TW201809327A - 薄膜製造裝置、薄膜製造方法 - Google Patents

Abstract

提供一種能夠將膜厚感測器作長期間使用的技術。從成膜源(12)來放出成膜材料(37)之微粒子並在成膜對象物(15)和膜厚感測器(31)處使薄膜成長，藉由膜厚感測器(31)來求取出薄膜之測定成長速度，對於測定成長速度和預先所設定了的基準速度作比較，在使電力改變而使測定成長速度接近基準速度時，係使膜厚感測器(31)和放出部(38)之間的閘門(35)作開閉，而將微粒子到達膜厚感測器(31)處的時間縮短。在膜厚感測器(31)上所成長的薄膜之膜厚，由於相較於並不將閘門(35)作開閉的情況係變得更薄，因此膜厚感測器(31)之壽命係變長。

Description

薄膜製造裝置、薄膜製造方法

本發明，係有關於形成薄膜之技術，特別是提供一種檢測出薄膜之成長速度的膜厚感測器之可使用期間為長的薄膜製造裝置和薄膜製造方法。

圖3之符號100，係為先前技術之薄膜製造裝置，並具備有真空槽113。在真空槽113之內部，係被配置有蒸發源112。

蒸發源112，係具備有蒸發容器133，在蒸發容器133之上方位置處，係成為使被搬入至真空槽113之內部的成膜對象基板115作通過或者是被作配置。

蒸發容器133係為中空，在蒸發容器133之中空的內部，係被配置有由粉體狀之有機化合物所成的有機材料137。

在蒸發容器133處，係被設置有加熱裝置134，加熱裝置134係被與成膜電源145作連接。

藉由真空排氣裝置139來將真空槽113之內部作真空排氣而形成真空氛圍，並藉由成膜電源145來對加熱裝置134通電而使其發熱，作了發熱的加熱裝置134，係將蒸發容器133加熱而使其升溫，被配置在蒸發容器133之內部的有機材料137係藉由作了升溫的蒸發容器133而被作加熱。

若是有機材料137被升溫至蒸發溫度以上，則係蒸發(亦包含昇華)，多量之有機材料137的蒸氣係被放出至蒸發容器133之內部。

在蒸發容器133之與成膜對象基板115相對面的位置處，係被設置有放出孔138，所產生了的蒸氣，係從放出孔138而被放出至真空槽113之內部，若是到達成膜對象基板115之表面，則在所到達了的部份處，有機材料137之薄膜係成長。

在此薄膜製造裝置100中，於真空槽113之外部，係被配置有對於有機材料137之薄膜的成長速度作控制之成長速度控制電路114。

若是對於成長速度控制電路114之對於成長速度作控制的處理程序作說明，則在真空槽113之內部，係被設置有膜厚感測器131，膜厚感測器131，係與被設置在成長速度控制電路114內之成長速度測定器141作連接。

膜厚感測器131，係被配置在成膜對象基板115之側方位置處，從蒸發源112所放出的有機材料137之蒸氣，係到達成膜對象基板115和膜厚感測器131處，並成 為在成膜對象基板115和膜厚感測器131處而使薄膜成長，膜厚感測器131所檢測出的膜厚，係作為代表膜厚之訊號而被輸出至成長速度測定器141處，藉由成長速度測定器141，膜厚之成長速度係被求取出來，代表成長速度之訊號，係作為測定訊號而被輸出至速度偏差檢測器142處。

在成膜對象基板115之表面上所成長的薄膜之理想的成長速度，係被預先求取出來，並轉換為膜厚感測器131之表面的成長速度而作為基準值來記憶在記憶裝置143中，從記憶裝置143係輸出代表基準值之基準訊號，並被輸入至速度偏差檢測器142中。

在速度偏差檢測器142處，係將代表被輸入了的基準訊號所代表之值和被輸入了的測定訊號所代表之值之間的大小關係和兩者之差之值求取出來，身為附加有代表正負之符號的兩者之差之值之代表偏差之偏差訊號，係被從速度偏差檢測器142而輸出至成膜電源145處。

