TW201807471A - 顯示裝置 - Google Patents

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李在賢
具根林
全相炫
鄭昌容
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南韓商三星顯示器有限公司
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Abstract

一種顯示裝置，包含具有驅動電路層及複數個時脈訊號線之電路層，具有觸碰偵測部件之觸碰偵測單元且複數個觸碰訊號線電性連接於觸碰偵測單元，以及設置在複數個時脈訊號線與複數個觸碰訊號線之間的導電部，導電部設置以覆蓋複數個時脈訊號線與複數個觸碰訊號線重疊之重疊區域。

Description

顯示裝置
相關申請案的交互參照
本申請案主張於2016年7月29日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2016-0097497的優先權和權益，其全部內容於此併入作為參考。
本發明是關於一種顯示裝置，特別是關於一種能提供基本上一致的觸碰靈敏度的顯示裝置。
各種可用於電視機、行動電話、平板電腦、導航設備和遊戲機的多媒體設備中的顯示裝置不斷被開發出來。顯示裝置通常包含作為輸入裝置的鍵盤或滑鼠。另外，最近的顯示裝置包含作為輸入裝置的觸碰偵測單元。
觸碰偵測單元可能是非常敏感的，舉例來說，為了偵測非常輕的觸碰或者在指紋的谷與脊之間在識別的應用上。當靠近從顯示裝置發出的訊號時，可能危及敏感的觸碰偵測單元並產生錯誤或不正確的結果。
上述於背景部分揭露之資訊僅為了加強對於本發明構思的背景之了解，因此可能包含未形成於先前技術但已為本國所屬技術領域中具有通常知識者所理解之資訊。
本發明的一或多個例示性實施例提供一種顯示裝置，包含觸碰偵測單元，其具有一致的或更加一致的觸控敏感度，對於觸碰感應線路的雜訊，如從顯示裝置的時脈線路發出的雜訊，不會被影響或較少影響。
本發明其他的態樣將在以下的詳細說明中加以闡述，且部分地，從本揭露中將是顯而易見的，或者可由本發明概念的實施來理解。
根據本發明的一種態樣，顯示裝置包含基底層，電路層設置在基底層上且包含像素電路層及驅動電路層，驅動電路層設置以提供驅動像素電路層之訊號且包含複數個時脈訊號線，有機發光二極體設置在電路層上且包含電性連接於像素電路層之第一電極，設置在第一電極上之有機發光層，及設置在有機發光層上之第二電極，薄膜密封層設置在有機發光二極體上，觸碰偵測單元設置在薄膜密封層上且包含觸碰偵測部件及電性連接於觸碰偵測部件之複數個觸碰訊號線，以及導電部設置在複數個時脈訊號線與複數個觸碰訊號線之間，且延伸通過複數個時脈訊號線與複數個觸碰訊號線當中至少一些彼此重疊之重疊區域。
在一實施例中，導電部可設置在與第二電極相同之層上。
在一實施例中，第二電極可朝向導電部延伸，且第二電極與導電部可彼此連接。
在一實施例中，第二電極可與導電部隔開。
在一實施例中，顯示裝置可包含至少一時脈訊號線與至少一觸碰訊號線彼此不重疊之非重疊區域，
在一實施例中，複數個可被定義於導電部且與重疊區域可不重疊。
在一實施例中，導電部可設置在與第一電極及第二電極其中之一相同之層。
在一實施例中，複數個貫穿孔與複數個時脈訊號線可不重疊。
在一實施例中，複數個貫穿孔與複數個觸碰訊號線可不重疊。
在一實施例中，導電部可包含：第一區域為複數個貫穿孔未被定義之區域，重疊於至少一時脈訊號線及至少一觸碰訊號線，第二區域為具有孔洞第一區域密度之複數個貫穿孔所揭露之區域，以及第三區域為具有低於孔洞第一區域密度之孔洞第二區域密度之複數個貫穿孔所揭露之區域。
在一實施例中，定義在第二區域當中每個第一表面區域之第一貫穿孔數量，可大於定義在第三區域當中每個第一表面區域之第二貫穿孔數量。
在一實施例中，定義在第二區域當中之第一貫穿孔之尺寸大於定義在第三區域當中之第二貫穿孔之尺寸。
在一實施例中，導電部可包含第一導電層，設置在與第一電極相同之層上，且具有通過其定義之複數個第一貫穿孔，以及第二導電層，設置在與第二電極相同之層上。
在一實施例中，第二導電層可重疊於複數個第一貫穿孔。
在一實施例中，複數個第二貫穿孔可被定義於第二導電層，且複數個第一貫穿孔與複數個第二貫穿孔彼此可不重疊。
在一實施例中，複數個第二貫穿孔可被提供於第二導電層，且複數個第二貫穿孔與複數個觸碰訊號線或複數個時脈訊號線彼此可不重疊。
在一實施例中，複數個第一貫穿孔與複數個時脈訊號線可不重疊。
在一實施例中，複數個第一貫穿孔與複數個觸碰訊號線可不重疊。
在一實施例中，第二電極可朝向第二導電層延伸，且第二電極與第二導電層可彼此連接。
在一實施例中，第二電極可與第二導電層隔開。
在一實施例中，恆定電壓可提供至導電部。
根據本發明的另一種態樣，顯示裝置包含基底層，電路層設置在基底層上且包含像素電路層及驅動電路層，驅動電路層設置以提供驅動像素電路層之訊號且包含複數個時脈訊號線，有機發光二極體設置在電路層上且包含電性連接於像素電路層之第一電極，設置在第一電極上之有機發光層，及設置在有機發光層上之第二電極，薄膜密封層設置在有機發光二極體上，觸碰偵測單元直接地設置在薄膜密封層上且包含觸碰偵測部件及電性連接於觸碰偵測部件之複數個觸碰訊號線，以及導電部設置在複數個時脈訊號線與複數個觸碰訊號線之間。
在一實施例中，導電部可包含第一導電層，設置在與第一電極相同之層上，且具有通過其定義之複數個第一貫穿孔，以及第二導電層，設置在與第二電極相同之層上。
在一實施例中，第二導電層可重疊於複數個第一貫穿孔。
在一實施例中，複數個第一貫穿孔與複數個時脈訊號線可不重疊。
在一實施例中，複數個第一貫穿孔與複數個觸碰訊號線可不重疊。
在下文中，為了解釋之目的，闡述了許多具體細節以提供對各種例示性實施例的透徹理解。然而，顯而易見的是，各種例示性實施例可以在沒有這些具體細節或具有一或多個等效設置的情況下實踐。在其他實施例中，以方塊圖形式繪示習知的結構及設備，以避免不必要地模糊各種例示性實施例。
在附圖中，為了清楚及描述之目的，層、膜、面板、區域等的尺寸及相對尺寸可能被誇大。並且，相同元件符號表示相同的元件。
當元件或層被指在另一元件或層「之上(on)」、「連接至(connected to)」或「耦合至(coupled to)」另一個元件或層時，其可直接在另一元件或層上，連接至或耦合至另一元件或層，或者可存在中間元件或層。然而，當元件或層被指「直接」在另一元件或層「上(directly on)」、「直接連接至(directly connected to)」或「直接耦合至(directly connected to)」另一個元件或層時，則不存在中間元件或層。為了本揭露的目的，「X、Y及Z中的至少一個」和「選自X、Y及Z所組成群組中的至少一個」可以解釋為僅X、僅Y、僅Z，或X、Y及Z中兩個或更多個的任意組合，例如XYZ、XYY、YZ、ZZ等。相同的數字在本文中表示相同的元件。如本文所用，術語「及/或(and/or)」包含一個或多個相關列出的項目的任何及所有組合。
儘管術語第一、第二等可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受到這些術語限制。這些術語用於將一個元件、部件、區域、層及/或部分與另一個元件、部件、區域、層及/或部分區分開來。因此，在不脫離本揭露的教導的情況下，可以將下面討論的第一元件、部件、區域、層及/或部分稱為第二元件、部件、區域、層及/或部分。
為了描述之目的，本文中可以使用諸如「下方(beneath)」、「以下(below)」、「低於(lower)」、「上方(above)」、「之上(upper)」等之類的空間相對術語，從而描述如圖所示之一個元件或特徵與另一元件(組)或特徵(組)的關係。空間相對術語旨在包含除了在附圖中描繪的方向外，設備在使用、操作及/或製造中的不同方向。例如，如果附圖中的設備被翻轉，被描述於其他元件或特徵「以下(below)」或「下方(beneath)」的元件將被定向在其他元件或特徵「上方(above)」。因此，例示性術語「以下(below)」可包含上下方向。此外，設備可以以其他方式定向(例如，旋轉90度或以其他方向旋轉)，並且，因此本文所使用的空間相對描述據此來解釋。
本文使用的術語是為了描述特定實施例的目的，而不是旨在於限制。如本文所使用的，單數形式的「一(a)」、「一(an)」和「該(the)」也旨在包括複數形式，除非上下文另有明確指示。此外，在本說明書中使用時，術語「包含(comprises)」、「包含(comprising)」、「包括(includes)」及/或「包括(including)」指定所述特徵、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其組合的存在，但不排除存在或增加一或多個其它特徵、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其組合。
不同例示性實施例是參照理想化例示性實施例及/或中間結構的示意圖的截面圖於本文中描述。因此，作為結果的圖示之形狀變化是可以預期的，例如製造技術及/或公差。因此，本文所揭露的例示性實施例不應被解釋為限制在區域的特定繪示形狀，而是包含由例如製造所產生的形狀偏差。例如，繪示為矩形的植入區域通常在其邊緣將具有圓形或彎曲的特徵及/或植入濃度的梯度，而不是從植入到非植入區域的二元變化。同樣的，藉由植入形成的埋置區域可能導致在埋置區域與植入發生的表面之間區域的植入。因此，附圖中所示的區域本質上是示意性的，並且其形狀且並不旨在繪示裝置的區域的實際形狀，也不旨在於限制。
除非另有定義，否則本文使用的所有術語(包含技術及科學術語)具有與本發明所屬技術領域中具有通常知識者通常理解的相同涵義。諸如常用詞典中定義的術語應被解釋為一致於具有與其在相關領域的背景下的意義，並且不會以理想化或過度正式的意義來解釋，除非本文中有明確定義。
