TW201813138A - 顯示裝置及其測試方法 - Google Patents

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TW201813138A TW105142554A TW105142554A TW201813138A TW 201813138 A TW201813138 A TW 201813138A TW 105142554 A TW105142554 A TW 105142554A TW 105142554 A TW105142554 A TW 105142554A TW 201813138 A TW201813138 A TW 201813138A
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宋垠妸
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Abstract

本發明提供一種顯示裝置以及其測試方法，其可以檢測由構成密封膜的有機膜的溢流所造成的缺陷。該顯示裝置包括：一基板，包含一顯示區域以及一墊片區域，其中，該顯示區域中設置複數個像素，而該墊片區域包含形成在顯示區域外部的複數個墊片；一密封膜，覆蓋該顯示區域，並且包含至少一無機膜以及至少一有機膜；一壩體，設置在該顯示區域與該墊片區域之間；以及一導電測試線，設置在該壩體與該墊片區域之間，且該導電測試線不與設置在該基板上的另一導電線或電極電性連接。

Description

顯示裝置及其測試方法
本發明係關於一種顯示裝置以及一種該顯示裝置的測試方法。
近年來，隨著資訊時代的進步，對於用於顯示影像的顯示裝置的需求也以各種形式增加。因此，如液晶顯示(Liquid Crystal Display,LCD)裝置、電漿顯示面板(Plasma Display Panel,PDP)裝置以及有機發光顯示(Organic Light Emitting Display,OLED)裝置等各種形式的顯示裝置皆被使用。
在各種顯示裝置中，有機發光顯示裝置是一種自體發光裝置，其優點在於，具有更優於液晶顯示裝置的觀看角度以及對比度。此外，由於有機發光顯示裝置不需要分離的背光板，有機發光顯示裝置更具有厚度薄、重量輕及耗電量低等優點。再者，有機發光顯示裝置更具有可以由低直流電壓所驅動、快速的反應速度、以及低製造成本等優點。
有機發光顯示裝置包括：複數個像素，各個像素包括一有機發光二極體；以及分隔該等像素以定義該等像素的一堤岸。該堤岸可以作為一像素界定膜。該有機發光二極體包括一陽極電極、一電洞傳輸層、一有機發光層、一電子傳輸層、以及一陰極電極。在此情況中，如果高瞬間電壓被施加至陽極電極，且低瞬間電壓被施加至陰極電極，電洞與電子會分別經由電洞傳輸層以及電子傳輸層被移動到有機發光層，並且會在有機發光層中彼此結合以發出光。
有機發光二極體的問題在於，有機發光二極體容易因為外部的H2O以及O2等外部因素而產生降解。為了防止此種問題發生，有機發光裝置包括一密封膜，用以防止外部的H2O以及O2滲透進入有機發光二極體。
圖1是以示意方式顯示習知技術的顯示裝置的剖面圖。
如圖1所示，在習知技術的顯示裝置中，密封膜30係形成在設置有機發光二極體20的基板10上。此時，密封膜30包括一第一無機膜30a、一有機膜30b以及一第二無機膜30c，藉此防止O2或H2O滲透進有機發光層與電極中。
有機層30b係形成在第一無機膜30a上並且覆蓋第一無機膜30a，藉此防止粒子通過第一無機膜30a滲透進入有機發光層與電極。
有機膜30b一般是由聚合物所製成，並且以液體型態沉積在基板10上，接著透過硬化製程成形。由於有機膜30b在執行硬化製程之前都具有可撓性，有機膜30b有可能會溢流到預定要形成密封膜30之區域以外的區域。
如果有機膜30b朝向形成於外部的墊片部分溢流，會因為有機膜30b的緣故而失去電性接觸，因而會產生驅動缺陷或光線測試缺陷的問題。
同時，由於有機膜30b具有優良的塗覆效能，但其屏蔽效能不佳，有機膜30b應該由第二無機膜30c密封。然而，如果有機膜30b溢流到預定要形成密封膜30之區域以外的區域，有機膜30b便無法如圖2所示由第二無機膜30c密封，且H2O、O2等粒子會通過外露的有機膜30b滲透進入有機發光層，因而導致有機發光二極體20產生降解的問題。
如上文中所述，雖然有機膜30b溢流到預定要形成密封膜30之區域以外的區域會產生各種問題，但由於有機膜30b的材料是透明的聚合物，產生的其他問題並無法由肉眼辨別。
據此，本發明的目的在於提供一種顯示裝置以及一種該顯示裝置的測試方法，該裝置及方法可以避免習知技術中的限制與缺點所產生的一個以上的問題。
本發明所提供的顯示裝置及其測試方法的其中一優點在於，可以檢測到因有機膜溢流所造成的缺陷。
所屬技術領域中具有通常知識者在閱讀本發明的說明書或在實施本發明後，可以對本發明的額外優點與特徵有更良好的理解。透過以本發明的說明書、申請專利範圍以及附圖中所記載的特定結構實施本發明，可以實現本發明的目的並獲得本發明的其他優點。
為了根據本發明的目的實現上述的目標以及其他優點，根據本文中的實施例以及廣泛性的描述，本發明的顯示裝置包括：一基板，包含一顯示區域以及一墊片區域，其中，該顯示區域配置複數個像素，而該墊片區域包含形成在該顯示區域外部的複數個墊片；一密封膜，覆蓋該顯示區域，並且包括至少一無機膜以及至少一有機膜；一壩體，設置在該顯示區域與該墊片區域之間；以及一導電測試線，設置在該壩體與該墊片區域之間，且該導電測試線不與設置在該基板上的另一(或任何其他的)導電線或電極電性連接。
在本發明的另一態樣中，提供一種顯示裝置的測試方法，該方法包括以下步驟：在一基板的一顯示區域上形成複數個像素，在一墊片區域上形成複數個墊片，在該顯示區域與該墊片區域之間形成一壩體，並且在該壩體與該墊片區域之間形成一導電測試線；形成覆蓋該顯示區域的一密封膜，該密封膜包括至少一無機膜以及一有機膜；將一電訊號施加至該導電測試線的至少兩點，並且測量該兩點之間的電流或導電率；以及如果該兩點之間的電流或導電率等於或小於一閥值，則判定為具有缺陷。
該領域中具有通常知識者應當理解，上文中本發明的概述以及下文中本發明的詳細說明皆為示例性與說明性的內容，其目的在於對申請專利範圍中的發明提供更進一步的解釋。
10‧‧‧基板
20‧‧‧有機發光二極體
30‧‧‧密封膜
30a‧‧‧第一無機膜
30b‧‧‧有機膜
30c‧‧‧第二無機膜
100‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧顯示面板
111‧‧‧第一基板
112‧‧‧第二基板
120‧‧‧壩體
121‧‧‧第一壩體
122‧‧‧第二壩體
130‧‧‧導電測試線
131‧‧‧第一導電測試線
132‧‧‧第二導電測試線
133‧‧‧第三導電測試線
134‧‧‧第四導電測試線
140‧‧‧源極驅動積體電路
150‧‧‧可撓性薄膜
160‧‧‧電路板
170‧‧‧時序控制器
180‧‧‧測量裝置/外部測量裝置
181‧‧‧第一測量裝置
182‧‧‧第二測量裝置
183‧‧‧第三測量裝置
184‧‧‧第四測量裝置
210‧‧‧薄膜電晶體
211‧‧‧主動層
212‧‧‧閘極電極
213‧‧‧源極電極
214‧‧‧汲極電極
220‧‧‧電容器
221‧‧‧下電極
222‧‧‧上電極
230‧‧‧閘極絕緣膜
240‧‧‧介電中間層
250‧‧‧鈍化膜
260‧‧‧平坦化膜
280‧‧‧有機發光二極體
281‧‧‧第二電極
282‧‧‧有機發光層
283‧‧‧第一電極
284‧‧‧堤岸
290‧‧‧密封膜
291‧‧‧第一無機膜
292‧‧‧有機膜
293‧‧‧第二無機膜
330‧‧‧黏著層
340‧‧‧墊片
A‧‧‧第一點
B1、B2‧‧‧第二點
CH1、CH2、CH3‧‧‧接觸孔
DA‧‧‧顯示區域
NDA‧‧‧非顯示區域
EA‧‧‧發光區域
PA‧‧‧墊片區域
P‧‧‧像素
下列附圖係結合說明作為本說明書的一部分，以使該技術領域中具有通常知識者在閱讀後能夠對本發明有更完整的理解，該些附圖係顯示本發明的實施例並且結合說明書內容說明本發明的原理。該些附圖包括：圖1係以示意方式顯示習知技術的顯示裝置的剖視圖；圖2係顯示溢流的有機膜的剖面圖；圖3係顯示根據本發明一實施例之顯示裝置的立體圖；圖4係顯示圖3之第一基板、源極驅動IC、可撓性薄膜、電路板、以及時序控制器的平面圖；圖5係更詳細地顯示圖4之第一基板的平面圖；圖6係顯示圖5之顯示區域的像素的範例的剖面圖；圖7係顯示圖5之導電測試線以及壩體的範例的剖面圖；圖8係顯示圖4之第一基板的另一範例的平面圖；圖9係顯示圖4之第一基板的再一範例的平面圖；圖10係顯示圖4之第一基板的又一範例的平面圖；圖11係顯示圖4之第一基板的另一範例的平面圖；圖12係顯示圖4之第一基板的再一範例的平面圖；圖13係顯示圖4之第一基板的又一範例的平面圖；圖14A至圖14G係顯示根據本發明一實施例之顯示裝置的測試方法的剖視圖；圖15係顯示用於利用導電測試線測試缺陷的方法的範例的示意圖；以及圖16係顯示用於利用導電測試線測試缺陷的方法的另一範例的示意圖。
本領域中具有通常知識者在結合附圖閱讀下文中的實施例後，應能更加清楚本發明的優點、特徵以及實施方法。然而，本發明亦可 以不同的形式實施，本發明不應被實施例的內容所限制。相對地，下文中的實施例之目的在於使本說明的內容更為縝密與完整，因而能夠將本發明的概念完整的傳達給本領域中具有通常知識者。此外，本發明係僅由申請專利範圍的範疇所限制。
附圖中用於說明實施例的形狀、尺寸、比例、角度以及數量僅為範例，因此，本發明並不受附圖中所顯示的細節限制。在本說明書中，相似的參考符號係代表相似的元件。在下文中，當與習知技術相關的功能或結構會不必要地混淆本發明的重點時，將會省略相關的詳細說明。
在本說明書中，當使用「包括」、「具有」及「有」等用語時，代表可以額外添加其他部件，除非有另外強調「僅~」。除非有另外強調不是如此，單數形式的詞彙也可以包括複數的形式。
在解釋一元件時，雖然未在此明確說明，但該元件的解釋應包含一誤差範圍。
在說明位置關係時，舉例來說，當使用「在...之上」、「上方」、「下方」以及「旁邊」等用語描述位置關係時，除了有使用「只有」或「直接」等用語說明以外，兩個其他的部分之間可以設置有一個以上的部分。
在說明時間關係時，舉例來說，當以「之後~」、「接著~」、「下一步~」以及「之前」等用語說明暫時次序時，除非有使用「只有」或「直接」等用語說明以外，也可以包括非連續的情況。
熟知本領域的技術人士應當理解，雖然說明書中使用了「第一」、「第二」等用語說明各個元件，但這些元件不應受到這些用語所限制。這些用語之目的僅在於分別不同的元件。舉例來說，在不脫離本發明的範疇的條件下，第一元件也可以被命名為第二元件，並且，相似地，第二元件也可以被命名為第一元件。
「X軸方向」、「Y軸方向」以及「Z軸方向」不應被解釋為幾何關係，其僅代表了相對的垂直關係，並且在該元件可以正常作用的範圍能可以具有更廣的方向性。
「至少一」的用語應被理解為包括所描述之物件的一種以上的任何以及所有的組合。舉例來說，「至少一第一物件、一第二物件以及一第三物件」的意思，應被解釋為所有提及元件的組合，包括兩個以上的第一物件、第二物件與第三物件，也包括了第一物件、第二物件或第三物件。
本發明的各種實施例的特徵，可以是局部或整體的與彼此耦接或結合，並且可以透過各種本領域中具有通常知識者可以理解的形式互相操作與驅動。本發明的各個實施例可以各自獨立實施，或者也可以透過相互依賴的形式一起實施。
在下文中，將參照附圖針對本發明的較佳實施例進行詳細說明。
圖3是顯示根據本發明一實施例之顯示裝置的立體圖，而圖4是顯示圖3之第一基板、源極驅動IC、可撓性薄膜、電路板以及時序控制器的平面圖。下文中根據本發明一實施例說明的顯示裝置為一種有機發光顯示裝置，但本發明的顯示裝置並不限於此。亦即，根據本發明實施例的顯示裝置也可以被實施為液晶顯示裝置、場致發光顯示裝置以及電泳顯示裝置中的任一種。
參照圖3與圖4，根據本發明一實施例的顯示裝置100包括一顯示面板110、一源極驅動積體電路(下文中，將積體電路稱為IC(Integrated Circuit))140、一可撓性薄膜150、一電路板160、以及一時序控制器170。
顯示面板110包括一第一基板111以及一第二基板112。第二基板112可以是密封基板。第一基板111可以是塑膠膜或玻璃基板。第二基板112可以是塑膠膜、玻璃基板或密封膜。
閘極線、資料線以及像素係形成在第一基板111面對第二基板112的一表面上。該等像素設置在由閘極線以及資料線的交錯結構所界定出來的區域中。
每一個像素包括一有機發光二極體，各個有機發光二極體包括一薄膜電晶體、一第一電極、一有機發光層以及一第二電極。如果利用 薄膜電晶體從閘極線輸入了閘極訊號，各個像素根據資料線的資料電壓將預定的電流提供至有機發光二極體。基於上述原因，有機發光二極體的各個像素會根據該預定電流發出具有預定亮度的光。下文中會參照圖5與圖6針對各個像素的結構進行說明。
