×108Pa以上。基材11之於100℃之儲存模數的上限,由 加工適性之觀點而言較佳為1×1012Pa以下。再者,本說明書中,儲存模數為使用動態黏彈性測定裝置,藉由扭轉剪切法以頻率1Hz所測定之值。將所測定之基材切斷為寬5mm、長20mm,使用黏彈性測定機器(TA Instruments公司製、DMAQ800),藉由頻率1Hz、拉伸模式,測定100℃之儲存黏彈性。
第一基材面11a,為了提高與寡聚物密封層13之密著性,亦可實施底塗處理、電暈處理、及電漿處理等之至少任一表面處理。於基材11之第一基材面11a,亦可塗佈黏著劑來實施黏著處理。基材之黏著處理所用的黏著劑,可列舉例如丙烯酸系、橡膠系、聚矽氧系、及胺基甲酸酯系等之黏著劑。
基材11之厚度,較佳為10μm以上且500μm以下、更佳為15μm以上且300μm以下、又更佳為20μm以上且250μm以下。
(黏著劑層)
本實施形態之黏著劑層12,係含有黏著劑組成物。該黏著劑組成物中所含之黏著劑,並無特殊限定,可應用各種類之黏著劑於黏著劑層12。黏著劑層12中所含之黏著劑,可列舉例如橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧系、聚酯系、及胺基甲酸酯系。再者,黏著劑之種類,係考慮用途及所貼著之被黏著體種類等來選擇。黏著劑層12較佳為含有丙烯酸系黏著劑組成物或聚矽氧系黏著劑組成物。
.丙烯酸系黏著劑組成物
黏著劑層12含有丙烯酸系黏著劑組成物時,丙烯酸系黏著劑組成物,較佳含有以丙烯酸2-乙基己酯為主要單體之丙烯酸系共聚物。
又,黏著劑層12含有丙烯酸系黏著劑組成物時,較佳含有丙烯酸系共聚物、與黏著助劑。丙烯酸系共聚物,較佳為以丙烯酸2-乙基己酯為主要單體之共聚物。黏著助劑較佳含有具有反應性基之橡膠系材料,作為主成分。
本說明書中,以丙烯酸2-乙基己酯為主要單體,意指丙烯酸系共聚物全體質量中來自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分所佔的質量比例為50質量%以上。本實施形態中,丙烯酸系共聚物中來自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分的比例,較佳為50質量%以上且95質量%以下、更佳為60質量%以上且95質量%以下、又更佳為80質量%以上且95質量%以下、又再更佳為85質量%以上且93質量%以下。來自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分之比例若為50質量%以上,則加熱後黏著力不會變得過高,更容易由被黏著體將黏著薄片剝離,若為80質量%以上則更加容易剝離。來自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分之比例若為95質量%以下,則可防止初期密著力不足而於加熱時使基材變形、或因為該變形使黏著薄片由被黏著體剝離。
丙烯酸系共聚物中,丙烯酸2-乙基己酯以外之共聚物成分的種類及數目,並無特殊限定。例如,作為第二共聚物成分,較佳為具有反應性官能基的含官能基之單體。作 為第二共聚物成分之反應性官能基,當使用後述之交聯劑時,較佳為可與該交聯劑反應的官能基。該反應性官能基,較佳為例如選自由羧基、羥基、胺基、取代胺基、及環氧基所成之群的至少任一取代基;更佳為羧基及羥基之至少任一取代基;又更佳為羧基。
具有羧基之單體(含羧基之單體),可列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、依康酸、及檸康酸等之乙烯性不飽和羧酸。含羧基之單體當中,就反應性及共聚合性之觀點而言,尤以丙烯酸為佳。含羧基之單體,可單獨使用、亦可組合2種以上使用。
具有羥基之單體(含羥基之單體),可列舉例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、及(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷酯等。含羥基之單體當中,就羥基之反應性及共聚合性之觀點而言,尤以(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯為佳。含羥基之單體可單獨使用、亦可組合2種以上使用。再者,本說明書中,「(甲基)丙烯酸」係表示「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」雙方時所使用的表述,其他類似用語亦相同。
具有環氧基之丙烯酸酯,可列舉例如丙烯酸縮水甘油酯、及甲基丙烯酸縮水甘油酯等。
丙烯酸系共聚物中之其他共聚物成分,可列舉烷基之碳數為2~20的(甲基)丙烯酸烷酯。(甲基)丙烯酸烷酯,可 列舉例如(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸n-丁酯、(甲基)丙烯酸n-戊酯、(甲基)丙烯酸n-己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸n-癸酯、(甲基)丙烯酸n-十二烷酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕櫚酯、及(甲基)丙烯酸硬脂酯等。此等(甲基)丙烯酸烷酯當中,就更提高黏著性之觀點而言,尤以烷基之碳數為2~4的(甲基)丙烯酸酯為佳、更佳為(甲基)丙烯酸n-丁酯。(甲基)丙烯酸烷酯,可單獨使用、亦可組合2種以上使用。
丙烯酸系共聚物中之其他共聚物成分,可列舉例如來自選自由含烷氧基烷基之(甲基)丙烯酸酯、具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯、非交聯性之丙烯醯胺、具有非交聯性之3級胺基的(甲基)丙烯酸酯、乙酸乙烯酯、及苯乙烯所成之群的至少任一單體之共聚物成分。
含烷氧基烷基之(甲基)丙烯酸酯,可列舉例如(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、及(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯。
具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯,可列舉例如(甲基)丙烯酸環己酯。
具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯,可列舉例如(甲基)丙烯酸苯酯。
非交聯性之丙烯醯胺,可列舉例如丙烯醯胺、及甲基丙烯醯胺。
具有非交聯性之3級胺基的(甲基)丙烯酸酯,可列舉例如(甲基)丙烯酸(N,N-二甲基胺基)乙酯、及(甲基)丙烯酸(N,N-二甲基胺基)丙酯。
作為丙烯酸系共聚物中之其他共聚物成分,就提高黏著劑之極性、提高密著性及黏著力之觀點而言,亦佳為來自具有含氮原子之環之單體的共聚物成分。
