TW201815545A - 導電材料之壓印微影方法及壓印微影之印模與壓印微影之設備 - Google Patents

導電材料之壓印微影方法及壓印微影之印模與壓印微影之設備 Download PDF

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Abstract

提出使用壓印微影的圖案化方法、用於壓印微影的印模(stamp)、卷對卷(roll-to-roll)基板處理設備的壓印滾軸、及基板處理設備。此方法包括提供一導電漿料之一層於一基板上，其中導電漿料的黏度為0.3Pa.s或以上，特別地為1.5pa.s或更高；壓印一印模在此導電漿料之此層中，以產生導電漿料的一圖案化層；完全地或部分地固化圖案化層；及從圖案化層釋放(release)印模。

Description

導電材料之壓印微影方法及壓印微影之印模與壓印微影之設備
本發明是有關於一種壓印微影，且特別是有關於導電材料的壓印微影。本揭露實施例特別地有關於導電漿料的壓印微影、用於壓印微影的印模、及使用此方法的設備與使用此印模的設備。
薄膜的圖案化是被期望以用於多種應用，例如微電子裝置的製造、光電子裝置的製造、或光學裝置的製造。光學微影技術可用於對裝置中的薄膜進行圖案化。然而，光微影技術可能是昂貴的、及/或可能達到它們的極限，特別是針對較大尺寸的基板。
特別是對於卷對卷(roll-to-roll)處理而言，使用傳統技術而不使用昂貴的光微影來製造小特徵尺寸是有限制的。印刷技術例如是網版(screen)印刷、凹版(gravure)、柔版(flexographic)、噴墨等，例如受限於特徵尺寸，例如 ＞10μm，這尺寸可能不夠小。
此外，片對片(sheet-to-sheet)處理可以受益於壓印微影處理。壓印微影可以提供圖案化薄膜相當廉價的處理，以便在裝置中提供圖案化結構。
導電特徵，亦即由導電材料製造的特徵，可以用於電子裝置、微電子裝置、光電子裝置、和光學裝置。
改良導電特徵的製造會是有益的。
鑑於上述，提出使用壓印微影進行圖案化的方法、用於壓印微影的印模、卷對卷基板處理設備的壓印滾軸、及基板處理設備。本揭露的其他方面、優點和特徵係明示(apparent)於附屬申請專利範圍、說明書及所附圖示中。
根據一實施例，提出一種使用壓印微影的圖案化方法。此方法包括：提供一導電漿料(paste)之一層於一基板上，其中導電漿料的黏度為0.3Pa.s或以上，特別地為1.5pa.s或更高；壓印一印模(stamp)在該導電漿料之該層中，以產生導電漿料的一圖案化層；完全地或部分地固化圖案化層；以及從圖案化層釋放(release)印模。
依據另一實施例，提出一種用於壓印微影的印模。此印模包括：一基底主體；及多個特徵，用於在壓印印模於一層中時產生一圖案，其中多個特徵係由該基底主體所支撐，其中至少10%的該些特徵具有一特徵寬度W及一特徵深度D，並提供一比值D/W為1.5或更大，特別地為5或更大，以在壓印微影期間產生多個中空空間。
依據另一實施例，提出一種卷對卷基板處理設備之壓印滾軸。此壓印滾軸包括一印模。此印模包括：一基底主體；及多個特徵，用於在壓印該印模於一層中時產生一圖案，其中該些個特徵係由基底主體所支撐，其中至少10%的該些特徵具有一特徵寬度W及一特徵深度D，並提供一比值D/W為1.5或更大，特別地為5或更大，以在壓印微影期間產生多個中空空間，其中該些個特徵係提供在滾軸的一表面。
依據另一實施例，提出一種基板處理設備。此設備包括印模。印模包含：一基底主體；及多個特徵，用於在壓印該印模於一層中時產生一圖案，其中該些特徵係由基底主體所支撐，其中至少10%的該些特徵具有一特徵寬度W及一特徵深度D，並提供一比值D/W為1.5或更大，特別地為5或更大，以在壓印微影期間產生多個中空空間。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