當被輸入至成膜電源145處之偏差訊號，為代表「相較於基準訊號所代表之成長速度，係以測定訊號所代表之成長速度之值為更大」的情況時，成膜電源145，係使輸出至加熱裝置134處之電流減少，而使蒸發源112之內部的有機材料137之蒸氣產生量減少，而成為使成膜對象基板115和膜厚感測器131之成長速度之值縮小。

另一方面，當「相較於基準訊號所代表之成長速度，係以測定訊號所代表之成長速度之值為更小」的情況時，成膜電源145，係使輸出至加熱裝置134處之電流 增加，而使蒸發源112之內部的有機材料137之蒸氣產生量增加，而成為使成膜對象基板115和膜厚感測器131之成長速度增大。

如此這般，藉由對於供給至加熱裝置134處之電流值作調節，從有機材料137所產生的蒸氣量之變動係被縮小，蒸氣產生量係被維持為一定值，成長速度係被維持於基準值。

被作增加之電流量和被作減少之電流量，係與偏差之值成正比，當偏差之絕對值為大的情況時，係成為使偏差更快接近於0。

然而，若是身為恆常對於成長速度作測定並與基準值作比較而將成長速度設為接近於基準值的恆常監視方式，則起因於成長速度之值的振動或者是相對於所輸出的電流量之成長速度之變化的延遲等之影響，係有著實際之成長速度的增減及其之變化量控制會變得困難的問題。

圖4之元件符號105，係為代表在以恆常監視方式來對於成長速度作了控制時的成長速度之時間變化之曲線，在使成長速度增加而朝向代表基準值之直線106作接近的期間中，係反覆出現有細微的增減，起因於此細微之增減，就算是朝向基準值作接近，實際的成長速度與基準值之間之差亦為大。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

[專利文獻1] WO2015/182090

本發明，係為了解決上述先前技術之問題而創作者，其目的，係在於提供一種能夠長期間檢測出薄膜之成長速度的薄膜製造裝置。

為了解決上述課題，本發明，係為一種薄膜製造裝置，其係具備有：真空槽；和成膜源，係被配置有成膜材料；和主控制裝置，係對於前述成膜源供給電力，並使被配置在前述成膜源中之前述成膜材料的微粒子從前述成膜源之放出部而被放出至前述真空槽之內部；和膜厚感測器，係被配置在前述微粒子所到達並使薄膜成長之位置處，並輸出代表被形成於表面上之前述薄膜之膜厚的內容之膜厚訊號，前述主控制裝置，係基於前述膜厚感測器所輸出之前述膜厚訊號，而使供給至前述成膜源處之電力的大小改變而使前述成膜源之放出速度改變，並藉由所期望之成長速度來在前述成膜對象物表面上使薄膜成長，該薄膜製造裝置，其特徵為：在前述真空槽內，係被配置有閘門，前述閘門，係藉由主控制裝置而被作移動，前述閘門，係在遮蔽狀態和到達狀態之間被作切換，該遮蔽狀 態，係為位置在前述膜厚感測器和前述放出部之間並將前述微粒子之對於前述膜厚感測器的到達作遮蔽，該到達狀態，係為從前述膜厚感測器和前述放出部之間的位置而移動至其他場所處並使前述微粒子到達前述膜厚感測器處。

本發明，係為一種薄膜製造裝置，其中，被形成於前述膜厚感測器處之薄膜的膜厚，係在將前述閘門維持於前述到達狀態的到達期間中而被作測定。

本發明，係為一種薄膜製造裝置，其中，係根據所測定出的前述膜厚，來求取出前述膜厚感測器上之前述測定成長速度，並對於供給至前述成膜源處之電力的大小作變更。

本發明，係為一種薄膜製造方法，其係將真空槽之內部設為真空氛圍，並對於被配置在前述真空槽之內部的成膜源供給電力，而使成膜材料的微粒子從前述成膜源之放出部放出，並使前述微粒子到達位置於前述真空氛圍中之成膜對象物和膜厚感測器處，且基於在前述膜厚感測器處所成長之薄膜的成長速度，來改變前述電力的大小，以使前述測定成長速度接近前述基準速度，該薄膜製造方法，其特徵為：在前述真空槽之內部設置閘門，在前述微粒子到達前述成膜對象物處的期間中，使前述閘門作開閉，而交互切換為遮蔽狀態和到達狀態，該遮蔽狀態，係使前述閘門位置在前述膜厚感測器和前述放出部之間而不使前述微粒子到達前述膜厚感測器處，該到達狀態，係使前述閘門從前述膜厚感測器和前述放出部之間而移動並使前述微 粒子到達前述膜厚感測器處。

