CN110628349A - 粘合片 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种粘合片(10)，其是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的，该粘合片(10)具有：基材(11)、包含粘合剂的粘合剂层(12)、以及设置于基材(11)和粘合剂层(12)之间的低聚物密封层(13)。
Description
本申请是申请日为2016年9月1日、申请号为201680030959.7、发明名称为“粘合片”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及粘合片。
背景技术
对于在半导体装置的制造工序中使用的粘合片要求各种特性。近年来，对于粘合片，要求即使经过施加高温条件的工序也不会污染制造工序中使用的装置、构件及被粘附物的性质。此外，还要求在高温条件的工序后、在室温下将粘合片剥离时粘合剂残留于被粘附物等这样的不良情况(所谓的残糊)少，并且剥离力小。
例如，专利文献1中记载了一种抑制了粘合剂的残糊、用于稳定地生产QFN(方形扁平无引线、Quad Flat Non-lead)的半导体封装的掩模片。专利文献1中记载了以下内容：通过使用特定的耐热膜及有机硅类粘合剂来制作掩模片，在芯片粘贴(ダイアタッチ)工序及树脂密封工序中能够耐受150℃～180℃、1小时～6小时的环境。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-275435号公报
发明内容
发明要解决的问题
近年来，即使是在施加了180℃以上且200℃以下这样的高温条件的工序中也使用了粘合片。已知在这样的高温的工序中，例如使用了与聚酰亚胺膜等相比耐热性低且廉价的膜(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯等的膜)作为基材的情况下，在工序结束后从被粘附物上将粘合片剥下时，被粘附物的表面会被污染。作为这样的污染的原因，认为是由于作为基材使用的树脂膜中所含的低分子量成分(低聚物)在被粘附物的表面析出。例如，在对粘贴于粘合片的粘合剂层上的半导体元件进行树脂密封的工序中施加高温条件时，存在半导体元件的表面被污染而在半导体装置中产生不良情况的可能。
本发明的目的在于提供一种粘合片，该粘合片即使在经过了施加高温条件的工序之后，也可以防止被粘附物的表面污染。
解决问题的方法
按照本发明的一个方式，提供一种粘合片，其是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的，该粘合片具有：基材、包含粘合剂的粘合剂层、以及设置于所述基材和所述粘合剂层之间的低聚物密封层。
在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选所述低聚物密封层是使低聚物密封层用组合物固化而成的固化被膜，所述低聚物密封层用组合物包含：环氧化合物、聚酯化合物和多官能氨基化合物。
在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选所述低聚物密封层用组合物包含：(A)50质量％以上且80质量％以下的双酚A型环氧化合物、(B)5质量％以上且30质量％以下的聚酯化合物、和(C)10质量％以上且40质量％以下的多官能氨基化合物。
在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选所述基材在100℃下的储能模量为1×107Pa以上。
在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选所述粘合剂层具有丙烯酸类粘合剂组合物或有机硅类粘合剂组合物。
在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选所述丙烯酸类粘合剂组合物包含以丙烯酸2-乙基己酯作为主要单体的丙烯酸类共聚物。
在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选所述有机硅类粘合剂组合物包含加聚型有机硅树脂。
在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选在所述基材的两面具有所述低聚物密封层。
在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选所述基材包含聚酯类树脂。
根据本发明，可以提供即使在经过了施加高温条件的工序之后，也能够防止被粘附物的表面污染的粘合片。
附图说明
[图1]是第一实施方式的粘合片的剖面示意图。
[图2A]是说明使用了第一实施方式的粘合片的半导体装置的部分制造工序的图。
[图2B]是说明使用了第一实施方式的粘合片的半导体装置的部分制造工序的图。
[图2C]是说明使用了第一实施方式的粘合片的半导体装置的部分制造工序的图。
[图2D]是说明使用了第一实施方式的粘合片的半导体装置的部分制造工序的图。
[图2E]是说明使用了第一实施方式的粘合片的半导体装置的部分制造工序的图。
[图3]是第二实施方式的粘合片的剖面示意图。
符号说明
10、10A…粘合片
11…基材
12…粘合剂层
13、14…低聚物密封层
具体实施方式
〔第一实施方式〕
(粘合片)
图1示出了本实施方式的粘合片10的剖面示意图。
粘合片10具有基材11、粘合剂层12及低聚物密封层13。
基材11具有：第一基材面11a、以及与第一基材面11a相反侧的第二基材面11b。在基材11和粘合剂层12之间设置有低聚物密封层13。在粘合片10中，优选低聚物密封层13叠层于第一基材面11a上，且第一基材面11a被低聚物密封层13覆盖。
粘合片10的形状可以采取例如片状、带状、标签状等所有形状。
(基材)
基材11是支撑粘合剂层12及低聚物密封层13的构件。
作为基材11，可以使用例如合成树脂膜等片材料等。作为合成树脂膜，可以举出例如：聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、离聚物树脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜及聚酰亚胺膜等。此外，作为基材11，还可以举出它们的交联膜及叠层膜等。
基材11优选包含聚酯类树脂，更优选由以聚酯类树脂作为主成分的材料形成。在本说明书中，所谓的以聚酯类树脂作为主成分的材料，是指聚酯类树脂的质量在构成基材的材料的总质量中所占的比例为50质量％以上。
作为聚酯类树脂，例如优选为选自聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂、聚萘二甲酸丁二醇酯树脂、及这些树脂的共聚树脂中的任意的树脂，更优选聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂。
作为基材11，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯膜或聚萘二甲酸乙二醇酯膜，更优选聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。作为聚酯膜中所含有的低聚物，来源于聚酯形成性单体、二聚物及三聚物等。
从加工时的尺寸稳定性的观点考虑，基材11在100℃下的储能模量的下限优选为1×107Pa以上，更优选为1×108Pa以上。从加工适应性的观点考虑，基材11在100℃下的储能模量的上限优选为1×1012Pa以下。需要说明的是，在本说明书中，储能模量是使用动态粘弹性测定装置、通过扭转剪切法在频率1Hz下测得的值。将待测定的基材切成宽5mm、长20mm，使用粘弹性测定仪器(TA Instruments公司制造、DMAQ800)、在频率1Hz下通过拉伸模式测定100℃的储能模量。
为了提高与低聚物密封层13的密合性，可以对第一基材面11a实施底涂处理、电晕处理及等离子体处理等中的至少任一种表面处理。也可以在基材11的第一基材面11a上涂布粘合剂来实施粘合处理。作为用于基材的粘合处理的粘合剂，可以举出例如丙烯酸类、橡胶类、有机硅类、及氨基甲酸酯类等的粘合剂。
基材11的厚度优选为10μm以上且500μm以下、更优选为15μm以上且300μm以下、进一步优选为20μm以上且250μm以下。
(粘合剂层)