本揭露實施例提出一種使用壓印微影的圖案化方法。此方法包括：提供一層導電漿料(paste)在一基板上，其中導電漿料的黏度為1.5pa.s或更高；壓印一印模(stamp)在此層導電漿料中，以產生導電漿料的一圖案化層；完全地或部分地固化圖案化層；以及從圖案化層釋放(release)印模。本揭露實施例更提出及/或使用用於壓印微影的印模。此印模包括一基底主體；及多個特徵，此些特徵用於在壓印印模於一層中時產生一圖案，其中此些特徵係由基底主體所支撐支撐，其中至少10%的此些特徵具有一特徵寬度W及一特徵深度D，並提供一比值D/W為1.5或更大，特別地為5或更大，以在壓印微影期間產生多個中空空間。
卷對卷(roll-to-roll, R2R)壓印微影可達到的特徵尺寸之解析度約為1µm或更小，例如甚至達到次微(sub-micro)的解析度。因此，依照本揭露使用壓印微影技術的實施例可以允許在可彎曲基板上製造小型特徵。
使用地理(geography)壓印有兩種模式。膜可被沉積和壓印。壓印材料可以作為蝕刻遮罩，用於後續的蝕刻。替代性地，膜可被沉積並壓印。壓印材料，例如光阻(resist)材料，可以是產品的永久部分，並形成沉積的膜。藉由使用印模壓印材料層，可用於本揭露實施例之壓印微影將膜圖案化為期望的或預定的形狀。
根據本揭露所述實施例，壓印微影可以特別有利於R2R製程。 R2R製程在沉積膜時可以實現高生產率，並製造圖案化膜。例如，可以在R2R製程中沉積並圖案化膜，例如薄膜，亦即厚度為幾奈米至數十微米的材料層。薄膜可提供在塑膠基板上，例如PET、PEN、COP、PI、TAC(三醋酸纖維素(Triacetyl cellulose))、及其他類似基板。
根據本揭露另外的實施例，薄膜的沉積和圖案化也可以應用於金屬或薄玻璃基板，例如康寧(Corning)的可撓式玻璃(Willow Glass)。例如，薄膜可以以片對片(sheet-to-sheet)的處理而被製造。這可應用於玻璃基板或貼附在玻璃載體上的塑膠基板。另外的實施例可以涉及金屬基板、有機基板、例如用於印刷電路板(printed circuit board, PCB)製造之玻璃複合基板、例如用於積體電路(integrated circuit, IC)封裝之ABF(味之素(Ajinomoto)組合膜)、及其他剛性基板。
第1A及1B圖繪示具壓印微影之圖案化方法及用於壓印微影之印模110。導電漿料之一層102係提供在基板100上。依據本揭露實施例，導電漿料具有的黏度為1.5pa.s或更高。依據可與其他此處所述實施例結合之本揭露的一些實施例，導電漿料可為銅漿料(couple paste)或銀漿料。
印模110係壓印在導電漿料的此層102中，以在圖案化層104中產生圖案，如圖1B所示。印模110包括基底主體112及多個特徵114。印模的特徵可以例如由印模110中的凹部(recess)所形成，其中印模中的凹部導致圖案化層104中的凸部(protrusion)。對應於印模特徵的圖案化層中的凸部可以稱為圖案化特徵。
印模110的各個特徵114具有特徵寬度W和特徵深度D。印模的特徵由底表面121、側表面123、和一個或多個相鄰頂表面122所形成。範例性地，第1A圖繪示印模110的橫切面，其中特徵寬度W係被繪出。依據本揭露的實施例，特徵還有具W'的第二特徵在不平行於第1A圖的紙平面的方向上，例如在垂直於第1A圖所示的特徵寬度W的方向上。
依據本揭露實施例，多個特徵可被提供，其中多個特徵包括：側表面、底表面、和頂表面。例如，各個特徵可以包括一個或多個側表面、一底表面、且可以被頂表面圍繞。多位準印模可以進一步包括多於一個的底表面。依據可與此處所述的其他實施例結合的一些實施例，側表面、底表面、和頂表面中的至少一個係塗佈有塗層(coating)。
依據一些實施例，印模110的多個特徵114可以具有相同的特徵寬度和相同的特徵深度。附加地或替代地，印模的不同特徵可以具有不同的特徵幾何形狀，亦即不同的特徵寬度和不同的特徵深度。另外，可以重複的方式將兩個或更多個具有不同尺寸的特徵彼此相鄰放置以形成重複的圖案。
依據本揭露一些實施例，圖案化特徵可選自由以下所組成的群組：線(line)、柱(pole)、溝槽(trench)、孔(hole)、圓形、正方形、矩形、三角形、其他多邊形、角錐形、平頂(plateaus)、及其組合或陣列。一般來說，圖案化特徵可包括用於電路製造的多個形狀。印模的特徵可以具有對應的幾何形狀，其中凸部對應於凹部，反之亦然。圖案化特徵可以包括用於製造電路中導電線的遮罩(mask)。