具有含氮原子之環之單體,可列舉N-乙烯基-2-吡咯啶酮、N-甲基乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基己內醯胺、及N-(甲基)丙烯醯基嗎啉等。具有含氮原子之環之單體,較佳為N-(甲基)丙烯醯基嗎啉。
此等單體可單獨使用、亦可組合2種以上使用。
本實施形態中,作為第二共聚物成分,較佳為含羧基之單體或含羥基之單體、更佳為丙烯酸。丙烯酸系共聚物含有來自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分、及來自丙烯酸之共聚物成分時,丙烯酸系共聚物全體質量中,來自丙烯酸之共聚物成分所佔質量之比例較佳為1質量%以下、更佳為0.1質量%以上且0.5質量%以下。丙烯酸之比例若為1質量%以下,則於黏著劑組成物中含有交聯劑時,可防止丙烯酸系共聚物之交聯過快進行。
丙烯酸系共聚物,亦可含有來自2種以上之含官能基之單體的共聚物成分。例如,丙烯酸系共聚物,亦可為3元系共聚物。丙烯酸系共聚物為3元系共聚物時,較佳為 使丙烯酸2-乙基己酯、含羧基之單體及含羥基之單體共聚合而得到之丙烯酸系共聚物,該含羧基之單體,較佳為丙烯酸,含羥基之單體,較佳為丙烯酸2-羥基乙酯。丙烯酸系共聚物中,較佳為來自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分的比例為80質量%以上且95質量%以下,來自丙烯酸之共聚物成分的質量比例為1質量%以下,且剩餘部分為來自丙烯酸2-羥基乙酯之共聚物成分。
丙烯酸系共聚物之重量平均分子量(Mw),較佳為30萬以上且200萬以下、更佳為60萬以上且150萬以下、又更佳為80萬以上且120萬以下。丙烯酸系共聚物之重量平均分子量Mw若為30萬以上,則可在無於被黏著體上之黏著劑的殘渣之下進行剝離。丙烯酸系共聚物之重量平均分子量Mw若為200萬以下,則可對被黏著體確實地進行貼附。
丙烯酸系共聚物之重量平均分子量Mw,為藉由凝膠滲透層析(Gel Permeation Chromatography;GPC)法所測定之標準聚苯乙烯換算值。
丙烯酸系共聚物,可使用前述之各種原料單體,遵照以往公知之方法而製造。
丙烯酸系共聚物之共聚合形態,並無特殊限定,可為嵌段共聚物、隨機共聚物、或接枝共聚物之任意者。
本實施形態中,黏著劑組成物中之丙烯酸系共聚物的含有率,較佳為40質量%以上且90質量%以下、更佳為50質量%以上且90質量%以下。
黏著助劑,較佳含有具有反應性基之橡膠系材料,作為主成分。黏著劑組成物若含有反應性黏著助劑,則可減少殘膠。黏著劑組成物中之黏著助劑的含有率,較佳為3質量%以上且50質量%以下、更佳為5質量%以上且30質量%以下。黏著劑組成物中之黏著助劑的含有率若為3質量%以上,則可抑制殘膠產生,若為50質量%以下,則可抑制黏著力之降低。
本說明書中,含有具有反應性基之橡膠系材料作為主成分,意指黏著助劑全體之質量中,具有反應性基之橡膠系材料所佔的質量比例超過50質量%。本實施形態中,黏著助劑中具有反應性基之橡膠系材料的比例,較佳為超過50質量%、更佳為80質量%以上。亦佳為黏著助劑實質上由具有反應性基之橡膠系材料所構成。
作為反應性基,較佳為選自由羥基、異氰酸酯基、胺基、環氧乙烷基、酸酐基、烷氧基、丙烯醯基及甲基丙烯醯基所成之群的一種以上之官能基;更佳為羥基。橡膠系材料所具有之反應性基,可為1種、亦可為2種以上。具有羥基之橡膠系材料,亦可進一步具有前述反應性基。又,反應性基之數目,於構成橡膠系材料之1分子中,可為1個、亦可為2個以上。
橡膠系材料並無特殊限定,較佳為聚丁二烯系樹脂、及聚丁二烯系樹脂之氫化物;更佳為聚丁二烯系樹脂之氫化物。
聚丁二烯系樹脂,可列舉具有1,4-重複單位之樹脂、 具有1,2-重複單位之樹脂、以及具有1,4-重複單位及1,2-重複單位兩方之樹脂。本實施形態之聚丁二烯系樹脂之氫化物,亦包含具有此等重複單位的樹脂之氫化物。
聚丁二烯系樹脂、及聚丁二烯系樹脂之氫化物,較佳為於兩末端分別具有反應性基。兩末端之反應性基可相同亦可相異。兩末端之反應性基,較佳為選自由羥基、異氰酸酯基、胺基、環氧乙烷基、酸酐基、烷氧基、丙烯醯基及甲基丙烯醯基所成之群的一種以上之官能基;更佳為羥基。於聚丁二烯系樹脂、及聚丁二烯系樹脂之氫化物中,更佳為兩末端為羥基。
本實施形態之黏著劑組成物,亦佳為於前述丙烯酸系共聚物及黏著助劑以外,進一步含有使摻合交聯劑之組成物交聯而得到之交聯物。又,黏著劑組成物之固體成分,亦佳為實質上由如前述般使前述丙烯酸系共聚物、黏著助劑、與交聯劑交聯而得到之交聯物所構成。此處,實質上,意指除了如不可避免地混入於黏著劑之微量雜質以外,黏著劑組成物之固體成分僅由該交聯物所構成。
本實施形態中,交聯劑可列舉例如異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬鉗合物系交聯劑、胺系交聯劑、及胺基樹脂系交聯劑。此等交聯劑,可單獨使用、亦可組合2種以上使用。
本實施形態中,由提高黏著劑組成物之耐熱性及黏著力的觀點而言,此等交聯劑之中,尤以含有具有異氰酸酯基之化合物作為主成分的交聯劑(異氰酸酯系交聯劑)為 佳。異氰酸酯系交聯劑,可列舉例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-伸二甲苯二異氰酸酯、1,4-伸二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、及離胺酸異氰酸酯等之多元異氰酸酯化合物。
又,多元異氰酸酯化合物,亦可為前述化合物之三羥甲基丙烷加合物型改質體、與水反應之縮二脲型改質體、或具有三聚異氰酸酯環之三聚異氰酸酯型改質體。
本說明書中,以具有異氰酸酯基之化合物為主成分的交聯劑,意指構成交聯劑之成分全體的質量中,具有異氰酸酯基之化合物的質量所佔的比例為50質量%以上。
本實施形態中,黏著劑組成物中的交聯劑之含量,相對於丙烯酸系共聚物100質量份而言,較佳為0.1質量份以上且20質量份以下、更佳為1質量份以上且15質量份以下、又更佳為5質量份以上且10質量份以下。黏著劑組成物中的交聯劑之含量若為如此之範圍內,可提高含有黏著劑組成物之層(黏著劑層)與被黏著體(例如基材)之接著性,且可縮短黏著薄片製造後用以使黏著特性安定化之熟成期間。
本實施形態中,由黏著劑組成物之耐熱性的觀點而言,異氰酸酯系交聯劑,更佳為具有三聚異氰酸酯環之化合物(三聚異氰酸酯型改質體)。具有三聚異氰酸酯環之化 合物,相對於丙烯酸系共聚物之羥基當量而言,較佳為摻合0.7當量以上且1.5當量以下。具有三聚異氰酸酯環之化合物的摻合量若為0.7當量以上,則加熱後黏著力不會變得過高,容易剝離黏著薄片,可減少殘膠。具有三聚異氰酸酯環之化合物的摻合量若為1.5當量以下,則可防止初期黏著力變得過低、或防止貼附性之降低。
