TW201811572A - 蝕刻方法、半導體晶片之製造方法及物品之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種不易產生針狀殘留部之蝕刻方法。 實施形態之蝕刻方法包括如下操作：於包含半導體之表面上形成包含貴金屬且包含第1部分4及第2部分5之觸媒層6，上述第1部分4係至少局部地被覆上述表面，上述第2部分5係位於第1部分4上，且與上述第1部分4相比，表觀上之密度更小且更厚；及對上述觸媒層6供給蝕刻劑7，於上述觸媒層6之作為觸媒之作用下對上述表面進行蝕刻。
Description
本發明之實施形態係關於一種蝕刻方法、半導體晶片之製造方法及物品之製造方法。
所謂MacEtch(Metal-Assisted Chemical Etching，金屬輔助化學蝕刻)法，係使用貴金屬作為觸媒對半導體表面進行蝕刻之方法。根據MacEtch法，例如可於半導體基板形成高縱橫比之孔。
[發明所欲解決之問題] 本發明所欲解決之問題在於提供一種不易產生針狀殘留部之蝕刻方法。 [解決問題之技術手段] 根據第1態樣，提供一種蝕刻方法，其包括如下操作：於包含半導體之表面上形成包含貴金屬且包含第1部分及第2部分之觸媒層，上述第1部分係至少局部地被覆上述表面，上述第2部分係位於上述第1部分上，且與上述第1部分相比，表觀上之密度更小且更厚；及對上述觸媒層供給蝕刻劑，於上述觸媒層之作為觸媒之作用下對上述表面進行蝕刻。 根據第2態樣，提供一種半導體晶片之製造方法，其包括藉由第1態樣之蝕刻方法對半導體晶圓進行蝕刻並單片化為半導體晶片之操作，上述表面為上述半導體晶圓之表面。 根據第3態樣，提供一種物品之製造方法，其包括藉由第1態樣之蝕刻方法對上述表面進行蝕刻之操作。
以下，一面參照圖式一面對實施形態詳細地進行說明。再者，於所有圖式中對發揮相同或類似功能之構成要素標註相同參照編號，省略重複之說明。 首先，一面參照圖1至圖4，一面對實施形態之蝕刻方法進行說明。 於該方法中，首先準備圖1所示之構造物1。 構造物1之表面之至少一部分包含半導體。半導體例如係選自包含Si、Ge、GaAs及GaN等III族元素與V族元素之化合物之半導體；以及SiC之中。再者，此處使用之用語「族」為短週期型週期表之「族」。 構造物1例如為半導體晶圓。對於半導體晶圓，可摻雜雜質，亦可形成有電晶體或二極體等半導體元件。又，半導體晶圓之主面可與半導體之任一結晶面平行。 其次，於構造物1之包含半導體之表面上形成遮罩層2。 遮罩層2係用以於構造物1之表面形成作為觸媒層之貴金屬圖案之層。遮罩層2具有開口部。開口部之寬度較佳為處於0.1 μm至15 μm之範圍內，更佳為處於5 μm至10 μm之範圍內。其原因在於：於形成下述樹枝狀結晶之情形時，若開口部之寬度過寬，則難以於開口部之位置藉由觸媒層充分地被覆包含半導體之表面；若開口部之寬度過窄，則蝕刻劑難以到達至包含半導體之表面。 作為遮罩層2之材料，只要為可抑制下述貴金屬附著於構造物1之表面中經遮罩層2覆蓋之區域者，則可使用任意之材料。作為此種材料，例如可列舉：聚醯亞胺、氟樹脂、酚樹脂、丙烯酸系樹脂及酚醛清漆樹脂等有機材料，或氧化矽及氮化矽等無機材料。 遮罩層2例如可藉由既有之半導體製程而形成。包含有機材料之遮罩層2例如可藉由光微影法形成。包含無機材料之遮罩層2例如可藉由利用氣相沈積法之無機材料層之成膜、利用光微影法之遮罩之形成、及利用蝕刻之無機材料層之圖案化而成形。