CN115917636A - 显示装置以及显示装置的制造方法 - Google Patents

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transistor
display device
insulating film
electrode
film
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青木智久
蜂谷笃史
齐藤裕一
古川博章
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Sharp Corp
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Abstract

一种具备像素电路(PC)的显示装置(10)，在像素电路中形成有包括结晶性硅半导体膜(SC)的第一结构的驱动晶体管(T4)和电容元件(Cp)，电容元件包括与驱动晶体管的第一栅极(15a)电连接的第一电容电极(17a)、与第一电容电极相对的第二电容电极(19a)、以及配置在第一电容电极与第二电容电极之间的介电膜(18a)，介电膜(18a)形成在与第一层间绝缘膜(16)和第二层间绝缘膜(20)不同的层。

Description

显示装置以及显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
专利文献1中公开了一种显示装置，其具备形成在同一基板上的包含多晶硅的晶体管、包含半导体氧化物的晶体管、以及与包含多晶硅的晶体管连接的电容元件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开公报“WO2015/031037”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在专利文献1的显示装置中，将覆盖包括多晶硅的晶体管的栅极的绝缘膜作为电容元件的介电膜使用，因此存在难以实现电容的最优化的问题。
用于解决技术问题的技术方案
本公开的一方式的显示装置，其包括像素电路以及发光元件，所述像素电路形成有第一结构的晶体管和第二结构的晶体管，所述第一结构的晶体管包含结晶性硅半导体膜和第一栅极，所述第二结构的晶体管包含氧化物半导体膜和第二栅极，具备：第一层间绝缘膜，其覆盖所述第一栅极；以及第二层间绝缘膜，其覆盖所述第二栅极，在所述像素电路中，形成有作为所述第一结构的晶体管的驱动晶体管和电容元件，所述电容元件包括：第一电容电极，其与所述驱动晶体管的第一栅极电连接；第二电容电极，其与所述第一电容电极相对；以及电介质膜，其配置在所述第一电容电极以及第二电容电极之间，所述电介质膜形成在与所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜不同的层。
有益效果
根据本发明的一个方式，电容元件的介电膜形成在与第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜不同的层，因此起到易于将电容最优化的效果。
附图说明
图1的(a)是表示本实施方式的显示装置的构成的示意性俯视图，
图1的(b)是表示显示装置的构成的剖视图。
图2是表示本实施方式的显示装置的构成的剖视图。
图3是表示像素电路的一个例子的电路图。
图4是表示包括像素电路的薄膜晶体管基板的构成例的俯视图。图5的(a)是图4的A-a剖视图，图5的(b)是图4的B-b剖视图，图5的(c)是图4的C-c剖视图。
图6是表示本实施方式的显示装置的制造方法的流程图。
图7是表示图6中的薄膜晶体管基板的形成方法的流程图。
图8是表示本实施方式的薄膜晶体管基板的形成方法的剖视图。
图9是表示本实施方式的薄膜晶体管基板的形成方法的剖视图。
图10是表示本实施方式的薄膜晶体管基板的形成方法的剖视图。
图11是表示本实施方式的薄膜晶体管基板的形成方法的剖视图。
图12是表示本实施方式的薄膜晶体管基板的形成方法的剖视图。
图13是表示本实施方式的薄膜晶体管基板的形成方法的剖视图。