依據本揭露一些實施例，壓印微影圖案化方法可用於製造線柵偏光器(wire grid polarizer)，其中例如線被提供為圖案化特徵。例如，線可以具有100nm或更低的半頁(half page)，例如50nm至100nm。
如第1B圖所示，印模110和基板100係相對於彼此而被移除(remove)，以使得導電漿料的此層102被壓印以形成圖案化層104。例如，印模110可以往下移動(lower)至基板上，亦即相對於基板移動。替代性地，基板100可相對於印模110移動。依據另外的替代作法，基板100和印模110可被移動以將印模110壓印在導電材料的此層102中。
依據本揭露一些實施例，如關於第5圖範例性的描述，印模110可以是壓印滾軸的一部分，或者可以將印模安裝在滾軸上，其中壓印可以在R2R製程中進行。對於R2R製程中的壓印微影，滾軸可以圍繞旋轉軸線而旋轉，而基板係在轉子的表面例如圓柱形表面上移動。例如，基板輸送速度v可對應至依據公式v = r∙w的滾軸角速度w，其中r是滾軸的外徑。也就是說，基板輸送速度係相似於滾軸的橫向徑向(cross-radial)速度，亦即滾軸的切向(tangential)速度。
依據本揭露一些實施例，壓印微影處理也可以是自對準壓印微影(self-aligned imprint lithography, SAIL)處理。對於SAIL處理，即多位準壓印微影製程(multi-level imprint lithography process)，印模中的凹部可具有特微之不同部分的兩個或更多個特徵深度。這可以非常有效地在薄膜中生成圖案。因此，SAIL處理包括多位準印模。線路的製造，例如以壓印微影處理(例如SAIL處理)的連接線，允許線之間具有窄寬度和短距離的線。
依據本揭露實施例，並且如關於第1A及1B圖範例性所示，導電漿料係提供在基板100上以形成一層102。導電漿料以印模110壓印，形成所需結構。導電材料被固化，例如通過光，例如紫外線(UV)光，或通過加熱。在壓印印模從基板分離或釋放之前，可以完全地或部分地提供固化。例如，固化可能不完全，但提供足夠的結構穩定性，使得壓印印模可以釋放漿料而不損壞壓印結構。
導電材料可接受後續的固化而完全固化導電材料。在一些事件中，殘留材料會留在基板上，並位在對應於印模的一個或多個頂表面122的印模110的一部分，蝕刻處理可被提供以去除殘留材料。例如，光蝕刻可被提供，以去除圖案化結構之間的程序導電漿料材料。此蝕刻可以是濕蝕刻或乾燥蝕刻。
此處所述的實施例參照至由印模直接壓印在基板上的圖案化層。也就是說，圖案化層形成產品的永久部分並形成沉積膜，這將是製造裝置之層堆疊的一部分。依據本揭露實施例，圖案化層104形成裝置中的功能層。導電漿料被固化以形成裝置的導電結構，這將在蝕刻處理之後例如不被去除。
依據本揭露的另一方面，有關印模的一個或多個頂表面122所對應之印模的部分，中空空間214可以允許留在此處的殘留光阻劑或導電漿料材料之殘留層的薄化。相較之下，不具有足夠大的特徵深度以提供中空空間來容納空氣(在印模壓印導電漿料時會移位)、以及例如氣體(可能會排放(evolve))，將在導電漿料的此層102可能會變厚的情況下，導致過剩的殘留材料。依據本揭露印模導致減少甚至避免在基板上接收材料。
第2圖繪示依據本揭露實施例的印模110的另一實施例。印模110包括基底主體112及特徵114。特徵具有寬度W(及另一寬度W'，未繪示於橫切面亦即第2圖中)、及深度D。如第2圖所示，印模110可具有深度D的特徵，深度係足夠大以提供中空空間214於印模110的特徵114的底表面121與圖案化層104的表面221之間。
使用導電漿料進行壓印微影處理的一個方面是導電漿料在固化處理期間(部分或完全固化)將排放氣體。由印模110的特徵114深度提供的中空空間214導致壓印微影，其中材料未完全填充於印模中的特徵。因此，氣體具有一容積，並在其中排放氣體。
可從導電漿料排放的氣體的量，可以透過以下至少一種來調整：導電漿料的黏度、導電漿料中的材料的沸騰溫度、中空空間的容積、固化的程度、印模的額外結構特徵(參見第3圖之例子)、及其組合。