或者，包含無機材料之遮罩層2可藉由構造物1之表面區域之氧化或氮化、利用光微影法之遮罩形成、及利用蝕刻之氧化物或氮化物層之圖案化而形成。遮罩層2可省略。 其次，如圖2所示，於構造物1之包含半導體之表面上形成觸媒層6。觸媒層6包含貴金屬。貴金屬例如為選自由Au、Ag、Pt及Rh所組成之群中之1種以上之金屬。 觸媒層6包含第1部分4及第2部分5。 第1部分4係至少局部地被覆構造物1之包含半導體之表面。第1部分4例如為於表面具有凹凸構造之層。第1部分可具有不連續部。第1部分4係作為與其接觸之半導體表面之氧化反應之觸媒而發揮作用。 第1部分4與第2部分5相比，表觀上之密度更大且更薄。第1部分4之厚度d1
較佳為處於1 nm至1000 nm之範圍內，更佳為處於10 nm至500 nm之範圍內。於第1部分4極薄之情形時，可能第1部分4中產生過量之不連續部。於第1部分4較厚之情形時，可能未將蝕刻劑充分地供給至半導體表面。 第2部分5位於第1部分4上。第2部分5例如含有包含貴金屬之樹枝狀結晶。第2部分5係與第1部分4同樣地作為氧化反應之觸媒而發揮作用。 第2部分5與第1部分4相比，表觀上之密度更小且更厚。第2部分5之厚度d2
較佳為0.1 μm以上，更佳為1 μm以上。於第2部分5較薄之情形時，第2部分5可能無法與第1部分4之作為觸媒之作用未波及到而無法蝕刻之部分、即未蝕刻部接觸。第2部分5越厚，則可去除未蝕刻部之可能性越高。第2部分5之厚度之上限並無特別限定，通常為5 μm以下。又，第1部分4之厚度d1
與第2部分5之厚度d2
之比d1
/d2
較佳為處於0.01至10之範圍內，更佳為處於0.01至0.5之範圍內。再者，關於未蝕刻部，將於下文詳細地進行說明。 其次，對表觀上之密度進行說明。於說明表觀上之密度時，定義以下之區域。 首先，將半導體表面中對應於第1部分4與其不連續部之合計的二維區域設為A區域。其次，將第2部分5中位於A區域之正上方之部分設為B部分。而且，將位於A區域之正上方之三維區域中自第1部分4之上表面至B部分之最大高度的部分設為C部分。 第1部分4之表觀上之密度係將第1部分4之質量除以第1部分4與其不連續部之合計體積所獲得的值。第2部分5之表觀上之密度係將B部分之質量除以C部分之體積所獲得的值。再者，表觀上之密度可藉由觀察觸媒層6之剖面而確認。 此種觸媒層6例如係藉由以下之方法而獲得。 觸媒層6例如可藉由電鍍、還原鍍覆或置換鍍覆而形成。第1部分4可使用包含貴金屬粒子之分散液之塗佈、或蒸鍍及濺鍍等氣相沈積法而形成。以下，作為一例，對利用置換鍍覆之觸媒層6之形成進行記載。 於利用置換鍍覆之貴金屬之析出中，例如可使用四氯金(III)酸鉀水溶液、亞硫酸金鹽水溶液或氰化金(I)鉀水溶液。以下，將貴金屬視為金而進行說明。 置換鍍覆液例如為四氯金(III)酸鉀水溶液與氫氟酸之混合液。氫氟酸具有去除構造物1之表面之自然氧化膜之作用。 置換鍍覆液可進而包含錯合劑及pH緩衝劑中之至少一者。錯合劑具有使置換鍍覆液中所包含之貴金屬離子穩定化之作用。pH值緩衝劑具有使鍍覆之反應速度穩定化之作用。作為該等添加劑，例如可使用甘胺酸、檸檬酸、羧酸根離子、氰化物離子、焦磷酸根離子、乙二胺四乙酸、氨、胺基羧酸根離子、乙酸、乳酸、磷酸鹽、硼酸或該等中之2種以上之組合。較佳為使用甘胺酸及檸檬酸作為該等添加劑。 若使構造物1浸漬於置換鍍覆液中，則構造物1之表面之自然氧化膜被去除，除此以外，於構造物1之表面中未經遮罩層2覆蓋之部分析出貴金屬、此處為金。藉此，獲得第1部分4。 若於特定之條件下進行置換鍍覆，則包含第1部分4及第2部分5且第2部分5包含樹枝狀結晶之觸媒層6係藉由單一之處理而獲得。