图14是表示本实施方式的薄膜晶体管基板的形成方法的剖视图。
图15是表示比较例的薄膜晶体管基板的构成的剖视图。
具体实施方式
图1的(a)是表示本实施方式的显示装置的构成的示意性俯视图，图1的(b)是表示显示装置的构成的剖视图。图2是表示本实施方式的显示装置的构成的剖视图。
如图1所示，显示装置10具备薄膜晶体管基板7、顶部发光(向上层侧发光)型的发光元件层5以及密封层6，对每个子像素SP形成发光元件ED和发光元件用的像素电路PC。
薄膜晶体管基板7具备基板2、底涂膜3和形成像素电路PC的薄膜晶体管层4。基板2是玻璃基板、或者以聚酰亚胺等树脂为主要成分的挠性基材，例如，也可以由2层聚酰亚胺膜和被它们夹着的无机膜构成基板2。底涂膜(阻挡层)3是防止水、氧等异物的侵入的无机绝缘层，例如能够使用氮化硅、氧化硅等构成。
在像素电路PC中，形成有分别包括结晶性硅半导体膜SC和第一栅极15a、15A的多个第一结构的晶体管TA、分别包括氧化物半导体膜SZ和第二栅极19b的多个第二结构的晶体管TB、以及与作为第一结构的晶体管TA之一的驱动晶体管(T4)连接的电容元件Cp。第一结构的晶体管TA和第二结构的晶体管TB是控制端子(第一栅极15a、15A、第二栅极19b)形成在比沟道更更上层的顶栅型。
如图2所示，薄膜晶体管层4具备：形成在底涂膜3上的结晶硅半导体层SC；覆盖结晶硅半导体层SC的第一栅极绝缘膜14；形成在比第一栅极绝缘膜14更上层的第一栅极15A、15a(第一金属层15)；覆盖第一金属层15的第一层间绝缘膜16；形成在比第一层间绝缘膜16更上层的第一电容电极17a和中继电极17B、17b(中间金属层17)；形成在比中间金属层17更上层的氧化物半导体膜SZ；形成在比氧化物半导体膜SZ更上层的介电膜18a和第二栅极绝缘膜18b(中间绝缘层18)；形成在比中间绝缘层18更上层的第二电容电极19a和第二栅极19b(第二金属层19)；覆盖第二金属层19的第二层间绝缘膜20；形成在比中间金属层20更上层的上层布线UW(图1的(b)的第三金属层21)、形成在比第三金属层21更上层的平坦化膜PF。
第一栅极绝缘膜14配置在结晶性硅半导体膜SC和第一栅极15a、15A之间，第二栅极绝缘膜18b配置在氧化物半导体膜SZ和第二栅极19b之间。
结晶性硅半导体膜SC的与第一栅极15a、15A重叠的部分作为半导体(沟道)发挥功能，不重叠的部分通过杂质掺杂等而成为导体部。氧化物半导体膜SZ的与第二栅极19b重叠的部分作为半导体(沟道)发挥功能，不重叠的部分通过还原处理等而成为导体部。
结晶硅半导体层SC例如由低温形成的多晶硅(LTPS)构成。氧化物半导体层SZ例如包含选自铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、铪(Hf)、锆(Zr)、锌(Zn)中的至少一种元素和氧。具体而言，能够使用包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧的氧化物半导体(InGaZnO)、包含铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)和氧的氧化物半导体(InSnZnO)、包含铟(In)、锆(Zr)、锌(Zn)和氧的氧化物半导体(InZrZnO)、包含铟(In)、铪(Hf)、锌(Zn)和氧的氧化物半导体(InHfZnO)等。
第一金属层15、中间金属层17、第二金属层19以及第三金属层21例如由包含铝、钨、钼、钽、铬、钛以及铜中的至少一个的金属单层膜或者金属多层膜构成。
第一栅极绝缘膜14能够由例如氧化硅(SiOx)膜构成。覆盖第一栅极15A、15a的第一层间绝缘膜16例如能够由氧化硅(SiOx)以及氮化硅(SiNx)的层叠膜构成。介电膜18a及第二栅极绝缘膜18b(中间绝缘层)例如可以由氧化硅(SiOx)膜构成。覆盖第二栅极19b的第二层间绝缘膜20能够由氧化硅(SiOx)的单层膜或氧化硅(SiOx)及氮化硅(SiNx)的层叠膜构成。平坦化膜PF例如可以由聚酰亚胺、丙烯酸树脂等能够涂布的有机材料构成。