本实施方式的粘合剂层12包含粘合剂组合物。作为该粘合剂组合物所含的粘合剂，没有特别限定，可以将各种粘合剂应用于粘合剂层12。作为粘合剂层12所含的粘合剂，可以举出例如橡胶类、丙烯酸类、有机硅类、聚酯类及氨基甲酸酯类。需要说明的是，可考虑用途及被粘贴的被粘附物的种类等来选择粘合剂的种类。粘合剂层12优选含有丙烯酸类粘合剂组合物或有机硅类粘合剂组合物。
·丙烯酸类粘合剂组合物
粘合剂层12包含丙烯酸类粘合剂组合物的情况下，优选丙烯酸类粘合剂组合物包含以丙烯酸2-乙基己酯作为主要单体的丙烯酸类共聚物。
另外，粘合剂层12包含丙烯酸类粘合剂组合物的情况下，优选包含丙烯酸类共聚物和粘合助剂。丙烯酸类共聚物优选为以丙烯酸2-乙基己酯作为主要单体的共聚物。粘合助剂优选包含具有反应性基团的橡胶类材料作为主成分。
在本说明书中，所谓的以丙烯酸2-乙基己酯作为主要单体是指，来源于丙烯酸2-乙基己酯的共聚物成分的质量在丙烯酸类共聚物的总质量中所占的比例为50质量％以上。在本实施方式中，来源于丙烯酸2-乙基己酯的共聚物成分在丙烯酸类共聚物中的比例优选为50质量％以上且95质量％以下，更优选为60质量％以上且95质量％以下，进一步优选为80质量％以上且95质量％以下，更进一步优选为85质量％以上且93质量％以下。如果来源于丙烯酸2-乙基己酯的共聚物成分的比例为50质量％以上，则加热后粘合力不会变得过高，更容易将粘合片从被粘附物上剥离，如果为80质量％以上，则更加容易剥离。如果来源于丙烯酸2-乙基己酯的共聚物成分的比例为95质量％以下，则可以防止初期密合力不足而导致加热时基材发生变形、由于其变形而使粘合片从被粘附物上剥离。
丙烯酸类共聚物中的丙烯酸2-乙基己酯以外的共聚物成分的种类及数量没有特别限定。例如，作为第二共聚物成分，优选具有反应性的官能团的含官能团单体。作为第二共聚物成分的反应性官能团，在使用后面叙述的交联剂的情况下，优选为能够与该交联剂反应的官能团。作为该反应性官能团，例如优选为选自羧基、羟基、氨基、取代氨基及环氧基中的至少任一种取代基，更优选为羧基及羟基中的至少任一种取代基，进一步优选为羧基。
作为具有羧基的单体(含羧基单体)，可以举出例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、马来酸、衣康酸及柠康酸等烯属不饱和羧酸。含羧基单体中，从反应性及共聚性方面考虑，优选丙烯酸。含羧基单体可以单独使用，也可以组合2种以上使用。
作为具有羟基的单体(含羟基单体)，可以举出例如：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯及(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯等。含羟基单体中，从羟基的反应性及共聚性方面考虑，优选(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯。含羟基单体可以单独使用，也可以组合2种以上使用。需要说明的是，本说明书中的“(甲基)丙烯酸”是在表示“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者时所使用的表述方式，其它类似用语也同样。
作为具有环氧基的丙烯酸酯，可以举出例如：丙烯酸缩水甘油酯及甲基丙烯酸缩水甘油酯。
作为丙烯酸类共聚物中的其它共聚物成分，可以举出烷基的碳原子数为2～20的(甲基)丙烯酸烷基酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，可以举出例如：(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸正十二烷基酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕榈酯及(甲基)丙烯酸硬脂酯等。这些(甲基)丙烯酸烷基酯中，从进一步提高粘合性的观点考虑，优选烷基的碳原子数为2～4的(甲基)丙烯酸酯，更优选(甲基)丙烯酸正丁酯。(甲基)丙烯酸烷基酯可以单独使用，也可以组合2种以上使用。
作为丙烯酸类共聚物中的其它共聚物成分，可以举出例如来源于选自含有烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有脂肪环的(甲基)丙烯酸酯、具有芳香环的(甲基)丙烯酸酯、非交联性的丙烯酰胺、非交联性的具有叔氨基的(甲基)丙烯酸酯、乙酸乙烯酯及苯乙烯中的至少任一种单体的共聚物成分。
作为含有烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯，可以举出例如：(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯及(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯。
作为具有脂肪环的(甲基)丙烯酸酯，可以举出例如(甲基)丙烯酸环己酯。
作为具有芳香环的(甲基)丙烯酸酯，可以举出例如(甲基)丙烯酸苯酯。
作为非交联性的丙烯酰胺，可以举出例如丙烯酰胺及甲基丙烯酰胺。
作为非交联性的具有叔氨基的(甲基)丙烯酸酯，可以举出例如(甲基)丙烯酸(N,N-二甲基氨基)乙酯及(甲基)丙烯酸(N,N-二甲基氨基)丙酯。
作为丙烯酸类共聚物中的其它共聚物成分，从提高粘合剂的极性、使密合性及粘合力提高的观点考虑，还优选来源于具有包含氮原子的环的单体的共聚物成分。
作为具有包含氮原子的环的单体，可以举出：N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-甲基乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基吗啉、N-乙烯基己内酰胺及N-(甲基)丙烯酰基吗啉等。作为具有包含氮原子的环的单体，优选N-(甲基)丙烯酰基吗啉。
这些单体可以单独使用，也可以组合2种以上使用。
在本实施方式中，作为第二共聚物成分，优选含羧基单体或含羟基单体，更优选丙烯酸。丙烯酸类共聚物包含来源于丙烯酸2-乙基己酯的共聚物成分、及来源于丙烯酸的共聚物成分的情况下，来源于丙烯酸的共聚物成分的质量在丙烯酸类共聚物总质量中所占的比例优选为1质量％以下，更优选为0.1质量％以上且0.5质量％以下。如果丙烯酸的比例为1质量％以下，则可以防止在粘合剂组合物中包含交联剂的情况下丙烯酸类共聚物的交联过快地进行。
丙烯酸类共聚物可以包含2种以上来源于含官能团单体的共聚物成分。例如，丙烯酸类共聚物可以为3元体系共聚物。丙烯酸类共聚物为3元体系共聚物的情况下，优选丙烯酸2-乙基己酯、含羧基单体及含羟基单体共聚而得到的丙烯酸类共聚物，该含羧基单体优选为丙烯酸，含羟基单体优选为丙烯酸2-羟基乙酯。优选丙烯酸类共聚物中的来源于丙烯酸2-乙基己酯的共聚物成分的比例为80质量％以上且95质量％以下，来源于丙烯酸的共聚物成分的质量比例为1质量％以下，剩余部分为来源于丙烯酸2-羟基乙酯的共聚物成分。
丙烯酸类共聚物的重均分子量(Mw)优选为30万以上且200万以下，更优选为60万以上且150万以下，进一步优选为80万以上且120万以下。如果丙烯酸类共聚物的重均分子量Mw为30万以上，则可以在被粘附物上不残留粘合剂残渣地进行剥离。如果丙烯酸类共聚物的重均分子量Mw为200万以下，则能够切实地贴附于被粘附物上。
丙烯酸类共聚物的重均分子量Mw是通过凝胶渗透色谱(Gel PermeationChromatography；GPC)法测定并换算成标准聚苯乙烯的值。
丙烯酸类共聚物可以使用上述的各种原料单体、按照以往公知的方法来制造。
丙烯酸类共聚物的共聚形态没有特别限定，可以为嵌段共聚物、无规共聚物或接枝共聚物中的任一种。
在本实施方式中，粘合剂组合物中丙烯酸类共聚物的含有率优选为40质量％以上且90质量％以下，更优选为50质量％以上且90质量％以下。
粘合助剂优选包含具有反应性基团的橡胶类材料作为主成分。粘合剂组合物包含了反应性粘合助剂时，可以减少残糊。粘合剂组合物中粘合助剂的含有率优选为3质量％以上且50质量％以下，更优选为5质量％以上且30质量％以下。如果粘合剂组合物中粘合助剂的含有率为3质量％以上，则可以抑制残糊的产生，如果为50质量％以下，则可以抑制粘合力降低。
在本说明书中，所谓包含具有反应性基团的橡胶类材料作为主成分是指，具有反应性基团的橡胶类材料的质量在粘合助剂总质量中所占的比例超过50质量％。在本实施方式中，具有反应性基团的橡胶类材料在粘合助剂中的比例优选超过50质量％，更优选为80质量％以上。粘合助剂优选实质上由具有反应性基团的橡胶类材料构成。