本發明，係為一種薄膜製造方法，其中，係在將前述閘門維持於前述到達狀態之到達期間的每一者中，求取出前述測定成長速度，並對於供給至前述成膜源處之電力的大小作變更。

在本發明中，若是設置1個周期的時間，並構成為在1個周期中而對於供給電力作1次的變更，則由於起因於恆常控制所導致的成長速度之振動係消失，因此控制係變得容易。

在上述先前技術之薄膜製造裝置中，由於係恆常對於從有機材料而來之蒸氣產生量作監視，因此係有必要頻繁地對於膜厚感測器作交換，但是，若依據本發明，則由於在相同的成膜時間中，膜所附著在感測器上的時間(期間)係較先前技術而更短，因此係能夠以較先前技術而更少之交換頻率來對於多數之成膜對象物進行成膜。

又，若依據本發明，則由於係能夠將薄膜附著在膜厚感測器上的時間縮短，因此係能夠使膜厚感測器的壽命增長。

10‧‧‧薄膜製造裝置

13‧‧‧真空槽

14‧‧‧成長速度控制器

15‧‧‧成膜對象物

31‧‧‧膜厚感測器

35‧‧‧閘門

33‧‧‧蒸發容器

37‧‧‧成膜材料

41‧‧‧成長速度測定器

42‧‧‧電源控制器

45‧‧‧真空排氣裝置

46‧‧‧成膜電源

49‧‧‧記憶裝置

51‧‧‧馬達控制器

[圖1] 係為用以對於本發明之薄膜製造裝置作說明的區塊圖。

[圖2] 係為用以對於水晶振動元件之振盪頻率和膜厚之間的關係作說明之圖表。

[圖3] 係為用以對於先前技術之薄膜製造裝置作說明的區塊圖。

[圖4] 係為對於成長速度之歷時變化作展示之圖表。

[圖5] 係為對於到達期間之頻率變化和在將到達期間與遮斷期間以短時間來作了反覆時的頻率變化作比較之圖表。

圖1之元件符號10，係代表本發明之薄膜製造裝置。

此薄膜製造裝置10，係具備有真空槽13，在真空槽13之內部，係被配置有成膜源12。

成膜源12，係具備有中空之蒸發容器33，於其之中空的部份處，係被配置有成膜材料37。成膜材料37，於此係為粉體狀之有機化合物，但是，係亦可為金屬材料或金屬氧化物等之無機材料或者是液體材料。

在真空槽13處，係被連接有真空排氣裝置45，若是真空排氣裝置45動作而使真空槽13之內部被作真空排氣，則在真空槽13之內部係被形成有真空氛圍。

蒸發容器33之內部中空部分，係藉由此真空排氣裝置 45而被作真空排氣，並與真空槽13同樣地而被形成有真空氛圍。係亦可在蒸發容器33處連接其他的真空排氣裝置，並藉由該真空排氣裝置來將蒸發容器33之內部作真空排氣。

在真空槽13之外部，係被配置有主控制裝置18。

在主控制裝置18處，係被配置有成長速度控制器14，在成長速度控制器14處，係被配置有成膜電源46、和對於成膜電源46之動作作控制的電源控制器42。

若是電源控制器42使成膜電源46動作，則係從成膜電源46而對於成膜源12供給電力。

在成膜源12之內部，係被設置有加熱裝置34，藉由被供給而來之電力，加熱裝置34係發熱，並加熱成膜材料37。

若是在將真空槽13之內部設為真空氛圍的狀態下，將成膜材料37升溫至蒸發溫度以上，則係從成膜材料37而產生蒸氣。所產生了的蒸氣，係為成膜材料37之微粒子。

在蒸發容器33之頂板處，係作為放出部38而形成有蒸氣放出孔，成膜材料37之微粒子，係通過蒸氣放出孔，之後，成膜材料37之微粒子係從成膜源12之放出部38而被放出至真空槽13之內部。