此種置換鍍覆中使用之置換鍍覆液例如包含四氯金(III)酸鉀水溶液、氫氟酸、甘胺酸及檸檬酸。 該置換鍍覆液中之四氯金(III)酸鉀之濃度較佳為處於10 μmol/L至1000 mmol/L之範圍內，更佳為處於1 mmol/L至100 mmol/L之範圍內。於其濃度較低之情形時，難以產生樹枝狀結晶。於其濃度較高之情形時，因高密度地形成，故而可能難以形成密度及厚度不同之層。 上述置換鍍覆液中之氟化氫濃度較佳為處於0.01 mol/L至5 mol/L之範圍內，更佳為處於0.5 mol/L至2 mol/L之範圍內。於氟化氫濃度較低之情形時，難以產生樹枝狀結晶。於氟化氫濃度較高之情形時，半導體表面之溶解進行，而有可能對蝕刻造成不良影響。 上述置換鍍覆液中之甘胺酸濃度較佳為處於0.1 g/L至20 g/L之範圍內，更佳為處於1 g/L至10 g/L之範圍內。於甘胺酸濃度較低之情形時，難以產生樹枝狀結晶。 上述置換鍍覆液中之檸檬酸濃度較佳為處於0.1 g/L至20 g/L之範圍內，更佳為處於1 g/L至10 g/L之範圍內。於檸檬酸濃度較低之情形時，難以產生樹枝狀結晶。 又，可代替甘胺酸及檸檬酸而使用具有與該等相同之功能者。例如可使用羧酸根離子、氰化物離子、焦磷酸根離子、乙二胺四乙酸、氨或胺基羧酸根離子代替甘胺酸。例如可使用羧酸根離子、乙酸、乳酸、磷酸鹽或硼酸代替檸檬酸。 若使形成有遮罩層2之構造物1浸漬於置換鍍覆液中，則於半導體表面中未經遮罩層2覆蓋之區域形成包含金之緻密之較薄的層，進而，包含金之樹枝狀結晶於此成長。藉此，可藉由單一之處理而獲得第2部分5包含樹枝狀結晶之觸媒層6。 其次，如圖3所示，對觸媒層6供給蝕刻劑7。 具體而言，例如使形成有遮罩層2及觸媒層6之構造物1浸漬於蝕刻劑7中。蝕刻劑7包含氫氟酸及氧化劑。 若蝕刻劑7與半導體表面接觸，則氧化劑使該表面中第1部分4接近之部分氧化，氫氟酸將其氧化物溶解去除。因此，蝕刻劑7係如圖4所示，於觸媒層6之作為觸媒之作用下，於開口部之位置於垂直方向蝕刻半導體表面。 蝕刻劑7中之氟化氫濃度較佳為處於1.0 mol/L至20 mol/L之範圍內，更佳為處於5 mol/L至10 mol/L之範圍內，進而較佳為處於3 mol/L至7 mol/L之範圍內。於氟化氫濃度較低之情形時，難以達成較高之蝕刻速率。於氟化氫濃度較高之情形時，可能產生過度之側蝕刻。 蝕刻劑7中之氧化劑例如可選自過氧化氫、硝酸、AgNO3
、KAuCl4
、HAuCl4
、K2
PtCl6
、H2
PtCl6
、Fe(NO3
)3
、Ni(NO3
)2
、Mg(NO3
)2
、Na2
S2
O8
、K2
S2
O8
、KMnO4
及K2
Cr2
O7
中。就不產生有害之副產物，亦不產生半導體元件之污染之方面而言，作為氧化劑，較佳為過氧化氫。 蝕刻劑7中之過氧化氫等氧化劑之濃度較佳為處於0.2 mol/L至8 mol/L之範圍內，更佳為處於2.0 mol/L至4.0 mol/L之範圍內，進而較佳為處於3.0 mol/L至4.0 mol/L之範圍內。 於圖1至圖4所示之方法中，以如上之方式進行構造物1之包含半導體之表面之蝕刻。 另外，如圖5所示，於使具有包含貴金屬粒子3之集合體且貴金屬粒子3之間之間隙較寬之觸媒層6的構造物1浸漬於蝕刻劑7中的情形時，蝕刻劑7可穿過貴金屬粒子3之間之間隙而容易地到達至半導體表面。因此，蝕刻劑7對半導體表面中與貴金屬粒子3接近之區域進行蝕刻。但是，由於半導體表面中對應於貴金屬粒子3之間之間隙的區域難以被氧化，故而難以進行蝕刻。