TW201807186A - 半導體處理用組成物及處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種抑制對被處理體的金屬配線等造成的損傷、且可自被處理體的表面有效地去除污染的半導體處理用組成物及使用其的處理方法。本發明的半導體處理用組成物的特徵在於含有3×101 個/mL～1.5×103 個/mL的粒徑為0.1 μm～0.3 μm的粒子。

Description

半導體處理用組成物及處理方法
本發明是有關於一種半導體處理用組成物及使用其的處理方法。
所謂被有效地用於製造半導體裝置的化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing，CMP），為將被處理體（被研磨體）壓接於研磨墊上，一面於研磨墊上供給化學機械研磨用水系分散體（以下亦簡稱為「CMP漿料」）一面使被處理體與研磨墊相互滑動，對被處理體以化學且機械方式進行研磨的技術。此種CMP中所用的CMP漿料中，除了研磨料以外，含有蝕刻劑等化學藥品。而且，因CMP而產生研磨屑。若該些研磨屑殘留於被處理體上，則有時成為致命的裝置缺陷。因此，於CMP後必須進行清洗被處理體的步驟。
於CMP後的被處理體的表面上，銅或鎢等金屬配線材料、氧化矽等絕緣材料、氮化鉭或氮化鈦等阻障金屬材料等露出。於此種異種材料共存於被研磨面上的情形時，必須自被研磨面僅將污染去除，不造成腐蝕等損傷（damage）而進行處理。例如專利文獻1中揭示有以下技術：使用酸性的半導體處理用組成物，抑制配線材料及阻障金屬材料露出的被研磨面的腐蝕。另外，例如專利文獻2或專利文獻3揭示有以下技術：使用中性至鹼性的半導體處理用組成物，對配線材料及鈷般的阻障金屬材料露出的被研磨面進行處理。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-258014號公報 [專利文獻2]日本專利特開2009-055020號公報 [專利文獻3]日本專利特開2013-157516號公報
[發明所欲解決之課題] 然而，伴隨著近年來的電路結構的進一步微細化，要求如下處理技術：進一步抑制對被處理體的金屬配線等所造成的損傷，可自被處理體的表面有效地去除污染。
例如於含有鎢作為金屬配線的被處理體的CMP中，使用含有硝酸鐵及其他氧化劑（過氧化氫、碘酸鉀等）的CMP漿料。該CMP漿料中所含的鐵離子容易吸附於被處理體的表面，故被處理體的表面容易受到鐵污染。於該情形時，可藉由使用稀氫氟酸對被處理體的表面進行處理而將鐵污染去除，但被處理體的表面被蝕刻而容易受到損傷。因此要求如下處理技術：儘可能抑制對被處理體的金屬配線等所造成的損傷，可自被處理體的表面有效地去除污染。
因此，本發明的若干態樣藉由解決所述課題的至少一部分，而提供一種半導體處理用組成物及使用其的處理方法，所述半導體處理用組成物抑制對被處理體的金屬配線等造成的損傷，可自被處理體的表面有效地去除污染。 [用以解決課題之手段]
本發明是為了解決所述課題的至少一部分而成，可作為以下的態樣或應用例來實現。
[應用例1] 本發明的半導體處理用組成物的一態樣為一種半導體處理用組成物， 其為經濃縮的半導體處理用組成物，並且其特徵在於含有3×101 個/mL～1.5×103 個/mL的粒徑為0.1 μm～0.3 μm的粒子。
[應用例2] 如應用例1的半導體處理用組成物， 其可稀釋至1倍～500倍而供使用。
[應用例3] 本發明的半導體處理用組成物的一態樣為半導體處理用組成物， 其是不加稀釋而使用，並且其特徵在於含有3×101 個/mL～1.5×103 個/mL的粒徑為0.1 μm～0.3 μm的粒子。
[應用例4] 如應用例1至應用例3中任一例的半導體處理用組成物， 可更含有有機酸。
[應用例5] 如應用例1至應用例4中任一例的半導體處理用組成物， 可更含有水溶性高分子。
[應用例6] 本發明的處理方法的一態樣的特徵在於包括以下步驟： 使用如應用例1至應用例5中任一例的半導體處理用組成物，對含有銅或鎢作為配線材料且含有選自由鉭、鈦、鈷、釕、錳及該些金屬的化合物所組成的組群中的至少一種作為阻障金屬材料的配線基板進行處理。
[應用例7] 本發明的處理方法的一態樣的特徵在於包括以下步驟： 於使用含有鐵離子及過氧化物的組成物對含有鎢作為配線基板的配線材料的所述配線基板進行化學機械研磨後，使用如應用例1至應用例5中任一例的半導體處理用組成物進行處理。 [發明的效果]
根據本發明的半導體處理用組成物，可抑制對被處理體的金屬配線等造成的損傷，自被處理體的表面有效地去除污染。
以下，對本發明的合適的實施形態加以詳細說明。再者，本發明不限定於下述實施形態，亦包括在不變更本發明的主旨的範圍內實施的各種變形例。
1.半導體處理用組成物 本發明的一實施形態的半導體處理用組成物的特徵在於含有3×101 個/mL～1.5×103 個/mL的粒徑為0.1 μm～0.3 μm的粒子。本實施形態的半導體處理用組成物可為以利用純水或有機溶劑等液狀介質稀釋後使用為目的的濃縮型，亦可為以不加稀釋而直接使用為目的的非稀釋型。本說明書中，於未指定為濃縮型或非稀釋型的情形時，「半導體處理用組成物」的用語是解釋為包含濃縮型及非稀釋型兩者的概念。
此種半導體處理用組成物主要可用作用以將存在於CMP結束後的被處理體表面上的顆粒或金屬雜質等去除的清洗劑、用以自使用抗蝕劑進行了處理的半導體基板上剝離抗蝕劑的抗蝕劑剝離劑、用以對金屬配線等的表面進行淺蝕刻而去除表面污染的蝕刻劑等處理劑。本案發明中所謂「處理劑」，為包含用以對此種半導體表面進行清洗的清洗劑、抗蝕劑剝離劑、蝕刻劑等的概念。以下，對本實施形態的半導體處理用組成物所含的各成分加以詳細說明。
1.1.粒徑為0.1 μm～0.3 μm的粒子 本實施形態的半導體處理用組成物含有3×101 個/mL～1.5×103 個/mL的粒徑為0.1 μm～0.3 μm的粒子（以下亦稱為「特定粒子」）。可認為本實施形態的半導體處理用組成物藉由以既定的比例含有特定粒子，可將處理步驟中殘留於被處理面上的研磨屑有效地削落去除。相對於此，於半導體處理用組成物所含有的特定粒子的含有比例超過所述範圍的情形時，特定粒子殘留於處理後的被處理面上，誘發作為被處理體的半導體電路的由電氣特性劣化所致的良率降低等，故欠佳。另一方面，可認為於半導體處理用組成物所含有的特定粒子的含有比例小於所述範圍的情形時，難以將附著於被處理面上的研磨屑有效地削落，被處理面的平坦性劣化。
通常如國際公開第1999/049997號等所記載般，於半導體裝置的製造步驟中，將粒子理解為應儘可能去除的異物。然而，本案發明中顛覆迄今為止的概念，判明了於使用以既定的比例含有粒徑為0.1 μm～0.3 μm的粒子的半導體處理用組成物對被處理面進行處理的情形時，有不使半導體特性大幅度地劣化，反而使處理特性提高的效果。
