TW201816756A - 顯示裝置 - Google Patents

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TW201816756A
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森田哲生
木村裕之
渋沢誠
田畠弘志
小川康宏
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日本顯示器股份有限公司
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Abstract

本發明之目的之一在於提供一種可賦予高品質之影像之像素電路及包含其之顯示裝置。 本發明之顯示裝置包含：驅動電晶體，其具有閘極及一對端子；第1開關電晶體，其具有閘極及一對端子；像素電晶體，其具有閘極及一對端子；保持電容，其具有一對端子；以及發光元件，其具有輸入端子及輸出端子。驅動電晶體之一對端子之一者與像素電晶體之一對端子之一者電性連接。驅動電晶體之一對端子之另一者與第1開關電晶體之一對端子之一者、及發光元件之輸入端子電性連接。第1開關電晶體之一對端子之另一者與驅動電晶體之閘極、及保持電容之一對端子之一者電性連接。保持電容之一對端子之一者與驅動電晶體之作用區域重疊。

Description

顯示裝置
本發明之實施形態之一係關於一種像素電路及顯示裝置，例如關於一種包含由有機電致發光(以下稱為「有機EL(Electroluminescence)」)材料構成之顯示元件的像素電路或包含其之顯示裝置。
作為顯示半導體特性之代表性之示例，可列舉矽(silicon)或鍺等第14族元素。尤其是，矽因易獲得性、易加工性、優異之半導體特性、易特性控制性等，而於以顯示裝置為代表之幾乎全部半導體器件中使用。與矽同樣地，氧化物、例如銦或鎵等第13族元素之氧化物亦顯示半導體特性，而可用於電晶體等半導體元件。例如，如日本專利特開2015-225104號公報、國際公開第2015-031037號公報、美國專利申請公開第2010/0182223號公報所揭示般，開發有包含含有矽之半導體(以下為矽半導體)之電晶體及包含氧化物半導體之電晶體之兩者組裝而成之半導體器件、及利用其之顯示裝置。
[解決問題之技術手段] 本發明之實施形態之一係如下顯示裝置，其包含：驅動電晶體，其具有閘極及一對端子；第1開關電晶體，其具有閘極及一對端子；像素電晶體，其具有閘極及一對端子；保持電容，其具有一對端子；以及發光元件，其具有輸入端子及輸出端子。驅動電晶體之一對端子之一者與像素電晶體之一對端子之一者電性連接。驅動電晶體之一對端子之另一者與第1開關電晶體之一對端子之一者、及發光元件之輸入端子電性連接。第1開關電晶體之一對端子之另一者與驅動電晶體之閘極、及保持電容之一對端子之一者電性連接。保持電容之一對端子之一者與驅動電晶體之作用區域重疊。 本發明之實施形態之一係如下顯示元件，其包含：驅動電晶體，其具有閘極及一對端子；第1開關電晶體，其具有閘極及一對端子；像素電晶體，其具有閘極及一對端子；參考電晶體，其具有閘極及一對端子；保持電容，其具有一對端子；以及發光元件，其具有輸入端子及輸出端子。驅動電晶體之一對端子之一者與第1開關電晶體之一對端子之一者、及發光元件之輸入端子電性連接。第1開關電晶體之一對端子之另一者與驅動電晶體之閘極、及保持電容之一對端子之一者電性連接。保持電容之一對端子之另一者與像素電晶體之一對端子之一者、及參考電晶體之一對端子之一者電性連接。保持電容之一對端子之一者與驅動電晶體之作用區域重疊。像素電晶體之作用區域、及參考電晶體之作用區域與第1開關電晶體之作用區域重疊。 本發明之實施形態之一係如下顯示裝置，其包含：驅動電晶體，其具有閘極及一對端子；第1開關電晶體，其具有閘極及一對端子；像素電晶體，其具有閘極及一對端子；參考電晶體，其具有閘極及一對端子；重置電晶體，其具有閘極及一對端子；保持電容，其具有一對端子；以及發光元件，其具有輸入端子及輸出端子。驅動電晶體之一對端子之一者與第1開關電晶體之一對端子之一者、及發光元件之輸入端子電性連接。第1開關電晶體之一對端子之另一者與驅動電晶體之閘極、及保持電容之一對端子之一者電性連接。保持電容之一對端子之另一者與像素電晶體之一對端子之一者、及參考電晶體之一對端子之一者電性連接。保持電容之一對端子之一者與驅動電晶體之作用區域重疊。像素電晶體之作用區域、參考電晶體之作用區域、及重置電晶體之作用區域與第1開關電晶體之作用區域重疊。
以下，一面參照圖式等，一面對本發明之各實施形態進行說明。但是，本發明可於不脫離其主旨之範圍內以各種態樣實施，並不限定於以下所例示之實施形態之記載內容而進行解釋。 圖式中，為了使說明更明確，存在相較於實際之態樣對各部分之寬度、厚度、形狀等模式性地表示之情形，但僅為一例，並不限定本發明之解釋。於本說明書及各圖中，存在對具有與關於已出現過之圖說明過之要素相同功能之要素標註相同之符號並省略重複之說明的情況。 於本發明中，於對某一膜進行加工而形成複數個膜之情形時，存在該等複數個膜具有不同功能、作用之情況。然而，該等複數個膜源自於同一步驟中形成為同一層之膜，具有相同之層構造、相同之材料。因此，該等複數個膜被定義為存在於同一層者。 於本說明書及申請專利範圍中，於表現在某構造體之上配置其他構造體之態樣時，在簡單記載為「於…上」之情形時，只要無特別限定，則包括以與某構造體接觸之方式於該構造體正上方配置其他構造體之情形、及於某構造體之上方進而介隔另外之構造體而配置其他構造體之情形兩者。 (第1實施形態) 圖1係本發明之第1實施形態之顯示裝置100之立體圖。顯示裝置100係於基板110之一面(上表面)具有具備於列方向及行方向上配置之複數個像素106之像素區域108、掃描線驅動電路102、資料線驅動電路104。像素區域108、掃描線驅動電路102、資料線驅動電路104設置於基板110與對向基板112之間。來自外部電路(未圖示)之各種信號經由連接於設置在基板110上之端子114之軟性印刷電路(FPC)等連接器而被輸入至掃描線驅動電路102或資料線驅動電路104，基於該等信號控制各像素106。 於複數個像素106可設置賦予互不相同之顏色之有機發光元件或液晶元件等顯示元件，藉此，可進行全彩顯示。例如，可將賦予紅色、綠色、或藍色之顯示元件分別設置於三個像素106。或者，亦可於全部像素106中使用賦予白色之顯示元件，並使用彩色濾光片針對各像素106提取出紅色、綠色、或藍色而進行全彩顯示。最終提取出之顏色並不限於紅色、綠色、藍色之組合。例如，亦可自四個像素106分別提取出紅色、綠色、藍色、白色4種顏色。像素106之排列亦無限制，可採用條狀排列、三角形排列、Pentile排列等。再者，於本說明書中，對包含有機發光元件(以下簡單地記載為發光元件)作為設置於像素106之顯示元件之例進行說明。 圖2係顯示裝置100之像素區域108之模式圖。顯示裝置100係採用主動矩陣型驅動方式之有機EL顯示裝置。於像素區域108內，沿著相互正交之X方向及Y方向，複數個像素106呈矩陣狀地配置，於各像素106設置像素電路PX。以下，對該矩陣為N列M行之正方排列進行說明。 於各像素電路PX之內部，如下所述，發光元件OLED逐一配置。掃描線驅動電路102及資料線驅動電路104發揮藉由驅動各像素電路PX內之發光元件OLED使之發光而形成影像之作用。 若具體地進行說明，則掃描線驅動電路102構成為對位於構成於像素區域108內之矩陣之第n列之複數個像素電路PX共通地供給掃描信號Scan[n]、掃描信號Scan[n]之反相信號/Scan[n]、及發射信號Emit[n]。n為1至N(矩陣之列數)之整數。掃描信號Scan[n]亦被供給至位於第n+1列之複數個像素電路PX。 資料線驅動電路104構成為對位於構成於像素區域108內之矩陣之第m行之複數個像素電路PX共通地供給影像信號Vsig[m]及重置信號Vrst[m]。m係1至M(矩陣之行數)之整數。於以下之說明中，將影像信號Vsig[m]及重置信號Vrst[m]之電位分別記載為Vsig[m]及Vrst[m]。此方面對於下述其他信號亦相同。又，資料線驅動電路104構成為經由高電位電源配線對各像素電路PX供給電源電位PVDD。再者，雖於圖2中未表示，但於像素區域108內配置有對於像素電路PX共通地設置之共通電極，資料線驅動電路104構成為對該共通電極供給接地電位PVSS。 圖3A係圖2所示之像素電路PX之等效電路。於該圖中，表示了位於構成於像素區域108內之矩陣之n列m行之像素電路PX(n，m)，其他像素電路PX亦相同。 如圖3A所示，像素電路PX除了包含發光元件OLED以外，亦包含驅動電晶體DRT、像素電晶體SST、重置電晶體RST、第1輸出電晶體BCT1、第2輸出電晶體BCT2、第1開關電晶體TCT、第2開關電晶體ICT、及保持電容Cs。該等電晶體之任一者均具有閘極及一對端子，保持電容Cs具有一對端子。 驅動電晶體DRT之一端子(源極)經由第2輸出電晶體BCT2而連接於被供給電源電位PVDD之高電位電源配線。另一方面，驅動電晶體DRT之另一端子(汲極)經由第1輸出電晶體BCT1而連接於發光元件OLED之輸入端子。發光元件OLED之輸出端子連接於被供給接地電位PVSS之上述共通電極。再者，接地電位PVSS並非必須為接地電位，只要為低於電源電位PVDD之固定電壓即可。 又，驅動電晶體DRT之一端子亦經由像素電晶體SST而連接於影像信號Vsig[m]之輸入端子。又，發光元件OLED之輸入端子經由重置電晶體RST而連接於重置信號Vrst[m]之輸入端子。 第1開關電晶體TCT連接於驅動電晶體DRT之閘極及另一端子之間。即，第1開關電晶體TCT之一端子連接於驅動電晶體DRT之閘極，另一端子連接於驅動電晶體DRT之另一端子。另一方面，第2開關電晶體ICT連接於驅動電晶體DRT之閘極與重置信號Vrst[m]之輸入端子之間。即，第2開關電晶體ICT之一端子連接於驅動電晶體DRT之閘極，另一端子連接於重置信號Vrst[m]之輸入端子。 保持電容Cs連接於驅動電晶體DRT之閘極與被供給電源電位PVDD之高電位電源配線之間。即，保持電容Cs之一端子連接於驅動電晶體DRT之閘極，另一端子連接於被供給電源電位PVDD之高電位電源配線。 第1輸出電晶體BCT1之一端子及另一端子分別連接於驅動電晶體DRT之另一端子及發光元件OLED之輸入端子。第2輸出電晶體BCT2之一端子及另一端子分別與被供給電源電位PVDD之高電位電源配線及驅動電晶體DRT之一端子連接。像素電晶體SST之一端子及另一端子分別與影像信號Vsig[m]之輸入端子及驅動電晶體DRT之一端子連接。 