因此，於對應於該間隙之區域中針狀地殘留半導體。針狀殘留部8可能成為灰塵之原因。 又，於貴金屬粒子3之間之間隙較窄之情形時，蝕刻劑7無法容易地到達至半導體表面。因此，幾乎不進行蝕刻。 一面參照圖1至圖4一面進行說明之方法儘管充分地進行蝕刻，但不易產生針狀之殘留部。本發明者等人認為其係由以下之原因所致。 第1部分4由於如上所述般較薄，故而具有不連續部之可能性較高。因此，蝕刻劑7可穿過不連續部而到達至半導體表面。第2部分5由於表觀上之密度小於第1部分4，故而不會妨礙蝕刻劑7向第1部分4之供給。因此，如圖1至圖4所示，可蝕刻半導體。 觸媒層6隨著進行蝕刻而向下方移動。然而，於上述不連續部未進行蝕刻，隨著觸媒層6之移動，於對應於上述不連續部之位置殘留未蝕刻部。第2部分5位於第1部分4上，且厚於第1部分4，故而於向下方移動之過程中，與上述未蝕刻部接觸而使之氧化之可能性較高。蝕刻劑7對經氧化之未蝕刻部進行蝕刻。因此，認為不易產生針狀殘留部。 可對觸媒層6進行各種變化。 例如，第1部分4可為包含貴金屬粒子，於該等粒子之間具有可流通蝕刻劑7之間隙之粒狀層。或者，第1部分4亦可為於包含貴金屬之連續膜中設置複數個貫通孔而成之多孔膜。 又，第2部分5可為樹枝狀結晶以外之形態。例如，第2部分5可為具有液體透過性之多孔質層。 又，觸媒層6可除了第1部分4及第2部分5以外，進而包含1個以上之其他部分。例如，觸媒層6可具有3層以上之多層構造。 再者，第2部分5無須自開始蝕刻時至結束時為止為一體。即，第2部分5可於隨著進行蝕刻而觸媒層6向下方移動時，分解成複數個片段。該等片段可能隨著觸媒層6之移動而使該等之方位發生變化。因此，於第2部分5產生非球形之片段之情形時，例如於包含樹枝狀結晶之第2部分5分解成複數個片段之情形，與第2部分5保持一體之狀態之情形相比，第2部分5與未蝕刻部接觸之概率提高。 上述蝕刻方法可用於各種物品之製造。又，上述蝕刻方法亦可用於凹部或貫通孔之形成、或半導體晶圓等構造物之分割。例如，上述蝕刻方法可用於半導體裝置之製造。 一面參照圖6至圖11，一面對包括對半導體晶圓進行蝕刻而單片化為複數個半導體晶片之操作的半導體晶片之製造方法進行說明。 首先，準備圖6及圖7所示之構造。該構造包含半導體晶圓9、遮罩層2及切割片11。關於半導體晶圓9，於其表面形成有半導體元件區域10。遮罩層2將半導體晶圓9之表面中形成有半導體元件之區域即元件區域10被覆，發揮保護半導體元件免受損傷之作用。切割片11貼附於半導體晶圓9之設置有遮罩層2之面的背面。 其次，如圖8及圖9所示，藉由一面參照圖2一面進行說明之方法，於半導體晶圓9之表面形成包含貴金屬之觸媒層6。 其次，藉由一面參照圖1至圖4一面進行說明之方法對圖8及圖9所示之構造進行蝕刻。蝕刻係進行至由此所產生之凹部之底面到達至切割片11之表面為止。 如上所述，根據上述方法，如圖10及圖11所示，可獲得各自包含半導體元件區域10之半導體晶片12。 於該方法中，例如可利用遮罩層2作為保護半導體晶片之保護層。由於遮罩層2將半導體晶片之整個面被覆，故而根據該方法，與進行使用刀片之一般切割之情形相比，可達成較高之強度。 又，於該方法中，半導體晶片之上表面之形狀並不限於正方形或長方形。例如，半導體晶片之上表面之形狀可為圓形或六邊形。又，於該方法中，可同時形成上表面形狀不同之半導體晶片。 [實施例] 以下，對試驗例進行說明。 ＜試驗例1＞ 藉由以下之方法，對構造物形成遮罩層、及包含第1及第2部分之觸媒層，並對其進行蝕刻。