如第1A圖所示，在顯示裝置DD的第一操作模式中，圖像IM顯示的顯示表面IS是在第一方向DR1及第二方向DR2延伸的表面。顯示表面IS在垂直於第一方向DR1及第二方向DR2之第三方向DR3上具有厚度。每個構件的前表面(或上表面)及後表面(或下表面)在第三方向DR3是分隔開的。然而，第一至第三方向DR1、DR2、DR3所指的方向可重新安排或重新定義，因其為相對的。下文中，第一至第三方向作為第一至第三方向DR1、DR2、DR3所指的方向將參照相同的元件符號。
第1A圖至第1C圖及第3A圖至第4B圖繪示可撓式可折疊(foldable)的顯示器作為顯示裝置DD的一個範例。然而，本發明構思可關於可捲曲(rollable)的顯示裝置或彎曲(bended)的顯示裝置，且不特別限於此。另外，雖然在這些實施例中示出可撓式顯示裝置，但本發明構思不侷限於此。顯示裝置DD可為剛性(rigid)的顯示裝置或者彎曲的剛性顯示裝置。顯示裝置DD除了可用於大型尺寸的電子裝置，例如電視機及螢幕，還可用於小型及中型尺寸的電子裝置，例如行動電話、平板電腦、汽車導航、遊戲機及智慧型手表。
如第1A圖所示，顯示裝置DD的顯示表面IS可包含複數個區域。顯示裝置DD可包含圖像IM顯示的顯示區域DD-DA，及鄰近於顯示區域DD-DA的非顯示區域DD-NDA。非顯示區域DD-NDA可為沒有圖像顯示的區域。第1A圖繪示花瓶作為圖像IM的範例。顯示區域DD-DA可具有如圖所示的矩形形式。非顯示區域DD-NDA可環繞顯示區域DD-DA。然而，本發明構思不侷限於此，顯示區域DD-DA及非顯示區域DD-NDA的形式或形狀在其他實施例中可能有所變化。
如第1A圖至第1C圖，顯示裝置DD可根據操作形式包含複數個區域。顯示裝置可包含圍著彎曲軸BX彎曲的彎曲區域BA、第一非彎曲區域NBA1以及第二非彎曲區域NBA2。
如第1B圖所示，顯示裝置DD可向內彎曲，使第一非彎曲區域NBA1之顯示表面IS(參見第1A圖)與第二非彎曲區域NBA2之顯示表面IS(參見第1A圖)面向彼此。如第1C圖所示，顯示裝置DD可向外彎曲，使得顯示表面IS暴露在外部。
雖然第1A圖至第1C圖當中僅示出一個彎曲區域BA，本發明構思不侷限於此。舉例來說，根據本發明構思的實施例，顯示裝置DD可包含複數個彎曲區域BA。
根據本發明構思的實施例，顯示裝置DD可被設置僅重複如第1A圖及第1B圖所示的操作模式。然而，本發明構思不侷限於此，且彎曲區域BA可被定義為使用者操作顯示裝置DD的地方。舉例來說，不像第1B圖及第1C圖所示，彎曲區域BA可被定義平行於第一方向DR1，且可被定義於對角線方向。彎曲區域BA的區域並非固定的，且可根據曲率半徑來決定。
第2圖示出在第二方向DR2及第三方向DR3之平面上所取得之截面圖。
如第2圖所示，顯示裝置DD包含保護膜PM、顯示模組DM、光學元件LM、窗口WM、第一黏合元件AM1、第二黏合元件AM2和第三黏合元件AM3。顯示模組DM設置在保護膜PM與光學元件LM之間。光學元件LM設置在顯示模組DM與窗口WM之間。第一黏合元件AM1黏合顯示模組DM與保護膜PM、第二黏合元件AM2黏合顯示模組DM與光學元件LM、第三黏合元件AM3黏合與光學元件LM與窗口WM。
保護膜PM保護顯示模組DM。保護膜PM提供暴露於外部的第一外表面OS-L，以及黏合到第一黏合元件AM1的黏合表面。保護膜PM防止外部水分滲透到顯示模組DM中並且吸收外部的衝擊力。
保護膜PM可以包括作為基底層的塑膠膜。保護膜PM可包含選自聚醚碸(polyethersulphone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚亞胺(polyetherimide，PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)、聚芳酯(polyarylate)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚(亞芳基醚碸)(poly(arylene ether sulfone))及其組合所組成的群組當中之塑膠膜。
構成保護膜PM的材料不限於塑膠樹脂，且可包含有機/無機複合材料。保護膜PM可包含填充無機材料於孔隙的多孔有機層及有機層。保護膜PM還可以包含形成於塑膠膜的功能層。功能層可包含樹脂層。功能層可通過塗佈方法形成。保護膜PM也可被省略。
窗口WM可保護顯示模組DM免受外部衝擊造成的損傷，並且可為使用者提供輸入表面。窗口WM提供暴露於外部的第二外表面OS-U，以及黏合到第三黏合元件AM3的黏合表面。第1A圖至第1C圖所示的顯示表面IS可為第二外表面OS-U。
窗口WM可包含塑膠膜。窗口WM可包含多層結構。窗口WM可具有選自玻璃基板、塑膠膜及塑膠基板的多層結構。窗口WM還可包含邊框圖案(bezel pattern)。多層結構可以通過連續製程或是使用黏合層的黏合製程形成。
光學元件LM減少外部光反射。光學元件LM可至少包含偏光膜。光學元件LM可包含相位差膜。根據本發明構思的實施例，光學元件LM可被省略。
顯示模組DM可包含有機發光顯示面板(或者顯示面板)DP及觸碰偵測單元TS。觸碰偵測單元TS可直接設置在有機發光顯示面板DP上。在本說明書中，「直接設置(directly disposed)」指的是通過連續製程「形成(being formed)」，排除通過附加黏合層「附接(attached)」。
有機發光顯示面板DP生成對應於所輸入的圖像資料的圖像IM(參見第1A圖)。有機發光顯示面板DP可提供面向第三方向DR3的第一顯示面板表面BS1-L及第二顯示面板表面BS1-U。在本實施例中，雖然描述了有機發光顯示面板DP的例示性實施例，但是顯示面板並不侷限於此。
觸碰偵測單元TS獲得外部輸入的座標資訊。觸碰偵測單元TS可通過電容方式偵測外部輸入。
根據本發明構思的實施例的顯示模組DM可進一步包含防反射層(未示出)。防反射層可包含填色劑或導電層/絕緣層/導電層組成的層疊結構。防反射層可藉由吸收、破壞性地干擾或偏極化從外部入射的光，減少外部光的反射。防反射層可以替換光學元件LM的功能。
第一黏合元件AM1、第二黏合元件AM2及第三黏合元件AM3中的每一個可為有機黏合層，例如光學透明黏合膜(Optically Clear Adhesive film，OCA)、光學透明樹脂(Optically Clear Resin，OCR)及/或壓力敏感黏合膜(Pressure Sensitive Adhesive film，PSA)。有機黏合層可包含黏合材料，如聚氨酯 (polyurethane)、聚丙烯酸(polyacrylic)、聚酯(polyester)、聚環氧(polyepoxy)及/或聚乙酸乙烯酯(polyvinyl acetate)。
顯示裝置DD還可包含用於支撐功能層以維持如第1A圖至第1C圖所示位置的框架結構(未示出)。框架結構可包含鉸接結構(articulated structure)或鉸鏈結構(hinge structure)。
第3A圖示出在展開的狀態的顯示裝置DD-1，及第3B圖示出在彎曲狀態的顯示裝置DD-1。
顯示裝置DD-1可包含一個彎曲區域BA和一個非彎曲區域NBA。顯示裝置DD-1的非顯示區域DD-NDA可為可彎曲的。顯示裝置DD-1的彎曲區域在其他實施例中可能有所不同。
不同於第1A圖至第1C圖所示之顯示裝置DD，顯示裝置DD-1可估定於一種形狀並操作。如第3B圖所示，顯示裝置DD-1可於彎曲狀態中操作。顯示裝置DD-1可被固定在處於彎曲狀態的框架中，並且框架可以連接到電子裝置的外殼。
顯示裝置DD-1與第2圖所示的可具有相同截面結構。然而，非彎曲區域NBA及彎曲區域BA可以具有不同的層疊結構。非彎曲區域NBA與第2圖所示的可具有相同的截面結構，而彎曲區域BA與第2圖所示的可具有不同的截面結構。光學元件LM及窗口WM可不設置在彎曲區域BA中。舉例來說，光學元件LM及窗口WM可僅設置在非彎曲區域NBA中。相似地，第二黏合元件AM2及第三黏合元件AM3也可不設置在彎曲區域BA中。
現在參閱第4A圖，顯示裝置DD-2包含主要圖像顯示在前表面上的非彎曲區域(或平坦區域)NBA，以及子圖像顯示在側表面上的彎曲區域(或側面區域)BA。雖然未示出於圖中，子圖像可包含用來提供預設資訊的圖標。在本實施例中，術語「非彎曲區域(non-bending area NBA)」及「彎曲區域(bending area BA)」藉由使用複數個通過彎曲形式或狀態分隔的區域來定義顯示裝置DD-2。
從非彎曲區域NBA彎曲的彎曲區域BA，在與第一方向DR1、第二方向DR2及第三方向DR3相交的第四方向DR4上顯示子圖像。然而，也可以使用其他相對的方向。
現在參閱第4B圖，顯示裝置DD-3包含主要圖像顯示在前表面的非彎曲區域NBA，以及子圖像顯示在側表面上的第一彎曲區域BA1及第二彎曲區域BA2。第一彎曲區域BA1及第二彎曲區域BA2可從非彎曲區域NBA的相對側彎曲。
如第5A圖所示，有機發光顯示面板DP可包含平面上的顯示區域DA和非顯示區域NDA。有機發光顯示面板DP的顯示區域DA及非顯示區域NDA可分別對應於顯示裝置DD的顯示區域DD-DA(參見第1A圖)及非顯示區域DD-NDA(參見第1A圖)。有機發光顯示面板DP的顯示區域DA及非顯示區域NDA可不一定與顯示裝置DD的顯示區域DD-DA及非顯示區域DD-NDA相同，且可根據有機發光顯示面板DP的結構設計有所改變。
有機發光顯示面板DP包含複數個像素PX。複數個像素PX所在的區域可被定義為顯示區域DA。在本實施例中，非顯示區域NDA可被定義為沿著顯示區域DA的邊緣。
有機發光顯示面板DP可包含閘極線GL、資料線DL、光發射線EL、控制訊號線SL-D、初始化電壓線SL-Vint、電壓線SL-VDD、電源供應線E-VSS以及襯墊部件PD。