本實施形態的半導體處理用組成物中所含有的特定粒子較佳為金屬粒子或金屬氧化物粒子，更佳為絕緣性的粒子。
此種金屬粒子或金屬氧化物粒子例如可使用：鐵、鈦、鋁、鋯、鎂及該些金屬的氧化物（氧化鐵、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、氧化鎂等）、二氧化矽、不鏽鋼（SUS201、SUS202、SUS301、SUS302、SUS303、SUS304、SUS305、SUS316、SUS317、SUS403、SUS405、SUS420、SUS430、SUS630等）等。該些物質中，就不使半導體電路的電氣特性劣化，可將附著於被處理面上的研磨屑有效地去除的方而言，較佳為氧化鐵、不鏽鋼、氧化鈦、二氧化矽及氧化鋁，更佳為二氧化矽。
另外，特定粒子較佳為含有具有長徑（Rmax）與短徑（Rmin）之比率（Rmax/Rmin）較佳為1.3以上、更佳為1.4以上且3.0以下、尤佳為1.5以上且2.5以下的形狀的特定粒子（以下亦稱為「特定形狀粒子」）。藉由本實施形態的半導體處理用組成物含有特定形狀粒子，將附著於被處理面上的研磨屑去除的效果提高。進而，因特定形狀粒子具有凹凸形狀，故可將後述水溶性高分子、有機酸、胺等成分取入至凹部中或釋出。因此可認為，於處理步驟中，藉由將該些成分釋出而有效地發揮作用。
於將本實施形態的半導體處理用組成物所含的特定粒子的總質量設定為100質量份時，特定粒子較佳為含有30質量份以上的特定形狀粒子，更佳為含有40質量份以上，尤佳為含有50質量份以上。
此處，所謂粒子的長徑（Rmax），是指對於利用穿透式電子顯微鏡所拍攝的一個獨立粒子像，通過粒子像的重心且將粒子像的端部與端部連結的距離中最長的距離。另一方面，所謂粒子的短徑（Rmin），是指對於藉由穿透式電子顯微鏡所拍攝的一個獨立粒子像，通過粒子像的重心且將粒子像的端部與端部連結的距離中最短的距離。
此處，粒子的粒徑及半導體處理用組成物中的粒子的含量可使用將雷射繞射法作為測定原理的粒度分佈測定裝置來進行測定。本發明中所謂粒徑，為使用所述粒度分佈測定裝置來測定粒度分佈，自小粒子起將粒子累計時的粒子數的累計度數成為50%的粒徑（D50）的值。此種雷射繞射式粒度分佈測定裝置例如可列舉崛場（HORIBA）LA-300系列、崛場（HORIBA）LA-920系列（以上為崛場製作所股份有限公司製造）等。該粒度分佈測定裝置並非僅將粒子的一次粒子作為評價對象，亦將一次粒子凝聚而形成的二次粒子作為評價對象。因此，藉由該粒度分佈測定裝置所得的粒徑可設定為半導體處理用組成物中所含的粒子的分散狀態的指標。
再者，於含有鎢作為配線材料的被研磨體的CMP中，使用含有鐵離子及過氧化物（過氧化氫、碘酸鉀等）的CMP漿料。該CMP漿料中所含的鐵離子容易吸附於被研磨體的表面，故被研磨面容易受到鐵污染。於該情形時，可認為藉由使用本實施形態的半導體處理用組成物對被研磨面進行清洗，特定粒子可將被研磨面的鐵污染削落而有效地去除。
1.2.其他成分 本實施形態的半導體處理用組成物除了作為主成分的液狀介質以外，可含有水溶性高分子、有機酸、胺、其他成分。
1.2.1.水溶性高分子 本實施形態的半導體處理用組成物可含有水溶性高分子。水溶性高分子具有吸附於被處理面的表面而減少腐蝕的功能。因此，若於半導體處理用組成物中添加水溶性高分子，則可減少被處理面的腐蝕。再者，本發明中所謂「水溶性」，是指溶解於20℃的100 g水中的質量為0.1 g以上。另外，本發明中所謂「水溶性高分子」，是指兩個以上的重複單元經由共價鍵連成線狀或網狀而成的水溶性化合物。
此種水溶性高分子例如可列舉：聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚馬來酸、聚乙烯基磺酸、聚烯丙基磺酸、聚苯乙烯磺酸及該些酸的鹽； 苯乙烯、α-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯等單體與(甲基)丙烯酸、馬來酸等酸單體的共聚物，或利用福馬林使苯磺酸、萘磺酸等縮合而成的含有具有芳香族烴基的重複單元的聚合物及該些聚合物的鹽； 聚乙烯醇、聚氧乙烯、聚乙烯基吡咯啶酮、聚乙烯基吡啶、聚丙烯醯胺、聚乙烯基甲醯胺、聚乙烯亞胺、聚乙烯基噁唑啉、聚乙烯基咪唑、聚烯丙胺等乙烯系合成聚合物； 羥乙基纖維素、羧甲基纖維素、加工澱粉等天然多糖類的改質物等， 但不限定於該些物質。該些水溶性高分子可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
本實施形態中所用的水溶性高分子可為均聚物，亦可為使兩種以上的單體進行共聚合而成的共聚物。此種單體可使用：具有羧基的單體、具有磺酸基的單體、具有羥基的單體、具有聚環氧乙烷鏈的單體、具有胺基的單體、具有雜環的單體等。
本實施形態中所用的水溶性高分子的重量平均分子量（Mw）較佳為1千以上且150萬以下，更佳為3千以上且120萬以下。再者，本說明書中所謂「重量平均分子量」，是指藉由凝膠滲透層析儀（Gel Permeation Chromatography，GPC）所測定的聚乙二醇換算的重量平均分子量。
水溶性高分子的含量能以半導體處理用組成物的常溫下的黏度成為2 mPa·s以下的方式調整。若半導體處理用組成物的常溫下的黏度超過2 mPa·s，則有時黏度變得過高，由此無法對被處理體穩定地供給半導體處理用組成物。半導體處理用組成物的黏度是由所添加的水溶性高分子的重量平均分子量或含量而大致決定，故可一面考慮該些的平衡一面進行調整。
另外，水溶性高分子的含量可根據於CMP後的被處理體表面上露出的銅或鎢等金屬配線材料、氧化矽等絕緣材料、氮化鉭或氮化鈦等阻障金屬材料等的材質或所使用的CMP漿料的組成而適當變更。
進而，亦可根據本實施形態的濃縮型的半導體處理用組成物的稀釋程度而適當變更水溶性高分子的含量。關於水溶性高分子的含量，相對於將濃縮型的半導體處理用組成物稀釋而製備的處理劑或非稀釋型的半導體處理用組成物（處理劑）100質量份，下限值較佳為0.001質量份以上，更佳為0.01質量份以上，上限值較佳為1質量份以下，更佳為0.1質量份以下。若水溶性高分子的含量在所述範圍內，則促進腐蝕的抑制與將CMP漿料中所含的顆粒或金屬雜質自配線基板上去除的效果的併存，容易獲得更良好的被處理面。
1.2.2.有機酸 本實施形態的半導體處理用組成物可含有有機酸。有機酸較佳為具有一個以上的羧基、磺基等酸性基。再者，本發明中的「有機酸」為不包括所述水溶性高分子的概念。