上述各電晶體中之驅動電晶體DRT、像素電晶體SST、重置電晶體RST、第1輸出電晶體BCT1、及第2輸出電晶體BCT2可具有含有矽(silicon)之通道區域。於本實施形態中，該等電晶體之任一者均記載為p通道型之場效電晶體，但亦可將其等之一部分設為n通道型之場效電晶體。此種形態將於下文進行敍述。進而，該等電晶體之通道區域可具有選自單晶、多晶、微晶、或非晶中之各種形態。例如，亦可具有以相對低溫使非晶矽結晶化而獲得之多晶之形態(低溫多晶矽(LTPS))。於本實施形態中，記載驅動電晶體DRT、像素電晶體SST、重置電晶體RST、第1輸出電晶體BCT1、及第2輸出電晶體BCT2之通道區域含有多晶矽之例。以下，將於通道區域中含有矽之場效電晶體記載於矽電晶體。尤其是，將於通道區域含有多晶矽之場效電晶體記載為多晶矽電晶體。 相對於此，第1開關電晶體TCT及第2開關電晶體ICT可具有含有氧化物半導體之通道區域，能夠作為n通道型之場效電晶體發揮功能。第1開關電晶體TCT及第2開關電晶體ICT之通道區域之結晶性亦無限定，亦可具有單晶、多晶、微晶、非晶中之任一形態。以下，將於通道區域具有氧化物半導體之場效電晶體記載為氧化物半導體電晶體。於圖3A、圖4A、圖5A、圖6A、圖7A、圖8A、圖9A、圖10A、圖11A、圖12A中，氧化物半導體電晶體係以虛線之四邊形包圍。 對第1開關電晶體TCT之閘極供給掃描信號Scan[n]。另一方面，對第2開關電晶體ICT之閘極供給與位於第n-1列之像素電路PX對應之掃描信號Scan[n-1]。又，對像素電晶體SST及重置電晶體RST之閘極分別供給掃描信號Scan[n]之反相信號/Scan[n]、掃描信號Scan[n-1]之反相信號/Scan[n-1]，對第1輸出電晶體BCT1及第2輸出電晶體BCT2之閘極共通地供給發射信號Emit[n]。 圖3B係表示圖3A所示之各信號之時間變化之時序圖。以下，一面參照該圖，一面對像素電路PX之動作進行說明。再者，以下將作用狀態與高位準建立對應關係進行說明，關於將高位準與低位準中之哪一者稱為作用狀態，針對各信號而言為任意。 如圖3B所示，將掃描信號Scan[n]以水平掃描期間H之間隔自n=1至n=N依序呈脈衝狀地活化。各者之活化期間較水平掃描期間H之時間長度短。若著眼於像素電路PX(n，m)，則首先藉由將掃描信號Scan[n-1]活化，將掃描信號Scan[n-1]之反相信號/Scan[n-1]去活，而使第2開關電晶體ICT及重置電晶體RST成為接通狀態(重置期間P1)。此時，掃描信號Scan[n]為非作用狀態，掃描信號Scan[n]之反相信號/Scan[n]為作用狀態，故而第1開關電晶體TCT及像素電晶體SST均為斷開狀態。又，發射信號Emit[n]先於掃描信號Scan[n-1]被活化，且維持其作用狀態直至掃描信號Scan[n+1]活化。因此，於重置期間P1，第1輸出電晶體BCT1及第2輸出電晶體BCT2亦斷開。 如此，於重置期間P1，僅第2開關電晶體ICT及重置電晶體RST成為接通，而對驅動電晶體DRT之閘極供給重置信號Vrst[m]。藉此，將驅動電晶體DRT之閘極之電位(閘極電位)重置為Vrst[m]。又，將保持電容Cs之兩端間電位差重置為PVDD-Vrst[m]。 繼而，若掃描信號Scan[n]活化，則第1開關電晶體TCT成為接通狀態(寫入期間P2)。此時，掃描信號Scan[n]之反相信號/Scan[n]成為非作用，掃描信號Scan[n-1]之反相信號/Scan[n-1]成為作用，故而重置電晶體RST斷開，像素電晶體SST接通。另一方面，由於掃描信號Scan[n-1]為非作用狀態，故而第2開關電晶體ICT斷開，又，由於發射信號Emit[n]繼續為作用狀態，故而第1輸出電晶體BCT1及第2輸出電晶體BCT2亦斷開。 於寫入期間P2，對驅動電晶體DRT之一端子(源極)供給影像信號Vsig[m]，而驅動電晶體DRT之閘極及一端子(汲極)之電位均成為Vsig[m]-Vth(n，m)。其中，Vth(n，m)係像素電路PX(n，m)之驅動電晶體DRT之閾值電壓。此時，保持電容Cs之兩端間電位差成為PVDD-(Vsig[m]-Vth(n，m))。 繼而，若發射信號Emit[n]成為非作用，則第1輸出電晶體BCT1及第2輸出電晶體BCT2接通(輸出期間P3)。又，像素電晶體SST、重置電晶體RST、第1開關電晶體TCT、第2開關電晶體ICT均斷開。藉此，驅動電晶體DRT之閘極之電位(閘極電位)實質上等於Vsig[m]，而自驅動電晶體DRT之閘極電位消除Vth(n，m)之影響。因此，驅動電晶體DRT之汲極電流之強度成為與Vsig[m]相應之值，故而發光元件OLED以與Vsig[m]相應之強度發光。如此，實現以與影像信號Vsig[m]相應之強度發光。 然，為了使發光元件OLED持續以固定之強度發光，必須於發光元件OLED發光期間(即，持續1圖框期間)，將驅動電晶體DRT之閘極電位保持為Vsig[m]。其原因在於，因第1開關電晶體TCT及第2開關電晶體ICT各自之斷態電流導致驅動電晶體DRT之閘極電位逐漸降低，藉由設置保持電容Cs補償該降低量，而將驅動電晶體DRT之閘極電位維持為Vsig[m]。然而，伴隨著像素之高精細化，保持電容Cs之靜電電容產生制約，僅藉由保持電容Cs難以補償上述降低量。 根據本實施形態，如上所述，第1開關電晶體TCT及第2開關電晶體ICT之各通道區域可包含氧化物半導體。氧化物半導體電晶體相較於矽電晶體而言漏電流較小。因此，即便保持電容Cs之靜電電容較小，或者不設置保持電容Cs，亦可抑制驅動電晶體DRT之閘極電位之降低。藉此，可使發光元件OLED持續以固定之強度發光，故而可抑制閃爍或縱向串擾，而獲得高品質之影像。又，由於可長期維持驅動電晶體DRT之閘極電位，故而可降低影像信號Vsig之寫入頻率，其結果可減少顯示裝置100之消耗電力。 再者，於藉由多晶矽形成本實施形態之除第1及第2開關電晶體TCT、ICT以外之電晶體之情形時，可減小像素電路之面積。進而，於藉由n通道型之氧化物半導體電晶體、及p通道型之多晶矽電晶體形成作為周邊電路之掃描線驅動電路102或資料線驅動電路104之情形時，由於無需n通道型之多晶矽電晶體之形成步驟，故而可削減製程成本。又，於藉由n及p通道型之多晶矽電晶體形成掃描線驅動電路102或資料線驅動電路104之情形時，可減小周邊電路之面積，從而可減小邊框區域。 (第2實施形態) 於本實施形態中，使用圖4A、圖4B，對具有與第1實施形態不同之構成之像素電路PX、及包含其之顯示裝置進行說明。圖4A係本發明之第2實施形態之像素電路PX之等效電路，圖4B係表示圖4A所示之各信號之時間變化之時序圖。存在對於與第1實施形態相同或類似之構成省略說明之情況。 如將圖4A、圖4B與圖3A、圖3B分別進行比較而理解般，本實施形態之像素電路PX與第1實施形態之像素電路PX之不同點在於：將重置電晶體RST及像素電晶體SST之通道型設為n通道型，對重置電晶體RST之閘極供給掃描信號Scan[n-1]，對像素電晶體SST之閘極供給掃描信號Scan[n]。 根據本實施形態，藉由如圖4A所示般對重置電晶體RST之閘極供給掃描信號Scan[n-1]，對像素電晶體SST之閘極供給與第1開關電晶體TCT之閘極相同之掃描信號Scan[n]，可實現與第1實施形態之顯示裝置100相同之動作。又，由於無需掃描信號Scan[n]之反相信號/Scan[n]，故而無需用以將反相信號/Scan[n]自掃描線驅動電路102供給至各像素電路PX之配線(參照圖2)。因此，根據本實施形態，即便保持電容Cs之靜電電容較小，或者省略保持電容Cs，亦能夠一面保持可抑制驅動電晶體DRT之閘極電位之降低之與第1實施形態相同之效果，一面獲得顯示裝置100之小型化之進一步之效果。又，與第1實施形態同樣地，可藉由作為氧化物半導體電晶體之第1開關電晶體TCT、第2開關電晶體ICT長期維持驅動電晶體DRT之閘極電位，故而可降低影像信號Vsig之寫入頻率，其結果，可減少顯示裝置100之消耗電力。 再者，於本實施形態中，亦可於藉由多晶矽形成除第1及第2開關電晶體TCT、ICT以外之電晶體之情形時，減小像素電路之面積。進而，於藉由n及p通道型之多晶矽電晶體形成掃描線驅動電路102或資料線驅動電路104之情形時，可減小周邊電路之面積，從而可減小邊框區域。 (第3實施形態) 於本實施形態中，使用圖5A、圖5B，對具有與第1、第2實施形態不同之構成之像素電路PX、及包含其之顯示裝置進行說明。圖5A係本發明之第3實施形態之像素電路PX之等效電路，圖5B係表示圖5A所示之各信號之時間變化之時序圖。存在對於與第1、第2實施形態相同或類似之構成省略說明之情況。 如將圖5A、圖5B與圖4A、圖4B分別進行比較而理解般，本實施形態之像素電路PX與第1實施形態之像素電路PX之不同點在於：將影像信號Vsig[m]輸入至驅動電晶體DRT之閘極。具體而言，如圖5A所示，本實施形態之像素電路PX之具體之構成與第1實施形態之像素電路PX之不同點在於：不設置第2輸出電晶體BCT2，增加具有閘極及一對端子之參考電晶體RCT。再者，於本實施形態及以後之實施形態中，存在將第1輸出電晶體BCT1簡單地記載為輸出電晶體BCT之情況。 於本實施形態中，驅動電晶體DRT之一端子直接連接於被供給電源電位PVDD之高電位電源配線。又，保持電容Cs之另一端共通連接於像素電晶體SST及參考電晶體RCT各自之一端子。像素電晶體SST之另一端子連接於影像信號Vsig[m]之輸入端子，參考電晶體RCT之另一端子連接於參考信號Vref[m]之輸入端子。對參考電晶體RCT之閘極，與第1開關電晶體TCT之閘極共通地供給掃描信號Scan[n]。再者，參考信號Vref[m]雖於圖2中未圖示，但與影像信號Vsig[m]同樣為自資料線驅動電路104對m行之像素電路PX共通地被供給之信號。 參考電晶體RCT與驅動電晶體DRT、像素電晶體SST、重置電晶體RST、及輸出電晶體BCT同樣地，可設為具有含有矽之通道區域之p通道型之場效電晶體。 使用圖5B所示之時序圖，對本變更例之像素電路Px(n、m)之動作進行說明。如圖5B所示，將掃描信號Scan[n]及其反相信號/Scan[n]以特定之水平掃描期間H之間隔自n=1至n=N依序呈脈衝狀地活化。 首先，於像素電路Px(n、m)之重置期間P1，將前列之掃描信號Scan[n-1]活化，將其反相信號/Scan[n-1]去活。藉由將Scan[n-1]活化，第2開關電晶體ICT成為接通，藉由將掃描信號/Scan[n-1]去活，重置電晶體RST亦成為接通。