故而，若是從主控制裝置18而對於成膜源12供給電力，則成膜材料37之微粒子係被從成膜源12而放出。放出 部38，係亦可為複數之蒸氣放出口。

在真空槽13之內部的成膜材料37之微粒子所到達之成膜位置處，成膜對象物係被作靜止配置，或者是設為使成膜對象物通過成膜位置。於此，在成膜材料37之微粒子所到達之成膜位置處，係被設置有基板支持器39，以元件符號15所標示之成膜對象物，係被保持於基板支持器39處並靜止。

若是成膜材料37之微粒子到達成膜對象物15之表面，則含有成膜材料37之成分的薄膜(於此係為有機薄膜)係在成膜對象物15之表面上成長。

在真空槽13之內部，係被配置有膜厚感測器31和閘門35。

在主控制裝置18處，係被設置有馬達控制器51、和被與馬達控制器51作了連接的開閉控制器43。

閘門35，係被與馬達36作連接，馬達36，係藉由馬達控制器51而使旋轉被作控制。

閘門35，係藉由馬達36之旋轉而在真空槽13內移動，並被設為能夠變更位置。此閘門35，係藉由使開閉控制器43對於馬達控制器51作控制，而被構成為能夠採用遮蔽狀態以及到達狀態之其中一者的狀態，該遮蔽狀態，係為位置在身為膜厚感測器31和放出部38之間之場所的遮斷場所處，該到達狀態，係為從遮斷場所移動而位置在與遮斷場所相異之並非位於膜厚感測器31和放出部38之間的場所處。故而，閘門35，係藉由被設為遮蔽狀態和到達狀態， 而成為被進行開閉。

當閘門35為位於到達位置時，膜厚感測器31係位置在從成膜源12而放出之成膜材料37之微粒子所能夠到達的場所處，此時，從相同之成膜源12所放出的成膜材料37之微粒子係到達成膜對象物15和膜厚感測器31處，在膜厚感測器31之表面和成膜對象物15之表面上，係成長有由同種類之微粒子所成之薄膜。

成膜對象物15和膜厚感測器31，由於與成膜源12之間之距離係為相異，因使，在成膜對象物15和膜厚感測器31處，薄膜係以與距離相對應之一定之場所比例的膜厚而成長。

在主控制裝置18處，係被配置有成長速度測定器41，膜厚感測器31，係被與成長速度測定器41作連接。

膜厚感測器31，係將代表附著於表面上之薄膜的膜厚之內容的膜厚訊號，輸出至主控制裝置18處。從膜厚感測器31所輸出了的膜厚訊號，係被輸入至主控制裝置18之成長速度測定器41處，成長速度測定器41，係在閘門35持續身為到達狀態的期間(例如，1秒以內之時間)中，於相異之時刻處而對於膜厚感測器31上之薄膜的膜厚作測定。

主控制裝置18，係使閘門35以交互反覆成為一定之到達期間和一定之遮蔽期間的方式來動作，若是將1個的到達期間和鄰接於該到達期間之1個的遮蔽期間之合計時間作為1個周期，則係根據在各到達期間之每一者處所測定 之膜厚感測器31上之膜厚的變化量、和相鄰接之到達期間之相異的測定時刻與測定時刻之間之時間、以及1個周期的時間，來算出在膜厚感測器31上所成長之薄膜的成長速度。於此，所謂成長速度，係為「膜厚之增加量/在增加中所需要的時間」。

在膜厚感測器31上所成長之薄膜的成長速度、和在成膜對象物15上所成長之薄膜的成長速度，其兩者間係存在有與關連於膜厚之前述之場所比例之值相對應的一定之比例關係，該成長速度之比例關係的比例係數，係在進行場所比例測定時而預先被求取出來。主控制裝置18，係能夠根據該比例關係和膜厚感測器31上之薄膜的成長速度，來算出成膜對象物15上之薄膜之成長速度。於此，成長速度測定器41，係將所算出的膜厚感測器31上之薄膜之成長速度，作為測定成長速度而輸出。