作为反应性基团，优选为选自羟基、异氰酸酯基、氨基、环氧乙烷基、酸酐基、烷氧基、丙烯酰基及甲基丙烯酰基中的一种以上官能团，更优选为羟基。橡胶类材料所具有的反应性基团可以为一种，也可以为2种以上。具有羟基的橡胶类材料可以进一步具有上述的反应性基团。另外，在构成橡胶类材料的1分子中，反应性基团的数量可以为1个，也可以为2个以上。
作为橡胶类材料，没有特别限定，优选聚丁二烯类树脂、及聚丁二烯类树脂的氢化物，更优选聚丁二烯类树脂的氢化物。
作为聚丁二烯类树脂，可以举出具有1,4-重复单元的树脂、具有1,2-重复单元的树脂、以及具有1,4-重复单元及1,2-重复单元这两者的树脂。本实施方式的聚丁二烯类树脂的氢化物也包括具有这些重复单元的树脂的氢化物。
聚丁二烯类树脂、及聚丁二烯类树脂的氢化物优选在两末端分别具有反应性基团。两末端的反应性基团可以相同也可以不同。两末端的反应性基团优选为选自羟基、异氰酸酯基、氨基、环氧乙烷基、酸酐基、烷氧基、丙烯酰基及甲基丙烯酰基中的一种以上官能团，更优选为羟基。在聚丁二烯类树脂、及聚丁二烯类树脂的氢化物中，更优选两末端为羟基。
本实施方式的粘合剂组合物优选除了含有前面所述的丙烯酸类共聚物及粘合助剂以外，还包含使配合有交联剂的组合物交联而得到的交联物。另外，粘合剂组合物的固体成分优选实质上如前面所述那样由前面所述的丙烯酸类共聚物、粘合助剂和交联剂交联而得到的交联物构成。这里所说的实质上是指，除了不可避免地混入到粘合剂中的微量的杂质以外，粘合剂组合物的固体成分仅包含该交联物。
在本实施方式中，作为交联剂，可以举出例如：异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、氮丙啶类交联剂、金属螯合物类交联剂、胺类交联剂、及氨基树脂类交联剂。这些交联剂可以单独使用，也可以组合2种以上使用。
在本实施方式中，从提高粘合剂组合物的耐热性及粘合力的观点考虑，在这些交联剂中，优选含有具有异氰酸酯基的化合物作为主成分的交联剂(异氰酸酯类交联剂)。作为异氰酸酯类交联剂，可以举出例如：2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二甲基二异氰酸酯、1,4-苯二甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、及赖氨酸异氰酸酯等多异氰酸酯化合物。
另外，多异氰酸酯化合物可以是前面所述的化合物的三羟甲基丙烷加合物型改性物、与水反应而得到的缩二脲型改性物、或具有三聚异氰酸酯环的三聚异氰酸酯型改性物。
在本说明书中，所谓的以具有异氰酸酯基的化合物作为主成分的交联剂是指，具有异氰酸酯基的化合物的质量在构成交联剂的成分的总质量中所占的比例为50质量％以上。
在本实施方式中，粘合剂组合物中交联剂的含量如下：相对于丙烯酸类共聚物100质量份，优选为0.1质量份以上且20质量份以下、更优选为1质量份以上且15质量份以下、进一步优选为5质量份以上且10质量份以下。如果粘合剂组合物中交联剂的含量为这样的范围内，则可以提高包含粘合剂组合物的层(粘合剂层)与被粘附物(例如基材)之间的粘接性，从而可以缩短在粘合片制造后用于使粘合特性稳定化的养护时间。
在本实施方式中，从粘合剂组合物的耐热性的观点考虑，异氰酸酯类交联剂更优选为具有三聚异氰酸酯环的化合物(三聚异氰酸酯型改性物)。优选相对于丙烯酸类共聚物的羟基当量以0.7当量以上且1.5当量以下来配合具有三聚异氰酸酯环的化合物。如果具有三聚异氰酸酯环的化合物的配合量为0.7当量以上，则加热后粘合力不会变得过高，容易将粘合片剥离，从而可以减少残糊。如果具有三聚异氰酸酯环的化合物的配合量为1.5当量以下，则可以防止初始粘合力变得过低、或者可以防止粘附性降低。
本实施方式中的粘合剂组合物包含交联剂的情况下，粘合剂组合物优选进一步包含交联促进剂。交联促进剂优选根据交联剂的种类等适宜选择使用。例如，粘合剂组合物包含多异氰酸酯化合物作为交联剂的情况下，优选进一步包含有机锡化合物等有机金属化合物类交联促进剂。
·有机硅类粘合剂组合物
粘合剂层12包含有机硅类粘合剂组合物的情况下，有机硅类粘合剂组合物优选包含加聚型有机硅树脂。在本说明书中，将包含加聚型有机硅树脂的有机硅类粘合剂组合物称为加成反应型有机硅类粘合剂组合物。
加成反应型有机硅类粘合剂组合物包含主剂及交联剂。加成反应型有机硅类粘合剂组合物具有以下优点：能够仅通过低温的一次固化而使用，无需在高温下的2次固化。即，以往的过氧化物固化型有机硅类粘合剂需要在150℃以上这样的高温下的2次固化。
因此，通过使用加成反应型有机硅类粘合剂组合物，能够在比较低的温度下制造粘合片，节能性优异，并且，还能够使用耐热性比较低的基材11来制造粘合片10。另外，由于不会像过氧化物固化型有机硅类粘合剂那样在固化时产生副产物，因此也不存在臭气及腐蚀等问题。
加成反应型有机硅类粘合剂组合物通常包含：由有机硅树脂成分和有机硅橡胶成分的混合物构成的主剂、含有硅氢基(SiH基)的交联剂、以及根据需要使用的固化催化剂。
有机硅树脂成分是将有机氯代硅烷或有机烷氧基硅烷进行水解后，通过脱水缩合反应而得到的网状结构的有机聚硅氧烷。
有机硅橡胶成分是具有直链结构的二有机聚硅氧烷。
作为有机基团，与有机硅树脂成分及有机硅橡胶成分同样为甲基、乙基、丙基、丁基、苯基等。上述的有机基团被部分地取代为乙烯基、己烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、辛烯基、(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰基甲基、(甲基)丙烯酰基丙基、及环己烯基这样的不饱和基团。优选在工业上容易获得的具有乙烯基的有机基团。在加成反应型有机硅类粘合剂组合物中，通过不饱和基团与硅氢基的加成反应而进行交联，形成网状的结构，从而表现出粘合性。
对于乙烯基这样的不饱和基团的数量而言，相对于有机基团100个，通常为0.05个以上且3.0个以下、优选为0.1个以上且2.5个以下。通过使相对于有机基团100个的不饱和基团的数量设为0.05个以上，可防止与硅氢基的反应性下降而变得难以固化，从而可以赋予适度的粘合力。通过使相对于有机基团100个的不饱和基团的数量为3.0个以下，粘合剂的交联密度增高，粘合力及凝聚力变大，可防止对被粘附面带来不良影响。
作为前面所述那样的有机聚硅氧烷，具体来说，有信越化学工业株式会社制造的KS-3703(乙烯基的数量相对于甲基100个为0.6个)、道康宁东丽株式会社(Dow CorningToray Co.,Ltd)制造的BY23-753(乙烯基的数量相对于甲基100个为0.1个)及BY24-162(乙烯基的数量相对于甲基100个为1.4个)等。另外，还可以使用道康宁东丽株式会社制造的SD4560PSA、SD4570PSA、SD4580PSA、SD4584PSA、SD4585PSA、SD4587L及SD4592PSA等。
如前面所述，作为有机硅树脂成分的有机聚硅氧烷通常与有机硅橡胶成分混合使用，作为有机硅橡胶成分，可以举出信越化学工业株式会社制造的KS-3800(乙烯基的数量相对于甲基100个为7.6个)、道康宁东丽株式会社制造的BY24-162(乙烯基的数量相对于甲基100个为1.4个)、BY24-843(不具有不饱和基团)及SD-7292(乙烯基的数量相对于甲基100个为5.0个)等。
前面所述那样的加成反应型有机硅的具体例记载在例如日本特开平10-219229号公报中。
交联剂按照以下方式配合：相对于有机硅树脂成分及有机硅橡胶成分的乙烯基这样的不饱和基团1个，使得键合在硅原子上的氢原子通常为0.5个以上且10个以下、优选为1个以上且2.5个以下，通过使键合在硅原子上的氢原子为0.5个以上，可防止乙烯基这样的不饱和基团与硅氢基的反应完全不进行而导致固化不良，通过使键合在硅原子上的氢原子为10个以下，可防止交联剂未反应而残留下来，从而对被粘附面带来不良影响。
加成反应型有机硅类粘合剂组合物优选在含有前面所述的加成反应型有机硅成分(由有机硅树脂成分和有机硅橡胶成分构成的主剂)及交联剂的同时，还含有固化催化剂。
该固化催化剂是为了促进有机硅树脂成分及有机硅橡胶成分中的不饱和基团与交联剂中的Si-H基的硅氢化反应而使用的。
作为固化催化剂，可以举出铂系催化剂，即氯铂酸、氯铂酸的醇溶液、氯铂酸与醇溶液的反应物、氯铂酸与烯烃化合物的反应物、氯铂酸与含有乙烯基的硅氧烷化合物的反应物、铂-烯烃配位化合物、铂-含有乙烯基的硅氧烷配位化合物、及铂-磷配位化合物等。前面所述那样的固化催化剂的具体例记载在例如日本特开2006-28311号公报及日本特开平10-147758号公报中。
更具体地，作为市售品，可以举出道康宁东丽株式会社制造的SRX-212、及信越化学工业株式会社制造的PL-50T等。