如圖4所示，顯示面板110可以被分類為形成有用於顯示影像的像素的顯示區域DA、以及沒有顯示影像的非顯示區域NDA。閘極線、資料線以及像素可形成在顯示區域DA上。閘極驅動器以及墊片則可形成在非顯示區域NDA上。
閘極驅動器根據從時序控制器170輸入的閘極控制訊號，將閘極訊號供應至閘極線。閘極驅動器可以以面板中的閘極驅動器的(Gate Driver in Panel,GIP)模式，形成在顯示面板的顯示區域DA的一側或兩側外部的非顯示區域NDA上。作為替代的方案，閘極驅動器可以由驅動晶片製成、被封裝在可撓性薄膜中、並且可以以捲帶式自動接合(Tape Automated Bonding,TAB)模式接合在顯示面板的一側或兩側外的非顯示區域NDA上。
源極驅動IC 140從時序控制器170接收數位影像資料以及源控制訊號。源極驅動IC 140根據源控制訊號將數位影像資料轉換為類比資料電壓，並且將類比資料電壓供應至資料線。如果源極驅動IC 140是由驅動晶片製成，源極IC 140可以以晶粒軟膜封裝(Chip on Film,COF)或晶片塑料封裝(Chip on Plastic,COP)模式封裝在可撓性薄膜150中。
如資料墊片等墊片可以被形成在顯示面板110的非顯示區域NDA上。將墊片與源極驅動IC 140連接的線路以及將墊片與電路板160的線路連接的線路可以形成在可撓性薄膜150中。可撓性薄膜150係透過異方向性導電膜接合在該等墊片上，藉此使得墊片可以與可撓性薄膜150的線路連接。
電路板160可以被連接於可撓性薄膜150。複數個由驅動晶片所構成的電路可以被封裝在電路板160中。舉例來說，時序控制器170可以被封裝在電路板160中。電路板160可以是一印刷電路板或一可撓性印刷電路板。
時序控制器170透過一纜線從外部主機板接收數位影像資料以及時序訊號。時序控制器170基於該時序訊號產生用於控制閘極驅動器的操作時序的一閘極控制訊號、以及用於控制源極驅動IC 140的一源極控制訊號。時序控制器170將閘極控制訊號供應至閘極驅動器，並且將源極控制訊號供應至源極驅動IC 140。
圖5是更詳細地顯示圖4之第一基板的平面圖。
請參照圖5，第一基板111被劃分為顯示區域DA與非顯示區域NDA，其中，形成墊片的墊片區域PA、壩體120、以及導電測試線130可以形成在非顯示區域NDA上。
用於顯示影像的像素P係形成在顯示區域DA上。每一個像素可以包括具有薄膜電晶體的一有機發光二極體、一第一電極、一有機發光層以及一第二電極。如果閘極訊號藉由薄膜電晶體從閘極線輸入，每一個像素根據資料線的資料電壓將一預定電流供應至有機發光二極體。基於此原因，每一個像素的有機發光二極體可以根據該預定電流發出具有預定亮度的光。
下文中，將參照圖6描述根據本發明實施例之顯示區域DA的各個像素P的結構進行說明。
圖6是顯示圖5之顯示區域的像素的範例的剖面圖。
參照圖6，薄膜電晶體210以及電容器220係形成在第一基板111的一表面上，且該表面面對第二基板112。
由於第一基板111易受水氣滲透，第一基板111上可以形成有一緩衝膜(未顯示)，以保護薄膜電晶體210免於受到穿透第一基板111的H2O的接觸。
每一個薄膜電晶體210包括一主動層211、一閘極電極212、一源極電極213以及一汲極電極214。雖然薄膜電晶體210以頂部閘極模式形成，使得閘極電極212如圖6所示被設置在主動層211之上，但本領域中具有通常知識者應當理解，本發明中的薄膜電晶體並不受限於頂部閘極模式。換言之，薄膜電晶體可以以底部閘極模式形成，其中閘極電極212設置 在主動層211下方；或者，以雙閘極模式形成，其中閘極電極212設置在主動層211的上方以及下方。
主動層211係形成在第一基板110的緩衝膜上。主動層211可以由矽基半導體材料或氧化物基半導體材料形成。一遮光層可以形成在第一基板110上，用以遮擋外部光線進入主動層211。
一閘極絕緣膜230可以形成在主動層211上。閘極絕緣膜230可以由無機膜形成，舉例來說，無機膜可以是氧化矽膜、氮化矽膜，或者可以是由氧化矽膜與氮化矽膜組成的多層膜。
閘極電極212可以形成在閘極絕緣膜230上。閘極電極212可以是由鉬、鋁、鉻、金、鈦、鎳、釹、銅或其合金中任何一者所組成的單層或多層結構，但其並不受限於此。
一介電中間層240可以形成在閘極電極212上。介電中間層240可以由無機膜所形成，舉例來說，無機膜可以是氧化矽膜、氮化矽膜，或者可以是由氧化矽膜與氮化矽膜組成的多層膜。
源極電極213以及汲極電極214可以形成在介電中間層240上。各個源極電極213與汲極電極214可以經由穿透閘極絕緣膜230以及介電中間層240的接觸孔CH1以及接觸孔CH2與主動層211連接。各個源極電極213以及汲極電極214可以是由鉬、鋁、鉻、金、鈦、鎳、釹、銅或其合金中任何一者所組成的單層或多層結構，但其並不受限於此。
各個電容器220包括一下電極221以及一上電極222。下電極221形成在閘極絕緣膜230上，並且可以由與閘極電極212相同的材料形成。上電極222形成在介電中間層240上，並且可以由與源電極213與汲極電極214相同的材料形成。
一鈍化膜250可以形成在薄膜電晶體210以及電容器220上。鈍化膜250可以作為絕緣膜。鈍化膜250可以由無機膜形成，舉例來說，無機膜可以是氧化矽膜、氮化矽膜，或者可以是由氧化矽膜與氮化矽膜組成的多層膜。
用於將薄膜電晶體210以及電容器220造成的階差平坦化的一平坦化膜260可以形成在鈍化膜250上。平坦化膜260可以由有機膜形成，舉例來說，此種有機膜可以是丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂以及聚醯亞胺樹脂。
一有機發光二極體280以及一堤岸284係形成在平坦化膜260上。有機發光二極體280包括一第一電極283、一有機發光層282以及一第二電極281。第一電極283可以是陰極電極，而第二電極281可以是陽極電極。第一電極283、有機發光層282以及第二電極281沉積的區域可以被界定為發光區域(Emission Area,EA)。
第二電極281可以形成在平坦化膜260上。第二電極281可以經由穿透鈍化膜250與平坦化膜260的接觸孔CH3與薄膜電晶體210的汲極電極214連接。第二電極281可以由具有高反射性的金屬材料形成，例如由鋁和鈦所形成的沉積結構(Ti/Al/Ti)、由鋁和氧化銦錫所形成的沉積結構(ITO/Al/ITO)、APC合金、以及由APC合金和氧化銦錫所形成的沉積結構(ITO/APC/ITO)。APC合金是由銀(Ag)、鈀(Pd)以及銅(Cu)所形成的合金。