由於在重置期間P1之前掃描信號Scan[n]成為非作用狀態，故而參考電晶體RCT維持接通狀態，第1開關電晶體TCT維持斷開狀態。相反，由於掃描信號/Scan[n]成為作用狀態，故而像素電晶體SST維持斷開狀態。同樣地，於重置期間P1之前發射信號Emit[n]亦活化，故而輸出電晶體BCT亦維持斷開之狀態。 於重置期間P1，第2開關電晶體ICT、重置電晶體RST、參考電晶體RCT為接通狀態，故而對驅動電晶體DRT之閘極及發光元件OLED之陽極分別經由第2開關電晶體ICT及重置電晶體RST賦予Vrst[m]而進行重置。對保持電容Cs之一端子經由第2開關電晶體ICT賦予Vrst[m]，對另一端子經由參考電晶體RCT而賦予Vref[m]。 於重置期間P1結束繼而寫入期間P2開始之階段，如圖5B所示，掃描信號Scan[n-1]成為非作用，其反相信號/Scan[n-1]成為作用，Scan[n]成為作用，其反相信號/Scan[n]成為非作用。其結果，第2開關電晶體ICT、重置電晶體RST、參考電晶體RCT變化為斷開狀態，像素電晶體SST及第1開關電晶體TCT變化為接通狀態。由於發射信號Emit[n]保持作用狀態，故而輸出電晶體BCT維持斷開狀態。由於驅動電晶體DRT之源極直接連接於高電位電源配線，故而驅動電晶體DRT之閘極、及汲極之電位均變化為PVDD-Vth(n、m)。另一方面，對保持電容Cs之另一端子供給Vsig[m]。因此，保持電容Cs之兩端間電位差成為Vsig-(PVDD-Vth(n、m))。 於寫入期間P2結束繼而輸出期間P3開始之階段，如圖5B所示，掃描信號Scan[n]成為非作用，其反相信號/Scan[n]成為作用。其結果，像素電晶體SST及第1開關電晶體TCT變化為斷開狀態，並且參考電晶體RCT及輸出電晶體BCT變化為接通狀態。保持電容Cs之另一端子與參考信號Vref[m]之輸入端子電性連接，而被賦予Vref[m]。由於維持寫入期間P2之兩端間電位差Vsig-(PVDD-Vth(n、m))，故而輸出期間P3之保持電容Cs之一端子、及驅動電晶體DRT之閘極電位成為Vref-(Vsig-(PVDD-Vth(n、m)))、即Vref-Vsig+PVDD-Vth(n、m)。由於寫入期間P2之驅動電晶體DRT之汲極之電位為PVDD-Vth(n、m)，故而輸出期間P3之驅動電晶體DRT之閘極與源極間電壓Vgs成為(Vref-Vsig+PVDD-Vth(n、m))-(PVDD-Vth(n、m))、即Vref-Vsig，而不依存於Vth(n、m)。 如此般，能夠以消除了閾值Vth(n、m)之電壓將驅動電晶體DRT驅動。可不受閾值Vth(n、m)之差異之影響而藉由不依存於Vth(n、m)之電流量驅動發光元件OLED，故而可抑制像素電路Px(n、m)間亮度不均，再現高品質之影像。 於本實施形態之像素電路PX及具備該像素電路PX之顯示裝置100中，亦可為，連接於驅動電晶體DRT之閘極之第1開關電晶體TCT及第2開關電晶體ICT之通道區域包含氧化物半導體。因此，與第1實施形態同樣地，即便保持電容Cs之靜電電容較小，或者不設置電容Cs，亦可抑制驅動電晶體DRT之閘極電位之降低。又，由於可藉由作為氧化物半導體電晶體之第1開關電晶體TCT、第2開關電晶體ICT長期維持驅動電晶體DRT之閘極電位，故而可降低影像信號Vsig之寫入頻率，其結果，可減少顯示裝置100之消耗電力。 再者，於藉由多晶矽形成本實施形態之除第1及第2開關電晶體TCT、ICT以外之電晶體之情形時，可減小像素電路之面積。進而，於藉由n通道型之氧化物半導體電晶體、及p通道型之多晶矽電晶體形成掃描線驅動電路102或資料線驅動電路104之情形時，由於無需n通道型之多晶矽電晶體之形成步驟，故而可削減製程成本。又，於藉由n及p通道型之多晶矽電晶體形成掃描線驅動電路102或資料線驅動電路104之情形時，可減小周邊電路之面積，從而可減小邊框區域。 (第4實施形態) 於本實施形態中，使用圖6A、圖6B，對具有與第1至第3實施形態不同之構成之像素電路PX及具有該像素電路PX之顯示裝置進行說明。存在對於與第1至第3實施形態相同或類似之構成省略說明之情況。 圖6A係本發明之第4實施形態之像素電路PX之等效電路，圖6B係表示圖6A所示之各信號之時間變化之時序圖。 如將圖6A、圖6B與圖5A、圖5B分別進行比較而理解般，本實施形態之像素電路PX與第3實施形態之像素電路PX之不同點在於：將重置電晶體RST及像素電晶體SST之通道型設為n通道型，且對重置電晶體RST之閘極供給掃描信號Scan[n-1]，對像素電晶體SST之閘極供給掃描信號Scan[n]。因此，可實現與第3實施形態之顯示裝置100相同之動作。其結果，無需掃描信號Scan[n]之反相信號/Scan[n]，故而無需用以將反相信號/Scan[n]自掃描線驅動電路102供給至各像素電路PX之配線(參照圖2)。因此，根據本實施形態，即便保持電容Cs之靜電電容較小，或者不設置保持電容Cs，亦能夠一面保持可抑制驅動電晶體DRT之閘極電位降低之與第3實施形態相同之效果，一面獲得顯示裝置100之小型化之進一步之效果。又，由於可藉由作為氧化物半導體電晶體之第1開關電晶體TCT、第2開關電晶體ICT而長期維持驅動電晶體DRT之閘極電位，故而可降低影像信號Vsig之寫入頻率，其結果，可減少顯示裝置100之消耗電力。 再者，於本實施形態中，於藉由多晶矽形成除第1及第2開關電晶體TCT、ICT以外之電晶體之情形時，亦可減小像素電路之面積。進而，於藉由n及p通道型之多晶矽電晶體形成掃描線驅動電路102或資料線驅動電路104之情形時，可減小周邊電路之面積，從而可減小邊框區域。 (第5實施形態) 於本實施形態中，使用圖7A、圖7B，對具有與第1至第4實施形態不同之構成之像素電路PX、及具有該像素電路PX之顯示裝置進行說明。存在對於與第1至第4實施形態相同或類似之構成省略說明之情況。 圖7A係本發明之第5實施形態之像素電路PX之等效電路，圖7B係表示圖7A所示之各信號之時間變化之時序圖。 如將圖7A、圖7B與圖5A、圖5B分別進行比較而理解般，本實施形態之像素電路PX與第3實施形態之像素電路PX之不同點在於：未設置第2開關電晶體ICT、及發射信號Emit[n]之活化時點成為對應之掃描信號Scan[n]之活化後。以下，以不同點為中心，對本實施形態之像素電路PX詳細地進行說明。 如圖7B所示，於本實施形態中，掃描信號Scan[n]活化後至發射信號Emit[n]活化為止之期間成為重置期間P1，發射信號Emit[n]活化後至掃描信號Scan[n]恢復至非作用為止之期間成為寫入期間P2。 於重置期間P1，驅動電晶體DRT及參考電晶體RCT成為斷開狀態，重置電晶體RST、輸出電晶體BCT、第1開關電晶體TCT、及像素電晶體SST成為接通狀態，故而對驅動電晶體DRT之閘極及電容Cs之一端子供給重置信號Vrst[m]。同時，對電容Cs之另一端子賦予Vsig[m]。其與圖5A、圖5B所示之第3實施形態中掃描信號Scan[n-1]活化而第2開關電晶體ICT成為接通之狀態相同。因此，驅動電晶體DRT之閘極電位及保持電容Cs之兩端間電位差被重置。保持電容Cs之兩端間電位差成為Vsig[m]-Vrst[m]。此處，於重置信號Vrst[m]之電位為0 V、電源電位PVDD之電位為10 V左右之情形時，由其等之電位差決定驅動電晶體DRT之閘極與另一端子(汲極)之電位。因此，雖程度不明確，但驅動電晶體DRT雖為斷開狀態但取某種程度之接通狀態、或者接近接通之狀態。 於寫入期間P2，掃描信號Scan[n]、及掃描信號Scan[n+1]之反相信號/Scan[n+1]維持作用狀態，掃描信號Scan[n]之反相信號/Scan[n]及掃描信號Scan[n+1]維持非作用狀態，另一方面，發射信號Emit[n]被活化。因此，驅動電晶體DRT、參考電晶體RCT、及輸出電晶體BCT成為斷開，重置電晶體RST、第1開關電晶體TCT、及像素電晶體SST維持接通狀態。藉由輸出電晶體BCT變化為斷開狀態，驅動電晶體DRT之閘極與另一端子(汲極)、及電容Cs之一端子之電位上升至PVDD-Vth(n、m)。因此，電容Cs之兩端子間之電位差成為Vsig[m]-(PVDD-Vth(n、m))。 於寫入期間P2結束至輸出期間P3開始為止之期間，掃描信號Scan[n]、及掃描信號Scan[n+1]之反相信號/Scan[n+1]成為非作用，另一方面，掃描信號Scan[n]之反相信號/Scan[n]及掃描信號Scan[n+1]成為作用。藉此，第1開關電晶體TCT、像素電晶體SST、及重置電晶體RST切換為斷開狀態，並且參考電晶體RCT切換為接通狀態。其結果，對電容Cs之另一端子供給參考信號Vref[m]。於該期間之前之寫入期間P2，驅動電晶體DRT之閘極之電位成為PVDD-Vth(n、m)，又，電容Cs之兩端子間之電位差被維持，故而藉由耦合，驅動電晶體DRT之閘極之電位變化為Vref[m]-(Vsig[m]-(PVDD-Vth(n、m))、即Vref[m]-Vsig[m]+PVDD-Vth(n、m))。另一方面，由於第1開關電晶體TCT為斷開狀態，故而驅動電晶體DRT之另一端子(汲極)之電位為PVDD-Vth(n、m)。因此，驅動電晶體DRT之閘極與另一端子(汲極)間之電位差成為Vref[m]-Vsig[m]，不包含Vth(n、m)。換言之，驅動電晶體DRT之閘極與另一端子(汲極)間之電位差不依存於Vth(n、m)。 於接下來之輸出期間P3，發射信號Emit[n]成為非作用，第1開關電晶體TCT轉變為接通狀態。其結果，於驅動電晶體DRT中，流通依存於閘極與另一端子(汲極)間之電位差Vref[m]-Vsig[m]之電流，且該電流被供給至發光元件OLED。 如此般，能夠以消除了閾值Vth(n、m)之電壓將驅動電晶體DRT驅動。可不受閾值Vth(n、m)之差異之影響而藉由不依存於Vth(n、m)之電流量驅動發光元件OLED，故而可抑制像素電路Px(n、m)間亮度不均，再現高品質之影像。 於本實施形態中，亦與第3實施形態同樣地，即便保持電容Cs之靜電電容較小，或者不設置保持電容Cs，亦能夠獲得可抑制驅動電晶體DRT之閘極電位之降低之效果。又，由於可藉由作為氧化物半導體電晶體之第1開關電晶體TCT長期維持驅動電晶體DRT之閘極電位，故而可降低影像信號Vsig之寫入頻率，其結果，可減少顯示裝置100之消耗電力。 再者，於藉由多晶矽形成除第1開關電晶體TCT以外之電晶體之情形時，可減小像素電路之面積。進而，於藉由n通道型之氧化物半導體電晶體、及p通道型之多晶矽電晶體形成掃描線驅動電路102或資料線驅動電路104之情形時，由於無需n通道型之多晶矽電晶體之形成步驟，故而可削減製程成本。