有機酸的具體例可列舉：檸檬酸、馬來酸、蘋果酸、酒石酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、乙二胺四乙酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、苯甲酸、苯基乳酸、羥基苯基乳酸、苯基琥珀酸、萘磺酸及該些酸的鹽等。該些有機酸可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。
有機酸亦可使用胺基酸。胺基酸可列舉下述通式（1）所表示的化合物等。
[化1]（所述通式（1）中，R1 表示選自由氫原子、碳數1～10的烴基及具有雜原子的碳數1～20的有機基所組成的組群中的任一個）
所述通式（1）中的R1 的碳數1～10的烴基例如可列舉：碳數1～10的飽和脂肪族烴基、碳數1～10的環狀飽和烴基、碳數6～10的芳香族烴基等，該些基團中，較佳為碳數1～10的飽和脂肪族烴基。
所述通式（1）中的R1 的具有雜原子的碳數1～20的有機基例如可列舉：具有羧基的碳數1～20的烴基、具有羥基的碳數1～20的烴基、具有胺基的碳數1～20的烴基、具有巰基的碳數1～20的烴基、具有雜環的碳數1～20的有機基等，該些基團亦可進一步含有氧、硫、鹵素等雜原子，其一部分亦可經其他取代基所取代。
所述通式（1）所表示的化合物可列舉：丙胺酸、精胺酸、天冬醯胺、天冬胺酸、半胱胺酸、穀醯胺、穀胺酸、甘胺酸、異亮胺酸、亮胺酸、離胺酸、甲硫胺酸、苯基丙胺酸、絲胺酸、蘇胺酸、酪胺酸、纈胺酸、色胺酸、組胺酸、2-胺基-3-胺基丙酸等。該些胺基酸可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
有機酸亦較佳為使用下述通式（2）所表示的化合物。
[化2]（所述通式（2）中，R2 表示碳數1～20的有機基）
所述通式（2）中的R2 的碳數1～20的有機基例如可列舉：碳數6～20的飽和脂肪族烴基、碳數6～20的不飽和脂肪族烴基、具有環狀飽和烴基的碳數6～20的有機基、具有不飽和環狀烴基的碳數6～20的有機基、具有羧基的碳數1～20的烴基、具有羥基的碳數1～20的烴基、具有胺基的碳數1～20的烴基、具有雜環基的碳數1～20的有機基等，其中，較佳為具有不飽和環狀烴基的碳數6～20的有機基或具有羧基的碳數1～20的烴基，尤佳為具有芳基的碳數6～20的有機基或羧基甲基。其中，所述通式（2）所表示的化合物是將所述通式（1）所表示的化合物除外。
所述通式（2）所表示的化合物的具體例可列舉羥基苯基乳酸、羥基丙二酸等，該些化合物中，較佳為羥基苯基乳酸。所述例示的化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
有機酸的含量可根據於CMP後的被處理體表面上露出的銅或鎢等金屬配線材料、氧化矽等絕緣材料、氮化鉭或氮化鈦等阻障金屬材料等的材質或所使用的CMP漿料的組成而適當變更。
進而，亦可根據本實施形態的濃縮型的半導體處理用組成物的稀釋程度而適當變更有機酸的含量。關於有機酸的含量，相對於將濃縮型的半導體處理用組成物稀釋而製備的處理劑或非稀釋型的半導體處理用組成物（處理劑）100質量份，下限值較佳為0.0001質量份以上，更佳為0.0005質量份以上，上限值較佳為1質量份以下，更佳為0.5質量份以下。若有機酸的含量在所述範圍內，則可有效地去除附著於配線材料表面的雜質。另外，可更有效地抑制過度蝕刻的進行，獲得良好的被處理面。
1.2.3.胺 本實施形態的半導體處理用組成物可含有胺（其中將胺基酸除外）。可認為胺具有作為蝕刻劑的功能。可認為藉由添加胺，可於CMP結束後的處理步驟中，將配線基板上的金屬氧化膜（例如CuO、Cu2 O及Cu(OH)2 層）或有機殘渣（例如苯并三唑（Benzotriazole，BTA）層）蝕刻去除。
胺較佳為水溶性胺。關於「水溶性」的定義，如上文所述，是指溶解於20℃的100 g水中的質量為0.1 g以上。胺例如可列舉烷醇胺、一級胺、二級胺、三級胺等。
烷醇胺可列舉：單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-甲基-N,N-二乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N,N-二丁基乙醇胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-乙基乙醇胺、單丙醇胺、二丙醇胺、三丙醇胺、單異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺等。一級胺可列舉：甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、1,3-丙二胺等。二級胺可列舉哌啶、哌嗪等。三級胺可列舉三甲胺、三乙胺等。該些胺可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。
該些胺中，就蝕刻配線基板上的金屬氧化膜或有機殘渣的效果高的方面而言，較佳為單乙醇胺、單異丙醇胺，更佳為單乙醇胺。
胺的含量可根據於CMP後的被處理體表面上露出的銅或鎢等金屬配線材料、氧化矽等絕緣材料、氮化鉭或氮化鈦等阻障金屬材料等的材質或所使用的CMP漿料的組成而適當變更。
進而，亦可根據本實施形態的濃縮型的半導體處理用組成物的稀釋程度而適當變更胺的含量。關於胺的含量，相對於將濃縮型的半導體處理用組成物稀釋而製備的處理劑或非稀釋型的半導體處理用組成物（處理劑）100質量份，下限值較佳為0.0001質量份以上，更佳為0.0005質量份以上，上限值較佳為1質量份以下，更佳為0.5質量份以下。若胺的含量在所述範圍內，則可於CMP結束後的處理步驟中，將配線基板上的金屬氧化膜或有機殘渣更有效地蝕刻去除。
1.2.4.液狀介質 本實施形態的半導體處理用組成物為以液狀介質作為主成分的液體。該液狀介質的種類可針對被處理體根據清洗、蝕刻、抗蝕劑剝離等處理劑的使用目的而適時選擇。例如於使用半導體處理用組成物作為清洗劑的情形時，液狀介質較佳為以水作為主成分且可發揮作為溶劑的作用，並無特別限制。此種液狀介質可列舉：水、水及醇的混合介質、含有水及與水具有相溶性的有機溶劑的混合介質等。該些介質中，較佳為使用水、水及醇的混合介質，更佳為使用水。
另外，例如於使用半導體處理用組成物作為蝕刻劑或抗蝕劑剝離劑的情形時，液狀介質較佳為以有機溶劑作為主成分且可發揮作為溶劑的作用，並無特別限制。此種有機溶劑可列舉：酮系溶劑、酯系溶劑、醚系溶劑及醯胺系溶劑等極性溶劑或烴系溶劑等半導體處理中可使用的公知的有機溶劑。