图1的(b)的发光元件层5包括：下部电极22、覆盖下部电极22的边缘的绝缘性的边缘覆盖膜23、比边缘覆盖膜23更上层的EL(电致发光)层24、比EL层24更上层的上部电极25。边缘覆盖膜23例如通过在涂布聚酰亚胺、丙烯酸树脂等有机材料后通过光刻进行图案化而形成。
在发光元件层5中形成有发光颜色不同的多个发光元件ED，各发光元件包括岛状的下部电极22、EL层24(包括发光层EK)以及上部电极25。上部电极25是在多个发光元件ED共用的整面状的共用电极。
发光元件ED例如可以是包含有机层作为发光层的OLED(有机发光二极管)，也可以是包含量子点层作为发光层的QLED(量子点发光二极管)。
EL层24例如通过从下层侧依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层EK、电子输送层、电子注入层而构成。发光层通过蒸镀法或喷墨法、光刻法在边缘覆盖膜23的开口(每个子像素)形成为岛状。其他层形成为岛状或者整面状(共用层)。此外，也可以是不形成空穴注入层、空穴输送层、电子输送层、电子注入层中的1个以上的层的构成。
下部电极22(阳极)例如是由ITO(IndiumTin Oxide)与Ag(银)或包含Ag的合金的层叠层构成的光反射电极。上部电极25(阴极)例如由镁银合金等金属薄膜构成，具有透光性。
在发光元件ED为OLED的情况下，通过下部电极22和上部电极25之间的驱动电流，空穴和电子在发光层EK内再结合，在由此产生的激子迁移到基底状态的过程中放出光。在发光元件ED为QLED的情况下，通过下部电极22及上部电极25间的驱动电流，空穴与电子在发光层EK内再结合，由此产生的激子在从量子点的传导带能级(conduction band)向价电子带能级(valence band)迁移的过程中放出光。
图1的(b)中，覆盖发光元件层5的密封层6是防止水、氧等异物向发光元件层5渗透的层，例如，可以由2层无机密封膜26、28和形成于它们之间的有机膜27构成。
图3是表示像素电路的一个例子的电路图。图3的像素电路PC包括电容元件Cp、控制端子与前级(n-1级)的扫描信号线Gn-1连接的复位晶体管T1、控制端子与本级(n级)的扫描信号线Gn连接的阈值控制晶体管T2、控制端子与本级(n级)的扫描信号线Gn连接的写入控制晶体管T3、控制发光元件ED的电流的驱动晶体管T4、控制端子与发光控制线EM(n级)连接的电源供给晶体管T5、控制端子与发光控制线EM(n级)连接的发光控制晶体管T6、以及控制端子与本级(n级)的扫描信号线Gn连接的初始化晶体管T7。
写入控制晶体管T3、驱动晶体管T4、电源供给晶体管T5以及发光控制晶体管T6是第一结构的晶体管(TA)，具有结晶性硅半导体膜SC(参照图2)。复位晶体管T1、阈值控制晶体管T2以及初始化晶体管T7是第二结构的晶体管(TB)，具有氧化物半导体层SZ(参照图2)。
驱动晶体管T4的控制端子经由电容元件Cp与发光元件ED的阳极连接，并且经由复位晶体管T1与电源线PL连接。向电源线PL供给高电压侧电源ELVDD。
驱动晶体管T4的源极区域经由写入控制晶体管T3与数据信号线DL连接，并且经由发光控制晶体管T6与发光元件ED的阳极(下部电极22)连接。驱动晶体管T4的漏极区域经由阈值控制晶体管T2与驱动晶体管T4的控制端子连接，并且经由电源供给晶体管T5与电源线PL连接。
发光元件ED的节点经由初始化晶体管T7与初始化信号线IL连接。向初始化信号线IL以及发光元件ED的阴极(上部电极25)供给例如相同的低电压侧电源(ELVSS)。
图4是表示包含像素电路的薄膜晶体管基板的构成例的俯视图。图5的(a)是图4的A-a剖视图，图5的(b)是图4的B-b剖视图，图5的(c)是图4的C-c剖视图。
在像素电路PC中配置成对的本级的扫描信号线Gn、gn、发光控制线EM、数据信号线DL、初始化信号线IL以及高电压侧电源线PL。扫描信号线Gn、gn分别成为第一金属层15中包含的下侧布线和第二金属层19中包含的上侧布线的2层结构。发光控制线EM包含在第一金属层15中，数据信号线DL、初始化信号线IL以及电源线PL包含在第三金属层21中。