堤岸284可以形成在平坦化膜260上，用以覆蓋第二電極281的邊緣，藉此將發光區域EA分隔出來。堤岸284可以由有機膜形成，如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂以及聚醯亞胺樹脂。
有機發光層282係形成在第二電極281以及堤岸284上。有機發光層282可以包括一電洞輸送層、至少一發光層以及一電子輸送層。在此情況中，如果電壓施加到第二電極281與第一電極283，電洞與電子分別透過電洞輸送層以及電子輸送層移動至發光層，並且在發光層中與彼此結合以發出光。
有機發光層282可以由發出白色光的白色發光層所構成。在此情況中，有機發光層282可以被形成以覆蓋第二電極281以及堤岸284。在此情況中，一彩色濾光片(未顯示於圖中)可以形成在第二基板112上。
作為替代的方案，有機發光層282可以由發出紅色光的紅色發光層、發出綠色光的綠色發光層以及發出藍色光的藍色發光層所組成。 在此情況中，有機發光層282可以形成在對應於第二電極281的區域之中，且彩色濾光片可以不形成在第二基板112上。
第一電極283係形成在有機發光層282上。如果有機發光裝置形成在頂部發光結構中，第一電極283可以由可以傳遞光線的透明導電材料(TCO)所形成，如ITO以及IZO；或者，可以由半透射導電材料所形成，如鎂、銀或由鎂與銀所組成的合金。覆蓋層可以形成在第一電極283上。
密封膜290係形成在有機發光二極體280上。密封膜290用於防止H2O以及O2滲透進入有機發光層282以及第一電極283。為此，密封膜290可以包括至少一無機膜以及至少一有機膜。
舉例來說，密封膜290可以包括一第一無機膜291、一有機膜292以及一第二無機膜293。在此情況中，第一無機膜291被形成以覆蓋第一電極283。有機膜292被形成以覆蓋第一無機膜291。有機膜292較佳以足夠的厚度形成，來防止微粒通過第一無機膜291而滲透進入有機發光層282以及第一電極283。第二無機膜293被形成以覆蓋有機膜292。
第一色彩過濾器至第三色彩過濾器(未顯示於圖中)以及一黑色基質(未顯示於圖中)可以形成在密封膜290上。紅色過濾器可以形成在紅色發光區域上，藍色過濾器可以形成在藍色發光區域上，而綠色過濾器可以形成在綠色發光區域上。
第一基板111的密封膜290以及第二基板112的彩色濾光片(未顯示)透過一黏著層330彼此黏接，藉此將第一基板111與第二基板112互相接合。黏著層330可以是透明的黏著樹脂。
再次參照圖5，墊片區域PA可以設置在第一基板111的一側的邊緣處。墊片區域PA包括複數個墊片，且該等墊片可以藉由利用異方向性導電膜與可撓性薄膜150的線路電性連接。
壩體120係設置在顯示區域DA與墊片區域PA之間以遮蔽有機膜292的流動，藉此防止構成像素P之密封膜290的有機膜292滲透進入墊片區域PA。
導電測試線130係設置在墊片區域PA與壩體120之間，並且用於檢測構成像素P之密封膜290的有機膜292的溢流情形。
在下文中，將參照圖7描述根據本發明實施例的壩體以及導電測試線。
圖7係顯示圖5之導電測試線以及壩體的範例的剖面圖。
如圖7所示的顯示裝置包括形成在第一基板111上的密封膜290、壩體120以及導電測試線130。此時，第一基板111包括形成有像素P的顯示區域DA、以及形成有複數個墊片340的墊片區域PA。
如圖6所示，密封膜290被形成以覆蓋形成在顯示區域DA上的有機發光二極體280，並且可以防止H2O以及O2滲透進入有機發光二極體280。此時，密封膜290包括至少一無機膜以及至少一有機膜。舉例來說，密封膜可以包括一第一無機膜291、一有機膜292、以及一第二無機膜293。在此情況中，第一無機膜291被形成以覆蓋第一電極283。有機膜292被形成以覆蓋第一無機膜291，且第二無機膜293被形成以覆蓋有機膜292。
第一無機膜291以及第二無機膜293中的每一者可以由氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氮化矽、氧化鋁或氧化鈦形成。
有機膜292可以被透明地形成以傳遞自有機發光層282發出的光。有機膜292可以由有機材料所形成，且該種有機材料可以以99%以上的傳遞率傳遞自有機發光層282發出的光，舉例來說，該種有機材料可以是丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂以及聚醯亞胺樹脂。
壩體120係設置在顯示區域DA與墊片區域PA之間以遮蔽有機膜292的流動，藉此防止構成密封膜290的有機膜292滲透進入墊片區域PA中。壩體120可以僅形成在顯示區域與墊片區域PA之間，或者，可以如圖5所示，可以形成在環繞顯示區域DA的外側。如此一來，壩體120可以防止有機膜292滲透進入墊片區域PA，或者可以防止有機膜292曝露至顯示裝置的外側。
雖然圖7中顯示一個壩體120，但本發明的內容並不受限於圖7中所示的範例。在另一實施例中，如圖8所示，壩體120可以包括一第一壩體121以及一第二壩體122，其中，該第二壩體122與第一壩體121間隔開來，並且設置在第一壩體121與墊片區域PA之間。
壩體120可以與平坦化膜260或像素P的堤岸284同時形成，並且可以由與平坦化膜260或堤岸284相同的材料所形成。在此情況中，壩體120可以由如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂以及聚醯亞胺樹脂等有機材料所形成。
導電測試線130係設置在壩體120與墊片區域PA之間，並且不與另一導電測試線或第一基板111上的電極電性連接。在此情況中，另一導電測試線包括形成在第一基板111上的閘極線以及資料線，且電極包括形成在第一基板111上的一源極電極、一汲極電極、一陽極電極、以及一陰極電極，但不受限於此。
導電測試線130可以在有機膜292形成之後或者在第二無機膜293形成之前，用於檢測有機膜292的溢流。在有機膜292形成之後，外部測量裝置(未顯示)可以藉由利用探針將電訊號施加至導電測試線130的兩點，並且可以測量該兩點之間的電流或導電率(在此，導電率被測量作為電阻的倒數)。