例如，材料可以添加到導電漿料，這可以增加或降低黏度。這可以導致在印模釋放之前可提供或將提供的固化時間的調整。可以將低沸點溶劑添加到光阻，例如，可以將低沸點溶劑滴定(titrate)到光阻，以增加固化過程中所排放的氣體量。中空空間214的容積的增加可以增加直到在中空空間建立(built up)一壓力的時間，這可能會對氣體的排放起相反的作用(counter-act)。此外，如第 3圖所示，特徵114可以具有開口314穿孔以允許氣體從印模中排出(escape)。作為另一個實例，固化可以在真空條件下進行，例如技術(technical)真空，這可以進一步影響中空空間內的氣體壓力，特別是在存在開口或穿孔的情況下。
依據本揭露實施例，被排放的氣體被用作幫助釋放印模的一種方式。例如，(1)排放氣體力量釋放的時間，與(2)在釋放之時的固化程度，之間會有一些相互作用。其他會相互作用以影響而幫助印模釋放的方面，係如上所述，並且是選自由以下元素所組成的群組中的至少一種元素：導電漿料的黏度、導電漿料中的材料的沸點、中空空間的容積、固化程度、印模的額外結構特徵(參見第3圖之例子)、及其組合。
第2圖範例性地繪示具有特徵114的印模110的實施例，其中特徵的深度被提供為在壓印印模於導電漿料之層102中時，產生中空空間214。因此，印模係被提供。印模包括基底主體和多個特徵，用於在壓印印模於層上時產生圖形，其中多個特徵由基底主體所支撐，其中多個特徵至少10％具有特徵寬度W和特徵深度D，並提供一比值D/W為5或更大，以在壓印微影期間產生中空空間。根據可與本揭露所述的其他實施例結合的另外的實施例，提供具有此處所述之壓印微影的導電材料的圖案，可以受到進一步的電鍍製造處理。電鍍會增長或進一步沉積導電材料於圖案的特徵上。因此，利用壓印微影製造的圖案可以是晶種，以用於進一步的製造處理。
如此處所描述的，一個方向上的特徵寬度是此方向上的最大尺寸。相仿地，特徵深度是特徵的最大深度。對於多位準印模設計，一個特徵可以在相同方向和兩個或更多個深度上具有兩個或更多個寬度。例如，圓柱形特徵的寬度典型地是直徑，且圓柱形特徵的深度通常將是個別圓柱的高度。作為另一個例子，對於矩形特徵寬度和高度典型地可以由對應的長方體的尺寸所提供。
第3圖繪示依據本揭露實施例之印模110的另一範例。第3圖繪示在印模110已經壓印在導電漿料中之後的基板100上的圖案化層104。印模110中的特徵深度係足夠大以在圖案化層104的表面和特徵的底表面之間具有中空空間214。依據可以與此處所述的其他實施例結合之本揭露一些實施例，中空空間214可以透過開口314與另一區域流體連通。例如，開口314可以是穿孔，特別是在印模的基底主體。依據本揭露實施例，開口，例如基底主體中的多個開口，可以被配置為使得氣流可以流出或流入中空空間。
開口314或穿孔允許在固化時將從導電漿料排放的氣體釋出。依據一些實施例，開口314可以延伸穿過印模110的基底主體。因此，開口可以在中空空間214和印模110外部的區域之間提供流體連通。例如，對於在技術真空下進行的圖案化，印模外部的區域可以具有10 mbar或更低、或1 mbar或更低的壓力。
依據一些實施例，開口314(或穿孔)的大小可以在50µm至500µm的範圍內。依據另外的實施例，與特徵的對應的中空空間214有流體連通的兩個或更多個開口314，可打開而外通到共同的通道(channel)、或共同的另外的中空空間，特別是具有比特徵的中空空間214的容積大至少100倍(或甚至10000倍)的容積的另外的中空空間。
如上所述，有多種選擇可以影響在壓印微影處理期間，在壓印層的固化或預固化期間所發生之導電漿料的氣體排放。這些選項可以與其他選項組合以允許調整導電漿料的釋氣(outgas)，以提供所需的圖案化層，例如，關於特徵形狀、材料成分、或類似方式等。此外，如第4A和4B圖所示，這些選項可以附加地或替代地組合，以允許有助於從基板釋放印模。
第4A圖繪示具有基底主體112的印模110。印模110係部分地壓印在導電漿料的層中以產生圖案化層104。例如，圖案化層104可以提供在基板上。依據可以與此處所述的其他實施例結合的一些實施例，導電漿料之層或圖案化層可以提供在基板上、或提供在基板上方。特別是層可被提供為與基板直接接觸，或者一或多個另外的層可提供在基板及導電漿料之層(產生裝置的圖案化層)之間。