酮系溶劑例如可列舉：1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、2-庚酮、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二異丁基酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醯丙酮、丙酮基丙酮、紫羅酮、二丙酮醇、乙醯基原醇、苯乙酮、甲基萘基酮、異佛爾酮、碳酸伸丙酯、γ-丁內酯等。
關於酯系溶劑，例如鏈狀的酯系溶劑可列舉：乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單丙醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、2-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、4-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、2-乙氧基丁基乙酸酯、4-乙氧基丁基乙酸酯、4-丙氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、丙基-3-甲氧基丙酸酯等。另外，環狀的酯系溶劑可列舉γ-丁內酯等內酯類等。
醚系溶劑例如可列舉：乙二醇二丁醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丁醚等二醇醚系溶劑；二異戊醚、二異丁醚、二噁烷、四氫呋喃、苯甲醚、全氟-2-丁基四氫呋喃、全氟四氫呋喃、1,4-二噁烷等。
醯胺系溶劑例如可列舉：N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、六甲基磷醯三胺、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮等。所述其他極性溶劑可列舉二甲基亞碸等。
烴系溶劑例如可列舉：戊烷、己烷、辛烷、癸烷、2,2,4-三甲基戊烷、2,2,3-三甲基己烷、全氟己烷、全氟庚烷、檸檬烯及蒎烯等脂肪族烴系溶劑；甲苯、二甲苯、乙基苯、丙基苯、1-甲基丙基苯、2-甲基丙基苯、二甲基苯、二乙基苯、乙基甲基苯、三甲基苯、乙基二甲基苯、二丙基苯等芳香族烴系溶劑。
1.2.5.其他成分 本實施形態的半導體處理用組成物可適時含有必要的成分，例如可含有pH調整劑或界面活性劑等。
＜pH調整劑＞ 於本實施形態的半導體處理用組成物對含有銅作為配線材料的被處理面進行處理的情形時，pH值的下限值較佳為9以上，更佳為10以上，pH值的上限值較佳為14以下。於對含有鎢作為配線材料的被處理面進行處理的情形時，pH值的上限值較佳為7以下，更佳為6以下，pH值的下限值較佳為2以上。
於本實施形態的半導體處理用組成物中，於無法藉由添加所述有機酸或胺而獲得所需的pH值的情形時，亦可為了將pH值調整至所述範圍內而另行添加pH調整劑。pH調整劑例如可列舉：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銣、氫氧化銫等鹼金屬的氫氧化物，氫氧化四甲基銨等有機銨鹽，氨等鹼性化合物。該些pH調整劑可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。
＜界面活性劑＞ 界面活性劑可適時使用公知的成分，可較佳地使用非離子性界面活性劑或陰離子性界面活性劑。藉由添加界面活性劑，有時將CMP漿料中所含的顆粒或金屬雜質自配線基板上去除的效果提高，可獲得更良好的被處理面。
非離子性界面活性劑例如可列舉：聚氧伸乙基月桂基醚、聚氧伸乙基鯨蠟基醚、聚氧伸乙基硬脂基醚、聚氧伸乙基油基醚等聚氧伸乙基烷基醚；聚氧伸乙基辛基苯基醚、聚氧伸乙基壬基苯基醚等聚氧伸乙基芳基醚；山梨醇酐單月桂酸酯、山梨醇酐單棕櫚酸酯、山梨醇酐單硬脂酸酯等山梨醇酐脂肪酸酯；聚氧伸乙基山梨醇酐單月桂酸酯、聚氧伸乙基山梨醇酐單棕櫚酸酯、聚氧伸乙基山梨醇酐單硬脂酸酯等聚氧伸乙基山梨醇酐脂肪酸酯等。所述例示的非離子性界面活性劑可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。
陰離子性界面活性劑例如可列舉：十二烷基苯磺酸等烷基苯磺酸；烷基萘磺酸；月桂基硫酸等烷基硫酸酯；聚氧伸乙基月桂基硫酸等聚氧伸乙基烷基醚的硫酸酯；萘磺酸縮合物；烷基亞胺基二羧酸；木質素磺酸等。該些陰離子性界面活性劑亦能以鹽的形態使用。於該情形時，抗衡陽離子例如可列舉鈉離子、鉀離子、銨離子等，就防止過剩地含有鉀或鈉的觀點而言，較佳為銨離子。
於含有鎢作為配線材料的被處理體的CMP中，使用含有鐵離子及過氧化物（過氧化氫、碘酸鉀等）的CMP漿料。該CMP漿料中所含的鐵離子容易吸附於被處理體的表面，故被處理體的表面容易受到鐵污染。於該情形時，鐵離子帶正電，故有時藉由在半導體處理用組成物中添加陰離子性界面活性劑，可將被處理體表面的鐵污染有效地去除。
界面活性劑的含量可根據CMP後於被處理體的表面上露出的銅或鎢等金屬配線材料、氧化矽等絕緣材料、氮化鉭或氮化鈦等阻障金屬材料等的材質或所使用的CMP漿料的組成而適當變更。
進而，亦可根據本實施形態的濃縮型的半導體處理用組成物的稀釋程度而適當變更界面活性劑的含量。相對於將濃縮型的半導體處理用組成物稀釋而製備的處理劑或非稀釋型的半導體處理用組成物（處理劑）100質量份，界面活性劑的含量較佳為0.001質量份以上且1質量份以下。若界面活性劑的含量在所述範圍內，則可於CMP結束後的處理步驟中，減少被處理體的腐蝕，並且有效率地去除有機殘渣。
1.3.半導體處理用組成物的製備方法 本實施形態的半導體處理用組成物並無特別限制，可藉由使用公知的方法而製備。具體而言，可藉由使所述各成分溶解於水或有機溶劑等液狀介質中並進行過濾而製備。所述各成分的混合順序或混合方法並無特別限制。
本實施形態的半導體處理用組成物的製備方法中，較佳為視需要利用深（depth）型過濾器或摺疊式過濾器進行過濾而控制粒子量。此處所謂深型過濾器，為亦被稱為深層過濾或體積過濾型的過濾器的高精度過濾過濾器。此種深型過濾器有呈使形成有多數個孔的過濾膜積層而成的積層結構的過濾器、或纏繞有纖維束的過濾器等。深型過濾器具體可列舉：普羅法（Profile）II、奈克西斯（Nexis）NXA、奈克西斯（Nexis）NXT、寶理凡（Polyfine）XLD、奧奇普利茨普羅法（Ultipleat Profile）等（全部為日本頗爾（Pall Japan）公司製造），深濾芯（depth cartridge filter）、繞線濾芯（wynd cartridge filter）等（全部為愛多邦得科（Advantec）公司製造），CP過濾器、BM過濾器等（全部為智索（Chisso）公司製造），斯洛浦皮亞（Slope-Pure）、迪亞（Dia）、微西莉亞（Microsyria）等（全部為洛奇技術（Roki Techno）公司製造）等。