本實施形態中之黏著劑組成物含有交聯劑時,黏著劑組成物較佳為進一步含有交聯促進劑。交聯促進劑較佳為依照交聯劑之種類等而適當選擇來使用。例如,黏著劑組成物含有聚異氰酸酯化合物作為交聯劑時,較佳為進一步含有有機錫化合物等之有機金屬化合物系的交聯促進劑。
.聚矽氧系黏著劑組成物
黏著劑層12含有聚矽氧系黏著劑組成物時,聚矽氧系黏著劑組成物,較佳含有加成聚合型聚矽氧樹脂。本說明書中,將含有加成聚合型聚矽氧樹脂之聚矽氧系黏著劑組成物稱為加成反應型聚矽氧系黏著劑組成物。
加成反應型聚矽氧系黏著劑組成物,係含有主劑、及交聯劑。加成反應型聚矽氧系黏著劑組成物,係有僅以於低溫之一次硬化即可使用,不需要於高溫之2次硬化的優點。附帶一提,以往之過氧化物硬化型聚矽氧系黏著劑必需於如150℃以上之高溫下進行2次硬化。
因此,藉由使用加成反應型聚矽氧系黏著劑組成物,可於較低溫下製造黏著薄片,能源經濟性優良、且亦可使 用耐熱性較低之基材11來製造黏著薄片10。又,不會如過氧化物硬化型聚矽氧系黏著劑般於硬化時產生副產物,因此亦無臭氣及腐蝕等之問題。
加成反應型聚矽氧系黏著劑組成物,通常係由:由聚矽氧樹脂成分與聚矽氧橡膠成分之混合物所構成之主劑、及含有氫矽烷基(SiH基)之交聯劑、以及依需要所使用之硬化觸媒所構成。
聚矽氧樹脂成分,為將有機氯矽烷或有機烷氧基矽烷水解後,藉由進行脫水縮合反應所得之網狀構造的有機聚矽氧烷。
聚矽氧橡膠成分,為具有直鏈構造之二有機聚矽氧烷。
作為有機基,聚矽氧樹脂成分及聚矽氧橡膠成分均為甲基、乙基、丙基、丁基、苯基等。前述有機基係一部分經取代為如乙烯基、己烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、辛烯基、(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯基甲基、(甲基)丙烯醯基丙基、及環己烯基之不飽和基。較佳為具有工業上獲得容易之乙烯基的有機基。加成反應型聚矽氧系黏著劑組成物中,藉由不飽和基與氫矽烷基之加成反應,使交聯進行,形成網狀構造,而展現黏著性。
如乙烯基之不飽和基的數目,相對於有機基100個而言,通常為0.05個以上且3.0個以下、較佳為0.1個以上且2.5個以下。藉由使相對於有機基100個而言的不飽和基數目為0.05個以上,可防止與氫矽烷基之反應性降低 而難以硬化,可賦予適度的黏著力。藉由使相對於有機基100個而言的不飽和基數目為3.0個以下,防止黏著劑之交聯密度變高,黏著力及凝集力變大,對被黏著面造成不良影響。
如前述之有機聚矽氧烷,具體而言,係有信越化學工業公司製之KS-3703(相對於甲基100個而言,乙烯基數目為0.6個者)、東麗.道康寧公司製之BY23-753(相對於甲基100個而言,乙烯基數目為0.1個者)及BY24-162(相對於甲基100個而言,乙烯基數目為1.4個者)等。又,亦可使用東麗.道康寧公司製之SD4560PSA、SD4570PSA、SD4580PSA、SD4584PSA、SD4585PSA、SD4587L、及SD4592PSA等。
如前所述,聚矽氧樹脂成分之有機聚矽氧烷,通常係與聚矽氧橡膠成分混合來使用,聚矽氧橡膠成分可列舉信越化學工業公司製之KS-3800(相對於甲基100個而言,乙烯基數目為7.6個者)、東麗.道康寧公司製之BY24-162(相對於甲基100個而言,乙烯基數目為1.4個者)、BY24-843(不具有不飽和基)及SD-7292(相對於甲基100個而言,乙烯基數目為5.0個者)等。
如前述之加成反應型聚矽氧的具體例子,例如記載於日本特開平10-219229號公報。
相對於聚矽氧樹脂成分及聚矽氧橡膠成分之如乙烯基般的不飽和基1個而言,通常係以鍵結於矽原子之氫原子成為0.5個以上且10個以下、較佳成為1個以上且2.5個 以下的方式摻合交聯劑。藉由成為0.5個以上,會防止如乙烯基般的不飽和基與氫矽烷基之反應未完全進行而變得硬化不良。藉由成為10個以下,會防止交聯劑未反應而殘存,對被黏著面造成不良影響。
加成反應型聚矽氧系黏著劑組成物,亦佳為伴隨著前述加成反應型聚矽氧成分(由聚矽氧樹脂成分與聚矽氧橡膠成分所構成之主劑)、及交聯劑,一併含有硬化觸媒。
該硬化觸媒係用以促進聚矽氧樹脂成分及聚矽氧橡膠成分中之不飽和基與交聯劑中之Si-H基的氫矽烷化反應。
硬化觸媒可列舉鉑系之觸媒,亦即氯化鉑酸、氯化鉑酸之醇溶液、氯化鉑酸與醇溶液之反應物、氯化鉑酸與烯烴化合物之反應物、氯化鉑酸與含乙烯基之矽氧烷化合物之反應物、鉑-烯烴錯合物、鉑-含乙烯基之矽氧烷錯合物、及鉑-磷錯合物等。如前述之硬化觸媒的具體例子,例如記載於日本特開2006-28311號公報及日本特開平10-147758號公報。
更具體而言,作為市售品,可列舉東麗.道康寧公司製之SRX-212、及信越化學工業公司製之PL-50T等。
硬化觸媒之摻合量,以鉑成分計,相對於聚矽氧樹脂成分與聚矽氧橡膠成分之合計量而言,通常為5質量ppm以上且2000質量ppm以下、較佳為10質量ppm以上且500質量ppm以下。藉由成為5質量ppm以上,防止硬化性降低而使交聯密度降低,亦即黏著力及凝集力(保持力) 降低,藉由成為2000質量ppm以下,可防止成本增加,並且保持黏著劑層之安定性,且防止過剩地使用之硬化觸媒對被黏著面造成不良影響。
加成反應型聚矽氧系黏著劑組成物中,藉由摻合前述各成分,即使於常溫亦會展現黏著力,但由黏著力之安定性觀點而言,較佳為將加成反應型聚矽氧系黏著劑組成物塗佈於基材11或後述之剝離薄片,貼合基材11與剝離薄片後,加熱或照射活性能量線,促進以交聯劑進行聚矽氧樹脂成分與聚矽氧橡膠成分進行交聯反應。
以加熱促進交聯反應時的加熱溫度,通常為60℃以上且140℃以下、較佳為80℃以上且130℃以下。藉由於60℃以上加熱,防止聚矽氧樹脂成分與聚矽氧橡膠成分之交聯不足,黏著力變得不充分,藉由於140℃以下加熱,可防止於基材薄片產生熱收縮皺痕、劣化、或變色。
照射活性能量線來促進交聯反應時,於電磁波或荷電粒子束當中,可利用具有能量量子之活性能量線,亦即紫外線等之活性光或電子束等。照射電子束進行交聯時,不需要光聚合起始劑,但照射紫外線等之活性光進行交聯時,較佳為使光聚合起始劑存在。
作為照射紫外線時之光聚合起始劑,並無特殊限制,可由以往紫外線硬化型樹脂所慣用的光聚合起始劑當中,適當選擇任意之光聚合起始劑使用。該光聚合起始劑,可列舉例如苯偶姻類、二苯甲酮類、苯乙酮類、α-羥基酮類、α-胺基酮類、α-二酮類、α-二酮二烷基縮醛類、蒽 醌類、噻噸酮類、其他化合物等。
此等光聚合起始劑可單獨使用、亦可組合二種以上使用。又,其使用量,相對於作為主劑使用之前述加成反應型聚矽氧成分與交聯劑的合計量100質量份而言,通常為於0.01質量份以上且30質量份以下、較佳為於0.05質量份以上且20質量份以下之範圍選定。
藉由加熱或照射活性能量線進行交聯,可得到具有安定之黏著力的黏著薄片。