閘極線GL分別連接至複數個像素PX當中對應的像素PX，以及資料線DL分別連接至複數個像素PX當中對應的像素PX。光發射線EL可配置平行於閘極線GL當中對應的閘極線GL。控制訊號線SL-D可提供控制訊號至閘極驅動電路GDC。初始化電壓線SL-Vint可提供初始化電壓至複數個像素PX。電壓線SL-VDD可連接至複數個像素PX且提供第一電壓至複數個像素PX。電壓線SL-VDD可包含在第一方向DR1上延伸的複數個線路及在第二方向DR2上延伸的複數個線路。電源供應線E-VSS可環繞顯示區域DA的三個側面，且可設置在非顯示區域NDA中。共同電壓，例如第二電壓，可被提供至電源供應線E-VSS的複數個像素PX。共同電壓可具有相較於第一電壓較低的電壓位準。
閘極線GL與光發射線EL連接的閘極驅動電路GDC可設置在非顯示區域NDA的一側。閘極線GL、資料線DL、光發射線EL、控制訊號線SL-D、初始化電壓線SL-Vint、電壓線SL-VDD以及電源供應線E-VSS當中的一些被設置在相同層，而它們當中的一些被設置在另一層。
襯墊部件PD可連接至資料線DL、控制訊號線SL-D、初始化電壓線SL-Vint及電壓線SL-VDD的一端。
第5B圖示出在複數個閘極驅動電路GDC的驅動級(driving stage)當中，連接於第i閘極線GLi及第i光發射線ELi之驅動級GDSi的範例。
驅動級GDSi可包含光發射控制級EC-Ci及閘極驅動級GC-Ci。光發射控制訊號EC-S可包含第一時脈訊號CLK1、第二時脈訊號CLK2、第一電壓VGL、第二電壓VGH以及啟動訊號EMFLM，可通過第一時脈訊號線CL1、第二時脈訊號線CL2、第一電壓線VL1、第二電壓線VH1以及第一啟動訊號線EF1提供至驅動級GDSi的光發射控制級EC-Ci。閘極控制訊號GC-S可包含第三時脈訊號CLK3、第四時脈訊號CLK4、第四電壓VGH1、第三電壓VGL1以及啟動訊號FLM，可通過第三時脈訊號線CL3、第四時脈訊號線CL4、第三電壓線VL2、第四電壓線VH2以及第二啟動訊號線EF2提供至閘極驅動級GC-Ci。
雖然光發射控制級EC-Ci及閘極驅動級GC-Ci如圖所示是包含在一個驅動級GDSi中，本發明概念不侷限於此。舉例來說，光發射控制級EC-Ci及閘極驅動級GC-Ci可被包含在另一驅動級當中。
光發射控制級EC-Ci可包含第一時脈端CK1、第二時脈端CK2、第一電壓輸入端VPL1、第二電壓輸入端VPH1、輸入端IN、進位(carry)端CR以及輸出端OUT1。
第一時脈端CK1接收第一時脈訊號CLK1，且第二時脈端CK2接收第二時脈訊號CLK2。第一時脈訊號CLK1與第二時脈訊號CLK2可具有不同相位(phases)。第二時脈訊號CLK2可為藉由反轉或延遲第一時脈訊號CLK1的相位而得到的訊號。
第一電壓輸入端VPL1接收第一電壓VGL且第二電壓輸入端VPH1接收第二電壓VGH。第一電壓VGL的電壓位準可低於第二電壓VGH的電壓位準。
輸入端IN可接收前一光發射控制級EC-Ci-1(未示出)的進位訊號，且進位端CR可輸出下一光發射控制級EC-Ci+1(未示出)的進位訊號。輸出端OUT1可提供光發射控制訊號，其係從光發射控制級EC-Ci到光發射線ELi產生。
起始訊號EMFLM可被輸入至光發射控制級當中第一光發射控制級EC-C1(未示出)的輸入端IN。
閘極驅動級EC-Ci可包含第三時脈端CK3、第四時脈端CK4、第三電壓輸入端VPL2、第四電壓輸入端VPH2、輸入端IN、進位(carry)端CR以及輸出端OUT2。
第三時脈端CK3接收第三時脈訊號CLK3，且第四時脈端CK4接收第四時脈訊號CLK4。第三時脈訊號CLK3與第四時脈訊號CLK4可具有不同相位。第四時脈訊號CLK4可為藉由反轉或延遲第三時脈訊號CLK3的相位而得到的訊號。
第三電壓輸入端VPL2接收第三電壓VGL1且第四電壓輸入端VPH2接收第四電壓VGH1。第三電壓VGL1的電壓位準可低於第四電壓VGH1的電壓位準。
輸入端IN可接收前一閘極驅動級GC-Ci-1(未示出)的進位訊號，且進位端CR可輸出下一閘極驅動級GC-Ci+1(未示出)的進位訊號。輸出端OUT2可提供閘極訊號，其係從閘極驅動級GC-Ci到閘極線GLi產生。
起始訊號FLM可被輸入至閘極驅動級當中第一閘極驅動級GC-C1(未示出)的輸入端IN。
根據本發明構思的實施例，光發射控制級EC-Ci之第一時脈端CK1、第二時脈端CK2、第一電壓輸入端VPL1、第二電壓輸入端VPH1、輸入端IN、進位端CR以及輸出端OUT1當中之一可以省略，或者可進一步包含其他端口，例如進位端CR可被省略。
根據本發明構思的實施例，閘極驅動級EC-Ci之第三時脈端CK3、第四時脈端CK4、第三電壓輸入端VPL2、第四電壓輸入端VPH2、輸入端IN、進位端CR以及輸出端OUT2當中之一可以省略，或者可進一步包含其他端口，例如進位端CR可被省略。
另外，雖然例示性的示出光發射控制級EC-Ci的輸入端IN與閘極驅動級GC-Ci的輸入端IN分別連接至前一級的進位端，但本發明構思不侷限於此。驅動級之間的連接在其他實施例中可有各種不同改變。
如第5C圖所示，有機發光顯示面板DP包含基底層SUB、設置在基底層SUB上之電路層DP-CL、發光元件層DP-OLED以及薄膜密封層TFE。
基底層SUB可包含作為可撓性基板之塑膠基板、玻璃基板、金屬基板或有機/無機複合材料機板。塑膠基板可包含丙烯酸樹脂(acrylic resin)、甲基丙烯酸樹脂(methacrylic resin)、聚異戊二烯(polyisoprene)、乙烯基樹脂(vinyl resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、胺基甲酸酯樹脂(urethane resin)、纖維素樹脂(cellulose resin)、矽氧烷類樹脂(siloxane-based resin)、聚醯亞胺類樹脂(polyimide-based resin)、聚醯胺類樹脂(polyamide-based resin)以及苝樹脂(perylene resin)中的至少一種。
電路層DP-CL可包含複數個絕緣層、複數個導電層以及半導體層。電路層DP-CL的複數個導電層可構成訊號線或像素的控制電路。電路層DP-CL可包含設置在顯示區域DA之像素電路層DP-PCL以及設置在非顯示區域NDA的驅動電路層DP-DCL。像素電路層DP-PCL可參照第5A圖，包含具有如上所述閘極線GL、資料線DL、光發射線EL、初始化電壓線SL-Vint、電壓線SL-VDD以及像素PX的電路。
驅動電路層DP-DCL可參照第5A圖，包含如上所述之閘極驅動電路GDC及控訊號線SL-D。控制訊號線SL-D可包含第一時脈訊號線CL1、第二時脈訊號線CL2、第三時脈訊號線CL3、第四時脈訊號線CL4、第一電壓線VL1、第二電壓線VH1、第三電壓線VL2、第四電壓線VH2、第一啟動訊號線EF1以及第二啟動訊號線EF2，如第5B圖所示。第一時脈訊號線CL1、第二時脈訊號線CL2、第三時脈訊號線CL3、第四時脈訊號線CL4可統稱為時脈訊號線。
發光元件層DP-OLED包含有機發光二極體及像素定義層。
薄膜密封層TFE密封發光元件層DP-OLED。薄膜密封層TFE可包含至少兩個無機層及有機層於其間。無機層保護發光元件層DP-OLED不受到濕氣及氧氣，而有機薄膜保護發光元件層DP-OLED不受到如灰塵顆粒的雜質。
觸碰偵測單元TS設置在薄膜密封層TFE上。觸碰偵測單元可直接設置在薄膜密封層TFE上。然而，本發明構思不侷限於此，緩衝層可設置在薄膜密封層TFE上且觸碰偵測單元TS可直接設置在緩衝層上。緩衝層可為無機層或有機層。無機層可包含氮化矽、氮氧化矽、氧化矽、氧化鈦或氧化鋁當中的至少一種。有機層可包含聚合物，如丙烯酸基的有機層。然而，這是示例性的且本發明構思不侷限於此。雖然描述緩衝層是獨立的部件，但緩衝層也可為包含在薄膜密封層TFE中的部件。
觸碰偵測單元TS包含觸碰偵測部件TSP及觸碰訊號線TSL。觸碰偵測部件TSP及觸碰訊號線TSL可具有單層或多層結構。觸碰偵測部件TSP及觸碰訊號線TSL可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、PEDOT、金屬奈米線及石墨烯(graphene)。觸碰偵測部件TSP及觸碰訊號線TSL可包含金屬層，例如鉬、銀、鈦、銅、鋁或其合金。觸碰偵測部件TSP及觸碰訊號線TSL可具有相同或不同的層結構。觸碰偵測單元TS的具體內容將於稍後描述。
第6A圖示出第i像素PXi如何能連接至複數個資料線DL(參見第5A圖)當中之第k資料線DLk之範例。
第i像素PXi包含有機發光二極體OLED及用於控制有機發光二極體之像素驅動電路。像素驅動電路可包含七個薄膜電晶體T1~T7及一個電容Cst。
驅動電晶體控制提供到有機發光二極體OLED的驅動電流。第二電晶體T2之輸出電極電性連接到有機發光二極體OLED。第二電晶體T2之輸出電極可直接接觸有機發光二極體OLED的第一電極，或者可通過其他電晶體與其連接，例如本實施例當中的第六電晶體T6。
控制電晶體的控制電極可接收控制訊號。施加至第i像素PXi的控制訊號可包含第(i-1)閘極訊號Si-1、第i閘極訊號Si、第(i+1)閘極訊號Si+1、資料訊號DK以及第i光發射控制訊號Ei。根據本發明構思的實施例，控制電晶體可包含第一電晶體T1及第三至第七電晶體T3~T7。
第一電晶體T1包含連接至第k閘極線DLk的輸入電極、連接至第i閘極線GLi的控制電極以及連接至第二電晶體T2之輸出電極的輸出電極。第一電晶體T1通過施加於第i閘極線GLi的閘極訊號Si(以下簡稱為第i閘極訊號)而導通，且提供施加於第k閘極線DLk至電容Cst。
第6B圖是第6A圖所示的等效電路中第一電晶體T1之截面圖。第6C圖是第6A圖所示的等效電路中第二電晶體T2、第六電晶體T6以及有機發光二極體OLED之截面圖。
參閱第6B圖及第6C圖，緩衝層BFL可設置在基底層SUB上。緩衝層BFL提升了基底層SUB與導電圖案或半導體圖案間的黏合強度。緩衝層BFL可包含無機層。雖然圖中未示出，防止雜質進入的阻障層可進一步設置在基底層SUB的上表面。緩衝層BFL及阻障層可選擇性的包含或省略於各種例示性實施例當中。