写入控制晶体管T3、电源供给晶体管T5以及发光控制晶体管T6是第一结构的晶体管(TA)，具有作为控制端子发挥功能的第一栅极15A(参照图2)。第一栅极15A是扫描信号线gn的下侧布线的一部分或者发光控制线EM的一部分。
复位晶体管T1、阈值控制晶体管T2以及初始化晶体管T7是第二结构的晶体管(TB)，具有作为控制端子发挥功能的第二栅极19b(参照图2)。第二栅极19b是扫描信号线Gn-1的上侧布线的一部分或扫描信号线gn的上侧布线的一部分、或扫描信号线Gn的上侧布线的一部分。
如图2及图5所示，驱动晶体管T4为第一结构的晶体管(TA)，电容元件Cp包含与驱动晶体管T4的第一栅极15a电连接的第一电容电极17a、与第一电容电极17a相对的第二电容电极19a、以及配置于第一电容电极17a与第二电容电极19a之间的介电膜18a，介电膜18a形成在与第一层间绝缘膜16及第二层间绝缘膜20不同的层(包含第二栅极绝缘膜18b的中间绝缘层18)。
因此，例如能够使用氧化硅将介电膜18a形成得比第一层间绝缘膜16和第二层间绝缘膜20薄，容易使电容元件Cp的电容最佳化。此外，第一层间绝缘膜16可以使用良好的材料(例如氮化硅)作为对结晶性硅半导体膜SC的氢供给源，第二层间绝缘膜20可以使用对氧化物半导体层SZ合适的材料(例如氧化硅)。
介电膜18a与第二栅极绝缘膜18b同层且由相同材料形成，第一电容电极17a包含于中间金属层17，第二电容电极19a包含于第二金属层19，因此不增加制造工序，能够得到上述效果。
第二栅极绝缘膜18b以与第二栅极19b匹配的方式形成为岛状，介电膜18a以与第二电容电极19a匹配的方式形成为岛状。
驱动晶体管T4的第一栅极15a和第一电容电极17a经由形成于第一层间绝缘膜16的接触孔H1x连接。在俯视时，电容元件Cp形成为与驱动晶体管T4的沟道CH重叠，因此，能够将像素电路PC构成得小。
如图2～图5所示，氧化物半导体膜SZ包括在沟道两侧被导体化的2个导体部ZB、Zb。中间金属层17包括与导体部ZB接触的中继电极17B和与导体部Zb接触的中继电极17b。例如，中继电极17b经由形成于第二层间绝缘膜20的接触孔H3与上层布线UW(第三金属层21)连接，中继电极17B经由形成于第二层间绝缘膜20的接触孔与电源线PL(第三金属层21)连接。
第一电容电极17a经由作为第二结构的晶体管(TB)的复位晶体管T1与电源线PL连接，第二电容电极19a经由作为第二结构的晶体管(TB)的初始化晶体管T7与初始化信号线IL连接。
驱动晶体管T4的结晶硅半导体膜SC配置在沟道的两侧，包含被导体化的源极区域SA以及漏极区域DA，源极区域SA经由第一结构的晶体管(TA)即写入晶体管T3而与数据信号线DL连接，并且经由第一结构的晶体管(TA)即发光控制晶体管T6而与发光元件ED的阳极连接。漏极区域DA经由第一结构的晶体管(TA)即电源供给晶体管T5与电源线PL连接，并且经由第二结构的晶体管(TB)即阈值控制晶体管T2与驱动晶体管T4的第一栅极15a连接。
另外，如图4及图5所示，第二电容电极19a经由形成于第二层间绝缘膜20的接触孔H1y与上层布线UW连接(在图4中，将接触孔H1x和接触孔H1y合计记载为H1)。驱动晶体管T4的第一栅极15a经由形成于第一层间绝缘膜16以及第二层间绝缘膜20的接触孔H2与上层布线UW连接。
与阈值控制晶体管T2的氧化物半导体膜SZ的一端(导体部)接触的中继电极17b经由形成于第二层间绝缘膜20的接触孔H3与上层布线UW连接，与另一端(导体部)接触的中继电极17B经由形成于第一层间绝缘膜16和第一栅极绝缘膜14的接触孔H4与驱动晶体管T4的结晶性硅半导体膜SC的漏极区域DA连接。晶体管T4的结晶硅半导体膜SC的源极区域SA经由写入控制晶体管T3和形成于第二层间绝缘膜20、第一层间绝缘膜16及第一栅极绝缘膜14的接触孔H5与数据信号线DL连接。
晶体管T5的结晶性硅半导体膜SC的漏极区域DA经由形成于第二层间绝缘膜20、第一层间绝缘膜16及第一栅极绝缘膜14的接触孔H6与电源线PL连接。