如第4A圖所示，中空空間214係提供在圖案化層104的上方。印模特徵的凹部未完全填充導電漿料。第4A圖繪示在印模的頂表面與基板之間具有小空間的情況。第4B圖繪示具有基底主體112的印模110完全壓印在導電漿料中的情況。印模的頂表面係接觸在導電漿料下的結構或層，例如第4B圖所示的基板100。另外，第4B圖中所示的情況在導電漿料和印模110之間具有中空空間214。中空空間214允許氣體從導電漿料排放到中空空間內。氣體的排放增加了中空空間214內的壓力。例如，由導電漿料產生的氣體排放所造成壓力，增加至少10％的印模特徵的中空空間，特別是至少50％的印模特徵，更特別是至少90％的印模特徵。中空空間內的壓力導致如箭頭402所示的力，此力可以幫助從基板釋放印模、或者可以從基板100釋放印模110。
依據本揭露實施例，藉由減小中空空間的容積、降低導電漿料的黏度、增加固化時間、加入低沸點溶劑在導電漿料、減小穿孔的尺寸(或不提供穿孔)、或其組合，可增加壓力且因而增加作用在將印模從基板釋放之釋放方向上的力。依據本揭露的實施例，藉由增大中空空間的容積、增加導電漿料的黏度、減少固化時間、降低在導電漿料中之低沸點溶劑的量、增大穿孔的尺寸(或提供穿孔)、或其組合，可降低壓力且因而降低作用在將印模從基板釋放之釋放方向上的力。有鑑於以上，本揭露實施例允許提供預先定義的或期望的釋放力以作用於印模上，藉以改進壓印微影處理。
可以附加地或替代地提供的壓印微影處理，例如SAIL處理，詳細細節係範例性地繪示於第5圖。根據可以與此處所述的其他實施例結合之此處描述的實施例，壓印微影的方法和用於壓印微模的印模可包括於及/或用於R2R製程。壓印站可包括滾軸510，滾軸510可以圍繞滾軸510的軸514旋轉。第5圖繪示的旋轉方式如箭頭512所示。當滾軸510旋轉時，貼附至滾軸或作為滾軸一部分之印模110的圖案，係壓印在導電漿料的層102中。
如第5圖所示，滾軸510具有印模110被提供在滾軸510上，或作為滾軸的一部分。當基板100通過滾軸510與例如另一滾軸502之間的間隔移動時，印模110的圖案係被浮雕(emboss)在層102之中。這產生圖案化層104。箭頭503表示其他滾軸502繞其他滾軸502的軸504的轉動方式。第5圖中的箭頭101表示基板100通過滾軸510和滾軸502之間的間隔的移動。滾軸如箭頭512和503所示旋轉。例如，依據本揭露一些實施例，沿箭頭101的基板傳送速度類似於滾軸的橫向徑向速度，亦即滾軸的切向速度。
依據本揭露實施例，R2R設備可以被提供於壓印微影，其中導電漿料係參與壓印微影的進行，特別是其中導電漿料是待製造的裝置中的功能層。在壓印或使用印模浮雕圖案、或壓印滾軸於導電漿料之層中之前，導電漿料係提供在基板之上或上方。
第5圖繪示用於將導電漿料施加到基板100上或基板100上方的沉積單元544。提供導電漿料的施加以用於導電材料的層102。例如，一個或多個沉積單元544可以使用新月形(Meniscus)塗佈、狹縫式塗佈(slot die coating)、刮刀(doctor blade)塗佈、凹版(gravure)塗佈、柔性版(flexographic)塗佈、噴灑(spray)塗佈。在導電漿料的層102已被沉積之後，印模110係用來浮雕層102中的圖案，以產成圖案化層104。
依據可與此處揭露的其他實施例結合的本揭露的一些實施例，經壓印的導電漿料係使用固化單元532固化。固化單元532可選自由以下所組成的群組：發光單元及加熱單元，被配置以用於在將印模壓印於此層中之時固化此層，其中發射533係被產生。例如，發光單元可以發射紫外線光(UV light)，特別是在410nm到190nm的波長範圍內。另一個例子是發射單元可以發射紅外線光(IR light)，特別是在9-11微米(CO2雷射)的波長範圍內。另一個例子是發射單元可以發射從紅外線到紫外線的寬頻帶光，特別是在波長範圍從3微米到250nm的發射。這種發射可以被濾波而使用光學濾波器僅選擇一部分黑體(blackbody)發射。
依據可以與此處所述的其他實施例結合的又一些實施例，選擇性地，還可以提供光學測量單元，以用於評估基板處理的結果。