第一電晶體T1之半導體圖案OSP1(以下稱為第一半導體圖案)、第二電晶體T2之半導體圖案OSP2(以下稱為第二半導體圖案)以及第六電晶體T6之半導體圖案OSP6(以下稱為第六半導體圖案)設置在緩衝層BFL上。第一半導體圖案OSP1、第二半導體圖案OSP2及第六半導體圖案OSP6可由選自非晶矽、多晶矽及金屬氧化物半導體的材料製成。
第一絕緣層10可設置在第一半導體圖案OSP1、第二半導體圖案OSP2及第六半導體圖案OSP6上。雖然在第6B圖及第6C圖中示出第一絕緣層10是提供一個用於覆蓋第一半導體圖案OSP1、第二半導體圖案OSP2及第六半導體圖案OSP6的非圖案層，但第一絕緣層10可提供為對應於第一半導體圖案OSP1、第二半導體圖案OSP2及第六半導體圖案OSP6的圖案層。
第一絕緣層10可包含複數個無機薄膜。複數個無機薄膜可包含氮化矽層、氮氧化矽層及氧化矽層。
第一電晶體T1之控制電極GE1(以下稱為第一控制電極)、第二電晶體T2之控制電極GE2(以下稱為第二控制電極)以及第六電晶體T6之控制電極GE6(以下稱為第六控制電極)設置在第一絕緣層10上。第一控制電極GE1、第二控制電極GE2以及第六控制電極GE6可根據如閘極線GL(參見第5A圖)之相同微影製程(photolithography process)來製成。
用於覆蓋第一控制電極GE1、第二控制電極GE2以及第六控制電極GE6的第二絕緣層20可設置在第一絕緣層10上。第二絕緣層20可提供一個平坦的上表面。第二絕緣層20可包含有機材料及/或無機材料。
第一電晶體T1之輸入電極SE1(以下稱為第一輸入電極)及輸出電極DE1(以下稱為第一輸出電極)、第二電晶體T2之輸入電極SE2(以下稱為第二輸入電極)及輸出電極DE2(以下稱為第二輸出電極)，以及第六電晶體T6之輸入電極SE6(以下稱為第六輸入電極)及輸出電極DE6(以下稱為第六輸出電極)設置在第二絕緣層20上。
第一輸出電極DE1及第一輸入電極SE1中的每一個是通過貫穿第一絕緣層10及第二絕緣層20之第一貫穿孔CH1及第二貫穿孔CH2連接至第一半導體圖案OSP1。第二輸出電極DE2及第二輸入電極SE2中的每一個是通過貫穿第一絕緣層10及第二絕緣層20之第三貫穿孔CH3及第四貫穿孔CH4連接至第二半導體圖案OSP2。第六輸出電極DE6及第六輸入電極SE6中的每一個是通過貫穿第一絕緣層10及第二絕緣層20之第五貫穿孔CH5及第六貫穿孔CH6連接至第六半導體圖案OSP6。另一方面，根據本發明構思的實施例，第一電晶體T1、第二電晶體T2及/或第六電晶體T6中的一些可以修改及以底部閘極結構來實施。
用於覆蓋第一輸入電極SE1、第二輸入電極SE2、第六輸入電極SE6、第一輸出電極DE1、第二輸出電極DE2、第六輸出電極DE6的第三絕緣層30可設置在第二絕緣層20上。第三絕緣層30可包含有機層及/或無機層。第三絕緣層30可包含用於提供平坦表面的有機材料。
在不同的例示性實施例中，第一絕緣層10、第二絕緣層20及第三絕緣層30中的一或多個可被省略。第一絕緣層10、第二絕緣層20及第三絕緣層30中的每一個可被定義為層間絕緣層。層間絕緣層是設置使得設置在導電圖案下部之導電圖案與設置在導電圖案上部之導電圖案之間彼此絕緣。
像素定義層PDL及有機發光二極體OLED設置在第三絕緣層30上。參閱第6C圖，第5C圖中所示出的每個有機發光二極體OLED包含第一電極AE、第二電極CE、電洞控制層HCL、有機發光層EML以及電子控制層ECL。具體來說，如第5C圖所示，第一電極AE可設置在電路層DP-CL上，有機發光層EML可設置在第一電極AE上。第二電極CE可設置在有機發光層EML上。
第一電極AE設置在第三絕緣層30上。在此，第一電極AE可被提供作為陽極或陰極。下文中，第一電極AE是描述作為陽極。第一電極AE通過貫穿第三絕緣層30之第七貫穿孔CH7連接至第六輸出電極DE6。開口部OP是在像素定義層PDL中定義。像素定義層PDL之開口部OP露出至少部分的第一電極AE。
像素PX(參見第5A圖)可設置在平面上的像素區域。像素可包含發光區域PXA以及鄰近於發光區域PXA之非發光區域NPXA。非發光區域NPXA可環繞發光區域PXA。根據本實施例，發光區域PXA對應於通過開口部OP暴露之第一電極AE的部分區域。
電洞控制層HCL可設置在發光區域PXA及非發光區域NPXA中。雖然圖中未示出，如電洞控制層HCL的共同層可形成在複數個像素PX中(參見第5A圖)。
有機發光層EML設置在電洞控制層HCL上。有機發光層EML可設置在與開口部OP對應的區域中。也就是說，有機發光層EML可被分隔及形成在複數個像素PX(參見第5A圖)。具有這樣圖案畫的有機發光層EML如本實施例所示，有機發光層EML可設置在複數個像素PX(參見第5A圖)，其中有機發光層EML可產生白光。另外，有機發光層EML可具有多層結構。
電子控制層ECL設置在有機發光層EML上。雖然圖中未示出，電子控制層ECL可形成在複數個像素PX(參見第5A圖)。
第二電極CE設置在複數個像素PX之電子控制層ECL上。在此，第二電極CE可被提供作為陽極或陰極。下文中，第二電極CE是描述作為陰極。也就是說，當第一電極AE可被提供作為陽極，則第二電極CE可被提供作為陰極。此外，當第一電極AE可被提供作為陰極，則第二電極CE可被提供作為陽極。
薄膜密封層TFE設置在第二電極CE上。薄膜密封層TFE設置在複數個像素PX(參見第5A圖)。薄膜密封層TFE包含至少一無機層及至少一有機層。薄膜密封層TFE可包含複數個無機層及複數個有機層，其交替層疊。
在例示性實施例中所示，薄膜密封層TFE直接覆蓋第二電極CE。但用來覆蓋第二電極CE的覆蓋層可進一步設置在薄膜密封層TFE與第二電極CE之間。薄膜密封層TFE可直接覆蓋該覆蓋層。
下文中，薄膜密封層TFE1、TFE2、TFE3參照第7A圖至第7C圖來進行描述。
如第7A圖所示，薄膜密封層TFE1可包含n個無機薄膜層IOL1~IOLn，第一無機薄膜層IOL1接觸第二電極CE(參見第6C圖)。第一無機薄膜IOL1可被定義為下無機薄膜，而在n個無機薄膜層IOL1~IOLn中除了第一無機薄膜IOL1以外的其餘無機薄膜可被定義為上無機薄膜。
薄膜密封層TFE1可包含n-1個有機薄膜OL1~OLn-1，並且可將n-1個有機薄膜OL1~OLn-1和n個無機薄膜IOL1~IOLn交替地設置。n-1個有機薄膜OL1~OLn-1通常可具有較大於n個無機薄膜IOL1~IOLn的厚度。
n個無機薄膜IOL1~IOLn中的每一個可具有包含一種材料的單層結構或包含各種不同材料的多層結構。n-1個有機薄膜OL1至OLn-1中的每一個可以透過沉積或印刷有機單體來形成。舉例來說，n-1個有機薄膜OL1至OLn-1中的每一個可使用噴印方法來形成，或者可通過塗佈含有丙烯酸類單體的組合物來形成。根據本發明構思的實施例，薄膜密封層TFE1還可包含括第n個有機薄膜。
如第7B圖及第7C圖所示，包含在薄膜密封層TFE2及TFE3中的無機薄膜可具有相同或不同的無機材料，並且可具有相同或不同的厚度。包含在薄膜密封層TFE2和TFE3中的有機薄膜可具有相同或不同的有機材料，並且可具有相同或不同的厚度。
如第7B圖所示，薄膜密封層TFE2可包含第一無機薄膜IOL1、第一有機薄膜OL1、第二無機薄膜IOL2、第二有機薄膜OL2及第三無機薄膜IOL3，其依序層疊。
第一無機薄膜IOL1可具有雙層結構。第一子層S1及第二子層S2可包含不同無機材料。
如第7C圖所示，薄膜密封層TFE3可包含依序層疊的第一無機薄膜IOL10、第一有機薄膜OL1及第二無機薄膜IOL20。第一無機薄膜IOL10可具有雙層結構。第一子層S10及第二子層S20可包含不同無機材料。第二無機薄膜IOL20可具有雙層結構。第二無機薄膜IOL20可包含第一子層S100和第二子層S200，其係在不同的沉積環境及/或狀態下沉積的。第一子層S100可在低功率條件下沉積，而第二子層S200可在高功率條件下沉積。第一子層S100及第二子層S200可包含相同的無機材料。
如第8A圖所示，觸碰偵測單元TS包含第一導電層TS-CL1，第一絕緣層TS-IL1(以下稱為第一觸碰絕緣層)、第二導電層TS-CL2以及第二絕緣層TS-IL2(以下稱為第二觸碰絕緣層)。第一導電層TS-CL1直接設置在薄膜密封層TFE上。本發明構思不侷限於此，且其他緩衝層，例如無機層或有機層，可進一步設置在第一導電層TS-CL1與薄膜密封層TFE之間。根據本發明構思的另一實施例，塑膠膜、玻璃基板或者塑膠基板可設置在第一導電層TS-CL1與薄膜密封層TFE之間。
第一導電層TS-CL1及第二導電層TS-CL2中的每一個可包含沿著第三方向DR3堆疊的單層結構或多層結構。多層結構的導電層可包含至少兩透明導電層及金屬層。多層結構的導電層可包含具有不同金屬的金屬層。透明導電層可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、PEDOT、金屬奈米線及石墨烯。金屬層可包含銀、鈦、銅、鋁及其合金。
第一導電層TS-CL1及第二導電層TS-CL2中的每一個包含複數個圖案。在下文中，第一導電層TS-CL1包含第一導電圖案，且第二導電層TS-CL2包含第二導電圖案。第一導電圖案及第二導電圖案中的每一個可包含觸碰電極及觸碰訊號線。
第一觸碰絕緣層TS-IL1及第二觸碰絕緣層TS-IL2中的每一個可具有單層或多層結構。第一觸碰絕緣層TS-IL1及第二觸碰絕緣層TS-IL2中的每一個可包含無機層及有機層中的至少之一。
第一觸碰絕緣層TS-IL1使第一導電層TS-CL1與第二導電層TS-CL2絕緣，但是其形式不侷限於本例示性實施例所描述的。在不同的例示性實施例中，第一觸碰絕緣層TS-IL1的形式可被改變。舉例來說，第一觸碰絕緣層TS-IL1可完全覆蓋薄膜封裝層TFE，及/或可包含複數個絕緣圖案。複數個絕緣圖案可重疊於第一連接部件CP1以及可重疊於第二連接部件CP2，這將於之後描述。