照射活性能量線之一的電子束來進行交聯時之電子束的加速電壓,一般而言為130kV以上且300kV以下、較佳為150kV以上且250kV以下。藉由以130kV以上之加速電壓進行照射,可防止聚矽氧樹脂成分與聚矽氧橡膠成分之交聯不足,黏著力變得不充分,藉由以300kV以下之加速電壓進行照射,可防止黏著劑層及基材薄片劣化或變色。束電流的較佳範圍為1mA以上且100mA以下。
所照射之電子束的輻射劑量較佳為1Mrad以上且70Mrad以下、更佳為2Mrad以上且20Mrad以下。藉由以1Mrad以上之輻射劑量照射,可防止黏著劑層及基材薄片劣化或變色、防止交聯不足造成黏著性變得不充分。藉由以70Mrad以下之輻射劑量照射,可防止黏著劑層劣化或變色所致之凝集力降低、防止基材薄片劣化或收縮。
紫外線照射時的照射量係適當選擇,光量為100mJ/cm2以上且500mJ/cm2以下、照度為10mW/cm2以上且500mW/cm2以下。
加熱及活性能量線之照射,為了防止氧阻礙反應,較佳為於氮環境下進行。
黏著劑層12之厚度,係依黏著薄片10之用途而適當決定。本實施形態中,黏著劑層12之厚度,較佳為5μm以上且60μm以下、更佳為10μm以上且50μm以下。黏著劑層12之厚度太薄時,黏著劑層12無法追隨於半導體晶片之電路面的凹凸,有產生間隙之虞。例如層間絕緣材及密封樹脂等進入該間隙,有晶片電路面之配線連接用之電極墊被阻塞之虞。黏著劑層12之厚度若為5μm以上,則黏著劑層12容易追隨晶片電路面之凹凸,可防止間隙產生。又,黏著劑層12之厚度太厚時,係有半導體晶片沈入黏著劑層中,產生半導體晶片部分與密封半導體晶片的樹脂部分之階差之虞。若產生如此之階差時,再配線時係有配線斷線之虞。黏著劑層12之厚度若為60μm以下,則不易產生階差。
本實施形態中,黏著劑組成物中,於不損及本發明之效果的範圍,亦可含有其他成分。黏著劑組成物中可含有的其他成分,可列舉例如有機溶劑、難燃劑、增黏劑、紫外線吸收劑、光安定劑、抗氧化劑、抗靜電劑、防腐劑、防黴劑、可塑劑、消泡劑、著色劑、填料、及濕潤性調整劑等。
加成反應型聚矽氧系黏著劑組成物中,亦可含有如聚二甲基矽氧烷及聚甲基苯基矽氧烷之非反應性聚有機矽氧烷作為添加劑。
(寡聚物密封層)
寡聚物密封層13,為用以防止於黏著劑層12滲入低分子量成分(寡聚物)之層。黏著薄片10曝露於高溫條件時,可認為基材11中所含有的寡聚物,藉由加熱而析出於基材11表面,於未設置寡聚物密封層13的情況時,會滲入黏著劑層12,進而通過黏著劑層12,到達黏著劑層12之表面。寡聚物密封層13,較佳即使於180℃以上且200℃以下之高溫條件下,亦會防止寡聚物對黏著劑層12之滲入。
寡聚物密封層13之材質,只要可防止寡聚物滲入黏著劑層12,則無特殊限定。
例如,寡聚物密封層13,較佳為使含有(A)環氧化合物、(B)聚酯化合物、與(C)多官能胺基化合物之寡聚物密封層用組成物硬化而得的硬化被膜。為了促進硬化反應,寡聚物密封層用組成物亦可進一步含有(D)酸性觸媒。
.(A)環氧化合物
(A)環氧化合物較佳為雙酚A型環氧化合物。作為雙酚A型環氧化合物,可列舉雙酚A二縮水甘油醚等。雙酚A型環氧化合物之重量平均分子量(Mw),較佳為1×104以上且5×104以下。雙酚A型環氧化合物之重量平均分子量(Mw)若為1×104以上,可得到作為膜所必要的交聯密度,容易防止寡聚物之析出。重量平均分子量(Mw)若為5×104以下,可防止被膜變得過硬。重量平均分子量 Mw,為藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測定之標準聚苯乙烯換算值。
.(B)聚酯化合物
(B)聚酯化合物並無特殊限定,可由公知之聚酯化合物當中適當選擇來使用。作為聚酯化合物,具體而言,係藉由多元醇與多元酸之縮合反應而得到之樹脂,可列舉二元酸與二元醇之縮合物或經不乾性油脂肪酸等改質之化合物即不轉化性聚酯化合物、及二元酸與主元以上之醇的縮合物即轉化性聚酯化合物等。本實施形態中,此等聚酯化合物均可使用。
作為(B)聚酯化合物之原料所使用的多元醇,可列舉二元醇、三元醇、及四元以上之多元醇。
二元醇可列舉例如乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、三亞甲二醇、四亞甲二醇、及新戊二醇。
三元醇可列舉例如甘油、三羥甲基乙烷、及三羥甲基丙烷。
四元以上之多元醇,可列舉例如二甘油、三甘油、季戊四醇、二季戊四醇、甘露醇、及山梨醇。
多元醇可1種單獨使用、亦可組合2種以上使用。
多元酸可列舉例如芳香族多元酸、脂肪族飽和多元酸、脂肪族不飽和多元酸、及以狄耳士-阿德爾反應(Diels-Alder reaction)所成之多元酸。
芳香族多元酸可列舉例如鄰苯二甲酸酐、對苯二甲 酸、間苯二甲酸、及偏苯三甲酸酐。
脂肪族飽和多元酸可列舉例如琥珀酸、己二酸、及癸二酸。
脂肪族不飽和多元酸可列舉例如馬來酸、馬來酸酐、富馬酸、依康酸、及檸康酸酐。
以狄耳士-阿德爾反應所成之多元酸,可列舉例如環戊二烯-馬來酸酐加成物、萜烯-馬來酸酐加成物、及松香-馬來酸酐加成物。
多元酸可1種單獨使用、亦可組合2種以上使用。
改質劑之不乾性油脂肪酸等,可列舉例如辛酸、月桂酸、棕櫚酸、硬脂酸、油酸、亞麻油酸、次亞麻油酸、油硬脂酸、蓖麻油酸、脫水蓖麻油酸、或椰子油、亞麻仁油、桐油、蓖麻油、脫水蓖麻油、大豆油、紅花子油、及此等之脂肪酸等。此等改質劑可1種單獨使用、亦可組合2種以上使用。又,作為聚酯化合物,亦可1種單獨使用、亦可組合2種以上使用。
(B)聚酯化合物,較佳為具有作為交聯反應之基點的活性氫基。活性氫基可列舉例如羥基、羧基、及胺基。聚酯化合物特佳為具有羥基。聚酯化合物之羥基價,較佳為5mgKOH/g以上且500mgKOH/g以下、更佳為10mgKOH/g以上且300mgKOH/g以下。
(B)聚酯化合物之數平均分子量(Mn),較佳為500以上且10000以下、更佳為1000以上且5000以下。前述數平均分子量,係藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測定之標準 聚苯乙烯換算值。
(B)聚酯化合物之玻璃轉移溫度Tg,較佳為0℃以上且50℃以下。
藉由使用具有前述範圍之數平均分子量(Mn)及玻璃轉移溫度Tg的聚酯化合物,可對形成寡聚物密封層13之硬化被膜賦予適度的柔軟性。玻璃轉移溫度Tg,係根據JIS K 7121,使用輸入補償示差掃描熱量測定裝置,於-80℃至250℃之溫度範圍測定外插玻璃轉移開始溫度,求得玻璃轉移溫度Tg。
.(C)多官能胺基化合物
(C)多官能胺基化合物,例如可使用三聚氰胺化合物、尿素化合物、苯并胍胺化合物、及二胺類。
三聚氰胺化合物,可列舉例如六甲氧基甲基三聚氰胺、甲基化三聚氰胺化合物、及丁基化三聚氰胺化合物。
尿素化合物,可列舉例如甲基化尿素化合物、及丁基化尿素化合物。
苯并胍胺化合物,可列舉例如甲基化苯并胍胺化合物、及丁基化苯并胍胺化合物。