此時，如果所測得的電流或導電率等於或小於一閥值，由於有機膜292溢流至壩體120的外側並且形成在導電測試線130上，則可以判定有缺陷的情形。如此一來，在本發明中，係測量導電測試線130兩點間的電流或導電率，並且再根據所測得的電流或導電率來判定有機膜292的溢流。為了精確判定有機膜292的溢流，較佳的是，第一無機膜291不覆蓋導電測試線130。這是因為如果第一無機膜291被形成以覆蓋導電測試線130，導電測試線130的兩點之間的電流或導電率總是在小於或等於一閥值下被測量。
同時，如果所測得的電流或導電率超過一閥值，則對應的顯示裝置可以被判定為良好的產品。本文將在稍後的段落中，參照圖14詳細說明利用導電測試線130測試缺陷的方法。
導電測試線130可以僅形成在壩體120與墊片區域PA之間，或者，如圖5所示，可以被形成以環繞顯示區域DA外側。
導電測試線130可以與像素P的第一電極283或第二電極281同時形成，並且，可以由與第一電極283或第二電極281相同的材料形成。在此情況中，導電測試線130可以由如ITO與IZO等透明導電材料(TCO)形成，或者，可以由半透射導電材料所形成，如鎂、銀或由鎂與銀所組成的合金。在本發明中，導電測試線130與第一電極283或第二電極281同時形成，藉此可以在不增加額外的製程步驟的情況下形成導電測試線130。
同時，導電測試線130也可以不與第一電極283或第二電極281同時形成。在此情況中，由於導電測試線130形成在非顯示區域NDA上，導電測試線130不需要由可以傳遞光的金屬材料形成，如第一電極283或第二電極281，且導電測試線130可以由能夠通電的導電材料所形成。
在本發明中，壩體120係形成在顯示區域DA與墊片區域PA之間，藉此防止具有可撓性的有機膜292滲透進入墊片區域PA。此外，在本發明中，導電測試線130係形成在壩體120與墊片區域P之間，因而可以利用導電測試線130檢測有機膜292的溢流。因此，在本發明中，可以防止因為第二無機膜293沒有完全覆蓋有機膜292使有機膜292曝露而造成的有機發光二極體280的降解，並且可以透過對於缺陷的精確檢測來改善產品的可靠性。
同時，在本發明中，由於第一無機膜291被形成以不覆蓋導電測試線130，可以精確地檢測有機膜292的溢流。此外，在本發明中，第二無機膜可以被形成以完全覆蓋第一無機膜並且進一步地延伸來覆蓋及甚至接觸導電測試線，尤其，第二無機膜29被形成以覆蓋壩體120與導電測試線130，藉此可以防止H2O、O2等微粒滲透進入有機膜292。
圖9是顯示圖4之第一基板的再一範例的平面圖。
參照圖9，第一基板111可以被劃分為顯示區域DA以及非顯示區域NDA，其中，形成有墊片的墊片區域PA、壩體120以及導電測試線130可以形成在非顯示區域NDA上。在此情況中，顯示在圖9中的第一基板 111與顯示載圖5中的第一基板的差異在於：導電測試線130包括複數條導電測試線。
壩體120被設置以環繞顯示區域DA的四側，藉此遮蔽構成像素P的密封膜290的有機膜292的流動。如此一來，壩體120可以防止有機膜292滲透進入墊片區域PA中，並且同時可以防止有機膜292曝露於顯示裝置外。
導電測試線130包括第一導電測試線131、第二導電測試線132、第三導電測試線133、以及第四導電測試線134，該等導電測試線分別設置在顯示區域DA的四側。此時，第一導電測試線131、第二導電測試線132、第三導電測試線133以及第四導電測試線134彼此間隔開來，並且彼此不互相電性連接。
第一導電測試線131、第二導電測試線132、第三導電測試線133以及第四導電測試線134中的每一者設置在壩體120的外側，並且用於檢測構成像素P之密封膜290的有機膜292溢流到壩體120外側的情形。
圖10是顯示圖4之第一基板的又一範例的平面圖。
參照圖10，第一基板111可以被劃分為顯示區域DA以及非顯示區域NDA，其中，形成有墊片的墊片區域PA、壩體120以及導電測試線130可以形成在非顯示區域NDA上。在此情況中，顯示在圖10中的第一基板111與顯示在圖5中的第一基板之間的差異在於：導電測試線130設置在複數個壩體之間。
壩體120包括一第一壩體121；以及一第二壩體122，設置在第一壩體121與墊片區域PA之間。第一壩體121與第二壩體122僅設置在顯示區域DA與墊片區域PA之間，並且被設置以環繞顯示區域DA，藉此遮蔽構成像素P之密封膜290的有機膜292的流動。如此一來，第一壩體121與第二壩體122可以防止有機膜292滲透進入墊片區域PA，或者可以防止有機膜292曝露於顯示裝置外。
導電測試線130係設置在第一壩體121與第二壩體122之間，並且用於檢測構成像素P之密封膜290的有機膜292的溢流情形。
圖11係顯示圖4之第一基板的另一範例的平面圖。
參照圖11，第一基板111可以被劃分為顯示區域DA以及非顯示區域NDA，其中，形成有墊片的墊片區域PA、壩體120以及導電測試線130可以形成在非顯示區域NDA上。在此情況中，顯示在圖11中的第一基板111與顯示在圖5中的第一基板間的差異在於：壩體120具有複數個壩體，且複數條導電測試線130設置在該複數個壩體之間。
壩體120包括一第一壩體121；以及設置在第一壩體121與墊片區域PA之間的一第二壩體122。第一壩體121與第二壩體122僅設置在顯示區域DA與墊片區域PA之間，或者被設置以環繞顯示區域DA，藉此遮蔽構成像素P之密封膜290的有機膜292的流動。如此一來，第一壩體121與第二壩體122可以防止有機膜292滲透進入墊片區域PA，或者可以防止有機膜292曝露於顯示裝置外。
導電測試線130包括第一導電測試線131、第二導電測試線132、第三導電測試線133、以及第四導電測試線134，該等導電測試線是分別設置在顯示區域DA的四側。此時，第一導電測試線131、第二導電測試線132、第三導電測試線133以及第四導電測試線134彼此間隔開來，並且彼此不互相電性連接。
第一導電測試線131、第二導電測試線132、第三導電測試線133以及第四導電測試線134中的每一者設置在第一壩體121與第二壩體122之間，並且用於檢測構成像素P之密封膜290的有機膜292溢流到壩體120外側的情形。
圖12係顯示圖4之第一基板的再一範例的平面圖。
參照圖12，第一基板111可以被劃分為顯示區域DA以及非顯示區域NDA，其中，形成有墊片的墊片區域PA、壩體120以及導電測試線130可以形成在非顯示區域NDA上。在此情況中，顯示在圖12中的第一基板111與顯示在圖5中的第一基板間的差異在於：導電測試線130設置在顯示區域DA與壩體120之間。
壩體120係設置在顯示區域DA與墊片區域PA之間，以遮蔽構成像素P之密封膜290的有機膜292的流動，藉此防止有機膜292滲透進入墊片區域PA。