又，於藉由n及p通道型之多晶矽電晶體形成掃描線驅動電路102或資料線驅動電路104之情形時，可減小周邊電路之面積，從而可減小邊框區域。 (第6實施形態) 於本實施形態中，使用圖8A、圖8B，對具有與第1至第5實施形態不同之構成之像素電路PX、及具有該像素電路PX之顯示裝置進行說明。存在對於與第1至第5實施形態相同或類似之構成省略說明之情況。圖8A係本發明之第6實施形態之像素電路PX之等效電路，圖8B係表示圖8A所示之各信號之時間變化之時序圖。 如將圖8A、圖8B與圖7A、圖7B分別進行比較而理解般，本實施形態之像素電路PX與第5實施形態之像素電路PX之不同點在於：將重置電晶體RST及像素電晶體SST之通道型設為n通道型，對重置電晶體RST及像素電晶體SST之閘極供給掃描信號Scan[n]。藉此，可實現與第5實施形態之顯示裝置100相同之動作。其結果，無需掃描信號Scan[n]之反相信號/Scan[n]，故而無需用以將反相信號/Scan[n]自掃描線驅動電路102供給至各像素電路PX之配線(參照圖2)。因此，根據本實施形態，即便保持電容Cs之靜電電容較小，或者不設置保持電容Cs，亦能夠一面保持可抑制驅動電晶體DRT之閘極電位之降低之與第5實施形態相同之效果，一面獲得顯示裝置100之小型化之進一步之效果。又，由於可藉由作為氧化物半導體電晶體之第1開關電晶體TCT長期維持驅動電晶體DRT之閘極電位，故而可降低影像信號Vsig之寫入頻率，其結果，可減少顯示裝置100之消耗電力。 再者，於本實施形態中，亦可於藉由多晶矽形成除第1及第2開關電晶體TCT、ICT以外之電晶體之情形時，減小像素電路之面積。進而，於藉由n及p通道型之多晶矽電晶體形成掃描線驅動電路102或資料線驅動電路104之情形時，可減小周邊電路之面積，從而可減小邊框區域。 (第7實施形態) 圖9A係本發明之第7實施形態之像素電路PX之等效電路，圖9B係表示圖9A所示之各信號之時間變化之時序圖。 於本實施形態中，使用圖9A、圖9B，對具有與第1至第6實施形態不同之構成之像素電路PX、及具有該像素電路PX之顯示裝置進行說明。存在對於與第1至第6實施形態相同或類似之構成省略說明之情況。 如將圖9A、圖9B與圖2至圖7B之對應之圖進行比較而理解般，本實施形態之像素電路PX與第1至第6實施形態之不同點係驅動電晶體DRT為n通道型，伴隨於此，電路之整體構成及所使用之信號亦不同。以下，以不同點為中心，對本實施形態之像素電路PX詳細地進行說明。 如圖9A所示，本實施形態之像素電路PX包含發光元件OLED、驅動電晶體DRT、像素電晶體SST、重置電晶體RST、輸出電晶體BCT、保持電容Cs、及附加電容Cel。再者，於發光元件OLED之電容充分大之情形時，亦可不設置附加電容Cel。 驅動電晶體DRT之一端子(汲極)經由輸出電晶體BCT而連接於被供給電源電位PVDD之高電位電源配線。另一方面，驅動電晶體DRT之另一端子(源極)連接於發光元件OLED之輸入端子及附加電容Cel之一端子。發光元件OLED之輸出端子及附加電容Cel之另一端子連接於被供給接地電位PVSS之共通電極。 發光元件OLED之輸入端子經由重置電晶體RST亦連接於圖2所示之重置信號Vrst[m]之輸入端子。即，重置電晶體RST之一端子連接於發光元件OLED之輸入端子，另一端子連接於重置信號Vrst[m]之輸入端子。 像素電晶體SST連接於影像信號Vsig[m]之輸入端子與驅動電晶體DRT之閘極之間。即，像素電晶體SST之一端子連接於影像信號Vsig[m]之輸入端子，另一端子連接於驅動電晶體DRT之閘極。 此處，本實施形態之資料線驅動電路104(圖2)構成為對與影像信號Vsig[m]相同之配線分時供給初始化信號Vini[m]。因此，影像信號Vsig[m]之輸入端子兼作初始化信號Vini[m]之輸入端子。 保持電容Cs連接於驅動電晶體DRT之閘極及另一端子(連接於發光元件OLED之輸入端子之端子)之間。即，保持電容Cs之一端子連接於驅動電晶體DRT之閘極，另一端子連接於驅動電晶體DRT之另一端子。 於本實施形態中，驅動電晶體DRT、重置電晶體RST、輸出電晶體BCT可設為具有含有如LTPS之矽之通道區域的n通道型之場效電晶體。另一方面，像素電晶體SST可設為具有包含氧化物半導體之通道區域之n通道型之場效電晶體。 本實施形態之掃描線驅動電路102(圖2)構成為代替掃描信號Scan[n]、掃描信號Scan[n]之反相信號/Scan[n]及發射信號Emit[n]而將控制信號BG[n]、RG[n]、SG[n]供給至各像素電路PX。對輸出電晶體BCT之閘極供給控制信號BG[n]，對重置電晶體RST之閘極供給控制信號RG[n]，對像素電晶體SST之閘極供給控制信號SG[n]。 以下，參照圖9B所示之時序圖，對第n列之像素電路PX之驅動進行說明。 首先，控制信號BG[n]、RG[n]、SG[n]分別切換為非作用、作用、非作用之狀態，開始重置操作。藉此，像素電晶體SST及重置電晶體RST成為接通，輸出電晶體BCT成為斷開。此時，初始化信號Vini[m]經由像素電晶體SST被供給至驅動電晶體DRT之閘極及保持電容Cs之一端子。另一方面，對保持電容Cs之另一端子、驅動電晶體DRT之另一端子(源極)、發光元件OLED之輸入端子、及附加電容Cel之一端子，經由重置電晶體RST供給重置信號Vrst[m]。藉由該等操作，驅動電晶體DRT之閘極之電位(Vg)及保持電容Cs之兩端間電位差被重置。此時，驅動電晶體DRT之閘極與源極間之電位差Vgs成為Vrst-Vini。 繼而，一面維持控制信號SG[n]之狀態及初始化信號Vini[m]之供給，一面將控制信號BG[n]、RG[n]之狀態分別變更為作用、非作用，從而像素電晶體SST及輸出電晶體BCT成為接通狀態，重置電晶體RST成為斷開狀態。藉此，於驅動電晶體DRT之源極與汲極間產生電位差，而流通電流。該電流流動直至於保持電容Cs儲存相當於驅動電晶體DRT之閾值Vth(n、m)之電荷，即，直至驅動電晶體DRT之源極電位(Vs)變得較Vg低Vth(n、m)之程度，從而達到穩定狀態。因此，於穩定狀態下，Vs成為Vini[m]-Vth(n、m)。另一方面，由於Vg維持Vini，故而閘極與源極間之電位差Vgs 成為Vth(n、m)。 繼而，一面維持控制信號RG[n]及控制信號SG[n]之狀態，一面開始供給影像信號Vsig[m]代替初始化信號Vini[m]，並且將控制信號BG[n]之狀態變更為非作用。藉此，像素電晶體SST成為接通狀態，重置電晶體RST及輸出電晶體BCT成為斷開狀態。其結果，對驅動電晶體DRT之閘極供給影像信號Vsig[m]，伴隨於此，驅動電晶體DRT之Vs亦變化。該變化量由保持電容Cs與附加電容Cel之電容分配決定。更具體而言，Vs由以下之式表示。最後，使控制信號BG[n]、RG[n]、SG[n]各自之狀態恢復至初始狀態，即，分別恢復至作用、非作用、非作用之各狀態。藉此，輸出電晶體BCT成為接通狀態，重置電晶體RST及像素電晶體SST成為斷開狀態。此時，驅動電晶體DRT之Vgs 由於Vg為Vsig[m]，故而成為由以下之式表示之值。另一方面，於驅動電晶體DRT之源極-汲極間流動之電流Id由以下之式表示。此處，係數β為增益。可知：於該式中藉由代入Vgs而消除Vth(n、m)，而將不依存於Vth(n、m)之電流Id供給至驅動電晶體DRT、及發光元件OLED。因此，可不受閾值Vth(n、m)之差異之影響而藉由不依存於Vth(n、m)之電流量驅動發光元件OLED，從而可抑制像素電路Px(n、m)間亮度不均，再現高品質之影像。 根據本實施形態，可藉由漏電流小於矽電晶體之氧化物半導體電晶體構成像素電晶體SST。因此，防止儲存於驅動電晶體DRT之電荷通過像素電晶體SST流出。因此，與第1至第6實施形態同樣地，即便保持電容Cs之靜電電容較小，或者不設置保持電容Cs，亦可抑制驅動電晶體DRT之閘極電位之降低。又，由於藉由作為氧化物半導體電晶體之像素電晶體SST長期維持驅動電晶體DRT之閘極電位，故而可降低影像信號Vsig之寫入頻率，其結果，可減少顯示裝置100之消耗電力。 再者，於藉由多晶矽形成除像素電晶體SST以外之電晶體之情形時，可減小像素電路之面積。進而，於藉由n及p通道型之多晶矽電晶體形成掃描線驅動電路102或資料線驅動電路104之情形時，可減小周邊電路之面積，從而可減小邊框區域。 (第8實施形態) 於本實施形態中，使用圖10A、圖10B，對具有與第1至第7實施形態不同之構成之像素電路PX、及具有該像素電路PX之顯示裝置進行說明。存在對於與第1至第7實施形態相同或類似之構成省略說明之情況。 圖10A係本發明之第8實施形態之像素電路PX之等效電路，圖10B係表示圖10A所示之各信號之時間變化之時序圖。 如將圖10A、圖10B與圖9A、圖9B分別進行比較而理解般，本實施形態之像素電路PX與第7實施形態之像素電路PX之不同點在於：與像素電晶體SST並聯地設置初始化電晶體IST。以下，以不同點為中心，對本實施形態之像素電路PX詳細地進行說明。 初始化電晶體IST與像素電晶體SST同樣地，可具有包含氧化物半導體之通道區域。 本實施形態之資料線驅動電路104(圖2)構成為使用與影像信號Vsig[m]不同之配線(未圖示)對各像素電路PX供給初始化信號Vini[m]。初始化電晶體IST之一端子連接於該初始化信號Vini[m]之輸入端子。初始化電晶體IST之另一端子連接於驅動電晶體DRT之閘極。 對初始化電晶體IST之閘極，自掃描線驅動電路102(圖2)供給控制信號IG[n]。如將圖10B與圖9B進行比較而理解般，本實施形態之控制信號IG[n]於第7實施形態中自掃描線驅動電路102供給初始化信號Vini[m]之期間被活化，於其他期間被去活。又，本實施形態之控制信號SG[n]於第7實施形態中自掃描線驅動電路102供給影像信號Vsig[m]之期間被活化，於其他期間被去活。 藉由以上構成，本實施形態之像素電路PX之動作與第7實施形態之像素電路PX相同。根據本實施形態，藉由漏電流小於矽電晶體之氧化物半導體電晶體不僅可構成像素電晶體SST亦可構成初始化電晶體IST，故而防止儲存於驅動電晶體DRT之電荷通過像素電晶體SST及初始化電晶體IST流出。因此，與第7實施形態同樣地，即便保持電容Cs之靜電電容較小，或者不設置保持電容Cs，亦可抑制驅動電晶體DRT之閘極電位之降低。又，由於藉由作為氧化物半導體電晶體之像素電晶體SST、初始化電晶體IST長期維持驅動電晶體DRT之閘極電位，故而可降低影像信號Vsig之寫入頻率，其結果，可減少顯示裝置100之消耗電力。 