二胺類,可列舉例如乙二胺、四亞甲二胺、六亞甲二胺、N,N’-二苯基乙二胺、及p-二甲苯二胺。
由硬化性之觀點,作為(C)多官能胺基化合物,較佳為六甲氧基甲基三聚氰胺。
.(D)酸性觸媒
酸性觸媒(D)可列舉例如鹽酸、及p-甲苯磺酸。
.硬化被膜
本實施形態中,寡聚物密封層13,較佳為使以(A)50質量%以上且80質量%以下、(B)5質量%以上且30質量%以下、及(C)10質量%以上且40質量%以下之摻合率分別含有(A)雙酚A型環氧化合物、(B)聚酯化合物、及(C)多官能胺基化合物之寡聚物密封層用組成物硬化而得的硬化被膜。於寡聚物密封層用組成物中摻合(D)酸性觸媒時,(D)成分之含量較佳為1質量%以上且5質量%以下。
若依照使前述範圍之摻合率的寡聚物密封層用組成物硬化而得的硬化被膜,可提高寡聚物密封層13所致之防止寡聚物對黏著劑層12之滲入的效果。
.寡聚物密封層之膜厚
寡聚物密封層13之厚度,較佳為50nm以上且500nm以下、更佳為80nm以上且300nm以下。寡聚物密封層13之厚度若為50nm以上,可有效地防止寡聚物對黏著劑層12之滲入。寡聚物密封層13之厚度若為500nm以下,則將黏著薄片10捲繞於芯材成為滾筒狀時容易捲繞。芯材之材質可列舉例如紙製、塑膠製、及金屬製。
本實施形態之黏著薄片10,較佳為加熱後顯示如下之黏著力。首先,將黏著薄片10貼附於被黏著體(銅箔或 聚醯亞胺薄膜),以100℃及30分鐘之條件加熱,接著以180℃及30分鐘之條件加熱,進一步以190℃及1小時之條件加熱後,於室溫下黏著劑層12對銅箔之黏著力、及於室溫下黏著劑層12對聚醯亞胺薄膜之黏著力,較佳分別為0.7N/25mm以上且2.0N/25mm以下。進行如此之加熱後的黏著力若為0.7N/25mm以上,則因加熱而使基材或被黏著體變形時,可防止黏著薄片10由被黏著體剝離。又,加熱後之黏著力若為2.0N/25mm以下,則剝離力不會變得過高,容易將黏著薄片10由被黏著體剝離。再者,本說明書中,室溫係指22℃以上且24℃以下之溫度。本說明書中,黏著力為藉由180°剝離法,以拉伸速度300mm/分鐘、黏著薄片之寬25mm所測定之值。
(黏著薄片之製造方法)
黏著薄片10之製造方法並無特殊限定。
例如,黏著薄片10,係經如下之步驟製造。
首先,於基材11之第一基材面11a上塗佈寡聚物密封層用組成物,形成塗膜。接著,將該塗膜加熱及硬化,形成作為寡聚物密封層13之硬化被膜。加熱硬化之條件,例如為於120℃以上且170℃以下、5秒以上且5分鐘以內。
接著,於寡聚物密封層13上塗佈黏著劑組成物,形成塗膜。接著,將該塗膜乾燥,形成黏著劑層12。
塗佈寡聚物密封層用組成物形成寡聚物密封層13的 情況時、及塗佈黏著劑組成物形成黏著劑層12的情況時,較佳將寡聚物密封層用組成物及黏著劑組成物以有機溶劑稀釋,配製塗佈液來使用。
塗佈液之配製所使用的有機溶劑,並無特殊限定。有機溶劑可列舉例如芳香族系溶劑、脂肪族系溶劑、酯系溶劑、酮系溶劑、及醇系溶劑。芳香族系溶劑可列舉例如苯、甲苯、及二甲苯。脂肪族系溶劑可列舉例如正己烷、及正庚烷。酯系溶劑可列舉例如乙酸乙酯、及乙酸丁酯。酮系溶劑可列舉例如甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、及環戊酮。醇系溶劑可列舉例如異丙醇、及甲醇。
塗佈方法可列舉例如旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗佈法、刀式塗佈法、輥刀式塗佈法、輥塗佈法、刮刀塗佈法、模具塗佈法、及凹版塗佈法等。
為了防止有機溶劑及低沸點成分殘留於寡聚物密封層13、及黏著劑層12,將塗佈液塗佈於基材11後,較佳將塗膜加熱乾燥。
於黏著劑組成物中摻合交聯劑時,為了使交聯反應進行而提高凝集力,亦以將塗膜加熱為佳。
(黏著薄片之使用)
黏著薄片10,係於密封半導體元件時使用。黏著薄片10,較佳為於密封未搭載於金屬製引線框架,而貼著於黏著薄片10上之狀態的半導體元件時使用。具體而言,黏著薄片10,較佳並非於密封搭載於金屬製引線框 架之半導體元件時使用,而是密封貼著於黏著劑層12之狀態的半導體元件時使用。不使用金屬製引線框架來封裝半導體元件之形態,可列舉面板規模封裝(Panel Scale Package;PSP)及晶圓等級封裝(Wafer Level Package;WLP)。
黏著薄片10,較佳為於具有下述步驟的製程中使用:將形成有複數個開口部之框構件貼著於黏著薄片10之步驟、將半導體晶片貼著於露出於前述框構件之開口部的黏著劑層12之步驟、將前述半導體晶片以密封樹脂被覆之步驟、與使前述密封樹脂熱硬化之步驟。
(半導體裝置之製造方法)
說明使用本實施形態之黏著薄片10製造半導體裝置的方法。
圖2A~圖2E,係顯示說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的概略圖。
本實施形態之半導體裝置之製造方法,係實施:將形成有複數個開口部21之框構件20貼著於黏著薄片10之步驟(黏著薄片貼著步驟)、將半導體晶片CP貼著於露出於框構件20之開口部21的黏著劑層12之步驟(接合步驟)、將半導體晶片CP以密封樹脂30被覆之步驟(密封步驟)、使密封樹脂30熱硬化之步驟(熱硬化步驟)、與熱硬化後剝離黏著薄片10之步驟(剝離步驟)。亦可依需要,於熱硬化步驟之後,實施將補強構件40貼著於經密封樹 脂30密封之密封體50的步驟(補強構件貼著步驟)。以下說明各步驟。
.黏著薄片貼著步驟
圖2A係顯示說明於黏著薄片10之黏著劑層12貼著框構件20之步驟的概略圖。
本實施形態之框構件20係形成為格子狀,具有複數個開口部21。框構件20較佳為以具有耐熱性之材質形成。框構件20之材質可列舉例如銅及不鏽鋼等之金屬、以及聚醯亞胺樹脂及玻璃環氧樹脂等之耐熱性樹脂等。
開口部21為貫通框構件20之表背面的孔。開口部21之形狀,只要係可將半導體晶片CP容納於框內,則無特殊限定。開口部21之孔的深度,亦只要可容納半導體晶片CP,則無特殊限定。
.接合步驟
圖2B係顯示說明將半導體晶片CP貼著於黏著劑層12之步驟的概略圖。
將黏著薄片10貼著於框構件20時,於各自之開口部21,依照開口部21之形狀,係露出黏著劑層12。於各開口部21之黏著劑層12上貼著半導體晶片CP。將半導體晶片CP以將其電路面以黏著劑層12被覆的方式貼著。
半導體晶片CP之製造,例如,係藉由實施將形成有電路之半導體晶圓的背面予以研削之背面研磨步驟、及將 半導體晶圓單片化之切割步驟而製造。切割步驟中,藉由將半導體晶圓貼著於切割片之接著劑層,使用切割機(dicing saw)等之切斷手段將半導體晶圓單片化,而得到半導體晶片CP(半導體元件)。
切割裝置並無特殊限定,可使用公知之切割裝置。又,關於切割條件亦無特殊限定。再者,亦可使用雷射切割法或隱形切割(stealth dicing)法等來取代使用切割刀切割之方法。