摺疊式過濾器可列舉：將包含不織布、濾紙、金屬絲網等的微濾膜片摺疊加工後，成形為筒狀並且將所述片的折褶的接縫液密地密封，且將筒的兩端液密地密封所得的筒狀的高精度過濾過濾器。具體可列舉：HDCII、寶理凡（Polyfine）II等（全部為日本頗爾（Pall Japan）公司製造），PP打褶濾芯（PP pleated cartridge filter）（愛多邦得科（Advantec）公司製造），保拉斯凡（Porous Fine）（智索（Chisso）公司製造），沙敦寶（Sarton Pore）、微純淨（Micropure）等（全部為洛奇技術（Roki Techno）公司製造）等。
過濾器較佳為使用標稱過濾精度為0.01 μm～20 μm的過濾器。藉由使用標稱過濾精度為所述範圍的過濾器，可高效率地獲得利用顆粒計數器進行測定時的每1 mL中的粒徑20 μm以上的粒子數為0個的濾液。另外，因過濾器中捕捉的粗大粒子的個數成為最小限度，故過濾器的可使用期間延長。
2.處理劑 本發明中所謂「處理劑」，為藉由在所述濃縮型的半導體處理用組成物中添加液狀介質進行稀釋而製備的處理劑或所述非稀釋型的半導體處理用組成物本身，且是指實際對被處理面進行處理時所用的液劑。以適當的液狀介質將所述濃縮型的半導體處理用組成物稀釋而製備處理劑，或將非稀釋型的半導體處理用組成物直接用作處理劑，將該處理劑作為清洗劑或蝕刻劑、抗蝕劑剝離劑而供使用。
此處用於稀釋的液狀介質與所述半導體處理用組成物所含有的液狀介質為相同含義，可自所述例示的液狀介質中根據處理劑的種類而適當選擇。
於濃縮型的半導體處理用組成物中添加液狀介質進行稀釋的方法有以下方法：使供給濃縮型的半導體處理用組成物的配管與供給液狀介質的配管於中途合流而混合，將該所混合的處理劑供給於被處理面。該混合可採用以下方法：於施加壓力的狀態下通過狹窄的通路使液體彼此碰撞混合的方法；於配管中填塞玻璃管等填充物而反覆進行使液體的流動分流分離、合流的方法；於配管中設置藉由動力而旋轉的葉片的方法等通常進行的方法。
另外，於濃縮型的半導體處理用組成物中添加液狀介質進行稀釋的其他方法有以下方法：獨立地設置供給濃縮型的半導體處理用組成物的配管與供給液狀介質的配管，自各配管將既定量的液體供給於被處理面，於被處理面上混合。進而，於濃縮型的半導體處理用組成物中添加液狀介質進行稀釋的其他方法有以下方法：於一個容器中加入既定量的濃縮型的半導體處理用組成物與既定量的液狀介質並進行混合後，將該經混合的處理劑供給於被處理面。
關於在濃縮型的半導體處理用組成物中添加液狀介質進行稀釋時的稀釋倍率，較佳為添加液狀介質而將濃縮型的半導體處理用組成物1質量份稀釋至1質量份～500質量份（1倍～500倍），更佳為稀釋至20質量份～500質量份（20倍～500倍），尤佳為稀釋至30質量份～300質量份（30倍～300倍）。再者，較佳為利用與所述濃縮型的半導體處理用組成物所含有的液狀介質相同的液狀介質進行稀釋。藉由如此般將半導體處理用組成物設定為經濃縮的狀態，與將處理劑直接搬送並保管的情形相比較，可利用更小型的容器進行搬送或保管。結果，可降低搬送或保管的成本。另外，與進行直接將處理劑過濾等操作等而進行純化的情形相比，變得對更少量的處理劑進行純化，故可縮短純化時間，藉此可進行大量生產。
3.處理方法 本發明的一實施形態的處理方法包括以下步驟：使用所述半導體處理用組成物（為所述處理劑，具體可列舉清洗劑、蝕刻劑、抗蝕劑剝離劑等），對含有銅或鎢作為配線材料且含有選自由鉭、鈦、鈷、釕、錳及該些金屬的化合物所組成的組群中的至少一種作為阻障金屬材料的配線基板進行處理。以下，對於本實施形態的處理方法的一例，一面使用圖式一面加以詳細說明。
＜配線基板的製作＞ 圖1為示意性地表示本實施形態的處理方法中所用的配線基板的製作製程的剖面圖。該配線基板是藉由經過以下的製程而形成。
圖1為示意性地表示CMP處理前的被處理體的剖面圖。如圖1所示，被處理體100具有基體10。基體10例如可包含矽基板及形成於其上的氧化矽膜。進而，基體10上，雖未圖示，但亦可形成有電晶體等功能元件。
被處理體100是於基體10上依序積層設有配線用凹部20的絕緣膜12、以覆蓋絕緣膜12的表面以及配線用凹部20的底部及內壁面的方式設置的阻障金屬膜14、及填充配線用凹部20且形成於阻障金屬膜14上的金屬膜16而構成。
絕緣膜12例如可列舉：利用真空製程所形成的氧化矽膜（例如電漿增強四乙氧基矽烷膜（Plasma Enhanced-Tetraethoxysilane film，PETEOS膜）、高密度電漿增強四乙氧基矽烷膜（High Density Plasma Enhanced-TEOS film，HDP膜）、藉由熱化學氣相蒸鍍法所得的氧化矽膜等）、被稱為摻氟的矽酸鹽玻璃（Fluorine-doped silicate glass，FSG）的絕緣膜、硼磷矽酸鹽膜（Boro Phospho Silicate Glass film，BPSG膜）、被稱為SiON（氮氧化矽（Silicon oxynitride））的絕緣膜、氮化矽（Siliconnitride）等。
阻障金屬膜14例如可列舉鉭、鈦、鈷、釕、錳及該些金屬的化合物等。阻障金屬膜14大多情況下是由該些金屬的一種所形成，亦可併用鉭與氮化鉭等兩種以上。
金屬膜16必須如圖1所示般完全填埋配線用凹部20。因此，通常藉由化學蒸鍍法或電鍍法使10000 Å～15000 Å的金屬膜堆積。金屬膜16的材料可列舉銅或鎢，銅的情形時不僅可使用純度高的銅，亦可使用含有銅的合金。含有銅的合金中的銅含量較佳為95質量%以上。
繼而，藉由CMP對圖1的被處理體100中埋沒於配線用凹部20中的部分以外的金屬膜16進行高速研磨直至阻障金屬膜14露出為止（第1研磨步驟）。進而，藉由CMP對於表面露出的阻障金屬膜14進行研磨（第2研磨步驟）。如此而獲得圖2所示般的配線基板200。
＜配線基板的處理＞ 繼而，使用所述處理劑（清洗劑）對圖2所示的配線基板200的表面（被處理面）進行處理。根據本實施形態的處理方法，於對CMP結束後的配線材料及阻障金屬材料於表面共存的配線基板進行處理時，可抑制配線材料及阻障金屬材料的腐蝕，並且有效率地去除配線基板上的氧化膜或有機殘渣。