在主控制裝置18處，係被設置有記憶裝置49，在記憶裝置49中，係作為基準速度而記憶有膜厚感測器31上之薄膜之成長速度的基準值。

在電源控制器42處，係被輸入有基準速度和測定成長速度。

電源控制器42，係對於基準速度和測定成長速度作比較，並算出由與該兩者之差相對應之值和代表何者為較大一事的符號所成之偏差，而作為代表速度偏差之控制訊號來輸出至成膜電源46處。

在從成長速度測定器41而將在成膜對象物15 上所成長的薄膜之成長速度作為測定成長速度來輸出的情況時，亦同樣的，若是作為目標成長速度而設定有相對於成膜對象物15之成長速度之基準值，則係成為與對於在膜厚感測器31上之薄膜的成長速度和相對於膜厚感測器31之基準速度作比較的情況相同。

不論如何，成膜電源46所供給至加熱裝置34處之電力的大小，係藉由電源控制器42所輸出之控制訊號而被作控制，當測定成長速度為較基準速度而更大時，為了使成膜材料37之微粒子的放出速度降低，係對於成膜電源46作控制，而使供給至加熱裝置34處之電力減少。所謂成膜源12之「放出速度」，係為「成膜源12之放出量/放出時間」之值。

當測定成長速度為較基準速度而更小時，為了使微粒子的放出速度增大，係對於成膜電源46作控制，而使供給至加熱裝置34處之電力增加。

在閘門35為位置於遮斷場所處的遮斷狀態之期間中，從放出部38所放出的蒸氣，就算是到達至成膜對象物15處，也不會到達膜厚感測器31處，就算是薄膜在成膜對象物15處成長，薄膜也不會在膜厚感測器31處成長。

故而，被形成於膜厚感測器31處之薄膜，由於係成為較被形成於1枚的成膜對象物15處之薄膜的膜厚而更薄，因此，係能夠藉由1個的膜厚感測器31，來對於複數枚數之成膜對象物15而一枚一枚地進行成膜。

圖2之圖表，係為對於由水晶振動元件所成之 膜厚感測器31的振盪頻率(橫軸)和膜厚感測器31之表面的每單位面積之薄膜之重量(縱軸：膜厚×密度)之間的關係作展示之圖表，並展現有：隨著薄膜表面之薄膜成長，振盪頻率係降低。圖中之「z」，係為代表附著在水晶振動元件上之薄膜和水晶振動元件之聲響阻抗比的記號。

係得知了：不論是針對「z」為何者之值的水晶振動元件，均同樣的，在從較5MHz而更低了零點幾MHz之頻率(例如4.8MHz)起直到5MHz之間，圖表線之直線性係為較其他之部分而更高，在該頻率範圍中，係能夠根據所測定出的振盪頻率之值來正確地求取出密度為已知之薄膜的膜厚。

當從放出部38所放出的蒸氣到達至成膜對象物15和膜厚感測器31處時，由於被形成於膜厚感測器31處之薄膜的成長速度係被作測定，因此，在將成長速度維持於一定時，係使閘門35反覆成為到達狀態和遮蔽狀態。又，藉由設為在進行上述反覆之間之到達狀態時求取出測定成長速度並進行供給至成膜源12處之電力的控制，在成膜對象物15與膜厚感測器31位置於相同之真空槽13內並且在成膜對象物15之表面上被形成特定量之膜厚之薄膜的期間中，於膜厚感測器31處，係能夠將使薄膜作成長之時間相較於在成膜對象物15之表面上使薄膜作成長之時間而設為更短。

故而，藉由使閘門35交互反覆成為遮蔽狀態和到達狀 態，並在到達狀態時對於膜厚作測定，係能夠使被形成在膜厚感測器31之表面上的薄膜之膜厚，相較於並不存在有遮蔽狀態而維持於到達狀態的情況時而設為更薄。

維持遮蔽狀態之遮蔽期間、和維持到達狀態之到達期間，係被記憶在記憶裝置49中，代表各者之期間的長度之期間訊號，係作為設定值而被輸出至開閉控制器43處，依據從記憶裝置49所輸出的設定值之期間訊號，來在到達期間中對於成長速度控制器14輸出觸發(trigger)，而使電源控制器42將對於成膜源12所供給的電力作改變。