切割步驟之後,亦可實施延伸切割片,擴張複數個半導體晶片CP間之間隔的擴展步驟。藉由實施擴展步驟,可使用筒夾等之搬送手段拾取半導體晶片CP。又,藉由實施擴展步驟,切割片之接著劑層的接著力減少,變得容易拾取半導體晶片CP。
於切割片之接著劑組成物、或接著劑層中摻合能量線聚合性化合物時,係由切割片之基材側對接著劑層照射能量線,使能量線聚合性化合物硬化。使能量線聚合性化合物硬化時,提高接著劑層之凝集力,可降低接著劑層之接著力。能量線可列舉例如紫外線(UV)及電子束(EB)等,較佳為紫外線。能量線之照射,可於半導體晶圓之貼附後、半導體晶片之剝離(拾取)前的任意階段進行。例如,可於切割之前或後照射能量線、亦可於擴展步驟之後照射能量線。
.密封步驟及熱硬化步驟
圖2C係顯示說明密封貼著於黏著薄片10之半導體晶片CP及框構件20的步驟之概略圖。
密封樹脂30之材質為熱硬化性樹脂,可列舉例如環氧樹脂等。作為密封樹脂30使用之環氧樹脂,例如可包含酚樹脂、彈性體、無機填充材、及硬化促進劑等。
以密封樹脂30被覆半導體晶片CP及框構件20之方法,並無特殊限定。
本實施形態中,係舉使用薄片狀之密封樹脂30的態樣為例來說明。將薄片狀之密封樹脂30以被覆半導體晶片CP及框構件20的方式進行載置,將密封樹脂30加熱硬化,形成密封樹脂層30A。如此地,半導體晶片CP及框構件20係被埋入密封樹脂層30A。使用薄片狀之密封樹脂30時,較佳為藉由真空層合法來密封半導體晶片CP及框構件20。藉由該真空層合法,可防止於半導體晶片CP與框構件20之間產生空隙。以真空層合法進行之加熱的溫度條件範圍,例如為80℃以上且120℃以下。
密封步驟中,亦可使用薄片狀之密封樹脂30被支撐於聚對苯二甲酸乙二酯等之樹脂薄片而得的層合薄片。此時,亦可以被覆半導體晶片CP及框構件20的方式載置層合薄片後,將樹脂薄片由密封樹脂30剝離,使密封樹脂30加熱硬化。如此之層合薄片,可列舉例如ABF薄膜(味之素Fine-Techno股份有限公司製)。
將半導體晶片CP及框構件20密封之方法,亦可採用轉注成形法。此時,例如於密封裝置之模具內部,容納貼 著於黏著薄片10之半導體晶片CP及框構件20。於該模具內部注入流動性之樹脂材料,使樹脂材料硬化。轉注成形法時,加熱及壓力之條件並無特殊限定。轉注成形法之通常的條件之一例,係維持150℃以上之溫度、與4MPa以上且15MPa以下之壓力30秒以上且300秒以下。之後,解除加壓,由密封裝置取出硬化物,靜置於烘箱內,維持150℃以上之溫度2小時以上且15小時以下。如此地,密封半導體晶片CP及框構件20。
於前述之密封步驟中使用薄片狀之密封樹脂30時,亦可於使密封樹脂30熱硬化之步驟(熱硬化步驟)之前,實施第一加熱壓製步驟。於第一加熱壓製步驟中,係將經密封樹脂30被覆之半導體晶片CP及附框構件20之黏著薄片10自兩面以板狀構件夾入,於特定溫度、時間、及壓力之條件下壓製。藉由實施第一加熱壓製步驟,亦容易於半導體晶片CP與框構件20之空隙填充密封樹脂30。又,藉由實施加熱壓製步驟,亦可將以密封樹脂30所構成的密封樹脂層30A之凹凸予以平坦化。
熱硬化步驟之後,剝離黏著薄片10時,可得到經密封樹脂30密封之半導體晶片CP及框構件20。以下,有將其稱為密封體50者。
.補強構件貼著步驟
圖2D係顯示說明於密封體50貼著補強構件40之步驟的概略圖。
剝離黏著薄片10後,實施對所露出之半導體晶片CP之電路面形成再配線層的再配線步驟及凸塊固定步驟。為了提高如此之再配線步驟及凸塊固定步驟中的密封體50之操作性,亦可依需要,實施於密封體50貼著補強構件40之步驟(補強構件貼著步驟)。實施補強構件貼著步驟時,較佳為於剝離黏著薄片10之前實施。如圖2D所示,密封體50係以被黏著薄片10及補強構件40夾在中間的狀態被支撐。
本實施形態中,補強構件40具備耐熱性之補強板41、與耐熱性之接著層42。補強板41可列舉例如含有玻璃環氧樹脂等之耐熱性樹脂的板狀構件。接著層42,係使補強板41與密封體50接著。作為接著層42,係依補強板41及密封樹脂層30A之材質適當選擇。
補強構件貼著步驟中,較佳為實施於密封體50之密封樹脂層30A與補強板41之間夾入接著層42,進一步由補強板41側及黏著薄片10側分別以板狀構件夾入,於特定之溫度、時間、及壓力的條件下壓製的第二加熱壓製步驟。藉由第二加熱壓製步驟,將密封體50與補強構件40臨時固定。於第二加熱壓製步驟之後,為了使接著層42硬化,較佳為將經臨時固定之密封體50與補強構件40於特定之溫度及時間的條件下加熱。加熱硬化之條件,係依接著層42之材質而適當設定,例如為185℃、80分鐘、及2.4MPa之條件。於第二加熱壓製步驟中,例如亦可使用不鏽鋼等之金屬板作為作為板狀構件。
.剝離步驟
圖2E係顯示說明剝離黏著薄片10之步驟的概略圖。
本實施形態中,黏著薄片10之基材11可彎曲時,可一邊將黏著薄片10彎曲,一邊由框構件20、半導體晶片CP及密封樹脂層30A容易地剝離。剝離角度θ並無特殊限定,較佳為以90度以上之剝離角度θ來剝離黏著薄片10。剝離角度θ若為90度以上,則可將黏著薄片10由框構件20、半導體晶片CP及密封樹脂層30A容易地剝離。剝離角度θ較佳為90度以上且180度以下、更佳為135度以上且180度以下。藉由如此地一邊使黏著薄片10彎曲一邊進行剝離,可在減低對框構件20、半導體晶片CP及密封樹脂層30A所造成之負荷的同時進行剝離,可抑制黏著薄片10之剝離所致的半導體晶片CP及密封樹脂層30A之損傷。剝離黏著薄片10後,實施前述之再配線步驟及凸塊固定步驟等。於黏著薄片10剝離後,實施再配線步驟及凸塊固定步驟等之前,亦可依需要實施前述之補強構件貼著步驟。
貼著補強構件40時,係於實施再配線步驟及凸塊固定步驟等後,於不需以補強構件40支撐的階段,將補強構件40由密封體50剝離。
之後,將密封體50以半導體晶片CP單位進行單片化(單片化步驟)。將密封體50單片化之方法並無特殊限定。例如,可藉由與切割前述半導體晶圓時所使用之方法相同的方法進行單片化。將密封體50單片化之步驟,可 於將密封體50貼著於切割片等之狀態下實施。藉由將密封體50單片化,製造半導體晶片CP單位之半導體封裝,該半導體封裝,係於構裝步驟中構裝於印刷配線基板等。
依照本實施形態,可提供即使經過施以高溫條件之步驟後,亦可防止被黏著體之表面污染的黏著薄片10。
黏著劑層12所接觸之被黏著體,例如為半導體晶片CP及框構件20。半導體晶片CP及框構件20,係於接觸於黏著劑層12之狀態下曝露於高溫條件。黏著薄片10,因為於基材11與黏著劑層12之間含有寡聚物密封層13,故即使黏著薄片10曝露於高溫條件,亦會防止基材11中之寡聚物對黏著劑層12的滲入。因此,依照黏著薄片10,可防止半導體晶片CP及框構件20之表面污染。
[第二實施形態]
第二實施形態,於在黏著薄片之基材兩面具有寡聚物密封層之點,與第一實施形態相異。第二實施形態,於其他點與第一實施形態相同,因此將說明省略或簡化。
圖3顯示第二實施形態之黏著薄片10A之截面概略圖。