雖然示出了第二層觸碰偵測單元的例示性實施例，但是本發明構思不侷限於這個實施例。單層觸碰偵測單元包含導電層及覆蓋導電層的絕緣層。導電層包含觸碰感應器及連接到觸碰感應器的觸碰訊號線。單層觸碰偵測單元可以藉由自容(self cap)的方式取得座標資訊。
如第8B圖所示，觸碰偵測單元TS可包含觸碰偵測部件TSP(參見第5C圖)、觸碰訊號線TSL(參見第5C圖)以及襯墊部件PDa。
觸碰偵測部件TSP(參見第5C圖)可包含第一觸碰電極TE1-1~TE1-m及第二觸碰電極TE2-1~TE2-n。觸碰訊號線(參見第5C圖)可包含連接至第一觸碰電極TE1-1~TE1-m的第一觸碰訊號線SL1-1~SL1-m，以及連接至第二觸碰電極TE2-1~TE2-n的第二觸碰訊號線SL2-1~SL2-n。襯墊部件PDa可電性連接第一觸碰訊號線SL1-1~SL1-m及第二觸碰訊號線SL2-1~SL2-n。
連接電極TSD可設置在第一觸碰電極TE1-1~TE1-m與第一觸碰訊號線SL1-1~SL1-m之間，以及在第二觸碰電極TE2-1~TE2-n與第二觸碰訊號線SL2-1~SL2-n之間。連接電極TSD為了傳遞訊號可分別連接於第一觸碰電極TE1-1~TE1-m與第二觸碰電極TE2-1~TE2-n的端部。在不同的例示性實施例中，連接電極TSD可被省略。
第一觸碰電極TE1-1~TE1-m中的每一個可具有定義複數個觸碰開口部的網格(mesh)形狀。第一觸碰電極TE1-1~TE1-m中的每一個包含複數個第一觸碰感應器部件SP1及複數個第一連接部件CP1。第一觸碰感應器部件SP1是沿著第一方向DR1排列。第一連接部件CP1的每一個連接兩個相鄰的第一觸碰感應器部件SP1。雖然圖中未示出，第一觸碰訊號線SL1-1~SL1-m也可具有網格形狀。
第二觸碰電極TE2-1~TE2-n與第一觸碰電極TE1-1~TE1-m相交，期間具有絕緣間隙。第二觸碰電極TE2-1~TE2-n中的每一個可具有定義複數個觸碰開口部的網格(mesh)形狀。第二觸碰電極TE2-1~TE2-n中的每一個包含複數個第二觸碰感應器部件SP2及複數個第二連接部件CP2。第二觸碰感應器部件SP2是沿著第二方向DR2排列。第二連接部件CP2的每一個連接兩個相鄰的第二觸碰感應器部件SP2。第二觸碰訊號線SL2-1~SL2-n也可具有網格形狀。
第一觸碰電極TE1-1~TE1-m靜電結合(electrostatically bonded)於第二觸碰電極TE2-1~TE2-n。由於觸碰檢測訊號施加至第一觸碰電極TE1-1~TE1-m，電容器形成於第一觸碰感應器部件SP1與第二觸碰感應器部件SP2之間。
複數個第一觸碰感應器部件SP1、複數個第一連接部件CP1及第一觸碰訊號線SL1-1~SL1-m、複數個第二觸碰感應器部件SP2、複數個第二連接部件CP2以及第二觸碰訊號線SL2-1~SL2-n的部分可以通過圖案化第8A圖所示的第一導電層TS-CL1而形成，並且其它部分可以通過圖案化第8A圖所示的第二導電層TS-CL2而形成。
為了電性連接設置在一層中的導電圖案與設置在另一層中的導電圖案，可形成貫穿如第8A圖所示之第一觸碰絕緣層TS-IL1的接觸孔。在下文中，根據本發明構思之實施例的觸碰感應單元TS將參考第8C圖至第8E圖來描述。
如第8C圖所示，第一導電圖案設置在薄膜密封層TFE(參見第8A圖)上。第一導電圖案可包含橋接圖案(bridge patterns)CP2。橋接圖案CP2直接設置在薄膜密封層TFE上。在例示性實施例中所示，薄膜密封層TFE覆蓋顯示區域DA。橋接圖案CP2為對應如第8B圖所示之第二連接部件CP2的另一個名稱。
如第8D圖所示，用於覆蓋橋接圖案CP2之第一觸碰絕緣層TS-IL1設置在薄膜封裝層TFE上。在第一觸碰絕緣層TS-IL1中定義了露出部分橋接圖案CP2的接觸孔CH。接觸孔CH可通過微影製程來形成。
如第8E圖所示，第二導電圖案設置在第一觸碰絕緣層TS-IL1上。第二導電圖案可包含複數個第一觸碰感應器部件SP1(參見第8B圖)、複數個第一連接部件CP1、第一觸碰訊號線SL1-1~SL1-m、複數個第二觸碰感應器部件SP2(參見第8B圖)以及第二觸碰訊號線SL2-1~SL2-n。雖然圖中未示出，用於覆蓋第二導電圖案的第二觸碰絕緣層TS-IL2設置在第一觸碰絕緣層TS-IL1上。
第一導電圖案可包含第一觸碰電極TE1-1~TE1-m及第一觸碰訊號線SL1-1~SL1-m。第二導電圖案可包含第二觸碰電極TE2-1~TE2-n及第二觸碰訊號線SL2-1~SL2-n。在不同實施例中，接觸孔CH可以不被定義在第一觸碰絕緣層TS-IL1中。
第一導電圖案與第二導電圖案可互換。也就是說，第二導電圖案可包含橋接圖案CP2。
如第8F圖所示，第一觸碰感應器部件SP1重疊於非發光區域NPXA。第一觸碰感應器部件SP1包含沿著與第一方向DR1及第二方向DR2相交的第五方向DR5上延伸的複數個第一延伸部件SP1-A，以及沿著與第五方向DR5相交的第六方向DR6上延伸的複數個第二延伸部件SP1-B。複數個第一延伸部件SP1-A及複數個第二延伸部件SP1-B可以被定義為網格線。網格線的線寬可為幾微米。
複數個第一延伸部件SP1-A及複數個第二延伸部件SP1-B彼此連接以形成複數個觸碰開口部TS-OP。也就是說，第一觸碰感應器部件SP1具有包含複數個觸碰開口部TS-OP的網格形狀。雖然示出了觸碰開口部TS-OP對應於發光區域PXA為一對一的關係，其他實施例在其之間可具有其他的對應比例。因此，一個觸碰開口部TS-OP可對應於兩個或更多個發光區域PXA。
發光區域PXA的大小也可有所不同。舉例來說，發光區域PXA當中用於提供藍光的發光區域PXA與發光區域PXA當中用來提供紅光的發光區域PXA在大小上可能有所不同。因此，觸碰開口部TS-OP的大小也可能有所不同。雖然在第8F圖中所示，其發光區域PXA的大小不同，但本發明構思不侷限於此。發光區域PXA的大小可彼此相同，且觸碰開口部TS-OP的大小也可能彼此相同。
參閱第9A圖及第9B圖，觸碰訊號線TSL如圖所示。觸碰訊號線TSL可例如為第8B圖所示的第二觸碰訊號線SL2-1~SL2-n。
導電部EP可設置在觸碰訊號線TSL與複數個時脈訊號線CL1、CL2、CL3、CL4(以下統稱為CL)之間。導電部EP可形成為層並且設置在與第二電極CE相同的層。舉例來說，導電部EP及第二電極CE可均設置在像素定義層PDL上。「設置在相同的層」的含義，例如在像素定義層，並非僅意味著設置在相同水平或高度的平面上。舉例來說，一個給定的層具有不同的水平或高度，使得該層在截面圖中的第三方向DR3上出現不同高度，設置在該層上的其他元件均可能或可不被設置在第三方向DR3上的不同水平或高度。「設置在…之上(disposed on)」所指的關係是層與層互相接觸以及藉由中間元件或層將其分隔。
第二電極CE可朝向導電部EP延伸，且第二電極CE與導電部EP可彼此相連。也就是說，第二電極CE及導電部EP可通過相同製程來形成。
導電部EP可電性連接至電源供應線E-VSS。導電部EP可從電源供應線E-VSS接收第二電壓ELVSS。
導電部EP可延伸超過及覆蓋所有或部分重疊區域OA，其為觸碰訊號線TSL與時脈訊號線CL在垂直方向上重疊的區域，如在第9B圖所指出之重疊區域OA。舉例來說，導電部EP可完全覆蓋(橫過)重疊區域OA，使得導電部EP介於時脈訊號線CL與觸碰訊號線TSL在垂直方向上重疊的所有部分之間，如第9B圖所示。這裡的垂直方向也可指稱為重疊方向(如第9A圖及第9B圖所指的第三方向DR3)。導電部EP可從觸碰訊號線TSL中水平的導離電訊號，因而降低或防止施加至時脈訊號線CL的時脈訊號造成的雜訊到達觸碰訊號線TSL。因此，導電部EP反而可減少或防止從時脈訊號線CL雜訊所造成在觸碰靈敏度中的改變。
第一壩體部(dam part)DM1及第二壩體部DM2可設置在非顯示區域NDA。第一壩體部DM1及第二壩體部DM2可設置環繞顯示區域DA，使得當有機單體被印刷以形成薄膜密封層TFE之有機薄膜OL1時，第一壩體部DM1及第二壩體部DM2可防止有機單體溢出至環繞顯示區域DA的非顯示區域NDA，即第一壩體部DM1及第二壩體部DM2設置的區域。
第一壩體部DM1可設置在電源供應線E-VSS上。第一壩體部DM1可形成為單層且可與像素定義層PDL同時形成。
第二壩體部DM2可設置在第一壩體部DM1的外側。因此，第二壩體部DM2與顯示區域DA之間的距離可大於第一壩體部DM1與顯示區域DA之間的距離。
第二壩體部DM2可覆蓋部分的電源供應線E-VSS。第二壩體部DM2可形成為複數個層且包含第一壩體層DM2-1及第二壩體層DM2-2。第一壩體層DM2-1可與第三絕緣層30同時形成，且第二壩體層DM2-2可與像素定義層PDL同時形成。
雖然第9A圖示出像素定義層PDL是延伸以覆蓋在第三方向DR3中的所有時脈訊號線CL，在其他實施例中，像素定義層PDL並不覆蓋所有時脈訊號線CL或者不完全覆蓋它們。因此，在不同例示性實施例中，像素定義層PDL可僅延伸至重疊閘極驅動電路GDC的區域，及/或可延伸僅重疊一些時脈訊號線CL的區域。舉例來說，像素定義層PDL可延伸至僅重疊第三時脈訊號線CL3、第四時脈訊號線CL4、第三電壓線VL2、第四電壓線VH2以及第二啟動訊號線EF2的區域。
參閱第9C圖，導電部EP-1可設置在觸碰訊號線TSL與複數個時脈訊號線CL(參見第9B圖)之間。導電部EP-1可設置在與第二電極CE相同的層，舉例來說，導電部EP-1及第二電極CE可均設置在像素定義層PDL上。
導電部EP-1可與第二電極CE分隔開。也就是說，導電部EP-1與第二電極C在實體上可彼此不相連。導電部EP-1可電性連接至電源供應線E-VSS。導電部EP-1可從電源供應線E-VSS接收第二電壓ELVSS(參見第6A圖)。在其他實施例中，恆定電壓可被施加於導電部EP-1。舉例來說，第一電壓ELVDD(參見第6A圖)可被施加於導電部EP-1，或者接地電壓可被施加於導電部EP-1，或者與上述所列電壓不同的另一恆定電壓可被施加於導電部EP-1。