本實施形態的處理方法若於使用日本專利特開平10-265766號公報等中記載的含有鐵離子及過氧化物的組成物（芬頓試劑（Fenton's reagent））對含有鎢作為配線基板的配線材料的所述配線基板進行化學機械研磨後進行，則非常有效。於含有鎢作為配線材料的被處理體的CMP中，使用含有鐵離子及過氧化物（過氧化氫、碘酸鉀等）的CMP漿料。該CMP漿料中所含的鐵離子容易吸附於被處理體的表面，故被處理體的表面容易受到鐵污染。於該情形時，可藉由使用稀氫氟酸對被處理體的表面進行處理而去除鐵污染，但被處理體的表面被蝕刻而容易受到損傷。然而，所述半導體處理用組成物以既定的比例含有特定粒子，可認為特定粒子可將被處理體的表面的鐵污染削落而有效地去除。
處理方法並無特別限制，可藉由使所述清洗劑與配線基板200直接接觸的方法而進行。使清洗劑與配線基板200直接接觸的方法可列舉：於清洗槽中充滿清洗劑並使配線基板浸漬的浸漬式；一面自噴嘴中使清洗劑流下至配線基板上一面使配線基板高速旋轉的旋轉式；對配線基板噴霧清洗劑而進行清洗的噴霧式等方法。另外，用以進行此種方法的裝置可列舉：對收容於匣盒內的多片配線基板同時進行清洗的批次式清洗裝置、將一片配線基板安裝於固持器上並進行清洗的單片式清洗裝置等。
於本實施形態的處理方法中，清洗劑的溫度通常是設定為室溫，亦可於不損及性能的範圍內加溫，例如亦可加溫至40℃～70℃左右。
另外，除了所述的使清洗劑與配線基板200直接接觸的方法以外，亦較佳為併用利用物理力的處理方法。藉此，由附著於配線基板200上的顆粒所致的污染的去除性提高，可縮短處理時間。利用物理力的處理方法可列舉使用清洗毛刷的擦除清洗或超音波清洗。
進而，亦可於藉由本實施形態的處理方法進行的清洗之前及/或之後，利用超純水或純水進行清洗。
4.實施例 以下，藉由實施例對本發明加以說明，但本發明絲毫不限定於該些實施例。再者，本實施例中的「份」及「%」只要無特別說明，則為質量基準。
4.1.實施例1 4.1.1.半導體處理用組成物（濃縮型）的製備 以成為表1所示的含有比例的方式於聚乙烯製容器中添加各成分，適量加入離子交換水，攪拌15分鐘。於該混合物中以所有構成成分的合計量成為100質量份的方式視需要添加離子交換水、氫氧化鉀及氫氧化鈉，以成為表1所示的pH值、K含量、Na含量的方式調整組成物。
對100質量份的如此所得的組成物添加0.01質量份的膠體二氧化矽（商品名「PL-1」，扶桑化學工業股份有限公司製造，一次粒徑15 nm）後，使用圖3所示的過濾裝置300進行過濾（過濾步驟）。圖3所示的過濾裝置300具備：儲存異物去除前的組成物並進行供給的供給箱210、用以使異物去除前的組成物以一定的流量流動的定量泵220、具有濾芯（未圖示）及收容（安裝）有該濾芯的外殼的過濾器240、位於定量泵220與過濾器240的中途的防搏動器230、配置於防搏動器230與過濾器240之間的第一壓力計270a、及配置於過濾器240的下游的第二壓力計270b。而且，過濾裝置300具備使半導體處理用組成物自過濾器240回到供給箱210中的返回導管260、及排出經過濾器240過濾的半導體處理用組成物的排出導管250。
本實施例中，過濾器240為於外殼內安裝有1根薄膜（membrane）型的濾芯「沃特凡（Water Fine）」（日本頗爾（Pall Japan）公司製造，標稱過濾精度0.05 μm，長度10吋）的過濾器。定量泵220是使用空氣驅動式的隔膜泵（diaphragm pump），以過濾器前後的差壓為0.2 MPaG～0.3 MPaG，組成物的流速成為表1所記載的流量的方式進行設定。
適時對組成物進行取樣，於組成物中所含有的0.1 μm～0.3 μm的粒子數成為表1所記載的濃度的時刻停止過濾，製備實施例1的半導體處理用組成物（濃縮型）。再者，如以下般測定組成物每1 mL中的粒子的個數。
具體而言，首先以測定的顆粒的個數成為「30個/mL（0.1 μm）」（即，「粒徑大於0.1 μm的粒子於1 mL中為30個以下」）的方式利用超純水反覆進行空白測定。然後，準備100 mL的濃縮型的半導體處理用組成物（樣本），將該樣本設置於注射取樣器（syringe sampler）「KZ-31W」中。其後，藉由所述液中顆粒感測器對所述樣本的每1 mL中的粒徑0.1 μm～0.3 μm的粒子的個數測定2次，算出平均值。將該平均值設定為半導體處理用組成物每1 mL中的粒徑0.1 μm～0.3 μm的粒子的個數。
4.1.2.配線基板的處理試驗 （1）化學機械研磨步驟 使用荏原製作所股份有限公司製造的化學機械研磨裝置「EPO112」，於下述條件下對帶銅配線圖案的基板（使PETEOS膜以5000 Å的厚度積層於直徑8吋的矽基板上後，利用「半導體技術（SEMATECH）854」遮罩進行圖案加工，於其上依序積層厚度250 Å的鈷膜、厚度1000 Å的銅籽晶膜及厚度10000 Å的鍍銅膜而成的測試用的基板）實施二階段化學機械研磨。再者，於第一階段的化學機械研磨中，對銅籽晶膜及鍍銅膜進行化學機械研磨直至鈷膜露出為止。於第二階段的化學機械研磨中，對鈷膜、銅籽晶膜及鍍銅膜進行化學機械研磨直至PETEOS膜露出為止。
＜第一階段的化學機械研磨＞ 化學機械研磨用水系分散體：捷時雅（JSR）（股）製造，「CMS7501/CMS7552」 研磨墊：羅德爾-霓達（Rodel·Nitta）（股）製造，「IC1000/SUBA400」 壓盤轉速：70 rpm 研磨頭轉速：71 rpm 研磨頭負重：50 g/cm2 化學機械研磨用水系分散體供給速度：200 mL/min 研磨時間：150秒
＜第二階段的化學機械研磨＞ 化學機械研磨用水系分散體：捷時雅（JSR）（股）製造，「CMS8501/CMS8552」 研磨墊：羅德爾-霓達（Rodel·Nitta）（股）製造，「IC1000/SUBA400」 壓盤轉速：70 rpm 研磨頭轉速：71 rpm 研磨頭負重：250 g/cm2 化學機械研磨用水系分散體供給速度：200 mL/min 研磨時間：60秒
（2）處理步驟 對於所述獲得的研磨後的基板表面，於所述獲得的半導體處理用組成物中以成為表1所記載的稀釋倍率的方式添加超純水（粒徑0.3 μm以上的顆粒為10個/mL以下，pH值＝6.5）進行稀釋，藉此製備處理劑（清洗劑），於下述條件下供於壓盤上處理（清洗）。然後，同樣地供於毛刷擦除處理（清洗）。
＜壓盤上處理（清洗）＞ 處理劑：所述製備的處理劑（清洗劑） 研磨頭轉速：70 rpm ·研磨頭負重：100 g/cm2 ·壓盤轉速：71 rpm ·處理劑供給速度：300 mL/min ·處理時間：30秒
＜毛刷擦除處理（清洗）＞ ·處理劑：所述製備的處理劑（清洗劑） ·上部毛刷轉速：100 rpm ·下部毛刷轉速：100 rpm ·基板轉速：100 rpm ·處理劑供給速度：300 mL/min ·處理時間：30秒