相对于有机硅树脂成分和有机硅橡胶成分的总量，固化催化剂的配合量以铂计通常为5质量ppm以上且2000质量ppm以下、优选为10质量ppm以上且500质量ppm以下，通过使固化催化剂的配合量以铂计为5质量ppm以上，可防止固化性降低而使交联密度下降，也就是说，可防止粘合力及凝聚力(保持力)下降，通过使固化催化剂的配合量以铂计为2000质量ppm以下，可防止成本提高且可以保持粘合剂层的稳定性，并且可以防止过量使用的固化催化剂对被粘附面带来不良影响。
在加成反应型有机硅类粘合剂组合物中，通过配合前面所述的各成分，即使在常温下也表现出粘合力，从粘合力的稳定性方面考虑，优选将加成反应型有机硅类粘合剂组合物涂布在基材11或后面所述的剥离片上，将基材11与剥离片贴合后，进行加热或照射活性能量线来促进有机硅树脂成分与有机硅橡胶成分在交联剂的作用下的交联反应。
利用加热来促进交联反应时的加热温度通常为60℃以上且140℃以下、优选为80℃以上且130℃以下。通过在60℃以上进行加热，可以防止有机硅树脂成分与有机硅橡胶成分的交联不足而导致粘合力不充分，通过在140℃以下进行加热，可以防止基材片产生热收缩褶皱、发生劣化、发生变色。
照射活性能量线来促进交联反应的情况下，在电磁波或带电粒子束中，可以利用具有能量子的活性能量线，即，可以利用紫外线等活性光或电子束等。照射电子束进行交联的情况下，不需要光聚合引发剂，但在照射紫外线等活性光进行交联的情况下，优选存在光聚合引发剂。
作为照射紫外线时的光聚合引发剂，没有特别限制，可以从以往的通常用于紫外线固化型树脂的光聚合引发剂中适宜选择任意的光聚合引发剂使用。作为该光聚合引发剂，可以举出例如：苯偶姻类、二苯甲酮类、苯乙酮类、α-羟基酮类、α-氨基酮类、α-二酮类、α-二酮二烷基缩醛(α-diketone dialkyl acetal)类、蒽醌类、噻吨酮类、其它化合物等。
这些光聚合引发剂可以单独使用，也可以组合两种以上使用。另外，相对于作为主剂使用的上述加成反应型有机硅成分和交联剂的总量100质量份，光聚合引发剂的使用量通常在0.01质量份以上且30质量份以下、优选在0.05质量份以上且20质量份以下的范围选定。
通过加热或照射活性能量线来进行交联，可得到具有稳定的粘合力的粘合片。
照射作为活性能量线之一的电子束进行交联时的电子束的加速电压通常为130kV以上且300kV以下、优选为150kV以上且250kV以下。通过照射130kV以上的加速电压，可以防止有机硅树脂成分与有机硅橡胶成分的交联不足而导致粘合力不充分的情况，通过以300kV以下的加速电压照射电子束，可以防止粘合剂层及基材片劣化、变色。电子束电流的优选范围为1mA以上且100mA以下。
照射的电子束的剂量优选为1Mrad以上且70Mrad以下、更优选为2Mrad以上且20Mrad以下。通过以1Mrad以上的剂量照射电子束，可防止粘合剂层及基材片劣化、变色，从而可以防止因交联不足而产生的粘合性不充分的情况。通过以70Mrad以下的剂量照射电子束，可防止粘合剂层劣化、变色而产生的凝聚力下降，从而可以防止基材片劣化、收缩。
作为照射紫外线时的照射量，可适宜选择，光量为100mJ/cm2以上且500mJ/cm2以下、照度为10mW/cm2以上且500mW/cm2以下。
为了防止由于氧而阻碍反应，优选在氮气氛围下进行加热及活性能量线的照射。
粘合剂层12的厚度可根据粘合片10的用途适宜决定。在本实施方式中，粘合剂层12的厚度优选为5μm以上且60μm以下、更优选为10μm以上且50μm以下。如果粘合剂层12的厚度过薄，担心粘合剂层12无法追随半导体芯片的电路面的凹凸而产生缝隙。例如层间绝缘材料及密封树脂等进入到其缝隙，芯片电路面的布线连接用电极垫有可能被堵塞。如果粘合剂层12的厚度为5μm以上，则粘合剂层12容易追随芯片电路面的凹凸，从而可以防止缝隙的产生。另外，如果粘合剂层12的厚度过厚，半导体芯片沉入到粘合剂层中，半导体芯片部分与密封半导体芯片的树脂部分有可能产生高低差。如果产生这样的高低差，在再布线时布线有可能会产生断线。如果粘合剂层12的厚度为60μm以下，则不易产生高低差。
在本实施方式中，在不损害本发明效果的范围内，粘合剂组合物中可以含有其它成分。作为能够在粘合剂组合物中含有的其它成分，可以举出例如：有机溶剂、阻燃剂、增粘剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、抗氧剂、防静电剂、防腐剂、防霉剂、增塑剂、消泡剂、着色剂、填料、及润湿性调节剂等。
加成反应型有机硅类粘合剂组合物中可以包含聚二甲基硅氧烷及聚甲基苯基硅氧烷这样的非反应性的聚有机硅氧烷作为添加剂。
(低聚物密封层)
低聚物密封层13是用于防止低分子量成分(低聚物)浸入到粘合剂层12的层。粘合片10暴露于高温条件时，认为基材11中所包含的低聚物在加热时析出于基材11表面，在未设置低聚物密封层13的情况下，向粘合剂层12浸入，进而穿过粘合剂层12而到达粘合剂层12的表面。低聚物密封层13优选即使在180℃以上且200℃以下的高温条件下也可防止低聚物向粘合剂层12的浸入。
对于低聚物密封层13的材质而言，只要可以防止低聚物浸入到粘合剂层12即可，没有特别限定。
例如，低聚物密封层13优选为使低聚物密封层用组合物固化而成的固化被膜，所述低聚物密封层用组合物包含(A)环氧化合物、(B)聚酯化合物、和(C)多官能氨基化合物。为了促进固化反应，低聚物密封层用组合物可以进一步含有(D)酸性催化剂。
·(A)环氧化合物
(A)环氧化合物优选为双酚A型环氧化合物。作为双酚A型环氧化合物，可以举出双酚A缩水甘油醚等。双酚A型环氧化合物的重均分子量(Mw)优选为1×104以上且5×104以下。如果双酚A型环氧化合物的重均分子量(Mw)为1×104以上，则可得到作为膜所必需的交联密度，容易防止低聚物的析出。如果重均分子量(Mw)为5×104以下，则可以防止被膜变得过硬。重均分子量Mw是通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定并换算成标准聚苯乙烯的值。
·(B)聚酯化合物
作为(B)聚酯化合物，没有特别限定，可以从公知的聚酯化合物中适宜选择使用。作为聚酯化合物，具体为通过多元醇与多元酸的缩合反应而得到的树脂，可以举出非转化性聚酯化合物及转化性聚酯化合物等，所述非转化性聚酯化合物是二元酸与二元醇的缩合物或者利用不干性油脂肪酸等改性而得到的化合物，所述转化性聚酯化合物是二元酸与三元以上的醇的缩合物。在本实施方式中，可以使用这些聚酯化合物中的任意化合物。
作为用作(B)聚酯化合物的原料的多元醇，可以举出二元醇、三元醇、及四元以上的多元醇。
作为二元醇，可以举出例如：乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、三亚甲基二醇、四亚甲基二醇、及新戊二醇。
作为三元醇，可以举出例如：甘油、三羟甲基乙烷、及三羟甲基丙烷。
作为四元以上的多元醇，可以举出例如：二甘油、三甘油、季戊四醇、二季戊四醇、甘露醇、及山梨醇。
多元醇可以单独使用一种，也可以组合2种以上使用。
作为多元酸，可以举出例如：芳香族多元酸、脂肪族饱和多元酸、脂肪族不饱和多元酸、及利用狄尔斯-阿尔德反应而得到的多元酸。
作为芳香族多元酸，可以举出例如：邻苯二甲酸酐、对苯二甲酸、间苯二甲酸及偏苯三酸酐。
作为脂肪族饱和多元酸，可以举出例如：琥珀酸、己二酸及癸二酸。
作为脂肪族不饱和多元酸，可以举出例如：马来酸、马来酸酐、富马酸、衣康酸及柠康酸酐。
作为利用狄尔斯-阿尔德反应而得到的多元酸，可以举出例如：环戊二烯-马来酸酐加成物、萜烯-马来酸酐加成物及松香-马来酸酐加成物。
多元酸可以单独使用一种，也可以组合2种以上使用。
作为改性剂的不干性油脂肪酸等，可以举出例如：辛酸、月桂酸、棕榈酸、硬脂酸、油酸、亚油酸、亚麻酸、桐酸、蓖麻醇酸、脱水蓖麻醇酸、或者椰子油、亚麻仁油、桐油、蓖麻油、脱水蓖麻油、大豆油、红花油、及它们的脂肪酸等。这些改性剂可以单独使用一种，也可以组合2种以上使用。另外，作为聚酯化合物，可以单独使用一种，也可以组合2种以上使用。
(B)聚酯化合物优选具有成为交联反应的基点的活泼氢基团的聚酯化合物。作为活泼氢基团，可以举出例如羟基、羧基及氨基。聚酯化合物特别优选具有羟基的聚酯化合物。聚酯化合物的羟值优选为5mgKOH/g以上且500mgKOH/g以下，更优选为10mgKOH/g以上且300mgKOH/g以下。