第二電極CE可通過圖案(未示出)電性連接至電源供應線E-VSS。因此，第二電極CE可從電源供應線E-VSS接收第二電壓ELVSS(參見第6A圖)。
導電部EP-1可減少或防止觸碰偵測單元的觸碰靈敏度，由於施加至時脈訊號線CL所製造的雜訊而改變。
參閱第9D圖，導電部EP-2可設置在觸碰訊號線TSL與複數個時脈訊號線CL(參見第9B圖)之間。導電部EP-2可設置在與第二電極CE相同的層。
複數個貫穿孔HL可定義在導電部EP-2中。複數個貫穿孔HL可用來排出從層中，包含有機層，所產生的氣體。複數個貫穿孔HL可不重疊於觸碰訊號線TSL及時脈訊號線CL重疊的重疊區域OA(參見第9B圖)。在第9D圖中，貫穿孔HL並不定義在於第三方向DR3中重疊時脈訊號線CL(參見第9B圖)之區域當中。根據本發明構思的另一實施例，貫穿孔HL可不定義在於第三方向DR3中重疊觸碰訊號線TSL之區域當中。
因為貫穿孔HL並不定義在重疊區域OA(參見第9B圖)，即使貫穿孔HL被提供至導電部EP-2，觸碰偵測單元的觸碰靈敏度對應於施加至時脈訊號線CL的訊號製造的雜訊而改變的現象，儘管貫穿孔出現在其他位置仍可被防止。
參閱第10A圖及第10B圖，導電部EP-3可設置在觸碰訊號線TSL與複數個時脈訊號線CL之間。導電部EP-3可設置在與第一電極AE相同的層。舉例來說，導電部EP-3及第一電極AE可均設置在第三絕緣層30上。第一電極AE及導電部EP-3可通過相同製程形成。
導電部EP-3可電性連接至電源供應線E-VSS。導電部EP-3可從電源供應線E-VSS接收第二電壓ELVSS(參見第6A圖)。可替換地，恆定電壓可被施加於導電部EP-3。舉例來說，第一電壓ELVDD(參見第6A圖)可被施加於導電部EP-3，或者接地電壓可被施加於導電部EP-3，或者與上述所列電壓不同的另一恆定電壓可被施加於導電部EP-3。
複數個貫穿孔HL-1可定義在導電部EP-3中。貫穿孔HL-1可用來排出從包含有機層之層中產生的氣體。貫穿孔HL-1可不重疊於觸碰訊號線TSL及時脈訊號線CL在第三方向DR3重疊的重疊區域OA。更詳細地，參閱第10A圖，貫穿孔HL-1可不定義在於第三方向DR3中重疊時脈訊號線CL之區域當中。因此，導電部EP-3可完全覆蓋觸碰訊號線TSL及時脈訊號線CL在第三方向DR3重疊的重疊區域OA。導電部EP-3可防止藉由施加至時脈訊號線CL的訊號而在觸碰訊號線TSL上產生的雜訊。也就是說，藉由導電部EP-3的存在，觸控靈敏度的改變可以減少或甚至消除，且觸控偵測單元也可因此提供一致的觸控靈敏度。
參閱第10C圖及第10D圖，導電部EP-4可設置在觸碰訊號線TSL與複數個時脈訊號線CL之間。複數個貫穿孔HL-2可被定義在導電部EP-4中。
貫穿孔HL-2可不重疊於觸碰訊號線TSL及時脈訊號線CL在第三方向DR3上重疊的重疊區域OA。更詳細地，參閱第10C圖，貫穿孔HL-2可不定義在於第三方向DR3中重疊觸碰訊號線TSL之區域當中。
在觸碰訊號線TSL下的導電部EP-4可阻擋施加至時脈訊號線CL的訊號，不會干擾通過觸碰訊號線TSL的訊號。也就是說，由於貫穿孔HL-2並不定義在重疊觸碰訊號線TSL的區域，由於各個時脈訊號線CL的訊號影響產生的雜訊可不在觸碰訊號線TSL產生。
參閱第11A圖及第11B圖，導電部EP-5可設置在觸碰訊號線TSL與複數個時脈訊號線CL之間。導電部EP-5可包含第一導電層EP-L1及第二導電層EP-L2。第一導電層EP-L1可設置在與第一電極AE相同的層，且第二導電層EP-L2可設置在與第二電極CE相同的層。舉例來說，第一導電層EP-L1及第一電極AE可設置在第三絕緣層30上，且第二導電層EP-L2及第二電極CE可設置在像素定義層PDL上。第一導電層EP-L1及第一電極AE可通過相同製程形成，且第二導電層EP-L2及第二電極CE可通過相同製程形成。
第一導電層EP-L1及第二導電層EP-L2中的每一個可電性連接至電源供應線E-VSS。第一導電層EP-L1及第二導電層EP-L2中的每一個可從電源供應線E-VSS接收第二電壓ELVSS(參見第6A圖)。可替換地，恆定電壓可被施加於第二導電層EP-L2。舉例來說，第一電壓ELVDD(參見第6A圖)可被施加於第二導電層EP-L2，或者接地電壓可被施加於第二導電層EP-L2，或者與上述所列電壓不同的另一恆定電壓可被施加於第二導電層EP-L2。
複數個第一貫穿孔HL-3可被定義在第一導電層EP-L1中。複數個第一貫穿孔HL-3可用來排出從包含有機層之層中產生的氣體。雖然如第11A圖所示，複數個第一貫穿孔HL-1以預設區間彼此隔開，在其他實施例中，其之間的間距並非不變的。
第二導電層EP-L2可完全覆蓋在第三方向DR3重疊的複數個第一貫穿孔HL-3。根據本實施例，在觸碰訊號線TSL與複數個時脈訊號線CL之間，可藉由第一導電層EP-L1及第二導電層EP-L2提供雙重屏蔽。另外，在第三方向DR3沒有受到複數個第一貫穿孔HL-3屏蔽的區域，因為第二導電層EP-L2覆蓋在第三方向DR3的複數個第一貫穿孔HL-3而受到屏蔽。因此，即使高或低位準的電壓選擇性地施加至複數個時脈訊號線CL，施加至時脈訊號線CL的訊號被第一導電層EP-L1及第二導電層EP-L2阻擋，使得雜訊可不在觸碰訊號線TSL上產生。
現在參閱第11C圖，導電部EP-6可設置在觸碰訊號線TSL與複數個時脈訊號線CL之間。導電部EP-5可包含第一導電層EP-L1及第二導電層EP-L2a。當相較於參閱第11A圖於上所述的導電部EP-5，第11C圖的導電部EP-6可在第二導電層EP-L2a具有不同形狀。
參閱第11A圖，第二電極CE可朝向第二導電層EP-L2延伸，且第二電極CE及第二導電層EP-L2可彼此實體相連。然而，參閱第11C圖，第二導電層EP-L2a可與第二電極CE分隔開。也就是說，在第11C圖中，第二導電層EP-L2a及第二電極CE可在實體上彼此不相連。
現在參閱第12A圖，導電部EP-6a可設置在觸碰訊號線TSL與複數個時脈訊號線CL之間。導電部EP-6a可包含第一導電層EP-L1a及第二導電層EP-L2。第一導電層EP-L1a可設置在與第一電極AE相同的層，且第二導電層EP-L2可設置在與第二電極CE相同的層。舉例來說，第一導電層EP-L1a及第一電極AE可設置在第三絕緣層30上，且第二導電層EP-L2及第二電極CE可設置在像素定義層PDL上。第一導電層EP-L1a及第一電極AE可通過相同製程形成，且第二導電層EP-L2及第二電極CE可通過相同製程形成。
複數個第一貫穿孔HL-4可被定義在第一導電層EP-L1a中。複數個第一貫穿孔HL-4可用來排出從包含有機層之層中產生的氣體。複數個第一貫穿孔HL-4可不被定義在第三方向DR3上重疊時脈訊號線CL的區域中。
第12B圖示出第三時脈訊號線CL3、第四時脈訊號線CL4、第三電壓線VL2、第四電壓線VH2以及第二啟動訊號線EF2。複數個第一貫穿孔HL-4可不被定義在重疊第三時脈訊號線CL3及第四時脈訊號線CL4的區域中。
當一幀(frame)的圖像被顯示時，位準持續變化的訊號可被施加至第三時脈訊號線CL3及第四時脈訊號線CL4。因此，如果第三時脈訊號線CL3及第四時脈訊號線CL4的上部並未被屏蔽，這個訊號的結果是雜訊可能從觸碰訊號線TSL產生。然而，重新參閱第12A圖，因為複數個第一貫穿孔HL-4不被定義在第三方向DR3上重疊第三時脈訊號線CL3及第四時脈訊號線CL4的區域中，第三時脈訊號線CL3及第四時脈訊號線CL4的上部是被完全屏蔽。因此，施加至第三時脈訊號線CL3及第四時脈訊號線CL4的訊號可能不會導致觸碰訊號線TSL上雜訊的結果。
第一導電層EP-L1可包含第一區域AR1、第二區域AR2及第三區域AR3。第一區域AR1、第二區域AR2及第三區域AR3如第12B圖所示。
第一區域AR1可為重疊時脈訊號線CL且位於複數個第一貫穿孔HL-4未定義的區域。第12B圖示出第一區域AR1重疊第三時脈訊號線CL3及第四時脈訊號線CL4。第二區域AR2是位於複數個第一貫穿孔HL-4所定義的區域，且可位於由具有第一區域密度的第一貫穿孔HL-4、HL-4a所露出部分的區域。第三區域AR3是位在複數個第一貫穿孔HL-4所定義的區域，且可位於由具有第二區域密度的第一貫穿孔HL-4所露出部分的區域。第二區域密度可低於第一區域密度。露出區域可為第三絕緣層30。舉例來說，在第二區域AR2中每一第一表面區域SA1所定義的第一貫穿孔HL-4數量可為2，而在第三區域AR3中每一第一表面區域SA1所定義的第一貫穿孔HL-4數量可為1。
由於複數個第一貫穿孔HL-4不被定義在重疊第三時脈訊號線CL3及第四時脈訊號線CL4的第一區域AR1，為了彌補這點，複數個第一貫穿孔HL-4a可進一步定義在第二區域AR2中。
孔洞HLa的形式是藉由在第一區域AR1中的虛線來表示。這僅是為了方便描述，並非意味這樣的孔洞HLa是定義在第一區域AR1。當然，虛線是表示孔洞HLa可能所在，但並非實際地定義的理論位置。如果複數個第一貫穿孔HL-4是設置在一致的區間，孔洞HLa應如虛線所示在第一區域AR1中。然而，實際上並無孔洞被定義在第一區域AR1。因此，在第一導電層EP-L1a下的層，例如第三絕緣層30，藉由在第一導電層EP-L1a中第一貫穿孔HL-4應該露出多過於預設區域的這種設計狀態可能無法滿足。結果從包含有機層之層中產生的氣體可能無法順利地排出。為了防止這點，第一貫穿孔HL-4a可額外的定義在第二區域AR2以對應於在第一區域AR1中未定義的孔洞HLa數量。因此，在第一導電層EP-L1a下的層，例如第三絕緣層30，藉由在第一導電層EP-L1a中第一貫穿孔HL-4a應該露出多過於預設區域的這種設計狀態可被滿足，儘管在第一區域AR1中虛線表示的省略孔洞。為了協助了解這個構思，在虛擬的孔洞HLa與第一貫穿孔HL-4a之間示出了箭頭以表示當孔洞HLa被移動之孔洞移動關係。箭頭並非設備中的實際元件。當然，箭頭是示出以幫助概念上的理解。
參閱第12C圖，由於孔洞HLa應該在第一區域AR1，但並無孔洞定義在第一區域AR1，為了補償這點，在第12C圖的例示性實施例中，設置在第二區域AR2的第一貫穿孔HL-4b的尺寸被擴大。