4.1.3.評價試驗 ＜腐蝕評價＞ 對所述獲得的處理後的基板表面使用掃描式電子顯微鏡（日立高新技術（Hitachi High-technology）製造，型號「S-4800」）以120,000倍的倍率觀察測試圖案的0.175 μm的銅配線部，藉此進行腐蝕的評價。將其結果示於表1中。再者，評價基準如下。 （評價基準） 關於10根銅配線中的觀察到腐蝕的銅配線的根數， ·於為3根以下並且於與阻障金屬之間未見狹縫的情形時，判斷為非常良好並表述作「◎」； ·於超過3根且為5根以下並且於與阻障金屬之間未見狹縫的情形時，判斷為可使用並表述作「○」； ·於超過5根或於與阻障金屬之間可見狹縫的情形時，判斷為不良並表述作「×」。
＜清洗（缺陷）評價＞ 使用晶圓缺陷檢查裝置（KLA坦可（KLA-Tencor）公司製造，型號「KLA2351」），對所述獲得的處理後的基板表面計測整個被處理面的缺陷數。將其結果示於表1中。再者，評價基準如下。 （評價基準） 關於整個基板表面的缺陷數， ·於為250個以下的情形時，判斷為非常良好並表述作「◎」； ·於超過250個且為500個以下的情形時，判斷為可使用並表述作「○」； ·於為500個以上的情形時，判斷為不良並表述作「×」。
＜可靠性評價＞ 對1000片進行了所述第二階段的化學機械研磨的基板（積層有厚度5000 Å的銅膜的測試用基板）使用所述獲得的處理劑（清洗劑），藉由所述毛刷擦除處理連續進行處理。對處理後的基板進行缺陷檢查，將整個基板表面的缺陷數多於250個的情形視為不良。對1000片中成為不良的基板數進行計數，藉此對處理劑（清洗劑）的可靠性進行評價。將其結果示於表1中。評價基準如下。 （評價基準） 關於1000片中成為不良的基板的片數， ·於為50片以下的情形時，判斷為非常良好並表述作「◎」； ·於多於50片且為100片以下的情形時，判斷為可使用並表述作「○」； ·於多於100片的情形時，判斷為不良並表述作「×」。
4.2.實施例2～實施例26及比較例1～比較例9 將半導體處理用組成物（濃縮型）變更為表1～表2中記載的組成，且設定為表1～表2中記載的組成的處理劑（清洗劑），除此以外，與實施例1同樣地進行配線基板的處理試驗及評價試驗。
4.3.實施例27 4.3.1.半導體處理用組成物的製備 變更為表3所記載的組成，視需要使用氫氧化鉀及氫氧化鈉以成為表3所示的pH值、K含量、Na含量的方式進行調整，除此以外，與實施例1同樣地製備半導體處理用組成物（濃縮型）。
4.3.2.配線基板的清洗試驗 （1）化學機械研磨步驟 使用荏原製作所股份有限公司製造的化學機械研磨裝置「EPO112」，於下述條件下對帶有銅配線圖案的基板（使PETEOS膜以5000 Å的厚度積層於直徑8吋的矽基板上後，利用「半導體技術（SEMATECH）854」遮罩進行圖案加工，於其上使厚度250 Å的鈷膜、厚度1000 Å的鎢籽晶膜及厚度10000 Å的鍍鎢膜依序積層而成的測試用基板）實施一階段化學機械研磨。
＜研磨條件＞ ·化學機械研磨用水系分散體：卡博特（Cabot）（股）製造，「W2000」（含有鐵離子及過氧化氫的漿料） ·研磨墊：羅德爾-霓達（Rodel·Nitta）（股）製造，「IC1000/SUBA400」 ·壓盤轉速：70 rpm ·研磨頭轉速：71 rpm ·研磨頭負重：50 g/cm2 ·化學機械研磨用水系分散體供給速度：200 mL/min ·研磨時間：150秒
（2）處理步驟 對於所述獲得的研磨後的基板表面，於所述獲得的半導體處理用組成物（濃縮型）中以成為表3所記載的稀釋倍率的方式添加超純水（粒徑0.3 μm以上的顆粒為10個/mL以下，pH值＝6.5）進行稀釋，藉此製備處理劑（清洗劑），於下述條件下供於壓盤上處理（清洗）。其後，同樣地供於毛刷擦除清洗。
＜壓盤上處理（清洗）＞ ·處理劑：所述製備的處理劑（清洗劑） ·研磨頭轉速：71 rpm ·研磨頭負重：100 g/cm2 ·壓盤轉速：70 rpm ·處理劑供給速度：300 mL/min ·處理時間：30秒
＜毛刷擦除清洗＞ ·處理劑：所述製備的處理劑（清洗劑） ·上部毛刷轉速：100 rpm ·下部毛刷轉速：100 rpm ·基板轉速：100 rpm ·處理劑供給速度：300 mL/min ·處理時間：30秒
4.3.3.評價試驗 ＜腐蝕評價＞ 與實施例1同樣地對所述獲得的處理後的基板表面進行評價。將其結果示於表3中。
＜清洗（缺陷）評價＞ 與實施例1同樣地對所述獲得的處理後的基板表面進行評價。將其結果示於表3中。
＜可靠性評價＞ 對1000片進行了所述化學機械研磨的基板（積層有厚度3000 Å的鎢膜的測試用基板）使用所述獲得的處理劑（清洗劑），藉由所述毛刷擦除清洗連續進行清洗。對清洗後的基板進行缺陷檢查，將整個基板表面的缺陷數多於250個的情形視為不良。對1000片中成為不良的基板數進行計數，藉此對處理劑（清洗劑）的可靠性進行評價。將其結果示於表3中。評價基準如下。 （評價基準） 關於1000片中成為不良的基板的片數， ·於為50片以下的情形時，判斷為非常良好並表述作「◎」； ·於多於50片且為100片以下的情形時，判斷為可使用並表述作「○」； ·於多於100片的情形時，判斷為不良並表述作「×」。
4.4.實施例28～實施例31及比較例10 將半導體處理用組成物（濃縮型）變更為表3所記載的組成，且設定為表3所記載的組成的處理劑（清洗劑），除此以外，與實施例27同樣地進行配線基板的處理試驗及評價試驗。
4.5.實施例32～實施例35及比較例11～比較例13 於聚乙烯製容器中以成為表4所示的含有比例的方式添加各成分，攪拌15分鐘。
對於如此而獲得的組成物，除了對過濾器240於外殼內使用薄膜型的濾芯「PE-可麗（PE-Clean）」（日本頗爾（Pall Japan）公司製造，標稱過濾精度0.05 μm，長度10吋）以外，與實施例1同樣地進行過濾，適時對組成物進行取樣，於組成物中所含有的0.1 μm～0.3 μm的粒子數成為表4所記載的濃度的時刻停止過濾，製備實施例32～實施例35及比較例11～比較例13的半導體處理用組成物（非稀釋型）。將如此而獲得的半導體處理用組成物不加稀釋而直接用作處理劑（蝕刻劑或抗蝕劑剝離劑），除此以外，與實施例1同樣地進行配線基板的處理試驗及評價試驗。
4.6.評價結果 將半導體處理用組成物的組成及評價結果示於以下的表1～表4中。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