黏著薄片10A,具有基材11、黏著劑層12、寡聚物密封層13(第一寡聚物密封層)及寡聚物密封層14(第二寡聚物密封層)。
黏著薄片10A,於基材11之兩面(第一基材面11a及第二基材面11b)分別具有寡聚物密封層13、14。於黏著 薄片10A中,於第一基材面11a上層合有寡聚物密封層13、於第二基材面11b上層合有寡聚物密封層14。較佳為第一基材面11a係經寡聚物密封層13被覆、第二基材面11b係經寡聚物密封層14被覆。與第一實施形態同樣地,於基材11與黏著劑層12之間設置有寡聚物密封層13。黏著薄片10A之形狀,亦可採取薄片狀、帶狀、標籤狀等任意形狀。
寡聚物密封層13(第一寡聚物密封層),係與第一實施形態相同。
寡聚物密封層14(第二寡聚物密封層),係加熱而用以防止於基材11之第二基材面11b析出的寡聚物附著於其他構件而造成污染之層。寡聚物密封層14,較佳為以與寡聚物密封層13相同之材質形成。
寡聚物密封層14之厚度,並無特殊限定,較佳為與第一實施形態中說明之寡聚物密封層13為相同範圍之厚度。寡聚物密封層之厚度越增加,寡聚物密封之效果越提高,但例如由黏著薄片之生產性及成本的觀點而言,寡聚物密封層13及寡聚物密封層14之厚度,可為100nm以上且200nm以下、亦可為150nm左右。
黏著薄片10A之製造方法亦無特殊限定。
例如,黏著薄片10A,係經如下之步驟製造。首先,於基材11之第一基材面11a上塗佈寡聚物密封層用組成物,形成塗膜。接著,將該塗膜加熱及硬化,形成寡聚物密封層13。接著,於基材11之第二基材面11b上塗佈寡 聚物密封層用組成物,形成塗膜。接著,將該塗膜加熱及硬化,形成寡聚物密封層14。接著,於寡聚物密封層13上塗佈黏著劑組成物,形成塗膜。接著,將該塗膜乾燥,形成黏著劑層12。
黏著薄片10A,亦可應用與第一實施形態之黏著薄片10相同之使用方法,與黏著薄片10同樣地可於半導體裝置之製造方法中使用。
依照黏著薄片10A,與黏著薄片10同樣地,即使經過施以高溫條件之步驟後,亦可防止被黏著體之表面污染。
進一步地,依照黏著薄片10A,於第二基材面11b亦形成寡聚物密封層14,因此可防止於第二基材面11b析出之寡聚物附著於被黏著體以外之構件及裝置而造成污染。例如,於半導體裝置之製造方法中,可防止於加熱壓製步驟中與黏著薄片10A接觸之板狀構件之污染。
[實施形態之變化]
本發明不限定於前述實施形態,於可達成本發明之目的之範圍的變化及改良等,係包含於本發明中。再者,以下說明中,若與前述實施形態說明之構件等相同,則賦予同一符號而省略或簡化其說明。
又,黏著薄片可為單枚、亦能夠以層合有複數枚黏著薄片之狀態提供。此時,例如黏著劑層亦可經所層合之別的黏著薄片之基材所被覆。
又,黏著薄片可為長形狀之薄片、亦能夠以捲繞為滾筒狀之狀態提供。捲繞為滾筒狀之黏著薄片,能夠由滾筒繞出並切斷為所期望之尺寸等來使用。
黏著薄片之黏著劑層,亦可經剝離薄片被覆。剝離薄片並無特殊限定。例如,由操作容易性之觀點而言,剝離薄片較佳為具備剝離基材、與於剝離基材上塗佈剝離劑所形成之剝離劑層。又,剝離薄片可僅於剝離基材之單面具備剝離劑層、亦可於剝離基材之兩面具備剝離劑層。剝離基材,可列舉例如紙基材、於該紙基材層合聚乙烯等之熱可塑性樹脂的層合紙、以及塑膠薄膜等。紙基材可列舉玻璃紙、塗層紙、及玻璃粉紙等。塑膠薄膜可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、及聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯薄膜;以及聚丙烯及聚乙烯等之聚烯烴薄膜等。剝離劑可列舉例如烯烴系樹脂、橡膠系彈性體(例如丁二烯系樹脂、異戊二烯系樹脂等)、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂、及聚矽氧系樹脂。
剝離薄片之厚度並無特殊限定。剝離薄片之厚度通常為20μm以上且200μm以下、較佳為25μm以上且150μm以下。
剝離劑層之厚度並無特殊限定。塗佈含剝離劑之溶液而形成剝離劑層的情況時,剝離劑層之厚度較佳為0.01μm以上且2.0μm以下、更佳為0.03μm以上且1.0μm以下。
使用塑膠薄膜作為剝離基材時,該塑膠薄膜之厚度較 佳為3μm以上且50μm以下、更佳為5μm以上且40μm以下。
具有剝離薄片之黏著薄片,例如,係經如下之步驟製造。首先,於剝離薄片上塗佈黏著劑組成物,形成塗膜。接著,使塗膜乾燥,形成黏著劑層12。又,如前述實施形態所說明般,於基材11之第一基材面11a預先形成寡聚物密封層13。將剝離薄片上之黏著劑層12、與基材11上之寡聚物密封層13貼合。具有寡聚物密封層14之態樣的情況時,係於基材11之兩面形成寡聚物密封層13、14後,將黏著劑層12、與寡聚物密封層13貼合。
前述實施形態中,作為密封樹脂30之材質,雖以熱硬化性樹脂的情況為例來說明,但本發明不限定於如此之態樣。例如,密封樹脂30亦可為以紫外線等之能量線硬化之能量線硬化性樹脂。
前述實施形態中,半導體裝置之製造方法的說明中,係以將框構件20貼著於黏著薄片10之態樣為例來說明,但本發明不限定於如此之態樣。黏著薄片10,亦可不使用框構件,而於密封半導體元件之半導體裝置之製造方法中使用。
[實施例]
以下,列舉實施例以進一步詳細說明本發明。本發明不受此等實施例之任何限定。
[評估方法]
黏著薄片之評估,係遵照以下所示方法進行。
[殘渣物之確認]
於黏著薄片之黏著劑層上貼著半導體晶片,得到附有半導體晶片之黏著薄片。
將該附有半導體晶片之黏著薄片,於190℃及1小時之條件加熱。加熱後,剝離黏著薄片。以數位顯微鏡((股)KEYENCE製、DIGITAL MICROSCOPE;VHX-1000)觀察剝離後之半導體晶片的被黏著面,確認殘渣之有無。觀察倍率設為500倍。未確認到殘渣物時判定為「A」、確認到殘渣物時判定為「B」。
再者,殘渣物是否為來自基材之寡聚物的確認,係藉由如下所示方法進行。使用拉曼分光分析法測定殘渣物之光譜,由光譜與黏著薄片之基材的特徴一致,來確認殘渣物為來自基材之寡聚物。
[黏著薄片之製作] (實施例1) (1)塗佈用寡聚物密封劑液之配製
摻合下述(A)雙酚A型環氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能胺基化合物及(D)酸性觸媒,充分攪拌,配製實施例1之塗佈用寡聚物密封劑液(寡聚物密封層用組成物)。
(A)雙酚A型環氧化合物
DIC公司製「EPICLON H-360」(商品名)、固體成分濃度:40質量%、重量平均分子量:25000
(B)聚酯化合物
東洋紡績公司製「Vylon GK680」(商品名)、數平均分子量:6000、玻璃轉移溫度:10℃
(C)多官能胺基化合物
六甲氧基甲基三聚氰胺、日本Cytec Industries公司製「Cymel 303」(商品名)
(D)酸性觸媒
p-甲苯磺酸之甲醇溶液(固體成分濃度50質量%)