图6是表示本实施方式的显示装置的制造方法的流程图。如图1以及图6所示，步骤S101中，进行薄膜晶体管基板7的形成。在步骤S102中，进行下部电极22的形成。在步骤S103中，进行EL层24的形成。在步骤S104中，进行上部电极25的形成。在步骤S105中，进行密封层6的形成。
图7是表示图6的薄膜晶体管基板的形成方法的流程图。图8～图14是表示薄膜晶体管基板的形成方法的剖视图，图8～图14中的(a)～(c)与图5的(a)～(c)对应。
如图7及图8所示，在步骤S1中进行基板2的形成。在步骤S2中，进行底涂膜3的成膜。在步骤S3中，进行非晶质硅(非晶硅)的成膜。在步骤S4中，通过热处理进行非晶质硅的脱氢化。在步骤S5中，通过进行利用ELA(Exicimer Laser Anneling)法的激光退火，使非晶质硅为结晶硅(多晶硅)，形成结晶硅半导体层SC。在步骤S6中，通过光刻法进行结晶硅半导体层SC的图案化。
如图7及图9所示，步骤S7中，使用CVD法进行第一栅极绝缘膜14(例如，氧化硅)的成膜。在步骤S8中，使用溅射法进行第一金属层15(钼或MoW等钼系合金)的成膜。在步骤S9中，通过光刻法，进行第一金属层15的图案化(扫描信号线的下侧布线、发光控制线EM、第一栅极15a等的形成)。在步骤S10中，对结晶硅半导体层SC进行杂质掺杂(导体化处理)。
如图7及图10所示，步骤S11中，使用CVD法进行第一层间绝缘膜16(例如，氧化硅与氮化硅的层叠膜)的成膜。在步骤S12中，进行氢化退火(以对结晶硅半导体层SC供给氢为目的的热处理)。由此，结晶硅半导体层SC中的缺陷的影响降低。在步骤S13中，通过光刻法，进行第一层间绝缘膜16的图案化(接触孔H4、H1x等的形成)。在步骤S14中，进行中间金属层17(钼或MoW等钼系合金)的成膜。
如图7以及图11所示，利用光刻法，在步骤S15中，进行中间金属层17的图案化(第一电容电极17a、中继电极17B、17b等的形成)。在步骤S16中，使用溅射法进行氧化物半导体层SZ的成膜。在步骤S17中，进行氧化物半导体层SZ的图案化。在此，使用不蚀刻中间金属层17而仅蚀刻氧化物半导体层SZ的方法(例如，利用草酸、氢氟酸的湿法蚀刻处理)。
如图7和图12所示，在步骤S18中，对未被第二栅极19b以及第二栅极绝缘膜18b覆盖的区域进行氢等离子体处理(氧化物半导体层SZ的导体部的形成)。在步骤S19中，使用CVD法进行中间绝缘层18的成膜(例如，氧化硅)。在步骤S20中，使用溅射法进行第二金属层19(例如，钛/铝/钛的层叠膜)的成膜。
如图7以及图13所示，在步骤S21中，通过光刻法，进行第二金属层19以及中间绝缘层18的图案化(电介质膜18a、第二栅极绝缘膜18b、第二电容电极19a、第二栅极19b等的形成)。在步骤S21中，使用相同掩模，连续进行第二金属层19的图案化及中间绝缘层18的图案化。
如图7及图14所示，在步骤S22中，使用CVD法进行第二层间绝缘膜20(例如，氧化硅的单层膜或氮化硅与氧化硅的层叠膜)的成膜。在步骤S23中，通过光刻法，进行第一层间绝缘膜16、第二层间绝缘膜20以及第一栅极绝缘膜14的图案化(在接触孔H1y、H2、H3、H5、H6形成)。在步骤S24中，使用溅射法进行第三金属层21(例如，钛/铝/钛的层叠膜)的成膜。在步骤S25中，通过光刻法，进行第三金属层21的图案化(上层布线UW、数据信号线DL、初始化信号线IL、电源线PL的形成)。
图15是表示比较例的薄膜晶体管基板的构成的剖视图。如图15所示，在将覆盖栅极GE的无机绝缘膜116作为与驱动晶体管连接的电容元件的介电膜使用的情况下，无机绝缘膜116需要兼备作为对多晶硅半导体层的氢化供给源的功能和作为介电膜的功能，难以兼顾它们。
上述的各实施方式以例示及说明为目的，并非以限定为目的。基于这些例示及说明，本领域技术人员明白了能够进行多种变形方式。
〔总结〕
〔形态1〕
一种显示装置，其包括像素电路以及发光元件，所述像素电路形成有第一结构的晶体管和第二结构的晶体管，所述第一结构的晶体管包含结晶性硅半导体膜和第一栅极，所述第二结构的晶体管包含氧化物半导体膜和第二栅极，具备：第一层间绝缘膜，其覆盖所述第一栅极；以及第二层间绝缘膜，其覆盖所述第二栅极，