於上文的表1～表4中，各成分的數值表示質量份。於各實施例及各比較例中，各成分的合計量成為100質量份，剩餘部分為離子交換水。另外，對上文的表1～表4中的下述成分加以補充說明。 ·聚丙烯酸（Mw＝700,000）：東亞合成股份有限公司製造，商品名「朱麗馬（Julimar）AC-10H」 ·聚丙烯酸（Mw＝55,000）：東亞合成股份有限公司製造，商品名「朱麗馬（Julimar）AC-10L」 ·聚丙烯酸（Mw＝6,000）：東亞合成股份有限公司製造，商品名「亞隆（Aron）A-10SL」 ·聚馬來酸（Mw＝2,000）：日油股份有限公司製造，商品名「濃迫（Nonpol）PWA-50W」 ·聚烯丙胺（Mw＝25,000）：日東寶醫藥（Nittobo Medical）股份有限公司製造，商品名「PAA-25」 ·聚烯丙胺（Mw＝15,000）：日東寶醫藥（Nittobo Medical）股份有限公司製造，商品名「PAA-15」 ·聚苯乙烯磺酸（Mw＝50,000）：東曹（Tosoh）有機化學股份有限公司製造，商品名「PS-5H」 ·苯乙烯-馬來酸共聚物：第一工業製藥股份有限公司製造，商品名「DKS迪斯卡特（DKS Discoat）N-10」 ·苯乙烯-馬來酸半酯共聚物：第一工業製藥股份有限公司製造，商品名「DKS迪斯卡特（DKS Discoat）N-14」 ·萘磺酸福馬林縮合物鈉鹽：第一工業製藥股份有限公司製造，商品名「拉貝林（Lavelin）FD-40」 ·聚乙烯醇（Mw＝26,000）：可樂麗（Kuraray）股份有限公司製造，商品名「PVA405」 ·聚乙烯亞胺（Mw＝70,000）：日本觸媒股份有限公司製造，商品名「艾博明（Epomin）P-1000」 ＜有機酸＞ ·絲胺酸：日本理化學藥品股份有限公司製造 ·半胱胺酸：日本理化學藥品股份有限公司製造 ·N-乙醯基-L-半胱胺酸：日本理化學藥品股份有限公司製造 ·組胺酸：日本理化學藥品股份有限公司製造 ·精胺酸：日本理化學藥品股份有限公司製造 ·天冬胺酸：日本理化學藥品股份有限公司製造 ·苯基丙胺酸：協和醱酵生物（Kyowa hakko-Bio）股份有限公司製造 ·苯甲酸：日本DMS（DMS Japan）製造 ·羥基苯基乳酸：東京化成工業股份有限公司製造 ·苯基琥珀酸：東京化成工業股份有限公司製造 ·萘磺酸：和光純藥工業股份有限公司製造 ·馬來酸：扶桑化學工業股份有限公司製造 ＜胺＞ ·單乙醇胺：林純藥工業股份有限公司製造 ·異丙醇胺：東興化學股份有限公司 ＜其他＞ ·苯并三唑：城北化學工業公司製造，防銹劑 ·咪唑：四國化成工業公司製造，防銹劑 ·十二烷基苯磺酸銨：多摩化學工業股份有限公司製造，界面活性劑 ·烷基亞胺基二羧酸銨：竹本油脂股份有限公司製造，界面活性劑 ·TMAH：「氫氧化四甲基銨」，林純藥工業股份有限公司製造，pH調整劑 ·TEAH：「氫氧化四乙基銨」，純正化學股份有限公司製造，pH調整劑 ·膽鹼：多摩化學工業股份有限公司製造，pH調整劑 ·氫氧化單甲基三羥基乙基銨：四日市合成股份有限公司製造，pH調整劑 ·氫氧化二甲基雙(2-羥基乙基)銨：四日市合成股份有限公司製造，pH調整劑 ·KOH：關東化學股份有限公司公司製造，pH調整劑 ·氫氧化銨：林純藥工業股份有限公司製造，pH調整劑 ＜溶劑＞ ·2-P：「2-吡咯啶酮」，和光純藥工業股份有限公司製造 ·PG：「丙二醇」，和光純藥工業股份有限公司製造 ·PGME：「丙二醇單甲醚」，三協化學股份有限公司製造 ·NMP：「N-甲基吡咯啶酮」，三菱化學股份有限公司製造 Sulfolane：「環丁碸」，三協化學股份有限公司製造
如由上文的表1～表4所表明，於使用實施例1～實施例35的半導體處理用組成物的情形時，均抑制基板表面的腐蝕狀態，且缺陷數亦少，可實現被處理體的良好狀態。
本發明不限定於所述實施形態，可進行各種變形。例如，本發明包括與實施形態中說明的構成實質上相同的構成（例如功能、方法及結果相同的構成，或目的及效果相同的構成）。另外，本發明包括將實施形態中說明的構成的非本質部分替換而成的構成。另外，本發明包括發揮與實施形態中說明的構成相同的作用效果的構成或可達成相同目的之構成。另外，本發明包括對實施形態中說明的構成附加公知技術所得的構成。
10‧‧‧基體
12‧‧‧絕緣膜
14‧‧‧阻障金屬膜
16‧‧‧金屬膜
20‧‧‧配線用凹部
100‧‧‧被處理體
200‧‧‧配線基板
210‧‧‧供給箱
220‧‧‧定量泵
230‧‧‧防搏動器
240‧‧‧過濾器
250‧‧‧排出導管
260‧‧‧返回導管
270a‧‧‧第一壓力計
270b‧‧‧第二壓力計
300‧‧‧過濾裝置
圖1為示意性地表示本實施形態的處理方法中所用的配線基板的製作製程的剖面圖。 圖2為示意性地表示本實施形態的處理方法中所用的配線基板的製作製程的剖面圖。 圖3為示意性地表示本實施例中所用的過濾裝置的構成的概念圖。
10‧‧‧基體
12‧‧‧絕緣膜
14‧‧‧阻障金屬膜
16‧‧‧金屬膜
20‧‧‧配線用凹部
100‧‧‧被處理體

Claims (7)

  1. 一種半導體處理用組成物，其為經濃縮的半導體處理用組成物，並且含有3×101 個/mL～1.5×103 個/mL的粒徑為0.1 μm～0.3 μm的粒子。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體處理用組成物，其是稀釋至1倍～500倍而使用。
  3. 一種半導體處理用組成物，其是不加稀釋而使用，並且含有3×101 個/mL～1.5×103 個/mL的粒徑為0.1 μm～0.3 μm的粒子。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的半導體處理用組成物，更含有有機酸。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的半導體處理用組成物，更含有水溶性高分子。
  6. 一種處理方法，包括以下步驟： 使用如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的半導體處理用組成物，對含有銅或鎢作為配線材料且含有選自由鉭、鈦、鈷、釕、錳及所述金屬的化合物所組成的組群中的至少一種作為阻障金屬材料的配線基板進行處理。
  7. 一種處理方法，包括以下步驟： 於使用含有鐵離子及過氧化物的組成物對含有鎢作為配線基板的配線材料的所述配線基板進行化學機械研磨後，使用如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的半導體處理用組成物進行處理。
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