導電測試線130係設置在顯示區域DA與壩體120之間，其用於檢測沒有形成構成像素P之密封膜290的有機膜292到達壩體120內側的情形。
較佳的是，有機膜292以具有足夠的厚度來形成，以防止微粒藉由通過第一無機膜291而滲透進入有機發光層282以及第一電極283。然而，如果沒有形成有機膜292以到達壩體120的內側，微粒可能會藉由通過第一無機膜291而滲透進入有機發光層282與第一電極283。為了防止這種情形發生，設置在顯示區域DA與壩體120之間的導電測試線可以用來檢測是否有形成有機膜202到達壩體120的內側。
圖13係顯示第4圖之第一基板的又一範例的平面圖。
參照圖13，第一基板111可以被劃分為顯示區域DA以及非顯示區域NDA，其中，形成有墊片的墊片區域PA、壩體120以及導電測試線130可以形成在非顯示區域NDA上。在此情況中，顯示在圖13中的第一基板111與顯示在圖5中的第一基板間的差異在於：導電測試線130包括複數條導電測試線，設置在顯示區域DA與壩體120之間。
壩體120被設置以環繞顯示區域DA的四側，藉此遮蔽構成像素P之密封膜290的有機膜292的流動。如此一來，壩體120可以防止有機膜292滲透進入墊片區域PA中，並且同時可以防止有機膜292曝露於顯示裝置外。
導電測試線130包括第一導電測試線131、第二導電測試線132、第三導電測試線133、以及第四導電測試線134，該等導電測試線分別設置在顯示區域DA的四側。此時，第一導電測試線131、第二導電測試線132、第三導電測試線133以及第四導電測試線134彼此間隔開來，並且彼此不互相電性連接。
第一導電測試線131、第二導電測試線132、第三導電測試線133以及第四導電測試線134中的每一者設置在壩體120內，並且用於檢測構成像素P之密封膜290的有機膜292是否到達壩體120的內側。
圖14A至圖14G係顯示根據本發明一實施例之顯示裝置的測試方法的剖視圖。
首先，如圖14A所示，形成薄膜電晶體210與電容器220。
更詳細而言，主動層211係形成在第一基板111上。主動層211可以由矽基半導體材料或氧化物基半導體材料形成。
接著，閘極絕緣膜230係形成在主動層211上。閘極絕緣膜230可以由無機膜形成，舉例來說，該種無機膜可以是氧化矽膜、氮化矽膜，或者可以是由氧化矽膜與氮化矽膜組成的多層膜。
閘極電極212以及電容器220的下電極221係形成在閘極絕緣膜230上。閘極電極212以及下電極221可以是由鉬、鋁、鉻、金、鈦、鎳、釹、銅或其合金中任何一者所組成的單層或多層結構，但並其不受限於此。
接著，介電中間層240係形成在閘極電極212與下電極221上。介電中間層240可以由無機膜形成，舉例來說，該種無機膜可以是氧化矽膜、氮化矽膜，或者可以是由氧化矽膜與氮化矽膜組成的多層膜。
然後，用於曝露主動層212的接觸孔CH1、CH2被形成以穿透閘極絕緣膜230與介電中間層240。
源極電極213、汲極電極214以及電容器220的上電極222係形成在中間介電層240上。源極電極213、汲極電極214以及上電極222中的每一者可以是由鉬、鋁、鉻、金、鈦、鎳、釹、銅或其合金中任何一者所組成的單層或多層結構，但其並不受限於此。
鈍化膜250係形成在薄膜電晶體210與電容器220上。鈍化膜250可以作為絕緣膜。鈍化膜250可以由無機膜所形成，舉例來說，此種無機膜可以是氧化矽膜、氮化矽膜，或者可以是由氧化矽膜與氮化矽膜組成的多層膜。
接著，如圖14B所示，形成平坦化膜260以及壩體120。
更具體來說，平坦化膜260與壩體120係形成在鈍化膜250上。平坦化膜260以及壩體120中的每一者可以由有機膜形成，舉例來說，此種有機膜可以是丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂以及聚醯亞胺樹脂。
接著，用於曝露薄膜電晶體210之源極電極或汲極電極214的接觸孔CH3被形成以穿透鈍化膜250與平坦化膜260。
雖然顯示圖14B中的壩體120係與平坦化膜260同時形成，但在另一實施例中，壩體120也可以與在後續步驟中形成的鈍化膜250或堤岸284同時形成。
接著，如圖14C所示，形成第二電極281與導電測試線130。第二電極281及導電測試線130中的每一者可以由具有高反射性的金屬材料形成，例如由鋁和鈦所形成的沉積結構(Ti/Al/Ti)、由鋁和氧化銦錫所形成的沉積結構(ITO/Al/ITO)、APC合金，以及由APC合金和氧化銦錫所形成的沉積結構(ITO/APC/ITO)。APC合金是由銀(Ag)、鈀(Pd)以及銅(Cu)所形成的合金。
雖然在圖14C中，導電測試線130與第二電極281同時形成，但在另一實施例中，導電測試線130也可以與後續步驟中形成的第一電極283同時形成。
接著，如圖14D所示，形成堤岸284、有機發光層282、以及第一電極283。
更具體來說，堤岸284係形成在平坦化膜260上以覆蓋第二電極281的一邊緣，藉此將發光區域EA隔離開來。堤岸284可以由有機膜形成，舉例來說，此種有機膜可以是丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、以及聚醯亞胺樹脂。
然後，有機發光層282係形成在第二電極281與堤岸284上。
再來，第一電極283係形成在有機發光層282上。第一電極283可以由可以傳遞光線的透明導電材料(TCO)所形成，如ITO以及IZO； 或者，可以由半透射導電材料所形成，如鎂、銀或由鎂與銀所組成的合金。覆蓋層可以形成在第一電極283上。
接著，如圖14E所示，第一無機膜291被形成以覆蓋顯示區域並且同時不覆蓋壩體120。第一無機膜291可以由氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氮化矽、氧化鋁或氧化鈦形成。
接著，如圖14F所示，有機膜292被形成以覆蓋第一無機膜291並且同時不覆蓋壩體120。有機膜292可以由有機材料所形成，且該種有機材料可以以99%以上的傳遞率傳遞自有機發光層282發出的光，舉例來說，該種有機材料可以是丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂以及聚醯亞胺樹脂。
然後，測量導電測試線130的至少兩點之間的電流或導電率，藉此檢測缺陷。
更具體來說，外部測量裝置180藉由利用複數個探針將電訊號施加至導電測試線的第一點A以及第二點B，並且藉此測量第一點A與第二點B之間的電流或導電率。