第5圖顯示固化單元532。固化單元532被配置為在將印模110壓印到導電漿料的層中之時，部分或完全固化導電漿料。依據本揭露實施例，可以通過固化單元的強度(例如光強度或熱發射強度)來調整固化程度。另外地或代替地，固化程度可以藉由滾軸510和基板100的轉速進行調整。
在藉由固化單元532部分固化的情況下，可以在固化單元532的下游(downstream)提供第二固化單元534，其中第二發射535係被產生。第二固化單元534可以將部分固化的圖案化層104完全固化。
依據本揭露實施例，導電漿料係用壓印微影而被壓印。被壓印的材料，例如光阻材料，可以是產品的永久部分，並形成沉積膜。此處所述的實施例參照至直接由印模壓印之基板上的圖案化層。也就是說，圖案化層形成產品的永久部分並形成沉積膜，這將是所製造之裝置之層堆疊的一部分。依據本揭露實施例，圖案化層104形成裝置中的功能層。
第6圖繪示依據本揭露實施例之使用壓印微影之圖案化的方法的流程圖。如方框602所示，導電漿料的層係被提供。導電漿料的黏度為0.3Pa·s或以上。導電漿料配置以形成功能層於藉由此方法製造之裝置中。如方框604所示，此方法包括在導電漿料的層中壓印或使用印模浮雕圖案，以生成導電漿料的圖案化層。方框606進一步繪示完全地或部分地固化的圖案化層。依據可與本揭露其他實施例結合的本揭露的一些實施例，印模從圖案化層釋放，其中特別地，在固化期間從導電漿料排放至印模特徵之中空空間內的氣體壓力，分別地可以從基板的圖案化層幫助釋放印模、或者可以從基板的圖案化層釋放印模。依據可以與此處所述其他實施例結合的又一個實施例，方框604可以包括在導電漿料的層中壓印或使用印模浮雕圖案、部分地固化導電漿料、以及將印模從導電漿料的層釋放。
本揭露實施例具有多個優點，包括：利用壓印微影對導電漿料進行壓印，以形成例如裝置的功能層，其中可以提供小特徵尺寸；藉由考量中空空間而提供特徵深度，在圖案化層的固化期間允許氣體從導電漿料排放；設計中空空間、及/或與中空空間流體連通的開口，以允許增加或減少排放至中空空間內氣體的壓力，特別是用於調整及/或控制中空空間內的氣體壓力；提供印模釋放力、或由於中空空間內的壓力而幫助釋放印模之力；減少圖案化層固化後的殘留材料；允許具高深寬比導電材料的圖案化；允許小特徵製造於可彎曲的基板上，特別是具備高產出率；及/或允許自對準導電層的製造。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧基板
101、402、503、512‧‧‧箭頭
102‧‧‧導電漿料之層
104‧‧‧圖案化之層
110‧‧‧印模
112‧‧‧基底主體
114‧‧‧特徵
121‧‧‧底表面
122‧‧‧頂表面
123‧‧‧側表面
214‧‧‧中空空間
221‧‧‧表面
314‧‧‧開口
502、510‧‧‧滾軸
504、514‧‧‧軸
532‧‧‧固化單元
533‧‧‧發射
534‧‧‧第二固化單元
535‧‧‧第二發射
544‧‧‧沉積單元
602、604、606‧‧‧方框
D‧‧‧深度
F‧‧‧力
W‧‧‧寬度
本揭露實施例係簡要概述於上並進一步詳述如下，可透過參考所附圖示的本揭露範例性實施例而理解。然而，應瞭解，所附圖示僅繪示本揭露的典型實施例，因此不應將其視為限制其範圍，因本揭露可允許應用於其他同等有效的實施例。 第1A及1B圖繪示依照本揭露實施例之基板上之薄膜壓印微影之製程及依照本揭露之用於壓印微影的印模的示意圖。 第2圖繪示依照本揭露之用於壓印微影的印模的示意圖。 第3圖繪示依照本揭露之用於壓印微影的另一印模的示意圖。 第4A及4B圖繪示依照本揭露實施例之壓印微影薄膜於基板上之製程的示意圖。 第5圖繪示使用此處所述實施例之提供圖案於金屬漿料層之中的設備的示意圖。 第6圖繪示壓印微影之方法的流程圖。 為了幫助理解，在可能的情況下，相同的附圖標記係用來表示在圖示中共通的相同元件。請知悉在一個實施例的元件和特徵可以有利地併入其它實施例中，而無需進一步重覆的敘述。

Claims (20)