如此這般，當在到達期間之間而求取出測定成長速度並使供給電力之大小作改變時，遮蔽期間之期間，係可持續進行在緊接於其之前之到達期間中所作了變更的電力之供給，亦可在遮蔽期間之期間，對於在緊接於其之前之到達期間中所輸出了的電力之大小作變更。

圖4之符號5，係為對於當在各測定時刻t₁~t₅處所變更了的電力之大小為於測定時刻t₁~t₅之間被作維持的情況時之成長速度的歷時變化作展示之折線，在測定時刻t₁~t₅之間，成長速度係作直線性的變化，並在代表基準值之直線6附近之值處而成為一定值。

不論是在測定時刻t₁~t₅之間而將電力作維持的情況或者是在作變更的情況時，均同樣的，1個的到達期間和與該到達期間相鄰接之1個的遮蔽期間之合計時間，係為1個周期。相較於1個周期全部均為到達期間的情 況，以一定比例來反覆成為到達期間和遮蔽期間的情況，「到達狀態之時間/1個周期」係成為較"1"而更小之值，膜厚係成為「到達狀態之時間/1個周期」倍。故而，在本發明中所使用之膜厚感測器31的可使用時間，係成為「1個周期/到達狀態之時間」倍。

圖5，係為對於在長時間的到達期間之後而反覆成為了短時間之到達期間和遮蔽期間時之經過時間(橫軸)與膜厚感測器之頻率(縱軸)之間的關係作展示之圖表，對於從到達期間之開始時刻A起直到到達期間之遮斷時刻B之間的經過時間與頻率之間之關係作展示的曲線L₁之斜率，係成為較在時刻B之後而反覆成為到達期間和遮斷期間時之曲線L₂之斜率而更大，故而，可以得知，若是反覆成為到達期間和遮斷期間，則被形成在膜厚感測器31之表面上的薄膜之膜厚係為小。

另外，在上述實施例中，雖係在1個的到達期間內而求取出了測定成長速度，但是，係亦可構成為：根據在身為1個的到達期間中之時刻之第1時刻處所求取出的膜厚之值和身為緊接於其之前的到達期間中之時刻的第2時刻處所求取出之膜厚之值，此兩者之間之差的膜厚差，和第1時刻與第2時刻之間之到達期間的合計時間，來求取出測定成長速度。也就是說，本發明，係並非被限定於僅基於1個的到達期間中之膜厚之值來求取出測定成長速度的構成。

又，由於成膜對象物15和膜厚感測器31之間的成長速 度之比例關係係為已知，因此，係亦可構成為：將成膜對象物15上之所期望之成長速度換算為膜厚感測器31上之成長速度，並將膜厚感測器31上之成長速度作為基準值而設定於主控制裝置18中，再將膜厚感測器31之成長速度與基準值作比較，來對於供給至加熱裝置34處之電力作控制而使膜厚感測器31之成長速度成為基準值。

又，在上述例中，膜厚感測器31之膜厚雖係在到達期間中被作測定，但是，係亦可在遮蔽期間中被作測定。於此情況，係亦可藉由其他時刻之測定值和計算來求取出所作了測定的時刻之成膜對象物15之膜厚。

又，在上述實施例中，雖係構成為：在加熱裝置34處係使用有電阻加熱加熱器，藉由熱傳導，蒸發容器33係被加熱，進而，藉由熱傳導，成膜材料37係藉由作了升溫的蒸發容器33而被加熱並升溫，藉由對於加熱裝置34之發熱量作控制，來對於成膜材料37之溫度作控制，但是，係亦可構成為：在加熱裝置34處使用紅外線燈管來加熱蒸發容器33，或者是在蒸發容器33處流動感應電流而加熱蒸發容器33。

又，進而，在上述例中，雖係為蒸鍍裝置，但是，在本發明中，係亦包含有濺鍍裝置，其係作為成膜源而使用濺鍍靶材，在主控制裝置18處，係作為成膜電源而配置對於濺鍍靶材供給電力之濺鍍電源，藉由成膜電源所供給至成膜源處之電力，而在身為成膜源之表面的放出部上形成電漿，並對於成膜源進行濺鍍，而從放出部來放 出由濺鍍粒子所成之成膜材料之微粒子，再使微粒子到達成膜對象物之表面和膜厚感測器之表面，而形成薄膜。也就是說，在本發明中，設置有能夠在位於膜厚感測器與成膜源之間之遮斷場所和其他場所之間作移動的閘門之成膜裝置，係被包含於本發明之薄膜製造裝置中。