(B)聚酯化合物的数均分子量(Mn)优选为500以上且10000以下，更优选为1000以上且5000以下。上述数均分子量是通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定并换算成标准聚苯乙烯的值。
(B)聚酯化合物的玻璃化转变温度Tg优选为0℃以上且50℃以下。
通过使用具有上述范围的数均分子量(Mn)及玻璃化转变温度Tg的聚酯化合物，可以对形成低聚物密封层13的固化被膜赋予适度的柔软性。玻璃化转变温度Tg是按照JIS K7121标准、使用功率补偿差示扫描量热测定装置、在-80℃至250℃的温度范围测定外推玻璃化转变开始温度，从而求出了玻璃化转变温度Tg。
·(C)多官能氨基化合物
作为(C)多官能氨基化合物，可以使用例如三聚氰胺化合物、尿素化合物、苯鸟粪胺化合物及二胺类。
作为三聚氰胺化合物，可以举出例如六甲氧基甲基三聚氰胺、甲基化三聚氰胺化合物及丁基化三聚氰胺化合物。
作为尿素化合物，可以举出例如甲基化尿素化合物及丁基化尿素化合物。
作为苯鸟粪胺化合物，可以举出例如甲基化苯鸟粪胺化合物及丁基化苯鸟粪胺化合物。
作为二胺类，可以举出例如乙二胺、四亚甲基二胺、六亚甲基二胺、N,N’-二苯基乙二胺及对苯二甲基二胺。
从固化性的观点考虑，作为(C)多官能氨基化合物，优选六甲氧基甲基三聚氰胺。
·(D)酸性催化剂
作为酸性催化剂(D)，可以举出例如盐酸及对甲苯磺酸。
·固化被膜
在本实施方式中，优选低聚物密封层13是由以下的低聚物密封层用组合物固化而成的固化被膜，所述低聚物密封层用组合物包含(A)双酚A型环氧化合物、(B)聚酯化合物及(C)多官能氨基化合物，且它们的配合率分别为(A)50质量％以上且80质量％以下、(B)5质量％以上且30质量％以下、及(C)10质量％以上且40质量％以下。在低聚物密封层用组合物中配合(D)酸性催化剂的情况下，优选将(D)成分的含量设为1质量％以上且5质量％以下。
采用使上述范围的配合率的低聚物密封层用组合物固化而成的固化被膜，可以利用低聚物密封层13有效地提高防止低聚物向粘合剂层12浸入的效果。
作为本实施方式的低聚物密封层用组合物的更具体的实例，可以举出例如以下这样的低聚物密封层用组合物的例子，但本发明并不限定于这样的例子。
作为本实施方式的低聚物密封层用组合物的一例，可以举出包含(A)环氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能氨基化合物、和(D)酸性催化剂的低聚物密封层用组合物，其中，(A)环氧化合物为双酚A型环氧化合物，(C)多官能氨基化合物为三聚氰胺化合物。
作为本实施方式的低聚物密封层用组合物的一例，可以举出包含(A)环氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能氨基化合物、和(D)酸性催化剂的低聚物密封层用组合物，其中，(A)环氧化合物为双酚A型环氧化合物、(A)环氧化合物的重均分子量(Mw)为1×104以上且5×104以下，(C)多官能氨基化合物为三聚氰胺化合物。
作为本实施方式的低聚物密封层用组合物的一例，可以举出包含(A)环氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能氨基化合物、和(D)酸性催化剂的低聚物密封层用组合物，其中，(A)环氧化合物为双酚A型环氧化合物，(B)聚酯化合物的数均分子量(Mn)为500以上且10000以下、(B)聚酯化合物的玻璃化转变温度Tg为0℃以上且50℃以下，(C)多官能氨基化合物为三聚氰胺化合物。
作为本实施方式的低聚物密封层用组合物的一例，可以举出包含(A)环氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能氨基化合物、和(D)酸性催化剂的低聚物密封层用组合物，其中，(A)环氧化合物为双酚A型环氧化合物、(A)环氧化合物的重均分子量(Mw)为1×104以上5×104以下，(B)聚酯化合物的数均分子量(Mn)为500以上且10000以下、(B)聚酯化合物的玻璃化转变温度Tg为0℃以上且50℃以下，(C)多官能氨基化合物为三聚氰胺化合物。
·低聚物密封层的膜厚
低聚物密封层13的厚度优选为50nm以上且500nm以下、更优选为80nm以上且300nm以下。如果低聚物密封层13的厚度为50nm以上，则可以有效地防止低聚物向粘合剂层12的浸入。如果低聚物密封层13的厚度为500nm以下，则在将粘合片10以卷状卷绕在芯材上时，容易进行卷绕。作为芯材的材质，可以举出例如纸质、塑料制及金属制。
本实施方式的粘合片10优选在加热后显示如下所述的粘合力。首先，将粘合片10粘贴于被粘附物(铜箔或聚酰亚胺膜)，在100℃及30分钟的条件下加热，接着在180℃及30分钟的条件下加热，进一步在190℃及1小时的条件下加热，优选这样加热后粘合剂层12相对于铜箔在室温下的粘合力、及粘合剂层12相对于聚酰亚胺膜在室温下的粘合力分别为0.7N/25mm以上且2.0N/25mm以下。如果进行了这样的加热后的粘合力为0.7N/25mm以上，则可以防止基材或被粘附物在加热时发生了变形的情况下粘合片10从被粘附物上剥离。另外，如果加热后的粘合力为2.0N/25mm以下，则剥离力不会变的过高，容易将粘合片10从被粘附物上剥离。需要说明的是，在本说明书中，室温是指22℃以上且24℃以下的温度。在本说明书中，粘合力是通过180°剥离法、在拉伸速度300mm/分、粘合片的宽度25mm下测得的值。
作为本实施方式的粘合剂组合物的更具体的例子，可以举出例如以下这样的粘合剂组合物的例子，但本发明并不限定于这样的例子。
作为本实施方式的粘合剂组合物的一例，可以举出包含丙烯酸类共聚物、粘合助剂和交联剂的粘合剂组合物，其中，所述丙烯酸类共聚物是至少将丙烯酸2-乙基己酯、含羧基单体、及含羟基单体共聚而得到的丙烯酸类共聚物，所述粘合助剂包含具有反应性基团的橡胶类材料作为主成分，所述交联剂是异氰酸酯类交联剂。
作为本实施方式的粘合剂组合物的一例，可以举出包含丙烯酸类共聚物、粘合助剂和交联剂的粘合剂组合物，其中，所述丙烯酸类共聚物是至少将丙烯酸2-乙基己酯、含羧基单体、及含羟基单体共聚而得到的丙烯酸类共聚物，所述粘合助剂是两末端为羟基的氢化聚丁二烯，所述交联剂是异氰酸酯类交联剂。
作为本实施方式的粘合剂组合物的一例，可以举出包含丙烯酸类共聚物、粘合助剂和交联剂的粘合剂组合物，其中，所述丙烯酸类共聚物是至少将丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸、及丙烯酸2-羟基乙酯共聚而得到的丙烯酸类共聚物，所述粘合助剂包含具有反应性基团的橡胶类材料作为主成分，所述交联剂是异氰酸酯类交联剂。
作为本实施方式的粘合剂组合物的一例，可以举出包含丙烯酸类共聚物、粘合助剂和交联剂的粘合剂组合物，其中，所述丙烯酸类共聚物是至少将丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸及丙烯酸2-羟基乙酯共聚而得到的丙烯酸类共聚物，所述粘合助剂是两末端为羟基的氢化聚丁二烯，所述交联剂是异氰酸酯类交联剂。
在本实施方式的粘合剂组合物的这些例子中，优选上述丙烯酸类共聚物是至少将丙烯酸2-乙基己酯、含羧基单体、含羟基单体、及具有含氮原子的环的单体共聚而得到的丙烯酸类共聚物。
在本实施方式的粘合剂组合物的这些例子中，优选上述丙烯酸类共聚物是至少将丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸、丙烯酸2-羟基乙酯、及N-(甲基)丙烯酰基吗啉共聚而得到的丙烯酸类共聚物。
在本实施方式的粘合剂组合物的这些例子中，优选上述丙烯酸类共聚物中的来源于丙烯酸2-乙基己酯的共聚物成分的比例为80质量％以上且95质量％以下、来源于含羧基单体的共聚物成分的质量比例为1质量％以下、剩余部分为其它共聚物成分，作为共聚物成分，优选包含来源于含羟基单体的共聚物成分。
(粘合片的制造方法)
粘合片10的制造方法没有特别限定。
例如，粘合片10可经过下面的工序来制造。
首先，在基材11的第一基材面11a上涂布低聚物密封层用组合物，形成涂膜。接着，使该涂膜加热及固化，形成作为低聚物密封层13的固化被膜。作为加热固化的条件，例如为120℃以上且170℃以下、5秒钟以上且5分钟以内。
接着，在低聚物密封层13上涂布粘合剂组合物，形成涂膜。接着，使该涂膜干燥，形成粘合剂层12。
涂布低聚物密封层用组合物而形成低聚物密封层13的情况、以及涂布粘合剂组合物而形成粘合剂层12的情况下，优选用有机溶剂对低聚物密封层用组合物及粘合剂组合物进行稀释，制成涂敷液后使用。