再者，於藉由多晶矽形成除像素電晶體SST及初始化電晶體IST以外之電晶體之情形時，可減小像素電路之面積。進而，於藉由n及p通道型之多晶矽電晶體形成掃描線驅動電路102或資料線驅動電路104之情形時，可減小周邊電路之面積，從而可減小邊框區域。 又，根據本實施形態，可於使對應於第n列之像素電路PX之控制信號RG[n]恢復至非作用之時點，使對應於第n+1列之像素電路PX之控制信號RG[n+1]活化，故而如將圖9B與圖10B進行比較而理解般，亦獲得可縮短水平掃描期間H之效果。 (第9實施形態) 於本實施形態中，使用圖11A、圖11B，對具有與第1至第8實施形態不同之構成之像素電路PX、及具有該像素電路PX之顯示裝置進行說明。圖11A係本發明之第9實施形態之像素電路PX之等效電路，圖11B係表示圖11A所示之各信號之時間變化之時序圖。 如將圖11A、圖11B與圖9A、圖9B分別進行比較而理解般，本實施形態之像素電路PX與第7實施形態之像素電路PX之不同點在於：重置電晶體RST之一端子連接於驅動電晶體DRT之一端子(輸出電晶體BCT側之端子)而並非發光元件OLED之輸入端子。 根據本實施形態，與第7實施形態同樣地，可使發光元件OLED以與影像信號Vsig[m]相應之強度發光。又，由於可藉由氧化物半導體電晶體構成像素電晶體SST，故而即便保持電容Cs之靜電電容較小，或者不設置保持電容Cs，亦可抑制驅動電晶體DRT之閘極電位之降低。又，由於可藉由作為氧化物半導體電晶體之像素電晶體SST長期維持驅動電晶體DRT之閘極電位，故而可降低影像信號Vsig之寫入頻率，其結果，可減少顯示裝置100之消耗電力。再者，於本實施形態中，重置電晶體RST可設置於各像素電路PX內，亦可設置於掃描線驅動電路102(圖2)內。 再者，於藉由多晶矽形成除像素電晶體SST以外之電晶體之情形時，可減小像素電路之面積。進而，於藉由n及p通道型之多晶矽電晶體形成掃描線驅動電路102或資料線驅動電路104之情形時，可減小周邊電路之面積，從而可減小邊框區域。 (第10實施形態) 於本實施形態中，使用圖12A、圖12B，對具有與第1至第9實施形態不同之構成之像素電路PX、及具有該像素電路PX之顯示裝置進行說明。圖12A係本發明之第10實施形態之像素電路PX之等效電路，圖12B係表示圖12A所示之各信號之時間變化之時序圖。 如將圖12A、圖12B與圖10A、圖10B分別進行比較而理解般，本實施形態之像素電路PX與第8實施形態之像素電路PX之不同點在於：重置電晶體RST之一端子連接於驅動電晶體DRT之一端子(輸出電晶體BCT側之端子)而非發光元件OLED之輸入端子。 根據本實施形態，與第8實施形態同樣地，可使發光元件OLED以與影像信號Vsig[m]相應之強度發光，並且，可藉由氧化物半導體電晶體構成像素電晶體SST及初始化電晶體IST，故而即便保持電容Cs之靜電電容較小，或者不設置保持電容Cs，亦可抑制驅動電晶體DRT之閘極電位之降低。又，由於可藉由作為氧化物半導體電晶體之像素電晶體SST及初始化電晶體IST長期維持驅動電晶體DRT之閘極電位，故而可降低影像信號Vsig之寫入頻率，其結果，可減少顯示裝置100之消耗電力。再者，於本實施形態中，亦使重置電晶體RST可設置於各像素電路PX內，亦可設置於掃描線驅動電路102(圖2)內。 再者，於藉由多晶矽形成除像素電晶體SST及初始化電晶體IST以外之電晶體之情形時，可減小像素電路之面積。進而，於藉由n及p通道型之多晶矽電晶體形成掃描線驅動電路102或資料線驅動電路104之情形時，可減小周邊電路之面積，從而可減小邊框區域。 (第11實施形態) [1.佈局] 於本實施形態中，使用圖13、圖14A、圖14B、圖14C，對第2實施形態中所述之像素106之佈局進行說明。圖13係像素106之俯視模式圖，圖14A、圖14B、圖14C分別為沿著圖13中之鏈線A-A'、B-B'、及C-C'之剖視模式圖。 像素106包含位於前列之像素106之掃描線202、像素106之掃描線204、發射信號線206、重置信號線208、高電位電源線210、影像信號線212等配線。掃描線202、204、發射信號線206可構成為自資料線驅動電路104(圖1、圖2)向位於對應之列之複數個像素106延伸，且分別供給掃描信號Scan[n-1]、掃描信號Scan[n]、發射信號Emit[n]。掃描線202、204、發射信號線206可存在於同一層內。 重置信號線208、高電位電源線210、影像信號線212可構成為自資料線驅動電路104(圖1、圖2)向位於對應之行之複數個像素106延伸，且分別供給重置信號Vrst[m]、電源電位PVDD、影像信號Vsig[m]。重置信號線208、高電位電源線210、影像信號線212可存在於同一層內。 如圖13所示，像素106包含半導體膜220、222、224、226。半導體膜220、222、224、226可包含矽或氧化物半導體。於本實施形態中，以半導體膜220及222為矽半導體膜且半導體膜224、226為氧化物半導體膜進行說明。矽半導體膜220與222可存在於同一層內，同樣地，氧化物半導體膜224與226可存在於同一層內。 如圖13所示，像素106包含驅動電晶體DRT、第1開關電晶體TCT、第2開關電晶體ICT、像素電晶體SST、重置電晶體RST、第1輸出電晶體BCT1、第2輸出電晶體BCT2、保持電容Cs。 驅動電晶體DRT具有介隔底塗層120設置於基板110上之矽半導體膜222之一部分、閘極230、及夾持於其等之間之第1絕緣膜232(參照圖14B)。如圖14A、圖14B所示，矽半導體膜222與閘極230重疊之區域為驅動電晶體DRT之作用區域222b，於此處形成通道。夾著作用區域222b且含有雜質之雜質區域222a作為驅動電晶體DRT之端子發揮功能。第1絕緣膜232中之夾於閘極230與作用區域222b間之部分作為驅動電晶體DRT之閘極絕緣膜發揮功能。 保持電容Cs包含驅動電晶體DRT之閘極230及高電位電源線210之一部分(於圖13中，向右側突出之部分)作為一對端子，且包含設置於其等之間之第2絕緣膜234(圖14B)。第2絕緣膜234作為保持電容Cs之介電膜發揮功能。可如圖13、圖14B所示般，將保持電容Cs與驅動電晶體DRT以相互重疊之方式設置。於此情形時，驅動電晶體DRT之閘極230由保持電容Cs共有，亦作為保持電容Cs之一端子發揮功能。又，驅動電晶體DRT之作用區域222b與作為保持電容Cs之一對端子發揮功能之驅動電晶體DRT之閘極230及高電位電源線210之一部分重疊。 重置電晶體RST包含矽半導體膜220之一部分、前列之像素106之掃描線202之一部分(於圖13中，向下突出之部分)、及夾持於其等之間之第1絕緣膜232。如圖14A所示，矽半導體膜220與掃描線202之一部分重疊之區域為重置電晶體RST之作用區域220b，含有雜質之雜質區域220a夾著作用區域220b。掃描線202之一部分作為重置電晶體RST之閘極發揮功能，第1絕緣膜232中之該閘極與作用區域220b之間之區域作為重置電晶體RST之閘極絕緣膜發揮功能。夾著作用區域220b之雜質區域220a作為重置電晶體RST之端子發揮功能。端子之一者通過設置於其上之開口部(於圖13中，虛線之圓，以下相同)而與重置信號線208連接。 第2開關電晶體ICT具有亦為重置電晶體RST之閘極之掃描線202之一部分(於圖13中，向下突出之部分)作為閘極，於其上具有作為閘極絕緣膜發揮功能之第2絕緣膜234、第2絕緣膜234上之氧化物半導體膜224、及與氧化物半導體膜224電性連接之一對端子236、238。氧化物半導體膜224中之夾於端子236、238間之部分作為第2開關電晶體ICT之作用區域發揮作用。端子236與重置電晶體RST之端子之一者連接，端子238與驅動電晶體DRT之閘極230、即保持電容Cs之端子之一者連接。可如圖13、圖14A所示般，將重置電晶體RST與第2開關電晶體ICT以相互重疊之方式設置。於此情形時，重置電晶體RST之閘極由第2開關電晶體ICT共有，亦作為第2開關電晶體ICT之閘極發揮功能。又，重置電晶體RST之作用區域220b與第2開關電晶體ICT之作用區域重疊。 像素電晶體SST包含矽半導體膜222之一部分、設置於其上之第1絕緣膜232、及掃描線204之一部分(於圖13中，向上突出之部分)。如圖14C所示，矽半導體膜222與掃描線204之一部分重疊之區域為像素電晶體SST之作用區域222b，雜質區域222a夾著作用區域222b。掃描線204之一部分係作為像素電晶體SST之閘極發揮功能，第1絕緣膜232中該閘極與作用區域222b之間之區域作為像素電晶體SST之閘極絕緣膜發揮功能。雜質區域222a係作為像素電晶體SST之端子發揮功能，端子之一者與影像信號線212連接。 第1開關電晶體TCT具有亦為像素電晶體SST之閘極之掃描線204之一部分(於圖13中向上突出之部分)作為閘極，於其上具有作為閘極絕緣膜發揮功能之第2絕緣膜234、第2絕緣膜234上之氧化物半導體膜226、及與氧化物半導體膜226電性連接之一對端子240、242。氧化物半導體膜226中之夾於端子240、242間之部分係作為第1開關電晶體TCT之作用區域發揮作用。端子240與驅動電晶體DRT之端子之一者連接，端子242與驅動電晶體DRT之閘極230、即保持電容Cs之端子之一者連接。可如圖13、圖14C所示般，將像素電晶體SST與第1開關電晶體TCT以相互重疊之方式設置。於此情形時，像素電晶體SST之閘極由第1開關電晶體TCT共有，亦作為第1開關電晶體TCT之閘極發揮功能。又，像素電晶體SST之作用區域222b與第1開關電晶體TCT之作用區域重疊。 第1輸出電晶體BCT1包含矽半導體膜222之一部分、第1絕緣膜232、及發射信號線206(圖13)。矽半導體膜222中與發射信號線206重疊之區域為第1輸出電晶體BCT1之作用區域，夾著其之區域作為端子發揮功能。端子之一者與連接電極256連接，另一者與第1開關電晶體TCT之端子240、及驅動電晶體DRT之端子連接。 同樣地，第2輸出電晶體BCT2包含矽半導體膜222之一部分、第1絕緣膜232、及發射信號線206(圖13)。矽半導體膜222中之與發射信號線206重疊之區域為第2輸出電晶體BCT2之作用區域，夾著其之雜質區域作為端子發揮功能。端子之一者與高電位電源線210連接，另一者與驅動電晶體DRT之端子之一者、及像素電晶體SST之端子之一者連接。 作為任意構成，像素106亦可具有覆蓋各電晶體之第3絕緣膜250。於第3絕緣膜250之上設置平坦化膜252，藉此，可吸收因各電晶體或保持電容Cs引起之凹凸或傾斜，從而賦予平坦之面。 