具體而言,對上述(A)雙酚A型環氧化合物100質量份,添加上述(B)聚酯化合物之甲苯稀釋溶液(固體成分濃度:30%)14.29質量份、及上述(C)六甲氧基甲基三聚氰胺11.4質量份,進一步以甲苯/甲基乙基酮=50質量%/50質量%之混合溶劑稀釋至固體成分成為3質量%,並且攪拌。對攪拌後之溶液添加(D)p-甲苯磺酸之甲醇溶液(固體成分濃度50質量%)2.9質量份(相對於(A)雙酚A型環氧化合物100質量份而言),得到塗佈用寡聚物密封劑液。
(2)寡聚物密封層之製作
將所配製之塗佈用寡聚物密封劑液,於二軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(三菱樹脂公司製「Diafoil T-100」(商品名)、厚度50μm、於100℃之儲存模數3.2×109Pa)的一面上,以乾燥後之厚度成為150nm的方式以計量線棒(Meyer bar)塗佈法均勻地進行塗佈。使塗佈後之薄膜通過烘箱內部,將塗膜加熱硬化,得到寡聚物密封層。烘箱中之熱風的吹出條件,係溫度150℃、風速8m/min,烘箱中之加工速度,係調整為塗佈後之薄膜以20秒通過烘箱內部。
(3)黏著劑組成物之製作
摻合以下之材料(聚合物、黏著助劑、交聯劑、及稀釋溶劑),充分攪拌,配製實施例1之塗佈用黏著劑液(黏著劑組成物)。
.聚合物:丙烯酸酯共聚物、40質量份(固體成分)
丙烯酸酯共聚物,係使丙烯酸2-乙基己酯92.8質量%、丙烯酸2-羥基乙酯7.0質量%、與丙烯酸0.2質量%共聚合而配製。
.黏著助劑:兩末端羥基氫化聚丁二烯[日本曹達(股)製;GI-1000]、5質量份(固體成分)
.交聯劑:具有六亞甲二異氰酸酯之脂肪族系異氰酸酯(六亞甲二異氰酸酯之三聚異氰酸酯型改質體)[日本Polyurethane工業(股)製;Coronate HX]、3.5質量份(固體成分)
.稀釋溶劑:使用甲基乙基酮,塗佈用黏著劑液之固體成分濃度,係配製為30質量%。
(4)黏著劑層之製作
將所配製之塗佈用黏著劑液,使用缺角輪塗佈器(Comma coater、註冊商標),以乾燥後之膜厚成為50μm的方式,塗佈於設置有聚矽氧系剝離層之38μm的透明聚對苯二甲酸乙二酯薄膜剝離薄膜[LINTEC(股)製;SP-PET382150]之剝離層面側,進行90℃及90秒之加熱,接著進行115℃及90秒之加熱,使塗膜乾燥。
(5)黏著薄片之製作
將於剝離薄膜之表面上所製作之黏著劑層、與於基材之表面上所製作之寡聚物密封層予以貼合,得到實施例1之黏著薄片。
(實施例2)
實施例2之黏著薄片,除了黏著劑層中所含有的聚合物與實施例1相異以外,係與實施例1相同地製作。
實施例2中所用之聚合物,係使丙烯酸2-乙基己酯80.8質量%、丙烯酸2-羥基乙酯7質量%、4-丙烯醯基嗎啉12質量%、與丙烯酸0.2質量%進行共聚合而配製。
(比較例1)
比較例1之黏著薄片,除了黏著劑層中所含有的黏著助劑與實施例1相異、基材相異、以及不具有寡聚物密封層以外,係與實施例1相同地製作。
比較例1中所用之黏著助劑,為乙醯基檸檬酸三丁酯[田岡化學工業(股)製]。再者,乙醯基檸檬酸三丁酯,不具有前述反應性基。
比較例1中所用之基材,為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜[三菱樹脂公司製;PET50T-100、厚度50μm、於100℃之儲存模數3.2×109Pa]。將於剝離薄膜之表面上所製作之黏著劑層、與基材予以貼合,得到比較例1之黏著薄片。
(比較例2)
比較例2之黏著薄片,除了黏著劑層中所含有的黏著助劑與比較例1相異以外,係與比較例1相同地製作。
比較例2中所用之黏著助劑,為兩末端羥基氫化聚丁二烯[日本曹達(股)製;GI-1000]。
(比較例3)
比較例3之黏著薄片,除了黏著劑層中所含有的黏著劑與實施例1相異、黏著劑層之厚度相異、基材相異、以及不具有寡聚物密封層以外,係與實施例1相同地製作。
比較例3中,係使用聚矽氧系黏著劑。
比較例3中,係摻合聚矽氧系黏著劑Ad1(SD4580PSA)18質量份 (固體成分)、聚矽氧系黏著劑Ad2(SD4587L)40質量份(固體成分)、觸媒Cat1(NC-25 CAT)0.3質量份(固體成分)、觸媒Cat2(CAT-SRX-212)0.65質量份(固體成分)、及底塗劑(BY24-712)5質量份(固體成分),充分攪拌,配製塗佈用黏著劑液(黏著劑組成物)。比較例3之黏著劑組成物所使用的材料,均為東麗.道康寧(股)製。
將比較例3之塗佈用黏著劑液,以乾燥後之厚度成為30μm的方式塗佈及乾燥於剝離薄膜之剝離層面側,製作黏著劑層。乾燥條件,為130℃及2分鐘。比較例3中所用之基材,係使用聚對苯二甲酸乙二酯薄膜[三菱樹脂公司製;Diafoil PET50 T-100、厚度50μm、於100℃之儲存模數3.2×109Pa]。將於剝離薄膜之表面上所製作之黏著劑層、與基材予以貼合,得到比較例3之黏著薄片。
表1顯示實施例1、實施例2、及比較例1~3之黏著薄片之評估結果。
比較例1~3之黏著薄片,於黏著劑層與基材之間不具有寡聚物密封層,因此可認為曝露於190℃之高溫條件下,於被黏著體(半導體晶片)表面析出殘渣物。
另一方面,實施例1及實施例2之黏著薄片,於黏著劑層與基材之間具有寡聚物密封層,因此即使曝露於190℃之高溫條件下,於被黏著體(半導體晶片)表面亦不會析出殘渣物。

Claims (10)

  1. 一種黏著薄片,其係密封黏著薄片上之半導體元件時所使用之黏著薄片,其具有含有聚酯系樹脂之基材、含有黏著劑之黏著劑層、與設置於前述基材與前述黏著劑層之間的寡聚物密封層。
  2. 如請求項1之黏著薄片,其中構成前述基材之材料全體的質量中,前述聚酯系樹脂所佔之質量的比例為50質量%以上。
  3. 如請求項2之黏著薄片,其中前述寡聚物密封層之厚度,為50nm以上且500nm以下。
  4. 如請求項1之黏著薄片,其中前述寡聚物密封層之厚度,為80nm以上且300nm以下。
  5. 如請求項1之黏著薄片,其中前述基材之於100℃之儲存模數為1×10 7Pa以上。
  6. 如請求項1之黏著薄片,其中前述黏著劑層,含有丙烯酸系黏著劑組成物或聚矽氧系黏著劑組成物。
  7. 如請求項6之黏著薄片,其中前述黏著劑層含有前述丙烯酸系黏著劑組成物,且前述丙烯酸系黏著劑組成物,含有以丙烯酸2-乙基己 酯為主要單體之丙烯酸系共聚物。
  8. 如請求項6之黏著薄片,其中前述黏著劑層含有前述聚矽氧系黏著劑組成物,且前述聚矽氧系黏著劑組成物,含有加成聚合型聚矽氧樹脂。
  9. 如請求項1之黏著薄片,其中於前述基材之兩面具有前述寡聚物密封層。
  10. 如請求項1至9中任一項之黏著薄片,其中前述黏著薄片,係於在180℃以上且200℃以下之溫度條件下密封半導體元件時所使用。
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