作为制备涂敷液所使用的有机溶剂，没有特别限定。作为有机溶剂，可以举出例如：芳香族类溶剂、脂肪族类溶剂、酯类溶剂、酮类溶剂、及醇类溶剂。作为芳香族类溶剂，可以举出例如苯、甲苯、及二甲苯。作为脂肪族类溶剂，可以举出例如正己烷及正庚烷。作为酯类溶剂，可以举出例如乙酸乙酯及乙酸丁酯。作为酮类溶剂，可以举出例如甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮及环戊酮。作为醇类溶剂，可以举出例如异丙醇及甲醇。
作为涂布方法，可以举出例如：旋涂法、喷涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、模涂法及凹版涂布法等。
为了防止有机溶剂及低沸点成分残留于低聚物密封层13、及粘合剂层12，优选在将涂敷液涂布于基材11上之后对涂膜进行加热而使其干燥。
在粘合剂组合物中配合交联剂的情况下，为了使交联反应进行而提高凝聚力，也优选对涂膜进行加热。
(粘合片的使用)
粘合片10在对半导体元件进行密封时使用。粘合片10优选在对粘贴于粘合片10上的状态而不是搭载于金属制引线框上的状态的半导体元件进行密封时使用。具体来说，粘合片10优选在对粘贴于粘合剂层12的状态的半导体元件进行密封时使用，而不是在对搭载于金属制引线框的半导体元件进行密封时使用。作为不使用金属制引线框对半导体元件进行封装的形态，可举出板级封装(Panel Scale Package；PSP)及晶圆级封装(Wafer LevelPackage；WLP)。
粘合片10优选用于以下工艺，该工艺具有以下工序：使形成有多个开口部的框构件粘贴于粘合片10的工序、使半导体芯片粘贴于利用上述框构件的开口部而露出的粘合剂层12上的工序、用密封树脂包覆上述半导体芯片的工序、以及使上述密封树脂热固化的工序。
(半导体装置的制造方法)
对于使用本实施方式的粘合片10制造半导体装置的方法进行说明。
图2A～图2E示出了用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的示意图。
本实施方式的半导体装置的制造方法中实施以下工序：使形成有多个开口部21的框构件20粘贴于粘合片10的工序(粘合片粘贴工序)、使半导体芯片CP粘贴于利用框构件20的开口部21而露出的粘合剂层12上的工序(粘结(bonding)工序)、用密封树脂30包覆半导体芯片CP的工序(密封工序)、使密封树脂30热固化的工序(热固化工序)、以及在热固化后将粘合片10剥离的工序(剥离工序)。根据需要，还可以在热固化工序之后实施使加强构件40粘贴于利用密封树脂30密封的密封体50上的工序(加强构件粘贴工序)。以下对各工序进行说明。
·粘合片粘贴工序
图2A示出的是用于使框构件20粘贴于粘合片10的粘合剂层12的工序的示意图。
本实施方式中的框构件20形成为格子状，且具有多个开口部21。框构件20优选由具有耐热性的材质形成。作为框构件20的材质，可以举出例如：铜及不锈钢等金属、以及聚酰亚胺树脂及玻璃环氧树脂等耐热性树脂等。
开口部21是贯通框构件20的表面背面的孔。对于开口部21的形状而言，只要是能够将半导体芯片CP收纳于框内的形状即可，没有特别限定。开口部21的孔深也只要是能够收纳半导体芯片CP即可，没有特别限定。
·粘结工序
图2B示出的是用于说明使半导体芯片CP粘贴于粘合剂层12的工序的示意图。
使粘合片10粘贴于框构件20后，在各个开口部21中，粘合剂层12对应于开口部21的形状而露出。使半导体芯片CP粘贴于各开口部21的粘合剂层12。在粘贴半导体芯片CP时，使得其电路面被粘合剂层12覆盖。
对于半导体芯片CP的制造而言，通过实施例如以下工序来进行制造：对形成有电路的半导体晶片的背面进行磨削的背磨工序、以及将半导体晶片单片化的切割工序。在切割工序中，使半导体晶片粘贴于切割片的粘接剂层，使用切片机(dicing saw)等切断装置将半导体晶片单片化，由此得到半导体芯片CP(半导体元件)。
切割装置没有特别限定，可以使用公知的切割装置。另外，对于切割的条件也没有特别限定。需要说明的是，也可以使用激光切割法或隐形切割法等来代替使用切刀进行切割的方法。
切割工序后，可以实施对切割片进行拉伸，从而扩大多个半导体芯片CP间的间隔的扩片工序。通过实施扩片工序，可以使用开口夹等运送机构来拾取半导体芯片CP。另外，通过实施扩片工序，可减小切割片对粘接剂层的粘接力，使半导体芯片CP变得容易拾取。
在切割片的粘接剂组合物、或粘接剂层中配合能量线聚合性化合物的情况下，从切割片的基材侧对粘接剂层照射能量线，使能量线聚合性化合物固化。使能量线聚合性化合物固化后，粘接剂层的凝聚力提高，可以使粘接剂层的粘接力降低。作为能量线，可以举出例如紫外线(UV)及电子束(EB)等，优选紫外线。能量线的照射可以在粘贴半导体晶片之后、半导体芯片的剥离(拾取)前的任意阶段进行。例如，可以在切割之前或切割之后照射能量线，也可以在扩片工序之后照射能量线。
·密封工序及热固化工序
图2C示出的是用于说明对粘贴在粘合片10上的半导体芯片CP及框构件20进行密封的工序的示意图。
密封树脂30的材质为热固化性树脂，可以举出例如环氧树脂等。在作为密封树脂30使用的环氧树脂中可以含有例如酚醛树脂、弹性体、无机填充材料及固化促进剂等。
用密封树脂30包覆半导体芯片CP及框构件20的方法没有特别限定。
在本实施方式中，列举使用了片状的密封树脂30的方式为例来进行说明。放置片状的密封树脂30并使其覆盖半导体芯片CP及框构件20，使密封树脂30加热固化而形成密封树脂层30A。这样一来，半导体芯片CP及框构件20被埋入到密封树脂层30A中。使用片状的密封树脂30的情况下，优选通过真空层压法对半导体芯片CP及框构件20进行密封。通过该真空层压法，可以防止在半导体芯片CP与框构件20之间产生空隙。采用真空层压法的加热温度条件范围例如为80℃以上且120℃以下。
密封工序中，可以使用片状的密封树脂30被聚对苯二甲酸乙二醇酯等的树脂片支撑而成的叠层片。该情况下，按照覆盖半导体芯片CP及框构件20的方式放置叠层片后，将树脂片从密封树脂30上剥离，使密封树脂30加热固化。作为这样的叠层片，可以举出例如：ABF膜(Ajinomoto Fine-Techno公司制造)。
作为对半导体芯片CP及框构件20进行密封的方法，可以采用移模法(トランスファーモールド法)。该情况下，例如在密封装置的模具内部收纳粘贴在粘合片10上的半导体芯片CP及框构件20。向该模具的内部注入流动性的树脂材料，使树脂材料固化。移模法的情况下，加热及压力的条件没有特别限定。作为移模法中的通常条件的一例，是将150℃以上的温度、4MPa以上且15MPa以下的压力保持30秒钟以上且300秒以下。然后，解除加压，从密封装置中取出固化物，在烘箱中静置，保持150℃以上的温度2小时以上且15小时以下。这样一来，将半导体芯片CP及框构件20进行了密封。
在上述的密封工序中使用片状的密封树脂30的情况下，可以在使密封树脂30热固化的工序(热固化工序)之前实施第一加热压制工序。在第一加热压制工序中，从两面用板状构件夹住被密封树脂30覆盖的半导体芯片CP及带有框构件20的粘合片10，在给定的温度、时间及压力的条件下进行压制。通过实施第一加热压制工序，密封树脂30容易被填充到半导体芯片CP与框构件20的空隙中。另外，通过实施加热压制工序，还可以对由密封树脂30构成的密封树脂层30A的凹凸进行平坦化。
如果在热固化工序之后将粘合片10剥离，则可得到被密封树脂30密封的半导体芯片CP及框构件20。以下，有时将其称为密封体50。
·加强构件粘贴工序
图2D示出的是用于说明使加强构件40粘贴于密封体50上的工序的示意图。
将粘合片10剥离之后，对露出的半导体芯片CP的电路面实施形成再布线层的再布线工序及设置突起(バンプ付け)的工序。为了提高这样的再布线工序及设置突起的工序中的密封体50的操作性，可以根据需要实施使加强构件40粘贴于密封体50上的工序(加强构件粘贴工序)。实施加强构件粘贴工序的情况下，优选在剥离粘合片10之前实施。如图2D所示，密封体50以被粘合片10及加强构件40夹持的状态被支撑。
在本实施方式中，加强构件40具备耐热性的加强板41和耐热性的粘接层42。作为加强板41，可以举出例如包含玻璃环氧树脂等耐热性树脂的板状构件。粘接层42使加强板41与密封体50粘接。作为粘接层42，可根据加强板41及密封树脂层30A的材质来适宜选择。