於平坦化膜252之上設置發光元件OLED。發光元件OLED包含作為輸入端子之第1電極260、EL層262、第2電極264。再者，第1電極260於設置於平坦化膜252或第3絕緣膜250內之開口部中經由連接電極256而與重置電晶體RST之端子之一者、及第1輸出電晶體BCT1之一端子連接(圖14A、圖14B、圖14C)。又，以覆蓋第1電極260之端部之方式設置間隔壁254，EL層262以覆蓋第1電極260及間隔壁254之方式形成。 作為任意構成，像素106可包含用以保護發光元件OLED之鈍化膜270。 本實施形態之像素106由於具有第2實施形態中所述之電路構成，故而即便保持電容Cs之靜電電容較小，或者省略保持電容Cs，亦可抑制驅動電晶體DRT之閘極電位之降低，進而可使顯示裝置100小型化、低耗電化。進而，由於像素106具有第2開關電晶體ICT與重置電晶體RST積層、第1開關電晶體TCT與像素電晶體SST積層且驅動電晶體DRT與保持電容Cs積層而成之構造，故而可減小像素106之尺寸，從而可提供高精細之顯示裝置。 [2.製作方法] 以下，使用圖15A至圖20C，對上述顯示裝置100之製作方法進行說明。圖15A、圖16A、圖17A、圖18A、圖19A、圖20A分別係沿著圖13中之鏈線A-A'之剖視模式圖，對應於圖14A。圖15B、圖16B、圖17B、圖18B、圖19B、圖20B分別係沿著圖13中之鏈線B-B'之剖視模式圖，對應於圖14B。圖15C、圖16C、圖17C、圖18C、圖19C、圖20C分別係沿著圖13中之鏈線C-C'之剖視模式圖，對應於圖14C。 首先，於基板110上形成底塗層120(圖15A、圖15B、圖15C)。基板110具有支持形成於該基板110上之電晶體等之功能。因此，對於基板110，只要使用具有對形成於該基板110上之電晶體等之製程之溫度之耐熱性及對在製程中使用之化學品之化學穩定性的材料即可。具體而言，基板110可包含玻璃或石英、塑膠、金屬、陶瓷等。於對顯示裝置100賦予可撓性之情形時，可使用高分子材料，例如可使用由聚醯亞胺、聚醯胺、聚酯、聚碳酸酯例示之高分子材料。再者，於形成可撓性之顯示裝置100之情形時，存在將基板110稱為基材、或基片之情況。 底塗層120係具有防止鹼金屬等雜質自基板110向各半導體元件等擴散之功能的膜，可包含氮化矽或氧化矽、氮氧化矽、氧氮化矽等無機絕緣體。底塗層120可應用化學氣相沈積法(CVD法)或濺鍍法、層壓法等以單層或具有積層構造之方式形成。於使用CVD法之情形時，只要使用四烷氧基矽烷等作為原料之氣體即可。底塗層120之厚度可於50 nm至1000 nm之範圍中任意地選擇，但不必於基板110上固定，亦可根據位置具有不同之厚度。於藉由複數個層構成底塗層120之情形時，例如可於基板110上積層含有氮化矽之層，並於其上積層含有氧化矽之層。 於基板110中之雜質濃度較小之情形時，亦可不設置底塗層120，或者以僅覆蓋基板110之一部分之方式形成該底塗層120。例如於使用鹼金屬濃度較小之聚醯亞胺作為基板110之情形時，亦可不設置底塗層120。 繼而，於底塗層120上形成矽半導體膜220、222(圖15A、圖15B、圖15C)。例如使用CVD法以50 nm至100 nm左右之厚度將非晶矽(a-Si)形成於底塗層120上，並藉由對其進行加熱處理、或者照射雷射等光進行結晶化，而轉換為多晶矽膜。結晶化亦可於鎳等觸媒存在下進行。其後，藉由蝕刻對多晶矽膜進行加工，從而形成矽半導體膜220、222。 繼而，於矽半導體膜220、222上形成第1絕緣膜232(圖15A、圖15B、圖15C)。第1絕緣膜232亦可具有單層構造、積層構造中之任一構造，可包含能夠用於底塗層120中之無機絕緣體。或者，亦可包含氧化鉿或氧化鋯、氧化鋁、或者其等之混合氧化物等具有較高之介電常數之絕緣體。與底塗層120同樣地，第1絕緣膜232可應用濺鍍法、或CVD法等而形成。第1絕緣膜232作為重置電晶體RST、第1輸出電晶體BCT1、第2輸出電晶體BCT2、驅動電晶體DRT、像素電晶體SST之閘極絕緣膜發揮功能。 繼而，於第1絕緣膜232上形成金屬膜，並藉由蝕刻進行加工而形成掃描線202、204、發射信號線206、及驅動電晶體DRT之閘極230(圖16A、圖16B、圖16C)。因此，其等可存在於同一層。 金屬膜可使用鈦或鋁、銅、鉬、鎢、鉭等金屬或者其合金等以單層或具有積層構造之方式形成。於本實施形態之顯示裝置100具有大面積之情形時，為了防止信號之延遲，較佳為使用鋁或銅等具有較高之導電性之金屬。例如可採用藉由鈦或鉬等具有相對較高之熔點之金屬夾持鋁或銅等之構造。 繼而，以覆蓋掃描線202、204、發射信號線206、及驅動電晶體DRT之閘極230之方式形成第2絕緣膜234(圖17、圖17B、圖17C)。第2絕緣膜234亦可具有單層構造、積層構造中之任一構造。第2絕緣膜234於重置電晶體RST、第1輸出電晶體BCT1、第2輸出電晶體BCT2、驅動電晶體DRT、像素電晶體SST內作為所謂層間膜發揮功能，與此同時，作為第1開關電晶體TCT、第2開關電晶體ICT之閘極絕緣膜發揮作用。 第2絕緣膜234以與第1絕緣膜232同樣之方法形成，可含有同樣之材料，但為了抑制於形成於其上之氧化物半導體膜224、226內產生載子，較佳為使用含有氧化矽之絕緣膜。於第2絕緣膜234具有積層構造之情形時，較佳為與氧化物半導體膜224、226接觸之區域含有氧化矽。 於形成第2絕緣膜234時，較佳為於氣體氛圍中儘可能不包含氫氣或水蒸氣等含氫之氣體，藉此可形成氫之組成較小而具有接近化學計量或其以上之氧之組成之第2絕緣膜234。 繼而，將掃描線202、204、發射信號線206、及驅動電晶體DRT之閘極230用作遮罩，對矽半導體膜220、222選擇性地進行離子植入處理、或離子摻雜處理。離子可列舉賦予p型導電性之硼或鋁、或者賦予n型導電性之磷或氮等元素。藉此，形成各電晶體之作用區域(例如作用區域220b、222b)及雜質區域(例如雜質區域220a、222a)(圖17A、圖17B、圖17C)。藉由以上步驟，形成重置電晶體RST、第1輸出電晶體BCT1、第2輸出電晶體BCT2、驅動電晶體DRT、像素電晶體SST。 繼而，於第2絕緣膜234上，以與重置電晶體RST及像素電晶體SST之閘極重疊之方式形成氧化物半導體膜224、226(圖18A、圖18C)。氧化物半導體膜224、226可包含氧化物半導體，氧化物半導體可自銦或鎵等第13族元素之氧化物中選擇。氧化物半導體膜224、226可含有不同之複數個第13族元素，亦可為銦-鎵氧化物(IGO)。氧化物半導體膜224、226亦可進而含有第12族元素，作為一例可列舉銦-鎵-鋅氧化物(IGZO)。氧化物半導體膜224、226亦可含有錫等第14族元素、或者鈦或鋯等第4族元素。 氧化物半導體膜224、226例如可利用濺鍍法等以20 nm至80 nm、或30 nm至50 nm之厚度形成。於使用濺鍍法之情形時，成膜可於含有氧氣之氣體氛圍、例如氬氣與氧氣之混合氣體氛圍中進行。此時，亦可使氬氣之分壓小於氧氣之分壓。 氧化物半導體膜224、226較佳為氧缺陷等結晶缺陷較少。因此，較佳為對氧化物半導體膜224、226進行加熱處理(退火)。加熱處理可於氧化物半導體膜224、226之圖案化前進行，亦可於圖案化後進行。由於存在因加熱處理導致氧化物半導體膜224、226之體積變小(收縮)之情形，故而較佳為於圖案化前進行加熱處理。加熱處理只要於氮氣、乾燥空氣、或大氣之存在下，於常壓、或減壓下進行即可。加熱溫度可於250℃至500℃、或350℃至450℃之範圍中選擇，加熱時間可於15分鐘至1小時之範圍中選擇，但亦可於該等範圍外進行加熱處理。藉由該加熱處理，可獲得對氧化物半導體膜224、226之氧缺陷導入氧或者氧位錯而構造更明確、結晶缺陷更少、結晶性更高之氧化物半導體膜224、226。其結果，可獲得可靠性較高且具有較低之斷態電流、較低之特性(閾值電壓)差異等優異之電特性之氧化物半導體電晶體。 繼而，如圖18A、圖18C所示，藉由蝕刻對第1絕緣膜232、第2絕緣膜234進行加工，而形成使雜質區域220a露出之開口部(圖中虛線之橢圓)。其後，以覆蓋開口部之方式形成金屬膜，並蝕刻金屬膜，藉此形成重置信號線208、高電位電源線210、影像信號線212、端子236、238、240、242等(圖13、圖19A、圖19B、圖19C)。因此，該等端子或配線存在於同一層。該等端子或配線能以與形成掃描線202、204、發射信號線206、及驅動電晶體DRT之閘極230時使用之金屬膜同樣之構造並藉由同樣之方法形成。 藉由以上步驟，形成第1開關電晶體TCT、第2開關電晶體ICT、保持電容Cs。 繼而，以覆蓋所形成之電晶體或保持電容Cs之方式，形成第3絕緣膜250(圖20A、圖20B、圖20C)。第3絕緣膜250可具有與第1絕緣膜232或第2絕緣膜234同樣之構造，並藉由同樣之方法形成。繼而，於第3絕緣膜250上形成平坦化膜252(圖20A、圖20B、圖20C)。平坦化膜252可使用有機絕緣體而形成。作為有機絕緣體，可列舉環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺、聚酯、聚碳酸酯、聚矽氧烷等高分子材料，可藉由旋轉塗佈法、噴墨法、印刷法、浸漬塗佈法等濕式成膜法而形成。平坦化膜252亦可具有包含上述有機絕緣體之層與包含無機絕緣體之層之積層構造。於此情形時，作為無機絕緣體，可列舉氧化矽或氮化矽、氮氧化矽、氧氮化矽等含有矽之無機絕緣體，可藉由濺鍍法或CVD法而形成。再者，於未形成第3絕緣膜250之情形時，平坦化膜252與氧化物半導體膜224、226或重置信號線208、高電位電源線210、影像信號線212、端子236、238、240、242等相接。 繼而，對平坦化膜252進行加工而形成開口部，並以覆蓋開口部之方式形成連接電極256(圖13)。連接電極256可使用具有透光性之材料、例如銦-錫氧化物(ITO)或銦-鋅氧化物(IZO)等導電性氧化物而形成。或者，可使用鋁或銅、鉬、鎢等金屬或者其合金而形成。其後，以覆蓋開口部之方式，形成發光元件OLED之第1電極260(圖21A、圖21B、圖21C)。藉此，第1電極260與第1輸出電晶體BCT1之端子之一者電性連接。 於通過基板110提取自顯示元件OLED之發光之情形時，可將具有透光性之材料、例如ITO或IZO等導電性氧化物用於第1電極260。另一方面，於自與基板110相反之側提取自顯示元件OLED之發光之情形時，可使用鋁或銀等金屬、或者其等之合金。或者，可採用上述金屬或合金與導電性氧化物之積層、例如藉由導電性氧化物夾持金屬而成之積層構造(例如ITO/銀/ITO等)。 