此時，如果所測得的電流或導電率等於或小於一閥值，由於有機膜292形成在導電測試線130上，則對應的顯示裝置被判定為缺陷的產品。另一方面，如果所測得的電流或導電率超過一閥值，則對應的顯示裝置被判定為良好的產品。
在下文中，將參照圖15與圖16詳細說明利用導電測試線130測試缺陷的方法。
圖15係顯示利用導電測試線測試缺陷的方法的範例的示意圖。
如果導電測試線130被形成以環繞顯示區域DA外側，外部測量裝置180可以將第一探針固定至導電測試線130的第一點A，並且將第二探針以一預定間隔沿著導電測試線130移動，藉此測試缺陷。
更詳細來說，外部測量裝置180將第一探針設置在導電測試線130的第一點A的位置，並且將第二探針設置在與第一點A具有一預定間 隔的第二點B1處。此外，外部測量裝置180會將電訊號施加至導電測試線的第一點A與第二點B1，並且測量第一點A與第二點B1之間的電流或導電率(在此，導電率被測量作為電阻的倒數)。
此時，如果所測得的電流或導電率等於或小於一閥值，由於有機膜292形成在導電測試線130上，則對應的顯示裝置被判定為缺陷的產品。
另一方面，如果所測得的電流或導電率超過一閥值，則外部測量裝置180將第二探針以一預定間隔移動，並且將第二探針設置在第二點B2處。此外，外部測量裝置180會將電訊號施加至導電測試線130的第一點A與第二點B2，並且測量第一點A與第二點B2之間的電流或導電率。
此時，如果所測得的電流或導電率等於或小於一閥值，由於有機膜292形成在導電測試線130上，則對應的顯示裝置被判定為缺陷的產品。舉例來說，如圖15所示，如果有機膜292形成在導電測試線130的第二點B2，則可以測得第一點A與第二點B2之間電流或導電率的值接近於0。
另一方面，如果所測得的電流或導電率超過一閥值，則外部測量裝置將第二探針以一預定間隔移動，並且將第二探針設置於第二點B3。
如果第二探針沿著導電測試線130移動並且設置於第一點A，則外部測量裝置180結束測試，並且對應的顯示裝置被判定為良好的產品。
在本發明中，導電測試線130的第一點A被固定，且導電測試線130的第二點B以一預定間隔沿著導電測試線130移動來測試缺陷，藉此可以精確地執行缺陷測試。
圖16係顯示利用導電測試線用於測試缺陷的方法的另一範例的示意圖。
如果導電測試線130包括分別設置在顯示區域DA的四側的第一導電測試線131、第二導電測試線132、第三導電測試線133以及第四導電測試線134，則外部測量裝置180可以同時對第一導電測試線131、第二導電測試線132、第三導電測試線133以及第四導電測試線134進行測 量。雖然在圖16中，外部測量裝置180包括對應於第一導電測試線131、第二導電測試線132、第三導電測試線133以及第四導電測試線134的第一測量裝置181、第二測量裝置182、第三測量裝置183及第四測量裝置184，本發明並不受限於圖16中所示的範例。在另一實施例中，也可以實施一個實體的測量裝置180。
第一測量裝置可以將第一探針固定於第一導電測試線131的第一點A，並且以一預定間隔沿著第一導電測試線131的長度移動第二探針來測試缺陷。
更具體來說，第一測量裝置181將第一探針設置在第一導電測試線131的第一點A，並且將第二探針設置在與第一點A具有一預定間隔的第二點B1。第一測量裝置181將電訊號施加至第一導電測試線131的第一點A與第二點B1，並且測量第一點A與第二點B1之間的電流或導電率。
此時，如果所測得的電流或導電率等於或小於一閥值，由於有機膜292形成在第一導電測試線313上，則對應的顯示裝置被判定為缺陷的產品。
另一方面，如果所測得的電流或導電率超過一閥值，則第一測量裝置181將第二探針以一預定間隔移動，並且將第二探針設置在第二點B2。此外，如果第二探針離開第一導電測試線131的長度外，則第一測量裝置181結束測試。
第二測量裝置182可以將第一探針固定至第二導電測試線132的第一點A，並且將第二探針以一預定間隔沿著第二導電測試線132的長度移動來測試缺陷。
更具體來說，第二測量裝置將第一探針設置在第二導電測試線132的第一點A，並且將第二探針設置在與第一點A具有一預定間隔的第二點B1。第二測量裝置182將電訊號施加至第二導電測試線132的第一點A與第二點B1，並且測量第一點A與第二點B1之間的電流或導電率。
此時，如果所測得的電流或導電率小於或等於一閥值，由於有機膜292形成在第二導電測試線132上，則對應的顯示裝置被判定為缺陷的產品。
另一方面，如果所測得的電流或導電率超過一閥值，則第二測量裝置182將第二探針以預定間隔移動，並且將第二探針設置在第二點B2。如果第二探針移動到第二導電測試線132的長度以外，則第二測量裝置182結束測試。
第三測量裝置183可以將第一探針固定至第三導電測試線133的第一點A，並且將第二探針沿著第三導電測試線133的長度以一預定間隔移動來測試缺陷。
更具體來說，第三測量裝置183將第一探針設置在第三導電測試線133的第一點A，並且將第二探針設置在與第一點A具有一預定間隔的第二點B1。第三測量裝置183將電訊號施加至第三導電測試線133的第一點A與第二點B1，並且測量第一點A與第二點B1之間的電流或導電率。
此時，如果所測得的電流或導電率小於或等於一閥值，由於有機膜292形成在第三導電測試線133上，則對應的顯示裝置被判定為缺陷的產品。
另一方面，如果所測得的電流或導電率超過一閥值，則第三測量裝置183將第二探針以一預定間隔移動，並且將第二探針設置於第二點B2。如果第二探針移動到第三導電測試線133的長度外，則第三測量裝置183結束測試。
第四測量裝置184可以將第一探針固定至第四導電測試線134的第一點A，並且將第二探針沿著第二導電測試線134的長度以一預定間隔移動來測試缺陷。
更具體來說，第四測量裝置184將第一探針設置在第四導電測試線134的第一點A，並且將第二探針設置在與第一點A具有一預定間隔的第二點B1。第四測量裝置184將電訊號供應至第四導電測試線134的第一點A與第二點B1，並且測量第一點A與第二點B1之間的電流或導電率。
此時，如果所測得的電流或導電率小於或等於一閥值，由於有機膜292形成在第四導電測試線134上，則對應的顯示裝置被判定為缺陷的產品。
另一方面，如果所測得的電流或導電率超過一閥值，則第四測量裝置184將第二探針以一預定間隔移動，並且將第二探針設置在第二點B2。此外，如果第二探針移動到第四導電測試線134的長度外，則第四測試裝置184結束測試。