在所述像素电路中，形成有作为所述第一结构的晶体管的驱动晶体管和电容元件，
所述电容元件包括：第一电容电极，其与所述驱动晶体管的第一栅极电连接；第二电容电极，其与所述第一电容电极相对；以及电介质膜，其配置在所述第一电容电极以及第二电容电极之间，
所述电介质膜形成在与所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜不同的层。
〔形态2〕
根据形态1所述的显示装置，包括第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜，所述第一栅极绝缘膜配置在所述结晶性硅半导体膜与所述第一栅极之间，所述第二栅极绝缘膜配置在所述氧化物半导体膜与所述第二栅极之间，
所述电介质膜与所述第二栅极绝缘膜同层且由相同材料形成。
〔形态3〕
根据形态1或2所述的显示装置，在俯视时，所述电容元件与所述驱动晶体管的沟道重叠。
〔形态4〕
根据形态2所述的显示装置，所述电介质膜和第二栅极绝缘膜分别形成为岛状。
〔形态5〕
根据形态1～4中任一项所述的显示装置，所述氧化物半导体膜比所述结晶性硅半导体膜形成在更上层，
所述第一结构的晶体管和所述第二结构的晶体管是顶栅型的晶体管。
〔形态6〕
根据形态5所述的显示装置，包括：
第一金属层，其包括所述第一栅极；
第二金属层，其包括所述第二栅极；
第三金属层，其比所述第二层间绝缘膜位于更上层；以及
中间金属层，其配置于比所述第一层间绝缘膜更上层且所述氧化物半导体膜更下层，
所述第一电容电极包含在所述中间金属层中。
〔形态7〕
根据形态6所述的显示装置，所述第二电容电极包含在所述第二金属层中。
〔形态8〕
根据形态6所述的显示装置，所述驱动晶体管的所述第一栅极以及所述第一电容电极通过形成于所述第一层间绝缘膜的接触孔连接。
〔形态9〕
根据形态6所述的显示装置，所述氧化物半导体膜包括导体化的导体部，
设置有中继电极，其与所述导体部接触，
所述中继电极包含于所述中间金属层中。
〔形态10〕
根据形态1～9中任一项所述的显示装置，所述电介质膜由氧化硅构成。
〔形态11〕
根据形态1～10中任一项所述的显示装置，所述第一层间绝缘膜包括氮化硅，
所述第二层间绝缘膜包含氧化硅。
〔形态12〕
根据形态1～11中任一项所述的显示装置，所述第一电容电极经由作为所述第二结构的晶体管的复位晶体管与电源线连接。
〔形态13〕
根据形态1～12中任一项所述的显示装置，所述第二电容电极通过作为所述第二结构的晶体管的初始化晶体管与初始化信号线连接。
〔形态14〕
根据形态1～12中任一项所述的显示装置，所述驱动晶体管的所述晶体硅半导体膜包含配置在沟道两侧的源极区域及漏极区域。
〔形态15〕
根据形态14所述的显示装置，所述源极区域和漏极区域中的一方经由作为所述第一结构的晶体管的写入晶体管与数据信号线连接。
〔形态16〕
根据形态14所述的显示装置，所述源极区域和漏极区域中的一方经由作为所述第一结构的晶体管的发光控制晶体管与所述发光元件的阳极连接。
〔形态17〕
根据形态14所述的显示装置，所述源极区域和漏极区域的另一方经由作为所述第一结构的晶体管的电源供给晶体管与电源线连接。
〔形态18〕
根据形态14所述的显示装置，所述源极区域及漏极区域的另一方经由作为所述第二结构的晶体管的阈值控制晶体管与所述驱动晶体管的所述第一栅极连接。
〔形态19〕
根据形态1～18中任一项所述的显示装置，所述发光元件是有机发光二极管或者量子点发光二极管。
〔形态20〕
一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括像素电路以及发光元件，所述像素电路形成有第一结构的晶体管、第二结构的晶体管、以及电容元件，所述第一结构的晶体管包括结晶性硅半导体膜、第一栅极绝缘膜和第一栅极，所述第二结构的晶体管包括氧化物半导体膜、第二栅极绝缘膜和第二栅极；，所述显示装置的制造方法包括：成膜结晶性硅半导体膜的工序；