繼而，形成間隔壁254(圖21A、圖21B、圖21C)。間隔壁254可使用能夠用於平坦化膜252中之材料，並藉由濕式成膜法而形成。間隔壁254以使第1電極260之一部分露出之方式具有開口部，其開口端較佳為成為平緩之錐形狀。可防止開口部之端具有陡峭之梯度時導致之後將要形成之EL層262或第2電極264等產生缺損。間隔壁254不僅於鄰接之像素106間使第1電極260彼此電性獨立，亦具有吸收因第1電極260或形成於平坦化膜252內之開口部產生之凹凸之功能。間隔壁254亦被稱為障壁、或阻隔壁。 繼而，於第1電極260上形成EL層262(圖21A、圖21B、圖21C)。EL層262以覆蓋第1電極260及間隔壁254之方式形成。EL層262可由單一之層形成，亦可由複數個層形成。例如可將載子注入層、載子傳輸層、發光層、載子阻擋層、激子阻擋層等適當組合而形成EL層262。又，於鄰接之像素106間，EL層262之構造亦可不同。例如，可以於鄰接之像素106間發光層不同而其他層具有相同構造之方式形成EL層262。藉此，可於鄰接之像素106彼此間獲得不同之發光色，從而可進行全彩顯示。相反，亦可於全部像素106中使用相同之EL層262。於此情形時，例如只要以使全部像素106共有賦予白色發光之EL層262方式形成，並選擇使用彩色濾光片等自各像素106提取之光之波長即可。EL層262可應用蒸鍍法或濕式成膜法而形成。 繼而，於EL層262上形成第2電極264(圖21A、圖21B、圖21C)。於通過基板110提取自顯示元件OLED之發光之情形時，可將鋁或銀等金屬或者其等之合金用於第2電極264。另一方面，於通過第2電極264提取自顯示元件OLED之發光之情形時，使用上述金屬或合金，以具有使可見光透過之程度之膜厚之方式形成第2電極264。或者，可對第2電極264，使用具有透光性之材料、例如ITO或IZO等導電性氧化物。又，可對第2電極264採用上述金屬或合金與導電性氧化物之積層構造(例如Mg-Ag/ITO等)。第2電極264可使用蒸鍍法、濺鍍法等而形成。藉由以上步驟，形成顯示元件OLED。 作為任意構成，可於第2電極264上形成鈍化膜270(圖14A、圖14B、圖14C)。鈍化膜270之功能之一在於防止水分自外部滲入至先前形成之顯示元件OLED。作為鈍化膜270，較佳為阻氣性較高者。例如，較佳為使用氮化矽或氧化矽、氮氧化矽、氧氮化矽等無機材料形成鈍化膜270。或者，亦可使用包含丙烯酸系樹脂或聚矽氧烷、聚醯亞胺、聚酯等之有機樹脂。鈍化膜270亦可具有單層構造、積層構造中之任一者。例如，可具有藉由兩個包含無機材料之層夾著包含有機樹脂之層之構造。 作為任意構成，亦可於鈍化膜270上設置對向基板112(參照圖1)。對向基板112使用接著劑(未圖示)而與基板110固定。此時，於對向基板112與鈍化膜270之間之空間可填充惰性氣體，或者亦可填充樹脂等填充材料，或者亦可藉由接著劑直接將鈍化膜270與對向基板112接著。於將對向基板112固定於基板110時，亦可於接著劑或填充劑中包含間隔件而調整間隙。或者，亦可於像素106之間形成成為間隔件之構造體。 進而，於對向基板112，亦可於與發光區域重疊之區域設置具有開口之遮光膜，或於與發光區域重疊之區域設置彩色濾光片。遮光膜係使用鉻或鉬等反射率相對較低之金屬、或者於樹脂材料中含有黑色或以黑色為基準之著色材料者而形成，具有阻斷除自發光區域直接獲得之光以外之散射光或外界光反射等之功能。彩色濾光片之光學特性於相鄰之每一像素106發生變化，例如可以提取紅色、綠色、藍色之發光之方式形成。可使遮光膜及彩色濾光片介隔底塗層設置於對向基板112，又，亦可以覆蓋遮光膜及彩色濾光片之方式進而設置保護層。藉由經由以上步驟，製作本實施形態之顯示裝置100。 (第12實施形態) 於本實施形態中，使用圖22、圖23A、圖23B、圖23C，對第4實施形態中所述之像素106之佈局進行說明。圖22係像素106之俯視模式圖，圖23A、圖23B、圖23C分別係沿著圖22中之鏈線D-D'、E-E'、及F-F'之剖視模式圖。存在對於與第1至第11實施形態相同之構成省略說明之情況。 本實施形態之顯示裝置100之像素106與第11實施形態之像素106之主要不同點在於：不僅像素電晶體SST與第1開關電晶體TCT重疊，參考電晶體RCT亦與第1開關電晶體TCT重疊，及包含與參考電晶體RCT連接之參考信號線214。 具體而言，如圖22所示，像素106包含自資料線驅動電路104(圖1、圖2)延伸之參考信號線214，其構成為供給參考信號Vref[m]。像素106進而包含可與矽半導體膜220、222存在於同一層之矽半導體膜228、229，其等分別構成像素電晶體SST及參考電晶體RCT。 如圖22、圖23A所示，與第11實施形態同樣地，重置電晶體RST與第2開關電晶體ICT重疊，驅動電晶體DRT與保持電容Cs亦重疊。進而，如圖23B所示，像素電晶體SST與第1開關電晶體TCT亦重疊。像素電晶體SST之矽半導體膜228具有作用區域228b及夾持該作用區域228b之雜質區域228a，雜質區域228a之一者與端子244連接，另一者與影像信號線212連接。 另一方面，如圖23C所示，參考電晶體RCT包含介隔底塗層120而設置於基板110上之矽半導體膜229、掃描線204之一部分(於圖22中，向上突出之部分)、及夾持於其等之間之第1絕緣膜232。矽半導體膜229與掃描線204之一部分重疊之區域為重置電晶體RST之作用區域229b，雜質區域229a夾著作用區域229b。掃描線204之一部分作為重置電晶體RST之閘極發揮功能，第1絕緣膜232中之該閘極與作用區域229b之間之區域作為重置電晶體RST之閘極絕緣膜發揮功能。雜質區域229a之一者與端子244連接，另一者與參考信號線214連接。 第1開關電晶體TCT具有掃描線204之一部分(於圖22中，向上突出之部分)作為閘極，於其上具有作為閘極絕緣膜發揮功能之第2絕緣膜234、第2絕緣膜234上之氧化物半導體膜226、及與氧化物半導體膜226電性連接之一對端子240、242。氧化物半導體膜226中之夾於端子240、242間之部分作為第1開關電晶體TCT之作用區域發揮作用。端子240與驅動電晶體DRT之端子之一者連接，端子242與驅動電晶體DRT之閘極230、即保持電容Cs之端子之一者連接(圖22)。如可圖22、圖23C所示般，將參考電晶體RCT與第1開關電晶體TCT以相互重疊之方式設置。於此情形時，參考電晶體RCT之閘極亦由第1開關電晶體TCT共有，而亦作為第1開關電晶體TCT之閘極發揮功能。又，參考電晶體RCT之作用區域229b與第1開關電晶體TCT之作用區域重疊。 本實施形態之像素106具有第4實施形態中所述之電路構成，故而即便保持電容Cs之靜電電容較小，或者省略保持電容Cs，亦可抑制驅動電晶體DRT之閘極電位之降低，進而可使顯示裝置100小型化、低耗電化。進而，由於像素106具有第2開關電晶體ICT與重置電晶體RST積層、像素電晶體SST及參考電晶體RCT與第1開關電晶體TCT積層、且驅動電晶體DRT與保持電容Cs積層而成之構造，故而可進一步減小像素106之尺寸，從而可提供高精細之顯示裝置。 (第13實施形態) 於本實施形態中，使用圖24、25，對第6實施形態中所述之像素106之佈局進行說明。圖24係像素106之俯視模式圖，圖25係沿著圖24中之鏈線G-G'之剖視模式圖。存在對於與第1至第12實施形態相同之構成省略說明之情況。 本實施形態之顯示裝置100之像素106與第12實施形態之像素106之主要不同點在於：不僅像素電晶體SST、參考電晶體RCT與第1開關電晶體TCT重疊，重置電晶體RST亦與第1開關電晶體TCT重疊。 具體而言，如圖24、25所示，與第12實施形態同樣地，驅動電晶體DRT與保持電容Cs重疊，參考電晶體RCT與第1開關電晶體TCT亦重疊。與第12實施形態不同，包含半導體膜220之重置電晶體RST與第1開關電晶體TCT重疊。即，重置電晶體RST包含介隔底塗層120而設置於基板110上之矽半導體膜220、掃描線204之一部分(於圖24中，向上突出之部分)、及夾持於其等之間之第1絕緣膜232。矽半導體膜220與掃描線204之一部分重疊之區域為重置電晶體RST之作用區域220b，雜質區域220a夾著作用區域220b。掃描線204之一部分作為重置電晶體RST之閘極發揮功能，第1絕緣膜232中之該閘極與作用區域220b之間之區域作為重置電晶體RST之閘極絕緣膜發揮功能。雜質區域220a之一者與重置信號線208連接，另一者經由與端子240或242形成於相同之層之配線246而與發光元件OLED連接。 可如圖24、25所示般，將重置電晶體RST與第1開關電晶體TCT以相互重疊之方式設置。於此情形時，重置電晶體RST之閘極亦作為參考電晶體RCT及像素電晶體SST之閘極發揮作用，且由第1開關電晶體TCT共有，而亦作為第1開關電晶體TCT之閘極發揮功能。又，重置電晶體RST之作用區域220b與第1開關電晶體TCT之作用區域重疊。 本實施形態之像素106具有第6實施形態中所述之電路構成，故而即便保持電容Cs之靜電電容較小，或者省略保持電容Cs，亦可抑制驅動電晶體DRT之閘極電位之降低，進而可使顯示裝置100小型化、低耗電化。進而，由於像素106具有驅動電晶體DRT與保持電容Cs積層、像素電晶體SST、參考電晶體RCT、及重置電晶體RST與第1開關電晶體TCT積層而成之構造，故而可進一步減小像素106之尺寸，從而可提供高精細之顯示裝置。 作為本發明之實施形態於上文敍述之各實施形態只要不相互矛盾則可適當組合而實施。又，業者基於各實施形態之顯示裝置適當進行構成元件之添加、刪除或設計變更所得者、或者進行步驟之添加、省略或條件變更所得者只要具備本發明之主旨，則亦包含於本發明之範圍內。 於本說明書中，主要例示了EL顯示裝置之情形作為揭示例，作為其他應用例，可列舉其他自發光型顯示裝置、液晶顯示裝置、或具有電泳元件等之電子紙型顯示裝置等所有平板型顯示裝置。又，可無特別限定地應用於中小型至大型。 當然，即便為與由上述各實施形態之態樣帶來之作用效果不同之其他作用效果，只要為根據本說明書之記載而明確之內容、或者於業者中可容易地預測之內容，則亦可理解為由本發明所帶來之效果。
100‧‧‧顯示裝置
102‧‧‧掃描線驅動電路
104‧‧‧資料線驅動電路
106‧‧‧像素
108‧‧‧像素區域
110‧‧‧基板
112‧‧‧對向基板
114‧‧‧端子
120‧‧‧底塗層
202‧‧‧掃描線
204‧‧‧掃描線
206‧‧‧發射信號線
208‧‧‧重置信號線
210‧‧‧高電位電源線
212‧‧‧影像信號線
214‧‧‧參考信號線