在加强构件粘贴工序中，优选实施以下的第二加热压制工序：在密封体50的密封树脂层30A与加强板41之间夹入粘接层42，再从加强板41侧及粘合片10侧分别用板状构件夹持，在给定的温度、时间及压力的条件下进行压制。通过第二加热压制工序，将密封体50与加强构件40预固定。在第二加热压制工序之后，为了使粘接层42固化，优选将固定后的密封体50和加强构件40在给定的温度及时间的条件下进行加热。加热固化的条件可根据粘接层42的材质来适宜设定，例如为185℃、80分钟及2.4MPa的条件。在第二加热压制工序中，作为板状构件，例如可以使用不锈钢等的金属板。
·剥离工序
图2E示出的是用于说明将粘合片10剥离的工序的示意图。
在本实施方式中，粘合片10的基材11能够弯曲的情况下，可以使粘合片10弯曲而容易地从框构件20、半导体芯片CP及密封树脂层30A上剥离。剥离角度θ没有特别限定，优选以90度以上的剥离角度θ将粘合片10剥离。如果剥离角度θ为90度以上，则可以容易地将粘合片10从框构件20、半导体芯片CP及密封树脂层30A上剥离。剥离角度θ优选为90度以上且180度以下、更优选为135度以上且180度以下。通过这样地一边使粘合片10弯曲一边进行剥离，能够降低对框构件20、半导体芯片CP及密封树脂层30A施加的负荷来进行剥离，从而可以抑制因粘合片10的剥离而产生的半导体芯片CP及密封树脂层30A的损伤。将粘合片10剥离后，实施上述的再布线工序及设置突起的工序等。粘合片10剥离后、实施再布线工序及设置突起的工序等之前，也可以根据需要实施上述的加强构件粘贴工序。
粘贴加强构件40的情况下，在实施了再布线工序及设置突起的工序等之后，在不需要加强构件40的支撑的阶段将加强构件40从密封体50上剥离。
然后，将密封体50以半导体芯片CP单元的形式进行单片化(单片化工序)。使密封体50单片化的方法没有特别限定。例如，可以通过与前面叙述的对半导体晶片进行切割时所使用的方法同样的方法进行单片化。使密封体50单片化的工序也可以在将密封体50粘贴于切割片等的状态下实施。通过对密封体50进行单片化，可制造半导体芯片CP单元的半导体封装，该半导体封装在安装工序中被安装于印刷布线基板等。
按照本实施方式，可以提供在经过了实施高温条件的工序之后也可以防止被粘附物的表面污染的粘合片10。
作为粘合剂层12所接触的被粘附物，例如为半导体芯片CP及框构件20。半导体芯片CP及框构件20以与粘合剂层12相接触的状态被暴露于高温条件下。粘合片10由于在基材11与粘合剂层12之间包含低聚物密封层13，因此，即使粘合片10暴露于高温条件下，也可防止基材11中的低聚物向粘合剂层12的浸入。因此，采用粘合片10，可以防止半导体芯片CP及框构件20的表面污染。
〔第二实施方式〕
第二实施方式与第一实施方式的不同点在于，在粘合片的基材两面具有低聚物密封层。第二实施方式在其它方面与第一实施方式相同，因此省略或简化其说明。
图3示出的是第二实施方式的粘合片10A的示意剖面图。
粘合片10A具有基材11、粘合剂层12、低聚物密封层13(第一低聚物密封层)及低聚物密封层14(第二低聚物密封层)。
粘合片10A在基材11的两面(第一基材面11a及第二基材面11b)分别具有低聚物密封层13、14。在粘合片10A中，低聚物密封层13被叠层于第一基材面11a、低聚物密封层14被叠层于第二基材面11b。优选第一基材面11a被低聚物密封层13覆盖、第二基材面11b被低聚物密封层14覆盖。与第一实施方式同样地，在基材11和粘合剂层12之间设有低聚物密封层13。粘合片10A的形状也可以采取片状、带状、标签状等所有形状。
低聚物密封层13(第一低聚物密封层)与第一实施方式同样。
低聚物密封层14(第二低聚物密封层)是用于防止被加热而析出于基材11的第二基材面11b的低聚物附着而污染其它构件的层。低聚物密封层14优选由与低聚物密封层13同样的材质形成。
低聚物密封层14的厚度没有特别限定，优选为与第一实施方式所说明的低聚物密封层13同样范围的厚度。低聚物密封层的厚度越是增加，低聚物密封的效果越是提高，例如从粘合片的生产性及成本的观点考虑时，低聚物密封层13及低聚物密封层14的厚度为100nm以上且200nm以下即可，可以为150nm左右。
粘合片10A的制造方法也没有特别限定。
例如，粘合片10A可经过以下的工序来制造。首先，在基材11的第一基材面11a上涂布低聚物密封层用组合物，形成涂膜，接着，使该涂膜加热及固化，形成低聚物密封层13。然后，在基材11的第二基材面11b上涂布低聚物密封层用组合物，形成涂膜，接着，使该涂膜加热及固化，形成低聚物密封层14。然后，在低聚物密封层13上涂布粘合剂组合物，形成涂膜，接着，使该涂膜干燥，形成粘合剂层12。
粘合片10A也能够应用与第一实施方式的粘合片10同样的使用方法，可以与粘合片10同样地在半导体装置的制造方法中使用。
采用粘合片10A，粘合片10同样地，在经过了施加高温条件的工序之后也能够防止被粘附物的表面污染。
此外，采用粘合片10A，由于在第二基材面11b上也形成有低聚物密封层14，因此，可以防止析出于第二基材面11b上的低聚物附着而污染被粘附物以外的构件及装置。例如，在半导体装置的制造方法中，可以防止在加热压制工序中与粘合片10A接触的板状构件的污染。
〔实施方式的变形〕
本发明并不限定于上述实施方式，在能够实现本发明目的的范围内的变形及改良等也包含在本发明中。需要说明的是，在以下的说明中，只要与上述实施方式所说明的构件等相同，就赋予相同的符号，并省略或简化其说明。
另外，粘合片可以以单片的状态提供、也可以以多张粘合片叠层的状态提供。该情况下，例如，粘合剂层也可以被待叠层的其它粘合片的基材覆盖。
另外，粘合片可以以长条状的片的形式提供、也可以以卷成卷状的状态提供。被卷成卷状的粘合片可以从卷上抽出后切成所期望的尺寸等后使用。
粘合片的粘合剂层可以被剥离片覆盖。作为剥离片，没有特别限定。例如，从操作容易性的观点考虑，剥离片优选具备剥离基材、以及在剥离基材上涂布剥离剂而形成的剥离剂层。另外，剥离片可以仅在剥离基材的一面具有剥离剂层，也可以在剥离基材的两面具有剥离剂层。作为剥离基材，可以举出例如：纸基材、在该纸基材上层压聚乙烯等热可塑性树脂而成的层压纸、以及塑料膜等。作为纸基材，可以举出玻璃纸、涂布纸及铸涂纸(castcoated paper)等。作为塑料膜，可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯及聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜、以及聚丙烯及聚乙烯等聚烯烃膜等。作为剥离剂，可以举出例如：烯烃类树脂、橡胶类弹性体(例如丁二烯类树脂、异戊二烯类树脂等)、长链烷基类树脂、醇酸类树脂、含氟类树脂及有机硅类树脂。
剥离片的厚度没有特别限定，剥离片的厚度通常为20μm以上且200μm以下，优选为25μm以上且150μm以下。
剥离剂层的厚度没有特别限定，在涂布包含剥离剂的溶液而形成剥离剂层的情况下，剥离剂层的厚度优选为0.01μm以上且2.0μm以下，更优选为0.03μm以上且1.0μm以下。
使用塑料膜作为剥离基材的情况下，该塑料膜的厚度优选为3μm以上且50μm以下，更优选为5μm以上且40μm以下。
具有剥离片的粘合片例如经过以下工序来制造。首先，在剥离片上涂布粘合剂组合物，形成涂膜，接着，使涂膜干燥，形成粘合剂层12。另外，如上述实施方式所说明的那样，在基材11的第一基材面11a上形成了低聚物密封层13。使剥离片上的粘合剂层12与基材11上的低聚物密封层13贴合。具有低聚物密封层14的方式的情况下，在基材11的两面形成了低聚物密封层13、14之后，将粘合剂层12与低聚物密封层13贴合。
对于上述实施方式而言，列举了密封树脂30的材质为热固化性树脂的情况为例进行了说明，但本发明并不限定于这样的方式。例如，密封树脂30也可以是利用紫外线等能量线固化的能量线固化性树脂。
对于上述实施方式而言，在半导体装置的制造方法的说明中，列举使框构件20粘贴于粘合片10的方式为例进行了说明，但本发明并不限定于这样的方式。粘合片10也可以在不使用框构件对半导体元件进行密封的半导体装置的制造方法中使用。
实施例
以下，列举实施例更详细地对本发明进行说明，但本发明并不受这些实施例的任何限定。
〔评价方法〕
粘合片的评价按照以下所示的方法来进行。
[残渣物的确认]
将半导体芯片粘贴于粘合片的粘合剂层，得到了带有半导体芯片的粘合片。
将该带有半导体芯片的粘合片在190℃及1小时的条件下进行了加热。加热后，将粘合片剥离。利用数码显微镜(KEYENCE公司制造、数码显微镜；VHX-1000)对剥离后的半导体芯片的被粘附面进行观察，确认了有无残渣，观察倍率设为500倍。将未确认到残渣物的情况判定为“A”，将确认到残渣物的情况判定为“B”。