在比所述晶体硅半导体膜更上层成膜第一栅极绝缘膜的工序；
在比所述第一栅极绝缘膜更上层形成第一金属层的工序；
在比所述第一金属层更上层成膜第一层间绝缘膜的工序；
在比所述第一层间绝缘膜更上层成膜中间金属层的工序；
在比所述中间金属层更上层成膜氧化物半导体膜的工序；
在比所述氧化物半导体膜更上层成膜中间绝缘层的工序；
在比所述中间绝缘层更上层成膜第二金属层的工序；以及
在比所述第二金属层更上层成膜第二层间绝缘膜的工序，
通过所述中间金属层的图案化，形成所述电容元件的第一电容电极，
通过所述第二金属层的图案化，形成所述第二栅极和所述电容元件的第二电容电极，
通过所述中间绝缘层的图案形成，形成所述第二栅极绝缘膜和所述电容元件的电介质膜。
〔形态21〕
根据形态20所述的显示装置的制造方法，使用同一掩模，连续进行所述第二金属层的图案化和所述中间绝缘层的图案化。
附图标记说明
2：基板
4：薄膜晶体管层
5：发光元件层
6：密封层
7：薄膜晶体管基板
10：显示装置
14：第一栅极绝缘膜
15：第一金属层
15a、15A：第一栅极
16：第一层间绝缘膜
17：中间金属层
17a：第一电容电极
17b、17B：中继电极
18：中间绝缘层
18a：介电膜
18b：第二栅极绝缘膜
19：第二金属层
19a：第二电容电极
19b：第二栅极
20：第二层间绝缘膜
21：第三金属层
ED：发光元件
SC：结晶硅半导体层
SZ：氧化物半导体层
Cp：电容元件

Claims (21)

1.一种显示装置，其包括像素电路以及发光元件，所述像素电路形成有第一结构的晶体管和第二结构的晶体管，所述第一结构的晶体管包含结晶性硅半导体膜和第一栅极，所述第二结构的晶体管包含氧化物半导体膜和第二栅极，其特征在于，具备：
第一层间绝缘膜，其覆盖所述第一栅极；以及
第二层间绝缘膜，其覆盖所述第二栅极，
在所述像素电路中，形成有作为所述第一结构的晶体管的驱动晶体管和电容元件，
所述电容元件包括：第一电容电极，其与所述驱动晶体管的第一栅极电连接；第二电容电极，其与所述第一电容电极相对；以及电介质膜，其配置在所述第一电容电极以及第二电容电极之间，
所述电介质膜形成在与所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜不同的层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
包括第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜，所述第一栅极绝缘膜配置在所述结晶性硅半导体膜与所述第一栅极之间，所述第二栅极绝缘膜配置在所述氧化物半导体膜与所述第二栅极之间，
所述电介质膜与所述第二栅极绝缘膜同层且由相同材料形成。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
在俯视时，所述电容元件与所述驱动晶体管的沟道重叠。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述电介质膜和第二栅极绝缘膜分别形成为岛状。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述氧化物半导体膜比所述结晶性硅半导体膜形成在更上层，
所述第一结构的晶体管和所述第二结构的晶体管是顶栅型的晶体管。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，包括：
第一金属层，其包括所述第一栅极；
第二金属层，其包括所述第二栅极；
第三金属层，其比所述第二层间绝缘膜位于更上层；以及
中间金属层，其配置于比所述第一层间绝缘膜更上层且所述氧化物半导体膜更下层，
所述第一电容电极包含在所述中间金属层中。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述第二电容电极包含在所述第二金属层中。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述驱动晶体管的所述第一栅极以及所述第一电容电极通过形成于所述第一层间绝缘膜的接触孔连接。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述氧化物半导体膜包括导体化的导体部，