220‧‧‧矽半導體膜
220a‧‧‧雜質區域
220b‧‧‧作用區域
222‧‧‧矽半導體膜
222a‧‧‧雜質區域
222b‧‧‧作用區域
224‧‧‧氧化物半導體膜
226‧‧‧氧化物半導體膜
228‧‧‧矽半導體膜
228a‧‧‧雜質區域
228b‧‧‧作用區域
229‧‧‧矽半導體膜
229a‧‧‧雜質區域
229b‧‧‧作用區域
230‧‧‧閘極
232‧‧‧第1絕緣膜
234‧‧‧第2絕緣膜
236‧‧‧端子
238‧‧‧端子
240‧‧‧端子
242‧‧‧端子
244‧‧‧端子
246‧‧‧配線
250‧‧‧第3絕緣膜
252‧‧‧平坦化膜
254‧‧‧間隔壁
256‧‧‧連接電極
260‧‧‧第1電極
262‧‧‧層
264‧‧‧第2電極
270‧‧‧鈍化膜
BCT‧‧‧輸出電晶體
BCT1‧‧‧第1輸出電晶體
BCT2‧‧‧第2輸出電晶體
BG‧‧‧控制信號
Cel‧‧‧附加電容
Cs‧‧‧保持電容
DRT‧‧‧驅動電晶體
Emit‧‧‧發射信號
H‧‧‧水平掃描期間
ICT‧‧‧第2開關電晶體
IG‧‧‧控制信號
IST‧‧‧初始化電晶體
OLED‧‧‧發光元件
P1‧‧‧重置期間
P2‧‧‧寫入期間
P3‧‧‧輸出期間
PVDD‧‧‧電源電位
PVSS‧‧‧接地電位
PX‧‧‧像素電路
RCT‧‧‧參考電晶體
RG‧‧‧控制信號
RST‧‧‧重置電晶體
Scan‧‧‧掃描信號
/Scan‧‧‧掃描信號之反相信號
SG‧‧‧控制信號
SST‧‧‧像素電晶體
TCT‧‧‧第1開關電晶體
Vini‧‧‧初始化信號
Vref‧‧‧參考信號
Vrst‧‧‧重置信號
Vsig‧‧‧影像信號
圖1係本發明之實施形態之顯示裝置之模式性立體圖。 圖2係表示本發明之實施形態之顯示裝置之構成的模式圖。 圖3A、圖3B係本發明之實施形態之顯示裝置之像素的等效電路及其時序圖。 圖4A、圖4B係本發明之實施形態之顯示裝置之像素的等效電路及其時序圖。 圖5A、圖5B係本發明之實施形態之顯示裝置之像素的等效電路及其時序圖。 圖6A、圖6B係本發明之實施形態之顯示裝置之像素的等效電路及其時序圖。 圖7A、圖7B係本發明之實施形態之顯示裝置之像素的等效電路及其時序圖。 圖8A、圖8B係本發明之實施形態之顯示裝置之像素的等效電路及其時序圖。 圖9A、圖9B係本發明之實施形態之顯示裝置之像素的等效電路及其時序圖。 圖10A、圖10B係本發明之實施形態之顯示裝置之像素的等效電路及其時序圖。 圖11A、圖11B係本發明之實施形態之顯示裝置之像素的等效電路及其時序圖。 圖12A、圖12B係本發明之實施形態之顯示裝置之像素的等效電路及其時序圖。 圖13係本發明之實施形態之顯示裝置之像素之俯視模式圖。 圖14A至圖14C係本發明之實施形態之顯示裝置之像素的剖視模式圖。 圖15A至圖15C係表示本發明之實施形態之顯示裝置之製作方法的剖視模式圖。 圖16A至圖16C係表示本發明之實施形態之顯示裝置之製作方法的剖視模式圖。 圖17A至圖17C係表示本發明之實施形態之顯示裝置之製作方法的剖視模式圖。 圖18A至圖18C係表示本發明之實施形態之顯示裝置之製作方法的剖視模式圖。 圖19A至圖19C係表示本發明之實施形態之顯示裝置之製作方法的剖視模式圖。 圖20A至圖20C係表示本發明之實施形態之顯示裝置之製作方法的剖視模式圖。 圖21A至圖21C係表示本發明之實施形態之顯示裝置之製作方法的剖視模式圖。 圖22係本發明之實施形態之顯示裝置之像素的俯視模式圖。 圖23A至圖23C係本發明之實施形態之顯示裝置之像素的剖視模式圖。 圖24係本發明之實施形態之顯示裝置之像素的俯視模式圖。 圖25係本發明之實施形態之顯示裝置之像素的剖視模式圖。

Claims (25)

  1. 一種顯示裝置，其包含： 驅動電晶體，其具有閘極及一對端子； 第1開關電晶體，其具有閘極及一對端子； 像素電晶體，其具有閘極及一對端子； 電容，其具有一對端子；以及 發光元件，其具有輸入端子及輸出端子； 上述驅動電晶體之上述一對端子之一者與上述像素電晶體之上述一對端子之一者電性連接， 上述驅動電晶體之上述一對端子之另一者與上述第1開關電晶體之上述一對端子之一者、及上述發光元件之輸入端子電性連接， 上述第1開關電晶體之上述一對端子之另一者與上述驅動電晶體之上述閘極、及上述電容之上述一對端子之一者電性連接，且 上述電容之上述一對端子之上述一者與上述驅動電晶體之作用區域重疊。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1開關電晶體之作用區域與上述像素電晶體之作用區域重疊。
  3. 如請求項2之顯示裝置，其中上述第1開關電晶體之上述閘極由上述像素電晶體共有。
  4. 如請求項2之顯示裝置，其中上述像素電晶體之上述作用區域含有矽，且 上述第1開關電晶體之上述作用區域包含氧化物半導體。
  5. 如請求項1之顯示裝置，其中上述驅動電晶體之上述作用區域含有矽，且 上述第1開關電晶體之作用區域包含氧化物半導體。
  6. 如請求項1之顯示裝置，其中上述驅動電晶體之上述閘極由上述電容共有。
  7. 如請求項1之顯示裝置，其進而包含： 重置電晶體，其具有閘極及一對端子；以及 第2開關電晶體，其具有閘極及一對端子； 上述重置電晶體之上述一對端子之一者與上述發光元件之上述輸入端子電性連接， 上述第2開關電晶體之上述一對端子之一者與上述電容之上述一對端子之上述一者、上述第1開關電晶體之上述一對端子之上述一者、及上述驅動電晶體之上述閘極電性連接，且 上述重置電晶體之作用區域與上述第2開關電晶體之作用區域重疊。
  8. 如請求項7之顯示裝置，其中上述重置電晶體之上述作用區域含有矽，且 上述第2開關電晶體之上述作用區域包含氧化物半導體。
  9. 如請求項7之顯示裝置，其中上述重置電晶體之上述閘極由上述第2開關電晶體共有。
  10. 如請求項1之顯示裝置，其進而包含具有閘極及一對端子之輸出電晶體， 上述輸出電晶體之上述一對端子之一者與上述第1開關電晶體之上述一對端子之上述一者電性連接，且 上述輸出電晶體之上述一對端子之另一者與上述發光元件之上述輸入端子電性連接。
  11. 一種顯示裝置，其包含： 驅動電晶體，其具有閘極及一對端子； 第1開關電晶體，其具有閘極及一對端子； 像素電晶體，其具有閘極及一對端子； 參考電晶體，其具有閘極及一對端子； 電容，其具有一對端子；以及 發光元件，其具有輸入端子及輸出端子； 上述驅動電晶體之上述一對端子之一者與上述第1開關電晶體之上述一對端子之一者、及上述發光元件之輸入端子電性連接， 上述第1開關電晶體之上述一對端子之另一者與上述驅動電晶體之上述閘極、及上述電容之上述一對端子之一者電性連接， 上述電容之上述一對端子之另一者與上述像素電晶體之上述一對端子之一者、及上述參考電晶體之上述一對端子之一者電性連接， 上述電容之上述一對端子之上述一者與上述驅動電晶體之作用區域重疊，且 上述像素電晶體之作用區域、及上述參考電晶體之作用區域與上述第1開關電晶體之作用區域重疊。
  12. 如請求項11之顯示裝置，其中上述第1開關電晶體之上述閘極由上述像素電晶體及上述參考電晶體共有。
  13. 如請求項12之顯示裝置，其中上述像素電晶體之上述作用區域、及上述參考電晶體之上述作用區域含有矽，且 上述第1開關電晶體之上述作用區域包含氧化物半導體。
  14. 如請求項11之顯示裝置，其中上述驅動電晶體之上述作用區域含有矽，且 上述第1開關電晶體之作用區域包含氧化物半導體。
  15. 如請求項11之顯示裝置，其中上述驅動電晶體之上述閘極由上述電容共有。
  16. 如請求項11之顯示裝置，其進而包含： 重置電晶體，其具有閘極及一對端子；以及 第2開關電晶體，其具有閘極及一對端子； 上述重置電晶體之上述一對端子之一者與上述發光元件之上述輸入端子電性連接， 上述第2開關電晶體之上述一對端子之一者與上述電容之上述一對端子之上述一者、上述第1開關電晶體之上述一對端子之上述一者、及上述驅動電晶體之上述閘極電性連接，且 上述重置電晶體之作用區域與上述第2開關電晶體之作用區域重疊。
  17. 如請求項16之顯示裝置，其中上述重置電晶體之上述作用區域含有矽，且 上述第2開關電晶體之上述作用區域包含氧化物半導體。
  18. 如請求項16之顯示裝置，其中上述重置電晶體之上述閘極由上述第2開關電晶體共有。
  19. 如請求項11之顯示裝置，其進而包含具有閘極及一對端子之輸出電晶體， 上述輸出電晶體之上述一對端子之一者與上述第1開關電晶體之上述一對端子之上述一者電性連接，且 上述輸出電晶體之上述一對端子之另一者與上述發光元件之上述輸入端子電性連接。
  20. 一種顯示裝置，其包含： 驅動電晶體，其具有閘極及一對端子； 第1開關電晶體，其具有閘極及一對端子； 像素電晶體，其具有閘極及一對端子； 參考電晶體，其具有閘極及一對端子； 重置電晶體，其具有閘極及一對端子； 電容，其具有一對端子；以及 發光元件，其具有輸入端子及輸出端子； 上述驅動電晶體之上述一對端子之一者與上述第1開關電晶體之上述一對端子之一者、及上述發光元件之輸入端子電性連接， 上述第1開關電晶體之上述一對端子之另一者與上述驅動電晶體之上述閘極、及上述電容之上述一對端子之一者電性連接， 上述電容之上述一對端子之另一者與上述像素電晶體之上述一對端子之一者、及上述參考電晶體之上述一對端子之一者電性連接， 上述電容之上述一對端子之上述一者與上述驅動電晶體之作用區域重疊，且 上述像素電晶體之作用區域、上述參考電晶體之作用區域、及上述重置電晶體之作用區域與上述第1開關電晶體之作用區域重疊。
  21. 如請求項20之顯示裝置，其中上述第1開關電晶體之上述閘極由上述像素電晶體、上述參考電晶體、及上述重置電晶體共有。
  22. 如請求項21之顯示裝置，其中上述像素電晶體之上述作用區域、上述參考電晶體之上述作用區域、上述重置電晶體之上述作用區域含有矽，且 上述第1開關電晶體之上述作用區域包含氧化物半導體。
  23. 如請求項20之顯示裝置，其中上述驅動電晶體之上述作用區域含有矽，且 上述第1開關電晶體之作用區域包含氧化物半導體。
  24. 如請求項20之顯示裝置，其中上述驅動電晶體之上述閘極由上述電容共有。
  25. 如請求項20之顯示裝置，其進而包含具有閘極及一對端子之輸出電晶體， 上述輸出電晶體之上述一對端子之一者與上述第1開關電晶體之上述一對端子之上述一者電性連接，且 上述輸出電晶體之上述一對端子之另一者與上述發光元件之上述輸入端子電性連接。
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