需要说明的是，残渣物是否为来源于基材的低聚物的确认按照以下所示的方法进行。使用拉曼光谱分析法测定残渣物的光谱，由光谱与粘合片的基材的特征相符确认了残渣物是来源于基材的低聚物。
〔粘合片的制作〕
(实施例1)
(1)涂布用低聚物密封剂溶液的制备
配合下述(A)双酚A型环氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能氨基化合物及(D)酸性催化剂并充分地进行搅拌，制备了实施例1的涂布用低聚物密封剂溶液(低聚物密封层用组合物)。
(A)双酚A型环氧化合物
DIC公司制造的“EPICLON H-360”(商品名)、固体成分浓度：40质量％、重均分子量：25000
(B)聚酯化合物
东洋纺织株式会社制造的“VYLON GK680”(商品名)、数均分子量：6000、玻璃化转变温度：10℃
(C)多官能氨基化合物
六甲氧基甲基三聚氰胺、NIHON CYTEC INDUSTRIES INC.制造的“CYMEL 303”(商品名)
(D)酸性催化剂
对甲苯磺酸的甲醇溶液(固体成分浓度为50质量％)
具体地，在上述(A)双酚A型环氧化合物100质量份中加入上述(B)聚酯化合物的甲苯稀释溶液(固体成分浓度：30％)14.29质量份、及上述(C)六甲氧基甲基三聚氰胺11.4质量份，再用甲苯/甲乙酮＝50质量％/50质量％的混合溶剂进行稀释，使得固体成分为3质量％，并进行了搅拌。在搅拌后的溶液中添加(D)对甲苯磺酸的甲醇溶液(固体成分浓度为50质量％)2.9质量份(相对于(A)双酚A型环氧化合物100质量份)，得到了涂布用低聚物密封剂溶液。
(2)低聚物密封层的制作
利用迈勒棒涂布法将制备得到的涂布用低聚物密封剂溶液均匀涂布在双向拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(三菱树脂株式会社制造的“DIAFOIL T-100”(商品名)、厚度50μm、在100℃下的储能模量为3.2×109Pa)的一面，并使得干燥后的厚度为150nm。使涂布后的膜在烘箱的内部通过，使涂膜加热固化，得到了低聚物密封层。作为烘箱中的热风吹出条件，将温度设为150℃、将风速设为8m/min，作为在烘箱中的加工速度，调整为涂布后的膜以20秒钟通过烘箱内部。
(3)粘合剂组合物的制作
配合以下的材料(聚合物、粘合助剂、交联剂及稀释溶剂)并进行充分搅拌，制备了实施例1的涂布用粘合剂溶液(粘合剂组合物)。
·聚合物：丙烯酸酯共聚物、40质量份(固体成分)
将丙烯酸2-乙基己酯92.8质量％、丙烯酸2-羟基乙酯7.0质量％和丙烯酸0.2质量％共聚而制备了丙烯酸酯共聚物。
·粘合助剂：两末端为羟基的氢化聚丁二烯〔日本曹达株式会社制造；GI-1000〕、5质量份(固体成分)
·交联剂：具有六亚甲基二异氰酸酯的脂肪族类异氰酸酯(六亚甲基二异氰酸酯的三聚异氰酸酯型改性物)〔日本聚氨酯工业株式会社制造；Coronate HX〕、3.5质量份(固体成分)
·稀释溶剂：使用甲乙酮，将涂布用粘合剂液的固体成分浓度调整为30质量％。
(4)粘合剂层的制作
使用逗号刮刀涂布机(注册商标)将所制备的涂布用粘合剂溶液涂布在设有有机硅类剥离层的38μm的透明聚对苯二甲酸乙二醇酯膜剥离膜〔琳得科株式会社制造；SP-PET382150〕的剥离层面一侧，并使得干燥后的膜厚为50μm，在90℃下进行90秒钟的加热，接着在115℃下进行90秒钟的加热，使涂膜干燥。
(5)粘合片的制作
将剥离膜表面上所制作的粘合剂层与基材表面上所制作的低聚物密封层贴合，得到了实施例1的粘合片。
(实施例2)
对于实施例2的粘合片而言，除了粘合剂层所含的聚合物与实施例1不同以外，与实施例1同样地进行了制作。
实施例2中使用的聚合物是将丙烯酸2-乙基己酯80.8质量％、丙烯酸2-羟基乙酯7质量％、4-丙烯酰基吗啉12质量％和丙烯酸0.2质量％共聚而制备的。
(比较例1)
对于比较例1的粘合片而言，除了粘合剂层中所含的粘合助剂与实施例1不同、基材与实施例1不同、以及不具有低聚物密封层以外，与实施例1同样地进行了制作。
比较例1中使用的粘合助剂为乙酰柠檬酸三丁酯〔田冈化学工业株式会社制造〕。需要说明的是，乙酰柠檬酸三丁酯不具有上述的反应性基团。
比较例1中使用的基材为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜〔三菱树脂株式会社制造；PET50T-100、厚度50μm、在100℃下的储能模量为3.2×109Pa〕。将剥离膜表面上制作的粘合剂层与基材贴合，得到了比较例1的粘合片。
(比较例2)
对于比较例2的粘合片而言，除了粘合剂层中所含的粘合助剂与比较例1不同以外，与比较例1同样地进行了制作。
比较例2中使用的粘合助剂为两末端为羟基的氢化聚丁二烯〔日本曹达株式会社制造；GI-1000〕。
(比较例3)
对于比较例3的粘合片而言，除了粘合剂层中所含的粘合剂与实施例1不同、粘合剂层的厚度与实施例1不同、基材与实施例1不同、以及不具有低聚物密封层以外，与实施例1同样地进行了制作。
比较例3中使用了有机硅类粘合剂。
在比较例3中，配合以下成分：
有机硅类粘合剂Ad1(SD4580PSA)18质量份(固体成分)、
有机硅类粘合剂Ad2(SD4587L)40质量份(固体成分)、
催化剂Cat1(NC-25CAT)0.3质量份(固体成分)、
催化剂Cat2(CAT-SRX-212)0.65质量份(固体成分)、及
底层涂料(BY24-712)5质量份(固体成分)，进行充分搅拌，制备了涂布用粘合剂液(粘合剂组合物)。比较例3的粘合剂组合物所使用的材料均为道康宁东丽株式会社制造。
将比较例3的涂布用粘合剂液涂布在剥离膜的剥离层面一侧并进行干燥，使得干燥后的厚度为30μm，制作了粘合剂层。干燥条件为130℃及2分钟。比较例3中使用的基材使用的是聚对苯二甲酸乙二醇酯膜〔三菱树脂株式会社制造；DIAFOIL PET50 T-100、厚度50μm、在100℃下的储能模量为3.2×109Pa〕。将剥离膜表面上制作的粘合剂层与基材贴合，得到了比较例3的粘合片。
表1中示出了实施例1、实施例2、及比较例1～3的粘合片的评价结果。
[表1]
| 粘合剂 | 粘合剂层的厚度 | 低聚物密封层 | 残渣物确认结果 | |
| 实施例1 | 丙烯酸树脂类 | 50μm | 有 | A |
| 实施例2 | 丙烯酸树脂类 | 50μm | 有 | A |
| 比较例1 | 丙烯酸树脂类 | 50μm | 无 | B |
| 比较例2 | 丙烯酸树脂类 | 50μm | 无 | B |
| 比较例3 | 有机硅树脂类 | 30μm | 无 | B |
认为由于比较例1～3的粘合片由于在粘合剂层与基材之间不具有低聚物密封层，因此在暴露于190℃的高温条件下而在被粘附物(半导体芯片)表面析出了残渣物。
另一方面，认为实施例1及实施例2的粘合片由于在粘合剂层与基材之间具有低聚物密封层，因此即使暴露于190℃的高温条件下在被粘附物(半导体芯片)表面也未析出残渣物。
Claims (10)
1.一种粘合片，其是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的，该粘合片具有：
包含聚酯类树脂的基材、
包含粘合剂的粘合剂层、以及
设置于所述基材和所述粘合剂层之间的低聚物密封层。
2.根据权利要求1所述的粘合片，其中，
所述聚酯类树脂的质量在构成所述基材的材料的总质量中所占的比例为50质量％以上。
3.根据权利要求1所述的粘合片，其中，所述低聚物密封层的厚度为50nm以上且500nm以下。
4.根据权利要求1所述的粘合片，其中，所述低聚物密封层的厚度为80nm以上且300nm以下。
5.根据权利要求1所述的粘合片，其中，所述基材在100℃下的储能模量为1×107Pa以上。
6.根据权利要求1所述的粘合片，其中，所述粘合剂层含有丙烯酸类粘合剂组合物或有机硅类粘合剂组合物。
7.根据权利要求6所述的粘合片，其中，
所述粘合剂层含有所述丙烯酸类粘合剂组合物，
所述丙烯酸类粘合剂组合物包含以丙烯酸2-乙基己酯作为主要单体的丙烯酸类共聚物。
8.根据权利要求6所述的粘合片，其中，
所述粘合剂层含有所述有机硅类粘合剂组合物，
所述有机硅类粘合剂组合物包含加聚型有机硅树脂。
9.根据权利要求1所述的粘合片，其中，在所述基材的两面具有所述低聚物密封层。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的粘合片，所述粘合片用于在180℃以上且200℃以下的温度条件下对半导体原件进行密封。
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