设置有中继电极，其与所述导体部接触，
所述中继电极包含于所述中间金属层中。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述电介质膜由氧化硅构成。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一层间绝缘膜包括氮化硅，
所述第二层间绝缘膜包含氧化硅。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一电容电极经由作为所述第二结构的晶体管的复位晶体管与电源线连接。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第二电容电极通过作为所述第二结构的晶体管的初始化晶体管与初始化信号线连接。
14.根据权利要求1～12中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述驱动晶体管的所述晶体硅半导体膜包含配置在沟道两侧的源极区域及漏极区域。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
所述源极区域和漏极区域中的一方经由作为所述第一结构的晶体管的写入晶体管与数据信号线连接。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
所述源极区域和漏极区域中的一方经由作为所述第一结构的晶体管的发光控制晶体管与所述发光元件的阳极连接。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
所述源极区域和漏极区域的另一方经由作为所述第一结构的晶体管的电源供给晶体管与电源线连接。
18.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
所述源极区域及漏极区域的另一方经由作为所述第二结构的晶体管的阈值控制晶体管与所述驱动晶体管的所述第一栅极连接。
19.根据权利要求1～18中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述发光元件是有机发光二极管或者量子点发光二极管。
20.一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括像素电路以及发光元件，所述像素电路形成有第一结构的晶体管、第二结构的晶体管、以及电容元件，所述第一结构的晶体管包括结晶性硅半导体膜、第一栅极绝缘膜和第一栅极，所述第二结构的晶体管包括氧化物半导体膜、第二栅极绝缘膜和第二栅极；，所述显示装置的制造方法包括：
成膜结晶性硅半导体膜的工序；
在比所述晶体硅半导体膜更上层成膜第一栅极绝缘膜的工序；
在比所述第一栅极绝缘膜更上层形成第一金属层的工序；
在比所述第一金属层更上层成膜第一层间绝缘膜的工序；
在比所述第一层间绝缘膜更上层成膜中间金属层的工序；
在比所述中间金属层更上层成膜氧化物半导体膜的工序；
在比所述氧化物半导体膜更上层成膜中间绝缘层的工序；
在比所述中间绝缘层更上层成膜第二金属层的工序；以及
在比所述第二金属层更上层成膜第二层间绝缘膜的工序，
通过所述中间金属层的图案化，形成所述电容元件的第一电容电极，
通过所述第二金属层的图案化，形成所述第二栅极和所述电容元件的第二电容电极，
通过所述中间绝缘层的图案形成，形成所述第二栅极绝缘膜和所述电容元件的电介质膜。
21.根据权利要求20所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
使用同一掩模，连续进行所述第二金属层的图案化和所述中间绝缘层的图案化。
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