然後，研究觸媒層之構造對蝕刻造成之影響。 首先，於包含半導體之構造物之表面形成遮罩層。遮罩層係藉由使用光阻劑之光微影法而形成。遮罩層之開口部之寬度為5 μm。 其次，混合四氯金(IH)酸鉀水溶液、氫氟酸、甘胺酸及檸檬酸而製備鍍覆液A。關於鍍覆液A，四氯金(III)酸鉀濃度為5 mmol/L，氟化氫濃度為1 mol/L，甘胺酸濃度為10 g/L，檸檬酸濃度為10 g/L。 其次，於23℃下使形成有遮罩層之構造物浸漬於鍍覆液A中3分鐘，形成觸媒層。於圖12及圖13中示出藉由掃描電子顯微鏡對形成有觸媒層及遮罩層之構造物進行觀察的結果。 圖12係表示使用鍍覆液A所形成之觸媒層之剖面之掃描電子顯微鏡照片。圖13係表示使用鍍覆液A所形成之觸媒層之上表面之掃描電子顯微鏡照片。如圖12及圖13所示，可確認到觸媒層係第2部分為樹枝狀結晶，第2部分厚於第1部分，第2部分之表觀上之密度小於第1部分之表觀上之密度。 其次，混合氫氟酸及過氧化氫而製備蝕刻劑。關於該蝕刻劑，氟化氫濃度為10 mol/L，過氧化氫濃度為0.5 mol/L。 使形成有遮罩層及觸媒層之構造物浸漬於該蝕刻劑中，對其進行蝕刻。於圖14中示出藉由掃描電子顯微鏡對經蝕刻之構造物進行觀察的結果。 圖14係表示蝕刻後之構造之剖面之掃描電子顯微鏡照片。如圖14所示，針狀殘留部之產生得到抑制。 ＜試驗例2＞ 將開口部之寬度設為10 μm，除此以外，藉由與試驗例1中所說明者相同之方法，對構造物形成遮罩層及觸媒層，並對其進行蝕刻。 圖15係表示使用鍍覆液A所形成之觸媒層之剖面之掃描電子顯微鏡照片。圖16係表示使用鍍覆液A所形成之觸媒層之上表面之掃描電子顯微鏡照片。如圖15及圖16所示，可確認到觸媒層係第2部分為樹枝狀結晶，第2部分厚於第1部分，第2部分之表觀上之密度小於第1部分之表觀上之密度。 圖17係表示蝕刻後之構造之剖面之掃描電子顯微鏡照片。如圖17所示，針狀殘留部之產生得到抑制。 ＜試驗例3＞ 藉由以下之方法，對構造物形成遮罩層、及包含貴金屬粒子之集合體之觸媒層，並對其進行蝕刻。然後，研究觸媒層之構造對蝕刻造成之影響。 首先，藉由與試驗例1相同之方法，於包含半導體之構造物之表面形成遮罩層。遮罩層之開口部之寬度為10 μm。 其次，混合四氯金(III)酸鉀水溶液、氫氟酸、氟化氫銨、甘胺酸及檸檬酸而製備鍍覆液B。關於鍍覆液B，四氯金(III)酸鉀濃度為1 mmol/L，氟化氫濃度為0.25 mol/L，氟化銨濃度為4.75 mol/L，甘胺酸濃度為1 g/L，檸檬酸濃度為10 g/L。 其次，於室溫下使構造物浸漬於鍍覆液B中1分鐘，形成觸媒層。於圖18中示出藉由掃描電子顯微鏡對形成有觸媒層及遮罩層之構造物進行觀察的結果。 圖18係表示使用鍍覆液B所形成之觸媒層之剖面之掃描電子顯微鏡照片。如圖18所示，可確認到觸媒層包含貴金屬粒子之集合體。 其次，以與試驗例1相同之方式製備蝕刻劑，對該構造物進行蝕刻。於圖19中示出藉由掃描電子顯微鏡對經蝕刻之構造物進行觀察的結果。 圖19係表示蝕刻後之構造之剖面之掃描電子顯微鏡照片。如圖19所示，產生了針狀殘留部。 ＜試驗例4＞ 將於鍍覆液B中之浸漬時間設為3分鐘，除此以外，藉由與試驗例3中所說明者相同之方法，對構造物形成遮罩層及觸媒層，並對其進行蝕刻。 圖20係表示使用鍍覆液B所形成之觸媒層之構造之剖面的掃描電子顯微鏡照片。如圖20所示，可確認到觸媒層包含貴金屬粒子之集合體。 圖21係表示蝕刻後之構造之剖面之掃描電子顯微鏡照片。如圖21所示，蝕刻未進行。 再者，本發明並不限定於上述實施形態，可於實施階段中於不偏離其主旨之範圍內將構成要素進行變化而實現。又，可藉由上述實施形態所揭示之複數個構成要素之適當組合而形成各種發明。例如，可自實施形態所示之所有構成要素中刪除若干構成要素。進而，可將不同實施形態之構成要素適當組合。