  1. 一種使用壓印微影的圖案化方法，包括： 提供一導電漿料(paste)之一層於一基板上，其中該導電漿料的黏度為1.5Pa.s或以上； 壓印一印模(stamp)在該導電漿料之該層中，以產生該導電漿料的一圖案化層； 完全地或部分地固化該圖案化層；以及 從該圖案化層釋放(release)該印模。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該導電漿料的黏度為100Pa.s或以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中該印模具有複數個特徵以產生該圖案，且其中至少10%的該些特徵的一特徵深度大於該層的導電漿料的厚度。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該特徵深度提供中空(hollow)空間於該導電漿料及該印模之間。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中至少10%的該些特徵各具有一開口，被配置以降低因完全地或部分地固化該圖案化層所產生的氣體壓力。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中至少10%的該些特徵各具有一開口，被配置以降低因完全地或部分地固化該圖案化層所產生的氣體壓力。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中複數個開口被配置以降低所提供之該些中空空間中的氣體壓力。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中該氣體壓力產生一力量以幫助該印模從該圖案化層釋放。
  9. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該氣體壓力產生一力量以幫助該印模從該圖案化層釋放。
  10. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該氣體壓力產生一力量以幫助該印模從該圖案化層釋放。
  11. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該氣體壓力產生一力量以幫助該印模從該圖案化層釋放。
  12. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該氣體壓力產生一力量以幫助該印模從該圖案化層釋放。
  13. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該氣體壓力產生一力量以幫助該印模從該圖案化層釋放。
  14. 一種用於壓印微影的印模，包括： 一基底主體；以及 複數個特徵，用於在壓印該印模於一層中時產生一圖案，其中該複數個特徵係由該基底主體所支撐，其中至少10%的該些特徵具有一特徵寬度W及一特徵深度D，並提供一比值D/W為1.5或更大，以用於在壓印微影期間產生複數個中空空間。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之印模，更包括： 複數個開口，位在該基底主體中，被配置以允許氣體流出或流入該些中空空間。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之印模，其中該複數個特徵包括：複數個側邊表面、複數個底部表面、及複數個頂部表面，且該些側邊表面、該些底部表面、及該些頂部表面之至少其一係被塗佈一塗層(coating)。
  17. 一種卷對卷(roll-to-roll)基板處理設備之壓印滾軸，包括： 如申請專利範圍第14至16項之任一項所述之印模，其中該複數個特徵係提供在該壓印滾軸的一表面。
  18. 一種基板處理設備，包括： 如申請專利範圍第14至16項之任一項所述之印模。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之基板處理設備，其中該印模係提供在被配置以用於卷對卷處理的一滾軸的一表面。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之基板處理設備，更包括： 一固化單元，選自由一發光單元及一加熱單元所組成的群組，被配置以在壓印該印模於該層之中時固化該層。
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