第一貫穿孔HL-4b的尺寸擴大具有如上所述的相同效應，因為在第一貫穿孔HL-4b下的第三絕緣層30(參見第12A圖)的露出區域變大了。結果，在導電部EP-6上的第一貫穿孔HL-4應該露出多過於預設區域的設計狀態仍可被滿足，儘管在第一區域AR1中省略的孔洞。
雖然在第12C圖之例示性實施例中示出第一貫穿孔HL-4b在第一貫穿孔HL-4的垂直方向上擴大寬度，但本發明不侷限於此。舉例來說，相對於第一貫穿孔HL-4b，在第一貫穿孔HL-4的水平方向上的寬度可被擴大，或者垂直方向與水平方向上可同時擴大。
參閱第13A圖，導電部EP-7可設置在觸碰訊號線TSL與複數個時脈訊號線CL之間。導電部EP-7可包含第一導電層EP-L1b及第二導電層EP-L2。第一導電層EP-L1b可設置在與第一電極AE相同的層，且第二導電層EP-L2可設置在與第二電極CE相同的層。舉例來說，第一導電層EP-L1b及第一電極AE可設置在第三絕緣層30上，且第二導電層EP-L2及第二電極CE可設置在像素定義層PDL上。第一導電層EP-L1b及第一電極AE可通過相同製程形成，且第二導電層EP-L2及第二電極CE可通過相同製程形成。
複數個第一貫穿孔HL-5可被定義在第一導電層EP-L1b中。複數個第一貫穿孔HL-5可用來排出從包含有機層之層中產生的氣體。複數個第一貫穿孔HL-5可不被定義在第三方向DR3上重疊觸碰訊號線TSL的區域中。
一些觸碰訊號線TSL示例性的是出在第13B圖中。複數個第一貫穿孔HL-5可不被定義在重疊觸碰訊號線TSL的區域中。
在複數個第一貫穿孔HL-5於第三方向DR3並未定義在觸碰訊號線TSL下的位置，從施加至觸碰訊號線TSL在第三方向DR3下的時脈訊號線CL的AC訊號對於觸碰訊號線TSL中訊號的負面影響可被減少。因此，雜訊可能不太發生於觸碰訊號線TSL，且因為雜訊而改變觸碰靈敏度也可被降低或防止。
第一導電層EP-L1b可包含第一區域AR1、第二區域AR2及第三區域AR3。第一區域AR1、第二區域AR2及第三區域AR3如第13B圖所示。
第一區域AR1可為重疊觸碰訊號線TSL且位於複數個第一貫穿孔HL-5未定義的區域。第二區域AR2是位於複數個第一貫穿孔HL-5、HL-5a所定義的區域，且可位於由具有第一區域密度的第一貫穿孔HL-5、HL-5a所露出部分的區域。第三區域AR3是位在複數個第一貫穿孔HL-5所定義的區域，且可位於由具有第二區域密度的第一貫穿孔HL-5所露出部分的區域。第二區域密度可低於第一區域密度。露出區域可為第三絕緣層30。在第二區域AR2中每一第一表面區域SA1所定義的第一貫穿孔HL-5數量可為2，而在第三區域AR3中每一第一表面區域SA1所定義的第一貫穿孔HL-5數量可為1。
由於複數個第一貫穿孔HL-5不被定義在重疊觸碰訊號線TSL的第一區域AR1，為了彌補這點，複數個第一貫穿孔HL-5a可進一步定義在第二區域AR2中。舉例來說，孔洞HLa的形式是藉由在第一區域AR1中的虛線來表示。這僅是為了方便描述，並非意味這樣的孔洞HLa是實際定義在第一區域AR1。當複數個第一貫穿孔HL-5是設置在一致的區間，孔洞HLa應如虛線所示在第一區域AR1中，但是，實際上並無孔洞被定義在第一區域AR1。因此，在第一導電層EP-L1b下的層，例如第三絕緣層30，藉由在第一導電層EP-L1b中第一貫穿孔HL-5應該露出多過於預設區域的這種設計狀態可能無法滿足。結果從包含有機層之層中產生的氣體可能無法順利地排出。為了防止這點，從第一區域AR1中省略的第一貫穿孔HL-5a可額外的定義在第二區域AR2以對應於在第一區域AR1中未定義的孔洞HLa數量。因此，在第一導電層EP-L1b下的層，例如第三絕緣層30，藉由在第一導電層EP-L1b中第一貫穿孔HL-5應該露出多過於預設區域的這種設計狀態可被滿足。
雖然在第13B圖中未示出，如同第12C圖，為了補償那未定義於第一區域AR1的孔洞，反而或除此之外，在第二區域AR2額外附加貫穿孔HL-5，在第二區域AR2的第一貫穿孔HL-5的尺寸可被擴大，如相關的第12C圖所述。
參閱第14A圖，導電部EP-8可設置在觸碰訊號線TSL與複數個時脈訊號線CL之間。導電部EP-8可包含第一導電層EP-L1c及第二導電層EP-L2b。第一導電層EP-L1c可設置在與第一電極AE相同的層，且第二導電層EP-L2b可設置在與第二電極CE相同的層。
複數個第一貫穿孔HL-6可被定義在第一導電層EP-L1c中。複數個第一貫穿孔HL-6可用來排出從包含有機層之層中產生的氣體。複數個第二貫穿孔HL-7可被定義在第二導電層EP-L2b中。複數個第二貫穿孔HL-7可用來排出從包含有機層之層中產生的氣體。
第一貫穿孔HL-6與第二貫穿孔HL-7在第三方向DR3上可彼此不重疊。因此，第一貫穿孔HL-6形成的區域在第三方向DR3上可被第二導電層EP-L2b覆蓋，且第二貫穿孔HL-7形成的區域在第三方向DR3上可被第一導電層EP-L1c覆蓋。根據本實施例，在觸碰訊號線TSL與複數個時脈訊號線CL之間的重疊區域可藉由第一導電層EP-L1c及第二導電層EP-L2b中的至少一個來屏蔽。也就是說，導電層EP-8可減少由時脈訊號線CL上的訊號使觸碰訊號線TSL上產生雜訊所導致的觸碰靈敏度變化。
雖然在第14B圖中示出複數個第一貫穿孔HL-6及複數個第二貫穿孔HL-7是設置在第二方向DR2上，且沿著第一方向DR1交替設置，但本發明構思不侷限於此。複數個第一貫穿孔HL-6及複數個第二貫穿孔HL-7在第三方向DR3上彼此不重疊，且這些貫穿孔HL-6、HL-7在不同例示性實施例中具有其他不同的配置。舉例來說，複數個第一貫穿孔HL-6及複數個第二貫穿孔HL-7可在第一方向DR1及第二方向DR2上交替設置。
根據本發明的原理所建構的顯示裝置包含用於覆蓋複數個時脈訊號線與複數個觸碰訊號線之重疊區域的導電部。導電部可減少或防止由施加至時脈訊號線的訊號位準改變而發生在觸碰訊號線上的雜訊。也就是說，導電部可減少或防止觸碰偵測單元的觸碰敏感度因雜訊而被影響。
儘管這裡已經描述了特定例示性實施例及實施方式，其他的的實施例或修改在這個描述當中也將是顯而易見的。因此，本發明構思並不侷限於這樣的實施例，反而是在於所提出之申請專利範圍及各種明顯的修改與等效置換之更廣範圍。
10‧‧‧第一絕緣層
20‧‧‧第二絕緣層
30‧‧‧第三絕緣層
AE‧‧‧第一電極
AM1‧‧‧第一黏合元件
AM2‧‧‧第二黏合元件
AM3‧‧‧第三黏合元件
AR1‧‧‧第一區域
AR2‧‧‧第二區域
AR3‧‧‧第三區域
BA‧‧‧彎曲區域
BA1‧‧‧第一彎曲區域
BA2‧‧‧第二彎曲區域
BFL‧‧‧緩衝層
BS1-L‧‧‧第一顯示面板表面
BS1-U‧‧‧第二顯示面板表面
BX‧‧‧彎曲軸
CE‧‧‧第二電極
CH‧‧‧接觸孔
CH1‧‧‧第一貫穿孔
CH2‧‧‧第二貫穿孔
CH3‧‧‧第三貫穿孔
CH4‧‧‧第四貫穿孔
CH5‧‧‧第五貫穿孔
CH6‧‧‧第六貫穿孔
CH7‧‧‧第七貫穿孔
CK1‧‧‧第一時脈端
CK2‧‧‧第二時脈端
CK3‧‧‧第三時脈端
CK4‧‧‧第四時脈端
CL‧‧‧時脈訊號線
CL1‧‧‧第一時脈訊號線
CL2‧‧‧第二時脈訊號線
CL3‧‧‧第三時脈訊號線
CL4‧‧‧第四時脈訊號線
CLK1‧‧‧第一時脈訊號
CLK2‧‧‧第二時脈訊號
CLK3‧‧‧第三時脈訊號
CLK4‧‧‧第四時脈訊號
CP1‧‧‧第一連接部件
CP2‧‧‧第二連接部件
CR‧‧‧進位端
Cst‧‧‧電容
DD、DD-1、DD-2、DD-3‧‧‧顯示裝置
DD-DA、DA‧‧‧顯示區域
DD-NDA、NDA‧‧‧非顯示區域
DE1‧‧‧第一輸出電極
DE2‧‧‧第二輸出電極
DE6‧‧‧第六輸出電極
DK‧‧‧資料訊號
DL、DLk‧‧‧資料線
DM‧‧‧顯示模組
DM1‧‧‧第一壩體部
DM2‧‧‧第二壩體部
DM2-1‧‧‧第一壩體層
DM2-2‧‧‧第二壩體層
DP‧‧‧有機發光顯示面板
DP-CL‧‧‧電路層
DP-DCL‧‧‧驅動電路層
DP-OLED‧‧‧發光元件層
DP-PCL‧‧‧像素電路層
DR1‧‧‧第一方向
DR2‧‧‧第二方向
DR3‧‧‧第三方向
DR4‧‧‧第四方向
DR5‧‧‧第五方向
ECL‧‧‧電子控制層
EC-Ci‧‧‧光發射控制級
EC-S‧‧‧光發射控制訊號
EF1‧‧‧第一啟動訊號線
EF2‧‧‧第二啟動訊號線
Ei‧‧‧光發射控制訊號
EL、ELi‧‧‧光發射線
ELVDD‧‧‧第一電壓
ELVSS‧‧‧第二電壓
EMFLM、FLM‧‧‧啟動訊號
EML‧‧‧有機發光層
EP、EP-1、EP-2、EP-3、EP-4、EP-5、EP-6、EP-6a、EP-7、EP-8‧‧‧導電部
EP-L1、EP-L1a、EP-L1b、EP-L1c‧‧‧第一導電層
EP-L2、EP-L2a、EP-L2b‧‧‧第二導電層
E-VSS‧‧‧電源供應線
GC-Ci‧‧‧閘極驅動級
GC-S‧‧‧閘極控制訊號
GDC‧‧‧閘極驅動電路
GDSi‧‧‧驅動級
GE1‧‧‧第一控制電極
GE2‧‧‧第二控制電極
GE6‧‧‧第六控制電極
GL、GLi‧‧‧閘極線
HCL‧‧‧電洞控制層
HL、HL-1、HL-2‧‧‧貫穿孔
HLa‧‧‧孔洞
HL-3、HL-4、HL-4a、HL-4b、HL-5、HL-6‧‧‧第一貫穿孔
HL-7‧‧‧第二貫穿孔
IOL1~IOLn‧‧‧無機薄膜
IM‧‧‧圖像
IN‧‧‧輸入端
IS‧‧‧顯示表面
LM‧‧‧光學元件
NBA‧‧‧非彎曲區域
NBA1‧‧‧第一非彎曲區域
NBA2‧‧‧第二非彎曲區域
NPXA‧‧‧非發光區域
OA‧‧‧重疊區域
OLED‧‧‧有機發光二極體
OL1~OLn-1‧‧‧有機薄膜
OP‧‧‧開口部
OSP1‧‧‧第一半導體圖案
OSP2‧‧‧第二半導體圖案
OSP6‧‧‧第六半導體圖案
OS-L‧‧‧第一外表面
OS-U‧‧‧第二外表面
OUT1、OUT2‧‧‧輸出端
PD、PDa‧‧‧襯墊部件
PDL‧‧‧像素定義層
PM‧‧‧保護膜
PX、PXi‧‧‧像素