1‧‧‧構造物
2‧‧‧遮罩層
3‧‧‧貴金屬粒子
4‧‧‧第1部分
5‧‧‧第2部分
6‧‧‧觸媒層
7‧‧‧蝕刻劑
8‧‧‧針狀殘留部
9‧‧‧半導體晶圓
10‧‧‧半導體元件區域
11‧‧‧切割片
12‧‧‧半導體晶片
圖1係概略性地表示實施形態之蝕刻方法中蝕刻之構造物之剖視圖。 圖2係概略性地表示實施形態之蝕刻方法中之觸媒層形成步驟之剖視圖。 圖3係概略性地表示實施形態之蝕刻方法中之蝕刻步驟開始狀態之剖視圖。 圖4係概略性地表示自圖3所示之狀態起經過一定時間後之狀態之剖視圖。 圖5係概略性地表示比較例中之蝕刻步驟之剖視圖。 圖6係概略性地表示實施形態之半導體晶片製造方法中使用之半導體晶圓之俯視圖。 圖7係圖6所示之半導體晶圓之沿VII-VII線之剖視圖。 圖8係概略性地表示實施形態之半導體晶片製造方法中之觸媒層形成步驟之俯視圖。 圖9係圖8所示之半導體晶圓之沿IX-IX線之剖視圖。 圖10係概略性地表示藉由圖6至圖9所示之方法而獲得之構造之一例的俯視圖。 圖11係圖10所示之半導體晶圓之沿XI-XI線之剖視圖。 圖12係表示形成有樹枝狀結晶之構造物之剖面之顯微鏡照片。 圖13係表示形成有樹枝狀結晶之構造物之上表面之顯微鏡照片。 圖14係表示對形成有樹枝狀結晶之構造物進行蝕刻而獲得之構造物之剖面的顯微鏡照片。 圖15係表示形成有樹枝狀結晶之構造物之剖面之顯微鏡照片。 圖16係表示形成有樹枝狀結晶之構造物之上表面之顯微鏡照片。 圖17係表示對形成有樹枝狀結晶之構造物進行蝕刻而獲得之構造物之剖面的顯微鏡照片。 圖18係表示觸媒層包含貴金屬粒子之構造物之剖面之顯微鏡照片。 圖19係表示對觸媒層包含貴金屬粒子之構造物進行蝕刻而獲得之構造物之剖面的顯微鏡照片。 圖20係表示觸媒層包含貴金屬粒子之構造物之剖面之顯微鏡照片。 圖21係表示對觸媒層包含貴金屬粒子之構造物進行蝕刻而獲得之構造物之剖面的顯微鏡照片。
Claims (8)
- 一種蝕刻方法，其包括如下操作： 於包含半導體之表面上， 形成包含貴金屬且包含第1部分及第2部分之觸媒層，上述第1部分係至少局部地被覆上述表面，上述第2部分係位於上述第1部分上，且與上述第1部分相比，表觀上之密度更小且更厚；及 對上述觸媒層供給蝕刻劑，於上述觸媒層之作為觸媒之作用下對上述表面進行蝕刻。
- 如請求項1之蝕刻方法，其中上述貴金屬係選自由Au、Ag、Pt及Rh所組成之群中之1種以上之金屬。
- 如請求項1之蝕刻方法，其中上述半導體包含Si。
- 如請求項1之蝕刻方法，其中上述蝕刻劑包含H2 O2 。
- 如請求項1之蝕刻方法，其進而包括於上述表面形成包含寬度為0.1 μm至15 μm之範圍內的開口部之遮罩層的操作，於上述開口部之位置進行蝕刻。
- 如請求項1之蝕刻方法，其中上述第2部分含有包含上述貴金屬之樹枝狀結晶。
- 一種半導體晶片之製造方法，其包括藉由如請求項1至6中任一項之蝕刻方法對半導體晶圓進行蝕刻而單片化為半導體晶片之操作，上述表面為上述半導體晶圓之表面。
- 一種物品之製造方法，其包括藉由如請求項1至6中任一項之蝕刻方法對上述表面進行蝕刻之操作。
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