如果由第一測量裝置181、第二測量裝置182、第三測量裝置183及第四測量裝置184中的至少一者所測得的電流或導電率小於或等於閥值，由於有機膜292形成在第一導電測試線131、第二導電測試線132、第三導電測試線133及第四導電測試線134的至少一者上，則對應的顯示裝置被判定為缺陷的產品。
另一方面，如果由第一測量裝置181、第二測量裝置182、第三測量裝置183及第四測量裝置184中的每一者所測得的電流或導電率超過一閥值，則對應的顯示裝置被判定為良好的產品。
由於在圖16所顯示的測試方法中，第一導電測試線131、第二導電測試線132、第三導電測試線133及第四導電測試線134能在同一時間被檢測，相較於圖15中所示的測試方法，其測試時間能被減少。
同時，如果因有機膜292沒有形成在導電測試線130上，且對應的顯示裝置被判定為良好的產品，則第二無機膜293接著被形成以覆蓋有機膜292、壩體120及導電測試線130，如圖14G所示。第二無機膜293可以由氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氮化矽、氧化鋁或氧化鈦形成。
如上文中所述，根據本發明的內容，可以獲得以下的優點。
壩體形成在顯示區域與墊片區域之間以遮蔽有機膜的流動，藉此可以防止有機膜滲透進入墊片區域並且曝露於外部。
此外，可以利用形成在壩體與墊片區域之間的導電測試線檢測有機膜的溢流。因此，可以避免因為有機膜沒有被無機膜完全覆蓋而曝露在外所造成的有機發光二極體的降解的情形發生。
再者，可以增進檢測缺陷的精確性，並且同時改善產品的可靠性。
此外，壩體是由與平坦化膜或堤岸相同的材料所形成，且導電測試線是由與陽極電極或陰極電極相同的材料所形成，藉此不需要額外增加分開的製程步驟。
再者，第一導電測試線至第四導電測試線可以同時進行測試，因而可以縮短測試時間。
所屬技術領域中具有通常知識者應當理解，在不脫離本發明的精神或範疇的條件下可以對本發明做出各種改良與變化。因此，只要屬於本發明申請專利範圍的範疇及其均等範圍內，這些改良與變化都屬於本發明的保護範圍。因此，上述實施例應被理解為示例性而非限制性的內容。本發明的範疇應該由申請專利範圍的合理解釋所決定，且所有屬於本發明之範疇的均等範圍內的改變皆屬於本發明的保護範疇中。

Claims (15)

  1. 一種顯示裝置，包括：一基板，包括一顯示區域以及一墊片區域，其中，該顯示區域配置有複數個像素，而該墊片區域包括形成在該顯示區域外部的複數個墊片；一密封膜，該密封膜覆蓋該顯示區域，並且包括至少一無機膜以及至少一有機膜；一第一壩體，設置在該顯示區域與該墊片區域之間；以及一導電測試線，設置在該第一壩體與該墊片區域之間，且該導電測試線不與設置在該基板上的另一導電線或電極電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中，該至少一有機膜覆蓋該顯示區域，且延伸至該第一壩體的一內側，但不覆蓋該導電測試線。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之顯示裝置，其中，該至少一無機膜被設置以完全覆蓋該至少一有機膜並且進一步覆蓋該導電測試線。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中，該密封膜包括：一第一無機膜，覆蓋該顯示區域；一有機膜，覆蓋該第一無機膜；以及一第二無機膜，覆蓋該有機膜；其中，該第一無機膜不覆蓋該導電測試線。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置，其中，該第二無機膜覆蓋該第一壩體與該導電測試線。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中，該第一壩體與該導電測試線被設置以環繞該顯示區域。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中，該第一壩體被設置以環繞該顯示區域的四個側邊，該導電測試線包括分別設置在該顯 示區域的四個側邊的第一導電測試線至第四導電測試線，並且，所述第一導電測試線至第四導電測試線被設置以彼此間隔開來並且彼此間不互相電性連接。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，進一步包括設置在該第一壩體與該墊片區域之間的一第二壩體。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中，該導電測試線設置在該第一壩體與該第二壩體之間。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中，該顯示裝置進一步包括設置在該第一壩體與該顯示區域之間的一導電測試線，且該導電測試線不與設置在該基板上的另一導電線或電極電性連接。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中，該等像素中的每一者包括一有機發光二極體，該有機發光二極體包括一陽極電極以及一陰極電極，且該導電測試線由與該陽極電極或該陰極電極相同的材料所製成。
  12. 一種顯示裝置的測試方法，包括以下步驟：在一基板的一顯示區域上形成複數個像素，在一墊片區域上形成複數個墊片，在該顯示區域與該墊片區域之間形成一第一壩體，並且在該第一壩體與該墊片區域之間形成一導電測試線；形成覆蓋該顯示區域的一密封膜，該密封膜包括至少一無機膜以及一有機膜；將一電訊號施加至該導電測試線的至少兩點，並且測量該兩點之間的一電流或導電率；以及如果該兩點之間的電流或導電率等於或小於一閥值，則判定為具有缺陷。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置的測試方法，其中，形成該密封膜的步驟包括形成該無機膜以覆蓋該顯示區域，以及形成該有機膜以覆蓋該無機膜。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之顯示裝置的測試方法，進一步包括如果該兩點之間的電流或導電率超過該閥值，則形成覆蓋該有機膜的一第二無機膜的步驟。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置的測試方法，其中，該測量步驟包括測量固定在該導電測試線上的一第一點與沿著該導電測試線以一預定間隔移動的一第二點之間的電流或導電率。
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