PXA‧‧‧發光區域
SA1‧‧‧第一表面區域
SE1‧‧‧第一輸入電極
SE2‧‧‧第二輸入電極
SE6‧‧‧第六輸入電極
Si-1、Si、Si+1‧‧‧閘極訊號
SL-D‧‧‧控制訊號線
SL-VDD‧‧‧電壓線
SL-Vint‧‧‧初始化電壓線
SL1-1~SL1-m‧‧‧第一觸碰訊號線
SL2-1~SL2-n‧‧‧第二觸碰訊號線
SP1‧‧‧第一觸碰感應器部件
SP1-A‧‧‧第一延伸部件
SP1-B‧‧‧複數個第二延伸部件
SP2‧‧‧第二觸碰感應器部件
SUB‧‧‧基底層
S1、S10、S100‧‧‧第一子層
S2、S20、S200‧‧‧第二子層
TE1-1~TE1-m‧‧‧第一觸碰電極
TE2-1~TE2-n‧‧‧第二觸碰電極
TFE、TFE1、TFE2、TFE3‧‧‧薄膜密封層
TS‧‧‧觸碰偵測單元
TSD‧‧‧連接電極
TSL‧‧‧觸碰訊號線
TSP‧‧‧觸碰偵測部件
TS-CL1‧‧‧第一導電層
TS-CL2‧‧‧第二導電層
TS-IL1‧‧‧第一觸碰絕緣層
TS-IL2‧‧‧第二觸碰絕緣層
TS-OP‧‧‧觸碰開口部
T1~T7‧‧‧第一至第七電晶體
VGL‧‧‧第一電壓
VGL1‧‧‧第三電壓
VGH‧‧‧第二電壓
VGH1‧‧‧第四電壓
VH1‧‧‧第二電壓線
VH2‧‧‧第四電壓線
VL1‧‧‧第一電壓線
VL2‧‧‧第三電壓線
VPL1‧‧‧第一電壓輸入端
VPL2‧‧‧第三電壓輸入端
VPH1‧‧‧第二電壓輸入端
VPH2‧‧‧第四電壓輸入端
WM‧‧‧窗口
配合附圖以進一步理解本發明的構思，並且併入構成本說明書的一部分。圖式示出了本發明構思的例示性實施例，並且與詳細說明一起用於解釋本發明構思的原理。在圖中：
第1A圖為根據本發明原理所構思之顯示裝置DD之第一實施例之第一位置之透視圖；
第1B圖為第1A圖之顯示裝置之第二位置之透視圖；
第1C圖為第1A圖之顯示裝置之第三位置之透視圖；
第2圖為第1A圖之顯示裝置之截面側視圖；
第3A圖及第3B圖為根據本發明原理所構思之顯示裝置DD-1之第二實施例之透視圖；
第4A圖為根據本發明原理所構思之顯示裝置DD-2之第三實施例之透視圖；
第4B圖為根據本發明原理所構思之顯示裝置DD-3之第四實施例之透視圖；
第5A圖為可在本發明之顯示裝置中使用之有機發光顯示面板之實施例之平面圖；
第5B圖為可在本發明之顯示裝置中使用之閘極驅動電路之驅動級之實施例之方塊圖；
第5C圖為可在本發明之顯示裝置中使用之顯示模組之實施例之示意性截面側視圖；
第6A圖為可在本發明之顯示裝置中使用之像素之實施例之等效電路圖；
第6B圖為可在本發明之顯示裝置中使用之有機發光顯示面板之實施例之片段截面側視圖；
第6C圖為可在本發明之顯示裝置中使用之有機發光顯示面板之實施例之片段截面側視圖；
第7A圖至第7C圖為可在本發明之顯示裝置中使用之薄膜密封層之實施例之截面側視圖；
第8A圖為可在本發明之顯示裝置中使用之觸碰偵測單元之實施例之不連續之截面側視圖；
第8B圖至第8E圖為第8A圖之觸碰偵測單元在各層之部分俯視圖；
第8F圖為第8E圖之區域BB之放大圖；
第9A圖為第5C圖之區域AA之實施例之放大、片段截面圖；
第9B圖為第9A圖之區域WW之放大、片段截面圖；
第9C圖為類似第9A圖將虛線輪廓區域WW移除之示意圖；
第9D圖為第5C圖之區域AA之另一實施例之放大、片段截面圖；
第10A圖為第5C圖之區域AA之另一實施例之放大、片段截面圖；
第10B圖為第10A圖之區域XX之放大、片段截面圖；
第10C圖為第5C圖之區域AA之另一實施例之放大、片段截面圖；
第10D圖為第10C圖之區域YY之放大、片段截面圖；
第11A圖為第5C圖之區域AA之另一實施例之放大、片段截面圖；
第11B圖為第11A圖之區域ZZ之放大、片段截面圖；
第11C圖為第5C圖之區域AA之另一實施例之放大、片段截面圖；
第12A圖為第5C圖之區域AA之另一實施例之放大、片段截面圖；
第12B圖為第12A圖之實施例之部分的放大、片段平面圖；
第12C圖為第12A圖之顯示裝置部分之另一實施例之放大、片段平面圖；
第13A圖為第5C圖之區域AA之另一實施例之放大、片段截面圖；
第13B圖為第13A圖之實施例之部分的放大、片段平面圖；
第14A圖為第5C圖之區域AA之又一實施例之放大、片段截面圖；以及
第14B圖為第14A圖之實施例之放大、片段平面圖。
10‧‧‧第一絕緣層
20‧‧‧第二絕緣層
30‧‧‧第三絕緣層
AE‧‧‧第一電極
BFL‧‧‧緩衝層
CE‧‧‧第二電極
CL1‧‧‧第一時脈訊號線
CL2‧‧‧第二時脈訊號線
CL3‧‧‧第三時脈訊號線
CL4‧‧‧第四時脈訊號線
DA‧‧‧顯示區域
NDA‧‧‧非顯示區域
DM1‧‧‧第一壩體部
DM2‧‧‧第二壩體部
DM2-1‧‧‧第一壩體層
DM2-2‧‧‧第二壩體層
DR2‧‧‧第二方向
DR3‧‧‧第三方向
EF1‧‧‧第一啟動訊號線
EF2‧‧‧第二啟動訊號線
EP-5‧‧‧導電部
EP-L1‧‧‧第一導電層
EP-L2‧‧‧第二導電層
E-VSS‧‧‧電源供應線
GDC‧‧‧閘極驅動電路
HCL‧‧‧電洞控制層
HL-3‧‧‧第一貫穿孔
IOL1‧‧‧無機薄膜
OL1、OL2‧‧‧有機薄膜
PDL‧‧‧像素定義層
SUB‧‧‧基底層
TFE‧‧‧薄膜密封層
TSL‧‧‧觸碰訊號線
TS-IL1‧‧‧第一觸碰絕緣層
TS-IL2‧‧‧第二觸碰絕緣層
VH1‧‧‧第二電壓線
VH2‧‧‧第四電壓線
VL1‧‧‧第一電壓線
VL2‧‧‧第三電壓線

Claims (15)

  1. 一種顯示裝置，其包含： 一基底層； 一電路層，設置在該基底層上且包含一像素電路層及一驅動電路層，該驅動電路層設置以提供驅動該像素電路層之一訊號，且包含複數個時脈訊號線； 一有機發光二極體，設置在該電路層上且包含電性連接於該像素電路層之一第一電極，設置在該第一電極上之一有機發光層，及設置在該有機發光層上之一第二電極； 一薄膜密封層，設置在該有機發光二極體上； 一觸碰偵測單元，設置在該薄膜密封層上且包含一觸碰偵測部件及電性連接於該觸碰偵測部件之複數個觸碰訊號線；以及 一導電部，設置在該複數個時脈訊號線與該複數個觸碰訊號線之間，且延伸通過該複數個時脈訊號線當中至少一些與該複數個觸碰訊號線當中至少一些彼此重疊之一重疊區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該導電部係設置在與該第二電極相同之層上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該第二電極朝向該導電部延伸，且該第二電極與該導電部彼此連接。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該第二電極與該導電部隔開。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中相同位準之電壓提供至該導電部及該第二電極。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中複數個貫穿孔係定義於該導電部，且與該重疊區域不重疊。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該導電部包含： 一第一區域，係為該複數個貫穿孔未定義之區域，重疊於該複數個時脈訊號線當中至少一條及該複數個觸碰訊號線當中至少一條； 一第二區域，包含由具有一孔洞第一區域密度之該複數個貫穿孔所揭露之區域；以及 一第三區域，包含由具有低於該孔洞第一區域密度之一孔洞第二區域密度之該複數個貫穿孔所揭露之區域。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中定義在該第二區域當中每個一第一表面區域之一第一貫穿孔數量，係大於定義在該第三區域當中每個該第一表面區域之一第二貫穿孔數量。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中定義在該第二區域當中之一第一貫穿孔之尺寸大於定義在該第三區域當中之一第二貫穿孔之尺寸。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該導電部包含： 一第一導電層，設置在與該第一電極相同之層上，且具有通過其定義之複數個第一貫穿孔；以及 一第二導電層，設置在與該第二電極相同之層上。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置，其中該第二導電層重疊於該複數個第一貫穿孔。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置，其中複數個第二貫穿孔係定義於該第二導電層，且該複數個第一貫穿孔與該複數個第二貫穿孔彼此不重疊。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置，其中該第二電極朝向該第二導電層延伸，且該第二電極與該第二導電層彼此連接。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置，其中該第二電極與該第二導電層隔開。
  15. 一種顯示裝置，其包含： 一基底層； 一電路層，設置在該基底層上且包含一像素電路層及一驅動電路層，該驅動電路層設置以提供驅動該像素電路層之一訊號，且包含複數個時脈訊號線； 一有機發光二極體，設置在該電路層上且包含電性連接於該像素電路層之一第一電極，設置在該第一電極上之一有機發光層，及設置在該有機發光層上之一第二電極； 一薄膜密封層，設置在該有機發光二極體上； 一觸碰偵測單元，直接地設置在該薄膜密封層上且包含一觸碰偵測部件及電性連接於該觸碰偵測部件之複數個觸碰訊號線；以及 一導電部，設置在該複數個時脈訊號線與該複數個觸碰訊號線之間。
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