又，在上述實施例中，雖然蒸發容器33係被配置在真空槽13之內部，但是，蒸發容器係亦可被配置在真空槽13之外部。

另外，上述說明中之「蒸發速度」，係指蒸氣之每單位時間的放出量，而並非為代表蒸氣之飛行速度。

10‧‧‧薄膜製造裝置

12‧‧‧成膜源

13‧‧‧真空槽

14‧‧‧成長速度控制器

15‧‧‧成膜對象物

18‧‧‧主控制裝置

31‧‧‧膜厚感測器

33‧‧‧蒸發容器

34‧‧‧加熱裝置

35‧‧‧閘門

36‧‧‧馬達

37‧‧‧成膜材料

38‧‧‧放出部

39‧‧‧基板支持器

41‧‧‧成長速度測定器

42‧‧‧電源控制器

43‧‧‧開閉控制器

45‧‧‧真空排氣裝置

46‧‧‧成膜電源

49‧‧‧記憶裝置

51‧‧‧馬達控制器

Claims (5)

1. 一種薄膜製造裝置，係具備有：真空槽；和成膜源，係被配置有成膜材料；和主控制裝置，係對於前述成膜源供給電力，並使被配置在前述成膜源中之前述成膜材料的微粒子從前述成膜源之放出部而被放出至前述真空槽之內部；和膜厚感測器，係被配置在前述微粒子所到達並使薄膜成長之位置處，並輸出代表被形成於表面上之前述薄膜之膜厚的內容之膜厚訊號，前述主控制裝置，係基於前述膜厚感測器所輸出之前述膜厚訊號，而使供給至前述成膜源處之電力的大小改變而使前述成膜源之放出速度改變，並藉由所期望之成長速度來在前述成膜對象物表面上使薄膜成長，該薄膜製造裝置，其特徵為：在前述真空槽內，係被配置有閘門，前述閘門，係藉由前述主控制裝置而被作移動，前述閘門，係在遮蔽狀態和到達狀態之間被作切換，該遮蔽狀態，係為位置在前述膜厚感測器和前述放出部之間並將前述微粒子之對於前述膜厚感測器的到達作遮蔽，該到達狀態，係為從前述膜厚感測器和前述放出部之間的位置而移動至其他場所處並使前述微粒子到達前述膜厚感測器處。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之薄膜製造裝置，其中，被形成於前述膜厚感測器處之薄膜的膜厚，係在將前述閘門維持於前述到達狀態的到達期間中而被作測定。
3. 如申請專利範圍第1項所記載之薄膜製造裝置，其中，係根據所測定出的前述膜厚，來求取出前述膜厚感測器上之前述測定成長速度，並對於供給至前述成膜源處之電力的大小作變更。
4. 一種薄膜製造方法，係將真空槽之內部設為真空氛圍，並對於被配置在前述真空槽之內部的成膜源供給電力，而使成膜材料的微粒子從前述成膜源之放出部放出，並使前述微粒子到達位置於前述真空氛圍中之成膜對象物和膜厚感測器處，且基於在前述膜厚感測器處所成長之薄膜的成長速度，來改變前述電力的大小，以使前述測定成長速度接近前述基準速度，該薄膜製造方法，其特徵為：在前述真空槽之內部設置閘門，在前述微粒子到達前述成膜對象物處的期間中，使前述閘門作開閉，而交互切換為遮蔽狀態和到達狀態，該遮蔽狀態，係使前述閘門位置在前述膜厚感測器和前述放出部之間而不使前述微粒子到達前述膜厚感測器處，該到達狀態，係使前述閘門從前述膜厚感測器和前述放出部之間 而移動並使前述微粒子到達前述膜厚感測器處。
5. 如申請專利範圍第4項所記載之薄膜製造方法，其中，係在將前述閘門維持於前述到達狀態之到達期間的每一者中，求取出前述測定成長速度，並對於供給至前述成膜源處之電力的大小作變更。